DE10329329A1 - Kostengünstiges Hochfrequenz-Package - Google Patents
Kostengünstiges Hochfrequenz-Package Download PDFInfo
- Publication number
- DE10329329A1 DE10329329A1 DE10329329A DE10329329A DE10329329A1 DE 10329329 A1 DE10329329 A1 DE 10329329A1 DE 10329329 A DE10329329 A DE 10329329A DE 10329329 A DE10329329 A DE 10329329A DE 10329329 A1 DE10329329 A1 DE 10329329A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- component
- circuit carrier
- film
- circuit
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
- H01L23/3164—Partial encapsulation or coating the coating being a foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19106—Disposition of discrete passive components in a mirrored arrangement on two different side of a common die mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
- Y10T29/49144—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by metal fusion
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Zur Herstellung eines Hochfrequenz-Packages wird ein Bauelement über Kontakte mit einem Schaltungsträger verbunden, die das Bauelement gegenüber dem Schaltungsträger beabstanden, eine Folie auf das Bauelement und den Schaltungsträger aufgebracht und die Folie metallisiert.
Description
- Herkömmliche, hermetisch dichte Hochfrequenz-Packages für Module bestehen vorwiegend aus gefrästen Metallgehäusen, die vergoldet und anschließend mit einem aufgelöteten Metalldeckel verschlossen werden. Hermetische Einzelbauteil-Keramikgehäuse, wie sie beispielsweise für OFW-Bauteile verwendet werden, sind ebenfalls kostenintensiv und für Bauteile mit hohen Verlustleistungen weniger geeignet.
- Übliche HF-Metallgehäuse, wie sie oft für Module eingesetzt werden, wenn keine Hermetizität aber eine gute Abschirmung notwendig ist, sind sehr teuer, sehr groß und nicht hermetisch dicht.
- Ebenfalls teuer sind auf neuester LTCC-Technologie basierende HF-Modulgehäuse. Hierbei dient die Keramik nur der Leitungsführung, während der Deckel aufgelötet wird.
- Typische OFW-Filtergehäuse, die auf HTCC-Technologie basieren, werden Rollnaht-verschweißt und sind bis ca. 5 GHz für Bauteile ohne hohe Verlustleistung verwendbar. Die Deckelverschweißung ist allerdings aufwändig und die Gehäuse sind nur für einen beschränkten Frequenzbereich einsetzbar.
- Aktuelle, hermetische CSP-Gehäuse sind wegen der im Hochfrequenzbereich zu verwendenden Au-Sn-aufgelöteten Deckel ebenfalls teuer.
- Aus
DE 100 41 770 A1 ist ein Substrat mit einer ersten dielektrischen Lage, einer Hochfrequenzstrukturlage, die ein Hochfrequenz-Verteilernetzwerk beinhaltet, und mindestens einer Niederfrequenzstrukturlage bekannt. Ein damit gebildetes Modul beinhaltet weiterhin einen Deckel. - Aus WO 97/45955 A1, WO 99/43084 A1,
DE 195 48 048 A1 undDE 198 18 824 A1 sind auf Schaltungsträgern befindliche elektronische Bauelemente bekannt, die mit Abdeckungen, insbesondere in Form von Folien, überzogen sind. Hierbei verwendete Metallfolien haben sich als sehr schwierig zu handhaben und oft nicht langzeitbeständig herausgestellt. - Davon ausgehend liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein kostengünstiges Verfahren zur Herstellung eines Hochfrequenz-Packages anzugeben.
- Diese Aufgabe wird durch die in den unabhängigen Ansprüchen angegebenen Erfindungen gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
- Dementsprechend wird ein Schaltungsträger mit einem Bauelement über Kontakte verbunden, die das Bauelement gegenüber dem Schaltungsträger beabstanden, so dass zwischen dem Bauelement, dem Schaltungsträger und den Kontakten Hohlräume gebildet werden. Auf das Bauelement und den Schaltungsträger wird eine Folie so aufgebracht, dass sie eng an der Oberfläche des Schaltungsträgers, auf der sich das Bauelement befindet, und an den nicht dem Schaltungsträger zugewandten Seiten des Bauelementes anliegt. Nach ihrem Aufbringen auf das Bauelement und den Schaltungsträger wird die Folie mit einer Metallisierung versehen.
- Vorzugsweise wird die Metallisierung durch Sputtern oder Bedampfen aufgebracht und anschließend galvanisch verstärkt.
- In der Folie kann auf der dem Schaltungsträger abgewandten Seite des Bauelementes ein Fenster geöffnet werden, über das das Bauelement kontaktierbar ist. Erfolgt das Öffnen des Fensters vor dem Metallisieren der Folie, so kann der Kontakt gleich durch die Metallisierung hergestellt werden.
- In einer besonders ausgeklügelten Weiterbildung der Erfindung wird ein Lotbump auf der Seite des Schaltungsträgers aufgebracht, auf der das Bauelement angebracht ist. Dieser Lotbump überragt das Bauelement, indem er vom Schaltungsträger aus gesehen höher als das Bauelement ist. Dadurch kann das durch Schaltungsträger, Bauelement, Folie und Metallisierung der Folie bestehende Package auf der Seite, auf der das Bauelement am Schaltungsträger angeordnet ist, über den Lotbump mit beispielsweise einem weiteren Schaltungsträger elektrisch verbunden werden.
- Das Bauelement ist insbesondere ein aktives Bauelement, ein Hochfrequenz-Bauelement und/oder ein Höchstfrequenz-Bauelement.
- Über das Bauelement hinaus können am Schaltungsträger noch ein oder mehrere passive Bauelemente angeordnet sein. Die passiven Bauelemente sind vorzugsweise auf der dem Bauelement gegenüberliegenden Seite des Schaltungsträgers angeordnet.
- Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung. Dabei zeigt:
-
1 einen einseitig bestückten Schaltungsträger mit siebgedruckten Lotbumps auf der Schaltungsträgerrückseite -
2 einen doppelseitig bestückten Schaltungsträger mit aufgesetzten Lotkugeln bzw. Lotbumps auf der Schaltungsträgervorderseite und einem oberflächenmontierten passiven Bauelement auf der Schaltungsträgerrückseite. - Die Prozessierung von Packages erfolgt im Nutzen und kann beispielsweise wie im Folgenden ausgeführt erfolgen. Entspre chend der Universalität der Erfindung sind zahlreiche Änderungen in der Prozesskette möglich.
- Bauelemente
1 in Form von Chips werden gebumpt und bei gedruckten Kontakten2 in Form von Lotbumps werden diese umgeschmolzen. Alternativ kann auch ein Schaltungsträger3 gebumpt werden. - Die Bauelemente
1 werden vereinzelt, umgedreht mit den Kontakten2 in Flussmittel gedippt und auf Anschlusspads des beispielsweise in Keramik ausgeführten Schaltungsträgers3 platziert. Dabei entstehen zwischen dem Bauelement1 , den Kontakten2 und dem Schaltungsträger3 Hohlräume4 . - Anschließend wird eine Folie
5 ganzflächig über die Bauelemente1 laminiert und an Kontaktierstellen sowie an den Modulrändern (Sägespuren) beispielsweise mittels Laser abgetragen. - Die Folie
5 wird durch ganzflächiges Beschichten beispielsweise mittels Cu-Sputterns mit einer Metallisierung6 versehen, die gegebenenfalls galvanisch verstärkt wird. - Vorzugsweise laufen auf dem Schaltungsträger
3 ein oder mehrere Rahmen12 in Form von Metallisierungen auf der Keramik um, bei denen die Folie5 abgetragen wurde. Hier ist die über die Bauelemente1 gespannte Metallabschirmung in Form der Metallisierung6 direkt mit dem Schaltungsträger3 verbunden. Dadurch wird ein hermetisches Package gebildet. - Da die Kontakte
2 in Form von Bumps in den Hohlräumen4 mit Luft umgeben sind, also die Dielektrizitätskonstante zwischen den Kontakten2 in etwa1 beträgt, ist eine Verwendung bis in die Höchstfrequenztechnik möglich. Bauelemente mit hohen Verlustleistungen, beispielsweise GaAs-Chips, können dünngeschliffen werden, bevor sie aufgesetzt werden. Ein mittels Laser oder ähnlichem frei geschnittenes Fenster7 in der Fo lie5 auf der dem Schaltungsträger3 abgewandten Seite des Bauelementes1 ermöglicht, dass die Kupfer-Metallisierung6 direkt auf der Bauelementeoberfläche kontaktiert wird. Die Wärmeabfuhr wird somit nicht durch die Folie5 behindert. In gleicher Weise kann eine Masseanbindung der Bauelementsubstratrückseite realisiert werden. - In der Ausführungsform nach
1 ist auf der dem Bauelement1 gegenüberliegenden Seite des Schaltungsträgers3 ein Kontaktelement8 in Form eines Lotbumps angeordnet. - In der Ausführungsform nach
2 ist auf der dem Bauelement1 gegenüberliegenden Seite des Schaltungsträgers3 ein passives Bauelement9 angeordnet und mit Lot10 verlötet. - Weiterhin ist auf der Seite des Schaltungsträgers
3 , auf der sich das Bauelement1 befindet, ein Kontaktelement11 in Form eines Lotbumps angeordnet, das höher über der Oberfläche des Schaltungsträgers3 aufragt als das Bauelement1 mit den Kontakten2 . - Die dargestellten Varianten stellen nur bevorzugte Ausführungsformen dar. Als Bauelemente kommen beispielsweise Si- oder GaAs-Chips auch in gemischter Bestückung in Frage. Als Substrate für den Schaltungsträger sind LTCC-Keramiken erprobt, andere Keramiken, wie etwa HTCC oder Al2O3, oder organische Substrate, wie etwa FR5, mit möglichst geringen Ausdehnungskoeffizienten sind ebenso denkbar. Die Ausführungsform nach
1 kann beispielsweise durch eine Vergussmasse pick&place-fähig gemacht werden, was eine kostengünstige Bestückung ermöglicht. - Müssen Chips durch Drahtbonden kontaktiert werden, so können diese entweder rückseitig angeordnet oder auch mit einem Schutzdeckel unter die Schirmungsfolie
5 eingebracht werden. - Allen Ausführungsformen der Erfindung sind folgende Vorteile zu eigen:
- – Höchstfrequenztauglichkeit (> 20 GHz), da kein Underfill (ε = 1 zwischen den Bumps), kurze, konstant lange Signallaufzeiten (Flip-Chip statt Wire Bonds),
- – hermetische Dichtigkeit und ESD-Abschirmung bei sehr geringen Kosten durch Fertigung im Nutzen,
- – Entwärmung von Bauelementen möglich, beispielsweise durch Applizieren von Kühlkörpern,
- – Universalität: verschiedene Bauelemente- und Schaltungsträgersubstrate kombinierbar mit HTCC- und LTCC-Technik, SMD-Bauteile können beispielsweise auf der Schaltungsträgerrückseite montiert werden,
- – leicht an verschiedene Packagetypen anpassbar.
Claims (8)
- Verfahren, bei dem – ein Schaltungsträger (
3 ) mit einem Bauelement (1 ) über Kontakte (2 ) verbunden wird, die das Bauelement (1 ) gegenüber dem Schaltungsträger (3 ) beabstanden, – eine Folie (5 ) auf das Bauelement (1 ) und den Schaltungsträger (3 ) aufgebracht wird, – die Folie (5 ) metallisiert wird. - Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Metallisierunq (
6 ) der Folie (5 ) galvanisch verstärkt wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem in der Folie (
5 ) auf der dem Schaltungsträger (3 ) abgewandten Seite des Bauelements (1 ) ein Fenster (7 ) geöffnet wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem auf dem Schaltungsträger (
3 ) ein Kontaktelement (8 ,11 ), insbesondere ein Lotbump, aufgebracht wird. - Verfahren nach Anspruch 4, bei dem das Kontaktelement (
11 ) auf der Seite des Schaltungsträgers (3 ) aufgebracht wird, auf der das Bauelement (1 ) angeordnet ist, und das Bauelement (1 ) überragt. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Bauelement (
1 ) ein Hochfrequenzbauelement ist, insbesondere ein Höchstfrequenzbauelement. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem am Schaltungsträger (
3 ) ein passives Bauelement (9 ) angeordnet wird. 8, Verfahren nach Anspruch 7, bei dem das passive Bauelement (9 ) auf der dem Bauelement (1 ) gegenüberliegenden Seite des Schaltungsträgers (3 ) angeordnet wird. - Hochfrequenz-Package, das nach einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8 hergestellt ist.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10329329A DE10329329B4 (de) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | Hochfrequenz-Gehäuse und Verfahren zu seiner Herstellung |
EP04741915A EP1639642A2 (de) | 2003-06-30 | 2004-06-29 | Hochfrequenz-package |
JP2005518163A JP2006510235A (ja) | 2003-06-30 | 2004-06-29 | 廉価な高周波パッケージ |
KR1020057004365A KR100697434B1 (ko) | 2003-06-30 | 2004-06-29 | 고주파 패키지 및 그 제조방법 |
CNB2004800008421A CN100382306C (zh) | 2003-06-30 | 2004-06-29 | 节约成本的高频包装 |
PCT/EP2004/051282 WO2005001934A2 (de) | 2003-06-30 | 2004-06-29 | Hochfrequenz-package |
US10/527,961 US20060162157A1 (en) | 2003-06-30 | 2004-06-29 | Economical high-frequency package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10329329A DE10329329B4 (de) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | Hochfrequenz-Gehäuse und Verfahren zu seiner Herstellung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10329329A1 true DE10329329A1 (de) | 2005-02-17 |
DE10329329B4 DE10329329B4 (de) | 2005-08-18 |
Family
ID=33546724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10329329A Expired - Fee Related DE10329329B4 (de) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | Hochfrequenz-Gehäuse und Verfahren zu seiner Herstellung |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060162157A1 (de) |
EP (1) | EP1639642A2 (de) |
JP (1) | JP2006510235A (de) |
KR (1) | KR100697434B1 (de) |
CN (1) | CN100382306C (de) |
DE (1) | DE10329329B4 (de) |
WO (1) | WO2005001934A2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010054782A1 (de) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | Epcos Ag | Gehäustes elektrisches Bauelement |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100691160B1 (ko) * | 2005-05-06 | 2007-03-09 | 삼성전기주식회사 | 적층형 표면탄성파 패키지 및 그 제조방법 |
KR100703090B1 (ko) * | 2005-08-30 | 2007-04-06 | 삼성전기주식회사 | 후면 접지형 플립칩 반도체 패키지 |
DE102006025162B3 (de) * | 2006-05-30 | 2008-01-31 | Epcos Ag | Flip-Chip-Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
JP5799541B2 (ja) | 2011-03-25 | 2015-10-28 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体装置及びその製造方法 |
FR2984882A1 (fr) | 2011-12-23 | 2013-06-28 | Saint Gobain Ct Recherches | Procede de fabrication d'un produit mesoporeux. |
KR101356791B1 (ko) | 2012-01-20 | 2014-01-27 | 한국과학기술원 | 박막형 수퍼커패시터 및 그의 제조 방법 |
CN105702664A (zh) * | 2012-11-16 | 2016-06-22 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 半导体封装构造及其制造方法 |
US9484313B2 (en) * | 2013-02-27 | 2016-11-01 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor packages with thermal-enhanced conformal shielding and related methods |
DE112015002947A5 (de) | 2014-06-23 | 2017-03-16 | Epcos Ag | Gehäuse für ein elektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für ein elektrisches Bauelement |
CN106816420A (zh) * | 2015-11-30 | 2017-06-09 | 讯芯电子科技(中山)有限公司 | 一种声波元件封装结构及其制造方法 |
US10741501B1 (en) * | 2018-10-22 | 2020-08-11 | Keysight Technologies, Inc. | Systems and methods for sheathing electronic components |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10002852A1 (de) * | 2000-01-24 | 2001-08-02 | Infineon Technologies Ag | Abschirmeinrichtung und elektrisches Bauteil mit einer Abschirmeinrichtung |
US20010035576A1 (en) * | 1992-10-26 | 2001-11-01 | Wachtler Kurt P. | HID land grid array packaged device having electrical and optical interconnects |
US6492194B1 (en) * | 1999-10-15 | 2002-12-10 | Thomson-Csf | Method for the packaging of electronic components |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4967262A (en) * | 1989-11-06 | 1990-10-30 | Micron Technology, Inc. | Gull-wing zig-zag inline lead package having end-of-package anchoring pins |
US5477082A (en) * | 1994-01-11 | 1995-12-19 | Exponential Technology, Inc. | Bi-planar multi-chip module |
US5639989A (en) * | 1994-04-19 | 1997-06-17 | Motorola Inc. | Shielded electronic component assembly and method for making the same |
FR2728392A1 (fr) * | 1994-12-16 | 1996-06-21 | Bull Sa | Procede et support de connexion d'un circuit integre a un autre support par l'intermediaire de boules |
DE69621983T2 (de) * | 1995-04-07 | 2002-11-21 | Shinko Electric Ind Co | Struktur und Verfahren zur Montage eines Halbleiterchips |
DE19548048C2 (de) * | 1995-12-21 | 1998-01-15 | Siemens Matsushita Components | Elektronisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement (OFW-Bauelement) |
JPH11510666A (ja) * | 1996-05-24 | 1999-09-14 | シーメンス マツシタ コンポーネンツ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング ウント コンパニコマンデイート ゲゼルシヤフト | 電子デバイス、特に表面音波で作動するデバイス―sawデバイス |
US5899705A (en) * | 1997-11-20 | 1999-05-04 | Akram; Salman | Stacked leads-over chip multi-chip module |
DE19806818C1 (de) * | 1998-02-18 | 1999-11-04 | Siemens Matsushita Components | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements, insbesondere eines mit akustischen Oberflächenwllen arbeitenden OFW-Bauelements |
DE19818824B4 (de) * | 1998-04-27 | 2008-07-31 | Epcos Ag | Elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE10016867A1 (de) * | 2000-04-05 | 2001-10-18 | Epcos Ag | Bauelement mit Beschriftung |
TW445612B (en) * | 2000-08-03 | 2001-07-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Solder ball array structure to control the degree of collapsing |
DE10136743B4 (de) * | 2001-07-27 | 2013-02-14 | Epcos Ag | Verfahren zur hermetischen Verkapselung eines Bauelementes |
DE10142542A1 (de) * | 2001-08-30 | 2003-03-27 | Infineon Technologies Ag | Anordnung eines Halbleiterchips in einem Gehäuse, Chipkarte und Chipmodul |
DE10164502B4 (de) * | 2001-12-28 | 2013-07-04 | Epcos Ag | Verfahren zur hermetischen Verkapselung eines Bauelements |
TW517368B (en) * | 2002-01-22 | 2003-01-11 | Via Tech Inc | Manufacturing method of the passivation metal on the surface of integrated circuit |
DE10256945A1 (de) * | 2002-12-05 | 2004-06-17 | Epcos Ag | Elektronisches Bauelement mit mehreren Chips und Verfahren zur Herstellung |
-
2003
- 2003-06-30 DE DE10329329A patent/DE10329329B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-06-29 US US10/527,961 patent/US20060162157A1/en not_active Abandoned
- 2004-06-29 JP JP2005518163A patent/JP2006510235A/ja active Pending
- 2004-06-29 EP EP04741915A patent/EP1639642A2/de not_active Withdrawn
- 2004-06-29 KR KR1020057004365A patent/KR100697434B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-06-29 WO PCT/EP2004/051282 patent/WO2005001934A2/de active Application Filing
- 2004-06-29 CN CNB2004800008421A patent/CN100382306C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20010035576A1 (en) * | 1992-10-26 | 2001-11-01 | Wachtler Kurt P. | HID land grid array packaged device having electrical and optical interconnects |
US6492194B1 (en) * | 1999-10-15 | 2002-12-10 | Thomson-Csf | Method for the packaging of electronic components |
DE10002852A1 (de) * | 2000-01-24 | 2001-08-02 | Infineon Technologies Ag | Abschirmeinrichtung und elektrisches Bauteil mit einer Abschirmeinrichtung |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010054782A1 (de) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | Epcos Ag | Gehäustes elektrisches Bauelement |
US9844128B2 (en) | 2010-12-16 | 2017-12-12 | Snaptrack, Inc. | Cased electrical component |
US10154582B2 (en) | 2010-12-16 | 2018-12-11 | Snaptrack, Inc. | Method for producing a cased electrical component |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1701440A (zh) | 2005-11-23 |
KR100697434B1 (ko) | 2007-03-20 |
DE10329329B4 (de) | 2005-08-18 |
CN100382306C (zh) | 2008-04-16 |
JP2006510235A (ja) | 2006-03-23 |
WO2005001934A2 (de) | 2005-01-06 |
EP1639642A2 (de) | 2006-03-29 |
KR20050042200A (ko) | 2005-05-04 |
US20060162157A1 (en) | 2006-07-27 |
WO2005001934A3 (de) | 2005-05-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1412974B1 (de) | Verfahren zur hermetischen verkapselung eines bauelementes | |
DE10253163B4 (de) | Bauelement mit hermetischer Verkapselung und Waferscale Verfahren zur Herstellung | |
DE102013103119B4 (de) | PCB-BASIERTER FENSTERRAHMEN FÜR HF-LEISTUNGSPACKAGE, Halbleiterpackage und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterpackage | |
DE10201781B4 (de) | Hochfrequenz-Leistungsbauteil und Hochfrequenz-Leistungsmodul sowie Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE102012104270B4 (de) | Halbleiterkomponente, Halbleiterkomponentenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterkomponente | |
DE69935628T2 (de) | Hybridmodul | |
DE60111753T2 (de) | Dickschicht-millimeterwellen-sende-empfängermodul | |
EP1652232B1 (de) | Multichip-Schaltungsmodul und Verfahren zur Herstellung hierzu | |
DE102007017831B4 (de) | Halbleitermodul und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls | |
DE102008028757B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterchipanordnung | |
EP1920462A2 (de) | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements mit einer planaren kontaktierung und halbleiterbauelement | |
DE10329329B4 (de) | Hochfrequenz-Gehäuse und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE102018205670A1 (de) | Hermetisch abgedichtete Moduleinheit mit integrierten Antennen | |
DE102004039229A1 (de) | Bauelement-Anordnung mit einem Trägersubstrat | |
WO2004064152A2 (de) | Modular aufgebautes bauelement mit verkapselung | |
DE10300956B3 (de) | Bauelement mit Höchstfrequenzverbindungen in einem Substrat | |
DE10308928A1 (de) | Direkt auf ungehäusten Bauelementen erzeugte freitragende Kontaktierstrukturen | |
EP1989731B1 (de) | Verfahren zum herstellen und planaren kontaktieren einer elektronischen vorrichtung | |
DE102020007677A1 (de) | Leiterrahmenabstandshalter für doppelseitiges leistungsmodul | |
WO2012016898A2 (de) | Verfahren zur herstellung einer mehrzahl von elektronischen bauelementen mit elektromagnetischer schirmung und insbesondere mit wärmeabführung und elektronisches bauelement mit elektromagnetischer schirmung und insbesondere mit wärmeabführung | |
DE19830158C2 (de) | Zwischenträgersubstrat mit hoher Verdrahtungsdichte für elektronische Bauelemente | |
DE102015122294B4 (de) | Isolierter Die | |
DE19702186C2 (de) | Verfahren zur Gehäusung von integrierten Schaltkreisen | |
DE102016207947A1 (de) | Optoelektronische Baugruppe, elektronische Baugruppe, Verfahren zum Ausbilden einer optoelektronischen Baugruppe und Verfahren zum Ausbilden einer elektronischen Baugruppe | |
DE10227544A1 (de) | Vorrichtung zur optischen und/oder elektrischen Datenübertragung und/oder -verarbeitung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20140101 |