JP2005533385A - コーティング装置における搭載及び取り出しのための器具 - Google Patents

コーティング装置における搭載及び取り出しのための器具 Download PDF

Info

Publication number
JP2005533385A
JP2005533385A JP2004522412A JP2004522412A JP2005533385A JP 2005533385 A JP2005533385 A JP 2005533385A JP 2004522412 A JP2004522412 A JP 2004522412A JP 2004522412 A JP2004522412 A JP 2004522412A JP 2005533385 A JP2005533385 A JP 2005533385A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
mounting plate
instrument
gripping
gripping tool
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004522412A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4358108B2 (ja
Inventor
ユルゲンセン、ホルゲル
ケッペレル、ヨハネス
フランケン、ヴァルテル
Original Assignee
アイクストロン、アーゲー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アイクストロン、アーゲー filed Critical アイクストロン、アーゲー
Publication of JP2005533385A publication Critical patent/JP2005533385A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4358108B2 publication Critical patent/JP4358108B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

【課題】 作業機の把持具(2)を用いて少なくとも１枚の基板(1)をコーティング装置の処理チャンバ内へ搭載しかつ少なくとも１枚の基板(1)をそこから取り出す器具を提供する。
【解決手段】 把持具(2)により把持可能であって少なくとも１枚の基板(1)の各々のための蓄積場所を設けた搭載プレート(3)を有する。前記蓄積場所は各基板に割り当てられた開口(5)の縁部(4)により形成される。さらに、搭載プレート(3)に嵌合する台座状の基板キャリアを設けた基板ホルダー(7)を具備し、基板キャリアの表面の幾つかの区画が基板から所定の間隙を空けて配置されるように、又は基板が表面の一区画上に当接して載置されるように搭載プレートを設置可能である。

Description

本発明は、把持具と自動作業機とを用いてコーティング装置の処理チャンバに対し少なくとも１枚の基板を搭載しかつ取り出すための器具に関する。
基板にコーティングを行うために自動作業機の把持具を用いてコーティング装置の処理チャンバ内へ導入しかつ再び取り出すことは、公知である。処理チャンバ内ではＣＶＤプロセスを実行することができる。把持具は、基板に対して直接作用する。一例として、把持具は、基板の下側に係合する舌状部を形成する。把持具を取り出すために、この舌状部は基板の下で移動しなければならない。このタイプの把持具は、毎度、１枚の基板のみを把持する。さらに、舌状部が基板の下側に係合するためには、基板をその支持面から僅かに持ち上げる必要がある。基板を基板ホルダーから持ち上げるためには、基板ホルダーが例えばピン形状の器具を具備しており、基板を持ち上げるためにその器具が基板表面から外側に移動する必要がある。このタイプの機構は、基板の支持面内における不均一さを誘引することとなり、その結果、基板ホルダー表面上すなわち基板上方の望ましくない不均一な温度状態を生じることとなる。従来技術として提示されている一時的に基板を持ち上げるための他の方法もまた、同様の欠点を有する。
さらに、従来技術では、個々の基板毎に取り外すのではなく、基板ホルダーと共に複数の基板を処理チャンバから取り外すことも提示されている。
この従来技術を基本として、本発明は、少なくとも１枚の基板を処理チャンバに搭載しかつ取り出すことを改善することを目的とする。
上記の目的は、請求項１に記載の本発明により達成される。先ず本質的に請求項１では、本発明の器具が、把持具により把持されることができかつ支持部を形成する搭載プレートを具備する。支持部は、各基板に割り当てられた１つの開口の縁部により形成され、１つの支持部は１つの基板のためのものである。従って、搭載中は、基板がこの開口の上方に位置する。開口の周縁は基板の周縁を支持する。本発明の好適な形態では、開口の底は、凹部で形成されている。従って、基板は凹部内に配置される。この結果、搭載プレートにかかる加速度によって基板が支持場所からずれることがない。各基板に割り当てられた開口は円形でもよく、その場合、基板の周縁のみが開口の周縁上に載置される。開口の形状は、基板の周囲形状と類似することが好適である。もし基板が実質的に円形であれば、開口も同様に円形とするが、基板より小さい直径とする。もし基板が長方形又は多角形の周囲形状をもつならば、開口も同じ周囲形状をもつことが好適であるが、基板より小さい直径とする。１つの搭載プレートは複数の支持場所を具備してもよく、かつ実質的に円形の周囲形状であってもよい。
搭載プレートは、裏面に環状鍔部を具備してもよい。基板ホルダーは１又は複数の台座状の基板キャリアを具備してもよく、その各々の上に搭載プレートを置くことができる。その際、基板キャリアの表面部分が、基板から間隙を空けた位置にあるか、あるいは、基板が基板キャリアの表面部分の上に当接して載置されるようにする。前者の場合、熱せられた基板ホルダから基板へ伝わる熱は、熱放射により及ぼされる。後者の場合、熱の移動は熱伝導により行われる。環状鍔部は、基板キャリアを受容するための受容キャビティを包囲している。基板キャリアは、基板ホルダと一体化された一部でもよい。しかしながら、基板キャリアは、ガスベアリング上で回転するべく駆動可能なプレートであることが好適である。搭載プレートは、基板キャリアと共に回転するような形態で基板キャリア上に嵌合させることができる。
搭載プレートは、基板ホルダー内の窪みに設置することができる。その際、搭載プレートの表面が、基板ホルダーの表面と同一平面上にあるようにする。搭載プレートの材料と基板ホルダーの材料とは、同じか又は類似のものとしてもよい。環状鍔部は、円錐状に延びる内壁を具備してもよい。そして、搭載プレートを載置できる基板キャリアは、これに嵌合する形状の周囲形状を形成してもよい。搭載プレートが基板キャリア上に載置されているとき、搭載プレートの自己中心合わせ作用が機能する。
環状鍔部の外壁は、周囲溝を具備してもよい。この周囲溝は、把持具のフックが入るための環状係合溝を形成する。把持具は、２本の把持アームとフックを具備することが好適である。２本の把持アーム間の長さは搭載プレートの直径より短いので、把持アームが搭載プレートの周囲溝に偏心的に係合する結果、搭載プレートを持ち上げるとき傾斜モーメントが生じる。この傾斜モーメントは、搭載プレートが持ち上げられるとき搭載プレートを瞬間的に傾斜させる。搭載プレートが傾斜すると、周囲溝に導入されているフックが、搭載プレートの係合溝内に入り込む。これにより、搭載プレートは把持具によりしっかりと保持される。
把持具、特にそのアームとフックが搭載プレートと当接することを確保するために、基板ホルダは少なくとも３つの切り欠き部を具備し、それらは周縁に向かって開口している。これらの切り欠き部の１つは、中央切り欠き部を形成する。この切り欠き部は、台形の壁を具備する。把持部において、フックも設けられている中央突起が、この中央切り欠き部内に入り込む。中央突起が中央切り欠き部に入り込むと、回転可能な基板ホルダーを、その最適な向きに達するまで僅かに回転させることができる。このことは、基板キャリア上に搭載プレートを位置的に正確に設置するという利点がある。２つの通路状の切り欠き部は、基板ホルダーの周縁へ向かって開口しており、搭載プレートを処理チャンバに搭載したり取り出したりする際に把持具の把持アームと係合するために用いられる。
この器具は、関係する取り外し装置を具備してもよい。この取り外し装置は、搭載プレートの各開口に割り当てられた垂直支持体を具備する。搭載プレートは、これらの垂直支持体の上に合わせることができる。処理においては、垂直支持体が搭載プレートの開口を貫通し、それにより基板を搭載プレートから外して持ち上げる。その後基板は垂直支持体上に載置され、そしてカセットまたはそ例外の中間的な搭載具に入れるために、同じ把持具または別の把持具により回収することができる。垂直支持体は、少なくとも３本の垂直なピンにより形成できる。
上述の形態により、コーティング装置のために１または複数の基板を自動的に搭載したり取り出したりするシステムが実現される。搭載と取り出しはいずれも、非常に短時間で行うことができる。操作は、処理温度（４００°Ｃ〜１２００°Ｃ）で行うことができる。このことは、実際のコーティング操作の合間の時間を短縮させる。基板は、複数の基板を収容できるカセットから取り出され、反応装置内へ運ばれる。コーティングが行われた後、基板はカセットへ戻される。処理チャンバへの搭載及び処理チャンバからの取り出しの際、基板はその表面またはその周縁のいずれによっても把持されたり挟持されたりしない。特に、いかなるときも基板の表面との接触はない。操作全体が自動的に行われる。更なる利点は、搭載及び取り出しの際に、粒子が全く発生せずかつ基板表面へ運ばれることがない。
複数の基板を処理チャンバへ搭載するために、これらの基板は、先ず処理チャンバの外側において薄い搭載プレート中の凹部に自動的に設置される。搭載プレートは、処理チャンバ内の基板ホルダーと同じかまたは類似の材料からなる。この搭載プレートは、搭載プレートの切り出し部分に基板の周縁部分のみが載置されるように形成される。この切り出し部分の底には開口が形成され、その直径は基板の直径よりも僅かに小さい。取り外し装置を用いてこの搭載プレートに搭載することができる。この目的のために、解放可能な搭載プレートは先ず、垂直支持体の上に合わせられる。その後、少なくとも１つの基板が、ロボットアームを用いて正確に位置決めされて垂直支持体上に設置される。そして、基板が開口の周縁上に載置されるまで搭載プレートを上方に垂直に持ち上げる。取り出しは、逆の順序で行われる。
搭載プレートは、その後把持具を用いて処理チャンバ内に入れられる。上述の中央突起が基板ホルダーの中央切り欠き部内に入ると、基板ホルダは中央突起により位置決めされる。これにより、搭載プレートは基板キャリアの上に正確に嵌合させられる。基板キャリアは、搭載プレートより熱くてもよい。しかしながら、その後の熱の移動により、搭載プレートは基板ホルダーの温度へと加熱されて長さが膨張し、搭載プレートの直径が僅かに増加する。環状鍔部の内側壁の円錐形状と、これに嵌合する形状である基板キャリアの周囲壁の円錐形状により、搭載プレートが加熱されるとその最終位置へと滑り落ちる。この最終位置において基板は、基板キャリアの一部の上に当接して載置されているか、あるいは、基板キャリアの表面から所定の間隙を空けた位置にある。この間隙は、搭載プレートの材料の厚さによって決まり、搭載プレートは基板キャリアの表面上に当接して載置されている。
基板ホルダーの中央切り欠き部と相互作用する中央突起が設けられることで、回転駆動される基板ホルダーのみが、搭載及び取り出しのために予め粗く位置決めされる必要がある。精密な位置決めは把持具自体により行われる。把持具上での搭載プレートの保持は、搭載プレートが持ち上げられて傾いたときに、搭載プレートの環状係合溝にフックが係合することで行われる。搭載プレートは、実質的に回転可能な対称的な円形形状であるので、その回転位置に関わらず環状係合溝が把持具で把持されることを可能としている。
本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。
本発明による器具は、ＣＶＤ反応装置において用いられる。このタイプの反応装置は、所定の気相組成が設定された処理チャンバを有することにより、処理チャンバの基底部を形成する基板ホルダー上に載置された基板上に１又は複数の層を堆積させる。層材料は気相のガスを介して供給される。この処理には、ＶＰＥ、ＭＯＣＶＤ、又は非常に一般的であるが、ＣＶＤのプロセスがある。
本発明による器具は、搭載プレート３の形態で基板を処理チャンバに搭載したい取り出したりするための補助的手段であり、この処理の前に予め基板１を装着された上で処理チャンバ内へ導入される。そしてコーティング処理中はそのままの保持される。そしてコーティング処理が完了した後、再び基板と共に処理チャンバから取り出される。
図示された実施例に示される搭載プレート３は、円形の形状である。多数の開口５が搭載プレート３の表面上に均一に配置されている。これらの開口５は、その各々が凹部内に設けられることにより、窪んだ周縁４を形成し、それにより各凹部の周縁１’上に１枚の基板１を載置することができる。これらの凹部はそれぞれ基板１のための支持場所６を形成する。凹部の周囲形状は、実質的に基板の周囲形状に適合する。実施例においては、各支持場所６の周囲形状は、基板１の周囲形状に精確に適合させている。従って、基板と同様に凹部にも丸くない部分が形成されている。しかしながら、凹部が円形の周囲形状をもつようにすることも可能である。そして、凹部の底を形成する開口５も同様に、円形の周囲形状をもち、基板の周縁が開口５の周縁４上に確実に載置されるように開口５の直径は基板の直径よりも小さい。
搭載プレート３の裏面では、内側領域が薄くなっており、厚さが１〜３mmである。搭載プレート３の周縁３”の近傍では環状鍔部９が設けられている。環状鍔部９の外側に面した側は環状周囲溝１８を形成し、この環状周囲溝にはさらに下方に切り込んだ環状係合溝１２が形成されている。環状鍔部９の内側に面した側は、円錐状に延びる傾斜面をもち、受容キャビティの境界を形成している。この円錐状の傾斜面９’は、、基板キャリア８の嵌合傾斜面と、面的に当接するように設けられている。
実施例においては、基板キャリア８は台座状の隆起部を形成し、処理中にはガスベアリング上に浮遊する。そのガスベアリングはさらに、基板キャリア８を回転させるべく駆動する。それにより、基板キャリア８の上に嵌合した搭載プレート３は一緒に回転する。しかしながら、図示しない実施例では、基板キャリア８を基板ホルダー７と一体的な部分としてもよい。
基板キャリア８は、基板ホルダー７内の窪み１１に設置される。窪み１１は周囲溝により囲まれている。そして、表面３’が基板ホルダー７の表面７’と同一面上に位置するように、窪み１１の周囲溝の中に搭載プレート３の環状鍔部９が入り込む。しかしながら、適宜の場合は流体力学的理由から表面３’を表面７より高くすることもできる。
処理温度において搭載プレート３の下面が基板キャリア８の上面の上に載置されるように、基板キャリア８と環状鍔部９の直径は互いに一致している。
冷えた搭載プレートが熱い基板キャリア８の上に置かれた場合、搭載プレート３は熱膨張して、その最終位置へと滑り落ちる。
搭載プレート３の材料は、基板ホルダー７又は基板キャリア８の材料に一致する。
図３及び図４に示した実施例においては、基板１が、基板キャリア８の表面上方に間隙を空けて配置されている。これにより、基板１が熱放射により加熱される。
図１０及び図１１の実施例では、基板キャリア８が中央隆起部を具備し、その上に基板１が面接触して載置されている。搭載プレート３が基板キャリア８上に載置されているとき、基板１は支持場所６の周縁４より僅かに上方に持ち上げられている。しかしながら、その周縁はなお、凹部の周縁により包囲されている。
搭載及び取り出しは、把持具２を用いて行われる。この把持具は２本のフォーク状の把持アーム１４を具備し、これらの把持アーム１４は、把持部分１４’により環状周囲溝１８(図６参照)に係合することができる。この結果、把持アーム１４は、搭載プレート３の外側周縁３”の下側に係合でき、それにより基板ホルダー７の窪み１１から搭載プレート３を持ち上げ取り出すことができる。この目的のために把持アーム１４は、基板ホルダー７の周縁に向かって開口した通路１７中に延在する。中央切り欠き部１５は、２つの通路１７の間に設けられている。この中央切り欠き部１５は、傾斜した壁をもつ台形の輪郭形状をもつ。把持具２が取り付けられるとき、中央突起１６が、中心合わせの目的で開口するこの切り欠き部１５内へ挿入される。この中央突起１６上に一体的にフック１３が形成されている。このフック１３は環状周囲溝１８内に入る。
基板ホルダ７を正しい向きに回転させて動かすために、基板ホルダ７の周囲面上にリブ／溝を具備しており、これは任意に走査することができる。このことは、中心合わせが機械的手段のみではなく光学的手段によっても可能であることを意味する。
把持アーム１４間の長さは、搭載プレート３の直径よりも短い。従って、搭載プレート３上への把持部分１４’の係合により形成される軸Ａは、対角線Ｍに対して偏心している。これにより、搭載プレート３を持ち上げるとき傾きモーメントが発生する。搭載プレート３の傾きにより、フック１３が環状係合溝１２と係合することとなる。この係合の結果、把持具が並進的動きを許容するときにも搭載プレート３は把持具２から滑り出ることができない。
基板１は、処理チャンバの外側に示された取り外し装置１９の補助により上げられたり降ろされたりする。この取り外し装置１９は、実質的に水平面内に設置されたプレートであり、そのプレートから複数の垂直支持体が延びている。各々の垂直支持体は、全部で３本の垂直ピン２０を具備する。これらの３本の垂直ピン２０は各々、支持場所６を設けた１つの開口５を貫通する。搭載プレート３がこのようにして垂直ピン２０の上に合わされたならば、基板１はそれらの支持場所６から出て持ち上げられ、図９に示した位置において、カセット等へ収容するために他の把持具により把持することができる。搭載プレート３に基板を搭載する場合は、逆の順序で行う。基板がその支持場所６の上方に配置されるように、把持具(図示せず)により基板を垂直ピン２０の上に設置する。その後、把持具２を垂直方向に持ち上げると、基板１がその支持場所６内に入る。
図示しない実施例では、基板ホルダーが、台座の形の１つの基板キャリア８のみを具備する。この基板キャリア８の材料も基板ホルダー７と一体的に結合させてもよい。この形態においても、基板ホルダー８が全体として回転駆動されるように設けられる。
図示しないが、本発明の更なる実施例では、搭載プレート３が１つの基板のための１つの開口５のみを具備する。
基板キャリアを回転駆動するために、純粋に機械的な駆動手段を用いることも可能である。例えば、基板ホルダーが軌道ギア機構を有しており、それは、内向き歯付きで周縁近傍に延在する歯車と、外向き歯付きで回転駆動される中心歯車と、軌道輪をもつ２つの歯付きメッシュと、各軌道輪に取り付けられた基板キャリアとを具備する。
本発明による器具は、全ての化合物半導体の製造に適している。特に、高ｋ、強誘電性、及び他のシリコン処理のためのシリコン半導体を製造するプロセスに特に適している。この器具は、特にディスプレイの製造に適している。この器具は、反応装置への搭載及び取り出しのために１又は複数のロボットと共に用いることができる。長方形及び円形の双方の基板を用いることができる。この器具は、種々の自動作業装置及びその把持具と共に用いることができる。さらに、搭載プレートの材料として、金属、酸化シリコン、グラファイト、モリブデン又は他の適宜の材料のいずれも用いることができる。この器具は、高温（１０００°以上）及び低温（６００°未満）で操作可能であり、高圧及び低圧（１０Pa〜０．１MPa）の処理チャンバ圧力でも操作可能である。この器具は、非常に短時間で搭載できることでも顕著である。例として、搭載する間、処理チャンバを完全に冷却する必要がない。自動作業装置は、機械制御又は光学制御の下で基板ホルダへ取り付けることができる。ロボットは、複数の処理チャンバに対して作業することができる。例として、搭載プレートを１つの処理チャンバから取り出して別の処理チャンバへ入れることができる。また、空の搭載プレートを特別な器具の中で清浄化することができる。しかしながら、搭載プレートの清浄化を処理チャンバ内で行うこともできる。この清浄化は、例えば、エッチングにより行える。基板は、搭載プレートと共に１つの処理チャンバから他の処理チャンバへと、又は中間位置へと運ぶことができる。この器具はまた、ＦＴＩＲやエリプソメトリ等の分析装置と組み合わせて用いることもできる。
この器具は、非常に一般的な見地において、いかなるＣＶＤプロセスに対しても、いかなる凝集コーティングプロセスにも適している。金属、絶縁体、IV、III-IV、II-V群の元素から形成される半導体層及び有機材料の堆積に用いることができる。適切な基板材料は、任意のタイプの固体、特にシリコン、III-V半導体、II-VI半導体、又はガラス等の絶縁体である。特に、ディスプレイ製造用のプラスチックを基板として用いることができる。凝集プロセスは、ディスプレイの製造用に特に用いられる。
本発明に関して全ての特徴が開示された。関連する優先書類の開示内容はその全体が本願の開示に、その一部は本願の請求の範囲に含まれるものとする。
全部で３個の基板キャリアを具備し、それぞれの上に７個の支持場所を設けた搭載プレートを嵌合させることができる、基板ホルダーの基本概略図である。 図１のラインII−IIに沿った断面図である。 図２にIIIで示される部分の拡大図である。 図２にIVで示される部分の拡大図である。 把持具により保持される搭載プレートの平面図である。 図５のラインVI−VIに沿った断面図である。 把持具で持ち上げられた搭載プレートの図３に対応する図である。 把持具により保持された搭載プレートの斜視図である。 取り外し装置の垂直ピンの上に合わせた搭載プレートと共に示した取り外し装置の図である。 図３に対応する、本発明の第２の実施例の図である。 図４に対応する、本発明の第２の実施例の図である。

Claims (26)

  1. 自動作業装置の把持具(2)を用いて少なくとも１枚の基板(1)をコーティング装置の処理チャンバに搭載しかつ該処理チャンバから取り出すための器具であって、前記把持具(2)により把持可能でありかつ前記少なくとも１枚の基板(1)の各々のための支持場所を形成する搭載プレート(3)を有し、該支持場所は各基板(1)に割り当てられた開口(5)の周縁(4)により形成されている、前記器具において、
    前記搭載プレート(3)に嵌合される台形状の基板キャリア(8)であって基板(1)が表面上に当接して載置されるように該搭載プレートを設置できる該基板キャリア(8)を具備する基板ホルダー(7)を有することを特徴とする器具。
  2. 前記開口(5)が凹部の底に形成されることを特徴とする請求項１に記載の器具。
  3. 前記各基板(1)に割り当てられた開口(5)が円形であることにより、前記基板(1)の周縁のみが該開口の周縁上に載置されることを特徴とする請求項１または２に記載の器具。
  4. 円形の前記搭載プレート(3)が複数の支持場所を形成していることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の器具。
  5. 前記基板キャリア(8)を受容するために、前記搭載プレート(3)の裏面に一体的に形成した環状鍔部(9)により取り囲まれる受容キャビティを形成したことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の器具。
  6. ガスベアリング(10)上に載置されることによりまたは軌道ギア機構を含む機械的手段により前記基板キャリア(8)が回転駆動可能であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の器具。
  7. 前記搭載プレート(3)が前記基板ホルダー(7)内の窪みに設置され、該搭載プレートの表面(3')が該基板ホルダー(7)の表面(7')より高いことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の器具。
  8. 自動作業装置の把持具(2)を用いて少なくとも１枚の基板(1)をコーティング装置の処理チャンバに搭載しかつ該処理チャンバから取り出すための器具であって、前記把持具(2)により把持可能でありかつ前記少なくとも１枚の基板(1)の各々のための支持場所を形成する搭載プレート(3)を有し、該支持場所は各基板(1)に割り当てられた開口(5)の周縁(4)により形成されている、前記器具において、
    前記搭載プレート(3)が基板ホルダー(7)の窪みに設置され、該搭載プレートの表面(3')が該基板ホルダー(7)の表面(7')と同一平面上にあることを特徴とする器具。
  9. 前記環状鍔部(9)の円錐状に延びる内側壁と、これに嵌合する形状である前記基板キャリア(8)の周囲壁とを具備することを特徴とする請求項５に記載の器具。
  10. 自動作業装置の把持具(2)を用いて少なくとも１枚の基板(1)をコーティング装置の処理チャンバに搭載しかつ該処理チャンバから取り出すための器具であって、前記把持具(2)により把持可能でありかつ前記少なくとも１枚の基板(1)の各々のための支持場所を形成する搭載プレート(3)を有し、該支持場所は各基板(1)に割り当てられた開口(5)の周縁(4)により形成され、前記把持具が２本の把持アーム(14)を具備する、前記器具において、
    前記環状鍔部の外側壁に環状係合溝(12)が形成され、該環状係合溝は前記把持具(2)のフック(13)と係合し、前記把持アーム(14)間の長さが前記搭載プレート(3)の直径より短いことにより該把持アーム(14)が該搭載プレートの周囲溝に偏心的に係合する結果として、該搭載プレートが持ち上げられたときに生じる傾斜モーメントが該フック(13)を該環状係合溝(12)に入り込ませることを特徴とする器具。
  11. 前記把持具(2)の前記フック(13)を形成した中央突起(16)に入るように基板ホルダー(8)の周縁に設けた中央切り欠き部(15)、及び／または、前記基板ホルダー(7)の中心合わせをするための光学装置を有することを特徴とする請求項１０に記載の器具。
  12. 前記把持具(2)の前記把持アーム(14)が入るように前記基板ホルダーの周縁(8')へ向かって開口する通路(17)を設けたことを特徴とする請求項１１に記載の器具。
  13. 前記搭載プレート(3)の材料と前記基板ホルダーの材料とが同じである請求項１〜９、１１、１２のいずれかに記載の器具。
  14. 自動作業装置の把持具(2)を用いて少なくとも１枚の基板(1)をコーティング装置の処理チャンバに搭載しかつ該処理チャンバから取り出すための器具であって、前記把持具(2)により把持可能でありかつ前記少なくとも１枚の基板(1)の各々のための支持場所を形成する搭載プレート(3)を有し、該支持場所は各基板(1)に割り当てられた開口(5)の周縁(4)により形成されている、前記器具において、
    前記搭載プレート(3)と共に用いられる取り外し装置(19)を有し、該取り外し装置は前記各開口(5)に割り当てられた垂直支持体(20)を具備し、前記基板(1)を該搭載プレート(3)から取り外すために該垂直支持体の上に該搭載プレート(3)を合わせられることを特徴とする器具。
  15. 前記垂直支持体の各々が、少なくとも３本の垂直ピン(20)から形成されることを特徴とする請求項１４に記載の器具。
  16. 前記器具が１または複数のロボットに取り付けられることを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載の器具。
  17. 前記器具が複数の処理チャンバに取り付けられ、かつ該器具が、搭載プレート(3)上に載置された基板を１つの処理チャンバから別の処理チャンバへ移すことができることを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載の器具。
  18. 前記器具がＦＲＩＲまたはエリプソメトリを含む分析装置を具備することを特徴とする請求項１〜１７のいずれかに記載の器具。
  19. １または複数の冷却装置及び／または加熱装置を有することを特徴とする請求項１〜１８のいずれかに記載の器具。
  20. 搭載プレート(3)の向きを調整する姿勢調整装置を有することを特徴とする請求項１〜１９のいずれかに記載の器具。
  21. 前記基板ホルダー(7)がその回転速度及び回転位置を決定するべく回転をモニタリングするための溝を具備することを特徴とする請求項１、８、１１、１２または１３に記載の器具。
  22. 請求項２１に記載の器具の使用方法であって、半導体基板上に半導体層を堆積する製造プロセスにおいて前記器具を使用することを特徴とする方法。
  23. 請求項２１に記載の器具の使用方法であって、ディスプレイを製造するために前記器具を使用することを特徴とする方法。
  24. 請求項１〜２１のいずれかに記載の器具の使用方法であって、ＣＶＤプロセスまたは凝集コーティングプロセスに使用される装置であって、IV、III-V、II-VI群の元素から形成される半導体層、金属、絶縁体、誘電体及び有機物質を、シリコン基板、III-V基板、II-VI基板、またはガラス若しくはプラスチックを含む絶縁体の上に堆積する前記装置において前記器具を使用することを特徴とする方法。
  25. 請求項１〜２１のいずれかに記載の器具の使用方法であって、前記器具が、水素及び／または窒素の使用と共に操作されることを特徴とする方法。
  26. 請求項１〜２１のいずれかに記載の器具の使用方法であって、前記搭載プレート(3)の統合的かつ自動的な清浄化手順において前記器具を使用することを特徴とする方法。
JP2004522412A 2002-07-19 2003-07-07 コーティング装置における搭載、支持及び取り出しのための一組の器具 Expired - Fee Related JP4358108B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10232731A DE10232731A1 (de) 2002-07-19 2002-07-19 Be- und Entladevorrichtung für eine Beschichtungseinrichtung
PCT/EP2003/007244 WO2004009299A2 (de) 2002-07-19 2003-07-07 Be- und entladevorrichtung für eine beschichtungseinrichtung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005533385A true JP2005533385A (ja) 2005-11-04
JP4358108B2 JP4358108B2 (ja) 2009-11-04

Family

ID=30010185

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004522412A Expired - Fee Related JP4358108B2 (ja) 2002-07-19 2003-07-07 コーティング装置における搭載、支持及び取り出しのための一組の器具

Country Status (8)

Country Link
US (2) US20050214102A1 (ja)
EP (1) EP1523585B1 (ja)
JP (1) JP4358108B2 (ja)
KR (1) KR101125431B1 (ja)
AU (1) AU2003246389A1 (ja)
DE (2) DE10232731A1 (ja)
TW (1) TWI314503B (ja)
WO (1) WO2004009299A2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011003933A (ja) * 2010-09-22 2011-01-06 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置
JP2017503342A (ja) * 2013-12-19 2017-01-26 エルピーイー ソシエタ ペル アチオニ 搬入／搬出装置及びリアクタを有するエピタキシャル成長用の反応チャンバ

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10132448A1 (de) * 2001-07-04 2003-01-23 Aixtron Ag CVD-Vorrichtung mit differenziert temperiertem Substrathalter
US20100037827A1 (en) * 2001-07-04 2010-02-18 Johannes Kaeppeler CVD Device with Substrate Holder with Differential Temperature Control
JP4878109B2 (ja) * 2004-08-24 2012-02-15 株式会社アルバック 基板移載システムおよび基板移載方法
DE102004058521A1 (de) 2004-12-04 2006-06-14 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von dicken Gallium-Nitrit-Schichten auf einem Saphirsubstrat und zugehörigen Substrathalter
KR101132633B1 (ko) * 2005-05-19 2012-04-02 주성엔지니어링(주) 반도체 제조 장치
KR101153118B1 (ko) * 2005-10-12 2012-06-07 파나소닉 주식회사 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
US20070240631A1 (en) * 2006-04-14 2007-10-18 Applied Materials, Inc. Epitaxial growth of compound nitride semiconductor structures
US20070256635A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 Applied Materials, Inc. A Delaware Corporation UV activation of NH3 for III-N deposition
JP2008159097A (ja) * 2006-12-20 2008-07-10 Hitachi Ltd 基板ホルダ及び基板のエッチング方法及び磁気記録媒体の製造方法
ITMI20071956A1 (it) * 2007-10-10 2009-04-11 Lpe Spa Utensile per manipolare un suscettore e macchina per il trattamento di substrati e-o fette che lo utilizza
JP2011500961A (ja) 2007-10-11 2011-01-06 バレンス プロセス イクウィップメント，インコーポレイテッド 化学気相成長反応器
US20090194026A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Burrows Brian H Processing system for fabricating compound nitride semiconductor devices
US20100111650A1 (en) * 2008-01-31 2010-05-06 Applied Materials, Inc. Automatic substrate loading station
KR20100105892A (ko) * 2008-02-21 2010-09-30 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 세라믹 패들
JP5249098B2 (ja) * 2009-03-17 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
US8183132B2 (en) * 2009-04-10 2012-05-22 Applied Materials, Inc. Methods for fabricating group III nitride structures with a cluster tool
US10346845B2 (en) * 2009-05-15 2019-07-09 Idm Global, Inc. Enhanced automated acceptance of payment transactions that have been flagged for human review by an anti-fraud system
JP5359698B2 (ja) * 2009-08-31 2013-12-04 豊田合成株式会社 化合物半導体の製造装置、化合物半導体の製造方法及び化合物半導体
US8698104B2 (en) 2009-11-09 2014-04-15 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. System and method for handling multiple workpieces for matrix configuration processing
JP5566669B2 (ja) * 2009-11-19 2014-08-06 昭和電工株式会社 インライン式成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法
JP5310512B2 (ja) * 2009-12-02 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
EP4009259A1 (en) * 2010-01-29 2022-06-08 CardinalCommerce Corporation Electronic payment processing method and system with smart/authenticate fields and definitions
DE102010000447A1 (de) 2010-02-17 2011-08-18 Aixtron Ag, 52134 Beschichtungsvorrichtung sowie Verfahren zum Betrieb einer Beschichtungsvorrichtung mit einer Schirmplatte
DE102010016792A1 (de) 2010-05-05 2011-11-10 Aixtron Ag Bevorratungsmagazin einer CVD-Anlage
DE102010017082A1 (de) 2010-05-26 2011-12-01 Aixtron Ag Vorrichtung und Verfahren zum Be- und Entladen, insbesondere einer Beschichtungseinrichtung
US20130068726A1 (en) * 2010-05-27 2013-03-21 Shogo Okita Plasma processing apparatus
JP2012140681A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Sharp Corp ヤトイ治具
WO2012104928A1 (ja) * 2011-02-04 2012-08-09 フジエピ セミコンダクダー イクイップメント インコーポレイティッド 半導体基板の回転保持装置及び搬送装置
TWI455232B (zh) * 2011-02-10 2014-10-01 Varios Co Ltd 半導體基板的回轉保持裝置及搬送裝置
US20120222620A1 (en) 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Atomic Layer Deposition Carousel with Continuous Rotation and Methods of Use
US10224182B2 (en) 2011-10-17 2019-03-05 Novellus Systems, Inc. Mechanical suppression of parasitic plasma in substrate processing chamber
US9748125B2 (en) 2012-01-31 2017-08-29 Applied Materials, Inc. Continuous substrate processing system
US9484233B2 (en) * 2012-04-13 2016-11-01 Novellus Systems, Inc. Carousel reactor for multi-station, sequential processing systems
DE102012106796A1 (de) 2012-07-26 2014-01-30 Aixtron Se Thermische Behandlungsvorrichtung mit einem auf einem Substratträgersockel aufsetzbaren Substratträgerring
DE102012216394A1 (de) * 2012-09-14 2014-05-28 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Bereitstellungsvorrichtung
DE102012111167A1 (de) 2012-11-20 2014-05-22 Aixtron Se Vorrichtung zum Ausrichten eines Wafers auf einem Waferträger
KR102193652B1 (ko) 2013-03-11 2020-12-21 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고온 공정 챔버 리드
DE102013012082A1 (de) 2013-07-22 2015-01-22 Aixtron Se Vorrichtung zum thermischen Behandeln eines Halbleitersubstrates, insbesondere zum Aufbringen einer Beschichtung
DE102014103505A1 (de) 2014-03-14 2015-09-17 Aixtron Se Beschichtetes Bauteil eines CVD-Reaktors und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102014106728A1 (de) 2014-05-13 2015-11-19 Aixtron Se Vorrichtung zum Ausrichten eines Wafers auf einem Waferträger
EP3164884B1 (en) 2014-07-03 2022-02-23 LPE S.p.A. Tool for manipulating substrates, manipulation method and epitaxial reactor
CN106149049A (zh) * 2015-04-13 2016-11-23 聿光科技有限公司 晶圆的磊晶反应器及其中央星盘
KR102125512B1 (ko) 2016-10-18 2020-06-23 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102369676B1 (ko) 2017-04-10 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
LT3422396T (lt) * 2017-06-28 2021-09-10 Meyer Burger (Germany) Gmbh Substrato transportavimo įrenginys, valymo įrenginys su padėklu, pritaikytu minėto įrenginio substrato laikikliui, ir substrato apdorojimo naudojant minėtą substrato transportavimo įrenginį bei valymo įrenginį būdas
DE102017129699A1 (de) * 2017-12-13 2019-06-13 Aixtron Se Vorrichtung zur Halterung und zum Transport eines Substrates
DE102018113400A1 (de) 2018-06-06 2019-12-12 Aixtron Se CVD Reaktor mit Tragring zum Substrathandhaben
DE102019114249A1 (de) * 2018-06-19 2019-12-19 Aixtron Se Anordnung zum Messen der Oberflächentemperatur eines Suszeptors in einem CVD-Reaktor
DE102021110305A1 (de) 2021-04-22 2022-10-27 Aixtron Se CVD-Reaktor und Verfahren zu dessen Beladung
DE102021126019A1 (de) 2021-10-07 2023-04-13 Aixtron Se CVD-Reaktor mit einem Tragring beziehungsweise Tragring für ein Substrat

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950008842B1 (ko) * 1987-11-30 1995-08-08 다이또오 산소 가부시끼가이샤 반도체 제조장치
US5094885A (en) * 1990-10-12 1992-03-10 Genus, Inc. Differential pressure cvd chuck
US5766360A (en) * 1992-03-27 1998-06-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6001183A (en) * 1996-06-10 1999-12-14 Emcore Corporation Wafer carriers for epitaxial growth processes
US6217663B1 (en) * 1996-06-21 2001-04-17 Kokusai Electric Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6413459B1 (en) * 1998-08-05 2002-07-02 Micron Technology, Inc. Method for handling and processing microelectronic-device substrate assemblies
JP2000174094A (ja) * 1998-12-08 2000-06-23 Hitachi Ltd 半導体製造装置
GB0002669D0 (en) * 2000-02-04 2000-03-29 Applied Materials Inc A method and apparatus for implanting semiconductor wafer substrates
US6669253B2 (en) * 2000-12-18 2003-12-30 David W. Benzing Wafer boat and boat holder

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011003933A (ja) * 2010-09-22 2011-01-06 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置
JP2017503342A (ja) * 2013-12-19 2017-01-26 エルピーイー ソシエタ ペル アチオニ 搬入／搬出装置及びリアクタを有するエピタキシャル成長用の反応チャンバ

Also Published As

Publication number Publication date
JP4358108B2 (ja) 2009-11-04
TWI314503B (en) 2009-09-11
US20080014057A1 (en) 2008-01-17
US7762208B2 (en) 2010-07-27
KR20050028016A (ko) 2005-03-21
WO2004009299A2 (de) 2004-01-29
WO2004009299A3 (de) 2004-04-08
DE50311533D1 (de) 2009-07-02
EP1523585A2 (de) 2005-04-20
AU2003246389A1 (en) 2004-02-09
AU2003246389A8 (en) 2004-02-09
DE10232731A1 (de) 2004-02-05
TW200403136A (en) 2004-03-01
WO2004009299B1 (de) 2004-05-27
EP1523585B1 (de) 2009-05-20
US20050214102A1 (en) 2005-09-29
KR101125431B1 (ko) 2012-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4358108B2 (ja) コーティング装置における搭載、支持及び取り出しのための一組の器具
US6648974B1 (en) Device and method for handling substrates by means of a self-leveling vacuum system in epitaxial induction
US9368380B2 (en) Substrate processing device with connection space
JP4575647B2 (ja) 炉内でウェハをバッチ処理するための方法および装置
KR101685150B1 (ko) 박막 증착 장치 및 이를 포함한 기판 처리 시스템
JP5004864B2 (ja) 化学蒸着によりウェハ上にエピタキシャル層を成長させる装置および方法
KR101287656B1 (ko) 종형 열처리 장치 및 기판 지지구
US8672602B2 (en) Vertical thermal processing apparatus
TW201111258A (en) Automatic substrate loading station
KR20180042767A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102058985B1 (ko) 로드 스테이션
JP2001068541A (ja) 処理基板トレイ
JP3157738B2 (ja) ウエハ移載装置および移載方法
KR20170055141A (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
WO2001031700A1 (fr) Porte-plaquette et dispositif de croissance epitaxiale
JPH0870033A (ja) 半導体製造装置のウェーハ移載機
WO2020137170A1 (ja) 気相成長装置
US6283273B1 (en) Substrate processing apparatus
JPH1126387A (ja) ウェーハアダプタおよびその使用方法
JP2003282388A (ja) 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法
JP7257916B2 (ja) 気相成長装置の基板搬送機構
CN114686858B (zh) 一种薄膜生长系统以及基片托盘和载环组件
JP2007194481A (ja) 基板処理装置
JPH10223737A (ja) 半導体製造装置用のサセプタ及びこのサセプタを使用するウエーハ着脱方法
KR20050042586A (ko) 리프트핀 플레이트

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060704

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090210

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090401

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090714

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090805

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130814

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees