DE10297097T5

DE10297097T5 - Schmelzprogrammierbare E/A-Organisation

Info

Publication number: DE10297097T5
Application number: DE10297097T
Authority: DE
Inventors: Gerd Dr. Frankowsky; Barbara Dr. Orinda Vasquez
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Polaris Innovations Ltd
Priority date: 2001-07-31
Filing date: 2002-07-31
Publication date: 2004-12-09
Anticipated expiration: 2022-08-01
Also published as: WO2003012795A2; KR100589742B1; US6707746B2; DE10297097B4; US20030026159A1; TW564432B; KR20040018542A; WO2003012795A3

Abstract

Halbleiterschaltungsanordnung, bei der die Anzahl verfügbarer E/A- (Eingangs-/Ausgangs-) Kanäle mit Hilfe von Bondkontaktstellenverbindungen ausgewählt wird, wobei die Schaltungsanordnung zum Ändern der anfänglich ausgewählten Anzahl von E/A-Kanälen folgendes umfasst:
mindestens einen Bond-Optionsschaltkreis, der an ein Spannungspotenzial gekoppelt ist und einen Aktivierungs-/Deaktivierungs-Eingang aufweist, und ein Ausgangssignal, das an eine Bondkontaktstelle zur E/A-Kanalauswahl gekoppelt ist;
mindestens einen Latch-Schmelzsicherungsschaltkreis, der an ein Spannungspotenzial gekoppelt ist und einen Aktivierungs-/Deaktivierungs-Eingang aufweist, und ein Ausgangssignal, das mit der Bondkontaktstelle zur E/A-Kanalauswahl verbunden ist;
wobei der mindestens eine Latch-Schmelzsicherungsschaltkreis des weiteren so angeschlossen ist, dass er ein Aktivierungssignal empfängt, wenn der mindestens eine Bond-Optionsschaltkreis ein Deaktivierungssignal empfängt, und ein Deaktivierungssignal empfängt, wenn der mindestens eine Bond-Optionsschaltkreis ein Aktivierungssignal empfängt; und
einen Aktivierungs-Latch-Schmelzsicherungsschaltkreis zur Bereitstellung entweder der Aktivierungs- oder der Deaktivierungseingabe, wenn die Schmelzsicherung nicht durchgebrannt ist, und zur Bereitstellung der jeweils anderen Aktivierungs- oder der Deaktivierungseingabe, wenn die Schmelzsicherung durchgebrannt ist.

Description

Dieses Patent beansprucht den Nutzen der vorläufigen U.S.-Patentanmeldung mit der Serien-Nr. 60/308,998, eingereicht am 31. Juli 2001.
TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleitervorrichtungen, wie beispielsweise Speicher-Chips und verwandte Verfahren, bei denen die Vorrichtung so konfiguriert werden kann, dass eine ausgewählte Anzahl von Eingangs-/Ausgangskanälen bereitgestellt wird, und insbesondere betrifft die Erfindung Verfahren und eine Schaltungsanordnung zum anfänglichen Auswählen oder Ändern der Auswahl der Eingangs-/Ausgangskanalorganisation, nachdem die Halbleitervorrichtung verkapselt wurde. Die Merkmale der Erfindung können auch zur Verkürzung der Zeit verwendet werden, die für Produkttestverfahren erforderlich ist. Beispielsweise kann die Konfiguration während der Herstellung oder der Bond-Option auf die Konfiguration voreingestellt werden, die das kürzeste oder effizienteste Testverfahren ermöglicht. Der getestete Baustein kann, wenn nötig, gemäß den Lehren der Erfindung nach Kundenanforderung neu konfiguriert werden. Wie hierin verwendet, soll der Begriff Eingang/Ausgang nur eine Eingangskonfiguration, nur eine Ausgangskonfiguration oder eine Konfiguration, die sowohl Eingangs- als auch Ausgangssignale umfasst, abdecken. Es wird des Weiteren darauf hingewiesen, dass die Merkmale dieser Erfindung auch auf Flip-Chip-Bausteine und auf Flip-Chip-Schaltkreise, die auf einer Leiterplatte angebracht sind, angewendet werden können.
STAND DER TECHNIK
Wie Fachleuten ersichtlich ist, ist es üblich, grundlegende Halbleitervorrichtungen, wie beispielsweise Speicher-Chips, bereitzustellen, die intern identisch sind, jedoch so konfiguriert werden können, dass sie verschiedene Eingangs-/Ausgangskanalkonfigurationen bereitstellen. Zum Beispiel kann ein typischer Speicher-Chip so konfiguriert werden, dass er 4, 8, 16 oder sogar 32 Eingangs-/Ausgangskanäle bereitstellt. Gemäß Verfahren des Stands der Technik sind solche Vorrichtungen oder Chips für eine spezifische Anzahl von Eingangs-/Ausgangskanälen konfiguriert, indem ausgewählte Bondkontaktstellen mit Hilfe von Bonddrähten mit einer V_DD-(oder V_SS-) Stromquelle verbunden werden. Sobald ein Chip oder eine Halbleitervorrichtung gepackt oder verkapselt ist, sind weder die unbenutzten Bondkontaktstellen noch die zuvor angeschlossenen Bonddrähte zugänglich. Folglich ist es nicht möglich, die Eingangs-/Ausgangskanalorganisation oder -auswahl neu zu konfigurieren oder auf andere Weise zu ändern.
Leider ist es möglich, dass bei einer großen Anzahl von verkapselten Halbleitervorrichtungen eine anfänglich festgelegte Eingangs-/Ausgangskanalauswahl oder -organisation aus mehreren Gründen nicht mehr marktfähig ist. Folglich wird der Chip oftmals einfach zerstört oder im günstigsten Fall mit einem großen Preisnachlass verkauft.
Daher ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, verkapselte Halbleitervorrichtungen zu schaffen, die eine Auswahl von ausgewählten Eingangs-/Ausgangskonfigurationen ermöglichen.
Es ist eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, Halbleitervorrichtungen zu schaffen, die zum Zeitpunkt der Einkapselung eine anfängliche Eingangs-/Ausgangskonfiguration aufweisen, die jedoch nach der Einkapselung nach wie vor zu einer anderen Eingangs-/Ausgangskonfiguration geändert werden kann.
Es ist noch eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, verkapselte Halbleitervorrichtungen bereitzustellen, bei denen nach der Einkapselung eine erste Eingangs-/Ausgangskonfiguration ausgewählt wird und die ausgewählte Eingangs-/Ausgangskonfiguration nachfolgend in eine zweite Eingangs-/Ausgangskonfiguration geändert wird, die sich von der ersten Konfiguration unterscheidet.
KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
Die Verfahren und Schaltungsanordnungen der Erfindung verwenden Latch-Schmelzsicherungsanordnungen (sowohl normale Schmelzsicherungen als auch Anti-Schmelzsicherungen), um eine anfängliche Eingangs-/Ausgangskanalkonfiguration nach der Einkapselung oder eine Neukonfiguration aus einer anfänglichen Konfiguration nach der Einkapselung zu ermöglichen. Des Weiteren sind die Merkmale der Erfindung ebenfalls auf Flip-Chip-Packungen und braid-montierte Flip-Chips anwendbar.
Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung legt eine Schmelzsicherungs-Latch-Schaltungsanordnung nach der Einkapselung ein Auswahlsignal an einen x4-, x8- oder einen anderen geeigneten Auswahlschaltkreis an. Das Auswahlsignal von der Schmelzsicherungs-Latch-Schaltungsanordnung wird durch Durchbrennen von Schmelzsicherungen oder Anti-Schmelzsicherungen bestimmt, um das Auswahlsignal zu steuern. Andere Ausführungsformen umfassen eine Parallelschaltungsanordnung, so dass eine erste Gruppe von Schmelzsicherungs-Latch-Schaltkreisen zur selben Zeit deaktiviert werden kann, zu der eine zweite Gruppe von Schmelzsicherungs-Latch-Schaltkreisen aktiviert wird. Dadurch wird die Neukonfiguration ermöglicht.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1a, 1b und 1c veranschaulichen einen Chip des Stands der Technik, wobei die Eingangs-/Ausgangskonfiguration für eine 16-, 8- und 4-Eingangs-/Ausgangskonfiguration ausgewählt wird, indem Bond-Drähte an Bondkontaktstellen angeschlossen werden.
2a, 2b, 2c und 2d veranschaulichen verschiedene Ausführungsformen von Schmelzsicherungs- und Anti-Schmelzsicherungs-Schaltkreisen des Latch-Typs, die gemäß den Lehren der vorliegenden Erfindung für die Konfiguration der Eingangs-/Ausgangskanalorganisation geeignet sind.
3a und 3b veranschaulichen eine Ausführungsform, wobei die anfängliche Eingangs-/Ausgangskanalorganisation oder -konfiguration auf x16 eingestellt ist, indem ein Bond-Draht an eine Bondkontaktstelle angeschlossen ist, die Konfiguration jedoch gemäß den Lehren der vorliegenden Erfindung neu konfiguriert werden kann.
4 veranschaulicht eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wobei die Eingangs-/Ausgangskanalorganisation nach der Einkapselung der Halbleitervorrichtung gemäß einem Kundenauftrag ausgewählt und eingestellt wird, die Organisation jedoch zu einem späteren Zeitpunkt für eine unterschiedliche Verwendung neu konfiguriert werden kann.
5 veranschaulicht eine andere Ausführungsform der Erfindung, wobei die originale Eingangs-/Ausgangskonfiguration gemäß dem Stand der Technik eingestellt wird, indem Bond-Drähte an Bondkontaktstellen angeschlossen werden. Die Konfiguration kann daraufhin geändert werden, indem die Bond-Optionskonfiguration deaktiviert und ein Latch-Schaltkreis aktiviert wird.
Soweit nicht anders angegeben, bezeichnen übereinstimmende Ziffern und Symbole in den unterschiedlichen Figuren übereinstimmende Teile. Die Figuren sind für eine deutliche Veranschaulichung der relevanten Gesichtspunkte der bevorzugten Ausführungsformen gezeichnet und sind nicht notwendigerweise maßstabsgerecht.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
Unter Bezugnahme auf 1a, 1b und 1c ist die typische Konfiguration des Stands der Technik gezeigt, wobei ein Speicher-Chip oder eine andere Halbleitervorrichtung 10 in einem "Leiterrahmen oder -substrat" 12 angeordnet wird, woraufhin Bond-Drähte zwischen Bondkontaktstellen, wie beispielsweise den Bondkontaktstellen 14, 16 und 18 auf dem Chip 10, an einzelne Kontaktfinger, wie beispielsweise die Kontaktfinger 22, 24, 26 und 28, auf dem Leiterrahmen oder Substrat 12 angeschlossen werden, wie durch den Bond-Draht 30 gezeigt. Bei der in 1a gezeigten Ausführungsform liegt ein einzelner Bond-Draht oder Verbindungsleiter 30 zwischen dem Kontaktfinger 22 des Leiterrahmens oder Substrats 12 und der V_DD-Bondkontaktstelle 14 vor, so dass Strom vom Leiterrahmen oder Substrat 12 mit Hilfe des Kontaktfingers 22 durch den Bond-Draht 30 an den V_DD-Bondkontaktstelle 14 auf dem Chip 10 angelegt wird.
Auf gleiche Weise und gemäß der Ausführungsform aus 1b ist die V_DD-Bondkontaktstelle 14 mittels 22 des Kontaktfingerverbindungsdrahts 30 mit dem Leiterrahmen oder Substrat 12 verbunden, umfasst jedoch einen weiteren Bond-Draht 32, der den Kontaktfinger 22 des Leiterrahmens oder Substrats 12 mit der Bondkontaktstelle 16 verbindet. Wie Fachleuten ersichtlich ist, stellt die Konfiguration aus 1a eine x16-Eingangs-/Ausgangskonfiguration bereit, während die Verbindungen aus 1b eine x8-Eingangs-/Ausgangskonfiguration bereitstellen. In gleicher Weise wie in 1c gezeigt, liegt ein Bond-Draht 34 vor, der zwischen der x8-Bondkontaktstelle 18 und dem Leiterrahmen oder Substratkontaktfinger 22 angeschlossen ist, um eine x4-Eingangs-/Ausgangskonfiguration bereitzustellen.
Obwohl der Begriff "Eingang/Ausgang", wie er hierin verwendet wird, eine Halbleitervorrichtung umfasst, bei der sowohl Eingangssignale zur Vorrichtung als auch Ausgangssignale von der Vorrichtung die Eingangs-/Ausgangskanalkonfiguration durchlaufen, wird darauf hingewiesen, dass der Begriff Eingang/Ausgang ebenfalls Halbleitervorrichtungen umfassen soll, bei denen nur Eingangssignale oder nur Ausgangssignale die Eingangs-/Ausgangskanalkonfiguration durchlaufen.
Gemäß der vorliegenden Erfindung kann die Notwendigkeit zur Einstellung der E/A-Kanalkonfiguration durch Anschließen eines Drahts zwischen dem V_DD/V_SS-Potenzial und den geeigneten x4- oder x8-Bondkontaktstellen jedoch völlig vermieden werden, indem Schmelzsicherungs- (oder Anti-Schmelzsicherungs-)Schaltkreise des Latch-Typs auf der Halbleitervorrichtung oder dem Speicher-Chip integriert werden, um das V_DD- (oder V_SS-) Potenzial nach der Einkapse lung oder Packung selektiv an einen Eingang der x4- oder x8-Schaltungsanordnung anzulegen.
Wie Fachleuten bekannt ist, können Schmelzsicherungs- oder Anti-Schmelzsicherungs-Schaltkreise so konstruiert werden, dass eine Ausgabe vom Latch-Schaltkreis mit einer ersten Polarität direkt geliefert wird, oder es kann alternativ ein Inverter am Ausgang des Latch integriert werden, so dass eine invertierte oder entgegengesetzte Polarität geliefert wird. Folglich decken folgende Zeichnungen von Ausführungsformen nur wenige der vielen möglichen Schaltkreisanordnungen ab. Andere Schaltkreisanordnungen sind Fachleuten leicht ersichtlich. Daher wird darauf hingewiesen, dass die Ansprüche alle verschiedenen möglichen Schaltkreisanordnungen für den Anschluss eines V_DD- oder (V_SS-) Potenzials an eine x4- oder x8-Schaltungsanordnung abdecken sollen. Zur Veranschaulichung typischer Schmelzsicherungs- oder Anti-Schmelzsicherungs-Latch-Schaltkreise offenbaren 2a, 2b, 2c und 2d verschiedene Ausführungsformen. Jene Abschnitte der Schaltkreise aus 2a bis 2d, die dieselben Elemente umfassen, sind mit denselben Bezugsnummern versehen.
Wie in 2a gezeigt ist, liegt daher eine V_DD-Eingangsklemme 40 vor, die an die Drain-Elektrode eines FET 42 mit positivem Kanal angeschlossen ist. Die Source-Elektrode des FET 42 mit positivem Kanal ist ihrerseits mit der Drain-Elektrode eines FET 44 mit negativem Kanal verbunden. Es ist gezeigt, dass die Source-Elektrode des FET 44 mit negativem Kanal mit einer Schmelzsicherung 46 verbunden ist, die ihrerseits mit der V_SS-Spannungsquellenklemme 48 verbunden ist. Gemäß der Schaltungsanordnung aus 2a liegt auf Leitung 50 eine "1" (eins) oder eine positive Ausgabe an, wenn die Schmelzsicherung 46 nicht durchgebrannt ist, und es liegt auf Leitung 50 eine "0" (null) oder keine Ausgabe an, wenn die Schmelzsicherung durchgebrannt ist. Wie im Folgenden erläutert wird, kann der Zustand der Schmelzsicherung beispielsweise im Latch gespeichert werden, wenn die Schmelzsicherung nicht durchgebrannt ist. An die Gate-Elektrode 52 des FET 42 mit positivem Kanal wird eine erste Eingabe angelegt, um den Latch zu initialisieren. In dieser Situation liegt an der Gate-Elektrode 54 des FET 44 mit negativem Kanal kein Signal an und folglich stellt der Transistor 44 einen offenen Schaltkreis dar. Das heißt, der Transistor befindet sich nicht in einem leitenden Zustand. Wenn die Eingabe an die Gate-Elektrode 52 des Transistors 42 angelegt wird, wird der Transistor 42 folglich leitfähig, wodurch der Knoten 56 in einen hohen Zustand versetzt wird und die Latch-Ausgabe so initialisiert, dass nach Durchlaufen der parallel geschalteten Inverter 58 und 60, die den Latch 62 umfassen, eine negative, "0" (null) oder keine Ausgabe auf Leitung 50 vorliegt. Daraufhin wird an die Gate-Elektrode 54 des negativen FET (Feldeffekttransistors) 44 ein Signal angelegt. Folglich wird der FET in einen leitfähigen Zustand versetzt, so dass der Knoten 56 jetzt mit der Spannung oder dem Potenzial der V_SS-Klemme 48 angetrieben wird. Folglich wird der Latch 62 umgeschaltet, so dass die Ausgabe auf Leitung 50 ein "1" (Eins-) Signal ist. Wenn die Schmelzsicherung 46 durchgebrannt gewesen wäre oder einen offenen Schaltkreis dargestellt hätte, ist ersichtlich, dass der Knoten 56 von dem V_SS-Spannungspotenzial selbstverständlich nicht niedrig hätte angetrieben werden können und der Knoten 56 in einem hohen Zustand verblieben wäre, was bedeutet, dass die Ausgabe bei 50 niedrig sein würde, wodurch angezeigt wird, dass die Schmelzsicherung 46 durchgebrannt wurde. Es wird ebenfalls darauf hingewiesen, dass ein anderer Inverter 64, wie innerhalb des Latch 62 mit gestrichelter Linie gezeigt, integriert werden könnte, so dass die Ausgabe eine "1" (eins) oder positiv wäre, wenn die Schmelzsicherung 46 durchgebrannt ist, und eine "0" (null) oder negativ wäre, wenn die Schmelzsicherung nicht durchgebrannt ist. Die Tabelle in 2a zeigt die Ausgabe bei 68, wenn ein Inverter integriert ist und wenn der Inverter nicht integriert ist.
Unter Bezugnahme auf 2b ist eine andere Anordnung eines Latch-Schaltkreises gezeigt, wobei sich die Schmelzsicherung 46a zwischen der V_DD-Quellenklemme 40 und dem Transistor 42 befindet. Der Betrieb dieses Latch entspricht dem aus 2a, außer, dass das Signal an der Gate-Elektrode 54 zuerst an den FET 44 mit negativem Kanal angelegt wird, so dass der Knoten 56 ursprünglich negativ angetrieben wird und eine positive "1"- (eins-) Ausgabe an den Latch-Schaltkreis 62 anlegt. Nachdem das Signal an die Gate-Elektrode 56 des FET 44 angelegt worden ist, wird daraufhin ein Signal an die Gate-Elektrode 52 des FET 42 mit positivem Kanal angelegt, was zur Folge hat, dass der Knoten 56 hoch angetrieben wird, wenn die Schmelzsicherung 46a nicht durchgebrannt wurde. Folglich ist der letzte Zustand des Latch eine hohe Eingabe, was bedeutet, dass für den nicht durchgebrannten Zustand eine "0"- (null-) oder negative Ausgabe vorliegt. Wenn die Schmelzsicherung 46a durchgebrannt worden wäre, würde der Knoten 56 selbstverständlich niedrig bleiben und die Ausgabe auf Leitung 50 würde positiv oder eine "1" (eins) sein. Wie in dieser Ausführungsform ersichtlich ist, würde die Ausgabe somit genau das Gegenteil der Ausführungsform aus 2a darstellen. Des Weiteren kann dem Latch-Schaltkreis wie im Fall von 2a ein Inverterschaltkreis 64 hinzugefügt werden, so dass die Ausgaben für eine durchgebrannte oder nicht durchgebrannte Schmelzsicherung einen entgegengesetzten Status bereitstellen. Die Tabelle in 2b zeigt die Ausgabe des Latch mit einem Inverter und ohne einen Inverter für den durchgebrannten und nicht durchgebrannten Zustand.
Wie ebenfalls oben erwähnt, kann anstelle einer Standard-Schmelzsicherung, die durchbrennt, um einen offenen Schaltkreis darzustellen, wie in 2c gezeigt, eine Anti-Schmelzsicherung 66 verwendet werden, so dass normalerweise ein offener Schaltkreis vorliegt; sobald die Anti-Schmelzsicherung jedoch durchgebrannt ist, liegt ein geschlossener oder leitfähiger Schaltkreis vor. Gemäß dem Betrieb des Schaltkreises, der in 2c gezeigt ist, wird die V_DD-Spannung an Klemme 40 anfänglich an den Knoten 56 angelegt, indem ein Signal an die Gate-Elektrode 52 des FET 42 mit positivem Kanal, der leitfähig wird, angelegt wird. Wie unter Bezugnahme auf 2a erörtert wurde, wird daraufhin ein Signal auf Leitung 54 an die Gate-Elektrode des FET 44 mit negativem Kanal angelegt. Da die Anti-Schmelzsicherung 66 in dieser Ausführungsform jedoch nicht durchgebrannt wurde oder leitfähig wurde, kann der Knoten 56 nicht niedrig angetrieben werden und bleibt daher in einem hohen Zustand. Da der Knoten 56 hoch ist, wird die hohe Spannung folglich an den Latch-Schaltkreis 62 angelegt und die Ausgabe auf Leitung 50 ist niedrig. Wenn die Anti-Schmelzsicherung 66 nicht durchgebrannt ist, liegt somit eine "0"- (null-) oder negative Ausgabe auf Leitung 50 vor. Wenn die Anti-Schmelzsicherung 66 jedoch durchgebrannt ist und eine Eingabe an die Gate-Elektrode 54 des FET 44 mit negativem Kanal angelegt wird, liegt ein leitfähiger Weg durch die Anti-Schmelzsicherung 66 vor. Dadurch wird der Knoten 56 niedrig angetrieben, um eine hohe Ausgabe an die Leitung 50 anzulegen. Wie ebenfalls in den beiden vorhergehenden Beispielen erörtert wurde, kann ein Inverter 64 in dem Latch-Schaltkreis 62 integriert sein, so dass die Polarität der Ausgaben umgekehrt wird. Diese Zustände sind in der Tabelle gezeigt, die in 2c enthalten ist und den Status der Ausgabe für die nicht durchgebrannte und die durchgebrannte Schmelzsicherung mit einem Inverter und ohne Inverter zeigt.
Noch eine andere Ausführungsform, die der in 2b erörterten Ausführungsform entspricht, verwendet anstelle der normalen Schmelzsicherung 46a, die in 2b gezeigt ist, eine Anti-Schmelzsicherung 68. Das Betriebsverfahren zur Bestimmung des Status dieser Schmelzsicherung ist dasselbe wie bei 2b, außer dass das Ergebnis das Gegenteil ist, wie in den Tabellen aus 2d gezeigt.
Es ist ebenfalls möglich, eine Parallelschaltung einer Schmelzsicherung und einer Anti-Schmelzsicherung, wie beispielsweise einer Anti-Schmelzsicherung 70 und 72, die mit gestrichelter Linie dargestellt ist, parallel zu einer Schmelzsicherung 46 aus 2a und einer Schmelzsicherung 46a aus 2b zu verwenden. Selbst wenn die Schmelzsicherung 46 in 2a durchgebrannt werden müsste, so dass ein offener Schaltkreis zwischen der V_SS-Quellenklemme 48 und dem Knoten 56 vorläge, könnte diese Situation gemäß der Anordnung umgekehrt werden, indem die Anti-Schmelzsicherung 70 durchgebrannt würde. Wenn die Schmelzsicherung 46a, wie in 2b gezeigt, durchgebrannt wird, kann der Schaltkreis ebenso in seinen ursprünglichen elektrischen Zustand zurückversetzt werden, indem die Anti-Schmelzsicherung 72 durchgebrannt wird. Es wird darauf hingewiesen, dass selbstverständlich sorgfältig auf die an die Schmelzsicherung 46 (46a) und die Anti-Schmelzsicherung 70 (72) angelegte Spannung zu achten ist, um dies mit der einfachen dargestellten Ausführungsform zu erreichen. Und zwar wird vorausgesetzt, dass der Strom, der zum Durchbrennen der normalen Schmelzsicherung 46 (46a) erforderlich ist, niedriger sein muss als der Strom, der zum Durchbrennen der Anti-Schmelzsicherung 70 (72) erforderlich ist, um sicherzustellen, dass die normale Schmelzsicherung zuerst durchbrennt.
Obwohl eine parallele Schmelzsicherung-Anti-Schmelzsicherungs-Anordnung bevorzugt wird, sind Reihenschaltungen möglich. Bei den Anti-Schmelzsicherungs-Schaltkreisen aus 2c und 2d können die normalen Schmelzsicherungen 74 und 76, die in gestrichelter Linie gezeigt sind, mit den Anti-Schmelzsicherungen 66 und 68 in Reihe geschaltet werden. Somit werden die Anti-Schmelzsicherungen 66 und 68 in dieser Situation durchgebrannt und werden leitfähig. Daraufhin könnte die normale Schmelzsicherung 74 und/oder 76 zu einem späteren Zeitpunkt durchgebrannt werden, um die Schaltkreise in ihren ursprünglichen Zustand zu versetzen. Jedoch ist bei dieser Anordnung erforderlich, dass die Anti-Schmelzsicherungen bei einem niedrigeren Strom durchbrennen als die normalen Schmelzsicherungen.
Somit wurde eine sehr große Anzahl von möglichen Schmelzsicherung-Anti-Schmelzsicherungs-Latch-Schaltkreisen offenbart, die in Bezug auf die vorliegende Erfindung angewendet werden können. Es sind andere Anordnungen möglich und für Fachleute ersichtlich, indem verschiedene Kombinationen von parallel und in Reihe geschalteten Schmelzsicherungen und Anti-Schmelzsicherungen verwendet werden.
Unter Bezugnahme auf 3a und 3b ist eine typische Halbleitervorrichtung, wie beispielsweise ein Speicher-Chip 90, gezeigt, die eine Bond-Drahtverbindung 92 zwischen dem V_DD-Potenzial am Leiterrahmen oder Substratkontaktfinger 94 und der V_DD-Busleitung 96 im Speicher-Chip oder einer anderen Halbleitervorrichtung 90 aufweist. Demgemäß kann das V_DD-Potenzial an die x8-Schaltungsanordnung angeschlossen werden, wie durch die Ausgangsleitung 98 vom Schmelzsicherungs-Latch-Schaltkreis 100 angezeigt. Zusätzlich zu einer Verbindung von der V_DD-Busleitung 96 zum Latch-Schaltkreis 100 sind ebenfalls Steuersignale FPUP und die FPUN-Signale jeweils auf den Leitungen 102 und 104 gezeigt. Die Steuersignale auf Leitung 102 und 104 entsprechen den Signalen 52 und 54 an der Gate-Elektrode, die weiter oben unter Bezugnahme auf 2a, 2b, 2c und 2d erörtert wurden. Wie ebenfalls in dieser Ausführungsform gezeigt, ist eine normale Schmelzsicherung 106 gezeigt, die zwischen dem Quellenpotenzial V_SS an Klemme 108 und dem Latch-Schaltkreis 100 angeschlossen ist. Ebenso kann das V_DD-Potenzial mit Hilfe des Ausgabeprotokolls an die x4-Schaltungsanordnung angeschlossen werden, indem die Schmelzsicherung 110 durchgebrannt wird, die an den Latch-Schaltkreis 112 angeschlossen ist.
Somit wird darauf hingewiesen, dass die Ausführungsform, die in 3a gezeigt ist, ein Paar Latch-Schaltkreise des Typs umfasst, der in 2a gezeigt ist. Wie oben erörtert, können selbstverständlich verschiedene Typen unterschiedlicher Latch-Schaltkreise, die Schmelzsicherungen und Anti-Schmelzsicherungen verwenden, für diesen Zweck verwendet werden.
Beispielsweise entspricht 3b 3a, jedoch veranschaulicht 3b Ausführungsformen, die Anti-Schmelzsicherungen 114 und 116 in der Anordnung aus 2c anstelle einer normalen Schmelzsicherung zur Bereitstellung der Auswahl einer x4- oder x8- Eingangs/Ausgangskonfiguration verwenden.
Folglich ist aus 3a und 3b ersichtlich, dass eine einzige Bondkontaktstelle 94 auf dem Leiterrahmen oder Substrat, der das normale V_DD-Potenzial aufweist, mit der herkömmlichen V_DD-Bondkontaktstelle auf dem Speicher-Chip 90 so verbunden werden kann, dass der Chip anfänglich eine Eingangs-/Ausgangskonfiguration von x16 aufweist, und die Konfiguration daraufhin zu einer x8-Konfiguration geändert werden kann, indem die entsprechende Schmelzsicherung oder Anti-Schmelzsicherung, wie beispielsweise die Schmelzsicherung 106 oder die Anti-Schmelzsicherung 114, durchgebrannt wird. Alternativ kann die x4-Eingangs-/Ausgangskonfiguration ausgewählt werden, indem die Schmelzsicherung 110 oder die Anti-Schmelzsicherung 116, die in der Schaltungsanordnung aus 3b gezeigt sind, durchgebrannt wird. Es wird darauf hingewiesen, dass das Verfahren dazu verwendet werden kann, die Produkttestzeit zu verkürzen, indem die Eingangs-/Ausgangsauswahl auf die Konfiguration konfiguriert wird, die das schnellste oder effizienteste Testverfahren ermöglicht. Das getestete Produkt kann daraufhin als Reaktion auf eine Kundenanforderung anerkannt werden.
Unter Bezugnahme auf 4 ist eine Ausführungsform gezeigt, die einen Latch-Schaltkreis für jede der x8- und x4-Verbindungen verwendet. Wie erörtert wird, kann die Eingangs-/Ausgangsorganisation gemäß dieser Anordnung anfänglich unter Verwendung von elektrischen Schmelzsicherungen oder Anti-Schmelzsicherungen auf eine zuvor erörterte Art und Weise eingestellt werden, woraufhin eine zweite Gruppe von Schmelzsicherungen ein Umgehen der ursprünglichen oder anfänglichen Einstellung zu jedem beliebigen angemessenen Zeitpunkt in der Zukunft für unterschiedliche Anwendungen ermöglicht. Gemäß dieser Ausführungsform umfasst eine Schaltungsanordnung, die der oben in Bezug auf 3a und 3b erörterten Schaltungs anordnung entspricht, des Weiteren auf Leitung 118 ein Eingangsaktivierungs-/-deaktivierungs-Signal vom UND-Gatter 120. Das Erfordernis eines Aktivierungssignals auf Leitung 118 bedeutet, dass die Latch-Schaltkreise 100 und 112 bei dieser Ausführungsform deaktiviert werden, bis das entsprechende positive Signal jeweils am Latch-Eingang 122 und 124 an den x8- und x4-Latch-Schaltkreisen empfangen wird. Wie gezeigt, liegt auf Leitung 126 am Eingang des Inverters 128 anfänglich keine Spannung an, was natürlich bedeutet, dass der Inverter eine positive Ausgabe bereitstellt. Folglich ist einer der Eingänge zum UND-Gatter 120 stets positiv, bis auf Leitung 126 ein positives Signal empfangen wird. Somit ist ersichtlich, dass anfänglich stets einer der beiden Eingänge in das UND-Gatter 120 positiv ist. Alles, was benötigt wird, damit das andere Signal oder das Aktivierungssignal auf Leitung 130 zu einem positiven Zustand wechselt, ist der Empfang einer Ausgabe auf Leitung 118 vom UND-Gatter 120.
Wenn der Zeitpunkt gekommen ist, die Eingangs-/Ausgangskanalkonfiguration für den Halbleiterschaltkreis auszuwählen, muss daher nur die Schmelzsicherung 132 des Latch-Schaltkreises 133 durchgebrannt werden, was eine positive Ausgabe auf Leitung 130 zur Folge hat, die an das UND-Gatter 120 angelegt wird. Um dies zu erreichen, könnte der Latch-Schaltkreis 133 beispielsweise so wie der Latch-Schaltkreis aus 2a konfiguriert werden, während ebenfalls ein Inverter, wie beispielsweise der Inverter 64, integriert wird, um eine "0"- (null-) Ausgabe bereitzustellen, wenn der Schaltkreis nicht durchgebrannt ist, und eine "1"- (eins-) Ausgabe bereitzustellen, wenn die Schmelzsicherung durchgebrannt ist. Alternativ könnte der Schaltkreis aus 2b ohne Inverter ausgewählt werden, die Anti-Schmelzsicherungs-Schaltungsanordnung aus 2c könnte ohne Inverter oder die Anti-Schmelzsicherungs-Schaltungsanordnung aus 2d könnte mit Inverter ausgewählt werden. In jedem Fall ist ersichtlich, dass, sobald auf Leitung 130 eine positive Ausgabe an das UND-Gatter 120 angelegt wird, eine positive Ausgabe auf Leitung 118 vorliegt, um die Latch-Schaltkreise 100 und 112 für die Auswahl der x4- oder x8- Eingangs-/Ausgangskonfiguration zu aktivieren. Sobald sie aktiviert sind, arbeiten die Latch-Schaltkreise 100 und 112 in gleicher Weise wie oben hinsichtlich 3a erörtert, um eine x8- oder x4-Eingangs-/Ausgangskanalkonfiguration auszuwählen. Entsprechend sollte nun ersichtlich sein, dass Anti-Schmelzsicherungs-Schaltkreise ebenfalls verwendet werden könnten, um die Eingangs-/Ausgangskonfiguration in der zuvor beschriebenen Weise zu bestimmen.
Wenn jedoch gewünscht wird, zu einem bestimmten Zeitpunkt nach der Auswahl der Eingangs-/Ausgangskanalschaltkreise mit Hilfe der Latch-Schaltkreise 100 und 112 die Anzahl der Eingangs-/Ausgangskanäle zu ändern, braucht nur die Schmelzsicherung 134 des Latch-Schaltkreises 135 durchgebrannt zu werden, um die Ausgabe auf den Leitungen 126 von einer "0"-(null-) oder negativen Ausgabe zu einer positiven oder "1"-(eins-) Ausgabe zu ändern. Wenn das Signal auf Leitung 126 positiv wird, legt die Inverterschaltungsanordnung 128 an das UND-Gatter 120 eine "0"-Eingabe an, so dass die Ausgabe auf Leitung 118 negativ wird. Das liegt selbstverständlich daran, dass bei einem UND-Gatter alle Eingänge "1" sein müssen, um ein positives oder "1"- (eins-) Ausgangssignal zu erhalten. Folglich ist das Signal vom Inverter 128 jetzt ein "0"-(null-) Signal oder kein Signal. Wenn das Signal auf Leitung 126 positiv wird, werden der x8-Latch-Schaltkreis 140 und der x4-Latch-Schaltkreis 142 jedoch gleichzeitig aktiviert. Da die Latch-Schaltkreise 100 und 110 deaktiviert wurden und die Latch-Schaltkreise 140 und 142 jetzt aktiviert wurden, kann die entsprechende x4- oder x8-Eingangs-/Ausgangskanalauswahl-Schaltungsanordnung folglich aktiviert werden, indem die entsprechende Schmelzsicherung 144 und/oder 146 durchgebrannt wird. Wie oben erörtert, ist des Weiteren jeder Latch-Schmelzsicherungs- oder Latch-Anti-Schmelzsicherungsschaltkreistyp, der oben erörtert wurde, zur Bereitstellung der Signale auf den Leitungen 98 und 109 geeignet.
Somit wurde bisher in Bezug auf 4 eine Schaltungsanordnung erörtert, die eine erste Auswahl eines Eingangs-/Ausgangskanals ermöglicht, der daraufhin zu einem späteren Zeitpunkt zu einer anderen Auswahl eines Eingangs-/Ausgangskanals geändert werden kann, der derselbe oder ein anderer Kanal sein kann wie der, der während des ersten Verfahrens ausgewählt wurde.
Unter Bezugnahme auf 5 ist noch eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gezeigt, die eine Kombination aus den Figuren ist, die unter Bezugnahme auf 1, 3 und 4 erörtert wurden. Gemäß dieser Ausführungsform erhalten die Bond-Optionsschaltkreise 150 und 152 auf Leitung 154 anfänglich ein positives oder "1"- (eins-) Signal, das beide Bond-Optionsschaltkreise 150 und 152 aktiviert, so dass sie für die Auswahl einer x4- oder x8-Schaltungsanordnung verfügbar sind. Das V_DD-Potenzial kann an den Bond-Optionsschaltkreis 150 angelegt werden, indem ein Bond-Draht 158 zwischen den Klemmen 160 und 162 angeschlossen wird. Der Bond-Optionsschaltkreis 150 kann jeder geeignete Schaltkreis sein, wie beispielsweise ein Feldeffekttransistor, um nur ein Beispiel anzuführen. Wenn ein Aktivierungs signal an seine Gate-Elektrode angelegt wird, wird der Transistor daher leitfähig, so dass das V_DD-Potenzial den FET bei 164 durchläuft und auf Leitung 166 zur x8-Schaltungsanordnung geleitet wird. Wenn ein Bond-Draht 170 zwischen den Bondkontaktstellen 172 und 174 angeschlossen wird, wird ebenso ein Potenzial an den Bond-Optionsschaltkreis 152 angelegt, so dass, wenn das Aktivierungssignal empfangen wird, dem Bond-Optionsschaltkreis ein Leitweg bereitgestellt wird, um auf Leitung 176 eine Ausgabe 178 an die x4-Schaltungsanordnung anzulegen. Wenn die Schmelzsicherung 179 durchgebrannt ist, wird der Latch-Schaltkreis 180 daraufhin in gleicher Weise, wie hinsichtlich der Schmelzsicherungen 132 und 134 in 4a erörtert, so umgeschaltet, dass seine Ausgabe jetzt positiv oder eine "1" (eins) ist, wodurch die Bond-Optionsschaltkreise 150 und 152 mit Hilfe des Inverters 182, der von einer positiven Ausgabe zu einer negativen Ausgabe wechselt, natürlich deaktiviert werden. Gleichzeitig aktiviert das positive Signal auf Leitung 184 die Latch-Schaltkreise 186 und 188, so dass die entsprechende x4- oder x8-Ausgabe zur Auswahl der Anzahl der Eingangs-/Ausgangskanäle aktiviert werden kann, indem die x8-Schmelzsicherung 190 oder die x4-Schmelzsicherung 192 durchgebrannt wird. Somit wird die anfängliche Eingangs-/Ausgangskanalauswahl gemäß dieser Erfindung in typischer Art und Weise des Stands der Technik erreicht, indem ein Bond-Draht zwischen einem V_DD- oder V_SS-Spannungspotenzial und der entsprechenden Bondkontaktstelle angeschlossen wird. Jedoch können die anfänglich ausgewählten Eingangs-/Ausgangskanäle gemäß der vorliegenden Erfindung zu einem späteren Zeitpunkt neu ausgewählt werden, indem der Bond-Optionsschaltkreis 150 und 152 deaktiviert wird, wodurch die Schmelzsicherungs- oder Anti-Schmelzsicherungs-Latch-Schaltkreise 186 und 188 aktiviert werden. Wiederum kann die anfängliche Konfiguration wie oben erwähnt ausgewählt werden, um das schnellste Produkttestverfahren bereitzustellen, und daraufhin wird der Schaltkreis gegebenenfalls neu konfiguriert, um den Kundenanforderungen gerecht zu werden.
Somit wurden verschiedene Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben, wobei Verfahren und Vorrichtungen zur Auswahl oder Neuauswahl von Eingangs/Ausgangskanälen Verbindungen ohne die Verwendung von Bond-Drähten oder Hügeln darstellen, die nach der Einkapselung der Halbleitervorrichtung oder des Speicher-Chip hergestellt werden. Die Verfahren und Vorrichtungen sind in gleicher Weise auf Flip-Chip-Packungen und Flip-Chips anwendbar, die bereits auf einer Schaltkarte montiert sind.
ZUSAMMENFASSUNG
Es ist eine Schaltungsanordnung offenbart, die Schmelzsicherungs- und Anti-Schmelzsicherungs-Latches (62) zur Auswahl der Anzahl von Eingangs/Ausgangskanälen (98, 109) nach der Einkapselung verwendet. Die verschiedenen Ausführungsformen ermöglichen die Verwendung herkömmlicher Bondkontaktstellen (14, 16, 18) zur anfänglichen Auswahl der Anzahl von Eingangs-/Ausgangskanälen vor der Einkapselung. Jedoch kann der Benutzer die Anzahl der Eingangs-/Ausgangskanäle durch Bereitstellung verschiedener Auswahlsignale (52, 54) jederzeit nach der Einkapselung ändern. Andere Ausführungsformen, die "Aktivierungs-Latch-Schaltkreise" (133, 135) verwenden, ermöglichen jederzeit nach der Einkapselung die anfängliche Auswahl durch den Benutzer sowie danach mindestens eine weitere darauffolgende Auswahl.
4

Claims

Halbleiterschaltungsanordnung, bei der die Anzahl verfügbarer E/A- (Eingangs-/Ausgangs-) Kanäle mit Hilfe von Bondkontaktstellenverbindungen ausgewählt wird, wobei die Schaltungsanordnung zum Ändern der anfänglich ausgewählten Anzahl von E/A-Kanälen folgendes umfasst: mindestens einen Bond-Optionsschaltkreis, der an ein Spannungspotenzial gekoppelt ist und einen Aktivierungs-/Deaktivierungs-Eingang aufweist, und ein Ausgangssignal, das an eine Bondkontaktstelle zur E/A-Kanalauswahl gekoppelt ist; mindestens einen Latch-Schmelzsicherungsschaltkreis, der an ein Spannungspotenzial gekoppelt ist und einen Aktivierungs-/Deaktivierungs-Eingang aufweist, und ein Ausgangssignal, das mit der Bondkontaktstelle zur E/A-Kanalauswahl verbunden ist; wobei der mindestens eine Latch-Schmelzsicherungsschaltkreis des weiteren so angeschlossen ist, dass er ein Aktivierungssignal empfängt, wenn der mindestens eine Bond-Optionsschaltkreis ein Deaktivierungssignal empfängt, und ein Deaktivierungssignal empfängt, wenn der mindestens eine Bond-Optionsschaltkreis ein Aktivierungssignal empfängt; und einen Aktivierungs-Latch-Schmelzsicherungsschaltkreis zur Bereitstellung entweder der Aktivierungs- oder der Deaktivierungseingabe, wenn die Schmelzsicherung nicht durchgebrannt ist, und zur Bereitstellung der jeweils anderen Aktivierungs- oder der Deaktivierungseingabe, wenn die Schmelzsicherung durchgebrannt ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, die des Weiteren einen Inverterschaltkreis umfasst, der zwischen den Aktivierungs-Latch-Schmelzsicherungsschaltkreis und entweder den mindestens einen Bond-Optionsschaltkreis oder den mindestens einen Schmelzsicherungsschaltkreis geschaltet ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, wobei der mindestens eine Latch-Schmelzsicherungsschaltkreis zwei Latch-Schmelzsicherungsschaltkreise umfasst, von denen jeder an verschiedene Bondkontaktstellen zur E/A-Kanalauswahl angeschlossen ist, und jeder mindestens eine Bond-Optionsschaltkreis zwei Bond-Optionsschaltkreise umfasst, die mit verschiedenen Bondkontaktstellen zur E/A-Kanalauswahl verbunden ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, wobei der mindestens eine Latch-Schmelzsicherungsschaltkreis zwei Latch-Schmelzsicherungsschaltkreise umfasst, die mit verschiedenen Bondkontaktstellen zur E/A-Kanalauswahl verbunden sind , und jeder mindestens eine Bond-Optionsschaltkreis zwei Bond-Optionsschaltkreise umfasst, die mit verschiedenen Bondkontaktstellen zur E/A-Kanalauswahl verbunden sind.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, wobei der mindestens eine Latch-Schmelzsicherungsschaltkreis eine herkömmliche Schmelzsicherung umfasst, die einen offenen Schaltkreis darstellt, wenn sie durchgebrannt ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, wobei der mindestens eine Latch-Schmelzsicherungsschaltkreis eine herkömmliche Schmelzsicherung umfasst, die einen offenen Schaltkreis darstellt, wenn sie durchgebrannt ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, wobei der mindestens eine Latch-Schmelzsicherungsschaltkreis eine herkömmliche Schmelzsicherung umfasst, die einen offenen Schaltkreis darstellt, wenn sie durchgebrannt ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, wobei der mindestens eine Latch-Schmelzsicherungsschaltkreis eine herkömmliche Schmelzsicherung umfasst, die einen offenen Schaltkreis darstellt, wenn sie durchgebrannt ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, wobei der mindestens eine Latch-Schmelzsicherungsschaltkreis eine Anti-Schmelzsicherung umfasst, die einen leitfähigen Schaltkreis darstellt, wenn sie durchgebrannt ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, wobei der mindestens eine Latch-Schmelzsicherungsschaltkreis eine Anti-Schmelzsicherung umfasst, die einen leitfähigen Schaltkreis darstellt, wenn sie durchgebrannt ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, wobei der mindestens eine Latch-Schmelzsicherungsschaltkreis eine Anti-Schmelzsicherung umfasst, die einen leitfähigen Schaltkreis darstellt, wenn sie durchgebrannt ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, wobei der mindestens eine Latch-Schmelzsicherungsschaltkreis eine Anti-Schmelzsicherung umfasst, die einen leitfähigen Schaltkreis darstellt, wenn sie durchgebrannt ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, die des weiteren zu jeder der mindestens einen herkömmlichen Schmelzsicherung eine parallel geschaltete Anti-Schmelzsicherung umfaßt, so dass jeder offene Schaltkreis durch Durchbrennen der entsprechenden parallel geschalteten Anti-Schmelzsicherung umgeschaltet werden kann.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, die des weiteren zu jeder der mindestens einen herkömmlichen Schmelzsicherung eine parallel geschaltete Anti-Schmelzsicherung umfaßt, so dass jeder offene Schaltkreis durch Durchbrennen der entsprechenden parallel geschalteten Anti-Schmelzsicherung umgeschaltet werden kann.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 7, die des weiteren zu jeder der mindestens einen herkömmlichen Schmelzsicherung eine parallel geschaltete Anti-Schmelzsicherung umfaßt, so dass jeder offene Schaltkreis durch Durchbrennen der entsprechenden parallel geschalteten Anti-Schmelzsicherung umgeschaltet werden kann.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 8, die des weiteren zu jeder der mindestens einen herkömmlichen Schmelzsicherung eine parallel geschaltete Anti-Schmelzsicherung umfaßt, so dass jeder offene Schaltkreis durch Durchbrennen der entsprechenden parallel geschalteten Anti-Schmelzsicherung umgeschaltet werden kann.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, wobei der mindestens eine Latch-Schmelzsicherungsschaltkreis des Weiteren einen Latch-Schaltkreis umfasst, der so funktioniert, dass entweder ein hohes oder ein niedriges Signal an eine Bondkontaktstelle zur E/A-Kanalauswahl angelegt wird, wenn die Schmelzsicherung nicht durchgebrannt ist, und dass jeweils andere, niedrige oder hohe Signal an die Bondkontaktstelle zur E/A-Kanalauswahl angelegt wird, wenn die Schmelzsicherung durchgebrannt ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, wobei der mindestens eine Latch-Schmelzsicherungsschaltkreis des Weiteren einen Latch-Schaltkreis umfasst, der so funktioniert, dass entweder ein hohes oder ein niedriges Signal an eine Bondkontaktstelle zur E/A-Kanalauswahl angelegt wird, wenn die Schmelzsicherung nicht durchgebrannt ist, und das jeweils andere, niedrige oder hohe Signal an die Bondkontaktstelle zur E/A-Kanalauswahl angelegt wird, wenn die Schmelzsicherung durchgebrannt ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, wobei der mindestens eine Latch-Schmelzsicherungsschaltkreis des Weiteren einen Latch-Schaltkreis umfasst, der so funktioniert, dass entweder ein hohes oder ein niedriges Signal an eine Bondkontaktstelle zur E/A-Kanalauswahl angelegt wird, wenn die Schmelzsicherung nicht durchgebrannt ist, und das jeweils andere, niedrige oder hohe Signal an die Bondkontaktstelle zur E/A-Kanalauswahl angelegt wird, wenn die Schmelzsicherung durchgebrannt ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 9, wobei der mindestens eine Latch-Schmelzsicherungsschaltkreis des Weiteren einen Latch-Schaltkreis umfasst, der so funktioniert, dass entweder ein hohes oder ein niedriges Signal an eine Bondkontaktstelle zur E/A-Kanalauswahl angelegt wird, wenn die Schmelzsicherung nicht durchgebrannt ist, und das jeweils andere, niedrige oder hohe Signal an die Bondkontaktstelle zur E/A-Kanalauswahl angelegt wird, wenn die Schmelzsicherung durchgebrannt ist.
Halbleiterschaltungsanordnung, die eine auswählbare Anzahl von E/A-Kanälen aufweist und folgendes umfasst: mindestens einen Auswahleingang zum Empfang eines Signals zur Auswahl einer vorherbestimmten Anzahl von E/A-Kanälen; und mindestens einen Schmelzsicherungsschaltkreis, der das Auswahlsignal bereitstellt, wenn sich die Schmelzsicherung entweder in einem durchgebrannten oder in einem nicht durchgebrannten Zustand befindet, und der das Auswahlsignal nicht bereitstellt, wenn sich die Schmelzsicherung im jeweils anderen, nicht durchgebrannten oder durchgebrannten Zustand befindet.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 21, wobei der mindestens eine Auswahleingang zwei Auswahleingänge umfasst, der mindestens eine Schmelzsicherungsschaltkreis zwei Schmelzsicherungsschaltkreise umfasst, wobei die beiden Schmelzsicherungsschaltkreise jeweils an einen der beiden Auswahleingänge gekoppelt sind.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 21, wobei der mindestens eine Schmelzsicherungsschaltkreis des Weiteren einen Latch-Schaltkreis umfasst.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 22, wobei jeder der beiden Schmelzsicherungsschaltkreise des Weiteren einen Latch-Schaltkreis umfasst.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 21, wobei der Schmelzsicherungsschaltkreis eine herkömmliche Schmelzsicherung umfasst, die einen offenen Schaltkreis darstellt, wenn sie durchgebrannt ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 22, wobei der Schmelzsicherungsschaltkreis eine herkömmliche Schmelzsicherung umfasst, die einen offenen Schaltkreis bereitstellt, wenn sie durchgebrannt ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 21, wobei der Schmelzsicherungsschaltkreis eine Anti-Schmelzsicherung umfasst, die einen geschlossenen Schaltkreis bereitstellt, wenn die Anti-Schmelzsicherung durchgebrannt ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 22, wobei der Schmelzsicherungsschaltkreis eine Anti-Schmelzsicherung umfasst, die einen geschlossenen Schaltkreis bereitstellt, wenn die Anti-Schmelzsicherung durchgebrannt ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 23, wobei der Schmelzsicherungsschaltkreis eine Anti-Schmelzsicherung umfasst, die einen geschlossenen Schaltkreis bereitstellt, wenn die Anti-Schmelzsicherung durchgebrannt ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 24, wobei der Schmelzsicherungsschaltkreis eine Anti-Schmelzsicherung umfasst, die einen geschlossenen Schaltkreis bereitstellt, wenn die Anti-Schmelzsicherung durchgebrannt ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 21, die des Weiteren einen Inverterschaltkreis umfasst, der zwischen dem mindestens einen Schmelzsicherungsschaltkreis und dem mindestens einen Auswahleingang angeschlossen ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 22, bei der des weiteren zwischen jeden der beiden Schmelzsicherungsschaltkreise und der beiden Auswahleingänge ein Inverter-Schaltkreis geschaltet ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 23, die des weiteren einen Inverterschaltkreis umfasst, der zwischen den Latch-Schaltkreis und den mindestens einen Auswahleingang geschaltet ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 24, bei der des weiteren zwischen jeden der beiden Latch-Schaltkreise und der beiden Auswahleingänge ein Inverterschaltkreis geschaltet ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 21, wobei mindestens ein Schmelzsicherungsschaltkreis mindestens eine herkömmliche Schmelzsicherung zur Bereitstellung eines offenen Schaltkreises, wenn die Schmelzsicherung durchgebrannt ist, und eine Anti-Schmelzsicherung zur Bereitstellung eines geschlossenen Schaltkreises, wenn die Anti-Schmelzsicherung durchgebrannt ist, umfasst.
Halbleiterschaltungsanordnung, die eine ausgewählte Anzahl von E/A-Kanälen aufweist, wobei die ausgewählte Anzahl von E/A-Kanälen zu einer anderen Anzahl geändert werden kann und der Speicher-Chip Folgendes umfasst: ein Auswahlsignal zur Auswahl einer vorgegebenen Anzahl von E/A-Kanälen; mindestens zwei Paare von Schmelzsicherungsschaltkreisen, wobei jeder Schmelzsicherungsschaltkreis der mindestens zwei Paare so angeschlossen ist, dass er ein Aktivierungssignal empfängt und das Auswahlsignal bereitstellt, wenn sich seine Schmelzsicherung entweder in einem durchgebrannten oder in einem nicht durchgebrannten Zustand befindet, und daß er das Auswahlsignal nicht bereitstellt, wenn sich seine Schmelzsicherung im jeweils andere, nicht durchgebrannten oder durchgebrannten Zustand befindet; einen ersten Schmelzsicherungsaktivierungsschaltkreis, der ein erstes Aktivierungssignal bereitstellt, wenn sich seine Schmelzsicherung entweder in einem durchgebrannten oder in einem nicht durchgebrannten Zustand befindet, und der das erste Aktivierungssignal nicht bereitstellt, wenn sich seine Schmelzsicherung entweder in einem nicht durchgebrannten oder in einem durchgebrannten Zustand befindet; einen zweiten Schmelzsicherungsaktivierungsschaltkreis, der einem zur Aktivierung dienenden Paar von Schmelzsicherungsschaltkreisen ein zweites Aktivierungssignal bereitstellt, wenn sich eine Schmelzsicherung des zweiten Schmelzsicherungsaktivierungsschaltkreises entweder in einem durchgebrannten oder in einem nicht durchgebrannten Zustand befindet, und der das zweite Aktivierungssignal nicht bereitstellt, wenn sich die Schmelzsicherung entweder im jeweils anderen, nicht durchgebrannten oder durchgebrannten Zustand befindet; einen Inverterschaltkreis, der so angeschlossen ist, dass er das zweite Aktivierungssignal von dem zweiten Schmelzsicherungsschaltkreis empfängt, wobei der Inverterschaltkreis eine Aktivierungsausgabe bereitstellt, wenn das zweite Aktivierungssignal nicht vorhanden ist, und der die Aktivierungsausgabe nicht bereitstellt, wenn das zweite Aktivierungssignal vorhanden ist; und ein Logikgatter zum Empfang des ersten Aktivierungssignals vom ersten Schmelzsicherungsaktivierungsschaltkreis und zum Empfang des Aktivierungssignals vom Inverterschaltkreis, wobei das Logikgatter ein Aktivierungssignal bereitstellt, um das andere Paar der Schmelzsicherungsschaltkreise zu aktivieren, wenn die Signale von dem ersten Schmelzsicherungsaktivierungsschaltkreis und dem Inverterschaltkreis vorliegen.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 36, wobei der Speicher-Chip vor der Auswahl einer Eingangs-/Ausgangskonfiguration verkapselt wird.
Verfahren zur Bereitstellung einer Halbleiterschaltungsanordnung, die eine Anzahl von E/A-Kanälen aufweist, die durch einen Benutzer auswählbar ist, wobei das Verfahren folgendes umfasst: Bereitstellen einer Vielzahl von Halbleiterschaltkreisen, wobei jeder Halbleiterschaltkreis mindestens einen Schmelzsicherungsschaltkreis zur Bereitstellung eines Auswahlausgangssignals bei durchgebrannter Schmelzsicherung umfasst; und Durchbrennen mindestens einer Schmelzsicherung in dem mindestens einen Schmelzsicherungsschaltkreis in jedem Halbleiterschaltkreis, um ein Signal zur Auswahl der Anzahl von E/A-Kanälen bereitzustellen.
Verfahren nach Anspruch 38, wobei die Vielzahl von bereitgestellten Halbleiterschaltkreisen eine voreingestellte ausgewählte Anzahl von E/A-Kanälen aufweist und durch den Schritt des Durchbrennens mindestens einer Schmelzsicherung eine andere Anzahl von E/A-Kanälen ausgewählt wird, die sich von der voreingestellten ausgewählten Anzahl unterscheidet.
Verfahren nach Anspruch 38, wobei der Schritt des Durchbrennens das Durchbrennen einer Schmelzsicherung in einem ersten Aktivierungsschaltkreis zur Aktivierung einer ersten Gruppe von Schmelzsicherungsschaltkreisen zur Auswahl und anschließenden Durchbrennen von ausgewählten Schmelzsicherungen der ersten Gruppe von Schmelzsicherungsschaltkreisen zur Auswahl der Anzahl von E/A-Kanälen umfasst.
Verfahren nach Anspruch 40, das des Weiteren Folgendes umfasst: den Schritt des Durchbrennens einer Schmelzsicherung in einem zweiten Aktivierungsschaltkreis zur Deaktivierung der ersten Gruppe von Schmelzsicherungsschaltkreisen, um eine zweite Gruppe von zum Auswählen dienender Schmelzsicherungsschaltkreisen auszuwählen und zu aktivieren; und Durchbrennen von ausgewählten Schmelzsicherungen der zweiten Gruppe von Schmelzsicherungsschaltkreisen, um eine andere Anzahl von E/A-Kanälen auszuwählen.
Verfahren nach Anspruch 38, das des Weiteren den Schritt der Einkapselung des Halbleiterschaltkreises vor dem Schritt des Durchbrennens umfasst.
Verfahren nach Anspruch 39, das des Weiteren den Schritt der Einkapselung des Halbleiterschaltkreises vor dem Schritt des Durchbrennens umfasst.
Verfahren nach Anspruch 40, das des Weiteren den Schritt der Einkapselung des Halbleiterschaltkreises vor dem Schritt des Durchbrennens umfasst.
Verfahren nach Anspruch 41, das des Weiteren den Schritt der Einkapselung des Halbleiterschaltkreises vor dem Schritt des Durchbrennens umfasst.
Verfahren nach Anspruch 39, wobei der Schritt des Durchbrennens mindestens einer Schmelzsicherung des Weiteren das Invertieren der Ausgabe eines Latch-Schaltkreises zur Bereitstellung des Signals zur Auswahl der Anzahl von E/A-Kanälen umfasst.
Verfahren nach Anspruch 38, wobei der Schritt des Durchbrennens mindestens einer Schmelzsicherung das Durchbrennen mindestens einer Schmelzsicherung umfasst, die einen offenen Schaltkreis bereitstellt, wenn die Schmelzsicherung durchgebrannt ist.
Verfahren nach Anspruch 39, wobei der Schritt des Durchbrennens mindestens einer Schmelzsicherung das Durchbrennen mindestens einer Schmelzsicherung umfasst, die einen offenen Schaltkreis bereitstellt, wenn die Schmelzsicherung durchgebrannt ist.
Verfahren nach Anspruch 40, wobei der Schritt des Durchbrennens mindestens einer Schmelzsicherung das Durchbrennen mindestens einer Schmelzsicherung umfasst, die einen offenen Schaltkreis bereitstellt, wenn die Schmelzsicherung durchgebrannt ist.
Verfahren nach Anspruch 41, wobei der Schritt des Durchbrennens mindestens einer Schmelzsicherung das Durchbrennen mindestens einer Schmelzsicherung umfasst, die einen offenen Schaltkreis bereitstellt, wenn die Schmelzsicherung durchgebrannt ist.
Verfahren nach Anspruch 42, wobei der Schritt des Durchbrennens mindestens einer Schmelzsicherung das Durchbrennen mindestens einer Schmelzsicherung umfasst, die einen offenen Schaltkreis bereitstellt, wenn die Schmelzsicherung durchgebrannt ist.
Verfahren nach Anspruch 38, wobei der Schritt des Durchbrennens mindestens einer Schmelzsicherung das Durchbrennen mindestens einer Anti-Schmelzsicherung zur Bereitstellung einer geschlossenen Verbindung umfasst, wenn die Anti-Schmelzsicherung durchgebrannt ist.
Verfahren nach Anspruch 39, wobei der Schritt des Durchbrennens mindestens einer Schmelzsicherung das Durchbrennen mindestens einer Anti-Schmelzsicherung zur Bereitstellung einer geschlossenen Verbindung umfasst, wenn die Anti-Schmelzsicherung durchgebrannt ist.
Verfahren nach Anspruch 40, wobei der Schritt des Durchbrennens mindestens einer Schmelzsicherung das Durchbrennen mindestens einer Anti-Schmelzsicherung zur Bereitstellung einer geschlossenen Verbindung umfasst, wenn die Anti-Schmelzsicherung durchgebrannt ist.
Verfahren nach Anspruch 41, wobei der Schritt des Durchbrennens mindestens einer Schmelzsicherung das Durchbrennen mindestens einer Anti-Schmelzsicherung zur Bereitstellung einer geschlossenen Verbindung umfasst, wenn die Anti-Schmelzsicherung durchgebrannt ist.
Verfahren nach Anspruch 42, wobei der Schritt des Durchbrennens mindestens einer Schmelzsicherung das Durchbrennen mindestens einer Anti-Schmelzsicherung zur Bereitstellung einer geschlossenen Verbindung umfasst, wenn die Anti-Schmelzsicherung durchgebrannt ist.
Verfahren nach Anspruch 38, wobei die Eingangs-/Ausgangskanäle Folgendes entweder nur Eingangssignale zum Halbleiterschaltkreis oder nur Ausgangssignale vom Halbleiterschaltkreis oder sowohl Eingangssignale zum Halbleiterschaltkreis als auch Ausgangssignale vom Halbleiterschaltkreis weiterleiten.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, wobei die Signale, die durch die Eingangs-/Ausgangskanäle geleitet werden, entweder nur Eingangssignale zum Schaltkreis oder nur Ausgangssignale vom Schaltkreis oder sowohl Eingangssignale zum Schaltkreis als auch Ausgangssignale vom Schaltkreis umfassen.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 21, wobei die Signale, die durch die Eingangs-/Ausgangskanäle geleitet werden, entweder nur Eingangssignale zum Schaltkreis oder nur Ausgangssignale vom Schaltkreis oder sowohl Eingangssignale zum Schaltkreis als auch Ausgangssignale vom Schaltkreis umfassen.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 36, wobei die Signale, die durch die Eingangs-/Ausgangskanäle geleitet werden, entweder nur Eingangssignale zum Schaltkreis oder nur Ausgangssignale vom Schaltkreis oder sowohl Eingangssignale zum Schaltkreis als auch Ausgangssignale vom Schaltkreis umfassen.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, wobei die Halbleiterschaltungsanordnung eine Speichervorrichtung ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 21, wobei die Halbleiterschaltungsanordnung eine Speichervorrichtung ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 36, wobei die Halbleiterschaltungsanordnung eine Speichervorrichtung ist.
Verfahren nach Anspruch 38, wobei die Halbleiterschaltungsanordnung eine Speichervorrichtung ist.
Verfahren nach Anspruch 39, wobei die voreingestellte Anzahl von E/A-Kanälen so ausgewählt ist, dass die kürzeste Testzeitdauer erforderlich ist und durch einen Schritt des Durchbrennens mindestens einer Schmelzsicherung die Anzahl von einem Kunden benötigter E/A-Kanäle ausgewählt wird.
Verfahren nach Anspruch 41, wobei der Schritt des Durchbrennens ausgewählter Schmelzsicherungen der ersten Gruppe von Schmelzsicherungen eine Produktkonfiguration bereitstellt, die die geringste Testzeitdauer erfordert, und der Schritt des Durchbrennens ausgewählter Schmelzsicherungen des Datensatzes eine benötigte Konfiguration bereitstellt.