DE112015005680B4 - Wafergruppe, Waferherstellungsvorrichtung und Waferherstellungsverfahren - Google Patents

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Abstract

Wafergruppe, die aus einer Mehrzahl von Wafern aufgebaut ist, die von demselben Block erhalten worden sind, wobei alle Wafer eine Orientierungsabflachung (OF) aufweisen, wobei die Wafergruppe aus 70 oder mehr Wafern aufgebaut ist, wobei bezüglich der OF-Orientierungsgenauigkeit der Wafergruppe, die durch einen Winkel repräsentiert ist, die OF-Orientierungsgenauigkeit in jedem Wafer innerhalb von ± 0,010° liegt, und wobei die Standardabweichung der OF-Orientierungsgenauigkeit der Wafergruppe 0,0015 oder weniger beträgt.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Wafergruppe, eine Waferherstellungsvorrichtung und ein Waferherstellungsverfahren, und insbesondere eine Wafergruppe, die zwei gegenüberliegende Hauptoberflächen und eine Orientierungsabflachung (OF), die durch eine Spaltung erhalten worden ist, aufweist, und die Waferherstellungsvorrichtung sowie das Waferherstellungsverfahren.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Ein Wafer (z.B. ein Siliziumwafer oder ein GaAs-Wafer) wird vorwiegend für eine Halbleitervorrichtung verwendet. Ein solcher Wafer wird durch Schneiden eines Blocks hergestellt, wie es im Patentdokument 1 gezeigt ist.
  • Dokument des Standes der Technik
  • Patentdokument
  • Patentdokument 1: JP 2005- 243 976 A
  • Die Druckschrift JP 2006- 66 643 A offenbart ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Spalten eines Halbleiterwafers. Die Druckschrift US 2006 / 0 169 988 A1 offenbart ein Verfahren zum Herstellen eines Einkristallwafers für einen Halbleiterlaser.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Durch die Erfindung zu lösendes Problem
  • In dem Wafer wird zum Einstellen der elektrischen Eigenschaften eines Kristalls ein vorgegebenes Element (nachstehend als ein „Träger“ bezeichnet) als Fremdatom zugesetzt. Selbstverständlich gilt dies auch für einen Block als Basis für den Wafer. Der Träger neigt in einer Kristallschmelze zu einer Abscheidung. Daher variiert die Trägerkonzentration (nimmt beispielsweise zu) von einem Ende des durch ein Kristallwachstum erzeugten Blocks zu dem anderen Ende davon.
  • Deshalb ist bei dem Wafer, der von demselben Block erhalten wird, natürlich die Trägerkonzentration zwischen Wafern nicht konstant. Insbesondere nimmt bei einer Mehrzahl von Wafern, die aus demselben Block geschnitten worden sind, die Trägerkonzentration eines Wafers A2 angrenzend an die andere Endseite bezogen auf den Wafer A1, der in der Nähe des einen Endes des Blocks geschnitten worden ist, zu. Dies gilt auch für die Trägerkonzentration des Wafers A3 angrenzend an die andere Endseite bezogen auf den Wafer A2, wenn ein solcher Fall in Betracht gezogen wird.
  • Es wird angenommen, dass 100 Wafer aus demselben Block geschnitten werden. Für den Wafer A100, der in der Nähe des anderen Endes bezogen auf den Wafer A1 geschnitten worden ist, der in der Nähe des einen Endes des Blocks geschnitten worden ist, wird eine Auftragung erstellt, in der jede Waferanzahl (A „1“, A „2“, ... A „99“, A „100“) auf der X-Achse aufgetragen ist und die Trägerkonzentration in jedem Wafer auf der Y-Achse aufgetragen ist, wobei eine Gerade oder eine kontinuierliche Kurve erhalten wird. Dies ist darauf zurückzuführen, dass jeder Wafer aus demselben Block hergestellt wird.
  • Dies gilt auch für Defekte, die in dem Block auftreten. Mit anderen Worten, wenn jeder Wafer in der vorstehend genannten numerischen Reihenfolge betrachtet wird, werden die Position und die Größe des Defekts in jedem Wafer nach und nach variiert.
  • Die 1 ist ein Graph, wenn die Auftragung eine Gerade ist. Für eine zweckmäßige Erläuterung wird die Y-Achse unter der Annahme berechnet, dass ein Variationsausmaß (hier ein Zunahmeausmaß) der Trägerkonzentration als eine Einheit aufgefasst wird, wenn jede Waferanzahl zunimmt. Zum Beschreiben dieser Ausführungsform in einer einfach verständlichen Weise beziehen sich die nachstehenden Erläuterungen auf die 1 oder eine modifizierte Version davon (2).
  • Es ist eigentlich bevorzugt, dass die Wafer hinsichtlich der Zusammensetzung oder der Position und der Größe eines Defekts vollkommen identisch sind. Dies ist darauf zurückzuführen, dass dann, wenn sie vollkommen identisch sind, selbst wenn eine Halbleitervorrichtung oder dergleichen unter Verwendung eines Wafers hergestellt wird, Herstellungsschritte unter der gleichen Bedingung durchgeführt werden können, ohne dass ein Variieren von Bedingungen für jeden Wafer erforderlich ist, wenn eine andere Substanz auf dem Wafer bereitgestellt wird.
  • Da jedoch jeder Wafer aus dem Block hergestellt wird, ist eine Variation der Trägerkonzentration unvermeidbar. Ferner werden in einem Fall des Herstellens einer Halbleitervorrichtung oder dergleichen unter Verwendung des Wafers Bedingungen zur Bereitstellung einer anderen Substanz auf dem Wafer variiert. Andererseits ist es jedoch in jedem Wafer, der aus demselben Block hergestellt ist, wenn im Vorhinein bekannt ist, wie die Trägerkonzentration variiert, oder, mit anderen Worten, wenn die Kontinuität der Trägerkonzentration im Vorhinein bekannt ist, auch möglich, die Bedingungen zum Bereitstellen einer anderen Substanz auf dem Wafer abhängig von der Kontinuität der Trägerkonzentration kontinuierlich zu variieren. Als Ergebnis können verschiedene Eigenschaften der schließlich hergestellten Halbleitervorrichtung oder dergleichen in jeder Halbleitervorrichtung oder dergleichen vereinheitlicht werden.
  • Ein schwerwiegendes Problem tritt hier jedoch bezüglich einer Orientierungsabflachung (nachstehend einfach als „OF“ bezeichnet) auf dem Wafer auf.
  • Eine OF ist eine flache Ebene, die auf einem Randbereich des Wafers ausgebildet ist, und es handelt sich um ein wichtiges Kriterium, das eine Richtung angibt (vgl. z.B. [0002] des Patentdokuments 1), z.B. wenn eine Halbleitervorrichtung hergestellt wird. Andererseits ist der Wafer in den meisten Fällen häufig sehr brüchig. Daher wird, wenn die OF gebildet wird, der Wafer nicht wie vorgesehen gespalten und es verbleibt eine Stufe in der OF, d.h., der Spaltebene. Als Ergebnis tritt in der Draufsicht eine Abweichung bei der Linearität der OF bezüglich einer Kristallebene des Wafers auf. Der Grad einer solchen Abweichung wird als „OF-Orientierungsgenauigkeit“ bezeichnet und die OF-Orientierungsgenauigkeit in dieser Beschreibung wird durch einen Winkel (°) nach dem Untersuchen der Abweichung von der Kristallebene, bei der die OF ausgebildet werden soll, durch eine Röntgenbeugungstechnik dargestellt, und die Abweichung in einer vorgegebenen Richtung wird durch + bezeichnet und die Abweichung in der zu der vorstehend genannten Richtung entgegengesetzten Richtung wird durch - bezeichnet.
  • Wenn die OF-Orientierungsgenauigkeit in einem bestimmten Wafer nicht zufriedenstellend ist, wird eine Verarbeitung, die auf den Wafer zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung angewandt wird, auch durch die OF-Orientierungsgenauigkeit beeinflusst, was zu einer starken Verminderung der Genauigkeit einer Anordnungsbeziehung jedes Bestandteilselements der Halbleitervorrichtung während der Herstellung führt.
  • Daher werden, wenn eine Wafergruppe, die von demselben Block erhalten worden ist, an einen Besteller ausgeliefert wird, Wafer, bei denen eine OF nicht erfolgreich gebildet werden konnte, d.h., Wafer mit einer schlechten OF-Orientierungsgenauigkeit, vor der Lieferung an den Besteller ausgeschlossen. Ferner werden Informationen bezüglich der OF-Orientierungsgenauigkeit im Vorhinein an den Besteller weitergegeben und der Wafer wird seitens des Bestellers ausgewählt.
  • Jedenfalls wird herkömmlich, wenn die Wafergruppe von demselben Block erhalten worden ist, als Ergebnis eine nicht geringe Anzahl von Wafern mit einer schlechten OF-Orientierungsgenauigkeit erzeugt.
  • Wenn angenommen wird, dass von demselben Block 100 Wafer herausgeschnitten werden, bedeutet das vorstehend genannte Ergebnis, dass nicht notwendigerweise 100 Wafer mit einer zufriedenstellenden OF-Orientierungsgenauigkeit erhalten werden können. Mit anderen Worten, das vorstehende Ergebnis bedeutet, dass in einer Wafergruppe, die aus 100 Wafern besteht, häufig die Situation vorliegt, dass „ein Wafer in dem Zustand eines fehlenden Zackens vorliegt“.
  • Ferner geht die Kontinuität bzw. Stetigkeit der Zusammensetzung und der Defekte bzw. des Defekts zwischen Wafern verloren, obwohl die Wafergruppe von demselben Block erhalten wird. Die 2 zeigt diesen Zustand. Die gestrichelte Linie in der 2 ist eine Variation der Trägerkonzentration, die ideal ist, wenn die Waferanzahl zunimmt, wie es in der 1 gezeigt ist. Wenn jedoch der Wafer in der Wafergruppe in einem Zustand eines fehlenden Zackens erzeugt wird, zeigt die Trägerkonzentration mit zunehmender Waferanzahl ein Verhalten, wie es durch die durchgezogene Linie in der 2 gezeigt ist. D.h., die Kontinuität der Zusammensetzung, die in der Wafergruppe angenommen wird, und die Kontinuität einer tatsächlichen Zusammensetzung weichen stark voneinander ab.
  • Wenn eine solche Situation auftritt, wenn die Halbleitervorrichtung oder dergleichen aus dem Wafer hergestellt wird, tritt selbst dann, wenn die Bedingungen für die Bereitstellung einer anderen Substanz auf dem Wafer variiert werden, eine große Diskrepanz zwischen solchen Bedingungen und der Kontinuität der Zusammensetzung und der Defekte bzw. des Defekts zwischen Wafern auf. Als Ergebnis besteht die Möglichkeit, dass bei dem Produktleistungsvermögen der Halbleitervorrichtung oder dergleichen große Variationen auftreten.
  • Das vorstehend genannte Patentdokument 1 offenbart ein Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer zufriedenstellenden OF-Orientierungsgenauigkeit. In dem Patentdokument 1 wird eine OF durch eine Belastung und ein Ritzen gebildet (vgl. [0024] des Patentdokuments 1). Ferner sind, wie es in [0036] der japanischen Patentanmeldung mit der Veröffentlichungsnummer 2005-243976 und in [0024] der japanischen Patentanmeldung mit der Veröffentlichungsnummer 2001-300869 beschrieben ist, die meisten Beispiele Fälle, bei denen ein Arbeiter die OF per Hand bildet.
  • Wie es in den Gegenständen der nachstehenden Ausführungsformen beschrieben ist, haben die vorliegenden Erfinder einen Vorgang des Bildens der OF für mehr als 13000 Wafer durchgeführt, einschließlich die Beispiele der vorliegenden Erfindung und Vergleichsbeispiele.
  • Als Ergebnis haben die vorliegenden Erfinder die Erkenntnis erlangt, dass es bei einer herkömmlichen Technik selbst dann, wenn eine zufriedenstellende OF für einen einzelnen Wafer gebildet werden kann, extrem schwierig ist, eine zufriedenstellende OF mit einer hohen Wahrscheinlichkeit zu bilden. Folglich wird gefunden, dass es bei dem herkömmlichen Verfahren Unsicherheitsfaktoren gibt, so dass es in einem gewissen Ausmaß vom Zufall abhängt, ob eine zufriedenstellende OF gebildet werden kann oder nicht.
  • Zudem wird darüber hinaus mit einer Verkleinerung von Elementen in Halbleitervorrichtungen die gewünschte OF-Orientierungsgenauigkeit Jahr für Jahr strenger. Insbesondere beträgt die OF-Orientierungsgenauigkeit, die von dem SEMI-Standard gefordert wird, bei dem es sich um einen der Standards handelt, die Halbleitervorrichtungen betreffen, ± 0,5°. Ein strengerer Bezugswert ist jedoch erforderlich, wenn die OF durch eine Spaltung gebildet wird. Gemäß den Kenntnissen der vorliegenden Erfinder ist ein strengerer Bezugswert von innerhalb ± 0,02° erforderlich. Es ist selbstverständlich, dass dann, wenn die gewünschte OF-Orientierungsgenauigkeit strenger wird, die Menge der Wafer in einem Zustand eines fehlenden Zackens in der Wafergruppe erhöht wird. Dies ist darauf zurückzuführen, dass Wafer, die herkömmlich als akzeptabel erachtet werden und welche die Wafergruppe bilden, aufgrund der strengen Bezugswerte verworfen wurden und die Wafer, die verworfen wurden, neue Wafer in einem Zustand eines fehlenden Zackens werden. Als Ergebnis geht die Kontinuität in der Wafergruppe, die aus demselben Block erhalten worden ist, weiter verloren und folglich tritt zwischen den Bedingungen zum Bereitstellen einer anderen Substanz auf dem Wafer und der Kontinuität der Zusammensetzung und der Defekte zwischen Wafern eine große Diskrepanz auf. In einem solchen Fall treten bei dem Produktleistungsvermögen der Halbleitervorrichtung oder dergleichen starke Variationen auf und es besteht eine höhere Wahrscheinlichkeit, dass die Einheitlichkeit des Produkts nicht sichergestellt werden kann.
  • Es ist denkbar, dass ein Hersteller Wafer mit einer zufriedenstellenden OF-Orientierungsgenauigkeit auswählt und sammelt. In einem solchen Fall wird jedoch die Ausbeute von Wafern, die von demselben Block erhalten werden können, sehr schlecht, und die vorstehend genannte Kontinuität fällt natürlich stark ab.
  • Ferner sind, wenn Informationen bezüglich der OF-Orientierungsgenauigkeit beigefügt sind und die von demselben Block erhaltene Wafergruppe einem Besteller ohne Wafer mit fehlendem Zacken geliefert wird, die Kontinuität der Zusammensetzung und die Defekte bzw. der Defekt des Wafers zu diesem Zeitpunkt sichergestellt. Wenn jedoch der Besteller eine ultimativ zufriedenstellende OF-Orientierungsgenauigkeit fordert, muss der Besteller ungeeignete Wafer von der Wafergruppe entfernen, was zum Erzeugen von Wafern mit fehlendem Zacken führt und darüber hinaus für den Besteller sehr mühsam ist.
  • Als eines der Probleme, das durch die vorliegende Erfindung gelöst werden soll, ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Wafergruppe bereitzustellen, die das Sicherstellen einer Einheitlichkeit von Produkten erleichtert, die aus der Wafergruppe hergestellt werden, deren Zusammensetzung zwischen Wafern variiert.
  • Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer Technik des Ausschließens von Unsicherheitsfaktoren bei der Bildung einer OF und des Bildens einer OF mit einer extrem hohen Wahrscheinlichkeit und einer extrem hohen Genauigkeit.
  • Mittel zum Lösen des Problems
  • Die vorliegende Erfindung ist durch die Merkmale der nebengeordneten Ansprüche definiert. Bevorzugte Ausführungsformen sind Gegenstand der untergeordneten Ansprüche. Die vorliegende Erfindung wird auf der Basis von Erkenntnissen bereitgestellt, die als Ergebnis des Durchführens eines Vorgangs zum Bilden einer OF für mehr als 13000 Wafer, einschließlich Beispiele der vorliegenden Erfindung und Vergleichsbeispiele, erhalten worden sind, und Aspekte der vorliegenden Erfindung sind wie folgt, wobei sich der zweite bis fünfte, der siebte bis zehnte und der zwölfte bis sechszehnte Aspekt der vorliegenden Erfindung jeweils auf eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung beziehen.
  • Gemäß eines ersten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird eine Wafergruppe bereitgestellt, die aus einer Mehrzahl von Wafern aufgebaut ist, die von demselben Block erhalten worden sind, wobei alle Wafer eine Orientierungsabflachung (OF) aufweisen,
    wobei die Wafergruppe aus 70 oder mehr Wafern aufgebaut ist, wobei
    bezüglich der OF-Orientierungsgenauigkeit der Wafergruppe, die durch einen Winkel dargestellt bzw. repräsentiert ist, die OF-Orientierungsgenauigkeit in jedem Wafer innerhalb von ± 0,010° liegt, und wobei die Standardabweichung der OF-Orientierungsgenauigkeit der Wafergruppe 0,0015 oder weniger beträgt.
  • Gemäß eines zweiten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird die Wafergruppe des ersten Aspekts bereitgestellt, wobei mindestens eine der folgenden Bedingungen erfüllt ist:
    • Bedingung 1: Ein Wert, der durch Subtrahieren eines Minimumwerts von einem Maximumwert der OF-Orientierungsgenauigkeit in jedem Wafer erhalten wird, beträgt 0,010° oder weniger;
    • Bedingung 2: Ein Wert, der durch Subtrahieren eines Durchschnittswerts der OF-Orientierungsgenauigkeit der Wafergruppe von dem Maximumwert der OF-Orientierungsgenauigkeit in jedem Wafer erhalten wird, beträgt 0,006° oder weniger;
    • Bedingung 3: Ein Wert, der durch Subtrahieren des Minimumwerts der OF-Orientierungsgenauigkeit in jedem Wafer von dem Durchschnittswert der OF-Orientierungsgenauigkeit der Wafergruppe erhalten wird, beträgt 0,006° oder weniger.
  • Gemäß eines dritten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird die Wafergruppe des ersten oder zweiten Aspekts bereitgestellt,
    wobei für jeden Wafer, der die Wafergruppe aufbaut, eine Auftragung erstellt wird, in der die Anzahl von jedem Wafer aufeinander folgend von der Seite nahe an einem Ende des Blocks auf der X-Achse aufgetragen ist bzw. als X-Achse genommen ist und die Konzentration eines vorgegebenen Elements in jedem Wafer auf der Y-Achse aufgetragen ist bzw. als Y-Achse genommen ist, und in dieser Auftragung die Anzahl von Abschnitten, bei denen die Kontinuität bzw. Stetigkeit der Auftragung verlorengegangen ist, eine Anzahl ist, die gleich oder weniger als 10 % eines Werts ist, der durch Addieren der Anzahl dieser Abschnitte zu der Gesamtzahl der Wafer in der Wafergruppe erhalten wird, und verglichen mit einem Wafer einer beliebigen Anzahl ein Zunahme-/Abnahmewert der Konzentration des vorgegebenen Elements in einem Wafer mit der nächsten Anzahl das Dreifache des Zunahme-/Abnahmewerts oder weniger ist, der sich aus der Kontinuität der Auftragung ergibt.
  • Gemäß eines vierten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird die Wafergruppe von einem des ersten bis dritten Aspekts bereitgestellt, wobei der Wafer ein Halbleiterwafer mit Spalteigenschaften ist.
  • Gemäß eines fünften Aspekts der vorliegenden Erfindung wird die Wafergruppe von einem des ersten bis vierten Aspekts bereitgestellt, wobei eine Ebene, welche die OF bildet, eine von (011), (0-1-1), (0-11) und (01-1) ist.
  • Gemäß eines sechsten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird eine Waferherstellungsvorrichtung für einen Wafer mit zwei gegenüberliegenden unteren und oberen Fläche bzw. Oberflächen und einer Orientierungsabflachung (OF), die durch Spalten gebildet wird, bereitgestellt, umfassend:
    • einen Tisch, der zwischen einem Fixieren des Wafers und einer Freigabe einer Aufspannvorrichtung bzw. einer Fixierung von der unteren Fläche bzw. Oberfläche frei umgeschaltet werden kann und der frei doppelt geöffnet werden kann;
    • eine Ritzeinrichtung, die einen Ritz auf der unteren Fläche bzw. Oberfläche zum Spalten des Wafers einbringt und die in einer bandartigen Lücke an einer Verbindung des doppelt offenen Tischs angeordnet ist und entlang der Lücke bewegbar ist;
    • einen Drückteil, der über dem Tisch angeordnet ist und in einer vertikalen Richtung bewegbar ist; und
    • einen Klappenöffnungsmechanismus zum doppelten Öffnen des Tischs nach unten einhergehend mit einer Abwärtsbewegung des Drückteils,
    • wobei der Drückteil einen Drückkörper umfasst, der einen langen Abschnitt zum Drücken der oberen Fläche bzw. Oberfläche des Wafers aufweist, und der über der Lücke und entlang der Lücke des Tischs angeordnet ist, so dass er entlang der Lücke in einer pendelnden Weise frei hin- und hergeschwenkt werden kann bzw. frei hin- und herschwenkbar ist.
  • Gemäß eines siebten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird die Waferherstellungsvorrichtung des sechsten Aspekts bereitgestellt, wobei der Drückteil ferner den Klappenöffnungsmechanismus umfasst und der Klappenöffnungsmechanismus ein vorragendes Teil ist, das von dem Drückkörper nach unten ragt, und ein vorragendes Teil ist, das den Tisch, durch Bewegen des Drückteils nach unten, schiebt und doppelt öffnet.
  • Gemäß eines achten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird die Waferherstellungsvorrichtung des siebten Aspekts bereitgestellt, die ferner eine Einstelleinrichtung umfasst, die eine vertikale relative Position zwischen dem Drückkörper und dem vorragenden Teil in dem Drückteil einstellt.
  • Gemäß eines neunten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird die Waferherstellungsvorrichtung des siebten oder achten Aspekts bereitgestellt, wobei der Tisch gemäß eines Bewegungsausmaßes des vorragenden Teils frei doppelt geöffnet und geschlossen wird.
  • Gemäß eines zehnten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird die Waferherstellungsvorrichtung von einem des sechsten bis neunten Aspekts bereitgestellt, wobei der Drückkörper geneigt ist, so dass in einem stationären Zustand ein Ende des langen Abschnitts des Drückkörpers niedriger angeordnet ist als das Ende davon.
  • Gemäß eines elften Aspekts der vorliegenden Erfindung wird ein Waferherstellungsverfahren für einen Wafer mit zwei gegenüberliegenden unteren und oberen Flächen bzw. Oberflächen und einer Orientierungsabflachung (OF), die durch Spalten gebildet wird, bereitgestellt, umfassend die Schritte:
    • Einbringen eines Ritzes auf der unteren Fläche bzw. Oberfläche zur Bildung einer OF mindestens als Teil einer vorgesehenen Spaltlinie durch eine Ritzeinrichtung, die in einem bandartigen Spalt an einer Verbindung eines doppelt offenen Tischs angeordnet ist, der frei doppelt geöffnet werden kann, wobei eine untere Flächenseite bzw. Oberflächenseite des Wafers an dem Tisch fixiert ist; und
    • doppeltes Öffnen des Tischs nach unten einhergehend mit einer Abwärtsbewegung des Drückteils durch Bewegen des Drückteils, umfassend einen Drückkörper mit einem langen Abschnitt, der entlang der Lücke in einer pendelnden Weise frei hin- und hergeschwenkt werden kann bzw. frei hin- und herschwenkbar ist, von einer Oberseite zu einer Unterseite des Tischs nach der Freigabe einer Aufspannvorrichtung bzw. Fixierung des Wafers, und Spalten des Wafers durch Drücken der vorgesehenen bzw. geplanten Spaltlinie auf der oberen Fläche bzw. Oberfläche gegenüber dem Ritz, der auf der unteren Fläche bzw. Oberfläche eingebracht worden ist, durch den langen Abschnitt des Drückkörpers.
  • Gemäß eines zwölften Aspekts der vorliegenden Erfindung wird das Waferherstellungsverfahren des elften Aspekts bereitgestellt, wobei in dem Spaltschritt der Tisch durch einen vorragenden Teil, der ein Teil des Drückteils ist und von dem Drückkörper nach unten vorragt, durch Bewegen des Drückteils von einer Oberseite zu einer Unterseite des Tischs geschoben und doppelt geöffnet wird.
  • Gemäß eines dreizehnten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird das Waferherstellungsverfahren des zwölften Aspekts bereitgestellt, wobei der Spaltschritt die Schritte umfasst:
    • Inkontaktbringen des langen Abschnitts des Drückkörpers mit der oberen Fläche bzw. Oberfläche;
    • Drücken der vorgesehenen bzw. geplanten Spaltlinie auf der oberen Fläche bzw. Oberfläche durch den langen Abschnitt des Drückkörpers; und
    • Schieben und doppelt Öffnen des Tischs durch den vorragenden Teil.
  • Gemäß eines vierzehnten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird das Waferherstellungsverfahren des zwölften oder dreizehnten Aspekts bereitgestellt, umfassend die Schritte:
    • Schließen des doppelt geöffneten Tischs durch Bewegen des vorragenden Teils nach dem Spaltschritt nach oben; und
    • Durchführen des Ritzschritts und des Spaltschritts nach dem Schließschritt mit einem anderen Wafer.
  • Gemäß eines fünfzehnten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird das Waferherstellungsverfahren von einem des zwölften bis vierzehnten Aspekts bereitgestellt, ferner umfassend den Schritt:
    • Einstellen einer vertikalen relativen Position zwischen dem Drückkörper und dem vorragenden Teil in dem Drückteil vor dem Spaltschritt gemäß der Dicke des Wafers.
  • Gemäß eines sechzehnten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird das Waferherstellungsverfahren des zwölften Aspekts bereitgestellt,
    wobei in dem Ritzschritt ein Ritz auf einem Randbereich bzw. einer Periphärie der unteren Fläche bzw. Oberfläche eingebracht wird, wobei es sich um ein Ende der vorgesehenen bzw. geplanten Spaltlinie handelt, und der Drückkörper geneigt wird, so dass in einem stationären Zustand ein Ende des langen Abschnitts des Drückkörpers niedriger angeordnet ist als das andere Ende davon, und
    in dem Spaltschritt ein Abschnitt der vorgesehenen bzw. geplanten Spaltlinie auf der oberen Fläche bzw. Oberfläche, die gegenüber dem anderen Ende angeordnet ist, wo der Ritz nicht auf der vorgesehenen bzw. geplanten Spaltlinie auf der unteren Fläche bzw. Oberfläche eingebracht ist, zuerst mit dem Drückkörper in Kontakt gebracht wird.
  • Gemäß eines siebzehnten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird eine Wafergruppe bereitgestellt, die aus einer Mehrzahl von Wafern aufgebaut ist, die alle eine Orientierungsabflachung (OF) aufweisen,
    wobei die Wafergruppe aus 30 oder mehr Wafern aufgebaut ist, und
    für jeden Wafer, der die Wafergruppe aufbaut, eine Auftragung erstellt wird, in der die Anzahl von jedem Wafer aufeinander folgend von der Seite nahe an einem Ende des Blocks auf der X-Achse aufgetragen ist bzw. als X-Achse genommen ist und eine Konzentration eines vorgegebenen Elements in jedem Wafer auf der Y-Achse aufgetragen ist bzw. als Y-Achse genommen ist, und in dieser Auftragung die Anzahl von Abschnitten, bei denen die Kontinuität bzw. Stetigkeit der Auftragung verlorengegangen ist, eine Anzahl ist, die gleich oder weniger als 10 % eines Werts ist, der durch Addieren der Anzahl dieser Abschnitte zu einer Gesamtzahl der Wafer in der Wafergruppe erhalten wird, und verglichen mit einem Wafer einer beliebigen Anzahl ein Zunahme-/Abnahmewert der Konzentration des vorgegebenen Elements in einem Wafer mit der nächsten Anzahl das Dreifache des Zunahme-/Abnahmewerts oder weniger ist, der sich aus der Kontinuität bzw. Stetigkeit der Auftragung ergibt, und
    bezüglich der OF-Orientierungsgenauigkeit der Wafergruppe, die durch einen Winkel dargestellt bzw. repräsentiert ist, die OF-Orientierungsgenauigkeit in jedem Wafer innerhalb von ± 0,010° liegt.
  • Vorteil der Erfindung
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, eine Wafergruppe bereitzustellen, die das Sicherstellen einer Einheitlichkeit von Produkten erleichtert, die aus einer Wafergruppe hergestellt sind, deren Zusammensetzung zwischen Wafern variiert.
  • Ferner kann gemäß der vorliegenden Erfindung eine Technik des Ausschließens von Unsicherheitsfaktoren bei der Bildung einer OF und des Bildens einer OF mit einer extrem hohen Wahrscheinlichkeit und einer extrem hohen Genauigkeit bereitgestellt werden.
  • Figurenliste
    • 1 ist ein Graph, der eine Auftragung zeigt, die für jeden Wafer ausgebildet ist, der die Wafergruppe aufbaut, wobei die Anzahl jedes Wafers aufeinander folgend von der Seite nahe an einem Ende eines Blocks auf der X-Achse aufgetragen ist und die Konzentration eines vorgegebenen Elements in jedem Wafer auf der Y-Achse aufgetragen ist.
    • 2 ist ein Graph in einem Fall, bei dem Wafer mit fehlenden Zacken in der 1 vorliegen.
    • 3 ist eine schematische perspektivische Ansicht einer Waferherstellungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform.
    • 4 ist eine schematische perspektivische Ansicht einer Waferherstellungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform und zeigt einen Zustand, in dem ein Wafer gespalten ist und ein vorragender Teil einen Tisch nach unten schiebt und doppelt öffnet.
    • 5 ist eine schematische perspektivische Ansicht eines Drückteils und einer Einstelleinrichtung gemäß einer Ausführungsform.
    • 6 ist eine schematische perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, in dem der Wafer durch einen Drückkörper in dieser Ausführungsform gedrückt wird, wobei (a) einen Zustand vor dem Drücken zeigt und (b) einen Zustand während des Drückens zeigt.
    • 7 ist eine schematische Ansicht, die einen Zustand des Durchführens der Messung der OF-Orientierungsgenauigkeit gemäß eines Beispiels zeigt.
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nachstehend in der folgenden Reihenfolge beschrieben.
    1. 1. Wafergruppe
    2. 2. Waferherstellungsvorrichtung
      • 2-1. Tisch
      • 2-2. Ritzeinrichtung
      • 2-3. Drückteil
        • 2-3-1. Drückteilkörper
        • 2-3-2. Hin- und herschwenkender Teil
        • 2-3-3. Drückkörper
        • 2-3-4. Vorragender Teil (Klappenöffnungsmechanismus)
      • 2-4. Weiterer Vorrichtungsaufbau
    3. 3. Waferherstellungsverfahren
      • 3-1. Vorbereitungsschritt
      • 3-2. Ritzschritt
      • 3-3. Einstellschritt
      • 3-4. Spaltschritt
        • 3-4-1. Kontaktschritt
        • 3-4-2. Drückschritt
        • 3-4-3. Klappenöffnungsschritt
      • 3-5. Klappenschließschritt
      • 3-6. Der weitere Schritt bzw. weitere Schritte
    4. 4. Wirkung der Ausführungsform
    5. 5. Modifiziertes Beispiel, usw.
  • In der vorliegenden Beschreibung steht „... bis ..." für einen Wert nicht weniger als ein vorgegebener Wert und nicht mehr als ein vorgegebener Wert.
  • <1. Wafergruppe>
  • Die Wafergruppe dieser Ausführungsform ist aus einer Mehrzahl von Wafern aufgebaut, die aus demselben Wafer erhalten worden sind, wobei alle Wafer eine Orientierungsabflachung (OF) aufweisen.
  • Der Wafer dieser Ausführungsform ist nicht beschränkt, solange es ein Wafer ist, der zwei gegenüberliegende Hauptoberflächen und eine durch eine Spaltung ausgebildete OF aufweist. Mit anderen Worten, es gibt keine spezielle Beschränkung, solange es sich um einen Wafer handelt, der aus einem Material hergestellt ist, aus dem eine OF durch eine Spaltung gebildet werden kann.
  • Als Wafer dieser Ausführungsform kann ein Halbleiterwafer mit einer Spalteigenschaft genannt werden. Als spezifisches Beispiel dafür können bekannte Wafer, die ein kubisches Substrat umfassen, wie z.B. ein Siliziumwafer, ein GaAs-Wafer und ein InP-Wafer, hexagonale Substrate umfassen, wie z.B. ein Gruppe III-Nitridwafer, und Saphirsubstrate umfassen, genannt werden. Von diesen Wafern ist ein GaAs-Wafer extrem einfach zu spalten und es ist schwierig, herkömmlich eine zufriedenstellende OF-Orientierungsgenauigkeit zu erhalten. Daher bringt die Anwendung einer Technik dieser Ausführungsform große Vorteile mit sich, insbesondere im Hinblick auf einen GaAs-Wafer.
  • Unter Berücksichtigung der Einfachheit der Spaltung wird in dem Wafer die Ebene, welche die OF bildet, häufig durch einen Standard wie z.B. SEMI festgelegt. Beispielsweise ist jedoch in dem kubischen Substrat jedwede von (011), (0-1-1), (0-11) und (01-1) als Ebene bevorzugt, welche die OF bildet.
  • Dabei ist in der Wafergruppe dieser Ausführungsform die OF-Orientierungsgenauigkeit der Wafergruppe durch einen Winkel dargestellt und die OF-Orientierungsgenauigkeit in jedem Wafer erfüllt die Bedingung, dass die OF-Orientierungsgenauigkeit jedes Wafers innerhalb von ± 0,010° liegt. Dies ist eine Vorbedingung in der Wafergruppe dieser Ausführungsform.
  • Durch Erfüllen der vorstehend genannten Bedingung wird es möglich, die OF-Orientierungsgenauigkeit, die Jahr für Jahr strenger wird, ausreichend zu erfüllen. Als Ergebnis kann die Genauigkeit einer Anordnungsbeziehung von Bestandteilselementen erhöht werden, wenn während der Herstellung der Halbleitervorrichtung eine Verarbeitung auf den Wafer angewandt wird, und es wird möglich, auf eine Verkleinerung des Elements zu reagieren und es wird auch möglich, eine hochqualitative Halbleitervorrichtung oder dergleichen herzustellen.
  • Darüber hinaus ist es bevorzugt, dass mindestens eine der folgenden Bedingungen erfüllt ist.
    • (Bedingung 1) Ein Wert, der durch Subtrahieren eines Minimumwerts von einem Maximumwert der OF-Orientierungsgenauigkeit in jedem Wafer erhalten wird, beträgt 0,010° oder weniger.
    • (Bedingung 2) Der Wert, der durch Subtrahieren eines Durchschnittswerts der OF-Orientierungsgenauigkeit der Wafergruppe von dem Maximumwert der OF-Orientierungsgenauigkeit in jedem Wafer erhalten wird, beträgt 0,006° oder weniger.
    • (Bedingung 3) Ein Wert, der durch Subtrahieren des Minimumwerts der OF-Orientierungsgenauigkeit in jedem Wafer von dem Durchschnittswert der OF-Orientierungsgenauigkeit der Wafergruppe erhalten wird, beträgt 0,006° oder weniger.
    • (Bedingung 4) Die Standardabweichung der OF-Orientierungsgenauigkeit der Wafergruppe beträgt 0,0015 oder weniger (insbesondere 0,0010 bis 0,0015).
  • Dadurch, dass die vorstehend genannten Bedingungen erfüllt sind, kann die OF-Orientierungsgenauigkeit zufriedenstellender erfüllt werden. Als Ergebnis kann die Genauigkeit der Anordnungsbeziehung von jedem Bestandteilselement weiter erhöht werden und ferner kann eine hochqualitative Halbleitervorrichtung oder dergleichen hergestellt werden.
  • Selbstverständlich ist es akzeptabel, dass nur die Bedingung erfüllt ist, die eine Hauptvoraussetzung ist, nämlich dass die OF-Orientierungsgenauigkeit jedes Wafers, d.h., aller Wafer in der Wafergruppe, innerhalb von ± 0,010° liegt. Darüber hinaus kann nach dem Erfüllen der Bedingung, dass die OF-Orientierungsgenauigkeit innerhalb von ± 0,010° liegt, jede der vorstehend genannten Bedingungen 1 bis 4 einzeln angewandt werden, oder eine Mehrzahl der Bedingungen 1 bis 4 kann kombiniert werden, und dadurch, dass eine Mehrzahl von Kombinationen erfüllt ist, kann die Wafergruppe eine ganz besonders zufriedenstellende OF-Orientierungsgenauigkeit aufweisen, und dies ist bevorzugt.
  • Wenn jede der vorstehend genannten Bedingungen erfüllt ist, ist es so, dass eine herkömmliche Wafergruppe und die Wafergruppe der vorliegenden Erfindung sehr verschieden sind und dies wird in den Punkten der später beschriebenen Ausführungsformen beschrieben.
  • Ferner ist die Wafergruppe dieser Ausführungsform aus 70 oder mehr Wafern aufgebaut. Wenn die Wafergruppe aus einer extrem geringen Anzahl von Wafern aufgebaut ist, die aus demselben Block erhalten worden sind, wird die Kontinuität der Zusammensetzung und von Defekten in dem Fall der Wafergruppe, die aus Wafern aufgebaut ist, die von getrennten Abschnitten in dem Block herausgeschnitten worden sind, nahezu beseitigt, und selbst wenn versucht wird, die Wafer zusammen von einem spezifischen Teil des Blocks herauszuschneiden, ist dies mit dem herkömmlichen Verfahren sehr schwierig, da es Unsicherheitsfaktoren bei der Bildung einer OF gibt. Als Ergebnis gibt es in einer herkömmlichen Situation, bei der Unsicherheitsfaktoren bei der Bildung einer OF vorliegen, noch keine Wafergruppe, die aus „70 oder mehr Wafern“ gebildet ist, die „eine zufriedenstellende OF-Orientierungsgenauigkeit aufweisen, wie es vorstehend beschrieben worden ist“ und die „aus demselben Block erhalten worden sind“, oder eine solche kann es nicht geben.
  • Andererseits kann durch Erfüllen der Anforderung, dass die Wafergruppe, die aus „70 oder mehr Wafern“ gebildet ist, die „eine zufriedenstellende OF-Orientierungsgenauigkeit aufweisen, wie es vorstehend beschrieben worden ist“ und „aus demselben Block erhalten worden sind“ die folgende Wirkung erzielt werden.
  • Erstens wird es möglich, die OF-Orientierungsgenauigkeit, die Jahr für Jahr strenger wird, ausreichend zu erfüllen. Darüber hinaus wird es möglich, die Kontinuität der Zusammensetzung und der Defekte bzw. des Defekts zufriedenstellend aufrechtzuerhalten, da die vorstehend genannten Bedingungen in der Wafergruppe, die aus demselben Block erhalten worden ist, erfüllt sind. Als Ergebnis wird es möglich, eine Übereinstimmung zwischen den Bedingungen zur Bereitstellung einer anderen Substanz auf dem Wafer und der Kontinuität der Zusammensetzung und der Defekte zwischen Wafern herbeizuführen, und es wird möglich, eine Variation des Produktleistungsvermögens einer Halbleitervorrichtung oder dergleichen zu unterdrücken.
  • Die vorstehend genannte Kontinuität kann auch wie folgt ausgedrückt werden.
  • Als erstes wird für jeden Wafer, der die Wafergruppe aufbaut, eine Auftragung erstellt, in der die Anzahl von jedem Wafer aufeinander folgend von der Seite nahe an einem Ende des Blocks auf der X-Achse aufgetragen ist und die Konzentration eines vorgegebenen Elements in jedem Wafer auf der Y-Achse aufgetragen ist.
  • Das vorgegebene Element kann sich auf einen Träger beziehen oder es kann sich auf jedwedes andere Element beziehen. In dieser Ausführungsform ist ein Beispiel angegeben, in dem das vorgegebene Element ein Träger ist und die Konzentration eine Trägerkonzentration ist.
  • In dieser Auftragung kann dadurch, dass die folgenden Bedingungen erfüllt sind, mindestens die Kontinuität der Zusammensetzung sichergestellt werden.
    • (Bedingung α) Die Anzahl von Abschnitten, bei denen die Kontinuität der Auftragung verlorengegangen ist, ist eine Anzahl von 10 % oder weniger eines Werts, der durch Addieren der Anzahl dieser Abschnitte zu der Gesamtzahl der Wafer in der Wafergruppe erhalten wird.
    • (Bedingung β) Verglichen mit einem Wafer mit einer beliebigen Anzahl ist der Zunahme/Abnahmewert der Konzentration des vorgegebenen Elements in einem Wafer mit der nächsten Anzahl auf das Dreifache des Zunahme/Abnahmewerts oder weniger eingestellt, der sich aus der Kontinuität der Auftragung ergibt.
  • Nachstehend werden die Bedingung α und die Bedingung β beschrieben.
  • Als Erstes bezieht sich bezüglich der Bedingung α „der Abschnitt, bei dem die Kontinuität der Auftragung verlorengegangen ist“, wie es die Bezeichnung besagt, auf einen Abschnitt, bei dem ein Gradient unvermittelt fluktuiert, wie es in der 2 gezeigt ist, obwohl die Kontinuität der Auftragung (z.B. ein vorgegebener Gradient, wenn die Konzentration linear erhöht wird) vor diesem Abschnitt aufrechterhalten wurde. Ein solcher Verlust der Kontinuität tritt auf, da sich der Wafer in dem Zustand von fehlenden Zacken befindet, ohne dass eine zufriedenstellende OF gebildet worden ist, nachdem der Wafer von demselben Block geschnitten worden ist. Mit anderen Worten, viele Wafer werden ohne Bilden einer zufriedenstellenden OF ausgeschlossen, obwohl ursprünglich die Kontinuität zwischen Wafern zum Zeitpunkt des Herausschneidens aus dem Block aufrechterhalten worden ist, und daher geht, wenn die Wafergruppe gebildet wird, die Kontinuität der Zusammensetzung und der Defekte verloren.
  • In einer anderen Hinsicht kann, wenn die Konzentration linear variiert wird, durch Ausschließen des „Abschnitts, bei dem die Kontinuität der Auftragung verlorengegangen ist“, der in der 2 gezeigt ist, und Sammeln nur des Abschnitts, der eine Kontinuität aufweist, eine Gerade desselben Gradienten gebildet werden. Der Abschnitt, der ein Verhalten zeigt, das von einer Geraden abweicht, die in der vorstehend beschriebenen Weise gebildet worden ist, kann auch als „Abschnitt, bei dem die Kontinuität der Auftragung verlorengegangen ist“, bezeichnet werden. Selbst in einem Fall, bei dem die Konzentration in einer gekrümmten Weise variiert wird, kann, wenn nur der Abschnitt, der eine Kontinuität aufweist, gesammelt wird, eine Kurve mit im Wesentlichen dem gleichen Verhalten gebildet werden. Daher kann diese Ausführungsform auch auf einen Fall angewandt werden, bei dem die Konzentration in einer gekrümmten Weise variiert wird.
  • D.h., bei der Bedingung α entspricht „die Anzahl von Abschnitten, bei denen die Kontinuität der Auftragung verlorengegangen ist“, der Anzahl von Wafern, die zu dem Wafer in dem Zustand von fehlenden Zacken geworden sind, wenn die Wafergruppe nach dem Schneiden des Wafers von demselben Block gebildet worden ist, und entspricht der Anzahl von diskontinuierlichen Abschnitten in der 2. Ferner ist der Wert, der durch Addieren der Anzahl von Wafern, die zu dem Wafer in dem Zustand von fehlenden Zacken geworden sind, und der Anzahl von Wafern, welche die Wafergruppe bilden, erhalten wird, gleich der Anzahl von Wafern, die aus demselben Block herausgeschnitten worden sind.
  • Als Ergebnis wird die Anzahl von Abschnitten, bei denen die Kontinuität der Auftragung verlorengegangen ist, durch einen Wert dividiert, der durch Addieren der Anzahl dieser Abschnitte zu der Gesamtzahl der Wafer in der Wafergruppe erhalten wird, und der so erhaltene Wert wird weiter mit 100 multipliziert, wodurch eine ungefähre Erzeugungsrate (%) des Wafers in dem Zustand von fehlenden Zacken erhalten wird. In diesem Fall wird der Abschnitt, bei dem die Kontinuität der Auftragung verlorengegangen ist, selbst wenn eine Mehrzahl von Wafern in einem Zustand von fehlenden Zacken kontinuierlich erzeugt wird, als ein Abschnitt gezählt. Wenn eine Mehrzahl von Wafern in einem Zustand von fehlenden Zacken kontinuierlich erzeugt wird, wird deren Behandlung unter der später beschriebenen Bedingung β durchgeführt.
  • In dieser Ausführungsform wird die Rate des Auftretens der Wafer in einem Zustand von fehlenden Zacken vorzugsweise auf 10 % oder weniger eingestellt. Durch diesen Aufbau kann die Kontinuität für mindestens die Zusammensetzung zwischen Wafern ausreichend sichergestellt werden. Darüber hinaus beträgt, wie es in den Gegenständen der Beispiele später beschrieben wird, im Vergleichsbeispiel 1, in dem die Wafergruppe aus demselben Block erhalten worden ist, die Ausbeute 88,9 % unter der Bedingung von ± 0,010° als Bezug (d.h., die Erzeugungsrate von Wafern in einem Zustand von fehlenden Zacken beträgt 11,1 %). Andererseits kann durch Einstellen „der Anzahl von Abschnitten, bei denen die Kontinuität der Auftragung verlorengegangen ist, auf gleich oder weniger als 10 % des Werts, der durch Addieren der Anzahl dieser Abschnitte zu der Gesamtzahl von Wafern in der Wafergruppe erhalten wird“ verglichen mit der herkömmlichen Wafergruppe eine extrem signifikante Differenzierung erreicht werden, und dies kann so realisiert werden, wie es im später beschriebenen Beispiel 1 gezeigt ist.
  • Der Wafer in einem Zustand von fehlenden Zacken wird nicht nur deshalb erzeugt, weil eine zufriedenstellende OF nicht gebildet werden kann, sondern auch durch Ausschließen von problematischen Wafern, oder durch Durchführen einer Probenüberprüfung mit der Wafergruppe. Insbesondere wenn eine Probenüberprüfung durchgeführt wird, werden der Wafer in der Nähe von einem Ende des Blocks, der Wafer in der Nähe des anderen Endes des Blocks und der Wafer in der Nähe der Mitte des Blocks, nämlich insgesamt drei Wafer, als Probe genommen und in manchen Fällen untersucht. Die Bedingung α und die Bedingung β, die später beschrieben werden, sind Werte im Hinblick auf diese Umstände. Ferner können dann, wenn die Probenüberprüfung immer an der gleichen Position durchgeführt wird, Unsicherheitsfaktoren nicht auftreten und bezüglich der Anwendung bestehen nahezu keine Probleme.
  • Die Anzahl der Abschnitte, bei denen die Kontinuität der Auftragung verlorengegangen ist, wird vorzugsweise auf 8 % oder weniger, mehr bevorzugt 4 % oder weniger der Anzahl eingestellt, die durch Addieren dieser Abschnitte zu der Gesamtzahl von Wafern in der Wafergruppe erhalten worden ist.
  • Als nächstes wird bezüglich der Bedingung β, wenn die Trägerkonzentration in der vorstehenden Auftragung linear erhöht wird, die Trägerkonzentration des Wafers der nächsten Anzahl verglichen mit den Wafern mit einer beliebigen Anzahl abrupt erhöht, wenn der Wafer in einem Zustand von fehlenden Zacken erzeugt wird. Beispielsweise liegt, wie es in der 2 gezeigt ist, in einem Fall, bei dem der Gradient der Auftragung 1 ist, wenn die Trägerkonzentration des Wafers mit der nächsten Anzahl um 1 erhöht werden sollte, jedoch die Trägerkonzentration tatsächlich um 2 zugenommen hat (Diskontinuität (Teil 1) in der 2), ein Wafer in einem Zustand von fehlenden Zacken vor. Mit anderen Worten, wenn der Zunahme/Abnahmewert bei der Diskontinuität (Teil 1) in der 2 zweimal der Zunahme/Abnahmewert ist, der sich aus der Kontinuität der Auftragung ergibt, gibt dies an, dass sich ein Wafer bei der Diskontinuität (Teil 1) in einem Zustand von fehlenden Zacken befindet. Entsprechend liegen, wenn der Zunahme/Abnahmewert bei der Diskontinuität (Teil 2) in der 2 das Dreifache des Zunahme/Abnahmewerts beträgt, der sich aus der Kontinuität der Auftragung ergibt, bei der Diskontinuität (Teil 2) zwei Wafer in einem Zustand von fehlenden Zacken vor.
  • Insbesondere ist unter der Bedingung β „der Zunahme/Abnahmewert der Konzentration eines vorgegebenen Elements in dem Wafer mit der nächsten Anzahl verglichen mit einer beliebigen Anzahl von Wafern das Dreifache des Zunahme/Abnahmewerts oder weniger (vorzugsweise das Zweifache oder weniger), der sich aus der Kontinuität der Auftragung ergibt.“ Dies zeigt, dass drei (vorzugsweise zwei) Wafer nicht aufeinander folgend in einem Zustand von fehlenden Zacken vorliegen, wenn eine OF von jedem Wafer gebildet wird, bevor die OF gebildet wird, und wenn die Wafergruppe schließlich erhalten wird. Mit anderen Worten, dies zeigt, dass höchstens zwei Wafer aufeinander folgend in einem Zustand von fehlenden Zacken vorliegen und vorzugsweise werden aufeinander folgende Wafer in einem Zustand von fehlenden Zacken nicht gebildet. Dies zeigt, dass, wie es in dem Zunahme/Abnahmewert bei der Diskontinuität (Teil 3) in der 3 gezeigt ist, es keine Stelle gibt, bei welcher der Zunahme/Abnahmewert das 4-fache des Zunahme/Abnahmewerts beträgt, der sich aus der Kontinuität der Auftragung ergibt. Mit anderen Worten, dies zeigt, dass nur maximal zwei Wafer aufeinander folgend fehlen, selbst wenn der Wafer in einem Zustand von fehlenden Zacken aufeinander folgend erzeugt wird, wenn die Wafergruppe aus demselben Block erhalten wird.
  • Es wird auch angenommen, dass die Auftragung keine Gerade ist, wie in dem vorstehenden Beispiel, sondern eine Kurve, wie z.B. eine quadratische Kurve. Selbst in diesem Fall ist die vorstehend genannte Regel anwendbar. Selbst wenn ein vorgegebenes Element (z.B. eine Trägerkonzentration, die durch Fremdatome verursacht wird) ursprünglich innerhalb des Blocks variiert wird, ist dessen Variationsgrad gering. Daher kann selbst dann, wenn die Auftragung keine Gerade ist, die Kontinuität der Zusammensetzung unter der hier angegebenen Bedingung β ausreichend sichergestellt werden.
  • Selbst wenn die Wafer aus demselben Block unter den vorstehend genannten Bedingungen α und β erhalten werden, kann garantiert werden, dass eine abrupte Variation mindestens bei der Zusammensetzung zwischen Wafern nicht stattfindet, und die Kontinuität kann mindestens bei der Zusammensetzung sichergestellt und erreicht werden. Als Ergebnis können verschiedene Eigenschaften in der schließlich hergestellten Halbleitervorrichtung oder dergleichen in jeder Halbleitervorrichtung oder dergleichen mit einer noch größeren Sicherheit vereinheitlicht werden.
  • <2. Waferherstellungsvorrichtung>
  • Vorrichtungen zur Herstellung der Wafergruppe werden nachstehend unter Bezugnahme auf die 3 bis 6 beschrieben. Die 3 ist eine schematische perspektivische Ansicht der Waferherstellungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform. Für eine zweckmäßige Erläuterung sind ein vorragender Teil 44 und eine Einstelleinrichtung 5 durch Punktlinien angegeben. Die 4 ist eine schematische perspektivische Ansicht einer Waferherstellungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform und zeigt einen Zustand, in dem ein Wafer gespalten ist und der vorragende Teil 44 einen Tisch 2 nach unten schiebt und doppelt öffnet.
  • Die 5 ist eine schematische perspektivische Ansicht eines Drückteils 4 und einer Einstelleinrichtung 5 gemäß einer Ausführungsform.
  • Die 6 ist eine schematische Querschnittsansicht, die einen Zustand zeigt, in dem der Wafer durch einen Drückkörper 43 dieser Ausführungsform gedrückt wird, wobei (a) einen Zustand vor dem Drücken zeigt und (b) einen Zustand während des Drückens zeigt.
  • Ein Wafer W (nachstehend als Wafer abgekürzt) der Waferherstellungsvorrichtung 1 (mit anderen Worten, einer Waferspaltvorrichtung) gemäß dieser Ausführungsform weist zwei gegenüberliegende Hauptoberflächen auf. In dieser Ausführungsform ist für eine zweckmäßige Erläuterung in den zwei gegenüberliegenden Hauptoberflächen die Seite mit dem darin eingebrachten Ritz S als untere Oberfläche festgelegt und die Seite, die durch einen Drückkörper 43 gedrückt wird, ist als obere Oberfläche festgelegt. Insbesondere ist, wie es später detailliert beschrieben ist, eine Richtung, in der ein Fragment W' des Wafers, das nach dem Bilden der OF erzeugt wird, von einer Lücke G des Tischs 2 fällt (d.h., die Richtung zum Boden von der Oberseite und dem Boden) als Abwärtsrichtung festgelegt.
  • Ferner können die obere Oberfläche des Wafers und die untere Oberfläche des Wafers in manchen Fällen einfach als eine „obere Oberfläche“ oder eine „untere Oberfläche“ bezeichnet werden.
  • 2-1. Tisch 2
  • Wie es in der 3 gezeigt ist, ist der Tisch 2 dieser Ausführungsform ein Abschnitt, bei dem ein Vorgang zur Bildung eines Kratzers auf einem geschnittenen Abschnitt des Wafers zur Bildung einer OF (zum Einbringen eines sogenannten Ritzes S darauf) oder für eine Spaltung durchgeführt wird. Ferner wird der Tisch 2 dieser Ausführungsform verwendet, der zwischen einem Fixieren des Wafers und einem Freigeben der Aufspannvorrichtung frei umschalten kann.
  • Als Technik zum Fixieren des Wafers kann eine bekannte Technik verwendet werden und beispielsweise kann die Herstellungsvorrichtung einen Aufbau aufweisen, der ein Vakuumansaugen und ein Freigeben des Wafers auf dem Tisch 2 ermöglicht.
  • In dieser Ausführungsform wird, wie es in der 4 gezeigt ist, der Tisch 2 verwendet, der frei geöffnet werden kann. Wie es später detailliert beschrieben wird, kann durch Verwenden dieses Aufbaus die Ausübung einer Belastung auf eine Stelle beim Spalten des Wafers unterdrückt werden und es ist auch möglich, das Fragment W' des Wafers nach dem Spalten des Wafers rasch nach unten fallen zu lassen.
  • In dem Tisch 2 dieser Ausführungsform ist an einer Verbindung des doppelt offenen Tischs 2 eine bandartige Lücke G bereitgestellt. Wie es vorstehend beschrieben ist, weist die Lücke G die Funktion eines schnellen Fallenlassens des Fragments W' des Wafers auf und weist auch die Funktion eines Raums zum Anordnen der später beschriebenen Ritzeinrichtung 3 auf. Die Breite der Lücke G ist nicht speziell beschränkt, solange es sich um eine Breite handelt, die es der Ritzeinrichtung 3 ermöglicht, darin angeordnet zu werden, und sie weist eine Breite auf, welche die Durchführung eines stabilen Spaltens ermöglicht, wie es später detailliert beschrieben ist. Als spezifischer Zahlenwert beträgt die Breite vorzugsweise 3,0 ± 0,1 mm.
  • Ferner kann der Tisch 2 in dieser Ausführungsform so ausgebildet sein, dass ein gesamter Körper doppelt geöffnet wird, oder ein Teil des Tischs 2 kann doppelt geöffnet werden, sofern dies nicht mindestens die Spaltung des Wafers stark beeinflusst. Ferner kann auch der Klappenabschnitt des Tischs 2, der doppelt geöffnet werden soll, die gleiche Größe und Form aufweisen (sogenannte Doppelklappe), oder er kann verschiedene Größen und Formen aufweisen (sogenannte Eltern-Kind-Klappe („parent-child door“)).
  • Ferner kann, wie es später detailliert beschrieben ist, der Aufbau der Doppelklappe des Tischs 2 derart sein, dass sie sich mindestens nach unten öffnet. Ferner kann auch ein Aufbau eingesetzt werden, bei dem dann, wenn eine Klappe geschoben und geöffnet wird, die andere Klappe ebenfalls damit einhergehend geöffnet wird, und zwar z.B. aufgrund der Verwendung eines Federelements und eines starren Elements. Bei diesem Aufbau kann die Klappe, die nicht mit dem vorragenden Teil 44 in Kontakt ist, ebenfalls geschoben und geöffnet werden, da eine der Klappen durch den später beschriebenen vorragenden Teil 44 geschoben und geöffnet wird, und als Ergebnis kann der Tisch 2 doppelt geöffnet werden. Selbstverständlich können beide Klappen durch den später beschriebenen vorragenden Teil 44 geschoben und geöffnet werden.
  • Ferner ist es bevorzugt, dass der Tisch 2 gemäß einem Bewegungsausmaß des vorragenden Teils 44 frei geöffnet und geschlossen werden kann. Wie es in der 4 gezeigt ist (durch weiße Pfeile in der 4), ist es dann, wenn sich der vorragende Teil 44 nach unten bewegt und den Tisch 2 kontaktiert, so dass der Tisch 2 geschoben und geöffnet wird, und sich danach aufwärts bewegt und von dem Tisch 2 trennt, bevorzugt, dass der Tisch 2 z.B. durch ein Federgelenk oder dergleichen automatisch geschlossen wird. Mit diesem Aufbau ist es nicht erforderlich, den Tisch 2 jedesmal zu einem Anfangszustand zurückzubringen, und ein Spalten kann kontinuierlich durchgeführt werden.
  • 2-2. Ritzeinrichtung 3
  • Die Ritzeinrichtung 3 dieser Ausführungsform ist ein Abschnitt zum Einbringen eines Ritzes S auf der unteren Oberfläche des Wafers zum Spalten des Wafers. Der Aufbau der Ritzeinrichtung 3 kann beliebig sein, solange sie einen Abschnitt aufweist, mit dem der Ritz S geritzt werden kann. Beispielsweise kann die Ritzeinrichtung 3 so ausgebildet sein, dass ein Ritzstift 31 und eine Halteelement 32, das den Ritzstift 31 in der Herstellungsvorrichtung hält, bereitgestellt sind.
  • Als Ritzstift 31 kann ein bekannter Ritzstift gemäß dem Typ des Wafers verwendet werden und beispielsweise kann ein aus Diamant hergestellter Ritzstift 31 verwendet werden. Ferner können die Form und die Größe des Ritzstifts 31 gemäß dem Typ des Wafers und der Form des Ritzes S in einer geeigneten Weise verändert werden. Beispielsweise ist es bevorzugt, ein Ritzen des Ritzes S mit einer Länge von 4 bis 6 mm durchzuführen und in diesem Fall weist der Ritzstift vorzugsweise eine Form auf, mit der ein Ritzen des Ritzes S mit einer Tiefe von 40 bis 50 µm durchgeführt werden kann. Der Ritzstift weist auch eine Form auf, mit der ein Ritzen des Ritzes S mit einer Breite von etwa 50 µm durchgeführt werden kann.
  • Dabei ist in dieser Ausführungsform die Ritzeinrichtung 3 in einer bandartigen Lücke G an einer Verbindung des doppelt offenen Tischs 2 angeordnet und zum freien Bewegen entlang der Lücke G ausgebildet. Als spezifischer Aufbau ist eine Schiene unmittelbar unterhalb der Lücke G an der Verbindung des doppelt offenen Tischs 2 bereitgestellt und das Halteelement 32 zum Halten des Ritzstifts 31 ist auf der Schiene angeordnet und das Halteelement 32 ist beweglich in einer Richtung parallel zu der Lücke G angeordnet. Es ist bevorzugt, einen Aufbau zu verwenden, in dem das Halteelement 32 auch in der vertikalen Richtung bewegbar ist. Mit diesem Aufbau kann, wenn der Ritz S auf die untere Oberfläche des Wafers eingebracht wird, der Ritz S nur auf einem Teil des Wafers von unten gebildet werden und das Risiko eines Bewirkens einer nicht erforderlichen Spaltung durch ein Verkratzen des Wafers mit dem Ritz 3 kann vermindert werden.
  • Bezüglich des bevorzugten Verfahrens zum Einbringen des Ritzes S und eines bevorzugten Spaltverfahrens vgl. <3. Waferherstellungsverfahren>.
  • 2-3. Drückteil 4
  • Der Drückteil 4 dieser Ausführungsform ist ein Abschnitt zum Spalten des Wafers ausgehend von dem Ritz S auf der unteren Oberfläche des Wafers durch Drücken der oberen Oberfläche des Wafers und weist einen Aufbau auf, so dass er oberhalb des Tischs 2 angeordnet ist und in der vertikalen Richtung bewegbar ist.
  • Als spezifische Ausgestaltung des Materials, der Größe und der Form, usw., des Drückteils 4 kann eine bekannte Ausgestaltung verwendet werden, solange sie die vorstehende Funktion aufweist. Nachstehend ist ein spezifisches Beispiel des Drückteils 4 in der 5 gezeigt.
  • Der Drückteil 4 dieser Ausführungsform umfasst allgemein den folgenden Aufbau.
    • • Den Drückteilkörper 41, der mit der Waferherstellungsvorrichtung 1 verbunden ist
    • • Einen hin- und herschwenkenden Teil 42, der ein plattenartiges Element ist, das in den Öffnungsabschnitt des Drückteilkörpers 41 eingepasst werden soll
    • • Einen Drückkörper 43, der zum Drücken der oberen Oberfläche des Wafers durch die Abwärtsbewegung des Drückteils 4 verwendet wird
    • • Einen vorragenden Teil 44, der von dem Drückkörper 43 nach unten ragt und den Tisch 2 durch Bewegen des Drückteils 4 nach unten schiebt und doppelt öffnet
  • Jeder Aufbau wird nachstehend beschrieben.
  • 2-3-1. Drückteilkörper 41
  • Der Drückteilkörper 41 ist mit der Waferherstellungsvorrichtung 1 verbunden und bewegt sich in die vertikale Richtung, wenn er einen Befehl von einer Steuereinrichtung (nicht gezeigt) der Waferherstellungsvorrichtung 1 erhält. Folglich werden auch der Drückkörper 43 und der vorragende Teil 44, der an dem Drückteilkörper 41 angebracht ist, in die vertikale Richtung bewegt.
  • Der Drückteilkörper 41 dieser Ausführungsform ist ein plattenartiges Element. Wenn ein frei stehender Zustand auf einer unteren Oberfläche, die sandwichartig zwischen zwei Hauptoberflächen des plattenartigen Elements angeordnet ist, betrachtet wird, ist der Drückteilkörper 41 das plattenartige Element mit einer Öffnung an einer unteren Seite und er weist die Form eines im Wesentlichen U-förmigen Buchstabens auf, dessen unterer Teil geöffnet ist. Der hin- und herschwenkende Teil 42 des Plattenelements ist in der Öffnung aufgenommen. Ferner ist der Drückkörper 43 unter dem hin- und herschwenkenden Teil 42 fixiert.
  • Auf der Oberseite der Öffnung des Drückteilkörpers 41 erstrecken sich Metallbefestigungselemente 411 auf einer dünnen Platte zum Befestigen des hin- und herschwenkenden Teils 42 nach unten und sind an zwei Hauptoberflächen des Drückteilkörpers 41 angebracht. Der hin- und herschwenkende Teil 42 ist zwischen den zwei Metallbefestigungselementen 411 eingepasst. Löcher zum Fixieren derselben mit Schrauben oder dergleichen sind in diesen zwei Metallbefestigungselementen 411 bereitgestellt. Durch Einpassen des hin- und herschwenkenden Teils 42 und Einsetzen von Schrauben oder dergleichen in die zwei Löcher wird der hin- und herschwenkende Teil 42 durch die Schrauben oder dergleichen aufgehängt. Als Ergebnis können der hin- und herschwenkende Teil 42 und der Drückkörper 43, der an dem hin- und herschwenkenden Teil 42 angebracht sind, hin- und herschwenken. Darüber hinaus ist die Hin- und Herschwenkbewegung derart, dass sich der hin- und herschwenkende Teil 42 durch die zwei Metallbefestigungselemente 411, die an dem Drückteilkörper 41 angebracht sind, nur in einem Dickenrichtungsabschnitt des Drückteilkörpers 41 bewegen kann. Daher ist die Hin- und Herschwenkrichtung des hin- und herschwenkenden Teils 42 auf die Links- und Rechtsrichtung beschränkt (schließlich die Richtung, in der sich die Lücke G des Tischs 2 erstreckt und eine Richtung parallel zu einer vorgesehenen Spaltlinie des nächsten Wafers) (in der 5 durch einen Pfeil mit Punktlinie gezeigt).
  • 2-3-2. Hin- und herschwenkender Teil 42
  • Der hin- und herschwenkende Teil 42 dieser Ausführungsform ist ein plattenartiges Element, das in den Öffnungsabschnitt des Drückteilkörpers 41 eingepasst werden soll. Ein Metallteil 421 zum Verbinden mit den zwei Metallbefestigungselementen 411 ist auf einem oberen Abschnitt in der Rechts- und Linksrichtung bezüglich beider Oberflächen des hin- und herschwenkenden Teils 42 bereitgestellt. Ferner weist eine untere Oberfläche des hin- und herschwenkenden Teils 42, bei der es sich um ein unterstes Ende handelt, eine lange Form zum Fixieren des Drückkörpers 43 auf. Als Mittel zum Fixieren des Drückkörpers 43 an dem Abschnitt mit der langen Form kann ein bekanntes Mittel verwendet werden und ein doppelseitiges Klebeband oder ein Haftmittel kann in einer geeigneten Weise verwendet werden. Als Winkel, in dem ein freies Hin- und Herschwenken ermöglicht wird, kann jedweder Winkel verwendet werden, solange es möglich ist, Unsicherheitsfaktoren bei der Bildung der OF des Wafers auszuschließen und es möglich ist, die OF zufriedenstellend und zuverlässig zu bilden.
  • 2-3-1. Drückkörper 43
  • Der Drückkörper 43 dieser Ausführungsform ist ein Drückkörper, der den langen Abschnitt aufweist, der die obere Oberfläche des Wafers drückt, und ist entlang der Lücke G des Tischs 2 und oberhalb der Lücke G angeordnet. Ferner kann der Drückkörper 43 entlang der Lücke G in der Art eines Pendels frei hin- und hergeschwenkt werden (in der 5 durch einen gepunkteten Pfeil gezeigt).
  • Der Aufbau des Drückkörpers 43 wird nachstehend beschrieben.
  • Erstens kann für den Drückkörper 43 jedwede(s) Material, Größe oder Form verwendet werden, solange er den vorstehend genannten Aufbau aufweist.
  • Beispielsweise kann der Drückkörper 43 aus einem Harz hergestellt sein. Als Harz kann ein bekanntes Harz verwendet werden und beispielsweise kann ein Urethanharz verwendet werden.
  • Ferner ist es ausreichend, wenn der Drückkörper 43 die lange Form aufweist, mit der das Drücken auf der vorgesehenen Spaltlinie ausreichend durchgeführt werden kann, und es ist ausreichend, wenn der Drückkörper 43 eine Form aufweist, die länger ist als die vorgesehene Spaltlinie.
  • Ferner ist bezüglich der Stelle zum Anordnen des Drückkörpers 43 (eine Stelle zum Anordnen des hin- und herschwenkenden Teils 42), wie es vorstehend beschrieben worden ist, der Drückkörper 43 in dem Drückteil 4 angeordnet, der oberhalb des Tischs 2 angeordnet ist, so dass der lange Abschnitt des Drückkörpers 43 parallel zu der Lücke G des Tischs 2 ist und direkt oberhalb der Lücke G vorliegt. Durch die Verwendung eines solchen Aufbaus wird eine vorgesehene Spaltlinie auf der oberen Oberfläche gegenüber dem Ritz S, der auf der unteren Oberfläche eingebracht ist, direkt unterhalb des langen Abschnitts des Drückkörpers 43 angeordnet, da die Ritzeinrichtung 3 in der Lücke G des Tischs 2 angeordnet ist. Wenn der Drückteil 4 in diesem Zustand nach unten bewegt wird, kann der lange Abschnitt des Drückkörpers 43 die vorgesehene Spaltlinie auf der oberen Oberfläche drücken, so dass er der vorgesehenen Spaltlinie folgt.
  • Ferner kann der Drückkörper 43 dieser Ausführungsform in einer pendelnden Weise zusammen mit dem hin- und herschwenkenden Teil 42, bei dem es sich um eine Befestigungsstelle handelt, frei entlang des Spalts G hin- und hergeschwenkt werden. Dadurch, dass der Drückkörper 43 in einer pendelnden Weise frei entlang des Spalts G hin- und herschwenken kann, werden die folgenden Wirkungen erhalten. Eine Erläuterung wird nachstehend auf der Basis der Erkenntnisse angegeben.
  • Als erstes besteht ein Grund, warum das Spalten des Wafers nicht zufriedenstellend durchgeführt werden kann, darin, dass eine Belastung an einer ungeeigneten Stelle konzentriert wird und das Spalten an einem Teil stattfindet, der von der Ebene abweicht, auf der die Spaltung vorgesehen ist. Es ist nahezu unmöglich, die vorstehend genannte Situation vollständig auszuschließen, da der Arbeiter ein Mensch ist.
  • Andererseits besteht ein weiterer Grund, warum das Spalten des Wafers nicht zufriedenstellend durchgeführt werden kann, darin, dass die Belastung gleichzeitig auf die gesamte vorgesehene Spaltlinie des Wafers ausgeübt wird. Dies ist eine Tatsache, die ein Vorteil sein sollte, der nur für Maschinen zutrifft, wenn die Arbeit durch Maschinen durchgeführt wird, jedoch ist dies im Gegenteil ein Nachteil. Der Grund dafür besteht darin, dass dann, wenn die Belastung gleichzeitig auf die gesamte vorgesehene Spaltlinie des Wafers ausgeübt wird, die Spaltung gleichzeitig an verschiedenen Stellen stattfindet, die durch den Drückkörper 43 beim Spalten gedrückt werden. Als Ergebnis wird nicht notwendigerweise eine Spaltebene gebildet und es können leicht nicht verbundene Spaltlinien gebildet werden.
  • Die vorstehende Erkenntnis wurde nur erhalten, da die vorliegenden Erfinder 13000 oder mehr Wafer gespalten haben.
  • Als Ergebnis haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung das Konzept des Einsetzens eines pendelnd frei hin- und herschwenkenden Drückkörpers 43 entwickelt. Durch diesen Aufbau wird selbst dann, wenn der Drückkörper 43 die obere Oberfläche des Wafers kontaktiert und mit dem Drücken begonnen wird, die Belastung nicht nur auf den Kontaktabschnitt konzentriert, da der Drückkörper 43 in einer pendelnden Weise frei hin- und hergeschwenkt werden kann. Nachdem der Drückkörper 43 die obere Oberfläche des Wafers kontaktiert hat, wird der Drückkörper 43 so mit der oberen Oberfläche in Kontakt gebracht, dass er der vorgesehenen Spaltlinie auf der oberen Oberfläche des Wafers folgt. Dann wird die Druckkraft durch den Drückkörper 43 stärker und durch den Ritz S, der auf der unteren Oberfläche des Wafers als Ausgangspunkt eingebracht worden ist, wird der Wafer gespalten und die OF wird gebildet.
  • Bei dem vorstehend genannten Aufbau kann für eine Genauigkeit der Durchführung eines Vorgangs durch eine Maschine eine Kraft so eingestellt werden, dass eine Belastung nicht auf eine Stelle konzentriert wird, wie dies bei einem Menschen, der den Vorgang durchführt, der Fall ist. Mit anderen Worten, es handelt sich dabei um einen Aufbau, bei dem der Vorteil von Maschinen und der Vorteil eines Menschen kombiniert und realisiert sind.
  • Als Ergebnis können Unsicherheitsfaktoren bei der Bildung einer OF ausgeschlossen werden und eine OF kann in einer extrem zufriedenstellenden und extrem zuverlässigen Weise gebildet werden, und es ist auch möglich, die Anzahl von Wafern in einem Zustand von fehlenden Zacken in der Wafergruppe, die aus demselben Block hergestellt worden ist, beträchtlich zu vermindern.
  • Wie es in der 6(a) gezeigt ist, ist es stark bevorzugt, den Drückkörper 43 derart zu neigen, dass ein Ende des langen Abschnitts des Drückkörpers 43 niedriger angeordnet ist als das andere Ende davon in einem stationären Zustand. Wie es später detailliert beschrieben wird, kann der Abschnitt der vorgesehenen Spaltlinie auf der oberen Oberfläche des Wafers gegenüber dem anderen Ende, wo der Ritz S nicht auf der vorgesehenen Spaltlinie eingebracht ist, zuerst mit dem Drückkörper 43 in Kontakt gebracht werden. Dann drückt, wenn der Drückteil 4 weiter abwärts bewegt wird, wie es in der 6(b) gezeigt ist, der Drückkörper 43 nacheinander die obere Oberfläche des Wafers derart, dass er der vorgesehenen Spaltlinie von einem oberen Oberflächenabschnitt gegenüber der unteren Oberfläche, auf welcher der Ritz S nicht ausgebildet ist, folgt. Als Ergebnis kann die Belastung auf die obere Oberfläche des Wafers in einer gut ausgewogenen Weise ausgeübt werden, die Unsicherheitsfaktoren bei der Bildung der OF können noch besser ausgeschlossen werden und die OF kann zufriedenstellender und zuverlässiger gebildet werden.
  • Ferner kann als spezifisches Neigungsverfahren des Drückkörpers 43 ein beliebiges Verfahren verwendet werden und es gibt das folgende Verfahren: Eine Seite des hin- und herschwenkenden Teils 42 wird schwer gemacht oder eine Befestigungsstelle des hin- und herschwenkenden Teils 42 in dem Drückteilkörper 41 wird näher in einer Richtung gegenüber der Seite, zu welcher der Drückkörper 43 geneigt wird, angeordnet, oder dergleichen.
  • 2-3-2. Vorragender Teil 44 (Klappenöffnungsmechanismus)
  • Der vorragende Teil 44 dieser Ausführungsform wird auch als Klappenöffnungsmechanismus bezeichnet. In dieser Ausführungsform ist der vorragende Teil 44 als Teil des Drückteils 4 bereitgestellt und ist so bereitgestellt, dass er von dem Drückkörper 43 an mindestens einer Seite des Drückteils 4 nach unten vorragt (vorzugsweise an einer Seite, bei welcher der Ritz S auf der vorgesehenen Spaltlinie eingebracht ist, und an einer Endseite, die in dem oberen Teil des geneigten Drückkörpers 43 angeordnet ist). Der vorragende Teil 44 weist die Funktion des Schiebens und doppelten Öffnens des Tischs 2 durch Bewegen des Drückteils 4 nach unten auf. Zur Herstellung eines Kontakts mit dem vorragenden Teil 44 können auf beiden Klappen des Tischs 2 Vorwölbungen 21 bereitgestellt sein.
  • Der vorragende Teil 44 ragt von dem Drückkörper 43 nach unten. Als Ergebnis wird gleichzeitig mit oder vor dem Inkontaktbringen des Drückkörpers 43 mit der vorgesehenen Spaltlinie auf der oberen Oberfläche des Wafers der vorragende Teil 44 mit dem Tisch 2 in Kontakt gebracht. Durch diesen Aufbau wird nahezu zu der gleichen Zeit, wenn der Drückkörper 43 die obere Oberfläche des Wafers drückt, der Tisch 2 doppelt nach unten geöffnet. Dadurch kann die folgende Wirkung erzielt werden.
  • Erstens wird durch doppeltes Öffnen des Tischs 2 nach unten, wenn der Drückkörper 43 die obere Oberfläche des Wafers drückt, die Belastung nicht nur in der vertikalen Richtung ausgeübt, sondern auch in der horizontalen Richtung innerhalb der vorgesehenen Spaltlinie. Dann wird der Wafer gebogen, so dass die Vertiefung des Ritzes S geöffnet wird und der Ritz S kann sicher als Ausgangspunkt der Spaltung genutzt werden. Dann werden durch Neigen des Drückkörpers 43, wie es vorstehend beschrieben worden ist, die Unsicherheitsfaktoren in der Richtung des Fortschreitens der Spaltung, die sich von dem Ritz S als Ausgangspunkt der Spaltung zu einem Abschnitt der gegenüberliegenden Seite davon erstreckt, ausgeschlossen, da ein Druck, der mit dem Druck, der für die Spaltung erforderlich ist, identisch oder höher als dieser ist, bereits entlang der vorgesehenen Spaltlinie von der dem Ritz S gegenüberliegenden Seite in einem Moment ausgeübt wurde, bei dem ein solcher Druck auf den Ritz S ausgeübt worden ist. Gemäß dieser Ausführungsform wird die Klappe des Tischs 2 einhergehend mit der Bewegung des Drückteils 4 nach unten geöffnet und daher können die Unsicherheitsfaktoren bei der Bildung der OF ausgeschlossen werden und die OF kann extrem zufriedenstellend und extrem zuverlässig gebildet werden.
  • Als nächstes kann durch doppeltes Öffnen des Tischs 2 nach unten das Fragment W' des Wafers, das nach der Spaltung unnötig ist, schnell zu der unteren Seite des Tischs 2 fallen gelassen werden (durch den ungefüllten Pfeil in der 4 gezeigt). Wenn das Fragment W' nach der Spaltung zurückbleibt, besteht die Möglichkeit, dass der Wafer aufgrund des Fragments W' des Wafers verkratzt wird, selbst wenn die OF zufriedenstellend ausgebildet worden ist. Es ist akzeptabel, dass das Fragment W' des Wafers in die Lücke G an der Verbindung des doppelt offenen Wafers oder an anderen Stellen fallen gelassen wird, oder ein Mechanismus zum Ansaugen des Fragments W' des Wafers kann separat bereitgestellt werden.
  • Der Grad des Vorragens des vorragenden Teils 44 kann beliebig sein, solange die vorstehend genannte Wirkung erreicht werden kann, jedoch ist es bevorzugt, dass der vorragende Teil 44 um nicht weniger als eine Dicke, zu der die Dicke des Wafers addiert ist, über ein unterstes Ende des Drückkörpers 43 hinaus vorragt. Durch diesen Aufbau wird sichergestellt, dass der Tisch 2 vor dem Spalten des Wafers geschoben und geöffnet wird, und die vorstehend beschriebene Belastung kann verteilt werden. Dabei ist es bevorzugt, dass eine Höhendifferenz zwischen dem vorragenden Teil 44 und dem Drückkörper 43 durch [Dicke des zu spaltenden Wafers] + [0,05 bis 0,15 mm] ausgedrückt wird. Eine solche Höhendifferenz variiert abhängig von der Dicke und dem Material des zu spaltenden Wafers und beispielsweise ist es bevorzugt, die Höhendifferenz größer zu machen (den Wafer stark durchzubiegen), wenn der Druck, der für die Spaltung erforderlich ist, größer ist.
  • 2-4. Einstelleinrichtung 5
  • In dieser Ausführungsform ist vorzugsweise ferner eine Einstelleinrichtung 5 zum Einstellen einer vertikalen relativen Position zwischen dem Drückkörper 43 und dem vorragenden Teil 44 in dem Drückteil 4 bereitgestellt. Die Einstelleinrichtung 5 dieser Ausführungsform ist an einer Seite der linken und der rechten Seite des Drückteilkörpers 41 bereitgestellt und weist einen Aufbau auf, mit dem der Grad des Vorragens des vorragenden Teils 44 durch Drehen eines Drehknopfs eingestellt werden kann. In dieser Ausführungsform steht „die vertikale relative Position zwischen dem Drückkörper 43 und dem vorragenden Teil 44 in dem Drückteil 4“ für die relative Position zwischen dem untersten Ende des Drückkörpers 43 und dem untersten Ende des vorragenden Teils 44.
  • Beispielsweise wenn der Wafer dick ist, besteht die Möglichkeit, dass der vorragende Teil 44 nach dem Spalten des Wafers mit dem Tisch 2 in Kontakt gebracht wird, solange der vorragende Teil 44 nicht stark vorragt. Aufgrund der Einstelleinrichtung 5 ist es jedoch möglich, den Zeitpunkt, bei dem der Drückkörper 43 die obere Oberfläche des Wafers drückt, und den Zeitpunkt, bei dem der vorragende Teil 44 den Tisch 2 schiebt und öffnet, frei eingestellt werden. Als Ergebnis können die Unsicherheitsfaktoren bei der Bildung der OF ausgeschlossen werden und die OF kann zufriedenstellend und zuverlässig gebildet werden, und die Anzahl von Wafern in einem Zustand von fehlenden Zacken in der aus demselben Block gebildeten Wafergruppe kann beträchtlich vermindert werden.
  • 2-5. Weiterer Vorrichtungsaufbau
  • Selbstverständlich kann die Waferherstellungsvorrichtung 1 dieser Ausführungsform einen Aufbau aufweisen, der von dem vorstehend angegebenen Aufbau verschieden ist. Beispielsweise können ein Mechanismus zum Überführen der Wafer und ein Mechanismus zum Ausrichten der Wafer vor dem Durchführen eines Ritzens des Ritzes S (beide nicht gezeigt) bereitgestellt werden. Für Gegenstände, die vorstehend nicht speziell erwähnt worden sind, können bekannte Konfigurationen eingesetzt werden.
  • <3. Waferherstellungsverfahren>
  • Nachstehend wird ein Waferherstellungsverfahren dieser Ausführungsform beschrieben. Ein Teil des Waferherstellungsverfahrens ist jedoch in dem vorstehend genannten <2. Waferherstellungsvorrichtung> beschrieben und daher werden überlappende Abschnitte weggelassen.
  • 3-1. Vorbereitungsschritt
  • In diesem Schritt wird die Vorbereitung zur Durchführung des Waferherstellungsverfahrens dieser Ausführungsform durchgeführt. Beispielsweise wird der vorstehend genannte Wafer hergestellt und auf den Tisch 2 gelegt.
  • Wie es vorstehend beschrieben ist, wird der Drückkörper 43 geneigt, so dass ein Ende des langen Abschnitts des Drückkörpers 43 in einem stationären Zustand niedriger angeordnet ist als das andere Ende davon.
  • 3-2. Ritzschritt
  • In diesem Schritt wird der Ritz S zur Bildung der OF auf die untere Oberfläche als mindestens ein Teil der vorgesehenen Spaltlinie durch die Ritzeinrichtung 3 eingebracht, die in dem bandartigen Spalt G an einer Verbindung des doppelt offenen Tischs 2 angeordnet ist, wobei die untere Oberflächenseite des Wafers an dem Tisch 2 fixiert ist, der frei doppelt geöffnet werden kann.
  • In dieser Ausführungsform wird der Ritzschritt durchgeführt, während der Wafer an dem Tisch 2 fixiert ist. Dadurch kann der Ritz S sicher auf der vorgesehenen Spaltlinie auf der unteren Oberfläche des Wafers eingebracht werden. Das Fixieren des Wafers kann durch Einschalten einer Vakuumansaugfunktion durch die Steuereinrichtung der Waferherstellungsvorrichtung 1 durchgeführt werden.
  • Eine Stelle, auf welcher der Ritz S eingebracht wird, kann beliebig ausgewählt werden. Beispielsweise kann der Ritz S auf der gesamten vorgesehenen Spaltlinie auf der unteren Oberfläche des Wafers eingebracht werden, oder der Ritz S kann auf einem Ende oder beiden Enden der vorgesehenen Spaltlinie eingebracht werden.
  • In diesem Schritt ist es jedoch bevorzugt, den Ritz S nur auf dem Randbereich der unteren Oberfläche des Wafers einzubringen, bei dem es sich um ein Ende der vorgesehenen Spaltlinie handelt. Dadurch kann in einem Spaltschritt (insbesondere einem Kontaktschritt), der später beschrieben wird, wie es in der 6(a) gezeigt ist, der Abschnitt der vorgesehenen Spaltlinie auf der oberen Oberfläche des Wafers gegenüber dem anderen Ende, wo der Ritz S nicht auf der vorgesehenen Spaltlinie auf der unteren Oberfläche des Wafers eingebracht ist, zuerst mit dem Drückkörper 43 in Kontakt gebracht werden. Durch Einsetzen dieses Verfahrens kann verhindert werden, dass sich die Belastung auf den Abschnitt konzentriert, der aufgrund des Ritzes S brüchig ist, wodurch die Erzeugung einer nicht vorgesehenen Spaltung vor dem Ausüben der Belastung auf die gesamte vorgesehene Spaltlinie unterdrückt wird. D.h., wie es in der 6(b) gezeigt ist, drückt der Drückkörper 43 nacheinander die obere Oberfläche des Wafers, so dass er der vorgesehenen Spaltlinie von einem oberen Oberflächenabschnitt folgt, der dem Abschnitt gegenüberliegt, bei dem der Ritz S nicht auf der unteren Oberfläche ausgebildet ist, wodurch die Belastung auf die obere Oberfläche des Wafers in einer gut ausgewogenen Weise ausgeübt werden kann. Als Ergebnis kann die Kraft ferner so eingestellt werden, dass sie eine Belastung nicht auf eine Stelle konzentriert, was für Menschen während der Durchführung des Vorgangs typisch ist.
  • 3-3. Einstellschritt
  • Ein Einstellschritt des Einstellens der vertikalen relativen Position zwischen dem Drückkörper 43 und dem vorragenden Teil 44 in dem Drückteil 4 gemäß der Dicke des Wafers wird vor einem später beschriebenen Spaltschritt durchgeführt. Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben verallgemeinerte Bedingungen (z.B. Bedingungsausdrücke) zur Durchführung der Einstellung in dem Einstellschritt untersucht. In dieser Beschreibung sind verschiedene Bedingungen für die Beispiele in den Gegenständen der später beschriebenen Beispiele beschrieben.
  • Selbstverständlich kann dieser Schritt als der vorstehend genannte Herstellungsschritt durchgeführt werden.
  • 3-4. Spaltschritt
  • In diesem Schritt wird, wie es in der 4 gezeigt ist, der Tisch 2 einhergehend mit einer Abwärtsbewegung des Drückteils 4 durch Bewegen des Drückteils 4, der den Drückkörper 43 umfasst, der einen langen Abschnitt aufweist, der entlang der Lücke in einer pendelnden Weise frei hin- und hergeschwenkt werden kann, von einer Oberseite zu einer Unterseite des Tischs nach dem Freigeben einer Aufspannvorrichtung des Wafers nach unten doppelt geöffnet, und der Wafer wird durch Drücken der vorgesehenen Spaltlinie auf der oberen Oberfläche gegenüber dem Ritz S, der auf der unteren Oberfläche eingebracht worden ist, durch den langen Abschnitt des Drückkörpers 43 gespalten.
  • Eine der Haupteigenschaften dieses Schritts besteht darin, dass umgekehrt wie bei dem Ritzschritt der Spaltschritt nach dem Freigeben einer Aufspannvorrichtung des Wafers durchgeführt wird. Wenn dieser Schritt mit dem fixierten Wafer entsprechend wie bei dem Ritzschritt durchgeführt wird, gibt es keinen Raum für das Abführen der Belastung, wenn er durch den Drückkörper 43 gedrückt wird. Dann wird, wie es vorstehend beschrieben ist, die Belastung auf eine Stelle des Wafers ausgeübt, was eine nicht vorgesehene Spaltung verursachen kann. Andererseits kann durch Durchführen dieses Schritts, wobei die Aufspannvorrichtung des Wafers freigegeben ist, der Wafer gemäß der Belastung von dem Ausgangspunkt zu dem Endpunkt während des Spaltens des Wafers frei bewegt werden, wodurch eine Situation verhindert werden kann, bei der die Belastung auf eine Stelle des Wafers ausgeübt wird.
  • Es sollte beachtet werden, dass dieser Schritt allgemein die folgenden Schritte umfasst.
    • • Einen Kontaktschritt des Inkontaktbringens des langen Abschnitts des Drückkörpers 43 mit der oberen Oberfläche des Wafers
    • • Einen Drückschritt des Drückens der vorgesehenen Spaltlinie auf der oberen Oberfläche des Wafers durch den langen Abschnitt des Drückkörpers 43
    • • Einen Klappenöffnungsschritt des Schiebens und doppelten Öffnens des Tischs 2 durch den vorragenden Teil 44
  • Durch Durchführen der vorstehend genannten Schritte nahezu gleichzeitig in einer kurzen Zeit zeigt sich die Wirkung dieser Ausführungsform. Nachstehend wird dies erläutert.
  • 3-4-1. Kontaktschritt
  • Dieser Schritt ist der Schritt des Inkontaktbringens des langen Abschnitts des Drückkörpers 43 mit der oberen Oberfläche des Wafers, wie es die Bezeichnung impliziert. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform wird der Abschnitt der vorgesehenen Spaltlinie auf der oberen Oberfläche des Wafers gegenüber dem anderen Ende, bei dem der Ritz S nicht auf der vorgesehenen Spaltlinie auf der unteren Oberfläche des Wafers eingebracht ist, durch Bewegen des Drückteils 4 nach unten zuerst mit dem Drückkörper 43 in Kontakt gebracht (6(a)). Dann drückt der Drückkörper 43 nacheinander die obere Oberfläche des Wafers, so dass er der vorgesehenen Spaltlinie von dem oberen Oberflächenabschnitt gegenüber der unteren Oberfläche folgt, auf welcher der Ritz S nicht ausgebildet ist (6(b)).
  • Vor dem Kontakt des Drückkörpers 43 ist es bevorzugt, den Betrieb einmal an einer Position 0,05 bis 0,20 mm (vorzugsweise 0,15 mm) über der vorgesehenen Spaltlinie auf der oberen Oberfläche des Wafers zu stoppen. Durch die Durchführung dieses Schritts ausgehend von dieser Position kann die Belastung auf den Wafer ohne einen zu starken Impuls und einen zu schwachen Impuls in einer geeigneten Weise ausgeübt werden.
  • 3-4-2. Drückschritt
  • Dann wird der Drückkörper 43 nacheinander mit dem anderen Ende der vorgesehenen Spaltlinie in Kontakt gebracht, so dass er der vorgesehenen Spaltlinie folgt. Gleichzeitig wird ein Drücken auf die obere Oberfläche des Wafers durchgeführt und ein Spalten findet mit dem Ritz S auf der unteren Oberfläche des Wafers als Ausgangspunkt statt.
  • 3-4-3. Klappenöffnungsschritt
  • Gleichzeitig mit dem Spalten wird der Tisch 2 durch den vorragenden Teil 44 doppelt nach unten geöffnet. Dadurch kann das Ausüben der Belastung auf eine Stelle während des Spaltens des Wafers verhindert werden und darüber hinaus kann das Fragment W' des Wafers nach dem Spalten rasch nach unten fallen.
  • Die Ritzeinrichtung 3 kann zu dem Zeitpunkt der Durchführung jedes der vorstehend genannten Schritte zu einem Ende der Lücke G zurückgezogen werden.
  • Durch die vorstehend genannten Schritte wird der Wafer entlang der vorgesehenen Spaltlinie extrem zufriedenstellend und zuverlässig gespalten. Darüber hinaus können Unsicherheitsfaktoren bei der Bildung der OF ausgeschlossen werden.
  • 3-5. Klappenschließschritt
  • In diesem Schritt wird der doppelt geöffnete Tisch 2 durch Rückführen des Drückteils 4 (oder des vorragenden Teils 44) nach oben geschlossen.
  • 3-6. Die weiteren Schritte
  • Wenn die OF kontinuierlich für einen weiteren Wafer gebildet wird, kann jeder der vorstehend genannten Schritte nach dem Klappenschließschritt mit einem weiteren Wafer durchgeführt werden. Ferner kann ein Glätten der OF nach dem Bilden der OF durchgeführt werden und darüber hinaus können verschiedene bekannte Verarbeitungsvorgänge durchgeführt werden, die zur Herstellung von Wafern erforderlich sind.
  • <4. Wirkung dieser Ausführungsform>
  • Gemäß dieser Ausführungsform können die folgenden Wirkungen zusätzlich zu den vorstehend genannten Wirkungen erzielt werden.
  • Als erstes kann die OF-Orientierungsgenauigkeit, die Jahr für Jahr strenger wird, ausreichend erfüllt werden. Als Ergebnis kann die Genauigkeit der Anordnungsbeziehung von Bestandteilselementen bei der Durchführung der Verarbeitung des Wafers bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung erhöht werden und es kann auf eine Verkleinerung des Elements reagiert werden, und es kann eine hochqualitative Halbleitervorrichtung, usw., hergestellt werden.
  • Ferner ist, da jeder Wafer aus dem Block hergestellt wird, eine Fluktuation der Trägerkonzentration unvermeidbar. Gemäß der Wafergruppe dieser Ausführungsform wird jedoch z.B. die Kontinuität der Trägerkonzentration aufrechterhalten und eine solche Kontinuität kann im Vorhinein erzielt werden. Auf der Basis eines Erzielens der Kontinuität können verschiedene Eigenschaften der schließlich hergestellten Halbleitervorrichtung oder dergleichen in jeder Halbleitervorrichtung oder dergleichen vereinheitlicht werden.
  • Ferner kann bei dem vorstehend genannten Aufbau für eine Genauigkeit der Durchführung eines Vorgangs durch eine Maschine die Kraft so eingestellt werden, dass eine Belastung nicht auf eine Stelle konzentriert wird, was für Menschen während der Durchführung des Vorgangs spezifisch ist, und der Vorteil einer Maschine und der Vorteil eines Menschen können kombiniert werden.
  • Als Ergebnis können Unsicherheitsfaktoren bei der Bildung der OF ausgeschlossen werden und die OF kann in einer extrem zufriedenstellenden und extrem zuverlässigen Weise gebildet werden und als Ergebnis kann die Anzahl von Wafern in einem Zustand mit fehlenden Zacken in der aus demselben Block gebildeten Wafergruppe vermindert werden.
  • Wie es vorstehend beschrieben ist, kann gemäß dieser Ausführungsform eine Wafergruppe bereitgestellt werden, die das Sicherstellen einer Einheitlichkeit von Produkten erleichtert, die aus der Wafergruppe hergestellt werden, deren Zusammensetzung zwischen Wafern variiert.
  • Ferner können gemäß dieser Ausführungsform eine Technik des Ausschließens von Unsicherheitsfaktoren bei der Bildung der OF und eine Technik des Bildens der OF mit einer extrem hohen Wahrscheinlichkeit und einer extrem hohen Genauigkeit bereitgestellt werden.
  • <5. Modifiziertes Beispiel, usw.>
  • Der technische Umfang der vorliegenden Erfindung ist nicht auf die vorstehend genannten Ausführungsformen beschränkt, sondern umfasst verschiedene Modifizierungen und Verbesserungen innerhalb des Umfangs, der von den spezifischen Wirkungen abgeleitet ist, die durch die Merkmale der Erfindung und Kombinationen davon erhalten werden.
  • (Wafergruppe)
  • In dieser Ausführungsform wird der folgende Ausdruck verwendet: „Der Wafer wird aus demselben Block geschnitten“. Andererseits kann anstelle der Verwendung eines solchen Ausdrucks auch der folgende Ausdruck (Bedingung γ) verwendet werden, so dass mindestens die Kontinuität der Zusammensetzung garantiert wird.
  • (Bedingung γ) Eine Auftragung wird für jeden Wafer, der die Wafergruppe aufbaut, erstellt, in der die Anzahl der Wafer in der Reihenfolge einer abnehmenden Konzentration eines vorgegebenen Elements in jedem Wafer auf der X-Achse aufgetragen ist und die Konzentration des vorgegebenen Elements in jedem Wafer auf der Y-Achse aufgetragen ist, und in dieser Auftragung ist die Anzahl von Abschnitten, bei denen die Kontinuität der Auftragung verlorengegangen ist, eine Anzahl von 10 % oder weniger der Gesamtzahl von Wafern in der Wafergruppe, und verglichen mit einem Wafer einer beliebigen Anzahl ist der Zunahme/Abnahmewert der Konzentration des vorgegebenen Elements in dem Wafer mit der nächsten Anzahl auf das Dreifache des Zunahme/Abnahmewerts oder weniger, der sich aus der Kontinuität der Auftragung ergibt, eingestellt.
  • Durch Erfüllen der vorstehend genannten Bedingungen, welche die OF betreffen (z.B. dass die OF-Orientierungsgenauigkeit innerhalb von ± 0,010° liegt), kann das Problem der vorliegenden Erfindung gelöst werden.
  • Unter der vorstehend genannten Bedingung wird die Kontinuität der Zusammensetzung garantiert und daher ist es bevorzugt, dass die Anzahl von Wafern, welche die Wafergruppe bilden, auf 70 oder mehr eingestellt wird, jedoch ist die Anzahl der Wafer nicht speziell darauf beschränkt. In den meisten Fällen ist die Wafergruppe unter Berücksichtigung des Punkts, dass ein Probenahmetest durch Auswählen von drei Wafern durchgeführt wird, und unter Berücksichtigung des Punkts, dass die Anzahl von Abschnitten, bei denen die Kontinuität der Auftragung verlorengegangen ist, eine Anzahl von 10 % oder weniger der Gesamtzahl von Wafern in der Wafergruppe ist, jedoch vorzugsweise aus 30 oder mehr Wafern aufgebaut.
  • Ferner können die Bedingungen α', β' und γ', bei denen die „Dichte“ in der Bedingung γ (insbesondere die Bedingungen α und β) durch die „Defektdichte“ ersetzt ist, anstelle der Bedingungen α bis γ verwendet werden. Ferner können diese Bedingungen α bis γ und α' bis γ' in einer geeigneten Weise kombiniert werden.
  • (Ritzeinrichtung 3 und der Ritzschritt)
  • Diese Ausführungsform zeigt ein Beispiel des Bereitstellens der Ritzeinrichtung 3 und des Ritzschritts. Andererseits ist diese Ausführungsform auch auf einen Wafer anwendbar, bei dem das Ritzen des Ritzes S bereits durchgeführt worden ist. D.h., in der Waferherstellungsvorrichtung 1 dieser Ausführungsform können Unsicherheitsfaktoren bei der Bildung der OF ausgeschlossen werden, und es ist möglich, die OF zufriedenstellend und zuverlässig durch geeignetes Einbringen des Ritzes S selbst dann zu bilden, wenn die Ritzeinrichtung 3 nicht bereitgestellt ist. Dies gilt auch für den Ritzschritt in dem Waferherstellungsverfahren. Es ist jedoch selbstverständlich, dass durch das automatische Durchführen des Ritzschritts und des Spaltschritts in einer Vorrichtung ein großer Vorteil erhalten werden kann, und ein Beispiel, bei dem die Ritzeinrichtung 3 und der Ritzschritt bereitgestellt werden, ist bevorzugt.
  • (Drückkörper 43)
  • Diese Ausführungsform zeigt ein Beispiel des getrennten Bildens des hin- und herschwenkenden Teils 42 und des Drückkörpers 43. Beide können jedoch integriert ausgebildet werden. Beispielsweise kann der hin- und herschwenkende Teil 42 selbst als Drückkörper 43 ausgebildet werden. Insbesondere kann ein Hin- und Herschwenkmechanismus des Pendeltyps in dem Drückteilhauptkörper 41 bereitgestellt sein und der Drückteilhauptkörper 41 selbst kann der Drückkörper 43 sein. In diesem Fall kann der lange Abschnitt zum Drücken der oberen Oberfläche des Wafers in dem Drückkörper 43 ein unterer Abschnitt sein, der zwischen zwei Hauptoberflächen z.B. des plattenartigen hin- und herschwenkenden Teils 42 sandwichartig angeordnet ist.
  • (Klappenöffnungsmechanismus)
  • Diese Ausführungsform zeigt ein Beispiel, in dem der Klappenöffnungsmechanismus der vorragende Teil 44 ist, der ein Teil des Drückteils 4 ist. Andererseits kann ein Klappenöffnungsmechanismus in der Waferherstellungsvorrichtung 1 getrennt von dem Drückteil 4 bereitgestellt sein. Beispielsweise ist es akzeptabel, einen Aufbau einzusetzen, in dem der Tisch 2 gemäß dem Bewegungsausmaß des Drückteils 4 durch die Steuereinrichtung der Waferherstellungsvorrichtung 1 doppelt nach unten geöffnet wird. In diesem Fall kann die Einstelleinrichtung anstelle des Drehens des Drehknopfs eine numerische Steuerung mittels der Steuerung der Steuereinrichtung durchführen.
  • Beispiele
  • Als nächstes wird die vorliegende Erfindung durch Beispiele detailliert beschrieben. Selbstverständlich ist die vorliegende Erfindung nicht auf die folgenden Beispiele beschränkt.
  • <Beispiel 1>
  • In diesem Beispiel wurde eine OF auf jedem Wafer durch die Verwendung der Waferherstellungsvorrichtung 1 hergestellt, die in der vorstehenden Ausführungsform beschrieben ist, und schließlich wurde die Wafergruppe hergestellt. Nachstehend wird jede Bedingung beschrieben, jedoch ist der Inhalt mit dem Inhalt identisch, der vorstehend in dem bevorzugten Beispiel beschrieben worden ist, falls nichts anderes angegeben ist.
  • (Vorbereitungsschritt)
  • In diesem Schritt wurden zuerst 41 Si-dotierte GaAs-Blöcke hergestellt. Dann wurde die Anzahl der Wafer, die aus einem Block herausgeschnitten wurden, auf 76 bis 170 Wafer eingestellt. Die Dicke eines Wafers wurde auf 0,710 mm eingestellt. Ein Urethanstab, der von MISUMI hergestellt worden ist (CXFAN-D6-L80), wurde an dem unteren Abschnitt (langer Abschnitt) des plattenartigen hin- und herschwenkenden Teils 42 als Drückkörper 43 fixiert.
  • (Ritzschritt)
  • In diesem Schritt wurde der Wafer zuerst auf dem Tisch 2 vakuumadsorbiert. Danach wurde der Ritz S durch die Ritzeinrichtung 3 auf der unteren Oberfläche des Wafers eingebracht. Ein Ersatzkern (ABR-0011-1) von D-POINT, der durch Ogura Jewel Seiki Kogyo Co., Ltd. hergestellt worden ist, wurde als Ritzstift 31 in der Ritzeinrichtung 3 verwendet. Der Ritzdruck, der auf die untere Oberfläche des Wafers von unten ausgeübt wurde, wurde auf 0,330 MPa eingestellt. Der Ritz S wurde nur auf dem Randbereich des Wafers auf einer Seite der vorgesehenen Spaltlinie des Wafers eingebracht. Die Länge des Ritzes S wurde auf 4 mm eingestellt.
  • Ferner wurde in diesem Schritt der Drückkörper 43 in dem Vorbereitungsschritt im Vorhinein geneigt, so dass sich ein Ende des Drückkörpers 43 der oberen Oberfläche des Wafers annäherte, und zwar in dem oberen Teil des Abschnitts der vorgesehenen Spaltlinie auf der oberen Oberfläche des Wafers gegenüber dem anderen Ende, wo der Ritz S nicht auf der vorgesehenen Spaltlinie auf der unteren Oberfläche des Wafers eingebracht worden ist. Insbesondere wurde der Drückkörper 43 so geneigt, dass eine Differenz bei der Höhe von 3 mm zwischen beiden Enden des Drückkörpers 43 gebildet wurde.
  • (Einstellschritt)
  • In diesem Schritt wurde eine Einstellung so vorgenommen, dass das unterste Ende des vorragenden Teils 44 (Nocke) von dem untersten Ende des Drückkörpers 43 um [Dicke des zu spaltenden Wafers] + 0,15 mm weiter nach unten vorragte.
  • (Spaltschritt)
  • In diesem Schritt wurde zuerst die Aufspannvorrichtung des Wafers nach dem Durchführen des Ritzens des Ritzes S freigegeben. Dabei wurde die vertikale Beziehung zwischen den zwei Hauptoberflächen des Wafers intakt belassen.
  • Danach wurde der Drückteil 4 von 0,15 mm über dem Tisch 2 mit einer Geschwindigkeit von 35 bis 65 mm/s nach unten bewegt. Dann wurde der Tisch 2 einhergehend mit der Abwärtsbewegung des Drückteils 4 doppelt nach unten geöffnet, und die vorgesehene Spaltlinie auf der oberen Oberfläche gegenüber dem Ritz S, der auf der unteren Oberfläche eingebracht worden ist, wurde durch den langen Abschnitt des Drückteils 43 gedrückt, so dass der Wafer gespalten wurde. Folglich wurde ein Wafer mit einer darauf ausgebildeten OF hergestellt.
  • (Klappenschließschritt)
  • Danach wurde der Drückteil 4 nach oben zurückgeführt und die Klappe des Tischs 2 wurde geschlossen. Dann wurde ein neuer Wafer auf den Tisch 2 gelegt und jeder der vorstehend genannten Schritte wurde durchgeführt, so dass eine OF für einen weiteren Wafer gebildet wurde. Durch Wiederholen dieses Vorgangs wurde die Wafergruppe dieses Beispiels aus demselben Block erhalten. Ferner werden entsprechende Schritte mit einem weiteren Block durchgeführt, so dass die Wafergruppe aus insgesamt 41 Blöcken gemäß jedem Block hergestellt wurde.
  • Dann wurde die Orientierungsgenauigkeit (°) für jeden Wafer der erhaltenen Wafergruppe durch eine Röntgenbeugungsmessung erhalten.
  • Insbesondere wurde, wie es in der 7 gezeigt ist, der Wafer beliebig in einer Richtung gedreht, die durch den schwarzen Pfeil gezeigt ist, wobei die physikalische Ebene der OF als Referenz diente, während auf die OF-Spaltebene Röntgenstrahlen eingestrahlt wurden. Dann wurde durch Vergleichen eines Drehwinkels, bei dem eine Bragg-Beugung über einer Kristallebene der vorgesehenen OF-Spaltebene auftritt, das Ausmaß einer Abweichung der Kristallebene von der physikalischen Ebene berechnet, wodurch die OF-Orientierungsgenauigkeit erhalten wurde. Beispielsweise wenn die Kristallebene von OF die (011)-Ebene ist, werden θ = 22,5° und 2θ = 45° erhalten und daher ist das Abweichungsausmaß von diesem Winkel die OF-Orientierungsgenauigkeit.
  • <Vergleichsbeispiel 1>
  • Abgesehen von den nachstehend beschriebenen Punkten ist das Vergleichsbeispiel mit dem Beispiel der vorliegenden Erfindung identisch.
    • • 44 Si-dotierte GaAs-Blöcke wurden hergestellt.
    • • Die Anzahl der aus einem Block geschnittenen Wafer wurde auf 73 bis 167 eingestellt.
    • • Die Spaltung des Wafers wurde von einem Arbeiter per Hand durchgeführt. Insbesondere wurden beide Enden der vorgesehenen Spaltlinie mit beiden Händen gegriffen, um dadurch den Wafer per Hand zu spalten, wobei der Ritz S auf der unteren Oberfläche des Wafers als Ausgangspunkt eingebracht ist.
  • Dann wurde die Orientierungsgenauigkeit (°) für jeden Wafer der erhaltenen Wafergruppe durch eine Röntgenbeugungsmessung erhalten.
  • <Vergleichsbeispiel 2>
  • In diesem Vergleichsbeispiel wurden, nachdem die Wafer aus verschiedenen Blöcken geschnitten worden sind, die Wafer, auf denen eine relativ zufriedenstellende OF gebildet worden ist, ausgewählt und gesammelt, um die Wafergruppe zu bilden. Andere Inhalte, die von der ersten Ausführungsform verschieden sind, sind wie folgt.
    • • 26 Si-dotierte GaAs-Blöcke wurden hergestellt, die Wafer wurden aus diesen herausgeschnitten und insgesamt 871 Wafer, bei denen eine relativ zufriedenstellende OF gebildet worden ist, wurden ausgewählt.
    • • Ein allgemeiner Tisch 2, der nicht frei doppelt geöffnet werden konnte, wurde verwendet.
    • • Während des Spaltschritts blieb der Wafer mittels Vakuum an dem Tisch 2 fixiert.
    • • Ein Drückkörper 43, der nicht frei hin- und herschwenkbar war, sondern der feststehend angeordnet war, wurde verwendet.
    • • Der Drückkörper 43 war horizontal ohne Neigung angeordnet.
    • • Das vorstehend genannte Verfahren wurde getrennt für einen Fall, bei dem insgesamt 912 Wafer ausgewählt wurden, und für einen Fall durchgeführt, bei dem insgesamt 815 Wafer ausgewählt wurden.
  • Dann wurde die Orientierungsgenauigkeit (°) für jeden Wafer der erhaltenen Wafergruppe durch eine Röntgenbeugungsmessung erhalten.
  • <Ergebnis>
  • Die nachstehende Tabelle 1 fasst die vorstehenden Inhalte zusammen. Für das Vergleichsbeispiel 2 sind die besten Ergebnisse in der Tabelle 1 angegeben. [Tabelle 1]
    Anzahl der Blöcke [Anzahl] Bereich der Anzahl der Probenwafer [Anzahl] OF-Orientierunqsqenauiqkeit
    Maximumwert [°] Minimumwert [°] Durchschnittswert [°] Maximumwert von Max.-Min. im Block [°] Maximumwert von Max.-Durchschnitt im Block [°] Maximumwert von Durchschnitt-Min. im Block [°] Bereich des Standardabweichungswerts im Block Ausbeute unter der Bedingung von ± 0,010°
    Beispiel 1 41 76-170 0,004 -0,008 -0,002 0,010 0,006 0,006 0,0010-0,0015 100 %
    Vergleichsbeispiel 1 44 73-167 0,046 -0,016 0,005 0,047 0,041 0,002 0,0021-0,0058 88,9 %
    Vergleichsbeispiel 2 - 871 0,017 -0,014 0,000 0,031 0,017 0,014 0,0050 95,6 %
  • Im Hinblick auf die Tabelle 1 wird gefunden, dass das Beispiel 1 die Bedingung erfüllt, dass die OF-Orientierungsgenauigkeit von jedem Wafer innerhalb von ± 0,010° liegt, wobei es sich um eine Hauptvoraussetzung handelt, und auch alle vorstehend angegebenen Bedingungen 1 bis 4 bezüglich der OF erfüllt. Das Beispiel 1 zeigt ferner, dass die Wafergruppe aus demselben Block hergestellt ist und dass die Ausbeute unter der Bedingung einer OF-Orientierungsgenauigkeit von ± 0,010° 100 % beträgt, und es wird gefunden, dass die Kontinuität der Zusammensetzung und der Defekte bzw. des Defekts ausreichend sichergestellt ist. In diesem Fall wurden drei Wafer als Probe genommen und getestet und es wurde gefunden, dass nur drei Wafer fragmentarisch in einem Zustand von fehlenden Zacken vorlagen und die Kontinuität konnte ausreichend sichergestellt werden. Daher erfüllt das Beispiel 1 auch die vorstehend genannten Bedingungen α bis γ.
  • Im Gegensatz dazu waren im Vergleichsbeispiel 1 alle vorstehend genannten Bedingungen, welche die OF betreffen, nicht erfüllt.
  • Im Vergleichsbeispiel 2 ist die OF-Orientierungsgenauigkeit selbstverständlich besser als diejenige im Vergleichsbeispiel 1. Ferner beträgt die Ausbeute unter der Bedingung von ± 0,010° 95,65 %. Dennoch ist es unmöglich, die Orientierungsgenauigkeit und die Ausbeute von Beispiel 1 zu erreichen. Zunächst ist die Wafergruppe des Vergleichsbeispiels 2 aus Wafern von verschiedenen Blöcken aufgebaut. Daher ist die Kontinuität der Zusammensetzung und der Defekte bzw. des Defekts keinesfalls sichergestellt und selbstverständlich ist jede der vorstehend genannten Bedingungen nicht erfüllt. Demgemäß ist es unmöglich, das Problem der vorliegenden Erfindung zu lösen.
  • Als Ergebnis dessen wird gemäß dem vorstehend genannten Beispiel verdeutlicht, dass eine Technik bereitgestellt wird, die eine Wafergruppe bereitstellen kann, die das Sicherstellen der Einheitlichkeit von Produkten erleichtern kann, die aus der Wafergruppe hergestellt sind, deren Zusammensetzung zwischen Wafern variiert, die Unsicherheitsfaktoren bei der Bildung einer OF ausschließen kann und die eine OF mit einer extrem hohen Wahrscheinlichkeit und einer extrem hohen Genauigkeit bilden kann.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Waferherstellungsvorrichtung
    2
    Tisch
    21
    Vorwölbung
    3
    Ritzeinrichtung
    31
    Ritzstift
    32
    Halteelement
    4
    Drückteil
    41
    Drückteilkörper
    411
    Metallbefestigungselement
    42
    Hin- und herschwenkender Teil
    421
    Metallteil
    43
    Drückkörper
    44
    Vorragender Teil
    5
    Einstelleinrichtung
    W
    Wafer
    W'
    Fragment
    S
    Ritz
    G
    Lücke

Claims (17)

  1. Wafergruppe, die aus einer Mehrzahl von Wafern aufgebaut ist, die von demselben Block erhalten worden sind, wobei alle Wafer eine Orientierungsabflachung (OF) aufweisen, wobei die Wafergruppe aus 70 oder mehr Wafern aufgebaut ist, wobei bezüglich der OF-Orientierungsgenauigkeit der Wafergruppe, die durch einen Winkel repräsentiert ist, die OF-Orientierungsgenauigkeit in jedem Wafer innerhalb von ± 0,010° liegt, und wobei die Standardabweichung der OF-Orientierungsgenauigkeit der Wafergruppe 0,0015 oder weniger beträgt.
  2. Wafergruppe nach Anspruch 1, wobei mindestens eine der folgenden Bedingungen erfüllt ist: Bedingung 1: Ein Wert, der durch Subtrahieren eines Minimumwerts von einem Maximumwert der OF-Orientierungsgenauigkeit in jedem Wafer erhalten wird, beträgt 0,010° oder weniger; Bedingung 2: Ein Wert, der durch Subtrahieren eines Durchschnittswerts der OF-Orientierungsgenauigkeit der Wafergruppe von dem Maximumwert der OF-Orientierungsgenauigkeit in jedem Wafer erhalten wird, beträgt 0,006° oder weniger; Bedingung 3: Ein Wert, der durch Subtrahieren des Minimumwerts der OF-Orientierungsgenauigkeit in jedem Wafer von dem Durchschnittswert der OF-Orientierungsgenauigkeit der Wafergruppe erhalten wird, beträgt 0,006° oder weniger..
  3. Wafergruppe nach Anspruch 1 oder 2, wobei für jeden Wafer, der die Wafergruppe aufbaut, eine Auftragung erstellt wird, in der die Anzahl von jedem Wafer aufeinander folgend von der Seite nahe an einem Ende des Blocks als X-Achse genommen ist und die Konzentration eines vorgegebenen Elements in jedem Wafer als Y-Achse genommen ist, und in dieser Auftragung die Anzahl von Abschnitten, bei denen die Stetigkeit der Auftragung verlorengegangen ist, eine Anzahl ist, die gleich oder weniger als 10 % eines Werts ist, der durch Addieren der Anzahl dieser Abschnitte zu der Gesamtzahl der Wafer in der Wafergruppe erhalten wird, und verglichen mit einem Wafer einer beliebigen Anzahl ein Zunahme-/Abnahmewert der Konzentration des vorgegebenen Elements in einem Wafer mit der nächsten Anzahl das Dreifache des Zunahme-/Abnahmewerts oder weniger ist, der sich aus der Stetigkeit der Auftragung ergibt.
  4. Wafergruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Wafer ein Halbleiterwafer mit Spalteigenschaften ist.
  5. Wafergruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei eine Ebene, welche die OF bildet, eine von (011), (0-1-1), (0-11) und (01-1) ist.
  6. Waferherstellungsvorrichtung für einen Wafer mit zwei gegenüberliegenden unteren und oberen Flächen und einer Orientierungsabflachung (OF), die durch Spalten gebildet wird, umfassend: einen Tisch, der zwischen einem Fixieren des Wafers und einer Freigabe einer Fixierung von der unteren Fläche frei umgeschaltet werden kann und der frei doppelt geöffnet werden kann; eine Ritzeinrichtung, die einen Ritz auf der unteren Fläche zum Spalten des Wafers einbringt und die in einer bandartigen Lücke an einer Verbindung des doppelt offenen Tischs angeordnet ist und entlang der Lücke bewegbar ist; einen Drückteil, der über dem Tisch angeordnet ist und in einer vertikalen Richtung bewegbar ist; und einen Klappenöffnungsmechanismus zum doppelten Öffnen des Tischs nach unten einhergehend mit einer Abwärtsbewegung des Drückteils, wobei der Drückteil einen Drückkörper umfasst, der einen langen Abschnitt zum Drücken der oberen Fläche des Wafers aufweist, und der über der Lücke und entlang der Lücke des Tischs angeordnet ist, so dass er entlang der Lücke in einer pendelnden Weise frei hin- und herschwenkbar ist.
  7. Waferherstellungsvorrichtung nach Anspruch 6, wobei der Drückteil ferner den Klappenöffnungsmechanismus umfasst und der Klappenöffnungsmechanismus ein vorragendes Teil ist, das von dem Drückkörper nach unten ragt, und ein vorragendes Teil ist, das den Tisch, durch Bewegen des Drückteils nach unten, schiebt und doppelt öffnet.
  8. Waferherstellungsvorrichtung nach Anspruch 7, die ferner eine Einstelleinrichtung umfasst, die eine vertikale relative Position zwischen dem Drückkörper und dem vorragenden Teil in dem Drückteil einstellt.
  9. Waferherstellungsvorrichtung nach Anspruch 7 oder 8, wobei der Tisch gemäß eines Bewegungsausmaßes des vorragenden Teils frei doppelt geöffnet und geschlossen wird.
  10. Waferherstellungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, wobei der Drückkörper geneigt ist, so dass in einem stationären Zustand ein Ende des langen Abschnitts des Drückkörpers niedriger angeordnet ist, als das Ende davon.
  11. Waferherstellungsverfahren für einen Wafer mit zwei gegenüberliegenden unteren und oberen Flächen und einer Orientierungsabflachung (OF), die durch Spalten gebildet wird, umfassend die Schritte: Einbringen eines Ritzes auf der unteren Fläche zur Bildung einer OF mindestens als Teil einer vorgesehenen Spaltlinie durch eine Ritzeinrichtung, die in einem bandartigen Spalt an einer Verbindung eines doppelt offenen Tischs angeordnet ist, der frei doppelt geöffnet werden kann, wobei eine untere Flächenseite des Wafers an dem Tisch fixiert ist; und doppeltes Öffnen des Tischs nach unten einhergehend mit einer Abwärtsbewegung des Drückteils durch Bewegen des Drückteils, umfassend einen Drückkörper mit einem langen Abschnitt, der entlang der Lücke in einer pendelnden Weise frei hin- und herschwenkbar ist, von einer Oberseite zu einer Unterseite des Tischs nach der Freigabe einer Fixierung des Wafers, und Spalten des Wafers durch Drücken der vorgesehenen Spaltlinie auf der oberen Fläche gegenüber dem Ritz, der auf der unteren Fläche eingebracht worden ist, durch den langen Abschnitt des Drückkörpers.
  12. Waferherstellungsverfahren nach Anspruch 11, wobei in dem Spaltschritt der Tisch durch einen vorragenden Teil, der ein Teil des Drückteils ist und von dem Drückkörper nach unten vorragt, durch Bewegen des Drückteils von einer Oberseite zu einer Unterseite des Tischs geschoben und doppelt geöffnet wird.
  13. Waferherstellungsverfahren nach Anspruch 12, wobei der Spaltschritt die Schritte umfasst: Inkontaktbringen des langen Abschnitts des Drückkörpers mit der oberen Fläche; Drücken der vorgesehenen Spaltlinie auf der oberen Fläche durch den langen Abschnitt des Drückkörpers; und Schieben und doppelt Öffnen des Tischs durch den vorragenden Teil.
  14. Waferherstellungsverfahren nach Anspruch 12 oder 13, umfassend die Schritte: Schließen des doppelt geöffneten Tischs durch Bewegen des vorragenden Teils nach dem Spaltschritt nach oben; und Durchführen des Ritzschritts und des Spaltschritts nach dem Schließschritt mit einem anderen Wafer.
  15. Waferherstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, ferner umfassend den Schritt: Einstellen einer vertikalen relativen Position zwischen dem Drückkörper und dem vorragenden Teil in dem Drückteil vor dem Spaltschritt gemäß der Dicke des Wafers.
  16. Waferherstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 15, wobei in dem Ritzschritt ein Ritz auf einer Periphärie der unteren Fläche eingebracht wird, wobei es sich um ein Ende der vorgesehenen Spaltlinie handelt, und der Drückkörper geneigt wird, so dass in einem stationären Zustand ein Ende des langen Abschnitts des Drückkörpers niedriger angeordnet ist als das andere Ende davon, und in dem Spaltschritt ein Abschnitt der vorgesehenen Spaltlinie auf der oberen Fläche, die gegenüber dem anderen Ende angeordnet ist, wo der Ritz nicht auf der vorgesehenen Spaltlinie auf der unteren Fläche eingebracht ist, zuerst mit dem Drückkörper in Kontakt gebracht wird.
  17. Wafergruppe, die aus einer Mehrzahl von Wafern aufgebaut ist, die alle eine Orientierungsabflachung (OF) aufweisen, wobei die Wafergruppe aus 30 oder mehr Wafern aufgebaut ist, und für jeden Wafer, der die Wafergruppe aufbaut, eine Auftragung erstellt wird, in der die Anzahl von jedem Wafer aufeinander folgend von der Seite nahe an einem Ende des Blocks als X-Achse genommen ist und eine Konzentration eines vorgegebenen Elements in jedem Wafer als Y-Achse genommen ist, und in dieser Auftragung die Anzahl von Abschnitten, bei denen die Stetigkeit der Auftragung verlorengegangen ist, eine Anzahl ist, die gleich oder weniger als 10 % eines Werts ist, der durch Addieren der Anzahl dieser Abschnitte zu einer Gesamtzahl der Wafer in der Wafergruppe erhalten wird, und verglichen mit einem Wafer mit einer beliebigen Anzahl ein Zunahme-/Abnahmewert der Konzentration des vorgegebenen Elements in einem Wafer mit der nächsten Anzahl das Dreifache des Zunahme-/Abnahmewerts oder weniger ist, der sich aus der Stetigkeit der Auftragung ergibt, und bezüglich der OF-Orientierungsgenauigkeit der Wafergruppe, die durch einen Winkel repräsentiert ist, die OF-Orientierungsgenauigkeit in jedem Wafer innerhalb von ± 0,010° liegt.
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