CN104641467A - 光电子半导体设备和载体复合件 - Google Patents

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Abstract

本发明提出一种具有光电子器件(2)和另外的器件(3)的光电子半导体设备(1)。光电子器件和另外的器件在半导体设备运行时彼此并联连接。光电子器件与用于外部地接触半导体设备的第一接触部(6)和第二接触部(7)连接并且另外的器件与半导体设备的至少一个另外的接触部(8)连接。本发明还提出一种载体复合件。

Description

光电子半导体设备和载体复合件
技术领域
本申请涉及一种光电子半导体设备以及一种载体复合件。
背景技术
光电子半导体设备通常具有两个或更多个共同地运行的器件。然而多个器件的这种集成能够使器件在制造期间的测试变难。
发明内容
本发明的目的是，简化器件在制造期间的测试。
根据光电子半导体设备的至少一个实施方式，半导体设备具有光电子器件。光电子器件能够设置用于接收和/或产生电磁辐射、尤其是红外光谱范围、可见光谱范围或紫外光谱范围中的辐射。
特别地，光电子器件能够包括具有半导体层序列的半导体本体，其中半导体层序列具有设置用于接收和/或产生辐射的有源区域。
根据光电子半导体设备的至少一个实施方式，半导体设备具有另外的器件。另外的器件能够是电子器件或另外的光电子器件。电子器件例如能够构成为ESD(静电放电)保护二极管，所述ESD保护二极管设置用于保护光电子器件免受静电放电。
另外的光电子器件和光电子器件能够相同类型地构成。光电子器件和另外的光电子器件例如能够分别具有半导体本体，其中半导体本体在制造时由相同的半导体层序列产生。也就是说，光电子器件的半导体层和另外的光电子器件的半导体层除制造公差之外是相同的。
替选地，光电子器件和另外的光电子器件也能够彼此不同。光电子器件和另外的光电子器件例如能够设置用于发射具有不同峰值波长或具有不同光谱分布的辐射。
根据光电子半导体设备的至少一个实施方式，光电子器件和另外的器件在设备运行时彼此并联连接。术语“彼此并联连接”不仅包含光电子器件和另外的器件的导通方向彼此平行地定向的连接还包括导通方向反平行地定向的连接。
根据光电子半导体设备的至少一个实施方式，光电子器件与第一接触部和第二接触部连接。第一接触部和第二接触部设置用于外部地电接触半导体设备。载流子在光电子半导体设备运行时例如能够经由第一接触部和第二接触部从不同的侧注入到光电子器件的有源区域中并且在那里在发射辐射的情况下重组。
根据光电子半导体设备的至少一个实施方式，另外的器件与半导体设备的至少一个另外的接触部连接。所述另外的接触部与第一接触部和第二接触部电分离。也就是说，在第一接触部和另外的接触部之间并且在第二接触部和另外的接触部之间不存在直接的电流路径。
借助于另外的接触部，可以至少在制造光电子半导体设备期间、尤其是与光电子器件不相关地电接触另外的器件。
根据光电子半导体设备的至少一个实施方式，半导体设备具有光电子器件和另外的器件，所述光电子器件和所述另外的器件在设备运行时彼此并联。光电子器件与用于外部地接触半导体设备的第一接触部和第二接触部连接并且另外的器件与半导体设备的至少一个另外的接触部连接。
根据光电子半导体设备的至少一个实施方式，第一接触部和另外的接触部在安装在连接载体上时设置用于固定在连接载体的共同的电连接载体面上。也就是说，在安装时，第一接触部和另外的接触部经由共同的电连接载体面彼此导电连接。也就是说，在固定在连接载体上时，将第一接触部和另外的接触部电短路。也就是说，与常见的使单独的接触部也彼此单独地电接触的处理方式不同，故意将两个接触部电短路，以便因此实现器件的电并联连接。也就是说，用于接触光电子半导体设备的电连接载体面的数量小于光电子半导体设备的接触部的数量。特别地，光电子半导体设备刚好能够具有三个接触部并且连接载体刚好能够具有两个用于半导体设备的电连接载体面。
也就是说，这种半导体装置包括至少一个光电子半导体设备和连接载体，其中半导体设备的第一接触部和另外的接触部设置在连接载体的共同的电连接载体面上。
根据光电子半导体设备的至少一个实施方式，光电子器件在安装在连接载体上之前可借助于第一接触部和第二接触部与另外的器件无关地运行。也就是说，光电子器件例如能够为了测试目的被接触，而另外的器件不会也同时运行。
根据光电子半导体设备的至少一个实施方式，另外的器件与第二接触部导电连接。光电子器件和另外的器件的并行的运行能够通过建立在第一接触部和另外的接触部之间的电连接来进行。
根据光电子半导体设备的至少一个实施方式，半导体设备具有带有主面的载体，在所述主面上设置有光电子器件。在竖直方向上，载体在主面和背离光电子器件的背侧之间延伸。在载体的主面上能够设有用于光电子器件的和/或用于另外的器件的一个或多个连接面。在载体的背侧上，能够设置有一个或多个背侧的接触面。优选地，所有的对于运行半导体设备所需要的接触部是从背侧起可触及的。
载体优选包含半导体材料、例如硅。但是也能够应用其他的半导体材料，例如锗或者砷化镓。替选地，载体能够包含陶瓷，例如氮化铝、氧化铝或者氮化硼。
根据光电子半导体设备的至少一个实施方式，载体在主面上具有第一连接面。第一连接面与光电子器件导电连接。经由穿过载体的通孔，第一连接面与第一接触部的设置在载体的背侧上的背侧的第一接触面导电连接。也就是说，光电子器件是从载体背侧起可电接触的。
根据光电子半导体设备的至少一个实施方式，载体在主面上具有前侧的第一接触面。前侧的第一接触面经由另外的通孔与背侧的第一接触面连接。此外，前侧的第一接触面与第一连接面隔开。也就是说，光电子器件除了背侧的第一接触面之外也可以经由前侧的第一接触面电接触。从前侧起测试半导体设备因此被简化。
根据光电子半导体设备的至少一个实施方式，半导体设备在第一连接面和前侧的第一接触面之间不具有直接的前侧的电流路径。第一连接面和第一接触面之间的电流路径在垂直于主面伸展的竖直的方向上两次横穿载体。也就是说，在借助于前侧的第一接触面电接触来测试半导体设备的情况下，也能够测试和考虑通孔。此外，第一连接面能够构成为，使得其为了测试目的在前侧是可电接触的。第一连接面在半导体设备的俯视图中例如能够伸出光电子器件。也就是说，第一连接面的至少一个区域在前侧可自由触及。
前侧的第一接触面和光电子器件在半导体设备的俯视图中能够无重叠地并排设置。
根据光电子半导体设备的至少一个实施方式，另外的器件集成在载体中。另外的器件例如能够是集成到载体中的ESD保护二极管。ESD保护二极管例如能够借助于载体的至少一个掺杂区域形成。特别地，载体能够具有p型区域和n型区域。
根据光电子半导体设备的至少一个实施方式，第一接触部和另外的接触部之间的间距小于第一接触部和第二接触部之间的间距。第一接触部和另外的接触部之间的间距例如能够在1μm和100μm之间，包括边界值。
为了制造多个半导体设备，载体优选在载体复合件中构成。在载体复合件装配光电子器件和必要时的电子器件之后，能够通过分割载体复合件来得出半导体设备，其中载体复合件的一部分分别形成载体。
载体复合件优选具有多个器件区域，所述器件区域还优选在横向方向上并排设置，例如阵列形地设置。载体复合件的至少一个器件区域、优选每个器件区域优选具有一个或多个结合载体所描述的特征。
根据载体复合件的至少一个实施方式，载体复合件具有多个器件区域，所述器件区域在横向方向上并排设置。每个器件区域在主面上具有第一连接面和第二连接面，所述第一连接面和第二连接面分别设置用于电接触光电子半导体器件。每个器件区域在与主面相对置的背侧上具有背侧的第一接触面和背侧的第二接触面。背侧的第一接触面和背侧的第二接触面分别经由通孔与第一连接面或第二连接面导电连接。每个器件区域在主面上具有前侧的第一接触面，所述前侧的第一接触面经由另外的通孔与背侧的第一接触面导电连接。
载体复合件尤其适合于制造上述半导体设备。结合半导体设备描述的特征因此也能够用于载体复合件并且反之亦然。
附图说明
其他的特征、设计方案和适宜方案从下述结合附图对实施例的描述中得出。
附图示出：
图1A和1B在示意的剖视图中示出半导体设备的一个实施例以及图1C在示意的剖视图中示出具有这种半导体设备的半导体装置的一个实施例；
图2A在示意图与相应的等效电路图中示出在电接触半导体设备之前(图2B)和在接触之后(图2C)的半导体设备的第二实施例；
图3A和3B在示意俯视图(图3A)和图3B中的相应的剖面图中示出根据第一实施例的载体复合件的一部分；
图4A和4B在示意图俯视图(图4A)和图4B中的相应的剖面图中示出根据第二实施例的载体复合件的一部分。
具体实施方式
相同的、同类的或起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。附图中示出的元件彼此间的大小比例和附图不视为是合乎比例的。更确切地说，为了更好的可视性和/或为了更好的理解能够夸大地示出各个元件。
在图1A中在示意剖面图中示出半导体设备的第一实施例。半导体设备1具有光电子器件2。光电子器件包括具有半导体层序列的半导体本体20。半导体层序列形成半导体本体。半导体层序列包括设置用于产生辐射的有源区域23，所述有源区域设置在第一半导体层21和第二半导体层22之间。第一半导体层、第二半导体层和有源区域优选分别多层地构成。光电子器件2例如能够构成为荧光二极管芯片，例如构成为发光二极管芯片或激光二极管芯片。替选地，光电子器件2也能够构成为辐射接收器，其中检测在有源区域23中吸收的辐射。
半导体本体20、尤其有源区域23优选包含III-V族化合物半导体材料。III-V族化合物半导体材料尤其适合于在紫外光谱(AlxInyGa1-x-yN)经由可见光谱(尤其对于蓝色至绿色辐射为AlxInyGa1-x-yN，或尤其对于黄色至红色辐射为AlxInyGa1-x-yP)至红外光谱(AlxInyGa1-x-yAs)中的辐射产生。在此分别适用的是0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1，其中尤其x≠1，y≠1，x≠0和/或y≠0。借助于尤其是出自上述材料体系的III-V族化合物半导体材料还能够在产生辐射时实现高的内部量子效率。
光电子器件2设置在载体5上。载体沿竖直方向在朝向光电子器件2的主面50和背离器件的背侧51之间延伸。
载体5优选包含半导体材料，例如硅。但是也能够应用其他的半导体材料，例如锗或者砷化镓。电子器件能够尤其简单地集成到基于半导体材料的载体中。尤其是当另外的器件3构成在载体5之外时，对于载体也能够应用其他的材料，例如陶瓷，例如氮化铝、氧化铝或者氮化硼。
在主面50上构成有第一连接面41和第二连接面42。连接面41、42构成和设置为，使得能够经由连接面从不同的侧将载流子注入到有源区域23中。第一连接面41和第二连接面42优选无重叠地设置在载体的主面50上并且彼此电绝缘。在半导体设备1的俯视图中，光电子器件2至少局部地遮盖第一连接面41和第二连接面42。
在所示出的实施例中，半导体本体20具有多个凹部25，所述凹部分别从半导体本体的朝向载体5的一侧延伸穿过第二半导体层22和有源区域23。在凹部25中构成有第一接触层27。第一接触层27与第一连接面41导电连接，例如经由能导电的连接机构、例如焊料或能导电的粘接层(在附图中未明确示出)来导电连接。
在第二半导体层22上构成有第二接触层28。第二接触层28用于电接触第二半导体层22。此外，第二接触层28优选构成为用于在有源区23中产生的辐射的镜层。第二接触层优选包含银、铑、钯、铱或铝或者具有上述金属中的至少一种的金属合金。所提到的材料的特征在于在可见光谱范围和紫外光谱范围中的高的反射率。第二接触层28局部地设置在第一接触层27和第二接触层22之间。也就是说，在半导体设备的俯视图中，第一接触层和第二接触层局部地重叠。
在第一接触层27和第二接触层28之间优选构成有电绝缘层，例如氧化层、如氧化硅层，使得在第一接触层和第二接触层之间不存在直接的电接触。该绝缘层为了简化视图在附图中未示出。此外，在凹部25的区域中能够设有用于将第一接触层27与有源区域23和第二半导体层22电绝缘的绝缘层(未明确示出)。
在背离载体5的一侧上，半导体本体20具有结构化部26。结构化部设置用于提高在有源区域23中产生的辐射的耦合输出效率。结构化部例如能够机械地、例如借助于磨削或研磨，或化学地、例如借助于湿法化学蚀刻或干法化学刻蚀来进行。结构化部还能够规则地或不规则地构成。
半导体设备1还具有第一接触部6和第二接触部7。经由这些接触部进行半导体设备1的外部的电接触。半导体设备构成为表面安装的器件(surface mounted device，SMD)。
在所示出的实施例中，光电子器件3构成为薄膜器件，其中移除用于半导体层序列的生长衬底。与其不同的是，光电子器件3能够具有生长衬底。第一半导体层21和第二半导体层22的接触也能够以不同的方式构成。
第一接触部6具有背侧的第一接触面61和前侧的第一接触面62。前侧的第一接触面62和第一连接面41无重叠地并排设置在载体5的主面50上。第一连接面41经由通孔65与背侧的第一接触面61导电连接。此外，前侧的第一接触面62经由另外的通孔66与背侧的第一接触面61导电连接。
也就是说，第一连接面41和前侧的第一接触面62不经由直接的前侧连接部、而是仅经由电流路径彼此连接，所述电流路径在竖直方向上两次延伸穿过载体5。
第二接触部7以类似的方式具有背侧的第二接触面71、前侧的第二接触面72、通孔75和另外的通孔76。也就是说，前侧的第二接触面72经由通孔75和另外的通孔76与第二连接面42导电连接。
半导体设备1还包括另外的器件3。在所示出的实施例中，另外的器件构成为电子器件，所述电子器件集成到载体5中。特别地，电子器件3设置为用于保护光电子器件2免受静电放电的ESD保护二极管。保护二级管例如能够通过载体5的不同掺杂的区域形成。这结合图4A和4B详细地描述。但是与其不同的是，电子器件也能够构成在载体5上。
电子器件3具有另外的接触部8。经由另外接触部8和第二接触部7可外部地电接触另外的器件3。半导体设备1的为了测试目的的电布线在图1B中示出。通过在第一接触部6的前侧的第一接触面62和第二接触部7的前侧的第二接触面72之间施加电压能够从不同侧将载流子注入到光电子器件2的有源区域23中并且在那里在发射辐射的情况下重组。
而另外的器件3与接触部中的至少一个电绝缘，在所示出的实施例中与第一接触部6电绝缘，使得能够与ESD保护二极管无关地测试光电子器件2。特别地，也能够沿封闭方向对光电子器件2进行测试。而如果另外的器件3与第一接触部6和第二接触部7导电连接，那么不沿着封闭方向来表征光电子器件2的特性，因为载流子由于导通方向的反平行的定向而经由另外的器件3流出。
此外，经由电流路径来表征光电子器件2的特性，所述电流路径在第一接触部6的通孔65、66上以及在载体5的第二接触部7的通孔75、76上伸展。由此，也能够研究通孔例如在半导体设备1的串联电阻方面的影响。
附加地，也能够通过接触第一连接面41而不是前侧的第一接触面62来表征光电子器件2的特性。也就是说，在这种情况下，绕开通孔65和另外的通孔66。因此能够尤其可靠地确定因通孔引起的串联电阻。
半导体设备1在安装在连接载体上之后的连接在示出这种半导体装置的图1C中示出。连接载体9具有第一连接载体面91和第二连接载体面92。第一连接载体面91与第一接触部6和另外的接触部8导电连接。第二连接载体面92与第二接触部7导电连接。也就是说，第一接触部6和另外的接触部8因此设置在共同的连接载体面上。通过安装半导体设备1，进行光电子器件2与另外的器件3的并联连接。光电子器件2和另外的器件3关于导通方向彼此反平行地取向，使得载流子在静电充电的情况下能够沿光电子器件2的封闭方向经由另外的器件2流出。
也就是说不需要用于并联连接光电子器件2和另外的器件3的附加的制造步骤。另外的接触部8和第一接触部6之间的间距因此优选小于另外的接触部8和第二接触部7之间的间距以及小于第一接触部6和第二接触部76之间的间距。通过第一接触部和另外的接触部之间的小的间距，这些接触部能够经由一个共同的连接载体面简化地彼此导电连接，而不必为此提高连接载体面91的大小。
借助于所描述的接触引导能够以简单且可靠的方式进行半导体设备中的两个器件的并联连接，其中因此在制造时能够彼此独立地测试所述器件中的至少一个或者这两个器件。特别地，ESD保护二极管能够集成到光电子器件的载体5中，而集成到载体中的器件不会使关于测试目的的表征变难。
显然，半导体设备1也能够具有多于一个的另外的器件3。为了相应分开的可接触性，能够将单独的另外的接触部8与每个另外的器件相关联。替选地也可以考虑的是，将各个另外的接触部与具有两个或更多个另外的器件的各个组相关联。
在图2A中示出的半导体设备的第二实施例基本上对应于结合图1A至1C所描述的第一实施例。与其不同的是，另外的器件3是光电子器件。
另外的器件3不集成到载体5中，而是设置在载体5的主面50上。
特别地，光电子器件2和另外的器件3能够同类地构成。光电子器件和另外的器件例如能够发射相同波长范围中的辐射。在制造时，器件的半导体本体20能够由相同的半导体层序列产生。但是替选地，光电子器件2和另外的器件3也能够彼此不同地构成。器件例如能够发射在彼此不同的波长范围中的或具有彼此不同的光谱分布的和/或彼此不同的强度的辐射。
在安装半导体设备1之前，光电子器件2和另外的光电子器件3如在图2B中示意地示出那样仍可彼此分开地电接触。
在安装在连接载体9上之后，器件2、3如在图2C中示出的那样彼此并联连接。在作为光电子器件的另外的器件3的设计方案中，光电子器件2和另外的器件3关于其导通方向优选并联连接，使得这两个器件同时发射辐射。整体上通过半导体设备1发射的辐射功率因此能够被提高。
载体复合件的一个实施例在图3A中在示意俯视图中示出并且在图3B中示出相应的剖面图。为了简化视图，附图分别示出载体复合件的一部分，所述部分刚好对应于器件区域500。特别地，在用光电子器件2和必要时的另外的器件进行装配之后，能够沿着分割线550分割载体复合件，使得每个半导体设备具有载体5。这种载体尤其能够应用在如结合图1A至1C和2A至2C所描述的那样构成的半导体设备中。
如结合图1A至1C所描述的那样，载体5在主面50上具有第一连接面41和第二连接面42。在将光电子器件安装在安装区域501中时，光电子器件分别至少局部地遮盖第一连接面和第二连接面。
第一连接面41经由通孔65、背侧的第一接触面61和另外的通孔66与前侧的第一接触面62导电连接。
类似地，第二连接面42经由通孔75、背侧的第二接触面71和另外的通孔76与前侧的第二接触面72导电连接。在将光电子器件2安装在安装区域501中之后，能够从前侧进行光电子器件的电接触，在所述前侧上也设置有器件。而从载体复合件中分割的半导体设备能够通过减小的空间需求在背侧被电接触。
载体复合件的在图4A中示出的第二实施例基本上对应于结合图3A和3B所描述的第一实施例。与此不同的是，器件区域500具有另外的接触部8。另外的接触部8包括背侧的另外的接触面81、前侧的另外的接触面82和通孔85。在载体复合件的俯视图中，背侧的第一接触面61和背侧的另外的接触面81无重叠地并排设置。
载体5还具有第一区域55和第二区域56，其中第一区域和第二区域关于传导类型彼此不同地掺杂。第一区域例如能够构成为p型并且第二区域构成为n型或者相反。借助于区域55、56以集成到载体中的保护二极管的形式构成另外的器件3。在所示出的实施例中，另外的器件在载体5的主面50的区域中构成。在载体5的主面50上设置有绝缘层52。绝缘层设置在载体和第二连接面42之间以及载体和前侧的另外的接触面之间。绝缘层被局部地打开，使得第二连接面在开口中与第一区域55导电连接并且前侧的另外的接触面82在另外的开口中与第二区域56导电连接。
在所示出的实施例中，第一区域55与第二连接面42导电连接并且第二区域56与另外的接触部8的前侧的另外的接触面82导电连接。然而，另外的器件3的设计方案和位置也能够与其不同。第一区域55和第二区域56例如也能够设置在载体5的背侧上，其中区域中的一个与第二接触部7、例如背侧的第二接触面72导电连接，并且另一个区域与另外的接触部8、例如背侧的另外的接触面81导电连接。为了与另外的器件3无关地单独地测试已安装的光电子器件，适当地仅要么将第一区域55要么将第二区域56与第一接触部6或第二接触部7导电连接。
本专利申请要求德国专利申请10 2012 108 627.3的优先权，所述德国专利申请的公开内容就此通过参考并入本文。
本发明不通过根据实施例的描述受到限制。更确切地说，本发明包括每个新特征以及特征的每个组合，这尤其是包含在权利要求中的特征的每个组合，即使该特征或该组合本身没有明确地在权利要求中或实施例中说明时也是如此。

Claims (15)

1.一种具有光电子器件(2)和另外的器件(3)的光电子半导体设备(1)，其中
-所述光电子器件和所述另外的器件在所述半导体设备运行时彼此并联地连接；
-所述光电子器件与用于外部地接触所述半导体设备的第一接触部(6)和第二接触部(7)连接；并且
-所述另外的器件与所述半导体设备的至少一个另外的接触部(8)连接。
2.根据权利要求1所述的半导体设备，
其中所述第一接触部和所述另外的接触部在安装在连接载体(9)上时设置用于固定在所述连接载体的一个共同的电连接载体面(91)上。
3.根据权利要求1或2所述的半导体设备，
其中所述光电子器件在安装在连接载体(9)上之前能够与所述另外的器件不相关地借助于所述第一接触部和所述第二接触部运行。
4.根据上述权利要求中任一项所述的半导体设备，
其中所述另外的器件与所述第二接触部导电连接。
5.根据上述权利要求中任一项所述的半导体设备，
其中所述半导体设备具有带有主面(50)的载体(5)，在所述主面上设置有所述光电子器件。
6.根据权利要求5所述的半导体设备，
其中所述载体在所述主面上具有第一连接面(41)，所述第一连接面与光电子器件导电连接并且所述第一连接面经由穿过所述载体的通孔(65)以背离所述光电子器件的背侧(51)与所述第一接触部的背侧的第一接触面(61)导电连接。
7.根据权利要求6所述的半导体设备，
其中所述载体在所述主面上具有前侧的第一接触面(62)，所述第一接触面与所述第一连接面隔开并且所述第一接触面经由另外的通孔(66)与背侧的所述第一接触面连接。
8.根据权利要求7所述的半导体设备，
其中所述半导体设备不具有在所述第一连接面和前侧的所述第一接触面之间的直接的前侧的电流路径，并且所述第一连接面和所述第一接触面之间的电流路径在垂直于所述主面伸展的竖直的方向上两次横穿所述载体。
9.根据权利要求5所述的半导体设备，其中
-所述载体在所述主面上具有第一连接面(5)，所述第一连接面与所述光电子器件导电连接；
-所述载体在所述主面上具有第二连接面(42)，所述第二连接面与所述光电子器件导电连接；
-所述载体在所述主面上具有另外的前侧的接触面(82)，所述接触面经由穿过所述载体的通孔(85)以所述载体的背离所述光电子器件的背侧(51)与所述另外的接触部的背侧的另外的接触面(81)连接；和
-所述另外的前侧的接触面和所述第二连接面之间的伸展穿过所述载体的电流路径形成ESD保护二极管。
10.根据权利要求5至9中任一项所述的半导体设备，
所述另外的器件集成到所述载体中。
11.根据权利要求5至10中任一项所述的半导体设备，
其中所述载体包含半导体材料。
12.根据上述权利要求中任一项所述的半导体设备，
其中所述另外的器件是ESD保护二极管。
13.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体设备，
其中所述另外的器件是另外的光电子器件。
14.根据上述权利要求中任一项所述的半导体设备，
其中所述第一接触部和所述另外的接触部之间的间距小于所述第一接触部和所述第二接触部之间的间距。
15.一种具有多个器件区域(500)的载体复合件，所述器件区域在横向方向上并排设置，其中
-每个器件区域在主面(50)上具有第一连接面(41)和第二连接面(42)，所述第一连接面和第二连接面分别设置用于电接触光电子半导体器件；
-每个器件区域在与所述主面相对置的背侧(51)上具有背侧的第一接触面(61)和背侧的第二接触面(71)，其中所述背侧的第一接触面和所述背侧的第二接触面分别经由通孔(65，75)与所述第一连接面或所述第二连接面导电连接；和
-每个器件区域在所述主面上具有前侧的第一接触面(62)，所述前侧的第一接触面经由另外的通孔(66)与所述背侧的第一接触面导电连接。
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