DE10244232A1

DE10244232A1 - Integrierte Halbleiterschaltung

Info

Publication number: DE10244232A1
Application number: DE10244232A
Authority: DE
Inventors: Genichi Tanaka
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2002-01-23
Filing date: 2002-09-23
Publication date: 2003-08-07
Also published as: JP2003218210A; KR20030064249A; KR100475504B1; US20030136977A1; TW591447B; US6759698B2

Abstract

Integrierte Halbleiterschaltung mit Zellen (7), Zellreihen (31, 32) und Potentialeinspeisungen (10, 14, 24, 25). Jede Zelle weist einen Teilstrang (8, 9) auf, der verwendet wird, um einen Energieversorgungsstrang (22, 23) und/oder Massestrang (20, 21) zu bilden, und der von den verbleibenden Komponenten innerhalb der Zelle elektrisch isoliert ist. Jede Zellenreihe (31, 32) weist eine Vielzahl von aneinander angrenzend angeordneten Zellen und den aus den Teilsträngen zusammengesetzten Energieversorgungsstrang und/oder Massestrang auf. Die Potentialeinspeisungen (10, 14, 24, 25) verbinden selektiv einen von Energieversorgungsstrang und Massestrang einer beliebigen der Vielzahl von Zellenreihen mit den Komponenten innerhalb der Zellen, um an sie ein Potential von Energieversorgungsstrang und/oder Massestrang anzulegen. Dies ermöglicht es, an die Komponenten der aneinander angrenzenden Zellen verschiedene Poteniale anzulegen.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Halbleiterschaltung und insbesondere auf eine Verbesserung bei einem Zellenaufbau, der hauptsächlich bei der automatischen Anordnung und Leitungswegbildung bei dem Layoutentwurf einer integrierten Halbleiterschaltung verwendet wird.
Fig. 8 ist eine Draufsicht, die einen Zellenaufbau zeigt, der zur Gestaltung einer herkömmlichen integrierten Halbleiterschaltung verwendet wird. In Fig. 8 bezeichnet das Bezugszeichen 100 eine Zelle, die in diesem Fall ein Inverter ist. Das Bezugszeichen 101 bezeichnet einen in der Zelle 100 angeordneten Energieversorgungsstrang, und 102 bezeichnet einen in der Zelle 100 angeordneten Massestrang. Das Bezugszeichen 103 bezeichnet eine Metallleitung der Source-Elektrode eines PMOSFET, die auf einer Energieversorgungsseite angeordnet ist; und 104 bezeichnet einen Kontakt, der die Metallleitung 103 mit dem aktiven Bereich 105 des PMOSFET verbindet. Die Metallleitung 103 ist auch mit dem Energieversorgungsstrang 101 verbunden. Das Bezugszeichen 106 bezeichnet den aktiven Bereich eines NMOSFET; und 107 bezeichnet eine auf der Masseseite angeordnete Metallleitung der Source-Elektrode des NMOSFET. Die Metallleitung 107 ist mit dem aktiven Bereich 106 über die Kontakte 104 verbunden. Das Bezugszeichen 108 bezeichnet eine Gate-Elektrode des PMOSFET; 109 bezeichnet eine Gate-Elektrode des NMOSFET; und 110 bezeichnet eine Metallleitung zur Verbindung der Gate- Elektroden 108 und 109. Die Metallleitung 110 dient als ein Eingangsanschluss des Inverters. Das Bezugszeichen 111 bezeichnet eine Metallleitung auf der Ausgangsseite; und 112 bezeichnet einen Kontakt zur Verbindung der Metallleitung 111 mit den aktiven Bereichen 105 und 106.
Nachfolgend wird die Funktionsweise der herkömmlichen Zelle beschrieben.
Wie in Fig. 8 gezeigt, wird die für die herkömmliche automatische Anordnung und Leitungswegbildung verwendete Zelle derartig konfiguriert, dass der Energieversorgungsstrang 101 im voraus mit der Metallleitung 103 der Source-Elektrode auf der Energieversorgungsseite verbunden wird, und der Massestrang 102 im voraus mit der Metallleitung 107 der Source-Elektrode auf der Masseseite verbunden wird. Folglich arbeitet die den Inverter bildende Zelle 100 auf dem Energieversorgungspotential, das über den Energieversorgungsstrang 101 gespeist wird.
Werden eine Vielzahl von Zellen 100 automatisch aneinander angrenzend angeordnet, sind die Zellen 100 mit dem Energieversorgungsstrang 101 und dem Massestrang 102 verbunden, die aufgrund des zuvor beschriebenen Leitungswegbildungsaufbaus ein gemeinsames Potential anlegen. Dementsprechend sind zwei aneinander angrenzende Zellen 100 ohne Ausnahme gemeinsam mit der Energieversorgung und Masse mit den gleichen Potentialen verbunden.
Mit der zuvor beschriebenen Konfiguration weist die herkömmliche integrierte Halbleiterschaltung das nachfolgend erläuterte Problem auf. Da innerhalb der Zelle 100 der Energieversorgungsstrang 101 im voraus mit der Metallleitung 103 der Source-Elektrode auf der Energieversorgungsseite verbunden ist, und der Massestrang 102 im voraus mit der Metallleitung 107 der Source-Elektrode auf der Masseseite verbunden ist, und folglich der Energieversorgungsstrang und der Massestrang gemeinsam verwendet werden, ist es unvermeidbar, dass die aneinander angrenzenden Zellen das gleiche Potential besitzen. Dementsprechend ist es unmöglich, die aneinander angrenzenden Zellen 100 mit Energieversorgungen mit unterschiedlichen Potentialen zu verbinden. Als Folge davon müssen zur individuellen Steuerung der Energieversorgungsspannung für jede Zelle 100 die mit Energieversorgungen mit unterschiedlichen Potentialen verbundenen Zellen 100 getrennt werden, was das Layout verkompliziert.
Die Erfindung soll das vorangehende Problem lösen. Es ist daher eine Aufgabe der Erfindung, eine integrierte Halbleiterschaltung zur Verfügung zu stellen, die in der Lage ist, die aneinander angrenzenden Zellen mit einer Vielzahl von Energieversorgungen mit unterschiedlichen Potentialen zu verbinden.
Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird eine integrierte Halbleiterschaltung zur Verfügung gestellt, die Zellen und Potentialeinspeisungen aufweist. Jede Zelle weist einen Teilstrang auf, der zur Bildung eines Energieversorgungsstrangs und/oder Massestrangs verwendet wird und von den verbleibenden Komponenten innerhalb der Zelle elektrisch isoliert ist. Die Potentialeinspeisungen sind selektiv mit dem Energieversorgungsstrang und/oder Massestrang einer beliebigen der Zellenreihen verbunden und legen an die Komponenten innerhalb der Zelle ein über den Energieversorgungsstrang und/oder Massestrang eingespeistes Potential an. Folglich kann die integrierte Halbleiterschaltung an die aneinander angrenzenden Zellen verschiedene Potentiale anlegen, wodurch der Vorteil geboten ist, in der Lage zu sein, bei einer Zelle die an die Zellen anzulegenden Potentiale mit Leichtigkeit auf Zellenbasis zu steuern.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 ein Blockschaltbild, das eine Konfiguration einer Layoutvorrichtung einer integrierten Halbleiterschaltung eines ersten Ausführungsbeispiels gemäß der Erfindung zeigt;
Fig. 2A-2D Draufsichten, die Konfigurationen von Zellen und ein von der Layoutvorrichtung aus Fig. 1 verwendetes Teillayout einer integrierten Halbleiterschaltung zeigt;
Fig. 3A-3D Draufsichten, die Konfigurationen von Zellen und ein für das Layout einer integrierten Halbleiterschaltung verwendetes Teillayout eines zweiten Ausführungsbeispiels gemäß der Erfindung zeigt;
Fig. 4A-4D Draufsichten, die Konfigurationen von Zellen und ein für das Layout einer integrierten Halbleiterschaltung verwendetes Teillayout eines dritten Ausführungsbeispiels gemäß der Erfindung zeigt;
Fig. 5A-5E Draufsichten, die für das Layout einer integrierten Halbleiterschaltung verwendete Variationen von Zellen für ein drittes Ausführungsbeispiel gemäß der Erfindung zeigen;
Fig. 6A-6B Draufsichten, die für das Layout einer integrierten Halbleiterschaltung verwendete Variationen von Zellen für ein viertes Ausführungsbeispiel gemäß der Erfindung zeigen;
Fig. 7A-7B Draufsichten, die für das Layout einer integrierten Halbleiterschaltung verwendete Konfigurationen von Zellen eines fünften Ausführungsbeispiels gemäß der Erfindung zeigen; und
Fig. 8 eine Draufsicht, die einen für den Entwurf einer herkömmlichen integrierten Halbleiterschaltung verwendeten Zellenaufbau zeigt.
Die Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung beschrieben.

Erstes Ausführungsbeispiel

Fig. 1 ist ein Blockschaltbild, das eine Konfiguration einer Layoutvorrichtung einer integrierten Halbleiterschaltung eines ersten Ausführungsbeispiels gemäß der Erfindung zeigt. In Fig. 1 bezeichnet das Bezugszeichen 1 eine automatische Anordnungs- und Leitungswegbildungsvorrichtung des ersten Ausführungsbeispiels, die aus einer Computereinheit besteht, die ein Programm mit Funktionen eines Layouterzeugungsabschnitts 3 und eines Leitungsweg- Erzeugungsabschnitts 4 ausführt. Die automatische Anordnungs- und Leitungswegbildungsvorrichtung 1 vollendet den Layoutentwurf der integrierten Halbleiterschaltung unter Verwendung eines in einem Speicher 2 vorbereiteten Satzes von Logik-/Schaltungs-Zellen. Der Speicher 2 der automatischen Anordnungs- und Leitungswegbildungsvorrichtung 1 speichert Informationen über Netzwerke von Zellen und Metallleitungen neben Netzwerkinformationen, die Verbindungen zwischen ihnen definieren. Hierbei umfassen die Zellen Teilstränge, die einen Energieversorgungsstrang und einen Massestrang auf eine derartige Weise bilden, dass sie von den anderen Komponenten innerhalb der Zelle elektrisch isoliert sind. Das Netzwerk legt das Potential von dem Energieversorgungsstrang oder dem Massestrang an die Komponenten der Zelle an. Als Speicher 2 kann ein Festplattenspeicher der die automatische Anordnungs- und Leitungswegbildungsvorrichtung 1 bildenden Computereinheit verwendet werden, oder es können Medien wie beispielsweise eine CD-ROM oder DVD verwendet werden, die in der Lage sind, Daten über eine Ansteuereinheit zu Lesen und zu Schreiben.
Der Layouterzeugungsabschnitt 3 führt eine automatische Anordnung von aus dem Speicher 2 gelesenen Layoutkonfigurationsdaten wie beispielsweise über Zellen aus, und erzeugt ein Layout der integrierten Halbleiterschaltung. Der Leitungsweg-Erzeugungsabschnitt 4 führt eine automatische Leitungswegbildung aus, die die in dem integrierten Halbleiterschaltungslayout angeordneten Zellen, den Energieversorgungsstrang und den Massestrang durch Metallleitungen (Spannungseinspeisungsabschnitt) gemäß den Entwurfsregeln und verschiedenen Einschränkungen verbindet. Das Bezugszeichen 5 bezeichnet eine Anzeigeeinheit zur Anzeige von Verarbeitungsergebnissen des Layouterzeugungsabschnitts 3 und des Leitungsweg-Erzeugungsabschnitts 4. Es umfasst Software zur Ausführung einer Anzeigesteuerung zusätzlich zu Hardware, wie beispielsweise eine CRT oder LCD der Computereinheit, zum Umsetzen der automatischen Anordnungs- und Leitungswegbildungsvorrichtung 1. Das Bezugszeichen 6 bezeichnet eine Eingabeeinheit für einen Benutzer der automatischen Anordnungs- und Leitungswegbildungsvorrichtung 1 zur Eingabe von für den Layoutentwurf notwendigen Eingabedaten. Es umfasst eine Tastatur und eine Schnittstelle, die zur Eingabe von Daten von außerhalb benötigt werden.
Fig. 2A-2D sind Draufsichten, die Konfigurationen von Zellen und ein von der Layoutvorrichtung aus Fig. 1 verwendetes Teillayout einer integrierten Halbleiterschaltung zeigen. Fig. 2A-2C zeigen einen Inverter bildende Zellen, und Fig. 2D zeigt einen Bereich des Layouts der integrierten Halbleiterschaltung nach der automatischen Leitungswegbildung, der unter Verwendung der Zelle von Fig. 2A konstruiert ist. In diesen Figuren bezeichnen Bezugszeichen 7, 7a, 7b, 7-1-7-4 jeweils eine Zelle, in der den Energieversorgungsstrang und den Massestrang bildende Zwischenzellenstränge (Teilstränge) von den verbleibenden Komponenten innerhalb der Zelle elektrisch isoliert sind. Die Bezugszeichen 8 und 9 bezeichnen jeweils einen Zwischenzellenstrang (Teilstränge), die entlang eines Layoutrahmens (Zellenrahmens) der Zelle angeordnet sind. Das Bezugszeichen 10 bezeichnet eine Metallleitung (Spannungseinspeisung) der Source-Elektrode des PMOSFET; und 10a bezeichnet eine Metallleitung (Spannungseinspeisung) zur Verbindung der Metallleitung 10 mit dem Energieversorgungsstrang oder Massestrang. Das Bezugszeichen 11 bezeichnet einen Kontakt zur Verbindung der Metallleitung 10 mit dem aktiven Bereich 12 eines PMOSFET.
Die Bezugszeichen 12, 12a und 12b bezeichnen jeweils den aktiven Bereich des PMOSFET, 13, 13a und 13b bezeichnen jeweils den aktiven Bereich des NMOSFET, und das Bezugszeichen 14 bezeichnet eine Metallleitung (Spannungseinspeisung) der Source-Elektrode des NMOSFET. Die Metallleitung 14 ist außerdem über die Kontakte 11 mit dem aktiven Bereich 13 verbunden. Das Bezugszeichen 14a bezeichnet eine Metallleitung (Spannungseinspeisung) zur Verbindung der Metallleitung 14 mit dem Massestrang oder dem Energieversorgungsstrang. Das Bezugszeichen 15 bezeichnet eine Gate-Elektrode des PMOSFET, 16 bezeichnet eine Gate-Elektrode des NMOSFET, und 17 bezeichnet eine Metallleitung, um die Gate-Elektroden 15 und 16 zu verbinden. Die Metallleitung 17 dient als ein Eingangsanschluss des Inverters.
Das Bezugszeichen 18 bezeichnet eine ausgangsseitige Metallleitung und 19 bezeichnet einen Kontakt zur Verbindung der Metallleitung 18 mit den aktiven Bereichen 12 und 13. Bezugszeichen 20 und 23 bezeichnen jeweils einen Strang, der durch Verbindung der Zwischenzellenstränge 9 der Zellen 7-1 bis 7-4 zusammengesetzt ist; und 21 und 22 bezeichnen jeweils einen Strang, der durch Verbindung der Zwischenzellenstränge 8 der Zellen 7-1 bis 7-4 zusammengesetzt ist. Sie bilden den Massestrang oder Energieversorgungsstrang. Es sei hierbei angenommen, dass die Stränge 22 und 23 Energieversorgungsstränge sind, an denen jeweils verschiedene Potentiale VDD1 und VDD2 angelegt sind, und dass die Stränge 20 und 21 Massestränge sind, an denen jeweils verschiedene Massepotentiale GND1 und GND2 anliegen. Das Bezugszeichen 24 bezeichnet eine Metallleitung (Spannungseinspeisung) zur Verbindung der Metallleitung 10 der Zelle 7-3 mit dem Massestrang 20 und 25 bezeichnet eine Metallleitung (Spannungseinspeisung) zur Verbindung der Metallleitung 14 der Zelle 7-2 mit dem Massestrang 21.
Nachfolgend wird die Funktionsweise des ersten Ausführungsbeispiels beschrieben.
Hierbei wird die Beschreibung anhand eines Beispiels vorgenommen, bei dem das in Fig. 2D gezeigte Layout unter Verwendung der in Fig. 2A gezeigten Zelle 7 erzeugt wird. Es sei hierbei zudem angenommen, dass die Zellen 7-1 bis 7-4 von Fig. 2D vor der automatischen Anordnung und Leitungswegbildung die selbe Konfiguration besitzen, wie die in Fig. 2A gezeigte Zelle 7.
Zuerst ordnet der Layouterzeugungsabschnitt 3 die Zellen gemäß den von der Netzwerkinformation definierten Verbindungsbeziehungen zwischen dem Netzwerk und den Zellen an. Genauer baut der Layouterzeugungsabschnitt 3 eine Reihe von aneinander angrenzenden Zellen auf, die im voraus als eine grundlegende Schaltung des Layouts entworfen und in dem Speicher 2 eingetragen wurde. Folglich erzeugt der Layouterzeugungsabschnitt 3 das Layout der integrierten Halbleiterschaltung unter Verwendung der grundsätzlichen Schaltung, die gemäß den von der Netzwerkinformation definierten Verbindungsbeziehungen zwischen dem Netzwerk und den Zellen wiederholt aus der Zellenreihe besteht.
Bei dem Beispiel von Fig. 2D sind die Zellenreihen 31 und 32 aus den Zellen 7-1 und 7-2 und den Zellen 7-3 und 7-4 zusammengesetzt, so dass die beiden Zellenreihen 31 und 32 mit dem Energieversorgungsstrang 22 und Massestrang 20 und dem Energieversorgungsstrang 23 und Massestrang 21 aneinander angrenzend angeordnet sind. In diesem Fall sind die beiden Zellenreihen 31 und 32 unter Berücksichtigung des Zellenrahmens durch in einem gewissen Abstand beabstandet, so dass die Massestränge 20 und 21 keinen Kontakt miteinander haben. Die eine grundsätzliche Schaltung bildenden Zellenreihen können auch unter Verwendung der in Fig. 2B oder Fig. 2C anstelle der in Fig. 2A gezeigten Zelle konfiguriert werden. Folglich führt der Layouterzeugungsabschnitt 3 die Anordnung durch Bestimmung der Bauarten und Reihenfolge bzw. Hierarchie der Zellen, die die Zellenreihen bilden sollen, aus, und durch Bestimmung der Hierarchie der Anordnung einer Vielzahl von Zellenreihen gemäß der Anzahl von in die Zellen einzuspeisenden Spannungsenergieversorgungen. Die Verarbeitung entspricht insoweit dem Anordnungsschritt.
Als nächstes führt der Leitungsweg-Erzeugungsabschnitt 4 anhand der Verbindungsbeziehungen der Netzwerkinformation eine allgemeine Leitungswegbildung für die Zellen nach Anordnung in dem von dem Layouterzeugungsabschnitt 3 automatisch erstellten Layout aus. Die allgemeine Leitungswegbildung ist ein Schritt, der den gesamten Leitungswegbildungsbereich in viele Teilungen gemäß dem Leitungswegbildungsaufbaus aufteilt und allgemeine Leitungswege der einzelnen Netzwerke an die Teilungen zuweist.
Der Leitungsweg-Erzeugungsabschnitt 4 führt nacheinander detaillierte Leitungswegbildung für die Zellen nach der Anordnung auf der Grundlage der allgemeinen Leitungswegbildungsergebnisse aus, die gemäß der Verbindungsbeziehungen der Netzwerkinformation erlangt wurden. Die detaillierte Leitungswegbildung ist ein Schritt zum Vollenden der abschließenden Leitungswegbildung in den Teilungen gemäß der zuvor erwähnten Zuweisung. In diesem Fall kann der Leitungsweg-Erzeugungsabschnitt 4 unter Verwendung der Zellen gemäß der Erfindung die Leitungswegbildung so ausführen, dass an die aneinander angrenzenden Zellen verschiedene Potentiale angelegt sind.
Ein konkreteres Beispiel wird unter Bezugnahme auf Fig. 2D beschrieben.
Zuerst wird die Metallleitung 14 in der Zelle 7-2 nicht mit dem den innerhalb der Zelle angeordneten Zwischenzellenstrang aufweisenden Massestrang 20 verbunden, wird jedoch über die Metallleitung 25 der weiteren Zellenleitung mit dem Massestrang 21 verbunden. Folglich wird das an dem Massestrang 21 anliegende Massepotential GND2 an den aktiven Bereich des NMOSFET 13 in der Zelle 7-2 angelegt. In der selben Zelle 7-2 ist die Metallleitung 10 mit dem Energieversorgungsstrang 22 als die Metallleitung 10a durch den Leitungsweg-Erzeugungsabschnitt 4 verbunden. Folglich liegt an dem aktiven Bereich des PMOSFET 12 in der Zelle 7-2 die Energieversorgungsspannung VDD1 an, die an dem Energieversorgungsstrang 22 anliegt. Auf diese Weise können gemäß der Erfindung an die Zwischenzellenstränge, d. h. an die Teilstränge innerhalb jeder Zelle, verschiedene Potentiale angelegt werden.
Andererseits wird bei der an die Zelle 7-2 angrenzenden Zelle 7-1 die Metallleitung 10 mit dem Energieversorgungsstrang 22 als die Metallleitung 10a durch den Leitungsweg-Erzeugungsabschnitt 4 verbunden. Dementsprechend wird an die Zelle 7-1 die Energieversorgungsspannung VDD1 angelegt, die an dem Energieversorgungsstrang 22 anliegt. Zusätzlich wird die Metallleitung 14 mit dem Massestrang 20 als die Metallleitung 14a durch den Leitungsweg- Erzeugungsabschnitt 4 verbunden. Somit werden, auch wenn die Zelle 7-1 und die Zelle 7-2 aneinander angrenzend angeordnet sind, an die aktiven Bereiche 13 ihrer NMOSFET's jeweils die Massepotentiale GND1 und GND2 angelegt. Auf diese Weise ist es gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel möglich, sogar an aneinander angrenzende Zellen verschiedene Potentiale anzulegen.
Ebenso wird bei der Zelle 7-3 die Metallleitung 10 über die Metallleitung 24 mit dem Massestrang 20 verbunden, und die Metallleitung 14 wird mit dem Energieversorgungsstrang 23 als die Metallleitung 14a durch den Leitungsweg-Erzeugungsabschnitt 4 verbunden. Dementsprechend liegen bei der Zelle 7-3 an dem aktiven Bereich des PMOSFET 12 und dem des NMOSFET 13 jeweils das Massepotential GND1 und das Energieversorgungspotential VDD2 an.
Andererseits wird bei der an die Zelle 7-3 angrenzenden Zelle 7-4 die Metallleitung 10 mit dem Massestrang 21 als die Metallleitung 10a durch den Leitungsweg-Erzeugungsabschnitt 4 verbunden und die Metallleitung 14 wird mit dem Energieversorgungsstrang 23 als die Metallleitung 14a durch den Leitungsweg-Erzeugungsabschnitt 4 verbunden. Dementsprechend liegen bei der Zelle 7-4 an dem aktiven Bereich 12 des PMOSFET das Massepotential GND2 und an dem aktiven Bereich 13 des NMOSFET das Energieversorgungspotential VDD2 an. Somit werden, auch wenn die Zelle 7-3 und die Zelle 7-4 aneinander angrenzend angeordnet sind, an die aktiven Bereiche 12 ihrer PMOSFET's 12 jeweils die Massepotentiale GND1 und GND2 angelegt.
Der Betrieb entspricht daher soweit dem Leitungswegbildungsschritt. Nacheinander werden auf der Grundlage der Ergebnisse der automatischen Anordnung und Leitungswegbildung Masken gebildet, und die integrierte Halbleiterschalung wird unter Verwendung der Masken aufgebaut.
Auch wenn die in Fig. 2A gezeigte Zelle als ein Beispiel der vorangehenden Beschreibung verwendet wird, ist auch die in Fig. 2B oder Fig. 2C gezeigte Zelle anwendbar. Wie für die in Fig. 2B gezeigte Zelle 7a werden die Metallleitungen 10 und 14 entfernt, und auch die Kontakte 11 für ihre Verbindung werden von den aktiven Bereichen 12a des PMOSFET und den aktiven Bereichen 13a des NMOSFET beseitigt. Ebenso werden auch die Metallleitungen 10 und 14 von der in Fig. 2C gezeigten Zelle 7b entfernt. Jedoch stehen die Kontakte 11a für den aktiven Bereich 12b des PMOSFET und den aktiven Bereich 13b des NMOSFET zur Verfügung, so dass der Leitungsweg-Erzeugungsabschnitt 4 sie mit dem Energieversorgungsstrang und dem Massestrang unter Verwendung von Metallleitungen verbinden kann, die er aus dem Speicher 2 liest.
Wie zuvor beschrieben ist das erste Ausführungsbeispiel derartig konfiguriert, dass es Zellenreihen durch aneinander angrenzende Anordnung einer Vielzahl von Zellen konstruiert, die jeweils die den Energieversorgungsstrang und/oder Massestrang bildenden Teilstränge derart aufweisen, dass sie von den verbleibenden Komponenten innerhalb der Zelle elektrisch isoliert sind, und dass die Teilstränge jeweils selektiv mit einem beliebigen der Energieversorgungsstränge und Massestränge in einer Vielzahl von Zellenreihen verbünden sind, um die Potentiale an die Komponenten innerhalb der Zelle anzulegen. Als Folge davon kann gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel die Energie mit verschiedenen Potentialen an die aneinander angrenzenden Zellen angelegt werden, wodurch es einfacher wird, die an die einzelnen Zellen anzulegenden Potentiale unabhängig zu steuern.

Zweites Ausführungsbeispiel

Fig. 3A-3D sind Draufsichten, die Konfigurationen von Zellen und ein für das Layout der integrierten Halbleiterschaltung verwendetes Teillayout eines zweiten Ausführungsbeispiels gemäß der Erfindung zeigen. Fig. 3A-3C zeigen den Inverter bildende Zellen, und Fig. 3D zeigt einen Bereich des Layouts der integrierten Halbleiterschaltung nach der automatischen Leitungswegbildung, der unter Verwendung der Zellen von Fig. 3A aufgebaut ist. In diesen Figuren bezeichnen Bezugszeichen 7c, 7d, 7e, und 7c-1 bis 7c-4 jeweils eine Zelle, bei der den Energieversorgungsstrang und den Massestrang bildende Zwischenzellenstränge (Teilstränge) von den verbleibenden Komponenten innerhalb der Zelle elektrisch isoliert sind. Die Bezugszeichen 8a und 9a bezeichnen jeweils einen Zwischenzellenstrang (Teilstränge), die abseits von einem Layoutrahmen (Zellenrahmen) der Zelle angeordnet sind.
Die selben Komponenten, wie die von Fig. 2, werden mit den selben Bezugszeichen bezeichnet und ihre Beschreibung ausgelassen.
Nun wird die Funktionsweise des zweiten Ausführungsbeispiels beschrieben.
Hierbei wird die Beschreibung anhand von einem Beispiel vorgenommen, bei dem das in Fig. 3D gezeigte Layout unter Verwendung der in Fig. 3A gezeigten Zelle 7c erzeugt wird. Es sei hierbei zudem angenommen, dass die Zellen 7c-1 bis 7c-4 von Fig. 3D vor der automatischen Anordnung und Leitungswegbildung die selbe Konfiguration besitzen, wie die in Fig. 3A gezeigte Zelle 7c.
Bei dem vorangehenden ersten Ausführungsbeispiel sind die Zwischenzellenstränge 8 und 9 entlang des Layoutrahmens der Zelle (Zellenrahmen) angeordnet. Als Folge davon müssen die aus den Zellen 7-1 und 7-2 bestehenden Zellenreichen 31, um sie als nächstes an die aus den Zellen 7-3 und 7-4 bestehenden Zellenreichen 32 anzuordnen, mit einem gewissen Abstand voneinander getrennt werden, um unter Berücksichtigung des Zellenrahmens einen Kontakt der Massestränge 20 und 21 zu verhindern.
Im Gegensatz dazu werden bei dem zweiten Ausführungsbeispiel die Zwischenzellenstränge 8a und 9a durch den Layoutrahmen der Zelle (Zellenrahmen) voneinander getrennt. Dementsprechend können die beiden Zellenreihen 31c und 32c wie in Fig. 3D gezeigt, wenn die aus den Zellen 7c-1 und 7c-2 bestehende Zellenreiche 31c als nächstes zu der aus den Zellen 7-3 und 7-4 bestehenden Zellenreiche 32c mit einem Kontakt an ihren Seiten angeordnet werden (Stoßanordnung).
Wie zuvor beschrieben ist das zweite Ausführungsbeispiel derartig konfiguriert, dass die den Energieversorgungsstrang und/oder Massestrang bildenden Teilstränge abseits von dem Zellenrahmen angeordnet sind. Als Folge davon ermöglicht es die Stoßanordnung der Zellenreihen, wodurch das Layoutgebiet vermindert wird.
Auch wenn die in Fig. 3A gezeigte Zelle 7c als ein Beispiel der vorangehenden Beschreibung verwendet wird, ist auch die in Fig. 3B oder Fig. 3C gezeigte Zelle anwendbar. Wie für die in Fig. 3B gezeigte Zelle 7d werden die Metallleitungen 10 und 14 entfernt, und auch die Kontakte 11 für ihre Verbindung werden von dem aktiven Bereich 12a des PMOSFET und dem aktiven Bereich 13a des NMOSFET beseitigt. Ebenso werden die Metallleitungen 10 und 14 von der in Fig. 3C gezeigten Zelle 7e entfernt. Jedoch stehen die Kontakte 11a für den aktiven Bereich 12b des PMOSFET und den aktiven Bereich 13b des NMOSFET zur Verfügung, so dass der Leitungsweg-Erzeugungsabschnitt 4 sie mit dem Energieversorgungsstrang und dem Massestrang unter Verwendung von Metallleitungen verbinden kann, die er aus dem Speicher 2 liest.

Drittes Ausführungsbeispiel

Fig. 4A-4D sind Draufsichten, die Konfigurationen von Zellen und ein für das Layout der integrierten Halbleiterschaltung verwendetes Teillayout für ein drittes Ausführungsbeispiels gemäß der Erfindung zeigt. Fig. 4A-4C zeigen den Inverter bildende Zellen, und Fig. 4D zeigt einen Bereich des Layouts der integrierten Halbleiterschaltung nach der automatischen Leitungswegbildung, der unter Verwendung der Zellen von Fig. 4A aufgebaut ist. In diesen Figuren bezeichnen Bezugszeichen 7f, 7g, 7h, und 7f-1 bis 7f-4 jeweils eine Zelle mit einem Aufbau, in der den Energieversorgungsstrang und den Massestrang bildende Zwischenzellenstränge (Teilstränge) von den verbleibenden Komponenten innerhalb der Zelle elektrisch isoliert sind. Das Bezugszeichen 26 bezeichnet einen Massestrang, der aus den Zwischenzellensträngen der Zellen 7f-1-7f-4 zusammengesetzt ist und zusammen von den aus den Zellen 7f-1 und 7f-2 bestehenden Zellenreihen 31f und den aus den Zellen 7f-3 und 7f-4 bestehenden Zellenreihen 32f benutzt wird. In Fig. 4A-4D sind die selben Komponenten, wie die von Fig. 2A-3D mit den selben Bezugszeichen bezeichnet und ihre Beschreibung ausgelassen.
Nun wird die Funktionsweise des dritten Ausführungsbeispiels beschrieben.
Hierbei wird die Beschreibung anhand von einem Beispiel vorgenommen, bei dem das in Fig. 4D gezeigte Layout unter Verwendung der in Fig. 4A gezeigten Zelle 7f erzeugt wird. Es sei hierbei zudem angenommen, dass die Zellen 7f-1 bis 7f-4 von Fig. 4D vor der automatischen Anordnung und Leitungswegbildung die selbe Konfiguration besitzen, wie die in Fig. 4A gezeigte Zelle 7f.
Bei dem vorangehenden ersten Ausführungsbeispiel müssen wie in Fig. 2D gezeigt die aus den Zellen 7-1 und 7-2 bestehenden Zellenreichen 31, um sie als nächstes an die aus den Zellen 7-3 und 7-4 bestehenden Zellenreichen 32 anzuordnen, mit einem gewissen Abstand voneinander getrennt werden, um unter Berücksichtigung des Zellenrahmens einen Kontakt der Massestränge 20 und 21 zu verhindern.
Zusätzlich dazu sind bei dem zweiten Ausführungsbeispiel die Zwischenzellenstränge 8a und 9a von dem Layoutrahmen der Zelle (Zellenrahmen) voneinander getrennt. Dementsprechend können die beiden Zellenreihen 31c und 32c wie in Fig. 3D gezeigt, wenn die aus den Zellen 7c-1 und 7c-2 bestehende Zellenreiche 31c als nächstes zu der aus den Zellen 7c-3 und 7c-4 bestehenden Zellenreiche 32c mit einem Kontaktieren ihrer Seiten angeordnet werden (Stoßanordnung).
Bei den vorangehenden Ausführungsbeispielen 1 und 2 sind jedoch die Layoutgebiete der Zellen festgelegt, wodurch es unmöglich wird, das Layoutgebiet weiter zu vermindern.
Unter Berücksichtigung davon weist das dritte Ausführungsbeispiel ein derartiges Layout auf, dass wenn an dem Energieversorgungsstrang oder Massestrang (der Massestrang 26 bei dem Beispiel von Fig. 4D) einer Vielzahl von Zellenreihen das selbe Potential anliegt, dass diese Zellenreihen den Strang gemeinsam benutzen. Die Konfiguration kann das Layoutgebiet weiter vermindern und die Notwendigkeit der Berücksichtigung der Variationen der Potentiale aufgrund der einzelnen Unterschiede der Stränge umgehen, an die das selbe Potential anzulegen ist. Als Folge davon kann das dritte Ausführungsbeispiel die Verlässlichkeit der integrierten Halbleiterschaltung mit diesem Layout verbessern.
Als ein konkretes Beispiel wird die aus den Zellen 7f-1 und 7f-2 bestehende Zellenreihe 31f derartig angeordnet, dass ihr Zwischenzellenstrang den Zwischenzellenstrang der aus den Zellen 7f-3 und 7f-4 bestehenden Zellenreihe 32f kontaktiert (Stoßanordnung). Als Folge davon nutzen die Zellen 7f-1-7f-4 den Massestrang 26 gemeinsam.
Wie für die Zellen von Fig. 4a-4C ist es beispielsweise möglich das Layout so anzupassen, dass die Breite des Massestrangs 26 an die Breite des Massestrangs 9 bei der Stoßanordnung angeglichen wird, bei der die Zellenreichen 31f und 32f den Massestrang gemeinsam nutzen. Als Folge davon kann das Layoutgebiet durch einen der Breite der Zwischenzellenstränge der einzelnen Zellen entsprechenden Betrag vermindert werden.
Auch wenn bei dem vorangehenden Beispiel der Massestrang 26 gemeinsam genutzt wird, ist dies nicht wesentlich. Beispielsweise ist das dritte Ausführungsbeispiel auch auf beliebige Stränge anwendbar, die das selbe Potential mit einer Vielzahl von Zellenreihen gemeinsam nutzen, die beispielsweise nur den Energieversorgungsstrang oder sowohl den Energieversorgungsstrang als auch den Massestrang gemeinsam nutzen.
Wie zuvor beschrieben ist das dritte Ausführungsbeispiel derartig konfiguriert, dass eine Vielzahl von Zellenreihen 31f und 32f den Energieversorgungsstrang oder den Massestrang gemeinsam nutzen, um dasselbe Potential anzulegen. Als Folge davon kann es das Layoutgebiet durch einen der gemeinsam genutzten Stränge entsprechenden Betrag vermindern. Zusätzlich kann es die Potentialvariationen aufgrund des einzelnen Unterschieds zwischen den Strängen, an die das selbe Potential angelegt ist, beseitigen. Als Folge davon kann es die Verlässlichkeit der auf einem derartigen Layout basierenden integrierten Halbleiterschaltung verbessern.
Auch wenn die in Fig. 4A gezeigte Zelle 7f bei dem dritten Ausführungsbeispiel verwendet wird, ist auch die in Fig. 4B oder Fig. 4C gezeigte Zelle anwendbar. Wie für die in Fig. 4B gezeigte Zelle 7g werden die Metallleitungen 10 und 14 entfernt, und auch die Kontakte 11 für ihre Verbindung werden von dem aktiven Bereich 12a des PMOSFET und dem aktiven Bereich 13a des NMOSFET beseitigt. Ebenso werden die Metallleitungen 10 und 14 von der in Fig. 4C gezeigten Zelle 7h entfernt. Jedoch stehen die Kontakte 11a für den aktiven Bereich 12b des PMOSFET und den aktiven Bereich 13b des NMOSFET zur Verfügung, so dass der Leitungsweg-Erzeugungsabschnitt 4 sie mit dem Energieversorgungsstrang und dem Massestrang unter Verwendung von Metallleitungen verbinden kann, die er aus dem Speicher 2 liest.
Die Zellen mit den folgenden Aufbauten sind auch auf das dritte Ausführungsbeispiel anwendbar.
Fig. 5A-5E sind Draufsichten, die für das Layout der integrierten Halbleiterschaltung verwendete Variationen der Zellen für ein drittes Ausführungsbeispiels zeigen, die einen Inverter bilden. Bei diesen Figuren weisen die Zellen 7l-7m jeweils den den Energieversorgungsstrang oder den Massestrang bildenden Zwischenzellenstrang (Teilstrang) 8 oder 8a auf, der von den verbleibenden Komponenten innerhalb der Zelle elektrisch isoliert ist. Andrerseits sind die den Massestrang bildenden und von einer Vielzahl von Zellenreihen gemeinsam genutzten Zwischenzellenstränge 9 oder 9a derartig konfiguriert, dass sie mit dem aktiven Bereich 13 verbunden sind, an den das Massepotential des Massestrangs über die Metallleitung 14a angelegt wird.
Die selben Komponenten, wie die von Fig. 2A-4D werden mit den selben Bezugszeichen bezeichnet und ihre Beschreibung hierbei ausgelassen.
Die in Fig. 5A gezeigte Zelle 71 ist derartig konfiguriert, dass ihr den Massestrang 26 bildender Zwischenzellenstrang 9 (vgl. Fig. 4D) über die Metallleitung 14a mit dem aktiven Bereich 13 des NMOSFET's verbunden ist. Andererseits ist der nicht gemeinsam genutzte Zwischenzellenstrang 8 von den anderen Komponenten wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel isoliert. Wie für die in Fig. 5B gezeigte Zelle 7j ist die Metallleitung 10 zusammen mit den Kontakten 11 entfernt, die sie mit dem aktiven Bereich 12a des PMOSFET verbinden. Jedoch ist der aktive Bereich 13a des NMOSFET mit dem Massestrang 9 innerhalb der Zelle über die Kontakte 11a und die Metallleitung 14a mit dem Massestrang 9 verbunden.
Wie für die in Fig. 5C gezeigte Zelle 7k stehen an dem aktiven Bereich 12b des PMOSFET, auch wenn die Metallleitung 10 entfernt ist, die Kontakte 11a zur Verfügung, so dass sie über die Metallleitung, die der Leitungsweg- Erzeugungsabschnitt 4 aus dem Speicher 2 liest, mit dem Energieversorgungsstrang oder dem Massestrang verbunden ist. Auch wenn die in Fig. 5D gezeigte Zelle 71 den selben Grundaufbau wie die in Fig. 5A gezeigte Zelle 71 besitzt, umfasst sie den Zwischenzellenstrang 8a und den Zwischenzellenstrang 9a, die abseits von dem Zellenrahmen angeordnet sind. Mit der Konfiguration kann eine Vielzahl von Zellenreihen nicht einen gemeinsamen Strang kontaktieren. Jedoch kann die Vielzahl von Zellenreihen die aneinander angrenzenden und miteinander verbundenen Stränge gemeinsamen nutzen, was ähnliche Vorteile bietet.
Schließlich weist die in Fig. 5E gezeigte Zelle 7m die selbe Grundkonfiguration wie die Zelle 71 auf, außer dass sie ihren Zwischenzellenstrang 8a von dem Zellenrahmen getrennt hat. Mit einem derartigen Aufbau ist es möglich die Stoßanordnung der Zellenreihen an der Seite zu erzielen, wo die Stränge nicht gemeinsam genutzt werden, wodurch das Layoutgebiet weiter vermindert wird.
Wie zuvor beschrieben kann die Verarbeitungslast der automatischen Leitungswegbildung durch im voraus Verbinden einer Komponente in der Zelle mit dem von der Vielzahl von Zellenreihen gemeinsam genutzten Strang vermindert werden. Die Konfigurationen sind nicht nur auf die vorangehenden Ausführungsbeispiele anwendbar, sondern auch auf die folgenden Ausführungsbeispiele, was ähnliche Vorteile bietet.

Viertes Ausführungsbeispiel

Fig. 6A-6B sind Draufsichten, die für das Layout einer integrierten Halbleiterschaltung eines vierten Ausführungsbeispiels gemäß der Erfindung verwendete Zellen für den Fall zeigen, dass die Zellen Inverter sind. In diesen Figuren bezeichnet das Bezugszeichen 7n eine Zelle mit zwei den Energieversorgungsstrang bildende Zwischenzellensträngen (Teilsträngen), und zwei den Massestrang bildende Zwischenzellensträngen (Teilsträngen); und 7o bezeichnet eine Zelle, die zwei Zwischenzellenstränge (Teilstränge) aufweist, die entweder den Energieversorgungsstrang oder den Massestrang bilden. Die Bezugszeichen 8b-1 und 8b-2 bezeichnen die beiden Zwischenzellenstränge (Teilstränge), die in den Zellen 7n und 7o angeordnet sind und die von den verbleibenden Komponenten elektrisch isoliert sind. Die Bezugszeichen 9b-1 und 9b-2 bezeichnen die beiden Zwischenzellenstränge (Teilstränge), die in der Zelle 7n angeordnet sind und die von den verbleibenden Komponenten elektrisch isoliert sind. Die selben Komponenten, wie die von Fig. 2A-2D werden mit den selben Bezugszeichen bezeichnet und ihre Beschreibung ausgelassen.
Nun wird die Funktionsweise des vierten Ausführungsbeispiels beschrieben.
Beispielsweise wird eine Anordnung einer Vielzahl von in Fig. 6A gezeigten Zellen 7n eine Zellenreihe mit zwei aus den Zwischenzellensträngen 8b-1 und 8b-2 bestehenden Energieversorgungssträngen (oder Massesträngen), und zwei aus den Zwischenzellensträngen 8b-1 und 8b-2 bestehenden Massesträngen (oder Energieversorgungssträngen) konstruieren. Als Folge davon werden für eine Zellenreihe zwei Energieversorgungssysteme gebildet.
Umfasst eine Vielzahl von Zellenreihen Energieversorgungsstränge oder Massestränge zum Anlegen desselben Potentials, wird eine Konfiguration zusammengestellt, bei der die Stränge unter Verwendung der Zwischenzellenstränge 8b-1 oder der Zwischenzellenstränge 9b-2 gebildet sind, die entlang dem Zellenrahmen angeordnet sind. Folglich kann die Vielzahl von Zellenreihen die Stränge gemeinsam nutzen, wodurch das Layoutgebiet weiter vermindert wird.
Zusätzlich ist es betreffend der Masse möglich, nur den Zwischenzellenstrang 9 entlang dem Zellenrahmen anzuordnen, genau wie bei der in Fig. 6B gezeigten Zelle 7o. Als Folge davon wird nur der aus dem Zwischenzellenstrang 9 bestehende Strang von einer Vielzahl von Zellenreihen gemeinsam genutzt, wodurch es möglich ist, das Layoutgebiet weiter zu vermindern.
Die die Zellenreihe bildenden Energieversorgungsstränge und Massestränge weisen vor der automatischen Leitungswegbildung keine elektrischen Verbindungen mit den verbleibenden Komponenten innerhalb der Zelle auf. Daher ist es für den Leitungsweg-Erzeugungsabschnitt 4 möglich, die Leitungswegbildung derartig auszuführen, dass an jeder Zelle ein Potential von einem anderen Strang als den aus den Zwischenzellensträngen bestehenden Strängen in der Zelle anliegt. Als Folge davon kann das vierte Ausführungsbeispiel die Flexibilität von vielzähligen Energieversorgungen in der integrierten Halbleiterschaltung weiter erhöhen.
Auch wenn die in Fig. 6A und Fig. 6B gezeigten Konfigurationen auf einem in Fig. 2A gezeigten Inverters basieren, können sie auch auf den bei den vorangehenden Ausführungsbeispielen beschriebenen anderen Konfigurationen des Inverters basieren.
Wie zuvor beschrieben ist das vierte Ausführungsbeispiel derartig konfiguriert, dass die Zelle eine Vielzahl von Teilsträngen zur Bildung der Energieversorgungsstränge oder Massestränge aufweist. Dementsprechend kann gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel der Flexibilitätsgrad des Systems mit vielzähligen Energieversorgungen der integrierten Halbleiterschaltung erhöhen werden.

Fünftes Ausführungsbeispiel

Fig. 7A und Fig. 7B sind Draufsichten, die für das Layout einer integrierten Halbleiterschaltung eines fünften Ausführungsbeispiels gemäß der Erfindung verwendete Zellen für den Fall zeigen, dass die Zellen ein Inverter sind. In diesen Figuren bezeichnet das Bezugszeichen 7p eine Zelle mit zwei die Energieversorgungsstränge bildende Zwischenzellenstränge (Teilstränge) auf verschiedenen Schichten, und zwei die Massestränge bildende Zwischenzellenstränge (Teilstränge); und 7q bezeichnet eine Zelle, die zwei Zwischenzellenstränge (Teilstränge) aufweist, die die Energieversorgungsstränge (oder Massestränge) auf verschiedenen Schichten bilden. Die Bezugszeichen 8c-1 und 8c-2 bezeichnen die beiden Zwischenzellenstränge (Teilstränge), die in den Zellen 7p und 7q angeordnet sind und die von den verbleibenden Komponenten auf den verschiedenen Schichten elektrisch isoliert sind. Die Bezugszeichen 9b-1 und 9b-2 bezeichnen zwei Zwischenzellenstränge (Teilstränge), die in der Zelle 7p angeordnet sind und die von den verbleibenden Komponenten auf den verschiedene Schichten elektrisch isoliert sind. Die selben Komponenten, wie die von Fig. 2A-2D werden mit den selben Bezugszeichen bezeichnet und ihre Beschreibung ausgelassen.
Nun wird die Funktionsweise des fünften Ausführungsbeispiels beschrieben.
Beispielsweise wird eine Anordnung einer Vielzahl von in Fig. 7A gezeigten Zellen 7p auf den zwei verschiedenen Schichten eine Zellenreihe mit zwei aus den Zwischenzellensträngen 8c-1 und 8c-2 bestehenden Energieversorgungssträngen (oder Massesträngen), und zwei aus den Zwischenzellensträngen 9c-1 und 9c-2 bestehenden Massesträngen (oder Energieversorgungssträngen) konstruieren. Als Folge davon werden die beiden Energieversorgungssysteme durch eine Zellenreihe gebildet, ohne das Layoutgebiet zu erhöhen, da die Vielzahl von Strängen auf den verschiedenen Schichten gebildet ist.
Zusätzlich ist es betreffend der Masse (oder des Energieversorgungsstrangs) möglich, nur den Zwischenzellenstrang 9 entlang des Zellenrahmens anzuordnen, genau wie bei der in Fig. 7B gezeigten Zelle 7q. Als Folge davon wird nur der aus dem Zwischenzellenstrang 9 bestehende Massestrang (oder Energieversorgungsstrang) von einer Vielzahl von Zellenreihen gemeinsam genutzt, wodurch es möglich ist, das Layoutgebiet weiter zu vermindern.
Die die Zellenreihe bildenden Energieversorgungsstränge und Massestränge weisen vor der automatischen Leitungswegbildung keine elektrischen Verbindungen mit den verbleibenden Komponenten innerhalb der Zelle auf. Daher kann der Leitungsweg-Erzeugungsabschnitt 4 durch Hinzufügen der Funktion zum Durchführen der Leitungswegbildung zwischen den verschiedenen Schichten die Leitungswegbildung derartig ausführen, dass an jeder Zelle ein Potential von dem Energieversorgungsstrang oder dem Massestrang anliegt, die aus den Zwischenzellensträngen auf den verschiedenen Schichten bestehen. Als Folge davon kann gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel die Flexibilität eines Systems mit vielzähligen Energieversorgungen in der integrierten Halbleiterschaltung mit der Konfiguration weiter erhöht werden.
Auch wenn die Zwischenzellenstränge auf den verschiedenen Schichten in Fig. 7A und Fig. 7B absolut gleich sind, können sie eine unterschiedliche Breite aufweisen und einander teilweise überlappen.
Auch wenn Fig. 7A und Fig. 7B Konfigurationen auf der Grundlage des in Fig. 2A gezeigten Inverters dargestellt sind, können sie auch auf den bei den vorangehenden Ausführungsbeispielen beschriebenen anderen Konfigurationen des Inverters basieren.
Wie zuvor beschrieben ist das fünfte Ausführungsbeispiel derartig konfiguriert, dass die Zelle eine Vielzahl von Zwischenzellensträngen auf verschiedenen Schichten aufweist. Dementsprechend kann gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel der Flexibilitätsgrad des Systems mit vielzähligen Energieversorgungen der integrierten Halbleiterschaltung erhöht und eine Zunahme des Layoutgebiets aufgrund der Vielzahl von Strängen verhindert werden.
Auch wenn die vorangehenden Ausführungsbeispiele 1-5 anhand eines Beispiels beschrieben wurden, bei dem die Zelle den Energieversorgungsstrang und Massestrang bestehend aus den Zwischenzellensträngen aufweist, ist die Erfindung nicht auf derartige Konfigurationen beschränkt. Beispielsweise kann die Zelle nur den Energieversorgungsstrang oder den Massestrang aufweisen, der aus den Zwischenzellensträngen besteht. Mit anderen Worten legen die in dem Speicher 2 gespeicherten Zellendaten im voraus nicht fest, ob die Zwischenzellenstränge den Energieversorgungsstrang oder den Massestrang bilden. Als Folge davon ist es für den Speicher 2 ausreichend, wenige Arten der in den vorangehenden Ausführungsbeispielen beschriebenen Zellen als die Grundaufbauten zu speichern, wodurch das Volumen der zu speichernden Zellendaten vermindert wird.
Integrierte Halbleiterschaltung mit Zellen 7, Zellreihen 31, 32 und Potentialeinspeisungen 10, 14, 24, 25. Jede Zelle weist einen Teilstrang 8, 9 auf, der verwendet wird, um einen Energieversorgungsstrang 22, 23 und/oder Massestrang 20, 21 zu bilden, und der von den verbleibenden Komponenten innerhalb der Zelle elektrisch isoliert ist. Jede Zellenreihe 31, 32 weist eine Vielzahl von aneinander angrenzend angeordneten Zellen, und den aus den Teilsträngen zusammengesetzten Energieversorgungsstrang und/oder Massestrang auf. Die Potentialeinspeisungen 10, 14, 24, 25 verbinden selektiv einen von Energieversorgungsstrang und Massestrang einer beliebigen der Vielzahl von Zellenreihen mit den Komponenten innerhalb der Zellen, um an sie ein Potential von Energieversorgungsstrang und/oder Massestrang anzulegen. Dies ermöglicht es, an die Komponenten der aneinander angrenzenden Zellen verschiedene Potentiale anzulegen.

Claims

1. Integrierte Halbleiterschaltung, mit
Zellen (7), die jede zumindest einen Teilstrang (8, 9) aufweisen, der verwendet wird, um zumindest einen von Energieversorgungsstrang (22, 23) und Massestrang (20, 21) zu bilden, wobei der Teilstrang von verbleibenden Komponenten innerhalb der Zelle elektrisch isoliert ist;
einer Vielzahl von Zellenreihen (31, 32), die jeweils eine Vielzahl von aneinander angrenzend angeordneten Zellen aufweist, und zumindest einen von Energieversorgungsstrang und Massestrang aufweist, die aus den Teilsträngen zusammengesetzt sind; und
Potentialeinspeisungen (10, 14, 24, 25) die wahlweise mit dem Energieversorgungsstrang oder dem Massestrang einer beliebigen der Vielzahl von Zellreihen verbunden sind, um an Komponenten innerhalb der Zellen ein Potential anzulegen, das in den Energieversorgungsstrang oder den Massestrang eingespeist wird.

2. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, wobei der Teilstrang (8a, 9a), der zur Bildung eines Energieversorgungsstrang oder eines Massestrangs verwendet wird, von einem Zellenrahmen abseits angeordnet ist.

3. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, wobei wenn die Vielzahl von Zellreihen unter ihren Energieversorgungssträngen und Massesträngen zumindest zwei Stränge aufweist, die ein gleiches Potential zuführen, die beiden Stränge vereinigt sind, um von den mit den Zellreihen in Zusammenhang stehenden Strängen gemeinsam genutzt zu werden.

4. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 3, wobei die Zellen, die die von einer Vielzahl von Zellreihen gemeinsam genutzten Stränge aufweisen, im voraus eine Verbindung ihrer Teilstränge mit ihren internen Komponenten aufweisen, an die das Potential anzulegen ist.

5. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, wobei die Zellen jeweils eine Vielzahl von Teilsträngen aufweisen, die zumindest einen von Energieversorgungsstrang und Massestrang bilden.

6. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, wobei die Zellen jeweils die Vielzahl von Teilsträngen auf verschiedenen Schichten aufweist.