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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleitermodul und bezieht sich insbesondere auf ein Halbleitermodul, das eine Halbleitervorrichtung mit einer Hauptoberfläche in Kontakt mit einem Kühlkörper mit hohem Potential beinhaltet.
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US 5 539 253 A beschreibt eine mit Harz versiegelte Halbleitervorrichtung, welche einen Halbleiterchip auf einem Kühlkörper beinhaltet. Ein Gehäuse umgibt den Halbleiterchip und einen Teil eines Anschlusses zu dem Chip. Das Innere des Gehäuses ist mit einem Versiegelungsharz ausgefüllt. Die Zuleitungsanschlüsse ragen aus dem Versiegelungsharz auf der dem Kühlkörper abgewandten Seite des Halbleiterchips. Eine Isolation zwischen den Zuleitungsanschlüssen, dem Halbleiterchip und dem Kühlkörper wird durch eine spezielle Isolationsschicht zwischen Halbleiterchip und Kühlköper bewerkstelligt.
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US 6 034 421 A offenbart eine Halbleitervorrichtung, welche einen vergossenen IC beinhaltet, der an einem Gehäuse befestigt ist. Das Gehäuse weist eine Öffnung zum Aufnehmen des IC's auf und an anderer Stelle einen Anschlußabschnitt, der die Anschlußstifte enthält. Der Anschlußabschnitt des Gehäuses liegt dabei seitlich zu der Öffnung zur Aufnahme des Halbleiterchips.
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US 5 920 119 A beschreibt ein Leistungshalbleitermodul mit einem Gehäuse mit einem Metallboden. Insbesondere soll eine verkapselte Struktur bereitgestellt werden, welche unempfindlich gegen elektromagnetische Störungen ist. Als Stand der Technik wird dabei ein Gehäuse beschrieben, bei dem eine Platine mit Chips darauf als Gehäuseboden dient. Die Platine ist in das Gehäuse mit einem wärmehärtenden Silikonkleber geklebt und die Gehäuseanschlüsse sind im Gehäuse vergossen. Die Gehäuseanschlüsse werden durch Drahtbonden mit den Chips verbunden. Es muß ein Silikonkleber verwendet werden, der bei höheren Temperaturen aushärtet.
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Eine bekannte Halbleitervorrichtung, die einen Halbleiterchip aufweist, der mit Verpackungsharz vergossen ist, kann mit dem damit kontaktierten Kühlkörper zum Abstrahlen der durch den Halbleiterchip erzeugten Wärme verwendet werden. Entsprechend der Art von Halbleitervorrichtung kann der Kühlkörper während des Betriebs der Halbleitervorrichtung mit dem hohen Potential verbunden sein. Speziell in dem Fall, in dem eine Leistungshalbleitervorrichtung mit hoher Spannungsfestigkeit, beispielsweise 600 Volt und 1.200 Volt, gefordert ist, sollten unter diesen Umständen ein genügender Isolations-Sicherheitsabstand sowie ein genügender Kriechisolationsabstand zwischen den Anschlüssen der Halbleitervorrichtung und dem mit dem hohen Potential verbundenen Kühlkörper sichergestellt werden.
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Eine der bekannten Vorgehensweisen, d. h.
JP 2003-303 939 A , offenbart ein Leistungs-Halbleitermodul, das einen ausreichenden Isolations-Sicherheitsabstand und einen ausreichenden Kriechisolationsabstand, die zwischen den benachbarten Anschlüssen erforderlich sind, mittels hervorstehender Harzwände und kontinuierlich zu den Wänden ausgebildeten Kerben sicherstellt.
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Das Halbleitermodul wird jedoch mit irgendwelchen vorhandenen Halbleitervorrichtungen zusammengebaut, somit solchen mit festem Umriß, so daß es schwierig ist, solche Wände und Kerben an der Halbleitervorrichtung auszubilden. Insbesondere in dem Fall, in dem die Halbleitervorrichtung eine der DIL-Typ(Dual Inline Package)-Halbleitervorrichtungen ist, die einen mit der Harzpackung vergossenen Halbleiterchip mit einer Hauptoberfläche in Kontakt zu dem Kühlkörper und eine Mehrzahl von Anschlüssen (Anschlußrahmen), die sich von den Seitenflächen erstrecken und zu der Richtung hinweg von der Hauptoberfläche gebogen sind, aufweist, kann der Abstand zwischen den Anschlüssen und dem Kühlkörper mit dem hohen Potential geringer sein als bei den anderen Arten von Halbleitervorrichtungen. Deshalb ist die Sicherstellung eines hinreichenden Isolations-Sicherheitsabstandes und eines hinreichenden Kriechisolationsabstands des Halbleitermoduls bei Verwendung der DIL-Typ-Halbleitervorrichtungen eines der Hauptprobleme.
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Deshalb ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Halbleitermodul bereitzustellen, das aus einer Halbleitervorrichtung gebildet ist, die ein mit der Harzpackung vergossenes Halbleiterelement mit der Hauptoberfläche in Kontakt zu dem Kühlkörper und eine Mehrzahl von Anschlüssen (Anschlußrahmen), die sich von den Seitenflächen erstrecken und zu der Richtung hinweg von der Hauptoberfläche gebogen sind, aufweist, bei dem ein genügender Isolations-Sicherheitsabstand und ein genügender Kriechisolationsabstand sogar dann sichergestellt sind, wenn das Halbleitermodul auf dem Kühlkörper befestigt ist.
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Die Aufgabe wird gelöst durch ein Halbleitermodul nach Anspruch 1.
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Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben.
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Der weitere Umfang der Anwendbarkeit der vorliegenden Erfindung wird ersichtlich anhand der detaillierten Beschreibung, die nachfolgend gegeben wird.
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Gemäß eines der Aspekte der vorliegenden Erfindung ist ein Halbleitermodul vorgesehen, das zumindest eine Halbleitervorrichtung aufweist, die ein mit einer Harzpackung vergossenes Halbleiterelement mit einer Hauptoberfläche und einer Seitenoberfläche und einer Mehrzahl von Anschlüssen, die sich von der Seitenoberfläche erstrecken und in eine Richtung hinweg von der Hauptoberfläche gebogen sind, aufweist. Es beinhaltet ebenfalls ein kastenartiges hohles Gehäuse aus PBT, PET oder PPS, das ein Basisteil mit einer Mehrzahl von Durchgangslöchern und eine Öffnung gegenüber dem Basisteil beinhaltet, zum Aufnehmen der Halbleitervorrichtung mit den Anschlüssen der Halbleitervorrichtung in die Durchgangslöcher eingeführt. Weiterhin beinhaltet das Halbleitermodul ein Isolationsharzteil aus Epoxydharz, das eine Lücke auffüllt, die durch die Halbleitervorrichtung und das Gehäuse begrenzt wird, so daß Abschnitte der Anschlüsse an den Seitenflächen der Harzpackung der Halbleitervorrichtung bedeckt werden.
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Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen unter Zuhilfenahme der beigefügten Zeichnungen. Von den Figuren zeigen:
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1 eine Querschnittsansicht des Halbleitermoduls gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
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2 eine Querschnittsansicht des Halbleitermoduls gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
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3 eine Querschnittsansicht des Halbleitermoduls gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
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4 eine Querschnittsansicht des Halbleitermoduls gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
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5 eine vergrößerte Querschnittsansicht des verbesserten Durchgangslochs, das an dem Gehäuse ausgebildet ist,
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6 eine perspektivische Ansicht des Gehäuses, die die Anschlußführungen veranschaulicht, und
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7 eine Querschnittsansicht des abgewandelten Halbleitermoduls.
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Bezug nehmend auf die beigefügten Zeichnungen werden hier im folgenden die Details der Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben.
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Ausführungsform 1
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1 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein Halbleitermodul gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht, welches als Ganzes mit dem Bezugszeichen 100 bezeichnet ist unter Vernachlässigung der Details innerhalb einer Halbleitervorrichtung. Wie in 1 gezeigt beinhaltet das Halbleitermodul 10 im allgemeinen eine Leistungs-Halbleitervorrichtung 12 und eine hohle behälterartige Hülle 14 mit einer unteren weiten Öffnung zum Aufnehmen der Halbleitervorrichtung 12. Die Halbleitervorrichtung 12 beinhaltet ein Halbleiterelement oder einen Chip (nicht gezeigt), der mit einer Harzpackung 18 vergossen (umfaßt auch moulding) oder verkapselt ist, welche eine Hauptoberfläche 20 und Seitenoberflächen 24 aufweist. Wenn das Halbleitermodul 10 zusammengebaut wird, wird die Hauptoberfläche 20 der Packung 18 auf einem Kühlkörper des hohen Potentials befestigt zum Entgegennehmen und Abstrahlen der Wärme von der Halbleitervorrichtung 12.
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Weiterhin beinhaltet die Halbleitervorrichtung 12 eine Mehrzahl von Anschlüssen (Anschlußrahmen) 26, die sich von den Seitenoberflächen 24 der Packung 18 erstrecken und in eine Richtung hinweg von der Hauptoberfläche 20 oder dem Kühlkörper 16, z. B. nach oben, gebogen sind. Die DIL-Halbleitervorrichtung hat einen wie oben beschriebenen Aufbau.
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Die Hülle 14 ist aus PPS (Poly-Phenyl-Sulfid), PBT (Poly-Butylen-Terephthalat) oder PET (Poly-Ethylen-Terephthalat). Wie oben hat die Hülle 14 eine hohle behälterartige Gestalt und eine weite Öffnung zum Aufnehmen zumindest eines Abschnitts der Halbleitervorrichtung 12. Aus den Richtungen senkrecht zu den Seitenoberflächen 24 der Packung 18 betrachtet wird dadurch der aufgenommene Abschnitt der Halbleitervorrichtung 12 durch die Hülle 14 überlappt und ist unsichtbar. Die Hülle 14 hat eine Tiefe D, die so ausgelegt ist, daß die Fußabschnitte 28 der Anschlüsse 26 vollständig aufgenommen und überlappt werden.
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Die Hülle 14 beinhaltet eine Mehrzahl von Durchgangslöchern 32, die an den Anschlüssen 26 der Halbleitervorrichtung 12 entsprechenden Positionen in dem Basisteil 30 (das ebenfalls als ein Bodenteil bezeichnet werden kann) ausgebildet sind, was die Aufnahme der Halbleitervorrichtung 12 in der Packung 18 gestattet.
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Die Hülle 14 ist so ausgelegt, daß sie einen Spalt zwischen den Seitenoberflächen 24 der Halbleitervorrichtung 12 und der Hülle 14 definiert, in den als Isolationsharzmaterial ein Epoxydharz gefüllt wird. In einem Zustand, in dem 1 auf dem Kopf steht, d. h. die Halbleitervorrichtung 12 und die Hülle 14 mit der Öffnung nach oben zeigend angeordnet sind und das Basisteil 30 der Hülle 14 nach unten zeigt, wird der Spalt mit dem Isolationsharzmaterial aufgefüllt, das vorzugsweise eine hohe Fließfähigkeit vor dem Aushärten aufweist, so daß jeder Detailabschnitt in dem Spalt mit dem Isolationsharz aufgefüllt wird. Dies bildet ein Isolationsharzteil 34 in dem Spalt aus. Vorzugsweise wird das Isolationsharz in einem einfachen Schritt gehärtet.
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Ein Abschnitt des Anschlusses 26 ist mit der Hülle 14 und dem Isolationsharzteil 34 bedeckt und lediglich der verbleibende Abschnitt des Anschlusses, der sich aus dem Durchgangsloch 32 der Hülle zu seiner Spitze erstreckt, ist der umgebenden Atmosphäre ausgesetzt. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird deshalb der kürzeste räumliche Abstand zwischen dem Anschluß 26 und dem Kühlkörper 16 (als Isolations-Sicherheitsabstand bezeichnet) zu L1 definiert und der kürzeste oberflächliche Abstand zwischen dem Anschluß 26 und dem Kühlkörper 16 (als Kriechisolationsabstand bezeichnet) wird auf L2 gesetzt, welche bedeutend größer sind als jene in dem Fall, in dem die Hülle 14 und das Isolationsharzteil 34 nicht vorgesehen sind, wie durch eine gestrichelte Linie L angedeutet. Deshalb ist die Spannungsfestigkeit des Halbleitermoduls 10 wesentlich verbessert.
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Ausführungsform 2
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2 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Halbleitermoduls entlang einer Ebene parallel zu der Seitenoberfläche der Halbleitervorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Das Halbleitermodul 110 der zweiten Ausführungsform weist einen ähnlichen Aufbau zu jenem der ersten Ausführungsform auf, mit der Ausnahme, daß eine Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen 124a, 124b in der Hülle 114 aufgenommen wird. Die weitere Beschreibung wird mit der Konzentration auf die Komponenten, die unterschiedlich zu jenen der ersten Ausführungsform sind, durchgeführt.
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Das Halbleitermodul 110 beinhaltet die Hülle 114, die zwei der Halbleitervorrichtungen 112a, 112b aufnimmt. Es weist ebenfalls eine Mehrzahl von Durchgangslöchern 132 zum Einführen der Anschlüsse 126a, 126b der Halbleitervorrichtungen 112a, 112b auf.
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Ein Vorteil der Aufnahme von zweien der Halbleitervorrichtungen in ein Halbleitermodul wird hier beschrieben. Wenn in der typischen Halbleitervorrichtung, die zwei unterschiedliche funktionelle Schaltungen enthält, eine der funktionellen Schaltungen ausfällt, ist die Halbleitervorrichtung vollständig defekt, ungeachtet dessen, ob die andere der funktionellen Schaltungen gut ist, wodurch die nicht defekte der funktionellen Schaltungen verschwendet wird. Im Gegensatz dazu kann anstelle einer Halbleitervorrichtung, die eine Mehrzahl von funktionellen Schaltungen integriert, das Halbleitermodul beispielsweise eine erste Halbleitervorrichtung mit der ersten funktionellen Schaltung und eine zweite Halbleitervorrichtung mit der zweiten funktionellen Schaltung aufweisen, wobei die Prozeßausbeute der zweiten Halbleitervorrichtung geringer ist (d. h. der Fehleranteil der zweiten funktionellen Schaltung größer ist) als jene der ersten Halbleitervorrichtung. Lediglich eine defekte zweite Halbleitervorrichtung mit der schlechten Prozeßausbeute wird nicht zum Zusammenbau des Halbleitermoduls verwendet, wodurch die Verschwendung der nicht defekten ersten Halbleitervorrichtung vermieden wird. Deshalb kann die Prozeßausbeute des Halbleitermoduls mit mehreren Funktionen verbessert werden im Vergleich zu jener der Halbleitervorrichtung, die mehrere Funktionen erfüllt, die gleich jenen des Halbleitermoduls sind.
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Wie in 2 gezeigt, können weiterhin zwei der Anschlüsse 126a der Halbleitervorrichtung 112a elektrisch miteinander verbunden sein über den Draht (leitender Verbinder) 136, der innerhalb des Isolationsharzteils 134 ausgebildet ist. Jeweils einer der Anschlüsse 126a, 126b jener Halbleitervorrichtungen 112a, 112b ist mit dem jeweiligen anderen über den Draht 138, der innerhalb des Isolationsharzteils 134 ausgebildet ist, verbunden. Dies beseitigt eine elektrische Verbindung außerhalb des Halbleitermoduls 110, so daß der Endnutzer des Halbleitermoduls 110 der vorliegenden Ausführungsform diese Anschlüsse nicht verbinden muß.
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Ausführungsform 3
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3 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Halbleitermoduls gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Das Halbleitermodul 210 der dritten Ausführungsform weist einen ähnlichen Aufbau zu jenem der oben beschriebenen Ausführungsformen auf, ausgenommen daß eine Schaltplatine zwischen den Halbleitervorrichtungen 212 und der Hülle 214 aufgenommen wird. Die weitere Beschreibung wird durchgeführt mit der Konzentration auf jene Komponenten, die unterschiedlich zu denen der vorstehenden Ausführungsformen sind.
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Das Halbleitermodul 210 der vorliegenden Ausführungsform nimmt die Schaltplatine 242 auf, die zwischen der Zwischenoberfläche (oberen Oberfläche) der Halbleitervorrichtung 212 gegenüber der Hauptoberfläche 220 und dem Basisteil 230 der Hülle 214 vorgesehen ist, und die Schaltplatine 242 ist über die Anschlüsse 226c elektrisch mit der Halbleitervorrichtung 212 verbunden.
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Das Halbleitermodul 210 weist ebenfalls einen externen Anschluß 244 für die elektrische Verbindung der Platine 242 mit einer externen Schaltung (nicht gezeigt) auf. Die Hülle 214 weist ebenfalls ein anderes Durchgangsloch 246 für die Einführung des externen Anschlusses 244 auf.
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Gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist die Platine 242, die elektrisch mit der Halbleitervorrichtung 212 verbunden ist, durch das Isolationsharzteil 234 geschützt.
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Ausführungsform 4
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4 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Halbleitermoduls gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Das Halbleitermodul 310 der vierten Ausführungsform weist einen ähnlichen Aufbau zu jenem der oben beschriebenen Ausführungsformen auf, ausgenommen daß ein Anschlußblock 348 auf der Hülle 314 vorgesehen ist. Die weitere Beschreibung wird durchgeführt mit Konzentration auf die Komponenten, die unterschiedlich zu jenen der vorstehenden Ausführungsformen sind.
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Wie erwähnt beinhaltet das Halbleitermodul 310 der vorliegenden Ausführungsform den Anschlußblock 348, der aus einer Anschlußblockbasis 350 der Hülle 314 in Verbindung mit dem Anschluß 326d der Halbleitervorrichtung 312 zusammengesetzt ist. Die Anschlußblockbasis 350 beinhaltet eine eingebaute Mutter 352, während der Anschluß 326d ein Loch 354 zum Einführen einer Schraube, die mit der Mutter 352 befestigt wird, aufweist. Der Anschluß 326d ist so gebogen, daß die Mutter 352 und das Loch 354 koaxial angeordnet sind und der Anschluß 326d auf der Anschlußblockbasis 350 abgestützt ist. Dieser Aufbau erleichtert die Befestigung des Stromanschlusses an dem Anschlußblock 348 und das Abnehmen desselben davon.
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Verschiedene Merkmale der vorliegenden Erfindung wurden oben mit vier Ausführungsformen der Halbleitermodule beschrieben, von denen jede mit anderen Merkmalen kombiniert werden kann und nicht immer unabhängig verwirklicht werden muß. Beispielsweise kann das Halbleitermodul eine Mehrzahl der Halbleitervorrichtungen, die Platine zwischen dem Basisteil der Hülle und den Halbleitervorrichtungen, und den Anschlußblock aufweisen. Ebenfalls würde der Fachmann an folgende Veränderungen und Abwandlungen denken ohne von dem Umfang und dem Gedanken der vorliegenden Erfindung abzuweichen, welcher die Sicherstellung des nötigen Isolations-Sicherheitsabstandes und des nötigen Kriechisolationsabstands ist.
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Beispielsweise kann das Durchgangsloch so ausgebildet sein, daß die Außenfläche des Anschlusses die Innenwand des Durchgangsloches kontaktiert. Wie in 5 veranschaulicht, kann während der Anschluß 426 einen quadratischen Querschnitt mit einem Maß W haben kann, das Durchgangsloch 432 der Hülle 414 eine quadratische Öffnung mit einem Maß W1 aufweisen, welches gleich dem Maß W des Anschlusses 426 ist, was die Kontaktierung des Anschlusses 426 mit dem Durchgangsloch 432 erlaubt. Dies erleichtert ebenfalls die Ausrichtung des Anschlusses 426 zu der Hülle 414 und verhindert ein Austreten des Isolationsharzes aus dem Durchgangsloch 432, sogar wenn das Isolationsharz eine hohe Fließfähigkeit aufweist.
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Zusätzlich kann das Durchgangsloch 432 so ausgelegt sein, daß der Querschnitt desselben von der Halbleitervorrichtung hinweg sich verjüngt, d. h. sich nach oben verjüngt. Das sich verjüngende Durchgangsloch 432 dient der Führung des Anschlusses 426, indem das Einführen der Anschlüsse durch es hindurch erleichtert wird.
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Wie in 1 gezeigt, hat weiterhin die Hülle 14 vorzugsweise die minimale Tiefe D, was es dem Isolationsharzteil 34 erlaubt, gerade den Fuß 28 der Anschlüsse 26 zu bedecken. Wenn die Hülle so aufgebaut ist, daß das Isolationsharzteil 34 die Halbleitervorrichtung bis zu der Hauptoberfläche vollständig umgibt, wird eine größere Menge des Isolationsharzes benötigt. Somit wird die Tiefe D der Hülle 14 so eingestellt, daß das Isolationsharzteil 34, das den Fuß des Anschlusses bedeckt, daran gehindert wird, überzulaufen, wenn der Spalt mit dem Isolationsharzmaterial aufgefüllt wird.
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Bezug nehmend auf 1 ist eine freiliegende Seitenflächenlänge S dort definiert, wo die Seitenfläche der Halbleitervorrichtung zu der umgebenden Atmosphäre frei liegt. Die freiliegende Seitenflächenlänge S trägt zu dem Kriechisolationsabstand L2 bei, da sie wirklich vorhanden ist. Sie würde jedoch nicht mehr den Kriechisolationsabstand L2 beeinflussen, wenn die freiliegende Seitenflächenlänge S kleiner wäre als der minimale Abstand desselben. Deshalb ist das Halbleitermodul vorzugsweise so ausgelegt, daß die freiliegende Seitenflächenlänge S dem minimalen Kriechisolationsabstand L2 entspricht oder größer als dieser ist, um zu dem Kriechisolationsabstand L2 beizutragen. Wenn, wie in 1 gezeigt, in dieser Situation der Kühlkörper 16 in Kontakt zu der Hauptoberfläche 20 eine derartige Größe und Gestalt aufweist, daß er dem Isolationsharzteil 34 zwischen der Hülle 14 und der Packung 18 gegenüberliegt zur Verbesserung der Abstrahleffizienz, kann die freiliegende Seitenflächenlänge S ebenfalls zum Kriechisolationsabstand L2 beitragen. Wenn, unterschiedlich zu dem Aufbau von 1, der Kühlkörper lediglich einen Abschnitt der Hauptoberfläche der Packung (nicht gezeigt) kontaktiert, statt der gesamten Hauptoberfläche, können der Abstand des freiliegenden Abschnitts der Hauptoberfläche und die freiliegende Seitenflächenlänge S in Betracht gezogen werden zum Beeinflussen des Kriechisolationsabstandes L2. Weiterhin kann die freiliegende Seitenflächenlänge S vorzugsweise auf den minimalen Kriechisolationsabstand L2 oder größer als dieser eingestellt werden als Beitrag zu dem Kriechisolationsabstand L2 zum Sicherstellen des Kriechisolationsabstands des Halbleitermoduls.
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Zusätzlich kann die Hülle ein Führungsteil zum Führen eines jeden der Anschlüsse in das entsprechende der Durchgangslöcher aufweisen. 6 ist eine perspektivische Ansicht der Hülle 514 einschließlich des Führungsteils 560. Die Hülle 514 weist eine vertikale Wand 562 gegenüber der Seitenfläche der aufzunehmenden Packung sowie ein Basisteil (Bodenteil) 564 auf. Das Führungsteil beinhaltet eine Mehrzahl von Durchgangslöchern in dem Basisteil 564, eine Mehrzahl von Führungsabschnitten 566 mit jeweils einer geneigten Oberfläche, die zwischen der vertikalen Wand 562 und dem Basisteil 564 ausgebildet sind zum Führen der Anschlüsse in die Durchgangslöcher und eine Mehrzahl von Begrenzungsabschnitten 570, die zwischen benachbarten Zweien der Führungsabschnitte 566 ausgebildet sind und von denen jeder eine erhöhte Oberfläche gegenüber den benachbarten geneigten Oberflächen aufweist. Dies erleichtert das Einführen der Anschlüsse in die Durchgangslöcher, wenn die Halbleitervorrichtung in die Hülle aufgenommen wird.
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Wie in 7 veranschaulicht, kann die Hülle 614 weiterhin eine Öffnung 672 in dem Basisteil 630 aufweisen, solange die Füße 628 der Anschlüsse 626 mit dem Isolationsharzteil 634 bedeckt sind und die Anschlüsse 626, die teilweise der Atmosphäre ausgesetzt sind, entfernt von dem Kühlkörper 616 angeordnet sind (d. h. sich die Anschlüsse in der Richtung entgegengesetzt zu dem Kühlkörper erstrecken). Dieser Aufbau kann ebenfalls hinreichend einen Isolations-Sicherheitsabstand und einen Kriechisolationsabstand sicherstellen. Die Öffnung 672 spart Material, das die Hülle 614 bildet, ein.
