CN105144380B - 光电半导体器件及制造其的方法 - Google Patents

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Abstract

一种光电半导体器件(500)包括：光电半导体芯片(600)，具有第一表面(601)和第二表面(602)；以及具有保护二极管的保护芯片(700)，具有第一表面(701)和第二表面(702)。半导体芯片和保护芯片被嵌入模制体(800)中。第一电接触(610)和第二电接触(620)设置在半导体芯片的第一表面上。第三电接触(710)和第四电接触(720)设置在保护芯片的第一表面上。第一电接触电连接至第三电接触。此外，第二电接触电连接至第四电接触。

Description

光电半导体器件及制造其的方法
技术领域
本发明涉及光电半导体器件、以及制造光电半导体器件的方法。
背景技术
清楚地形成本申请的部分公开内容的德国在先申请DE 102013202904.7同样描述了一种光电半导体器件以及一种制造光电半导体器件的方法。
现有技术中，光电半导体器件具有实现多种功能的外壳。这包括为光电半导体器件中的光电半导体芯片提供电气连接，提供适当的安装界面，例如为SMT方法提供表面安装，以及半导体器件中个体元件部分的机械连接。除了光电半导体芯片外，具有ESD保护二极管的保护芯片也通常被集成在其中，保护芯片保护光电半导体器件免受静电放电导致的损害。由于要实现多种功能，传统光电半导体器件的外壳构成显著的成本因素。
DE 102009036621 A1公开了一种制造光电半导体器件的方法，其中光电半导体芯片设置在承载体的顶侧。光电半导体芯片采用覆盖光电半导体芯片的所有侧表面的模制体封装。优选地，光电半导体芯片的顶侧和底侧不被覆盖。在去除承载体以后，光电半导体芯片可被分割。接触位置可设置在每个半导体芯片的顶侧和/或底侧。模制体可由例如环氧基模制材料组成。
发明内容
本发明的目的是提供一种光电半导体器件，该目的通过根据本发明的第一方面的光电半导体器件实现。本申请的又一目的是提供一种制造光电半导体器件的方法。该目的通过根据本发明的第二方面的方法实现。进一步的优选方案具体体现在从属权利要求中。
光电半导体器件包括具有第一表面和第二表面的光电半导体芯片以及具有保护二极管并具有第一表面和第二表面的保护芯片。在这种情况下，半导体芯片和保护芯片被嵌入模制体中。第一电接触和第二电接触设置在半导体芯片的第一表面上。第三电接触和第四电接触设置在保护芯片的第一表面上。这种情况下，第一电接触导电连接至第三电接触。进一步地，第二电接触导电连接至第四电接触。有利地，集成到该光电半导体器件的具有保护二极管的保护芯片保护光电半导体芯片免受静电放电的损害。有利地，光电半导体器件由此在安装前以及安装中就已经获得保护。该光电半导体器件的又一优势是，它不需要单独的延伸穿过模制体的通孔接触，因此，该光电半导体器件可以经济地并且尺寸紧凑地制造。该光电半导体器件的又一优势是，它不需要任何设置在光电半导体器件底侧的布线，其同样使得光电半导体器件的生产变得经济。
在该光电半导体器件的一个实施例中，第一电接触区和第二电接触区设置在该半导体器件的底侧。在这种情况下，半导体芯片和保护芯片反并联电连接在第一电接触区和第二电接触区之间。有利地，该半导体芯片通过半导体芯片与保护芯片之间的反并联电连接获得保护以免遭静电放电造成的损害。
在该光电半导体器件的一个实施例中，后者具体为表面安装器件。有利地，该光电半导体器件由此是适合于按照SMT方法的表面安装，例如通过回流焊接(reflowsoldering)方式的安装。有利地，光电半导体器件可因此被具体为特别节约空间的形式。
在该光电半导体器件的一个实施例中，第二电接触区设置在该保护芯片的第二表面上。有利地，第二电接触区在保护芯片嵌入到模制体之前已经设置在保护芯片的第二表面上，由此，光电半导体器件可经济地制造。
在该光电半导体器件的一个实施例中，保护芯片在第二电接触区和第四电接触之间具有导电连接。有利地，集成到保护芯片的该导电连接使得可省去提供单独的穿过光电半导体器件的模制体的电气馈穿并且无需相应的进一步布线。
在该光电半导体器件的一个实施例中，第一电接触区设置在保护芯片的第二表面上。有利地，第一电接触区也可以在保护芯片嵌入到模制体之前已经设置在保护芯片的第二表面上，由此，光电半导体器件可经济地制造。
在该光电半导体器件的一个实施例中，保护芯片在第一电接触区和第三电接触之间具有导电连接。有利地，集成到保护芯片的在第三电接触和第一电接触区之间的该导电连接也使得可省去穿过模制体的单独的电气馈穿并省去所需的进一步布线。
在该光电半导体器件的一个实施例中，在半导体芯片的第二表面上设置导热接触区。有利地，该导热接触区可用作为半导体芯片的产生的废热进行散热。这种情况下，该导热接触区能有利地在用于表面安装的方法中，同时与光电半导体器件的导电区接触。
在该光电半导体器件的一个实施例中，第一电接触区设置在半导体芯片的第二表面上。有利地，第一电接触区也可在半导体芯片嵌入到模制体之前已经设置在半导体芯片的第二表面上，由此，光电半导体器件可经济地制造。
在该光电半导体器件的一个实施例中，半导体芯片在第一电接触区和第一电接触之间具有导电连接。有利地，该第一电接触区和第一电接触之间的导电连接使得可以省去穿过光电半导体器件的模制体的单独的电气馈穿并省去额外的布线。
在该光电半导体器件的一个实施例中，第一电接触和第三电接触之间的导电连接和/或第二电接触和第四电接触之间的导电连接具体为键合连接(bond connection)或平面连接(planar connection)。有利地，导电连接为键合连接的实施例使得光电半导体器件可经济地制造。导电连接为平面连接的实施例导致非常稳健的(robust)光电半导体器件。
在该光电半导体器件的一个实施例中，半导体芯片的第一表面是半导体芯片的辐射发射面。有利地，半导体芯片中产生的电磁辐射可通过半导体芯片的第一表面发出。
在该光电半导体器件的一个实施例中，该光电半导体芯片是LED芯片。该光电半导体器件因此形成很紧凑的发光二极管，其集成有具有ESD保护二极管的保护芯片。
一种制造光电半导体器件的方法，包括以下步骤：提供具有第一表面的光电半导体芯片，其中，第一电接触和第二电接触设置在该光电半导体芯片的该第一表面上；提供具有保护二极管和第一表面的保护芯片，其中，第三电接触和第四电接触设置在该保护芯片的该第一表面上；形成模制体，其中，该半导体芯片和该保护芯片嵌入到该模制体中；在该第一电接触和该第三电接触之间以及在该第二电接触和该第四电接触之间形成导电连接。有利地，该方法能够经济地制造具有紧凑尺寸的光电半导体器件。这特别通过省去集成到模制体内的电气通孔接触和省去在该光电半导体芯片的背面的布线来实现。
在该方法的一个实施例中，该半导体芯片的第一表面和该保护芯片的第一表面在形成模制体之前设置在承载体上。有利地，这保证了该半导体芯片和保护芯片的第一表面在模制体形成后不会被模制体覆盖。在这种情况下，例如模制体可在成型工艺中形成。
附图说明
通过结合附图更加详细描述的示例性实施例的以下描述，本发明的上述特性、特征和优点以及如何实现它们的方式将变得清楚并且更清楚地理解。在此各种情形的示意图表示：
图1示出了根据第一实施例的光电半导体器件的剖面图；
图2示出了第一实施例的光电半导体器件的俯视图；
图3示出了第一实施例的从下面看的光电半导体器件的视图；
图4示出了根据第二实施例的光电半导体器件的剖面图；
图5示出了第二实施例的光电半导体器件的俯视图；以及
图6示出了第二实施例的从下面看的光电半导体器件的视图。
具体实施方式
图1示出了根据第一实施例的光电半导体器件100的示意剖面图。该光电半导体器件100例如可以是发光二极管。
该光电半导体器件100具有顶侧101和定位成与顶侧101相对的底侧102。该光电半导体器件100包括模制体400，其具有顶侧401和定位成与该顶侧401相对的底侧402。
光电半导体芯片200和保护芯片300嵌入到模制体400中。该光电半导体芯片200具有第一表面201和定位成与该第一表面201相对的第二表面202。该保护芯片300具有第一表面301和定位成与该第一表面301相对的第二表面302。
光电半导体芯片200的第一表面201和保护芯片300的第一表面301与模制体400的顶侧401大致持平。光电半导体芯片200的第一表面201、保护芯片300的第一表面301与该模制体400的顶侧401共同形成光电半导体器件100的顶侧101。光电半导体芯片200的第二表面202和保护芯片300的第二表面302终止为与模制体400的底侧402大致持平。光电半导体芯片200的第二表面202、保护芯片300的第二表面302与模制体400的底侧402共同形成光电半导体器件100的底侧102。
图2示出了光电半导体器件100的顶侧101的示意俯视图。模制体400的顶侧401、光电半导体芯片200的第一表面201以及保护芯片300的第一表面301都是可见的。图3示出了光电半导体器件100的底侧102的示意图。模制体400的底侧402、光电半导体芯片200的第二表面202以及保护芯片300的第二表面302都是可见的。
模制体400包括电绝缘材料，例如环氧化物。模制体400可以通过注塑成型或传递模塑或一些其他成型工艺来制造。特别地，模制体400可通过膜辅助传递模塑来制造。嵌入到模制体400中的光电半导体芯片200的表面201、202以及嵌入到模制体400中的保护芯片300的表面301、302未被或者几乎未被模制体400的材料覆盖。光电半导体芯片200、保护芯片300的其他外表面优选地完全被或几乎完全被模制体400覆盖。模制体400因此形成用于光电半导体芯片200和保护芯片300的机械结构稳健的可经济制造的壳体。
在图1中示意示出了集成到光电半导体芯片200的二极管电路230。光电半导体芯片200例如可以是LED芯片。在这种情况下，二极管电路230是发光二极管电路。光电半导体芯片200的第一表面201优选地形成光电半导体芯片200的辐射发射面。因此光电半导体芯片200中产生的电磁辐射可通过该第一表面201发出(emerge)。
第一电接触210和第二电接触220设置在光电半导体芯片200的第一表面201上。如果光电半导体芯片200是LED芯片，则第一电接触210可连接到集成二极管电路230的阳极，而第二电接触220连接到集成二极管电路230的阴极。
图2示出了第一电接触210和第二电接触220优选设置在光电半导体芯片200的第一表面201的拐角区域，并仅占据第一表面201的小部分面积。如果光电半导体芯片200的第一表面201形成为辐射发射面，则通过第一表面201的辐射发射从而有利地只受第一电接触210和第二电接触220小程度的遮蔽。
第一电接触区240设置在光电半导体芯片200的第二表面202上。第一电接触区240可例如具体为镀金属。
该第一电接触区240导电连接至第一电接触201，也因此通过第一馈穿连接(feedthrough connection)250导电连接至二极管电路230。第一馈穿连接250延伸通过光电半导体芯片200。优选地，第一馈穿连接250在光电半导体芯片200的制造中就已形成。该第一馈穿连接250也可以通过半导体芯片200上的导电承载体形成。
保护芯片300具有集成保护二极管330。该保护二极管330在图1和图2中示意性示出。保护二极管330也可指定为ESD二极管。保护芯片300用作保护光电半导体器件100中的光电半导体芯片200免受静电放电的损害。为此，保护芯片300与光电半导体芯片200以保护二极管330与二极管电路230反并联电连接的方式并联连接。
第三电接触310和第四电接触320形成在保护芯片300的第一表面301上。第三电接触310连接至保护二极管330的阴极。第四电接触320与保护二极管330的阳极导电连接。由图2的示意性俯视图可得出，第三电接触310和第四电接触320可设置在保护芯片300的第一表面310的拐角区域。第三电接触310优选地设置为尽可能靠近光电半导体芯片200在第一表面201上的第一电接触210。第四电接触320优选地设置为尽可能靠近光电半导体芯片200在第一表面201上的第二电接触220。
第二电接触区340设置在该保护芯片300的第二表面302上。该第二电接触区340可例如具体为镀金属。第二电接触区340与第四电接触320导电连接，也因此经由第二馈穿连接350与保护二极管330的阳极导电连接。第二馈穿连接350延伸穿过保护芯片300，并且优选地，第二馈穿连接350在保护芯片300的制造中就已形成。
光电半导体芯片200在第一表面201上的第一电接触210与保护芯片300在第一表面301上的第三电接触310之间，具有设置在光电半导体器件100的顶侧101上方的第一导电连接110。在光电半导体芯片200的第二电接触220与保护芯片300的第四电接触320之间，具有设置在光电半导体器件100的顶侧101上方的第二导电连接120。如图1和图2示意性示出的，第一导电连接110与第二导电连接120可具体为通过键合引线(bonding wire)实现的键合连接。然而，第一导电连接110与第二导电连接120也可具体为例如平面连接。第一导电连接110与第二导电连接120在光电半导体芯片200和保护芯片300已经被嵌入到模制体400后创建。
通过第一导电连接110与第二导电连接120，光电半导体芯片200的二极管电路230和保护芯片300的保护二极管330相反极性地并联连接。该并联连接在光电半导体器件100的第一电接触区240和第二电接触区340外部可获得。
图4示出了根据第二实施例的光电半导体器件500的剖面示意图。该光电半导体器件500例如可以是发光二极管。
光电半导体器件500具有顶侧501和定位成与顶侧501相对的底侧502。光电半导体器件500包括具有第一表面601和定位成与第一表面601位置相对的第二表面602的光电半导体芯片600。此外，光电半导体器件500包括具有第一表面701和定位成与第一表面701相对的第二表面702的保护芯片700。光电半导体芯片500和保护芯片700嵌入到具有顶侧801和定位成与顶侧801相对的底侧802的模制体800中。
光电半导体芯片600的第一表面601与保护芯片700的第一表面701基本未被模制体800覆盖且终止为与模制体800的顶侧801大致持平。模制体800的顶侧801、光电半导体芯片600的第一表面601与保护芯片700的第一表面701共同形成光电半导体器件500的顶侧501。光电半导体芯片600的第二表面602与保护芯片700的第二表面702基本未被模制体800覆盖且终止为与模制体800的底侧802大致持平。光电半导体芯片600的第二表面602、保护芯片700的第二表面702以及模制体800的底侧802共同形成光电半导体器件500的底侧502。
图5示出了光电半导体器件500的顶侧501的示意图。模制体800的顶侧801、光电半导体芯片600的第一表面601以及保护芯片700的第一表面701都是可见的。图6示出了光电半导体器件500的底侧502的示意图。模制体800的底侧802、光电半导体芯片600的第二表面602以及保护芯片700的第二表面702都是可见的。
模制体800再次包括电绝缘材料，例如环氧化物。模制体800优选通过成型工艺制造。在这方面，光电半导体器件500与图1至图3中所示的光电半导体器件100对应。
光电半导体芯片600具有集成二极管电路630。光电半导体芯片600例如可以是LED芯片。在这种情况下，二极管电路630是发光二极管电路。则第一表面601可形成光电半导体芯片600的辐射发射面，通过其使得光电半导体芯片600中产生的电磁辐射可从光电半导体芯片600发出。
第一电接触610和第二电接触620设置在光电半导体芯片600的第一表面601上。优选地，电接触610和620设置在第一表面601的边缘或拐角区域，如图5所示。因此，穿过光电半导体芯片600的第一表面601发出的辐射只受电接触610、620小程度的遮蔽。
第一电接触610与二极管电路630的阳极导电连接。第二电接触620与二极管电路630的阴极导电连接。
热接触区640设置在光电半导体芯片600的第二表面602上。热接触区可例如具体为镀金属。热接触区640可用作将半导体芯片600中产生的废热从光电半导体芯片600传导出，并使其从半导体芯片600上散发出去。
保护芯片700具有集成的保护二极管730，其也可指定为ESD二极管。第三电接触710和第四电接触720设置在保护芯片700的第一表面701上。第三电接触710与保护二极管730的阴极导电连接。第四电接触720与保护二极管730的阳极导电电连接。
第一电接触区745和第二电接触区740设置在保护芯片700的第二表面702上。第一电接触区745和第二电接触区740可例如具体为设置在第二表面702上的镀金属。第一电接触区745与第三电接触710导电连接，也因此经由第一馈穿连接755与保护二极管730的阴极导电连接。第二电接触区740与保护芯片700的第四电接触720导电连接，也因此经由第二馈穿连接750与保护二极管730的阳极导电连接。馈穿连接750、755延伸穿过保护芯片700，并且优选地，该馈穿连接在保护芯片700的制造中就已形成。
光电半导体芯片600的第一电接触610与保护芯片700的第三电接触710经由第一导电连接510连接。光电半导体芯片600的第二电接触620经由第二导电连接520与保护芯片700的第四电接触720连接。第一导电连接510和第二导电连接520都设置在光电半导体器件500的顶侧501上。在示出的实例中，导电连接510与520可具体为键合连接。然而，导电连接510与520也可以具体为例如设置在光电半导体器件500顶侧501的平面连接。导电连接510、520在光电半导体芯片600和保护芯片700已经被嵌入到模制体800后创建。
光电半导体芯片600的二极管电路630与保护芯片700的保护二极管730之间的并联连接设置在光电半导体器件500上的第一电接触区745与第二电接触区740之间。在这种情况下，二极管电路630与保护二极管730相互之间反并联定位。保护芯片700中的保护二极管730用作保护光电半导体芯片600免受静电放电的损害。
图1至图3所示的光电半导体器件100和图4至图6所示的光电半导体器件500在每种情况下都适合于根据SMT方法的表面安装。举例说明，光电半导体器件100的第一电接触区240和第二电接触区340、以及光电半导体器件500的第一电接触区745和第二电接触区740可通过回流焊接实现电接触。就光电半导体器件500来说，热接触区640在这种情况下优选地同时通过焊接连接耦接到散热器，从而散去来自光电半导体器件500的光电半导体芯片600的废热。就光电半导体器件100来说，在光电半导体芯片200中产生的废热可经由光电半导体芯片200的第二表面202上的第一电接触区240散发。
为了制造第一实施例的光电半导体器件100和第二实施例的光电半导体器件500，首先提供光电半导体芯片200、600以及保护芯片300、700。光电半导体芯片200优选地已经具有设置在第二表面202上的第一电接触区240。光电半导体芯片600相应地优选已经具有设置在第二表面602上的热接触区640。第一实施例的保护芯片300优选地已经具有设置在第二表面302上的第二电接触区340。第二实施例的保护芯片700优选地已经具有设置在第二表面702上的第一电接触区745和设置第二表面702上的第二电接触区740。
该光电半导体芯片200、600以及保护芯片300、700随后设置在承载体上。在这种情况下，光电半导体芯片200的第一表面201和光电半导体芯片600的第一表面601、以及保护芯片300的第一表面301和保护芯片700的第一表面701面对该承载体。因此，光电半导体芯片200、600的第一表面201、601以及保护芯片300、700的第一表面301、701获得保护。
优选地，光电半导体芯片200、600的第二表面202、602以及保护芯片300、700的第二表面302、702也被覆盖并因此获得保护。这可以通过例如在膜辅助传递模塑安装中实现。光电半导体芯片200、600的第二表面202、602以及保护芯片300、700的第二表面302、702被覆盖具有如下优势：在模制体400、800制造完成后不再需要进一步处理设置在第二表面202、602、302、702的接触区240、340、745、740。然而，光电半导体芯片200、600的第二表面202、602以及保护芯片300、700的第二表面302、702被覆盖并不是绝对必要的。
在接下来的方法步骤中，形成模制体400、800。在模制体400、800的形成过程中，光电半导体芯片200、600以及保护芯片300、700嵌入到模制体400、800中。模制体400、800优选地通过成型工艺形成。在模制体400、800形成后，如有必要，光电半导体芯片200、600的第二表面202、602以及保护芯片300、700的第二表面302、702通过去除模制体400、800的一部分暴露出来。
在接下来的工艺步骤中，导电连接110、120、510、520被创建。
在所描述的方法的一个优选实施例中，多个光电半导体器件100、500面并行制造。为此目的，多个光电半导体芯片200、600和相应的多个保护芯片300、700同时设置到共同的承载体上，并嵌入到共同的大模制体中。只有在其他工艺步骤(例如导电连接110、120、510、520的创建)已经执行后，多个光电半导体器件100、500才通过分割模制体来相互分离。
基于优选的实施例详细地示出和说明了本发明。然而，本发明不限于公开的实例。而是在不偏离本发明的保护范围的情况下，通过本领域技术人员能够从中导出其他变形。
参考标号列表
100 光电半导体器件
101 顶侧
102 底侧
110 第一导电连接
120 第二导电连接
200 光电半导体芯片
201 第一表面
202 第二表面
210 第一电接触(阳极)
220 第二电接触(阴极)
230 二极管电路
240 第一电接触区
250 第一馈穿连接
300 保护芯片
301 第一表面
302 第二表面
310 第三电接触(阴极)
320 第四电接触(阳极)
330 保护二极管
340 第二电接触区
350 第二馈穿连接
400 模制体
401 顶侧
402 底侧
500 光电半导体器件
501 顶侧
502 底侧
510 第一导电连接
520 第二导电连接
600 光电半导体芯片
601 第一表面
602 第二表面
610 第一电接触(阳极)
620 第二电接触(阴极)
630 二极管电路
640 热接触区
700 保护芯片
701 第一表面
702 第二表面
710 第三电接触(阴极)
720 第四电接触(阳极)
730 保护二极管
740 第二电接触区
745 第一电接触区
750 第二馈穿连接
755 第一馈穿连接
800 模制体
801 顶侧
802 底侧

Claims (14)

1.一种光电半导体器件(100，500)，
包括光电半导体芯片(200，600)，所述光电半导体芯片(200，600)具有第一表面(201，601)和第二表面(202，602)，
并且所述光电半导体器件(100，500)包括保护芯片(300，700)，所述保护芯片(300，700)具有保护二极管(330，730)并具有第一表面(301，701)和第二表面(302，702)，
其中，所述光电半导体芯片(200，600)和所述保护芯片(300，700)被嵌入模制体(400，800)中，
其中，所述光电半导体芯片(200，600)的所述第一表面(201，601)和所述保护芯片(300，700)的所述第一表面(301，701)与所述模制体(400，800)的顶侧(401，801)持平，
其中，第一电接触(210，610)和第二电接触(220，620)设置在所述光电半导体芯片(200，600)的所述第一表面(201，601)上，
其中，第三电接触(310，710)和第四电接触(320，720)设置在所述保护芯片(300，700)的所述第一表面(301，701)上，
其中，所述第一电接触(210，610)导电连接至所述第三电接触(310，710)，
其中，所述第二电接触(220，620)导电连接至所述第四电接触(320，720)，
其中，第一电接触区(240，745)和第二电接触区(340，740)设置在所述光电半导体器件(100，500)的底侧(102)，
其中，所述光电半导体芯片(200，600)和所述保护芯片(300，700)反并联电连接在所述第一电接触区(240，745)和所述第二电接触区(340，740)之间。
2.根据权利要求1所述的光电半导体器件(100，500)，
其中，所述光电半导体器件(100，500)具体为表面安装器件。
3.根据权利要求1所述的光电半导体器件(100，500)，
其中，所述第二电接触区(340，740)设置在所述保护芯片(300，700)的所述第二表面(302，702)上。
4.根据权利要求3所述的光电半导体器件(100，500)，
其中，所述保护芯片(300，700)在所述第二电接触区(340，740)和所述第四电接触(320，720)之间具有导电连接(350，750)。
5.根据权利要求1所述的光电半导体器件(500)，
其中，所述第一电接触区(745)设置在所述保护芯片(700)的所述第二表面(702)上。
6.根据权利要求5所述的光电半导体器件(500)，
其中，所述保护芯片(700)在所述第一电接触区(745)和所述第三电接触(710)之间具有导电连接(755)。
7.根据权利要求5所述的光电半导体器件(500)，
其中，在所述光电半导体芯片(600)的所述第二表面(602)上设置导热接触区(640)。
8.根据权利要求1所述的光电半导体器件(100)，
其中，所述第一电接触区(240)设置在所述光电半导体芯片(200)的所述第二表面(202)上。
9.根据权利要求8所述的光电半导体器件(100)，
其中，所述光电半导体芯片(200)在所述第一电接触区(240)和所述第一电接触(210)之间具有导电连接(250)。
10.根据权利要求1所述的光电半导体器件(100，500)，
其中，所述第一电接触(210，610)和所述第三电接触(310，710)之间的导电连接(110，510)
和/或所述第二电接触(220，620)和所述第四电接触(320，720)之间的导电连接(120，520)
具体为键合连接或平面连接。
11.根据权利要求1所述的光电半导体器件(100，500)，
其中，所述光电半导体芯片(200，600)的所述第一表面(201，601)是所述光电半导体芯片(200，600)的辐射发射面。
12.根据权利要求1所述的光电半导体器件(100，500)，
其中，所述光电半导体芯片(200，600)是LED芯片。
13.一种用于制造光电半导体器件(100，500)的方法，包括以下步骤：
-提供具有第一表面的光电半导体芯片(200，600)，其中，第一电接触(210，610)和第二电接触(220，620)设置在所述光电半导体芯片(200，600)的第一表面(201，601)上，
-提供具有保护二极管(330，730)并具有第一表面(301，701)的保护芯片(300，700)，其中，第三电接触(310，710)和第四电接触(320，720)设置在所述保护芯片(300，700)的所述第一表面(301，701)上，
其中，第一电接触区(240，745)设置在所述光电半导体芯片(200)的第二表面(202)上或者所述保护芯片(700)的第二表面(702)上，
其中，第二电接触区(340，740)设置在所述保护芯片(300，700)的所述第二表面(302，702)上，
-形成模制体(400，800)，其中，所述光电半导体芯片(200，600)和所述保护芯片(300，700)嵌入到所述模制体(400，800)中，使得所述光电半导体芯片(200，600)的所述第一表面(201，601)和所述保护芯片(300，700)的所述第一表面(301，701)与所述模制体(400，800)的顶侧(401，801)持平，
-在所述第一电接触(210，610)和所述第三电接触(310，710)之间以及在所述第二电接触(220，620)和所述第四电接触(320，720)之间形成导电连接(110，510，120，520)，
其中，所述光电半导体芯片(200，600)和所述保护芯片(300，700)反并联电连接在所述第一电接触区(240，745)和所述第二电接触区(340，740)之间。
14.根据权利要求13所述的方法，
其中，所述光电半导体芯片(200，600)的所述第一表面(201，601)和所述保护芯片(300，700)的所述第一表面(301，701)在形成所述模制体(400，800)之前设置在承载体上。
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