DE19910391A1 - Drying system and method - Google Patents

Drying system and method

Info

Publication number
DE19910391A1
DE19910391A1 DE19910391A DE19910391A DE19910391A1 DE 19910391 A1 DE19910391 A1 DE 19910391A1 DE 19910391 A DE19910391 A DE 19910391A DE 19910391 A DE19910391 A DE 19910391A DE 19910391 A1 DE19910391 A1 DE 19910391A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
vibration
objects
transmission device
gas
vibration transmission
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19910391A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Kamikawa
Satoshi Nakashima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of DE19910391A1 publication Critical patent/DE19910391A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Abstract

Um Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen gereinigter Halbleiterwafer W anhaftet, sind ein Vibrationsübertragungsgerät 20, welches sich an die Oberflächen der Halbleiterwafer W annähern kann, und ein Oszillator 25 zum Anlegen einer Ultraschallschwingung an das Vibrationsübertragungsgerät 20 vorgesehen. Der Oszillator 25 wird so betrieben, daß er die Ultraschallschwingung an die Vibrationsübertragungsplatten 24 des Vibrationsübertragungsgeräts 20 anlegt, und Energie der Ultraschallschwingung an ein Gas zwischen dem Vibrationsübertragungsgerät 20 und den Oberflächen des Halbleiterwafers W anlegt, um Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der Halbleiterwafer W anhaftet. Daher ist es möglich, auf sichere Weise Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen gereinigter Gegenstände anhaftet, die behandelt werden sollen, um die Gegenstände zu trocknen, ohne daß es erforderlich ist, ein Trocknungsgas eines organischen Lösungsmitteldampfes vorzusehen, etwa IPA.

Description

Hintergrund der Erfindung Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein ein Trocknungssystem und ein Trocknungsverfahren. Spezieller betrifft die Erfindung ein Trocknungssystem und ein Verfahren zum Entfernen von Wasser, welches an der Oberfläche eines gereinigten Gegenstands anhaftet, der behandelt werden soll, beispielsweise eines Halbleiterwafers oder eines Glassubstrats für ein LCD.
Beschreibung des zugehörigen technischen Hintergrunds
Im allgemeinen wird bei einem Verfahren zur Herstellung von Halbleiterwafern und dergleichen in weitem Ausmaß ein Reinigungsverfahren eingesetzt, bei welchem zu behandelnde Gegenstände, beispielsweise Halbleiterwafer oder Glassubstrate für LCDs (die nachstehend als "Wafer" bezeichnet werden) in eine Reinigungslösung, beispielsweise eine Chemikalienlösung oder Spüllösung (reines Wasser), die in einem Bearbeitungsbad aufbewahrt wird, eingetaucht und gereinigt werden.
Bei einer derartigen Reinigungsbehandlung werden eingesetzt: (1) ein sogenanntes IPA-Trocknungsverfahren, welches dazu dient, die Oberflächen der gereinigten Wafer mit einem trockenen Gas eines Dampfes eines flüchtigen organischen Lösungsmittel in Berührung zu bringen, beispielsweise Dampf aus Isopropylalkohol (IPA), und den Dampf des trockenen Gases zu kondensieren oder zu absorbieren, um zum Trocknen der Wafer Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der Wafer anhaftet, (2) ein Schleudertrocknungsverfahren, bei welchem Wafer mit hoher Geschwindigkeit gedreht werden, während die Wafer im Horizontalzustand gehalten werden, und (3) ein Trocknungsverfahren, bei welchem ein Trocknungsgas, beispielsweise Stickstoffgas (N2-Gas) direkt auf die Oberflächen der Wafer gesprüht wird, um diese zu trocknen.
Bei dem IPA-Trocknungsverfahren (1) besteht jedoch die Befürchtung, daß die Behandlung mittels IPA zu Gefahren führt, da IPA äußerst flüchtig ist. Da es erforderlich ist, die Temperatur auf eine hohe Temperatur anzuheben, um IPA-Dampf zu erzeugen, gibt es darüber hinaus in der Hinsicht Probleme, daß die Temperatursteuerung berücksichtigt werden muß, und eine Einrichtung mit großen Abmessungen zur Verfügung gestellt werden muß. Da bei dem Schleudertrocknungsverfahren (2) die Wafer gedreht werden, um zum Trocknen der Wafer die Zentrifugalkraft zu nutzen, besteht die Schwierigkeit, daß leicht Wasserspuren auf den Wafern auftreten, was die Ausbeute verringert. Bei dem Trocknungsverfahren (3) zum Aufsprühen eines Gases, beispielsweise N2-Gas, direkt auf die Oberflächen der Wafer besteht das Problem, da N2-Gas von außerhalb der Außenumfänge der Wafer aufgesprüht wird, daß leicht eine ungleichförmige Trocknung hervorgerufen wird, was die Ausbeute beeinträchtigt.
Zusammenfassung der Erfindung
Ein Ziel der vorliegenden Erfindung besteht daher in der Ausschaltung der voranstehend geschilderten Schwierigkeiten, und in der Bereitstellung eines Trocknungssystems und eines Trocknungsverfahrens zum sicheren Entfernen von Wasser, welches an den Oberflächen gereinigter Gegenstände anhaftet, die behandelt werden sollen, damit die Gegenstände getrocknet werden können, ohne daß es erforderlich ist, ein Trocknungsgas eines organischen Lösungsmitteldampfes zu verwenden, beispielsweise IPA.
Um die voranstehenden und weitere Ziele zu erreichen wird gemäß einer ersten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung ein Trocknungssystem zum Entfernen von Wasser zur Verfügung gestellt, welches an einer Oberfläche eines zu behandelnden, gereinigten Gegenstands anhaftet, wobei das Trocknungssystem aufweist: eine Vibrationsübertragungsvorrichtung, welche sich an die Oberfläche des Gegenstands annähern kann; und eine Vibrationserzeugungsvorrichtung zum Anlegen einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung mit niedrigerer Frequenz als jener der Ultraschallschwingung an die Vibrationsübertragungsvorrichtung, wobei die Vibrationserzeugungsvorrichtung die Ultraschallschwingung oder die niederfrequente Schwingung an die Vibrationsübertragungsvorrichtung anlegt, und Energie der Ultraschallschwingung oder der niederfrequenten Schwingung an ein Gas zwischen der Vibrationsübertragungsvorrichtung und der Oberfläche des Gegenstands anlegt, um an der Oberfläche des Gegenstandes anhaftendes Wasser zu entfernen.
Gemäß einer zweiten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung wird ein Trocknungssystem zum Entfernen von Wasser zur Verfügung gestellt, welches an Oberflächen mehrerer gereinigter Gegenstände anhaftet, die behandelt werden sollen, wobei das Trocknungssystem aufweist: eine Vibrationsübertragungsvorrichtung, welche sich an die Oberflächen der mehreren Gegenstände annähern kann; eine Schwingungserzeugungsvorrichtung zum Anlegen einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung, die eine niedrigere Frequenz aufweist als die Ultraschallschwingung, an die Vibrationsübertragungsvorrichtung; eine Haltevorrichtung zum Haltern der mehreren Gegenstände in gleichmäßigen Intervallen; und eine Bewegungsvorrichtung für eine Relativbewegung der Vibrationsübertragungsvorrichtung und der Haltevorrichtung, wobei, während die Bewegungsvorrichtung die Oberflächen der mehreren Gegenstände dazu veranlaßt, sich an die Vibrationsübertragungsvorrichtung anzunähern, die Vibrationserzeugungsvorrichtung die Ultraschallschwingung oder die niederfrequente Schwingung an die Vibrationsübertragungsvorrichtung anlegt, und Energie der Ultraschallschwingung oder der niederfrequenten Schwingung an ein Gas zwischen der Vibrationsübertragungsvorrichtung und den Oberflächen der mehreren Gegenstände anlegt, um Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der mehreren Gegenstände anhaftet.
Gemäß einer dritten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung wird ein Trocknungssystem zum Entfernen von Wasser zur Verfügung gestellt, welches an Oberflächen mehrerer gereinigter Gegenstände anhaftet, die behandelt werden sollen, wobei das Trocknungssystem aufweist: eine Vibrationsübertragungsvorrichtung, die oberhalb eines Reinigungsabschnitts angeordnet ist, der zum Reinigen der mehreren Gegenstände dient, wobei die Vibrationsübertragungsvorrichtung sich an die Oberflächen der mehreren Gegenstände annähern kann, die aus dem Reinigungsabschnitt heraufgezogen wurden; eine Vibrationserzeugungsvorrichtung zum Anlegen einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung mit einer niedrigeren Frequenz als jener der Ultraschallschwingung an die Vibrationsübertragungsvorrichtung; eine Haltevorrichtung zum Haltern der mehreren Gegenstände in gleichmäßigen Intervallen; und eine Bewegungsvorrichtung zur Relativbewegung der Vibrationsübertragungsvorrichtung und der Haltevorrichtung auf solche Weise, daß die mehreren Gegenstände durch die Vibrationsübertragungsvorrichtung hindurchgehen, wobei dann, wenn die Bewegungsvorrichtung die mehreren Gegenstände aus dem Reinigungsabschnitt heraufzieht, um die mehreren Gegenstände dazu zu veranlassen, durch die Vibrationsübertragungsvorrichtung hindurch zugehen, die Vibrationserzeugungsvorrichtung die Ultraschallschwingung oder die niederfrequente Schwingung an die Vibrationsübertragungsvorrichtung anlegt, und Energie der Ultraschallschwingung oder der niederfrequenten Schwingung an ein Gas zwischen der Vibrationsübertragungsvorrichtung und den Oberflächen der mehreren Gegenstände anlegt, um Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der mehreren Gegenstände anhaftet.
Gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein Trocknungssystem zum Entfernen von Wasser zur Verfügung gestellt, welches an Oberflächen mehrerer gereinigter Gegenstände anhaftet, die behandelt werden sollen, wobei das Trocknungssystem aufweist: eine Vibrationsübertragungsvorrichtung, welche sich an die Oberflächen der mehreren Gegenstände annähern kann; eine Vibrationserzeugungsvorrichtung zum Anlegen einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung mit niedrigerer Frequenz als jener der Ultraschallschwingung an die Vibrationsübertragungsvorrichtung; eine Haltevorrichtung zum Haltern der mehreren Gegenstände in gleichmäßigen Intervallen; eine Bewegungsvorrichtung zur Relativbewegung der Vibrationsübertragungsvorrichtung und der Haltevorrichtung auf solche Weise, daß die mehreren Gegenstände durch die Vibrationsübertragungsvorrichtung hindurchgehen; eine Greifvorrichtung zum Greifen der mehreren Gegenstände, die durch die Vibrationsübertragungsvorrichtung hindurchgegangen sind; und eine Auslaßvorrichtung zur Aufnahme der mehreren Gegenstände von der Greifvorrichtung, um die mehreren Gegenstände an einen vorbestimmten Ort aus zugeben, wobei dann, wenn die Bewegungsvorrichtung die mehreren Gegenstände dazu veranlaßt, durch die Vibrationsübertragungsvorrichtung hindurchzugehen, die Vibrationserzeugungsvorrichtung die Ultraschallschwingung oder die niederfrequente Schwingung an die Vibrationsübertragungsvorrichtung anlegt, und Energie der Ultraschallschwingung oder der niederfrequenten Schwingung an ein Gas zwischen der Vibrationsübertragungsvorrichtung und den Oberflächen der mehreren Gegenstände anlegt, um Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der mehreren Gegenstände anhaftet.
Gemäß einer fünften Zielrichtung der vorliegenden Erfindung weist das Trocknungssystem gemäß einer von den ersten bis vierten Zielrichtungen der vorliegenden Erfindung weiterhin eine Gasversorgungsvorrichtung auf, um ein Gas Räumen zwischen den Gegenstände und der Vibrationsübertragungsvorrichtung zuzuführen, wobei die Vibrationserzeugungsvorrichtung die Ultraschallschwingung oder die niederfrequente Schwingung an die Vibrationsübertragungsvorrichtung anlegt, und Energie der Ultraschallschwingung oder der niederfrequenten Schwingung an ein Gas anlegt, welches von der Gasversorgungsvorrichtung den Räumen zwischen der Vibrationsübertragungsvorrichtung und den Oberflächen der Gegenstände zugeführt wurde, um Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der Gegenstände anhaftet.
Gemäß einer sechsten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung weist das Trocknungssystem gemäß einer unter den ersten bis vierten Zielrichtungen der vorliegenden Erfindung weiterhin auf: eine Gasversorgungsvorrichtung zum Liefern eines Gases zu Räumen zwischen den Gegenstände und der Vibrationsübertragungsvorrichtung, und eine Auslaßvorrichtung, die eine Auslaßöffnung an einer Position aufweist, an welcher sich der Gegenstand an die Vibrationsübertragungsvorrichtung annähert, wobei die Vibrationserzeugungsvorrichtung die Ultraschallschwingung oder die niederfrequente Schwingung an die Vibrationsübertragungsvorrichtung anlegt, und Energie der Ultraschallschwingung oder der niederfrequenten Schwingung an ein Gas anlegt, welches von der Gasversorgungsvorrichtung den Räumen zwischen der Vibrationsübertragungsvorrichtung und den Oberflächen der Gegenstände zugeführt wurde, um Wasser zu entfernen, welches an der Oberflächen der Gegenstände anhaftet, und das wasserhaltige Gas auszustoßen, welches von der Auslaßvorrichtung entfernt wurde.
Das Trocknungssystem gemäß der dritten oder vierten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung kann weiterhin eine Beschickungsvorrichtung zum Zuführen der Gegenstände zur Haltevorrichtung aufweisen, wobei die Beschickungsvorrichtung einen Raumeinstellmechanismus zum Einstellen der Räume zwischen den Gegenständen aufweist. Bei dem Trocknungssystem gemäß der vierten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung kann die Greifvorrichtung einen Raumeinstellmechanismus zur Einstellung der Räume zwischen den Gegenständen aufweisen.
Das Trocknungssystem gemäß der fünften Zielrichtung der vorliegenden Erfindung kann weiterhin eine Heizvorrichtung zum Erhitzen des Gases aufweisen, welches von der Gasversorgungsvorrichtung geliefert wurde, wobei das durch die Heizvorrichtung erhitzte Gas den Räumen zwischen dem Gegenstand und der Vibrationsübertragungsvorrichtung und der Vibrationsübertragungsvorrichtung zugeführt wird.
Bei dem Trocknungssystem gemäß der fünften Zielrichtung der vorliegenden Erfindung kann die Vibrationsübertragungsvorrichtung eine Gaszufuhröffnung für die Gasversorgungsvorrichtung aufweisen.
Bei dem Trocknungssystem gemäß der sechsten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung kann die Vibrationsübertragungsvorrichtung ein Paar von Vibrationsübertragungsteilen aufweisen, die zwischen den Gegenständen angeordnet sind, wobei jedes der Vibrationsübertragungsteile eine Schrägfläche auf der einer den Oberflächen der Gegenstände gegenüberliegenden Oberfläche entgegengesetzten Oberfläche aufweist, so daß die Schrägfläche, die zu ihrer Spitze hin verläuft, zum entsprechenden Gegenstand hin geneigt ist, und wobei eine Auslaßöffnung, die mit der Auslaßvorrichtung in Verbindung steht, zwischen den benachbarten Vibrationsübertragungsteilen vorgesehen ist.
Gemäß einer siebten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung wird ein Trocknungsverfahren zum Entfernen von Wasser zur Verfügung gestellt, welches an einer Oberfläche eines gereinigten Gegenstands anhaftet, der behandelt werden soll, wobei Energie einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung mit niedrigerer Frequenz als jener der Ultraschallschwingung an ein Gas nahe der Oberfläche des Gegenstands angelegt wird, um Wasser zu entfernen, welches an der Oberfläche des Gegenstands anhaftet.
Gemäß einer achten Zielrichtung der Erfindung wird ein Trocknungsverfahren zur Verfügung gestellt, welches folgende Schritte aufweist: Eintauchen eines zu behandelnden Gegenstands in eine Reinigungslösung; Heraufziehen des Gegenstands aus der Reinigungslösung; Anlegen der Energie einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung mit niedrigerer Frequenz als jener der Ultraschallschwingung an ein Gas nahe der Oberfläche des Gegenstands, um Wasser zu entfernen, welches an der Oberfläche des Gegenstands anhaftet.
Gemäß einer neunten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung wird bei dem Trocknungsverfahren gemäß der siebten oder achten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung das Gas der Oberfläche des Gegenstands zugeführt, und wird die Energie der Ultraschallschwingung oder der niederfrequenten Schwingung an das Gas angelegt, um Wasser zu entfernen, welches an der Oberfläche des Gegenstands anhaftet. Bei diesem Trocknungsverfahren kann das Gas auf eine Flüssigkeitsoberfläche auf dem Gegenstand aufgesprüht werden, der aus einer Reinigungslösung herausgezogen wurde.
Gemäß einer zehnten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung weist das Trocknungsverfahren gemäß der siebten oder achten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung weiterhin folgende Schritte auf: Einführen der Vibrationsübertragungsvorrichtung in Räume zwischen den gereinigten Gegenständen; und Anlegen der Energie der Ultraschallschwingung oder der niederfrequenten Schwingung an ein Gas durch die Schwingungen der Vibrationsübertragungsvorrichtung, um an den Oberflächen der Gegenstände anhaftendes Wasser zu entfernen.
Gemäß einer elften Zielrichtung der vorliegenden Erfindung weist das Trocknungsverfahren gemäß der siebten oder achten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung weiterhin folgende Schritte auf: Einführen der Vibrationsübertragungsvorrichtung in Räume zwischen den gereinigten Gegenständen; Liefern eines Gases an Räume zwischen den Gegenständen und der Vibrationsübertragungsvorrichtung; und Anlegen der Energie der Ultraschallschwingung oder der niederfrequenten Schwingung an das Gas durch die Schwingungen der Vibrationsübertragungsvorrichtung, um an den Oberflächen der Gegenstände anhaftendes Wasser zu entfernen.
Gemäß einer zwölften Zielrichtung der vorliegenden Erfindung weist das Trocknungsverfahren gemäß der siebten oder achten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung weiterhin folgende Schritte auf: Einführen der Vibrationsübertragungsvorrichtung in Räume zwischen den gereinigten Gegenständen; Liefern eines Gases an Räume zwischen den Gegenständen und der Vibrationsübertragungsvorrichtung; Anlegen der Energie der Ultraschallschwingung oder der niederfrequenten Schwingung an das Gas durch die Schwingungen der Vibrationsübertragungsvorrichtung, um an den Oberflächen der Gegenstände anhaftendes Wasser zu entfernen; und Ablassen des Gases, welches Wasser enthält, das von den Gegenständen entfernt wurde.
Gemäß einer dreizehnten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung wird ein Trocknungsverfahren zum Entfernen von Wasser zur Verfügung gestellt, welches an Oberflächen mehrerer gereinigter Gegenstände anhaftet, die behandelt werden sollen, wobei das Trocknungsverfahren folgende Schritte aufweist: Ausdehnen von Räumen zwischen den mehreren gereinigten Gegenständen, die behandelt werden sollen, auf vorbestimmte Räume; Einführen einer Vibrationsübertragungsvorrichtung in die Räume zwischen den gereinigten Gegenständen, Zufuhr eines Gases zur Räumen zwischen den Gegenständen und der Vibrationsübertragungsvorrichtung; und Anlegen der Energie einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung mit niedrigerer Frequenz als jener der Ultraschallschwingung an das Gas durch die Schwingungen der Vibrationsübertragungsvorrichtung, um Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der Gegenstände anhaftet.
Gemäß einer vierzehnten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung wird ein Trocknungsverfahren zum Entfernen von Wasser zur Verfügung gestellt, welches an Oberflächen mehrerer gereinigter Gegenstände anhaftet, die behandelt werden sollen, wobei das Trocknungsverfahren folgende Schritte aufweist: Ausdehnung von Räumen zwischen den mehreren gereinigten Gegenständen, die behandelt werden sollen auf vorbestimmte Räume; Einführen einer Vibrationsübertragungsvorrichtung in die Räume zwischen den gereinigten Gegenständen; Zufuhr eines Gases zu Räumen zwischen den Gegenständen und der Vibrationsübertragungsvorrichtung; Anlegen der Energie einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung mit niedrigerer Frequenz als jener der Ultraschallschwingung an das Gas durch die Schwingungen der Vibrationsübertragungsvorrichtung, um Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der Gegenstände anhaftet; und Auslaß des Gases, welches Wasser enthält, das von den Gegenständen entfernt wurde.
Gemäß einer fünfzehnten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung wird ein Trocknungsverfahren zum Entfernen von Wasser zur Verfügung gestellt, welches an Oberflächen mehrerer gereinigter Gegenstände anhaftet, die behandelt werden sollen, wobei das Trocknungsverfahren folgende Schritte aufweist: Ausdehnung von Räumen zwischen den mehreren gereinigten Gegenständen, die behandelt werden sollen, auf vorbestimmte Räume; Durchleiten der Gegenstände durch eine Vibrationsübertragungsvorrichtung, um die Vibrationsübertragungsvorrichtung zwischen den mehreren Gegenständen anzuordnen; Liefern eines Gases an Räume zwischen den Gegenständen und der Vibrationsübertragungsvorrichtung, wenn die Gegenstände durch die Vibrationsübertragungsvorrichtung hindurchgehen; Anlegen der Energie einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung mit niedrigerer Frequenz als jener der Ultraschallschwingung an das Gas durch die Schwingungen der Vibrationsübertragungsvorrichtung, um Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der Gegenstände anhaftet; Auslaß des Gases, welches Wasser enthält, das von den Gegenständen entfernt wurde; Greifen der mehreren Gegenstände, von welchen Wasser entfernt wurde, und welche getrocknet wurden, und Verengung der Räume zwischen den mehreren Gegenständen auf vorbestimmte Räume; und Ausstoßen der mehreren Gegenstände, wobei die Räume zwischen den Gegenständen verengt wurden.
Bei dem Trocknungsverfahren gemäß einer der siebten, achten, dreizehnten, vierzehnten und fünfzehnten Zielrichtungen der vorliegenden Erfindung kann das Gas ein Gas sein, welches auf eine vorbestimmte Temperatur erwärmt wurde.
Bei dem Trocknungssystem oder dem Trocknungsverfahren gemäß der ersten oder siebten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung ist es möglich, Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen gereinigter Gegenstände anhaftet, die behandelt werden sollen, um die Gegenstände dadurch zu trocknen, daß Ultraschallschwingungsenergie oder niederfrequente Schwingungsenergie an ein Gas in der Nähe der Oberflächen der gereinigten Gegenstände angelegt wird.
Bei dem Trocknungssystem gemäß der achten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung ist es möglich, Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen von Gegenständen anhaftet, die behandelt werden sollen, um die Gegenstände zu trocknen, durch Anlegen einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung an eine Vibrationsübertragungsvorrichtung, unter Verwendung einer Vibrationserzeugungsvorrichtung, und durch Anlegen von Ultraschallschwingungsenergie oder niederfrequenter Schwingungsenergie an ein Gas zwischen der Vibrationsübertragungsvorrichtung und den Oberflächen der Gegenstände, während eine Bewegungsvorrichtung die Oberflächen der Gegenstände dazu veranlaßt, sich an die Vibrationsübertragungsvorrichtung anzunähern.
Bei dem Trocknungssystem gemäß der dritten oder vierten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung oder bei dem Trocknungsverfahren gemäß der achten oder zehnten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung ist es möglich, Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen von Gegenständen anhaftet, die behandelt werden sollen, um die Gegenstände zu trocknen, durch Anlegen einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung an eine Vibrationsübertragungsvorrichtung unter Verwendung einer Vibrationserzeugungsvorrichtung, und durch Anlegen von Ultraschallschwingungsenergie oder niederfrequenter Schwingungsenergie an ein Gas zwischen der Vibrationsübertragungsvorrichtung und den Oberflächen der Gegenstände, wenn die Gegenstände, die zum Reinigen in eine Reinigungslösung eingetaucht wurden, aus der Reinigungslösung herausgezogen werden.
Bei dem Trocknungssystem gemäß der fünften oder sechsten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung, oder bei dem Trocknungsverfahren gemäß der neunten oder elften Zielrichtung der vorliegenden Erfindung ist es möglich, Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen von Gegenständen anhaftet, die behandelt werden sollen, durch Anlegen von Ultraschallschwingungsenergie oder niederfrequenter Schwingungsenergie an ein Gas, welches wirksam in Richtung auf die Oberflächen der Gegenstände zugeführt wird. In diesem Fall ist es möglich, da es möglich ist, Wasser so zu entfernen, daß die Oberflächen der Gegenstände abgeschält werden, durch Sprühen des Gases in Richtung auf die Flüssigkeitsoberflächen auf den Gegenständen, die aus einer Reinigungslösung herausgezogen wurden, noch wirksamer Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der Gegenstände anhaftet.
Bei dem Trocknungssystem gemäß der sechsten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung, oder bei dem Trocknungsverfahren gemäß der zwölften Zielrichtung der vorliegenden Erfindung ist es möglich, zu verhindern, daß das entfernte Wasser erneut an den Gegenständen anhaftet, durch Auslaß des Gases, welches das entfernte Wasser enthält, unter Verwendung einer Auslaßvorrichtung.
Weiterhin ist es möglich, Räume zwischen mehreren zu behandelnden Gegenständen einzustellen, um eine Vibrationsübertragungsvorrichtung dazu zu veranlassen, in die Räume zwischen den Gegenständen einzutreten und sich an diese anzunähern, durch Bereitstellung eines Raumeinstellmechanismus zur Einstellung der Räume zwischen den Gegenständen auf einer Aufnahmevorrichtung, die auf einer Haltevorrichtung oder auf einer Greifvorrichtung vorgesehen ist, so daß es möglich ist, die mehreren Gegenstände gleichzeitig zu trocknen.
Weiterhin ist es möglich, an den Oberflächen zu behandelnder Gegenstände anhaftendes Wasser dadurch zu entfernen, daß ein Gas geliefert wird, welches durch eine Heizvorrichtung erwärmt wurde, an Räume zwischen den Gegenständen und der Vibrationsübertragungsvorrichtung, und durch Anlegen von Ultraschallschwingungsenergie oder niederfrequenter Schwingungsenergie an das erwärmte Gas, so daß es möglich ist, den Wirkungsgrad der Trocknung weiter zu verbessern.
Darüber hinaus kann die Vibrationsübertragungsvorrichtung vereinigt mit der Zufuhröffnung der Luftversorgungsvorrichtung ausgebildet sein, durch Bereitstellung der Zufuhröffnung der Luftversorgungsvorrichtung auf der Vibrationsübertragungsvorrichtung. Daher ist es möglich, das Gas wirksam in Richtung auf die Oberflächen der Gegenstände zuzuführen, und ist es möglich, die Abmessungen des Systems zu verringern.
Wenn die Vibrationsübertragungsvorrichtung ein Paar von Vibrationsübertragungsteilen aufweist, die zwischen zu behandelnden Gegenständen angeordnet sind, wobei jedes der Vibrationsübertragungsteile eine Schrägfläche auf der entgegengesetzten Oberfläche zu einer Oberfläche aufweist, welche der Oberfläche des Gegenstands gegenüberliegt, so daß die Schrägfläche, die zum Ende hin verläuft, zum Gegenstand hin geneigt ausgebildet ist, und wenn Auslaßöffnungen, die mit einer Auslaßvorrichtung in Verbindung stehen, zwischen den benachbarten Vibrationsübertragungsteilen vorgesehen sind, so ist es möglich, die Vibrationsübertragungsvorrichtung und die Auslaßöffnungen der Auslaßvorrichtung einstückig auszubilden. Daher ist es möglich, schnell das Gas abzulassen, welches das entfernte Wasser enthält, und ist es möglich, die Abmessungen des Systems zu verringern.
Bei dem Trocknungsverfahren gemäß der dreizehnten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung werden die Räume zwischen zwei benachbarten unter mehreren gereinigten Gegenständen, die behandelt werden sollen, auf vorbestimmte Räume aufgeweitet, um eine Vibrationsübertragungsvorrichtung in die Räume zwischen den Gegenständen einzuführen, um ein Gas den Räumen zwischen den Gegenständen und der Vibrationsübertragungsvorrichtung zuzuführen, und wird Ultraschallschwingungsenergie oder niederfrequente Schwingungsenergie an das Gas durch die Schwingung der Vibrationsübertragungsvorrichtung angelegt, um Wasser zu entfernen, welches an der Oberfläche des Gegenstands anhaftet, so daß es möglich ist, Wasser zu entfernen, das an den Oberflächen der mehreren Gegenstände anhaftet, durch Anlegen der Ultraschallschwingungsenergie oder der niederfrequenten Schwingungsenergie an das zugeführte Gas, während die Räume zur Aufnahme der Vibrationsübertragungsvorrichtung zwischen den mehreren Gegenständen sichergestellt werden.
Bei dem Trocknungsverfahren gemäß der vierzehnten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung ist es möglich, ähnlich wie bei dem Trocknungsverfahren gemäß der dreizehnten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung, zu verhindern, daß das entfernte Wasser erneut an den Gegenständen anhaftet, durch Auslaß des Gases, welches das entfernte Wasser enthält, nachdem Wasser entfernt wurde, das an der Oberfläche des Gegenstands anhaftet.
Bei dem Trocknungsverfahren gemäß der fünfzehnten Zielrichtung der vorliegenden Erfindung werden die Räume zwischen zwei benachbarten unter mehreren gereinigten Gegenständen, die behandelt werden sollen, auf vorbestimmte Räume aufgeweitet, um die Gegenstände so zu bewegen, daß die Vibrationsübertragungsvorrichtung zwischen den mehreren Gegenständen angeordnet wird, und wird ein Gas den Räumen zwischen den Gegenständen und der Vibrationsübertragungsvorrichtung zugeführt, und wird Ultraschallschwingungsenergie oder niederfrequente Schwingungsenergie an das Gas durch die Schwingungen der Vibrationsübertragungsvorrichtung angelegt, so daß es möglich ist, Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der Gegenstände anhaftet, und es möglich ist, das Gas abzulassen, welches das entfernte Wasser enthält. Weiterhin ist es möglich, nachdem die mehreren Gegenstände, von welchen Wasser entfernt wurde, und welche getrocknet wurden, eingeklemmt wurden, und die Räume zwischen den Gegenständen auf vorbestimmte Räume verengt wurden, die Gegenstände an einen vorbestimmten Ort auszugeben.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
Die vorliegende Erfindung wird noch besser aus der nachstehenden, detaillierten Beschreibung und aus den beigefügten Zeichnungen der bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung verständlich. Allerdings sollen die Zeichnungen nicht zu einer Einschränkung der Erfindung auf eine bestimmte Ausführungsform dienen, sondern sind nur zur Erläuterung und zum Verständnis gedacht.
Es zeigt:
Fig. 1 eine schematische Aufsicht auf ein Beispiel eines Halbleiterwaferreinigungssystems, bei welchem ein Trocknungssystem gemäß der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird;
Fig. 2 eine schematische Schnittansicht der ersten bevorzugten Ausführungsform eines Trocknungssystems gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 3 eine Perspektivansicht in Explosionsdarstellung eines Hauptteils der ersten bevorzugten Ausführungsform eines Trocknungssystems gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4 eine schematische Schnittansicht der zweiten bevorzugten Ausführungsform eines Trocknungssystems gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 5 eine schematische Perspektivansicht einer Vibrationsübertragungsvorrichtung der zweiten bevorzugten Ausführungsform eines Trocknungssystems gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 6 eine Schnittansicht eines Hauptteils der Vibrationsübertragungsvorrichtung bei der zweiten bevorzugten Ausführungsform;
Fig. 7 eine schematische Perspektivansicht einer Aufnehmerpinzette bei der zweiten bevorzugten Ausführungsform eines Trocknungssystems gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 8 eine schematische Darstellung eines Raumeinstellmechanismus für die Aufnehmerklauen der Aufnehmerpinzette;
Fig. 9 schematische Seitenansichten mit einer Darstellung des Zustands von Wafern, die durch die Aufnehmerpinzette aufgenommen wurden;
Fig. 10 eine schematische Perspektivansicht, welche eine Heberführung, eine Aufnahmepinzette und eine Wafertransportführung bei der zweiten bevorzugten Ausführungsform eines Trocknungssystems gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt; und
Fig. 11 eine schematische, vergrößerte Perspektivansicht, welche den Betriebszustand der Aufnehmerklaue der Aufnahmepinzette zeigt, wobei das Teil A von Fig. 10 vergrößert dargestellt ist.
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
Unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen werden nachstehend die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben. Nachstehend wird ein Fall beschrieben, bei welchem ein Trocknungssystem und ein Trocknungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung bei einem System zum Reinigen und Trocknen von Halbleiterwafern (zu behandelnder Gegenstände) eingesetzt werden.
Wie in Fig. 1 dargestellt weist das Reinigungssystem im wesentlichen einen Einlaß/Auslaßabschnitt zum Einlassen bzw. Auslassen eines Behälters auf, beispielsweise eines Trägers 1, der so ausgebildet ist, daß in ihm horizontal zu behandelnde Gegenstände aufgenommen werden können, beispielsweise Halbleiterwafer (die nachstehend als "Wafer" bezeichnet werden) W; einen Behandlungsabschnitt 3 für einen Flüssigkeitsbehandlung der Wafer W mit einer Chemikalie, einer Reinigungslösung und dergleichen, und zum Trocknen der Wafer W; und einen Beschickungsabschnitt, beispielsweise einen Übergangsabschnitt 4, der zwischen dem Einlaß/Auslaßabschnitt 2 und dem Behandlungsabschnitt 3 angeordnet ist, für die Beschickung, Positionierung, Änderung der Ausrichtung und Einstellung des Raums der Wafer W.
Der Einlaß/Auslaßabschnitt 2 weist ein Trägereinlaßteil 5a auf, ein Trägerauslaßteil 5b und ein Wafereinlaß/Auslaßteil 6, an der Seite eines Endes des Reinigungssystems. Zwischen dem Trägereinlaßteil 5a und dem Wafereinlaß/Auslaßteil 6 ist ein (nicht dargestellter) Transportmechanismus vorgesehen. Dieser Transportmechanismus ist so ausgelegt, daß er den Träger 1 von dem Trägereinlaßteil 5a zum Wafereinlaß/Auslaßteil 6 transportiert.
Der Behandlungsabschnitt 3 weist auf: einen ersten Behandlungsabschnitt 11, der mit einer ersten Behandlungseinheit 11a zum Entfernen von Teilchen und organischer Verunreinigungen versehen ist, die an den Wafern W anhaften; einen zweiten Behandlungsabschnitt 12, der eine zweite Behandlungseinheit 12a zum Entfernen metallischer Verunreinigungen aufweist, die an den Wafern W anhaften; einen dritten Behandlungsabschnitt 13, der mit einer Reinigungs/Trocknungseinheit 12a versehen ist, um Oxidfilme zu entfernen, die an den Wafern W anhaften, und um die Wafer W zu trocknen, wobei die Reinigungs/Trocknungseinheit 13a ein Trocknungssystem gemäß der vorliegenden Erfindung enthält; und einen vierten Behandlungsabschnitt 14, der eine Aufspannvorrichtungsreinigungs/Trocknungseinheit 14a aufweist, die dazu dient, eine Wafertransportaufspannvorrichtung 15, die später noch genauer erläutert wird, zu reinigen und zu trocknen. Darüber hinaus ist es nicht immer erforderlich, den vierten Behandlungsabschnitt 14 zwischen dem dritten Behandlungsabschnitt 13 und dem Übergangsabschnitt 4 anzuordnen. Beispielsweise kann der vierte Behandlungsabschnitt 14 zwischen dem zweiten Behandlungsabschnitt 12 und dem Behandlungsabschnitt 13 angeordnet werden, oder neben dem ersten Behandlungsabschnitt 11.
Sowohl in dem Trägerauslaßteil 5a als auch in dem Wafereinlaß/Auslaßteil 6 ist eine (nicht dargestellte) Trägerhebevorrichtung vorgesehen. Die Trägerhebevorrichtung ist so ausgelegt, daß sie leere Träger 1 einem Trägerwarteteil (nicht gezeigt) zuführt, welches oberhalb des Einlaß/Auslaßabschnitts 2 vorgesehen ist, und die leeren Träger 1 von dem Trägerwarteteil empfängt. Das Trägerwarteteil ist mit einem Trägertransportroboter (nicht dargestellt) versehen, der in den Horizontalrichtungen (Richtungen X, Y) und den Vertikalrichtungen (Richtung Z) bewegbar ist. Der Trägertransportroboter ist so ausgelegt, daß er die leeren Träger 1 ausrichtet, die von dem Wafereinlaß/Auslaßteil 6 transportiert werden, und die leeren Träger 1 an das Trägerauslaßteil 5b ausgibt. In dem Trägerwarteteil warten die leeren Träger nicht nur, sondern können auch Träger 1 warten, in welchen die Wafer W aufgenommen sind.
Der Träger 1 weist auf: eine Behälterkörper (nicht gezeigt), der eine (nicht dargestellte) Öffnung an seiner einen Seite aufweist, und Haltenuten (nicht gezeigt), die in seiner Innenwand vorgesehen sind, um horizontal mehrere Wafer W, beispielsweise 25 Wafer W, in gleichmäßigen Intervallen zu haltern; und einen Deckel (nicht gezeigt) zum Öffnen und Schließen der Öffnung des Behälterkörpers. Der Deckel ist so ausgebildet, daß er durch einen Deckelöffnungs/Schließmechanismus 7 geöffnet und geschlossen werden kann, der später beschrieben wird.
Das Wafereinlaß/Auslaßteil 6 ist zum Übergangsabschnitt 4 hin offen, und die Deckelöffnungs/Schließeinheit 7 ist in der Öffnung zwischen dem Wafereinlaß/Auslaßteil 6 und dem Übergangsabschnitt 4 vorgesehen. Durch die Deckelöffnungs/Schließeinheit 7 wird ein (nicht dargestellter) Deckel des Trägers 1 geöffnet und geschlossen. Daher kann der Deckel eines Trägers 1, der zum Wafereinlaß/Auslaßteil 6 transportiert wurde, und in welchem unbehandelte Wafer W aufgenommen sind, durch die Deckelöffnungs/Schließeinheit 7 entfernt werden, damit die in dem Träger 1 enthaltenen Wafer W ausgestoßen werden können, und kann der Deckel durch die Deckelöffnungs/Schließeinheit 7 erneut geschlossen werden, nachdem sämtliche Wafer W ausgestoßen wurden. Darüber hinaus kann der Deckel eines leeren Trägers 1, der von dem Trägerwarteteil zum Wafereinlaß/Auslaßteil 6 transportiert wurde, durch die Deckelöffnungs/Schließeinheit 7 entfernt werden, damit die Wafer W in den Träger 1 eingegeben werden können, und kann der Deckel erneut durch die Deckelöffnungs/Schließeinheit 7 geschlossen werden, nachdem sämtliche Wafer W eingegeben wurden. Weiterhin ist in der Nähe der Öffnung des Wafereinlaß/Auslaßteils 6 ein Aufnahmesensor 8 vorgesehen, um die Anzahl an Wafern W festzustellen, die in dem Träger 1 aufgenommen sind.
Der Übergangsabschnitt 4 weist auf: einen Wafertransportarm 9 zum Haltern mehrerer Wafer, beispielsweise 25 Wafer W, im Horizontalzustand, und zum Liefern der Wafer W im Horizontalzustand zum und vom Träger 1 des Wafereinlaß/Auslaßteils 6; einen Raumeinstellvorrichtung, beispielsweise eine Teilungsabstandsänderungsvorrichtung (nicht gezeigt), zum Haltern mehrerer Wafer, beispielsweise 50 Wafer W, im Vertikalzustand in regelmäßigen Intervallen; eine Halterungsvorrichtung, beispielsweise eine Ausrichtungsänderungseinheit 10, die zwischen dem Wafertransportarm 9 und der Teilungsabstandsänderungsvorrichtung angeordnet ist, um die Ausrichtung der mehreren Wafer, beispielsweise der 25 Wafer W, von dem Horizontalzustand in den Vertikalzustand oder von dem Vertikalzustand in den Horizontalzustand zu ändern; und eine Positionserfassungsvorrichtung, beispielsweise eine Kerbenausrichtungsvorrichtung (nicht gezeigt), zur Feststellung einer Kerbe (nicht dargestellt), die in jedem der Wafer W vorgesehen ist, deren Ausrichtung in den Vertikalzustand geändert wurde. Der Übergangsabschnitt 4 weist einen Transportkanal 16 auf, der mit dem Behandlungsabschnitt 3 in Verbindung steht. Auf dem Transportkanal 6 ist eine Wafertransportaufspannvorrichtung 15 beweglich vorgesehen, um die Wafer W zu haltern und zu transportieren, damit die Wafer W jeder der ersten bis dritten Behandlungseinheiten 11a bis 13a zugeführt werden können.
Das Trocknungssystem gemäß der vorliegenden Erfindung wird nachstehend beschrieben.
(Erste bevorzugte Ausführungsform)
Fig. 2 ist eine schematische Schnittansicht der ersten bevorzugten Ausführungsform eines Trocknungssystems gemäß der vorliegenden Erfindung, und Fig. 3 ist eine schematische Perspektivansicht eines Hauptabschnitts dieses Systems.
Das Trocknungssystem weist auf: ein Behandlungsbad 21, in welchem ein Reinigungslösung L aufbewahrt wird, in welche zu behandelnde Gegenstände eingetaucht werden, beispielsweise Halbleiterwafer W (die nachstehend als "Wafer" bezeichnet werden), um behandelt zu werden; einen kastenförmigen Deckel 22, der auf der Oberseite des Behandlungsbades 21 vorgesehen ist; und eine Vibrationsübertragungsvorrichtung 21, die in dem Deckel 22 angeordnet ist. Der Deckel 22 ist darüber hinaus so ausgebildet, daß die Öffnung des Behandlungsbades 21 durch eine (nicht dargestellte) Öffnungs/Schließbewegungsvorrichtung geöffnet bzw. geschlossen wird.
Die Vibrationsübertragungsvorrichtung 20 weist auf:
Ultraschallschwingungselemente 23, welche die obere Oberfläche und die rechte und linke gegenüberliegende Seitenoberfläche des Deckels 21 bilden, und aus Quarzplatten bestehen; und mehrere Vibrationsübertragungsteile, beispielsweise im wesentlichen rechteckige Vibrationsübertragungsplatten 24 aus Edelstahl, die in den drei Ultraschallschwingungselementen 23 in geeigneten Intervallen angeordnet sind. An die Ultraschallschwingungselemente 23 ist eine Vibrationserzeugungsvorrichtung angeschlossen, beispielsweise ein Oszillator 25 mit einer Schwingungsquelle und einer Stromversorgungseinheit. Im Betrieb des Oszillators 25 erzeugen die Ultraschallschwingungselemente 23 eine Ultraschallschwingung mit geeigneter Frequenz, damit die Ultraschallschwingung an die Vibrationsübertragungsplatten 24 übertragen werden. Die Schwingungsfrequenz des Oszillators 25 ist variabel, und wird so ausgewählt, daß die Reinigungslösung, die an den Wafern W anhaftet, entsprechend der Art der Reinigungslösung, am wirksamsten entfernt wird.
Versorgungsöffnungen 26 sind in der oberen Oberfläche des Deckels 22 vorgesehen, also in dem Ultraschallschwingungselement 23 zwischen den benachbarten Vibrationsübertragungsplatten 24. Eine Gasversorgungsquelle, beispielsweise eine Versorgungsquelle 27 für Stickstoffgas (N2-Gas), ist an die Versorgungsöffnungen 26 über ein Gaszufuhrrohr 27a angeschlossen, um N2-Gas Räumen zwischen den Vibrationsübertragungsplatten 24 des Deckels 22 zuzuführen. Eine Heizvorrichtung, beispielsweise ein Heizer 90, ist in dem Gaszufuhrrohr 27a vorgesehen, um N2-Gas, welches zum Trocknen verwendet wird, auf eine vorbestimmte Temperatur zu erhitzen, beispielsweise 40°C.
Eine Auslaßöffnung 29 einer Auslaßleitung 28 ist außerhalb des Deckels 20 dazu vorgesehen, Gas über die Auslaßöffnung 29 durch den Betrieb einer Auslaßvorrichtung abzugeben, beispielsweise einer Saugpumpe 20, die an die Auslaßöffnung 28 angeschlossen ist.
Das Behandlungsbad 21 weist auf: ein inneres Bad 21a zur Aufbewahrung der Reinigungslösung L, in welche die Wafer W eingetaucht werden sollen; und eine äußeres Bad 21b, welches die Öffnung des inneren Bads 21a umgibt, um die Reinigungslösung L aufzunehmen, die aus dem inneren Bad 21a überläuft. Die Reinigungslösung L wird dem inneren Bad 21a von einer Reinigungslösungsversorgungsquelle (nicht gezeigt) aus zugeführt. Das äußere Bad 21b weist in seinem Boden eine Auslaßöffnung 21c auf. Ein Ablaßrohr 32, in welchem ein Ablaßventil 31 vorgesehen ist, ist an die Auslaßöffnung 21c angeschlossen. Eine Halterungsvorrichtung, beispielsweise eine Waferführung 33, zum Haltern mehrerer Wafer, beispielsweise 50 Wafer W, ist so in dem inneren Bad 21a vorgesehen, daß sie in Vertikalrichtung durch eine Bewegungsvorrichtung bewegt werden kann, beispielsweise einen Luftzylinder 33A.
Nachstehend wird ein Verfahren zum Trocknen von Wafern W mit Hilfe des Trocknungssystems mit dem voranstehend geschilderten Aufbau beschrieben.
Zuerst wird, nachdem die Wafer W in die Reinigungslösung L in dem Reinigungsbad 21 (genauer gesagt, in dem inneren Bad 21a) eingetaucht und dort gereinigt wurden, die Waferführung 33 nach oben bewegt, um die Wafer W zwischen den Vibrationsübertragungsplatten 24 der Vibrationsübertragungsvorrichtung 20 anzuordnen.
Dann wird der Oszillators 25 in Betrieb gesetzt, um die Ultraschallvibrationselemente 23 dazu zu veranlassen, Ultraschallschwingungen zu erzeugen und an die Vibrationsübertragungsplatten 24 zu übertragen, und wird N2-Gas von der N2-Gasversorgungsquelle 27 an Räume zwischen den Oberflächen der Wafer W und den Vibrationsübertragungsplatten 24 geliefert, um Ultraschallvibrationsenergie an das N2-Gas anzulegen, um Wasser zu entfernen, also Tröpfchen der Reinigungslösung, welches an den Oberflächen der Wafer W anhaftet. Zu diesem Zeitpunkt kann, wenn das von der N2-Gasversorgungsquelle 27 gelieferte N2-Gas durch den Heizer 9 erhitzt wird, das erhitzte N2-Gas den Oberflächen der Wafer W zugeführt werden, so daß es möglich ist, den Trocknungswirkungsgrad zu verbessern. Während dieses Trocknungsvorgangs wird die Saugpumpe 30 betrieben, um N2-Gas, welches Wasser enthält, nämlich die Tröpfchen der Reinigungslösung, die von den Oberflächen der Wafer W entfernt wurden, von beiden gegenüberliegenden Auslaßöffnungen 29 nach außen abzugeben.
Da N2-Gas auf die gesamten Oberflächen der Wafer W aufgesprüht werden kann, durch Zuführung des N2-Gases an die Räume zwischen den Oberflächen der Wafer W und den Vibrationsübertragungsplatten 24, und durch Anlegen von Ultraschallschwingungsenergie an das N2-Gas, können wie voranstehend geschildert die Tröpfchen der Reinigungslösung, die an den Oberflächen der Wafer W anhaften, auf sichere Weise entfernt werden, um die Wafer W zu trocknen. Da das N2-Gas, welches die Tröpfchen enthält, die von den Oberflächen der Wafer W entfernt wurden, nach außerhalb über die Auslaßöffnungen 29 abgegeben wird, haften darüber hinaus die Tröpfchen nicht erneut an den Oberflächen der Wafer W an.
Nachdem die Tröpfchen, die an den Oberflächen der Wafer W anhafteten, entfernt wurden, um die Wafer W zu trocknen, wird daher der Deckel 22 nach oben durch eine (nicht dargestellte) Bewegungsvorrichtung zurückgezogen. Danach empfängt die Wafertransportaufspannvorrichtung 15 die Wafer W, um die Wafer W zum Übergangsabschnitt 4 zu transportieren.
Während das Ultraschallvibrationsübertragungsteil aus einer im wesentlichen rechteckigen Platte aus Edelstahl ausgebildet wurde, muß das Ultraschallvibrationsübertragungsteil nicht immer als im wesentlichen rechteckige Platte ausgebildet sein. Das Ultraschallvibrationsübertragungsteil kann eine Form nach Wunsch aufweisen, wenn es eine Ultraschallschwingung anlegen kann, um so ein Gas, beispielsweise N2-Gas, auf zumindest die gesamten Oberflächen der Wafer W aufzusprühen. Beispielsweise kann das Ultraschallvibrationsübertragungsteil die Form eines Kreisels aufweisen, also dieselbe Form wie der Wafer W, eines Halbkreises, eines Streifens, oder eines Drahtes. Zwar wurde die Ultraschallvibrationsübertragungsvorrichtung 20 auf dem Deckel 22 zum Verschließen der Öffnung des Behandlungsbades 21 angebracht, jedoch muß die Ultraschallvibrationsübertragungsvorrichtung 20 nicht immer auf dem Deckel 22 angebracht sein, sondern kann auf der Oberseite des Behandlungssystems vorgesehen sein, so daß er in der Nähe der Wafer W angeordnet ist, wenn die Waferführung 33 sich nach oben bewegt, um die Wafer W aus der Reinigungslösung L in dem Behandlungsbad 21 heraufzuziehen.
Zwar war das Gas N2-Gas, jedoch kann auch ein Inertgas anders als N2 verwendet werden, oder gereinigte Luft. Alternativ kann Ultraschallschwingungsenergie an ein Gas, beispielsweise Luft, zwischen den Wafern W und den Vibrationsübertragungsplatten 24 angelegt werden, ohne daß es erforderlich ist, die Gasversorgungsquelle vorzusehen, um Wasser zu entfernen, beispielsweise die Tröpfchen der Reinigungslösung, welches an den Oberflächen der Wafer W anhaftet.
(Zweite bevorzugte Ausführungsform)
Fig. 4 ist eine schematische Schnittansicht der zweiten bevorzugten Ausführungsform eines Trocknungssystems gemäß der vorliegenden Erfindung.
Bei der zweiten bevorzugten Ausführungsform werden mehrere Wafer, beispielsweise 50 Wafer W, die zum Reinigen in dem Behandlungsabschnitt 3 eingeführt wurden, danach getrocknet, um dann ausgestoßen zu werden.
Daher weist bei der zweiten bevorzugten Ausführungsform das Trocknungssystem auf: eine Wafertransportführung 34 zum Empfang der Wafer W von einem Wafertransportarm 15, um die Wafer W in einer Reinigungslösung L einzutauchen, die in einem Reinigungsbad 21 aufbewahrt wird (genauer gesagt, in einem inneren Bad 21a); eine Beschickungsvorrichtung, beispielsweise eine Aufnehmerpinzette 40, zum Empfang einer geeigneten Anzahl an Wafern, beispielsweise von 5 Wafern W, von der Wafertransportführung 34, und zum Ausdehnen der Räume zwischen den Wafern W, um die Wafer W einer Haltevorrichtung zuzuführen, die später erläutert wird; eine Haltevorrichtung, beispielsweise eine Heberführung 50, zum Haltern der Wafer W, wobei die Räume zwischen den Wafern W durch die Aufnehmerpinzette 40 erweitert wurden, und zur Bewegung der gehalterten Wafer W oberhalb des Behandlungsbades 21; eine Vibrationsübertragungsvorrichtung 60, die oberhalb des Behandlungsbades 21 angeordnet ist, zum Trocknen der 5 Wafer W, die von der Heberführung 50 aus der Reinigungslösung L heraufgezogen wurden, die in dem Behandlungsbad 21 aufbewahrt wird; eine Greifvorrichtung, beispielsweise eine Aufnahmepinzette 70, zum Empfang der Wafer W, die durch die Vibrationsübertragungsvorrichtung 60 getrocknet wurden, und zum Verengen der Räume zwischen den benachbarten Wafern W auf die ursprünglichen Räume; und eine Wafertransportführung 80 zum Liefern der Wafer W an den Wafertransportarm 15, nach Empfang einer vorbestimmten Anzahl an Wafern, beispielsweise von 50 Wafern W, die von der Aufnahmepinzette 70 empfangen wurden.
Wie in den Fig. 5 und 6 gezeigt weist die Vibrationsübertragungsvorrichtung 60 Vibrationsübertragungsteile 62 aus Quarz auf, die jeweils eine Schrägfläche 61 auf der zu einer Oberfläche, die der Oberfläche des Wafers W gegenüberliegt, der aus dem Behandlungsbad 21 herausgezogen wurde, entgegengesetzten Oberfläche aufweist, so daß die Schrägfläche 61, die zum unteren Ende verläuft, zum Wafer W hin geneigt ist. Eine Auslaßöffnung 29, die mit einer Auslaßvorrichtung in Verbindung steht, beispielsweise einer (nicht dargestellten) Saugpumpe, ist zwischen den benachbarten Vibrationsübertragungsteilen 62 vorgesehen. Jedes der Vibrationsübertragungsteile 62 weist eine Gaszufuhröffnung 63 auf, die an eine Gasversorgungsquelle angeschlossen ist, beispielsweise eine (nicht gezeigte) N2-Gasversorgungsquelle, an der Seite des Wafers W. Die Gaszufuhröffnung 63 weist auf: eine Schlitzdüse 64, die von der Spitze des Vibrationsübertragungsteils 62 aus zum Wafer W hin gebogen ist; und einen Gaskanal 65 zum Verbinden der Schlitzdüse 64 mit einem Gaszufuhrrohr 27a. Ein Ultraschallschwingungselement 23 aus Quarz, welches an einen (nicht dargestellten) Oszillators angeschlossen ist, ist oben auf dem Vibrationsübertragungsteil 62 angebracht. Weiterhin ist ähnlich wie bei der ersten bevorzugten Ausführungsform eine Heizvorrichtung, beispielsweise ein (nicht gezeigter) Heizer, in dem Gaszufuhrrohr 27a angeordnet.
Wenn bei der Vibrationsübertragungsvorrichtung 60 mit dem voranstehend geschilderten Aufbau der Oszillator in Betrieb ist, und ein Gas, beispielsweise N2-Gas, von der N2-Gasversorgungsquelle geliefert wird, wird Ultraschallschwingungsenergie an das N2-Gas angelegt, welches durch den Gaskanal 65 von dem Gaszufuhrrohr 27a zur Schlitzdüse 64 fließt, und wird das N2-Gas auf die Oberfläche des Wafers W aufgesprüht, so daß Wasser, welches an der Oberfläche des Wafers W anhaftet, also die Tröpfchen der Reinigungslösung L, entfernt werden kann. In diesem Fall kann, wenn das N2-Gas auf den Wafer W auf der Seite gegenüberliegend der Reinigungslösung L wie in Fig. 6 gezeigt aufgesprüht wird, die Reinigungslösung L, die an der Oberfläche des Wafers W infolge der Oberflächenspannung anhaftet, abgeschält werden, um entfernt zu werden, so daß der Wafer W wirksam getrocknet werden kann. Da das Gas, welches Wasser enthält, das von der Oberfläche des Wafers W entfernt wurde, nach außerhalb über die Auslaßöffnung 29 ausgestoßen wird, haftet Wasser nicht erneut an der Oberfläche des Wafers W an.
Wie in Fig. 7 gezeigt weist die Aufnehmerpinzette 40 auf: ein Antriebsteil 41, welches in Vertikalrichtung durch eine (nicht gezeigte) Hebevorrichtung bewegt wird; mehrere Aufnehmerklauen, beispielsweise fünf Gruppen von Aufnehmerklauen 43a bis 43e, wobei jede Gruppe ein Paar von Aufnehmerklauenstücken 42 aufweist, die auf dem Antriebsteil 41 angebracht sind, um jeden der Wafer W zu haltern; und mehrere Raumeinstellzylinder, beispielsweise einen ersten bis vierten Raumeinstellzylinder 44a bis 44d, die in dem Antriebsteil 41 dazu vorgesehen sind, eine Relativbewegung jedes der Aufnehmerklauenstücke 42 durchzuführen.
Wie in Fig. 8 gezeigt ist die erste Aufnehmerklaue 43a an der Seite der Spitze mit dem ersten Zylinder 44a über eine erste kurbelartige Verbindungsstange 46a verbunden, die mit einer Kolbenstange 45a des ersten Zylinders 44a verbunden ist, die mit dem längsten Hub ausfährt und einfährt, und ist gleitbeweglich auf Führungen 47 angebracht, die Gleitstücke 48 aufweisen, und an beiden Seiten des Antriebsteils 41 vorgesehen sind. Die zweite Aufnehmerklaue 43b neben der ersten Aufnehmerklaue 43a ist mit einer Kolbenstange 45b des zweiten Zylinders 44b über eine zweite Verbindungsstange 46b verbunden, die in Form einer Kurbel gebogen ist, so daß sie sich mit der ersten Kolbenstange 45a nicht stört, und ist gleitbeweglich auf den Führungen 47 durch die Gleitstücke 48 angebracht. Die dritte Aufnehmerklaue 43c neben der zweiten Aufnehmerklaue 43b ist mit einer Kolbenstange 45c des dritten Zylinders 44c über eine dritte Verbindungsstange 46c verbunden, die in Form einer Kurbel gebogen ist, so daß sie sich nicht mit der ersten und zweiten Kolbenstange 45a bzw. 45b stört, und ist gleitbeweglich auf den Führungen 47 durch die Gleitstücke 48 angebracht. Die vierte Aufnehmerklaue 43d neben der dritten Aufnehmerklaue 43c ist mit einer Kolbenstange 45d des vierten Zylinders 44d verbunden, welche mit dem kürzesten Hub ausfährt und einfährt, über eine vierte Verbindungsstange 46d, die in Form einer Kurbel gebogen ist, so daß sie sich nicht mit der ersten bis dritten Kolbenstange 45a bis 45c stört, und ist gleitbeweglich auf den Führungen 47 durch die Gleitstücke 48 angebracht. Die fünfte Aufnehmerklaue 43e ist an beiden Seiten des Antriebsteils 41 befestigt.
Der Raumeinstellmechanismus weist den voranstehend geschilderten Aufbau auf. Daher können die minimalen Unterteilungsabstände der jeweiligen Aufnehmerklauen 43a bis 43e, also die Räume zwischen den benachbarten Wafern W, die durch die Waferführungen 47 gehaltert werden, gleichmäßig ausgebildet werden, durch Einfahren des ersten bis vierten Raumeinstellzylinders 44a bis 44d, und kann jeder der Räume zwischen den jeweiligen Aufnehmerklauen 43a bis 43e zu vorbestimmten Abmessungen aufgeweitet werden, also zu einer Abmessung, die es ermöglicht, das benachbarte Paar von Vibrationsübertragungsteilen 62 der Vibrationsübertragungsvorrichtung 60 aufzunehmen, durch Ausfahren des ersten bis vierten Zylinders 44a bis 44d auf die Maximallänge. Wie in Fig. 9(a) gezeigt werden daher mehrere Wafer, beispielsweise 5 Wafer W, die auf der Seite der Spitze durch die Halteabschnitte der Aufnehmerklauen 43a bis 43e gehaltert werden, die durch die Wafereinführungsführung 34 gehaltert werden, nach unten bewegt, während die jeweiligen Aufnehmerklauen 43a bis 43e auf dem minimalen Unterteilungsabstand gehalten werden, und wie in Fig. 9(b) gezeigt bewegt sich das Antriebsteil 41 nach oben, so daß die jeweiligen Gruppen der Aufnehmerklauen 43a bis 43e die Wafer W von der Wafereinführungsführung 34 nach oben anheben, während sie die Wafer W haltern. Dann dehnen sich wie voranstehend geschildert der erste bis vierte Zylinder 44a bis 44d aus, um die Räume zwischen den Wafern W aufzuweiten.
Wie in Fig. 10 gezeigt ist die Heberführung 50 so ausgebildet, daß sie durch eine Hebevorrichtung angehoben werden kann, beispielsweise einen Hebezylinder 51. Die Hebeführung 50 empfängt mehrere Wafer, beispielsweise 5 Wafer W, wobei die Räume zwischen den Wafern W durch die Aufnehmerpinzette 40 aufgeweitet wurden, von der Aufnehmerpinzette 40, und hebt die empfangenen Wafer W aus der Reinigungslösung L zur Vibrationsübertragungsvorrichtung 60 hin an. Die Wafer W, die durch die Hebeführung 50 angehoben wurden, werden mit einem Gas, beispielsweise N2-Gas, getrocknet, an welches Ultraschallschwingungsenergie wie voranstehend geschildert durch die Vibrationsübertragungsvorrichtung 60 angelegt wurde, wenn sie durch die Vibrationsübertragungsvorrichtung 60 hindurchgehen, während das Paar der Vibrationsübertragungsteile 62 der Vibrationsübertragungsvorrichtung 60 zwischen die benachbarten Wafer W eingeführt ist.
Wie in den Fig. 10 und 11 gezeigt weist die Aufnehmerpinzette 70 auf: ein Bewegungsteil 71, welches in Horizontalrichtung oberhalb der Vibrationsübertragungsvorrichtung 60 durch eine (nicht gezeigte) Bewegungsvorrichtung bewegbar ist; mehrere Aufnehmerklauen, beispielsweise fünf Gruppen von Aufnehmerklauen 73a bis 73e, wobei jede Gruppe ein Paar von Aufnehmerklauenstücken 72 aufweist, die auf dem Bewegungsteil 71 zum Haltern jedes der Wafer W angebracht sind; und Schaltzylinder 74, von denen jeder auf dem Bewegungsteil 71 angebracht ist, um selektiv eine entsprechende Aufnehmerklaue 73a bis 73e zwischen einer Halteposition, an welcher der Wafer W gehalten wird, und einer Nicht-Halteposition zu bewegen, in welcher der Wafer W nicht gehaltert wird. Wie in Fig. 11 gezeigt ist jedes der Aufnehmerklauenstücke 72 jeder der Aufnehmerklauen 73a bis 73e auf einer Stütze 75 angebracht, die von dem Bewegungsteil 71 vorspringt, über einen Schwenkzapfen 76, so daß es sich in Vertikalrichtung um den Schwenkzapfen 76 drehen kann. Wenn die Kolbenstangen 74a der Schaltzylinder 74, die auf den Stützen 75 angebracht sind, mit Montageabschnitten 77 verbunden sind, die von den Schwenkabschnitten der Aufnehmerklauenstücke 72 aus vorspringen, werden die Aufnehmerklauen 73a bis 73e zu den Wafern W von der Seite der Wafer W hin bewegt, entsprechend dem Ausfahren der Schaltzylinder 74, so daß die Wafer W durch die Paare der Aufnehmerklauen 73a bis 73e gehaltert werden. Unter den Gruppen der Aufnehmerklauen 73a bis 73e weisen die Gruppen der Aufnehmerklauen mit Ausnahme einer Gruppe einer Basis-endseitigen Aufnehmerklaue, also vier Gruppen von Aufnehmerklauen 73a bis 73d mit Ausnahme der Aufnehmerklaue 73e, einen Raumeinstellmechanismus ähnlich wie bei der Aufnehmerpinzette 40 auf. Daher können vier Raumeinstellzylinder (nicht gezeigt), welche unterschiedliche Hübe aufweisen, die Räume zwischen den benachbarten zwei unter den fünf Wafern W einstellen, die von der Hebeführung 50 empfangen werden, so daß die ursprünglichen Räume wiederhergestellt werden, also die Räume, die durch den Wafertransportarm 15 und die Wafereinführungsführung 34 gehaltert werden.
Bei der Aufnehmerpinzette 70 mit dem voranstehend geschilderten Aufbau wird, während die Schaltzylinder 74 einfahren, um die Aufnehmerklauen 73a bis 73e zu öffnen, das Bewegungsteil 71 oberhalb der Vibrationsübertragungsvorrichtung 60 bewegt, und werden die Aufnehmerklauen 73a bis 73e an der Seite mehrerer getrockneter Wafer angeordnet, beispielsweise von fünf getrockneten Wafern W, die durch die Vibrationsübertragungsvorrichtung 60 hindurchgehen. Daraufhin werden die Schaltzylinder 74 ausgefahren, so daß die Wafer W durch die Aufnehmerklauen 73a bis 73e eingeklemmt werden können. Nachdem dann der Raumeinstellzylinder (nicht gezeigt) eingefahren wurde, so daß die Räume zwischen den Aufnehmerklauen 73a bis 73e auf die ursprünglichen Räume verengt werden, kann dann das Bewegungsteil 71 der Waferausstoßführung 47 zugeführt werden.
Nachstehend wird ein Vorgang zum Reinigen und Trocknen von Wafern W unter Verwendung der zweiten bevorzugten Ausführungsform eines Trocknungssystems gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben.
Zuerst werden mehrere Wafer, beispielsweise 50 Wafer W, die zum Behandlungsabschnitt 3 mit Hilfe des Wafertransportarms 15 transportiert wurden, von der Wafereinführungsführung 34 empfangen. Nachdem sich die Wafereinführungsführung 34, welche die Wafer W empfangen hat, nach hinten bewegt hat, bewegt sich die Wafereinführungsführung 34 nach unten, um die Wafer W in die Reinigungslösung L einzutauchen, die in dem Behandlungsbad 21 aufbewahrt wird, so daß die Wafer W gereinigt werden.
Nach dem Reinigen nimmt die Aufnehmerpinzette 40 mehrere Wafer, beispielsweise fünf Wafer W, auf der Vorderseite der Wafereinführungsführung 34 auf, und weitet die Räume zwischen den Wafern W um beispielsweise 30 mm auf, um die Wafer W der Hebeführung 50 zuzuführen. Die Aufnehmerpinzette 40, welche die Wafer W an die Hebeführung 50 geliefert hat, bewegt sich erneut zur Wafereinführungsführung 34. Dann nimmt entsprechend die Aufnehmerpinzette 40 fünf Wafer W auf, und weitet die Räume auf. Andererseits bewegt sich die Hebeführung 50, welche die Wafer W von der Aufnehmerpinzette 40 empfangen hat, nach oben, während sie die Wafer W haltert, wobei die Räume zwischen den Wafern W aufgeweitet wurden, und gehen die Wafer W durch die Vibrationsübertragungsvorrichtung 60 hindurch, während sich die Vibrationsübertragungsvorrichtung 60 in die Spalte zwischen den benachbarten Wafern W einschieben kann.
Wenn die Wafer W durch die Vibrationsübertragungsvorrichtung 60 hindurchgehen, werden die Vibrationsübertragungsteile 62 der Vibrationsübertragungsvorrichtung 60 mit Hilfe des Oszillators in Schwingungen versetzt. Weiterhin wird ein Gas, beispielsweise N2-Gas, von der N2-Gasversorgungsquelle geliefert, und wird Ultraschallschwingungsenergie an das N2-Gas angelegt, welches durch die Schlitzdüse 64 über den Gaskanal 65 von dem Gaszufuhrrohr 27a fließt. Daher wird das N2-Gas auf die Oberfläche des Wafers W von der Schlitzdüse 64 aus aufgesprüht, um Wasser zu entfernen, also die Tröpfchen der Reinigungslösung L, die an der Oberfläche des Wafers W anhaften, so daß die Wafer W getrocknet werden. Zu diesem Zeitpunkt ist eine Saugpumpe (nicht gezeigt) im Betrieb, und wird das Gas, welches Wasser enthält, das von der Oberfläche des Wafers W entfernt wurde, nach außerhalb über die beiden gegenüberliegenden Auslaßöffnungen 29 abgegeben. Darüber hinaus ist es möglich, den Trocknungswirkungsgrad dadurch zu verbessern, daß das N2-Gas erwärmt wird.
Wie voranstehend geschildert werden, nachdem die Wafer W, die zum Trocknen durch die Vibrationsübertragungsvorrichtung 60 hindurchgeleitet wurden, von der Aufnahmepinzette 70 aufgenommen wurden, um die Räume auf die ursprünglichen Räume zu verengen, die Wafer W der Waferauslaßführung 80 zugeführt. Nachdem die Wafer W der Waferauslaßführung 80 zugeführt wurden, nimmt die Aufnahmepinzette 70 entsprechend den nächsten fünf Wafern W auf, und verengt die Räume, um die Wafer W der Waferauslaßführung 80 zuzuführen.
Nachdem die 50 Wafer, die hintereinander durch Wiederholung der voranstehend geschilderten Prozedur gereinigt wurden, der Waferauslaßführung 80 zugeführt wurden, werden die Wafer W von der Waferauslaßführung 80 dem Wafertransportarm 15 zugeführt, und zum Übergangsabschnitt 4 mit Hilfe des Wafertransportarms 15 transportiert.
Zwar haben bei den voranstehend beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen die Vibrationsübertragungsvorrichtungen 20, 60 Ultraschallschwingungen übertragen, jedoch ist die vorliegende Erfindung hierauf nicht beschränkt, sondern kann auch eine Niederfrequenzvibrationsübertragungsvorrichtung zum Übertragen von Schwingungen mit niedriger Frequenz (beispielsweise einer Frequenz von einigen Hz bis zu einigen KHz) als jener von Ultraschallschwingungen (die eine Frequenz von beispielsweise etwa 20 KHz oder mehr aufweisen) eingesetzt werden. Darüber hinaus kann entweder die Ultraschallschwingung oder die Schwingung mit niedrigerer Frequenz als jener der Ultraschallschwingung übertragen werden, oder können beide dieser Schwingungen übertragen werden.
Zwar wurden bei den voranstehend geschilderten bevorzugten Ausführungsformen das Trocknungssystem und das Trocknungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung bei einem Verfahren zum Reinigen und Trocknen von Halbleiterwafern eingesetzt, jedoch kann die vorliegende Erfindung auch bei anderen Substraten als Halbleiterwafern eingesetzt werden, beispielsweise Glassubstraten für LCDs.
Weiterhin wurden das Trocknungssystem und das Trocknungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung bei einem System zum Reinigen und Trocknen von Halbleiterwafern eingesetzt, um als Teil des Systems verwendet zu werden, wie dies voranstehend bei den bevorzugten Ausführungsformen beschrieben wurde, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht hierauf beschränkt, sondern kann als Einheit eingesetzt werden.
Gemäß der vorliegenden Erfindung lassen sich die folgenden hervorragenden Vorteile erzielen.
  • (1) Es ist möglich, Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen gereinigter Gegenstände anhaftet, die behandelt werden sollen, um die Gegenstände zu trocknen, durch Anlegen von Ultraschallschwingungsenergie oder niederfrequenter Schwingungsenergie an ein Gas in der Nähe der Oberflächen der gereinigten Gegenstände.
  • (2) Es ist möglich, Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen von Gegenständen anhaftet, die behandelt werden sollen, um die Gegenstände zu trocknen, durch Anlegen einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung an eine Vibrationsübertragungsvorrichtung unter Verwendung einer Vibrationserzeugungsvorrichtung, und durch Anlegen von Ultraschallsschwingungsenergie oder niederfrequenter Schwingungsenergie an ein Gas zwischen der Vibrationsübertragungsvorrichtung und den Oberflächen der Gegenstände, während eine Bewegungsvorrichtung die Oberflächen der Gegenstände dazu veranlaßt, sich an die Vibrationsübertragungsvorrichtung anzunähern. Daher ist es möglich, zusätzlich zu dem voranstehend geschilderten Vorteil (1) den Trocknungswirkungsgrad noch weiter zu verbessern.
  • (3) Es ist möglich, Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen von Gegenständen anhaftet, die behandelt werden sollen, um die Gegenstände zu trocknen, durch Anlegung einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung an eine Vibrationsübertragungsvorrichtung unter Verwendung einer Vibrationserzeugungsvorrichtung, und durch Anlegen von Ultraschallschwingungsenergie oder niederfrequenter Schwingungsenergie an ein Gas zwischen der Vibrationsübertragungsvorrichtung und den Oberflächen der Gegenstände, wenn die Gegenstände, die zum Reinigen in eine Reinigungslösung eingetaucht wurden, aus der Reinigungslösung heraufgezogen werden. Daher ist es möglich, zusätzlich zu dem voranstehend geschilderten Vorteil (1) die gereinigten Gegenstände schnell zu trocknen.
  • (4) Da es möglich ist, Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen von Gegenständen anhaftet, die behandelt werden sollen, durch Anlegen von Ultraschallschwingungsenergie oder niederfrequenter Schwingungsenergie an ein Gas, welches wirksam in Richtung auf die Oberflächen der Gegenstände zugeführt wird, ist es möglich, zusätzlich zu dem voranstehend geschilderten Vorteil (1) den Trocknungswirkungsgrad weiter zu verbessern. Da es möglich ist, Wasser so zu entfernen, daß die Oberflächen der Gegenstände dadurch abgeschält werden, daß das Gas in Richtung auf die Flüssigkeitsoberflächen der Gegenstände aufgesprüht wird, die aus einer Reinigungslösung herausgezogen werden, ist es in diesem Fall möglich, noch wirksamer Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der Gegenstände anhaftet.
  • (5) Da ein Gas, welches das entfernte Wasser enthält, durch eine Auslaßvorrichtung ausgestoßen wird, ist es möglich zu verhindern, daß das entfernte Wasser erneut an den Gegenständen anhaftet, zusätzlich zu dem voranstehend geschilderten Vorteil (1).
  • (6) Da es möglich ist, Räume zwischen mehreren zu behandelnden Gegenständen einzustellen, um eine Vibrationsübertragungsvorrichtung dazu zu veranlassen, in die Räume zwischen den Gegenständen einzutreten und sich an diese anzunähern, durch Bereitstellung eines Raumeinstellmechanismus zum Einstellen der Räume zwischen den Gegenständen auf einer Aufnehmervorrichtung, die auf einer Haltevorrichtung oder auf einer Greifvorrichtung vorgesehen ist, ist es möglich, gleichzeitig die mehreren Gegenstände zu trocknen. Daher ist es zusätzlich zu den voranstehend geschilderten Vorteilen (1) bis (3) möglich, hintereinander die mehreren Gegenstände zu trocknen.
  • (7) Da es möglich ist, Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen von Gegenständen anhaftet, die behandelt werden sollen, durch Zufuhr eines Gases, welches durch eine Heizvorrichtung erhitzt wurde, zu Räumen zwischen den Gegenständen und einer Vibrationsübertragungsvorrichtung, und durch Anlegen von Ultraschallschwingungsenergie oder niederfrequenter Schwingungsenergie an das erhitzte Gas, ist es möglich, zusätzlich zu dem voranstehend geschilderten Vorteil (1) den Trocknungswirkungsgrad weiter zu verbessern.
  • (8) Da die Vibrationsübertragungsvorrichtung vereinigt oder einstückig mit der Zufuhröffnung der Luftversorgungsvorrichtung ausgebildet werden kann, ist es möglich, das Gas wirksam in Richtung auf die Oberflächen der Gegenstände zuzuführen, und ist es möglich, die Anmessungen des Systems zu verringern.
  • (9) Wenn die Vibrationsübertragungsvorrichtung ein Paar von Vibrationsübertragungsteilen aufweist, die zwischen zu behandelnden Gegenständen angeordnet sind, wobei jedes der Vibrationsübertragungsteile eine Schrägfläche auf der entgegengesetzten Oberfläche zu einer Oberfläche aufweist, welcher der Oberfläche des Gegenstands gegenüberliegt, so daß die Schrägfläche, die zum Ende hin verläuft, zum Gegenstand hin geneigt ist, und wenn Auslaßöffnungen, die mit einer Auslaßvorrichtung in Verbindung stehen, zwischen den benachbarten Vibrationsübertragungsteilen vorgesehen sind, ist es möglich, einstückig die Vibrationsübertragungsvorrichtung und die Auslaßöffnungen der Auslaßvorrichtung auszubilden. Daher ist es möglich, schnell das Gas auszustoßen, welches das entfernte Wasser enthält, und ist es möglich, die Abmessungen des Systems zu verringern.
  • (10) Wenn die Räume zwischen den benachbarten zweien unter mehreren gereinigten Gegenständen, die behandelt werden sollen, auf vorbestimmte Räume aufgeweitet werden, um eine Vibrationsübertragungsvorrichtung in die Räume zwischen den Gegenständen einzuführen, damit ein Gas den Räumen zwischen den Gegenständen und der Vibrationsübertragungsvorrichtung zugeführt werden kann, und wenn Ultraschallschwingungsenergie oder niederfrequente Schwingungsenergie an das Gas durch die Schwingungen der Vibrationsübertragungsvorrichtung angelegt wird, um an der Oberfläche des Gegenstandes anhaftendes Wasser zu entfernen, ist es möglich, Wasser zu entfernen, welches von den Oberflächen der mehreren Gegenstände anhaftet, durch Anlegen der Ultraschallschwingungsenergie oder der niederfrequenten Schwingungsenergie an das gelieferte Gas, während die Räume zur Aufnahme der Vibrationsübertragungsvorrichtung zwischen den mehreren Gegenständen sichergestellt werden.
  • (11) Es ist möglich zu verhindern, daß das entfernte Wasser erneut an den Gegenständen anhaftet, nämlich durch Ausstoßen des Gases, welches das entfernte Wasser enthält, nachdem das an der Oberfläche des Gegenstands anhaftende Wasser entfernt wurde.
  • (12) Wenn die Räume zwischen den benachbarten zweien unter mehreren gereinigten Gegenständen, die behandelt werden sollen, auf vorbestimmte Räume aufgeweitet werden, um die Gegenstände zu bewegen, so daß Vibrationsübertragungsvorrichtungen zwischen den mehreren Gegenständen angeordnet sind, und wenn ein Gas den Räumen zwischen den Gegenständen und den Vibrationsübertragungsvorrichtungen zugeführt wird, und Ultraschallschwingungsenergie oder niederfrequente Schwingungsenergie an das Gas durch die Schwingungen der Vibrationsübertragungsvorrichtungen angelegt wird, ist es möglich, Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der Gegenstände anhaftet, und ist es möglich, das Gas auszustoßen, welches das entfernte Wasser enthält. Nachdem die mehreren Gegenstände, von welchen Wasser entfernt wurde, und die getrocknet wurden, eingeklemmt wurden, und die Räume zwischen den Gegenständen auf vorbestimmte Räume verengt wurden, ist es darüber hinaus möglich, die Gegenstände an einen vorbestimmten Ort abzugeben.
Zwar wurde die vorliegende Erfindung auf der Grundlage der bevorzugten Ausführungsform beschrieben, um ihr Verständnis zu erleichtern, jedoch wird darauf hingewiesen, daß die Erfindung auf verschiedene Arten und Weisen verwirklicht werden kann, ohne vom Grundsatz der Erfindung abzuweichen. Daher wird darauf hingewiesen, daß die Erfindung alle möglichen Ausführungsformen und Abänderungen der dargestellten Ausführungsformen umfassen soll, die sich verwirklichen lassen, ohne vom Grundsatz der Erfindung abzuweichen, der in den gesamten Anmeldeunterlagen (Patentansprüche, Beschreibung, und Zeichnungen) verdeutlicht ist; die beigefügten Patentansprüche sollen einen derartigen Umfang der Erfindung abdecken.

Claims (22)

1. Trocknungssystem zum Entfernen von Wasser, welches an einer Oberfläche eines gereinigten Gegenstands anhaftet, der behandelt werden soll, wobei das Trocknungssystem aufweist:
eine Vibrationsübertragungsvorrichtung, welche sich an die Oberfläche des Gegenstands annähern kann; und
eine Vibrationserzeugungsvorrichtung zum Anlegen einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung mit niedrigerer Frequenz als jener der Ultraschallschwingung an die Vibrationsübertragungsvorrichtung,
wobei die Vibrationserzeugungsvorrichtung die Ultraschallschwingung oder die niederfrequente Schwingung an die Vibrationsübertragungsvorrichtung anlegt, und Energie der Ultraschallschwingung oder der niederfrequenten Schwingung an ein Gas zwischen der Vibrationsübertragungsvorrichtung und der Oberfläche des Gegenstands anlegt, um Wasser zu entfernen, welches an der Oberfläche des Gegenstands anhaftet.
2. Trocknungssystem zum Entfernen von Wasser, welches an Oberflächen mehrerer gereinigter Gegenstände anhaftet, die behandelt werden sollen, wobei das Trocknungssystem aufweist:
eine Vibrationsübertragungsvorrichtung, welche sich an die Oberflächen der mehreren Gegenstände annähern kann;
eine Vibrationserzeugungsvorrichtung zum Anlegen einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung mit niedrigerer Frequenz als jener der Ultraschallschwingung an die Vibrationsübertragungsvorrichtung;
eine Haltevorrichtung zum Haltern der mehreren Gegenstände in regelmäßigen Intervallen; und
eine Bewegungsvorrichtung zur Durchführung einer Relativbewegung der Vibrationsübertragungsvorrichtung und der Haltevorrichtung,
wobei, während die Bewegungsvorrichtung die Oberflächen der mehreren Gegenstände dazu veranlaßt, sich an die Vibrationsübertragungsvorrichtung anzunähern, die Vibrationserzeugungsvorrichtung die Ultraschallschwingung oder die niederfrequente Schwingung an die Vibrationsübertragungsvorrichtung anlegt, und Energie der Ultraschallschwingung oder der niederfrequenten Schwingung an ein Gas zwischen der Vibrationsübertragungsvorrichtung und den Oberflächen der mehreren Gegenstände anlegt, um Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der mehreren Gegenstände anhaftet.
3. Trocknungssystem zum Entfernen von Wasser, welches an Oberflächen mehrerer Gegenstände anhaftet, die behandelt werden sollen, wobei das Trocknungssystem aufweist:
eine Vibrationsübertragungsvorrichtung, die oberhalb eines Reinigungsabschnitts zum Reinigen der mehreren Gegenstände angeordnet ist, wobei die Vibrationsübertragungsvorrichtung sich an die Oberflächen der mehreren Gegenstände annähern kann, die aus dem Reinigungsabschnitt herausgezogen wurden;
eine Vibrationserzeugungsvorrichtung zum Anlegen einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung mit niedrigerer Frequenz als jener der Ultraschallschwingung an die Vibrationsübertragungsvorrichtung;
eine Haltevorrichtung zum Halten der mehreren Gegenstände in regelmäßigen Intervallen; und
eine Bewegungsvorrichtung zur Durchführung einer Relativbewegung der Vibrationsübertragungsvorrichtung und der Haltevorrichtung, so daß die mehreren Gegenstände durch die Vibrationsübertragungsvorrichtung hindurchgehen,
wobei, wenn die Bewegungsvorrichtung die mehreren Gegenstände aus dem Reinigungsabschnitt herauszieht, um die mehreren Gegenstände dazu zu veranlassen, durch die Vibrationsübertragungsvorrichtung hindurchzugehen, die Vibrationserzeugungsvorrichtung die Ultraschallschwingung oder die niederfrequente Schwingung an die Vibrationsübertragungsvorrichtung anlegt, und Energie der Ultraschallschwingung oder der niederfrequenten Schwingung an ein Gas zwischen der Vibrationsübertragungsvorrichtung und den Oberflächen der mehreren Gegenstände anlegt, um Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der mehreren Gegenstände anhaftet.
4. Trocknungssystem zum Entfernen von Wasser, welches an Oberflächen mehrerer gereinigter Gegenstände anhaftet, die behandelt werden sollen, wobei das Trocknungssystem aufweist:
eine Vibrationsübertragungsvorrichtung, welche sich an die Oberflächen der mehreren Gegenstände annähern kann;
eine Vibrationserzeugungsvorrichtung zum Anlegen einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung mit niedrigerer Frequenz als jener der Ultraschallschwingung an die Vibrationsübertragungsvorrichtung;
eine Haltevorrichtung zum Haltern der mehreren Gegenstände in regelmäßigen Intervallen;
eine Bewegungsvorrichtung zum Durchführung einer Relativbewegung zwischen der Vibrationsübertragungsvorrichtung und der Haltevorrichtung, so daß die mehreren Gegenstände durch die Vibrationsübertragungsvorrichtung hindurchgehen;
eine Greifvorrichtung zum Greifen der mehreren Gegenstände, die durch die Vibrationsübertragungsvorrichtung hindurchgeschickt wurden; und
eine Auslaßvorrichtung zum Empfang der mehreren Gegenstände von der Greifvorrichtung, um die mehreren Gegenstände an einen vorbestimmten Ort aus zulassen,
wobei, wenn die Bewegungsvorrichtung die mehreren Gegenstände dazu veranlaßt, durch die Vibrationsübertragungsvorrichtung hindurch zugehen, die Vibrationserzeugungsvorrichtung die Ultraschallschwingung oder die niederfrequente Schwingung an die Vibrationsübertragungsvorrichtung anlegt, und Energie der Ultraschallschwingung oder der niederfrequenten Schwingung an ein Gas zwischen der Vibrationsübertragungsvorrichtung und den Oberflächen der mehreren Gegenstände anlegt, um Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der mehreren Gegenstände anhaftet.
5. Trocknungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 4, welches weiterhin eine Gasversorgungsvorrichtung aufweist, um ein Gas Räumen zwischen den Gegenständen und der Vibrationsübertragungsvorrichtung zuzuführen,
wobei die Vibrationserzeugungsvorrichtung die Ultraschallschwingung oder die niederfrequente Schwingung an die Vibrationsübertragungsvorrichtung anlegt, und Energie der Ultraschallschwingung oder der niederfrequenten Schwingung an ein Gas anlegt, welches von der Gasversorgungsvorrichtung an die Räume zwischen der Vibrationsübertragungsvorrichtung und den Oberflächen der Gegenstände geliefert wurde, um Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der Gegenstände anhaftet.
6. Trocknungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 4, welches weiterhin aufweist:
eine Gasversorgungsvorrichtung zum Zuführen eines Gases zu Räumen zwischen den Gegenständen und der Vibrationsübertragungsvorrichtung, und
eine Auslaßvorrichtung, die eine Auslaßöffnung an einem Ort aufweist, an welchem sich der Gegenstände der Vibrationsübertragungsvorrichtung nähert,
wobei die Vibrationserzeugungsvorrichtung die Ultraschallschwingung oder die niederfrequente Schwingung an die Vibrationsübertragungsvorrichtung anlegt, und Energie der Ultraschallschwingung oder der niederfrequenten Schwingung an ein Gas anlegt, welches von der Gasversorgungsvorrichtung den Räumen zwischen der Vibrationsübertragungsvorrichtung und den Oberflächen der Gegenstände zugeführt wurde, um Wasser zu entfernen, welches an die Oberflächen der Gegenstände anhaftet, und das Gas abzulassen, welches Wasser enthält, das durch die Auslaßvorrichtung entfernt wurde.
7. Trocknungssystem nach Anspruch 3 oder 4, welches weiterhin eine Beschickungsvorrichtung zum Liefern der Gegenstände an die Haltevorrichtung aufweist, wobei die Beschickungsvorrichtung einen Raumeinstellmechanismus zum Einstellen der Räume zwischen den Gegenständen aufweist.
8. Trocknungssystem nach Anspruch 4, bei welchem die Greifvorrichtung einen Raumeinstellmechanismus zur Einstellung der Räume zwischen den Gegenständen aufweist.
9. Trocknungssystem nach Anspruch 5, welches weiterhin eine Heizvorrichtung zum Erhitzen des Gases aufweist, welches von der Gasversorgungsvorrichtung geliefert wird, wobei das von der Heizvorrichtung erhitzte Gas den Räumen zwischen dem Gegenstand und der Vibrationsübertragungsvorrichtung zugeführt wird.
10. Trocknungssystem nach Anspruch 5, bei welchem die Vibrationsübertragungsvorrichtung eine Gasversorgungsöffnung für die Gasversorgungsvorrichtung aufweist.
11. Trocknungssystem nach Anspruch 6, bei welchem die Vibrationsübertragungsvorrichtung ein Paar von Vibrationsübertragungsteilen aufweist, die zwischen den Gegenständen angeordnet sind, wobei jedes der Vibrationsübertragungsteile eine Schrägfläche auf der entgegengesetzten Oberfläche zu einer Oberfläche aufweist, welche den Oberflächen der Gegenstände gegenüberliegt, so daß die Schrägfläche, die bis zur Spitze reicht, zum entsprechenden Gegenstand hin geneigt ist, und eine Auslaßöffnung aufweist, die mit der Auslaßvorrichtung in Verbindung steht, die zwischen den benachbarten Vibrationsübertragungsteilen vorgesehen ist.
12. Trocknungsverfahren zum Entfernen von Wasser, welches an einer Oberfläche eines gereinigten Gegenstands anhaftet, der behandelt werden soll, wobei Energie einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung mit niedrigerer Frequenz als jener der Ultraschallschwingung an ein Gas in der Nähe der Oberfläche des Gegenstands angelegt wird, um Wasser zu entfernen, welches an der Oberfläche des Gegenstands anhaftet.
13. Trocknungsverfahren mit folgenden Schritten:
Eintauchen eines zu behandelnden Gegenstands in eine Reinigungslösung;
relatives Heraufziehen des Gegenstands aus der Reinigungslösung;
Anlegen von Energie einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung mit niedrigerer Frequenz als jener der Ultraschallschwingung an ein Gas in der Nähe der Oberfläche des Gegenstands, um Wasser zu entfernen, welches an der Oberfläche des Gegenstands anhaftet.
14. Trocknungsverfahren nach Anspruch 12 oder 13, bei welchem das Gas zur Oberfläche des Gegenstands hin geliefert wird, und die Energie der Ultraschallschwingung oder der niederfrequenten Schwingung an das Gas angelegt wird, um Wasser zu entfernen, welches an der Oberfläche des Gegenstands anhaftet.
15. Trocknungsverfahren nach Anspruch 14, bei welchem das Gas in Richtung auf eine Flüssigkeitsoberfläche auf den Gegenstand hin aufgesprüht wird, der aus einer Reinigungslösung herausgezogen wurde.
16. Trocknungsverfahren nach Anspruch 12 oder 13, mit weiteren folgenden Schritten:
Einführen einer Vibrationsübertragungsvorrichtung in Räume zwischen den gereinigten Gegenständen; und
Anlegen von Energie der Ultraschallschwingung oder der niederfrequenten Schwingung an ein Gas durch die Schwingungen der Vibrationsübertragungsvorrichtung, um Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der Gegenstände anhaftet.
17. Trocknungsverfahren nach Anspruch 12 oder 13, mit weiteren folgenden Schritten:
Einführen einer Vibrationsübertragungsvorrichtung in Räume zwischen den gereinigten Gegenständen;
Zuführen eines Gases zu Räumen zwischen den Gegenständen und der Vibrationsübertragungsvorrichtung; und
Anlegen von Energie der Ultraschallschwingung oder der niederfrequenten Schwingung an das Gas durch die Schwingungen der Vibrationsübertragungsvorrichtung, um Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der Gegenstände anhaftet.
18. Trocknungsverfahren nach Anspruch 12 oder 13, mit folgenden weiteren Schritten:
Einführen einer Vibrationsübertragungsvorrichtung in Räume zwischen den gereinigten Gegenständen;
Zuführen eines Gases zu Räumen zwischen den Gegenständen und der Vibrationsübertragungsvorrichtung;
Anlegen von Energie der Ultraschallschwingung oder der niederfrequenten Schwingung an das Gas durch die Schwingungen der Vibrationsübertragungsvorrichtung, um Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der Gegenstände anhaftet; und
Ausstoßen des Gases, welches Wasser enthält, das von den Gegenständen entfernt wurde.
19. Trocknungsverfahren zum Entfernen von Wasser, welches an Oberflächen mehrerer gereinigter Gegenstände anhaftet, die behandelt werden sollen, mit folgenden Schritten:
Ausweiten von Räumen zwischen den mehreren gereinigten Gegenständen, die behandelt werden sollen, auf vorbestimmte Räume;
Einführen einer Vibrationsübertragungsvorrichtung in die Räume zwischen den gereinigten Gegenständen;
Zufuhr eines Gases zu Räumen zwischen den Gegenständen und der Vibrationsübertragungsvorrichtung; und
Anlegen von Energie einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung mit niedrigerer Frequenz als jener der Ultraschallschwingung an das Gas durch die Schwingungen der Vibrationsübertragungsvorrichtung, um Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der Gegenstände anhaftet.
20. Trocknungsverfahren zum Entfernen von Wasser, welches an Oberflächen mehrerer gereinigter Gegenstände anhaftet, die behandelt werden sollen, mit folgenden Schritten:
Aufweiten von Räumen zwischen den mehreren gereinigten Gegenständen, die behandelt werden sollen, auf vorbestimmte Räume;
Einführen einer Vibrationsübertragungsvorrichtung in die Räume zwischen den gereinigten Gegenständen;
Zufuhr eines Gases zu Räumen zwischen den Gegenständen und der Vibrationsübertragungsvorrichtung;
Anlegen von Energie einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung mit niedrigerer Frequenz als jener der Ultraschallschwingung an das Gas durch die Schwingungen der Vibrationsübertragungsvorrichtung, um Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der Gegenstände anhaftet; und
Ablassen des Gases, welches Wasser enthält, das von den Gegenständen entfernt wurde.
21. Trocknungsverfahren zum Entfernen von Wasser, welches an Oberflächen mehrerer gereinigter Gegenstände anhaftet, die behandelt werden sollen, mit folgenden Schritten:
Aufweiten von Räumen zwischen den mehreren gereinigten Gegenständen, die behandelt werden sollen, auf vorbestimmte Räume;
Durchleiten der Gegenstände durch eine Vibrationsübertragungsvorrichtung, damit die Vibrationsübertragungsvorrichtung zwischen den mehreren Gegenständen angeordnet wird;
Zuführen eines Gases zu Räumen zwischen den Gegenständen und der Vibrationsübertragungsvorrichtung, wenn die Gegenstände durch die Vibrationsübertragungsvorrichtung hindurchgeleitet werden;
Anlegen von Energie einer Ultraschallschwingung oder einer niederfrequenten Schwingung mit einer niedrigeren Frequenz als jener der Ultraschallschwingung an das Gas durch die Schwingungen der Vibrationsübertragungsvorrichtung, um Wasser zu entfernen, welches an den Oberflächen der Gegenstände anhaftet;
Ablassen des Gases, welches Wasser enthält, das von den Gegenständen entfernt wurde;
Greifen der mehreren Gegenstände, von welchen Wasser entfernt wurde, und welche getrocknet wurden, und Verengung von Räumen zwischen den mehreren Gegenständen auf vorbestimmte Räume; und
Ausstoßen der mehreren Gegenstände, wobei die Räume zwischen den Gegenständen verengt wurden.
22. Trocknungsverfahren nach einem der Ansprüche 12, 13, 19, 20 und 21, bei welchem das Gas ein Gas ist, welches auf eine vorbestimmte Temperatur erhitzt wurde.
DE19910391A 1998-03-10 1999-03-09 Drying system and method Ceased DE19910391A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10076522A JPH11257851A (ja) 1998-03-10 1998-03-10 乾燥装置及び乾燥方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19910391A1 true DE19910391A1 (de) 1999-09-23

Family

ID=13607626

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19910391A Ceased DE19910391A1 (de) 1998-03-10 1999-03-09 Drying system and method

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6119367A (de)
JP (1) JPH11257851A (de)
KR (1) KR19990077743A (de)
DE (1) DE19910391A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004049415A1 (de) * 2004-10-08 2006-04-20 Arccure Technologies Gmbh Trocknungsverfahren für die Aufnahmeschicht von optischen Speichermedien

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6539963B1 (en) * 1999-07-14 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Pressurized liquid diffuser
US6662812B1 (en) * 1999-07-24 2003-12-16 Allen David Hertz Method for acoustic and vibrational energy for assisted drying of solder stencils and electronic modules
US7293567B2 (en) * 1999-07-24 2007-11-13 Allen David Hertz Application of acoustic and vibrational energy for fabricating bumped IC die and assembly of PCA's
KR20010096566A (ko) * 2000-04-11 2001-11-07 윤종용 반도체 웨이퍼 세정장치 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼세정방법
US6502591B1 (en) * 2000-06-08 2003-01-07 Semitool, Inc. Surface tension effect dryer with porous vessel walls
EP1168422B1 (de) * 2000-06-27 2009-12-16 Imec Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen und Trocknen eines Substrats
US6376145B1 (en) * 2000-10-30 2002-04-23 Xerox Corporation Ultrasonic drying of saturated porous solids via second sound
US6564469B2 (en) * 2001-07-09 2003-05-20 Motorola, Inc. Device for performing surface treatment on semiconductor wafers
US20040025901A1 (en) * 2001-07-16 2004-02-12 Semitool, Inc. Stationary wafer spin/spray processor
CN101414548B (zh) 2001-11-02 2011-10-19 应用材料股份有限公司 单个晶片的干燥装置和干燥方法
KR100454241B1 (ko) * 2001-12-28 2004-10-26 한국디엔에스 주식회사 웨이퍼 건조 장비
US6598314B1 (en) 2002-01-04 2003-07-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of drying wafers
US6866051B1 (en) * 2002-09-26 2005-03-15 Lam Research Corporation Megasonic substrate processing module
US6938629B2 (en) * 2002-11-13 2005-09-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Rinsing lid for wet bench
WO2004112093A2 (en) * 2003-06-06 2004-12-23 P.C.T. Systems, Inc. Method and apparatus to process substrates with megasonic energy
US7181863B2 (en) * 2004-03-09 2007-02-27 Sez America, Inc. Wafer dryer and method for drying a wafer
JP4347156B2 (ja) * 2004-07-28 2009-10-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7942158B2 (en) * 2005-07-13 2011-05-17 Honda Electronics Co., Ltd. Ultrasonic edge washing apparatus
JP5043021B2 (ja) * 2005-10-04 2012-10-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板を乾燥するための方法及び装置
US8474468B2 (en) * 2006-09-30 2013-07-02 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for thermally processing a substrate with a heated liquid
US8327861B2 (en) * 2006-12-19 2012-12-11 Lam Research Corporation Megasonic precision cleaning of semiconductor process equipment components and parts
US7479463B2 (en) * 2007-03-09 2009-01-20 Tokyo Electron Limited Method for heating a chemically amplified resist layer carried on a rotating substrate
US9383138B2 (en) * 2007-03-30 2016-07-05 Tokyo Electron Limited Methods and heat treatment apparatus for uniformly heating a substrate during a bake process
US20080241400A1 (en) * 2007-03-31 2008-10-02 Tokyo Electron Limited Vacuum assist method and system for reducing intermixing of lithography layers
US20120306139A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Arthur Keigler Parallel single substrate processing system holder
US9829249B2 (en) * 2015-03-10 2017-11-28 Mei, Llc Wafer dryer apparatus and method
CN205561438U (zh) * 2016-03-23 2016-09-07 常州捷佳创精密机械有限公司 一种槽式烘干结构
US11817336B2 (en) * 2019-12-20 2023-11-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer process monitoring system and method
CN113013057A (zh) * 2019-12-20 2021-06-22 台湾积体电路制造股份有限公司 处理晶圆的系统与方法
KR102635384B1 (ko) 2020-11-23 2024-02-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102573602B1 (ko) 2020-11-23 2023-09-01 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1222169B (de) * 1963-06-01 1966-08-04 Siemens Ag Vorrichtung zur Behandlung von Halbleiterscheiben in einem Gas
US3710450A (en) * 1971-02-01 1973-01-16 Allied Chem Process and apparatus for removing liquids from solid surfaces
US5012593A (en) * 1988-08-10 1991-05-07 Aisin Seiki Kabushiki Kaisha Device for removing water droplets
US5105557A (en) * 1991-03-11 1992-04-21 Vadasz Jozsef T System for rapidly drying parts
JP3188935B2 (ja) * 1995-01-19 2001-07-16 東京エレクトロン株式会社 検査装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004049415A1 (de) * 2004-10-08 2006-04-20 Arccure Technologies Gmbh Trocknungsverfahren für die Aufnahmeschicht von optischen Speichermedien

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990077743A (ko) 1999-10-25
US6119367A (en) 2000-09-19
JPH11257851A (ja) 1999-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19910391A1 (de) Drying system and method
DE69736378T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Reinigung von zu verarbeitenden Objekte
DE69837364T2 (de) Reinigungs- und Trocknungsvorrichtung von zu behandelnden Gegenständen
DE3882507T2 (de) Gerät für das automatische Färben von Schnittproben.
DE60032654T2 (de) Vorrichtung zur Reinigung und Trocknung von Substraten
DE10164192B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung von Substraten
DE102007026634B4 (de) Vertikalanlage zur galvanotechnischen Behandlung eines Werkstückes und Verfahren zum Befördern des Werkstückes
DE69210767T2 (de) Substrat-Transport-Vorrichtung
DE60214763T2 (de) Waferhandhabungsvorrichtung und verfahren dafür
DE2624156C1 (de) Einrichtung zur Behandlung von flachen Werkstücken mit Strömungsitteln
DE19832038A1 (de) Verfahren und Einrichtung zum Reinigen und Trocknen
DE10039672B4 (de) Substratverarbeitungsvorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
DE2931308A1 (de) Oberflaechenbehandlungs-einrichtung
EP0813230B1 (de) Verfahren zum Trockenreinigen von staubverschmutzten Hilfsgegenständen, die zur Handhabung und Aufbewahrung von Halbleiterwafern vorgesehen sind.
DE2838707A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum automatischen herstellen fertig bearbeiteter offsetdruckplatten
DE102017212887A1 (de) Verfahren, Vorrichtung und Anlage zur Leiterplattenherstellung
DE19781822B4 (de) Reinigungsstation zur Verwendung bei einem System zum Reinigen, Spülen und Trocknen von Halbleiterscheiben
DE112016006798B4 (de) Schichtaufbringungsvorrichtung
AT408930B (de) Vorrichtung zur chemischen behandlung von wafern
EP1101245A2 (de) Verfahren und vorrichtung zum reinigen von substraten
EP1208586A1 (de) Vorrichtung zum behandeln von substraten
DE102013204646B4 (de) Gerät zum Bearbeiten von histologischen Proben
DE112016006797T5 (de) Schichtaufbringungsvorrichtung
DE10239578A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten
WO2001008201A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum transportieren eines halbleiterwafers durch einen behandlungsbehälter

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8131 Rejection