JPS6290025A - 電流切替回路 - Google Patents

電流切替回路

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JPS6290025A
JPS6290025A JP12760785A JP12760785A JPS6290025A JP S6290025 A JPS6290025 A JP S6290025A JP 12760785 A JP12760785 A JP 12760785A JP 12760785 A JP12760785 A JP 12760785A JP S6290025 A JPS6290025 A JP S6290025A
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JP
Japan
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current
transistor
output
collector
emitter
Prior art date
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JP12760785A
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English (en)
Inventor
Makoto Imamura
誠 今村
Hiroaki Tanaka
宏明 田中
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Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、「発明の目的」 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高精度のD/△変FA器等に使用される電流
切換回路に関するものである。
(従来の技術〕 高速のD/A変換器では、電流切換回路が良く用いられ
る。従来の電流切換回路の例を第2図〜第5図に示す。
第2図は対となる出力トランジスタQ5.Q6のエミッ
タに定電流源を接続して電流■0を流し、Q5 、Qe
のベースに第2図に示ずような相補型のデジタル信号I
N、INを加え、1−ランジスタの一方を遮断し、他方
を能動状態にし、能動状態にあるトランジスタに定電流
1oを流すものである。
今、出力トランジスタQ6が能動状態であるとする。こ
のときコレクタに流れる出力電流Lutは、正確に言う
と定電流I0からQeのベース電流lbi を差し引い
たものである。
ココでQeのエミッタ接地電流増幅率をhf4.とする
と次式の関係がある。
Iau<  =  hl+eb  ・  I  o  
/  (h+46  + 1  >本明細占で論する電
流切替回路では、この出力電流15社が、外乱で変動し
ては、困るのであって、routは一定であることが必
要である。
しかし、ト1+4は、トランジスタの温度及びv(Eの
値により変化する。今、hモ(6がh+46(1+Δ)
に変化したとする。定電流roは一定であるとして、I
、工の変化率を計算すると、 Δ/(h4^(1+Δ)+1)となる。温度1℃の変化
に対して、Δは約0.5%変化する。
h+46〜100とするとく高速・高周波用のトランジ
スタのh+、は一般にこの値以下である)出力電流の変
化率は、0.005%/℃となる。この値は非常に小さ
い値のように思われるが、13ピット、14ビツトの精
度を要求されるD 、、/ A変換器では、その精度を
百分率に1!!!!算した場合、0.012%、  0
.006%どなり、出力電流1m routが必要な精
度に入るための温度範囲が著しく制限されることになる
〔発明が解決しようとする問題点〕
これらの欠点を除くため、次の手段が考えられる。
■ Q5 、QeをFET化するく第3図)。
■ トランジスタQ6をダイオードとする(第4図)。
■ 補償された定電流源を利用したスイッチを用いる(
第5図)。
しかしながら、■(第3図)はトランジスタを用いた場
合に比べて入力振幅を大きくとる必要があること、及び
高速動作に]8したFETがない(GaAsFETでは
ゲート電流が大き過ぎる)という問題点がある。
■(第4図)は、エミッタの電位がスイッチのオン・オ
フにより変化するため、高速動作には不向きであり、更
に出力側のダイオードのアノードの電位を一定に保たな
くてはならない。
■(第4図)も■(第5図)も同様、エミッタの電位が
スイッチのオン・オフで変化するため高速動作には向い
ておらず、また、補償用のトランジスタのコレクタ電位
が固定されているために、出力トランジスタの■εの変
化にrvうh4.の変化を補償できないと言う問題点が
ある。
本発明の目的は、出力トランジスタのベース電流を補償
し、また出力トランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧
の変化に応することで、高精度、かつ高い直線性をもつ
出力電流値を供給できる電流切換回路を提供することで
ある。
口、「発明の(開成」 C問題点を解決するための手段〕 本発明は、上記問題点を解決するために、 エミッタに
定電流源が接続され、ベースに駆動信号が加えられ、コ
レクタから出力電流が取出される出力トランジスタと、
 この出力トランジスタのコレクタ側にゲートが接続さ
れ、コレクタ電圧を°検出するFETと、 この出力ト
ランジスタのエミッタ側にベースが接続され、出力トラ
ンジスタと熱的結合を有した補償用トランジスタと、 
出力トランジスタと補償用1−ランジスタのコレクター
エミッタ間電圧を同一にする手段と、 出力i〜ランジ
スタのベース電流と、補償用トランジスタのベース電流
とが等しくなるように調整する下段と、を講じたもので
ある。
〔実施例〕
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の一実施例を示した図である。
同図において、Qo、Q+は対となるスイッチングの出
力トランジスタ、Q2は補償用トランジスタ、03はF
ETである。IOは定電流源であり、定電流■0を流す
。r、も定電流源であるが、その電流値1+を可変調整
することができる。R1は:J4′m抵抗、Sはスイッ
チ手段、Eは定電圧源、Lはこの電流切替回路に接続さ
れる負荷である。
出力トランジスタQOと01は、共にエミッタが定電流
源1oに接続され、ベースにはそれぞれ第1図に示すよ
うな相補型のデジタル信号が加えられる。トランジスタ
Qoのコレクタは回路アースに接続され、トランジスタ
Q1のコレクタは、次段の負荷りに接続される。スイッ
チングされた出力電流r。、tは負荷りに流れる。
トランジスタQo、Q+のエミッタには補償用1−ラン
ジスタQ2のベースが接続され、この補償用のトランジ
スタQ2のエミッタは可変定電流源1+に接1シtされ
る。補n用トランジスタQ2は、出力トランジスタQ1
と熱的に結合されている。
また、トランジスタQ1のコレクタ側には、FET  
Qコのゲートが1妄抗され、このFETQ3のドレイン
はN源Vcc に接続されている。更にFET  Q3
のソースは調整抵抗R+を介して、トランジスタQ2の
コレクタに接続されている。
また、補直用トランジスタQ2のコレクタには、スイッ
チSと定電圧源Eの直列回路が接続される。
なお、調整抵抗R1は、第1図では、可変抵抗器として
図示したが、第1図の回路をLSI’Sで構成したとす
れば、例えば、薄膜抵抗をトリミング等により抵抗器を
調整することで可変抵抗器と闘換えることができる。
第1図において、点線で囲った構成部分が本発明で新た
に付加したものである。以下、従来の回路と比べて、第
1図の回路が高速性を損わずに、出力トランジスタQI
の温度変化、コレクタ・ヱミッタ間電圧の変化等に対し
て高精度の電流切換をできる点を説明する。
まず、本発明の大まかな、動作を説明する。
トランジスタQo、Q+は電流!;v換回換金路成して
おり、定電流IOをこのQo、Q+で切t1えている。
そして、本発明では、トランジスタQ1と02を熱的に
結合させるとともに、トランジスタQIのベース電流i
b+を第1図で点線で囲った補正回路で吸収すること、
及び出力トランジスタと補償用トランジスタのvcT:
を等しくするように調整することで、h+、の変動分を
少なくし、その結果、Iovb=1oが維持されるよう
にしている。
ここで、FET  Q3を使用することにより、Iov
hに比べて、FET  Q3のゲート電流を無視できる
ようにした。
以下、詳細に動作を説明する。
点線で囲った補償回路は、出力トランジスタQノのベー
ス電流ib1を補償している。モこて、トランジスタQ
Oがオフであって、トランジスタQ1がオンの場合につ
いて述べる。この場合、出力電流1oveは、トランジ
スタQ+のエミッタ電流■Eからベース電流ib+ を
引いたものである。従って、(1)式が成立つ。
1ovt = r E  i、、          
   (1)fε :トランジスタQ1のエミッタ電流
トランジスタQ1の直流電流増幅率をh+41とづると
、IE = (1+h6a+) ”blであるから(2
)式が19られる。
r  −+五東−・r E            (
2)ouτ    1+ に千41 ここでエミッタ電流fEは、定電流1oと補償用トラン
ジスタQ2のベースに流れ込む電流U>ユの和であるh
日ら、(3)式が得られる。
1 i: = I o + 26.         
    <3>トランジスタQ2の直流電流増幅率をh
4<2とする・と、(4)式が1りられる。
1’             (4)fb2=″け)
L山 (2)、(3)、(4)式から次式が15られる。
ここで、■。、え=Ioとする調整く即も、出力トラン
ジスタQ、と補員用トランジスタQ2のベース電流向と
を一致させる調整)と、トランジスタQ1とQ2のVc
Hを同一にザるVIJ uとを次のようにして行なう。
まず、スイッチSを閉じ、補償用I〜ランジスタQ2の
コレクタへ定電圧口を加える。そして、出力トランジス
タQ1のVcsと補償用1〜ランジスクQ2のvcEと
が等しくなるように、定電圧源Eの電圧レベルを調整す
る。
次に、Tout=roとなるように可変定電流源11を
可変調整する。low;=Ioとなった時における電流
値I+は、(5)式で表わされる。
次に、スイッチSをオフの状態とし、調整抵抗R1を調
整してトランジスタQ+とQ2のVcaが等しくなるよ
うにする。
以上の調整を行なうことにより、温度、Vcεの変化に
かかわらず九1 と九2は等しい値を保ち、1oり丈−
1oの関係が維持される。
温度変化、VCHの変化によってトランジスタQ1.Q
2のh(<1 、 t144AzがそれぞれF1+e+
 (1+ΔI)、h+4z(1+Δ2)に変化した時の
出力電流を Iov<−とすると(6)式が17られる
このどき、調整時の出力電流f。は−10からの変化率
は、(Ioいえ−/Iovカ)−1で与えられる。これ
を計算すると、(7)式となる。
るので、(7)式は、(8)式となる。
本発明では、Δ1とΔ2の差を小さくするために出力ト
ランジスタQ、と補償用1−ランジスタQ2の温度及び
VC+:を同一に保っているh日ろ、Δ1−Δ2は非常
に小さなj直となる。
第6図は、本発明の別の構成例を示した図である。第6
図が第1図と異なる点は、第1図の可変定電流源スタI
+を抵抗R2に置換えた点である。その他の構成は、第
1図と同様なため、その構成・接続の説明は省略する。
第6図において、トランジスタQ2のエミッタに流れる
電流は、エミッタ・VEE間の降下電圧と抵抗R2で定
まる。エミッタの電位は、ベース電位カらV叩(約0.
7v )引いた値である。ベースの電位はトランジスタ
Qo、Q+のエミッタの電位であり、これ(まQl、Q
’2のベースに相補型の入力を加えているので一定であ
る。トランジスタQ2のエミッタ電流I Elとibz
とは、(9)式の関係がある。
r Elの変化に対して1.2の変化は小さい。従つ゛
て、第1図の回路程、精度、温度の範囲を要求されない
場合は、第6図の回路が利用できる。
第7図は本発明の別の構成例であり、第6図における抵
抗R2にJζるV、ヨのI整を省略するための実施例で
ある。第7図で示した構成は、第1図の点線で囲った部
分のみである。即ち、点P1は第1図の出力トランジス
タQ、のコレクタへ接続され、点P2は第1図の出力ト
ランジスタQ1のエミッタに接続される。
第7図では、FETQ3のソース側の回路に、このFE
T  Q3とベアになるI”ET  Q、5が抵抗R3
を介して接続されている。また、トランジスタQ1.が
FETQ3のドレイン−ソース間に接続され、この1−
ランジスクQ1.のエミッタ回路にトランジスタQ2が
接続される。1−ランジスタQ16のベースは「ETQ
IIi−のドレインに接続され、F E T Qlir
のソース・ゲート間に抵抗R4が接続される。このよう
な回路では、VCEQI = Vc3.1となることが
知られている。即ち、第6図で説明したような抵抗R2
によるVc5の調整が不要となる。
なJ3、第7図の動作は、ありふれたFETバッフ1回
路であるため、その説明を省略する。
なJ3、第1図、第6図では、トランジスタQ。
のコレクタを回蕗アースに接続する例で説明したが、こ
のコレクタ回路に負荷を接続して、トランジスタQoか
らも、出力電流を取出すようにしても良い。
また、出力トランジスタQ+ と補償用1〜ランジスク
Q2との熱的結合度を高めるため、Ql 、 Q2を同
一のウェハ上に近接して設けることが有効である。
ハ、1本発明の効果」 以上述べたように、本発明によれば、次の効果が10ら
れる。
温度変化と出力電流端子の電圧変化について、電流切替
えのトランジスタQ1のベース電流を補償しているので
、高精度を広い温度範囲にわたって維持することができ
る。
例えば、h+、!七100、 △1.Δ2七0.5%/
 ℃、ma X I Δ、−Δ2 1 =  0.1%
/’Cト見&’1 ツタ場合、出力電流の変化は、本発
明による補匿が無い場合は、0.005%/℃であるが
、本発明によれば、これが0.001%/℃以内に改善
される。
更に、出力トランジスタQ1のコレクターエミッタ間電
圧についても補償を行なっているので、本発明に係る回
路を用いて、D/A変換器を構成した場合は、優れた直
線性が得られる。
また、電流切替回路のエミッタ電位がスイッチのオン・
オフにかかわらず一定となる回路構成であるため、高速
な動作が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る電流切替回路の一+ll!li例
を示した図、第2図〜第5図は従来の電流切換回路の例
を示す図、第6図と第7図は本発明の別の満成例を示し
た図である。 Qo 、Q+・・・出力1−ランジスタ、Q2・・・補
(α用トランジスタ、Q10 ・・・トランジスタ、Q
3.Q1=;・・・FET、ro・・・定電流源、11
・・・可変定電流源、R+ 、R2・・・調整抵抗、R
3・・・抵抗、S・・・スイッチ、「・・・定電圧源。 第1図 第2図   第3図 第4図    第5図 第6図 第7図 手 続 補 正 書く方式) %式% 2、発明の名称    電流切替回路 3、補正する者 事件との関係  特許出願人 住 所     東京都武蔵野市中町2丁目9番32号
名 称     横河電機株式会社 4、代理人 住 所     東京都武蔵野市中町2丁目9番32@
横河電機株式会社内 置(入代>  <0422>  (54) 11117
、補正の内容 明tI書の第1頁第3行目に「電流切換回路」とあるの
を「電流切替回路」と補正する。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)エミッタに定電流源が接続され、ベースに駆動信
    号が加えられ、コレクタから出力電流が取出される出力
    トランジスタと、 この出力トランジスタのコレクタ側にゲートが接続され
    、コレクタ電圧を検出するFETと、この出力トランジ
    スタのエミッタ側にベースが接続され、出力トランジス
    タと熱的結合を有した補償用トランジスタと、 出力トランジスタと補償用トランジスタのコレクターエ
    ミッタ間電圧を同一にする手段と、出力トランジスタの
    ベース電流と、補償用トランジスタのベース電流とが等
    しくなるように調整する手段と、を備えたことを特徴と
    する電流切換回路。
  2. (2)前記出力トランジスタと補償用トランジスタのコ
    レクターエミッタ間電圧を同一にする手段と前記FET
    のソースと補償用トランジスタのコレクタ間に設けた調
    整抵抗と、補償用トランジスタのコレクタへ定電圧を加
    える手段とを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の電流切替回路。
  3. (3)前記出力トランジスタのベース電流と、補償用ト
    ランジスタのベース電流とが等しくなるように調整する
    手段として、 補償用トランジスタのエミッタに接続された可変定電流
    源を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の電流切替回路。
  4. (4)エミッタが前記出力トランジスタのエミッタと接
    続され、ベースには、出力トランジスタのベースに加え
    られる信号と相補の関係を有する信号が加えられるトラ
    ンジスタを備えたことを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の電流切替回路。
JP12760785A 1985-06-12 1985-06-12 電流切替回路 Pending JPS6290025A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009159605A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Dongbu Hitek Co Ltd デジタル−アナログ変換器における電流セル回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009159605A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Dongbu Hitek Co Ltd デジタル−アナログ変換器における電流セル回路

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