EP2283527A1 - Strahlung emittierender dünnfilm-halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlung emittierenden dünnfilm-halbleiterchips - Google Patents

Strahlung emittierender dünnfilm-halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlung emittierenden dünnfilm-halbleiterchips

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Publication number
EP2283527A1
EP2283527A1 EP09737722A EP09737722A EP2283527A1 EP 2283527 A1 EP2283527 A1 EP 2283527A1 EP 09737722 A EP09737722 A EP 09737722A EP 09737722 A EP09737722 A EP 09737722A EP 2283527 A1 EP2283527 A1 EP 2283527A1
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EP
European Patent Office
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region
radiation
active zone
semiconductor chip
active
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP09737722A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Ralph Wirth
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of EP2283527A1 publication Critical patent/EP2283527A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Definitions

  • a radiation-emitting thin-film semiconductor chip and a method for producing a radiation-emitting thin-film semiconductor chip are specified.
  • the publication WO 2005/055379 describes a light-emitting semiconductor component which contains a semiconductor layer sequence with a region of p-doped semiconductor layers and n-doped semiconductor layers, between which a first pn junction is formed.
  • the pn junction is divided laterally from an insulating section into a light emitting section and a protective diode section.
  • an n-doped layer is applied on the p-doped region, which forms a second pn junction acting as a protective diode with the p-doped region.
  • the first pn junction in the protection diode section must have a larger area than the first pn junction in the light emitting section.
  • An object to be solved in the present case is to provide a structurally simple thin-film semiconductor chip - O _
  • the radiation-emitting thin-film semiconductor chip comprises a first region having a first active zone, a second region laterally separated from the first region by a gap having a second active zone parallel to the first active zone in a different plane extends, and a compensation layer, which is in the second region at the level of the first active zone, wherein the compensation layer contains no semiconductor material.
  • Lateral here means a direction that runs parallel to the planes in which the active zones extend.
  • the compensation layer By means of the compensation layer, the height difference between the top of the second region and the top of the first region can be adjusted appropriately. In particular, the height difference can be compensated. For this purpose, no complex growth of a semiconductor layer is required. Instead, the compensation layer can be vapor-deposited or split by the use of a material that is different from a semiconductor material, for example. Preferably, the second active zone and the equalization layer directly adjoin one another.
  • the two laterally separated regions can advantageously differ from one another with regard to their technical functions, so that advantageously the integration density-more functions on a smaller surface-can be increased in the component. Because in contrast to a conventional device having multiple chips for different functions, in the present case a single chip can be used for multiple functions.
  • the thickness of the compensation layer corresponds to the thickness of the first active zone. Due to the compensation layer, the two regions on a first side of the thin-film semiconductor chip are at the same level. This has the advantage that the two areas can be arranged in a simple manner on a common planar support.
  • the first region is a radiation-generating region, wherein the first active zone is provided for generating radiation of a first wavelength.
  • the first wavelength is within the visible spectrum.
  • The. active zone has a pn junction, which is formed in the simplest case of a p-type and an n-type semiconductor layer, which adjoin one another directly.
  • the actual radiation-generating layer for instance in form of a doped or undoped quantum layer, is formed between the p-type and the 'n-type Halbleiter. Mrs.
  • the quantum layer can be formed as single quantum well structure (SQW, single quantum well) or multiple quantum well structure (MQW, multiple quantum well) or else as quantum wire or quantum dot structure.
  • the second region can also be a radiation-generating region, wherein the second active zone can be provided for generating radiation of a second wavelength.
  • the second wavelength is also within the visible spectrum.
  • the Surface can be illuminated differently colored, if the two areas are operated simultaneously.
  • the occurring color contrast can be used, for example, to display symbols.
  • the areas can be operated one after the other so that a first luminous color is emitted when the first area is operated and a second luminous color is emitted when the second area is operated.
  • a 'semiconductor chip can be used for example in a flashing light display in the interior of a vehicle, so that upon actuation of the flashing light, the first light color and at Operation of the hazard warning lights the second light color is emitted.
  • the second area may provide a protection area for protecting the first area
  • the second active zone may have a pn junction in which the order of the p-type and n-type semiconductor layers is reversed from the order in the first active zone.
  • Another variant provides to form the second region as a radiation-receiving region for the detection of radiation. This makes it possible to monitor the radiation power of the first area and, if necessary, to regulate accordingly.
  • the compensation layer arranged at the level of the first active zone preferably contains an electrically conductive material, so that the second active zone can be contacted electrically by means of the compensation layer.
  • the compensation layer may contain a metal or a TCO (transparent conductive oxide).
  • the TCO is a transparent, conductive material, in particular a metal oxide such as zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide or indium tin oxide (ITO).
  • binary metal oxygen compounds such as ZnO, Sn ⁇ 2 or In 2 ⁇ 3 also include ternary metal oxygen compounds , such as Z ⁇ SnO -J , CdSnO3, ZnSn ⁇ 3 , Mgln2 ⁇ 4 , Galn ⁇ 3 , Zn 2 ln 2 ⁇ 5 or Ir ⁇ Si ⁇ O or mixtures of different transparent conductive oxides to the group of TCOs.
  • the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p- or n-doped.
  • Compensation layer can be connected by a contact layer with the first active zone, so that the two areas on one side of the thin-film semiconductor chip can be electrically contacted together.
  • the second region may have an etching stop layer on a side of the second active zone facing the compensation layer.
  • the etch stop layer prevents structuring of the second active zone from attacking the first active zone.
  • Etch stop layer electrically conductive, so that it does not have to be removed after structuring, but may remain in the finished semiconductor chip.
  • the gap between the two regions may be provided with a dielectric material such that the first active region is electrically isolated from the second active region.
  • a dielectric material such that the first active region is electrically isolated from the second active region.
  • Suitable dielectric materials are, for example, silicon nitrides, silicon oxynitrides and silicon oxides.
  • first the second active zone is grown on a growth substrate. Then the first active zone is grown on the second active zone. This is followed by removal of the first active zone in the second Area and peeling off the growth substrate. Finally, the second active zone in the first region is removed such that the two regions are laterally separated from one another by a gap.
  • the two active zones can be grown on top of each other in a common growth process and then structured so that two separate functional areas each with an active zone arise.
  • the second active zone in the first region is selectively removed by etching.
  • the first active region in the second region can be selectively removed by etching.
  • the etching can be prevented from continuing into layers which are not to be etched.
  • a compensation layer is arranged on the second active zone.
  • the height difference between the upper side of the second region and the upper side of the first region can be suitably adjusted by means of the compensation layer.
  • the height difference can be compensated.
  • a carrier is disposed on the growth substrate • an opposite side of the thin-film semiconductor chips prior to separation of the growth substrate.
  • FIGS. 1A to 1F show a schematic representation of various method steps of a first variant of a method
  • FIG. 2A to 21 is a schematic representation of various method steps of a second variant of a
  • FIGS. 3 to 6 are schematic plan views of various embodiments of a thin-film
  • FIG. 1A shows a first method step of a preferred variant of a method for producing a radiation-emitting thin-film semiconductor chip.
  • a second active zone 2 is epitaxially grown on a growth substrate 3.
  • the second active zone 2 has a pn junction, which in the simplest case is formed by a p-conducting and an n-conducting semiconductor layer, which adjoin one another.
  • a first active zone 1 is epitaxially grown on the second active zone 2 and, like the second active zone 2, has a pn junction, which in the simplest case is formed by a p-conducting and an n-conducting semiconductor layer which adjoin one another.
  • the first active region 1 and the second active zone 2 are made of a based on a phosphide compound semiconductor material, which means in this context that the active zones 1 and 2 is preferably Al n Ga m ini- n - m P include, where O ⁇ n ⁇ l, 0 ⁇ m ⁇ 1 and n + m ⁇ 1.
  • this material does not necessarily have to have a mathematically exact composition according to the above formula. Rather, it may have one or more dopants as well as additional ingredients that do not substantially alter the physical properties of the material.
  • the above formula includes only the major components of the crystal lattice (Al, Ga, In, P) ", even if these can be replaced in part by small amounts of other substances.
  • Beosnders preferred that the first active zone contain 1 and the second active zone 2 InGaAlP.
  • the first active zone 1 is structured.
  • the first active zone 1 is removed in a second region II, so that only the first region I has the first active zone 1 (FIG. 1B).
  • the first active zone 1 in the second region II can be etched away.
  • an etching stop layer 4 is advantageously provided between the first active zone 1 and the second active zone 2, which prevents the etching of the first active zone 1, the second active zone 2 is mitgeilort.
  • Phosphide compound semiconductor-based material for the two active 'zones 1 and 2 based on an arsenide compound semiconductor material such as AlGaAs is suitable for the etching stop. 4 ,
  • the exposed area which is formed by removing the first active zone 1 in the second area II, can be covered by a leveling layer 5 (FIG. 1C).
  • the compensation layer 5 is arranged in the second region II at the level of the first active zone 1.
  • the thickness of the compensation layer 5 corresponds to the thickness of the first active zone 1, so that the first region I and the second region II are at the same level on a side opposite to the growth substrate 3.
  • the compensation layer 5 is electrically conductive, so that the second active zone 2 can be electrically contacted by means of the compensation layer 5.
  • the leveling layer 5 may contain a metal such as Au or Al or a metal alloy such as AuZn or AuSn.
  • the compensation layer 5 can be vapor-deposited or sputtered onto the second active zone 2.
  • the second active zone 2 can be structured, the composite of growth substrate 3, second active zone 2, structured first active zone 1 and 'compensation layer 5 are on the arranged the growth substrate 3 opposite side on a support 7 and the growth substrate 3 is removed ( Figure ID).
  • the composite can be bonded to the carrier 7 by means of a contact layer 6.
  • the contact layer . 6 may for example contain a metal alloy such as AuZn, which is not only suitable for bonding, but also has advantageous properties in terms of reflectivity and electrical conductivity.
  • FIG. IE shows a next method step in which the second active zone 2 is structured.
  • the second active zone 2 in the first region I is removed, so that only the second region II has the second ' active zone.
  • the second active zone 2 is preferably etched away in the first region I.
  • the etch stop layer 4 can prevent this, that the first active zone 1 is mitgeilort.
  • etching stop layer 4 An electrically conductive material is advantageously used for the etching stop layer 4, so that the etching stop layer 4 can remain in the finished thin-film semiconductor chip 10 (FIG. 1F).
  • a contact metallization 9 is applied to the first active zone 1 and a contact metallization 8 is applied to the second active zone 2, whereby the first area I and the second area II are separately electrically contactable on a side opposite the carrier 7.
  • the two areas I and II are laterally separated from each other by a gap 11 so that fault currents between the two areas I and II can be prevented.
  • both active zones 1 and 2 can be patterned so that at the end two separate regions I and II with separate active zones 1 and 2.
  • a thin-film semiconductor chip 10 emitting radiation as shown in FIG. 1F can be produced, having a first region I with a first active zone 1, a second laterally separated from the first region I by a gap 11 Area II with a second active zone 2, which extends parallel to the first active zone 1 in a different plane, and a compensation layer 5, which is located in the second area II at the level of the first active zone 1, wherein the compensation layer 5 is not a semiconductor material contains.
  • the two regions I and II can be formed such that the active zones 1 and 2 emit radiation of different wavelengths within the visible spectrum.
  • the thin-film semiconductor chip 10 then emits differently colored light, as a result of which an area can be illuminated in different colors (compare also FIGS. 3 to 5).
  • the side opposite the carrier 7 is the radiation outcoupling side.
  • the first region I as a radiation-emitting region and the second region II as a protective region for the protection of the first region I from overvoltages or unauthorized voltages are formed (see also FIG.
  • the first region I is a radiation-emitting region and the second region II is a radiation-receiving region for detecting radiation.
  • FIGS. 2A to 21 show a further variant of a method according to the present application.
  • a second active zone 2 is grown on a growth substrate 3, onto which in turn a first active zone 1 is grown (FIG. 2A).
  • the first active zone 1 is patterned on the side opposite the growth substrate 3.
  • a compensating layer 5 can be applied over the entire surface of the growth substrate 3 so that both the first active zone 1 and the second active zone 2 on this side are covered by the balancing layer 5 ( Figure 2C).
  • the compensation layer 5 contains or consists of a TCO.
  • the compensation layer 5 can be sputtered on.
  • the compensation layer 5 can be structured in a next step (FIG. 2D), so that there is no electrical connection between the first active zone 1 and the second active zone 2 when using a TCO.
  • the compensation layer 5 can be used in the first region I with advantage as a current spreading layer.
  • the compensating layer 5, which is located in the second region II at the level of the first active zone 1, serve as a current spreading layer.
  • the gap 11 between the first region I and the second region II can be provided with a dielectric material 12 such as a silicon nitride, a silicon oxide or a silicon oxynitride.
  • the dielectric material 12 can be applied in such a way that the compensation layer 5 in the first region I and in the second region II on the side edges is covered by the dielectric material (12) (FIG. 2E).
  • a leveling contact layer 6 is applied on the side opposite the growth substrate. This can also serve as a solder layer for fixing the composite on the carrier 7. Once the composite is mounted on the support 7, the growth substrate 3 can be peeled off ( Figure 2F).
  • the second active zone 2 On the side of the detached growth substrate 3, the second active zone 2 is now uncovered and can therefore be easily structured from the side of the original growth substrate (FIG. 2G).
  • the second active zone 2 and the first active zone 1 are thus structured on two mutually opposite sides.
  • the two active zones 1 and 2 on the side opposite the carrier 7 can also be embedded in the dielectric material 12 on the side flanks, so that they face on the side surfaces and partly on the main surfaces facing the carrier 7 13 are covered by the dielectric material 12.
  • current spreading layers 14 can be applied, which ensure homogeneous current distribution over the two active zones 1 and 2.
  • the two current spreading layers 14 contain or consist of a TCO.
  • contact metallizations 8 and 9 the two current spreading layers 14 and thus the two active zones 1 and 2 are each electrically contactable on a side opposite the carrier (FIG. 21). A common electrical contact is formed on the carrier side by the contact layer 6.
  • the radiation-emitting thin-film semiconductor chip 10 produced by the method according to FIGS. 2A to 21 thus comprises a first region I with a first active zone 1, a second region II laterally separated by a gap 11 from the first region I with a second active zone 2, which extends parallel to the first active zone 1 in a different plane, and a compensation layer 5, which in the second region II is at the level of the first active zone 1, wherein the compensation layer 5 contains no semiconductor material.
  • the regions I and II are different functional regions and may have the properties explained in connection with FIG. IF. Furthermore, the materials mentioned in connection with FIGS. 1A to IF can also be used in the method according to FIGS. 2A to 21.
  • the radiation-emitting thin-film semiconductor chip can also have more than two regions or more than two active zones.
  • a corresponding number of active zones are then grown on top of each other and structured in such a way that one area in each case has an active zone which is separated from the other active zones.
  • two consecutive active zones are structured starting from two different sides.
  • FIG. 3 shows in plan view an advantageous embodiment of a thin-film semiconductor chip 10, which is preferably produced according to one of the methods described above.
  • the thin-film semiconductor chip 10 has a first region I and a second region II, which are laterally separated from one another by a gap 11.
  • the first region I is in particular intended to emit radiation of a first wavelength within the visible spectrum
  • the second region II may be provided to emit radiation of a second wavelength within the visible spectrum.
  • two different illuminated areas are produced by the two areas I and II during operation of the thin-film semiconductor chip 10.
  • Such a thin-film semiconductor chip 10 can be used, for example, as a flashing light display in the interior of a vehicle.
  • Embodiments of a thin film semiconductor chip 10 which may be made according to any of the methods previously described.
  • the first regions I are formed as symbols in the form of a circular surface (FIG. 4) or an arrow (FIG. 5).
  • the symbols emerge visibly for an observer if they are mapped and can be used, for example, as orientation aids in buildings.
  • the first region I is a
  • Radiation generating area and the second area II a protection area.
  • the two areas I and II do not have separate contact metallizations, but are jointly electrically contactable by means of a contact structure 15 electrically connecting the two areas I and II on a side opposite the support. Since preferably a contact layer (not shown) electrically connects the two regions I and II on the carrier side, the two regions I and II are connected in parallel.

Abstract

Vorliegend wird ein Strahlung emittierender Dünnfilm-Halbleiterchip (10) beschrieben aufweisend einen ersten Bereich (I) mit einer ersten aktiven Zone (1), einen durch einen Zwischenraum (11) von dem ersten Bereich (II) lateral getrennten zweiten Bereich mit einer zweiten aktiven Zone (2), die sich parallel zu der ersten aktiven Zone in einer unterschiedlichen Ebene erstreckt, und eine Ausgleichsschicht (5), die sich im zweiten Bereich auf Höhe der ersten aktiven Zone (1) befindet, wobei die Ausgleichsschicht kein Halbleitermaterial enthält.

Description

Beschreibung '
Strahlung emittierender Dünnfilm-Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Dünnfilm- Halbleiterchips
Vorliegend werden ein Strahlung emittierender Dünnfilm- Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Dünnfilm-Halbleiterchips angegeben.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung Nr. 10 2008 021 620.8, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
In der Offenlegungsschrift • WO 2005/055379 ist ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement beschrieben, das eine Halbleiterschichtenfolge mit einem Bereich p-dotierter Halbleiterschichten und n-dotierter Halbleiterschichten enthält, zwischen denen ein erster pn-Übergang ausgebildet ist. Der pn-Übergang ist in lateraler Richtung von einem isolierenden Abschnitt in einen lichtemittierenden Abschnitt und einen Schutzdiodenabschnitt unterteilt. Im Bereich des Schutzdiodenabschnitts ist auf dem p-dotierten Bereich eine n-dotierte Schicht aufgebracht, die mit dem p-dotierten Bereich einen als Schutzdiode fungierenden zweiten pn- Übergang ausbildet. Bei diesem Halbleiterbauelement sind also im Schutzdiodenabschnitt zwei pn-Übergänge erforderlich. Außerdem muss der erste pn-Übergang im Schutzdiodenabschnitt eine größere Fläche als der erste pn-Übergang im lichtemittierenden Abschnitt aufweisen.
Eine zu lösende Aufgabe besteht vorliegend darin, einen strukturell einfach gestalteten Dünnfilm-Halbleiterchip mit — O _
verschiedenen funktionellen Bereichen anzugeben. Weiterhin soll ein Verfahren angegeben werden, wodurch ein Strahlung emittierender Dünnfilm-Halbleiterchip mit verschiedenen funktionellen Bereichen auf einfache Weise hergestellt werden kann .
Diese Aufgaben werden durch einen Dünnfilm-Halbleiterchip gemäß Patentanspruch 1 beziehungsweise durch ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterchips gemäß Patentanspruch 10 gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Dünnfilm-Halbleiterchips oder des Verfahrens zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterchips sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche .
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform umfasst der Strahlung emittierende Dünnfilm-Halbleiterchip einen ersten Bereich mit einer ersten aktiven Zone, einen durch einen Zwischenraum von dem ersten Bereich lateral getrennten zweiten Bereich mit einer zweiten aktiven Zone, die sich parallel zu der ersten aktiven Zone in einer unterschiedlichen Ebene erstreckt, und eine Ausgleichsschicht, die sich im zweiten Bereich auf Höhe der ersten aktiven Zone befindet, wobei die Ausgleichsschicht kein Halbleitermaterial enthält.
Lateral meint hierbei eine Richtung, die parallel zu den Ebenen verläuft, in welchen sich die aktiven Zonen erstrecken.
Mittels der Ausgleichsschicht kann die Höhendifferenz zwischen der Oberseite des zweiten Bereichs und der Oberseite des ersten Bereichs in geeigneter Weise eingestellt werden. Insbesondere kann die Höhendifferenz ausgeglichen werden. Hierzu ist kein aufwändiges Wachstum einer Halbleiterschicht erforderlich. Vielmehr kann die Ausgleichsschicht durch die Verwendung eines von einem Halbleitermaterial verschiedenen Materials beispielsweise aufgedampft oder aufgesplittert werden. Vorzugsweise grenzen die zweite aktive Zone und die Ausgleichsschicht unmittelbar aneinander.
Die beiden lateral getrennten Bereiche können sich mit Vorteil hinsichtlich ihrer technischen Funktionen voneinander unterscheiden, so dass vorteilhafterweise die Integrationsdichte - mehr Funktionen auf weniger Fläche - im Bauelement erhöht werden kann. Denn im Gegensatz zu einem herkömmlichen Bauelement, das für verschiedene Funktionen mehrere Chips aufweist, kann vorliegend ein einzelner Chip für mehrere Funktionen verwendet werden.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform entspricht die Dicke der Ausgleichsschicht der Dicke der ersten aktiven Zone. Durch die Ausgleichsschicht befinden sich die beiden Bereiche auf einer ersten Seite des Dünnfilm-Halbleiterchips auf demselben Niveau. Dies hat den Vorteil, dass die beiden Bereiche in einfacher Weise auf einen gemeinsamen ebenen Träger angeordnet werden können.
Bei einer vorteilhaften Variante des Strahlung emittierenden Dünnfilm-Halbleiterchips ist der erste Bereich ein Strahlung erzeugender Bereich, wobei die erste aktive Zone zur Erzeugung von Strahlung einer ersten Wellenlänge vorgesehen ist. Vorzugsweise liegt die erste Wellenlänge innerhalb des sichtbaren Spektrums. Die. aktive Zone weist einen pn-Übergang auf, der im einfachsten Falle aus einer p-leitenden und einer n- leitenden Halbleiterschicht gebildet ist, die unmittelbar aneinandergrenzen. Bevorzugt ist zwischen der p- leitenden und der' n-leitenden Halbleiter.schicht die eigentliche Strahlung erzeugende Schicht, etwa in Form einer dotierten oder undotierten Quantenschicht, ausgebildet. Die Quantenschicht kann als EinfachquantentopfStruktur (SQW, Single Quantum Well) oder Mehrfachquantentopfstruktur (MQW, Multiple Quantum Well) oder auch als Quantendraht oder Quantenpunktstruktur ausgeformt sein.
Ferner kann auch der zweite Bereich ein Strahlung erzeugender Bereich sein, wobei die zweite aktive Zone zur Erzeugung von Strahlung einer zweiten Wellenlänge vorgesehen sein kann.
Vorzugsweise liegt auch die zweite Wellenlänge innerhalb des sichtbaren Spektrums.
Mit Vorteil kann durch einen Dünnfilm-Halbleiterchip mit zwei Bereichen, die verschieden farbige Strahlung erzeugen, eine
Fläche entsprechend verschieden farbig beleuchtet werden, wenn die beiden Bereiche gleichzeitig betrieben werden. Der hierbei auftretende Farbkontrast kann beispielsweise zur Anzeige von Symbolen genutzt werden.
Alternativ können die Bereiche nacheinander betrieben werden, so dass bei Betreiben des ersten Bereichs eine erste Leuchtfarbe und bei Betreiben des zweiten Bereichs eine zweite Leuchtfarbe ausgestrahlt wird. Ein derartiger ' Halbleiterchip kann beispielsweise in einer Blinklichtanzeige im Innenraum eines Fahrzeugs verwendet werden, so dass bei Betätigung des Blinklichts die erste Leuchtfarbe und bei Betätigung der Warnblinkanlage die zweite Leuchtfarbe ausgestrahlt wird.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann der zweite Bereich ein Schutzbereich zum Schutz des ersten Bereichs vor
Überspannungen oder unerlaubten Spannungen sein. Insbesondere kann die zweite aktive Zone einen pn-Übergang aufweisen, bei welchem die Reihenfolge der p-leitenden und der n- leitenden Halbleiterschicht gegenüber der Reihenfolge in der ersten aktiven Zone vertauscht ist.
Eine andere Variante sieht vor, den zweiten Bereich als einen Strahlung empfangenden Bereich zur Detektion von Strahlung auszubilden. Dadurch besteht die Möglichkeit, die Strahlungsleistung des ersten Bereichs zu überwachen und gegebenenfalls entsprechend zu regulieren.
Die auf Höhe der ersten aktiven Zone angeordnete Ausgleichsschicht enthält bevorzugter Weise ein elektrisch leitendes Material, so dass die zweite aktive Zone mittels der Ausgleichsschicht elektrisch kontaktierbar ist.
Insbesondere kann die Ausgleichsschicht ein Metall oder ein TCO (transparent conductive oxide) enthalten. Das TCO ist ein transparentes, leitendes Material, insbesondere ein Metalloxid wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (ITO). Neben binären MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, Snθ2 oder In2θ3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise Z^SnO-J, CdSnO3 , ZnSnθ3 , Mgln2θ4, Galnθ3, Zn2ln2©5 oder Ir^Si^O^ oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs . Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können auch p- oder n- dotiert sein.
Die auf Höhe der ersten aktiven Zone angeordnete
Ausgleichsschicht kann durch eine Kontaktschicht mit der ersten aktiven Zone verbunden werden, so dass die beiden Bereiche auf einer Seite des Dünnfilm-Halbleiterchips gemeinsam elektrisch kontaktiert werden können.-
Der zweite Bereich kann auf einer der Ausgleichsschicht zugewandten Seite der zweiten aktiven Zone eine Ätzstoppschicht aufweisen. Die Ätzstoppschicht verhindert bei der Strukturierung der zweiten aktiven Zone, dass die erste aktive Zone angegriffen wird. Vorteilhafterweise ist die
Ätzstoppschicht elektrisch leitend ausgebildet, so dass sie nach der Strukturierung nicht entfernt werden muss, sondern im fertigen Halbleiterchip verbleiben kann.
Der Zwischenraum zwischen den beiden Bereichen kann mit einem dielektrischen Material versehen sein, so dass die erste aktive Zone von der zweiten aktiven Zone elektrisch isoliert ist. Somit können Fehlströme zwischen den beiden aktiven Zonen verhindert werden. Geeignete dielektrische Materialien sind beispielsweise Siliziumnitride, Siliziumoxinitride und Siliziumoxide.
Bei einer bevorzugten Variante eines Verfahrens zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Dünnfilm- Halbleiterchips wird zunächst die zweite aktive Zone auf einem Aufwachssubstrat aufgewachsen. Dann wird die erste aktive Zone auf der zweiten aktiven Zone aufgewachsen. Es folgen das Entfernen der ersten aktiven Zone in dem zweiten Bereich und das Ablösen des Aufwachssubstrats . Schließlich wird die zweite aktive Zone in dem ersten Bereich derart entfernt, dass die beiden Bereiche durch einen Zwischenraum lateral voneinander getrennt sind.
Zur Herstellung der beiden aktiven Zonen sind also keine separat geführten Wachstumsprozesse erforderlich. Die beiden aktiven Zonen können in einem gemeinsamen Wachstumsprozess übereinander aufgewachsen und anschließend derart strukturiert werden, dass zwei getrennte funktionelle Bereiche mit jeweils einer aktiven Zone entstehen. ■
Vorzugsweise wird die zweite aktive Zone in dem ersten Bereich durch Ätzen selektiv entfernt. Entsprechend kann die erste aktive Zone in dem zweiten Bereich durch Ätzen selektiv entfernt werden. Hierbei ist es vorteilhaft, zwischen der ersten und der zweiten aktiven Zone eine Ätzstoppschicht anzuordnen, bis zu welcher die erste aktive Zone im zweiten Bereich und die zweite aktive Zone im ersten Bereich weggeätzt werden. Somit kann verhindert werden, dass der Ätzvorgang bis in Schichten fortgesetzt wird, die nicht geätzt werden sollen.
Bei einer bevorzugten Variante des Verfahrens wird nach dem Entfernen der ersten aktiven Zone im zweiten Bereich eine Ausgleichsschicht auf der zweiten aktiven Zone angeordnet. Wie bereits weiter oben erwähnt, kann mittels der Ausgleichsschicht die Höhendifferenz zwischen der Oberseite des zweiten Bereichs und der Oberseite des ersten Bereichs in geeigneter Weise eingestellt werden. Insbesondere kann die Höhendifferenz ausgeglichen werden. Mit Vorteil wird vor dem Ablösen des Aufwachssubstrats auf • einer dem Aufwachssubstrat gegenüber liegenden Seite des Dünnfilm-Halbleiterchips ein Träger angeordnet. Dadurch können der erste und zweite Bereich bei fehlendem Aufwachssubstrat stabilisiert werden.
Im folgenden werden anhand der Figuren 1 bis 6 verschiedene vorteilhafte Varianten eines Dünnfilm-Halbleiterchips und eines Verfahrens zur Herstellung eines Dünnfilm- Halbleiterchips näher erläutert.
Es zeigen:
Figuren IA bis IF eine schematische Darstellung verschiedener Verfahrensschritte einer ersten Variante eines
Verfahrens zur Herstellung eines Dünnfilm- Halbleiterchips ,
Figuren 2A bis 21 eine schematische Darstellung verschiedener Verfahrensschritte einer zweiten Variante eines
Verfahrens zur Herstellung eines Dünnfilm- Halbleiterchips ,
Figuren 3 bis 6 schematische Draufsichten verschiedener Ausführungsbeispiele eines Dünnfilm-
Halbleiterchips .
Gleiche oder gleichwirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Figur IA zeigt einen ersten Verfahrensschritt einer bevorzugten Variante eines Verfahrens zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Dünnfilm-Halbleiterchips . Auf ein Aufwachssubstrat 3 wird eine zweite aktive Zone 2 epitaktisch aufgewachsen. Die zweite aktive Zone 2 weist einen pn-Übergang auf, der im einfachsten Fall durch- eine p- leitende und eine n-leitende Halbleiterschicht gebildet ' ist, die aneinandergrenzen. Auf die zweite aktive Zone 2 wird eine erste aktive Zone 1 epitaktisch aufgewachsen, die wie die zweite aktive Zone 2 einen pn-Übergang aufweist, der im einfachsten Fall durch eine p-leitende und eine n-leitende Halbleiterschicht gebildet ist, die aneinandergrenzen.
Vorzugsweise werden die erste aktive Zone 1 und die zweite aktive Zone 2 aus einem auf einem Phosphid- Verbindungshalbleiter basierenden Material hergestellt, was in diesem Zusammenhang bedeutet, dass die aktiven Zonen 1 und 2 vorzugsweise AlnGamIni-n-mP umfassen, wobei O ≤ n ≤ l, 0 < m < 1 und n+m < 1. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es einen qder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen, die die physikalischen Eigenschaften des Materials im Wesentlichen nicht ändern. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (Al, Ga, In, P)", auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können. Beosnders bevorzugt enthalten die erste aktive Zone 1 und die zweite aktive Zone 2 InGaAlP.
Bei Verwendung eines auf einem Phosphid-Verbindungshalbleiter basierenden Materials für die beiden aktiven Zonen 1 und 2 kann für das Aufwachssubstrat 3 mit Vorteil ein auf einem Arsenid-Verbindungshalbleiter basierendes Material wie GaAs verwendet werden. • In einem weiteren Verfahrensschritt wird die erste aktive Zone 1 strukturiert . Insbesondere wird die erste aktive Zone 1 in einem zweiten Bereich II entfernt, so dass nur noch der • erste Bereich I die erste aktive Zone 1 aufweist (Figur IB) . Beispielsweise kann die erste aktive Zone 1 im zweiten Bereich II weggeätzt werden. Hierbei ist vorteilhafterweise zwischen der ersten aktiven Zone 1 und der zweiten aktiven Zone 2 eine Ätzstoppschicht 4 vorgesehen, die verhindert, dass beim Ätzen der ersten aktiven Zone 1 die zweite aktive Zone 2 mitgeätzt wird. Bei Verwendung eines auf einem . Phosphid-Verbindungshalbleiter basierenden Materials für die beiden aktiven' Zonen 1 und 2 ist für die Ätzstoppschicht 4 ein auf einem Arsenid-Verbindungshalbleiter basierendes Material wie AlGaAs geeignet..
Die freigelegte Fläche, die durch Entfernen der ersten aktiven Zone 1 im zweiten Bereich II entsteht, kann von einer Ausgleichsschicht 5 bedeckt werden (Figur IC) . Die Ausgleichsschicht 5 ist im zweiten Bereich II auf Höhe der ersten aktiven Zone 1 angeordnet. Vorzugsweise entspricht die Dicke der Ausgleichsschicht 5 der Dicke der ersten aktiven Zone 1, so dass sich der erste Bereich I und der zweite Bereich II auf einer dem Aufwachssubstrat 3 gegenüber liegenden Seite auf demselben Niveau befinden.
Vorzugsweise ist die Ausgleichsschicht 5 elektrisch leitend, so dass die zweite aktive Zone 2 mittels der Ausgleichsschicht 5 elektrisch kontaktiert werden kann. Die Ausgleichsschicht 5 kann ein Metall wie Au oder Al enthalten oder eine Metalllegierung wie AuZn oder AuSn. Beispielsweise kann die Ausgleichsschicht 5 auf die zweite aktive Zone 2 aufgedampft oder aufgesputtert werden. Damit auch die zweite aktive Zone 2 strukturiert werden kann, werden der Verbund aus AufwachsSubstrat 3, zweiter aktiver Zone 2, strukturierter erster aktiver Zone 1 und' Ausgleichsschicht 5 auf der dem AufwachsSubstrat 3 gegenüber liegenden Seite auf einem Träger 7 angeordnet und das Aufwachssubstrat 3 entfernt (Figur ID) .
Der Verbund kann mittels einer Kontaktschicht 6 auf den Träger 7 gebondet werden. Die Kontaktschicht. 6 kann beispielsweise eine Metalllegierung wie AuZn enthalten, die nicht nur zum Bonden geeignet ist, sondern auch hinsichtlich Reflektivität und elektrischer Leitfähigkeit vorteilhafte Eigenschaften aufweist.
Figur IE zeigt einen nächsten Verfahrensschritt, bei dem die zweite aktive Zone 2 strukturiert wird. Insbesondere wird die zweite aktive Zone 2 im ersten Bereich I entfernt, so dass nur noch der zweite Bereich II die zweite' aktive Zone aufweist. Die zweite aktive Zone 2 wird vorzugsweise im ersten Bereich I weggeätzt. Die Ätzstoppschicht 4 kann hierbei verhinderen, dass die erste aktive Zone 1 mitgeätzt wird.
Für die Ätzstoppschicht 4 wird vorteilhafterweise ein elektrisch leitendes Material verwendet, so dass die Ätzstoppschicht 4 im fertigen Dünnfilm-Halbleiterchip 10 verbleiben kann (Figur IF) . Abschließend werden auf die erste aktive Zone 1 eine Kontaktmetallisierung 9 und auf die zweite aktive Zone 2 eine Kontaktmetallisierung 8 aufgebracht, wodurch der erste Bereich I und der zweite Bereich II auf einer dem Träger 7 gegenüber liegenden Seite separat voneinander elektrisch kontaktierbar sind. Die beiden Bereiche I und II sind durch einen Zwischenraum 11 lateral voneinander getrennt, so dass Fehlströme zwischen den beiden Bereichen I und II verhindert werden können.
Vorteilhafterweise können bei dem wie in den Figuren IA bis IF beschriebenen Verfahren durch Anwendung der Dünnfilmtechnik, das heißt Ablösen des AufwachsSubstrats 3 und Übertragen des Verbunds auf den Träger 7, beide aktiven Zonen 1 und 2 strukturiert werden, so dass am Ende zwei separate Bereiche I und II mit separaten aktiven Zonen 1 und 2 vorliegen.
Durch das in den Figuren IA bis IF dargestellte Verfahren kann ein wie in Figur IF dargestellter Strahlung emittierender Dünnfilm-Halbleiterchip 10 hergestellt werden aufweisend einen ersten Bereich I mit einer ersten aktiven Zone 1, einen durch einen Zwischenraum 11 von dem ersten Bereich I lateral getrennten zweiten Bereich II mit einer zweiten aktiven Zone 2, die sich parallel zu der ersten aktiven Zone 1 in einer unterschiedlichen Ebene erstreckt, und eine Ausgleichsschicht 5, die sich im zweiten Bereich II auf Höhe der ersten aktiven Zone 1 befindet, wobei die Ausgleichsschicht 5 kein Halbleitermaterial enthält. " •
Die beiden Bereiche I und II können insbesondere derart ausgebildet werden, dass die aktiven Zonen 1 und 2 Strahlung verschiedener Wellenlänge innerhalb des sichtbaren Spektrums emittieren. Der Dünnfilm-Halbleiterchip 10 emittiert dann verschieden farbiges Licht, wodurch eine Fläche verschieden farbig beleuchtet werden kann (vgl. auch Figuren 3 bis 5) . Vorzugsweise ist die dem Träger 7 gegenüber liegende Seite die Strahlungsauskoppelseite . Es ist ferner möglich, dass der erste Bereich I als ein Strahlung emittierender Bereich und der zweite Bereich II als ein Schutzbereich zum Schutz des ersten Bereichs I vor Überspannungen oder unerlaubten Spannungen ausgebildet werden (vgl. auch Figur 6) .
Bei einer weiteren Variante ist der erste Bereich I ein Strahlung emittierender Bereich und der zweite Bereich II ein Strahlung empfangender Bereich zur Detektion von Strahlung.
In den Figuren 2A bis 21 ist eine weitere Variante eines Verfahrens gemäß der vorliegenden Anmeldung dargestellt.
Zunächst wird auf ein AufwachsSubstrat 3 eine zweite aktive Zone 2 aufgewachsen, auf die wiederum eine erste aktive Zone 1 aufgewachsen wird (Figur 2A) . '
Anschließend wird die erste aktive Zone 1 auf der dem AufwachsSubstrat 3 gegenüber liegenden Seite strukturiert.
Dies kann wie im Zusammenhang mit Figur IB bereits beschrieben erfolgen.
Nach dem Entfernen der ersten aktiven Zone 1 im zweiten Bereich II (Figur 2B) kann auf der dem Aufwachssubstrat 3 gegenüber liegenden Seite ganzflächig eine Ausgleichsschicht 5 aufgebracht werden, so dass auf dieser Seite sowohl die erste aktive Zone 1 als auch die zweite aktive Zone 2 von der Ausgleichsschicht 5 bedeckt sind (Figur 2C) . Vorzugsweise enthält oder besteht die Ausgleichsschicht 5 aus einem TCO.
Beispielsweise kann die Ausgleichsschicht 5 aufgesputtert werden . Die Ausgleichsschicht 5 kann in einem nächsten Schritt strukturiert werden (Figur 2D) , so dass bei Verwendung eines TCOs keine elektrische Verbindung zwischen der ersten aktiven Zone 1 und der zweiten aktiven Zone 2 besteht. Die Ausgleichsschicht 5 kann im ersten Bereich I mit Vorteil als StromaufWeitungsschicht verwendet werden. Ebenso kann die Ausgleichsschicht 5, die sich im zweiten Bereich II auf Höhe der ersten aktiven Zone 1 befindet, als StromaufWeitungsschicht dienen.
Als weitere Maßnahme zur elektrischen Isolierung des ersten Bereichs I vom zweiten Bereich II kann der Zwischenraum 11 zwischen dem ersten Bereich I und dem zweiten Bereich II mit einem dielektrischen Material 12 wie einem Siliziumnitrid, einem Siliziumoxid oder einem Siliziumoxinitrid versehen werden. Weiterhin kann das dielektrische Material 12 derart aufgebracht werden, dass die Ausgleichsschicht 5 im ersten Bereich I und im zweiten Bereich II an den Seitenflanken von dem dielektrischen Material (12) bedeckt ist (Figur 2E) .
Um ein Übertragen des in der Figur 2E dargestellten Verbunds auf einen Träger 7 zu erleichtern, wird auf der dem AufwachsSubstrat gegenüber liegenden Seite eine einebnende Kontaktschicht 6 aufgebracht. Diese kann zugleich als Lotschicht zur Befestigung des Verbunds auf dem Träger 7 dienen. Sobald der Verbund auf dem Träger 7 befestigt ist, kann das Aufwachssubstrat 3 abgelöst werden (Figur 2F) .
Auf der Seite des abgelösten Aufwachssubstrats 3 ist die zweite aktive Zone 2 nun unbedeckt und kann daher von der Seite des ursprünglichen AufwachsSubstrats aus problemlos strukturiert werden (Figur 2G) . Die zweite aktive Zone 2 und die erste aktive Zone 1 werden also auf zwei einander • gegenüber liegenden Seiten strukturiert .
Wie in Figur 2H dargestellt ist, können auch die beiden aktiven Zonen 1 und 2 auf der dem Träger 7 gegenüberliegenden Seite an den Seitenflanken in das dielektrische Material 12 eingebettet werden, so dass diese an den Seitenflächen und teilweise auf den dem Träger 7 gegenüber liegenden Hauptflächen 13 von dem dielektrischen Material 12 bedeckt sind.
Schließlich können auf den unbedeckten Hauptflächen 13 der beiden aktiven Zonen 1 und 2 Stromaufweitungsschichten 14 aufgebracht werden, die für eine homogene Stromverteilung über die beiden aktiven Zonen 1 und 2 hinweg sorgen. Vorzugsweise enthalten oder bestehen die beiden Stromaufweitungsschichten 14 aus einem TCO. Mittels Kontaktmetallisierungen 8 und 9 sind die beiden Stromaufweitungsschichten 14 und damit die beiden aktiven Zonen 1 und 2 auf einer dem Träger gegenüber liegenden Seite jeweils elektrisch kontaktierbar (Figur 21) . Ein gemeinsamer elektrischer Kontakt ist auf der Trägerseite durch die Kontaktschicht 6 ausgebildet .
Der durch das Verfahren gemäß den Figuren 2A bis 21 hergestellte Strahlung emittierende Dünnfilm-Halbleiterchip 10 umfasst somit einen ersten Bereich I mit einer ersten aktiven Zone 1, einen durch einen Zwischenraum 11 von dem ersten Bereich I lateral getrennten zweiten Bereich II mit einer zweiten aktiven Zone 2, die sich parallel zu der ersten aktiven Zone 1 in einer unterschiedlichen Ebene erstreckt, und eine Ausgleichsschicht 5, die sich im zweiten Bereich II auf Höhe der ersten aktiven Zone 1 befindet, wobei die Ausgleichsschicht 5 kein Halbleitermaterial enthält.
Die Bereiche I und II sind verschiendene funktionelle Bereiche und können die im Zusammenhang mit Figur IF erläuterten Eigenschaften aufweisen. Ferner können die im Zusammenhang mit den Figuren IA bis IF erwähnten Materialien auch bei dem Verfahren gemäß den Figuren 2A bis 21 verwendet werden.
Es sei darauf hingewiesen, dass der Strahlung emittierende Dünnfilm-Halbleiterchip vorliegend auch mehr als zwei Bereiche beziehungsweise mehr als zwei aktive Zonen aufweisen kann. Es werden dann entsprechend viele aktive Zonen übereinander aufgewachsen und derart strukturiert, dass jeweils ein Bereich eine aktive Zone aufweist, die von den anderen aktiven Zonen getrennt ist. Mit Vorteil werden jeweils zwei aufeinander folgende aktive Zonen ausgehend von zwei verschiedenen Seiten strukturiert.
Figur 3 zeigt in Draufsicht eine vorteilhafte Ausführungsform eines Dünnfilm-Halbleiterchips 10, der vorzugsweise gemäß einem der vorausgehend beschriebenen Verfahren hergestellt ist. Der Dünnfilm-Halbleiterchip 10 weist einen ersten Bereich I und einen zweiten Bereich II auf, die durch einen Zwischenraum 11 lateral voneinander getrennt sind. Der erste Bereich I ist insbesondere dafür vorgesehen, Strahlung einer ersten Wellenlänge innerhalb des sichtbaren Spektrums zu emittieren, während der zweite Bereich II dafür vorgesehen sein kann, Strahlung einer zweiten Wellenlänge innerhalb des sichtbaren Spektrums zu emittieren. So werden durch die beiden Bereiche I und II im Betrieb des Dünnfilm- Halbleiterchips 10 zwei verschiedene Leuchtflächen erzeugt. Diese können durch eine dem Halbleiterchip 10 nachgeordnete Optik in geeigneter Weise abgebildet werden. Ein derartiger Dünnfilm-Halbleiterchip 10 kann beispielsweise als Blinklichtanzeige Im Innenraum eines Fahrzeugs verwendet werden .
Die Figuren 4 und 5 zeigen weitere vorteilhafte
Ausführungsformen eines Dünnfilm-Halbleiterchips 10, der gemäß einem der vorausgehend beschriebenen Verfahren hergestellt sein kann. Bei diesen Ausführungsformen sind die ersten Bereiche I als Symbole in Form einer kreisförmigen Fläche (Figur 4) oder eines Pfeils (Figur 5) ausgebildet. Durch den Farbkontrast zwischen dem ersten Bereich I und dem zweiten Bereich II treten die Symbole bei entsprechender Abbildung für einen Beobachter sichtbar hervor und können beispielsweise als Orientierungshilfen in Gebäuden Verwendung finden.
Bei dem in Figur 6 dargestellten Strahlung emittierenden Dünnfilm-Halbleiterchip 10 ist der erste Bereich I ein
Strahlung erzeugender Bereich und der zweite Bereich II ein Schutzbereich. Die beiden Bereiche I und II weisen keine separaten Kontaktmetallisierungen auf, sondern sind mittels einer die beiden Bereiche I und II elektrisch verbindenden Kontaktstruktur 15 auf einer dem Träger gegenüber liegenden Seite gemeinsam elektrisch kontaktierbar . Da vorzugsweise eine Kontaktschicht (nicht dargestellt) die beiden Bereiche I und II auf der Trägerseite elektrisch verbindet, sind die beiden Bereiche I und II parallel geschaltet.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von' Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Patentansprüche
1. Strahlung emittierender Dünnfilm-Halbleiterchip (10) aufweisend - einen ersten Bereich (I) mit einer ersten aktiven Zone (1) , - einen durch einen Zwischenraum (11) von dem ersten Bereich
(I) lateral getrennten zweiten Bereich (II) mit einer zweiten aktiven Zone (2) , die sich parallel zu der ersten aktiven Zone (1) in einer unterschiedlichen Ebene erstreckt, und - eine Ausgleichsschicht (5) , die sich im zweiten Bereich
(II) auf Höhe der ersten aktiven Zone (1) befindet, wobei die Ausgleichsschicht (5) kein Halbleitermaterial enthält .
2. Strahlung emittierender Dünnfilm-Halbleiterchip (10) nach
Anspruch 1, wobei der erste Bereich (I) ein Strahlung erzeugender Bereich ist und die erste aktive Zone (1) zur Erzeugung von Strahlung einer ersten Wellenlänge vorgesehen ist.
3. Strahlung emittierender Dünnfilm-Halbleiterchip (10) nach Anspruch 2 , wobei der zweite Bereich (II) ein Strahlung erzeugender Bereich ist und die zweite aktive Zone (2) zur Erzeugung von Strahlung einer zweiten Wellenlänge vorgesehen ist.
4. Strahlung emittierender Dünnfilm-Halbleiterchip (10) nach Anspruch 2, wobei der zweite Bereich (II) ein Schutzbereich zum Schutz des ersten Bereichs (I) vor Überspannungen oder unerlaubten Spannungen ist.- •
5. Strahlung emittierender Dünnfilra-Halbleiterchip (10) nach Anspruch 2, wobei der zweite Bereich (II) ein Strahlung empfangender Bereich zur Detektion von Strahlung ist .
6. Strahlung emittierender Dünnfilm-Halbleiterchip (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Ausgleichsschicht (5) ein Metall oder ein TCO enthält.
7. Strahlung emittierender Dünnfilm-Halbleiterchip (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Dicke der Ausgleichsschicht (5) der Dicke der ersten aktiven Zone (1) •entspricht.
8. Strahlung emittierender Dünnfilm-Halbleiterchip (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der zweite Bereich (II) auf einer der Ausgleichsschicht (5) zugewandten Seite der zweiten aktiven Zone (2) eine Ätzstoppschicht (4) aufweist .
9. Strahlung emittierender Dünnfilm-Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Zwischenraum (11) mit einem dielektrischen Material (12) versehen ist, so dass die erste aktive Zone (1) von der zweiten aktiven Zone (2) elektrisch isoliert ist.
10. Verfahren zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Dünnfilm-Halbleiterchips (10) mit folgenden Schritten:
- Aufwachsen einer zweiten aktiven Zone (2) auf einem AufwachsSubstrat (3) ,
- Aufwachsen einer ersten aktiven Zone (1) auf der zweiten aktiven Zone (2) , - Entfernen der ersten aktiven Zone (1) in einem zweiten Bereich (II) ,
- Ablösen des AufwachsSubstrats (3) ,
- Entfernen der zweiten aktiven Zone (2) in einem ersten Bereich (I) .derart, dass die beiden Bereiche (I, II) durch einen Zwischenraum (11) lateral voneinander getrennt sind.
11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei .
• die erste und die zweite aktive Zone (1, 2) durch Ätzen entfernt werden.
12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei zwischen der ersten und der zweiten aktiven Zone (1, 2) eine Ätzstoppschicht (4) angeordnet ist, bis zu welcher die erste aktive Zone (1) im zweiten Bereich (II) und die zweite aktive Zone (2) im ersten Bereich (I) weggeätzt werden.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei nach dem Entfernen der ersten aktiven Zone (1) in dem zweiten Bereich (II) eine Ausgleichsschicht (5) auf der zweiten aktiven Zone (2) angeordnet wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, wobei vor dem Ablösen des Aufwachssubstrats (3) auf einer dem AufwachsSubstrat (3) gegenüber liegenden Seite des Dünnfilm- Halbleiterchips (10) ein Träger (7) angeordnet wird.
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