DE102016116739B4 - Flipflop mit dargestelltem Layout für reduzierte Grundfläche - Google Patents

Flipflop mit dargestelltem Layout für reduzierte Grundfläche Download PDF

Info

Publication number
DE102016116739B4
DE102016116739B4 DE102016116739.8A DE102016116739A DE102016116739B4 DE 102016116739 B4 DE102016116739 B4 DE 102016116739B4 DE 102016116739 A DE102016116739 A DE 102016116739A DE 102016116739 B4 DE102016116739 B4 DE 102016116739B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
flip
scan
circuit
flop
perimeter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102016116739.8A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102016116739A1 (de
Inventor
Chi-Lin Liu
Ting-Wei Chiang
Jerry Chang-Jui Kao
Hui-Zhong ZHUANG
Lee-Chung Lu
Shang-Chih Hsieh
Che Min Huang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Original Assignee
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd filed Critical Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Publication of DE102016116739A1 publication Critical patent/DE102016116739A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102016116739B4 publication Critical patent/DE102016116739B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356Bistable circuits
    • H03K3/3562Bistable circuits of the master-slave type
    • H03K3/35625Bistable circuits of the master-slave type using complementary field-effect transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/027Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
    • H03K3/037Bistable circuits
    • H03K3/0372Bistable circuits of the master-slave type
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/3185Reconfiguring for testing, e.g. LSSD, partitioning
    • G01R31/318533Reconfiguring for testing, e.g. LSSD, partitioning using scanning techniques, e.g. LSSD, Boundary Scan, JTAG
    • G01R31/318541Scan latches or cell details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0207Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/085Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
    • H01L27/088Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
    • H01L27/092Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356Bistable circuits
    • H03K3/3562Bistable circuits of the master-slave type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Flipflop mit Anordnung als integriertes Schaltungslayout auf einem Flipflopbereich eines Halbleitersubstrats, wobei das Flipflop umfasst:eine Master-Latch-Schaltung, die aus mehreren ersten Vorrichtungen besteht, die durch einen Master-Latch-Perimeter umschrieben werden, der innerhalb des Flipflopbereichs liegt;eine Scan-Multiplex-Eingangsschaltung, die betriebsmäßig mit einem Eingang der Master-Latch-Schaltung verbunden ist, wobei die Scan-Multiplex-Eingangsschaltung aus mehreren zweiten Vorrichtungen besteht, die durch einen Scan-Multiplex Perimeter umschrieben werden, der innerhalb des Flipflopbereichs liegt und der sich nicht mit dem Master-Latch Perimeter überlappt; undeine Slave-Latch-Schaltung, die betriebsmäßig mit einem Ausgang der Master-Latch-Schaltung verbunden ist, wobei die Slave-Latch-Schaltung aus mehreren dritten Vorrichtungen besteht, die durch einen Scan-Multiplex-Perimeter umschrieben werden;wobei der Slave-Latch-Perimeter innerhalb des Flipflopbereichs liegt und sich nicht mit dem Master-Latch-Perimeter und dem Scan-Multiplex-Perimeter überlappt,wobei der Scan-Multiplex-Perimeter eine erste Scan-Multiplex-Eingangskante hat, die an eine erste Master-Latch-Kante des Master-Latch Perimeters grenzt, und wobei die Slave-Latch-Schaltung eine erste Slave-Latch-Kante hat, die an eine zweite Master-Latch-Kante des Master-Latch-Perimeters grenzt,wobei die erste Master-Latch-Kante und die zweite Master-Latch-Kante senkrecht zueinander sind.

Description

  • STAND DER TECHNIK
  • In der Elektronik ist ein Flipflop eine Schaltung, die zwei stabile Zustände hat und zum Speichern von digitalen Informationen verwendet werden kann. Flipflops sind ein grundlegender Baustein von digitalen Elektroniksystemen und werden dazu verwendet, Daten in Computern, Kommunikationen und vielen anderen Arten von Systemen zu speichern. Ein Flipflop umfasst einen Eingangsanschluss, an dem Daten, die gespeichert werden sollen, empfangen werden, und einen Ausgangsanschluss, an dem Daten, die im Flipflop gespeichert sind, abgegeben werden.
  • Ein Flipflop speichert normalerweise ein einzelnes Bit (binäres Digit) von Daten, wie durch zwei verschiedene Zustände belegt. Einer seiner zwei Zustände repräsentiert eine „eins“, und der andere repräsentiert eine „null“. Daher erzeugt das Ausgabeterminal des Flipflops ein Signal, das zwischen dem Zustand „eins“ und dem Zustand „null“ in einer Weise hin und herspringt, die von den Eingangsdaten und dem Taktsignal abhängt, dass dem Flipflop zugeführt wird. Flipflops können für jede Anzahl von Anwendungen in elektronischen Schaltungen verwendet werden, wie zum Beispiel Zählen von Impulsen, Speichern von Datenwerten und/oder Synchronisieren von zeitlich variabel festgelegten Eingangssignalen mit einem Referenzzeitsignal.
  • Stand der Technik zum Gegenstand der Erfindung ist beispielsweise zu finden in US 2016 / 0 097 811 A1 .
  • Die Erfindung sieht ein Flipflop mit Anordnung als integriertes Schaltungslayout auf einem Flipflopbereich eines Halbleitersubstrats gemäß Anspruch 1, eine integrierte Flipflop-Schaltung gemäß Anspruch 10 und eine integrierte Flipflop-Schaltung gemäß Anspruch 14 vor. Ausgestaltungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Figurenliste
  • Aspekte der vorliegenden Offenbarung sind am besten aus der folgenden detaillierten Beschreibung zu verstehen, wenn sie zusammen mit den begleitenden Zeichnungen gelesen wird. Es ist anzumerken, dass gemäß der gängigen Praxis in der Industrie verschiedene Merkmale nicht maßstabsgerecht gezeichnet werden. Tatsächlich können die Dimensionen der verschiedenen Merkmale willkürlich im Interesser der Klarheit der Diskussion vergrößert oder verkleinert werden.
    • 1A illustriert eine schematische Ansicht eines Scan-Flipflops gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
    • 1B illustriert ein Blockdiagramm von Funktionsblöcken, die ein Scan-Flipflop gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ausmachen.
    • 1C illustriert ein Beispiel für eine detaillierte schematische Ansicht eines Scan-Flipflops gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
    • 2 illustriert eine weitere detaillierte schematische Darstellung eines Scan-Flipflops, bei dem die Funktionsblöcke neu markiert worden sind gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
    • 3 illustriert eine Grundplanungs- oder Layoutansicht Ansicht eines Scan-Flipflops gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
    • 4 illustriert eine Grundplanungs- oder Teillayoutansicht einer Serie von sechs Scan-Flipflops von 3, die gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung angeordnet sind.
    • Die 5A-5D illustrieren eine detailliertere Grundplanungs- oder Layoutansicht eines Scan-Flipflops gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
    • 6 illustriert eine weitere Grundplanungs- oder Layoutansicht Ansicht eines Scan-Flipflops gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
    • 7 illustriert eine Grundplanungs- oder Layoutansicht einer Serie von sechs Scan-Flipflops von 6, die gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung angeordnet sind.
    • 8 illustriert eine Grundplanungs- oder Layoutansicht einer Serie von sechs Scan-Flipflops von 6, die gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung angeordnet sind.
    • 9 illustriert eine weitere Grundplanungs- oder Layoutansicht eines Scan-Flipflops gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
    • 10 illustriert eine Grundplanungs- oder Layoutansicht eine Serie von 4 Scan-Flipflops von 9, die gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung angeordnet sind.
    • 11 illustriert eine Grundplanungs- oder Layoutansicht eines Scan-Flipflops gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • Die folgende Offenbarung stellt viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele für das Realisieren verschiedener Funktionen der vorgesehenen Thematik bereit. Speziell Beispiele von Komponenten und Anordnungen werden unten beschrieben, um die vorliegende Offenbarung zu vereinfachen. Das sind natürlich nur Beispiele, und sie sollen nicht als Einschränkung verstanden werden. Zum Beispiel kann die Bildung eines ersten Merkmals über oder auf einem zweiten Merkmal in der Beschreibung, die folgt, Ausführungsformen umfassen, in denen das erste und zweite Merkmal in direktem Kontakt gebildet sind, und können aus Ausführungsformen umfassen, in denen zusätzliche Merkmale zwischen dem ersten und zweiten Merkmal gebildet sein können, derart dass das erste und zweite Merkmal nicht in direktem Kontakt sind. Außerdem kann die vorliegende Offenbarung Bezugszahlen und/oder -buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholen. Diese Wiederholung dient der Einfachheit und Klarheit und diktiert nicht allein eine Beziehung zwischen den verschiedenen Ausführungsformen und/oder diskutierten Konfigurationen.
  • Räumlich bezogene Begriffe, wie z.B. „unterhalb“, „unter“, „über“, „niedriger“, „oben“ und „oberer“ und dergleichen, können hierin zur leichteren Beschreibung verwendet werden, um ein Element oder Merkmalsbeziehung zu einem anderen Element oder Elementen oder Merkmal(en) zu beschreiben, wie in den Figuren illustriert. Die räumlichen relativen Begriffe sollen verschiedene Orientierungen der im Gebrauch oder Betrieb befindlichen Vorrichtung zusätzlich zur Orientierung umfassen, die in den Figuren dargestellt wird. Die Vorrichtung kann anders orientiert sein (um 90 Grad gedreht oder in anderen Orientierungen), und die räumlichen relativen Deskriptoren können hierin dementsprechend interpretiert werden.
  • Flipflops werden im großen Umfang in digitalen Schaltungen verwendet und werden durch aufbauen von aufeinanderfolgenden Halbleiterschichten, Metallschichten und/oder isolierte Schichten übereinander hergestellt. Diese Schichten werden nacheinander unter Verwendung von Fotolithografie strukturiert, um äußerst kleine Schalkreismerkmale zu bilden, die gemeinsam Flipflops und andere Elemente auf einer integrierten Schaltung (IC) aufbauen. Einige der Schichten bilden aktive Vorrichtungsmerkmale im Halbleitersubstrat, während andere Schichten Metall-Zwischenkontakte herstellen, die die aktiven Vorrichtungsmerkmale miteinander verbinden. Die strukturierten Schichten werden zusammenfassend als „Layout“ für die IC bezeichnet. Während der fotolithografischen Strukturierung einer Schicht wird eine Maske über der Schicht gebildet, und Teile der Schicht können auf der Basis der Maske selektiv entfernt werden, um eine gewünschte Struktur für die Schicht herzustellen. Leider sind Masken teuer, und es ist im Allgemeinen wünschenswert, die Zahl der Masken zu begrenzen, um die Herstellungskosten zu begrenzen. Es ist auch wünschenswert, zu versuchen, die Fläche oder den „Fußabdruck“ der Schaltung zu verkleinern, da dies ermöglicht, dass mehr ICs auf einem einzelnen Halbleiterwafer hergestellt werden, was dementsprechend die Herstellungskosten reduziert.
  • Herkömmliche Flipflop-Layouts erfordern eine große Zahl von Masken, erhebliche Fläche und eine beträchtliche Menge an Routenführung. Die Routenführung kann zu einer großen Zahl von Masken beitragen und kann die Fläche ausweiten, die durch den Chip verbraucht wird, und kann auch zu einer großen Kapazitanz führen, die zu langsameren Schaltvorgängen für das Flipflop führt. Die vorliegende Offenbarung liefert eine Reihe von verbesserten Flipflop-Layouts. In diesen Layouts sind die Transistoren des Flipflop-Layouts in mehrere Teilblöcke gruppiert, die in einer effizienten Weise angeordnet sind, um die Routenführungs- und Flächenprobleme zu begrenzen. Durch Segmentieren des Flipflops in mehrere gut abgegrenzte Stücke und dann Anordnen dieser Stücke gemäß vorgegebenen Layoutplänen auf der integrierten Schaltung weisen die offenbarten Flipflops eine reduzierte Fläche und Routenführung und entsprechend reduzierte Herstellungskosten und verbesserte Schaltzeiten auf.
  • 1A zeigt ein Blockdiagramm eines Scan-Flipflops 100, welches einen Scan-Multiplexer 101 und ein Flipflop 103 enthält, gemäß einigen Ausführungsformen. Das Scan-Flipflop 100 enthält zwei Dateneingänge - nämlich einen Scan-Dateneingang (SI) 116 und einen „normalen“ Dateneingang (D) 118. SI 116 kann ein Testvektorsignal liefern, wie zum Beispiel beim Built-In-Self-Test (BIST)-Scanning oder zum Beispiel Grenztestscanning, und D 118 kann tatsächliche Anwendungsdaten statt Testdaten liefern. Ein Scan-Nable-(SE)-Signal bestimmt, ob SI oder D gewählt wird. Wenn zum Beispiel SE 120 aktiviert ist (zum Beispiel ist SE auf eine logische „1“ gesetzt), läuft der Scan-Multiplexer 101 SI 116 durch zum Multiplexer-Ausgang 122. Wenn andererseits SE 120 deaktiviert ist (zum Beispiel ist SE auf eine logische „0“ gesetzt), läuft der Scan-Multiplexer 101 D 118 durch zum Multiplexer-Ausgang 122.
  • Das Flipflop 103 hat einen Eingabeanschluss, der mit dem Multiplexer-Ausgang 122 verbunden ist, und liefert ein Ausgabedatensignal (Q) am Flipflop-Ausgabeanschluss 124. Das Ausgabedatensignal Q basiert auf dem aktuellen Zustand, der im Flipflop 103 gespeichert ist, dem gewählten Daten-(SD)-Signal auf 122 und dem CLK-Signal 126. Das Ausgabedatensignal Q schaltet zwischen einem Zustand „eins“ und einem Zustand „null“ in einer Weise hin und her, die vom SD-Signal 122 und dem CLK-Signal 126 abhängt. Im Allgemeinen setzt das Flipflop 103 die Ausgabe seines aktuell gespeicherten Zustandes als Ausgabedaten Q fort, bis das CLK-Signal 126 eine ansteigende und/oder fallende Flanke aufweist (ungeachtet der Änderungen im SD-Signal 122). Wenn das CLK-Signal 126 eine ansteigende und/oder fallende Flanke aufweist, „speichert“ das Flipflop 103 nur dann den aktuellen Zustand des SD-Signals 122 und liefert diesen Zustand an den Datenausgang (Q). Wenn zum Beispiel das Flipflop 103 anfänglich einen „i“-Zustand speichert, solange das CLK-Signal 126 nicht von einem logischen Tief zu einem logischen Hoch läuft (und/oder umgekehrt), liefert das Flipflop 103 weiterhin einen „i“-Zustand am Flipflop-Ausgabeanschluss 124, selbst wenn das SD-Signal 122 in einen null-Zustand überwechselt. Daher behält das Flipflop 103 den „i“-Zustand, der gespeichert ist, bis der CLK 126 den Zustand ändert. Wenn eine „1“ immer noch im SD-Signal am Multiplexer-Ausgang 122 vorhanden ist, wenn CLK 126 den Zustand ändert, speichert das Flipflop 103 wieder den „1“-Zustand für einen weiteren Taktzyklus. Wenn im Gegensatz dazu ein „0“-Zustand bei SD 122 vorhanden ist, wenn CLK 126 den Zustand ändert, speichert das Flipflop den „o“-Zustand für den folgenden Taktzyklus und gibt daher eine „0“ am Flipflop-Ausgabeanschluss 124 aus.
  • Wie in 1B dargestellt, kann das Scan-Flipflop 100 einen Scan-Multiplexer 101 und das Flipflop 103 enthalten, welches mehrere Funktionsblöcke umfassen kann. Dieser Scan-Multiplexer 101 kann Scan-Multiplex-Eingabeschaltung 102 und einen Scan-Freigabeinverter 114 enthalten, während das Flipflop 103 Masterlatch- Schaltungen 104, Slavelatch-Schaltungen 106, Datenausgabeschaltungen 108, einen ersten Taktinverter 110 und einen zweiten Taktinverter 112 umfassen kann. Die Scan-Multiplex-Eingabeschaltung 102 empfängt 2 Datensignale - ein SI-Signal und ein D-Signal - sowie ein Scan-Aktivierungs-(SE)-Signal und ein Scan-Aktivierungs-Balkensignal (seb), welches vom Scannen-Aktivierungsinverter 114 erhalten wird. Ein Ausgang der Scan-Multiplex-Eingabeschaltung 102 ist mit einem Eingang der Masterlatch-Schaltung 104 verbunden. Die Masterlatch-Schaltung 104 und die Slavelatch-Schaltung 106 sind oft kreuzgekoppelt, um einen Datenzustand in einer wechselseitig verstärkenden Weise zu speichern, und jede empfängt ein Takt-Balkensignal (clkb) und ein Takt-Balken-Balken-(clkbb)-Signal. Die Signale clkb und clkbb beruhen auf dem CLK-Signal 126 und werden durch erste und zweite Taktinverter 110, bzw. 112 geliefert und sind die invertierten Versionen voneinander mit einer leichten Verzögerung zwischen ihnen. Die Datenausgabeschaltung 108 hat einen Eingang, der mit einem Ausgang der Slavelatch-Schaltung 106 verbunden ist und ein Daten-aus-Signal (Q) am Flipflop-Ausgabeanschluss 124 liefert. Jeder dieser Funktionsblöcke kann verschiedene Formen annehmen, abhängig von der Implementierung. Was auch immer die genaue Implementierung für diese verschiedenen Funktionsblöcke ist, findet die vorliegende Offenbarung eine Wertschätzung durch Aufteilen der Transistoren dieser Funktionsblöcke in getrennte Bereiche eines Flipflop-Layouts; die Siliziumfläche, Anzahl von Masken und/oder Routenführung, die für das Scannen-Flipflop 100 erforderlich sind, können reduziert werden, wodurch die Herstellung rationalisiert wird und Kosten, die mit der Schaltungsherstellung verbunden sind, reduziert werden.
  • 1C zeigt eine detailliertere schematische Darstellung eines beispielhaften Scan-Flipflops 100. Wie in 1C gezeigt, besteht das Scan-Flipflop 100 aus 32 Transistoren, die mit M1, M2, M2, M4, ..., M32 gekennzeichnet sind. Spezieller gesagt, sind die ersten zehn Transistoren M1, M2, ..., M10 betriebsmäßig angeschlossen, um eine Scan-Multiplex-Eingabeschaltung 102 zu bilden. Die Transistoren M11, M12, ..., M18 sind betriebsmäßig angeschlossen, um die Masterlatch-Schaltung 104 zu bilden. Die Masterlatch-Schaltung 104 umfasst einen ersten Satz von kreuzgekoppelten Invertern 105, wobei M11, M12 einen ersten Inverter bilden und die Transistoren M13-M16 einen zweiten Inverter bilden, der auf der Basis von clkb und clkbb selektiv aktiviert wird. Ein Übertragungsgate M17, M18 verbindet die Masterlatch-Schaltung 104 mit der Slavelatch-Schaltung 106. Die Transistoren M19, M20, ..., M24 sind betriebsmäßig angeschlossen, um die Slavelatch-Schaltung 106 zu bilden. Die Slavelatch-Schaltung 106 umfasst einen zweiten Satz von kreuzgekoppelten Invertern 107, wobei die Transistoren M19, M20 einen dritten Inverter bilden und die Transistoren M13-M16 einen vierten Inverter bilden, der auf der Basis von clkb und clkbb selektiv aktiviert wird. Die Daten-aus-Schaltung 108 umfasst einen fünften Inverter, der aus den Transistoren M25, M26 besteht, und invertiert die Ausgabe der Slavelatch-Schaltung 106 derart, dass die Ausgabe Q dieselbe Polarität hat (das heißt, nicht invertiert ist) in Bezug auf die ursprünglichen Dateneingaben D und SI. Die Transistoren M27, M28 machen den ersten Taktinverter 110 aus; die Transistoren M29, M30 machen einen zweiten Taktinverter 112 aus; und die Transistoren M31, M32 machen den ScanAktivierungsinverter 114 aus. Wie bei dem Beispiel von 1B, kann die Beispielschaltung von 1C verschiedene Formen annehmen und schränkt in keinerlei Weise die vorliegende Offenbarung ein.
  • Wie in 2 gezeigt, können in einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung die Funktionsblöcke, die in 1C dargestellt sind, neu gezeichnet werden, sodass sie der Scan-Multiplex-Eingangsschaltung 202, der Master-Latch-Schaltung 204, der Slave-Latch-Schaltung 206, Daten-aus-Schaltung 208, dem ersten Taktinverter 210, dem zweiten Taktinverter 212 und dem Scannen-Aktivierungsinverter 214 entsprechen. Daher enthält in der Ausführungsform von 2 die Scan-Multiplex-Eingangsschaltung 202 nun die Transistoren M1-M8; die Master-Latch-Schaltung 204 umfasst die Transistoren M9, M10, M13, M14, M15, M16; die Slave-Latch-Schaltung 106 enthält die Transistoren M11, M12, M17, M18, M21, M22, M23, M24; und die Daten-aus-Schaltung 208 enthält jetzt M19, M20, M25, M26.
  • 3 illustriert einige Ausführungsformen eines Layout-Diagramms für Transistoren innerhalb eines integrierten Schaltungslayouts 300, um ein Scan-Flipflop (zum Beispiel Scan-Flipflop 200 von 2) zu implementieren. Die Funktionen des Layouts 300 sind in einem Flipflop-Bereich eines Halbleitersubstrats angeordnet, wobei der Flipflop-Bereich durch einen Flipflop-Perimeter 301 umschrieben wird, welcher in einigen Ausführungsformen rechteckig ist. Innerhalb dieses Flipflop-Perimeters 301 werden die Transistoren des Flipflops auf einen Scan-Multiplex-Perimeter 303, einen Master-Latch-Perimeter 305, einen Slave-Latch-Perimeter 307, einen Daten-aus-Perimeter 309, einen ersten Taktinverter-Perimeter 311, einen zweiten Taktinverter-Perimeter 313 und einen Scanaktivierungs-(SE)-Inverter-Perimeter 315 aufgeteilt. Der Scan-Multiplex-Perimeter 303 umgibt die Transistoren der Scan-Multiplex-Eingangsschaltung 302 (zum Beispiel Scan-Multiplex-Eingangsschaltung 202, 2). Der Master-Latch-Perimeter 305 umgibt die Transistoren der Master-Latch-Schaltung 304 (zum Beispiel die Master-Latch-Schaltung 204, 2). Der Slave-Latch-Perimeter 307 umgibt die Transistoren der Slave-Latch-Schaltung 306 (zum Beispiel die Slave-Latch-Schaltung 206, 2). Der Daten-aus-Perimeter 309 umgibt die Transistoren der Daten-aus-Schaltung 308 (zum Beispiel die Daten-aus-Schaltung 208, 2). Der erste Taktinverter-Perimeter 311 umgibt Transistoren der ersten Taktinverter-Schaltung 310 (zum Beispiel den ersten Taktinverter 210, 2), ein zweiter Taktinverter-Perimeter 313 umgibt Transistoren einer zweiten Taktinverter-Schaltung 312 (zum Beispiel den zweiten Taktinverter 212, 2), und der SE-Inverter-Perimeter 315 umgibt die Transistoren der-Aktivierungsinverter-Schaltung 314 (zum Beispiel den Scanaktivierungsinverter 214, 2). Diese Perimeter 303 bis 315 überlappen sich normalerweise nicht. In einigen Ausführungsformen ist jeder dieser Perimeter 303 bis 315 rechteckig, was bedeutet, dass sie vier gerade Seiten haben (gleich oder ungleich in der Länge) und vier rechte Winkel.
  • Die Daten fließen im Allgemeinen durch dieses Layout 300, wie durch den Datenwegpfeil 320 gezeigt. Daher kommen die Daten, wie zum Beispiel SI- und D-Datensignale, an der Scan-Multiplex-Eingangsschaltung 302 an, nachdem die Scan-Multiplex-Eingangsschaltung 302 eines der Datensignale gewählt hat, schickt die Scan-Multiplex-Eingangsschaltung 302 die ausgewählten Daten zur Master-Latch-Schaltung 304. Die Master-Latch-Schaltung 304 und die Slave-Latch-Schaltung 306 speichern dann die gewählten Datenzustand bei einer ansteigenden und/oder fallenden Flanke der Taktsignale clkb bzw. clkbb, die durch die erste Taktinverterschaltung 310 bzw. die zweite Taktinverterschaltung 312 bereitgestellt werden.
  • In der Ausführungsform von 3 hat der Scan-Multiplex-Eingangsperimeter 303 eine erste Scan-Multiplex-Eingangskante 322, die gegen eine erste Master-Latch-Kante 324 des Master-Latch-Perimeters 305 grenzt. Der Slave-Latch-Perimeter 307 hat eine erste Slave-Latch-Kante 326, die an eine zweite Master-Latch-Kante 328 des Master-Latch-Perimeters 305 grenzt. In der Ausführungsform von 3 sind die erste Master-Latch-Kante 324 und die zweite Master-Latch-Kante 328 senkrecht zueinander. Der Scan-Multiplex-Eingabeperimeter 303 hat eine zweite Scan-Multiplex-Eingabekante 330, die an eine Oberkante 322 des Daten-aus-Perimeters 309 sowie eine obere Kante 334 des SE-Inverter-Perimeters 315 grenzt. Der Master-Latch-Perimeter 305 hat eine dritte Master-Latch-Kante 336 die an eine Seitenkante des ersten Taktinverter-Perimeters 311 grenzt. Der Slave-Latch-Perimeter 307 hat eine zweite Slave-Latch-Kante 338, die an eine Kante 340 der Daten-aus-Schaltung 308 grenzt, und hat eine dritte Slave-Latch-Kante 342, die an eine Kante des zweiten Taktinverter-Perimeters 313 grenzt. Dieses gut strukturierte Grundlayout 300 kann die Routenführung reduzieren.
  • Eine Serie von Flipflops, die jeweils ausgelegt sind, wie in 3 dargestellt, kann in einem Feld als Teil einer Scan-Kette, eines Schieberegisters oder einer anderen Schaltung angeordnet sein. 4 illustriert ein Beispiel, wo 6 Scan-Flipflops in Reihe zueinander angeordnet sind, daher ist ein Ausgang eines Flipflops mit einem Eingang des nächsten Flipflops verbunden. Daher illustriert 4 ein erstes Scan-Flipflop 402, ein zweites Scan-Flipflop 404, drittes Scan-Flipflop 406, viertes Scan-Flipflop 408, fünftes Scan-Flipflop 410 und ein sechstes Scan-Flipflop 412, die in Reihe zueinander angeordnet sind. Die Pfeile 404 zeigen, wie Ausgaben der vorhergehenden jeweiligen Flipflops mit Eingaben der jeweiligen folgenden Flipflops verbunden werden. Die Flipflops sind so angeordnet, dass sie Kanten haben, die direkt aneinandergrenzen, um für ein kompaktes Layout zu sorgen, erste und zweite Taktinverterschaltungen 310, 312 werden zwischen den Flipflops geteilt. Die ersten und zweiten Taktinverterschaltungen 310, 312 sind zwischen einer ersten Säule von Flipflops und einer zweiten Säule von Flipflops angeordnet. Die ersten und zweiten Taktinverterschaltungen 310, 312, die auf einer Linie liegen, die sich in einer ersten Richtung 420 erstreckt, trennen benachbarte Säulen von Flipflops. Die erste Taktinverterschaltung 310 empfängt ein Taktsignal und liefert ein Taktbalkensignal auf einer ersten Taktleitung 422 an die Flipflops. Die erste Taktleitung 422 erstreckt sich in einer zweiten Richtung 424, die senkrecht zur ersten Richtung 420 ist. Die zweite Taktinverterschaltung 312 empfängt ein Taktbalkensignal und liefert ein Taktbalken-Balkensignal auf einer zweiten Taktleitung 426 an die Flipflops.
  • Ein Vorteil des Layouts von 4 (und einigen anderen Ausführungsformen, die hierin illustriert werden) ist, dass es nur ein Taktsignal pro Reihe von Teilzellen gibt, was zu weniger Kopplung und besserer Leistung führt. Zum Beispiel ist für die oberste Reihe von Flipflops 406, 408 das clkb-Signal das einzige Taktsignal für eine erste Reihe von Teilzellen (Blöcke 302 und 304), während das clkbb-Signal das einzige Taktsignal für eine zweite Reihe von Teilzellen (Blöcke 306, 308, 314) ist. Außerdem sind die Zellen so ausgerichtet worden, dass sie die clkb/clkbb-Routenführung begrenzen, wie jetzt detaillierter in Bezug auf 5A beschrieben wird.
  • Die 5A-5D zeigen mehrere Ansichten eines Teils eines Layouts 500, das ein detaillierteres Beispiel dafür zeigt, wie die 32 Transistoren M1, M2, ..., M32 des Scan-Flipflops 200 von 2 als ein IC-Layout 500 auf einem Halbleitersubstrat angeordnet werden können. Aus Gründen der Klarheit zeigen die 5A-5C verschiedene Schichten, die innerhalb des Layouts als separate Zeichnungen enthalten sind, obwohl es zu erkennen ist, dass das endgültige Layout normalerweise alle Schichten von 5A-5C enthalten wird (sowie in vielen Fällen andere Schichten), wie zum Beispiel in 5D gezeigt, die die Überlagerung der Schichten der 5A-5C zeigt.
  • 5A ist mit dem Grundlayout von 3 vereinbar, begrenzt aber das Grundlayout von 3 in keinerlei Hinsicht. Das Layout 500 umfasst aktive n-Typ-Bereiche 502 und aktive p-Typ-Bereiche 504. Gatestrukturen 506, die normalerweise aus dotiertem Polysilizium oder Metall hergestellt werden, erstrecken sich über die aktiven Bereiche 502, 504 und bedecken Kanalbereiche in einem Halbleitersubstrat, wobei die Kanalregionen einen Dotierungstyp haben, der entgegengesetzt zu dem der umgebenden aktiven Bereiche 102, 504 ist. Aus Gründen der Einfachheit werden nur drei Gatestrukturen 506 markiert. Wie in dem Layout 500 von 5A gezeigt, sind die verschiedenen Funktionsblöcke (202 bis 214), die in 2 dargestellt sind, jeweils auf ihre eigenen nicht überlappenden Bereiche beschränkt, was die Routenführung vereinfacht und die Fläche reduziert. Bemerkenswert ist, dass die Vorrichtungen, die Taktsignale clkb, clkbb empfangen, so angeordnet worden sind, dass sie vollständig in den rechten Teil dieses Layouts fallen, um die Taktroutenführung zu reduzieren. Daher sind die Transistoren M9, M10, M15, M16, M17, M18, M23, M24, M27, M28, M29 und M30 alle in enger Nähe gruppiert worden. In dem illustrierten Layout sind diese Vorrichtungen in annähernd einer Hälfte der Zellbreite angeordnet, in anderen Ausführungsformen jedoch könnten die Vorrichtungen in annähernd zwei Dritteln der Zellbreite oder in weniger als einer Hälfte der Zellbreite angeordnet werden. Durch Gruppieren dieser Vorrichtungen kann die Länge der Taktleitungen reduziert werden, was dabei hilft, die Kapazitanz zu begrenzen, und was die Betriebsgeschwindigkeit der Vorrichtung verbessert. Eine Querschnittsansicht 550 für den Transistor M8 wird in der Nähe der des oberen Endes von 5A illustriert, um ein Beispiel dafür zu zeigen, wie eine Gatestruktur 506 sich über einen aktiven Bereich 502 erstrecken und einen Kanalbereich 510 in einem Halbleitersubstrat 512 abdecken kann. Ein Gatedielektrikum 514, wie zum Beispiel ein Gatedielektrikum mit hohem k-Wert, trennt die Gatestruktur 506 vom Kanalbereich 510.
  • 5B stellt das Layout 500 dar, bei dem zusätzliche Schichten zum Layout von 5A hinzugefügt wurden. 5B zeigt wieder ein Beispiel dafür, wie die 32 Transistoren M1, M2, ..., M32 angeordnet werden können. In 5B liegt eine Metall 0-Schicht (Metal0) über aktiven Bereichen 502, 504 und ist aus Segmenten aufgebaut, die im Allgemeinen senkrecht zur den aktiven Bereichen verlaufen. Eine Metall 1-Schicht (Metall) ist über der Metal0-Schicht und über der Gatestruktur 506 aufgeschichtet, und ist aus Segmenten hergestellt, die im allgemeinen parallel zu den aktiven Bereichen und senkrecht zu den Metal0-Segmenten verlaufen. Erste Kontakte 516 erstrecken sich vertikal zwischen dem Metalo- und Metall-Segment, um das Metalo- und Metall-Segment miteinander ohmsch zu verbinden. Aus Gründen der Einfachheit ist nur ein erster Kontakt 516 in der Layoutansicht von 5B markiert. Zweite Kontakte 518 erstrecken sich vertikal zwischen den Metall-Segmenten und Gatestrukturen, um die Metall-Segmente und die Gatestruktur 506 miteinander ohmsch zu verbinden. Aus Gründen der Einfachheit ist nur ein zweiter Kontakt 518 in der Layoutansicht von 5B markiert. Wie in der Querschnittsansicht 550 für Transistor M8 in der Nähe der Oberseite von 5B gezeigt, erstreckt sich die Metalo-Schicht über den aktiven Bereich 502, und die Metall-Schicht erstreckt sich über die Metalo-Schicht. Erste Kontakte 516 erstrecken sich vertikal zwischen den Metalo- und MetallSchichten, während zweite Kontakte sich vertikal zwischen der Metall-Schicht und den Gatestrukturen 506 erstrecken.
  • In 5C liegt eine Metal2-Schicht (Metal2) über der Metall-Schicht (Metall). Die Metal2-Schicht besteht aus Segmenten, die im Allgemeinen senkrecht zu den Metall-Segmenten verlaufen. Dritte Kontakte 520 erstrecken sich vertikal zwischen den Metall- und Metal2-Segmenten, um die Metall- und Metal2-Segmente miteinander ohmsch zu verbinden. Aus Gründen der Einfachheit ist nur ein dritter Kontakt 520 in der Layoutansicht von 5C markiert. Wie in der Querschnittsansicht 550 für Transistor M8 in der Nähe der Oberseite von 5C gezeigt, erstreckt sich die Metal2-Schicht über die Metall-Schicht, und die dritten Kontakte 520 erstrecken sich vertikal zwischen den Metal2- und MetallSchichten.
  • 5D zeigt eine Überlagerung der Schichten, die vorher in den 5A-5C illustriert wurden..
  • 6 stellt ein alternatives Layout-Diagramm 600 für Transistoren innerhalb eines integrierten Schaltungslayouts 600 bereit, um ein Scan-Flipflop (zum Beispiel Scan-Flipflop 200 in 2) gemäß einigen Ausführungsformen zu implementieren. Die Merkmale des Layouts sind wieder in einem Flipflop-Bereich eines Halbleitersubstrats angeordnet, wobei der Flipflop-Bereich durch einen Flipflop-Perimeter 601 umschrieben wird. Innerhalb dieses Flipflop-Perimeters 601 sind die Transistoren des Flipflops zu einer Scan-Multiplex-Eingangsschaltung 602, Master-Latch-Schaltung 604, Slave-Latch-Schaltung 606, Daten-aus-Schaltung 608 der ersten Taktinverterschaltung 610, zweiten Taktinverterschaltung 612 und der Scan-Aktivierungs-Inverter Schaltung 614 organisiert.
  • Obwohl 3 eine Ausführungsform eines Layouts 300 illustrierte, wo die erste Master-Latch-Kante 324 und die zweite Master-Latch-Kante 328 (die der Scan-Multiplex-Eingangsschaltung 302 bzw. der Slave-Latch-Schaltung 306 entsprechen) senkrecht zueinander sind, stellt 6 ein alternatives Beispiel dar, wo eine erste Master-Latch-Kante 616 (die der Scan-Multiplex-Eingangsschaltung 602 entspricht) und die zweite Master-Latch-Kante 618 (die der Slave-Latch-Schaltung 606 entspricht) parallel zueinander sind, derart dass die Scan-Multiplex-Eingangsschaltung 602 und die Slave-Latch-Schaltung 606 auf entgegengesetzten Seiten der Master-Latch-Schaltung 604 sind.
  • Die Daten fließen im Allgemeinen durch dieses Layout, wie durch den Datenwegpfeil 620 gezeigt. Daher kommen die Daten, wie zum Beispiel SI- und D-Datensignale, an der Scan-Multiplex-Eingabeschaltung 602 an, und nachdem die Scan-Multiplex-Eingangsschaltung 602 eines der Datensignale gewählt hat, schickt die Scan-Multiplex-Eingangsschaltung 602 die ausgewählten Daten zur Master-Latch-Schaltung 604. Die Master-Latch-Schaltung 604 und die Slave-Latch-Schaltung 606 speichern dann den gewählten Datenzustand bei einer ansteigenden und/oder fallenden Flanke der Taktsignale clkb bzw. clkbb, die durch die erste Taktinverterschaltung 610 bzw. die zweite Taktinverterschaltung 612 bereitgestellt werden.
  • In der Ausführungsform von 6 hat die Scan-Multiplex-Eingangsschaltung 602 eine erste Scan-Multiplex-Eingabekante 122, die an die erste Master-Latch-Kante 616 grenzt. Die Slave-Latch-Schaltung 606 hat eine erste Slave-Latch-Kante, die an die zweite Master-Latch-Kante 618 grenzt. In der Ausführungsform von 6 sind die erste Master-Latch-Kante 616 und die zweite Master-Latch-Kante 618 parallel zueinander. Die Slave-Latch-Schaltung 606 hat eine zweite Slave-Latch-Kante 624, die an eine untere Kante der Daten-aus-Schaltung 608 grenzt, und hat eine Seitenkante 626, die an die erste Taktinverterschaltung 610 grenzt. Die Master-Latch-Schaltung hat eine Seitenkante 628, die an die zweite Taktinverterschaltung 612 grenzt. Die Scan-Multiplex-Eingangsschaltung 602 hat eine Seitenkante 630, die an die SE-Inverterschaltung 614 grenzt.
  • 7 illustriert ein Beispiel, wo 6 Scan-Flipflops in Reihe zueinander angeordnet sind, daher ist ein Ausgang eines Flipflops mit einem Eingang des nächsten Flipflops verbunden. Daher illustriert 7 ein erstes Scan-Flipflop 702, ein zweites Scan-Flipflop 704, drittes Scan-Flipflop 706, viertes Scan-Flipflop 708, fünftes Scan-Flipflop 710 und ein sechstes Scan-Flipflop 712, die in Reihe zueinander angeordnet sind. Die Flipflops sind so angeordnet, dass sie Kanten haben, die direkt aneinandergrenzen, um für ein kompaktes Layout zu sorgen. Die erste und zweite Taktinverterschaltung 610, 612 und die Scan-Aktivierungs-Inverterschaltung 614 sind zwischen benachbarten Flipflops 706, 708 angeordnet.
  • 8 illustriert ein weiteres Beispiel, wo 6 Scan-Flipflops, die nach 6 gestaltet sind, in Reihe zueinander angeordnet sind, daher ist ein Ausgang eines Flipflops mit einem Eingang des nächsten Flipflops verbunden. Verglichen mit 7, ist 8 insofern anders, als die Flipflops in 8 in einem zusammenhängenden Block angeordnet sind, und die erste und zweite Taktinverterschaltung 610, 612 und die Auswahl-Aktivierungs-Inverterschaltung 614 sind entlang einer peripheren Kante des zusammenhängenden Blocks angeordnet, wobei die Flipflops nur auf einer Seite des zusammenhängenden Blocks und Flipflops angeordnet sind. Dadurch, dass keine Flipflops auf der anderen Seite der ersten und zweiten Takt Inverterschaltung 610, 612 und der Auswahl-Aktivierungs-Inverterschaltung 614 vorhanden sind, kann die Routenführung reduziert werden.
  • 9 stellt ein alternatives Layout-Diagramm 900 für Transistoren innerhalb eines integrierten Schaltungslayouts 900 bereit, um ein Scan-Flipflop (zum Beispiel Scan-Flipflop 200 in 2) gemäß einigen Ausführungsformen zu implementieren. Die Merkmale des Layouts sind wieder in einem Flipflop-Bereich eines Halbleitersubstrats angeordnet, wobei der Flipflop-Bereich durch einen Flipflop-Perimeter 901 umschrieben wird. Innerhalb dieses Flipflop-Perimeters 901 sind die Transistoren des Flipflops zu einer Scan-Multiplex-Eingangsschaltung 902, Master-Latch-Schaltung 904, Slave-Latch-Schaltung 906, Daten-aus-Schaltung 908 der ersten Taktinverterschaltung 910, zweiten Taktinverterschaltung 912 und der Scan-Aktivierungs-Inverterschaltung 914 organisiert. Die Slave-Latch-Schaltung 906 und die Master-Latch-Schaltung 904 sind so angeordnet, dass sie zwischen der Scan-Multiplex-Eingangsschaltung 902 und der Daten-aus-Schaltung 908 angeordnet sind. Die Slave-Latch-Schaltung 906 und die Master-Latch-Schaltung erstrecken sich im allgemeinen parallel zueinander und können kongruent sein, derart, dass die Scan-Multiplex-Eingangsschaltung 902 und die Daten-aus-Schaltung 908 durch die Master- und Slave-Latch-Schaltungen 904, 906 getrennt werden.
  • Die Daten fließen im Allgemeinen durch dieses Layout, wie durch den Datenwegpfeil 920 gezeigt. Daher kommen die Daten, wie zum Beispiel SI- und D-Datensignale, an der Scan-Multiplex-Eingabeschaltung 902 an, und nachdem die Scan-Multiplex-Eingangsschaltung 902 eines der Datensignale gewählt hat, schickt die Scan-Multiplex-Eingangsschaltung 902 die ausgewählten Daten zur Master-Latch-Schaltung 904. Die Master-Latch-Schaltung 904 und die Slave-Latch-Schaltung 906 speichern dann den gewählten Datenzustand bei einer ansteigenden und/oder fallenden Flanke der Taktsignale clkb bzw. clkbb, die durch die erste Taktinverterschaltung 910 bzw. die zweite Taktinverterschaltung 912 bereitgestellt werden.
  • 10 illustriert ein Beispiel, wo 4 Scan-Flipflops, wie gemäß 9 ausgelegt, in Reihe zueinander angeordnet sind, daher ist ein Ausgang eines Flipflops mit einem Eingang des nächsten Flipflops verbunden. Daher illustriert 10 ein erstes Scan-Flipflop 1002, ein zweites Scan-Flipflop 1004, drittes Scan-Flipflop 1006, viertes Scan-Flipflop 1008, die in Reihe zueinander angeordnet sind. Die Flipflops sind so angeordnet, dass sie Kanten haben, die direkt aneinandergrenzen, um für ein kompaktes Layout zu sorgen. Die erste und zweite Taktinverterschaltung 910, 912 und die Scan-Aktivierungs-Inverterschaltung 914 sind entlang einer peripheren Kante eines äußersten Flipflops 1008 angeordnet. Die erste und zweite Taktinverterschaltung 910, 912 und die Scan-Aktivierungs-Inverterschaltung 914 können alternativ zwischen benachbarten Flipflops, analog wie in 7 illustriert, angeordnet sein. Der Datenfluss wird allgemein durch die Pfeile 1010 illustriert.
  • 11 zeigt eine weitere Layoutansicht 1100, die so markiert ist, sodass sie den Funktionsblöcken von 1C entspricht. Es ist zu erkennen, dass in einigen Ausführungsformen das Layout von 11 das Layout von 5A ist (so wie die schematische Darstellung von 1C vollständig äquivalent zur schematischen Darstellung von 2 ist), außer dass die Transistoren M1-M32 in verschiedene Funktionsblöcke getrennt sind. Während zum Beispiel die schematische Darstellung von 2 die Master-Latch-Schaltung 204 (Transistoren M9, M10, M13-M16) und die Slave-Latch-Schaltung 206 (Transistoren M11, M12, M17, M18, M21-M24) umfasst, umfasst das Layout 1100 von 11 die Masterlatch-Schaltung (Transistoren M11-M18) und die Slavelatch-Schaltung (M19-M24), die wieder die verschiedenen Aufteilungen zwischen 1C und 2 widerspiegeln. Daher kann das aktuelle Konzept in einigen Ausführungsformen im Hinblick auf Master- und Slave-Latch-Schaltung beschrieben werden (bei der Latchs nicht notwendigerweise einen Datenzustand speichern), während in anderen Ausführungsformen mit Bezug auf Master- und Slavelatch-Schaltung beschrieben werden können (wo Latches die Fähigkeit haben, Datenzustände zu speichern).
  • Es ist zu erkennen dass in dieser schriftlichen Beschreibung sowie in den Ansprüchen unten, die Begriffe „erster“, „zweiter“ , „dritter“ usw. lediglich allgemeine Identifikationen sind, die zur leichteren Beschreibung verwendet werden, um zwischen verschiedenen Elementen einer Figur oder einer Serie von Figuren zu unterscheiden. In sich und von selbst implizieren diese Begriffe keine zeitliche Ordnung oder strukturelle Nähe für diese Elemente und sind nicht dafür vorgesehen, die entsprechenden Elemente in verschiedenen illustrierten Ausführungsformen und/oder nicht illustrierten Ausführungsformen zu beschreiben. Zum Beispiel kann „eine erste dielektrische Schicht“, die in Verbindung mit einem ersten Bild beschrieben wird, nicht notwendigerweise einer „ersten dielektrischen Schicht“ entsprechen, die in Verbindung mit einer zweiten Figur beschrieben wird (zum Beispiel, und kann sogar einer „zweiten dialektischen Schicht“ in der zweiten Figur entsprechen) und braucht nicht notwendigerweise einer „ersten dielektrischen Schicht“ in einer nicht illustrierten Ausführungsform zu entsprechen.
  • Das Vorhergehende umreißt Merkmale von mehreren Ausführungsformen, so dass die Fachleute auf diesem Gebiet die Erscheinungsformen der vorliegenden Offenbarung besser verstehen können. Die Fachleute auf diesem Gebiet werden erkennen, dass sie die vorliegende Offenbarung ohne weiteres für den Entwurf oder das Modifizieren anderer Prozesse und Strukturen zum Verfolgen derselben Zwecke und/oder Erreichen derselben Vorteile der Ausführungsformen nutzen können, die hierin beschrieben werden. Die Fachleute auf diesem Gebiet sollten auch erkennen, dass solche äquivalenten Konstruktionen nicht vom Geist und dem Geltungsbereich der vorliegenden Offenbarung abweichen und dass sie verschiedene Modifizierungen hierin vornehmen können, ohne vom Geist und dem Geltungsbereich der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.

Claims (16)

  1. Flipflop mit Anordnung als integriertes Schaltungslayout auf einem Flipflopbereich eines Halbleitersubstrats, wobei das Flipflop umfasst: eine Master-Latch-Schaltung, die aus mehreren ersten Vorrichtungen besteht, die durch einen Master-Latch-Perimeter umschrieben werden, der innerhalb des Flipflopbereichs liegt; eine Scan-Multiplex-Eingangsschaltung, die betriebsmäßig mit einem Eingang der Master-Latch-Schaltung verbunden ist, wobei die Scan-Multiplex-Eingangsschaltung aus mehreren zweiten Vorrichtungen besteht, die durch einen Scan-Multiplex Perimeter umschrieben werden, der innerhalb des Flipflopbereichs liegt und der sich nicht mit dem Master-Latch Perimeter überlappt; und eine Slave-Latch-Schaltung, die betriebsmäßig mit einem Ausgang der Master-Latch-Schaltung verbunden ist, wobei die Slave-Latch-Schaltung aus mehreren dritten Vorrichtungen besteht, die durch einen Scan-Multiplex-Perimeter umschrieben werden; wobei der Slave-Latch-Perimeter innerhalb des Flipflopbereichs liegt und sich nicht mit dem Master-Latch-Perimeter und dem Scan-Multiplex-Perimeter überlappt, wobei der Scan-Multiplex-Perimeter eine erste Scan-Multiplex-Eingangskante hat, die an eine erste Master-Latch-Kante des Master-Latch Perimeters grenzt, und wobei die Slave-Latch-Schaltung eine erste Slave-Latch-Kante hat, die an eine zweite Master-Latch-Kante des Master-Latch-Perimeters grenzt, wobei die erste Master-Latch-Kante und die zweite Master-Latch-Kante senkrecht zueinander sind.
  2. Flipflop nach Anspruch 1, das ferner umfasst: eine Daten-Ausgabeschaltung, die aus mehreren vierten Vorrichtungen besteht, welche durch einen Daten-Ausgabe-Perimeter innerhalb des Flipflopbereichs des Halbleiter-Substrats umschrieben werden, wobei der Daten-Ausgabe-Perimeter sich nicht mit dem Master-Latch-Perimeter, dem Scan-Multiplex Perimeter und dem Slave-Latch-Perimeter überlappt.
  3. Flipflop nach Anspruch 2, wobei der Daten-Ausgabe-Perimeter eine erste Daten-Ausgabe-Kante hat, die an eine zweite Scan-Multiplex-Eingabekante des Scan-Multiplex Perimeters grenzt, und wobei der Daten-Ausgabe-Perimeter eine zweite Daten-Ausgabe-Kante hat, die an eine zweite Slave-Latch-Kante des Slave-Latch-Perimeters grenzt.
  4. Flipflop nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend: eine Daten-aus-Schaltung, die mit einem Ausgang des Slave-Latchs verbunden ist und einen Ausgabeanschluss hat, der einer Ausgabe des Flipflops entspricht; einen ersten Taktinverter, der dafür ausgelegt ist, ein Taktsignal zu empfangen und ein Takt-Balkensignal auf der Basis des Taktsignals zu liefern, wobei das Taktbalkensignal der Master-Latch-Schaltung und der Slave-Latch-Schaltung zugeführt wird; einen zweiten Taktinverter in Reihe mit dem ersten Taktinverter und der dafür ausgelegt ist, ein Taktbalken-Balkensignal zu liefern, das auf dem Taktbalkensignal beruht, wobei das Taktbalken-Balkensignal der Master-Latch-Schaltung und der Slave-Latch-Schaltung zugeführt wird.
  5. Flipflop nach Anspruch 4, das ferner umfasst: einen Scan-Aktivierungs-Inverter, der dafür ausgelegt ist, ein Scan-Aktivierungssignal zu empfangen und ein Scan-Aktivierungs-Balkensignal zu liefern, das auf dem Scan-Aktivierungssignal beruht, wobei das Scan-Aktivierungs- und Scan-Aktivierungs-Balkensignal der Scan-Multiplex-Eingangsschaltung zugeführt werden.
  6. Flipflop nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Master-Latch-Perimeter, Scan-Multiplex-Perimeter und Slave-Latch-Perimeter jeweils rechteckig in der Form ist.
  7. Flipflop nach Anspruch 6, wobei die Scan-Multiplex-Eingangsschaltung und die Master-Latch-Schaltung dafür ausgelegt sind, dass ihre jeweiligen oberen und unteren Kanten aufeinander ausgerichtet sind, und wobei die Slave-Latch-Schaltung so ausgelegt ist, dass ihre obere Kante an die untere Kante der Master-Latch-Schaltung grenzt.
  8. Flipflop nach Anspruch 6, wobei die Scan-Multiplex-Eingangsschaltung, Master-Latch-Schaltung und Slave-Latch-Schaltung so ausgelegt sind, dass ihre jeweiligen äußeren Kanten aufeinander ausgerichtet sind, und wobei die Master-Latch-Schaltung so angeordnet ist, dass ihre obere Kante an eine unserer Kanten der Slave-Latch-Schaltung grenzt und ihre untere Kante an eine obere Kante der Scan-Multiplex-Eingangsschaltung grenzt.
  9. Flipflop nach einem der Ansprüche 4 bis 8, wobei die Scan-Multiplex-Eingangsschaltung Außenkanten hat, die auf entsprechende Außenkanten der Daten-aus-Schaltung ausgerichtet sind, und wobei der Masterlatch und Slavelatch jeweils so angeordnet sind, dass sie sich von einer oberen Kante der Scan-Multiplex Eingangsschaltung bis zu einer unteren Kante der Daten-aus-Schaltung erstrecken, wobei der Slavelatch und der Masterlatch benachbarte Seitenkanten haben, die aneinander grenzen.
  10. Integrierte Flipflop-Schaltung, umfassend: mehrere Flipflops, die auf einem Halbleitersubstrat angeordnet sind; wobei die jeweiligen Flipflops innerhalb der jeweiligen Flipflopbereiche angeordnet sind, und wobei jedes Flipflop umfasst: eine Master-Latch-Schaltung, die aus mehreren ersten Vorrichtungen besteht, die durch einen Master-Latch-Perimeter umschrieben werden, der innerhalb des Flipflopbereichs liegt; eine Scan-Multiplex-Eingangsschaltung, die betriebsmäßig mit einem Eingang der Master-Latch-Schaltung verbunden ist, wobei die Scan-Multiplex-Eingangsschaltung aus mehreren zweiten Vorrichtungen besteht, die durch einen rechteckigen Scan-Multiplex-Perimeter umschrieben werden, der innerhalb des Flipflopbereichs liegt und der sich nicht mit dem Master-Latch Perimeter überlappt; und eine Slave-Latch-Schaltung, die betriebsmäßig mit einem Ausgang der Master-Latch-Schaltung verbunden ist, wobei die Slave-Latch-Schaltung aus mehreren dritten Vorrichtungen besteht, die durch einen rechteckigen Scan-Multiplex-Perimeter umschrieben werden; wobei der Slave-Latch-Perimeter innerhalb des Flipflopbereichs liegt und sich nicht mit dem Master-Latch-Perimeter und dem Scan-Multiplex-Perimeter überlappt, wobei der Scan-Multiplex-Eingang an eine erste Seite des Masterlatchs grenzt und der Slavelatch an eine zweite Seite des Masterlatchs grenzt, wobei die zweite Seite senkrecht zur ersten Seite ist.
  11. Integrierte Schaltung nach Anspruch 10, die ferner umfasst: erste und zweite Taktinverterschaltungen, die auf einer Linie liegen, welche sich in einer ersten Richtung erstreckt, und die benachbarte Flipflops der mehreren Flipflops trennen, wobei die erste Taktinverterschaltung ein Taktsignal erhält und ein Takt-Balkensignal auf einer Taktleitung den Flipflops zuführt, wobei die Taktleitung sich in einer zweiten Richtung erstreckt, die senkrecht zur ersten Richtung ist.
  12. Integrierte Schaltung nach Anspruch 10, wobei der Scan-Multiplex-Eingang an eine erste Seite des Masterlatchs grenzt und der Slavelatch an eine zweite Seite des Masterlatchs grenzt, wobei die zweite Seite parallel zur ersten Seite ist.
  13. Integrierte Schaltung nach Anspruch 12, die ferner umfasst: erste und zweite Taktinverterschaltungen, die auf einer Linie liegen, welche sich in einer ersten Richtung erstreckt, und die benachbarte Flipflops der mehreren Flipflops trennen, wobei die erste Taktinverterschaltung ein Taktsignal erhält und ein Takt-Balkensignal auf einer Taktleitung den Flipflops zuführt, wobei die Taktleitung sich in einer zweiten Richtung erstreckt, die senkrecht zur ersten Richtung ist.
  14. Integrierte Flipflop-Schaltung, umfassend: eine Masterlatch-Schaltung, die aus mehreren ersten Transistoren aufgebaut ist, welche auf einen Masterlatch-Bereich innerhalb eines Flipflopbereichs eines Halbleitersubstrats beschränkt sind; eine Scan-Multiplex-Eingangsschaltung, die betriebsmäßig mit einem Eingang der Masterlatch-Schaltung verbunden ist und aus mehreren zweiten Transistoren besteht, die auf einen Scan-Multiplex-Bereich innerhalb des Flipflopbereichs des Halbleiter-Substrats beschränkt sind, wobei der Scan-Multiplex-Bereich sich nicht mit dem Masterlatchbereich überlappt; und eine Slavelatch-Schaltung, die mit einem Ausgang der Masterlatch-Schaltung verbunden ist und aus mehreren dritten Transistoren besteht, die auf einen Slavelatch-Bereich innerhalb des Flipflopbereichs des Halbleiter-Substrats beschränkt sind, wobei der Slavelatch-Bereich sich nicht mit dem Masterlatch-Bereich und dem Scan-Multiplex-Bereich überlappt, wobei der Scan-Multiplex-Eingang an eine erste Seite des Masterlatchs grenzt und der Slavelatch an eine zweite Seite des Masterlatchs grenzt, wobei die zweite Seite senkrecht zur ersten Seite ist.
  15. Integrierte Schaltung nach Anspruch 14, wobei die Masterlatch-Schaltung einen ersten Satz von kreuzgekoppelten Invertern umfasst, und die Slavelatch-Schaltung einen zweiten Satz von kreuzgekoppelten Invertern umfasst.
  16. Integrierte Schaltung nach Anspruch 15, wobei ein Übertragungsgate den ersten Satz von kreuzgekoppelten Invertern mit dem zweiten Satz von kreuzgekoppelten Invertern verbindet.
DE102016116739.8A 2016-05-02 2016-09-07 Flipflop mit dargestelltem Layout für reduzierte Grundfläche Active DE102016116739B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/143,676 2016-05-02
US15/143,676 US9641161B1 (en) 2016-05-02 2016-05-02 Flip-flop with delineated layout for reduced footprint

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102016116739A1 DE102016116739A1 (de) 2017-11-02
DE102016116739B4 true DE102016116739B4 (de) 2021-05-06

Family

ID=58615713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102016116739.8A Active DE102016116739B4 (de) 2016-05-02 2016-09-07 Flipflop mit dargestelltem Layout für reduzierte Grundfläche

Country Status (5)

Country Link
US (5) US9641161B1 (de)
KR (1) KR101853561B1 (de)
CN (1) CN107404306B (de)
DE (1) DE102016116739B4 (de)
TW (1) TWI625940B (de)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9641161B1 (en) 2016-05-02 2017-05-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Flip-flop with delineated layout for reduced footprint
JP7116731B2 (ja) * 2017-09-11 2022-08-10 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体集積回路
KR102367860B1 (ko) * 2018-01-03 2022-02-24 삼성전자주식회사 반도체 장치
KR102518811B1 (ko) 2018-06-25 2023-04-06 삼성전자주식회사 멀티-하이트 스탠다드 셀을 포함하는 집적 회로 및 그 설계 방법
KR102650199B1 (ko) * 2018-11-20 2024-03-25 삼성전자주식회사 반도체 소자
US10930675B2 (en) * 2018-11-20 2021-02-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device
US11386254B2 (en) 2018-12-13 2022-07-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor circuit and semiconductor circuit layout system
US10868524B2 (en) 2018-12-13 2020-12-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor circuit and semiconductor circuit layout system
DE102020115154A1 (de) * 2019-06-14 2020-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multiplexer
US11057026B2 (en) 2019-08-07 2021-07-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Semi-dynamic flip-flop implemented as multi-height standard cell and method of designing integrated circuit including the same
KR20210029866A (ko) * 2019-09-06 2021-03-17 삼성전자주식회사 반도체 소자
KR102691279B1 (ko) * 2019-10-16 2024-08-01 삼성전자주식회사 반도체 장치
KR20210060025A (ko) * 2019-11-18 2021-05-26 삼성전자주식회사 스캔 플립플롭 및 이를 포함하는 스캔 테스트 회로
KR20210088043A (ko) 2020-01-03 2021-07-14 삼성전자주식회사 표준 셀을 포함하는 반도체 장치
US11509293B2 (en) * 2020-06-12 2022-11-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Footprint for multi-bit flip flop
JP2022051338A (ja) 2020-09-18 2022-03-31 キオクシア株式会社 半導体装置
CN114928351A (zh) 2021-04-06 2022-08-19 台湾积体电路制造股份有限公司 用于触发器的时序电路布置
KR20220139739A (ko) 2021-04-08 2022-10-17 삼성전자주식회사 플립 플롭 및 이를 포함하는 집적 회로를 설계하는 방법
US11901902B2 (en) 2021-05-25 2024-02-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated circuit including flip-flop and computing system for designing the integrated circuit
US11797745B2 (en) * 2021-06-28 2023-10-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device with reduced power and method of manufacturing the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160097811A1 (en) * 2014-10-02 2016-04-07 Ha-young Kim Scan flip-flop and scan test circuit including the same

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4602210A (en) * 1984-12-28 1986-07-22 General Electric Company Multiplexed-access scan testable integrated circuit
US5172011A (en) * 1989-06-30 1992-12-15 Digital Equipment Corporation Latch circuit and method with complementary clocking and level sensitive scan capability
JP3311244B2 (ja) 1996-07-15 2002-08-05 株式会社東芝 基本セルライブラリ及びその形成方法
JP2001339283A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Mitsubishi Electric Corp 遅延回路およびそのための半導体回路装置
US7234092B2 (en) * 2002-06-11 2007-06-19 On-Chip Technologies, Inc. Variable clocked scan test circuitry and method
US7415645B2 (en) * 2005-07-28 2008-08-19 International Business Machines Corporation Method and apparatus for soft-error immune and self-correcting latches
JP4868934B2 (ja) 2006-05-11 2012-02-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置
US7817470B2 (en) * 2006-11-27 2010-10-19 Mosaid Technologies Incorporated Non-volatile memory serial core architecture
US20090167394A1 (en) 2007-12-31 2009-07-02 Texas Instruments Incorporated Integrated circuits having devices in adjacent standard cells coupled by the gate electrode layer
US7843218B1 (en) * 2009-10-28 2010-11-30 Freescale Semiconductor, Inc. Data latch with structural hold
US8304354B2 (en) * 2010-04-22 2012-11-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods to avoid laser anneal boundary effect within BSI CMOS image sensor array
US8856704B2 (en) 2010-11-22 2014-10-07 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Layout library of flip-flop circuit
JP2012227395A (ja) 2011-04-20 2012-11-15 Panasonic Corp 半導体集積回路装置
US8451026B2 (en) * 2011-05-13 2013-05-28 Arm Limited Integrated circuit, method of generating a layout of an integrated circuit using standard cells, and a standard cell library providing such standard cells
US8525559B2 (en) * 2011-07-29 2013-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Non-overlap circuit
CN103576082B (zh) * 2012-08-06 2018-01-12 恩智浦美国有限公司 低功率扫描触发器单元
CN104009736B (zh) * 2013-02-26 2018-06-29 恩智浦美国有限公司 低功耗主从触发器
US9262573B2 (en) * 2013-03-08 2016-02-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cell having shifted boundary and boundary-shift scheme
US9786645B2 (en) 2013-11-06 2017-10-10 Mediatek Inc. Integrated circuit
TWI656622B (zh) 2014-09-23 2019-04-11 聯華電子股份有限公司 積體電路佈局結構
US9640480B2 (en) 2015-05-27 2017-05-02 Qualcomm Incorporated Cross-couple in multi-height sequential cells for uni-directional M1
US10523188B2 (en) 2016-02-23 2019-12-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device
US9461065B1 (en) 2016-03-11 2016-10-04 Pdf Solutions, Inc. Standard cell library with DFM-optimized M0 cuts and V0 adjacencies
KR102514044B1 (ko) 2016-03-22 2023-03-24 삼성전자주식회사 집적 회로 및 집적 회로의 설계 방법
KR102497218B1 (ko) 2016-04-29 2023-02-07 삼성전자 주식회사 복합 논리 셀을 포함하는 집적 회로
US9641161B1 (en) 2016-05-02 2017-05-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Flip-flop with delineated layout for reduced footprint
US10270430B2 (en) 2016-12-28 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Cell of transmission gate free circuit and integrated circuit and integrated circuit layout including the same
KR102367860B1 (ko) 2018-01-03 2022-02-24 삼성전자주식회사 반도체 장치
US10930675B2 (en) 2018-11-20 2021-02-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160097811A1 (en) * 2014-10-02 2016-04-07 Ha-young Kim Scan flip-flop and scan test circuit including the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20170317666A1 (en) 2017-11-02
TWI625940B (zh) 2018-06-01
US20190229715A1 (en) 2019-07-25
US12015409B2 (en) 2024-06-18
DE102016116739A1 (de) 2017-11-02
US9641161B1 (en) 2017-05-02
US11050415B2 (en) 2021-06-29
US20210297068A1 (en) 2021-09-23
KR101853561B1 (ko) 2018-04-30
TW201740682A (zh) 2017-11-16
KR20170124429A (ko) 2017-11-10
US20200099369A1 (en) 2020-03-26
CN107404306B (zh) 2020-08-11
CN107404306A (zh) 2017-11-28
US10270432B2 (en) 2019-04-23
US10530345B2 (en) 2020-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102016116739B4 (de) Flipflop mit dargestelltem Layout für reduzierte Grundfläche
DE102016117457B4 (de) Statische direktzugriffspeichervorrichtung mit vertikalen fet- vorrichtungen
DE102013105074B4 (de) Integrierter Schaltkreis, der FinFETs mit verschiedenen Finnenprofilen umfasst
DE102016113828B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE102004014472B4 (de) Anwendungsspezifischer integrierter Halbleiter-Schaltkreis
DE102010053571B4 (de) SRAM-Struktur mit FinFETs mit mehreren Rippen
DE2826847C2 (de) Hochintegrierte Halbleiterschaltungsanordnung
DE68917398T2 (de) Integrierte Schaltungshalbleiteranordnung mit verbesserter Einrichtung für Speiseleitungen.
DE102016114698A1 (de) SRAM-Struktur mit verringerter Kapazität und verringertem Widerstand
DE69517693T2 (de) Standardzellenbibliothek für den Entwurf von integrierten Schaltungen
DE2556274A1 (de) Logische schaltung hoher schaltungsdichte
DE102008006525A1 (de) Schaltungslayout für unterschiedliche Leistungsanforderungen und entsprechendes Verfahren
DE102008008673A1 (de) Layout einer MuGFET-Anordnung
DE102018117807B4 (de) Integrierte Doppellinien-Schaltkreisentwürfe für Doppel-Übertragungsgatter
DE10313926A1 (de) Halbleiterbauelement mit einem auf Zellen beruhenden Grundelementaggregat, welches ein vorspringendes Teil in einem aktiven Gebiet aufweist
DE2826722A1 (de) Programmierbare logische schaltung (pla) sowie herstellungs- und pruefverfahren
DE10036627A1 (de) Integrierter Schaltkreis
DE102016203060A1 (de) Array-substrat und verfahren zum bilden desselben
DE69314686T2 (de) Integrierte Masterslice-Schaltung mit reduzierten Chipabmessungen und vermindertem Speisespannungsrauschen
DE102016103820A1 (de) Halbleitervorrichtung, Layoutsystem und Standardzellbibliothek
DE102017120185A1 (de) Verfahren und integrierter Schaltungsentwurf mit nichtlinearen Stromschienen
DE10164606B4 (de) Flip-Chip-Halbleitereinrichtung mit außerhalb von Energiezufuhranschlussflächen angeordneten Signalanschlussflächen
DE69920121T2 (de) Wortleitungstreiberschaltung mit ringförmiger Vorrichtung
DE102019133640A1 (de) Bitzelle, die eine bit-schreib-maskierungsfunktion unterstützt
DE69018618T2 (de) Aktive flüssigkristall-punktmatrix-anzeigestruktur mit hoher auflösung.

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final