DE10232731A1 - Be- und Entladevorrichtung für eine Beschichtungseinrichtung - Google Patents

Be- und Entladevorrichtung für eine Beschichtungseinrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE10232731A1
DE10232731A1 DE10232731A DE10232731A DE10232731A1 DE 10232731 A1 DE10232731 A1 DE 10232731A1 DE 10232731 A DE10232731 A DE 10232731A DE 10232731 A DE10232731 A DE 10232731A DE 10232731 A1 DE10232731 A1 DE 10232731A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
loading plate
gripper
substrate holder
particular according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10232731A
Other languages
English (en)
Inventor
Holger Dr. Jürgensen
Johannes Kaeppeler
Walter Franken
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Aixtron SE
Original Assignee
Aixtron SE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aixtron SE filed Critical Aixtron SE
Priority to DE10232731A priority Critical patent/DE10232731A1/de
Priority to TW092116237A priority patent/TWI314503B/zh
Priority to KR1020057000435A priority patent/KR101125431B1/ko
Priority to PCT/EP2003/007244 priority patent/WO2004009299A2/de
Priority to DE50311533T priority patent/DE50311533D1/de
Priority to JP2004522412A priority patent/JP4358108B2/ja
Priority to AU2003246389A priority patent/AU2003246389A1/en
Priority to EP03764944A priority patent/EP1523585B1/de
Publication of DE10232731A1 publication Critical patent/DE10232731A1/de
Priority to US11/038,305 priority patent/US20050214102A1/en
Priority to US11/781,779 priority patent/US7762208B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

Vorrichtung zum Be- und Entladen einer Prozesskammer einer Beschichtungseinrichtung mit zumindest einem Substrat (1) mittels eines Greifers (2) eines Handhabungsautomaten, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung eine von dem Greifer (2) greifbare Ladeplatte (3) aufweist, welche für jedes mindestens eine Substrat (1) eine von einem Rand (4) einer jedem Substrat (1) zugeordneten Öffnung (5) gebildeten Lagerstelle ausbildet.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Be- und Entladen einer Prozesskammer einer Beschichtungseinrichtung mit mindestens einem Substrat mittelst eines Greifers und eines Handhabungsautomaten.
  • Es ist bekannt, die zu beschichtenden Substrate mittelst eines Greifers eines Handhabungsautomaten in die Prozesskammer einer Beschichtungseinrichtung einzubringen und von dort wieder zu entfernen. In der Prozesskammer kann ein CVD-Verfahren durchgeführt werden. Der Greifer kann unmittelbar am Substrat angreifen. Beispielsweise kann der Greifer eine Zunge ausbilden, die das Substrat untergreift. Zum Entladen der Vorrichtung muss diese Zunge unter das Substrat gebracht werden. Mit einem derartigen Greifer kann jeweils nur ein Substrat gegriffen werden. Außerdem muss zum Untergriff der Zunge unter das Substrat das Substrat zuvor geringfügig von seiner Auflagefläche abgehoben werden. Um das Substrat von dem Substrathalter abzuheben, besitzt der Substrathalter eine Vorrichtung, beispielsweise in Form von Stiften, die aus der Substrathalteroberfläche ausfahren, um das Substrat anzuheben. Eine derartige Anordnung führt zu einer Inhomogenität der Auflagefläche des Substrates und damit zu unerwünschten inhomogenen Temperaturen auf der Substrathalteroberfläche bzw. über dem Substrat. Auch andere, im Stand der Technik vorgeschlagene Methoden zum temporären Anheben des Substrates, besitzen diese Nachteile.
  • Im Stand der Technik wurde ferner vorgeschlagen, nicht nur die einzelnen Substrate, sondern die Substrate zusammen mit den Substrathaltern der Prozesskammer zu entnehmen.
  • Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, das Be- und Entladen einer Prozesskammer mit mindestens einem Substrat zu verbessern.
  • Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung, wobei der Anspruch 1 zunächst und im Wesentlichen darauf abgezielt ist, dass die Vorrichtung eine von dem Greifer greifbare Ladeplatte aufweist, welche für jedes zumindest eine Substrat eine von einem Rand einer jedem Substrat zugeordneten Öffnung gebildeten Lagerstelle ausbildet. Das Substrat liegt somit beim Beladen über der Öffnung. Der Öffnungsrand stützt den Rand des Substrates ab. In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung wird der Boden der Öffnung von einer Mulde ausgebildet. Das Substrat liegt somit in einer Mulde ein. Dies hat zur Folge, dass auf die Ladeplatte aufgebrachte Beschleunigungskräfte das Substrat nicht aus der Lagerstelle verlagern kann. Die jedem Substrat zugeordnete Öffnung kann kreisrund sein, so dass das Substrat lediglich mit seinem Rand auf dem Öffnungsrand aufliegt. Die Öffnung hat bevorzugt eine Kontur, die der Umrisskontur des Substrates ähnlich ist. Hat das Substrat eine im Wesentlichen kreisrunde Gestalt, so besitzt die Öffnung ebenfalls eine kreisrunde Gestalt allerdings mit einem geringeren Durchmesser. Hat das Substrat eine rechteckige oder polygonale Umrisskontur, so besitzt die Öffnung bevorzugt dieselbe, jedoch durchmesserkleinere Umrisskontur. Die Ladeplatte als solche kann eine Vielzahl von Lagerstellen aufweisen und eine im Wesentlichen kreisrunde Umfangskontur aufweisen. Auf der Rückseite kann die Lagerplatte einen Ringbund aufweisen. Der Substrathalter kann ein oder mehrere sockelartige Substratträger aufweisen, auf welchen jeweils eine Lagerplatte derart aufsetzbar ist, dass Oberflächenabschnitte des Substratträgers einen Spaltabstand zum Substrat haben oder dass das Substrat auf einem Oberflächenabschnittflächig aufliegt. Im ersteren Fall erfolgt der Wärmetransport von dem aufgeheizten Substrathalter zum Substrat über Wärmestrahlung. Im zweiten Fall erfolgt die Wärmeübertragung durch Wärmeleitung. Der Ring bund umschließt eine Aufnahmehöhlung zur Aufnahme des Substratträgers. Der Substratträger kann integraler Bestandteil des Substrathalters sein. Bevorzugt ist der Substratträger jedoch eine auf einem Gaslager drehantreibbare Platte. Die Lagerplatte kann auf diese Platte derart aufgestülpt werden, dass sie mit dem Substratträger mitdreht. Die Ladeplatte kann in einer Vertiefung des Substrathalters derart einliegen, dass ihre Oberfläche mit der Oberfläche des Substrathalters fluchtet. Das Material von Ladeplatte und Substrathalter kann gleich oder ähnlich sein. Der Ringbund kann eine konisch verlaufende Innenwandung aufweisen. Der Substratträger, auf den die Ladeplatte aufgesetzt werden kann, kann eine dazu formangepasste Umfangsanwendung ausbilden. Beim Aufsetzen der Ladeplatte auf dem Substratträger erfolgt dann eine Selbstzentrierung der Ladeplatte. Die Außenwandung des Ringbundes kann eine Umfangsnut aufweisen. Diese Umfangsnut kann wiederum eine Eingriffsringnut ausbilden zum Eintritt eines Hakens des Greifers. Der Greifer kann bevorzugt zwei Greiferarme und einen Haken aufweisen. Die Länge der beiden Greifarme kann kürzer sein als der Durchmesser der Ladeplatte, so dass zufolge des außermittigen Angriffs der Greifarme in die Umfangsnut der Ladeplatte beim Anheben der Ladeplatte ein Kippmoment entsteht. Zufolge dieses Kippmomentes verkippt die Ladeplatte im Moment des Anhebens. Der in die Umfangsnut eingebrachte Haken tritt beim Verkippen der Ladeplatte in die Eingriffsnut der Peripherie der Ladeplatte, so dass diese sicher vom Greifer gehalten ist. Um mit dem Greifer und insbesondere mit den Armen und den Haken in Anlage an die Ladeplatte zu treten, besitzt der Substrathalter mindestens drei zum Rand hin offene Vertiefungen. Eine dieser Vertiefung bildet eine Zentrieröffnung aus. Diese kann trapezförmige Öffnungswände besitzen. In diese Zentrieröffnung fährt ein Zentriervorsprung des Greifers ein, dem auch der Haken zugeordnet ist. Beim Einfahren des Zentriervorsprunges in die Zentrieröffnung kann der drehbare Substrathalter geringfügig gedreht werden, bis er seine optimale Ausrichtung erhalten hat. Dies ist für die positionsgenaue Ablage der Ladeplatte auf dem Substratträger förderlich. Zwei kanalartige, zum Rand des Substrathal ters hin offene Aussparungen dienen dem Eingriff der Greifarme des Greifers beim Be- bzw. Entladen der Prozesskammer mit der Ladeplatte. Zur Vorrichtung kann ferner eine Entnahmeeinrichtung gehören. Diese Entnahmeeinrichtung besitzt zu jeder Öffnung der Ladeplatte zugeordnete Vertikalstützen. Über diese Vertikalstützen ist die Platte stülpbar. Dabei durchdringen die Vertikalstützen die Öffnungen der Ladeplatten und heben dabei die Substrate von der Ladeplatte ab. Die Substrate liegen dann auf den Vertikalstützen auf und können von den gleichen oder einem anderen Greifer erfasst werden, um eine Kassette oder einem anderen Zwischenlader zugeführt zu werden. Die Vertikalstützen können von mindestens drei Vertikalstiften ausgebildet werden.
  • Zufolge der zuvor beschriebenen Ausgestaltung ist ein automatisches Be- und Entladesystem für ein oder mehrere Substrate für eine Beschichtungseinrichtung gegeben. Dabei kann das Be- und/oder Entladen in sehr kurzer Zeit erfolgen. Der Vorgang kann bei Prozesstemperaturen (400°C bis 1200°C) stattfinden. Dadurch werden die Zeiträume zwischen den eigentlichen Beschichtungsvorgängen minimiert. Die Substrate werden aus Kassetten, welche eine Mehrzahl an Substraten aufnehmen können, entnommen und in den Reaktor transportiert. Nach erfolgter Beschichtung werden die Substrate wieder in den Kassetten abgelegt. Dabei werden die Substrate beim Be- und Entladen aus der Prozesskammer weder an ihrer Oberfläche noch an ihren Randkanten gegriffen oder geklammert. Insbesondere die Oberfläche des Substrates wird zu keiner Zeit berührt. Der komplette Vorgang kann automatisch ablaufen. Vorteilhaft ist ferner, dass beim Be- und Entladen keine Partikel generieren oder zur Substratoberfläche transportiert werden.
  • Zum Beladen der Prozesskammer mit einer Mehrzahl von Substraten werden diese außerhalb der Kammer zunächst automatisch in Mulden einer dünnen Ladeplatte eingelegt, die aus gleichen oder ähnlichem Material wie der Substrathalter in der Kammer besteht. Diese Ladeplatte ist so ausgebildet, dass die Substrate nur mit ihrer äußeren Peripherie in Aussparung in dieser Platte einliegen. Die Böden dieser Aussparungen bilden Öffnungen, die vom Durchmesser nur leicht geringer sind, als die Substratdurchmesser. Diese Ladeplatte kann mittelst der Entnahmeeinrichtung beladen werden. Hierzu wird die lösbare Ladeplatte zunächst über die Vertikalstützen gestülpt. Positionsgenau wird dann mittelst eines Roboterarmes auf die Vertikalstützen zumindest ein Substrat aufgelegt. Dann wird die Ladeplatte vertikal nach oben verlagert bis die Substrate auf den Rand der Öffnungen aufliegen. Das Entladen erfolgt in umgekehrter Weise. Die Ladeplatte wird sodann von dem Greifer in die Prozesskammer eingebracht. Mittelst des zuvor beschriebenen Zentriervorsprungs wird der Substrathalter beim Einfahren des Zentriervorsprungs in die Zentrieröffnung des Substrathalters positioniert, so dass die Ladeplatte exakt über den Substratträger gestülpt werden kann. Der Substratträger kann heißer sein als die Ladeplatte. Durch Wärmeübertragung heizt sich die Ladeplatte dann aber auf die Temperatur des Substrathalters auf, wobei eine Längenausdehnung derart stattfindet, dass sich der Durchmesser der Ladeplatte geringfügig vergrößert. Zufolge der Konizität der Innenwandung des Ringbundes und der formangepassten Umfangswandung des Substratträgers rutscht die Ladeplatte im Zuge ihres Aufwärmens nach unten in ihre endgültige Position, in welcher die Substrate entweder flächig auf Abschnitten des Substratträgers aufliegen oder einen definierten Spaltabstand zur Oberfläche des Substrathalters besitzen. Der Spaltabstand wird von der Materialstärke der Ladeplatte definiert, die flächig auf der Oberfläche des Substratträgers aufliegt.
  • Zufolge des Zentriervorsprunges, der mit der Zentrieröffnung des Substrathalters zusammenwirkt, braucht der drehangetriebene Substrathalter zum Be- und Entladen nur grob vorpositioniert zu werden. Die Feinpositionierung erfolgt vom Greifer selbst. Die Fesselung der Ladeplatte an den Greifer erfolgt beim Verkippen der Platte bei deren Anheben, wobei ein Haken in eine Eingriffsringnut der Ladeplatte eingreift. Die im Wesentlichen rotationssymmetrische Umfangskontur der Ladeplatte macht es möglich, dass diese unabhängig von ihrer Drehstellung vom Greifer greifbar ist.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
  • 1 grob schematische Darstellung einen Substrathalter mit insgesamt drei Substratträgern, auf welche jeweils eine Ladeplatte mit insgesamt sieben Lagerstellen gestülpt ist,
  • 2 einen Schnitt gemäß der Linie II-II in 1,
  • 3 der in 2 mit III bezeichneten Ausschnitt in vergrößerter Darstellung,
  • 4 den in 2 mit IV bezeichneten vergrößerten Ausschnitt in einer vergrößerten Darstellung,
  • 5 die Draufsicht auf eine von einem Greifer gehaltene Ladeplatte,
  • 6 einen Schnitt gemäß der Linie VI-VI in 5,
  • 7 eine Darstellung gemäß 3 mit vom Greifer angehobener Ladeplatte,
  • 8 eine perspektivische Darstellung der von einem Greifer gehaltenen Ladeplatte,
  • 9 eine Entnahmeeinrichtung mit über Vertikalstifte der Entnahmeeinrichtung gestülpter Ladeplatte,
  • 10 ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung in einer Darstellung gemäß 3 und
  • 11 das zweite Ausführungsbeispiel der Erfindung gemäß 4.
  • Die erfindungsgemäße Vorrichtung findet Anwendung in einem CVD-Reaktor. Ein solcher Reaktor besitzt eine Prozesskammer, in der eine bestimmte Gasphasenzusammensetzung eingestellt wird, damit auf Substraten, die auf einem Substrathalter aufliegen, der den Boden der Prozesskammer bildet, eine oder mehrere Schichten abgeschieden werden, wobei das Schichtmaterial über die Gase der Gasphase zugeführt wird. Bei dem Prozess kann es sich um einen VPE, MOCVD oder ganz allgemein um einen CVD-Prozess handeln.
  • Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist ein Hilfsmittel zum Be- und Entladen der Prozesskammer mit Substraten in Form einer Ladeplatte 3, die bestückt mit Substraten 1 vor dem Prozess in die Prozesskammer eingebracht wird und während des Beschichtungsprozesses dort verbleibt, um nach Beendigung des Beschichtungsprozesses zusammen mit den Substraten wieder aus der Prozesskammer entnommen zu werden.
  • Die in den figürlich dargestellten Ausführungsbeispielen gezeigte Ladeplatte 3 hat eine kreisrunde Gestalt. In gleichmäßiger Anordnung befindet sich auf der Oberfläche der Ladeplatte 3 eine Anzahl von Öffnungen 5. Die Öffnungen 5 befinden sich jeweils in Mulden, so dass sie einen vertieft liegenden Rand 4 ausbilden, auf den der Rand 1' je eines Substrates 1 aufliegen kann. Die Mulden bilden jeweils eine Lagerstelle 6 für ein Substrat 1 aus. Dabei ist die Umfangskontur der Mulde der Umfangskontur des Substrates im Wesentlichen angepasst. Im Ausführungsbeispiel ist die Umfangskontur einer jeden Lagerstelle 6 genau der Umfangskontur des Substrates 1 angepasst. Die Mulde bildet somit, wie auch das Substrat, einen unrunden Abschnitt. Es ist aber auch vorgesehen, dass die Mulde eine kreisrunde Umfangskontur besitzt. Ebenso besitzt dann auch die Öffnung 5, die den Boden der Mulde bildet, eine kreisrunde Umfangskontur, wobei der Durchmesser der Öffnung 5 geringer ist als der Durchmesser des Substrates, um die Randauflage auf dem Rand 4 zu sichern.
  • Auf der Rückseite der im inneren Bereich dünn, 1 bis 3 mm dick ausgeführten Ladeplatte 3 befindet sich nahe dem Rand 3'' der Ladeplatte 3 ein Ringbund 9. Auf seiner nach außen weisenden Seite bildet der Ringbund 9 eine Umfangsringnut 18 aus, welche zudem eine hinterschnittene Eingriffsringnut 12 bildet. Mit seiner nach innen weisenden Seite bildet der Ringbund 9 mit einer konisch verlaufenden Flanke die Umrandung einer Aufnahmehöhlung. Diese konische Flanke 9' kann in Flächenanlage gebracht werden mit einer dazu passenden Schrägflanke eines Substratträgers.
  • Im Ausführungsbeispiel bildet der Substratträger 8 eine sockelartige Erhöhung und schwebt während des Prozesses auf einem Gaslager, welches den Substratträger 8 zudem drehantreibt, so dass die über dem Substratträger 8 gestülpte Ladeplatte 3 mitdreht. In einem nicht dargestellten Ausführungsbeispiel kann der Substratträger 8 aber auch integraler Bestandteil des Substrathalters 7 sein.
  • Der Substratträger 8 liegt in einer Vertiefung 11 des Substrathalters 7 ein. Er ist umgeben von einer Umfangsnut, in welche der Ringbund 9 der Lagerplatte 3 derart eintauchen kann, dass die Oberfläche 3' mit der Oberfläche 7' des Substrathalters 7 fluchtet. Es ist aber auch möglich, dass die Oberfläche 3' gegebenenfalls aus strömungstechnischen Gründen gegenüber der Oberfläche 7' erhaben ist.
  • Die Durchmesser von Substratträger 8 und Ringbund 9 sind derartig aufeinander abgestimmt, dass die Unterseite der Ladeplatte 3 bei Prozesstemperatur auf der Oberseite des Substratträgers 8 aufliegt.
  • Wird eine kalte Ladeplatte auf einen heißen Substratträger 8 aufgebracht, so dehnt sich die Ladeplatte 3 thermisch aus und rutscht dann in ihre endgültige Position herab.
  • Das Material der Ladeplatte 3 entspricht dem Material des Substrathalters 7 bzw. des Substratträgers 8.
  • Bei dem in den 3 und 4 dargestellten Ausführungsbeispiel liegt das Substrat 1 mit einem Spaltabstand über der Oberfläche des Substratträgers 8, so dass das Substrat 1 durch Wärmestrahlung aufgeheizt wird.
  • Bei dem in den 10 und 11 dargestellten Ausführungsbeispiel besitzt der Substratträger 8 eine zentrale Erhöhung, auf der das Substrat 1 flächig aufliegt. Beim Aufsetzen der Ladeplatte 3 auf den Substratträger 8 wird das Substrat 1 geringfügig über den Rand 4 der Lagerstelle 6 angehoben. Es kann aber von dem Rand der Mulde noch randgefasst sein.
  • Das Be- und Entladen erfolgt mit einem Greifer 2. Dieser Greifer besitzt zwei gabelartige Greifarme 14, die mit Greifabschnitten 14' in die besagte Umfangsringnut 18 eingreifen können (vgl. 6). Somit kann der äußere Rand 3'' der Ladeplatte 3 von dem Greifarm 14 untergriffen werden, um die Ladeplatte 3 aus ihrer Position in der Vertiefung 11 des Substrathalters 7 herauszuheben. Hierzu ragen die Greifarme 14 in randoffene Kanäle 17 des Substrathalters 7 ein. Zwischen den beiden Kanälen 17 befindet sich eine Zentrieröffnung 15. Die Zentrieröffnung 15 hat einen trapezförmigen Grundriss mit schrägen Wänden. In diese zentrieroffene Öffnung 15 taucht bei der Zuführung des Greifers 2 ein Zentriervorsprung 16 ein. Diesen Zentriervorsprung 16 ist ein Haken 13 angeformt. Dieser Haken 13 tritt in die Umfangsringnut 18 ein.
  • Um den Substrathalter 7 in die richtige Drehorientierung zu bringen, besitzt er auf seiner Umfangsfläche Rippen/Nuten, die optisch abgetastet werden können. Die Zentrierung ist somit nicht nur mechanisch, sondern auch optisch möglich.
  • Die Länge der Greifarme 14 ist geringer als der Durchmesser der Ladeplatte 3. Die sich durch Angriff der Greifabschnitte 14' an der Ladeplatte 3 definierende Achse A liegt somit außermittig der Diagonalen M, so dass beim Anheben der Ladeplatte 3 ein Kippmoment auftritt. Die Verkippung der Ladeplatte 3 führt zum Eingriff des Hakens 3 in die Eingriffsringnut 12. Zufolge dieses Eingriffs kann die Ladeplatte 3 nicht aus dem Greifer 2 herausrutschen, wenn der Greifer translatorische Bewegungen vollführt.
  • Das Aufnehmen bzw. Ablegen der Substrate 1 erfolgt unter Zufhilfenahme einer außerhalb der Prozesskammer angedeuteten Entnahmeeinrichtung 19. Bei dieser Entnahmeeinrichtung 19 handelt es sich im Wesentlichen um eine in der Horinzontalebene angeordnete Platte, aus welcher eine Vielzahl von Vertikalstützen abragen. Jede Vertikalstütze besteht aus insgesamt drei Vertikalstiften 20. Diese drei Vertikalstifte 20 durchragen jeweils eine eine Lagerstelle 6 definierende Öffnung 5. Wird die Ladeplatte 3 in dieser Art über die Vertikalstifte 20 gestülpt, so werden die Substrate aus ihren Lagerstellen 6 abgehoben und können in der in 9 dargestellten Stellung von anderen Greifern gegriffen werden, um Kassetten oder dergleichen zugeführt zu werden. Die Beladung der Ladeplatte 3 mit Substraten erfolgt in umgekehrter Reihenfolge. Mittels nicht dargestellter Greifer werden die Substrate auf die Vertikalstifte 20 derart gelegt, dass sie fluchtend oberhalb der Lagerstellen 6 liegen. Wird jetzt der Greifer 2 in Vertikalrichtung gehoben, so lagern sich die Substrate 1 in den Lagerstellen 6 ein.
  • Bei einem nicht dargestellten Ausführungsbeispiel besitzt der Substrathalter nur einen Substratträger 8, der die Form eines Sockels besitzt. Dieser Substratträger 8 kann materialeinheitlich mit dem Substrathalter 7 verbunden sein. Auch bei dieser Ausgestaltung ist es vorgesehen, dass der Substrathalter 8 als Ganzes drehangetrieben ist.
  • In einem weiteren, nicht dargestellten Ausführungsbeispiel der Erfindung ist vorgesehen, dass die Ladeplatte 3 nur eine einzige Öffnung 5 aufweist für ein einziges Substrat.
  • Zum Drehantrieb des Substratträgers kann auch ein rein mechanischer Antrieb Verwendung finden. Beispielsweise kann der Substrathalter ein Planetengetriebe beinhalten mit einem eine Innenverzahnung aufweisenden, sich randnah erstreckenden Zahnkranz und einem drehantreibbaren zentralen außenverzahnten Sonnenrad, wobei beide Verzahnungen mit Planetenrädern kämmen und jedem Planetenrad ein Substratträger zugeordnet ist.
  • Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist für die Herstellung aller Compound-Halbleiter geeignet, insbesondere für Verfahren zur Herstellung Silizium-Halbleiter für high-k, Ferroelectrica und andere Silicium-Prozesse. Insbesondere eignet sich die Vorrichtung für die Herstellung von Displays. Die Vorrichtung kann zusammen mit ein oder mehreren Robotoren zum Beladen und Entladen eines Reaktors verwendet werden. Es können sowohl rechteckige, als auch runde Substrate verwendet werden. Die Vorrichtung kann mit verschiedenen Handhabungsautomaten und deren Greifern verwendet werden. Auch kann als Material für die Ladeplatte ein Metall, Siliziumoxyd, Graphit, Molybdän oder ein anderes brauchbares Material verwendet werden. Die Vorrich tung kann bei hohen (über 1000°) und bei niedrigen Temperaturen (unter 600°) sowie hohen und auch niedrigen Prozesskammerdrücken (0,1 bis 1000 mbar) betrieben werden. Die Vorrichtung zeichnet sich durch die Ermöglichung von sehr kurzen Ladezeiten aus. Beispielsweise braucht beim Beladen die Prozesskammer nicht vollständig abgekühlt zu werden. Das Andocken des Handhabungsautomaten an den Substrathalter kann mechanisch oder optisch gesteuert sein. Der Roboter kann mit mehreren Prozesskammern zusammenwirken. Beispielsweise kann die Ladeplatte einer Prozesskammer entnommen werden und einer anderen Prozesskammer zugeführt werden. Vorgesehen ist auch, dass eine leere Ladeplatte in einer besonderen Vorrichtung gereinigt werden kann. Die Reinigung der Ladeplatte kann aber auch in einer Prozesskammer erfolgen. Das Reinigen kann beispielsweise durch Ätzen erfolgen. Die Substrate können zusammen mit der Ladeplatte von einer Prozesskammer in andere Prozesskammern oder in Zwischenlage transportiert werden. Die Vorrichtung kann auch im Zusammenhang mit Kontrollvorrichtungen wie FTIR oder Ellipsometrie verwendet werden.
  • Die Vorrichtung ist ganz allgemein für jeden CVD-Prozess und auch für jeden Kondensationsbeschichtungsprozess geeignet. Sie kann verwendet werden für die Abscheidung von Metallen, Isolatoren, Halbleiterschichten aus den Elementen der Gruppe IV, III-IV, II-VI sowie von organischen Stoffen. Als Substratmaterial kommt jede Art von Festkörper infrage. Insbesondere Silicium, III-V-Halbleiter, II-VI-Halbleiter oder Isolatoren wie Glas. Als Substrat kann insbesondere für die Display-Fertigung Kunststoff verwendet werden. Gerade für die Fertigung von Displays wird ein Kondensationsverfahren verwendet.
  • Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollin haltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen.

Claims (28)

  1. Vorrichtung zum Be- und Entladen einer Prozesskammer einer Beschichtungseinrichtung mit zumindest einem Substrat (1) mittels eines Greifers (2) eines Handhabungsautomaten, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung eine von dem Greifer (2) greifbare Ladeplatte (3) aufweist, welche für jedes mindestens eine Substrat (1) eine von einem Rand (4) einer jedem Substrat (1) zugeordneten Öffnung (5) gebildeten Lagerstelle ausbildet.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Öffnung (5) dem Boden einer Mulde zugeordnet ist.
  3. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die jedem Substrat (1) zugeordnete Öffnung im Wesentlichen kreisrund ist, so dass das Substrat (1) lediglich mit seinem Rand auf dem Öffnungsrand aufliegt.
  4. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die im Wesentlichen kreisrunde Ladeplatte (3) eine Vielzahl von Lagerstellen (6) aufweist.
  5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch einen Substrathalter (7) mit einem an die Ladeplatte (3) angepassten sockelartigen Substratträger (8), auf welchen die Substratplatte derart aufsetzbar ist, dass Oberflächenabschnitte des Substratträgers einen Spaltabstand zum Substrat haben oder dass das Substrat auf einem Oberflächenabschnitt flächig aufliegt.
  6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine von einem der Rückseite der Ladeplatte (3) angeformten Ringbund (9) umschlossenen Aufnahmehöhlung zur Aufnahme des Substratträgers (8).
  7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Substratträger (8) insbesondere auf einem Gaslager (10) aufliegend oder mechanisch beispielsweise mittelst eines Planetengetriebes drehantreibbar ist.
  8. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Ladeplatte (3) in einer Vertiefung des Substrathalters (7) derart einliegt, dass ihre Oberfläche (3') mit der Oberfläche (7') des Substrathalters (7) fluchtet.
  9. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Ladeplatte (3) in einer Vertiefung des Substrathalters (7) derart einliegt, dass ihre Oberfläche (3') gegenüber der Oberfläche (7') des Substrathalters (7) erhaben ist.
  10. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass das Material von Ladeplatte (3) und Substrathalter im Wesentlichen identisch ist.
  11. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine konisch verlaufende Innenwandung (9') des Ringbundes (9) und eine dazu formangepasste Umfangswandung des Substratträgers (8).
  12. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine von der Außenwandung des Ringbundes gebildete Eingriffsringnut (12) zum Eingriff eines Hakens (13) des Greifers (2).
  13. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung einen zwei Greifarme (14) und einen Haken (13) aufweisenden Greifer (2) aufweist, wobei die Länge der Greifarme (14) kürzer ist als der Durchmesser der Ladeplatte (3), so dass zufolge des außermittigen Angriffs der Greifarme (14) in eine Umfangsnut der Ladeplatte ein beim Anheben der Ladeplatte (3) entstehendes Kippmoment den Haken (13) in die Eingriffsnut (12) eintreten lässt.
  14. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine dem Rand des Substrathalters (8) zugeordnete Zentrieröffnung (15) zum Eintritt eines den Haken (13) tragenden Zentriervorsprungs (16) des Greifers (2) und/oder eine optische Vorrichtung zur Zentrierung des Substrathalters (7).
  15. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch zum Rand (8') des Substrathalters hin offene Kanäle (17) zum Eintritt der Greifarme (14) des Greifers (2).
  16. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine mit der Ladeplatte (3) zusammenwirkende Entnahmeeinrichtung (19), mit jeder Öffnung (5) zugeordneten Vertikalstützen (20), über welche die Ladeplatte (3) stülpbar ist, um die Substrate (1) von der Ladeplatte (3) zu entfernen.
  17. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Vertikalstützen von jeweils mindestens drei Vertikalstiften (20) gebildet sind.
  18. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Vorrichtung ein oder mehrere Robotoren zugeordnet sind.
  19. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Vorrichtung mehrere Prozesskammern zugeordnet sind, wobei die Substrate auf einer Ladeplatte (3) aufliegend von einer Prozesskammer in die andere Prozesskammer verbracht werden kann.
  20. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung Analyse-Einrichtungen wie FTIR oder Ellipsometrie aufweist.
  21. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine oder mehrere Abkühl- und/ oder Aufheizstationen.
  22. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine Orientierungsstation zur Orientierung der Ladeplatte (3).
  23. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Substrathalter (7) Rotationsmonitor-Nuten aufweist, um dessen Drehzahl und Drehstellung zu ermitteln.
  24. Verwendung einer Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche bei einem Fertigungsprozess für die Abscheidung von Halbleiterschichten auf Halbleitersubstraten.
  25. Verwendung einer Vorrichtung nach Anspruch 23 oder insbesondere danach , dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung zur Herstellung eines Displays verwendet wird.
  26. Verwendung einer Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung ganz allgemein für einen CVD-Prozess oder auch einen Kondensationsbeschichtungsprozess verwendet wird und insbesondere für die Abscheidung von Halbleiterschichten aus Elementen der Gruppe IV, III-V, II-VI, Metallen, Isolatoren, insbesondere Dielectrica sowie organischen Stoffen auf Silizium-Substraten, III-V-Substraten, II-VI-Substraten oder Isolatoren wie Glas oder Kunststoff.
  27. Verwendung einer Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung mit Wasserstoff und/oder Stickstoff betrieben wird.
  28. Verwendung einer Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine integrate, automatische Reinigungsprozedur für die Ladeplatte (3) in der Vorrichtung.
DE10232731A 2002-07-19 2002-07-19 Be- und Entladevorrichtung für eine Beschichtungseinrichtung Withdrawn DE10232731A1 (de)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10232731A DE10232731A1 (de) 2002-07-19 2002-07-19 Be- und Entladevorrichtung für eine Beschichtungseinrichtung
TW092116237A TWI314503B (en) 2002-07-19 2003-06-16 Loading and unloading apparatus for a coating device
JP2004522412A JP4358108B2 (ja) 2002-07-19 2003-07-07 コーティング装置における搭載、支持及び取り出しのための一組の器具
PCT/EP2003/007244 WO2004009299A2 (de) 2002-07-19 2003-07-07 Be- und entladevorrichtung für eine beschichtungseinrichtung
DE50311533T DE50311533D1 (de) 2002-07-19 2003-07-07 Be- und entladevorrichtung für eine beschichtungseinrichtung
KR1020057000435A KR101125431B1 (ko) 2002-07-19 2003-07-07 코팅장치용 기판 탑재 및 취출장치
AU2003246389A AU2003246389A1 (en) 2002-07-19 2003-07-07 Loading and unloading device for a coating unit
EP03764944A EP1523585B1 (de) 2002-07-19 2003-07-07 Be- und entladevorrichtung für eine beschichtungseinrichtung
US11/038,305 US20050214102A1 (en) 2002-07-19 2005-01-19 Loading and unloading apparatus for a coating device
US11/781,779 US7762208B2 (en) 2002-07-19 2007-07-23 Loading and unloading apparatus for a coating device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10232731A DE10232731A1 (de) 2002-07-19 2002-07-19 Be- und Entladevorrichtung für eine Beschichtungseinrichtung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10232731A1 true DE10232731A1 (de) 2004-02-05

Family

ID=30010185

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10232731A Withdrawn DE10232731A1 (de) 2002-07-19 2002-07-19 Be- und Entladevorrichtung für eine Beschichtungseinrichtung
DE50311533T Expired - Lifetime DE50311533D1 (de) 2002-07-19 2003-07-07 Be- und entladevorrichtung für eine beschichtungseinrichtung

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE50311533T Expired - Lifetime DE50311533D1 (de) 2002-07-19 2003-07-07 Be- und entladevorrichtung für eine beschichtungseinrichtung

Country Status (8)

Country Link
US (2) US20050214102A1 (de)
EP (1) EP1523585B1 (de)
JP (1) JP4358108B2 (de)
KR (1) KR101125431B1 (de)
AU (1) AU2003246389A1 (de)
DE (2) DE10232731A1 (de)
TW (1) TWI314503B (de)
WO (1) WO2004009299A2 (de)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010000447A1 (de) 2010-02-17 2011-08-18 Aixtron Ag, 52134 Beschichtungsvorrichtung sowie Verfahren zum Betrieb einer Beschichtungsvorrichtung mit einer Schirmplatte
DE102010016792A1 (de) 2010-05-05 2011-11-10 Aixtron Ag Bevorratungsmagazin einer CVD-Anlage
DE102010017082A1 (de) 2010-05-26 2011-12-01 Aixtron Ag Vorrichtung und Verfahren zum Be- und Entladen, insbesondere einer Beschichtungseinrichtung
DE102012106796A1 (de) 2012-07-26 2014-01-30 Aixtron Se Thermische Behandlungsvorrichtung mit einem auf einem Substratträgersockel aufsetzbaren Substratträgerring
DE102012111167A1 (de) 2012-11-20 2014-05-22 Aixtron Se Vorrichtung zum Ausrichten eines Wafers auf einem Waferträger
DE102012216394A1 (de) * 2012-09-14 2014-05-28 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Bereitstellungsvorrichtung
DE102013012082A1 (de) 2013-07-22 2015-01-22 Aixtron Se Vorrichtung zum thermischen Behandeln eines Halbleitersubstrates, insbesondere zum Aufbringen einer Beschichtung
EP2918702A1 (de) 2014-03-14 2015-09-16 Aixtron SE Beschichtetes Bauteil eines CVD-Reaktors und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2015173102A1 (de) 2014-05-13 2015-11-19 Aixtron Se Vorrichtung zum ausrichten eines wafers auf einem waferträger
DE102017129699A1 (de) * 2017-12-13 2019-06-13 Aixtron Se Vorrichtung zur Halterung und zum Transport eines Substrates
DE102018113400A1 (de) 2018-06-06 2019-12-12 Aixtron Se CVD Reaktor mit Tragring zum Substrathandhaben
DE102021110305A1 (de) 2021-04-22 2022-10-27 Aixtron Se CVD-Reaktor und Verfahren zu dessen Beladung
DE102021126019A1 (de) 2021-10-07 2023-04-13 Aixtron Se CVD-Reaktor mit einem Tragring beziehungsweise Tragring für ein Substrat

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10132448A1 (de) * 2001-07-04 2003-01-23 Aixtron Ag CVD-Vorrichtung mit differenziert temperiertem Substrathalter
US20100037827A1 (en) * 2001-07-04 2010-02-18 Johannes Kaeppeler CVD Device with Substrate Holder with Differential Temperature Control
JP4878109B2 (ja) * 2004-08-24 2012-02-15 株式会社アルバック 基板移載システムおよび基板移載方法
DE102004058521A1 (de) 2004-12-04 2006-06-14 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von dicken Gallium-Nitrit-Schichten auf einem Saphirsubstrat und zugehörigen Substrathalter
KR101132633B1 (ko) * 2005-05-19 2012-04-02 주성엔지니어링(주) 반도체 제조 장치
KR101153118B1 (ko) * 2005-10-12 2012-06-07 파나소닉 주식회사 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
US20070240631A1 (en) * 2006-04-14 2007-10-18 Applied Materials, Inc. Epitaxial growth of compound nitride semiconductor structures
US20070256635A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 Applied Materials, Inc. A Delaware Corporation UV activation of NH3 for III-N deposition
JP2008159097A (ja) * 2006-12-20 2008-07-10 Hitachi Ltd 基板ホルダ及び基板のエッチング方法及び磁気記録媒体の製造方法
ITMI20071956A1 (it) * 2007-10-10 2009-04-11 Lpe Spa Utensile per manipolare un suscettore e macchina per il trattamento di substrati e-o fette che lo utilizza
JP2011500961A (ja) 2007-10-11 2011-01-06 バレンス プロセス イクウィップメント，インコーポレイテッド 化学気相成長反応器
US20090194026A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Burrows Brian H Processing system for fabricating compound nitride semiconductor devices
US20100111650A1 (en) * 2008-01-31 2010-05-06 Applied Materials, Inc. Automatic substrate loading station
KR20100105892A (ko) * 2008-02-21 2010-09-30 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 세라믹 패들
JP5249098B2 (ja) * 2009-03-17 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
US8183132B2 (en) * 2009-04-10 2012-05-22 Applied Materials, Inc. Methods for fabricating group III nitride structures with a cluster tool
US10346845B2 (en) * 2009-05-15 2019-07-09 Idm Global, Inc. Enhanced automated acceptance of payment transactions that have been flagged for human review by an anti-fraud system
JP5359698B2 (ja) * 2009-08-31 2013-12-04 豊田合成株式会社 化合物半導体の製造装置、化合物半導体の製造方法及び化合物半導体
US8698104B2 (en) 2009-11-09 2014-04-15 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. System and method for handling multiple workpieces for matrix configuration processing
JP5566669B2 (ja) * 2009-11-19 2014-08-06 昭和電工株式会社 インライン式成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法
JP5310512B2 (ja) * 2009-12-02 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
EP4009259A1 (de) * 2010-01-29 2022-06-08 CardinalCommerce Corporation Elektronisches zahlungsverarbeitungsverfahren und -system mit intelligenten authentifizierungsfeldern und bestimmungen
US20130068726A1 (en) * 2010-05-27 2013-03-21 Shogo Okita Plasma processing apparatus
JP4843731B2 (ja) * 2010-09-22 2011-12-21 株式会社アルバック 真空処理装置
JP2012140681A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Sharp Corp ヤトイ治具
WO2012104928A1 (ja) * 2011-02-04 2012-08-09 フジエピ セミコンダクダー イクイップメント インコーポレイティッド 半導体基板の回転保持装置及び搬送装置
TWI455232B (zh) * 2011-02-10 2014-10-01 Varios Co Ltd 半導體基板的回轉保持裝置及搬送裝置
US20120222620A1 (en) 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Atomic Layer Deposition Carousel with Continuous Rotation and Methods of Use
US10224182B2 (en) 2011-10-17 2019-03-05 Novellus Systems, Inc. Mechanical suppression of parasitic plasma in substrate processing chamber
US9748125B2 (en) 2012-01-31 2017-08-29 Applied Materials, Inc. Continuous substrate processing system
US9484233B2 (en) * 2012-04-13 2016-11-01 Novellus Systems, Inc. Carousel reactor for multi-station, sequential processing systems
KR102193652B1 (ko) 2013-03-11 2020-12-21 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고온 공정 챔버 리드
ITCO20130073A1 (it) * 2013-12-19 2015-06-20 Lpe Spa Camera di reazione di un reattore per crescite epitassiali adatta per l'uso con un dispositivo di carico/scarico e reattore
EP3164884B1 (de) 2014-07-03 2022-02-23 LPE S.p.A. Werkzeug zum manipulieren von substraten, manipulationsverfahren und epitaxiereaktor
CN106149049A (zh) * 2015-04-13 2016-11-23 聿光科技有限公司 晶圆的磊晶反应器及其中央星盘
KR102125512B1 (ko) 2016-10-18 2020-06-23 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102369676B1 (ko) 2017-04-10 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
LT3422396T (lt) * 2017-06-28 2021-09-10 Meyer Burger (Germany) Gmbh Substrato transportavimo įrenginys, valymo įrenginys su padėklu, pritaikytu minėto įrenginio substrato laikikliui, ir substrato apdorojimo naudojant minėtą substrato transportavimo įrenginį bei valymo įrenginį būdas
DE102019114249A1 (de) * 2018-06-19 2019-12-19 Aixtron Se Anordnung zum Messen der Oberflächentemperatur eines Suszeptors in einem CVD-Reaktor

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950008842B1 (ko) * 1987-11-30 1995-08-08 다이또오 산소 가부시끼가이샤 반도체 제조장치
US5094885A (en) * 1990-10-12 1992-03-10 Genus, Inc. Differential pressure cvd chuck
US5766360A (en) * 1992-03-27 1998-06-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6001183A (en) * 1996-06-10 1999-12-14 Emcore Corporation Wafer carriers for epitaxial growth processes
US6217663B1 (en) * 1996-06-21 2001-04-17 Kokusai Electric Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6413459B1 (en) * 1998-08-05 2002-07-02 Micron Technology, Inc. Method for handling and processing microelectronic-device substrate assemblies
JP2000174094A (ja) * 1998-12-08 2000-06-23 Hitachi Ltd 半導体製造装置
GB0002669D0 (en) * 2000-02-04 2000-03-29 Applied Materials Inc A method and apparatus for implanting semiconductor wafer substrates
US6669253B2 (en) * 2000-12-18 2003-12-30 David W. Benzing Wafer boat and boat holder

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010000447A1 (de) 2010-02-17 2011-08-18 Aixtron Ag, 52134 Beschichtungsvorrichtung sowie Verfahren zum Betrieb einer Beschichtungsvorrichtung mit einer Schirmplatte
WO2011101273A1 (de) 2010-02-17 2011-08-25 Aixtron Se Beschichtungsvorrichtung sowie verfahren zum betrieb einer beschichtungsvorrichtung mit einer schirmplatte
DE102010016792A1 (de) 2010-05-05 2011-11-10 Aixtron Ag Bevorratungsmagazin einer CVD-Anlage
WO2011138315A1 (de) 2010-05-05 2011-11-10 Aixtron Se Bevorratungsmagazin einer cvd-anlage
KR101802893B1 (ko) 2010-05-26 2017-11-29 아익스트론 에스이 보다 특히 코팅 설비에 적재 및 하적하기 위한 장치 및 방법
DE102010017082A1 (de) 2010-05-26 2011-12-01 Aixtron Ag Vorrichtung und Verfahren zum Be- und Entladen, insbesondere einer Beschichtungseinrichtung
WO2011147820A1 (de) 2010-05-26 2011-12-01 Aixtron Se Vorrichtung und verfahren zum be- und entladen, insbesondere einer beschichtungseinrichtung
DE102012106796A1 (de) 2012-07-26 2014-01-30 Aixtron Se Thermische Behandlungsvorrichtung mit einem auf einem Substratträgersockel aufsetzbaren Substratträgerring
DE102012216394A1 (de) * 2012-09-14 2014-05-28 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Bereitstellungsvorrichtung
DE102012111167A1 (de) 2012-11-20 2014-05-22 Aixtron Se Vorrichtung zum Ausrichten eines Wafers auf einem Waferträger
WO2014079671A1 (de) 2012-11-20 2014-05-30 Aixtron Se Vorrichtung zum ausrichten eines wafers auf einem waferträger
DE102013012082A1 (de) 2013-07-22 2015-01-22 Aixtron Se Vorrichtung zum thermischen Behandeln eines Halbleitersubstrates, insbesondere zum Aufbringen einer Beschichtung
EP2918702A1 (de) 2014-03-14 2015-09-16 Aixtron SE Beschichtetes Bauteil eines CVD-Reaktors und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102014103505A1 (de) 2014-03-14 2015-09-17 Aixtron Se Beschichtetes Bauteil eines CVD-Reaktors und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2015173102A1 (de) 2014-05-13 2015-11-19 Aixtron Se Vorrichtung zum ausrichten eines wafers auf einem waferträger
DE102014106728A1 (de) 2014-05-13 2015-11-19 Aixtron Se Vorrichtung zum Ausrichten eines Wafers auf einem Waferträger
DE102017129699A1 (de) * 2017-12-13 2019-06-13 Aixtron Se Vorrichtung zur Halterung und zum Transport eines Substrates
DE102018113400A1 (de) 2018-06-06 2019-12-12 Aixtron Se CVD Reaktor mit Tragring zum Substrathandhaben
WO2019233965A1 (de) 2018-06-06 2019-12-12 Aixtron Se Cvd reaktor mit tragring zum substrathandhaben und verwendung eines tragrings an einem cvd reaktor
DE102021110305A1 (de) 2021-04-22 2022-10-27 Aixtron Se CVD-Reaktor und Verfahren zu dessen Beladung
DE102021126019A1 (de) 2021-10-07 2023-04-13 Aixtron Se CVD-Reaktor mit einem Tragring beziehungsweise Tragring für ein Substrat
WO2023057542A1 (de) 2021-10-07 2023-04-13 Aixtron Se Cvd-reaktor mit einem tragring beziehungsweise tragring für ein substrat

Also Published As

Publication number Publication date
JP4358108B2 (ja) 2009-11-04
TWI314503B (en) 2009-09-11
US20080014057A1 (en) 2008-01-17
US7762208B2 (en) 2010-07-27
KR20050028016A (ko) 2005-03-21
WO2004009299A2 (de) 2004-01-29
WO2004009299A3 (de) 2004-04-08
DE50311533D1 (de) 2009-07-02
EP1523585A2 (de) 2005-04-20
AU2003246389A1 (en) 2004-02-09
AU2003246389A8 (en) 2004-02-09
JP2005533385A (ja) 2005-11-04
TW200403136A (en) 2004-03-01
WO2004009299B1 (de) 2004-05-27
EP1523585B1 (de) 2009-05-20
US20050214102A1 (en) 2005-09-29
KR101125431B1 (ko) 2012-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10232731A1 (de) Be- und Entladevorrichtung für eine Beschichtungseinrichtung
DE10082995B4 (de) Wafer-Haltevorrichtung
EP1925577B1 (de) Verfahren zum Bilden einer in einem Prozessboot zu positionierenden Back-to-Back Wafercharge und Handhabungssystem zum Bilden der Back-to-Back Wafercharge
DE69924040T2 (de) Vorrichtung und verfahren zum handhaben von substraten mittels eines selbstgleichsetzungs-vakuumsystems in epitaxie-induktionreaktoren
DE60024424T2 (de) Halbleiter-Wafer Entwicklungsgerät mit vertikal gestapelte Entwicklungsräume und einachsiges Dual-Wafer Transfer System
DE69935351T2 (de) Verfahren zum Abscheiden von Atomschichten
DE3943482A1 (de) Werkstuecktraeger fuer scheibenfoermiges werkstueck
EP1954852A1 (de) Cvd-reaktor mit auswechselbarer prozesskammerdecke
DE10156441A1 (de) Vorrichtung zur Aufnahme von scheibenförmigen Objekten und Vorrichtung zur Handhabung von Objekten
DE102013012082A1 (de) Vorrichtung zum thermischen Behandeln eines Halbleitersubstrates, insbesondere zum Aufbringen einer Beschichtung
WO2014064179A2 (de) Vorrichtung zum behandeln von substraten mit einer auswechselbaren deckenplatte sowie verfahren zum auswechseln einer derartigen deckenplatte
CH707855A2 (de) Vorrichtung zur Lagerung und/oder zum Transport von Objekten aus der Fertigung von elektronischen Bauteilen.
WO2011147820A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum be- und entladen, insbesondere einer beschichtungseinrichtung
DE3211051C2 (de)
DE102010016792A1 (de) Bevorratungsmagazin einer CVD-Anlage
EP3384073B1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiterscheibe mit epitaktischer schicht in einer abscheidekammer, vorrichtung zur herstellung einer halbleiterscheibe mit epitaktischer schicht und halbleiterscheibe mit epitaktischer schicht
EP1952437B1 (de) Transportvorrichtung für scheibenförmige werkstücke
CH692741A5 (de) Verfahren zur Herstellung in Vakuum oberflächenbehandelter Werkstücke und Vakuumbehandlungsanlage zu dessen Durchführung
DE112019006554T5 (de) Gasphasenabscheidungsvorrichtung und träger zur verwendung in derselben
WO2002095795A2 (de) Vorrichtung zur aufnahme von scheibenförmigen objekten
EP2764536A1 (de) Substratwendeeinrichtung
DE102018102766B4 (de) Trägervorrichtung für ein flaches Substrat und Anordnung aus einer Handhabungsvorrichtung und einer solchen Trägervorrichtung
DE202009002523U1 (de) Handhabungseinrichtung
DE112019006538T5 (de) Gasphasenabscheidungsvorrichtung
DE10131232C1 (de) Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mit oxidischem Material sowie Verwendung der Vorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: AIXTRON AG, 52134 HERZOGENRATH, DE

8110 Request for examination paragraph 44
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: B25J0015000000

Ipc: C23C0016540000

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: B25J0015000000

Ipc: C23C0016540000

Effective date: 20110901

R082 Change of representative

Representative=s name: RIEDER & PARTNER PATENTANWAELTE - RECHTSANWALT, 42

Representative=s name: RIEDER & PARTNER PATENTANWAELTE - RECHTSANWALT, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: AIXTRON SE, DE

Free format text: FORMER OWNER: AIXTRON AG, 52134 HERZOGENRATH, DE

Effective date: 20111104

R082 Change of representative

Representative=s name: RIEDER & PARTNER PATENTANWAELTE - RECHTSANWALT, DE

Effective date: 20111104

Representative=s name: RIEDER & PARTNER MBB PATENTANWAELTE - RECHTSAN, DE

Effective date: 20111104

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20130201