CN106816420A - 一种声波元件封装结构及其制造方法 - Google Patents

一种声波元件封装结构及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106816420A
CN106816420A CN201510867847.4A CN201510867847A CN106816420A CN 106816420 A CN106816420 A CN 106816420A CN 201510867847 A CN201510867847 A CN 201510867847A CN 106816420 A CN106816420 A CN 106816420A
Authority
CN
China
Prior art keywords
acoustic elecment
film
pad
encapsulating structure
acoustic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510867847.4A
Other languages
English (en)
Inventor
杨俊�
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
- Core Of Electronic Science And Technology (zhongshan) Co Ltd
Original Assignee
- Core Of Electronic Science And Technology (zhongshan) Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by - Core Of Electronic Science And Technology (zhongshan) Co Ltd filed Critical - Core Of Electronic Science And Technology (zhongshan) Co Ltd
Priority to CN201510867847.4A priority Critical patent/CN106816420A/zh
Publication of CN106816420A publication Critical patent/CN106816420A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)

Abstract

本发明公开了一种声波元件封装结构及其制造方法，所述声波元件封装结构包括声波元件、基板、金属屏蔽层，所述声波元件和基板通过第一焊盘、对应的第二焊盘和金球导装焊接；所述声波元件的线路区通过膜选择性覆盖并形成空腔结构，第一膜围墙与所述第一表面和第二表面形成气密性空腔，封装结构的表面和侧面由金属屏蔽层覆盖，从而提供了一种结构和制程简单的声波元件封装结构，提高了生产效率，降低了材料成本和制造成本。

Description

一种声波元件封装结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及芯片封装技术领域，尤其是涉及一种声波元件封装结构及其制造方法。
背景技术
声波元件主要应用于手机等通讯产品中，为迎合通讯产品便携的要求和轻薄化的趋势，声波元件需要尺寸小、厚度薄。现有技术中，声波元件的典型封装结构及制造方法如下：将声波元件用锡球导装焊接在陶瓷基板上；然后采用膜材料包覆该声波元件，形成空腔结构；再于膜材料表面涂覆金属层，金属层在陶瓷基板表面接地，起到电磁屏蔽作用。现有技术存在以下缺陷：1、受到锡球焊接、膜材料包覆、涂覆金属层的工艺限制，封装结构的尺寸和厚度无法进一步减小；2、需要采用膜材料包覆整个声波元件形成封装空腔，导致膜材料用量大，由于膜材料比较昂贵，造成封装成本高。
发明内容
有鉴于此，本发明公开了一种声波元件封装结构，可以进一步减小封装尺寸、降低材料成本；
同时，本发明还公开了一种该声波元件封装结构的制造方法，旨在提高制造效率，降低材料成本和制造成本。
本发明的技术方案如下：
一种声波元件封装结构，包括：
声波元件，其包括设有电路的第一表面，所述第一表面上设有传感器及设于所述传感器外侧的若干第一焊盘，所述第一焊盘外围由第一膜围墙围合；及
基板，其包括第二表面和第三表面，所述第二表面上设有与所述第一焊盘对应的第二焊盘；及
设于所述声波元件外表面及第一膜围墙侧面和基板侧面的金属屏蔽层，所述金属屏蔽层于所述基板侧面接地；
所述第一焊盘与对应的第二焊盘通过金球焊接；所述第一膜围墙与所述第一表面和第二表面形成气密性空腔。
还包括设于所述第三表面上的用于连接PCB板的SMD垫。
作为优选，还包括设于所述传感器与所述第一焊盘之间的第二膜围墙。
一种声波元件封装结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：
S1、在声波元件上压合膜；
S2、在膜上设置底片，通过曝光显影显露膜的预定去除区；
S3、根据曝光显影去掉预定去除区的膜，使膜在声波元件上形成预定的第一膜围墙和第二膜围墙，并显露出声波元件上的传感器和第一焊盘；
S4、将带有第二焊盘的基板通过金球与声波元件焊接固定，第一膜围墙与声波元件和基板接合形成气密性空腔；
S5、在声波元件外表面及第一膜围墙侧面和基板侧面镀金属屏蔽层，并将所述金属屏蔽层于所述基板侧面接地。
所述步骤S1中采用整片声波晶片与整片膜压合，并在所述步骤S3与步骤S4之间还包括步骤
S301、将所述整片声波晶片切割形成单个声波元件。
所述基板为与多个所述声波元件对应焊接固定的整板，并在所述步骤S4与步骤S5之间还包括步骤
S401、将所述整板与单个声波元件对应分割。
所述声波元件上的第一焊盘和所述基板上的第二焊盘通过所述金球以超声波热压的方式焊接固定。
所述金属屏蔽层采用溅镀的方式镀附于所述声波元件外表面及第一膜围墙侧面和基板侧面。
本发明公开的声波元件封装结构及其制造方法中，声波元件使用金球导装焊接在基板上，焊接需要的焊盘小，可减小封装尺寸，且无需使用昂贵的陶瓷基板，声波晶片外表面由金属屏蔽层覆盖，从而简化了声波元件封装结构及制程，降低了材料成本和制造成本。
附图说明
图1是本发明的声波元件封装结构在一实施例中的结构示意图；
图2至图7是本发明的声波元件封装结构在一实施例中的制造工艺流程示意图。
主要元件符号说明
声波元件 1
第一焊盘 2
金球 3
空腔 4
第二焊盘 5
第一围墙 6
基板 7
SMD垫 8
第二围墙 9
金属屏蔽层 10
底片 11
膜 12
传感器 13
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1所示，是本发明的声波元件封装结构在一实施例中的结构示意图。所述声波元件封装结构包括：
声波元件1，其包括设有电路的第一表面，所述第一表面上设有传感器13及设于所述传感器13外侧的若干第一焊盘2，所述第一焊盘2外围由第一膜围墙6围合；及
基板7，其包括第二表面和第三表面，所述第二表面上设有与所述第一焊盘2对应的第二焊盘5；及
设于所述声波元件1外表面及第一膜围墙6的侧面和基板7侧面的金属屏蔽层10，所述金属屏蔽层10于所述基板7侧面接地，起到电磁屏蔽作用；
所述第一焊盘2与对应的第二焊盘5通过金球3焊接；所述第一膜围墙6与所述第一表面和第二表面形成气密性空腔4，例如，在具体实施中，第一膜围墙6在第一焊盘2外部围合成一环形，环形的上下两端由第一表面和第二表面封闭，形成气密性空腔4，将传感器13及第一焊盘2封闭其中；所述空腔4用于供所述传感器13活动使用，所述第一膜围墙6用于防止水汽等进入所述空腔4内部。
在具体实施中，还可以包括设于所述第三表面上的SMD垫8，用于与PCB板进行电连接。
作为优选，还包括设于所述传感器与所述第一焊盘2之间的第二膜围墙9，进一步起到隔绝作用。
与现有技术相比，本发明的声波元件封装结构具有以下优点：
1)声波元件使用金球导装焊接在基板上，焊接需要的焊盘小，有利于减小封装尺寸；
2)膜材料仅选择性覆盖声波元件的线路区，以膜围墙的形式形成空腔，不必全包覆，因此可减少膜材料的用量；
3)声波元件的外表面无膜材料覆盖，而是镀附屏蔽金属层，不仅减小了封装厚度，还可改善封装散热。
参阅图2至图7，是本发明的声波元件封装结构在一实施例中的制造工艺流程示意图。所述声波元件封装结构的制造方法包括步骤：
S1、在声波元件上压合膜12；
S2、在膜12上设置底片，通过曝光显影显露膜12的预定去除区；
S3、根据曝光显影去掉预定去除区的膜，使膜在声波元件1上形成预定的第一膜围墙6，并显露出声波元件1上的传感器和第一焊盘2，从而实现膜材料在声波元件线路区的选择性覆盖；
S4、将带有第二焊盘5的基板7通过金球3与声波元件1焊接固定，第一膜围墙6与声波元件1和基板7接合形成气密性空腔4，相应的，第二膜围墙9与声波元件1和基板7接合，在气密性空腔4内形成一较小的空腔；
S5、在声波元件1的外表面及第一膜围墙6侧面和基板7侧面镀金属屏蔽层10，并将所述金属屏蔽层10于所述基板7侧面接地。
在具体实施中，为实现连续加工、减少装夹次数，所述步骤S1中采用整片声波晶片与整片膜压合，并在所述步骤S3与步骤S4之间还包括步骤
S301、将所述整片声波晶片切割形成单个声波元件。
同理，为减少装夹次数、提高加工效率，所述基板7为与多个所述声波元件1对应焊接固定的整板，并在所述步骤S4与步骤S5之间还包括步骤
S401、将所述整板与单个声波元件对应分割。
所述声波元件1上的第一焊盘2和所述基板7上的第二焊盘5通过所述金球3以超声波热压的方式焊接固定。
所述金属屏蔽层10采用溅镀的方式镀附于所述声波元件1外表面及第一膜围墙6侧面和基板7侧面。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (8)

1.一种声波元件封装结构，其特征在于，包括：
声波元件，其包括设有电路的第一表面，所述第一表面上设有传感器及设于所述传感器外侧的若干第一焊盘，所述第一焊盘外围由第一膜围墙围合；及
基板，其包括第二表面和第三表面，所述第二表面上设有与所述第一焊盘对应的第二焊盘；及
设于所述声波元件外表面及第一膜围墙侧面和基板侧面的金属屏蔽层，所述金属屏蔽层于所述基板侧面接地；
所述第一焊盘与对应的第二焊盘通过金球焊接；所述第一膜围墙与所述第一表面和第二表面形成气密性空腔。
2.如权利要求1所述的声波元件封装结构，其特征在于：还包括设于所述第三表面上的用于连接PCB板的SMD垫。
3.如权利要求1或2所述的声波元件封装结构，其特征在于：还包括设于所述传感器与所述第一焊盘之间的第二膜围墙。
4.一种声波元件封装结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：
S1、在声波元件上压合膜；
S2、在膜上设置底片，通过曝光显影显露膜的预定去除区；
S3、根据曝光显影去掉预定去除区的膜，使膜在声波元件上形成预定的第一膜围墙，并显露出声波元件上的传感器和第一焊盘；
S4、将带有第二焊盘的基板通过金球与声波元件焊接固定，第一膜围墙与声波元件和基板接合形成气密性空腔；
S5、在声波元件外表面及第一膜围墙侧面和基板侧面镀金属屏蔽层，并将所述金属屏蔽层于所述基板侧面接地。
5.如权利要求4所述的声波元件封装结构的制造方法，其特征在于：所述步骤S1中采用整片声波晶片与整片膜压合，并在所述步骤S3与步骤S4之间还包括步骤
S301、将所述整片声波晶片切割形成单个声波元件。
6.如权利要求4或5所述的声波元件封装结构的制造方法，其特征在于：所述基板为与多个所述声波元件对应焊接固定的整板，并在所述步骤S4与步骤S5之间还包括步骤
S401、将所述整板与单个声波元件对应分割。
7.如权利要求4所述的声波元件封装结构的制造方法，其特征在于：所述声波元件上的第一焊盘和所述基板上的第二焊盘通过所述金球以超声波热压的方式焊接固定。
8.如权利要求4所述的声波元件封装结构的制造方法，其特征在于：所述金属屏蔽层采用溅镀的方式镀附于所述声波元件外表面及第一膜围墙侧面和基板侧面。
CN201510867847.4A 2015-11-30 2015-11-30 一种声波元件封装结构及其制造方法 Pending CN106816420A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510867847.4A CN106816420A (zh) 2015-11-30 2015-11-30 一种声波元件封装结构及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510867847.4A CN106816420A (zh) 2015-11-30 2015-11-30 一种声波元件封装结构及其制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106816420A true CN106816420A (zh) 2017-06-09

Family

ID=59107877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510867847.4A Pending CN106816420A (zh) 2015-11-30 2015-11-30 一种声波元件封装结构及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106816420A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107707216A (zh) * 2017-10-19 2018-02-16 成都旭思特科技有限公司 增强抗干扰能力的滤波器集成滤波方法
CN109037428A (zh) * 2018-08-10 2018-12-18 付伟 带有双围堰的芯片封装结构及其制作方法
CN111200410A (zh) * 2018-11-16 2020-05-26 开元通信技术（厦门）有限公司 一种声波器件晶圆级封装结构及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1701440A (zh) * 2003-06-30 2005-11-23 西门子公司 节约成本的高频包装
CN101978483A (zh) * 2007-12-26 2011-02-16 斯盖沃克斯解决方案公司 原位空腔集成电路块
CN102479773A (zh) * 2010-11-26 2012-05-30 海华科技股份有限公司 具有电性屏蔽功能的模块集成电路封装结构及其制作方法
CN103395735A (zh) * 2013-08-05 2013-11-20 天津大学 微机电系统器件的封装结构

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1701440A (zh) * 2003-06-30 2005-11-23 西门子公司 节约成本的高频包装
CN101978483A (zh) * 2007-12-26 2011-02-16 斯盖沃克斯解决方案公司 原位空腔集成电路块
CN102479773A (zh) * 2010-11-26 2012-05-30 海华科技股份有限公司 具有电性屏蔽功能的模块集成电路封装结构及其制作方法
CN103395735A (zh) * 2013-08-05 2013-11-20 天津大学 微机电系统器件的封装结构

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107707216A (zh) * 2017-10-19 2018-02-16 成都旭思特科技有限公司 增强抗干扰能力的滤波器集成滤波方法
CN109037428A (zh) * 2018-08-10 2018-12-18 付伟 带有双围堰的芯片封装结构及其制作方法
CN111200410A (zh) * 2018-11-16 2020-05-26 开元通信技术（厦门）有限公司 一种声波器件晶圆级封装结构及其制备方法
CN111200410B (zh) * 2018-11-16 2023-03-21 开元通信技术（厦门）有限公司 一种声波器件晶圆级封装结构及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI438885B (zh) 半導體封裝件及其製法
TWI603456B (zh) 電子封裝結構及其製法
TWI545966B (zh) 具有立體基板的微機電麥克風封裝結構
CN102446882B (zh) 一种半导体封装中封装系统结构及制造方法
US8420437B1 (en) Method for forming an EMI shielding layer on all surfaces of a semiconductor package
TWI611533B (zh) 半導體封裝件及其製法
TWI594390B (zh) 半導體封裝件及其製法
CN102543937B (zh) 一种芯片上倒装芯片封装及制造方法
US20180146302A1 (en) Mems microphone package structure and method for manufacturing the mems microphone package structures
TW201605010A (zh) 封裝結構及其製法
TW201719851A (zh) 電磁遮罩封裝結構及其製造方法
CN102339809B (zh) 一种多圈引脚排列四边扁平无引脚封装及制造方法
CN108512523A (zh) 压电声波器件的封装方法及封装结构
TW201739031A (zh) 電子封裝件及其製法
CN108604582A (zh) 承载超薄衬底
TWI459521B (zh) 半導體封裝件及其製法
JP2007318076A (ja) Ｓｉｐモジュール
TWI605564B (zh) 封裝結構及其製法
JP2015154032A (ja) 配線基板とそれを用いた半導体装置
JP2007141994A (ja) 両面電極パッケージ及びその製造方法
CN105870104A (zh) 一种具有电磁屏蔽功能的封装结构
WO2012071759A1 (zh) 一种高密度sim卡封装件及其生产方法
CN105810666A (zh) 一种具有电磁屏蔽功能的封装结构的制作方法
CN106816420A (zh) 一种声波元件封装结构及其制造方法
CN109841597A (zh) 分区电磁屏蔽封装结构及制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20170609

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication