DE112018007290T5

DE112018007290T5 - Substrat-Bondingstruktur und Substrat-Bondingverfahren

Info

Publication number: DE112018007290T5
Application number: DE112018007290.8T
Authority: DE
Inventors: Koichiro Nishizawa
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2018-03-16
Filing date: 2018-03-16
Publication date: 2020-12-10
Also published as: US11244874B2; KR102471813B1; TWI664883B; TW201940025A; JP6394848B1; JPWO2019176095A1; KR20200118189A; CN111868917A; CN111868917B; WO2019176095A1; US20200365473A1

Abstract

Eine Vorrichtung (2) ist auf einer Hauptoberfläche eines Substrats (1) ausgebildet. Die Hauptoberfläche des Substrats (1) ist über das Bonding-Bauteil (11, 12, 13) in einem hohlen Zustand an die Unterseite des Gegensubstrats (14) gebondet. Eine Schaltung (17) und eine Höckerstruktur (26) sind auf der Oberseite des Gegensubstrats (14) ausgebildet. Die Höckerstruktur (26) ist in einem Bereich positioniert, der zumindest dem Bonding-Bauteil (11, 12, 13) entspricht, und weist eine größere Höhe als diejenige der Schaltungsstruktur (17) auf.

Description

Gebiet
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Struktur, in der ein Substrat und ein Gegensubstrat aneinander gebondet sind, und ein Verfahren zum Bonden der Substrate.
Hintergrund
Um die Montagefläche einer Halbleitervorrichtung zu reduzieren, wird eine Struktur vorgeschlagen, in der ein Halbleitersubstrat an ein anderes Halbleitersubstrat oder ein Substrat aus anderem als einem Halbleiter wie etwa Glas oder Saphir gebondet wird. Um die Zuverlässigkeit zu steigern, wird ferner auch eine Struktur vorgeschlagen, in der ein Versiegelungsrahmen zwischen Substraten vorgesehen ist, um einen hohlen Teil auszubilden (siehe beispielsweise Patentliteratur 1).
Als ein Substrat-Bondingverfahren gibt es ein Wafer-Level-Chip-Scale-Package (WLCSP) genanntes Verfahren, bei dem ein Substrat in einem Waferzustand und ein Gegensubstrat aneinander gebondet und durch Zerteilen für jede Vorrichtung getrennt werden. Beispielsweise werden Vorrichtungen in einer Array-Form auf einem Substrat mittels eines Wafer-Prozesses ausgebildet, werden den Vorrichtungen entsprechende Schaltungen auch auf einem Gegensubstrat ausgebildet und werden beide über Verbindungshöcker verbunden. In diesem Verfahren können viele Vorrichtungen auf einmal gebildet werden und sind die Kosten niedriger als im Fall einer individuellen Einhausung.
Zitatliste
Patentliteratur
[PTL 1] JP 2009-285810 A
Zusammenfassung
Technisches Problem
Das Substrat und das Gegensubstrat werden ausgerichtet und gebondet, indem unter Verwendung von Oberflächenplatten (engl.: surface plates) Druck gleichmäßig von oben und unten angewendet wird. Zu dieser Zeit empfängt das Gegensubstrat einen nach unten gerichteten Druck für jedes Element wie etwa eine auf der Oberseite ausgebildete Schaltung, und daher können die Schaltungen oder dergleichen auf dem Gegensubstrat beschädigt werden. Ferner wird der Druck von der oberen Seite verteilt und auf die Verbindungshöcker übertragen, indem die Richtung geändert wird, und daher ist es nicht möglich, einen ausreichenden Druck direkt nach unten auf die Verbindungshöcker zu übertragen. In einigen Fällen wird dementsprechend eine Haftung der Verbindungshöcker verschlechtert und kann keine elektrische Leitung erhalten werden. Infolgedessen besteht ein Problem, dass die Zuverlässigkeit beeinträchtigt ist.
Die vorliegende Erfindung wurde vor dem Hintergrund des Problems wie oben beschrieben gemacht, und es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Substrat-Bondingstruktur und ein Substrat-Bondingverfahren zu erhalten, die die Zuverlässigkeit verbessern können.
Lösung für das Problem
Eine Substrat-Bondingstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung umfasst: ein Substrat, das eine Hauptoberfläche aufweist; eine Vorrichtung, die auf der Hauptoberfläche des Substrats ausgebildet ist; ein Gegensubstrat, das eine der Hauptoberfläche gegenüberliegende Unterseite und eine der Unterseite entgegengesetzte Oberseite aufweist; ein Bonding-Bauteil, das die Hauptoberfläche des Substrats an die Unterseite des Gegensubstrats in einem hohlen Zustand bondet; und eine Schaltung und eine Höckerstruktur, die auf der Oberseite des Gegensubstrats ausgebildet sind, wobei die Höckerstruktur in einem Bereich positioniert ist, der zumindest dem Bonding-Bauteil entspricht, und eine größere Höhe als diejenige der Schaltung aufweist.
Vorteilhafte Effekte der Erfindung
In der vorliegenden Offenbarung sind eine Schaltung und eine Höckerstruktur auf der Oberseite des Gegensubstrats ausgebildet, und die Höckerstruktur ist in einem Bereich positioniert, der zumindest dem Bonding-Bauteil entspricht, und hat eine größere Höhe als diejenige der Schaltung. Wenn das Substrat und das Gegensubstrat aneinander gebondet werden, berührt dementsprechend die Schaltung mit einer geringen Höhe nicht die Oberflächenplatte, und daher kann die Schaltung geschützt werden. Ferner wird eine Last von der Oberflächenplatte auf der oberen Seite nicht auf die Schaltung verteilt, sondern über die Höckerstruktur linear auf die Verbindungshöcker und den Versiegelungsrahmen übertragen. Dementsprechend kann eine ausreichende Last beaufschlagt werden, und daher kann eine Haftung des Gegensubstrats und des Bonding-Bauteils sichergestellt werden. Infolgedessen kann die Zuverlässigkeit gesteigert werden.
Figurenliste

1 ist eine Draufsicht, die eine Substrat-Bondingstruktur gemäß einer Ausführungsform 1 veranschaulicht.
2 ist eine Schnittansicht entlang I-II in 1.
3 ist eine Schnittansicht entlang III-IV in 1.
4 ist eine Draufsicht, die ein Substrat gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht.
5 ist eine Unteransicht, die ein Gegensubstrat gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht.
6 ist eine Schnittansicht, die eine Beziehung zwischen der Luftbrücke und der Höckerstruktur veranschaulicht.
7 ist eine Schnittansicht, die eine Beziehung zwischen der Luftbrücke und der Höckerstruktur veranschaulicht.
8 ist eine Schnittansicht, die ein Beispiel eines Herstellungsprozesses auf einer Substratseite gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht.
9 ist eine Schnittansicht, die ein Beispiel eines Herstellungsprozesses auf einer Substratseite gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht.
10 ist eine Schnittansicht, die ein Beispiel eines Herstellungsprozesses auf einer Substratseite gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht.
11 ist eine Schnittansicht, die ein Beispiel eines Herstellungsprozesses auf einer Substratseite gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht.
12 ist eine Schnittansicht, die ein anderes Beispiel des Herstellungsprozesses auf der Substratseite gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht.
13 ist eine Schnittansicht, die ein anderes Beispiel des Herstellungsprozesses auf der Substratseite gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht.
14 ist eine Schnittansicht, die ein anderes Beispiel des Herstellungsprozesses auf der Substratseite gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht.
15 ist eine Schnittansicht, die einen Herstellungsprozess auf einer Gegensubstratseite gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht.
16 ist eine Schnittansicht, die einen Herstellungsprozess auf einer Gegensubstratseite gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht.
17 ist eine Schnittansicht, die einen Herstellungsprozess auf einer Gegensubstratseite gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht.
18 ist eine Schnittansicht, die einen Herstellungsprozess auf einer Gegensubstratseite gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht.
19 ist eine Schnittansicht, die einen Bondingprozess des Substrats und des Gegensubstrats gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht.
20 ist eine Schnittansicht, die einen Bondingprozess eines Substrats und eines Gegensubstrats gemäß einem Vergleichsbeispiel 1 veranschaulicht.
21 ist eine Schnittansicht, die einen Bondingprozess eines Substrats und eines Gegensubstrats gemäß einem Vergleichsbeispiel 2 veranschaulicht.
22 ist eine Schnittansicht, die ein modifiziertes Beispiel der Substrat-Bondingstruktur gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht.
23 ist eine Schnittansicht, die einen Hauptteil einer Substrat-Bondingstruktur gemäß einer Ausführungsform 2 veranschaulicht.
24 ist eine Schnittansicht, die einen Hauptteil einer Substrat-Bondingstruktur gemäß einer Ausführungsform 3 veranschaulicht.
25 ist eine Draufsicht, die eine Lagebeziehung der Höckerstruktur und eines Bonding-Bauteils der Substrat-Bondingstruktur gemäß der Ausführungsform 3 veranschaulicht.

Beschreibung der Ausführungsformen
Eine Substrat-Bondingstruktur und ein Substrat-Bondingverfahren gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung werden unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Die gleichen Komponenten werden mit den gleichen Symbolen bezeichnet, und deren wiederholte Beschreibung kann weggelassen werden.
Ausführungsform 1
1 ist eine Draufsicht, die eine Substrat-Bondingstruktur gemäß einer Ausführungsform 1 veranschaulicht. 2 ist eine Schnittansicht entlang I-II in 1. 3 ist eine Schnittansicht entlang III-IV in 1. 4 ist eine Draufsicht, die ein Substrat gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht. 5 ist eine Unteransicht, die ein Gegensubstrat gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht. Hier wird ein Beispiel beschrieben, in welchem die Substrat-Bondingstruktur für einen Leistungsverstärker, der einen GaN-HEMT-Transistor nutzt, verwendet wird. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht auf den Transistor, Schaltungen, einen Substrattyp und dergleichen beschränkt, die im Beispiel dargestellt werden. Ferner sind Materialien und Größen nur Beispiele und schränken den Nutzungsbereich nicht ein.
Ein Substrat 1 wird erhalten, indem zum Beispiel auf einem einkristallinen Substrat aus SiC oder Si eine GaN-AIGaN-Schicht hetero-epitaktisch aufgewachsen wird. Eine Vorrichtung 2, die ein HEMT-Transistor ist, ist auf einer Mitte einer Hauptoberfläche des Substrats 1 ausgebildet. Ein einen Versiegelungsrahmen aufnehmendes Pad 3 ist so ausgebildet, dass es die Vorrichtung 2 umgibt.
Die Vorrichtung 2 weist eine Gateelektrode 4, eine Sourceelektrode 5, eine Drainelektrode 6, ein mit der Gateelektrode 4 verbundenes Gate-Pad 7 und ein mit der Drainelektrode 6 verbundenes Drain-Pad 8 auf. Die Sourceelektrode 5 dient auch als Source-Pad. Vom Gate-Pad 7 wird eine Signalspannung empfangen, von der Sourceelektrode 5 wird Strom bereitgestellt und vom Drain-Pad 8 wird ein Signalstrom abgegeben.
Eine Breite der einzelnen Gateelektrode 4 beträgt annähernd 50 bis 500 µm, und eine Vielzahl an Gateelektroden 4 ist entsprechend einer geforderten Ausgangsleistung lateral parallel angeordnet. Obgleich hier ein Fall dargestellt ist, in dem zwei Gateelektroden 4 angeordnet sind, sind in Wirklichkeit annähernd 2 bis 100 Gateelektroden 4 angeordnet. Eine Größe der Vorrichtung 2 hängt von einer einzelnen Gatebreite und einer Anzahl an Gates ab, und, wenn die einzelne Gatebreite 500 µm beträgt und die Anzahl an Gates 70 ist, ist die Größe annähernd 1 mm lang und 3 mm breit. Je kleiner die Gatelänge, welche die laterale Breite der Gateelektrode 4 ist, ist, desto besser sind die Signalcharakteristiken. Beispielsweise hat eine Gateelektrode 4 eine laterale Breite von 0,1 bis 1,0 µm und hat eine Zweischichtstruktur, in der ein Ti-Film einer Dicke von 20 nm und ein AI-Film einer Dicke von 200 nm mittels eines Gasphasenabscheidungsverfahrens sequentiell ausgebildet werden. Die Drainelektrode 6 und die Sourceelektrode 5 sind mit einer epitaktischen GaN-Schicht auf dem Substrat 1 in ohmschem Kontakt und werden gebildet, indem ein Ni-Film einer Dicke von 50 nm und ein Au-Film einer Dicke von 500 nm mittels eines Gasphasenabscheidungsverfahrens gebildet werden und ein Au-Film einer Dicke von 1 bis 10 µm darauf mittels Plattieren gebildet wird. Eine Dicke des Au-Films wird entsprechend einem zur Elektrode zu leitenden Stroms ausgewählt. Das Gate-Pad 7 und das Drain-Pad 8 sind aus einem Ti-Film einer Dicke von 500 nm und einem Au-Film einer Dicke von 1 bis 10 µm gebildet und sind mit der Drainelektrode 6 bzw. der Gateelektrode 4 verbunden.
Ein durch das Substrat 1 dringendes Kontaktloch 9 wird von einer Seite der rückseitigen Oberfläche des Substrats 1 aus mittels Trockenätzung gebildet. Eine Dicke des Substrats 1 beträgt annähernd 50 bis 100 µm, und ein Durchmesser des Kontaktlochs 9 beträgt 50 bis 100 µmϕ. Eine rückseitige Elektrode 10 ist in dem Kontaktloch 9 und auf einer rückseitigen Oberfläche des Substrats 1 ausgebildet. Die rückseitige Elektrode 10 wird gebildet, indem eine Au-Plattierung einer Dicke von 1 bis 10 µm entsprechend einem in das Kontaktloch 9 zu leitenden Strom auf einem Saatfilm wie etwa einem Sputter-Film eines Ti-Films einer Dicke von 50 nm und eines Au-Films einer Dicke von 200 nm gebildet wird.
Verbindungshöcker 11 und 12 sind auf dem Gate-Pad 7 bzw. dem Drain-Pad 8 ausgebildet. Ein Versiegelungsrahmen 13 ist auf dem einen Versiegelungsrahmen aufnehmenden Pad 3 ausgebildet. Der Versiegelungsrahmen 13 ist mit der Sourceelektrode 5 verbunden. Die Hauptoberfläche des Substrats 1 und eine Unterseite des Gegensubstrats 14 sind über die Verbindungshöcker 11 und 12 und den Versiegelungsrahmen 13 in einem hohlen Zustand aneinander gebondet. Mit anderen Worten sind die Hauptoberfläche des Substrats 1 und die Unterseite des Gegensubstrats 14 voneinander getrennt, und ein Raum ist auf der Vorrichtung 2 ausgebildet und wird durch die Verbindungshöcker 11 und 12 und den Versiegelungsrahmen 13 abgestützt. Der Versiegelungsrahmen 13 umgibt die Vorrichtung 2 und versiegelt den Raum hermetisch, und dadurch wird die Zuverlässigkeit gesteigert. Man beachte, dass der Versiegelungsrahmen 13 nicht immer ausgebildet sein muss. Die Höhen der Verbindungshöcker 11 und 12 und des Versiegelungsrahmens 13 sind so eingerichtet, dass die Vorrichtung 2 auf einer Seite des Substrats 1 und das Gegensubstrat 14 einander nicht berühren, und betragen zum Beispiel 10 µm.
Das Gegensubstrat 14 ist ein isolierendes Substrat aus Saphir, Glas, InP, SiC, GaAs oder dergleichen, ein Si-Substrat mit hohem Widerstand oder dergleichen. Eine Schaltung 17 mit einem MIM-Kondensator 15 und einem Spiralinduktor 16, eine Gate-Extraktionselektrode 18 und eine Drain-Extraktionselektrode 19 sind auf einer Oberseite des Gegensubstrats 14 ausgebildet. Die Schaltung 17 ist eine Anpassungsschaltung und ist in diesem Fall eine Schaltung zur Oberschwingungs-Bearbeitung, die mit einer Eingangsseite des Transistors verbunden ist. Die Schaltung 17 besteht aus Gasphasenabscheidungsfilmen eines Ti-Films einer Dicke von 50 nm und eines Au-Films einer Dicke von 1 µm und einem Au-Plattierungsfilm einer Dicke von 1 bis 5 µm.
Kontaktlöcher 20, 21 und 22, die durch das Gegensubstrat 14 dringen, werden mittels Trockenätzung von einer Seite der rückseitigen Oberfläche des Gegensubstrats 14 aus gebildet. Eine Dicke des Gegensubstrats 14 beträgt annähernd 50 bis 100 µm, und Durchmesser der Kontaktlöcher 20, 21 und 22 betragen 50 bis 100 µmϕ. Im Kontaktloch 20 ist eine Elektrode 23 ausgebildet. Eine Abschirmelektrode 24 ist in dem Kontaktloch 21 und auf einer rückseitigen Oberfläche des Gegensubstrats 14 ausgebildet. Im Kontaktloch 22 ist eine Elektrode 25 ausgebildet. Die Elektroden 23 und 25 und die Abschirmelektrode 24 werden gebildet, indem eine Au-Plattierung einer Dicke von 1 bis 5 µm entsprechend einem in die Kontaktlöcher 20, 21 und 22 zu leitenden Strom auf Saatfilmen wie etwa einem Sputter-Film eines Ti-Films einer Dicke von 50 nm und eines Au-Films einer Dicke von 200 nm gebildet wird. Um die Verbindungshöcker 11 und 12, die mit einem Gate und einem Drain verbunden sind, von der Abschirmelektrode 24 zu isolieren, werden die Elektroden 23 und 25 und die Abschirmelektrode 24 getrennt, indem sie nach Ausbildung des Plattierungsfilms und der Sputter-Filme strukturiert werden.
Die Gate-Extraktionselektrode 18 ist über die Elektrode 23 und den Verbindungshöcker 11 mit dem Gate-Pad 7 auf der Seite des Substrats 1 verbunden. Die Gate-Extraktionselektrode 18 ist über den MIM-Kondensator 15 und den Spiralinduktor 16 separat mit der Abschirmelektrode 24 verbunden. Die Abschirmelektrode 24 ist mit der rückseitigen Elektrode 10, die geerdet ist, über den Versiegelungsrahmen 13 und die Sourceelektrode 5 verbunden. Eine Oberschwingungs-Bearbeitung wird durch eine Schaltung von der Gate-Extraktionselektrode 18 zur Masse ermöglicht. Ferner schirmt die Abschirmelektrode 24 eine von der Vorrichtung 2 auf der Seite des Substrats 1 erzeugte elektromagnetische Welle ab, so dass die elektromagnetische Welle aus dem hohlen Teil nicht nach außen geht.
Die Drain-Extraktionselektrode 19 ist über die Elektrode 25 und den Verbindungshöcker 12 mit dem Drain-Pad 8 auf der Seite des Substrats 1 verbunden. Ein Signal wird durch eine Drahtverbindung in die Gate-Extraktionselektrode 18 eingespeist, und ein Signal wird durch eine Drahtverbindung von der Drain-Extraktionselektrode 19 abgegeben. Auf diese Weise sind die Vorrichtung 2 des Substrats 1 und die Schaltung 17 des Gegensubstrats 14 über die Verbindungshöcker 11 und 12 und den Versiegelungsrahmen 13 miteinander verbunden.
Höckerstrukturen 26 sind auf der Oberseite des Gegensubstrats 14 durch eine Au-Plattierung von annähernd 10 µm ausgebildet. Die Höckerstrukturen 26 sind in Bereichen ausgebildet, die zumindest den Verbindungshöckern 11 und 12 und dem Versiegelungsrahmen 13 entsprechen, und weisen größere Höhen als diejenige der Schaltung 17 auf.
6 und 7 sind Schnittansichten, die jeweils eine Beziehung zwischen der Luftbrücke und der Höckerstruktur veranschaulichen. Wenn beispielsweise die Schaltung 17 eine Anpassungsschaltung eines Leistungsverstärkers eines GaN-HEMT ist, gibt es einen als Luftbrücke 27 bezeichneten Kreuzungsteilbereich von Drähten. Die Drähte sind durch die Luftbrücke 27 über eine Luftschicht annähernd 3 µm getrennt, um eine Kapazität zwischen den Drähten zu reduzieren, und daher ist die Luftbrücke 27 um 3 µm höher als umgebende Drähte. Die Höckerstruktur 26 muss höher als die der Luftbrücke 27 ausgebildet werden. Wenn die Höckerstruktur 26 wie in 6 auf einer gestapelten Struktur des Gasphasenabscheidungsfilms 28 und des Plattierungsfilms 29 gebildet wird, muss die Höhe der Höckerstruktur 26 größer als 3 µm ausgebildet werden. Wenn die Höckerstruktur 26 wie in 7 auf dem Gasphasenabscheidungsfilm 28 ausgebildet wird, muss die Höhe der Höckerstruktur 26 größer als eine Plattierungsdicke + 3 µm ausgebildet werden. Obgleich hier ein Fall dargestellt ist, in dem die Schaltung 17 auf nur der Oberseite des Gegensubstrats 14 ausgebildet ist und nur die Abschirmelektrode 24 auf der rückseitigen Oberfläche ausgebildet ist, kann eine andere Schaltung auf der rückseitigen Oberfläche des Gegensubstrats 14 ausgebildet werden. Obgleich ein Beispiel dargestellt ist, in welchem der MIM-Kondensator 15 und der Spiralinduktor 16 als die Schaltung 17 auf der Oberseite platziert sind, umfasst ferner die Schaltung 17 ferner auch eine Elemente elektrisch verbindende Verdrahtungsstruktur und einen Elemente verbindenden Verbindungsteilbereich.
Nachfolgend wird ein Substrat-Bondingverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben. 8 bis 11 sind Schnittansichten, die jeweils ein Beispiel eines Herstellungsprozesses auf einer Substratseite gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulichen. Diese Zeichnungen entsprechen der Schnittansicht entlang III-IV in 4. In dem Beispiel werden mittels Au-Plattieren die Verbindungshöcker 11 und 12 und der Versiegelungsrahmen 13 gebildet. Man beachte, dass die Verbindungshöcker 11 und 12 und der Versiegelungsrahmen 13 mittels eines Strukturierungsprozesses durch ein Lift-off einer Abscheidung gebildet werden kann.
Wie in 8 veranschaulicht ist, werden zunächst auf der Hauptoberfläche des Substrats 1 die Vorrichtung 2 mit der Drainelektrode 6 und dergleichen, das Gate-Pad 7, das Drain-Pad 8 und das einen Versiegelungsrahmen aufnehmende Pad 3 als aufnehmende Pads gebildet. Man beachte, dass die Kontaktlöcher 9 und die rückseitige Elektrode 10 auf dem Substrat 1 ebenfalls ausgebildet werden, aber Veranschaulichungen der Kontaktlöcher 9 und der rückseitigen Elektrode 10 in 8 bis 14 weggelassen sind. Man beachte, dass das Gate-Pad 7, das Drain-Pad 8 und die Drainelektrode 6 dahingehend beschrieben werden, dass sie die gleiche Dicke haben; aber dies ist eine vereinfachte Veranschaulichung, und die Drainelektrode 6 ist dicker als jene der anderen Elektroden, da die Drainelektrode 6 eine ohmsche Schicht in einer unteren Schicht enthält. Das Gate-Pad 7, das Drain-Pad 8 und das den Versiegelungsrahmen aufnehmende Pad 3 sind nicht immer notwendig; aber es ist erwünscht, dass sie als Fundamente der Verbindungshöcker 11 und 12 und des Versiegelungsrahmens 13 ausgebildet werden. Dadurch sind die Höhen der Verbindungshöcker 11 und 12 und des Versiegelungsrahmens 13 einheitlich, und die Bondingeigenschaft wird verbessert. Indem man einige der Elektroden der Vorrichtung 2 als die Pads nutzt, wird ferner eine elektrische Verbindung beider einfach.
Was das aufnehmende Pad anbetrifft, werden mittels einer Gasphasenabscheidung oder dergleichen ein Material wie etwa Ti mit einer guten Haftung am Substrat 1 und ein Material mit einer guten Haftung an den Verbindungshöckern 11 und 12 und dem Versiegelungsrahmen 13 kontinuierlich abgeschieden. Wenn die Verbindungshöcker 11 und 12 und der Versiegelungsrahmen 13 zum Beispiel aus Au sind, werden die aufnehmenden Pads mittels kontinuierlicher Abscheidung von Ti/Au gebildet. Ferner werden die aufnehmenden Pads gleichzeitig mit den Elektroden der Vorrichtung 2 während einer Vorrichtungsausbildung geschaffen. Man beachte, dass als die ohmsche Elektrode Ni/Au oder dergleichen in der unteren Schicht der Drainelektrode 6 notwendig ist, um die Vorrichtung zu konfigurieren. Schichtkonfigurationen der aufnehmenden Pads sind jedoch wünschenswerterweise gleich, da ein Bonding nicht stabil ist, wenn die Höhen der Verbindungshöcker 11 und 12 und des Versiegelungsrahmens 13 nicht einheitlich sind.
Als Nächstes wird, wie in 9 veranschaulicht ist, ein Resist 30 einer unteren Schicht gebildet und strukturiert. Als Nächstes wird auf einer gesamten Oberfläche eine Stromversorgungsschicht 31 einer Plattierung ausgebildet. Als Nächstes wird, wie in 10 veranschaulicht ist, ein Resist 32 einer oberen Schicht gebildet und strukturiert.
Dann wird durch elektrisches Plattieren ein Au-Plattierungsfilm nur in Öffnungsteilbereichen des Resists 32 der oberen Schicht gebildet. Man beachte, dass bei einer Au-Plattierung auf einem Wafer eine Einrichtung so konfiguriert ist, dass eine Plattierungsflüssigkeit umgewälzt wird, um einen Flüssigkeitsstrom auf einer WaferOberfläche einheitlich auszubilden, und innerhalb einer Wafer-Ebene ein elektrisches Feld ebenfalls einheitlich wird, wodurch eine Verteilung in der Ebene einer Plattierungsdicke gleichmäßig gemacht wird. Gutes Bonden kann nicht erhalten werden, wenn die Plattierungsdicke variiert, und daher ist der Plattierungsprozess wichtig. Danach werden das Resist 32 der oberen Schicht, die Stromversorgungsschicht 31 und das Resist 30 der unteren Schicht entfernt, und dadurch werden die Verbindungshöcker 11 und 12 und der Versiegelungsrahmen 13 wie in 11 veranschaulicht erhalten.
12 bis 14 sind Schnittansichten, die jeweils ein anderes Beispiel des Herstellungsprozesses auf der Substratseite gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulichen. In dem Beispiel werden die Verbindungshöcker 11 und 12 und der Versiegelungsrahmen 13 unter Verwendung einer Metallteilchenpaste gebildet. Eine Metallteilchenpaste ist ein Material, das präpariert wird, indem Metallteilchen mit einem Lösungsmittel gemischt werden.
Zuerst werden eine Vorrichtung 2, ein Gate-Pad 7, ein Drain-Pad 8 und ein einen Versiegelungsrahmen aufnehmendes Pad 3 auf einer Hauptoberfläche eines Substrats 1 wie in 8 gebildet. Als Nächstes wird ein anderes Transfersubstrat 33 präpariert, und den Verbindungshöckern 11 und 12 und dem Versiegelungsrahmen 13 entsprechende Strukturen werden auf dem Transfersubstrat 33 ausgebildet. Ausformungsverfahren schließen ein Verfahren, in welchem, nachdem die Metallteilchenpaste unter Verwendung eines Resists oder einer Maske in die Struktur gefüllt ist, das Resist oder die Maske entfernt wird, oder dergleichen ein. Nach einer Ausformung der Struktur wird ein Backen bzw. Brennen durchgeführt, und eine im Pastenmittel enthaltene Lösungsmittelkomponente wird verdampft. Eine Brenntemperatur beträgt im Fall einer Au-Paste annähernd 100 bis 200°C. Als Ergebnis wird eine Struktur, in der Metallteilchen aggregiert sind, gebildet, aber in dieser Stufe sind die Metallteilchen nicht integriert, und eine große Anzahl an Hohlräumen ist zwischen den Teilchen vorhanden. Man beachte, dass empirisch bekannt ist, dass im Fall einer Paste mit Au-Teilchen ein Volumenverhältnis der Teilchen und Hohlräume annähernd 1:1 beträgt.
Als Nächstes werden, wie in 13 veranschaulicht ist, die Struktur auf dem Substrat 1 und die Struktur auf dem Transfersubstrat 33 ausgerichtet und danach erhitzt, werden das Substrat 1 und das Transfersubstrat 33 von beiden Seiten unter Druck gesetzt, um die Verbindungshöcker 11 und 12 und den Versiegelungsrahmen 13 an die Pads auf der Seite des Substrats 1 zu bonden. Zur Zeit einer Druckbeaufschlagung werden die Verbindungshöcker 11 und 12 und der Versiegelungsrahmen 13, die aus der Metallteilchenpaste gebildet sind, komprimiert und verformt und werden die Hohlräume verkleinert. Ein Betrag der Verformung variiert gemäß dem Druck und einer Temperatur zur Zeit der Druckbeaufschlagung und beträgt annähernd 0 bis 20% einer ursprünglichen Höhe, wenn die Paste mit Au-Teilchen beispielsweise bei 30 MPa bei 150°C unter Druck gesetzt wird. Im Fall der Struktur mit einer Höhe von 20 µm wird die Höhe um annähernd 0 bis 4 µm reduziert. Infolgedessen können die Verbindungshöcker 11 und 12 und der Versiegelungsrahmen 13 flexibel verformt werden und sich an die Uneinheitlichkeit der Höhen der aufnehmenden Pads oder die Unebenheit auf Mikrometerniveau auf Oberflächen anpassen. Wenn beispielsweise die aufnehmenden Pads jeweils durch Plattieren so ausgebildet werden, dass sie eine Dicke von 10 µm aufweisen, zeigen sich je nach der Strukturgröße oder der Verteilung in der Ebene des Wafers Höhenverteilungen mehrerer Mikrometer, aber die auf den aufnehmenden Pads ausgebildeten Strukturen aus der Metallteilchenpaste können die Höhenverteilungen absorbieren, um die Höhen einheitlich auszubilden. Selbst wenn zum Beispiel das aufnehmende Pad 3 ein Plattierungsfilm mit einer Dicke von 10 µm ist und das Gate-Pad 7 und das Drain-Pad 8 jeweils geschaffen werden, indem ein Gasphasenabscheidungsfilm einer Dicke von 2 µm und ein Plattierungsfilm einer Dicke von 10 µm gestapelt werden, ändern sich ferner Kontraktionsbeträge des Pastenmittels an den jeweiligen Stellen, was die gesamten Höhen einschließlich der Pads vereinheitlichen kann. Die Höhen werden vereinheitlicht, und dadurch werden die Haftung, die Versiegelbarkeit und elektrische Konnektivität bzw. Verbindungsfähigkeit verbessert, wenn das Substrat 1 und das Gegensubstrat 14 aneinander gebondet werden.
Schließlich wird das Transfersubstrat 33 entfernt, und damit ist der Herstellungsprozess auf der Seite des Substrats abgeschlossen. Wenn ein Material wie etwa Ti mit einer geringen Haftung an dem Material aus Metallteilchenpaste auf der Substratoberfläche beschichtet ist, wird das Transfersubstrat 33 leicht entfernt. Man beachte, dass die Struktur der Metallteilchenpaste auf einer Seite der Unterseite des Gegensubstrats 14 ausgebildet werden kann, ohne auf die Seite der Hauptoberfläche des Substrats 1 beschränkt zu sein.
15 bis 18 sind Schnittansichten, die jeweils einen Herstellungsprozess auf einer Seite des Gegensubstrats gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulichen. Zuerst wird, wie in 15 veranschaulicht ist, die Schaltung 17 auf der Oberseite des Gegensubstrats 14 ausgebildet. Die Schaltung 17 ist hier mittels einer Metallstruktur einer einzigen Schicht dargestellt; aber in Wirklichkeit besteht die Schaltung 17 aus einer Vielzahl von Metallstrukturen. Um eine Isolierung zwischen den Strukturen oder eine Zuverlässigkeit der Feuchtigkeitsbeständigkeit zu verbessern, wird ferner ein Isolierungsfilm wie etwa ein Siliziumoxidfilm mittels eines CVD-Verfahrens oder dergleichen ausgebildet, ist aber nicht veranschaulicht.
Als Nächstes wird, wie in 16 veranschaulicht ist, die Unterseite des Gegensubstrats 14 geerdet oder poliert, um es dünn zu machen. Kontaktlöcher 20, 21 und 22 werden mittels Trockenätzung oder dergleichen von einer Seite der Unterseite des Gegensubstrats 14 aus gebildet, wird eine Stromversorgungsschicht mittels eines Sputter-Verfahrens ausgebildet und wird danach eine Elektrode 34 aus einem dicken Film durch Plattieren gebildet. Wie in 17 veranschaulicht ist, werden dann die Elektroden 23 und 25 und die Abschirmelektrode 24 durch Strukturieren mit einem Resist und Ätzen unnötiger Teilbereiche der Elektrode 34 ausgebildet.
Wie in 18 veranschaulicht ist, werden als Nächstes die Höckerstrukturen 26 auf der Oberseite des Gegensubstrats 14 gebildet. Die Höckerstrukturen 26 sind Strukturen, die den Verbindungshöckern 11 und 12 und dem Versiegelungsrahmen 13 entsprechen, und werden so ausgebildet, dass sie eine größere Höhe als diejenige der Schaltung 17 aufweisen. Man beachte, dass eine Ausbildung der Höckerstrukturen 26 direkt nach Ausbildung der Schaltung 27 durchgeführt werden kann und eine Ausbildung durch Ätzen der Kontaktlöcher 20, 21 und 22 von der Unterseite aus und eine Ausbildung der Elektrode 34 nur beispielhaft dargestellt sind.
19 ist eine Schnittansicht, die einen Bondingprozess des Substrats und des Gegensubstrats gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht. Zuerst werden die Hauptoberfläche des Substrats 1 in einem Waferzustand und die Unterseite des Gegensubstrats 14 in einem Waferzustand ausgerichtet. Das Substrat 1 und das Gegensubstrat 14 werden aneinander gebondet, indem eine Druckbeaufschlagung und ein Erhitzen mit Oberflächenplatten, die flach und parallel sind, von oben und unten durchgeführt werden. Zu dieser Zeit werden die Höckerstrukturen 26 mit der Oberflächenplatte so unter Druck gesetzt, dass die Oberflächenplatte die Schaltung 17 nicht berührt, und die Hauptoberfläche des Substrats 1 und die Unterseite des Gegensubstrats 14 werden über die Verbindungshöcker 11 und 12 und den Versiegelungsrahmen 13 aneinander gebondet. Haftflächen der Oberseiten der Verbindungshöcker 11 und 12 und des Versiegelungsrahmens 13 und die Elektroden 23 und 25 und die Abschirmelektrode 24 auf der rückseitigen Oberfläche des Gegensubstrats 14 sind flach und werden beide unter hoher Temperatur und hohem Druck gebondet. Eine Haftung kann durch Reinigen der Oberfläche erhöht werden, indem eine Plasmabearbeitung mit Ar und O₂ durchgeführt wird und eine Ultraschallschwingung angewendet wird. Als das Material für beide können Metalle ausgewählt werden, die vor Erreichen der Schmelztemperaturen aneinander bonden. Beispielsweise umfassen Metalle, die leicht eine Mischkristallreaktion hervorrufen, Au, In und dergleichen, und Edelmetalle wie etwa Au, Pt, Ag und Pd können sich an ihren Oberflächen miteinander verbinden, selbst wenn sie von der gleichen Art sind.
Die Druckbeaufschlagung und das Erhitzen werden unter ähnlichen Bedingungen wie der Prozess in 13 durchgeführt. Damit werden Hohlräume in den Verbindungshöckern 11 und 12 und dem Versiegelungsrahmen 13, die aus der Metallteilchenpaste gebildet sind, weiter verengt, haften die Metallteilchen weiter aneinander und sind die Teilchenoberflächen aneinander gebondet, um einen Bulk bzw. eine Hauptmasse auszubilden, ohne die Schmelztemperatur des Metalls zu erreichen. Beispielsweise bildet eine Paste aus Au-Teilchen eine Hauptmasse bei 200°C unter 100 MPa. Im Fall der Struktur, die ursprünglich eine Höhe von 20 µm aufweist, wird die Struktur durch Bonden auf annähernd 10 µm komprimiert.
Nachfolgend wird ein Effekt der vorliegenden Ausführungsform beschrieben, indem mit Vergleichsbeispielen 1 und 2 verglichen wird. 20 ist eine Schnittansicht, die einen Bondingprozess eines Substrats und eines Gegensubstrats gemäß dem Vergleichsbeispiel 1 veranschaulicht. Da es hier keine Höckerstruktur 26 gibt, kann eine Oberflächenplatte einen Kontakt ausbilden, so dass eine Luftbrücke 27 und dergleichen auf einer Schaltung 17 beschädigt und verformt wird.
Im Gegensatz dazu sind in der vorliegenden Ausführungsform die Höckerstrukturen 26 auf der Oberseite des Gegensubstrats 14 ausgebildet, ist die Höckerstruktur 26 an Positionen angeordnet, die zumindest den Verbindungshöckern 11 und 12 und dem Versiegelungsrahmen 13 entsprechen, und hat die Höhe, die größer als diejenige der Schaltung 17 ist. Wenn das Substrat 1 und das Gegensubstrat 14 aneinander gebondet werden, berührt dementsprechend die Schaltung 17 mit einer geringen Höhe die Oberflächenplatte nicht, und daher kann die Schaltung 17 geschützt werden. Ferner wird eine Last von der Oberflächenplatte auf der oberen Seite nicht auf die Schaltung 17 verteilt, sondern über die Höckerstruktur 26 linear auf die Verbindungshöcker 11 und 12 und den Versiegelungsrahmen 13 übertragen. Dementsprechend kann eine ausreichende Last angewendet werden, und daher kann eine Haftung des Gegensubstrats 14 und der Verbindungshöcker 11 und 12 und des Versiegelungsrahmens 13 sichergestellt werden. Infolgedessen kann die Zuverlässigkeit erhöht werden.
Indem eine Haftung des Gegensubstrats 14 und der Verbindungshöcker 11 und 12 sichergestellt wird, kann die Zuverlässigkeit der elektrischen Verbindung beider gesteigert werden. Indem man eine Haftung des Gegensubstrats 14 und des Versiegelungsrahmens 13 sicherstellt, kann ferner die hermetische Versiegelbarkeit der Vorrichtung verbessert werden. Man beachte, dass ein Druck, der zum Zweck einer elektrischen Verbindung auf die Verbindungshöcker 11 und 12 angewendet wird, geringer als der Druck sein kann, der auf den Versiegelungsrahmen 13 angewendet wird, um die hermetische Versiegelbarkeit zu verbessern. Dementsprechend ist die Höckerstruktur 26 vorzugsweise in einem dem Versiegelungsrahmen 13 entsprechenden Bereich vorgesehen, und der Druck zur Zeit des Bondens kann stärker auf den Versiegelungsrahmen 13 als auf die Verbindungshöcker 11 und 12 angewendet werden.
21 ist eine Schnittansicht, die einen Bondingprozess eines Substrats und eines Gegensubstrats gemäß einem Vergleichsbeispiel 2 veranschaulicht. Es gibt in einem einem Verbindungshöcker 11 entsprechenden Bereich einen Teilbereich ohne Höckerstruktur 26. Der Druck von einer Oberflächenplatte wird nicht linear auf den dem Teilbereich entsprechenden Verbindungshöcker 11 übertragen, so dass der Bondingdruck gering ist und das Bonding ungenügend wird. Ferner besteht auch eine Möglichkeit, dass sich das Gegensubstrat 14 verformt und ein Riss oder dergleichen auftritt. Dementsprechend werden die Höckerstrukturen 26 vorzugsweise in Bereichen positioniert, die allen der Verbindungshöcker 11 und 12 und des Versiegelungsrahmens 13 entsprechen.
22 ist eine Schnittansicht, die ein modifiziertes Beispiel der Substrat-Bondingstruktur gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht. Wenn die Höckerstrukturen 26 in den Bereichen angeordnet sind, die den Verbindungshöckern 11 und 12 und einem Versiegelungsrahmen 13 entsprechen, kann der oben beschriebene Effekt erhalten werden, und ein Teil der Höckerstrukturen 26 kann teilweise in einem anderen Bereich als den Bereichen positioniert werden, die den Verbindungshöckern 11 und 12 und dem Versiegelungsrahmen 13 entsprechen. Jedoch ist es vorzuziehen, dass die Höckerstruktur 26 nicht in dem Bereich positioniert wird, der von den Bereichen verschieden ist, die den Verbindungshöckern 11 und 12 und dem Versiegelungsrahmen 13 entsprechen. Dadurch tritt keine Ungleichmäßigkeit an den Drücken von oben und unten auf das Gegensubstrat 14 auf, und daher kann ein Bruch oder ein Riss des Gegensubstrats 14 verhindert werden.
Indem man die Verbindungshöcker 11 und 12 und den Versiegelungsrahmen 13 aus dem Metallpastenmittel bildet, können die Höhen vor dem Bonden vereinheitlicht werden. Daher kann das Bonden innerhalb der Waferoberfläche stabil durchgeführt werden. Selbst wenn eine Differenz in den Höhen der aufnehmenden Pads auf der Grundlage besteht, können ferner die Höhen der Verbindungshöcker 11 und 12 und des Versiegelungsrahmens 13 vereinheitlicht werden. Folglich gibt es wenige Einschränkungen für die Vorrichtung 2. Zum Beispiel ist es möglich, einen Bonding-Höcker auf einer Drainelektrode mit einer ohmschen Elektrode auszubilden, und zur gleichen Zeit ist es auch möglich, einen Bonding-Höcker auf einem Gate-Pad auszubilden, wo keine ohmsche Elektrode gebildet werden kann. Ferner enthält die Metallteilchenpaste Metallteilchen, so dass verglichen mit einem Hauptmassemetall, das durch Plattieren oder dergleichen gebildet wird, eine Oberfläche größer ist und das Bonden unter verhältnismäßig niedriger Temperatur und niedrigem Druck möglich ist. Indem man unter einer niedrigen Temperatur und einem niedrigen Druck bondet, kann die Vorrichtung 2, die einer hohen Temperatur nicht standhalten kann, gebildet werden.
Ausführungsform 2
23 ist eine Schnittansicht, die einen Hauptteil einer Substrat-Bondingstruktur gemäß einer Ausführungsform 2 veranschaulicht. Eine Höckerstruktur 26 hat eine kleinere Querschnittsfläche als diejenige eines Verbindungshöckers 11 oder dergleichen und ist in einem gleichen Bereich oder innerhalb des dem Verbindungshöcker 11 oder dergleichen entsprechenden Bereichs positioniert. Mit anderen Worten ist die Höckerstruktur 26 in nur dem Bereich positioniert, der dem Verbindungshöcker 11 oder dergleichen entspricht. Dadurch werden Kräfte, die zur Zeit des Bondens auf die Höckerstruktur 26 angewendet werden, alle auf den Verbindungshöcker 11 oder dergleichen angewendet, und daher kann eine Zuverlässigkeit der elektrischen Verbindung verbessert werden.
Ausführungsform 3
24 ist eine Schnittansicht, die einen Hauptteil einer Substrat-Bondingstruktur gemäß einer Ausführungsform 3 veranschaulicht. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Richtung entlang der Hauptoberfläche eines Substrats 1 und einer Oberseite und einer Unterseite des Gegensubstrats 14 als laterale Richtung festgelegt, und Schwerpunktlagen in der lateralen Richtung der Höckerstruktur 26 und des Verbindungshöckers 11 oder dergleichen entsprechen einander. Dadurch tritt durch eine Kraft, die von der Höckerstruktur 26 und dem Verbindungshöcker 11 oder dergleichen auf das Gegensubstrat 14 angewendet wird, kein Moment auf, so dass eine Kraft, die das Gegensubstrat 14 verformt, kaum wirkt und eine Beschädigung am Gegensubstrat 14 durch einen Riss oder dergleichen kaum auftritt.
25 ist eine Draufsicht, die eine Lagebeziehung der Höckerstruktur und eines Bonding-Bauteils der Substrat-Bondingstruktur gemäß der Ausführungsform 3 veranschaulicht. Wenn die Schwerpunktlagen in der lateralen Richtung der Höckerstruktur 26 und des Verbindungshöckers 11 oder dergleichen einander entsprechen, kann der oben beschriebene Effekt erhalten werden, und Strukturformen der Höckerstruktur 26 und des Verbindungshöckers 11 oder dergleichen können wie in einer Ansicht auf der linken Seite in 25 verschieden sein oder die Anzahl an Unterteilungen der Höckerstruktur 26 und des Verbindungshöckers 11 oder dergleichen können wie in der Ansicht auf der rechten Seite unterschiedlich sein. Dadurch wird ein Grad an Gestaltungsfreiheit der Höckerstruktur 26 und des Verbindungshöckers 11 oder dergleichen erhöht.
Bezugszeichenliste

1: Substrat;
2: Vorrichtung;
11, 12: Verbindungshöcker (Bonding-Bauteil);
13: Versiegelungsrahmen (Bonding-Bauteil);
14: Gegensubstrat;
17: Schaltung;
26: Höckerstruktur

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2009285810 A [0004]

Claims

Substrat-Bondingstruktur, aufweisend: ein Substrat, das eine Hauptoberfläche aufweist; eine Vorrichtung, die auf der Hauptoberfläche des Substrats ausgebildet ist; ein Gegensubstrat, das eine der Hauptoberfläche gegenüberliegende Unterseite und eine der Unterseite entgegengesetzte Oberseite aufweist; ein Bonding-Bauteil, das die Hauptoberfläche des Substrats an die Unterseite des Gegensubstrats in einem hohlen Zustand bondet; und eine Schaltung und eine Höckerstruktur, die auf der Oberseite des Gegensubstrats ausgebildet sind, wobei die Höckerstruktur in einem Bereich positioniert ist, der zumindest dem Bonding-Bauteil entspricht, und eine größere Höhe als diejenige der Schaltung aufweist.
Substrat-Bondingstruktur nach Anspruch 1, wobei das Bonding-Bauteil einen Verbindungshöcker enthält, der die Vorrichtung an die Schaltung bondet.
Substrat-Bondingstruktur nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Bonding-Bauteil einen Versiegelungsrahmen enthält, der so ausgebildet ist, dass er die Vorrichtung umgibt.
Substrat-Bondingstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Höckerstruktur in einem gleichen Bereich oder innerhalb des Bereichs, der dem Bonding-Bauteil entspricht, positioniert ist.
Substrat-Bondingstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei Schwerpunktlagen in einer lateralen Richtung der Höckerstruktur und des Bonding-Bauteils einander entsprechen.
Substrat-Bondingstruktur nach Anspruch 5, wobei Strukturformen oder die Anzahl an Unterteilungen der Höckerstruktur und des Bonding-Bauteils verschieden sind.
Verfahren zum Bonden von Substraten, aufweisend: ein Ausbilden einer Vorrichtung auf einer Hauptoberfläche eines Substrats; ein Ausbilden eines Bonding-Bauteils auf der Hauptoberfläche des Substrats; ein Ausbilden einer Schaltung und einer Höckerstruktur, die in einem Bereich positioniert ist, der zumindest dem Bonding-Bauteil entspricht, und eine größere Höhe als diejenige der Schaltung aufweist; und ein Unterdrucksetzen der Höckerstruktur mit einer Oberflächenplatte, so dass die Oberflächenplatte die Schaltung nicht berührt, und ein Bonden der Hauptoberfläche des Substrats an die Unterseite des Gegensubstrats über das Bonding-Bauteil in einem hohlen Zustand.
Verfahren zum Bonden von Substraten nach Anspruch 7, wobei das Bonding-Bauteil durch Plattieren gebildet wird.
Verfahren zum Bonden von Substraten nach Anspruch 7, wobei das Bonding-Bauteil unter Verwendung einer Metallteilchenpaste gebildet wird.