DE102009053064A1 - Dünnfilm-Halbleiterbauelement mit Schutzdiodenstruktur und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterbauelements - Google Patents
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| DE102009053064A DE102009053064A1 (de) | 2009-11-13 | 2009-11-13 | Dünnfilm-Halbleiterbauelement mit Schutzdiodenstruktur und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterbauelements |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| DE102009053064A DE102009053064A1 (de) | 2009-11-13 | 2009-11-13 | Dünnfilm-Halbleiterbauelement mit Schutzdiodenstruktur und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterbauelements |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102009053064A1 true DE102009053064A1 (de) | 2011-05-19 |
Family
ID=43384708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102009053064A Withdrawn DE102009053064A1 (de) | 2009-11-13 | 2009-11-13 | Dünnfilm-Halbleiterbauelement mit Schutzdiodenstruktur und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterbauelements |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120223416A1 (https=) |
| EP (1) | EP2499668B9 (https=) |
| JP (1) | JP2013511142A (https=) |
| KR (1) | KR20120099720A (https=) |
| CN (1) | CN102687271B (https=) |
| DE (1) | DE102009053064A1 (https=) |
| WO (1) | WO2011058094A1 (https=) |
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- 2010-11-11 EP EP10776685.9A patent/EP2499668B9/de active Active
- 2010-11-11 US US13/497,979 patent/US20120223416A1/en not_active Abandoned
- 2010-11-11 KR KR1020127015287A patent/KR20120099720A/ko not_active Withdrawn
- 2010-11-11 CN CN201080051515.4A patent/CN102687271B/zh active Active
- 2010-11-11 JP JP2012538335A patent/JP2013511142A/ja active Pending
- 2010-11-11 WO PCT/EP2010/067278 patent/WO2011058094A1/de not_active Ceased
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| WO2017009085A1 (de) * | 2015-07-15 | 2017-01-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauelement |
| CN113554987A (zh) * | 2020-07-30 | 2021-10-26 | 华为技术有限公司 | 一种显示模组、电子设备 |
| US11955080B2 (en) | 2020-07-30 | 2024-04-09 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Display module and electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2011058094A1 (de) | 2011-05-19 |
| KR20120099720A (ko) | 2012-09-11 |
| EP2499668B1 (de) | 2018-01-03 |
| JP2013511142A (ja) | 2013-03-28 |
| EP2499668A1 (de) | 2012-09-19 |
| CN102687271A (zh) | 2012-09-19 |
| EP2499668B9 (de) | 2018-04-18 |
| CN102687271B (zh) | 2016-01-20 |
| US20120223416A1 (en) | 2012-09-06 |
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