DE102008062607A1

DE102008062607A1 - Stromzellenschaltung in einem Digital-Analog-Umsetzer

Info

Publication number: DE102008062607A1
Application number: DE102008062607A
Authority: DE
Inventors: Sang June Kim
Original assignee: Dongbu HitekCo Ltd
Current assignee: DB HiTek Co Ltd
Priority date: 2007-12-27
Filing date: 2008-12-17
Publication date: 2009-08-13
Also published as: US7782236B2; CN101471666A; KR100945873B1; US20090167424A1; TW200929891A; JP4764473B2; KR20090070770A; JP2009159605A

Abstract

Ausführungsformen beziehen sich auf eine Stromzellenschaltung in einem Digital-Analog-Umsetzer. Gemäß Ausführungsformen kann eine Stromzellenschaltung in einem Digital-Analog-Umsetzer eine Stromquelle, die mit einem Versorgungsspannungsanschluss verbunden ist, um Strom mit einer vorbestimmten Stärke zu erzeugen, einen ersten Stromschalter, der von der Stromquelle gelieferten Strom an einen ersten Ausgangsanschluss überträgt, einen ersten Stromgenerator, der eine Ausgangsspannung vom ersten Ausgangsanschluss detektiert und die Menge reduzierten Stroms aus der detektierten Spannung erzeugt, und eine erste Stromliefereinheit umfassen, welche die vom ersten Stromgenerator erzeugte Strommenge an den ersten Stromschalter liefert. Gemäß Ausführungsformen können Stromänderungen bei einer konstanten Ausgangsspannung minimiert werden. Dies ermöglicht es, stabilere Frequenzeigenschaften zu erhalten.

Description

Die vorliegende Patentanmeldung beansprucht die Priorität der (am 27. Dezember 2007 eingereichten) koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2007-0138896 , die hiermit durch Bezugnahme vollständig aufgenommen wird.
HINTERGRUND
Ein Digital-Analog-Umsetzer (DAU) kann ein digitales Signal in ein analoges Signal umwandeln. Ein DAU kann unter Verwendung verschiedener Bauelemente wie eines Widerstands, eines Kondensators, einer Stromquelle und dergleichen hergestellt werden. Ein DAU, der wie oben beschrieben hergestellt sein kann, kann je nach den verwendeten Bauelementen und Anordnungen verschiedene Vor- und Nachteile in Hinblick auf Umsetzgeschwindigkeit, Auflösung, Stromverbrauch und dergleichen haben.
Unter den Digital-Analog-Umsetzern mit verschiedenen Strukturen kann ein Digital-Analog-Umsetzer des stromsteuernden Typs eine für eine Signalumsetzung mit hoher Geschwindigkeit und hoher Auflösung geeignete Struktur sein. Viele Digital-Analog-Umsetzer von Hochgeschwindigkeits- und Hochauflösungsgeräten können als DAU des stromsteuernden Typs gestaltet sein.
Jüngste Entwicklungen von Digitalsignalverarbeitungstechniken können ein Signalverarbeitungsverfahren zum Verarbeiten von Teilen umfassen. Nach der verwandten Technik können analoge Signale bei der verwandten Technik mit digitalen Signalen verarbeitet werden. Die Verarbeitungsergebnisse können wieder in analoge Signale umgewandelt werden. Eine Menge an Verar beitungsdaten in verschiedenen leitungsgebundenen/drahtlosen Kommunikationssystemen, auf die ein solches Signalverarbeitungsverfahren angewendet werden kann, kann zunehmen. Daher kann eine Datenmenge zunehmen, welche der Umwandlung digitaler Signale in analoge Signale bedürfen kann. Demgemäß kann es einen erhöhten Bedarf an einem Digital-Analog-Umsetzer mit im Vergleich zum Stand der Technik verbesserter Leistung und mit Hochgeschwindigkeits- und Hochauflösungseigenschaften geben.
Des Weiteren kann ein Umfang der Datenverarbeitung in verschiedenen leitungsgebundenen/drahtlosen Kommunikationssystemen zunehmen, die Breitbandeigenschaften und Signale, die ein Breitband belegen können, aufweisen können. Daher kann es einen Bedarf an einem Digital-Analog-Umsetzer (DAU) geben, der hohe Betriebseigenschaften hat, um Signale zu verarbeiten, die ein Breitband belegen.
Kommunikationssysteme und Hochgeschwindigkeits-Bildsignalverarbeitungssysteme können als Ein-Chip-System (SOC) entwickelt und realisiert werden. Daher kann ein Gebrauchswert eines DAU als Intellectual Property (IP) wichtiger werden.
1 stellt eine Stromzellenschaltung in einem der verwandten Technik entsprechenden Digital-Analog-Umsetzer dar. Unter Bezugnahme auf 1 kann eine Stromzellenschaltung in einem DAU Strom, der von einer Stromquelle M0 in Übereinstimmung mit Signalen geliefert wird, die von einem Dekodierer, der N-Bit-Digitaldaten empfangen kann, und von einem Treiber ausgegeben werden, in Ausgangsanschlüsse IOUTN und IOUTP leiten.
Eine Stromzellenschaltung in einem DAU kann einen ersten PMOS-Transistor M0 umfassen, der eine mit einem Versorgungsspannungsanschluss VDD verbundene Source aufweisen kann und der als Stromquelle arbeiten kann, um einen Strom mit einer vorbestimmten Stärke zu erzeugen. Eine Stromzellenschaltung kann außerdem einen zweiten PMOS-Transistor M1 umfassen, der eine mit einem Drain des ersten PMOS-Transistors M1 über einen Knoten VS verbundene Source aufweisen kann und der als Stromschalter arbeiten kann, um vom ersten PMOS-Transistor M1 gelieferten Strom an einen ersten Ausgangsanschluss IOUTN zu übertragen. Ein dritter PMOS-Transistor M2 kann ebenfalls vorgesehen sein und kann eine mit einem Drain des ersten PMOS-Transistors M1 über den Knoten VS verbundene Source aufweisen und als Stromschalter arbeiten, um vom ersten PMOS-Transistor M1 gelieferten Strom an einen zweiten Ausgangsanschluss IOUTP zu übertragen.
Ein Gate des zweiten PMOS-Transistors M1 und ein Gate des dritten PMOS-Transistors M2 können mit einem ersten Schalteranschluss SW1 beziehungsweise einem zweiten Schalteranschluss SW2 verbunden sein. Wenn eine Ausgangsspannung vom ersten Ausgangsanschluss IOUTN und vom zweiten Ausgangsanschluss IOUTP angehoben wird, kann der erste PMOS-Transistor M0, der eine Stromquelle sein kann, aus einem Sättigungsbereich in einen linearen Bereich eintreten. In diesem Fall kann sich ein im ersten PMOS-Transistor M0 fließender Stromwert ändern, wenn die Ausgangsspannungswerte vom ersten Ausgangsanschluss IOUTN und vom zweiten Ausgangsanschluss IOUTP einen voreingestellten Spannungswert erreichen.
Wenn sich ein Stromwert des ersten PMOS-Transistors M0 ändert, kann ein Einheitsstrom fehlangepasst werden, was Differenzen bei den Ausgangsspannungen für Eingangscodes verursa chen kann. Demgemäß kann ein Wert der integralen Nichtlinearität (INL) einen Wert haben, der größer als mehrere niedrigstwertige Bit-(LSB)-Werte ist.
Da ein Digital-Analog-Umsetzer einen größeren Ausgangsbereich hat, können verschiedenartige Systeme einfacher entworfen werden. Dies kann einen Bedarf an einem größeren IP-Ausgangsbereich eines Digital-Analog-Umsetzers erhöhen. Wie in 1 dargestellt, können allerdings bei einer Stromzellenschaltung nach der verwandten Technik Differenzen bei der Ausgangsspannung für Eingangscodes auftreten. Dies kann eine Strommenge von einer Stromquelle reduzieren.
ZUSAMMENFASSUNG
Ausführungsformen beziehen sich auf einen Digital-Analog-Umsetzer (DAU). Ausführungsformen beziehen sich auf eine Stromzellenschaltung in einem Digital-Analog-Umsetzer und ein Verfahren zum Liefern von Strom von einer Stromzellenschaltung in einem Digital-Analog-Umsetzer.
Ausführungsformen beziehen sich auf eine Stromzellenschaltung in einem Digital-Analog-Umsetzer, die einen Ausgangsspannungsbereich durch Umwandeln einer von einer Stromzellenschaltung detektierten Spannung in Strom vergrößern kann. Dies kann eine mit steigender Spannung reduzierte Strommenge ausgleichen, so dass Stromänderungen bei einer vorbestimmten Ausgangsspannung minimiert werden können.
Gemäß Ausführungsformen kann eine Stromzellenschaltung in einem Digital-Analog-Umsetzer mindestens eines von Folgendem umfassen. Eine Stromquelle, die mit einem Versorgungsspannungsanschluss verbunden ist, um Strom mit einer vorbestimm ten Stärke zu erzeugen. Einen ersten Stromschalter, der von der Stromquelle gelieferten Strom an einen ersten Ausgangsanschluss überträgt. Einen ersten Stromgenerator zum Detektieren einer Ausgangsspannung vom ersten Ausgangsanschluss und zum Erzeugen der Menge reduzierten Stroms aus der detektierten Spannung. Eine erste Stromliefereinheit, um die vom ersten Stromgenerator erzeugte Strommenge an den ersten Stromschalter zu liefern.
ZEICHNUNGEN
1 ist eine Zeichnung, die eine Stromzellenschaltung in einem Digital-Analog-Umsetzer (DAU) nach der verwandten Technik darstellt.
Das Beispiel von 2 ist eine Schaltungsansicht einer Stromzellenschaltung in einem Digital-Analog-Umsetzer gemäß Ausführungsformen.
Das Beispiel von 3 ist ein Diagramm, das Eigenschaften einer Stromzellenschaltung gemäß Ausführungsformen mit Eigenschaften einer Stromzellenschaltung nach der verwandten Technik vergleicht.
Die Beispiele von 4 und 5 sind Diagramme, die Leistungsmessergebnisse eines eine Stromzellenschaltung verwendenden Digital-Analog-Umsetzers gemäß Ausführungsformen darstellen.
BESCHREIBUNG
Das Beispiel von 2 ist eine Schaltungsansicht einer Stromzellenschaltung in einem Digital-Analog-Umsetzer gemäß Ausführungsformen. Mit Bezug auf das Beispiel von 2 kann eine Stromzellenschaltung in einem Digital-Analog-Umsetzer (DAU) Strom, der von einer Stromquelle M0 in Übereinstimmung mit von einem Treiber und von einem Dekodierer, der N-Bit-Digitaldaten empfangen kann, ausgegebenen Signalen geliefert wird, an Ausgangsanschlüsse IOUTN und IOUTP übertragen.
Gemäß Ausführungsformen kann eine Stromzellenschaltung in einem DAU außerdem vier PMOS-Transistoren M4, M5, M7 und M8 und zwei NMOS-Transistoren M3 und M6 umfassen. Eine Stromzellenschaltung kann ferner einen ersten PMOS-Transistor M0, einen zweiten PMOS-Transistor M1 und einen dritten PMOS-Transistor M2 umfassen.
Gemäß Ausführungsformen kann der erste PMOS-Transistor M0, der eine mit einem Versorgungsspannungsanschluss VDD verbundene Source aufweisen kann, als Stromquelle arbeiten, um Strom mit einer vorbestimmten Stärke zu erzeugen. Gemäß Ausführungsformen kann der zweite PMOS-Transistor M1 eine zum Empfangen von Strom, der vom ersten PMOS-Transistor M0 geliefert wird, verbundene Source und ein mit dem ersten Ausgangsanschluss IOUTN verbundenes Drain aufweisen. Gemäß Ausführungsformen kann der zweite PMOS-Transistor M1, dessen Source durch einen Knoten VS mit einem Drain des ersten PMOS-Transistors M0 verbunden sein kann, als Stromschalter arbeiten und vom ersten PMOS-Transistor M0 gelieferten Strom an den ersten Ausgangsanschluss IOUTN übertragen.
Gemäß Ausführungsformen kann der dritte PMOS-Transistor M2 eine zum Empfangen von Strom, der vom ersten PMOS-Transistor M0 geliefert wird, verbundene Source und ein mit dem zweiten Ausgangsanschluss IOUTP verbundenes Drain aufweisen. Gemäß Ausführungsformen kann der dritte PMOS-Transistor M2, dessen Source durch den Knoten VS mit einem Drain des ersten PMOS- Transistors M0 verbunden sein kann, als Stromschalter arbeiten und einen vom ersten PMOS-Transistor M0 gelieferten Strom an den zweiten Ausgangsanschluss IOUTP übertragen.
Gemäß Ausführungsformen kann der erste NMOS-Transistor M3 ein Gate aufweisen, das parallel an ein Drain des dritten PMOS-Transistors M2 und an den zweiten Ausgangsanschluss IOUPT angeschlossen ist, und eine Source, die mit einem Masseanschluss GND verbunden ist. Gemäß Ausführungsformen kann der erste NMOS-Transistor M3 eine Ausgangsspannung vom zweiten Ausgangsanschluss IOUTP detektieren und eine Menge reduzierten Stroms aus der detektierten Spannung erzeugen. Gemäß Ausführungsformen kann der erste NMOS-Transistor M3 als Stromgenerator arbeiten.
Gemäß Ausführungsformen kann der vierte PMOS-Transistor M4 eine Source, die mit dem Versorgungsspannungsanschluss VDD verbunden ist, und ein Drain und ein Gate aufweisen, die mit einem Drain des ersten NMOS-Transistors M3 verbunden sind. Der fünfte PMOS-Transistor M5 kann eine Source, die mit dem Versorgungsspannungsanschluss VDD verbunden ist, ein Gate, das mit einem Gate des vierten PMOS-Transistors M4 verbunden ist, und ein Drain aufweisen, das mit dem Knoten VS verbunden ist.
Gemäß Ausführungsformen können der vierte PMOS-Transistor M4 und der fünfte PMOS-Transistor M5 eine vom ersten NMOS-Transistor M3 erzeugte Strommenge an den dritten PMOS-Transistor M2 liefern. Gemäß Ausführungsformen können der vierte PMOS-Transistor M4 und der fünfte PMOS-Transistor M5 Stromgeneratoren sein.
Gemäß Ausführungsformen kann der zweite NMOS-Transistor M6 ein Gate, das parallel an ein Drain des zweiten PMOS-Transistors M1 und an den ersten Ausgangsanschluss IOUPN angeschlossen ist, und eine Source aufweisen, die mit einem Masseanschluss GND verbunden ist. Der zweite NMOS-Transistor M6 kann eine Ausgangsspannung vom ersten Ausgangsanschluss IOUTN detektieren und eine Menge reduzierten Stroms aus einer detektierten Spannung erzeugen. Gemäß Ausführungsformen kann der zweite NMOS-Transistor M6 als Stromgenerator arbeiten.
Gemäß Ausführungsformen kann der sechste PMOS-Transistor M7 eine Source, die mit dem Versorgungsspannungsanschluss VDD verbunden ist, und ein Drain und ein Gate aufweisen, die mit einem Drain des zweiten NMOS-Transistors M6 verbunden sind. Gemäß Ausführungsformen kann der siebte PMOS-Transistor M8 eine Source, die mit dem Versorgungsspannungsanschluss VDD verbunden ist, ein Gate, das mit einem Gate des sechsten PMOS-Transistors M7 verbunden ist, und ein Drain aufweisen, das mit dem Knoten VS verbunden ist.
Gemäß Ausführungsformen können der sechste PMOS-Transistor M7 und der siebte PMOS-Transistor M8 eine vom zweiten NMOS-Transistor M6 erzeugte Strommenge an den zweiten PMOS-Transistor M1 liefern. Gemäß Ausführungsformen können der sechste PMOS-Transistor M7 und der siebte PMOS-Transistor M8 Stromgeneratoren sein.
Gemäß Ausführungsformen kann eine Spannung des Knotens VS mit dem Ansteigen einer Ausgangsspannung der Ausgangsanschlüsse IOUTN und IOUTP ebenfalls ansteigen. Aufgrund eines derartigen Phänomens kann eine Spannungsdifferenz zwischen einer Source und einem Drain des ersten PMOS-Transistors M0, der eine Stromquelle sein kann, abnehmen. Gemäß Ausführungsformen kann eine Menge eines vom ersten PMOS-Transistor M0 erzeugten Einheitsstroms abnehmen.
Gemäß Ausführungsformen kann in einer Stromzellenschaltung in einem Digital-Analog-Umsetzer eine Ausgangsspannung von den Ausgangsanschlüssen IOUTN und IOUTP durch den ersten NMOS-Transistor M3 beziehungsweise den zweiten NMOS-Transistor M6 detektiert werden. Eine Menge reduzierten Stroms aus einer detektierten Spannung kann erzeugt werden. Eine vom ersten NMOS-Transistor M3 erzeugte Strommenge kann durch den vierten PMOS-Transistor M4 und den fünften PMOS-Transistor M5 an den dritten PMOS-Transistor M2 geliefert werden. Eine vom zweiten NMOS-Transistor M6 erzeugte Strommenge kann durch den sechsten PMOS-Transistor M7 und den siebten PMOS-Transistor M8 an den zweiten PMOS-Transistor M1 geliefert werden.
Das Beispiel von 3 ist ein Diagramm, das Eigenschaften einer Stromzellenschaltung gemäß Ausführungsformen mit Eigenschaften einer Stromzellenschaltung nach der verwandten Technik vergleicht. Eine horizontale Achse kann eine Spannung eines Ausgangsanschlusses darstellen und eine vertikale Achse kann einen Strom eines dritten PMOS-Transistors M2 darstellen. Eine durchgezogene Linie kann eine verwandte Technik darstellen und eine gestrichelte Linie kann Ausführungsformen darstellen.
Mit Bezug auf das Beispiel von 3 kann eine Stromzellenschaltung nach der verwandten Technik große Stromänderungen aufweisen, wenn eine Spannung IOUTP von einem Ausgangsanschluss 1,6 V erreicht. Eine Stromzelle gemäß Ausführungsformen kann einen im Wesentlichen konstanten Ausgangsstrom aufweisen, auch wenn eine Spannung IOUTP von einem Ausgangsanschluss 1,6 V erreicht.
Die Beispiele von 4 und 5 sind Diagramme, die Leistungsmessergebnisse eines Digital-Analog-Umsetzers darstellen, der eine Stromzellenschaltung gemäß Ausführungsformen verwendet. In den in den Beispielen von 4 und 5 gezeigten Diagrammen kann eine horizontale Achse jeweils einen Eingangscode darstellen und eine vertikale Achse kann jeweils das LSB darstellen. Im Beispiel von 4 kann die Bezugsziffer 10 eine Leistung eines Digital-Analog-Umsetzers nach der verwandten Technik angeben und die Bezugsziffer 20 kann eine Leistung eines Digital-Analog-Umsetzers angeben, der eine Stromzellenschaltung gemäß Ausführungsformen verwendet. Das Beispiel von 5 zeigt nur Leistungsmessergebnisse eines Digital-Analog-Umsetzers, der eine Stromzellenschaltung gemäß Ausführungsformen verwendet.
Mit Bezug auf das Beispiel von 4 können Eigenschaften der integralen Nichtlinearität (INL) einer Stromzellenschaltung in einem Digital-Analog-Umsetzer gemäß Ausführungsformen im Vergleich zu einer Stromzellenschaltung nach der verwandten Technik um mehr als das Zweifache verbessert werden. Die Eigenschaften der differentiellen Nichtlinearität (DNL) einer Stromzellenschaltung in einem Digital-Analog-Umsetzer gemäß Ausführungsformen können im Vergleich zu einer Stromzellenschaltung nach der verwandten Technik im Wesentlichen die selben sein, wie im Beispiel von 5 dargestellt ist.

Tabelle 1 veranschaulicht Simulationsergebnisse für eine Stromzellenschaltung in einem Digital-Analog-Umsetzer gemäß Ausführungsformen. [Tabelle 1]

INL	+/– 1 LSB
DNL	+/– 0,3 LSB
SNR (bei fin = 2,34 M, fs = 100 M)	53,02 dB
SFDR (bei fin = 2,34 M, fs = 100 M)	53,88 dB
Ausgangsamplitude	–1,6 bis 1,6 V
Auflösung	10 Bit
VDD	3,3 V

Gemäß Ausführungsformen kann SFDR einen verzerrungsfreien Dynamikbereich angeben und SNR kann ein Signal-Rausch-Verhältnis angeben. Gemäß Ausführungsformen kann eine Stromzellenschaltung im Digital-Analog-Umsetzer beispielsweise auf einen Digital-Analog-Umsetzer mit 100 Msps bei 10 Bit angewendet werden und ein 0,13μm-Spice-Modell wird als Anwendungsbaustein verwendet.
Mit Bezug auf Tabelle 1 kann aufgrund der Simulationsergebnisse eine Stromzellenschaltung eine Versorgungsspannung VDD von 3,3 V und eine Struktur mit großem Ausgangsbereich mit einer Ausgangsspannung im Bereich von ungefähr –1,6 V bis 1,6 V, INL von +/– 1 LSB und DNL von +/– 0,3 LSB aufweisen.
Wenn eine Eingangsfrequenz fin 2,3 MHz beträgt und eine Abtastfrequenz fs 100 MHz beträgt, kann ferner ein verzerrungsfreier Dynamikbereich (SFDR) ungefähr 53,88 dB betragen und ein Signal-Rausch-Verhältnis (SNR) kann ungefähr 53,07 dB betragen.
Wenn eine Stromzellenschaltung in einem Digital-Analog-Umsetzer verwendet wird, können gemäß Ausführungsformen L-Werte (Länge des ersten PMOS-Transistors M0 im Beispiel von 2) einer Stromquelle in einer Stromzelle erhöht werden, was in besseren Frequenzeigenschaften resultieren kann.
Eine Stromzellenschaltung in einem Digital-Analog-Umsetzer gemäß Ausführungsformen kann Stromänderungen bei einer konstanten Ausgangsspannung minimieren. Dies kann stabilere Frequenzeigenschaften bereitstellen.
Für den Fachmann wird es naheliegend und offenkundig sein, dass verschiedene Abwandlungen und Änderungen an den offenbarten Ausführungsformen vorgenommen werden können. Daher ist beabsichtigt, dass die offenbarten Ausführungsformen die naheliegenden und offenkundigen Abwandlungen und Änderungen abdecken, sofern sie unter den Umfang der angefügten Ansprüche und ihrer Äquivalente fallen.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

- KR 10-2007-0138896 [0001]

Claims

Bauelement, umfassend: eine Stromquelle, die mit einem Versorgungsspannungsanschluss verbunden ist und eingerichtet ist, einen Strom mit einer vorbestimmten Stärke zu erzeugen; einen ersten Stromschalter, der eingerichtet ist, den von der Stromquelle gelieferten Strom an einen ersten Ausgangsanschluss zu übertragen; einen ersten Stromgenerator, der eingerichtet ist, eine Ausgangsspannung vom ersten Ausgangsanschluss zu detektieren und eine erste Menge reduzierten Stroms aus der detektierten Spannung zu erzeugen; und eine erste Stromliefereinheit, die eingerichtet ist, die vom ersten Stromgenerator erzeugte erste Strommenge an den ersten Stromschalter zu liefern.
Bauelement nach Anspruch 1, bei dem der erste Stromgenerator einen NMOS-Transistor umfasst, der ein mit dem ersten Ausgangsanschluss verbundenes Gate, eine mit einem Masseanschluss verbundene Source und ein mit der ersten Stromliefereinheit verbundenes Drain aufweist.
Bauelement nach Anspruch 2, bei dem die erste Stromliefereinheit umfasst: einen ersten PMOS-Transistor, der eine mit dem Versorgungsspannungsanschluss verbundene Source aufweist, wobei ein Drain und ein Gate mit dem Drain des NMOS-Transistors verbunden sind; und einen zweiten PMOS-Transistor, der eine mit dem Versorgungsspannungsanschluss verbundene Source, ein mit dem Gate des ersten PMOS-Transistors verbundenes Gate und ein mit dem ersten Stromschalter verbundenes Drain aufweist.
Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, umfassend: einen zweiten Stromschalter, der eingerichtet ist, den von der Stromquelle gelieferten Strom an einen zweiten Ausgangsanschluss zu übertragen; einen zweiten Stromgenerator, der eingerichtet ist, eine Ausgangsspannung vom zweiten Ausgangsanschluss zu detektieren und eine zweite Menge reduzierten Stroms aus der detektierten Spannung zu erzeugen; und eine zweite Stromliefereinheit, die eingerichtet ist, die vom zweiten Stromgenerator erzeugte zweite Strommenge an den zweiten Stromschalter zu liefern.
Bauelement nach Anspruch 4, bei dem die Stromquelle einen PMOS-Transistor umfasst, der eine mit dem Versorgungsspannungsanschluss verbundene Source und ein parallel an die ersten und zweiten Stromschalter angeschlossenes Drain aufweist.
Bauelement nach Anspruch 4 oder 5, bei dem der zweite Stromschalter einen PMOS-Transistor umfasst, der eine zum Empfangen des von der Stromquelle gelieferten Stroms verbundene Source und ein mit dem zweiten Ausgangsanschluss verbundenes Drain aufweist.
Bauelement nach einem der Ansprüche 4 bis 6, bei dem der zweite Stromgenerator einen NMOS-Transistor umfasst, der ein mit dem zweiten Ausgangsanschluss verbundenes Gate, eine mit einem Masseanschluss verbundene Source und ein mit der zweiten Stromliefereinheit verbundenes Drain aufweist.
Bauelement nach Anspruch 7, bei dem die zweite Stromliefereinheit umfasst: einen ersten PMOS-Transistor, der eine mit dem Versorgungsspannungsanschluss verbundene Source aufweist, wobei ein Drain und ein Gate mit dem Drain des NMOS-Transistors verbunden sind; und einen zweiten PMOS-Transistor, der eine mit dem Versorgungsspannungsanschluss verbundene Source, ein mit dem Gate des ersten PMOS-Transistors verbundenes Gate und ein mit dem zweiten Stromschalter verbundenes Drain aufweist.
Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem der erste Stromgenerator einen ersten NMOS-Transistor umfasst, der ein mit dem ersten Ausgangsanschluss verbundenes Gate, eine mit einem Masseanschluss verbunden Source und ein mit der ersten Stromliefereinheit verbundenes Drain aufweist, und bei dem der zweite Stromgenerator einen zweiten NMOS-Transistor umfasst, der ein mit dem zweiten Ausgangsanschluss verbundenes Gate, eine mit dem Masseanschluss verbundene Source und ein mit der zweiten Stromliefereinheit verbundenes Drain aufweist.
Bauelement nach Anspruch 9, bei dem die erste Stromliefereinheit umfasst: einen ersten PMOS-Transistor, der eine mit dem Versorgungsspannungsanschluss verbundene Source und ein Drain und ein Gate aufweist, die mit dem Drain des ersten NMOS-Transistors verbunden sind; und einen zweiten PMOS-Transistor, der eine mit dem Versorgungsspannungsanschluss verbundene Source, ein mit dem Gate des ersten PMOS-Transistors verbundenes Gate und ein mit dem ersten Stromschalter verbundenes Drain aufweist.
Bauelement nach Anspruch 10, bei dem die zweite Stromliefereinheit umfasst: einen dritten PMOS-Transistor, der eine mit dem Versorgungsspannungsanschluss verbundene Source aufweist, wobei ein Drain und ein Gate mit dem Drain des zweiten NMOS-Transistors verbunden sind; und einen vierten PMOS-Transistor, der eine mit dem Versorgungsspannungsanschluss verbundene Source, ein mit dem Gate des dritten PMOS-Transistors verbundenes Gate und ein mit dem zweiten Stromschalter verbundenes Drain aufweist.
Bauelement nach Anspruch 1, bei dem die Stromquelle einen PMOS-Transistor umfasst, der eine mit dem Versorgungsspannungsanschluss verbundene Source und ein mit dem ersten Stromschalter verbundenes Drain aufweist.
Bauelement nach Anspruch 1, bei dem der erste Stromschalter einen PMOS-Transistor umfasst, der eine an den von der Stromquelle gelieferten Strom angeschlossene Source und ein mit dem ersten Ausgangsanschluss verbundenes Drain aufweist.
Verfahren, umfassend: Erzeugen eines Stroms mit einer vorbestimmten Stärke unter Verwendung einer Stromquelle, die mit einem Versorgungsspannungsanschluss verbunden ist; Übertragen des von der Stromquelle gelieferten Stroms an einen ersten Ausgangsanschluss unter Verwendung eines ersten Stromschalters; Detektieren einer Ausgangsspannung vom ersten Ausgangsanschluss und Erzeugen unter Verwendung eines ersten Stromgenerators einer ersten Menge reduzierten Stroms aus der detektierten Spannung; und Liefern der vom ersten Stromgenerator erzeugten ersten Strommenge an den ersten Stromschalter unter Verwendung einer ersten Stromliefereinheit.
Verfahren nach Anspruch 14, bei dem der erste Stromgenerator einen NMOS-Transistor umfasst, der ein mit dem ersten Ausgangsanschluss verbundenes Gate, eine mit einem Masseanschluss verbundene Source und ein mit der ersten Stromliefereinheit verbundenes Drain aufweist.
Verfahren nach Anspruch 15, bei dem die erste Stromliefereinheit umfasst: einen ersten PMOS-Transistor, der eine mit dem Versorgungsspannungsanschluss verbundene Source aufweist, wobei ein Drain und ein Gate mit dem Drain des NMOS-Transistors verbunden sind; und einen zweiten PMOS-Transistor, der eine mit dem Versorgungsspannungsanschluss verbundene Source, ein mit dem Gate des ersten PMOS-Transistors verbundenes Gate und ein mit dem ersten Stromschalter verbundenes Drain aufweist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, umfassend: Übertragen eines von der Stromquelle gelieferten Stroms an einen zweiten Ausgangsanschluss unter Verwendung eines zweiten Stromschalters; Detektieren einer Ausgangsspannung vom zweiten Ausgangsanschluss und Erzeugen unter Verwendung eines zweiten Stromgenerators einer zweiten Menge reduzierten Stroms aus der detektierten Spannung; und Liefern der vom zweiten Stromgenerator erzeugten zweiten Strommenge an den zweiten Stromschalter unter Verwendung einer zweiten Stromliefereinheit.
Verfahren nach Anspruch 17, bei dem die Stromquelle einen ersten PMOS-Transistor umfasst, der eine mit dem Versorgungsspannungsanschluss verbundene Source und ein parallel an die ersten und zweiten Stromschalter angeschlossenes Drain aufweist, und bei dem der zweite Stromschalter einen zweiten PMOS-Transistor umfasst, der eine an den von der Stromquelle gelieferten Strom angeschlossene Source und ein mit dem zweiten Ausgangsanschluss verbundenes Drain aufweist. [, und]
Verfahren nach Anspruch 17 oder 18, bei dem der zweite Stromgenerator einen NMOS-Transistor umfasst, der ein mit dem zweiten Ausgangsanschluss verbundenes Gate, eine mit einem Masseanschluss verbundene Source und ein mit der zweiten Stromliefereinheit verbundenes Drain aufweist.
Verfahren nach Anspruch 19, bei dem die zweite Stromliefereinheit umfasst: einen ersten PMOS-Transistor, der eine mit dem Versorgungsspannungsanschluss verbundene Source aufweist, wobei ein Drain und ein Gate mit dem Drain des NMOS-Transistors verbunden sind; und einen zweiten PMOS-Transistor, der eine mit dem Versorgungsspannungsanschluss verbundene Source, ein mit dem Gate des ersten PMOS-Transistors verbundenes Gate und ein mit dem zweiten Stromschalter verbundenes Drain aufweist.