-
Technisches Gebiet
-
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Verarbeitungsflüssigkeit zur Unterdrückung eines Musterzusammenbruchs einer feinen Metallstruktur und ein Verfahren zur Herstellung einer feinen Metallstruktur, bei dem diese eingesetzt wird.
-
Stand der Technik
-
Die Photolithographietechnik wurde als Bildungs- und Verarbeitungsverfahren einer Vorrichtung mit einer feinen Struktur verwendet, die in einem breiten Bereich von Fachgebieten eingesetzt wird, einschließlich einer Halbleitervorrichtung, einer Leiterplatte und dergleichen. In diesen Fachgebieten schreiten eine Verminderung der Größe, eine Zunahme des Integrationsgrads und eine Zunahme der Geschwindigkeit einer Halbleitervorrichtung einhergehend mit den sehr anspruchsvollen Anforderungen an die Leistungsfähigkeit beträchtlich voran, was zu einer kontinuierlichen Verkleinerung und einer kontinuierlichen Zunahme des Seitenverhältnisses des für die Photolithographie verwendeten Photolackmusters führt. Der Fortschritt bei der Verkleinerung des Photolackmusters verursacht jedoch als ein schwerwiegendes Problem einen Musterzusammenbruch.
-
Es ist bekannt, dass beim Trocknen eines Photolackmusters bezüglich einer Verarbeitungsflüssigkeit, die bei der Nassverarbeitung (bei der es sich vorwiegend um eine Spülbehandlung zum Wegwaschen der Entwicklerlösung handelt) nach der Entwicklung des Photolackmusters eingesetzt wird, der Zusammenbruch des Photolackmusters durch die Belastung verursacht wird, die auf die Oberflächenspannung der Verarbeitungsflüssigkeit zurückzuführen ist. Um den Zusammenbruch des Photolackmusters zu verhindern, wurden Verfahren vorgeschlagen, wie z. B. ein Verfahren des Ersetzens der Spülflüssigkeit durch eine Flüssigkeit mit einer niedrigen Oberflächenspannung, bei der ein nicht-ionisches grenzflächenaktives Mittel eingesetzt wird, eine Verbindung, die in einem Alkohollösungsmittel löslich ist, oder dergleichen (vgl. z. B. die Patentdokumente 1 und 2), und ein Verfahren des Hydrophobierens der Oberfläche des Photolackmusters (vgl. z. B. das Patentdokument 3).
-
In einer feinen Struktur, die durch die Photolithographietechnik aus einem Metall, einem Metallnitrid, einem Metalloxid oder dergleichen ausgebildet worden ist (die nachstehend als eine feine Metallstruktur bezeichnet werden kann und wobei ein Metall, ein Silizium-enthaltendes Metall, ein Metallnitrid, ein Metalloxid oder dergleichen nachstehend insgesamt als Metall bezeichnet werden können), ist die Festigkeit des Metalls selbst, das die Struktur bildet, größer als die Festigkeit des Photolackmusters selbst oder die Bindungsfestigkeit zwischen dem Photolackmuster und dem Substrat, und daher tritt ein Zusammenbruch des Strukturmusters im Vergleich zu dem Photolackmuster kaum auf. Einhergehend mit dem Fortschritt bei der Verminderung der Größe, der Zunahme des Integrationsgrads und der Zunahme der Geschwindigkeit einer Halbleitervorrichtung und einer Mikromaschine wird jedoch der Musterzusammenbruch der Struktur aufgrund einer Verkleinerung und einer Zunahme des Seitenverhältnisses des Photolackmusters zu einem schwerwiegenden Problem. Die feine Metallstruktur weist einen Oberflächenzustand auf, der von demjenigen des Photolackmusters, bei dem es sich um ein organisches Material handelt, vollkommen verschieden ist, und daher gibt es keine wirksame Maßnahme zur Verhinderung des Musterzusammenbruchs der Struktur. Demgemäß ist die gegenwärtige Situation derart, dass der Freiheitsgrad bei der Gestaltung des Musters zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung oder einer Mikromaschine mit verminderter Größe, einem erhöhten Integrationsgrad und einer erhöhten Geschwindigkeit beträchtlich beeinträchtigt wird, da das Muster notwendigerweise so gestaltet ist, dass der Zusammenbruch des Musters verhindert wird.
-
Dokumente des Standes der Technik
-
Patentdokumente
-
- Patentdokument 1: JP-A-2004-184648
- Patentdokument 2: JP-A-2005-309260
- Patentdokument 3: JP-A-2006-163314
-
Zusammenfassung der Erfindung
-
Durch die Erfindung zu lösende Probleme
-
Wie es vorstehend beschrieben worden ist, ist die gegenwärtige Situation derart, dass in dem Gebiet einer feinen Metallstruktur, wie z. B. einer Halbleitervorrichtung und einer Mikromaschine, keine wirksame Technik zur Unterdrückung eines Musterzusammenbruchs bekannt ist.
-
Die vorliegende Erfindung wurde unter diesen Umständen entwickelt und eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer Verarbeitungsflüssigkeit, die einen Musterzusammenbruch einer feinen Metallstruktur, wie z. B. einer Halbleitervorrichtung und einer Mikromaschine, unterdrücken kann, sowie eines Verfahrens zur Herstellung einer feinen Metallstruktur, bei dem diese eingesetzt wird.
-
Mittel zum Lösen der Probleme
-
Als Ergebnis von intensiven Untersuchungen, die durch die Erfinder durchgeführt worden sind, um die Aufgabe zu lösen, wurde gefunden, dass die Aufgabe mit einer Verarbeitungsflüssigkeit gelöst werden kann, die ein Mittel zur Unterdrückung eines Musterzusammenbruchs enthält, das eine Hydrocarbylgruppe aufweist, die eine von einer Alkylgruppe und einer Alkenylgruppe enthält, die beide teilweise oder vollständig durch ein Fluoratom substituiert sein können, und das eine Oxyethylenstruktur enthält.
-
Die vorliegende Erfindung wurde auf der Basis dieser Erkenntnis gemacht. Demgemäß sind die Hauptgegenstände der vorliegenden Erfindung wie folgt.
- (1) Verarbeitungsflüssigkeit zur Unterdrückung eines Musterzusammenbruchs einer feinen Metallstruktur, die ein Mittel zur Unterdrückung eines Musterzusammenbruchs enthält, das eine Hydrocarbylgruppe aufweist, die eine von einer Alkylgruppe und einer Alkenylgruppe enthält, die beide teilweise oder vollständig durch ein Fluoratom substituiert sein können, und das eine Oxyethylenstruktur enthält.
- (2) Verarbeitungsflüssigkeit zur Unterdrückung eines Musterzusammenbruchs einer feinen Metallstruktur nach Gegenstand (1), bei der das Mittel zur Unterdrückung eines Musterzusammenbruchs mindestens eines ist, das aus der Gruppe, bestehend aus einem Hydrocarbylalkanolamid, einem Polyoxyethylenhydrocarbylamin und einem Perfluoralkylpolyoxyethylenethanol, ausgewählt ist.
- (3) Verarbeitungsflüssigkeit nach Gegenstand (2), bei der das Hydrocarbylalkanolamid durch die folgende allgemeine Formel (1) dargestellt ist: worin R1 eine Alkylgruppe mit 2 bis 24 Kohlenstoffatomen oder eine Alkenylgruppe darstellt.
- (4) Verarbeitungsflüssigkeit nach Gegenstand (2), bei der das Polyoxyethylenhydrocarbylamin durch die folgende allgemeine Formel (2) dargestellt ist: worin R2 eine Alkylgruppe mit 2 bis 24 Kohlenstoffatomen oder eine Alkenylgruppe darstellt und n und m jeweils eine ganze Zahl von 0 bis 20 darstellen, mit der Maßgabe, dass n und m gleich oder voneinander verschieden sein können und m + n 1 oder mehr ist.
- (5) Verarbeitungsflüssigkeit nach Gegenstand (2), bei der das Perfluoralkylpolyoxyethylenethanol durch die folgende allgemeine Formel (3) dargestellt ist: CF3(CF2)n(CH2CH2O)mCH2CH2OH (3) worin n und m jeweils eine ganze Zahl von 1 bis 20 darstellen, mit der Maßgabe, dass n und m gleich oder voneinander verschieden sein können.
- (6) Verarbeitungsflüssigkeit nach einem der Gegenstände (1) bis (5), die ferner Wasser enthält.
- (7) Verarbeitungsflüssigkeit nach einem der Gegenstände (2) bis (6), wobei der Gehalt des mindestens einen Mittels, das aus der Gruppe, bestehend aus einem Hydrocarbylalkanolamid, einem Polyoxyethylenhydrocarbylamin und einem Perfluoralkylpolyoxyethylenethanol, ausgewählt ist, von 10 ppm bis 10% beträgt.
- (8) Verarbeitungsflüssigkeit nach einem der Gegenstände (1) bis (7), wobei die feine Metallstruktur teilweise oder vollständig mindestens ein Material enthält, das aus Titannitrid, Titan, Ruthenium, Rutheniumoxid, Aluminiumoxid, Hafniumoxid, Hafniumsilikat, Hafniumnitridsilikat, Platin, Tantal, Tantaloxid, Tantalnitrid, Nickelsilizid, Nickel-Silizium-Germanium und Nickel-Germanium ausgewählt ist.
- (9) Verfahren zur Herstellung einer feinen Metallstruktur, das nach einem Nassätzen oder Trockenätzen einen Spülschritt unter Verwendung der Verarbeitungsflüssigkeit nach einem der Gegenstände (1) bis (8) umfasst.
- (10) Verfahren zur Herstellung einer feinen Metallstruktur nach Gegenstand (9), wobei die feine Metallstruktur teilweise oder vollständig mindestens ein Material enthält, das aus Titannitrid, Titan, Ruthenium, Rutheniumoxid, Aluminiumoxid, Hafniumoxid, Hafniumsilikat, Hafniumnitridsilikat, Platin, Tantal, Tantaloxid, Tantalnitrid, Nickelsilizid, Nickel-Silizium-Germanium und Nickel-Germanium ausgewählt ist.
- (11) Verfahren zur Herstellung einer feinen Metallstruktur nach Gegenstand (9) oder (10), bei dem die feine Metallstruktur eine Halbleitervorrichtung oder eine Mikromaschine ist.
-
Vorteile der Erfindung
-
Erfindungsgemäß werden eine Verarbeitungsflüssigkeit, die einen Musterzusammenbruch einer feinen Metallstruktur, wie z. B. einer Halbleitervorrichtung und einer Mikromaschine, unterdrücken kann, sowie ein Verfahren zur Herstellung einer feinen Metallstruktur, bei der diese verwendet wird, bereitgestellt.
-
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
-
1 umfasst schematische Querschnittsansichten jedes Herstellungsschritts feiner Metallstrukturen, die in den Beispielen 1 bis 8 und den Vergleichsbeispielen 1 bis 20 hergestellt worden sind.
-
2 umfasst schematische Querschnittsansichten jedes Herstellungsschritts feiner Metallstrukturen, die in den Beispielen 9 bis 24 und den Vergleichsbeispielen 21 bis 60 hergestellt worden sind.
-
Ausführungsformen der Erfindung
-
Die Verarbeitungsflüssigkeit zur Unterdrückung eines Musterzusammenbruchs einer feinen Metallstruktur enthält ein Mittel zur Unterdrückung eines Musterzusammenbruchs, das eine Hydrocarbylgruppe aufweist, die eine von einer Alkylgruppe und einer Alkenylgruppe enthält, die beide teilweise oder vollständig durch ein Fluoratom substituiert sein können, und das eine Oxyethylenstruktur enthält. Es wird davon ausgegangen, dass die Oxyethylen-Struktureinheit des Mittels zur Unterdrückung eines Musterzusammenbruchs an dem in dem Muster der feinen Metallstruktur verwendeten Metallmaterial adsorbiert wird und dass die sich davon erstreckende Hydrocarbylgruppe eine Hydrophobie aufweist, wodurch die Oberfläche des Musters hydrophobiert wird. Es wird davon ausgegangen, dass als Ergebnis die Erzeugung einer Belastung, die durch die Oberflächenspannung der Verarbeitungsflüssigkeit verursacht wird, unterdrückt wird, und ein Musterzusammenbruch einer feinen Metallstruktur, wie z. B. einer Halbleitervorrichtung und einer Mikromaschine, unterdrückt wird.
-
Die Hydrophobierung bedeutet in der vorliegenden Erfindung, dass der Kontaktwinkel der Metalloberfläche, die mit der Verarbeitungsflüssigkeit der vorliegenden Erfindung verarbeitet worden ist, bezüglich Wasser 70° oder mehr beträgt. Die „Oxyethylenstruktur” in der vorliegenden Erfindung steht für die Struktur „-CH2CH2O-”.
-
Das Mittel zur Unterdrückung eines Musterzusammenbruchs, das in der Verarbeitungsflüssigkeit der vorliegenden Erfindung verwendet wird, ist vorzugsweise mindestens eines, das aus der Gruppe, bestehend aus einem Hydrocarbylalkanolamid, einem Polyoxyethylenhydrocarbylamin und einem Perfluoralkylpolyoxyethylenethanol, ausgewählt ist.
-
Bevorzugte Beispiele für das Hydrocarbylalkanolamid umfassen eine Verbindung, die durch die folgende allgemeine Formel (1) dargestellt ist:
-
In der Formel stellt R1 eine Alkylgruppe mit 2 bis 24 Kohlenstoffatomen oder eine Alkenylgruppe dar. Die Alkylgruppe ist vorzugsweise eine Alkylgruppe mit 6 bis 18 Kohlenstoffatomen, mehr bevorzugt eine Alkylgruppe mit 8 bis 18 Kohlenstoffatomen und weiter bevorzugt eine Alkylgruppe mit 8, 10, 12, 14, 16 oder 18 Kohlenstoffatomen. Die Alkylgruppe kann entweder linear, verzweigt oder cyclisch sein und sie kann ein Halogenatom und einen Substituenten aufweisen.
-
Beispiele dafür umfassen verschiedene Arten von Hexylgruppen, wie z. B. eine n-Hexylgruppe, eine 1-Methylhexylgruppe, eine 2-Methylhexylgruppe, eine 1-Pentylhexylgruppe, eine Cyclohexylgruppe, eine 1-Hydroxyhexylgruppe, eine 1-Chlorhexylgruppe, eine 1,3-Dichlorhexylgruppe, eine 1-Aminohexylgruppe, eine 1-Cyanohexylgruppe und eine 1-Nitrohexylgruppe, und auch verschiedene Arten von Heptylgruppen, verschiedene Arten von Octylgruppen, verschiedene Arten von Nonylgruppen, verschiedene Arten von Decylgruppen, verschiedene Arten von Undecylgruppen, verschiedene Arten von Dodecylgruppen, verschiedene Arten von Tridecylgruppen, verschiedene Arten von Tetradecylgruppen, verschiedene Arten von Pentadecylgruppen, verschiedene Arten von Hexadecylgruppen, verschiedene Arten von Heptadecylgruppen, verschiedene Arten von Octadecylgruppen, verschiedene Arten von Nonadecylgruppen und verschiedene Arten von Eicosylgruppen, mehr bevorzugt verschiedene Arten von Hexylgruppen, verschiedene Arten von Heptylgruppen, verschiedene Arten von Octylgruppen, verschiedene Arten von Nonylgruppen, verschiedene Arten von Decylgruppen, verschiedene Arten von Undecylgruppen, verschiedene Arten von Dodecylgruppen, verschiedene Arten von Tridecylgruppen, verschiedene Arten von Tetradecylgruppen und verschiedene Arten von Octadecylgruppen, und noch mehr bevorzugt verschiedene Arten von Octylgruppen, verschiedene Arten von Decylgruppen, verschiedene Arten von Dodecylgruppen, verschiedene Arten von Tetradecylgruppen, verschiedene Arten von Cetylgruppen und verschiedene Arten von Octadecylgruppen.
-
Die Alkenylgruppe ist vorzugsweise eine Alkenylgruppe mit 2 bis 24 Kohlenstoffatomen, mehr bevorzugt eine Alkenylgruppe mit 4 bis 18 Kohlenstoffatomen und weiter bevorzugt eine Alkenylgruppe mit 6 bis 18 Kohlenstoffatomen.
-
Bevorzugte Beispiele für das Polyoxyethylenhydrocarbylamin umfassen eine Verbindung, die durch die folgende allgemeine Formel (2) dargestellt ist:
-
In der Formel (2) stellt R2 eine Alkylgruppe mit 2 bis 24 Kohlenstoffatomen oder eine Alkenylgruppe mit 2 bis 24 Kohlenstoffatomen dar. Die Alkylgruppe ist vorzugsweise eine Alkylgruppe mit 6 bis 18 Kohlenstoffatomen, mehr bevorzugt eine Alkylgruppe mit 8 bis 18 Kohlenstoffatomen, weiter bevorzugt eine Alkylgruppe mit 8, 10, 12, 14, 16 oder 18 Kohlenstoffatomen und besonders bevorzugt eine Alkylgruppe mit 18 Kohlenstoffatomen. Die Alkylgruppe kann entweder linear, verzweigt oder cyclisch sein und sie kann ein Halogenatom und einen Substituenten aufweisen. Beispiele dafür umfassen verschiedene Arten von Hexylgruppen, wie z. B. eine n-Hexylgruppe, eine 1-Methylhexylgruppe, eine 2-Methylhexylgruppe, eine 1-Pentylhexylgruppe, eine Cyclohexylgruppe, eine 1-Hydroxyhexylgruppe, eine 1-Chlorhexylgruppe, eine 1,3-Dichlorhexylgruppe, eine 1-Aminohexylgruppe, eine 1-Cyanohexylgruppe und eine 1-Nitrohexylgruppe, und auch verschiedene Arten von Heptylgruppen, verschiedene Arten von Octylgruppen, verschiedene Arten von Nonylgruppen, verschiedene Arten von Decylgruppen, verschiedene Arten von Undecylgruppen, verschiedene Arten von Dodecylgruppen, verschiedene Arten von Tridecylgruppen, verschiedene Arten von Tetradecylgruppen, verschiedene Arten von Pentadecylgruppen, verschiedene Arten von Hexadecylgruppen, verschiedene Arten von Heptadecylgruppen, verschiedene Arten von Octadecylgruppen, verschiedene Arten von Nonadecylgruppen und verschiedene Arten von Eicosylgruppen, mehr bevorzugt verschiedene Arten von Hexylgruppen, verschiedene Arten von Heptylgruppen, verschiedene Arten von Octylgruppen, verschiedene Arten von Nonylgruppen, verschiedene Arten von Decylgruppen, verschiedene Arten von Undecylgruppen, verschiedene Arten von Dodecylgruppen, verschiedene Arten von Tridecylgruppen, verschiedene Arten von Tetradecylgruppen und verschiedene Arten von Octadecylgruppen, weiter bevorzugt verschiedene Arten von Octylgruppen, verschiedene Arten von Decylgruppen, verschiedene Arten von Dodecylgruppen, verschiedene Arten von Tetradecylgruppen, verschiedene Arten von Cetylgruppen und verschiedene Arten von Octadecylgruppen und besonders bevorzugt verschiedene Arten von Octadecylgruppen.
-
Die Alkenylgruppe ist vorzugsweise eine Alkenylgruppe mit 2 bis 24 Kohlenstoffatomen, mehr bevorzugt eine Alkenylgruppe mit 4 bis 18 Kohlenstoffatomen und weiter bevorzugt eine Alkenylgruppe mit 6 bis 18 Kohlenstoffatomen.
-
In der Formel stellen n und m jeweils eine ganze Zahl von 0 bis 20, vorzugsweise von 0 bis 14 und mehr bevorzugt von 1 bis 5 dar (mit der Maßgabe, dass m + n 1 oder mehr ist). Wenn m und n in diesem Bereich liegen, ist das in der vorliegenden Erfindung verwendete Polyoxyethylenhydrocarbylamin leicht in einem Lösungsmittel wie z. B. Wasser und einem organischen Lösungsmittel löslich und kann in vorteilhafter Weise als Verarbeitungsflüssigkeit verwendet werden, obwohl es von dem Einfluss des Hydrophilie-Hydrophobie-Gleichgewichts in Bezug auf eine funktionelle. Gruppe abhängig ist, die durch R2 in der Formel dargestellt ist.
-
Besonders bevorzugte Beispiele der Verbindung, die durch die allgemeine Formel (1) dargestellt ist, umfassen ein Kokosnussölfettsäurediethanolamid und Beispiele dafür umfassen eine Verbindung, die R1 aufweist, bei dem es sich um ein Gemisch von Kohlenstoffanzahlen von 8 bis 18 und einer Anzahl von 8, 10, 12, 14, 16 oder 18 Kohlenstoffatomen handelt. Spezifische Beispiele dafür umfassen Dianol 300, Produktbezeichnung (von Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. hergestellt), Dianol CDE, Produktbezeichnung (von Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. hergestellt), Amisol CDE, Produktbezeichnung (von Kawaken Fine Chemicals Co., Ltd. hergestellt), und Amisol FDE, Produktbezeichnung (von Kawaken Fine Chemicals Co., Ltd. hergestellt).
-
Bevorzugte Beispiele der Verbindung, die durch die allgemeine Formel (2) dargestellt ist, umfassen Amiet 102, Produktbezeichnung, Amiet 105, Produktbezeichnung, Amiet 105A, Produktbezeichnung, Amiet 302, Produktbezeichnung, und Amiet 320, Produktbezeichnung (alle von Kao Corporation hergestellt), und besonders bevorzugte Beispiele dafür umfassen Polyoxyethylenstearylamin, wobei spezifische Beispiele dafür Amiradine D, Produktbezeichnung (von Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. hergestellt), und Amiradine C-1802, Produktbezeichnung (von Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. hergestellt), umfassen.
-
Bei dem Perfluoralkylpolyoxyethylenethanol kann es sich um eine Verbindung handeln, die durch die allgemeine Formel (3) dargestellt ist, wobei spezifische Beispiele dafür Fluorad FC-170C (von Sumitomo 3M, Ltd. hergestellt) umfassen, CF3(CF2)n(CH2CH2O)mCH2CH2OH (3) worin n und m jeweils eine ganze Zahl von 1 bis 20 darstellen, mit der Maßgabe, dass n und m gleich oder voneinander verschieden sein können.
-
Die Verarbeitungsflüssigkeit der vorliegenden Erfindung enthält vorzugsweise ferner Wasser und ist vorzugsweise eine wässrige Lösung. Bevorzugte Beispiele des Wassers umfassen Wasser, aus dem Metallionen, organische Verunreinigungen, Teilchen und dergleichen durch Destillation, Ionenaustausch, Filtrieren, Adsorptionsbehandlung oder dergleichen entfernt worden sind, und besonders bevorzugte Beispiele dafür umfassen reines Wasser und ultrareines Wasser.
-
Die Verarbeitungsflüssigkeit der vorliegenden Erfindung enthält das mindestens eine Mittel, das aus der Gruppe, bestehend aus einem Hydrocarbylalkanolamid, einem Polyoxyethylenhydrocarbylamin und einem Perfluoralkylpolyoxyethylenethanol, ausgewählt ist, enthält vorzugsweise Wasser und kann verschiedene Arten von Additiven, die gewöhnlich in Verarbeitungsflüssigkeiten verwendet werden, in einem Bereich enthalten, der die Vorteile der Verarbeitungsflüssigkeit nicht beeinträchtigt.
-
Der Gehalt des mindestens einen Mittels, das aus der Gruppe, bestehend aus einem Hydrocarbylalkanolamid, einem Polyoxyethylenhydrocarbylamin und einem Perfluoralkylpolyoxyethylenethanol, ausgewählt ist, in der Verarbeitungsflüssigkeit der vorliegenden Erfindung beträgt vorzugsweise von 10 ppm bis 10%. Wenn der Gehalt der Verbindungen in diesem Bereich liegt, können die Vorteile der Verbindungen ausreichend erhalten werden und unter Berücksichtigung der Handhabbarkeit, der Wirtschaftlichkeit und des Schäumens beträgt der Gehalt vorzugsweise 5% oder weniger, mehr bevorzugt von 10 ppm bis 1%, weiter bevorzugt von 10 bis 2000 ppm und besonders bevorzugt von 10 bis 1000 ppm. In dem Fall, bei dem die Verbindungen keine ausreichende Löslichkeit in Wasser aufweisen, so dass eine Phasentrennung verursacht wird, kann ein organisches Lösungsmittel, wie z. B. ein Alkohol, zugesetzt werden, und eine Säure oder ein Alkali kann zur Erhöhung der Löslichkeit zugesetzt werden.
-
Selbst in dem Fall, bei dem die Verarbeitungsflüssigkeit lediglich eine weiße Trübung ohne Phasentrennung aufweist, kann die Verarbeitungsflüssigkeit in einem Bereich verwendet werden, der die Vorteile der Verarbeitungsflüssigkeit nicht beeinträchtigt, und sie kann verwendet werden, während gerührt wird, um die Verarbeitungsflüssigkeit homogen zu machen. Ferner kann zur Vermeidung der weißen Trübung der Verarbeitungsflüssigkeit die Verarbeitungsflüssigkeit nach dem Zusetzen eines organischen Lösungsmittels, wie z. B. eines Alkohols, einer Säure oder eines Alkali, zu der Verarbeitungsflüssigkeit ähnlich wie im vorstehenden Fall verwendet werden.
-
Die Verarbeitungsflüssigkeit der vorliegenden Erfindung kann in vorteilhafter Weise zur Unterdrückung eines Musterzusammenbruchs einer feinen Metallstruktur, wie z. B. einer Halbleitervorrichtung und einer Mikromaschine, verwendet werden. Bevorzugte Beispiele des Musters der feinen Metallstruktur umfassen solche, die mindestens ein Material enthalten, das aus TiN (Titannitrid), Ti (Titan), Ru (Ruthenium), RuO (Rutheniumoxid), SrRuO3 (Strontiumrutheniumoxid), Al2O3 (Aluminiumoxid), HfO2 (Hafniumoxid), HfSiOx (Hafniumsilikat), HfSiON (Hafniumnitridsilikat), Pt (Platin), Ta (Tantal), Ta2O5 (Tantaloxid), TaN (Tantalnitrid), NiSi (Nickelsilizid), NiSiGe (Nickel-Silizium-Germanium), NiGe (Nickel-Germanium) und dergleichen ausgewählt ist, mehr bevorzugt TiN (Titannitrid), Ti (Titan), Ru (Ruthenium), RuO (Rutheniumoxid), SrRuO3 (Strontiumrutheniumoxid), Al2O3 (Aluminiumoxid), HfO2 (Hafniumoxid), Pt (Platin), Ta (Tantal), Ta2O5 (Tantaloxid) und TaN (Tantalnitrid), und weiter bevorzugt TiN (Titannitrid), Ta (Tantal), Ti (Titan), Al2O3 (Aluminiumoxid), HfO2 (Hafniumoxid) und Ru (Ruthenium) umfassen. Die feine Metallstruktur kann in manchen Fällen als Muster auf einer isolierenden Filmspezies, wie z. B. SiO2 (ein Siliziumoxidfilm) und TEOS (ein Tetraethoxyorthosilanoxidfilm), ausgebildet werden, oder die isolierende Filmspezies ist in manchen Fällen als Teil der feinen Metallstruktur enthalten.
-
Die Verarbeitungsflüssigkeit der vorliegenden Erfindung weist eine hervorragende Wirkung zur Unterdrückung eines Musterzusammenbruchs nicht nur bezüglich einer gewöhnlichen feinen Metallstruktur auf, sondern auch bezüglich einer weiter verkleinerten feinen Metallstruktur mit einem höheren Seitenverhältnis. Das Seitenverhältnis, auf das hier Bezug genommen wird, ist ein Wert, der aus (Höhe des Musters/Breite des Musters) berechnet wird und die Verarbeitungsflüssigkeit der vorliegenden Erfindung weist eine hervorragende Wirkung zur Unterdrückung eines Musterzusammenbruchs für ein Muster auf, das ein hohes Seitenverhältnis von 3 oder mehr und ferner 7 oder mehr aufweist. Die Verarbeitungsflüssigkeit der vorliegenden Erfindung weist eine hervorragende Wirkung zur Unterdrückung eines Musterzusammenbruchs für ein feineres Muster mit einer Mustergröße (Musterbreite) von 300 nm oder weniger, ferner 150 nm oder weniger und ferner 100 nm oder weniger, und mit einer Mustergröße von 50 nm oder weniger und einem Linien/Abstand-Verhältnis von 1/1 auf, und entsprechend für ein feineres Muster mit einem Musterabstand von 300 nm oder weniger, ferner 150 nm oder weniger, ferner 100 nm oder weniger und ferner 50 nm oder weniger und eine zylindrische hohle oder zylindrische massive Struktur.
-
Verfahren zur Herstellung einer feinen Metallstruktur
-
Das Verfahren zur Herstellung einer feinen Metallstruktur der vorliegenden Erfindung umfasst nach dem Nassätzen oder Trockenätzen einen Spülschritt unter Verwendung der Verarbeitungsflüssigkeit der vorliegenden Erfindung. Insbesondere ist es in dem Spülschritt bevorzugt, dass das Muster der feinen Metallstruktur mit der Verarbeitungsflüssigkeit der vorliegenden Erfindung durch Tauchen, Ausstoßen eines Sprühnebels („spray ejecting”), Besprühen oder dergleichen in Kontakt gebracht wird, worauf die Verarbeitungsflüssigkeit durch Wasser ersetzt wird und die feine Metallstruktur getrocknet wird. In dem Fall, bei dem das Muster der feinen Metallstruktur und die Verarbeitungsflüssigkeit der vorliegenden Erfindung durch Tauchen miteinander in Kontakt gebracht werden, beträgt die Tauchzeit vorzugsweise 10 Sekunden bis 30 Minuten, mehr bevorzugt 15 Sekunden bis 20 Minuten, weiter bevorzugt 20 Sekunden bis 15 Minuten und besonders bevorzugt 30 Sekunden bis 10 Minuten, und die Temperaturbedingungen betragen vorzugsweise 10 bis 60°C, mehr bevorzugt 15 bis 50°C, weiter bevorzugt 20 bis 40°C und besonders bevorzugt 25 bis 40°C. Das Muster der feinen Metallstruktur kann mit Wasser gespült werden, bevor es mit der Verarbeitungsflüssigkeit der vorliegenden Erfindung in Kontakt gebracht wird. Der Kontakt zwischen dem Muster der feinen Metallstruktur und der Verarbeitungsflüssigkeit der vorliegenden Erfindung ermöglicht eine Unterdrückung des Zusammenbruchs des Musters, wobei ein Muster mit dem angrenzenden Muster in Kontakt ist, durch Hydrophobierung der Oberfläche des Musters.
-
Die Verarbeitungsflüssigkeit der vorliegenden Erfindung kann ohne spezielle Beschränkung auf ein Herstellungsverfahren einer feinen Metallstruktur ungeachtet der Art der feinen Metallstruktur angewandt werden, wobei das Herstellungsverfahren einen Schritt des Nassätzens oder Trockenätzens, dann einen Schritt einer Nassverarbeitung (wie z. B. Ätzen, Reinigen oder Spülen zum Abwaschen der Reinigungsflüssigkeit) und dann einen Trocknungsschritt aufweist. Beispielsweise kann die Verarbeitungsflüssigkeit der vorliegenden Erfindung in vorteilhafter Weise nach dem Ätzschritt in dem Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung oder einer Mikromaschine verwendet werden, z. B. (i) nach dem Nassätzen eines isolierenden Films in der Umgebung eines elektrisch leitenden Films bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung des DRAM-Typs (vgl. z. B.
JP-A-2000-196038 und
JP-A-2004-288710 ), (ii) nach einem Spülschritt zum Entfernen von Verunreinigungen, die nach dem Trockenätzen oder Nassätzen beim Verarbeiten einer Gateelektrode bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung gebildet worden sind, die einen Transistor mit einer Rippe in der Form von Streifen aufweist (vgl. z. B.
JP-A-2007-335892 ) und (iii) nach einem Spülschritt zum Entfernen von Verunreinigungen, die sich nach dem Ätzen zur Bildung eines Hohlraums durch Entfernen einer Opferschicht, die aus einem isolierenden Film ausgebildet ist, durch ein Durchgangsloch in einem elektrisch leitenden Film beim Bilden eines Hohlraums einer Mikromaschine (elektrodynamische Mikromaschine) gebildet haben (vgl. z. B.
JP-A-2009-122031 ).
-
Beispiel
-
Die vorliegende Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf Beispiele und Vergleichsbeispiele detaillierter beschrieben, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf die Beispiele beschränkt.
-
Herstellung einer Verarbeitungsflüssigkeit
-
Verarbeitungsflüssigkeiten 1 bis 4 der Beispiele zur Unterdrückung eines Musterzusammenbruchs einer feinen Metallstruktur wurden gemäß den in der Tabelle 1 gezeigten Formulierungszusammensetzungen (Massen-%) hergestellt. Der Rest ist Wasser. Tabelle 1
| Art | Anzahl der Kohlenstoffatome der Alkylgruppe *5 | Gehalt |
Verarbeitungsflüssigkeit 1 | Kokosnussölfettsäurediethanolamid (1/2-Typ) *1 | Gemisch von C8 bis C18 | 1% |
Verarbeitungsflüssigkeit 2 | Kokosnussölfettsäurediethanolamid (1/1-Typ) *2 | Gemisch von C8 bis C18 | 5000 ppm |
Verarbeitungsflüssigkeit 3 | Polyoxyethylenstearylamin *3 | C18 | 1000 ppm |
Verarbeitungsflüssigkeit 4 | Perfluoralkylpolyoxyethylenethanol *4 | Fluoralkylgruppe | 100 ppm |
*1: „Dianol 300 (Produktbezeichnung)”, von Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. hergestellt, spezifische Dichte: 1,01 (20°C), Viskosität: etwa 1100 Pa·s (25°C), nicht-ionisch, von der allgemeinen Formel (1) umfasst
*2: „Dianol ODE (Produktbezeichnung)”, von Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. hergestellt, spezifische Dichte: 1,01 (20°C), Viskosität: etwa 220 Pa·s (50°C), nicht-ionisch, von der allgemeinen Formel (1) umfasst
*3: „Amiradine C-1802 (Produktbezeichnung)”, von Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. hergestellt, spezifische Dichte: 0,916 (20°C), nicht-ionisch, von der allgemeinen Formel (2) umfasst
*4: „Fluorad FC-170C (Produktbezeichnung)”, von Sumitomo 3M, Ltd. hergestellt, spezifische Dichte: 1,32 (25°C), nicht-ionisch, von der allgemeinen Formel (3) umfasst
*5: Anzahl der Kohlenstoffatome der Alkylgruppe von Verbindungen
-
Beispiele 1 bis 4
-
Wie es in der 1(a) gezeigt ist, wurden Siliziumnitrid 103 (Dicke: 100 nm) und Siliziumoxid 102 (Dicke: 1200 nm) als Filme auf einem Siliziumsubstrat 104 gebildet, dann wurde ein Photolack 101 gebildet und der Photolack 101 wurde belichtet und entwickelt, wodurch eine kreisförmige und ringförmige Öffnung 105 (Durchmesser: 125 nm, Abstand zwischen Kreisen: 70 nm) gebildet wurde, wie es in der 1(b) gezeigt ist. Das Siliziumoxid 102 wurde durch Trockenätzen mit dem Photolack 101 als Maske geätzt, wodurch ein zylindrisches Loch 106 gebildet wurde, das die Schicht aus Siliziumnitrid 103 erreichte, wie es in der 1(c) gezeigt ist. Der Photolack 101 wurde dann durch Veraschen entfernt, wodurch eine Struktur bereitgestellt wurde, die das Siliziumoxid 102 aufweist, wobei das zylindrische Loch 106 die Schicht aus Siliziumnitrid 103 erreichte, wie es in der 1(d) gezeigt ist. Das zylindrische Loch 106 der resultierenden Struktur wurde mit Titannitrid als Metall 107 gefüllt (1(e)) und ein überschüssiger Teil des Metalls (Titannitrid) 107 auf dem Siliziumoxid 102 wurde durch chemisch-mechanisches Polieren (CMP) entfernt, wodurch eine Struktur bereitgestellt wurde, die das Siliziumoxid 102 mit einer darin eingebetteten zylindrischen Vertiefung aus dem Metall (Titannitrid) 108 aufwies, wie es in der 1(f) gezeigt ist. Das Siliziumoxid 102 der resultierenden Struktur wurde durch Lösen mit einer 0,5%igen wässrigen Fluorwasserstoffsäurelösung (durch Tauchen bei 25°C für 1 Minute) entfernt und dann wurde die Struktur durch Inkontaktbringen mit reinem Wasser, den Verarbeitungsflüssigkeiten 1 bis 4 (durch Tauchen bei 30°C für 10 Minuten) und reinem Wasser in dieser Reihenfolge verarbeitet, worauf getrocknet wurde, wodurch eine in der 1(g) gezeigte Struktur bereitgestellt wurde.
-
Die resultierende Struktur wies eine feine Struktur mit einem Kaminmuster auf, das zylindrische Vertiefungen des Metalls (Titannitrid) aufwies (Durchmesser: 125 nm, Höhe: 1200 nm (Seitenverhältnis: 9,6), Abstand zwischen den zylindrischen Vertiefungen: 70 nm), und 70% oder mehr des Musters waren nicht zusammengebrochen.
-
Der Zusammenbruch des Musters wurde mit einem „FE-SEM S-5500 (Modellnummer)”, das von Hitachi High-Technologies Corporation hergestellt worden ist, untersucht, und der Zusammenbruch-Unterdrückungsanteil war ein Wert, der durch Berechnen des Anteils des Musters, der nicht zusammengebrochen war, in dem gesamten Muster erhalten wurde. Fälle, bei denen der Zusammenbruch-Unterdrückungsanteil 50% oder mehr betrug, wurden als „bestanden” bewertet. Die Verarbeitungsflüssigkeiten, die Verarbeitungsverfahren und die erhaltenen Zusammenbruch-Unterdrückungsanteile in den Beispielen sind in der Tabelle 3 gezeigt.
-
Vergleichsbeispiel 1
-
Eine Struktur, die in der 1(g) gezeigt ist, wurde in der gleichen Weise wie im Beispiel 1 erhalten, mit der Ausnahme, dass die Struktur nach dem Entfernen des Siliziumoxids 102 der in der 1(f) gezeigten Struktur durch Lösen mit Fluorwasserstoffsäure nur mit reinem Wasser verarbeitet wurde. 50% oder mehr des Musters der resultierenden Struktur waren zusammengebrochen, wie es in der 1(h) gezeigt ist (was einen Zusammenbruch-Unterdrückungsanteil von weniger als 50% zeigte). Die Verarbeitungsflüssigkeit, das Verarbeitungsverfahren und der erhaltene Zusammenbruch-Unterdrückungsanteil im Vergleichsbeispiel 1 sind in der Tabelle 3 gezeigt.
-
Vergleichsbeispiele 2 bis 10
-
Strukturen, die in der
1(g) gezeigt sind, der Vergleichsbeispiele 2 bis 10 wurden in der gleichen Weise wie im Beispiel 1 erhalten, mit der Ausnahme, dass die Strukturen nach dem Entfernen des Siliziumoxids
102 der in der
1(f) gezeigten Struktur durch Lösen mit Fluorwasserstoffsäure und nach dem Verarbeiten mit reinem Wasser anstelle der Verarbeitungsflüssigkeit 1 mit den Vergleichsflüssigkeiten 1 bis 9, die in der Tabelle 2 gezeigt sind, verarbeitet wurden. 50% oder mehr des Musters der resultierenden Strukturen waren zusammengebrochen, wie es in der
1(h) gezeigt ist. Die Vergleichsflüssigkeiten, die in den Vergleichsbeispielen 2 bis 10 verwendet worden sind, die Verarbeitungsverfahren und die erhaltenen Zusammenbruch-Unterdrückungsanteile in den Vergleichsbeispielen sind in der Tabelle 3 gezeigt. Tabelle 2
| Bezeichnung der Substanz |
Vergleichsflüssigkeit 1 | Isopropylalkohol |
Vergleichsflüssigkeit 2 | Diethylenglykolmonobutylether |
Vergleichsflüssigkeit 3 | N,N-Dimethylacetamid |
Vergleichsflüssigkeit 4 | Ammoniumpolycarboxylatsalz *1 |
Vergleichsflüssigkeit 5 | Lauryltrimethylammoniumchlorid (Anzahl der Kohlenstoffatome der Alkylgruppe: 12) *2 |
Vergleichsflüssigkeit 6 | 2,4,7,9-Tetramethyl-5-decin-4,7-diol *3 |
Vergleichsflüssigkeit 7 | Polyoxyethylenpolyoxypropylen-Blockpolymer *4 |
Vergleichsflüssigkeit 8 | Ammoniumperfluoralkylsulfonatsalz *5 |
Vergleichsflüssigkeit 9 | Perfluoralkylcarbonatsalz *6 |
*1: „DKS Discoat N-14 (Produktbezeichnung)”, hergestellt von Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd., 0,01%ige wässrige Lösung
*2: „Catiogen TML (Produktbezeichnung)”, hergestellt von Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd., 0,01%ige wässrige Lösung
*3: „Surfynol 104 (Produktbezeichnung)”, hergestellt von Nisshin Chemical Industry Co., Ltd., 0,01%ige wässrige Lösung
*4: „Epan 420 (Produktbezeichnung)”, hergestellt von Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd., 0,01%ige wässrige Lösung
*5: „Fluorad FC-93 (Produktbezeichnung)”, hergestellt von 3M Corporation, 0,01%ige wässrige Lösung
*6: „Surfron S-111 (Produktbezeichnung)”, hergestellt von AGC Seimi Chemical Co., Ltd., 0,01%ige wässrige Lösung
-
-
Beispiele 5 bis 8
-
Die Strukturen, die in der 1(g) gezeigt sind, wurden in der gleichen Weise wie in den Beispielen 1 bis 4 erhalten, mit der Ausnahme, dass Tantal als das Metall 107 anstelle von Titannitrid verwendet wurde. Die resultierenden Strukturen wiesen eine feine Struktur mit einem Muster auf, das zylindrische Vertiefungen 108 aus dem Metall (Tantal) aufwies (Durchmesser: 125 nm, Höhe: 1200 nm (Seitenverhältnis: 9,6), Abstand zwischen den zylindrischen Vertiefungen: 70 nm), und 70% oder mehr des Musters waren nicht zusammengebrochen. Die Verarbeitungsflüssigkeiten, die Verarbeitungsverfahren und die erhaltenen Zusammenbruch-Unterdrückungsanteile in den Beispielen sind in der Tabelle 4 gezeigt.
-
Vergleichsbeispiele 11 bis 20
-
Die Strukturen, die in der 1(g) gezeigt sind, der Vergleichsbeispiele 11 bis 20 wurden in der gleichen Weise wie in den Vergleichsbeispielen 1 bis 10 erhalten, mit der Ausnahme, dass Tantal als das Metall 107 anstelle von Titannitrid verwendet wurde. 50% oder mehr des Musters der resultierenden Strukturen waren zusammengebrochen, wie es in der 1(h) gezeigt ist. Die Vergleichsflüssigkeiten, die Verarbeitungsverfahren und die erhaltenen Zusammenbruch-Unterdrückungsanteile in den Vergleichsbeispielen sind in der Tabelle 4 gezeigt.
-
-
Beispiele 9 bis 12
-
Wie es in der 2(a) gezeigt ist, wurde Polysilizium 202 (Dicke: 100 nm) auf einer auf einem Siliziumsubstrat ausgebildeten Siliziumoxidschicht 201 gebildet und nachdem darauf ein Photolack 203 gebildet worden ist, wurde der Photolack 203 belichtet und entwickelt, wodurch eine rechteckige, säulenförmige Öffnung 204 (1000 nm × 8000 nm), wie sie in der 2(b) gezeigt ist, gebildet wurde. Das Polysilizium 202 wurde mit dem Photolack 203 als Maske trockengeätzt, wodurch ein rechteckiges, säulenförmiges Loch 205 darin gebildet wurde, das die Siliziumoxidschicht 201 erreichte, wie es in der 2(c) gezeigt ist. Der Photolack 203 wurde dann durch Veraschen entfernt, wodurch eine Struktur bereitgestellt wurde, die das Polysilizium 202 aufweist, wobei das rechteckige, säulenförmige Loch 205 darin die Siliziumoxidschicht 201 erreichte, wie es in der 2(d) gezeigt ist. Das rechteckige, säulenförmige Loch 205 der resultierenden Struktur wurde mit Titan gefüllt, wodurch eine rechteckige Säule aus einem Metall (Titan) 206 und eine Metall(Titan)-Schicht 207 gebildet wurden (2(e)), und ein Photolack 208 wurde auf der Metall(Titan)-Schicht 207 gebildet (2(f)). Der Photolack 208 wurde belichtet und entwickelt, wodurch eine Photomaske 209 mit einer rechteckigen Form gebildet wurde, die den Bereich bedeckte, der die zwei rechteckigen Säulen aus einem Metall (Titan) 206 umfasste, wie es in der 2(g) gezeigt ist, und die Metall(Titan)-Schicht 207 wurde mit der rechteckigen Photomaske 209 als Maske trockengeätzt, wodurch eine Metall(Titan)-Platte 210 mit den rechteckigen Säulen aus einem Metall (Titan) 206 an beiden Enden des unteren Teils davon ausgebildet wurde, wie es in der 2(h) gezeigt ist. Die rechteckige Photomaske 209 wurde dann durch Veraschen entfernt, wodurch eine Struktur bereitgestellt wurde, die das Polysilizium 202 und die Metall(Titan)-Platte 210 mit den rechteckigen Säulen aus einem Metall (Titan) 206 aufwies, wie es in der 2(i) gezeigt ist. Das Polysilizium 202 der resultierenden Struktur wurde durch Lösen mit einer wässrigen Tetramethylammoniumhydroxidlösung entfernt und dann wurde die Struktur durch Inkontaktbringen mit reinem Wasser, den Verarbeitungsflüssigkeiten 1 bis 5 und reinem Wasser in dieser Reihenfolge verarbeitet, worauf getrocknet wurde, wodurch eine Brückenstruktur 211, wie sie in der 2(j) gezeigt ist, der Beispiele 9 bis 12 bereitgestellt wurde.
-
Die resultierende Brückenstruktur 211 wies eine feine Struktur mit der Metall(Titan)-Platte 210 (Länge × Breite: 15000 nm × 10000 nm, Dicke: 300 nm, Seitenverhältnis: 50) und den rechteckigen Säulen aus einem Metall (Titan) (Länge × Breite: 1000 nm × 8000 nm, Höhe: 100 nm) an beiden Enden davon auf, und 70% oder mehr der Metall(Titan)-Platte 210 waren nicht zusammengebrochen und waren nicht mit der Siliziumoxidschicht 201 in Kontakt. Der Zusammenbruch des Musters wurde mit einem „FE-SEM S-5500 (Modellnummer)”, das von Hitachi High-Technologies Corporation hergestellt worden ist, untersucht. Die Verarbeitungsflüssigkeiten, die Verarbeitungsverfahren und die erhaltenen Zusammenbruch-Unterdrückungsanteile in den Beispielen sind in der Tabelle 5 gezeigt.
-
Vergleichsbeispiel 21
-
Eine Brückenstruktur 211, die in der 2(j) gezeigt ist, wurde in der gleichen Weise wie im Beispiel 9 erhalten, mit der Ausnahme, dass die Struktur nach dem Entfernen des Polysiliziums 202 der in der 2(i) gezeigten Struktur durch Lösen mit einer wässrigen Tetramethylammoniumhydroxidlösung nur mit reinem Wasser verarbeitet wurde. 50% oder mehr der resultierenden Brückenstruktur 211 waren zusammengebrochen, wie es in der 2(k) gezeigt ist. Die Verarbeitungsflüssigkeit, das Verarbeitungsverfahren und der erhaltene Zusammenbruch-Unterdrückungsanteil in dem Vergleichsbeispiel 21 sind in der Tabelle 5 gezeigt.
-
Vergleichsbeispiele 22 bis 30
-
Brückenstrukturen 211, die in der 2(j) gezeigt sind, der Vergleichsbeispiele 22 bis 30 wurden in der gleichen Weise wie im Beispiel 9 erhalten, mit der Ausnahme, dass die Struktur nach dem Entfernen des Polysiliziums 202 der in der 2(i) gezeigten Struktur durch Lösen mit einer wässrigen Tetramethylammoniumhydroxidlösung und dem Verarbeiten mit reinem Wasser mit den in der Tabelle 2 gezeigten Vergleichsflüssigkeiten 1 bis 9 anstelle der Verarbeitungsflüssigkeit 1 verarbeitet wurde. 50% oder mehr der resultierenden Brückenstrukturen 211 waren zusammengebrochen, wie es in der 2(k) gezeigt ist (was ein Zusammenbruch-Unterdrückungsverhältnis von weniger als 50% anzeigte). Die Vergleichsflüssigkeiten, die Verarbeitungsverfahren und die erhaltenen Zusammenbruch-Unterdrückungsanteile in Vergleichsbeispiel 22 sind in der Tabelle 5 gezeigt.
-
-
Beispiele 13 bis 16
-
Brückenstrukturen 211, die in der 2(j) gezeigt sind, der Beispiele 13 bis 16 wurden in der gleichen Weise wie in den Beispielen 9 bis 12 erhalten, mit der Ausnahme, dass Aluminiumoxid als Metall anstelle von Titan verwendet wurde.
-
Die resultierenden Brückenstrukturen 211 wiesen eine feine Struktur mit der Metall(Aluminiumoxid)-Platte 210 (Länge × Breite: 15000 nm × 10000 nm, Dicke: 300 nm, Seitenverhältnis: 50) und den rechteckigen Säulen aus einem Metall (Aluminiumoxid) (Länge × Breite: 1000 nm × 8000 nm, Höhe: 100 nm) an beiden Enden davon auf, und 70% oder mehr der Metall(Aluminiumoxid)-Platte 210 waren nicht zusammengebrochen und waren nicht mit der Siliziumoxidschicht 201 in Kontakt. Die Verarbeitungsflüssigkeiten, die Verarbeitungsverfahren und die erhaltenen Zusammenbruch-Unterdrückungsanteile in den Beispielen sind in der Tabelle 6 gezeigt.
-
Vergleichsbeispiele 31 bis 40
-
Brückenstrukturen 211, die in der 2(j) gezeigt sind, der Vergleichsbeispiele 31 bis 40 wurden in der gleichen Weise wie in den Vergleichsbeispielen 21 bis 30 erhalten, jedoch wurde Aluminiumoxid als Metall anstelle von Titan verwendet. 50% oder mehr der resultierenden Brückenstrukturen waren zusammengebrochen, wie es in der 2(k) gezeigt ist. Die Vergleichsflüssigkeiten, die Verarbeitungsverfahren und die erhaltenen Zusammenbruch-Unterdrückungsanteile in den Vergleichsbeispielen sind in der Tabelle 6 gezeigt.
-
-
Beispiele 17 bis 20
-
Brückenstrukturen 211, die in der 2(j) gezeigt sind, der Beispiele 17 bis 20 wurden in der gleichen Weise wie in den Beispielen 9 bis 12 erhalten, mit der Ausnahme, dass Hafniumoxid als Metall anstelle von Titan verwendet wurde.
-
Die resultierenden Brückenstrukturen 211 wiesen eine feine Struktur mit der Metall(Hafniumoxid)-Platte 210 (Länge × Breite: 15000 nm × 10000 nm, Dicke: 300 nm, Seitenverhältnis: 50) und den rechteckigen Säulen aus einem Metall (Hafniumoxid) (Länge × Breite: 1000 nm × 8000 nm, Höhe: 100 nm) an beiden Enden davon auf, und 70% oder mehr der Metall(Hafniumoxid)-Platte 210 waren nicht zusammengebrochen und waren nicht mit der Siliziumoxidschicht 201 in Kontakt. Die Verarbeitungsflüssigkeiten, die Verarbeitungsverfahren und die erhaltenen Zusammenbruch-Unterdrückungsanteile in den Beispielen sind in der Tabelle 7 gezeigt.
-
Vergleichsbeispiele 41 bis 50
-
Brückenstrukturen 211, die in der 2(j) gezeigt sind, der Vergleichsbeispiele 41 bis 50 wurden in der gleichen Weise wie in den Vergleichsbeispielen 21 bis 30 erhalten, jedoch wurde Hafniumoxid als Metall anstelle von Titan verwendet. 50% oder mehr der resultierenden Brückenstrukturen waren zusammengebrochen, wie es in der 2(k) gezeigt ist. Die Vergleichsflüssigkeiten, die Verarbeitungsverfahren und die erhaltenen Zusammenbruch-Unterdrückungsanteile in den Vergleichsbeispielen sind in der Tabelle 7 gezeigt.
-
-
Beispiele 21 bis 24
-
Brückenstrukturen 211, die in der 2(j) gezeigt sind, der Beispiele 21 bis 24 wurden in der gleichen Weise wie in den Beispielen 9 bis 12 erhalten, mit der Ausnahme, dass Ruthenium als Metall anstelle von Titan verwendet wurde.
-
Die resultierenden Brückenstrukturen 211 wiesen eine feine Struktur mit der Metall(Ruthenium)-Platte 210 (Länge × Breite: 15000 nm × 10000 nm, Dicke: 300 nm, Seitenverhältnis: 50) und den rechteckigen Säulen aus einem Metall (Ruthenium) (Länge × Breite: 1000 nm × 8000 nm, Höhe: 100 nm) an beiden Enden davon auf, und 70% oder mehr der Metall(Ruthenium)-Platte 210 waren nicht zusammengebrochen und waren nicht mit der Siliziumoxidschicht 201 in Kontakt. Der Zusammenbruch des Musters wurde mit einem „FE-SEM S-5500 (Modellnummer)”, das von Hitachi High-Technologies Corporation hergestellt worden ist, untersucht. Die Verarbeitungsflüssigkeiten, die Verarbeitungsverfahren und die erhaltenen Zusammenbruch-Unterdrückungsanteile in den Beispielen sind in der Tabelle 8 gezeigt.
-
Vergleichsbeispiele 51 bis 60
-
Brückenstrukturen 211, die in der 2(j) gezeigt sind, der Vergleichsbeispieie 51 bis 60 wurden in der gleichen Weise wie in den Vergleichsbeispielen 21 bis 30 erhalten, jedoch wurde Ruthenium als Metall anstelle von Titan verwendet. 50% oder mehr der resultierenden Brückenstrukturen waren zusammengebrochen, wie es in der 2(k) gezeigt ist. Die Vergleichsflüssigkeiten, die Verarbeitungsverfahren und die erhaltenen Zusammenbruch-Unterdrückungsanteile in den Vergleichsbeispielen sind in der Tabelle 8 gezeigt.
-
-
Gewerbliche Anwendbarkeit
-
Die Verarbeitungsflüssigkeit der vorliegenden Erfindung kann in vorteilhafter Weise zur Unterdrückung eines Musterzusammenbruchs einer feinen Metallstruktur, wie z. B. einer Halbleitervorrichtung und einer Mikromaschine (MEMS), verwendet werden.
-
Bezugszeichenliste
-
- 101
- Photolack
- 102
- Siliziumoxid
- 103
- Siliziumnitrid
- 104
- Siliziumsubstrat
- 105
- Kreisförmige Öffnung
- 106
- Zylindrisches Loch
- 107
- Metall (Titannitrid oder Tantal)
- 108
- Zylindrische Vertiefung aus Metall (Titannitrid oder Tantal)
- 201
- Siliziumoxidschicht
- 202
- Polysilizium
- 203
- Photolack
- 204
- Rechteckige, säulenförmige Öffnung
- 205
- Rechteckiges, säulenförmiges Loch
- 206
- Rechteckige Säule aus Metall (Titan, Aluminiumoxid, Hafniumoxid oder Ruthenium)
- 207
- Metall(Titan, Aluminiumoxid, Hafniumoxid oder Ruthenium)-Schicht
- 208
- Photolack
- 209
- Rechteckige Photomaske
- 210
- Metall(Titan, Aluminiumoxid, Hafniumoxid oder Ruthenium)-Platte
- 211
- Brückenstruktur
-
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
-
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
-
Zitierte Patentliteratur
-
- JP 2004-184648 A [0005]
- JP 2005-309260 A [0005]
- JP 2006-163314 A [0005]
- JP 2000-196038 A [0034]
- JP 2004-288710 A [0034]
- JP 2007-335892 A [0034]
- JP 2009-122031 A [0034]