DE102016100274B4 - Verfahren und packages für struktur eines dreidimensionalen chip-stackings - Google Patents

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Abstract

Verfahren, umfassend:Anordnen von ersten mehreren Die-Bauelementen (26) über einem ersten Träger (20), wobei die ersten mehreren Die-Bauelemente (26) und der erste Träger (20) in Kombination einen ersten Waferverbund (100) bilden,Bonden des ersten Waferverbunds (100) an einen zweiten Wafer (200), wobei die ersten mehreren Die-Bauelemente (26) an zweite mehrere Die-Bauelemente (202) im zweiten Wafer (200) durch Hybrid-Bonding gebondet werden;Entbonden des ersten Trägers (20) von den ersten mehreren Die-Bauelementen (26);Einkapseln der ersten mehreren Die-Bauelemente (26) in ein Einkapselungsmaterial (44); undBilden einer Zwischenverbindungsstruktur (46) über den ersten mehreren Die-Bauelementen (26) und dem Einkapselungsmaterial (44).

Description

  • HINTERGRUND
  • Seit der Erfindung der integrierten Schaltung hat die Halbleiterindustrie ein rasches anhaltendes Wachstum aufgrund ständiger Verbesserungen in der Integrationsdichte verschiedener elektronischer Komponenten (d.h., Transistoren, Dioden, Widerstände, Kondensatoren, usw.) erfahren. Zum Großteil liegt die Verbesserung der Integrationsdichte in wiederholten Verringerungen einer minimalen Elementgröße, so dass mehr Komponenten in einer bestimmten Fläche integriert werden können.
  • Diese Verbesserungen sind im Wesentlichen zweidimensional (2D), da das von den integrierten Komponenten belegte Volumen im Wesentlichen auf der Oberfläche des Halbleiter-Wafers liegt. Obwohl eine dramatische Verbesserung in der Lithographie zu einer beachtlichen Verbesserung in der Bildung einer 2D integrierten Schaltung geführt hat, gibt es physische Einschränkungen bezüglich der Dichte, die in zwei Dimensionen erreicht werden kann. Eine dieser Einschränkungen ist die minimale erforderliche Größe zur Bildung dieser Komponenten. Auch wenn mehr Vorrichtungen in einen Chip eingebracht werden, sind komplexere Designs notwendig.
  • Eine zusätzliche Einschränkung liegt in der signifikanten Erhöhung der Anzahl und Länge von Zwischenverbindungen zwischen Vorrichtungen, wenn die Anzahl von Vorrichtungen zunimmt. Wenn Anzahl und Länge von Zwischenverbindungen zunehmen, steigen sowohl Schaltungs-RC-Verzögerung wie auch Stromverbrauch.
  • Daher wurden dreidimensionale (3D) integrierte Schaltungen (ICs) untersucht, um die oben besprochenen Einschränkungen zu beheben. In einem typischen Bildungsprozess einer 3DIC werden zwei Wafer oder Dies gebildet, die jeweils einige integrierte Schaltungen enthalten, und dann aneinander gebondet. Das Bonding enthält typischerweise die Verwendung eines Lötmittels, um die Nickelschichten, die auf Kupfer-Bumps gebildet sind, zu bonden.
  • US 5 385 632 A offenbart ein Verfahren zur Herstellung von integrierten Halbleiterbauteilen. Dabei wird ein erstes Substrat mit epitaktisch gewachsenen GaAs-Modulatoren bereitgestellt, welche mit vorstehenden Indium-Kontakten eines Si-Bauteils in einem zweiten Substrat ausgerichtet werden. Durch einen Temperschritt wird ein Hybrid-Bonding zwischen den Bauteilen erreicht. Danach wird das erste Substrat durch ein Ätzverfahren mit KOH-Lösung vollständig entfernt, sodass die Unterseite des Modulators an der neuen Oberfläche des Hybridbauteils liegt.
  • EP 1154474 A1 offenbart eine Halbleiterstruktur und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Dabei werden mehrere Die-Bauelemente über einem Substrat mit vorstehenden Durchkontaktierungen angeordnet. Nachdem die Strukturen eingekapselt worden sind, wird die entstandene Verbundstruktur vereinzelt. Anschließend können die einzelnen Chips aufeinander gestapelt werden, um eine dreidimensionale Struktur herzustellen.
  • US 2012/0309130 A1 offenbart ein Verfahren zur Herstellung von integrierten Halbleiterbauteilen. Dabei werden mehrere Chips mit oberflächlichen Bondkontakten in einem Substrat gebildet, welches anschließend über eine Verbindungsschicht an ein unterstützendes Substrat gebondet wird. Danach werden die einzelnen Chips in dem Substrat vereinzelt, wobei sie mit der Verbindungsschicht in Kontakt bleiben. Die Verbundstruktur wird mit einem weiteren Substrat in Kontakt gebracht und an dieses gebondet. Anschließend wird die Verbindungsschicht mit übrig bleibenden Substratteilen von den Chips abgelöst, sodass nur die Chips auf dem weiteren Substrat zurückbleiben. Die transferierten Chips werden danach in ein Einkapselungsmaterial ei ngekapselt.
  • Figurenliste
  • Aspekte der vorliegenden Offenbarung werden aus der folgenden ausführlichen Beschreibung am besten verständlich, wenn diese mit den beiliegenden Figuren gelesen wird. Es wird betont, dass gemäß der Standardpraxis in der Industrie verschiedene Merkmale nicht im Maßstab gezeichnet sind. Tatsächlich können die Abmessungen der verschiedenen Merkmale der deutlichen Besprechung wegen beliebig vergrößert oder verkleinert sein.
    • 1 bis 9 zeigen die Querschnittsansichten von Zwischenstufen bei der Bildung eines Packages gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 10 bis 17 zeigen die Querschnittsansichten von Zwischenstufen bei der Bildung eines Packages gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 18 bis 26 zeigen die Querschnittsansichten von Zwischenstufen bei der Bildung eines Packages gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 27 bis 35 zeigen die Querschnittsansichten von Zwischenstufen bei der Bildung eines Packages gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 36 bis 43 zeigen die Querschnittsansichten einiger Packages gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 44 zeigt einen Teil einer beispielhaften Zwischenverbindungsstruktur gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 45 bis 47 zeigen die Querschnittsansichten einiger Abschnitte eines Hybrid-Bondings gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 48 zeigt einen Prozessablauf zum Bilden eines Packages gemäß einigen Ausführungsformen.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • Die Aufgabe einer Bereitstellung einer integrierten dreidimensionalen Schaltung, welche die zuvor beschriebenen Probleme berücksichtigt, wird durch die Verfahren und eine Halbleiterstruktur nach den unabhängigen Ansprüchen gelöst. Die folgende Offenbarung sieht viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele zur Implementierung verschiedener Merkmale der Offenbarung vor. Spezielle Beispiele von Komponenten und Anordnungen sind in der Folge zur Vereinfachung der vorliegenden Offenbarung beschrieben. Diese sind natürlich lediglich Beispiele und nicht als Einschränkung gedacht. Zum Beispiel kann die Bildung eines ersten Merkmals über oder auf einem zweiten Merkmal in der folgenden Beschreibung Ausführungsformen enthalten, in welchen das erste und zweite Merkmal in direktem Kontakt gebildet sind, und kann auch Ausführungsformen enthalten, in welchen zusätzliche Merkmale zwischen den ersten und zweiten Merkmalen gebildet sein können, so dass die ersten und zweiten Merkmale nicht in direktem Kontakt sein mögen. Zusätzlich kann die vorliegende Offenbarung Bezugsnummern und/oder -buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholen. Diese Wiederholung dient der Einfachheit und Klarheit und legt selbst kein Verhältnis zwischen den verschiedenen besprochenen Ausführungsformen und/oder Konfigurationen fest.
  • Ferner können raumbezogene Begriffe, wie „unterhalb“, „unter“, „niedriger“, „oberhalb“, „oberer“ und dergleichen hier zur einfachen Beschreibung verwendet werden, um ein Verhältnis eines Elements oder Merkmals zu einem oder mehreren anderen Element(en) oder Merkmale(en) zu beschreiben, die in den Figuren dargestellt sind. Die raumbezogenen Begriffe sollen unterschiedliche Orientierungen der Vorrichtung in Verwendung oder Betrieb zusätzlich zu der in den Figuren dargestellten Orientierung beinhalten. Die Vorrichtung kann anders orientiert (90 Grad oder in anderen Orientierungen gedreht) sein und die raumbezogenen Deskriptoren, die hier verwendet werden, können ebenso dementsprechend interpretiert werden.
  • Gemäß verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen werden ein Package, das einen Die-Stack enthält, und das Verfahren zum Bilden des Packages auf Wafer-Ebene bereitgestellt. Es sind die Zwischenstufen zum Bilden einiger Packages dargestellt. Einige Variationen einiger Ausführungsformen werden besprochen. In allen verschiedenen Ansichten und den veranschaulichenden Ausführungsformen werden gleiche Bezugszeichen zum Bezeichnen gleicher Elemente verwendet.
  • 1 bis 9 zeigen die Querschnittsansichten von Zwischenstufen bei der Bildung eines Packages gemäß einigen Ausführungsformen. Die in 1 bis 9 dargestellten Schritte sind auch schematisch im Prozessablauf 300 dargestellt, der in 48 gezeigt wird.
  • 1 und 2 zeigen die Bildung eines Waferverbunds gemäß einigen Ausführungsformen. Unter Bezugnahme auf 1 wird ein Träger 20 bereitgestellt und eine Trennschicht 22 wird auf dem Träger 20 gebildet. Der Träger 20 kann ein Blanket-Träger-Wafer sein, der ein Glasträger, ein Keramikträger, ein organischer Träger oder dergleichen sein kann. Der Träger 20 kann eine runde Form in der Draufsicht haben kann eine Größe eines Silizium-Wafers in der Draufsicht haben. Zum Beispiel kann der Träger 20 einen Durchmesser von 20 cm (8 Inch), einen Durchmesser von 30 cm (12 Inch) oder dergleichen haben. Die Trennschicht 22 kann aus einem Material auf Polymerbasis (wie einem Licht-Wärme-Umsetzungs- (LTHC) Material) gebildet sein, das sich unter der Wärme von Hochenergielicht zersetzt. Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist die Trennschicht 22 aus einem Thermo-Trennmaterial auf Epoxidbasis gebildet. Die Trennschicht 22 kann als Flüssigkeit aufgebracht und gehärtet werden. Gemäß alternativen Ausführungsformen ist die Trennschicht 22 ein Laminatfilm und ist auf den Träger 20 laminiert. Die obere Oberfläche der Trennschicht 22 ist nivelliert und hat einen hohen Grad an Koplanarität. Ausrichtungsmarkierungen 24 werden gebildet. Der entsprechende Schritt ist als Schritt 302 in dem in 48 gezeigten Prozessablauf dargestellt. Gemäß einigen Ausführungsformen werden Ausrichtungsmarkierungen 24 durch Bildung von Öffnungen in der Trennschicht 22, zum Beispiel mit einem Laser oder einem Lithographieprozess, gebildet.
  • 2 zeigt die Anordnung von Die-Bauelementen 26. Der entsprechende Schritt ist als Schritt 304 in dem in 48 gezeigten Prozessablauf dargestellt. Die Die-Bauelemente 26 können durch Die-Haftfilme (nicht dargestellt), die Klebefilme sind, an die Trennschicht 22 geklebt werden. Die Die-Bauelemente 26 können logische Die-Bauelemente, die logische Transistoren darin enthalten, Speicher-Die-Bauelemente oder dergleichen sein. Die Positionen der Die-Bauelemente 26 werden anhand von Ausrichtungsmarkierungen 24 bestimmt, so dass jedes Die-Bauelement 26 dieselbe relative Verschiebung von der entsprechenden Ausrichtungsmarkierung 24 hat. In der gesamten Beschreibung wird die kombinierte Struktur, welche die Die-Bauelemente 26 und den Träger 20 enthält, als Waferverbund 100 bezeichnet.
  • Die Die-Bauelemente 26 sind bekanntermaßen funktionierende Dies, die einen Funktionstest bestanden haben. Jedes der Die-Bauelemente 26 enthält ein Halbleitersubstrat 25, aktive Vorrichtungen (nicht dargestellt) und eine Zwischenverbindungsstruktur 28. Eine beispielhafte Zwischenverbindungsstruktur 28 ist schematisch in 44 dargestellt. Gemäß einigen Ausführungsformen enthält die Zwischenverbindungsstruktur 28 dielektrische Schichten 30 und Metallleitungen 32 und Durchkontaktierungen 34 in den dielektrischen Schichten 30. An der Oberfläche der Zwischenverbindungsstruktur 28 können sich Bond-Pads 36 in der oberflächlichen dielektrischen Schicht 38 befinden. Bond-Pads 36 können kupferenthaltende Pads enthalten. Die oberflächliche dielektrische Schicht 38 kann eine siliziumenthaltende dielektrische Schicht sein, die Siliziumoxid enthalten kann. Zusätzlich können dielektrische Auskleidungen 40, welche die Bond-Pads 36 umgeben, vorhanden sein oder nicht. Die oberen Oberflächen von Bond-Pads 36 und die oberflächliche dielektrische Schicht 38 sind miteinander koplanar. Die oberen Enden der dielektrischen Auskleidungen 40 können mit den oberen Oberflächen der Bond-Pads 36 koplanar sein oder können vertieft sein.
  • Unter Bezugnahme auf 3 wird ein Wafer 200 bereitgestellt. Der Wafer 200 enthält mehrere identische Chips 202. Der Wafer 200 enthält auch ein Halbleitersubstrat 125, aktive Vorrichtungen (nicht dargestellt) und eine Zwischenverbindungsstruktur 228. Die Chips 202 können auch logische Chips, Speicher-Chips, IO-Chips oder dergleichen sein. Die Zwischenverbindungsstruktur 228 kann dieselbe Struktur wie in 44 dargestellt aufweisen, die auch solche dielektrischen Schichten, Metallleitungen, Durchkontaktierungen, Bond-Pads und eine oberflächliche dielektrische Schicht enthalten kann.
  • Auf der oberen Oberfläche des Wafers 200 sind leitende Durchkontaktierungen 42 gebildet, welche die Form leitender Stäbe haben können. Die leitenden Durchkontaktierungen 42 werden als Durchkontaktierungen bezeichnet, da sie durch das anschließend gebildete Einkapselungsmaterial hindurchgehen. Der entsprechende Schritt ist als Schritt 306 in dem in 48 gezeigten Prozessablauf dargestellt. Obwohl in der Darstellung eine Durchkontaktierung 42 jedes der Die-Bauelemente 202 überlappt, können mehrere Durchkontaktierungen 42 vorhanden sei, die jedes Die-Bauelement 202 überlappen. Die Höhe der Durchkontaktierungen 42 ist in 2 geringer als die Höhe von Die-Bauelementen 26. Die leitenden Durchkontaktierungen 42 werden beginnend bei den Metall-Pads 54 (in 3 nicht dargestellt, siehe 9) an der Oberfläche der Die-Bauelemente 202 gebildet. Die Metall-Pads können mit den Bond-Pads 236 (in 3 nicht dargestellt, siehe 9) koplanar sein und gleichzeitig mit diesen in den Die-Bauelementen 202 gebildet werden. Die Bildung der leitenden Durchkontaktierungen 42 kann ein Bilden eines Fotolacks (nicht dargestellt) auf dem Wafer 200, ein Strukturieren des Fotolacks, um Abschnitte der Metall-Pads freizulegen, ein Plattieren von Durchkontaktierungen 42 und ein Entfernen des Fotolacks enthalten.
  • Anschließend werden, unter Bezugnahme auf 4, der Waferverbund 100 und Wafer 200 durch Hybrid-Bonding aneinander gebondet, das ein Bonding auf Wafer-Ebene ist. Der entsprechende Schritt ist als Schritt 308 in dem in 48 gezeigten Prozessablauf dargestellt. Der Waferverbund 100 und Wafer 200 werden zum Beispiel durch Ausrichten der Ausrichtungsmarkierungen 24 mit den Durchkontaktierungen 42 miteinander ausgerichtet. Wenn die Wafer 100 und 200 ausgerichtet sind, können die Ausrichtungsmarkierungen 24 die entsprechenden Durchkontaktierungen 42 überlappen. 45 zeigt eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts des Hybrid-Bondings zwischen Die-Bauelement 202 und Die-Bauelement 26. Wie in 45 dargestellt, enthält das Die-Bauelement 202 Bond-Pads 236 im Die-Bauelement 202, die an Bond-Pads 36 im Die-Bauelement 26 durch Metall-an-Metall-Bonding gebondet sind. Die oberflächliche dielektrische Schicht 238 im Die-Bauelement 202 wird an die oberflächliche dielektrische Schicht 38 im Die-Bauelement 26 durch Fusions-Bonding (Oxid-an-Oxid) gebondet.
  • Unter erneuter Bezugnahme auf 4 enthält das Hybrid-Bonding einen Vor-Bonding-Schritt, in dem der Waferverbund 100 mit dem Wafer 200 in Kontakt gebracht wird. Anschließend wird ein Tempern durchgeführt, zum Beispiel bei einer Temperatur zwischen etwa 200°C und etwa 300°C über eine Dauer zwischen etwa 1,5 Stunden und etwa 2,5 Stunden, so dass das Kupfer in den Bond-Pads 36 und 236 (45) interdiffundiert und somit das direkte Metall-an-Metall-Bonding gebildet wird.
  • Anders als beim herkömmlichen Wafer-an-Wafer Hybrid-Bonding sind mehrere Zwischenräume in der erhaltenen gebondeten Struktur vorhanden, wobei die Zwischenräume zwischen den Die-Bauelementen 26 des Waferverbunds 100 liegen. Daher ist es nicht mehr notwendig, das Hybrid-Bonding auf Wafer-Ebene in einer Vakuumumgebung auszuführen, da wahrscheinlich keine Luftblase zwischen Wafern 100 und 200 eingefangen wird. Zum Vergleich, beim herkömmlichen Wafer-an-Wafer Hybrid-Bonding ist kein Zwischenraum zwischen den Die-Bauelementen in den gebondeten Wafern vorhanden.
  • Anschließend wird der Träger 20 entbondet. Der entsprechende Schritt ist als Schritt 310 in dem in 48 gezeigten Prozessablauf dargestellt. Gemäß einigen beispielhaften Ausführungsformen enthält das Entbonden ein Projizieren eines Lichts (wie Laser) auf die Trennschicht 22 zum Zersetzen der Trennschicht 22. Gemäß alternativen Ausführungsformen wird das Entbonden durch Eintauchen der Struktur in 4 in eine chemische Lösung ausgeführt, welche die Trennschicht 22 auflösen kann. Da Zwischenräume zwischen den Wafern 100 und 200 vorhanden sind, kann die chemische Lösung die inneren Abschnitte der Trennschicht 22 nahe der Mitte des Wafers 100 erreichen und somit kann die Trennschicht 22 vollständig aufgelöst werden. Infolge des Entbondens des Trägers 20 wird der Waferverbund 100 in einzelne Die-Bauelemente 26 getrennt, die jeweils an den Wafer 200 durch Hybrid-Bonding gebondet sind, wie in 5 dargestellt.
  • Gemäß einigen beispielhaften Ausführungsformen werden sowohl das Vor-Bonden wie auch das Tempern vor dem Entbonden des Trägers 20 durchgeführt. Gemäß alternativen Ausführungsformen wird das Tempern nach dem Entbonden durchgeführt. Daher wird das Vor-Bonden auf einer Wafer-an-Wafer-Ebene durchgeführt, während das Tempern auf einer Die-an-Wafer-Ebene durchgeführt wird. Vorteilhafterweise können beim Durchführen eines Temperns nach dem Entbonden die Materialien der Trennschicht 22 die Materialien sein, die der Temperatur zum Tempern nicht standhalten.
  • Anschließend, wie in 6 dargestellt, wird das Einkapselungsmaterial 44 auf den Die-Bauelementen 26 eingekapselt (geformt). Der entsprechende Schritt ist als Schritt 312 in dem in 48 gezeigten Prozessablauf dargestellt. Das Einkapselungsmaterial 44 füllt die Lücken zwischen benachbarten Die-Bauelementen 26 und Durchkontaktierungen 42. Das Einkapselungsmaterial 44 kann eine Formmasse, eine Unterfüllungsmasse, ein Epoxid oder ein Harz enthalten. Gemäß einigen Ausführungsformen ist die obere Oberfläche des Einkapselungsmaterials 44 höher als die oberen Oberflächen der Durchkontaktierungen 42 und die oberen Oberflächen der Die-Bauelemente 26 (welche die Oberflächen der Halbleitersubstrate 25 sind). Ein Planarisierungsschritt (wie ein chemisch-mechanisches Polieren (CMP)) wird dann zum Entfernen von überschüssigem Einkapselungsmaterial 44 durchgeführt, so dass die Halbleitersubstrate 25 und Durchkontaktierungen 42 freigelegt werden. Ferner kann beim Planarisieren das Halbleitersubstrat 25 auch ausgedünnt werden, zum Beispiel auf eine Dicke im Bereich zwischen etwa 2 µm und etwa 10 µm).
  • Anschließend wird, unter Bezugnahme auf 7, eine Zwischenverbindungsstruktur 46 gebildet. Der entsprechende Schritt ist als Schritt 314 in dem in 48 gezeigten Prozessablauf dargestellt. Die Zwischenverbindungsstruktur 46 kann eine Struktur ähnlich der in 44 dargestellten Struktur haben und enthält dielektrische Schichten und Umverdrahtungen (Redistribution Lines, RDLs) in den dielektrischen Schichten. Die RDLs sind elektrisch an die Durchkontaktierungen 42 angeschlossen. Die RDLs enthalten auch Metallleitungsabschnitte und Durchkontaktierungsabschnitte, ähnlich jenen, die in 44 dargestellt sind. Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthält die Zwischenverbindungsstruktur 46 oberflächliche Bond-Pads und oberflächliche dielektrische Schichten deren obere Oberflächen miteinander koplanar sind, was im Wesentlichen dasselbe wie in 44 ist. Diese Ausführungsformen können verwendet werden, wenn mehr Die-Bauelementen an die Zwischenverbindungsstruktur 46 gebondet werden sollen, wie in 37 dargestellt ist. Gemäß alternativen Ausführungsformen hat die Zwischenverbindungsstruktur 46 keine planare obere Oberfläche.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung werden die RDLs in der Zwischenverbindungsstruktur 46 durch Plattieren gebildet. Gemäß alternativen Ausführungsformen werden die RDLs mit Damaszener-Prozessen gebildet.
  • Unter Bezugnahme auf 8 wird die dielektrische Schicht 48 über der Zwischenverbindungsstruktur 46 gebildet. Die dielektrische Schicht 48 kann mit einem Polymer gebildet werden, das Polybenzoxazol (PBO), Polyimid, Benzocyclobuten (BCB) oder dergleichen enthalten kann.
  • 8 zeigt auch die Bildung von elektrischen Verbindern 50, die elektrisch an die RDLs in der Zwischenverbindungsstruktur 46 und den Durchkontaktierungen 42 gekoppelt sind. Der entsprechende Schritt ist auch als Schritt 314 in dem in 48 gezeigten Prozessablauf dargestellt. Die elektrischen Verbinder 50 können gemäß einigen beispielhaften Ausführungsformen Under-Bump Metallurgien (UBMs, nicht dargestellt) und Lötregionen enthalten. Die Bildung der UBMs kann ein Abscheiden und Strukturieren enthalten. Lotkugeln können auf den UBMs angeordnet und dann wieder aufgeschmolzen werden. Gemäß alternativen Ausführungsformen enthält die Bildung von elektrischen Verbindern 50 ein Durchführen eines Plattierungsschritts zum Bilden von Lötregionen über den RDLs und dann ein Wiederaufschmelzen der Lötregionen. Die elektrischen Verbinder 50 können auch Metallsäulen und möglicherweise Lötkappen enthalten, die auch durch Plattieren gebildet werden können.
  • Die in 8 dargestellte Struktur wird dann in einzelne Packages zersägt, wobei 9 eines der Packages 52 zeigt. Der entsprechende Schritt ist als Schritt 316 in dem in 48 gezeigten Prozessablauf dargestellt. Package 52 enthält ein größeres Die-Bauelement 202, das sich bis hin zu den Rändern des Packages 52 erstreckt. Ein kleineres Die-Bauelement 26, das kleinere seitliche Dimensionen und eine kleinere Fläche in der Draufsicht als das Die-Bauelement 202 hat, wird an das größere Die-Bauelement 202 durch Hybrid-Bonding gebondet. Die Durchkontaktierungen 42 können direkt aus Metall-Pads 54 gebildet werden und durchdringen das Einkapselungsmaterial 44. Das Einkapselungsmaterial 44 umgibt ferner das Die-Bauelement 26 und die Durchkontaktierungen 42.
  • 10 bis 17 zeigen Querschnittsansichten von Zwischenstufen bei der Bildung eines Packages gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Falls nicht anderes angegeben ist, sind die Materialien und die Bildungsverfahren der Komponenten in diesen Ausführungsformen im Wesentlichen dieselben wie bei denselben Komponenten, die mit denselben Bezugszeichen in den in 1 bis 9 dargestellten Ausführungsformen bezeichnet sind. Die Einzelheiten bezüglich des Bildungsprozesses und der Materialien der in 10 bis 17 (und 18 bis 35) dargestellten Komponenten finden sich daher in der Besprechung der in 1 bis 9 dargestellten Ausführungsformen.
  • Die in 10 bis 17 dargestellten Ausführungsformen sind den Ausführungsformen in 1 bis 9 ähnlich, mit der Ausnahme, dass die Durchkontaktierungen zuerst auf dem Waferverbund gebildet werden. Unter Bezugnahme auf 10 werden die Durchkontaktierungen 42 über der Trennschicht 22 gebildet, die ferner über dem Träger 20 angeordnet ist. Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann eine zusätzliche Polymerschicht, wie PBO (nicht dargestellt), über der Trennschicht 22 gebildet sein. Die Bildung der leitenden Durchkontaktierungen 42 kann ein Bilden einer Blanket-Keimschicht (wie einer Titanschicht und einer Kupferschicht über der Titanschicht) über der zusätzlichen Polymerschicht, Bilden eines Fotolacks (nicht dargestellt) über der Keimschicht, Strukturieren des Fotolacks, um einige Abschnitte der Keimschicht freizulegen, Plattieren von Durchkontaktierungen 42, Entfernen des Fotolacks und Durchführen eines Ätzens zum Entfernen der Abschnitte der Keimschicht, die zuvor vom Fotolack bedeckt waren, enthalten.
  • Anschließend, wie in 11 dargestellt, werden die Die-Bauelemente 26 über der Trennschicht 22 und dem Träger 20 angeordnet, wobei DAFs (nicht dargestellt) zum Befestigen der Die-Bauelemente 26 an der darunterliegenden Struktur verwendet werden können. Die Die-Bauelemente 26 sind bekanntermaßen funktionierende Dies. Die Die-Bauelemente 26, Durchkontaktierungen 42 und der darunterliegende Träger 20 usw. werden gemeinsam als Waferverbund 100 bezeichnet.
  • Anschließend, unter Bezugnahme auf 12, wird das Einkapselungsmaterial 44 auf dem Waferverbund 100 eingekapselt, gefolgt von einem Planarisieren zum Entfernen der überschüssigen Abschnitte von Einkapselungsmaterial 44. Infolgedessen werden die obere Oberfläche der Durchkontaktierungen 42 und die obere Oberfläche der Zwischenverbindungsstruktur 28 freigelegt. Gemäß einigen beispielhaften Ausführungsformen enthält die freigelegte obere Oberfläche der Zwischenverbindungsstruktur 28 die freigelegten Oberflächen der Bond-Pads 36 und der oberflächlichen dielektrischen Schicht 38, wie in 44 dargestellt. Gemäß einigen Ausführungsformen können eine geeignete Aufschlämmung und geeignete Planarisierungsprozessbedingungen angewendet werden, um die oberen Enden der dielektrische Auskleidungen 40 stärker zu vertiefen als die Bond-Pads 36 und die oberflächliche dielektrische Schicht 38, was zu Vertiefungen in den dielektrischen Auskleidungen 40 führt, wie in 46 dargestellt.
  • Anschließend, unter Bezugnahme auf 13, werden der Waferverbund 100 und Wafer 200 durch Hybrid-Bonding aneinander gebondet, was zwischen Die-Bauelementen 26 und den entsprechenden Die-Bauelementen 202 erfolgt. Andererseits kann das Einkapselungsmaterial 44 mit der oberen Oberfläche der Zwischenverbindungsstruktur 228 in Kontakt, aber nicht an diese gebondet sein (es sind keine chemischen und physikalischen Bonds gebildet). Daher ist es wahrscheinlich, dass einige Teile des Einkapselungsmaterials 44 in physischem Kontakt mit den oberflächlichen dielektrischen Materialien und/oder metallischen Materialien in der Zwischenverbindungsstruktur 228 stehen. Es ist auch wahrscheinlich, dass einige andere Teile des Einkapselungsmaterials 44 von den entsprechenden darunterliegenden Abschnitten der oberflächlichen dielektrischen Materialien und/oder metallischen Materialien durch Luftspalten 55 getrennt sind, die schematisch in 13 dargestellt sind. Die Luftspalten 55 können aufgrund der Nicht-Koplanarität des Einkapselungsmaterials 44 entstehen, die beim Planarisieren des Einkapselungsmaterials 44 verursacht wird. Es ist klar, dass die Stellen und die Größen der Luftspalten 55 regellos sind und die Größen der dargestellten Luftspalten 55 übertrieben sein können.
  • Die in 13 dargestellte Struktur unterscheidet sich von der in 6 dargestellten Struktur darin, dass in 6 das Einkapselungsmaterial 44 in Form eines Fluids abgegeben wird, um mit der Zwischenverbindungsstruktur 228 in Kontakt zu gelangen, und dann gehärtet wird. Daher ist in den Ausführungsformen in 6 das Einkapselungsmaterial 44 nicht nur in physischem Kontakt mit der oberen Oberfläche der Verbindungsstruktur 228, sondern auch an diese gebondet. Ebenso ist in den Ausführungsformen in 6 kein Luftspalt an der Grenzfläche des Einkapselungsmaterials 44 und der Zwischenverbindungsstruktur 228 gebildet.
  • Nach Ausführung des Schritts in 13 wird der Prozess fortgesetzt und der Träger 20 wird entbondet, zum Beispiel durch Zersetzen der Trennschicht 22 unter Verwendung eines Hochenergielichts. Die erhaltene Struktur ist in 14 dargestellt. Die anschließenden Schritte, die in 15 bis 17 dargestellt sind, sind im Wesentlichen dieselben wie jene, die in 7 bis 9 dargestellt sind und Einzelheiten des Prozesses und die entsprechenden Materialien werden hier nicht wiederholt. In dem erhaltenen Package, wie in 17 dargestellt, befindet sich das Einkapselungsmaterial 44 in Kontakt mit der Oberfläche der Zwischenverbindungsstruktur 228 und kann nicht an diese gebondet sein. Das Einkapselungsmaterial 44 wird an die darüber liegende Zwischenverbindungsstruktur 46 gebondet. Ebenso können Luftspalten 55 gebildet werden (oder nicht).
  • 18 bis 26 zeigen die Querschnittsansichten von Zwischenstufen bei der Bildung eines Packages gemäß einigen Ausführungsformen. Diese Ausführungsformen unterscheiden sich von den Ausführungsformen in 1 bis 17 darin, dass die zwei Wafer, die an dem Wafer-an-Wafer Hybrid-Bonding beteiligt sind, beide ein Waferverbund sind. Infolgedessen umgibt im erhaltenen Package das Einkapselungsmaterial beide Dies.
  • Unter Bezugnahme auf 18 werden der Träger 220 und die Trennschicht 222 bereitgestellt, die im Wesentlichen dieselben wie die Elemente 20 bzw. 22 ( 20) sind. Eine oder mehrere dielektrische Schicht(en) 223 werden auf der Trennschicht 222 gebildet. Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist die dielektrische Schicht 223 aus einem Polymer gebildet. Die dielektrische Schicht 223 kann auch aus einem lichtempfindlichen Material wie Polybenzoxazol (PBO), Polyimid, Benzocyclobuten (BCB) oder dergleichen gebildet sein, die durch Belichtung und Entwicklung strukturiert werden kann. Gemäß alternativen Ausführungsformen ist die dielektrische Schicht 223 aus einem Nitrid wie Siliziumnitrid, einem Oxid wie Siliziumoxid, Phosphosilicatglas (PSG), Borosilicatglas (BSG), bordotiertem Phosphosilicatglas (BPSG) oder dergleichen gebildet.
  • Die Durchkontaktierungen 242 werden über der dielektrischen Schicht 223 gebildet. Ferner wird die Zwischenverbindungsstruktur 229, die RDLs 227 enthält, in der dielektrischen Schicht 223 gebildet. Gemäß einigen Ausführungsformen enthalten die RDLs 227 Metallleitungen (nicht dargestellt) und Durchkontaktierungen. Gemäß alternativen Ausführungsformen enthalten die RDLs 227 eine einzelne Schicht von Durchkontaktierungen, wie in 18 dargestellt. Anschließend, wie in 19 dargestellt, werden die Die-Bauelemente 202 über der dielektrischen Schicht 223 angebracht und an dieser befestigt. Die Die-Bauelemente 202 werden auch aus dem Wafer 200 (3) gesägt und sind bekanntermaßen funktionierende Dies. Somit ist der Waferverbund 200' gebildet.
  • Anschließend werden, unter Bezugnahme auf 20, der Waferverbund 100 und der Waferverbund 200' aneinander gebondet, wobei die Die-Bauelemente 26 an die Die-Bauelemente 202 durch Hybrid-Bonding gebondet werden. Die Bildung des Waferverbunds 100 ist in 1 und 2 dargestellt. Die Positionen der Ausrichtungsmarkierungen 24 im Waferverbund 100 können so gestaltet sein, dass sie mit den entsprechenden Durchkontaktierungen 42 ausgerichtet sind (und diese überlappen können), und die Durchkontaktierungen 42 und Ausrichtungsmarkierungen 24 werden gemeinsam als Ausrichtungsmarkierungen in der Ausrichtung der Wafer 100 und 200' verwendet. Der Bonding-Prozess kann im Wesentlichen derselbe wie jener sein, der unter Bezugnahme auf 4 und 5 dargestellt und besprochen ist, und wird hier nicht wiederholt. Nach dem Entbonden des Trägers 20 im Waferverbund 100 enthält die resultierende Struktur die Die-Bauelemente 26, die an die Die-Bauelemente 202 im Waferverbund 200 gebondet sind, wie in 21 dargestellt. In anschließenden Schritten wird das Einkapselungsmaterial 44 aufgebracht und gehärtet, wie in 22 dargestellt ist. Dann wird ein Planarisieren durchgeführt, um die Die-Bauelemente 26 freizulegen und auszudünnen, wie in 23 dargestellt ist. Es werden auch die Durchkontaktierungen 242 freigelegt. Die anschließenden Schritte, die in 24 bis 26 dargestellt sind, sind im Wesentlichen dieselben wie die Schritte, die in 7 bis 9 dargestellt sind und Einzelheiten des Prozesses und die entsprechenden Materialien werden hier nicht wiederholt.
  • In dem in 26 dargestellten Package kapselt das Einkapselungsmaterial 44 beide Die-Bauelemente 26 und 202 ein und erstreckt sich kontinuierlich von der oberen Oberfläche des Die-Bauelements 26 zur unteren Oberfläche des Die-Bauelements 202. Zusätzlich, da ein einzelnes Einkapselungsmaterial 44 in einem Prozess gebildet wird, gibt es keine unterscheidbare Grenzfläche im Einkapselungsmaterial 44. Zum Beispiel ist keine unterscheidbare Grenzfläche im Einkapselungsmaterial 44 in einer Ebene mit der Grenzfläche zwischen den Die-Bauelementen 26 und 202. Es ist auch jede der Durchkontaktierungen 42 eine kontinuierliche Durchkontaktierung mit kontinuierlichen und geraden Rändern und es ist keine unterscheidbare Grenzfläche in der Durchkontaktierung 42, zum Beispiel auf der Ebene der Grenzfläche zwischen den Die-Bauelementen 26 und 202, vorhanden.
  • 27 bis 35 zeigen die Querschnittsansichten von Zwischenstufen bei der Bildung eines Packages gemäß einigen Ausführungsformen. Diese Ausführungsformen unterscheiden sich von den Ausführungsformen in 18 bis 26 darin, dass keine Durchkontaktierungen im Einkapselungsmaterial gebildet sind. Vielmehr werden Durchkontaktierungen 43 im Die-Bauelement 26 gebildet, um das Die-Bauelement 202 elektrisch an die Zwischenverbindungsstruktur 46 zu koppeln (35).
  • Der in 27 und 28 dargestellte Prozess zeigt die Bildung des Waferverbunds 200'. Die Prozessschritte sind den in 18 und 19 dargestellten Schritten ähnlich, außer, dass keine Durchkontaktierungen gebildet werden. Die Ausrichtungsmarkierungen 224 werden zum Beispiel in der Trennschicht 222 gebildet. Wie in 28 dargestellt, sind die Die-Bauelemente 202 an der Trennschicht 222 befestigt.
  • 29 zeigt das Bonding des Waferverbunds 100 an den Waferverbund 200', wobei die Die-Bauelemente 26 an entsprechende Die-Bauelemente 202 durch Hybrid-Bonding gebondet werden. Die Die-Bauelemente 26 enthalten Durchkontaktierungen 43, die sich in Halbleitersubstrate 25 erstrecken. Dann wird der Träger 20 entbondet, wie in 30 dargestellt.
  • Anschließend wird, unter Bezugnahme auf 31, das Einkapselungsmaterial 44 auf den Die-Bauelementen 26 und 202 eingekapselt, gefolgt von einem Planarisierungsschritt, wie in 32 dargestellt. Während des Planarisierens werden die Die-Bauelemente 26 auch ausgedünnt und die Halbleitersubstrate 25 werden ausgedünnt, um die Durchkontaktierungen 43 freizulegen. Die anschließenden Schritte, die in 33 bis 35 dargestellt sind, sind im Wesentlichen dieselben wie die Schritte, die in 7 bis 9 dargestellt sind und Einzelheiten des Prozesses und die entsprechenden Materialien werden hier nicht wiederholt.
  • In der erhaltenen Struktur, die in 35 dargestellt ist, umgibt das Einkapselungsmaterial 44 sowohl die Die-Bauelemente 26 wie auch 202. Es sind keine Durchkontaktierungen im Einkapselungsmaterial 44 gebildet. Ebenso wird das Einkapselungsmaterial 44 in einem einzigen Prozess gebildet und somit ist keine unterscheidbare Grenzfläche im Einkapselungsmaterial 44 vorhanden. Der elektrische Anschluss des Die-Bauelements 202 an die Zwischenverbindungsstruktur 46 erfolgt durch die Durchkontaktierungen 43 im Halbleitersubstrat 25.
  • 36 bis 43 zeigen die Querschnittsansichten von Packages, die gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung gebildet sind. 36 zeigt das Package, wie in 9 oder 17 dargestellt. 37 zeigt das Package ähnlich dem Package in 36, außer, dass ein zusätzliches Die-Bauelement 60 an die Zwischenverbindungsstruktur 46 gebondet ist. Das Bonden kann auch ein Hybrid-Bonden sein, ähnlich jenem das in 45, 46 und 47 dargestellt ist. Die Durchkontaktierungen 62 werden beginnend von den Metall-Pads (nicht dargestellt) in der Zwischenverbindungsstruktur 46 gebildet. Das Einkapselungsmaterial 64 kapselt das Die-Bauelement 60 und die Durchkontaktierungen 62 ein. Ferner werden die Zwischenverbindungsstruktur 66, die dielektrische Schicht 48 und die elektrischen Verbinder 50 gebildet. Die elektrischen Verbinder 50 sind elektrisch an die Durchkontaktierungen 62, die Zwischenverbindungsstruktur 46, die Durchkontaktierungen 42 und das Die-Bauelement 202 gekoppelt.
  • 38 zeigt ein Package ähnlich dem Package in 36, wobei die Durchkontaktierungen 43 im Halbleitersubstrat 25 des Die-Bauelements 26 gebildet sind. 39 zeigt ein Package ähnlich dem Package in 37, wobei die Durchkontaktierungen 43 im Halbleitersubstrat 25 im Die-Bauelement 26 gebildet sind und die Durchkontaktierungen 63 im Halbleitersubstrat 61 im Die-Bauelement 60 gebildet sind.
  • 40 zeigt ein Package ähnlich dem Package, das in 26 dargestellt ist, außer, dass das Die-Bauelement 202 die Durchkontaktierungen 203 im Halbleitersubstrat 204 enthält. Die Durchkontaktierungen 203 koppeln die leitenden Merkmale in den Zwischenverbindungsstrukturen 28 und 229 elektrisch aneinander. 41 zeigt ein Package ähnlich dem Package, das in 40 dargestellt ist, wobei die Durchkontaktierungen 43 ferner im Halbleitersubstrat 25 im Die-Bauelement 26 gebildet sind.
  • 42 zeigt ein Package ähnlich dem Package, das in 26 dargestellt ist, wobei die Durchkontaktierungen 43 ferner im Halbleitersubstrat 25 im Die-Bauelement 26 gebildet sind, und keine Durchkontaktierung im Einkapselungsmaterial 44 gebildet ist. 43 zeigt ein Package ähnlich dem Package, das in 42 dargestellt ist, wobei das Die-Bauelement 60, die Durchkontaktierungen 62 und das Einkapselungsmaterial 64 gebildet sind. Ferner sind die Durchkontaktierungen 63 im Die-Bauelement 60 gebildet.
  • 45 bis 47 zeigen mehrere Hybrid-Bonding-Schemata gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 45 werden die dielektrischen Auskleidungen 40 und 240 gebildet, welche die Bond-Pads 36 bzw. 236 umgeben. Mit den dielektrischen Auskleidungen 40 und 240, selbst wenn eine Fehlausrichtung vorliegt und die Bond-Pads 36 mit den dielektrischen Auskleidungen 240 in Kontakt gelangen, verhindern die Auskleidungen 240 eine Diffusion von Kupfer von den Bond-Pads 36 in die oberflächliche dielektrische Schicht 238. Auch wenn eine Fehlausrichtung vorliegt und die Bond-Pads 236 mit den dielektrischen Auskleidungen 40 in Kontakt gelangen, verhindern die Auskleidungen 40 eine Diffusion von Kupfer von den Bond-Pads 236 in die oberflächliche dielektrische Schicht 38.
  • In 46 und 47 werden Luftspalten 68 und 70 gebildet. Die Luftspalten 68 haben Scheibenformen, die durch Einstellen des Planarisierungsprozesses zum Planarisieren der oberen Oberflächen der Die-Bauelemente 26 und/oder 202 erzeugt werden können. Die Luftspalten 70 können unter Verwendung von Lithographieprozessen gebildet werden, um die Auskleidungen 40 und/oder 240 zu ätzen. Da Kupfer nicht durch die Luftspalten diffundieren kann, haben die Luftspalten 68 und 70 auch die Funktion, eine unerwünschte Kupferdiffusion zu verhindern, wenn eine Fehlausrichtung auftritt.
  • Die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung haben einige vorteilhafte Merkmale. Durch Bilden von Waferverbunden und anschließendes Durchführen eines Hybrid-Bondings mit Waferverbunden wird der Durchsatz des Bonding-Prozesses verbessert. Andererseits ermöglicht die Verwendung der Waferverbunde, dass die Die-Bauelemente unterschiedliche Größen haben, um mit Hybrid-Bonden aneinander gebondet zu werden. Zusätzlich können durch Bilden von Waferverbunden anstelle einer Verwendung der ungesägten Wafer bekanntermaßen funktionierende Dies gewählt und mangelhafte Dies nicht verpackt werden, die Abfall erzeugen.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthält ein Verfahren ein Anordnen mehrerer erster Die-Bauelemente über einem ersten Träger, wobei die ersten mehreren Die-Bauelemente und der erste Träger in Kombination einen ersten Waferverbund bilden. Der erste Waferverbund wird an einen zweiten Wafer gebondet und die ersten mehreren Die-Bauelemente werden an die zweiten mehreren Die-Bauelemente im zweiten Wafer durch Hybrid-Bonding gebondet. Das Verfahren enthält ferner ein Entbonden des ersten Trägers von den ersten mehreren Die-Bauelementen, Einkapseln der ersten mehreren Die-Bauelemente in einem Einkapselungsmaterial und Bilden einer Zwischenverbindungsstruktur über den ersten mehreren Die-Bauelementen und dem Einkapselungsmaterial.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthält ein Verfahren ein Anordnen von ersten mehreren Die-Bauelementen über einem Träger, ein Bilden mehrerer Durchkontaktierungen auf zweiten mehreren Die-Bauelementen eines Wafers, Ausrichten der ersten mehreren Die-Bauelemente auf dem Träger mit den zweiten mehreren Die-Bauelementen und Bonden der ersten mehreren Die-Bauelemente an die zweiten mehreren Die-Bauelemente durch Hybrid-Bonding. Die mehreren Durchkontaktierungen erstrecken sich in Zwischenräume zwischen den ersten mehreren Die-Bauelementen. Das Verfahren enthält ferner ein Entbonden des Trägers von den ersten mehreren Die-Bauelementen, Einkapseln der ersten mehreren Die-Bauelemente in ein Einkapselungsmaterial, Durchführen eines Planarisierens zum Nivellieren der oberen Oberflächen der ersten mehreren Die-Bauelemente, des Einkapselungsmaterials und der mehreren Durchkontaktierungen und Bilden einer Zwischenverbindungsstruktur über den ersten mehreren Die-Bauelementen und dem Einkapselungsmaterial.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthält ein Package ein erstes Die-Bauelement, ein zweites Die-Bauelement, das über dem ersten Die-Bauelement liegt und an dieses durch Hybrid-Bonding gebondet ist, ein Einkapselungsmaterial, das sowohl das erste Die-Bauelement wie auch das zweite Die-Bauelement einkapselt, und eine Zwischenverbindungsstruktur über dem zweiten Die-Bauelement. Die Zwischenverbindungsstruktur erstreckt sich über die Ränder sowohl des ersten Die-Bauelements wie auch des zweiten Die-Bauelements.

Claims (20)

  1. Verfahren, umfassend: Anordnen von ersten mehreren Die-Bauelementen (26) über einem ersten Träger (20), wobei die ersten mehreren Die-Bauelemente (26) und der erste Träger (20) in Kombination einen ersten Waferverbund (100) bilden, Bonden des ersten Waferverbunds (100) an einen zweiten Wafer (200), wobei die ersten mehreren Die-Bauelemente (26) an zweite mehrere Die-Bauelemente (202) im zweiten Wafer (200) durch Hybrid-Bonding gebondet werden; Entbonden des ersten Trägers (20) von den ersten mehreren Die-Bauelementen (26); Einkapseln der ersten mehreren Die-Bauelemente (26) in ein Einkapselungsmaterial (44); und Bilden einer Zwischenverbindungsstruktur (46) über den ersten mehreren Die-Bauelementen (26) und dem Einkapselungsmaterial (44).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei während des Bondens leere Zwischenräume zwischen den ersten mehreren Die-Bauelementen (26) vorhanden sind, des Weiteren umfassend ein Bilden mehrerer Durchkontaktierungen (42) auf dem zweiten Wafer (200) und wobei sich beim Bonden des ersten Waferverbunds (100) an den zweiten Wafer (200) die mehreren Durchkontaktierungen (42) in die leeren Zwischenräume erstrecken.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei, wenn das Bonden durchgeführt wird, die mehreren Durchkontaktierungen (42) vom ersten Waferverbund (100) beabstandet sind.
  4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, des Weiteren umfassend: Bilden mehrerer Durchkontaktierungen (42) auf dem ersten Waferverbund (100), wobei das Einkapseln der ersten mehreren Die-Bauelemente (26) an dem ersten Waferverbund (100) durchgeführt wird und beim Bonden das Einkapselungsmaterial (44) mit den zweiten mehreren Die-Bauelementen (202) in Kontakt gelangt, aber nicht an diese gebondet ist.
  5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, des Weiteren umfassend ein Bilden des zweiten Wafers (200), umfassend: Anordnen von zweiten mehreren Die-Bauelementen (202) über einem zweiten Träger (220), wobei die zweiten mehreren Die-Bauelemente (202) und der zweite Träger (220) in Kombination den zweiten Wafer (200) bilden, der ein zweiter Waferverbund (200') ist, und das Einkapselungsmaterial (44) sowohl die ersten mehreren Die-Bauelemente (26) wie auch die zweiten mehreren Die-Bauelemente (202) umgibt.
  6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Hybrid-Bonding umfasst: Bonden erster Bond-Pads (36) der ersten mehreren Die-Bauelemente (26) an zweite Bond-Pads (236) der zweiten mehreren Die-Bauelemente (202); und Bonden erster oberflächlicher dielektrischer Schichten (38) der ersten mehreren Die-Bauelemente (26) an zweite oberflächliche dielektrische Schichten (238) der zweiten mehreren Die-Bauelemente (202), und das Verfahren des Weiteren ein Bilden von Luftspalten (68, 70) umfasst, die die ersten Bond-Pads (36) umgeben.
  7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei jedes der ersten mehreren Die-Bauelemente (26) umfasst: ein Halbleitersubstrat (25); und zusätzliche Durchkontaktierungen (43), die das Halbleitersubstrat (25) durchdringen, wobei das Einkapseln der ersten mehreren Die-Bauelemente (26) einen Planarisierungsschritt zum Ausdünnen der ersten mehreren Die-Bauelemente (26) und zum Freilegen der zusätzlichen Durchkontaktierungen (43) umfasst.
  8. Verfahren umfassend: Anordnen von ersten mehreren Die-Bauelementen (26) über einem Träger (20); Bilden mehrerer Durchkontaktierungen (42) auf zweiten mehreren Die-Bauelementen (202) eines Wafers (200); Ausrichten der ersten mehreren Die-Bauelemente (26) auf dem Träger (20) mit den zweiten mehreren Die-Bauelementen (202); Bonden der ersten mehreren Die-Bauelemente (26) an die zweiten mehreren Die-Bauelemente (26) durch Hybrid-Bonding, wobei sich die mehreren Durchkontaktierungen (42) in Zwischenräume zwischen den ersten mehreren Die-Bauelementen (26) erstrecken; Entbonden des Trägers (20) von den ersten mehreren Die-Bauelementen (26); Einkapseln der ersten mehreren Die-Bauelemente (26) in ein Einkapselungsmaterial (44); Durchführen eines Planarisierens zum Nivellieren der oberen Oberflächen der ersten mehreren Die-Bauelemente (26), des Einkapselungsmaterials (44) und der mehreren Durchkontaktierungen (42); und Bilden einer Zwischenverbindungsstruktur (46) über den ersten mehreren Die-Bauelementen (26) und dem Einkapselungsmaterial (44).
  9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Hybrid-Bonding umfasst: Vor-Bonden der ersten mehreren Die-Bauelemente (26) an die zweiten mehreren Die-Bauelemente (202); und Tempern der ersten mehreren Die-Bauelemente (26) und der zweiten mehreren Die-Bauelemente (202) zur Bildung des Hybrid-Bondings.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei das Tempern sowohl an den ersten mehreren Die-Bauelementen (26) wie auch dem Träger (20) durchgeführt wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 9, wobei das Tempern mit freiliegenden oberen Oberflächen der ersten mehreren Die-Bauelemente (26) durchgeführt wird.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei nach dem Planarisieren die mehreren Durchkontaktierungen (42) freigelegt sind.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 12, wobei das Ausrichten durch Ausrichten von Ausrichtungsmarkierungen (24) mit den mehreren Durchkontaktierungen (42) durchgeführt wird, wobei die Ausrichtungsmarkierungen (24) am Träger (20) befestigt sind.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei jede der Ausrichtungsmarkierungen (24) eine der mehreren Durchkontaktierungen (42) überlappt.
  15. Package (52) umfassend: ein erstes Die-Bauelement (26, 202); ein zweites Die-Bauelement (202, 26), das über dem ersten Die-Bauelement (26, 202) liegt und durch Hybrid-Bonding an dieses gebondet ist; ein Einkapselungsmaterial (44), das sowohl das erste Die-Bauelement (26, 202) wie auch das zweite Die-Bauelement (202, 26) einkapselt; und eine Zwischenverbindungsstruktur (46, 66) über dem zweiten Die-Bauelement (202, 26), wobei sich die Zwischenverbindungsstruktur (46, 66) über Ränder sowohl des ersten Die-Bauelements (26, 202) wie auch des zweiten Die-Bauelements (202, 26) hinaus erstreckt.
  16. Package (52) nach Anspruch 15, wobei sich das Einkapselungsmaterial (44) kontinuierlich von einer oberen Oberfläche des zweiten Die-Bauelements (202, 26) zu einer unteren Oberfläche des ersten Die-Bauelements (26, 202) erstreckt, ohne unterscheidbare Grenzfläche zwischen oberen Abschnitten und unteren Abschnitten des Einkapselungsmaterials (44).
  17. Package (52) nach Anspruch 15 oder 16, des Weiteren umfassend eine Durchkontaktierung (42, 242), die das Einkapselungsmaterial (44) durchdringt, wobei sich die Durchkontaktierung (42, 242) kontinuierlich von einer oberen Oberfläche des zweiten Die-Bauelements (202, 26) zu einer unteren Oberfläche des ersten Die-Bauelements (26, 202) erstreckt, ohne unterscheidbare Grenzfläche zwischen oberen Abschnitten und unteren Abschnitten der Durchkontaktierung (42, 242).
  18. Package (52) nach einem der Ansprüche 15 bis 17, wobei die Ränder des ersten Die-Bauelements (26, 202) mit entsprechenden Rändern des zweiten Die-Bauelements (202, 26) fehlausgerichtet sind.
  19. Package (52) nach einem der Ansprüche 15 bis 18, wobei keine Durchkontaktierung das Einkapselungsmaterial (44) durchdringt und das zweite Die-Bauelement (202, 26) Durchkontaktierungen (43, 203) umfasst, wobei die oberen Oberflächen der Durchkontaktierungen (43, 203) mit einer oberen Oberfläche des Einkapselungsmaterials (44) koplanar sind.
  20. Package (52) nach einem der Ansprüche 15 bis 19, des Weiteren umfassend ein drittes Die-Bauelement (60), das über der Zwischenverbindungsstruktur (46) liegt und durch Hybrid-Bonding an diese gebondet ist.
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