DE102015105796B4 - Debond- und Reinigungsprozess und -system - Google Patents

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Abstract

Verfahren, umfassend:Debonden einer Fläche eines ersten Substrats (40) von einem zweiten Substrat (44), wobei während des Debondens das erste Substrat (40) auf einem Band (72) innerhalb eines Rahmens (74, 152) auf einer Spannvorrichtung (70, 150) befestigt ist; undAnordnen eines Abdeckrings (82, 156) über dem Rahmen (74, 152), wobei der Abdeckring (82, 156) den Rahmen (74, 152) und äußere Abschnitte des Bandes (72) abdeckt und das erste Substrat (40) umgibt,Reinigen der Fläche des ersten Substrats (40) nach dem Debonden, wobei das Reinigen das physikalische in Kontakt bringen eines Reinigungsmechanismus (84) mit der Fläche des ersten Substrats (40) umfasst;wobei während des Reinigens das erste Substrat (40) auf dem Band (72) auf der Spannvorrichtung (70, 150) befestigt ist und der Abdeckring (82, 156) das Band (72) gegen Verunreinigung schützt.

Description

  • ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
  • Die Halbleiterindustrie hat aufgrund von kontinuierlichen Verbesserungen in der Integrationsdichte einer Vielzahl von elektronischen Komponenten (z. B. Transistoren, Dioden, Widerstände, Kondensatoren usw.) ein schnelles Wachstum erfahren. Größtenteils rührt diese Verbesserung in der Integrationsdichte von wiederholten Reduzierungen der minimalen Merkmalbreite (z. B. Verkleinern des Halbleiterprozessknotens in Richtung auf den Sub-20-nm-Knoten) her, was ermöglicht, dass mehr Komponenten in einen gegebenen Bereich integriert werden können. Während die Anforderungen an Miniaturisierung, höhere Geschwindigkeit und größere Bandbreite sowie niedrigeren Energieverbrauch und Latenzzeit in jüngster Zeit zugenommen haben, erhöhte sich auch die Notwendigkeit für kleinere und kreativere Packungstechniken von Halbleiterchiplagen.
  • Verbunden mit dieser Miniaturisierung von Bauelementen und Verbesserungen bei der Integrationsdichte hat die Halbleiterindustrie neue Packages (deutsch auch als Gehäuse bezeichnet) und Prozesse für das Integrieren des Halbleiterbauelements in einen Konsumartikel entwickelt. Es gibt zahlreiche Prozesse, um diese Halbleiterbauelemente zu packen (packaging) was in zahlreichen unterschiedlichen Packagekonfigurationen resultiert. Diese Packages können das reduzierte Footprint des Halbleiterbauelements mit anderen Komponenten aufnehmen, die, beispielsweise größere elektrische Verbindungen mit größerer Teilung erfordern können. US 2013 / 0 133 688 A1 beschreibt eine automatisierte Vorrichtung zum Debonden und Säubern von Wafern. Vorrichtungen zum Säubern von Wafern sind zudem beschrieben in US 2013 / 0 255 720 A1 und US 2012/0 145 204 A1 . US 2009 / 0 314 438 A1 lehrt eine Vorrichtung zum Entfernen von Klebstoffresten von einem Wafer.
  • Figurenliste
  • Aspekte der vorliegenden Offenbarung werden aus der folgenden ausführlichen Beschreibung am besten verstanden, wenn sie mit den begleitenden Figuren gelesen werden. Es ist zu beachten, dass gemäß der branchenüblichen Praxis verschiedene Merkmale nicht maßstäblich gezeichnet sind. Tatsächlich können die Dimensionen der verschiedenen Merkmale zur Übersichtlichkeit der Erörterung willkürlich vergrößert oder reduziert sein.
    • 1 ist eine Querschnittansicht eines vereinfachten Packagesubstrats, bei dem ein Debond- und Reinigungsprozess gemäß einigen Ausführungsformen angewandt werden kann.
    • Die 2A bis 2B sind ein Prozess für das Debonden eines Trägersubstrats von einem Packagesubstrat und das Reinigen des Packagesubstrats gemäß einigen Ausführungsformen.
    • Die 3A bis 3C sind Ansichten eines ersten Werkzeugs für das Implementieren eines Debond- und Reinigungsprozesses gemäß einigen Ausführungsformen.
    • Die 4A bis 4B sind Ansichten eines zweiten Werkzeugs für das Implementieren eines Debond- und Reinigungsprozesses gemäß einigen Ausführungsformen.
    • Die 5A bis 5C sind Ansichten einer beispielhaften Konfiguration, um einen Abdeckring gemäß einer Ausführungsform anzuordnen und zu entfernen.
    • Die 6A bis 6F sind Ansichten einer weiteren beispielhaften Konfiguration, um einen Abdeckring gemäß einer Ausführungsform anzuordnen und zu entfernen.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • Die folgende Offenbarung stellt viele unterschiedliche Ausführungsformen oder Beispiele bereit, um unterschiedliche Merkmale des bereitgestellten Gegenstandes zu implementieren. Es werden nachfolgend spezielle Beispiele von Komponenten und Anordnungen beschrieben, um die vorliegende Offenbarung zu vereinfachen. Beispielsweise kann die Bildung eines ersten Merkmals über oder auf einem zweiten Merkmal in der folgenden Beschreibung Ausführungsformen umfassen, bei denen die ersten und zweiten Merkmale in direktem Kontakt gebildet sind, und auch Ausführungsformen, bei denen zusätzliche Funktionen zwischen den ersten und zweiten Merkmalen gebildet sein können, sodass die ersten und zweiten Merkmale nicht in direktem Kontakt sein können. Außerdem kann die vorliegende Offenbarung Bezugsnummern und/oder -zeichen in den verschiedenen Beispielen wiederholen. Diese Wiederholung dient zum Zweck der Einfachheit und Übersichtlichkeit und diktiert nicht an sich eine Beziehung zwischen den verschiedenen beschriebenen Ausführungsformen und/oder Konfigurationen. Weiter werden Prozessausführungsformen hierin als in einer speziellen Reihenfolge ausgeführt beschrieben; jedoch ist es bei anderen Ausführungsformen denkbar, dass Prozesse in jeder logischen Reihenfolge ausgeführt werden können.
  • Weiter können räumlich relative Begriffe, wie „darunter“, „unter“, „untere“, „über“, „obere“ und dergleichen zur Erleichterung der Erörterung hierin verwendet sein, um die Beziehung eines Elements oder Merkmals zu einem bzw. zu anderen Elementen oder Merkmalen wie veranschaulicht in den Figuren zu beschreiben. Die räumlich relativen Begriffe sind dazu beabsichtigt, zusätzlich zu der Ausrichtung, die in den Figuren gezeigt ist, verschiedene Ausrichtungen des Bauelements bei der Verwendung oder beim Betrieb des Bauelements zu umfassen. Die Vorrichtung kann anderweitig ausgerichtet sein (um 90 Grad gedreht oder in anderen Ausrichtungen) und die hier verwendeten räumlichen relativen Beschreiber können desgleichen dementsprechend interpretiert werden.
  • Einige Ausführungsformen werden nachfolgend in einem spezifischen Kontext, das heißt, einem Debond- und Reinigungsprozess, beschrieben, der auf ein Fan-out- oder Fan-in-WaferebenenPackage angewandt wird. Jedoch können Aspekte dieser Offenbarung in vielen anderen Zusammenhängen Anwendung finden, wie beispielsweise bei irgendwelchen Komponenten, die mit einer Trennbeschichtung zusammengebondet sind, die dann anschließend gedebondet werden. Weiter werden einige Modifikationen an Prozessen und Systemen nachfolgend beschrieben und der Durchschnittsfachmann wird ohne Weiteres zusätzliche Modifikationen erkennen, die angewandt werden können. Ausführungsformen beabsichtigen diese Modifikationen.
  • 1 veranschaulicht eine Querschnittansicht eines vereinfachten Packagesubstrats 40, wie ein Fan-out- oder Fan-in-WaferebenenPackage, das an ein Trägersubstrat 44 durch eine Licht-zu-Wärme-Umwandlungs- (LTHC) -Trennbeschichtung 42 gebondet ist. Ein hier beschriebener Debond- und Reinigungsprozess kann auf diese Struktur in 1 angewandt werden, obwohl Ausführungsformen verschiedene andere Packages, Packagesubstrate und/oder Komponenten denkbar machen.
  • Das Trägersubstrat 44 kann ein Glassubstrat, Siliziumsubstrat, Aluminiumoxidsubstrat oder dergleichen sein und kann ein Wafer sein. Die LTHC-Trennbeschichtung 42 befindet sich auf dem Trägersubstrat 44. Das Trägersubstrat 44 stellt temporär mechanische und strukturelle Unterstützung während der Verarbeitungsschritte bereit, um das Packagesubstrat 40 zu bilden. Die LTHC-Trennbeschichtung 42 ist auf einer Fläche des Trägersubstrats 44 gebildet. Die LTHC-Trennbeschichtung 42 ist beispielsweise ein Oxid, ein Nitrid, ein organisches Material, dergleichen oder eine Kombination davon, wie ein polyimidbasiertes Material. Die LTHC-Trennbeschichtung 42 kann unter Verwendung von Laminierung, Schleuderbeschichtung, dergleichen oder einer Kombination davon gebildet sein.
  • Das Packagesubstrat 40 umfasst eine oder mehrere integrierte Schaltung- (IC) -Chiplagen 46. Die IC-Chiplagen 46 umfassen jeweils ein Halbleitersubstrat, wie Silizium, dotiert oder undotiert, oder eine aktive Schicht eines Halbleiter-auf-Isolator- (SOI) -Substrats. Das Halbleitersubstrat kann einen weiteren Elementhalbleiter wie Germanium; einen Verbindungshalbleiter einschließlich Siliziumkarbid, Galliumarsen, Galliumphosphid, Indiumphosphid, Indiumarsenid und/oder Indiumantimonid; einen Legierungshalbleiter einschließlich SiGe, GaAsP, AlInAs, AIGaAs, GalnAs, GaInP und/oder GaInAsP; oder Kombinationen davon umfassen. Andere Substrate wie Mehrschicht- oder Gradientensubstrate können auch verwendet werden. Bauelemente wie Transistoren, Dioden, Kondensatoren, Widerstände usw. können in und/oder auf dem Halbleitersubstrat gebildet sein und können durch Kopplungsstrukturen verbunden sein, die beispielsweise durch Metallisierungsstrukturen in einer oder mehreren dielektrischen Schichten auf dem Halbleitersubstrat gebildet sind, um eine integrierte Schaltung zu bilden.
  • Die Chiplagenanschlüsse 48 wie leitende Säulen (die beispielsweise ein Metall wie Kupfer umfassen) befinden sich außerhalb der IC-Chiplagen 46 und sind mechanisch und elektrisch mit den entsprechenden IC-Chiplagen 46 gekoppelt, was als entsprechende aktive Seiten der IC-Chiplagen 46 bezeichnet werden kann. Die Chiplagenanschlüsse 48 koppeln die entsprechenden integrierten Schaltungen der IC-Chiplagen 46 elektrisch.
  • Ein Dielektrikum 50 befindet sich auf den aktiven Seiten der IC-Chiplagen 46. Das Dielektrikum 50 kapselt seitlich die Chiplagenanschlüsse 48 ein, die obere Flächen aufweisen, die mit oberen Flächen des Dielektrikums 50 komplanar sind, und das Dielektrikum 50 endet seitlich mit den entsprechenden IC-Chiplagen 46. Das Dielektrikum 50 kann ein Polymer wie Polybenzoxazol (PBO), Polyimid, Benzocyclobuten (BCB) oder dergleichen; ein Nitrid wie Siliziumnitrid oder dergleichen; ein Oxid wie Siliziumoxid, Phosphorsilikatglas (PSG), Borosilikatglas (BSG), bordotiertes Phosphorsilikatglas (BPSG) oder dergleichen; dergleichen oder eine Kombination davon sein.
  • Die Rückseiten der IC-Chiplagen 46 oder Seiten, die den aktiven Seiten gegenüberliegen, sind an der LTHC-Trennbeschichtung 42 auf dem Trägersubstrat 44 mittels eines Klebers 51 angeklebt. Der Kleber 51 kann jeder geeignete Kleber, Epoxid oder dergleichen sein.
  • Ein Vergussmaterial 52 kapselt mindestens seitlich die IC-Chiplagen 46 ein. Das Vergussmaterial 52 weist eine erste Fläche auf, die an die LTHC-Trennbeschichtung 42 angrenzt, und eine zweite Fläche, die mit oberen Flächen des Dielektrikums 50 und den Chiplagenanschlüssen 48 komplanar ist. Das Vergussmaterial 52 kann eine Formmasse, Epoxid oder dergleichen sein.
  • Eine Umverteilungsstruktur 54 umfasst eine oder mehrere Metallisierungsstrukturen 56 in einer oder mehreren dielektrischen Schichten 58. Mindestens ein Abschnitt der einen oder der mehreren Metallisierungsstrukturen 56 ist elektrisch mit den entsprechenden integrierten Schaltungen auf den IC-Chiplagen 46 durch die entsprechenden Chiplagenanschlüsse 48 gekoppelt. Die eine oder mehreren Metallisierungsstrukturen 56 können irgendwelche aus Leitungen, Vias, Pads, dergleichen oder einer Kombination davon umfassen und können ein leitfähiges Material wie ein Metall wie Kupfer, Titan, Wolfram, Aluminium oder dergleichen umfassen. Der eine oder die mehreren dielektrischen Schichten 58 können ein Polymer wie PBO, Polyimid, BCB oder dergleichen; ein Nitrid wie Siliziumnitrid oder dergleichen; ein Oxid wie Siliziumoxid, PSG, BSG, BPSG oder dergleichen; dergleichen; oder eine Kombination davon sein.
  • Die eine oder die mehreren Metallisierungsstrukturen 56 umfassen ein Untermetall 60, das auf der Umverteilungsstruktur 54 freigelegt ist. Ein externer Anschluss 62 wie eine Lötkugel wie eine Kugelgitteranordnungs- (BGA) -Kugel, befindet sich auf dem Untermetall 60. Bei einigen Ausführungsformen umfasst der externe Anschluss 62 Lot wie eine Sn-Ag-Legierung, eine Sn-Ag-Cu-Legierung oder dergleichen und kann bleifrei oder bleihaltig sein.
  • In der Konfiguration in 1 umfasst das Packagesubstrat 40 unvereinzelte Packages. Das Packagesubstrat 40 kann jegliche Anzahl von Packages umfassen. Das Packagesubstrat 40 wird auf dem Trägersubstrat 44 gebildet und verarbeitet, das ein Wafer sein kann. Wie vorstehend angeführt kann das Packagesubstrat 40 verschiedene Modifikationen oder Konfigurationen aufweisen und 1 ist lediglich ein Beispiel. Andere Packagesubstrate können verwendet werden.
  • Die 2A bis 2G veranschaulichen einen Prozess für das Debonden eines Trägersubstrats 44 von einem Packagesubstrat 40 und das Reinigen des Packagesubstrats 40 gemäß einigen Ausführungsformen. In 2A ist das Packagesubstrat 40, das an das Trägersubstrat 44 durch die LTHC-Trennbeschichtung 42 gebondet ist, auf einer Spannvorrichtung 70 und innerhalb eines Rahmens 74 unter Verwendung eines Bandes 72 befestigt. Das Packagesubstrat 40 ist auf dem Band 72 derart befestigt, dass das Trägersubstrat 44 sich weg nach oben von der Spannvorrichtung 70 befindet, wie z. B. die externen Anschlüsse 62 des Packagesubstrats 40, die am Band 72 angeklebt sind.
  • In 2B wird ein Debondprozess ausgeführt. Eine Strahlenexposition 76 scannt durch das Trägersubstrat 44 bis mindestens zur LTHC-Trennbeschichtung 42. Wenn die Strahlenexposition 76 auf die LTHC-Trennbeschichtung 42 auftrifft, zersetzt sich die LTHC-Trennbeschichtung 42, wodurch das Trägersubstrat 44 vom Packagesubstrat 40 gedebondet wird. Bei einigen Ausführungsformen ist die Strahlenexposition 76 ein Laserscan, eine einzelne großflächige Exposition oder irgendeine andere Exposition und kann Infrarot- (IR) -Licht, Ultraviolett- (UV) -Licht oder dergleichen verwenden. Die Details der Strahlenexposition 76 können von dem für die Trennbeschichtung verwendeten Material abhängen. Beispielsweise kann UV-Licht verwendet werden, wenn die Trennbeschichtung ein UV-Kleber ist. Jeder zulässige Debondprozess kann verwendet werden, um die Trennbeschichtung zwischen dem Packagesubstrat 40 und dem Trägersubstrat 44 zu zersetzen. Nach dem Debonden wird das Trägersubstrat 44 entfernt und wie veranschaulicht in 2C kann ein Rückstand 78 der LTHC-Trennbeschichtung 42 auf einer Fläche 80 des Packagesubstrats 40 verbleiben.
  • In 2D ist ein Abdeckring 82 über dem Rahmen 74 angeordnet und kontaktiert das Band 72. Obwohl das Packagesubstrat 40 auf der Spannvorrichtung 70 veranschaulicht ist, kann es auf ein anderes Modul mit einer unterschiedlichen Spannvorrichtung übertragen werden oder anschließend auf der gleichen Spannvorrichtung 70 im gleichen Modul verarbeitet werden, wie es nachfolgend ausführlicher beschrieben wird. Daher kann die nachfolgende Erörterung des Prozesses in einem gleichen Modul (z. B. mit einer gleichen Spannvorrichtung) wie die vorhergehenden Schritte erfolgen oder in einem unterschiedlichen Modul (z. B. mit einer unterschiedlichen Spannvorrichtung) ausgeführt werden.
  • Der Abdeckring 82 deckt den Rahmen 74 und äußere Abschnitte des Bandes 72 ab, die dem Packagesubstrat 40 nicht direkt unterliegen. Der Abdeckring 82 umgibt das Packagesubstrat 40. Der Abdeckring 82 kann das Band 72 kontaktieren, um eine undurchlässige oder halbundurchlässige Dichtung zu bilden, die eine Partikelverunreinigung auf dem Band 72 verhindern kann. Wie veranschaulicht, umfasst der Abdeckring 82 einen Flanschabschnitt 82a und einen Erweiterungsabschnitt 82b. Der Flanschabschnitt 82a ist am Rahmen 74 befestigt und befindet sich im Wesentlichen in einer Ebene parallel zum Band 72. Der Erweiterungsabschnitt 82b erstreckt sich vom Flanschabschnitt 82a und kontaktiert das Band 72. Der Erweiterungsabschnitt 82b umgibt laterale Seiten des Packagesubstrats 40. Es kann ein Spalt zwischen dem Erweiterungsabschnitt 82b und den lateralen Seiten des Packagesubstrats 40 vorhanden sein. Der in diesen Figuren veranschaulichte Abdeckring 82 ist lediglich ein Beispiel und ein Abdeckring kann viele Modifikationen aufweisen.
  • In 2E kontaktiert eine Reinigungsvorrichtung 84 die Fläche 80 des Packagesubstrats 40, um einen Rückstand 78 von der Fläche 80 zu entfernen. Die Reinigungsvorrichtung 84 kann eine Bürste, ein Schwamm, dergleichen oder eine Kombination davon sein. Eine Bürste kann eine Basis und an der Basis befestigte Borsten umfassen. Die Borsten können eine flexible, kammartige Materialkonfiguration sein. Beispielhafte Materialien umfassen Polyvinylacetat (PVA), Mohair, Schwamm, Fasern, Tuch, Nylon, Kunstseide, Polyester, Polymer oder dergleichen. Ein Schwamm kann einen PVA-Schwamm oder dergleichen umfassen. Die Reinigungsvorrichtung 84 bewegt sich über die und in Kontakt mit der Fläche 80, um den Rückstand 78 physikalisch von der Fläche zu entfernen. Ein Reinigungsmechanismus umfasst nicht die reine Verwendung von Chemikalien und nicht nur die reine Verwendung von einem chemisch-mechanischen Polieren- (CMP) -Prozess und - Werkzeug.
  • Eine Flüssigkeit 88 wird aus einer Sprühdüse 86 gesprüht. Die Flüssigkeit 88 kann die Fläche 80 spülen, während sich die Reinigungsvorrichtung 84 über die Fläche 80 bewegt. Daher kann die Flüssigkeit 88 beim Entfernen von Rückstand 78 und Staub von der Fläche 80 unterstützen. Die Flüssigkeit 88 kann vollentsalztes (DI) Wasser, Isopropylalkohol (IPA), eine Kombination davon oder dergleichen sein. Die Reinigungsvorrichtung 84 kann sich jegliche Anzahl von Malen über die und in Kontakt mit der Fläche 80 bewegen, um den Rückstand 78 ausreichend zu entfernen.
  • In 2F ist die Fläche 80 des Packagesubstrats 40 als frei von Staub und Rückstand 78 gezeigt, was im Wesentlichen jeglichen Staub und Rückstand umfasst, der von der Fläche 80 entfernt wird. In 2G wird der Abdeckring 82 entfernt und das Packagesubstrat 40 anschließend zurück auf eine Rahmenkassette übertragen. Anschließend wird das Packagesubstrat 40 zerschnitten oder zersägt, um individuelle Packages zu vereinzeln, die im Packagesubstrat 40 gebildet wurden.
  • 3A zeigt ein erstes Werkzeug 100 zum Implementieren eines Debond- und Reinigungsprozesses gemäß einigen Ausführungsformen und die 3B und 3C zeigen weitere Aspekte von Modulen des Werkzeugs 100 in 3A. Das Werkzeug 100 umfasst ein Einrichtungs-Front-End-Modul (EFEM) 102, ein Vorausrichtungsmodul 104, ein Debondmodul 106, ein Trägerrecyclingmodul 108 und ein Reinigungsmodul 110. Das Werkzeug 100 umfasst ebenfalls einen Steuerkasten 116 und eine Stromversorgung 118. Der Steuerkasten 116 kann einen oder mehrere elektronische Controller und/oder Prozessoren umfassen, die einen automatischen Prozess des Werkzeugs 100 steuern, wie beispielsweise gemäß einem Rezept, das durch einen Speicher (z. B. ein nicht flüchtiges Medium) in Steuerkasten 116 oder entfernt vom Werkzeug 100 bereitgestellt wird. Das Werkzeug 100 kann einen Steuerkasten 116 aufweisen, um alle Werkzeuge und Module im Werkzeug 100 zu automatisieren und zu steuern, oder es kann getrennte Steuerkästen 116 aufweisen, um ein oder mehrere von den Modulen im Werkzeug 100 und Werkzeuge innerhalb der Module zu automatisieren und zu steuern. Die Stromversorgung 118 liefert einen geeigneten Strom zu verschiedenen Komponenten innerhalb des Werkzeugs 100. Das Werkzeug 100 kann eine Stromversorgung 118 aufweisen, um Strom an alle Module im Werkzeug 100 zu liefern, oder es kann getrennte Stromversorgungen 118 aufweisen, um Strom an ein oder mehrere von den Modulen im Werkzeug 100 zu liefern. Die Rahmenkassetten 112 und Front Opening Unified Pods (FOUPs) 114 sind gekoppelt mit dem EFEM 102 des Werkzeugs 100 veranschaulicht.
  • Das EFEM 102 umfasst ein Übertragungswerkzeug 120, das Substrate zwischen Modulen und zu und von Rahmenkassetten 112 und FOUPs 114 übertragen kann. Das Übertragungswerkzeug 120 kann einen Roboterarm, Übertragungsführungen oder dergleichen umfassen. Die Übertragungswerkzeuge 120 können durch einen elektronischen Controller und/oder Prozessor in einem Steuerkasten 116 derart gesteuert werden, dass die Übertragung von Substraten beispielsweise gemäß einem Rezept automatisiert wird.
  • Das Vorausrichtungsmodul 104 umfasst ein Ausrichtungswerkzeug, das Substrate geeignet zum Verarbeiten ausrichten kann. Eine Rahmenkassette 112 mit den Substraten, die gedebondet werden sollen, wie z. B. das Packagesubstrat 40 und das Trägersubstrat 44, ist mit dem EFEM 102 gekoppelt. Das Übertragungswerkzeug 120 im EFEM 102 überträgt die Substrate 40 und 44 von einer Rahmenkassette 112 zum Ausrichtungswerkzeug im Vorausrichtungsmodul 104, wo die Substrate 40 und 44 für das nachfolgende Verarbeiten ausgerichtet werden. Das Ausrichtungswerkzeug oder weiter das Vorausrichtungsmodul 104 kann durch einen elektronischen Controller und/oder Prozessor in einem Steuerkasten 116 derart gesteuert werden, dass die Ausrichtung von Substraten beispielsweise gemäß einem Rezept automatisiert wird.
  • Unter Bezugnahme auf die 3A und 3B umfasst das Debondmodul 106 eine Strahlenquelle 122, eine Spannvorrichtung 124 mit einem Rahmen 126, einen Motor 128, einen Roboterarm 130 und ein Vakuumsystem 132. Die Spannvorrichtung 124 mit dem Rahmen 126 ist konfiguriert, ein Substrat, z. B. das Packagesubstrat 40 und das Trägersubstrat 44 während eines Debondprozesses zu tragen. Der Motor 128 ist konfiguriert, die Spannvorrichtung 124 und daher ein Substrat auf der Spannvorrichtung 124 zu drehen 136. Die Strahlenquelle 122 ist konfiguriert, Strahlung 134 auf ein Substrat auf der Spannvorrichtung 124 zu emittieren. Die Strahlenquelle 122 kann jede geeignete Strahlung, wie IR-Licht, UV-Licht oder dergleichen, in jeder zulässigen Form wie Laser oder jeder zulässigen Exposition emittieren, die eine Trennbeschichtung zersetzen kann, die verwendet wird, um die Substrate 40 und 44 zu bonden. Das Vakuumsystem 132 ist auf dem Roboterarm 130 befestigt und/oder darin integriert. Der Roboterarm 130 ist konfiguriert, sich zu drehen 138 und/oder zu teleskopieren 140, um das Vakuumsystem 132 in Kontakt mit dem Trägersubstrat 44 zu positionieren, sobald es gedebondet ist, und das Trägersubstrat 44 zum Übertragungswerkzeug 120 der EFEM 102 zu übertragen. Das Vakuumsystem 132 ist konfiguriert, eine Druckdifferenz wie ein Vakuum bereitzustellen, wenn es ausreichend in Kontakt mit dem Trägersubstrat 44 ist, um das Trägersubstrat 44 am Roboterarm 130 zu befestigen. Jedes der Werkzeuge und jede der Komponenten im Debondmodul 106 kann durch einen elektronischen Controller und/oder Prozessor in einem Steuerkasten 116 derart gesteuert werden, dass das Debonden und Übertragen von Substraten beispielsweise gemäß einem Rezept automatisiert wird.
  • Das Debondmodul 106 kann den Prozess implementieren, der in Bezug auf die 2A bis 2C beschrieben ist. Wie in 2A gezeigt, ist ein Packagesubstrat 40, das an einem Trägersubstrat 44 mittels einer Trennbeschichtung gebondet ist, auf der Spannvorrichtung 124 und innerhalb des Rahmens 126 unter Verwendung eines Bandes (nicht dargestellt) befestigt. Das Übertragungswerkzeug 120 der EFEM 102 kann die Substrate 40 und 44 vom Vorausrichtungsmodul 104 übertragen und die Substrate 40 und 44 auf der Spannvorrichtung 124 befestigen. Sobald der Motor 128 befestigt ist, kann er beginnen, die Spannvorrichtung 124 und die Substrate 40 und 44 zu drehen 136. Die Drehung 136 kann eine Strahlungs- 134 - Exposition wie einen Laserscan erleichtern. Bei anderen Ausführungsformen ist beispielsweise keine Drehung der Spannvorrichtung und der Substrate erforderlich, wenn der Scan ausschließlich durch die Strahlenquelle 122 implementiert wird, oder wenn kein Scan verwendet wird, wie beispielsweise wenn eine Exposition eines gesamten Bereichs verwendet wird.
  • Die Strahlenquelle 122 stellt eine Strahlung 134 bereit, die auf die Substrate 44 und 40 gerichtet ist, um einen Debondprozess, wie er in Bezug auf 2B vorstehend erörtert wurde, auszuführen. Wie vorstehend beschrieben, kann die Strahlung 134 durch das Trägersubstrat 44 bis mindestens zur Trennbeschichtung scannen, um die Trennbeschichtung zu zersetzen, wodurch das Trägersubstrat 44 vom Packagesubstrat 40 gedebondet wird. Jeder zulässige Debondprozess kann verwendet werden, um die Trennbeschichtung zwischen dem Packagesubstrat 40 und dem Trägersubstrat 44 zu zersetzen. Sobald der Trennfilm ausreichend zersetzt ist, beendet der Motor 128 die Drehung 136 der Spannvorrichtung 124 und des Substrats 40 und 44, wenn eine Drehung 136 während des Debondens verwendet wurde.
  • Nach dem Debonden dreht sich 138 der Roboterarm 130, um das Vakuumsystem 132 direkt über dem Trägersubstrat 44 zu positionieren, und teleskopiert 140 dann nach unten, bis das Vakuumsystem 132 das Trägersubstrat 44 kontaktiert. Das Vakuumsystem 132 wird eingeschaltet, und/oder die Druckdifferenz erhöht, sobald das Vakuumsystem 132 das Trägersubstrat 44 kontaktiert, wodurch das Trägersubstrat 44 befestigt wird. Der Roboterarm 130 teleskopiert 140 dann nach oben, um das Trägersubstrat 44 vom Packagesubstrat 40 zu trennen. Der Roboterarm 130 kann sich dann zu einer Position drehen 138, die sich nicht direkt über dem Packagesubstrat 40 befindet. Das Übertragungswerkzeug 120 kann dann das Trägersubstrat 44 befestigen und das Vakuumsystem 132 kann das Trägersubstrat 44 freigeben. Das Übertragungswerkzeug 120 überträgt dann das Trägersubstrat 44 zum Trägerrecyclingmodul 108.
  • Das Trägerrecylingmodul 108 kann jegliche geeigneten Werkzeuge umfassen, um Trägersubstrate für die nachfolgende Wiederverwendung aufzuarbeiten. Beispielsweise kann das Trägerrecyclingmodul 108 eine Tauchwanne umfassen, in die Trägersubstrate mit geeigneten Lösungsmitteln gelegt werden, um Staub oder Rückstand von z. B. der Trennbeschichtung vom Bonden mit einem Packagesubstrat zu entfernen. Sobald das Trägersubstrat 44 entsprechend aufgearbeitet ist, überträgt das Übertragungswerkzeug 120 der EFEM 102 das Trägersubstrat 44 zu einem FOUP 114, das dann abgenommen und auf ein anderes Werkzeug übertragen werden kann, um das Trägersubstrat 44 wieder zu verwenden. Die Tauchwanne und/oder irgendwelche anderen Werkzeuge des Trägerrecyclingmoduls 108 können durch einen elektronischen Controller und/oder Prozessor in einem Steuerkasten 116 derart gesteuert werden, dass die im Trägerrecyclingmodul 108 implementierten Prozesse beispielsweise gemäß einem Rezept automatisiert werden.
  • Nach dem Debonden kann der Rückstand der Trennbeschichtung auf dem Packagesubstrat 40 wie veranschaulicht in 2C verbleiben. Das Übertragungswerkzeug 120 der EFEM 102 überträgt das Packagesubstrat 40 zum Reinigungsmodul 110, sodass ein Reinigungsprozess am Packagesubstrat 40 ausgeführt werden kann, um jeglichen Rückstand und Staub zu entfernen.
  • Unter Bezugnahme auf die 3A und 3C umfasst das Reinigungsmodul 110 eine Spannvorrichtung 150 mit einem Rahmen 152, einen Motor 154, einen Abdeckring 156, einen Roboterarm 158 und ein Reinigungssystem. Die Spannvorrichtung 150 mit dem Rahmen 152 ist konfiguriert, ein Substrat, wie z. B. das Packagesubstrat 40, während eines Reinigungsprozesses zu tragen. Der Motor 154 ist konfiguriert, die Spannvorrichtung 150 und daher, ein Substrat auf der Spannvorrichtung 150 zu drehen 168.
  • Der Abdeckring 156 kann eine trennbare Komponente im Reinigungsmodul 110 sein oder kann beispielsweise am Rahmen 152 befestigt sein. Bei einigen Ausführungsformen wird wie gezeigt in den 5A und 5B der Abdeckring 156 am Rahmen 152 und an der Spannvorrichtung 150 durch einen sich hin- und herbewegenden Arm 252 im Reinigungsmodul 110 angeordnet. Um den Abdeckring 156 anzuordnen, kann der sich hin- und herbewegende Arm ausfahren 250, wie beispielsweise von oberhalb der Spannvorrichtung 150 nach unten, und den Abdeckring 156 auf dem Rahmen 152 anordnen, wo eine oder mehrere Klemmvorrichtungen 254 den Abdeckring 156 am Rahmen 152 befestigen können. Wie gezeigt in den 5B und 5C, kann der sich hin- und herbewegende Arm 252 ausfahren, den Abdeckring 156 befestigen und den Abdeckring 156 vom Rahmen 152 beispielsweise durch Zurückziehen 256 des sich hin- und herbewegenden Arms 252 entfernen, um den Abdeckring 156 zu entfernen. Bei anderen Ausführungsformen ist der Abdeckring 156 am Rahmen 152 durch einen Scharniermechanismus befestigt. Ein Beispiel ist in den 6A bis 6F gezeigt, wobei die 6A bis 6C Querschnittansichten und die 6D bis 6F Draufsichten sind. Der Abdeckring 156 kann in mehreren getrennten Abschnitten 156a vorhanden sein, wobei jeder Abschnitt 156a durch einen Scharniermechanismus am Rahmen 152 befestigt ist. Wenn der Abdeckring 156 zur Verwendung angeordnet (oder beispielsweise wie gezeigt in den 6B und 6E geschlossen) werden soll, kann jeder Abschnitt 156a durch den Scharniermechanismus und/oder einen Servomotor beispielsweise wie gezeigt in den 6A, 6B, 6D und 6E an Ort und Stelle gedreht werden 260. Wenn der Abdeckring 156 entfernt (oder beispielsweise wie gezeigt in den 6C und 6F geöffnet) werden soll, kann jeder Abschnitt 156a durch den Scharniermechanismus und/oder den Servomotor beispielsweise von der Spannvorrichtung 150 weg wie gezeigt in den 6C und 6F gedreht werden 262. Andere Konfigurationen des Abdeckrings 156 können verwendet werden.
  • Das Reinigungssystem ist am Roboterarm 158 befestigt und/oder darin integriert. Das Reinigungssystem umfasst eine Reinigungsvorrichtung 160, eine Sprühdüse 162, Rohr 164, um eine Flüssigkeit zur Reinigungsvorrichtung 160 zu liefern und Rohr 166, um eine Flüssigkeit zur Sprühdüse 162 zu liefern. Die Reinigungsvorrichtung 160 kann eine Bürste, ein Schwamm, dergleichen oder eine Kombination davon sein. Eine Bürste kann eine Basis und an der Basis befestigte Borsten umfassen. Die Borsten können eine flexible, kammartige Materialkonfiguration sein. Beispielhafte Materialien umfassen PVA, Mohair, Schwamm, Fasern, Tuch, Nylon, Kunstseide, Polyester, Polymer oder dergleichen. Ein Schwamm kann einen PVA-Schwamm oder dergleichen umfassen. Die Flüssigkeit kann durch das Rohr 164 und 166 von einem Tank oder Behälter im Reinigungsmodul 110 oder von einem Ort entfernt vom Reinigungsmodul 110 zugeführt werden. Obwohl die Sprühdüse 162 bei dieser Ausführungsform als auf dem Roboterarm 158 befindlich und/oder darin integriert veranschaulicht ist, kann sich die Sprühdüse 162 an einem festen Ort im Reinigungsmodul 110 getrennt vom Roboterarm 158 befinden oder an einem unterschiedlichen Roboterarm, der von der Reinigungsvorrichtung 160 getrennt ist.
  • Der Roboterarm 158 ist konfiguriert, sich zu drehen 170 und/oder zu teleskopieren 172, um das Reinigungssystem in Kontakt mit dem Packagesubstrat 40 zu positionieren. Das Reinigungssystem ist derart konfiguriert, dass die Reinigungsvorrichtung 160 das Packagesubstrat 40 kontaktieren kann, und die Sprühdüse 162 kann während eines Reinigungsprozesses eine Flüssigkeit auf das Packagesubstrat 40 sprühen. Jedes der Werkzeuge und jede der Komponenten im Reinigungsmodul 110 kann durch einen elektronischen Controller und/oder Prozessor in einem Steuerkasten 116 derart gesteuert werden, dass das Reinigen von Substraten beispielsweise gemäß einem Rezept automatisiert wird.
  • Das Reinigungsmodul 110 kann den Prozess implementieren, der in Bezug auf die 2D bis 2G beschrieben wird. Wie in 2D ist ein Packagesubstrat 40 auf der Spannvorrichtung 150 und innerhalb des Rahmens 152 unter Verwendung eines Bandes (nicht dargestellt) befestigt. Das Übertragungswerkzeug 120 der EFEM 102 kann das Packagesubstrat 40 vom Debondmodul 106 übertragen und das Packagesubstrat 40 auf der Spannvorrichtung 150 befestigen. Sobald es befestigt ist, wird der Abdeckring 156 auf dem Rahmen 152 und der Spannvorrichtung 150 angeordnet. Das Anordnen des Abdeckrings 156 kann den sich hin- und herbewegenden Arm oder die Drehung von Abdeckringabschnitten verwenden, um den Abdeckring 152 wie vorstehend beschrieben „zu schließen“. Dann kann der Motor 154 beginnen, die Spannvorrichtung 150 und das Packagesubstrat 40 zu drehen 168. Die Drehung 168 kann das Reinigen erleichtern. Bei anderen Ausführungsformen ist keine Drehung der Spannvorrichtung und des Packagesubstrats erforderlich.
  • Der Roboterarm 158 dreht sich 170, um das Reinigungssystem direkt oberhalb des Packagesubstrats 40 zu positionieren. Der Roboterarm 158 teleskopiert 172 dann nach unten, bis die Reinigungsvorrichtung 160 das Packagesubstrat 40 kontaktiert. Die Reinigungsvorrichtung 160 kann bei oder nahe einer Mitte des Packagesubstrats 40 starten und der Roboterarm 158 kann sich in Richtung auf eine Außenkante des Packagesubstrats 40 drehen 170, während der Motor 154 die Spannvorrichtung 150 und das Packagesubstrat 40 dreht. Auf diese Weise kann die Reinigungsvorrichtung 160 im Wesentlichen eine Gesamtheit einer Fläche des Packagesubstrats 40 (z. B. die Fläche 80 in 2E) kontaktieren und reinigen. Sobald die Reinigungsvorrichtung 160 die Außenkante des Packagesubstrats 40 erreicht, kann der Roboterarm 158 nach oben teleskopieren 172 und sich weg vom Packagesubstrat 40 drehen 170. Diese Aktionen der Reinigungsvorrichtung 160 des Kontaktierens des Packagesubstrats 40 und des Übergebens des Packagesubstrats 40 können jegliche Anzahl von Malen wiederholt werden. Die Reinigungsvorrichtung 160 kann das Packagesubstrat 40 auf unterschiedliche Weisen kontaktieren und es können unterschiedliche Techniken verwendet werden, um die Reinigungsvorrichtung über das Packagesubstrat 40 zu bewegen.
  • Flüssigkeit kann zum Packagesubstrat 40 auf viele unterschiedliche Arten und Weisen zugeführt werden, um den Reinigungsprozess zu erleichtern. Sobald sie sich direkt oberhalb des Packagesubstrats 40 befindet, kann die Sprühdüse 162 beispielsweise damit beginnen, eine Flüssigkeit wie DI-Wasser, IPA oder dergleichen, die durch das Rohr 166 zugeführt wird, wie veranschaulicht in 2E auf das Packagesubstrat 40 zu sprühen. Die durch das Rohr 166 und die Sprühdüse 162 zugeführte Flüssigkeit kann nur kurz nach der Initiierung des Kontaktes der Reinigungsvorrichtung 160 mit dem Packagesubstrat 40, nur während des Kontaktes der Reinigungsvorrichtung 160 mit dem Packagesubstrat 40, während des Kontaktes und nach dem Kontakt der Reinigungsvorrichtung 160 mit dem Packagesubstrat 40 oder anhand irgendeiner Variation dazwischen gesprüht werden.
  • Sobald der Roboterarm 158 frei von dem Packagesubstrat 40 auf der Spannvorrichtung 150 ist, kann Flüssigkeit, wie DI-Wasser oder dergleichen durch das Rohr 164 zur Reinigungsvorrichtung 160 zugeführt werden, um jeglichen Staub abzuspülen, der sich auf der Reinigungsvorrichtung 160 während des Reinigens mit der Reinigungsvorrichtung 160 angesammelt hat. Weiter kann Flüssigkeit, die durch das Rohr 164 und die Reinigungsvorrichtung 160 zugeführt wird, Flüssigkeit, die von der Sprühdüse 162 während des Reinigungsprozesses gesprüht wird, ergänzen.
  • Nachdem die Flüssigkeit, die dem Packagesubstrat 40 zugeführt wurde, abgesperrt ist und die Reinigungsvorrichtung 160 das Packagesubstrat 40 nicht kontaktiert, kann der Motor 154 fortfahren, die Spannvorrichtung 150 und das Packagesubstrat 40 zu drehen 168 (was das Vergrößern einer Drehgeschwindigkeit umfassen kann), sodass jegliche Flüssigkeit oder loser Staub auf dem Packagesubstrat 40 durch eine Fliehkraft der Drehung 168 entfernt werden kann. Die Weise, in der das Packagesubstrat 40 gereinigt wird, wie beispielsweise einschließlich dessen, wie die Reinigungsvorrichtung 160 das Packagesubstrat 40 kontaktiert und wie Flüssigkeit durch das Rohr 164 und 166 zugeführt wird, kann auf viele unterschiedliche Arten und Weisen variiert werden, und die hier beschriebenen Ausführungsformen sind lediglich Beispiele dessen, wie das Reinigen ausgeführt werden kann.
  • Sobald die Drehung 168 der Spannvorrichtung 150 endet, wird der Abdeckring 156 beispielsweise unter Verwendung des sich hin- und herbewegenden Arms oder durch Drehen von Abdeckringabschnitten entfernt, um den Abdeckring 156 „zu öffnen“. Dann überträgt das Übertragungswerkzeug 120 des EFEM 102 das Packagesubstrat 40 von der Spannvorrichtung 150 im Reinigungsmodul 110 zu einer Rahmenkassette 112. Die Rahmenkassette 112 kann dann vom EFEM 102 des Werkzeugs 100 gelöst und für das nachfolgende Verarbeiten wie Sägen oder Schneiden des Packagesubstrats 40 in individuelle Packages zu einem anderen Werkzeug gebracht werden.
  • 4A zeigt ein zweites Werkzeug 200 zum Implementieren eines Debond- und Reinigungsprozesses gemäß einigen Ausführungsformen und 4B veranschaulicht weitere Aspekte eines Moduls des Werkzeugs 200 in 4A. Das Werkzeug 200 umfasst viele der gleichen Module wie bei Werkzeug 100 in 3A, einschließlich des EFEM 102, des Vorausrichtungsmoduls 104 und des Trägerrecyclingmoduls 108. Diese Module können die gleichen Werkzeuge umfassen, die gleiche Funktion aufweisen und in der gleichen Weise wie vorstehend in Bezug auf die 3A bis 3B beschrieben gesteuert werden.
  • Das Werkzeug 200 umfasst die Debond- und Reinigungsmodule (DBCMs) 202 und 204. Wie in 4A veranschaulicht, umfasst das Werkzeug 200 zwei DBCMs 202 und 204 und bei anderen Ausführungsformen sind ein DBCM oder mehrere DBCMs in einem Werkzeug denkbar. Jedes DBCM 202 und 204 umfasst im Wesentlichen alle der Werkzeuge und Funktionen sowohl eines Debondmoduls 106 als auch eines Reinigungsmoduls 110 wie vorstehend erörtert in den 3B und 3C. Jedes DBCM 202 und 204 umfasst eine Strahlenquelle 122, einen Roboterarm 130, Vakuumsystem 132, Roboterarm 158, Reinigungsvorrichtung 160, Sprühdüse 162 und Rohr 164 und 166. Diese Werkzeuge sind gleich konfiguriert, führen die gleichen Funktionen aus und werden gleich gleich wie beschrieben in Bezug auf die 3B und 3C gesteuert. Jedes DBCM 202 und 204 umfasst weiter eine Spannvorrichtung 210 mit einem Rahmen 212, einem Abdeckring 214 und einem Motor 216. Die Spannvorrichtung 210, der Rahmen 212, der Abdeckring 214 und der Motor 216 sind im Wesentlichen gleich konfiguriert, führen im Wesentlichen die gleichen Funktionen aus und werden im Wesentlichen gleich gesteuert wie die Spannvorrichtungen 124 und 150 mit den jeweiligen Rahmen 126 und 152, dem Abdeckring 156 und den Motoren 128 und 154, die in den 3B und 3C beschrieben sind, nur ohne die Notwendigkeit, ein Packagesubstrat zwischen dem Debondmodul 106 und dem Reinigungsmodul 110 übertragen zu müssen.
  • Wie auch bei Werkzeug 100 in 3A überträgt das Übertragungswerkzeug 120 im EFEM 102 die Substrate 40 und 44 von einer Rahmenkassette 112 zum Ausrichtungswerkzeug im Vorausrichtungsmodul 104, wo die Substrate für die nachfolgende Verarbeitung ausgerichtet werden.
  • Jedes DBCM 202 und 204 kann den Prozess implementieren, der in Bezug auf die 2A bis 2G beschrieben ist. Wie in 2A gezeigt ist ein Packagesubstrat 40, das durch eine Trennbeschichtung an ein Trägersubstrat 44 gebondet ist, auf der Spannvorrichtung 210 und innerhalb des Rahmens 212 unter Verwendung eines Bandes (nicht dargestellt) befestigt. Das Übertragungswerkzeug 120 der EFEM 102 kann die Substrate 40 und 44 vom Vorausrichtungsmodul 104 übertragen und die Substrate auf der Spannvorrichtung 210 befestigen. Sobald der Motor 216 befestigt ist, kann er damit beginnen, die Spannvorrichtung 210 und die Substrate 40 und 44 zu drehen 218, wenn eine solche Drehung 218 verwendet wird.
  • Die Strahlenquelle 122 stellt eine Strahlung 134 bereit, die auf die Substrate 44 und 40 gerichtet ist, um einen Debondprozess, wie er beispielsweise in Bezug auf 2B und 3B vorstehend erörtert wurde, auszuführen. Wie zuvor beschrieben, kann jede zulässige Strahlung verwendet werden, um eine Trennbeschichtung für das Debonden zu zersetzen. Sobald der Trennfilm ausreichend zersetzt ist, beendet der Motor 216 die Drehung 218 der Spannvorrichtung 210 und des Substrats 40 und 44, wenn eine Drehung 218 während des Debondens verwendet wurde.
  • Nach dem Debonden dreht sich 138 der Roboterarm 130, um das Vakuumsystem 132 direkt über dem Trägersubstrat 44 zu positionieren und teleskopiert 140 dann nach unten, bis das Vakuumsystem 132 das Trägersubstrat 44 kontaktiert. Das Vakuumsystem 132 wird eingeschaltet, und/oder die Druckdifferenz erhöht, sobald das Vakuumsystem 132 das Trägersubstrat 44 kontaktiert, wodurch das Trägersubstrat 44 befestigt wird. Der Roboterarm 130 teleskopiert 140 dann nach oben, um das Trägersubstrat 44 vom Packagesubstrat 40 zu trennen. Der Roboterarm 130 kann sich dann zu einer Position drehen 138, die sich nicht direkt über dem Packagesubstrat 40 befindet. Das Übertragungswerkzeug 120 kann dann das Trägersubstrat 44 befestigen und das Vakuumsystem 132 kann das Trägersubstrat 44 freigeben. Das Übertragungswerkzeug 120 überträgt dann das Trägersubstrat 44 zum Trägerrecyclingmodul 108, welches das Trägersubstrat 44 wie oben beschrieben verarbeiten kann.
  • Nach dem Debonden kann der Rückstand der Trennbeschichtung auf dem Packagesubstrat 40 wie veranschaulicht in 2C verbleiben. Ein Reinigungsprozess wird dann im DBCM 202 oder 204 an dem Packagesubstrat 40 ausgeführt, um jeden Rückstand und Staub zu entfernen. Bei dieser Ausführungsform bleibt für den nachfolgenden Reinigungsprozess das Packagesubstrat 40 an der Spannvorrichtung 210 befestigt. Der Abdeckring 214 wird auf dem Rahmen 212 und der Spannvorrichtung 210 angeordnet. Das Anordnen des Abdeckrings 214 kann einen sich hin- und herbewegenden Arm oder eine Drehung von Abdeckringabschnitten verwenden, um den Abdeckring 214 „zu schließen“. Der Motor 216 kann beginnen, die Spannvorrichtung 210 und das Packagesubstrat 40 zu drehen 218. Die Drehung 218 kann das Reinigen erleichtern. Bei anderen Ausführungsformen ist keine Drehung der Spannvorrichtung und des Packagesubstrats erforderlich.
  • Der Roboterarm 158 dreht sich 170, um das Reinigungssystem direkt oberhalb des Packagesubstrats 40 zu positionieren. Der Roboterarm 158 teleskopiert 172 dann nach unten, bis die Reinigungsvorrichtung 160 das Packagesubstrat 40 kontaktiert. Die Reinigungsvorrichtung 160 kann bei oder nahe einer Mitte des Packagesubstrats 40 starten und der Roboterarm 158 kann sich in Richtung auf eine Außenkante des Packagesubstrats 40 drehen 170, während der Motor 216 die Spannvorrichtung 210 und das Packagesubstrat 40 dreht. Auf diese Weise kann die Reinigungsvorrichtung 160 im Wesentlichen eine Gesamtheit einer Fläche des Packagesubstrats 40 (z. B. Fläche 80 in 2E) kontaktieren und reinigen. Sobald die Reinigungsvorrichtung 160 die Außenkante des Packagesubstrats 40 erreicht, kann der Roboterarm 158 nach oben teleskopieren 172 und sich weg vom Packagesubstrat 40 drehen 170. Diese Aktionen der Reinigungsvorrichtung 160 des Kontaktierens des Packagesubstrats 40 und des Bewegens über das Packagesubstrat 40 können jegliche Anzahl von Malen wiederholt werden. Die Reinigungsvorrichtung 160 kann das Packagesubstrat 40 auf unterschiedliche Weisen kontaktieren und es können unterschiedliche Techniken verwendet werden, um die Reinigungsvorrichtung über das Packagesubstrat 40 zu bewegen.
  • Flüssigkeit kann zum Packagesubstrat 40 auf viele unterschiedliche Arten und Weisen zugeführt werden, um den Reinigungsprozess zu erleichtern. Sobald sie sich direkt oberhalb des Packagesubstrats 40 befindet, kann die Sprühdüse 162 beispielsweise damit beginnen, eine Flüssigkeit wie DI-Wasser, IPA oder dergleichen, die durch das Rohr 166 zugeführt wird, wie veranschaulicht in 2E auf das Packagesubstrat 40 zu sprühen. Die Flüssigkeit von der Sprühdüse 162 und dem Rohr 166 kann wie vorstehend beschrieben abgegeben oder zugeführt werden.
  • Sobald der Roboterarm 158 frei von dem Packagesubstrat 40 auf der Spannvorrichtung 150 ist, kann Flüssigkeit, wie DI-Wasser oder dergleichen durch das Rohr 164 auf die Reinigungsvorrichtung 160 zugeführt werden, um jeglichen Staub abzuspülen, der sich auf der Reinigungsvorrichtung 160 während des Reinigens mit der Reinigungsvorrichtung 160 angesammelt hat. Weiter kann die Flüssigkeit, die durch das Rohr 164 und die Reinigungsvorrichtung 160 zugeführt wird, Flüssigkeit ergänzen, die von der Sprühdüse 162 während des Reinigungsprozesses gesprüht wird.
  • Nachdem die Flüssigkeit, die dem Packagesubstrat 40 zugeführt wurde, abgesperrt ist und die Reinigungsvorrichtung 160 das Packagesubstrat 40 kontaktiert, kann der Motor 216 fortfahren, die Spannvorrichtung 210 und das Packagesubstrat 40 zu drehen 218 (was das Vergrößern einer Drehgeschwindigkeit umfassen kann), sodass jegliche Flüssigkeit oder loser Staub auf dem Packagesubstrat 40 durch eine Fliehkraft der Drehung entfernt werden kann. Die Weise, in der das Packagesubstrat 40 gereinigt wird, und die hier beschriebenen Ausführungsformen sind lediglich Beispiele dessen, wie das Reinigen ausgeführt werden kann.
  • Sobald die Drehung 218 der Spannvorrichtung 210 endet, wird der Abdeckring 214 beispielsweise unter Verwendung des sich hin- und herbewegenden Arms oder durch Drehen von Abdeckringabschnitten entfernt, um den Abdeckring 214 „zu öffnen“. Dann überträgt das Übertragungswerkzeug 120 der EFEM 102 das Packagesubstrat 40 von der Spannvorrichtung 210 im DBCM 202 oder 204 zu einer Rahmenkassette 112. Die Rahmenkassette 112 kann dann vom EFEM 102 des Werkzeugs 200 gelöst und für das nachfolgende Verarbeiten wie Sägen oder Schneiden des Packagesubstrats 40 in individuelle Packages zu einem anderen Werkzeug gebracht werden.
  • Ausführungsformen können Vorteile erreichen. Das Verwenden einer Rahmenspannvorrichtung beim Debondprozess kann die Prozesssicherheit erhöhen, was eine Ausbeute an hergestellten Packages vergrößern kann. Daher kann das Verarbeiten von Packages robuster werden. Zusätzlich kann das Verwenden eines Abdeckrings während des Reinigens dabei unterstützen Partikelverunreinigung oder Verschmutzung des Bandes, auf dem das Packagesubstrat befestigt ist, zu vermeiden. Weiter kann das Integrieren des Debond- und Reinigungsprozesses in ein Einzelwerkzeug, das voll automatisiert sein kann, den Flächenbedarf für solche Werkzeuge in einer Fertigungsumgebung reduzieren und die Arbeitskosten reduzieren. Darüber hinaus können unter Verwendung eines physikalischen Reinigungsprozesses wie beispielsweise mit einer Reinigungsvorrichtung raue chemische Lösungsmittel vermieden werden, was darin resultieren kann, dass der Reinigungsprozess grüner oder umweltfreundlicher ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform umfasst ein Verfahren das Debonden einer Fläche eines ersten Substrats von einem zweiten Substrat, wobei während des Debondens das erste Substrat auf einem Band innerhalb eines Rahmens auf einer Spannvorrichtung befestigt ist, und das Anordnen eines Abdeckrings über dem Rahmen, wobei der Abdeckring den Rahmen und äußere Abschnitte des Bandes abdeckt und das erste Substrat umgibt. Nach dem Debonden erfolgt das Reinigen der Fläche des ersten Substrats. Das Reinigen umfasst das physikalische Kontaktieren der Fläche des ersten Substrats mit einem Reinigungsmechanismus. Während des Reinigens ist das erste Substrat auf dem Band auf der Spannvorrichtung befestigt und der Abdeckring schützt das Band gegen Verunreinigung.
  • Eine weitere Ausführungsform ist ein Werkzeug. Das Werkzeug umfasst ein Debondmodul und ein Reinigungsmodul. Das Debondmodul umfasst eine erste Spannvorrichtung, eine Strahlenquelle, die konfiguriert ist, Strahlung auf die erste Spannvorrichtung zu emittieren, und einen ersten Roboterarm, der ein Vakuumsystem aufweist. Das Vakuumsystem ist konfiguriert, ein Substrat von der ersten Spannvorrichtung zu befestigen und zu entfernen. Das Reinigungsmodul umfasst eine zweite Spannvorrichtung, einen Rahmen, einen Abdeckring, eine Sprühdüse, die konfiguriert ist, eine Flüssigkeit in Richtung auf die zweite Spannvorrichtung zu sprühen, und einen zweiten Roboterarm, der eine Reinigungsvorrichtung aufweist, die konfiguriert ist, die Reinigungsvorrichtung physikalisch in Kontakt mit einem Substrat auf der zweiten Spannvorrichtung zu bringen. Der Rahmen ist an der zweiten Spannvorrichtung angebracht. Der Abdeckring ist dazu konfiguriert, das Substrat auf der zweiten Spannvorrichtung zu umgeben und mindestens einen Abschnitt der zweiten Spannvorrichtung und den Rahmen abzudecken.

Claims (20)

  1. Verfahren, umfassend: Debonden einer Fläche eines ersten Substrats (40) von einem zweiten Substrat (44), wobei während des Debondens das erste Substrat (40) auf einem Band (72) innerhalb eines Rahmens (74, 152) auf einer Spannvorrichtung (70, 150) befestigt ist; und Anordnen eines Abdeckrings (82, 156) über dem Rahmen (74, 152), wobei der Abdeckring (82, 156) den Rahmen (74, 152) und äußere Abschnitte des Bandes (72) abdeckt und das erste Substrat (40) umgibt, Reinigen der Fläche des ersten Substrats (40) nach dem Debonden, wobei das Reinigen das physikalische in Kontakt bringen eines Reinigungsmechanismus (84) mit der Fläche des ersten Substrats (40) umfasst; wobei während des Reinigens das erste Substrat (40) auf dem Band (72) auf der Spannvorrichtung (70, 150) befestigt ist und der Abdeckring (82, 156) das Band (72) gegen Verunreinigung schützt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Debonden das Zersetzen einer Trennbeschichtung (42) auf der Fläche des ersten Substrats (40) und zwischen dem ersten Substrat (40) und dem zweiten Substrat (44) umfasst, wobei ein Rückstand der Trennbeschichtung (42) auf der Fläche nach dem Debonden verbleibt und der Reinigungsmechanismus (84) den Rückstand während des Reinigens der Fläche physikalisch entfernt.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Abdeckring (156) an dem Rahmen (152) mit einer Klemmvorrichtung (254) befestigt wird.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Reinigungsmechanismus einen Schwamm aufweist.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Reinigungsmechanismus (84) eine Bürste aufweist.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Reinigen der Fläche des ersten Substrats (40) das Zuführen einer Flüssigkeit (88) auf die Fläche des ersten Substrats (40) umfasst.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei die Flüssigkeit (88) entionisiertes Wasser aufweist.
  8. Verfahren nach Anspruch 6, wobei die Flüssigkeit (88) Isopropylalkohol aufweist.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, umfassend: Bereitstellen eines Packagesubstrats (40) als das erste Substrat, das durch eine Trennbeschichtung (42) auf einem Trägersubstrat (44) als das zweite Substrat gebondet ist, wobei sich die Trennbeschichtung (42) auf einer Fläche des Packagesubstrats (40) befindet; wobei das Debonden das Zersetzen der Trennbeschichtung (42) und Trennen des Trägersubstrats (44) vom Packagesubstrat (40) umfasst; und, wobei das Reinigen das Zuführen einer Flüssigkeit (88) auf die Fläche des Packagesubstrats (40) und das Kontaktieren der Fläche des Packagesubstrats (40) mit einem Reinigungsmechanismus (84) umfasst, um Rückstände der Trennbeschichtung (42) von der Fläche des Packagesubstrats (40) physikalisch zu entfernen.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Flüssigkeit (88) deionisiertes Wasser, Isopropylalkohol oder eine Kombination davon aufweist.
  11. Verfahren nach Anspruch 9 oder Anspruch 10, wobei der Reinigungsmechanismus (84) eine Bürste, einen Schwamm oder eine Kombination davon aufweist.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei sich während des Reinigens das Packagesubstrat (40) auf einem Band (72) auf einer Spannvorrichtung (70, 150) befindet und ein Abdeckring (82, 156) während des Reinigens Abschnitte des Bandes (72) abdeckt, auf dem sich das Packagesubstrat (40) nicht befindet.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, wobei das Zersetzen der Trennbeschichtung (42) das Verwenden eines Laserlicht-Scans (76) umfasst.
  14. Werkzeug, umfassend: ein Debondmodul (106, 202/204), das aufweist: eine erste Spannvorrichtung (124, 210), eine Strahlenquelle (122), die konfiguriert ist, Strahlung (134) auf die erste Spannvorrichtung (124, 210) zu emittieren, und einen ersten Roboterarm (130), der eine Vakuumanlage (132) aufweist, wobei die Vakuumanlage (132) konfiguriert ist, ein Substrat (40, 44) zu befestigen und von der ersten Spannvorrichtung (124, 210) zu entfernen; und ein Reinigungsmodul (110, 202/204), das aufweist: eine zweite Spannvorrichtung (150, 210), einen Rahmen (152, 212), der an der zweiten Spannvorrichtung (150, 210) angebracht, einen Abdeckring (156, 214), wobei der Abdeckring (156, 214) konfiguriert ist, das Substrat (40, 44) auf der zweiten Spannvorrichtung (150, 210) zu umgeben und mindestens einen Abschnitt der zweiten Spannvorrichtung (150, 210) und den Rahmen (152, 212) abzudecken, eine Sprühdüse (162), die konfiguriert ist, eine Flüssigkeit auf die zweite Spannvorrichtung (150, 210) zu sprühen, und einen zweiten Roboterarm (158), der eine Reinigungsvorrichtung (160) aufweist, die konfiguriert ist, die Reinigungsvorrichtung (160) physikalisch in Kontakt mit einem Substrat (40, 44) auf der zweiten Spannvorrichtung (150, 210) zu bringen.
  15. Werkzeug nach Anspruch 14, wobei das Debondmodul und das Reinigungsmodul Teil des gleichen Moduls (202/204) sind und die erste Spannvorrichtung und die zweite Spannvorrichtung die gleiche Spannvorrichtung (210) sind.
  16. Werkzeug nach Anspruch 14, wobei das Debondmodul (106) und das Reinigungsmodul (110) separate Module sind.
  17. Werkzeug nach einem der Ansprüche 14 bis 16 weiter aufweisend ein Übertragungswerkzeug (120), das konfiguriert ist, ein Substrat zwischen Modulen zu übertragen.
  18. Werkzeug nach einem der Ansprüche 14 bis 17 weiter aufweisend eine Klemmvorrichtung (254) zur Befestigung des Abdeckrings (156) an dem Rahmen (152).
  19. Werkzeug nach einem der Ansprüche 14 bis 18, wobei sich die Sprühdüse (162) auf dem zweiten Roboterarm (158) befindet.
  20. Werkzeug nach einem der Ansprüche 14 bis 19, wobei das Reinigungsmodul (110, 202/204) einen Motor (154, 216) aufweist, der konfiguriert ist, die zweite Spannvorrichtung (150, 210) zu drehen.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9645328B2 (en) 2014-10-29 2017-05-09 Compass Electro Optical Systems Ltd. No-polish optical element attachment for optical fiber ferrule
US20160124163A1 (en) * 2014-10-29 2016-05-05 Compass Electro Optical Systems Ltd. Vacuum gripper
US9651744B2 (en) 2014-10-29 2017-05-16 Compass Electro Optical Systems Ltd. Multi-fiber ferrule
US9947570B2 (en) * 2015-12-30 2018-04-17 International Business Machines Corporation Handler bonding and debonding for semiconductor dies
CN106711068A (zh) * 2017-01-17 2017-05-24 环旭电子股份有限公司 一种电子模组的刷洗装置及电子模组的自动刷洗方法
TWI770110B (zh) * 2017-03-30 2022-07-11 日商日本碍子股份有限公司 暫時固定基板及電子元件的暫時固定方法
US10522526B2 (en) * 2017-07-28 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. LTHC as charging barrier in InFO package formation
TWI628731B (zh) * 2017-11-22 2018-07-01 孫建忠 晶圓框架取回與清潔之系統及方法
CN109786292B (zh) * 2018-12-26 2021-01-12 华灿光电（浙江）有限公司 发光二极管芯片的清洗装置
KR20210028910A (ko) 2019-09-05 2021-03-15 삼성전자주식회사 자외선 조사 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법
TW202124324A (zh) 2019-11-21 2021-07-01 美商康寧公司 回收玻璃及玻璃陶瓷載體基板
TWI729584B (zh) * 2019-11-22 2021-06-01 佳宸科技有限公司 濕製程用清潔機構
US11688718B2 (en) * 2021-09-07 2023-06-27 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of controlling warpage during LAB
CN113829732B (zh) * 2021-09-22 2023-08-18 南京爱沃客信息科技有限公司 抖动法辅助绿色建材硅藻泥颗粒渗入设备
CN116344434B (zh) * 2023-05-11 2023-08-25 广东鸿浩半导体设备有限公司 一种激光解键合后的快速除尘和转移方法以及取片机械手

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090314438A1 (en) * 2008-06-18 2009-12-24 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Supporting plate peeling apparatus
US20120145204A1 (en) * 2010-12-09 2012-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Spin Chuck for Thin Wafer Cleaning
US20130133688A1 (en) * 2011-11-29 2013-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer debonding and cleaning apparatus and method of use
US20130255720A1 (en) * 2012-04-03 2013-10-03 Illinois Tool Works Inc. Conical sponge brush for cleaning semiconductor wafers

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5518542A (en) * 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
US6543461B2 (en) * 1999-02-11 2003-04-08 Nova Measuring Instruments Ltd. Buffer system for a wafer handling system field of the invention
JP2001023954A (ja) 1999-07-13 2001-01-26 Canon Inc 薄膜結晶デバイスの製造法
JP4565804B2 (ja) * 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
JP2004327561A (ja) * 2003-04-22 2004-11-18 Ebara Corp 基板処理方法及び基板処理装置
SG148017A1 (en) * 2003-07-11 2008-12-31 Nitto Denko Corp Transport method and transport apparatus for semiconductor wafer
US8211242B2 (en) * 2005-02-07 2012-07-03 Ebara Corporation Substrate processing method, substrate processing apparatus, and control program
DE102006000687B4 (de) * 2006-01-03 2010-09-09 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Kombination aus einem Träger und einem Wafer, Vorrichtung zum Trennen der Kombination und Verfahren zur Handhabung eines Trägers und eines Wafers
JP5014811B2 (ja) * 2007-01-22 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法
KR101008679B1 (ko) 2008-11-26 2011-01-17 세메스 주식회사 기판 세정 방법
US8267143B2 (en) * 2009-04-16 2012-09-18 Suss Microtec Lithography, Gmbh Apparatus for mechanically debonding temporary bonded semiconductor wafers
US8871609B2 (en) * 2009-06-30 2014-10-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thin wafer handling structure and method
JP5412214B2 (ja) * 2009-08-31 2014-02-12 日東電工株式会社 保護テープ剥離方法およびその装置
JP5123329B2 (ja) * 2010-01-07 2013-01-23 株式会社岡本工作機械製作所 半導体基板の平坦化加工装置および平坦化加工方法
US20130084459A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 3M Innovative Properties Company Low peel adhesive
KR101435098B1 (ko) 2011-11-14 2014-08-29 허만옥 디스플레이 장치의 리페어 방법
JP2013135181A (ja) 2011-12-27 2013-07-08 Panasonic Corp フレキシブルデバイスの製造方法
US8834662B2 (en) * 2012-03-22 2014-09-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method of separating wafer from carrier
JP5886224B2 (ja) * 2012-05-23 2016-03-16 株式会社荏原製作所 基板洗浄方法
CN105593971B (zh) * 2013-09-25 2018-10-02 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置、贴合基板的剥离方法以及粘接剂的除去方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090314438A1 (en) * 2008-06-18 2009-12-24 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Supporting plate peeling apparatus
US20120145204A1 (en) * 2010-12-09 2012-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Spin Chuck for Thin Wafer Cleaning
US20130133688A1 (en) * 2011-11-29 2013-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer debonding and cleaning apparatus and method of use
US20130255720A1 (en) * 2012-04-03 2013-10-03 Illinois Tool Works Inc. Conical sponge brush for cleaning semiconductor wafers

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