TWI447892B - 發光裝置與其製造方法 - Google Patents

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Yu Lin Chao
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Description

發光裝置與其製造方法
本發明是有關於一種半導體光源裝置的結構，且特別是有關於一種可以量測多個工作參數，並且依據這些工作參數來調整光源輸出之半導體光源裝置的結構。
傳統的光源裝置包括螢光燈、白熾燈、燈泡、鹵素燈等。這些傳統的光源大都具有耗電量高、體積大、穩定度低、使用壽命短、所產生之光線的同調性低等缺點。而由於這些缺點，傳統的光源就無法適用在許多的領域，例如數位電子產品、光通訊技術、平面顯示器技術、生醫工程等。而由於半導體的進步，不同的半導體光源逐漸被開發出來。
半導體光源包括發光二極體和雷射二極體。而一般來說，這些半導體光源具有一些共同的優點，例如耗電低、體積小、穩定度高、使用壽命長、所產生之光的同調性高、可產生不同波長的光、亮度高等。因此，半導體光源的重要性與日俱增。而隨著藍光的半導體光源被開出來，因此目前的半導體光源也可以發出白光。因此，半導體光源甚至慢慢的取代了傳統的光源的應用。
雖然半導體雷射有以上的優點，但是不可否認的，其也存在一些限制。其中一項先天上的元件特性，就是半導體光源的光功率會隨著元件溫度的上昇而開始下降。因此，如何偵測半導體光源在工作時的元件溫度，就是一項 很重要的技術。在習知的作法上，大多是在半導體光源外配置一溫度感測器，來感測半導體光源的溫度。然而這種習知的作法所感測到的溫度，其最大的成分是半導體光源外殼以及週遭環境的溫度，並不是真正元件的溫度。
如美國專利公開第4604753號專利(以下簡稱Sawai)提供了一種雷射二極體的結構。在Sawai中，其在雷射二極體的封裝中提供了一溫度感測機制(1)和自動溫度控制器(ATC)。藉此，ATC就可以依據雷射二極體的溫度來控制其工作電流的大小，以使光功率能夠維持一定。雖然Sawai可以有效地量測到雷射二極體的元件溫度，並且加以補償。但是，Sawai的製程在雷射二極體及溫度感測晶片都是利用導線接合製程(Wire Bonding)來連接
本發明提供一種發光裝置，包括晶片模組、第一發光元件、多個第一凸塊和多個第二凸塊。晶片模組至少具有一第一功能性晶片，其具有多個第一導通孔，並且每一導通孔中都配置有一傳導元件。此外，第一凸塊分別電性連接每一傳導元件的第一端相對地，第二凸塊分別對應將每一第一傳導元件的第二端電性連接至第一發光元件，以使第一發光元件可以堆疊在晶片模組上。
從另一觀點來看，本發明也提供一種發光裝置的製造方法，其包括提供一晶片模組和一發光元件。另外，在晶片模組中提供至少一第一功能性晶片，並且在第一功能性晶片中形成多個第一導通孔。而在每一導通孔中，則分別 形成一第一傳導元件。除此之外，形成多個第一凸塊，而在晶片模組上則形成多個第二凸塊。其中，第一凸塊電性連接至每一第一傳導元件的第一端，以使第一功能性晶片可以堆疊在基板上。相對地，第二凸塊則是分別將第一傳導元件的第二端電性連接至發光元件，以使發光元件可以堆疊在晶片模組上。
為讓本發明之特徵能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
圖1A繪示為依照本發明之一較佳實施例的一種發光裝置的示意圖。請參照圖1，本實施例所提供的發光裝置100，至少包括功能性晶片104和發光元件106。其中，而發光元件106是被堆疊在功能性晶片104上。
功能性晶片104具有多個導通孔，例如TSV1和TSV2。而在每一導通孔TSV1和TSV2中，則分別配置傳導元件116和118。
另外，在功能性晶片104上，還可以透過一些凸塊，例如113、115、117和119(未示於圖中)。其中，而凸塊113和117可以分別電性連接至傳導元件116和118的第一端，而凸塊115和119則可以電性連接至傳導元件116和118的第二端以及發光元件106。藉此，發光元件106就可以透過凸塊115和119堆疊在功能性晶片104上。
在一些實施例中，發光裝置100還可以包括基板102，其可以電性連接至凸塊113和117。藉此，功能性晶片104 也可以透過凸塊113和117而堆疊在基板102上。而以上的結構，在以下各段中將會有詳細的敘述。圖1B繪示為圖1A中之發光裝置100的等效電路圖。請參照圖1B，I1是發光裝置100的工作電流，PD 是理想的二極體的功率，PR 是串聯電阻所造成的電性損失。Rth 是輸入電流11所產生的等效熱阻值(effective thermal resistance)，可表示為(1)式，Rth =△T/Pel (1)其中，Pel 是發光裝置100所消耗的功率，△T則是發光裝置100的溫度變化。
當工作電流11被提供給發光裝置100時，發光裝置100不但會發光，還會發熱。如只考慮熱所造成的元件熱阻值，可表示為(2)式， 其中，Pheat 是發光裝置100發熱所消耗的功率，而Popt 則是發光裝置100的發光功率。
根據以上第(1)式和第(2)式，發光裝置100的發光效率(η)就可以利用下式來表示：
而等效熱阻值則可表示為R th =(1-η)R thr (4)
由(3)式可知，當封裝串聯電阻降低時，可降低電性損失PR ，增加效率η．而由(4)式可知，當效率η增加時則可降低 等效熱阻值Rth 。
由於在圖1A的實施例中，是採用堆疊結構，並且是利用通孔來電性連接。因此，發光裝置100的串聯電阻值非常低。換句話說，本實施例所提供的發光裝置100的發光效率η就可以有效地的提昇。
請回頭參照圖1A，發光元件106例如是發光二極體元件或是雷射二極體元件，而功能性晶片104則可以量測發光元件106在運作時的特性參數，例如是溫度或是亮度，並也藉由這些特性參數來調整發光元件106的一些運作環境條件，例如工作電流大小或是週遭環境溫度。以下則提供數個實施例，來說明本發明的精神。
第一實施例
圖2A繪示為依照本發明第一實施例的一種發光裝置的實際架構圖。請參照圖2A，本實施例所提供的發光裝置200，包括基板202、發光元件208和晶片模組210。另外，在基板202上可以配置多個第一凸塊，例如212和214，可以電性連接基板202和晶片模組210。因此，晶片模組210就可以藉由第一凸塊212和214而堆疊在基板202上。相對地，在晶片模組210上也配置有多個第二凸塊，例如220和222，可以分別耦接發光元件208和晶片模組210。因此，發光元件208就可以藉由第二凸塊220和222而堆疊在晶片模組210上。
在本實施例中，晶片模組210可以包括第三凸塊(例如 216和218)、以及功能性晶片204和206。功能性晶片204和206可以分別具有多個導通孔，例如TSV3、TSV4、TSV5和TSV6。而在每一導通孔中，都分別形成一傳導元件，例如232、234、236和238。其中，傳導元件232和234的第一端可以電性連接至第一凸塊212和214，使得功能性晶片204可以藉由第一凸塊而堆疊在基板202上。
另外，在功能性晶片204上還可以形成多個第三凸塊，例如216和218。而這些第三凸塊216和218可以將每一傳導元件232和234的第二端電性連接至對應之傳導元件236和238的第一端，使得功能性晶片206可以藉由第三凸塊216和218而堆疊在功能性晶片204上。而傳導元件236和238的第二端則可以分別對應電性連接至第二凸塊220和222，以使得發光元件208可以藉由第二凸塊220和222而堆疊在功能性晶片206上。
在本實施例中，功能性晶片204可以是控制晶片，而功能性晶片206則可以是溫度感測晶片。圖2B繪示為圖2A之發光裝置200的等效電路方塊圖。請合併參照圖2A和圖2B，溫度感測晶片206可以具有一溫度感測器242，其用來感測發光元件208在運作時的溫度，並且產生一溫度感測訊號TD。另外，控制晶片204則包括一迴授電路244和控制器246。其中，控制器246可以透過傳導元件234而電性連接至一外部的電源供應器262，而此電源供應器262是用來供應發光裝置200所需的工作電流I1。
當溫度感測器242感測到發光元件208在運作時所產 生的元件溫度後，可以產生溫度感測訊號TD。此時，迴授電路244可以透過傳導元件236接收此溫度感測訊號TD。藉此，控制器246可以依據溫度感測訊號TD，而透過傳導元件234輸出一控制訊號C1給電源供應器262，使得電源供應器262可以依據控制訊號C1，而決定工作電流I1的大小。而此工作電流I1可以透過傳導元件234和238而傳送到發光元件208。
第二實施例
圖3繪示為依照本發明第二實施例的一種圖2A之發光裝置200的等效電路方塊圖。請合併參照圖2A和圖3，在本實施例中，發光裝置200的外部除了可以耦接電源供應器262之外，還可以耦接散熱模組302。因此，控制器246則可以透過導傳導元件234，而耦接至外部的電源供應器262，並且透過電源供應器262來控制散熱模組302的運作。
在一些實施例中，散熱模組302例如是風扇、散熱片或是致冷器模組等。當迴授電路244接收溫度偵測訊號TD後，控制器246就可以判斷發光元件208的元件溫度是否大於一預設值時。當發光元件208的元件大於預設值時，控制器246就可以透過電源供應器262而控制散熱模組302來調節發光裝置200的環境溫度或是邊界溫度。
第三實施例
圖4繪示為依照本發明第三實施例的一種發光裝置的架構圖。請參照圖4，在本實施例中，發光裝置400可以配置多個發光元件402和404。因此，本實施例中的發光裝置400就可以發出不同的色光。同樣地，發光裝置400也包括基板406及晶片模組409。其中，晶片模組409可以包括功能性晶片408、410、412。與前述的實施例相同，功能性晶片408、410和412可以分別具有多個導通孔，例如TSV7、TSV8、TSV9 TSV10、TSV11、TSV12、TSV13和TSV14。同樣地，在每一導通孔TSV7、TSV8、TSV9、TSV10 TSV11、TSV12、TSV13和TSV14中，都分別配置一傳導元件，例如422、424、426、428、452、454、462、464。
另外，在基板406上，則可以配置多個凸塊、例如432、434、436和438。這些凸塊432、434、436和438可以將基板406耦接至對應的傳導元件422、424、426和428的第一端，以使功能性晶片408可以藉由凸塊432、434、436和438而堆疊在基板406上。而在功能性晶片408上也可以分別配置有多個凸塊，440、442、446和448。其中，凸塊440和442可以分別將傳導元件422和424的第二端，分別對應電性連接至傳導元件452和454的第一端，使得功能性晶片410可以藉由凸塊440和442堆疊在功能性晶片408上。
類似地，凸塊446和448則可以將傳導元件426和428的第二端分別對應電性連接至傳導元件462和464的第一 端，使得功能性晶片412可以藉由凸塊446和448，而與功能性晶片410分別堆疊在功能性晶片408上。
在功能性晶片410上，還可以配置多個凸塊，例如456和458，其可以將傳導元件452和454的第二端電性連接至發光元件402，使得發光元件402可以藉由凸塊456和458堆疊在功能性晶片410上。另外，功能性晶片412上同樣也可以配置多個凸塊，例如466和468，其可以將傳導元件462和464的第二端電性連接至發光元件404，以使發光元件404可以藉由凸塊466和468堆疊在功能性晶片412上。
在本實施例中，功能性晶片410和412都可以是溫度感測晶片，其分別具有溫度感測器472和474。而溫度感測晶片410和412的用途可以參照圖2中的溫度感測晶片206，本實施例不再為文贅述。另外，功能性晶片408則可以是控制晶片，其用途就如圖2中的控制晶片204一樣。特別的是，由於在本實施例中，每一發光元件402和404分別耦接溫度感測晶片410和412。因此，溫度感測晶片410和412在感測發光元件402和404的元件溫度時，並不會受到發光元件402和404彼此串並聯的影響。藉此，控制晶片408可以確實的監控各別發光元件402和404的元件溫度。
第四實施例
圖5繪示為依照本發明第四實施例的一種發光裝置的 架構圖。請參照圖5，本實施例所提供的發光裝置500的結構，大致上與圖4之發光裝置400的結構相同。不同的是，在本實施例中，是利用功能性晶片502來取代圖4中的功能性晶片410和412。其中，功能性晶片502也可以是溫度感測晶片。特別的是，在功能性晶片502上則可以配置多個溫度感測器504和506。而每一溫度感測器504和506都可以感測對應之發光元件402和404的元件溫度。藉此，本實施例的發光裝置500也可以達到圖4之發光裝置400所能達到的功效。
第五實施例
圖6A繪示為依照本發明第五實施例的一種發光裝置的架構圖，圖6B則繪示為圖6A之發光裝置600的等效電路方塊圖。請合併參照圖6A和圖6B，本實施例所提供的發光裝置600，包括基板602、晶片模組609和發光元件610。同樣地，在基板602上可以配置多個凸塊，例如616和618。
晶片模組609則包括功能性晶片604、606和608，而每一功能性晶片606、604和608分別具有多個導通孔TSV15、TSV16、TSV17、TSV18、TSV19和TSV20。同樣地，在這些導通孔TSV15、TSV16、TSV17、TSV18、TSV19和TSV20中，可以分別形成一傳導元件，例如612、614、624、626、632和634。其中，傳導元件612和614的第一端可以電性連接凸塊616和618，使得功能性晶片 604可以藉由凸塊616和618堆疊在基板602上。
同樣地，在功能性晶片604、606和608上，也可以分別形成多個凸塊，例如620、622、628、630、636和638。其中，凸塊620和622可以分別將傳導元件612和614的第二端電性連接至傳導元件624和626的第一端，而凸塊628和630則可以將傳導元件624和626的第二端分別電性連接至傳導元件632和634的第一端。另外，傳導元件632和634的第二端則可以透過凸塊636和638電性連接至發光元件610。藉此，在功能性晶片604上可以依序堆疊功能性晶片606和608、以及發光元件610。
請繼續參照圖6A和圖6B，功能性晶片604可以是控制晶片，而功能性晶片608則可以是溫度感測晶片，其具有一溫度感測器644。功能晶片604和溫度感測晶片608的原理，就如圖3控制晶片204和溫度感測晶片206，本實施例不再為文贅述。特別的是，功能性晶片606則可以是一亮度感測晶片，其具有一亮度感測器642，可以用來感測發光元件610的亮度，並且產生一亮度感測訊號LD。而此感測訊號LD可以透過傳導元件624和凸塊620送至控制晶片604。藉此，控制晶片604可以依據溫度感測訊號LD和亮度感測訊號LD來控制發光元件610的工作電流大小。
第六實施例
圖7繪示為依照本發明第六實施例的一種發光裝置的 架構圖。請參照圖7，本實施例所提供的發光裝置700，可以利用晶圓級接合技術(wafer bonding)的銅接合(Cu-Cu Bonding)製程、二氧化矽接合(SiO2 -SiO2 bonding)製程、膠黏劑接合(adhesive bonding)製程等技術來製作。本實施例的發光裝置700，同樣也包括基板702、晶片模組709和發光元件710。而晶片模組709同樣可以藉由凸塊726和728而堆疊至基板702上。
晶片模組709包括功能性晶片704、706和708。特別的是，功能性晶片704、706、708、以及發光元件710可以利用晶圓級接合技術而被依序堆疊在基板702上。相同的是，每一功能性晶片中也具有多個導通孔，例如功能性晶片708具有導通孔TSV21和TSV22。而每一導通孔中也可以形成一傳導元件，例如722和724。藉由這些傳導元件和凸塊726和728，功能性晶片704、706、708、以及發光元件710就可以電性連接至基板702。其中，功能性晶片704可以是控制晶片，而功能性晶片706和708則可以分別是亮度感測晶片和溫度感測晶片，二者分別配置有亮度感測器732和溫度感測器734。而功能性晶片704、706和708的原理就如同圖6之功能性晶片604、606和608，本實施例不再為文贅述。
本領域具有通常知識者應當可以知道，由於本實施例是採用晶圓級接合技術(wafer bonding)的銅接合(Cu-Cu Bonding)製程、二氧化矽接合(SiO2 -SiO2 bonding)製程、膠黏劑接合(adhesive bonding)製程等技術來製作，因此本實 施例之發光裝置700的內阻更小，因此發光效率會更好。
雖然以上的實施例大都揭露單一基板的技術手段。然而，本發明並不以此為限。本領域具有通常知識者當知，基板的數目並不影響本發明的精神。以下則以另一實施例來說明。
第七實施例
圖8繪示為依照本發明第七實施例的一種發光裝置的架構圖。請參照圖8，本實施例所提供的發光裝置800，同樣也包括基板802、晶片模組804和發光元件806。另外，發光模組804至少包括一功能性晶片808，其具有多個導通孔，例如TSV23和TSV24。同樣的，在這些導通孔TSV23和TSV24中，都分別配置了對應的傳導元件，例如812和814。傳導元件812和814的第一端可以透過凸塊822和824電性連接至基板802，以使晶片模組804可以藉由凸塊812和814堆疊再基板802上。而傳導元件812和814的第二端則可以透過凸塊826和828電性連接至發光元件806。
特別的是，在發光裝置800中，還包括基板842，其可以配置在晶片模組804和發光元件806之間。基板842也具有多個導通孔TSV25和TSV26。同樣的，在這些導通孔TSV25和TSV26中，都分別配置對應的傳導元件844和846。其中，傳導元件844和846的第一端可以耦接凸塊826和828，以使基板842可以藉由凸塊826和828堆 疊在晶片模組804上。另外，傳導元件844和846的第二端則可以透過凸塊830和832電性連接至發光元件806，以使發光元件806可以透過凸塊830和832堆疊在基板842上。由本實施例可知，本發明之發光裝置可以包括多個基板。
綜上所述，由於發明是採用堆疊的架構，因此本發明具有體積小和發光效率高的優點。另外，本發明也提供不同的功能性晶片，可以量測發光元件各樣的特性參數。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、200、400、500、600、700、800‧‧‧發光裝置
102、202、406、602、702、802、842‧‧‧基板
104、204、206、408、410、412、604、606、608、704、706、708、808‧‧‧功能性晶片
106、208、402、404、610、710、806‧‧‧發光元件
116、118、232、234、236、238、422、424、426、428、452、454、462、464、612、614、624、626、632、634、722、724、812、814、844、846‧‧‧傳導元件
210、409、609、709、804‧‧‧晶片模組
113、115、117、119、212、214、216、218、220、222、432、434、436、438、440、442、446、448、456、458、466、468、616、618、620、622、636、638、822、824、826、828、830、832‧‧‧凸塊
242、472、474、504、506、644、734‧‧‧溫度感測器
244‧‧‧迴授電路
246‧‧‧控制器
262‧‧‧電源供應器
302‧‧‧散熱模組
642、732‧‧‧亮度感測器
I1‧‧‧工作電流
LD‧‧‧亮度感測訊號
PD ‧‧‧發光元件所消耗的功率
PR ‧‧‧內阻所消耗的功率
Popt ‧‧‧發光功率
Rth ‧‧‧熱阻
TD‧‧‧溫度感測訊號
TSV1、TSV2、TSV3、TSV4、TSV5、TSV6、TSV7、TSV8、TSV9、TSV10、TSV11、TSV12、TSV13、TSV14、TSV15、TSV16、TSV17、TSV18、TSV19、TSV20、TSV21、TSV22‧‧‧導通孔
圖1A繪示為依照本發明之一較佳實施例的一種發光裝置的示意圖。
圖1B繪示為圖1A中之發光裝置的等效電路圖。
圖2A繪示為依照本發明第一實施例的一種發光裝置的實際架構圖。
圖2B繪示為圖2A之發光裝置200的等效電路方塊圖。
圖3繪示為依照本發明第二實施例的一種圖2A之發光裝置的等效電路方塊圖。
圖4繪示為依照本發明第三實施例的一種發光裝置的架構圖。
圖5繪示為依照本發明第四實施例的一種發光裝置的架構圖。
圖6A繪示為依照本發明第五實施例的一種發光裝置的架構圖。
圖6B繪示為圖6A之發光裝置的等效電路方塊圖。
圖7繪示為依照本發明第六實施例的一種發光裝置的架構圖。
圖8繪示為依照本發明第七實施例的一種發光裝置的架構圖。
100‧‧‧發光裝置
102‧‧‧基板
104‧‧‧功能性晶片
106‧‧‧發光元件
116、118‧‧‧傳導元件

Claims (23)

  1. 一種發光裝置，包括：一晶片模組，至少具有一第一功能性晶片，其中該第一功能性晶片為具有一溫度感測器的溫度感測晶片，而該第一功能性晶片具有多個第一導通孔；多個第一傳導元件，分別配置於該些第一導通孔中；多個第一凸塊，分別對應設置於且電性連接該些第一傳導元件的第一端；多個第二凸塊，分別對應設置於且電性連接該些第一傳導元件的第二端，其中該些第一凸塊與該些第二凸塊位於第一功能性晶片的相對兩側；以及一第一發光元件，鄰近堆疊在且該晶片模組的該第一功能性晶片上且電性連接該些第二凸塊，而該第一功能性晶片用以感測該第一發光元件在運作時的溫度，並產生一溫度感測訊號。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包括一基板，電性連接該些第一凸塊，以使該晶片模組藉由該些第一凸塊堆疊在該基板上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該晶片模組更包括：多個第三凸塊，配置在該第一功能性晶片上，且每一該些第三凸塊分別對應電性連接該些第一傳導元件其中之一的第二端；一第二功能性晶片，具有多個第二導通孔；以及 多個第二傳導元件，分別配置在該些第二導通孔中，其中，每一該些第二傳導元件的第一端分別對應電性連接至該些第三凸塊其中之一，使得該第二功能性晶片藉由該些第三凸塊堆疊在該第一功能性晶片上，而各該第二傳導元件的第二端則分別對應電性連接該些第二凸塊其中之一。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之發光裝置，其中該第二功能性晶片包括：一迴授電路，透過該些第二傳導元件和該第三凸塊而電性連接至該溫度感測晶片，以接收該溫度感測訊號；以及一控制器，透過該第二傳導元件和該些第二凸塊電性連接至該第一發光元件，以依據該溫度感測訊號而控制流經該第一發光元件之工作電流的大小。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之發光裝置，其中該晶片模組更包括：多個第四凸塊，配置在該第二功能性晶片上，且每一該些第四凸塊分別對應電性連接該些第二傳導元件其中之一的第二端；一第三功能性晶片，具有多個第三導通孔；以及多個第三傳導元件，分別配置在該些第三導通孔中，其中每一該些第三傳導元件的第一端分別對應電性連接至該些第四凸塊其中之一，以使該第三功能性晶片藉由該些第四凸塊堆疊在該第二功能性晶片上，而各該第三傳 導元件的第二端則分別對應電性連接該些第二凸塊其中之一。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之發光裝置，其中該第三功能性晶片為一亮度感測晶片，其具有一亮度感測器，用以感測該第一發光元件的亮度，並產生一亮度感測訊號。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該第一發光元件為發光二極體。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該第一發光元件為雷射二極體。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包括一第二發光元件，與該第一發光元件各自電性連接對應的第二凸塊，以與該第一發光元件共同堆疊在該晶片模組上。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該第一發光元件和該第一功能性晶片是利用晶圓級接合製程的銅接合製程彼此電性連接。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該第一發光元件和該第一功能性晶片是利用晶圓級接合製程的二氧化矽接合製程以彼此實體隔離但電性連接。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該第一發光元件和該第一功能性晶片是利用晶圓級接合製程的膠黏劑接合製程以彼此實體隔離但電性連接。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包括：一第二基板，配置在該晶片模組和該第一發光元件之間，且該第二基板具有多個第四導通孔； 多個第四傳導元件，分別配置在該些第四導通孔中，且每一該些第四導通孔的第一端則分別對應電性連接至該些第二凸塊其中之一，以使該二基板藉由該些第二凸塊堆疊在該晶片模組上；以及多個第五凸塊，分別對應電性連接至該些第四傳導元件的第二端，並電性連接至該第一發光元件，以使該第一發光元件藉由該些第五凸塊堆疊在該第二基板上。
  14. 一種發光裝置的製造方法，包括下列步驟：提供一晶片模組和一發光元件，其中該晶片模組至少具有一第一功能性晶片，且該第一功能性晶片為具有一溫度感測器的溫度感測晶片；在該第一功能性晶片中形成多個第一導通孔；在該些導通孔中分別形成一傳導元件形成多個第一凸塊，並分別電性連接該些第一傳導元件的第一端；以及形成多個第二凸塊，並分別電性連接該些第一傳導元件的第二端；將該發光元件鄰近堆疊在該晶片模組的該第一功能性晶片上且電性連接至該些第二凸塊。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之製造方法，提供一基板，並耦接至該些第一凸塊，以使該晶片模組藉由該些第一凸塊堆疊在該基板上。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之製造方法，利用該第一功能性晶片感測該發光元件在運作時的一特性參數， 並產生一第一感測訊號。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之製造方法，其中該特性參數為溫度參數。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之製造方法，更包括下列步驟：在該晶片模組中提供一第二功能性晶片；在該第一功能性晶片上形成多個第三凸塊，且每一該些第三凸塊分別對應電性連接至該些第一傳導元件的第二端；在該些第二功能性晶片中形成多個第二導通孔；分別在該些第二導通孔中形成一第二傳導元件，並使每一該些第二傳導元件的第一端電性連接該些第三凸塊其中之一，以使該第二功能性晶片藉由該些第三凸塊堆疊在該第一功能性晶片上，而各該傳導元件的第二端則分別對應電性連接該些第二凸塊其中之一。
  19. 如申請專利範圍第14項所述之製造方法，其中該發光元件為雷射二極體。
  20. 如申請專利範圍第14項所述之製造方法，其中該發光元件為發光二極體。
  21. 如申請專利範圍第14項所述之製造方法，其中該第一發光元件和該第一功能性晶片是利用晶圓級接合製程的銅接合製程以彼此實體隔離但電性連接。
  22. 如申請專利範圍第14項所述之製造方法，其中該第一發光元件和該第一功能性晶片是利用晶圓級接合製程 的二氧化矽接合製程以彼此實體隔離但電性連接。
  23. 如申請專利範圍第14項所述之製造方法，其中該第一發光元件和該第一功能性晶片是利用晶圓級接合製程的膠黏劑接合製程以彼此實體隔離但電性連接。
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