JP2006228954A - 半導体装置とそのレイアウト設計方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板電位供給電源線と電源電位供給電源線とをともにセル列間で共有でき、かつどちらの電源線も上層の電源幹線から接続できるように、セル列形成後に電源電位供給電源線107,107’に矩形孔を形成し、その中に基板電位供給電源線100,102へ接続できるような配線領域302を確保する。これにより、電源配線領域を小さく抑えつつ電源線幅を十分に得ることができ、かつ電源幹線から基板電位供給電源線100,102へセル列上の場所によらず接続できるため、LSIを小面積化、高速化できる。
【選択図】 図3
Description
図29は、第1の従来技術に係る半導体装置における標準セル300の平面図である。図30は、図29のA−B断面図である。
図32は、第2の従来技術に係る半導体装置における標準セル300及び基板電位供給用セル301の平面図である。図33は図32のA−B断面図であり、図34は図32のC−D断面図である。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置における標準セル300の平面図である。図2は、図1のA−B断面図である。
図5は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置における標準セル300の平面図である。図6は図5のA−B断面図であり、図7は図5の標準セル300を用いたセル列の平面図である。
図8は、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置における標準セル300の平面図である。図9は図8のA−B断面図であり、図10は図8の標準セル300を用いたセル列の平面図である。
図11は、本発明の第4の実施形態に係る半導体装置におけるセル列の平面図である。本実施形態では、第2の実施形態と違い、セル列の延長上に基板コンタクト形成部302が設けられる。図11におけるC−D断面は、図4のとおりである。これにより、標準セル300が配置されていない領域からでもVDDBBを供給できるため、ストラップ配線接続の設計自由度が向上する。
図12は、本発明の第5の実施形態に係る半導体装置におけるセル列の平面図である。図13は、図12のC−D断面図である。
図14は、本発明の第6の実施形態に係る半導体装置におけるセル列の平面図である。図15は、図14のC−D断面図である。
図16は、本発明の第7の実施形態に係る半導体装置におけるセル列の平面図である。図17は、図16のC−D断面図である。
図18は、本発明の第8の実施形態に係る半導体装置におけるセル列の平面図である。図18におけるC−D断面は、図17のとおりである。
図19は、本発明の第9の実施形態に係る半導体装置における標準セル300の平面図である。図20は、図19のA−B断面図である。
図24は、本発明の第10の実施形態に係る半導体装置における標準セル300の平面図である。図25は、図24のA−B断面図である。
101 コンタクトホール(VDDBB)
102 第1メタル配線(VDDBB)
103 ヴィアホール(VDDBB)
104 第2メタル配線(VDDBB)
105 P型MOSFETの不純物拡散領域
106 コンタクトホール(VDD)
107 第1メタル配線(VDD)
107’ 補強のための第1メタル配線(VDD)
108 ヴィアホール(VDD)
109 第2メタル配線(VDD)
109’ 補強のための第2メタル配線(VDD)
110 P型MOSFETの基板コンタクト領域
111 P型MOSFET形成領域
200 不純物拡散配線(VSSBB)
201 コンタクトホール(VSSBB)
202 第1メタル配線(VSSBB)
205 N型MOSFETの不純物拡散領域
206 コンタクトホール(VSS)
207 第1メタル配線(VSS)
207’ 補強のための第1メタル配線(VSS)
208 ヴィアホール(VSS)
209 第2メタル配線(VSS)
209’ 補強のための第2メタル配線(VSS)
210 N型MOSFETの基板コンタクト領域
211 N型MOSFET形成領域
300 標準セル
301 基板電位供給用セル
302 基板コンタクト形成部
303 ポリシリコン配線
Claims (12)
- 各々複数の標準セルが配置された複数のセル列と、前記標準セルに第1の電位を供給するための第1の電源線と、前記第1の電源線と電気的に分離され、かつ前記標準セルに第2の電位を供給するための第2の電源線とを備えた半導体装置において、
隣接する前記セル列、又は、前記セル列内に各々配置された前記標準セルは、前記第1の電源線を、配線層に設けられた第1の配線で共有し、かつ前記第2の電源線を、前記配線層に設けられた第2の配線で共有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1の電源線又は前記第2の電源線は、前記セル列に平行に配置されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
前記第1の電源線又は前記第2の電源線は、前記セル列内の前記標準セルがセル境界部で接することにより形成されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第1の電源線又は前記第2の電源線は、前記セル列境界付近に配置されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第1の電源線又は前記第2の電源線は、前記セル列に平行な方向に延長されて配置されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記配線層は、該半導体装置の最下層のメタル配線層であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記配線層は、該半導体装置の最下層のメタル配線層よりも一つ以上上層のメタル配線層であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第1の電源線又は前記第2の電源線は、前記セル列に平行に配置されかつ前記配線層より上層の配線層に設けられた第3の電源線に接続され、前記第3の電源線は、前記第1の電源線又は前記第2の電源線と同電位の電圧降下量を低減させるために補強されて配置されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第1の配線は、前記第2の配線により三方又は四方を囲まれたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第1の電源線又は前記第2の電源線のいずれか一方は、前記標準セルの基板電位又はウェル電位を供給するための電源線であり、他方は、前記標準セルの電源電位を供給するための電源線であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第1の電源線及び前記第2の電源線は、前記配線層より上層に設けられかつ前記セル列に垂直な方向に配置された複数の電源幹線へ、電気的に分離された状態のまま接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体装置のレイアウト設計方法であって、
前記第1の電源線又は前記第2の電源線は、前記セル列の形成後に形成されることを特徴とする半導体装置のレイアウト設計方法。
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