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Technisches Gebiet
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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Schichtaufbringungsvorrichtung, welche für eine Solarzelle, eine elektronische Vorrichtung oder dergleichen verwendet wird und die eine Dünnschicht auf ein Substrat aufbringt.
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Stand der Technik
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Um herkömmlicherweise eine hohe Behandlungsleistung (Durchsatz) in einer Schichtaufbringungsvorrichtung zum Ausbilden einer Dünnschicht auf der gesamten Oberfläche eines Substrates zu erzielen, während das Substrat transportiert wird, ist es notwendig, ein Schichtaufbringungssubstrat unter einer Schichtaufbringungsbehandlungsumgebung ohne zeitliche Lücken durchgängig zu transportieren.
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Daher werden in einer herkömmlichen Schichtaufbringungsvorrichtung, welche ein Substrat transportiert, grundsätzlich eine Vielzahl von Substraten durch einen Förderer oder dergleichen transportiert und eine Dünnschicht wird auf jedes der Substrate aufgebracht, während eine Erwärmung durch einen separat vorgesehenen Heizmechanismus während einer Schichtaufbringungsbehandlung oder während dem Transport durchgeführt wird. Beispiele der Schichtaufbringungsvorrichtung umfassen eine Schalen-Reihen-Schichtaufbringungsvorrichtung, die in
JP H09-279341 A offenbart ist. In der Schichtaufbringungsvorrichtung wird eine Schale, auf der ein Substrat platziert ist, durch einen Rollenförderer transportiert. Eine andere Schichtaufbringungsvorrichtung, die einen Rollenförderer dazu veranlasst, ein Substrat zu transportieren, ist eine Zerstäubungsvorrichtung, die in
WO 2013/183202 A1 offenbart ist.
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Eine Halbleiterfertigungsvorrichtung, welche einen Heizmechanismus aufweist, eine Vielzahl an Heizblöcken aufweist, die ein Substrat laden, und die die Heizblöcke umlaufen lässt, ist beispielsweise in
JP S63-166217 A offenbart. Die Halbleiterfertigungsvorrichtung zirkuliert eine große Anzahl an Heizblöcken, um eine Erwärmung zu ermöglichen, die relativ langsam durchgeführt wird, während eine hohe Behandlungsleistung gemessen wird.
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Zusammenfassung
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Das durch die Erfindung zu lösende Problem
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Allerdings wird bei der Schichtaufbringungsvorrichtung, die in
JP H09-279341 A offenbart ist, das Substrat nur durch sein eigenes Gewicht auf der Schale platziert, so dass, wenn das Substrat (und die Schale) plötzlich während der Schichtaufbringung in diesem Zustand erhitzt wird, der Temperaturgradient (zwischen der oberen Fläche und der unteren Fläche) in dem Substrat erhöht wird, was ein Auftreten von Verformung oder Brechen in dem Substrat verursacht. Die Zerstäubungsvorrichtung, die in
WO 2013/183202 A1 offenbart ist, offenbart nicht den Heizmechanismus und ist nicht als eine Schichtaufbringungsvorrichtung geeignet, welche die Erwärmung erfordert.
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Die Halbleiterfertigungsvorrichtung, die in
JP S63-166217 A offenbart ist, macht es erforderlich, eine große Anzahl an (acht oder mehr in
1) Heizblöcken aufzuweisen, um die Heizblöcke kontinuierlich unterhalb einer Gaszufuhrdüse zu transportieren. Des Weiteren verursacht die Halbleiterfertigungsvorrichtung eine komplizierte Verbindung von Leistungszufuhrkabeln und Vakuumrohren für eine große Anzahl an Heizblöcken, was erhöhte Kosten der Vorrichtung verursacht. Wenn die Anzahl an Heizblöcken erhöht ist, besteht die Sorge, dass eine Schichtaufbringungsbehandlungszeit unnötig lang wird, was zu einer verringerten Behandlungsleistung während der Schichtaufbringung führt.
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Zusätzlich dazu führt die Halbleiterfertigungsvorrichtung die Erwärmung in einem Zustand durch, in dem das Substrat (Wafer) einfach auf den Heizblöcken platziert ist, was Verformung oder Brechen/Sprünge im Substrat verursacht, sobald ein Temperaturgradient in dem Substrat auftritt. Wenn Verformung oder Brechen im Substrat auftreten, verliert das Substrat seine Flachheit, was zu einer verschlechterten Einheitlichkeit der Schichtaufbringungsqualität führt.
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Die vorliegende Erfindung löst die oben erwähnten Probleme, und es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Schichtaufbringungsvorrichtung vorzusehen, welche effektiv ein Phänomen unterdrückt, bei dem Verformung oder Brechen in einem Schichtaufbringungssubstrat auftritt, und gleichzeitig die Kosten der Vorrichtung minimiert, und die eine hohe Behandlungsleistung aufweist.
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Mittel zur Lösung des Problems
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Eine Schichtaufbringungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung weist auf: einen ersten und einen zweiten Substratplatzierungsabschnitt, welche ein Substrat platzieren und einen Ansaugmechanismus zum Ansaugen des platzierten Substrates sowie einen Heizmechanismus zum Erwärmen/Aufheizen des platzierten Substrates aufweisen; einen Schichtaufbringungsbehandlung-Ausführungsabschnitt, welcher eine Schichtaufbringungsbehandlung zum Aufbringen einer Dünnschicht auf das Substrat, das auf einem Substratplatzierungsabschnitt platziert ist, in einem Schichtaufbringungsbehandlungsbereich ausgeführt; und eine Substratplatzierungsabschnitt-Übertragungsvorrichtung, welche einen Transportvorgang zur Bewegung des ersten und des zweiten Substratplatzierungsabschnittes ausführt, um die Substratplatzierungsabschnitte dazu zu veranlassen, nacheinander den Schichtaufbringungsbehandlungsbereich bei einer Bewegungsgeschwindigkeit während der Schichtaufbringung zu passieren, wobei der Transportvorgang eine Zirkulationstransportbehandlung zum Umlaufen lassen/Zirkulieren und zum Anordnen eines Substratplatzierungsabschnittes aus dem ersten und dem zweiten Substratplatzierungsabschnitt, welcher alle platzierten Substrate dazu veranlasst, den Schichtaufbringungsbehandlungsbereich zu passieren, bei einer Zirkulationsgeschwindigkeit hinter dem anderen Substratplatzierungsabschnitt aufweist. Ein Durchschnittswert der Zirkulationsgeschwindigkeit ist dabei höher als die Bewegungsgeschwindigkeit während der Schichtaufbringung. Sowohl auf dem ersten als auch auf dem zweiten Substratplatzierungsabschnitt ist eine vorbestimmte Anzahl an Substraten platziert, und die vorbestimmte Anzahl ist so eingestellt, dass die Zirkulationstransportbehandlung abgeschlossen ist, bis alle Substrate, die auf dem anderen Substratplatzierungsabschnitt platziert sind, den Schichtaufbringungsbehandlungsbereich passieren. Der Substratübertragungsmechanismus weist nur einen ersten Übertragungsmechanismus und einen zweiten Übertragungsmechanismus auf, wobei der erste Übertragungsmechanismus für den ersten Substratplatzierungsabschnitt vorgesehen ist und der zweite Übertragungsmechanismus für den zweiten Substratplatzierungsabschnitt vorgesehen ist Der Transportvorgang wird nur von dem ersten Übertragungsmechanismus und dem zweiten Übertragungsmechanismus durchgeführt. Die Zirkulationstransportbehandlung wird durch eine Kombination eines Verschiebevorgangs und eines Hebevorgangs ausgeführt.
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Wirkung der Erfindung
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Der erste und der zweite Substratplatzierungsabschnitt der Schichtaufbringungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung haben jeweils den Ansaugmechanismus und den Heizmechanismus und können das Substrat erhitzen, das in einer Vorbereitungszeitspanne platziert wird, bis es den Schichtaufbringungsbehandlungsbereich erreicht, während das Substrat angesogen wird, so dass die Notwendigkeit zum sofortigen Erhitzen des Substrates behoben wird, und die Erwärmung kann in einem Zustand ausgeführt werden, bei dem das Substrat durch den Ansaugmechanismus angesogen wird. Dies kann das Phänomen, nämlich das Auftreten einer Verformung durch einen Temperaturgradienten in dem Substrat während der Erwärmung, effektiv unterdrücken.
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Außerdem führt die Substratplatzierungsabschnitt-Übertragungsvorrichtung die Zirkulationstransportbehandlung zum Zirkulieren und zum Anordnen des einen Substratplatzierungsabschnittes aus, welcher den Schichtaufbringungsbehandlungsbereich bei einer Zirkulationsgeschwindigkeit hinter dem anderen Substratplatzierungsabschnitt passiert. Dies ermöglicht es, den ersten und den zweiten Substratplatzierungsabschnitt effizient zu bewegen, während der erste und der zweite Substratplatzierungsabschnitt umlaufen, um nacheinander den Schichtaufbringungsbehandlungsbereich zu passieren, so dass die Behandlungsleistung in der Schichtaufbringungsbehandlung verbessert werden kann.
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Des Weiteren wird in der Schichtaufbringungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung die minimale Anzahl der Substratplatzierungsabschnitte auf „2“ eingestellt (erster und zweiter Substratladeabschnitt), so dass die Kosten der Vorrichtung minimiert werden können.
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Die Ziele, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich deutlicher aus der folgenden detaillierten Beschreibung und den beigefügten Zeichnungen.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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- 1 ist ein Darstellungsdiagramm, das eine schematische Konfiguration einer Schichtanordnungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
- 2 ist eine Querschnittansicht, die schematisch einen Substratübertragungsmechanismus und dessen Umfang zeigt.
- 3 ist ein Darstellungsdiagramm (Teil 1), das einen Transportvorgang von zwei Substratladestufen in der Schichtaufbringungsvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform zeigt.
- 4 ist ein Darstellungsdiagramm (Teil 2), das einen Transportvorgang von zwei Substratladestufen in der Schichtaufbringungsvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform zeigt.
- 5 ist ein Darstellungsdiagramm (Teil 3), das einen Transportvorgang von zwei Substratladestufen in der Schichtaufbringungsvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform zeigt.
- 6 ist ein Darstellungsdiagramm (Teil 4), das einen Transportvorgang von zwei Substratladestufen in der Schichtaufbringungsvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform zeigt.
- 7 ist ein Darstellungsdiagramm (Teil 5), das einen Transportvorgang von zwei Substratladestufen in der Schichtaufbringungsvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform zeigt.
- 8 ist ein Darstellungsdiagramm (Teil 6), das einen Transportvorgang von zwei Substratladestufen in der Schichtaufbringungsvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform zeigt.
- 9 ist ein Darstellungsdiagramm (Teil 7), das einen Transportvorgang von zwei Substratladestufen in der Schichtaufbringungsvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform zeigt.
- 10 ist ein Darstellungsdiagramm, das schematisch eine Konfiguration einer herkömmlichen Schichtaufbringungsvorrichtung zeigt.
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Beschreibung der Ausführungsformen
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1 ist ein Darstellungsdiagramm, das eine schematische Konfiguration einer Schichtaufbringungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Wie es in 1 gezeigt ist, wird eine Vielzahl an Substraten 10 auf einer oberen Fläche von jeder Substratladestufe 3A und 3B (erster und zweiter Substratplatzierungsabschnitt) platziert. 1 und 2 bis 10, die unten gezeigt werden, zeigen ein XYZ-orthogonales Koordinatensystem.
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Jede Substratladestufe 3A und 3B weist Ansaugmechanismen 31 gemäß einer Vakuumansaugung auf. Die Ansaugmechanismen 31 erlauben es, dass die gesamte untere Fläche jedes der Vielzahl der platzierten Substrate 10 an die obere Fläche von jeder Substratladestufe 3A und 3B angesogen wird. Des Weiteren weist jede Substratladestufe 3A und 3B Erwärmungsmechanismen 32 unterhalb vom Ansaugmechanismus 31 auf. Die Erwärmungsmechanismen 32 können eine Erwärmung für die Vielzahl an Substraten 10 ausführen, die auf der oberen Fläche platziert sind.
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Nachstehend werden die Substratladestufen 3A und 3B manchmal kollektiv als eine „Substratladestufe 3“ bezeichnet.
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Eine Dünnschichtbildungsdüse 1 (Sprühnebeleinspritzabschnitt), die als ein Schichtaufbringungsbehandlung-Ausführungsabschnitt funktioniert, spritzt einen Rohmaterialsprühnebel MT von einer Einspritzdüse nach unten, die an einer Einspritzfläche 1S vorgesehen ist, und führt dadurch die Schichtaufbringungsbehandlung zum Aufbringen einer Dünnschicht auf dem Substrat 10 aus, welches auf der oberen Fläche der Substratladestufe 3 in einem Einspritzbereich R1 (Schichtaufbringungsbehandlungsbereich) platziert ist. In diesem Fall wird ein Sprühnebeleinspritzabstand D1, welcher ein Abstand (vertikaler Abstand entlang der Z-Richtung) zwischen der Einspritzfläche 1S und dem Substrat 10 in dem Einspritzbereich R1 ist, auf 1 mm oder mehr und 30 mm oder weniger eingestellt. Der Umfang des Einspritzbereichs R1 wird grundsätzlich mit einer Kammer (nicht gezeigt) oder dergleichen abgedeckt.
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Eine Erwärmung, die durch den Heizmechanismus 32 der Substratladestufe 3 bereitgestellt wird, wird während der Schichtaufbringungsbehandlung und vor und nach der Schichtaufbringungsbehandlung ausgeführt. In der vorliegenden Ausführungsform beträgt eine Erwärmungstemperatur während der Erwärmung, die durch den Heizmechanismus 32 bereitgestellt wird, ca. 400 Grad.
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Der Rohmaterialsprühnebel MT ist ein Sprühnebel, der durch das Versprühen einer Rohmateriallösung erhalten wird, und kann in die Luft gesprüht werden.
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Die Substratladestufen 3A und 3B werden durch einen Substratübertragungsmechanismus 8 (Substratplatzierungsabschnitt-Übertragungsvorrichtung) transportiert, welcher später beschrieben wird. Der Substratübertragungsmechanismus 8 führt einen Transportvorgang zum Bewegen der Substratladestufen 3A und 3B aus, um zu veranlassen, dass die Substratladestufen 3A und 3B nacheinander den Einspritzbereich bei einer Geschwindigkeit V0 (Bewegungsgeschwindigkeit während der Schichtaufbringung) passieren.
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Der Transportvorgang weist eine Transportumlaufbehandlung zum Umlaufen lassen und zum Anordnen einer der Substratladestufen 3A und 3B (beispielsweise Substratladestufe 3A) bei einer Zirkulationsgeschwindigkeit hinter der anderen Substratladestufe (beispielsweise Substratladestufe 3B) auf. Die Substratladestufe 3A ist ein Substratplatzierungsabschnitt, der alle platzierten Substrate 10 den Einspritzbereich R1 passieren lässt.
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An einem Substrateinleitungsabschnitt 5, der an der stromaufwärtigen Seite der Dünnschichtbildungsdüse 1 vorgesehen ist, wird das Substrat 10 vor der Schichtaufbringungsbehandlung platziert. Das Substrat 10 am Substrateinleitungsabschnitt 5 wird an der oberen Fläche der Substratladestufe 3 durch einen Substrateinleitungsvorgang M5 angeordnet, der durch einen Ansauggreifer 4A bereitgestellt wird, der später beschrieben ist.
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Ein Substratwiedergewinnungsabschnitt 6 ist an der stromabwärtigen Seite der Dünnschichtbildungsdüse 1 vorgesehen. Nach der Schichtaufbringungsbehandlung an dem Substratwiedergewinnungsabschnitt 6 wird das Substrat 10 durch einen Substratwiedergewinnungsvorgang 6 angeordnet, der durch einen Ansauggreifer 4B (zweiter Greifer) bereitgestellt wird, der später beschrieben wird.
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Hierin ist eine Transportrichtungs- (+X-Richtung) Seite, wenn die Substratladestufen 3A und 3B den Einspritzbereich R1 mit Bezug auf die Dünnschichtbildungsdüse 1 passieren, als eine stromabwärtige Seite definiert und eine Gegentransportrichtungs- (-X-Richtung) Seite, welche eine Richtung ist, die entgegengesetzt zur Transportrichtung ist, ist als eine stromaufwärtige Seite definiert.
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2 ist eine Querschnittansicht, die schematisch den Substratübertragungsmechanismus 8 und dessen Umfang in dem A-A Querschnitt von 1 zeigt. Der Substratübertragungsmechanismus 8, der an einer Stützplatte 85 vorgesehen ist, setzt sich aus einer Kombination von einem Übertragungsmechanismus 8L und einem Übertragungsmechanismus 8R zusammen, welche unabhängig voneinander betrieben werden. Der Übertragungsmechanismus 8R ist vorgesehen, um die Substratladestufe 3A zu transportieren. Der Übertragungsmechanismus 8L ist vorgesehen, um die Substratladestufe 3B zu transportieren. Die Stützplatte 85 hat eine ebene Form und umfasst zumindest eine ebene Transportfläche, welche durch eine XY-Ebene definiert ist, für welche ein Transportvorgang erforderlich ist, der durch den Substrateinleitungsabschnitt 5 bereitgestellt wird.
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Der Übertragungsmechanismus 8L weist einen Hebemechanismus 81 und einen Verschiebemechanismus 82 auf. Der Verschiebemechanismus 82 weist ein Stützelement 82s auf, das einen L-förmigen Querschnitt hat, und weist einen Bewegungsmechanismus 82m auf, der an der unteren Fläche einer horizontalen Platte 82sh (L-förmiger Querstababschnitt) des Stützelementes 82 vorgesehen ist. Der Bewegungsmechanismus 82m weist beispielsweise eine Direktwirkungsführung und eine Leistungsübertragungsschraube auf und ist vorgesehen, um entlang der X-Richtung an der Stützplatte 85 durch die Antriebskraft eines Motors beweglich zu sein.
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Der Hebemechanismus 81 weist ein Hebeelement 81m und einen Hebeschaft 81x auf. Der Hebeschaft 81x ist aufrecht und an einer vertikalen Platte 82sv (L-förmiger Vertikalstababschnitt) des Stützelementes 82s fest angebracht. Das Hebeelement 81m ist an dem Hebeschaft 81x angebracht, um frei hebbar zu sein. Ein Stufenfixierelement 80 ist in Verbindung mit dem Hebeelement 81m vorgesehen und die untere Fläche der Substratladestufe 3B ist an der oberen Fläche des Stufenfixierelements 80 fixiert.
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Der Hebevorgang des Hebeelementes 81m ist beispielsweise als ein Vorgang zu betrachten, bei dem die Umdrehungsantriebskraft eines Umdrehungsantriebsabschnittes (nicht gezeigt) als Vertikalbewegung auf einen Übertragungsmechanismus, wie beispielsweise eine Kette (nicht gezeigt), welche im Hebeschaft 81x vorgesehen und mit dem Hebeelement 81m verbunden ist, übertragen wird. Infolgedessen kann der Hebevorgang des Hebeelements 81m durch die Vertikalbewegung des oben beschriebenen Übertragungsmechanismus erzielt werden.
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Daher kann der Übertragungsmechanismus 8L die Substratladestufe 3B entlang der Transportrichtung (+X-Richtung) bewegen oder kann die Substratladestufe 3B entlang der Transportrichtung (+X-Richtung) bewegen, und zwar gemäß einem Verschiebevorgang entlang der X-Richtung (+X-Richtung oder -X-Richtung) des Bewegungsmechanismus 82m.
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Des Weiteren kann der Übertragungsmechanismus 8L die Substratladestufe 3B gemäß dem Hebevorgang entlang der Z-Richtung (+Z-Richtung oder -Z-Richtung) des Hebeelements 81m anheben und absenken.
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Der Übertragungsmechanismus 8R ist symmetrisch mit dem Übertragungsmechanismus 8L mit Bezug auf eine ZX-Ebene in 2 vorgesehen und hat eine Struktur, die äquivalent zu der des Übertragungsmechanismus 8L ist. Daher kann, wie beim Übertragungsmechanismus 8L, der Übertragungsmechanismus 8R die Substratladestufe 3A entlang der Transportrichtung und der Gegentransportrichtung gemäß dem Verschiebevorgang des Verschiebemechanismus 82 bewegen und kann die Substratladestufe 3A gemäß dem Hebevorgang des Hebemechanismus 81 anheben und absenken. Die Positionen der Substratladestufen 3A und 3B in einer Y-Richtung werden gemäß den Verschiebe- und Hebevorgängen der Übertragungsmechanismen 8L und 8R, die oben beschrieben sind, nicht geändert.
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Somit sind in dem Übertragungsmechanismus 8L und in dem Übertragungsmechanismus 8R die Vertikalplatte 82sv des Stützelements 82s und der Hebeschaft 81x an verschiedenen Positionen in der Y-Richtung ausgebildet. Allerdings stützt sowohl im Übertragungsmechanismus 8L als auch im Übertragungsmechanismus 8R eine Freischwingerstützstruktur die Substratladestufe 3B und die Substratladestufe 3A. Daher können durch die entsprechende Kombination des oben beschriebenen Verschiebevorgangs und Hebevorgangs die Transportvorgänge (inklusive einer Zirkulationstransportbehandlung) unabhängig voneinander ausgeführt werden, ohne eine gegenseitige Beeinflussung zwischen den Substratladestufen 3A und 3B zu verursachen.
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Im dem Beispiel, das in 2 gezeigt ist, können zwei Substrate 10 entlang der Y-Richtung an der Substratladestufe 3 platziert werden.
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3 bis 9 sind Darstellungsdiagramme, die die Transportvorgänge der Substratladestufen 3A und 3B zeigen, die durch die Schichtaufbringungsvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform vorgesehen sind. Der Transportvorgang wird durch den Substratübertragungsmechanismus 8 (Übertragungsmechanismus 8L und Übertragungsmechanismus 8R), der in 2 gezeigt ist, durchgeführt.
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Wie es in 3 gezeigt ist, werden durch die Verschiebevorgänge der Übertragungsmechanismen 8R und 8L beide Substratladestufen 3A und 3B in der Transportrichtung (+X-Richtung) bei einer Geschwindigkeit V0 transportiert. Der Rohmaterialsprühnebel MT wird auf die Substrate 10 an der oberen Fläche der Substratladestufen 3A und 3B in dem Einspritzbereich R1 eingespritzt, um eine Schichtaufbringungsbehandlung zum Aufbringen einer Dünnschicht auf der oberen Fläche des Substrates 10 auszuführen. In 3 und 4 bis 9, die unten gezeigt werden, ist ein Bereich, der sich mit Bezug auf den Einspritzbereich R1 weiter an der stromaufwärtigen Seite befindet, als ein Schichtaufbringungsvorbereitungsbereich R2 definiert.
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In dem Zustand, der in 3 gezeigt ist, liegen in dem Einspritzbereich R1 sowohl ein hinterstes Substrat 10x an der Substratladestufe 3A als auch ein vorderstes Substrat 10y auf der Substratladestufe 3B vor. An der oberen Fläche der Substratladestufe 3B liegt das Substrat 10, das sich mit Bezug auf das Substrat 10y einer stromaufwärtigen Seite befindet, in dem Schichtaufbringungsvorbereitungsbereich R2 vor und ist in einem Zustand vor der Schichtaufbringungsbehandlung.
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Allerdings weist die Substratladestufe 3B den Heizmechanismus 32 auf, so dass eine Erwärmung selbst unter einer Bedingung durchgeführt werden kann, dass das Substrat 10 in dem Schichtaufbringungsvorbereitungsbereich R2 vorliegt. Zu diesem Zeitpunkt wird durch den Ansaugmechanismus 31 die gesamte untere Fläche des Substrates 10 an die obere Fläche der Substratladestufe 3B gesogen, so dass sich das Substrat 10 nicht verformt oder bricht, selbst wenn durch die Erwärmung ein geringfügiger Temperaturgradient im Substrat auftritt.
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Das Substrat 10, das vor der Schichtaufbringungsbehandlung an dem Substrateinleitungsabschnitt 5 platziert ist, wird entsprechend an der oberen Fläche der Substratladestufe 3B (die in dem Schichtaufbringungsvorbereitungsbereich R2 vorliegt) durch den Substrateinleitungsvorgang M5 angeordnet, der durch den Ansauggreifer 4A (erster Greifer) vorgesehen ist. Das Substrat 10, welches nach der Schichtaufbringungsbehandlung den Einspritzbereich R1 an der Substratladestufe 3A passiert hat, wird an dem Substratwiedergewinnungsabschnitt 6 durch den Substratwiedergewinnungsvorgang 6 angeordnet, der durch den Ansauggreifer 4B vorgesehen ist.
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Nachstehend wird der Substrateinleitungsvorgang M5 im Detail beschrieben. Als Erstes veranlasst der Ansauggreifer 4A (erster Greifer) den Ansaugmechanismus 41A dazu, das Substrat 10, das an dem Substrateinleitungsabschnitt 5 platziert ist, anzusaugen, um das Substrat 10 zu greifen. In einem Zustand, in dem das Substrat 10 gegriffen ist, wird der Ansauggreifer 4A über den substratunbeladenen Bereich hin bewegt, wo das Substrat der Substratladestufe 3 nicht platziert ist (die Position, an der das Substrat 10 an der oberen Fläche der Substratladestufe 3A durch das Lösen der Ansaugung des Substrates 10 durch den Ansaugmechanismus 41A platziert werden kann). In diesem Zustand wird eine Substratfreigabebehandlung zum Lösen des Eingriffszustands des Substrats 10 ausgeführt, das durch den Ansaugmechanismus 41 A des Ansauggreifers 4A vorgesehen ist, und das Substrat 10 wird an dem substratunbeladenen Bereich der Substratladestufe 3 angeordnet. Der obige Vorgang ist der Substrateinleitungsvorgang M5. Der Ansaugmechanismus 41A saugt das Substrat 10 gemäß der Vakuumansaugung an und die Substratfreigabebehandlung wird durch das Ausblasen von freigesetztem Gas aus dem Ansaugmechanismus 41A auf das Substrat durchgeführt.
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Als Nächstes wird der Substratwiedergewinnungsvorgang M6 im Detail beschrieben. Als Erstes wird der Ansauggreifer 4B (zweiter Greifer) nach der Schichtaufbringungsbehandlung über das Substrat 10 bewegt, welches den Einspritzbereich R1 passiert hat. In diesem Zustand saugt ein Ansaugmechanismus 41 B die obere Fläche des Substrates 10 an der Substratladestufe 3 zur Greiffläche 41S an, um das Substrat 10 zu greifen. In einem Zustand, bei dem das Substrat 10 gegriffen ist, wird der Ansauggreifer 4B über den substratunbeladenen Bereich des Substratwiedergewinnungsabschnittes 6 bewegt, wo das Substrat nicht platziert ist (die Position, an der der Ansaugmechanismus 41B das Substrat 10 ansaugen kann). In diesem Zustand wird die Substratfreigabebehandlung zum Lösen des Greifzustands des Substrates 10 an der Greiffläche 41S durch den Ansaugmechanismus 41B des Ansauggreifers 4B ausgeführt, um das Substrat 10 an dem substratunbeladenen Bereich des Substratwiedergewinnungsabschnitts 6 anzuordnen. Der obige Vorgang ist der Substratwiedergewinnungsvorgang M6. Der Ansaugmechanismus 41B saugt das Substrat 10 gemäß der Vakuumansaugung an und die Substratfreigabebehandlung wird durch das Ausstoßen von freigesetztem Gas aus dem Ansaugmechanismus 71b auf die obere Fläche des Substrates durchgeführt.
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Danach passieren alle Substrate 10, die an der oberen Fläche der Substratladestufe 3A platziert sind, den Einspritzbereich R1, wenn das hinterste Substrat 10x an der oberen Fläche der Substratladestufe 3A den Einspritzbereich R1 passiert hat, wie es in 4 gezeigt ist.
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Die Zirkulationstransportbehandlung für die Substratladestufe 3A in diesem Zustand wird bei den Geschwindigkeiten V1 bis V5 (Zirkulationsgeschwindigkeiten) ausgeführt. Als Erstes erhöht der Übertragungsmechanismus 8R eine Transportgeschwindigkeit gemäß dem Verschiebevorgang von der Geschwindigkeit V0 auf die Geschwindigkeit V1 (> V0). Zu diesem Zeitpunkt werden alle Substrate 10 an der oberen Fläche der Substratladestufe 3A auf dem Substratwiedergewinnungsabschnitt 6 durch den Substratwiedergewinnungsvorgang M6 bewegt, der durch den Ansauggreifer 4B vorgesehen ist.
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Andererseits bleibt die Substratladestufe 3B bei der Transportgeschwindigkeit des Geschwindigkeit V0 gemäß dem Verschiebevorgang des Übertragungsmechanismus 8L.
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Dann wechselt, wie es in 5 gezeigt ist, nachdem alle Substrate 10 an der oberen Fläche der Substratladestufe 3A wiedergewonnen sind, der Übertragungsmechanismus 8R vom Verschiebevorgang zum Hebevorgang und senkt die Substratladestufe 3A mit der Geschwindigkeit V2 (> V0) ab. Andererseits wird die Substratladestufe 3B, an der das Substrat 10 im Einspritzbereich R1 vorliegt, entlang der Transportrichtung bei der Geschwindigkeit V0 durch den Verschiebevorgang des Übertragungsmechanismus 8L transportiert.
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Danach wird, wie es in 6 gezeigt ist, durch das Absenken der Substratladestufe 3A die Höhendifferenz zwischen den Substratladestufen 3A und 3B erzielt, so dass die Substratladestufen 3A und 3B sich in der Z-Richtung nicht gegenseitig überschneiden. Der Übertragungsmechanismus 8R wechselt dann vom Hebevorgang zum Verschiebevorgang.
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Die Substratladestufe 3A wird durch den Verschiebevorgang des Übertragungsmechanismus 8R mit der Geschwindigkeit V3 (> V0) horizontal entlang der Gegentransportrichtung (-X-Richtung) bewegt. Andererseits wird die Substratladestufe 3B, an der das Substrat 10 im Einspritzbereich R1 vorliegt, mit der Geschwindigkeit V0 entlang der Transportrichtung transportiert.
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Danach wird, wie es in 7 gezeigt ist, die Substratladestufe 3A horizontal zur stromaufwärtigen Seite bewegt, welche sich nicht mit der Substratladestufe 3B in X-Richtung überschneidet, und der Übertragungsmechanismus 8R wechselt dann vom Verschiebevorgang zum Hebevorgang.
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Die Substratladestufe 3A wird bei der Geschwindigkeit V4 (< V0) durch den Hebebetrieb des Übertragungsmechanismus 8R angehoben. Andererseits wird die Substratladestufe 3B, an der das Substrat 10 im Einspritzbereich R1 vorliegt, entlang der Transportrichtung mit der Geschwindigkeit V0 transportiert.
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Als Nächstes erreicht, wie es in 8 gezeigt ist, die Substratladestufe 3A dieselbe Höhe wie die Substratladestufe 3B und dann wechselt der Übertragungsmechanismus 8R vom Hebevorgang zum Verschiebevorgang.
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Die Substratladestufe 3A wird bei der Geschwindigkeit V5 (> V0) entlang der Transportrichtung durch die Querbewegung des Übertragungsmechanismus 8R transportiert. Zu diesem Zeitpunkt ist das Substrat 10 vor der Schichtaufbringungsbehandlung entsprechend an der oberen Fläche der Substratladestufe 3A durch den Substrateinleitungsvorgang M5 angeordnet, der durch den Ansauggreifer 4A vorgesehen ist. Andererseits wird die Substratladestufe 3B, an der das Substrat 10 im Einspritzbereich R1 vorliegt, mit der Geschwindigkeit V0 entlang der Transportrichtung transportiert.
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Die Zirkulationstransportbehandlung ist dann abgeschlossen, wenn die Substratladestufe 3A mit einem minimalen Abstand hinter der Substratladestufe 3B angeordnet ist, wie es in 9 gezeigt ist.
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Somit wird die Zirkulationstransportbehandlung durch die Kombination der Bewegung in die +X-Richtung (horizontale Bewegung in der Transportrichtung) bei der Geschwindigkeit V1, der Bewegung in die -Z-Richtung (Absenkbewegung) bei der Geschwindigkeit V2, der Bewegung in die -X-Richtung (Horizontalbewegung in der Gegentransportrichtung) bei der Geschwindigkeit V3, der Bewegung in die +Z-Richtung (Anhebebewegung) bei der Geschwindigkeit V4 und der Bewegung in die +X-Richtung (horizontale Bewegung in der Transportrichtung) bei der Geschwindigkeit V5 ausgeführt. Die Zirkulationstransportbehandlung ist abgeschlossen, bis alle aus der Vielzahl an Substraten 10 an der oberen Fläche der Substratladestufe 3B (dem anderen Substratplatzierungsabschnitt) den Einspritzbereich 1 passiert haben.
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In der Substratladestufe 3A, für die der Zirkulationstransportbehandlung abgeschlossen ist, senkt der Übertragungsmechanismus 8R die Transportgeschwindigkeit, die durch die Querbewegung vorgesehen ist, von der Geschwindigkeit V5 auf die Geschwindigkeit V0 ab.
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Als Folge wird die Substratladestufe 3A entlang der Transportrichtung mit der Geschwindigkeit V0 (Bewegungsgeschwindigkeit während der Schichtaufbringung) transportiert. Wenn es notwendig ist, das Substrat 10 durch den Substrateinleitungsvorgang M5, der durch den Ansauggreifer 4A vorgesehen ist, an der Substratladestufe 3A zu platzieren, wird das Substrat 10 vor der Schichtaufbringungsbehandlung entsprechend an der oberen Fläche der Substratladestufe 3A angeordnet (die im Schichtaufbringungsvorbereitungsbereich R2 vorliegt).
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Andererseits wird die Substratladestufe 3B, welche teilweise im Einspritzbereich R1 vorliegt, entlang der Transportrichtung mit der Geschwindigkeit V0 transportiert.
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Nachdem alle Substrate 10 an der oberen Fläche der Substratladestufe 3B den Einspritzbereich R1 passiert haben, wird die Zirkulationstransportbehandlung für die Substratladestufe 3B, wie für die Substratladestufe 3A, ausgeführt, was in 4 bis 9 gezeigt ist. Zu diesem Zeitpunkt wird die Substratladestufe 3A bei der Geschwindigkeit V0 entlang der Transportrichtung transportiert.
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Während die zwei Substratladestufen 3A und 3B schrittweise durch den Substratübertragungsmechanismus 8 zirkuliert werden, inklusive den Übertragungsmechanismen 8L und 8R, wird somit der Transportvorgang (inklusive der Zirkulationstransportbehandlung) für die Substratladestufen 3A und 3B so ausgeführt, dass das Substrat 10 vor der Schichtaufbringungsbehandlung immer im Einspritzbereich R1 vorliegt.
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Die Substratladestufen 3A und 3B (erste und zweite Substratplatzierungsabschnitte) in der Schichtaufbringungsvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform weisen jeweils den Ansaugmechanismus 31 und den Heizmechanismus 32 auf. Das Substrat 10, das vor der Schichtaufbringungsbehandlung in einem Vorbereitungsbereich platziert ist, der im Schichtaufbringungsvorbereitungsbereich R2 vorliegt, wird erhitzt, bis die Substratladestufen 3A und 3B den Einspritzbereich R1 (Schichtaufbringungsbehandlungsbereich) erreichen, um die Notwendigkeit zu beheben, das Substrat 10 direkt zu erhitzen. Außerdem wird die Erwärmung in einem Zustand ausgeführt, bei dem die untere Fläche des Substrates 10 durch den Ansaugmechanismus 31 angesogen wird, der in der Substratladestufe 3 umfasst ist. Als Folge unterdrückt die Schichtaufbringungsvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform den Temperaturgradienten, der im Substrat 10 während der Erwärmung auftritt, auf einen geringen Wert. Des Weiteren erwärmt die Schichtaufbringungsvorrichtung das Substrat 10 in einem Zustand, bei dem das Substrat 10 angesogen wird, was es ermöglicht, das Auftreten von Verformung oder Brechen des Substrates 10 effektiv zu unterdrücken.
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Außerdem führt der Substratübertragungsmechanismus 8 (die Substratplatzierungsabschnitt-Übertragungsvorrichtung) inklusive den Übertragungsmechanismen 8L und 8R die Zirkulationstransportbehandlung zum Anordnen der einen Substratladestufe 3 (die Substratladestufe 3A in 3 bis 9) aus, welche den Einspritzbereich R1 mit den Zirkulationsgeschwindigkeiten V1 bis V5 hinter der anderen Substratladestufe 3 (Substratladestufe 3B in 3 bis 9) passiert hat,. Folglich werden die Substratladestufen 3A und 3B effizient bewegt, während die Substratladestufen 3A und 3B zirkuliert werden, um zu ermöglichen, dass das platzierte Substrat nacheinander den Einspritzbereich R1 passiert, so dass die Behandlungsleistung in der Schichtaufbringungsbehandlung verbessert werden kann.
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Des Weiteren werden in der vorliegenden Ausführungsform die Anzahl an Substratladestufen 3, die jeweils den Ansaugmechanismus 31 und den Heizmechanismus 32 aufweist, auf ein Minimum von 2 unterdrückt (Substratladestufen 3A und 3B), so dass man einen Substratübertragungsmechanismus mit einer relativ simplen Konfiguration erhält, welcher die Übertragungsmechanismen 8R und 8L aufweist, um die Substratladestufen 3A und 3B jeweils unabhängig voneinander zu bewegen. Daher kann die Schichtaufbringungsvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform die Kosten der Vorrichtung minimieren.
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10 ist ein Darstellungsdiagramm, das eine Konfiguration einer herkömmlichen Schichtaufbringungsvorrichtung zeigt, wenn eine Transportbehandlung für eine Vielzahl an Substraten 10 durch einen herkömmlichen Förderer 53 durchgeführt wird.
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Wie es in 10 gezeigt ist, werden durch einen Förderer 53 inklusive einer Rolle 51 und einem Band 52 eine Vielzahl an Substraten 10 auf dem Band 52 entlang einer Transportrichtung (X-Richtung) transportiert. In der herkömmlichen Schichtaufbringungsvorrichtung sind drei Wärmestufen 50A bis 50C unterhalb des Bands 52 vorgesehen, so dass eine Erwärmung zum Aufheizen des Substrats 10 über das Band 52 durchgeführt wird.
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Wie bei der vorliegenden Ausführungsform wird ein Rohmaterialsprühnebel MT aus einer Dünnschichtbildungsdüse 1 in einen Einspritzbereich R1 eingespritzt. Das Substrat 10 an einem Substrateinleitungsabschnitt 5 auf einer stromaufwärtigen Seite wird durch einen Substrateinleitungsvorgang M5 auf dem Band 52 platziert. Das Substrat 10 auf dem Band 52 wird nach dem Passieren des Einspritzbereichs R1 auf einem Substratwiedergewinnungsabschnitt 6 auf einer stromabwärtigen Seite durch einen Substratwiedergewinnungsvorgang M6 wiedergewonnen.
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In der herkömmlichen Schichtaufbringungsvorrichtung ermöglicht der Förderer 53, dass die Vielzahl an Substraten 10 den Einspritzbereich R1 nacheinander passiert. Durch das Vorsehen der drei Heizstufen 50A bis 50C kann die Erwärmung für das Substrat 10 in einer relativ langen Zeitspanne vor, während und nach der Schichtaufbringungsbehandlung ausgeführt werden.
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Allerdings wird in der herkömmlichen Schichtaufbringungsvorrichtung, die in 10 gezeigt ist, das Substrat 10 nur auf dem Band 52 platziert, so dass ein Temperaturgradient im Substrat 10 während der Erwärmung auftritt, die durch die Erwärmungsstufen 50A bis 50C vorgesehen ist, was eine Verformung verursacht.
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Des Weiteren ist es notwendig, drei relativ große Heizstufen 50A bis 50C vorzusehen, um eine Langzeiterwärmung für das Substrat 10 zu erzielen, was die Kosten für die Vorrichtung erhöht.
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Somit kann die Schichtaufbringungsvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform eine hohe Behandlungsleistung erzielen, ohne Verformung oder Brechen im Substrat 10, auf das eine Schicht aufgebracht wird, zu verursachen, während sie die Kosten für die Vorrichtung minimiert, was einen Effekt zeigt, der mit der herkömmlichen Schichtaufbringungsvorrichtung unerreichbar ist.
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Durch das Einstellen der Zirkulationsgeschwindigkeiten V1 bis V5 auf eine höhere Geschwindigkeit als die Bewegungsgeschwindigkeit V0 während der Schichtaufbringung in der Schichtaufbringungsvorrichtung der Ausführungsform, kann die Substratladestufe 3 durch die Zirkulationstransportbehandlung direkt hinter der anderen Substratladestufe 3 angeordnet werden. Der obige Effekt kann dadurch erzielt werden, dass der Durchschnittswert aus der Summe der Zirkulationsgeschwindigkeiten V1 bis V5 höher eingestellt wird, als die Bewegungsgeschwindigkeit V0 während der Schichtaufbringung.
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Nachstehend werden die Geschwindigkeit V0 und die Zirkulationsgeschwindigkeiten V1 bis V5 im Detail beschrieben. Hier werden die Abstände L0 bis L5, die mit den Geschwindigkeiten V0 bis V5 zusammenhängen, beschrieben.
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Wie es in 4 gezeigt ist, ist ein Abstand, der durch die Subtraktion der Länge des Einspritzbereichs R1 von einer Formationslänge SL3 der Substratladestufe 3 in Transportrichtung (X-Richtung) erhalten wird, als ein Abstand L0 definiert, und ein horizontaler Abstand, bevor und nachdem die Substratladestufe 3A den Horizontalbewegungsvorgang bei der Geschwindigkeit V1 in der Transportrichtung durchgeführt hat, ist als ein Abstand L1 definiert.
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Wie es in 5 gezeigt ist, ist eine Höhendifferenz, bevor und nachdem die Substratladestufe 3A einen Absenkvorgang bei der Geschwindigkeit V2 durchgeführt hat, als ein Abstand L2 definiert. Des Weiteren ist ein horizontaler Abstand, wie es in 6 gezeigt ist, bevor und nachdem die Substratladestufe 3A den Horizontalbewegungsvorgang bei der Geschwindigkeit V3 in der Gegentransportrichtung durchgeführt hat, als ein Abstand L3 definiert.
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Des Weiteren ist, wie es in 7 gezeigt ist, eine Höhendifferenz, bevor und nachdem die Substratladestufe 3A den Anhebevorgang bei einer Geschwindigkeit V6 durchgeführt hat, als ein Abstand L4 definiert. Wie es in 9 gezeigt ist, ist ein horizontaler Abstand, bevor und nachdem die Substratladestufe 3A den Horizontalbewegungsvorgang bei einer Geschwindigkeit V5 durchgeführt hat, als ein Abstand L5 definiert.
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Daher ist es im Vorgangsbeispiel der Schichtaufbringungsvorrichtung der Ausführungsform, das in
3 bis 9 gezeigt ist, notwendig, den folgenden Ausdruck (1) zu erfüllen, um die Zirkulationstransportbehandlung für die Substratladestufe 3A (einer der Substratplatzierungsabschnitte) abzuschließen, bis alle Substrate 10, die auf der Substratladestufe 3B (der andere Substratplatzierungsabschnitt) platziert sind, den Einspritzbereich R1 passiert haben, welcher der Schichtaufbringungsbehandlungsbereich ist.
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In diesem Fall wird der Abstand L0 durch die Formationslänge SL3 in der Transportrichtung der Substratladestufe 3 bestimmt, wenn der Einspritzbereich L1 vorbestimmt ist. Die Anzahl der Substrate 10, die an der oberen Fläche platziert sind (die Anzahl an zu platzierenden Substraten) wird durch die Formationslänge SL3 der Substratladestufe 3 bestimmt.
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Wenn die Abstände L1 bis L5 und die Geschwindigkeiten V0 bis V5 im Vorhinein unter Berücksichtigung der Schichtaufbringungsbehandlungszeit und der Skala der Schichtaufbringungsvorrichtung oder dergleichen eingestellt werden, ist die maximale Anzahl an Substraten 10, welche an der oberen Fläche der Substratladestufe 3 platziert werden können, welche die minimale Formationslänge SL3 hat, die den Ausdruck (1) erfüllt, die optimale Anzahl an zu platzierenden Substraten.
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Sofern die minimale Formationslänge SL 3 in der X-Richtung, welche den Ausdruck (1) erfüllt, 8 mm ist, wenn ein rechteckiges Substrat 10, das eine Seite von 156 mm hat, verwendet wird, können beispielsweise fünf Substrate 10 entlang der X-Richtung einer Substratladestufe 3 platziert werden, welche die Formationslänge SL3 von 800 mm in der X-Richtung hat, so dass die optimale Anzahl an Substraten, die zu platzieren ist, zehn ist (5 x 2), wenn zwei Substrate 10 entlang der Y-Richtung platziert werden können, wie es in 2 gezeigt ist.
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Somit werden auf jede Substratladestufe 3A und 3B (erste und zweite Substratplatzierungsabschnitte) der Schichtaufbringungsvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform Substrate 10 in optimaler Anzahl (vorbestimmte Anzahl) geladen. Das heißt, dass die optimale Anzahl an zu platzierenden Substraten so eingestellt wird, dass die Zirkulationstransportbehandlung von einem Substratplatzierungsabschnitt (Substratladestufe 3A in 3 bis 9) abgeschlossen ist, bis alle Substrate 10 an dem anderen Substratplatzierungsabschnitt (die Substratladestufe 3B in 3 bis 9) den Einspritzbereich R1 passiert haben, welcher der Schichtaufbringungsbehandlungsbereich ist.
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In der Ausführungsform ermöglicht der Transportvorgang durch das Anordnen der Substrate 10 in der optimalen Anzahl an der oberen Fläche jeder Substratladestufe 3A und 3B, dass die Substrate 10, die an den oberen Flächen der Substratladestufen 3A und 3B platziert sind, durchgängig den Einspritzbereich R1 erreichen, so dass die Verbesserung bei der Behandlungsleistung in der Schichtaufbringungsbehandlung maximal möglich ist.
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Ein Silikonsubstrat kann als Substrat 10 verwendet werden. In diesem Fall ermöglicht es die Schichtaufbringungsvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform, das Auftreten von Verformung durch den Temperaturgradienten im Silikonsubstrat während der Schichtaufbringungsbehandlung effektiv zu unterdrücken.
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In der vorliegenden Ausführungsform wird die Dünnschichtbildungsdüse 1 (Sprühnebeleinspritzabschnitt) als ein Schichtaufbringungsbehandlung-Ausführungsabschnitt verwendet und der Schichtaufbringungsbehandlungsbereich ist der Einspritzbereich R1.
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Daher kann die Schichtaufbringungsvorrichtung der Ausführungsform das Auftreten von Verformung durch en Temperaturgradienten im Substrat 10 während der Schichtaufbringungsbehandlung, die durch das Einspritzen des Rohmaterialsprühnebels MT vorgesehen ist, effektiv unterdrücken und kann die Behandlungsleistung in der Schichtaufbringungsbehandlung verbessern, die durch die Einspritzung des Rohmaterialsprühnebels MT vorgesehen ist.
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In der vorliegenden Ausführungsform wird ein Sprühnebeleinspritzabstand D1 (siehe 1), welcher ein vertikaler Abstand in der Einspritzrichtung in dem Einspritzbereich R1 zwischen der Einspritzfläche 1S, in dem die Sprühnebeleinspritzöffnung zum Einspritzen des Rohmaterialsprühnebels aus der Dünnschichtbildungsdüse 1 ausgebildet ist, und der oberen Fläche des Substrates 10 (das an den Substratladestufen 3A und 3B platziert ist), auf 1 mm oder mehr und 30 mm oder weniger eingestellt.
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Somit wird in der Schichtaufbringungsvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform der Sprühnebeleinspritzabstand D1 der Dünnschichtbildungsdüse 1 auf 1 mm oder mehr und 30 mm oder weniger eingestellt, was es ermöglicht, die Schichtaufbringungsbehandlung, die durch das Einspritzen des Rohmaterialsprühnebels MT vorgesehen ist, präziser durchzuführen.
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Andere Ausführungsformen
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In der vorliegenden Ausführungsform werden die zwei Substratladestufen 3A und 3B als Substratplatzierungsabschnitte gezeigt. Allerdings kann die Schichtaufbringungsvorrichtung, die vier oder mehr Substratladestufen 3 verwendet, auch durch Verbesserungen, wie beispielsweise das Vorsehen von zwei Substratladestufen 3 in jedem der Übertragungsmechanismen 8L und 8R erreicht werden. Allerdings minimiert das Erreichen der Schichtaufbringungsvorrichtung mit nur zwei Substratladestufen 3A und 3B, wie in der vorliegenden Ausführungsform, die Anzahl an Substratladestufen 3 und ist im Hinblick auf die Kosten der Vorrichtung herausragend, wie beispielsweise durch die Vereinfachung der Struktur des Substratübertragungsmechanismus 8, welcher die Substratplatzierungsabschnitt-Übertragungsvorrichtung ist, oder durch die Vereinfachung der Steuerinhalte der Zirkulationstransportbehandlung.
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Jeder Ansauggreifer 4A und 4B kann den Heizmechanismus haben, welcher eine verbesserte Schichtaufbringungsbehandlung aufweist, um die Erwärmung für das Substrat 10 selbst während dem Substrateinleitungsvorgang M5 und dem Substratwiedergewinnungsvorgang M6 durchzuführen.
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Während die vorliegende Erfindung im Detail beschrieben wurde, ist die vorangegangene Beschreibung in allen Aspekten beispielhaft und die vorliegende Erfindung ist nicht darauf begrenzt. Es ist klar, dass die zahlreichen Modifikationen, die nicht dargestellt sind, ohne vom Kern der vorliegenden Erfindung abzuweichen, ausgearbeitet werden können.
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Liste der Bezugszeichen
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- 1
- Dünnschichtbildungsdüse
- 3, 3A, 3B
- Substratladestufe
- 4
- Ansauggreifer
- 4A, 4B
- Ansauggreifer
- 5
- Substrateinleitungsabschnitt
- 6
- Substratwiedergewinnungsabschnitt
- 8
- Substratübertragungsmechanismus
- 10
- Substrat
- 31
- Ansaugmechanismus
- 32
- Heizmechanismus
- 41A, 41B
- Ansaugmechanismus
