CN107112227B - 晶圆组、晶圆的制造装置及晶圆的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明的一个课题在于，提供一种在各晶圆之间组成是变动的晶圆组，自该晶圆组制造的产品容易确保均匀性。本发明的另一个课题在于，提供一种技术，利用该技术能够排除形成OF时的不确定因素，并能够以极高的概率和极高的精度来形成OF。本发明提供晶圆组和与其相关的技术，该晶圆组由自同一个铸锭得到的多个晶圆构成，而且所有的晶圆都具有OF，其中，该晶圆组由70张以上的晶圆构成，各晶圆的OF方位精度在±0.010°以内。

Description

晶圆组、晶圆的制造装置及晶圆的制造方法

技术领域

本发明涉及晶圆组、晶圆的制造装置及晶圆的制造方法，特别是涉及具有两个相对的主面和通过劈开形成的定位平面(OF)的晶圆组、晶圆的制造装置及晶圆的制造方法。

背景技术

作为半导体装置用途，主要使用晶圆(例如硅晶圆、GaAs晶圆)。如专利文献1所示，通过将铸锭切片来制作该晶圆。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005－243976号公报

发明内容

发明要解决的问题

在晶圆中，为了控制结晶的电特性，添加了作为杂质的预定的元素(以下称作“载体”。)。不言而喻，这对于作为晶圆的基础的铸锭也是同样的。载体具有在结晶熔体内偏析的倾向。因此，在利用结晶生长制作的铸锭的从一端到另一端之间，载体的浓度变动(例如增加)。

这样的话，在自同一个铸锭得到的晶圆中，理所当然在晶圆之间载体浓度并不恒定。详细地讲，在自同一个铸锭切下来的多个晶圆中，从自铸锭的一端附近切下来的晶圆A1观看时与另一端侧相邻的晶圆A2的载体浓度增加。这一点，在从晶圆A2观看并着眼于与另一端侧相邻的晶圆A3的载体浓度时也是同样的。

假定设想自同一个铸锭切下100张晶圆的情况。对于从铸锭的一端附近切下来的晶圆A1～从另一端附近切下来的晶圆A100，在将各晶圆的编号(A“1”，A“2”，···A“99”，A“100”)设为X轴、将各晶圆内的载体浓度设为Y轴时形成的曲线图成为具有连续性的直线或者曲线。其原因在于，各晶圆是由同一个铸锭制作的。

另外，这一点对于在铸锭内产生的缺陷也是同样的。也就是说，在按照上述的编号顺序观察各晶圆时，各晶圆内的缺陷的位置、大小一点点地变动。

另外，图1是该曲线图为直线的情况的图表。另外，为了便于说明，Y轴将各晶圆的编号增加时的载体浓度的变动量(在此是增量)作为1个单位来计算。以下，在易于理解地说明本实施方式的关系上，使用图1或者将其变形而成的图(图2)进行说明。

原本，无论在组成的方面还是在缺陷的位置、大小的方面，都优选在晶圆之间是完全相同的。其原因在于，若是完全相同的，则即使在使用晶圆制造半导体装置等的情况下，也不必针对各晶圆逐个地变动在晶圆上设置其他物质时的条件，能够在相同的条件下进行制造工序。

但是，在自铸锭制作各晶圆的条件下，载体浓度的变动是不可避免的。这样的话，在使用晶圆制造半导体装置等的情况下，会使在晶圆上设置其他物质时的条件变动。但另一方面，在自同一个铸锭制作的各晶圆中，只要预先明确载体浓度如何变动、换一种说法就是载体浓度的连续性，就也可以与载体浓度的连续性相应地使在晶圆上设置其他物质时的条件也连续地变化。由此，能够使最终制造的半导体装置等的各种特性在各半导体装置等中均匀化。

但是，在此产生与晶圆的定位平面(以下简称作“OF”。)相关的较大的课题。

OF是形成在晶圆的周缘的平坦面，其例如在制造半导体装置时成为表示方向的较大的基准(例如参照专利文献1的[0002])。另一方面，晶圆在大多数情况下是极脆的。因此，在形成OF时，如预定地那样，晶圆并不劈开，在OF即劈开面产生高度差。这样的话，相对于晶圆的结晶面而言俯视时的OF的直线性发生偏离。将该偏离的程度称作“OF方位精度”，本说明书中的OF方位精度在利用X射线衍射法调查了自形成OF的预定的结晶面的偏离之后用角度(°)来表示，用+标记向预定的方向偏离的情况，用－标记向与该方向相反的方向偏离的情况。

假定在某一个晶圆上OF方位精度不良好的情况下，在制造半导体装置的过程中对晶圆进行加工时也反映出该OF方位精度，最终在制造半导体装置时该装置的各构成要素的配置关系的精度大大降低。

因此，在将自同一个铸锭得到的晶圆组提供给订购方的情况下，不能得力地形成OF的晶圆、即OF方位精度不良好的晶圆在提供之前被排除。不这样的话，就要预先向订购方出示与OF方位精度相关的信息，以供订购方那一侧挑选晶圆。

无论如何，以往在自同一个铸锭得到晶圆组时，都会导致制作出不少OF方位精度不良好的晶圆这样的结果。

假定设想自同一个铸锭切下100张晶圆的情况，上述的结果是指并不一定能够得到100张全部OF方位精度良好的晶圆的意思。也就是说，上述的结果是指在由100张晶圆构成的晶圆组中产生很多所谓的“欠缺的晶圆(日文：歯抜けとなるウェハ)”的意思。

这样的话，尽管是自同一个铸锭得到晶圆组，也会失去各晶圆之间的组成、缺陷的连续性。表示其情形的是图2。图2中的虚线是图1那样的晶圆编号递增的情况下理想的载体浓度的变化。但是，若在晶圆组中产生欠缺的晶圆，则晶圆编号递增的情况下的载体浓度表示图2的实线那样的举动。也就是说，在晶圆组中设想的组成的连续性和现实的组成的连续性会大大背离。

若发生这样的事态，则在自晶圆制造半导体装置等的情况下，即便预先使在晶圆上设置其他物质时的条件变动，在该条件和各晶圆之间的组成、缺陷的连续性之间也会产生较大的分歧。其结果，半导体装置等的产品性能有可能产生较大的偏差。

作为制作OF方位精度良好的晶圆的方法，公知有之前列举的专利文献1。在专利文献1中，利用应力和划线形成OF(专利文献1的[0024])。此外，多半是像日本特开2005－243976号公报的[0036]、日本特开2001－300869号公报的[0024]所记载的那样作业者用手形成OF的例子。

利用后述的实施例的项目进行说明，本发明人对包含本发明的实施例和比较例的累计13000张以上的晶圆进行实际形成OF的作业。

其结果，得出了这样的见解，即在以往的方法中，即使存在能够对于某1张晶圆形成良好的OF的情况，显然也难以以较高概率连续地持续形成良好的OF。也就是说，得出了这样的见解，即若是以往的方法，则是否能够形成良好的OF在一定程度上存在依赖于运气这样的不确定因素。

而且，更糟糕的是，随着半导体装置的元件的微细化，需求的OF方位精度逐年变严格。具体地讲，作为与半导体装置相关的标准规格之一的SEMI规格所要求的OF方位精度是±0.5°，但在通过劈开形成OF的情况下要求更严格的基准值。在本发明人的见解看来，需要±0.02°以内这样的严格的基准值。若需求的OF方位精度变严格，则理所当然在晶圆组中会被视为欠缺的量会变多。其原因在于，以往被视为合格而构成晶圆组的晶圆由于严格的基准值的原因而变为不合格，该被视为不合格的晶圆成为新的欠缺的晶圆。其结果，成为在自同一个铸锭得到的晶圆组中，连续性进一步丧失的结果，进而在于晶圆上设置其他物质时的条件和各晶圆之间的组成、缺陷的连续性之间会产生较大的分歧。这样的话，会在半导体装置等的产品性能上产生较大的偏差，有更高的可能无法确保产品的均匀性。

另外，也考虑有制造人员挑选收集OF方位精度良好的晶圆的做法，但这样的话，不仅能够自同一个铸锭回收的晶圆的成品率显著恶化，也理所当然会丧失相当一部分上述的连续性。

此外，在附注了与OF方位精度相关的信息的基础之上向订购方以晶圆不会出现欠缺情况的方式提供自同一个铸锭得到的晶圆组的情况下，虽然在该时刻确实能担保晶圆的组成和缺陷的连续性，但是在最后订购方要求较高的OF方位精度的情况下，需要订购方自晶圆组除去不合格的晶圆的作业，不仅晶圆会产生欠缺，也很有可能对订购方造成较大的负担。

本发明的一个课题在于，提供一种在各晶圆之间组成是变动的晶圆组，自该晶圆组制造的产品容易确保均匀性。

本发明的另一个课题在于，提供一种技术，利用该技术能够排除形成OF时的不确定因素，并能够以极高的概率和极高的精度来形成OF。

用于解决问题的方案

基于上述的各见解，而且包含本发明的实施例和比较例在内地，根据本发明人对于累计13000张以上的晶圆进行实际形成OF的作业的结果得出的见解做成的本发明的技术方案如下。

本发明的第1技术方案是一种晶圆组，

该晶圆组由自同一个铸锭得到的多个晶圆构成，而且所有的所述晶圆都具有定位平面(OF)，其中，

所述晶圆组由70张以上的所述晶圆构成，

在用角度表示的所述晶圆组的OF方位精度中，各晶圆的OF方位精度在±0.010°以内。

根据第1技术方案所述的发明，在本发明的第2技术方案中，

该晶圆组满足以下各条件中的至少任一者。

(条件1)自各晶圆的OF方位精度的最大值减去最小值而得到的值在0.010°以下。

(条件2)自各晶圆的OF方位精度的最大值减去所述晶圆组的OF方位精度的平均值而得到的值在0.006°以下。

(条件3)自所述晶圆组的OF方位精度的平均值减去各晶圆的OF方位精度的最小值而得到的值在0.006°以下。

(条件4)所述晶圆组的OF方位精度的标准偏差在0.0015以下。

根据第1或第2技术方案所述的发明，在本发明的第3技术方案中，

对于构成所述晶圆组的各晶圆而言，在将从接近所述铸锭的一端的一侧按顺序标注的各晶圆的编号设为X轴、将各晶圆内的预定的元素的浓度设为Y轴时形成的曲线图中，所述曲线图的丧失连续性的部分的数量是所述晶圆组的所述晶圆的总张数加上该部分的数量而得到的值的10％以下的数量，而且与任意编号的晶圆相比下一个编号的晶圆的预定的元素的浓度的增减值是根据所述曲线图的连续性设想的增减值的3倍以下。

根据第1～第3中的任一个技术方案所述的发明，在本发明的第4技术方案中，

所述晶圆是具有劈开性的半导体晶圆。

根据第1～第4中的任一个技术方案所述的发明，在本发明的第5技术方案中，

构成所述OF的面是(011)、(0－1－1)、(0－11)及(01－1)中的任一者。

本发明的第6技术方案是一种晶圆的制造装置，

该晶圆具有相对的下表面和上表面这两个面，并且具有通过劈开形成的定位平面(OF)，其特征在于，

该制造装置包括：

载物台，该载物台能够在自所述晶圆的下表面固定所述晶圆和解除该固定之间自由地切换，且该载物台双开自由；

划线部，其用于在所述下表面上划出用于使所述晶圆劈开的划线，该划线部配置在成为所述载物台的双开的接缝的带状的间隙，而且沿着所述间隙移动自由；

按压部，其配置在比所述载物台靠上方的位置，而且在上下方向上移动自由；以及

开门机构，其与所述按压部向下方的移动连动地使所述载物台向下方双开，

所述按压部包括具有按压所述晶圆的所述上表面的长条部分的压头，该压头沿着所述载物台的所述间隙配置在所述间隙的上方，而且沿着所述间隙以钟摆方式摆动自由。

根据第6技术方案所述的发明，在本发明的第7技术方案中，

所述按压部还包括所述开门机构，

所述开门机构是突出到比所述压头靠下方的位置的突出部，该突出部通过所述按压部移动到下方来推开所述载物台使其双开。

根据第7技术方案所述的发明，在本发明的第8技术方案中，

该晶圆的制造装置还包括调节部，该调节部用于调节所述按压部的所述压头和所述突出部在上下方向上的相对位置。

根据第7或第8技术方案所述的发明，在本发明的第9技术方案中，

所述载物台与所述突出部的移动量相应地开闭自由。

根据第6～第9中的任一个技术方案所述的发明，在本发明的第10技术方案中，

以在静置状态下所述压头的所述长条部分的一端位于比另一端靠下方的位置的方式将所述压头倾斜。

本发明的第11技术方案是一种晶圆的制造方法，

该晶圆具有相对的下表面和上表面这两个面，并且具有通过劈开形成的定位平面(OF)，其特征在于，

该晶圆的制造方法包括以下的工序：

划线工序，在该划线工序中，在以晶圆的下表面侧朝向载物台的方式将晶圆固定在双开自由的载物台上的状态下，利用配置在成为所述载物台的双开的接缝的带状的间隙中的划线部将用于形成OF的划线作为劈开预定线的至少一部分在所述下表面划出；以及

劈开工序，在该劈开工序中，在解除了所述晶圆的固定之后，通过使包括具有沿着所述间隙以钟摆方式摆动自由的长条部分的压头的按压部从所述载物台的上方向下方移动，与所述按压部向下方的移动连动地使所述载物台向下方双开，并且利用所述压头的所述长条部分按压所述上表面的所述劈开预定线的、与在所述下表面划出的划线相对的部分，使所述晶圆劈开。

根据第11技术方案所述的发明，在本发明的第12技术方案中，

在所述劈开工序中，通过使所述按压部从所述载物台的上方向下方移动，利用所述按压部的一部分且是突出到比所述压头靠下方的位置的突出部推开所述载物台使其双开。

根据第12技术方案所述的发明，在本发明的第13技术方案中，

所述劈开工序包括以下的工序：

接触工序，在该接触工序中，使所述压头的所述长条部分接触所述上表面；

按压工序，在该按压工序中，利用所述压头的所述长条部分按压所述上表面的所述劈开预定线；以及

开门工序，利用所述突出部推开所述载物台使其双开。

根据第12或第13技术方案所述的发明，在本发明的第14技术方案中，

该晶圆的制造方法在所述劈开工序之后包括使所述突出部向上方移动而将双开的所述载物台关门的关门工序，

在所述关门工序之后进行对其他晶圆进行所述划线工序和所述劈开工序。

根据第12～第14中的任一个技术方案所述的发明，在本发明的第15技术方案中，

该晶圆的制造方法在所述劈开工序之前还包括与所述晶圆的厚度相应地调节所述按压部的所述压头和所述突出部在上下方向上的相对位置的调节工序。

根据第11～第15中的任一个技术方案所述的发明，在本发明的第16技术方案中，

在所述划线工序中，在所述下表面的作为所述劈开预定线的一端的周缘划出划线，

以在静置状态下所述压头的所述长条部分的一端位于比另一端靠下方的位置的方式将所述压头倾斜，

在所述劈开工序中，使所述上表面的所述劈开预定线的如下部分和所述压头最先接触，该部分是所述上表面的所述劈开预定线的、与所述下表面的所述劈开预定线中的未划出划线的一端相对的部分。

本发明的第17技术方案是一种晶圆组，

该晶圆组由多个晶圆构成，而且所有的所述晶圆都具有定位平面(OF)，其中，

所述晶圆组由30张以上的所述晶圆构成，

对于构成所述晶圆组的各晶圆而言，在将按照各晶圆内的预定的元素的浓度较低的顺序标注的各晶圆的编号设为X轴、将各晶圆内的预定的元素的浓度设为Y轴时形成的曲线图中，所述曲线图的丧失连续性的部分的数量是所述晶圆组的所述晶圆的总张数的10％以下的数量，而且与任意编号的晶圆相比下一个编号的晶圆的预定的元素的浓度的增减值是根据所述曲线图的连续性设想的增减值的3倍以下，

在用角度表示的所述晶圆组的OF方位精度中，各晶圆的OF方位精度在±0.010°以内。

发明的效果

采用本发明，能够提供一种在各晶圆之间组成是变动的晶圆组，自该晶圆组制造的产品容易确保均匀性。

此外，采用本发明，能够提供一种技术，利用该技术能够排除形成OF时的不确定因素，并能够以极高的概率和极高的精度来形成OF。

附图说明

图1是表示对于构成晶圆组的各晶圆而言将从接近铸锭的一端的一侧按顺序标注的各晶圆的编号设为X轴、将各晶圆内的预定的元素的浓度设为Y轴时形成的曲线图的图表。

图2是在图1中存在欠缺的晶圆的情况下的图表。

图3是本实施方式的晶圆的制造装置的概略立体图。

图4是本实施方式的晶圆的制造装置的概略立体图，且是表示劈开晶圆并且突出部将载物台向下方推开的情形的图。

图5是本实施方式的按压部和调节部的概略立体图。

图6是表示本实施方式的压头按压晶圆的情形的概略剖视图，图6的(a)表示按压前的情形，图6的(b)表示按压中的情形。

图7是表示本实施例的OF方位精度的测量情形的概略图。

具体实施方式

以下，按照以下的顺序对本实施方式进行说明。

1.晶圆组

2.晶圆的制造装置

2－1.载物台

2－2.划线部

2－3.按压部

2－3－1.按压部主体

2－3－2.摆动部

2－3－3.压头

2－3－4.突出部(开门机构)

2－4.调节部

2－5.其他的装置结构

3.晶圆的制造方法

3－1.准备工序

3－2.划线工序

3－3.调节工序

3－4.劈开工序

3－4－1.接触工序

3－4－2.按压工序

3－4－3.开门工序

3－5.关门工序

3－6.其他的工序

4.实施方式的效果

5.变形例等

在本说明书中，“～”是指预定的值以上且预定的值以下。

＜1.晶圆组＞

本实施方式的晶圆组是由自同一个铸锭得到的多个晶圆构成且所有晶圆都具有定位平面(OF)的晶圆组。

作为本实施方式的晶圆，只要是具有两个相对的主面和通过劈开形成的OF的晶圆，就没有限定。换一种说法，只要是由能够通过劈开形成OF的材料形成的晶圆，就没有特别的限定。

作为本实施方式的晶圆，能够列举出具有劈开性的半导体晶圆。作为其具体例，能够列举出硅晶圆、GaAs晶圆、InP晶圆等立方晶基板、III族氮化物晶圆、蓝宝石等六方晶基板等公知的晶圆。其中，GaAs晶圆极易劈开，以往难以获得良好的OF方位精度。因此，通过将GaAs晶圆作为对象，采用本实施方式的方法，能够享受较大的优点。

另外，考虑到劈开容易性，在晶圆中的构成OF的面大多根据SEMI等标准规格来决定，例如在采用立方晶基板时优选设为(011)、(0－1－1)、(0－11)及(01－1)中的任一者。

在此，作为本实施方式的晶圆组，在用角度表示的所述晶圆组的OF方位精度中，各晶圆的OF方位精度满足±0.010°以内这样的条件。这是在本实施方式的晶圆组中作为大前提的条件。

通过满足上述的条件，能够充分满足逐年变严格的OF方位精度。其结果，能够提高在制造半导体装置的过程中对晶圆进行加工时的各构成要素的配置关系的精度，能够应对元件的微细化，能够制造优质的半导体装置等。

在此基础之上，优选满足以下各条件中的至少任一者。(条件1)自各晶圆的OF方位精度的最大值减去最小值而得到的值是0.010°以下。

(条件2)自各晶圆的OF方位精度的最大值减去晶圆组的OF方位精度的平均值而得到的值是0.006°以下。

(条件3)自晶圆组的OF方位精度的平均值减去各晶圆的OF方位精度的最小值而得到的值是0.006°以下。

(条件4)晶圆组的OF方位精度的标准偏差是0.0015以下(作为具体例是0.0010～0.0015)。

通过满足上述的条件，能够更可靠地充分满足OF方位精度。进而，能够进一步提高各构成要素的配置关系的精度，能够制造更优质的半导体装置等。

不言而喻，各晶圆即晶圆组的所有晶圆的OF方位精度也可以仅满足±0.010°以内这样的作为大前提的条件。进一步说明，在满足OF方位精度为±0.010°以内这样的条件的基础之上，与其说既可以单独应用上述的各条件1～4，也可以将各条件1～4多个组合起来，不如说通过满足多个组合而成的条件，能够提供极力提升了OF方位精度的晶圆组，因此较为优选。

另外，着眼于上述的各条件，利用后述的实施例的项目说明以往的晶圆组和本发明的晶圆组大不相同的方面。

此外，本实施方式的晶圆组由70张以上的晶圆构成。假定在由自同一个铸锭得到的晶圆且是张数极少的晶圆构成晶圆组的情况下，若是由从铸锭中的散乱的部位切下来的晶圆构成的晶圆组，则组成、缺陷的连续性几乎不存在，即便欲从铸锭的特定部位集中地切下晶圆，由于在以往的方法中OF的形成存在不确定因素，因此要保持组成、缺陷的连续性也明显是困难的。其结果，在OF的形成存在不确定因素的以往的状况下，尚不存在也不可能存在这样的晶圆组，即，该晶圆组能够“自同一个铸锭得到”，且该晶圆组“具有上述那样的良好的OF方位精度”并包括“70张以上的晶圆”。

另一方面，通过满足“自同一个铸锭得到”“具有上述那样的良好的OF方位精度的”“70张以上的晶圆”这样的条件，起到以下的效果。

首先，能够充分满足逐年变严格的OF方位精度。除此之外，由于在自同一个铸锭得到的晶圆组中达到上述的条件，因此，能够良好地维持组成、缺陷的连续性。进而能够在于晶圆上设置其他物质时的条件和各晶圆之间的组成、缺陷的连续性之间取得整合，能够抑制半导体装置等的产品性能产生偏差。

另外，上述的连续性也可以以如下方式表示。

首先，对于构成晶圆组的各晶圆而言，将从接近铸锭的一端的一侧开始按顺序标注的各晶圆的编号设为X轴、将各晶圆内的预定的元素的浓度设为Y轴地形成曲线图。

另外，该预定的元素既可以是指载体，也可以是指除此之外的任意元素。在本实施方式中，列举预定的元素是指载体的情况、浓度是指载体浓度的例子。

在该曲线图中，通过满足以下的条件，至少能够确保组成的连续性。

(条件α)曲线图的丧失连续性的部分的数量设为晶圆组的晶圆的总张数加上该部分的数量而得到的值的10％以下的数量。

(条件β)与任意编号的晶圆相比，下一个编号的晶圆的预定的元素的浓度的增减值设为根据曲线图的连续性设想的增减值的3倍以下。

以下，说明条件α和条件β。

首先，关于条件α，“曲线图的丧失连续性的部分”正如其名，是指如图2所示尽管在该部分之前保持了曲线图的连续性(例如若是浓度直线地增加的情况则是预定的梯度)，但梯度急剧变动的部分。该连续性的丧失是由在从同一个铸锭切下了晶圆之后不能形成良好的OF而晶圆欠缺引起的。也就是说，尽管原本在从铸锭切下来的时刻在各晶圆之间保持了连续性，由于不能形成良好的OF，会排除很多的晶圆，因此，在成为晶圆组时会丧失组成的缺陷的连续性。

换一种见解，假定在浓度直线地变化的情况下，只要排除图2所示的“曲线图的丧失连续性的部分”，仅汇集具有连续性的部分，就能够形成相同梯度的直线。也可以将表示自能够这样形成的直线错开的举动的部分称作“曲线图的丧失连续性的部分”。另外，即使在浓度曲线地变化的情况下，也是只要仅汇集具有连续性的部分，就能够形成具有相同举动的曲线。因此，在浓度曲线地变化的情况下，也可以应用本实施方式。

也就是说，在条件α中，“曲线图的丧失连续性的部分的数量”相当于在从同一个铸锭切下了晶圆之后构成晶圆组时欠缺的晶圆的张数，相当于图2中所说的不连续的部位的数量。此外，将欠缺的晶圆的张数和构成晶圆组的晶圆的张数相加而得到的值是从同一个铸锭切下来的晶圆的张数。

其结果，用曲线图的丧失连续性的部分的数量除以晶圆组的晶圆的总张数加上该部分的数量而得到的值进而乘以100而得到的值是欠缺晶圆的大致的产生率(％)。在这种情况下，作为曲线图的丧失连续性的部分，在连续地产生多张欠缺晶圆的情况下也算作1处。针对连续地产生多张欠缺晶圆的情况，在后述的条件β下进行准备。

在本实施方式中，优选将欠缺晶圆的产生率设为10％以下。利用该结构，在晶圆之间至少关于组成能够充分确保连续性。另外，在后述的实施例的项目中会进行说明，在欲自同一个铸锭得到晶圆组的比较例1中，以±0.010°为基准时的成品率是88.9％(即，欠缺晶圆的产生率是11.1％)。另一方面，通过设为“将曲线图的丧失连续性的部分的数量设为晶圆组的晶圆的总张数加上该部分的数量而得到的值的10％以下的数量”，与以往的晶圆组相比能够谋求极为有意的差别化，能够实现该差别化的状况如后述的实施例1所示。

另外，晶圆的欠缺除了因不能形成良好的OF而产生之外，还因排除发生了某种不良情况的晶圆而产生，也因对晶圆组进行抽选检查而产生。特别是在进行抽选检查的情况下，有时还对铸锭的一端附近的晶圆、另一端附近的晶圆、中心附近的晶圆共计3张进行抽选检查。条件α和后述的条件β是鉴于这样的情况的值。另外，只要始终在相同的位置进行抽选检查，就不算不确定因素，在使用方面几乎不产生不便情况。

另外，曲线图的丧失连续性的部分的数量优选为晶圆组的晶圆的总张数加上该部分的数量而得到的值的8％以下，更优选为4％以下。

其次，关于条件β，在之前列举的曲线图中载体浓度直线地增加的情况下，若晶圆产生欠缺，则与任意编号的晶圆相比下一个编号的晶圆的载体浓度急剧增加。例如，如图2所示，在曲线图的梯度是1的情况下，下一个编号的晶圆的载体浓度本应增加1但实际上载体浓度增加2的情况(图2中的不连续(之1)的部位)表示1张晶圆欠缺。也就是说，若在图2中的不连续(之1)的部位的增减值是根据曲线图的连续性设想的增减值的两倍，则表示在不连续(之1)的部位处存在1张晶圆欠缺。同样，若在图2中的不连续(之2)的部位的增减值是根据曲线图的连续性设想的增减值的3倍，则表示在不连续(之2)的部位处存在两张晶圆连续地欠缺。

也就是说，在条件β中，“与任意编号的晶圆相比，下一个编号的晶圆的预定的元素的浓度的增减值是根据曲线图的连续性设想的增减值的3倍以下(优选为两倍以下)”表示在自形成OF之前的各晶圆形成OF而最终得到晶圆组时不会出现3张晶圆连续地欠缺的情况(优选为不会出现两张晶圆连续地欠缺的情况)。换一种说法，表示至多只有两张晶圆连续地欠缺，优选的是不会产生晶圆连续地欠缺的情况。这是表示不存在像图2的不连续(之3)的部位的增减值那样是根据曲线图的连续性设想的增减值的4倍的部位。换一种说法，表示即便在自同一个铸锭得到晶圆组时晶圆连续地产生欠缺，最多也只是连续两张欠缺。

另外，也可以设想这样的情况，即曲线图不像上述例子那样是直线而是例如二次曲线那样的曲线，但在这种情况下，也可以应用上述的规定。说起来即使这里所说的预定的元素(例如由杂质引起的载体浓度)在铸锭内变动，其变动程度也较小。因此，即使在曲线图不是直线的情况下，也能够利用此处列举的条件β充分地确保组成的连续性。

利用上述的条件α和β，即使自同一个铸锭得到了晶圆，也能够保证至少组成在各晶圆之间不发生急剧的变动，至少组成能够更可靠地确保且把握连续性。其结果，能够更可靠地使最终制造的半导体装置等的各种特性在各半导体装置等中均匀化。

＜2.晶圆的制造装置＞

以下，使用图3～图6说明用于制造上述的晶圆组的装置。

图3是本实施方式的晶圆的制造装置1的概略立体图。另外，为了便于说明，用虚线示出了突出部44和调节部5。

图4是本实施方式的晶圆的制造装置1的概略立体图，是表示劈开晶圆并且突出部44将载物台2向下方推开的情形的图。

图5是本实施方式的按压部4和调节部5的概略立体图。

图6是表示本实施方式的压头43按压晶圆的情形的概略剖视图，图6的(a)表示按压前的情形，图6的(b)表示按压中的情形。

另外，作为本实施方式的晶圆的制造装置1(换一种说法是晶圆的劈开装置)的对象的晶圆W(以下省略晶圆的附图标记。)具有两个相对的主面。在本实施方式中，为了便于说明，对于两个相对的主面，将划出划线S的一侧设为下表面，将被压头43按压的一侧设为上表面。若进一步讲的话，会在后面详细描述，将形成了OF之后产生的晶圆的破片W’自载物台2的间隙G落下的方向(即天地的地的方向)设为下方。

此外，有时也将晶圆的上表面、晶圆的下表面简称作“上表面”、“下表面”。

2－1.载物台2

如图3所示，本实施方式的载物台2是为了OF而对晶圆的切断部位进行划痕(所谓的划出划线S)的作业或者进行劈开的部分。此外，本实施方式的载物台2使用能够自由切换晶圆的固定和该固定的解除的结构。

晶圆的固定方法也可以使用公知的方法，例如制造装置也可以具有能够利用载物台2对晶圆进行真空吸附和解除该真空吸附的结构。

在此，在本实施方式中，如图4所示，载物台2采用双开自由的结构。详细见后述，通过采用该结构，不仅能够抑制在劈开晶圆时对一个部位施加载荷，也能够使劈开的后的晶圆的破片W’迅速地向下方落下。

另外，在本实施方式的载物台2中，在双开的接缝预先设置带状的间隙G。该间隙G既具有像之前说明的那样使晶圆的破片W’迅速落下这样的作用，也具有作为用于配置后述的划线部3的空间这样的作用。另外，间隙G的宽度只要是能够配置划线部3的宽度，而且详细见后述是能够稳定地劈开的宽度，就没有特别的限定。作为具体的数值，该宽度优选为3.0±0.1mm。

此外，在本实施方式中，既可以以载物台2整体呈双开的方式构成载物台2，也可以构成为至少在不对晶圆的劈开产生较大影响的范围内将载物台2的一部分设为双开。此外，成为双开的门的部分既可以是两个门的部分是相同的大小、形状(所谓的对开门)，也可以是互不相同的大小、形状(所谓的母子门)。

另外，这一点也是详细见后述，作为载物台2的成为双开的门的部分的结构，至少具有向下方双开的结构既可。此外，也可以采用这样的结构，在推开一个门时，例如通过使用弹簧构件、刚性构件等，使另一个门也连动地打开。利用该结构，通过利用后述的突出部44推开一个门，也能够推开不与突出部44接触的那个门，结果能够使载物台2双开。当然，也可以利用后述的突出部44推开两个门。

此外，优选的是与突出部44的移动量相应地开闭自由。优选的是，如图4(和其中的空心箭头)所示，在突出部44向下方移动与载物台2接触而推开了载物台2之后，在使突出部44向上方移动离开了载物台2的情况下，例如利用弹簧合叶等使载物台2自动关闭的结构。利用该结构，不需要逐个地使载物台2恢复到初始状态的作业，能够连续地进行劈开。

2－2.划线部3

本实施方式的划线部3是在晶圆的下表面上划出划线S的部分，划线S用于使晶圆劈开。作为划线部3的结构，只要具有能够形成划线S的部分，就可以是任意的结构。例如也可以通过在制造装置上设置划线笔31和用于支承该划线笔31的支承台32来构成划线部3。

作为划线笔31，也可以与晶圆的种类相应地使用公知的划线笔，例如也可以采用金刚石制的划线笔31。此外，划线笔31的形状、大小也可以与晶圆的种类、划线S的形状相应地适当变更。例如优选为划出长度4mm～6mm的划线S，但在这种情况下，优选为能划出深度40μm～50μm的划线S的程度的形状。此外，优选为能划出宽度50μm左右的划线S的程度的形状。

在此，在本实施方式中，划线部3具有配置在成为载物台2的双开的接缝的带状的间隙G且沿着该间隙G移动自由的结构。若列举具体的结构，则能够列举出这样的结构，即在载物台2的双开的间隙G的正下方设置轨道，将支承划线笔31的支承台32配置在该轨道上，使该支承台32在与间隙G平行的方向上移动自由。另外，优选采用使该支承台32在上下方向上也移动自由的结构。利用该结构，在晶圆的下表面形成划线S时，能够仅在晶圆的一部分从下方形成划线S，能够减少因随意地划出划线S来在晶圆上划痕而导致无用的劈开的可能性。

另外，在＜3.晶圆的制造方法＞中说明划出划线S的优选的方法和劈开的优选的方法。

2－3.按压部4

本实施方式的按压部4是用于通过按压晶圆的上表面而使晶圆以晶圆的下表面的划线S为起点地劈开的部分，其配置在比载物台2靠上方的位置且具有在上下方向上移动自由的结构。

作为按压部4的材质、大小、形状等具体的结构，只有具有上述的功能，就也可以使公知的结构。以下，在图5中表示的只是按压部4的一个具体例。

本实施方式的按压部4大致区分的话具有以下的结构。

·按压部主体41，其连结于晶圆的制造装置1

·摆动部42，其作为板状构件嵌入到按压部主体41的开孔部分

·压头43，其用于通过该按压部4移动到下方来按压晶圆的上表面

·突出部44，其是突出到比压头43靠下方的部分，且突出部44通过按压部4移动到下方来推开载物台2使载物台2双开

以下，说明各结构。

2－3－1.按压部主体41

按压部主体41连结于晶圆的制造装置1，从晶圆的制造装置1的控制部(未图示)接受指示，在上下方向上移动。随之，安装在按压部主体41上的压头43和突出部44也在上下方向上移动。

本实施方式的按压部主体41是板状构件。在利用被板状构件的两个主面夹着的底面使其自立的状态下进行观察时，按压部主体41是在下方具有开孔的板状构件，成为下方开放的大致日文片假名コ字形状。会在该开孔中收容同样是板状构件的摆动部42。而且，在该摆动部42的下方固着有压头43。

在按压部主体41的开孔的顶部，用于嵌入摆动部42的薄板状的金属配件411向下方延伸且彼此相对地分别安装在按压部主体41的两个主面上。在这两个金属配件411之间嵌入摆动部42。在这两个金属配件411上设有用于互相利用螺纹构件等固定的孔。通过在嵌入摆动部42之后向该两个孔中插入螺纹构件等，使摆动部42成为利用该螺纹构件等悬吊的形态。其结果，摆动部42和固着于该摆动部42的压头43也能够摆动。而且，通过安装在按压部主体41上的两个金属配件411，使该摆动成为摆动部42只能向按压部主体41的厚度方向的部分移动的状态。因此，摆动部42的摆动方向限定于左右方向(进而是载物台2的间隙G延伸的方向、而且是与之后的晶圆的劈开预定线平行的方向)(图5中的虚线箭头)。

2－3－2.摆动部42

本实施方式的摆动部42是嵌入到按压部主体41的开孔部分的板状构件。在其上部，在摆动部42的两个面上沿左右方向设有用于与该两个金属配件411连结的金属部421。而且，摆动部42的作为最下端的底面为了固着压头43而成为长条形状。用于在长条形状部分固着压头43的手段可以使用公知的手段，也可以适当地使用双面胶带、粘接剂。另外，作为摆动自由的角度，只要排除形成晶圆的OF时的不确定因素，能够良好且可靠地形成OF，就可以是任意的角度。

2－3－1.压头43

本实施方式的压头43是具有按压晶圆的上表面的长条部分的压头43，其沿着载物台2的间隙G且配置在间隙G的上方。并且，该压头43沿着间隙G以钟摆方式摆动自由(图5中的虚线箭头)。

以下，说明压头43的结构。

首先，压头43只要具有上述的结构，其材质、大小、形状就是任意的。

例如，该压头43也可以使用树脂制的材质。该树脂也可以使用公知的材质，例如也可以使用聚氨酯树脂。

此外，该压头43只要具有能够充分地覆盖对于劈开预定线的按压的长条形状即可，只要具有比劈开预定线长条的形状即可。

此外，作为配置压头43的部位(进一步说是配置摆动部42的部位)，如之前些许说明的那样，在配置于比载物台2靠上方的位置的按压部4中，压头43的长条部分与载物台2的间隙G平行，而且配置在间隙G的正上方。通过采用这样的结构，成为在载物台2的间隙G配置有划线部3的关系，在此基础上，使上表面的、与在下表面划出的划线S相对的劈开预定线位于压头43的长条部分的正下方。在该状态下使按压部4向下方移动时，压头43的长条部分能够以描摹上表面的劈开预定线的方式按压。

此外，本实施方式的压头43与作为固着目标的摆动部42一同沿着间隙G以钟摆方式摆动自由。通过这样使压头43沿着间隙G以钟摆方式摆动自由，起到以下的效果。以下，夹杂见解地进行说明。

首先，说起来作为无法对晶圆良好地进行劈开的原因，能够列举出负荷集中在不当的一个部位，在自预定劈开的面偏离的部位劈开。在作业者是人类的条件下，完全解决这一点是接近不可能的。

另一方面，作为无法对晶圆良好地进行劈开的其他原因，有时会对晶圆的劈开预定线整体同时施加负荷。在利用机械进行作业的情况下，这一点原本在机械中应是优点，但反过来成为了缺点。作为其原因，若对晶圆的劈开预定线整体同时施加负荷，则在劈开时压头43所按压的部位之间同时散乱地发生劈开。这样的话，并不一定限定为形成有一个劈开面，易于形成散乱的劈开面。

以上的见解是在本发明人实际劈开了累计13000张以上的晶圆之后得出的见解。

其结果，本发明人得出了采用以钟摆方式摆动自由的压头43这样的构思。利用该结构，即使压头43接触晶圆的上表面，开始按压，由于压头43以钟摆方式摆动自由，因此，负荷也不会仅集中在接触部位。在压头43接触了晶圆的上表面之后，压头43以描摹晶圆的上表面的劈开预定线的方式接触上表面。于是，直接就使基于压头43的按压变强，晶圆以形成在晶圆的下表面的划线S为起点地劈开，形成有OF。

上述的结构相对于利用机械进行作业的准确性而言，具有人类进行作业时人类所特有的、用于使负荷不集中在一个部位的力的斟酌。也就是说，是将机械的优点和人类的优点的融合具体化了的结构。

其结果，能够排除形成OF时的不确定因素，极为良好且极为可靠地形成OF，进而能够显著地减少自同一个铸锭形成的晶圆组中欠缺的晶圆。

另外，本实施方式的压头43如图6的(a)所示，非常优选预先以在静置状态下压头43的长条部分的一端位于比另一端靠下方的方式将压头43倾斜。详细见后述，能够使晶圆的上表面的劈开预定线的如下部分和压头43最先接触，该部分是晶圆的上表面的劈开预定线的、与晶圆的下表面的劈开预定线中的未划出划线S的一端相对的部分。而且，在使按压部4进一步向下方移动时，如图6的(b)所示，压头43从上表面的、与下表面中的未形成划线S的部位相对的部分以描摹劈开预定线的方式依次按压晶圆的上表面。其结果，能够平衡性良好地对晶圆的上表面赋予负荷，能够进一步排除形成OF时的不确定因素，更良好且可靠地形成OF。

另外，作为压头43的具体的倾斜方法，可以利用任意的方法，例如能够列举出预先加重摆动部42的一侧或者预先将摆动部42相对于按压部主体41的固定部位配置在靠近与下倾的一侧相反的方向等的方法。

2－3－2.突出部44(开门机构)

本实施方式的突出部44别名也称作开门机构。在本实施方式中，突出部44被设为按压部4的一部分，在按压部4的至少一侧(优选为劈开预定线中的划出划线S的一侧，且是在倾斜的压头43中位于上方的一端侧)突出到比压头43靠下方的位置地设置。该突出部44具有通过按压部4移动到下方来推开载物台2使其双开的功能。另外，为了与突出部44接触，也可以在载物台2的两个门上设有突起21。

突出部44突出到比压头43靠下方的位置地设置。其结果，在压头43接触晶圆的上表面的劈开预定线的同时或者其之前，突出部44与载物台2接触。利用该结构，在与压头43按压晶圆的上表面大致相同的时机，载物台2向下方双开。由此，起到以下的效果。

首先，在压头43按压晶圆的上表面时，通过使载物台2向下方双开，在劈开预定线内不仅向垂直方向施加负荷，也向水平方向施加负荷。这样的话，晶圆以打开划线S的伤口的方式挠曲，能够可靠地将划线S作为劈开的起点。然后，通过像上述那样预先将压头43倾斜，在划线S中施加劈开所需要的压力的瞬间，由于已经从划线S的相反侧沿着劈开预定线施加了该压力以上的压力，因此，能够排除从作为劈开起点的划线S到其相反侧的部分的劈开的行进方向的不确定因素。采用本实施方式，由于载物台2与按压部4向下方移动连动地开门，因此，能够排除形成OF时的不确定因素，极为良好且极为可靠地形成OF。

其次，通过使载物台2向下方双开，能够使劈开之后的不需要的晶圆的破片W’迅速地向载物台2下方落下(图4中的空心箭头)。假定在劈开之后也残留了晶圆的破片W’时，即使好不容易良好地形成OF，也有可能由于晶圆的破片W’而导致晶圆受伤。另外，使晶圆的破片W’落下的既可以是晶圆的双开的接缝的间隙G、除此之外的部位，也可以是另外设置的用于吸引晶圆的破片W’的机构。

另外，作为突出部44的突出程度，只要是起到上述效果的程度，就可以是任意的，但优选的是与压头43的最下端相比向下方突出加上晶圆的厚度以上的程度。通过这样做，能够在晶圆劈开之前可靠地推开载物台2，能够实现上述那样的负荷分散。此时，突出部44和压头43的高低差优选为[进行劈开的晶圆厚度]+[0.05mm～0.15mm]。该高低差根据进行劈开的晶圆的厚度、材质而改变，例如优选为劈开所需要的压力越大，则该高低差越大(使晶圆挠曲的程度越大)。

2－4.调节部5

在本实施方式中，优选还具备用于调节按压部4的压头43和突出部44的上下方向的相对位置的调节部5。本实施方式的调节部5设置在按压部主体41的左右单侧，其具有能够通过使旋钮捏手旋转来调整突出部44的突出程度的结构。另外，在本实施方式中，“按压部4的压头43和突出部44的上下方向的相对位置”是指压头43的最下端和突出部44的最下端的相对位置。

例如在晶圆较厚的情况下，若不使突出部44较大程度地突出，则也有可能在晶圆劈开之后突出部44才接触载物台2。但是，借助调节部5，能够自由地调节压头43按压晶圆的上表面的时机和突出部44推开载物台2的时机。进而，能够排除形成OF时的不确定因素，有助于良好且可靠地形成OF，并且能够显著地减少自同一个铸锭形成的晶圆组中欠缺的晶圆。

2－5.其他的装置结构

不言而喻，本实施方式的晶圆的制造装置1也可以具有除上述列举的构成之外的结构。例如也可以设置晶圆的输送机构、用于在划出划线S之前进行晶圆的对位的机构(均未图示)。上述没有特别记载的事项也可以采用公知的结构。

＜3.晶圆的制造方法＞

以下，说明本实施方式的晶圆的制造方法。但是，在上述的＜2.晶圆的制造装置＞中说明了晶圆的制造方法的一部分，省略重复的部分。

3－1.准备工序

在本工序中，进行用于实施本实施方式的晶圆的制造方法的准备。例如准备上述列举的晶圆，将其设定在载物台2上。

另外，像上述那样，以在静置状态下压头43的长条部分的一端位于比另一端靠下方的位置的方式预先将压头43倾斜。

3－2.划线工序

在本工序中，在以晶圆的下表面侧朝向载物台2的方式将晶圆固定在双开自由的载物台2上的状态下，利用配置在成为载物台2的双开的接缝的带状的间隙G的划线部3，将用于形成OF的划线S作为劈开预定线的至少一部分在下表面划出。

在本实施方式中，划线工序是在将晶圆固定在载物台2上的状态下进行的。通过这样做，能够对晶圆的下表面的劈开预定线可靠地划出划线S。另外，也可以通过利用晶圆的制造装置1的控制部使真空吸附功能开启来固定晶圆。

另外，划出划线S的部位也可以是任意的。例如既可以对晶圆的下表面的劈开预定线整体划出划线S，也可以在劈开预定线的一端或两端划出划线S。

但是，在本工序中，优选的是仅在晶圆的下表面的作为劈开预定线的一端的周缘预先划出划线S。通过这样做，在后述的劈开工序(详细地讲是接触工序)中如图6的(a)所示，能够使晶圆的上表面的劈开预定线的如下部分和压头43最先接触，该部分是晶圆的上表面的劈开预定线的、与晶圆的下表面的劈开预定线中的未划出划线S的一端相对的部分。通过采用该方法，能够抑制负荷集中在因划线S而变脆的部位，能够抑制在对劈开预定线整体施加负荷之前发生并不期望的劈开。也就是说，如图6的(b)所示，通过从上表面的、与下表面中的未形成划线S的部位相对的部分以描摹劈开预定线的方式依次按压，能够平衡性良好地对晶圆的上表面赋予负荷。其结果，能够进一步发挥人类进行作业时的人类所特有的、用于使负荷不集中在一个部位的力的斟酌。

3－3.调节工序

在后述的劈开工序之前，预先进行与晶圆的厚度相应地调节按压部4的压头43和突出部44的上下方向的相对位置的调节工序。关于将在调节工序中应调节的条件一般化(例如条件式)这方面，本发明人正在进行深入研究。在本说明书中，针对后述的实施例的项目记载作为实施例的各条件。

另外，不言而喻，本工序也可以作为上述的准备工序来进行。

3－4.劈开工序

在本工序中，在解除了晶圆的固定之后，通过使按压部4从载物台2的上方向下方移动，其中按压部4包括压头43，压头43具有沿着间隙G以钟摆方式摆动自由的长条部分，如图4所示，与按压部4向下方的移动连动地使载物台2向下方双开，并且利用压头43的长条部分按压上表面的劈开预定线的、与在下表面划出的划线S相对的部分，使晶圆劈开。

本工序的较大的特征之一在于，在与划线工序相反地解除了晶圆的固定之后进行劈开工序。假定与划线工序同样地在固定着晶圆的状态下进行本工序，则在利用压头43按压时，负荷的转移场所就没有了。这样的话，像之前说明的那样，负荷会施加于晶圆的一个部位，有可能发生并不期望的劈开。另一方面，通过在解除了晶圆的固定的状态下进行本工序，能够在晶圆劈开时的起点到终点的应力的作用下使晶圆自由地运动，从而能够抑制负荷施加于晶圆的一个部位。

另外，本工序大致区分的话具有以下的工序。

·使压头43的长条部分接触晶圆的上表面的接触工序

·利用压头43的长条部分按压晶圆的上表面的劈开预定线的按压工序

·利用突出部44推开载物台2使其双开的开门工序

通过在较短时间内几乎同时进行以上工序，能够起到本实施方式的效果。以下进行说明。

3－4－1.接触工序

本工序正如其名，是使压头43的长条部分接触晶圆的上表面的工序。在优选的本实施方式中，通过使按压部4向下方移动，使晶圆的上表面的劈开预定线的如下部分和压头43最先接触(图6的(a))，该部分是晶圆的上表面的劈开预定线的、与晶圆的下表面的劈开预定线中的未划出划线S的一端相对的部分。然后，从上表面的、与下表面中的未形成划线S的部位相对的部分以描摹劈开预定线的方式依次按压(图6的(b))。

另外，在使压头43接触之前，优选在晶圆的上表面的劈开预定线的上方0.05mm～0.20mm(优选为0.15mm)的位置预先使动作停止一下。通过从该位置进行本工序，能够不过于强势且不过于弱势而是适当地对晶圆施加负荷。

3－4－2.按压工序

然后，压头43以描摹劈开预定线的方式按顺序向劈开预定线的另一端接触过来。与此同时，对晶圆的上表面进行按压，以晶圆的下表面的划线S为起点地发生劈开。

3－4－3.开门工序

在该劈开发生的同时，在突出部44的作用下，载物台2向下方以双开的方式开门。通过这样做，能够抑制在使晶圆劈开时对一个部位施加载荷，在此基础之上，也能够使劈开之后的晶圆的破片W’迅速地向下方落下。

另外，也可以是，在进行上述的各工序前，预先使划线部3向间隙G的端退避。

经过以上的工序，晶圆能够沿着劈开预定线极为良好且极为可靠地劈开。而且，能够排除形成OF时的不确定因素。

3－5.关门工序

在本工序中，通过使按压部4(进而是突出部44)向上方返回，将双开的载物台2关门。

3－6.其他的工序

若要连续地针对其他晶圆形成OF，就也可以在关门工序之后对其他晶圆进行上述的各工序。此外，也可以在形成了OF之后对OF进行平滑化，另外，也可以进行制造晶圆所需要的诸多公知的处理。

＜4.实施方式的效果＞

采用本实施方式，除了上述记载的效果之外，主要起到以下的效果。

首先，能够充分满足逐年变严的OF方位精度。其结果，能够提高在制造半导体装置的过程中对晶圆进行加工时的各构成要素的配置关系的精度，能够应对元件的微细化，能够制造优质的半导体装置等。

此外，在自铸锭制作各晶圆的基础上，虽然载体浓度的变动是不可避免的，但若是本实施方式的晶圆组，例如能够维持载体浓度的连续性，能够预先把握该连续性。基于该把握结果，能够使最终制造的半导体装置等的各种特性在各半导体装置等中均匀化。

此外，利用上述的各结构，相对于利用机械进行作业的准确性而言，能够具有人类进行作业时的人类所特有的、用于使负荷不集中在一个部位的力的斟酌，能够使机械的优点和人类的优点融合。

其结果，能够排除形成OF时的不确定因素，极为良好且极为可靠地形成OF，进而能够显著地减少自同一个铸锭形成的晶圆组中欠缺的晶圆。

以上，采用本实施方式，能够提供一种在各晶圆之间组成是变动的晶圆组，自该晶圆组制造的产品容易确保均匀性。

此外，采用本实施方式，能够提供一种技术，利用该技术能够排除形成OF时的不确定因素，并能够以极高的概率和极高的精度来形成OF。

＜5.变形例等＞

另外，本发明的技术范围并不限定于上述的实施方式，也包含在能导出利用发明的构成要件、构成要件的组合所获得的特定效果的范围内施加各种变更、改良而成的方式。

(晶圆组)

在本实施方式中，使用从同一个铸锭切下晶圆这样的表述。另一方面，为了至少担保组成的连续性，也可以使用以下的表述(条件γ)来替代这样的表述。

(条件γ)对于构成晶圆组的各晶圆而言，在将按照各晶圆内的预定的元素的浓度较低的顺序标注的各晶圆的编号设为X轴、将各晶圆内的预定的元素的浓度设为Y轴时形成的曲线图中，曲线图的丧失连续性的部分的数量是晶圆组的晶圆的总张数的10％以下的数量，而且与任意编号的晶圆相比下一个编号的晶圆的预定元素的浓度的增减值是根据曲线图的连续性设想的增减值的3倍以下。

在此基础之上，通过满足与OF相关的上述的条件(例如OF方位精度在±0.010°以内)，能够解决本发明的课题。

另外，只要是上述的表述，就能够担保组成的连续性，因此，构成晶圆组的晶圆的张数优选规定为70张以上，但也可以不特别规定其张数。但是，考虑到在大部分情况下要抽选检查3张晶圆，且曲线图的丧失连续性的部分的数量是晶圆组的晶圆的总张数的10％以下的数量，优选由30张以上的晶圆构成晶圆组。

此外，也可以替代条件α～γ而采用将条件γ(进一步讲是条件α和β)中的“浓度”调换为“缺陷密度”而成的条件α’、β’及γ’。此外，也可以将各条件α～γ、α’～γ’适当地组合来采用。

(划线部3和划线工序)

在本实施方式中列举了设有划线部3和划线工序的例子。另一方面，在本实施方式中，也可以应用于已经划出了划线S的晶圆。也就是说，即使在本实施方式的晶圆的制造装置1中没有设置划线部3的情况下，只要适当地划出划线S，就也能够排除形成OF时的不确定因素，良好且可靠地形成OF。这一点对于晶圆的制造方法的划线工序也是同样的。但是，利用一个装置自动地进行划线工序和劈开工序的做法具有较大的优点，优选为设置划线部3和划线工序的例子是不言而喻的。

(压头43)

在本实施方式中列举了使摆动部42和压头43独立的例子，但也可以使两者为一体。例如也可以将摆动部42自身设为压头43。进一步讲，也可以在按压部主体41上设置钟摆式的摆动机构，将按压部主体41自身设为压头43。在这种情况下，压头43的按压晶圆的上表面的长条部分例如也可以是被板状的摆动部42的两个主面夹着的底部。

(开门机构)

在本实施方式中列举了开门机构是作为按压部4的一部分的突出部44的例子。另一方面，也可以独立于按压部4另外在晶圆的制造装置1上设置开门机构。例如也可以采用利用晶圆的制造装置1的控制部使载物台2与按压部4的移动量相应地向下方双开的结构。在这种情况下，上述的调节部5也可以不是通过使旋钮捏手旋转来进行调节，而利用控制部进行数值控制。

实施例

接着，示出实施例来具体地说明本发明。不言而喻，本发明并不限定于以下的实施例。

＜实施例1＞

本实施例中，使用在上述的实施方式中说明的晶圆的制造装置1在各晶圆上形成OF，最终制造晶圆组。以下，说明各条件，对于没有特别记载的内容则是如上述优选的例子所述。

(准备工序)

在本工序中，首先准备41根掺杂有Si的GaAs铸锭。而且，将从1个铸锭切下来的晶圆的张数设定为76张～170张。另外，1张晶圆的厚度设为0.710mm。此外，在板状的摆动部42的底部(长条部分)作为压头43固着有米思米制聚氨酯棒(CXFAN－D6－L80)。

(划线工序)

在本工序中，首先使晶圆真空吸附于载物台2。之后，利用划线部3对晶圆的下表面划出划线S。另外，划线部3的划线笔31使用小仓宝石精机工业制D－POINT的替换芯(ABR－0011－1)。另外，从下方对晶圆的下表面赋予的划线压力设为0.330MPa。另外，划线S的部位仅设为晶圆的劈开预定线的一侧的晶圆的周缘。划线S的长度设为4mm。

此外，预先在准备工序中将压头43倾斜，使得在本工序中，在与晶圆的下表面的劈开预定线中的未划出划线S的一端相对的部分的上方，压头43的一端接近晶圆的上表面。具体地讲，以在压头43的两端之间带有3mm的高低差的方式将压头43倾斜。

(调节工序)

在本工序中，进行使突出部44(凸轮)的最下端相对于压头43的最下端进一步向下方突出[进行劈开的晶圆厚度]+0.15mm的调整。

(劈开工序)

在本工序中，首先在划出划线S之后解除晶圆的固定。此时，晶圆的两个主面的上下关系保持不变。

之后，使按压部4从载物台2的上方0.15mm以35mm/s～65mm/s的速度向下方移动。然后，与按压部4向下方移动连动地使载物台2向下方双开，并且利用压头43的长条部分按压上表面的劈开预定线的、与在下表面划出的划线S相对的部分，使晶圆劈开。

这样制造形成有OF的晶圆。

(关门工序)

之后，使按压部4向上方返回，将载物台2关门。然后，将新的晶圆设定在载物台2上，进行上述的各工序，在其他晶圆上形成OF。通过重复该操作，自同一个铸锭得到本实施例的晶圆组。进而同样地对另一个铸锭进行同样的工序，自共计41根铸锭制造与各铸锭相应的晶圆组。

然后，对于得到的晶圆组的各晶圆，利用X射线衍射测量求出OF方位精度(°)。

具体地讲，如图7所示，一边向OF劈开面照射X射线，一边使该OF劈开面以OF的物理面为基准地向黑箭头方向任意旋转。于是，通过比较相对于预定的OF劈开面的结晶面引起Bragg衍射的旋转角度，计算出结晶面自物理面的偏离量，将其作为OF方位精度。例如在OF的结晶面是(011)面的情况下，由于θ＝22.5゜、2θ＝45゜，因此，自该角度的偏离量成为OF方位精度。

＜比较例1＞

在本比较例中，除了以下记载的内容之外与本实施例是同样的。

·准备44根掺杂有Si的GaAs铸锭。

·将从1个铸锭切下来的晶圆的张数设定为73张～167张。

·作业者用手劈开晶圆。具体地讲，用两只手把持劈开预定线的两端，以在晶圆的下表面划出的划线S为起点地用手劈开。

然后，对于得到的晶圆组的各晶圆，利用X射线衍射测量求出OF方位精度(°)。

＜比较例2＞

在本比较例中，自不同的铸锭切下晶圆，在此基础上，挑选收集形成有比较良好的OF的晶圆形成晶圆组。除此之外与实施例1不同的内容如下。

·准备26根掺杂有Si的GaAs铸锭，从该铸锭切下晶圆，挑选形成有比较良好的OF的晶圆，合计871张。

·使用不是双开自由的通常的载物台2。

·在进行劈开工序时，保持将晶圆真空固定在载物台2上的状态。

·使用不是摆动自由而是固定配置的压头43。

·压头43不倾斜，而是水平配置。

·另外，针对另外挑选合计912张晶圆的情况以及挑选合计815张晶圆的情况进行上述的方法。

然后，对于得到的晶圆组的各晶圆，利用X射线衍射测量求出OF方位精度(°)。

＜结果＞

归纳上述内容，得到以下的表1。另外，针对比较例2在表1中写明最良好的结果。

[表1]

观看表1，在实施例1中，满足各晶圆的OF方位精度在±0.010°以内这样的作为大前提的条件是不言而喻的，全部满足上述列举的与OF相关的各条件1～4。而且，由于在实施例1中自同一个铸锭制作晶圆组，并且针对OF方位精度在±0.010°内这样的条件的成品率是100％，因此，能够充分地确保组成和缺陷的连续性。另外，在这种情况下，抽选检查了3张晶圆，仅是片段性地有3张晶圆欠缺，能够充分地确保该连续性。因此，实施例1也满足上述的条件α～γ。

相反，在比较例1中，没有全部满足上述列举的与OF相关的各条件。

另外，在比较例2中，OF方位精度与比较例1相比理所当然是比较良好的。此外，针对OF方位精度在±0.010°内这样的条件的成品率也有95.6％。但是，这样也达不到实施例1的OF方位精度和成品率。说起来，由于比较例2的晶圆组是自不同的铸锭收集晶圆而成的，因此，不能完全确保组成和缺陷的连续性，当然无法满足上述的各条件，也不可能解决本发明的课题。

基于以上的结果可明确，采用上述的实施例，能够提供一种在各晶圆之间组成是变动的晶圆组，自该晶圆组制造的产品容易确保均匀性，而且能够提供一种技术，利用该技术能够排除形成OF时的不确定因素，并能够以极高的概率和极高的精度来形成OF。

附图标记说明

1、晶圆的制造装置；2、载物台；21、突起；3、划线部；31、划线笔；32、支承台；4、按压部；41、按压部主体；411、金属配件；42、摆动部；421、金属部；43、压头；44、突出部；5、调节部；W、晶圆；W’、破片；S、划线；G、间隙。

Claims (4)

1.一种晶圆组，该晶圆组由自同一个铸锭得到的多个晶圆构成，而且所有的所述晶圆都具有定位平面，即OF，其中，

所述晶圆组由70张以上的所述晶圆构成，

在用角度表示的所述晶圆组的OF方位精度中，各晶圆的OF方位精度在±0.010°以内，所述晶圆组的OF方位精度的标准偏差在0.0015以下，

对于构成所述晶圆组的各晶圆而言，在将从接近所述铸锭的一端的一侧按顺序标注的各晶圆的编号设为X轴、将各晶圆内的预定的元素的浓度设为Y轴时形成的曲线图中，所述曲线图的丧失连续性的部分的数量是所述晶圆组的所述晶圆的总张数加上该部分的数量而得到的值的10％以下的数量，而且与任意编号的晶圆相比下一个编号的晶圆的预定的元素的浓度的增减值是根据所述曲线图的连续性设想的增减值的3倍以下。

2.根据权利要求1所述的晶圆组，其中，

所述晶圆是具有劈开性的半导体晶圆。

3.根据权利要求1或2所述的晶圆组，其中，

构成所述OF的面是(011)、(0－1－1)、(0－11)及(01－1)中的任一者。

4.一种晶圆组，该晶圆组由多个晶圆构成，而且所有的所述晶圆都具有定位平面，即OF，其中，

所述晶圆组由30张以上的所述晶圆构成，

对于构成所述晶圆组的各晶圆而言，在将按照各晶圆内的预定的元素的从低浓度到高浓度的顺序标注的各晶圆的编号设为X轴、将各晶圆内的预定的元素的浓度设为Y轴时形成的曲线图中，所述曲线图的丧失连续性的部分的数量是所述晶圆组的所述晶圆的总张数的10％以下的数量，而且与任意编号的晶圆相比下一个编号的晶圆的预定的元素的浓度的增减值是根据所述曲线图的连续性设想的增减值的3倍以下，

在用角度表示的所述晶圆组的OF方位精度中，各晶圆的OF方位精度在±0.010°以内。

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