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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleitermodul und bezieht
sich insbesondere auf ein Halbleitermodul, das eine Halbleitervorrichtung
mit einer Hauptoberfläche
in Kontakt mit einem Kühlkörper mit
hohem Potential beinhaltet.
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Eine
bekannte Halbleitervorrichtung, die einen Halbleiterchip aufweist,
der mit Verpackungsharz vergossen ist, kann mit dem damit kontaktierten Kühlkörper zum
Abstrahlen der durch den Halbleiterchip erzeugten Wärme verwendet
werden. Entsprechend der Art von Halbleitervorrichtung kann der Kühlkörper während des
Betriebs der Halbleitervorrichtung mit dem hohen Potential verbunden
sein. Speziell in dem Fall, in dem eine Leistungshalbleitervorrichtung
mit hoher Spannungsfestigkeit, beispielsweise 600 Volt und 1.200
Volt, gefordert ist, sollten unter diesen Umständen ein genügender Isolations-Sicherheitsabstand
sowie ein genügender
Kriechisolationsab stand zwischen den Anschlüssen der Halbleitervorrichtung
und dem mit dem hohen Potential verbundenen Kühlkörper sichergestellt werden.
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Eine
der bekannten Vorgehensweisen, d.h. JP 2003-303939, offenbart ein
Leistungs-Halbleitermodul, das einen ausreichenden Isolations-Sicherheitsabstand
und einen ausreichenden Kriechisolationsabstand, die zwischen den
benachbarten Anschlüssen
erforderlich sind, mittels hervorstehender Harzwände und kontinuierlich zu den
Wänden
ausgebildeten Kerben sicherstellt.
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Das
Halbleitermodul wird jedoch mit irgendwelchen vorhandenen Halbleitervorrichtungen
zusammengebaut, somit solchen mit festem Umriß, so daß es schwierig ist, solche
Wände und
Kerben an der Halbleitervorrichtung auszubilden. Insbesondere in
dem Fall, in dem die Halbleitervorrichtung eine der DIL-Typ(Dual
Inline Package)-Halbleitervorrichtungen ist, die einen mit der Harzpackung
vergossenen Halbleiterchip mit einer Hauptoberfläche in Kontakt zu dem Kühlkörper und
eine Mehrzahl von Anschlüssen
(Anschlußrahmen),
die sich von den Seitenflächen
erstrecken und zu der Richtung hinweg von der Hauptoberfläche gebogen
sind, aufweist, kann der Abstand zwischen den Anschlüssen und
dem Kühlkörper mit
dem hohen Potential geringer sein als bei den anderen Arten von
Halbleitervorrichtungen. Deshalb ist die Sicherstellung eines hinreichenden
Isolations-Sicherheitsabstandes
und eines hinreichenden Kriechisolationsabstands des Halbleitermoduls
bei Verwendung der DIL-Typ-Halbleitervorrichtungen
eines der Hauptprobleme.
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Deshalb
ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Halbleitermodul
bereitzustellen, das aus einer Halbleitervorrichtung gebildet ist,
die ein mit der Harzpackung vergossenes Halbleiterelement mit der
Hauptoberfläche
in Kontakt zu dem Kühlkörper und
eine Mehrzahl von Anschlüssen
(Anschlußrahmen),
die sich von den Seitenflächen
erstrecken und zu der Richtung hinweg von der Hauptoberfläche gebogen
sind, aufweist, bei dem ein genügender
Isolations-Sicherheitsabstand und ein genügender Kriechisolationsabstand
sogar dann sichergestellt sind, wenn das Halbleitermodul auf dem Kühlkörper befestigt
ist.
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Die
Aufgabe wird gelöst
durch ein Halbleitermodul nach Anspruch 1.
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Weiterbildungen
der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben.
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Der
weitere Umfang der Anwendbarkeit der vorliegenden Erfindung wird
ersichtlich anhand der detaillierten Beschreibung, die nachfolgend
gegeben wird.
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Gemäß eines
der Aspekte der vorliegenden Erfindung ist ein Halbleitermodul vorgesehen,
das zumindest eine Halbleitervorrichtung aufweist, die ein mit einer
Harzpackung vergossenes Halbleiterelement mit einer Hauptoberfläche und
einer Seitenoberfläche
und einer Mehrzahl von Anschlüssen,
die sich von der Seitenoberfläche
erstrecken und in eine Richtung hinweg von der Hauptoberfläche gebogen sind,
aufweist. Es beinhaltet ebenfalls ein kastenartiges hohles Gehäuse, das
ein Basisteil mit einer Mehrzahl von Durchgangslöchern und eine Öffnung gegenüber dem
Basisteil beinhaltet, zum Aufnehmen der Halbleitervorrichtung mit
den Anschlüssen
der Halbleitervorrichtung in die Durchgangslöcher eingeführt. Weiterhin beinhaltet das
Halbleitermodul ein Isolationsharzteil, das eine Lücke auffüllt, die
durch die Halbleitervorrichtung und das Gehäuse begrenzt wird, so daß Abschnitte
der Anschlüsse
an den Seiten flächen
der Harzpackung der Halbleitervorrichtung bedeckt werden.
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Weitere
Merkmale und Zweckmäßigkeiten der
vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen
unter Zuhilfenahme der beigefügten
Zeichnungen. Von den Figuren zeigen:
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1 eine
Querschnittsansicht des Halbleitermoduls gemäß der ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung,
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2 eine
Querschnittsansicht des Halbleitermoduls gemäß der zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung,
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3 eine
Querschnittsansicht des Halbleitermoduls gemäß der dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung,
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4 eine
Querschnittsansicht des Halbleitermoduls gemäß der vierten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung,
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5 eine
vergrößerte Querschnittsansicht des
verbesserten Durchgangslochs, das an dem Gehäuse ausgebildet ist,
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6 eine
perspektivische Ansicht des Gehäuses,
die die Anschlußführungen
veranschaulicht, und
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7 eine
Querschnittsansicht des abgewandelten Halbleitermoduls.
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Bezug
nehmend auf die beigefügten
Zeichnungen werden hier im folgenden die Details der Ausführungsformen
gemäß der vorliegenden
Erfindung beschrieben. Obwohl in diesen Beschreibungen die Terminologie,
die die Richtungen anzeigt (beispielsweise "obere" und "untere") lediglich für ein besseres Verständnis zweckmäßigerweise
verwendet wird, sollte nicht daraus geschlossen werden, daß diese
Terminologie den Umfang der vorliegenden Erfindung beschränkt.
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Ausführungsform 1
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1 ist
eine schematische Querschnittsansicht, die ein Halbleitermodul gemäß der ersten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung veranschaulicht, welches als Ganzes mit
dem Bezugszeichen 100 bezeichnet ist unter Vernachlässigung
der Details innerhalb einer Halbleitervorrichtung. Wie in 1 gezeigt
beinhaltet das Halbleitermodul 10 im allgemeinen eine Leistungs-Halbleitervorrichtung 12 und
eine hohle behälterartige
Hülle 14 mit
einer unteren weiten Öffnung
zum Aufnehmen der Halbleitervorrichtung 12. Die Halbleitervorrichtung 12 beinhaltet
ein Halbleiterelement oder einen Chip (nicht gezeigt), der mit einer
Harzpackung 18 vergossen (umfaßt auch moulding) oder verkapselt
ist, welche eine Hauptoberfläche 20 und
Seitenoberflächen 24 aufweist.
Wenn das Halbleitermodul 10 zusammengebaut wird, wird die
Hauptoberfläche 20 der
Packung 18 auf einem Kühlkörper des
hohen Potentials befestigt zum Entgegennehmen und Abstrahlen der
Wärme von
der Halbleitervorrichtung 12.
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Weiterhin
beinhaltet die Halbleitervorrichtung 12 eine Mehrzahl von
Anschlüssen
(Anschlußrahmen) 26,
die sich von den Seitenoberflächen 24 der
Packung 18 erstrecken und in eine Richtung hinweg von der
Hauptoberfläche 20 oder
dem Kühlkörper 16,
z.B. nach oben, gebogen sind. Die DIL-Halbleitervorrichtung hat
einen wie oben beschriebenen Aufbau.
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Die
Hülle 14 ist
aus Harz, beispielsweise PPS (Poly-Phenyl-Sulfid), PBT (Poly-Butylen-Terephthalat)
und PET (Poly-Ethylen-Terephthalat).
Wie oben hat die Hülle 14 eine
hohle behälterartige
Gestalt und eine weite Öffnung
zum Aufnehmen zumindest eines Abschnitts der Halbleitervorrichtung 12. Aus
den Richtungen senkrecht zu den Seitenoberflächen 24 der Packung 18 betrachtet
wird dadurch der aufgenommene Abschnitt der Halbleitervorrichtung 12 durch
die Hülle 14 überlappt
und ist unsichtbar. Die Hülle 14 hat
eine Tiefe D, die so ausgelegt ist, daß die Fußabschnitte 28 der
Anschlüsse 26 vollständig aufgenommen
und überlappt
werden.
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Die
Hülle 14 beinhaltet
eine Mehrzahl von Durchgangslöchern 32,
die an den Anschlüssen 26 der
Halbleitervorrichtung 12 entsprechenden Positionen in dem
Basisteil 30 (das ebenfalls als ein Bodenteil bezeichnet
werden kann) ausgebildet sind, was die Aufnahme der Halbleitervorrichtung 12 in
der Packung 18 gestattet.
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Die
Hülle 14 ist
so ausgelegt, daß sie
einen Spalt zwischen den Seitenoberflächen 24 der Halbleitervorrichtung 12 und
der Hülle 14 definiert,
in den Isolationsharzmaterial, beispielsweise Epoxydharz, gefüllt wird.
In einem Zustand, in dem 1 auf dem Kopf steht, d.h. die
Halbleitervorrichtung 12 und die Hülle 14 mit der Öffnung nach
oben zeigend angeordnet sind und das Basisteil 30 der Hülle 14 nach unten
zeigt, wird der Spalt mit einem Isolationsharzmaterial aufgefüllt, das
vorzugsweise eine hohe Fließfähigkeit
vor dem Aushärten
aufweist, so daß jeder
Detailabschnitt in dem Spalt mit dem Isolationsharz aufgefüllt wird.
Dies bildet ein Isolationsharzteil 34 in dem Spalt aus.
Vorzugsweise wird das Isolationsharz in einem einfachen Schritt
gehärtet.
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Ein
Abschnitt des Anschlusses 26 ist mit der Hülle 14 und
dem Isolationsharzteil 34 bedeckt und lediglich der verbleibende
Abschnitt des Anschlusses, der sich aus dem Durchgangsloch 32 der
Hülle zu
seiner Spitze erstreckt, ist der umgebenden Atmosphäre ausgesetzt.
Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird deshalb der kürzeste
räumliche
Abstand zwischen dem Anschluß 26 und
dem Kühlkörper 16 (als
Isolations-Sicherheitsabstand bezeichnet) zu L1 definiert und der
kürzeste
oberflächliche
Abstand zwischen dem Anschluß 26 und
dem Kühlkörper 16 (als
Kriechisolationsabstand bezeichnet) wird auf L2 gesetzt, welche
bedeutend größer sind
als jene in dem Fall, in dem die Hülle 14 und das Isolationsharzteil 34 nicht
vorgesehen sind, wie durch eine gestrichelte Linie L angedeutet.
Deshalb ist die Spannungsfestigkeit des Halbleitermoduls 10 wesentlich verbessert.
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Ausführungsform 2
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2 ist
eine schematische Querschnittsansicht eines Halbleitermoduls entlang
einer Ebene parallel zu der Seitenoberfläche der Halbleitervorrichtung
gemäß der zweiten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Das Halbleitermodul 110 der zweiten
Ausführungsform
weist einen ähnlichen
Aufbau zu jenem der ersten Ausführungsform
auf, mit der Ausnahme, daß eine
Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen 124a, 124b in
der Hülle 114 aufgenommen
wird. Die weitere Beschreibung wird mit der Konzentration auf die
Komponenten, die unterschiedlich zu jenen der ersten Ausführungsform
sind, durchgeführt.
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Das
Halbleitermodul 110 beinhaltet die Hülle 114, die zwei
der Halbleitervorrichtungen 112a, 112b aufnimmt.
Es weist ebenfalls eine Mehrzahl von Durchgangslöchern 132 zum Einführen der
Anschlüsse 126a, 126b der
Halbleitervorrichtungen 112a, 112b auf.
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Ein
Vorteil der Aufnahme von zweien der Halbleitervorrichtungen in ein
Halbleitermodul wird hier beschrieben. Wenn in der typischen Halbleitervorrichtung,
die zwei unterschiedliche funktionelle Schaltungen enthält, eine
der funktionellen Schaltungen ausfällt, ist die Halbleitervorrichtung
vollständig defekt,
ungeachtet dessen, ob die andere der funktionellen Schaltungen gut
ist, wodurch die nicht defekte der funktionellen Schaltungen verschwendet
wird. Im Gegensatz dazu kann anstelle einer Halbleitervorrichtung,
die eine Mehrzahl von funktionellen Schaltungen integriert, das
Halbleitermodul beispielsweise eine erste Halbleitervorrichtung
mit der ersten funktionellen Schaltung und eine zweite Halbleitervorrichtung
mit der zweiten funktionellen Schaltung aufweisen, deren Prozeßausbeute
geringer ist (d.h. Fehleranteil größer ist) als jene der ersten
Halbleitervorrichtung. Lediglich die nicht defekte zweite Halbleitervorrichtung
mit der schlechten Prozeßausbeute
wird zum Zusammenbau des Halbleitermoduls verwendet, wodurch die
Verschwendung der nicht defekten ersten Halbleitervorrichtung vermieden
wird. Deshalb kann die Prozeßausbeute
des Halbleitermoduls mit mehreren Funktionen verbessert werden im
Vergleich zu jener der Halbleitervorrichtung, die mehrere Funktionen
erfüllt,
die gleich jenen des Halbleitermoduls sind.
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Wie
in 2 gezeigt, können
weiterhin zwei der Anschlüsse 126a der
Halbleitervorrichtung 112a elektrisch miteinander verbunden
sein über
den Draht (leitender Verbinder) 136, der innerhalb des Isolationsharzteils 134 ausgebildet
ist. Jeweils einer der Anschlüsse 126a, 126b jener
Halbleitervorrichtungen 112a, 112b ist mit dem
jeweiligen anderen über
den Draht 138, der innerhalb des Isolationsharzteils 134 ausgebildet
ist, verbunden. Dies beseitigt eine elektrische Verbindung außerhalb
des Halbleitermoduls 110, so daß der Endnutzer des Halbleitermoduls 110 der
vorliegenden Ausführungsform
diese Anschlüsse
nicht verbinden muß.
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Ausführungsform 3
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3 ist
eine schematische Querschnittsansicht eines Halbleitermoduls gemäß der dritten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Das Halbleitermodul 210 der
dritten Ausführungsform
weist einen ähnlichen
Aufbau zu jenem der oben beschriebenen Ausführungsformen auf, ausgenommen
daß eine
Schaltplatine zwischen den Halbleitervorrichtungen 212 und
der Hülle 214 aufgenommen
wird. Die weitere Beschreibung wird durchgeführt mit der Konzentration auf
jene Komponenten, die unterschiedlich zu denen der vorstehenden
Ausführungsformen
sind.
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Das
Halbleitermodul 210 der vorliegenden Ausführungsform
nimmt die Schaltplatine 242 auf, die zwischen der Zwischenoberfläche (oberen
Oberfläche)
der Halbleitervorrichtung 212 gegenüber der Hauptoberfläche 220 und
dem Basisteil 230 der Hülle 214 vorgesehen
ist, und die Schaltplatine 242 ist über die Anschlüsse 226c elektrisch
mit der Halbleitervorrichtung 212 verbunden.
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Das
Halbleitermodul 210 weist ebenfalls einen externen Anschluß 244 für die elektrische
Verbindung der Platine 242 mit einer externen Schaltung (nicht
gezeigt) auf. Die Hülle 214 weist
ebenfalls ein anderes Durchgangsloch 246 für die Einführung des externen
Anschlusses 244 auf.
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Gemäß der vorliegenden
Ausführungsform ist
die Platine 242, die elektrisch mit der Halbleitervorrichtung 212 verbunden
ist, durch das Isolationsharzteil 234 geschützt.
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Ausführungsform 4
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4 ist
eine schematische Querschnittsansicht eines Halbleitermoduls gemäß der vierten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Das Halbleitermodul 310 der
vierten Ausführungsform
weist einen ähnlichen
Aufbau zu jenem der oben beschriebenen Ausführungsformen auf, ausgenommen
daß ein
Anschlußblock 348 auf
der Hülle 314 vorgesehen ist.
Die weitere Beschreibung wird durchgeführt mit Konzentration auf die
Komponenten, die unterschiedlich zu jenen der vorstehenden Ausführungsformen
sind.
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Wie
erwähnt
beinhaltet das Halbleitermodul 310 der vorliegenden Ausführungsform
den Anschlußblock 348,
der aus einer Anschlußblockbasis 350 der
Hülle 314 in
Verbindung mit dem Anschluß 326d der
Halbleitervorrichtung 312 zusammengesetzt ist. Die Anschlußblockbasis 350 beinhaltet
eine eingebaute Mutter 352, während der Anschluß 326d ein
Loch 354 zum Einführen
einer Schraube, die mit der Mutter 352 befestigt wird,
aufweist. Der Anschluß 326d ist
so gebogen, daß die
Mutter 352 und das Loch 354 koaxial angeordnet
sind und der Anschluß 326d auf
der Anschlußblockbasis 350 abgestützt ist. Dieser
Aufbau erleich tert die Befestigung des Stromanschlusses an dem Anschlußblock 348 und
das Abnehmen desselben davon.
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Verschiedene
Merkmale der vorliegenden Erfindung wurden oben mit vier Ausführungsformen der
Halbleitermodule beschrieben, von denen jede mit anderen Merkmalen
kombiniert werden kann und nicht immer unabhängig verwirklicht werden muß. Beispielsweise
kann das Halbleitermodul eine Mehrzahl der Halbleitervorrichtungen,
die Platine zwischen dem Basisteil der Hülle und den Halbleitervorrichtungen,
und den Anschlußblock
aufweisen. Ebenfalls würde
der Fachmann an andere Veränderungen
und Abwandlungen denken ohne von dem Umfang und dem Gedanken der
vorliegenden Erfindung abzuweichen, welcher die Sicherstellung des nötigen Isolations-Sicherheitsabstandes
und des nötigen
Kriechisolationsabstands ist.
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Beispielsweise
kann das Durchgangsloch so ausgebildet sein, daß die Außenfläche des Anschlusses die Innenwand
des Durchgangsloches kontaktiert. Wie in 5 veranschaulicht,
kann während
der Anschluß 426 einen
quadratischen Querschnitt mit einem Maß W haben kann, das Durchgangsloch 432 der
Hülle 414 eine
quadratische Öffnung
mit einem Maß W1
aufweisen, welches gleich dem Maß W des Anschlusses 426 ist,
was die Kontaktierung des Anschlusses 426 mit dem Durchgangsloch 432 erlaubt. Dies
erleichtert ebenfalls die Ausrichtung des Anschlusses 426 zu
der Hülle 414 und
verhindert ein Austreten des Isolationsharzes aus dem Durchgangsloch 432,
sogar wenn das Isolationsharz eine hohe Fließfähigkeit aufweist.
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Zusätzlich kann
das Durchgangsloch 432 so ausgelegt sein, daß der Querschnitt
desselben von der Halbleitervorrichtung hinweg sich verjüngt, d.h. sich
nach oben verjüngt.
Das sich verjüngende Durchgangsloch 432 dient
der Führung
des Anschlusses 426, indem das Einführen der Anschlüsse durch
es hindurch erleichtert wird.
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Wie
in 1 gezeigt, hat weiterhin die Hülle 14 vorzugsweise
die minimale Tiefe D, was es dem Isolationsharzteil 34 erlaubt,
gerade den Fuß 28 der Anschlüsse 26 zu
bedecken. Wenn die Hülle
so aufgebaut ist, daß das
Isolationsharzteil 34 die Halbleitervorrichtung bis zu
der Hauptoberfläche
vollständig umgibt,
wird eine größere Menge
des Isolationsharzes benötigt.
Somit wird die Tiefe D der Hülle 14 so eingestellt,
daß das
Isolationsharzteil 34, das den Fuß des Anschlusses bedeckt,
daran gehindert wird, überzulaufen,
wenn der Spalt mit dem Isolationsharzmaterial aufgefüllt wird.
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Bezug
nehmend auf 1 ist eine freiliegende Seitenflächenlänge S dort
definiert, wo die Seitenfläche
der Halbleitervorrichtung zu der umgebenden Atmosphäre frei
liegt. Die freiliegende Seitenflächenlänge S trägt zu dem
Kriechisolationsabstand L2 bei, da sie wirklich vorhanden ist. Sie
würde jedoch
nicht mehr den Kriechisolationsabstand L2 beeinflussen, wenn die
freiliegende Seitenflächenlänge S kleiner wäre als der
minimale Abstand desselben. Deshalb ist das Halbleitermodul vorzugsweise
so ausgelegt, daß die
freiliegende Seitenflächenlänge S dem
minimalen Abstand entspricht oder größer als dieser ist, um zu dem
Kriechisolationsabstand L2 beizutragen. Wenn, wie in 1 gezeigt,
in dieser Situation der Kühlkörper 16 in
Kontakt zu der Hauptoberfläche 20 eine
derartige Größe und Gestalt
aufweist, daß er dem
Isolationsharzteil 34 zwischen der Hülle 14 und der Packung 18 gegenüberliegt
zur Verbesserung der Abstrahleffizienz, kann die freiliegende Seitenflächenlänge S ebenfalls
zum Kriechisolationsabstand L2 beitragen. Wenn, unterschiedlich
zu dem Aufbau von 1, der Kühlkörper lediglich einen Abschnitt der
Hauptoberfläche
der Pac kung (nicht gezeigt) kontaktiert, statt der gesamten Hauptoberfläche, können der
Abstand des freiliegenden Abschnitts der Hauptoberfläche und
die freiliegende Seitenflächenlänge S in
Betracht gezogen werden zum Beeinflussen des Kriechisolationsabstandes
L2. Weiterhin kann die freiliegende Seitenflächenlänge S vorzugsweise auf den
minimalen Abstand oder größer als dieser
eingestellt werden als Beitrag zu dem Kriechisolationsabstand L2
zum Sicherstellen des Kriechisolationsabstands des Halbleitermoduls.
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Zusätzlich kann
die Hülle
ein Führungsteil zum
Führen
eines jeden der Anschlüsse
in das entsprechende der Durchgangslöcher aufweisen. 6 ist
eine perspektivische Ansicht der Hülle 514 einschließlich des
Führungsteils 560.
Die Hülle 514 weist
eine vertikale Wand 562 gegenüber der Seitenfläche der
aufzunehmenden Packung sowie ein Basisteil (Bodenteil) 564 auf.
Das Führungsteil
beinhaltet eine Mehrzahl von Durchgangslöchern in dem Basisteil 564,
eine Mehrzahl von Führungsabschnitten 566 mit
jeweils einer geneigten Oberfläche,
die zwischen der vertikalen Wand 562 und dem Basisteil 564 ausgebildet
sind zum Führen
der Anschlüsse
in die Durchgangslöcher
und eine Mehrzahl von Begrenzungsabschnitten 570, die zwischen
benachbarten Zweien der Führungsabschnitte 566 ausgebildet sind
und von denen jeder eine erhöhte
Oberfläche gegenüber den
benachbarten geneigten Oberflächen aufweist.
Dies erleichtert das Einführen
der Anschlüsse
in die Durchgangslöcher,
wenn die Halbleitervorrichtung in die Hülle aufgenommen wird.
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Wie
in 7 veranschaulicht, kann die Hülle 614 weiterhin
eine Öffnung 672 in
dem Basisteil 630 aufweisen, solange die Füße 628 der
Anschlüsse 626 mit
dem Isolationsharzteil 634 bedeckt sind und die Anschlüsse 626,
die teilweise der Atmosphäre ausgesetzt
sind, entfernt von dem Kühlkörper 616 angeordnet sind
(d.h. sich die Anschlüsse
in der Richtung entgegengesetzt zu dem Kühlkörper erstrecken). Dieser Aufbau
kann ebenfalls hinreichend einen Isolations-Sicherheitsabstand und
einen Kriechisolationsabstand sicherstellen. Die Öffnung 672 spart
Material, das die Hülle 614 bildet,
ein.