DE102006050376A1 - Leuchtdiodeneinheit - Google Patents

Leuchtdiodeneinheit Download PDF

Info

Publication number
DE102006050376A1
DE102006050376A1 DE102006050376A DE102006050376A DE102006050376A1 DE 102006050376 A1 DE102006050376 A1 DE 102006050376A1 DE 102006050376 A DE102006050376 A DE 102006050376A DE 102006050376 A DE102006050376 A DE 102006050376A DE 102006050376 A1 DE102006050376 A1 DE 102006050376A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
emitting diode
light
base
unit according
diode unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102006050376A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102006050376B4 (de
Inventor
Mitsunori Fujiyoshida Ishizaka
Koichi Fujiyoshida Fukasawa
Sadato Fujiyoshida Imai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Electronics Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Electronics Co Ltd filed Critical Citizen Electronics Co Ltd
Publication of DE102006050376A1 publication Critical patent/DE102006050376A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102006050376B4 publication Critical patent/DE102006050376B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Eine Leuchtdiodeneinheit beinhaltet eine aus eloxiertem Aluminium bestehende Basis (100) und eine an der Basis (100) befestigte Leiterplatte (101), wobei die Leiterplatte (101) ein vorbestimmtes leitendes Muster (102) und eine Öffnung (101a) beinhaltet, die ein Gebiet aufweist, um mindestens einen LED-Chip (113) mittels einer transparenten Paste mit der Basis (100) durch Die-Bonden zu verbinden, wobei eine obere Elektrode des mindestens einen LED-Chips durch Draht-Bonden mittels eines Golddrahtes (110) mit einem auf der Leiterplatte (101) vorgesehenen leitenden Muster (102) verbunden ist, und ein Linsenelement (105), das mindestens zwei Vergussharz-Einspritzlöcher (106c) beinhaltet und an der Leiterplatte (101) befestigt ist, um einen Freiraum zu bilden, der den mindestens einen LED-Chip an der Basis umgibt, wobei der Freiraum über die Harzeinspritzlöcher (106c) mit dem Vergussharz angefüllt wird, um den mindestens einen LED-Chip dicht einzuschließen.

Description

  • VERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNG
  • Diese Anmeldung basiert auf der japanischen Patentanmeldung Nr. 2005-320214, eingereicht am 2. November 2005, und beansprucht deren Priorität, wobei deren Inhalt in das vorliegende Dokument durch Bezugnahme vollinhaltlich aufgenommen wird.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft eine Leuchtdiodeneinheit (LED-Einheit), insbesondere eine LED-Einheit, die so konfiguriert ist, dass sie einen hohen Leuchtwirkungsgrad, gute Wärmeabführeigenschaften, hohe Haltbarkeit und eine einfache und leicht montierbare Struktur hat.
  • Beschreibung der verwandten Technik
  • In den letzten Jahren gab es einen merklichen Trend zu einer Entwicklung von LEDs großer Abgabeleistung zur Verwendung in verschiedenen Geräten wie beispielsweise OA-Geräten, Anzeigelampen für Fahrzeuginstrumente, Anzeigelampen für Verkehrssignale, Vorderlichter und dergleichen. Jedoch wird bei Vergrößerung der von einer LED-Einheit ausgesendeten Lichtmenge auch mehr Wärme im LED-Chip erzeugt, was zu einer Verminderung des Leuchtwirkungsgrades der LED-Einheit führt. Außerdem hat eine LED-Einheit, die einen Kunstharzreflektor zur Verbesserung des Reflexionswirkungsgrades von von einem LED-Chip ausgesendeten Licht beinhaltet, einen niedrigen Reflexionswirkungsgrad, da der Reflektor bedingt durch den beträchtlichen Temperaturanstieg in der LED-Einheit beeinträchtigt wird. Außerdem tritt, wenn ein LED-Chip auf einer Metallbasis montiert ist, das Problem auf, dass der LED-Chip von der Basis getrennt werden kann. Daher wurden Vorschläge für eine LED-Einheit gemacht, die Verbesserungen bei der Wärmeabführeigenschaft liefern und eine wärmebedingte Beeinträchtigung des Reflektors und eine wärmebedingte Trennung des LED-Chips von der Basis verhindern (siehe beispielsweise japanische Patent-Offenlegungsschrift Nr. 2005-136137, Seite 4, 1).
  • 5 und 6 stellen eine LED-Einheit dar, die in der japanischen Patent-Offenlegungsschrift Nr. 2005-136137 offenbart ist.
  • Die LED-Einheit beinhaltet eine Basis 1, ein Gehäuse 2, das an der Basis 1 befestigt ist, einen LED-Chip 3, der auf der Basis 1 getragen wird, und einen Linsenabschnitt 4, der oberhalb des LED-Chips 3 angeordnet ist und am Gehäuse 2 befestigt ist, wie in 5 und 6 dargestellt.
  • Das Gehäuse beinhaltet ein mittiges Loch 2a, in das die Basis 1 eingesetzt ist, und einen konkaven Abschnitt 2b, der eine sich zum mittigen Loch 2a hin fortsetzende geneigte Fläche beinhaltet und eine rechteckige Außenform aufweist. Eine Oberflächenbehandlung wie beispielsweise eine Silberplattierung, die vom LED-Chip 3 ausgesendetes Licht reflektiert, ist auf eine Oberfläche des konkaven Abschnittes 2b aufgebracht. Eine erste Elektrode 5 und eine zweite Elektrode 6, von denen jede durch einen leitenden Film ausgebildet ist, sind auf einer Oberseite der Basis 1 angeordnet. Die ersten und zweiten Elektroden 5 und 6 sind auf die Basis 1 mittels eines isolierenden Klebematerials aufgeklebt. Ein Endabschnitt 7a eines ersten Anschlussdrahtes 7 ist mit der ersten Elektrode 5 verbunden, und ein Endabschnitt 8a eines zweiten Anschlussdrahtes 8 ist mit der zweiten Elektrode 6 verbunden (siehe 6).
  • Die ersten und zweiten Anschlussdrähte 7 und 8 sind mit dem Gehäuse 2 durch ein isolierendes Klebematerial wie beispielsweise ein einen niedrigen Schmelzpunkt aufweisenden Glas verklebt.
  • Der LED-Chip 3 ist auf der ersten Elektrode 5 montiert und mit der ersten Elektrode 5 durch ein leitendes Klebematerial wie beispielsweise eine Silberpaste verklebt, wodurch ermöglicht wird, dass eine auf der Unterseite befindliche Elektrode des LED-Chip 3 über die erste Elektrode 5 mit dem ersten Anschlussdraht 7 elektrisch verbunden ist. Andererseits ist eine an der Oberseite befindliche Elektrode des LED-Chip 3 über einen Bond-Draht 9 mit der zweiten Elektrode 6 elektrisch verbunden.
  • Wie zuvor beschrieben, ist in der LED-Einheit, wie dargestellt in den 5 und 6, der LED-Chip 3 auf der ersten Elektrode 5 angeordnet, und vom LED-Chip 3 ausgesendetes Licht wird auf der geneigten Oberfläche des konkaven Abschnittes 2b reflektiert.
    •
  • Jedoch tritt in der zuvor erwähnten LED-Einheit, da der LED-Chip 3 auf der ersten Elektrode 5 angeordnet ist, das Problem auf, dass es schwierig ist, die Wärme des LED-Chip 3 über die Basis 1 nach außen abzuführen, und dass die Oberfläche des konkaven Abschnittes 2b, auf den die Silberplattierbehandlung angewandt wird, ein relativ großes Ausmaß von direkter Wärme vom LED-Chip empfängt und oxidiert oder sulfuriert werden kann, was zu einer Verminderung des Reflexionswirkungsgrades der Oberfläche führt.
  • INHALT DER ERFINDUNG
  • Ein Ziel der Erfindung besteht darin, eine Leuchtdiodeneinheit (LED-Einheit) bereitzustellen, die in der Lage ist, Wärme von einem LED-Chip rasch nach außen abzuführen, die sich leicht montieren lässt und einen hohen Leuchtwirkungsgrad und eine stabile Langzeitleistung erzielt.
  • Um das obige Ziel zu erreichen, beinhaltet eine Leuchtdiodeneinheit gemäß einer Ausführungsform der Erfindung eine Basis, die aus einem Material hoher Wärmeleitfähigkeit hergestellt ist, und eine auf der Basis angeordnete Leiterplatte.
  • Die Leiterplatte beinhaltet ein vorbestimmtes leitendes Muster und eine durch die Leiterplatte hindurch verlaufende Öffnung. Mindestens ein LED-Chip ist auf der Basis in der Öffnung der Leiterplatte angeordnet und mit dem leitenden Muster elektrisch verbunden. Ein Linsenelement ist auf der Leiterplatte so angeordnet, dass es den LED-Chip abdeckt. Das Linsenelement beinhaltet mindestens zwei Vergussharz-Einspritzlöcher, um ein Vergussharz in einen Freiraum einzuspritzen, der zwischen dem auf der Basis angeordneten LED-Chip und dem Linsenelement vorgesehen ist.
  • Bei der zuvor erwähnten Struktur ist das Vergussharz in den Freiraum zwischen dem Linsenelement und dem LED-Chip durch das Einspritzloch eingespritzt, um den LED-Chip dicht einzuschließen.
    •
  • Bei der Ausführungsform besteht die Basis aus einem Material hoher Wärmeleitfähigkeit, beispielsweise einer eloxierten Aluminiumplatte.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Draufsicht, die eine erste Ausführungsform einer LED-Einheit gemäß der Erfindung darstellt.
  • 2 ist eine Seitenansicht von 1.
  • 3 ist ein Querschnitt entlang Linie A-A von 1.
  • 4 ist ein Querschnitt, der eine zweite Ausführungsform einer LED-Einheit gemäß der Erfindung darstellt.
  • 5 ist ein Querschnitt, der eine herkömmliche LED-Einheit darstellt.
  • 6 ist eine Draufsicht von 5.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung werden nachfolgend detailliert mit Bezug auf die anliegenden Zeichnungen erläutert.
  • 1 bis 3 stellen eine erste Ausführungsform einer LED-Einheit gemäß der Erfindung dar.
  • Die LED-Einheit der ersten Ausführungsform beinhaltet eine Basis 100, die beispielsweise eine im Wesentlichen rechteckige äußere Form hat (siehe 1 und 2). Die Basis 100 besteht aus einem Material großer Wärmeleitfähigkeit, beispielsweise einer eloxierten Aluminiumplatte.
  • Eine Leiterplatte 101, die im Wesentlichen die gleiche Form wie die Basis 100 hat, ist auf einer Oberseite der Basis 100 angeordnet. Die Leiterplatte 101 beinhaltet ein vorbestimmtes leitendes Muster 102, das auf einer Oberseite von dieser ausgebildet ist (siehe 1 und 3). Das leitende Muster 102 beinhaltet eine Mehrzahl von Mustergebieten 103, die beispielsweise auf vier Seiten der rechteckigen Leiterplatte 101 angeordnet sind. Eine Mehrzahl von Durchgangslöcher-Elektroden 104, die einen Kontakt mit ihren jeweiligen Musterzonen 103 herstellen, sind an Außenkanten der Leiterplatte 101 vorgesehen (siehe 1).
  • Eine Öffnung 101a, die durch die Leiterplatte 101 hindurch verläuft, ist an einem im Wesentlichen mittigen Abschnitt der Leiterplatte 101 vorgesehen (siehe 3).
  • Mindestens ein LED-(Leuchtdioden)-Chip 113 ist auf der Basis 100 vorgesehen (siehe 3). Bei der dargestellten Ausführungsform sind zwei LED-Chips 113 an der Basis 100 befestigt, wie in 3 dargestellt.
  • Wie in 3 dargestellt, ist jeder der LED-Chips 113 an der Basis 100 in der Öffnung 101a der Leiterplatte 101 montiert und mit der Basis 100 beispielsweise mittels einer durchsichtigen Paste, und zwar in einem Fall einer Silizium-Die-Bond-Paste, durch Die-Bonden verbunden. Nachdem die LED-Chips 113 mit der Basis 100 durch Die-Bonden verbunden sind, werden die oberen Elektroden eines jeden der LED-Chips 113 mit dem auf der Leiterplatte 101 vorgesehenen leitenden Muster 102 mittels Bond-Drähten, beispielsweise Golddrähten 110, elektrisch verbunden.
  • Ein Linsenelement 105 ist so angeordnet, dass es die LED-Chips 113 abdeckt, und ist an der Oberseite der Leiterplatte 101 befestigt. Das Linsenelement 105 beinhaltet ein Gehäuse 106 mit einem konkaven Abschnitt 106a, der konfiguriert ist, um den LED-Chip 113 abzudecken, und einen Linsenabschnitt 107, der auf einer Oberseite des Gehäuses 106 gegenüberliegend dem konkaven Abschnitt 106a vorgesehen ist. In der dargestellten Ausführungsform sind das Gehäuse 106 und der Linsenabschnitt 107 integral ausgebildet. Der Linsenabschnitt 107 weist eine vorbestimmte Krümmung auf. Das Gehäuse 106 ist an der Leiterplatte 101 derart befestigt, dass eine Innenfläche des konkaven Abschnittes 106a so angeordnet ist, dass sie einer Abstrahlfläche eines jeden der LED-Chip 113 zugewandt ist (siehe 3).
  • In diesem Fall ist es zu bevorzugen, dass einige Teile eines Umfangkantenabschnittes des Gehäuses 106 auf Abschnitten der Leiterplatte 101 angeordnet sind, bei denen das leitende Muster 102 nicht vorgesehen ist, beispielsweise Eckabschnitten 100b (siehe 1) von vier Ecken der Leiterplatte 101. Dabei ist vorzugsweise ein Resist-Film, der im Wesentlichen die gleiche Dicke wie das leitende Muster 102 aufweist, auf jedem der Eckabschnitte der Leiterplatte 101 vorgesehen, die mit dem Linsenelement 105 in Kontakt kommen. Die Tatsache, dass der Resist-Film, der im Wesentlichen die gleiche Dicke wie das Leitermuster 102 aufweist, auf der Leiterplatte 101 vorgesehen ist, bedeutet, dass die Oberfläche des Resist-Films und die Oberfläche des leitenden Musters 102 auf glei cher Höhe liegen, und dies erlaubt eine stabile Befestigung des Linsenelementes 105 an der Leiterplatte 101.
  • Außerdem ist es zu bevorzugen, ein UV-härtendes Klebematerial oder dergleichen zu verwenden, um das Linsenelement 105 mit der Leiterplatte 101 zu verkleben.
  • Wenn das Linsenelement 105 an der Leiterplatte 101 befestigt ist, ist ein Freiraum 108 zwischen dem Gehäuse 106 und der Basis 100 ausgebildet (siehe 3).
  • Das Linsenelement 105 besteht vorzugsweise aus einem Silikonharz und weist mindestens zwei, in diesem Beispiel vier Harzeinspritzlöcher 106c auf, die in einem Außenumfangsabschnitt des Gehäuses 106 vorgesehen sind (siehe 1 und 3).
  • Ein geeignetes Harz wird durch die Harzeinspritzlöcher 106c in den Freiraum 108 eingespritzt, um ein Vergussharz 109 auszubilden und die LED-Chips 113 dicht einzuschließen.
  • Es ist zu bevorzugen, ein weiches Silikonkautschukharz oder ein Gel-Silikonharz für das Vergussharz 109 zu verwenden, welches die an der Basis 100 montierten LED-Chips 113 dicht einschließt. Wenn das Silikonharz ein fluoreszierendes Material oder ein streuendes Material enthält, bietet es einen besseren Schutz gegen eine in einem ultravioletten Bereich verursachte Beeinträchtigung.
  • Außerdem wird eine oxidationsbedingte Oberflächenkorrosion der Basis 100 durch Eloxieren der Aluminiumplatte verhindert, und ein hohes Reflexionsvermögen kann dadurch erzielt werden, dass ein weiterer Mehrschicht-Beschichtungsfilm auf der Oberseite der eloxierten Aluminiumfläche ausgebildet wird. Außerdem kann die Basis 100 gemäß der Erfindung aus einer aluminiumbeschichteten Kupferplatte anstelle der Aluminiumplatte hergestellt werden, die einem Eloxieren unterzogen wurde. Außerdem ist es besser, die aluminiumbeschichtete Kupferplatte zu eloxieren. Werter kann eine Titanoxid enthaltende weiße Paste anstelle der durchsichtigen Paste verwendet werden, um die LED-Chips 113 mit der Basis 100 zu verkleben.
  • Als Nächstes wird die Funktionsweise der LED-Einheit mit der zuvor erwähnten Struktur erläutert.
  • Bei der ersten Ausführungsform durchläuft von den LED-Chips 113 ausgesendetes Licht das Vergussharz 109 zum Linsenelement 105 hin und wird durch den Linsenabschnitt 107 des Linsenelementes 105 gesammelt, um zum Äußeren der LED-Einheit abgestrahlt zu werden.
  • Dabei weist die Basis, da die Basis 100, die für ein Montieren der LED-Chips 113 auf ihr konfiguriert ist, aus der eloxierten Aluminiumplatte oder der aluminiumbeschichteten Kupferplatte besteht, eine gute Korrosionsbeständigkeit auf. Außerdem kann, da von den LED-Chips 113 freigesetzte Wärme direkt zur Basis 100 übertragen wird, durch die Basis 100 eine rasche Wärmeabführung erzielt werden.
  • Da außerdem die LED-Chips 113 und das Vergussharz 109 in ihrer Gesamtheit durch das Linsenelement 105 abgedeckt sind, ist es möglich, für das Vergussharz 109 ein weiches, gummiartiges Silikonharz zu verwenden. Das Verwenden eines weichen Vergussharzes in dieser Weise bedeutet, dass innere Spannungen des Vergussharzes gelöst werden können und eine Hochtemperaturzykluseigenschaft erzielt werden kann.
  • Außerdem tritt, da das über eine hohe Feuchtigkeitsdurchlässigkeit verfügende Silikonharz für das Vergussharz 109 und das Linsenelement 105 verwendet wird und fast die gesamte im Harz befindliche Feuchtigkeit während der Vorheiz-Rückflussverdampfung entfernt wird, bei einer Temperaturspitze nur schwer eine Dampfexplosion auf, und die Feuchtigkeitsabsorptions-Rückflusswiderstandsfähigkeit wird verbessert.
  • Da außerdem das Vergussharz 109 durch die Harzeinspritzlöcher 106c eingespritzt wird, ist es möglich, die Menge an eingespritztem Harz auf einem festen Pegel zu halten, und die Erzeugung des Vergussharzes kann leicht bewerkstelligt werden. Insbesondere sind, wenn das eingespritzte Harz weiß ist, Variationen im fluoreszierenden Material oder dem streuenden Material geringer.
  • 4 stellt eine zweite Ausführungsform der LED-Einheit gemäß der Erfindung dar.
  • Die LED-Einheit der zweiten Ausführungsform unterscheidet sich von derjenigen der ersten Ausführungsform darin, dass ein konkaver Abschnitt 200, der eine Bodenfläche 201 und eine geneigte Fläche 202 beinhaltet, die sich vom Umfang der Bodenfläche nach oben erstreckt, in einem Befestigungsabschnitt der Basis 100 vorgesehen ist, um die LED-Chips 113 in diesem zu montieren.
  • Die geneigte Fläche 202 ist so konfiguriert, dass sie von den LED-Chips 113 ausgesendetes Licht reflektiert und das reflektierte Licht zum Linsenelement 105 leitet.
  • Bei dieser zweiten Ausführungsform ist die Oberseite der den konkaven Abschnitt 200 beinhaltenden Basis 100 eloxiert, und ein Mehrschicht-Beschichtungsfilm zur Vergrößerung des Reflexionsvermögens ist vorzugsweise auf die Oberseite der eloxierten Aluminiumfläche aufgebracht. Wenn der Mehrschicht-Beschichtungsfilm auf diese Weise vorgesehen ist, erzielt der konkave Abschnitt 200 ein hohes Reflexionsvermögen, das für einen längeren Zeitraum beibehalten werden kann.
  • Außerdem wird bei der zweiten Ausführungsform die Titanoxid enthaltende weiße Paste verwendet, um die LED-Chips 113 mit der Basis 100 in gleicher Weise wie bei der ersten Ausführungsform zu verkleben, und dies verbessert die Wärmeleitfähigkeit und das Wärmeabführvermögen.
  • Da die Basis 100, auf der die LED-Chips 113 montiert sind, aus einer eloxierten Aluminiumplatte oder einer aluminiumbeschichteten Kupferplatte besteht, hat die Basis 100 gute Korrosionsbeständigkeit.
  • Außerdem wird bei der zweiten Ausführungsform eine Titanoxid enthaltende weiße Paste verwendet, um die LED-Chips 113 durch Bonden mit der Basis 100 zu verbinden, was zu verbesserter Wärmeleitfähigkeit und Wärmeabführung führt, und es wird eine Verminderung der Schwankung des Lichtreflexionsvermögens der Reflexionsschale erzielt.
  • Wie zuvor erwähnt, hat bei der LED-Einheit sowohl der ersten als auch der zweiten Ausführungsform, da die Basis zum Montieren der LED-Chips aus einer Aluminiumplatte mit eloxierter Aluminiumoberfläche oder einer aluminiumbeschichteten Kupferplatte besteht, die LED-Einheit eine gute Korrosionsbeständigkeit. Außerdem wird, da die LED-Chips an der Basis befestigt sind, die Wärme der LED-Chips direkt zur Basis übertragen, so dass eine rasche Wärmeabfuhr zu erwarten ist.
  • Da der konkave Abschnitt, der die geneigte Reflexionsfläche beinhaltet, in der Basis ausgebildet ist, in der die LED-Chips montiert werden, kann von den LED-Chips ausgesendetes Licht in effektiver Weise auf dem konkaven Abschnitt reflektiert werden. Außerdem kann, da der Mehrschicht-Beschichtungsfilm auf der eloxierten Aluminiumoberfläche der Basis ausgebildet ist, das Reflexionsvermögen des konkaven Abschnittes weiter verbessert werden.
  • Zwar wurden hier bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung beschrieben, jedoch ist die Erfindung nicht auf diese Ausführungsformen eingeschränkt, und es sei angemerkt, dass verschiedene Modifikationen und Änderungen an den Ausführungsformen vorgenommen werden können.

Claims (15)

  1. Leuchtdiodeneinheit, aufweisend: eine Basis, die aus einem Material hoher Wärmeleitfähigkeit besteht; eine Leiterplatte, die ein vorbestimmtes leitendes Muster und eine Öffnung beinhaltet und auf der Basis angeordnet ist; mindestens einen Leuchtdioden-Chip, der auf der Basis in der Öffnung der Leiterplatte angeordnet ist und mit dem leitenden Muster elektrisch verbunden ist; und ein Linsenelement, das mindestens zwei Vergussharz-Einspritzlöcher beinhaltet und so konfiguriert ist, dass es den Leuchtdioden-Chip abdeckt, und das an der Leiterplatte so befestigt ist, dass es einen Freiraum zwischen dem Leuchtdioden-Chip und dem Linsenelement bildet.
  2. Leuchtdiodeneinheit nach Anspruch 1, die weiter ein Vergussharz aufweist, das den Freiraum zwischen dem Leuchtdioden-Chip und dem Linsenelement anfüllt.
  3. Leuchtdiodeneinheit nach Anspruch 1, bei der das Linsenelement ein an der Leiterplatte befestigtes Gehäuse und einen am Gehäuse vorgesehenen Linsenabschnitt aufweist, wobei das Linsenelement so konfiguriert ist, dass es vom Leuchtdioden-Chip ausgesendetes Licht sammelt.
  4. Leuchtdiodeneinheit nach Anspruch 3, bei der das Gehäuse und der Linsenabschnitt des Linsenelementes integral ausgebildet sind.
  5. Leuchtdiodeneinheit nach Anspruch 1, bei der die Basis aus eloxiertem Aluminium besteht.
  6. Leuchtdiodeneinheit nach Anspruch 1, bei der die Basis aus einer aluminiumbeschichteten Kupferplatte besteht.
  7. Leuchtdiodeneinheit nach Anspruch 1, bei der der Leuchtdioden-Chip mittels einer transparenten Paste mit der Basis durch Die-Bonden verbunden ist.
  8. Leuchtdiodeneinheit nach Anspruch 7, bei der die transparente Paste eine Silikon-Die-Bond-Paste ist.
  9. Leuchtdiodeneinheit nach Anspruch 1, bei der der Leuchtdioden-Chip mit der Basis mittels einer Titanoxid enthaltenden weißen Paste durch Die-Bonden verbunden ist.
  10. Leuchtdiodeneinheit nach Anspruch 1, bei der das Linsenelement aus einem Silikonharz besteht.
  11. Leuchtdiodeneinheit nach Anspruch 10, bei der das Silikonharz aus einem Gummi-Silikonharz oder einem Gel-Silikonharz besteht.
  12. Leuchtdiodeneinheit nach Anspruch 1, bei der ein fluoreszierendes Material und ein streuendes Material im Vergussharz enthalten sind.
  13. Leuchtdiodeneinheit nach Anspruch 1, bei der das Linsenelement an der Leiterplatte mittels eines Resist-Films befestigt ist.
  14. Leuchtdiodeneinheit nach Anspruch 1, bei der ein konkaver Abschnitt, der eine Bodenfläche und eine geneigte Fläche aufweist, die sich von einem Umfang der Bodenfläche nach oben erstreckt, in der Basis vorgesehen ist, und bei der die mindestens eine Leuchtdiode an der Basis an der Bodenfläche des konkaven Abschnittes befestigt ist.
  15. Leuchtdiodeneinheit nach Anspruch 1, bei der zur Vergrößerung des Reflexionsvermögens auf der eloxierten Aluminiumfläche der Basis ein Mehrschicht-Beschichtungsfilm ausgebildet ist.
DE102006050376.7A 2005-11-02 2006-10-25 Leuchtdiodeneinheit Expired - Fee Related DE102006050376B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005320214A JP5066333B2 (ja) 2005-11-02 2005-11-02 Ｌｅｄ発光装置。
JP2005-320214 2005-11-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102006050376A1 true DE102006050376A1 (de) 2007-05-10
DE102006050376B4 DE102006050376B4 (de) 2019-05-29

Family

ID=37950103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102006050376.7A Expired - Fee Related DE102006050376B4 (de) 2005-11-02 2006-10-25 Leuchtdiodeneinheit

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7560748B2 (de)
JP (1) JP5066333B2 (de)
CN (1) CN1960016B (de)
DE (1) DE102006050376B4 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2413391A1 (de) * 2010-07-27 2012-02-01 Cirocomm Technology Corp. Lichteinheit für eine LED-Lampe und Verfahren dafür
EP2608285A1 (de) * 2011-12-20 2013-06-26 Vossloh-Schwabe Optoelektronik GmbH & Co. KG Leuchtdiodenanordnung
WO2014083714A1 (ja) * 2012-11-27 2014-06-05 シチズン電子株式会社 実装基板及びこの実装基板を用いた発光装置
DE102009025266B4 (de) * 2009-06-17 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006015335B4 (de) * 2006-04-03 2013-05-02 Ivoclar Vivadent Ag Halbleiter-Strahlungsquelle sowie Lichthärtgerät
KR100828900B1 (ko) * 2006-09-04 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
US7889421B2 (en) * 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
CN101075655B (zh) * 2007-06-05 2010-07-07 诸建平 白光面光源发光装置
US8288936B2 (en) * 2007-06-05 2012-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting apparatus, method for manufacturing the light emitting apparatus, electronic device and cell phone device
KR100888228B1 (ko) * 2007-06-22 2009-03-12 (주)웨이브닉스이에스피 금속베이스 광소자 패키지 모듈 및 그 제조방법
JP5401025B2 (ja) * 2007-09-25 2014-01-29 三洋電機株式会社 発光モジュールおよびその製造方法
JP2009110737A (ja) * 2007-10-29 2009-05-21 Citizen Electronics Co Ltd 照明装置及びその製造方法
DE102008021618A1 (de) * 2007-11-28 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Chipanordnung, Anschlussanordnung, LED sowie Verfahren zur Herstellung einer Chipanordnung
TWI419357B (zh) * 2008-03-12 2013-12-11 Bright Led Electronics Corp Manufacturing method of light emitting module
KR101438826B1 (ko) * 2008-06-23 2014-09-05 엘지이노텍 주식회사 발광장치
CN101630678B (zh) * 2008-07-16 2011-10-05 恩纳特隆公司 发光装置和制造该发光装置的方法
JP2010080640A (ja) 2008-09-25 2010-04-08 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード
JP2010129915A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Panasonic Electric Works Co Ltd 砲弾型ｌｅｄ搭載基板
TWI380483B (en) * 2008-12-29 2012-12-21 Everlight Electronics Co Ltd Led device and method of packaging the same
TWI423421B (zh) * 2009-01-17 2014-01-11 Bright Led Electronics Corp A light emitting device and a manufacturing method thereof
JP5431818B2 (ja) * 2009-07-21 2014-03-05 シチズン電子株式会社 発光ダイオード光源装置
EP2346100B1 (de) * 2010-01-15 2019-05-22 LG Innotek Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungssystem
JP5640632B2 (ja) 2010-03-12 2014-12-17 旭硝子株式会社 発光装置
US9574050B2 (en) * 2010-03-23 2017-02-21 Asahi Rubber Inc. Silicone resin reflective substrate, manufacturing method for same, and base material composition used in reflective substrate
JP2011216687A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Taiyo Holdings Co Ltd 白色塗膜層及びその形成方法、並びにプリント配線板
CN101826590B (zh) * 2010-04-20 2013-11-13 北京朗波尔光电股份有限公司 一种透镜注荧光胶的led灯及其封装方法
CN101876407A (zh) * 2010-05-17 2010-11-03 中山大学佛山研究院 一种led光源模组
CN101887939A (zh) * 2010-05-24 2010-11-17 晶科电子（广州）有限公司 一种提高led外量子效率的封装结构及其封装方法
KR20120022628A (ko) * 2010-08-16 2012-03-12 후지필름 가부시키가이샤 Ｌｅｄ 용 방열 반사판
CN102052594A (zh) * 2010-12-20 2011-05-11 惠州志能达光电科技有限公司 一种高散热led光源模组及其制作方法
US20120188738A1 (en) * 2011-01-25 2012-07-26 Conexant Systems, Inc. Integrated led in system-in-package module
EP2482333A1 (de) * 2011-01-31 2012-08-01 AZURSPACE Solar Power GmbH Solarzellenempfänger
TW201238085A (en) * 2011-03-15 2012-09-16 Lextar Electronics Corp Light emitting diode package structure
JP5887889B2 (ja) * 2011-11-30 2016-03-16 セイコーエプソン株式会社 光照射装置
WO2013150882A1 (ja) * 2012-04-06 2013-10-10 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
CN102798023A (zh) * 2012-08-31 2012-11-28 深圳市红色投资有限公司 一种led灯具
CN103022315B (zh) * 2012-11-28 2016-05-11 歌尔声学股份有限公司 发光二极管装置
CN103227268B (zh) * 2013-03-31 2016-05-04 深圳市三创客科技有限公司 一种led荧光粉涂装方法
JP2015230949A (ja) * 2014-06-04 2015-12-21 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法並びに転写シート及びその製造方法
JP6381327B2 (ja) 2014-07-17 2018-08-29 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置およびその製造方法
JP6459949B2 (ja) 2015-12-21 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI678816B (zh) * 2017-01-20 2019-12-01 聯京光電股份有限公司 發光元件封裝基座結構
CN210687847U (zh) * 2019-11-12 2020-06-05 广德利德光电有限公司 一种超级焊接灯串

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55132083A (en) * 1979-03-30 1980-10-14 Sanyo Electric Co Ltd Light emitting diode substrate
JPS6028144A (ja) * 1983-07-27 1985-02-13 Hitachi Ltd 画像投写装置
JPH0545009Y2 (de) * 1987-04-06 1993-11-16
US5676453A (en) * 1992-04-16 1997-10-14 Tir Technologies, Inc. Collimating TIR lens devices employing fluorescent light sources
JP3309939B2 (ja) * 1994-09-09 2002-07-29 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP2003124530A (ja) * 1996-12-12 2003-04-25 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード及びそれを用いたｌｅｄ表示装置
US6429581B1 (en) * 1998-09-10 2002-08-06 Corning Incorporated TIR lens for uniform brightness
JP2002270901A (ja) * 2001-03-12 2002-09-20 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオードとその製造方法
WO2002099530A1 (en) * 2001-06-01 2002-12-12 Toppan Printing Co., Ltd. Micro-lens sheet and projection screen
WO2003016782A1 (en) * 2001-08-09 2003-02-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led illuminator and card type led illuminating light source
US6924514B2 (en) 2002-02-19 2005-08-02 Nichia Corporation Light-emitting device and process for producing thereof
JP4133420B2 (ja) * 2002-03-26 2008-08-13 シャープ株式会社 バックライト及び液晶表示装置
JP2004134699A (ja) * 2002-10-15 2004-04-30 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2004207367A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード及び発光ダイオード配列板
JP4281363B2 (ja) * 2003-01-20 2009-06-17 パナソニック電工株式会社 配線板及び発光装置
JP3873256B2 (ja) * 2003-01-24 2007-01-24 ミネベア株式会社 面状照明装置
KR20040092512A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
JP4599857B2 (ja) * 2003-04-24 2010-12-15 日亜化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2004342870A (ja) * 2003-05-16 2004-12-02 Stanley Electric Co Ltd 大電流駆動用発光ダイオード
JP2005079464A (ja) * 2003-09-02 2005-03-24 Stanley Electric Co Ltd 受発光装置
JP2005093594A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Fuji Photo Film Co Ltd 発光装置及びその製造方法
CN1601768A (zh) * 2003-09-22 2005-03-30 福建省苍乐电子企业有限公司 一种发光二极管结构
JP2005136137A (ja) 2003-10-30 2005-05-26 Mitsui & Co Ltd 半導体発光装置
DE10351934B4 (de) * 2003-11-07 2017-07-13 Tridonic Jennersdorf Gmbh Leuchtdioden-Anordnung mit wärmeabführender Platine
FI116116B (fi) * 2003-11-07 2005-09-15 Teknoware Oy Hybridivalaisin
US7326583B2 (en) * 2004-03-31 2008-02-05 Cree, Inc. Methods for packaging of a semiconductor light emitting device
EP1825524A4 (de) * 2004-12-16 2010-06-16 Seoul Semiconductor Co Ltd Anschlusskamm mit einem kühlkörper-haltering, herstellungsverfahren für eine leuchtdiodenkapselung damit und durch das verfahren hergestellte leuchtdiodenkapselung
US7777247B2 (en) * 2005-01-14 2010-08-17 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device mounting substrates including a conductive lead extending therein
KR100761387B1 (ko) * 2005-07-13 2007-09-27 서울반도체 주식회사 몰딩부재를 형성하기 위한 몰드 및 그것을 사용한 몰딩부재형성방법
JP4877571B2 (ja) * 2005-10-11 2012-02-15 日立化成工業株式会社 発光素子搭載用基板

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009025266B4 (de) * 2009-06-17 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
EP2413391A1 (de) * 2010-07-27 2012-02-01 Cirocomm Technology Corp. Lichteinheit für eine LED-Lampe und Verfahren dafür
EP2608285A1 (de) * 2011-12-20 2013-06-26 Vossloh-Schwabe Optoelektronik GmbH & Co. KG Leuchtdiodenanordnung
WO2014083714A1 (ja) * 2012-11-27 2014-06-05 シチズン電子株式会社 実装基板及びこの実装基板を用いた発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5066333B2 (ja) 2012-11-07
US20070102722A1 (en) 2007-05-10
DE102006050376B4 (de) 2019-05-29
US7560748B2 (en) 2009-07-14
JP2007129053A (ja) 2007-05-24
CN1960016A (zh) 2007-05-09
CN1960016B (zh) 2010-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102006050376B4 (de) Leuchtdiodeneinheit
DE69838597T2 (de) Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren
DE102008003670B4 (de) Lichtquelle mit mehreren LED-Chips
EP1451872B1 (de) Leuchtdioden-leuchtpaneel und leiterplatte
DE102004034536A1 (de) Hochleistungs-LED-Anordnung
DE202005021952U1 (de) Gehäuse für eine lichtemittierende Vorrichtung
DE112006001539T5 (de) Stromversorgungskontrolllampen-Gehäuse
DE102005045104A1 (de) Leuchtdiodenanzeige mit Kammer
DE202013012548U1 (de) Lichtemittierendes Element, Beleuchtungsvorrichtung und deren Vorrichtungsrahmen
DE202010018639U1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung
DE102007001706A1 (de) Gehäuse für optoelektronisches Bauelement und Anordnung eines optoelektronischen Bauelementes in einem Gehäuse
DE10245930A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Bauelement-Modul
EP2591502B1 (de) Leuchtdiode
EP1565948A2 (de) Optoelektronisches bauelement
DE10392669T5 (de) Lichtemissionsdiodeneinheit und Verfahren zum Herstellen einer Lichtemissionsdiodeneinheit
DE102006061118A1 (de) Licht aussendende Vorrichtung, Verfahren zu deren Herstellung und Baugruppe
DE102005028176A1 (de) Leuchtdiode
DE102006038099A1 (de) Licht emittierende Vorrichtung
DE102016220745A1 (de) Licht emittierendes Modul
DE10251955A1 (de) Einbaumodul mit leistungsstarker LED, insbesondere für ein Kraftfahrzeug
DE112016002072B4 (de) Emissionseinrichtung für ultraviolette strahlen
DE112011101327T5 (de) Licht aussendende Vorrichtung
DE112013000768B4 (de) Leuchtdiodeneinheit
DE102004001124B3 (de) Leuchte, insbesondere Warnleuchte, für ein Fahrzeug
DE102017124433B4 (de) Äußere Leuchtdiodeneinheit für ein Fahrzeug

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0033000000

Ipc: H01L0033640000

R020 Patent grant now final
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee