DE102004060579A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Steuern von Auffrischzyklen eines Mehrzyklusauffrischschemas bei einem dynamischen Speicher - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Steuern von Auffrischzyklen eines Mehrzyklusauffrischschemas bei einem dynamischen Speicher Download PDF

Info

Publication number
DE102004060579A1
DE102004060579A1 DE102004060579A DE102004060579A DE102004060579A1 DE 102004060579 A1 DE102004060579 A1 DE 102004060579A1 DE 102004060579 A DE102004060579 A DE 102004060579A DE 102004060579 A DE102004060579 A DE 102004060579A DE 102004060579 A1 DE102004060579 A1 DE 102004060579A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
refresh
cycles
command
internal
response
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102004060579A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102004060579B4 (de
Inventor
Joonho Kim
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Polaris Innovations Ltd
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of DE102004060579A1 publication Critical patent/DE102004060579A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102004060579B4 publication Critical patent/DE102004060579B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/12015Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details comprising clock generation or timing circuitry
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/406Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/406Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
    • G11C11/40611External triggering or timing of internal or partially internal refresh operations, e.g. auto-refresh or CAS-before-RAS triggered refresh
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/02Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
    • G11C29/028Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters with adaption or trimming of parameters
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/50Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/50Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
    • G11C29/50016Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing of retention
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C2211/00Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C2211/401Indexing scheme relating to cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C2211/406Refreshing of dynamic cells
    • G11C2211/4061Calibration or ate or cycle tuning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Auffrischoperation eines Bauelements, das ein Mehrauffrischzyklusschema verwendet, gesteuert. Das Auffrischschema, das durch das Bauelement verwendet wird, führt eine Mehrzahl von Auffrischzyklen einer vorbestimmten Menge ansprechend auf einen Befehl durch, der eine Auffrischopertion einleitet, um eine Datenspeicherung aufrechzuerhalten. Die vorliegende Erfindung umfasst einen Modusgenerator, der Informationen bezüglich einer gewünschten Menge von Auffrischzyklen liefert, die ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl durchzuführen sind, und eine Auffrischaktivierungseinheit, die das Bauelement steuert, um die gewünschte Menge von Auffrischzyklen innerhalb des Auffrischschemas ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl durchzuführen.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf dynamische Direktzugriffsspeicher (DRAM). Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine Auffrischsteuereinheit für dynamische Direktzugriffsspeicher, die die Menge von Auffrischzyklen steuert, die bei einem Mehrauffrischzyklusschema für einen Auffrischbefehl durchgeführt werden.
  • Im Allgemeinen umfasst ein dynamischer Direktzugriffsspeicher (DRAM) eine Mehrzahl von Speicherzellen, die jede einen oder mehr Transistoren und einen Datenspeicherkondensator umfassen. Die Zellen sind normalerweise in eine oder mehr Speicherbände angeordnet, wobei jede Bank in der Form einer Matrix von Zeilen und Spalten vorliegt. Da die jeweiligen Ladungen der Zellen lecken können, müssen die Speicherzellen periodisch aufgefrischt werden, um einen Datenverlust zu verhindern. Eine Auffrischoperation wählt normalerweise basierend auf dem Inhalt eines Auffrischadresszählers eine Wortleitung oder eine Zeile aus, wobei die Speicherzellen, die mit der ausgewählten Wortleitung verbunden sind, aufgefrischt werden. Die Auffrischoperation kann durch einen Autoauffrisch- oder automatisch erzeugten Auffrischbefehl eingeleitet werden. Dieser Befehl kann intern (z. B. interne Speichersteuerung usw.) oder durch eine externe Quelle (z. B. Ste5uerung, Prozessor usw.) erzeugt werden und ist einer bestimmten Menge von aufzufrischenden Speicherzeilen oder Wortleitungen zugeordnet.
  • Ein Einzyklusauffrischschema wird im allgemeinen angewendet, wo ansprechend auf einen Autoauffrischbefehl nur eine Zeile oder Wortleitung aufgefrischt wird (z. B. ein Auffrischzyklus stattfindet). Bei einigen dynamischen Speicherbauelementen muss jedoch eine größere Anzahl von Zei lenadressen ansprechend auf einen Autoauffrischbefehl aufgefrischt werden als diejenige, die durch den entsprechenden Befehlauffrischzyklus aufgenommen ist. Um die Auffrischanforderungen zu erfüllen, kann mit einem Autoauffrischbefehl auf mehrere Zeilenadressen zugegriffen werden. Auf die mehreren Adressen kann parallel oder auf eine aufeinander folgende Weise zugegriffen werden. Bezüglich des aufeinander folgenden Zugriffs werden ein oder mehr interne Auffrischbefehle ansprechend auf den Anfangsautoauffrischbefehl erzeugt, um aufeinander folgende Auffrischoperationen automatisch durchzuführen.
  • Ein Beispiel eines herkömmlichen dynamischen Speicherbauelements, das ein Zweizyklusauffrischschema verwendet, ist in 1 veranschaulicht. Insbesondere umfasst das dynamische Speicherbauelement eine Zustandsmaschine 10, einen Zeilensteuerblock 20, einen internen Auffrischbefehlsgenerator 30, eine Auffrischsteuerschaltung 32 und eine oder mehr Speicherbänke 34, jeweils mit entsprechenden Zeilend- und Spaltendecodierern 36, 38. Die Zustandsmaschine dient grundsätzlich als ein Anweisungsdecodierer und empfängt einen Autoauffrischbefehl. Dieser Befehl kann intern erzeugt werden (z. B. durch einen Testmodusgenerator, eine Speichersteuerung usw.) oder von einer externen Quelle empfangen werden (z. B. einem Prozessor, der das Speicherbauelement verwendet, einer Steuerung usw.). Die Zustandsmaschine ist mit dem Zeilensteuerblock 20 und dem internen Auffrischbefehlsgenerator 30 gekoppelt und liefert ein Auffrischsignal (REFRESH) in einem aktiven oder Hochlogikpegelzustand an diese Bauelemente ansprechend auf ein Decodieren eines Autoauffrischbefehls. Der Zeilensteuerblock erzeugt ein Zeilenauffrischsignal (ROW_ACT_PCG) in einem aktiven oder Hochlogikpegelzustand, das an die Auffrischschaltung 32 geliefert wird, um das Auffrischen einer entsprechenden Wortleitung oder Zeile in einer oder mehr Speicherbänken 34 zu ermöglichen. Der Zeilendecodierer 36 greift auf eine Zeile in der zugeordneten Speicherbank, die einer empfangenen Adresse entspricht, zu. Die empfangene Adresse kann eine Auffrischadresse für eine Auffrischoperation oder eine Adresse eines gewünschten Speicherorts für eine Lese- und/oder Schreiboperation sein. Der Spaltendecodierer 38 greift für die Lese- und/oder Schreiboperation in einer ähnlichen Weise auf eine Spalte in der zugeordneten Speicherbank, die einer empfangenen Adresse entspricht, zu. Die Auffrischsteuerschaltung umfasst normalerweise einen Auffrischadresszähler 33, um die Adresse der entsprechenden Wortleitung oder Zeile an die Zeilendecodierer 36 der geeigneten Speicherbänke zu liefern, um eine Auffrischung dieser Zeile zu erreichen.
  • Der interne Auffrischbefehlsgenerator erzeugt einen internen Auffrischbefehl, um den zweiten Auffrischzyklus für den Autoauffrischbefehl einzuleiten, um eine zusätzliche Speicherzeile oder Wortleitung aufzufrischen, wie es im Folgenden beschrieben ist. Die oben genannten Bauelemente sind normalerweise durch herkömmliche Komponenten implementiert (z. B. Schaltungsanordnung, Decodierer, Zustandsmaschinen, Logik, Prozessoren usw.). Für Beispiele für herkömmliche Dynamische-Direktzugriffsspeicherbauelement-Konfigurationen sei verwiesen auf die U.S.-Patente Nr. 6,373,769 (Kiehl u. a.) , 6, 603, 694 (Frankowsky u. a.) und 6, 614, 704 (Dobler u. a.), deren Offenbarungen hier durch Bezugnahme in ihrer Gesamtheit aufgenommen sind.
  • Die Operation des dynamischen Speicherbauelements ist mit Bezug auf das Zeitdiagramm, das in 2 veranschaulicht ist, beschrieben. Im einzelnen empfängt die Zustandsmaschine 10 (1) einen externen Autoauffrischbefehl (REF) und erzeugt einen positiven Puls oder aktiviert ein Auffrischsignal (REFRESH), um einen Anfangsauffrischzyklus zu beginnen. Das Auffrischsignal wird an den Zeilensteuerblock 20 und den internen Befehlsgenerator 30 geliefert. Das aktive Auffrischsignal aktiviert den internen Auffrischbefehlsgenerator und aktiviert ferner den Zeilensteuerblock, um ein Zeilenauffrischsignal (ROW_ACT_PCG) in einem aktiven oder Hochlogikpegelzustand zu erzeugen. Das aktive Zeilenauf frischsignal leitet den ersten Auffrischzyklus ein und aktiviert die Auffrischsteuerschaltung 32, eine zugeordnete Speicherzeile oder Wortleitung aufzufrischen. Die Wortleitung wird für ein bestimmtes Zeitintervall oder eine – verzögerung (tRAS) aktiviert, das bzw. die normalerweise durch einen internen Zeitgeber überwacht wird. Nach dem Aktivierungszeitintervall (tRAS) tritt das Zeilenauffrischsignal (ROW_ACT_PCG) automatisch in einen Vorlade- oder Niedriglogikpegelzustand ein.
  • Das Zeilenauffrischsignal (ROW_ACT_PCG) wird ferner an den internen Auffrischbefehlsgenerator 30 geliefert, wo die abfallende Flanke des Zeilenauffrischsignals den internen Befehlsgenerator aktiviert, um einen positiven Puls oder ein internes Auffrischsignal (REF_INT) in einem aktiven oder Hochlogikpegelzustand zu erzeugen. Das interne Auffrischsignal wird automatisch nach einem weiteren Zeitintervall oder einer -verzögerung (tRP) erzeugt, um einen zweiten Auffrischzyklus einzuleiten. Dieses Zeitintervall stellt die Verzögerung dar, die zwischen aufeinander folgenden Aktivierungen von Wortleitungen benötigt wird, und wird normalerweise durch einen zweiten internen Zeitgeber überwacht.
  • Der Zeilensteuerblock empfängt das aktive interne Auffrischsignal (REF_INT) und aktiviert das Zeilenauffrischsignal (ROW_ACT_PCG) auf einen Hochlogikpegelzustand, um eine Auffrischoperation bei einer nachfolgenden Speicherzeile oder Wortleitung einzuleiten, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist. Der interne Auffrischbefehlsgenerator wird ansprechend auf das aktive interne Auffrischsignal deaktiviert, da der Autoauffrischbefehl einen ersten Auffrischzyklus einleitet und der interne Auffrischbefehl den zweiten Auffrischzyklus einleitet.
  • Das Zeilenauffrischsignal (ROW_ACT_PCG) tritt nach einer Zeitverzögerung (tRAS) automatisch in einen Vorlade- oder Niedriglogikpegelzustand ein, wie es im Vorhergehenden be schrieben ist. Die abfallende Flanke des Zeilenauffrischsignals ermöglicht jedoch nicht die Aktivierung des internen Auffrischsignals (REF_INT), da der interne Befehlsgenerator deaktiviert ist. Folglich ist die Auffrischoperation abgeschlossen, wo zwei Auffrischzyklen ansprechend auf einen Autoauffrischbefehl durchgeführt sind. Für ein Beispiel für ein Mehrzyklusauffrischschema bei einem dynamischen Direktzugriffsspeicherbauelement sei verwiesen auf das U.S.-Patent Nr. 5,566,119 (Matano), dessen Offenbarung hier durch Bezugnahme in ihrer Gesamtheit aufgenommen ist.
  • Das Mehrzyklusauffrischschema, das im Vorhergehenden beschrieben ist, weist eine Schwierigkeit beim Aufnehmen von Testverfahren auf, die Einzyklusauffrischschemata verwenden, da die aufeinander folgenden Zeilenaktivierungen automatisch erfolgen. Im Allgemeinen aktiviert ein Autoauffrischbefehl eine größere Anzahl von Wortleitungen als ein aktiver Zeilenbefehl. Somit verwenden einige Testverfahren den Autoauffrischbefehl anstelle eines aktiven Zeilenbefehls für eine Wortleitungsaktivierung, um eine verbesserte Testeffizienz zu erreichen. Um den Autoauffrischbefehl in der Weise eines normalen aktiven Zeilenbefehls zu verwenden, sollte die aktive und vorgeladene Zeitgebung extern gesteuert sein. Der Autoauffrischbefehl aktiviert jedoch immer den internen Auffrischbefehlsgenerator bei dem Mehrzyklusauffrischschema, das im Vorhergehenden beschrieben ist, wodurch eine Steuerung der aktiven Zeitgebung aufeinander folgender Reihen ausgeschlossen ist. Somit sind früher entwickelte effiziente Testverfahren im Allgemeinen nicht kompatibel mit dem Mehrzyklusautoauffrischschema, oder ihre Verwendung bei derartigen Schemata ist sehr komplex.
  • Die vorliegende Erfindung schafft eine Art und Weise, um die Menge von Auffrischzyklen bei einem Mehrzyklusauffrischschema zu steuern, und kann verwendet werden, um die im Vorhergehenden erwähnten Probleme zu vermindern.
  • Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung, ein Verfahren und ein Bauelement mit verbesserten Charakteristika zu schaffen.
  • Diese Aufgabe wird durch eine Vorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 9, ein Verfahren gemäß Anspruch 17 oder 41 sowie ein Bauelement gemäß Anspruch 25 oder 33 gelöst.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst ein dynamisches Speicherbauelement, das ein Mehrzyklusauffrischschema verwendet, einen Auffrischzyklussteuerblock, um die Menge von Auffrischzyklen, die ansprechend auf einen Autoauffrischbefehl durchgeführt werden, selektiv zu steuern. Der Auffrischzyklussteuerblock steuert die Erzeugung und/oder die Durchführung von intern erzeugten Auffrischbefehlen, wodurch die Menge oder die Anzahl von Auffrischzyklen, die für den Autoauffrischbefehl durchgeführt werden, gesteuert wird.
  • Die vorliegende Erfindung liefert mehrere Vorteile. Insbesondere steuert die vorliegende Erfindung die Erzeugung von internen Auffrischzyklen. Dies ermöglicht es, dass die vorliegende Erfindung ein Mehrauffrischzyklusschema in einem Testmodus deaktiviert, wo eine Testprozedur einen einzigen Auffrischzyklus ansprechend auf einen Autoauffrischbefehl erfordert. Die vorliegende Erfindung ermöglicht eine Verwendung von Testverfahren, die einen Autoauffrischbefehl verwenden, unabhängig von dem verwendeten Auffrischzyklusschema. Außerdem maximiert die vorliegende Erfindung die Funktionssicherheit des Speicherbauelements für diese Testverfahren.
  • Die oben genannten und auch weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden bei der Betrachtung der folgenden detaillierten Beschreibung von spezifischen Ausführungsbeispielen derselben ersichtlich, besonders im Zusammenhang mit den beiliegenden Zeichnungen, wobei gleiche Bezugszeichen in den verschiedenen Figuren verwendet sind, um gleiche Komponenten zu bezeichnen. Es zeigen:
  • 1 ein Blockdiagramm eines herkömmlichen dynamischen Speicherbauelements, das ein Zweizyklusauffrischschema verwendet;
  • 2 eine graphische Darstellung eines Signalzeitdiagramms für das Bauelement von 1;
  • 3 ein Blockdiagramm eines dynamischen Speicherbauelements, das eine Steuerung von Auffrischzyklen bei einem Mehrzyklusauffrischschema gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet;
  • 4 eine graphische Darstellung eines Signalzeitdiagramms des Speicherbauelements von 3;
  • 5 ein Blockdiagramm eines alternativen Ausführungsbeispiels eines dynamischen Speicherbauelements, das eine Steuerung von Auffrischzyklen bei einem Mehrauffrischzyklusschema gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet; und
  • 6 eine graphische Darstellung eines Signalzeitdiagramms des Speicherbauelements von 5.
  • Die vorliegende Erfindung ermöglicht eine selektive Steuerung der Menge von Auffrischzyklen, die ansprechend auf einen Autoauffrischbefehl innerhalb eines dynamischen Speicherbauelements (z. B. eines dynamischen Direktzugriffsspeichers (DRAM)) durchgeführt werden. Die Steuerung ist bevorzugt bei einem Speichertestmodus und gemäß den Zwecken von Speichertests implementiert. Ein exemplarisches dynamisches Speicherbauelement, das gemäß der vorliegenden Erfindung eine Steuerung der Menge von Auffrischzyklen verwendet, die ansprechend auf einen Autoauffrischbefehl durchgeführt werden, ist in 3 veranschaulicht. Im einzelnen umfasst das dynamische Speicherbauelement eine Zustandsmaschine 10, einen Zeilensteuerblock 20, einen internen Auffrischbefehlsgenerator 30, eine Auffrischsteuerschaltung 32 und eine oder mehr Speicherbänke 34, jeweils mit entsprechenden Zeilen- und Spaltendecodierern 36, 38. Diese Komponenten sind im Wesentlichen den Komponenten, die im Vorhergehenden mit Bezug auf 1 beschrieben sind, ähnlich. Um die Menge von Auffrischzyklen selektiv zu steuern, umfasst das Speicherbauelement ferner einen Auffrischzyklussteuerblock 40. Die Zustandsmaschine 10 ist mit dem Zeilensteuerblock 20 und dem Auffrischzyklussteuerblock 40 gekoppelt und decodiert Anweisungen für den Speicher, die intern (z. B. durch einen Testmodusgenerator, eine Speichersteuerung usw.) erzeugt oder von einer externen Quelle (z. B. einem externen Prozessor, einer Steuerung usw.) empfangen werden können. Die Zustandsmaschine erzeugt einen positiven Puls oder ein Auffrischsignal (REFRESH) in einem aktiven oder Hochlogikpegelzustand ansprechend auf das Decodieren eines Autoauffrischbefehls, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist. Das Auffrischsignal wird an den Zeilensteuerblock 20 und den Auffrischzyklussteuerblock 40 geliefert.
  • Der Zeilensteuerblock ist ferner mit dem internen Auffrischbefehlsgenerator 30 gekoppelt und empfängt ein Auffrisch- (REFRESH) und ein internes Auffrischsignal (REF_INT), wie es im Vorhergehenden beschrieben ist. Der Zeilensteuerblock erzeugt ein Zeilenauffrischsignal (ROW_ACT_PCG) in einem aktiven oder Hochlogikpegelzustand ansprechend auf ein aktives Auffrisch- oder ein internes Auffrischsignal (z. B. ansprechend auf einen Auffrisch- oder einen internen Auffrischbefehl). Das Zeilenauffrischsignal wird an die Auffrischsteuerschaltung 32 geliefert. Das aktive Zeilenauffrischsignal aktiviert die Auffrischsteuerschaltung, um ein Auffrischen einer entsprechenden Wortleitung oder Zeile in einer oder mehr Speicherbänken 34 einzuleiten, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist. Grundsätzlich greift der Zeilendecodierer 36 auf eine Zeile in der zugeordneten Speicherbank zu, die einer empfangenen Adresse entspricht. Die empfangene Adresse kann eine Auffrischadresse für eine Auffrischoperation oder eine Adresse eines gewünschten Speicherorts für eine Speicherlese- und/oder -schreiboperation sein. Der Spaltendecodierer 38 greift in ähnlicher Weise auf eine Spalte in der zugeordneten Speicherbank zu, die einer empfangenen Adresse für die Lese- und/oder Schreiboperation entspricht. Die Auffrischsteuerschaltung umfasst normalerweise einen Auffrischadresszähler 33, um die Adresse der entsprechenden Wortleitung oder Zeile an die Zeilendecodierer 36 der geeigneten Speicherbänke zu liefern, um eine Auffrischung dieser Zeile zu erreichen.
  • Das Zeilenauffrischsignal (ROW_ACT_PCG) wird ferner an den internen Auffrischbefehlsgenerator 30 geliefert, wo das aktive Zeilenauffrischsignal den internen Auffrischbefehlsgenerator aktiviert, um interne Auffrischbefehle zu erzeugen. Diese Befehle leiten mehrere Auffrischzyklen für den Autoauffrischbefehl ein, um mehrere Speicherzeilen oder Wortleitungen aufzufrischen, wie es im Folgenden beschrieben ist. Der interne Befehlsgenerator umfasst einen Auffrischzykluszähler 31, der die Menge von durchgeführten Auffrischzyklen verfolgt. Der Zähler wird ansprechend auf jeden Autoauffrischbefehl rückgesetzt und wird basierend auf der Erzeugung jedes internen Auffrischbefehls inkrementiert. Wenn die gewünschte Menge von Auffrischzyklen erreicht ist, wie es durch den Auffrischzykluszähler bestimmt wird, wird der interne Befehlsgenerator deaktiviert, um weitere Auffrischzyklen zu verhindern.
  • Der interne Auffrischbefehlsgenerator ist ferner mit dem Auffrischzyklussteuerblock 40 gekoppelt. Der Auffrischzyklussteuerblock erzeugt ein internes Auffrischaktivierungssignal (IRC_ENA), um die Erzeugung der internen Auffrischbefehle durch den internen Auffrischbefehlsgenerator zu steuern. Der Auffrischzyklussteuerblock umfasst einen Testmodusgenerator 50 und eine Logik 60. Der Testmodusgenerator ist bevorzugt durch herkömmliche Komponenten (z.B. einen Speicher, eine Schaltungsanordnung, einen Prozessor usw.) implementiert und umfasst Informationen, um bestimmte Speichertests durchzuführen. In diesem Fall liefert der Testmodusgenerator Informationen bezüglich der Menge von Auffrischzyklen, die während entsprechender Tests und/oder einer Speicherbauelementoperation durchzuführen sind. Der Testmodusgenerator erzeugt ein Testmodusauffrischsignal (TM_IRC_DIS), das an die Logik 60 geliefert wird. Die Logik empfängt ferner das Auffrischsignal (REFRESH), das durch die Zustandsmaschine 10 erzeugt wird, und erzeugt das interne Auffrischaktivierungssignal (IRC_ENA), das an den internen Auffrischbefehlsgenerator geliefert wird. Die Logik 60 umfasst einen invertierten Eingang bezüglich dem Testmodusauffrischsignal (TM_IRC_DIS); die Logik kann jedoch alle beliebigen Eingänge in invertierten oder nicht-invertierten Zuständen umfassen. Die Logik 60 ist bevorzugt in der Form einer UND-Typ-Logik implementiert und kann durch beliebige herkömmliche oder andere Logikbauelemente implementiert sein (z.B. Gatter, Transistoren, Schaltungsanordnung, Prozessor usw.).
  • Wenn das Testmodusauffrischsignal (TM_IRC_DIS) aktiv oder in einem Hochlogikpegelzustand ist, um eine einzige Auffrischzyklusoperation anzuzeigen, wird folglich ein Niedriglogikpegelsignal an dem invertierten Eingang der Logik 60 empfangen. Ansprechend auf das Niedriglogikpegeleingangssignal erzeugt die Logik 60 ein internes Niedriglogikpegelauffrischaktivierungssignal (IRC_ENA), das den internen Auffrischbefehlsgenerator 30 deaktiviert, um die Erzeugung interner Auffrischbefehle zu verhindern, wodurch das Speicherbauelement auf einen einzigen Auffrischzyklus für einen Autoauffrischbefehl beschränkt wird. In dem Fall, dass das Mehrauffrischzyklusschema für einen Test oder eine Speicherbauelementoperation gewünscht ist, erzeugt der Testmodusgenerator das Testmodusauffrischsignal (TM_IRC_DIS) in einem Niedriglogikpegel- oder deaktivierten Zustand. Dies erzeugt ein aktives oder Hochlogikpegelsignal an dem invertierten Eingang der Logik 60. Die Logik 60 er zeugt ein internes aktives oder Hochlogikpegelauffrischaktivierungssignal (IRC_ENA), um den internen Auffrischbefehlsgenerator ansprechend auf ein aktives Auffrischsignal (REFRESH), das durch die Zustandsmaschine 10 erzeugt wird, zu aktivieren. In diesem Fall ist das Mehrzyklusauffrischschema wirksam, um mehrere Auffrischzyklen für einen Autoauffrischbefehl durchzuführen, wie es im Folgenden beschrieben ist.
  • Die Operation des dynamischen Speicherbauelements gemäß der vorliegenden Erfindung ist mit Bezugnahme auf das Zeitdiagramm, das in 4 veranschaulicht ist, beschrieben. Nur als Beispiel ist die Speicherbauelementoperation bezüglich eines Zweizyklusauffrischschemas beschrieben. Das dynamische Speicherbauelement kann jedoch eine beliebige Menge von Auffrischzyklen für einen Autoauffrischbefehl verwenden. Anfangs kann das dynamische Speicherbauelement einen oder mehr Testmodusgeneratoren 50 (3) umfassen, von denen jeder Informationen liefert, die einem bestimmten Test entsprechen. Die Testmodusgeneratoren können in einer beliebigen Weise kombiniert sein, um Informationen zu liefern, um einen gewünschten Test durchzuführen. Der Testmodusgenerator 50 ist der Menge von Auffrischzyklen, die ansprechend auf einen Autoauffrischbefehl durchgeführt werden, zugeordnet und kann in Kombination mit einer beliebigen Menge anderer Testmodusgeneratoren verwendet werden, um einen bestimmten Test durchzuführen.
  • Bezüglich eines Tests, der ein Einzyklusauffrischschema verwendet (das z.B. in 4 zu der Zeit t0 startet), wird ein Testmoduseintragsbefehl (TMent) empfangen, und der Testmodusgenerator erzeugt das Testmodusauffrischsignal (TM_IRC_DIS) in einem aktiven oder Hochlogikpegelzustand. Dieses Signal wird an dem Eingang der Logik 60 invertiert, wodurch ein Niedriglogikpegelsignal an dem invertierten Logikeingang erzeugt wird. Die Zustandsmaschine 10 empfängt einen externen Autoauffrischbefehl (REF) und erzeugt einen positiven Puls oder ein Hochlogikpegelauffrischsignal (REFRESH), um einen Auffrischzyklus zu beginnen. Das Auffrischsignal wird an den Zeilensteuerblock 20 und die Logik 60 geliefert. Da die Logik 60 eine UND-Typ-Logik umfasst, ergibt das Niedriglogikpegelsignal an dem invertierten Logikeingang (z.B. wird das Hochlogikpegelsignal TM_IRC_DIS an dem Logikeingang invertiert, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist) ein internes Auffrischaktivierungssignal (IRC_ENA) in einem Niedriglogikpegel- oder deaktivierten Zustand. Dies deaktiviert den internen Auffrischbefehlsgenerator und verhindert die Erzeugung von internen Auffrischbefehlen.
  • Der Zeilensteuerblock empfängt das aktive Auffrischsignal (REFRESH) und erzeugt ein Zeilenauffrischsignal (ROW_ACT_PCG) in einem aktiven oder Hochlogikpegelzustand, um einen Auffrischzyklus einzuleiten und die Auffrischsteuerschaltung 32 zu aktivieren, um eine zugeordnete Speicherzeile oder Wortleitung aufzufrischen. Die Wortleitung wird für ein bestimmtes Zeitintervall oder eine -verzögerung (tRAS) aktiviert, das bzw. die normalerweise durch einen internen Zeitgeber überwacht wird, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist. Nach dem Aktivierungszeitintervall (tRAS) tritt das Zeilenauffrischsignal (ROW_ACT_PCG) automatisch in einen Vorlade- oder Niedriglogikpegelzustand ein.
  • Das Zeilenauffrischsignal (ROW_ACT_PCG) wird ferner an den internen Befehlsgenerator 30 geliefert, wo die abfallende Flanke des Zeilenauffrischsignals normalerweise den internen Befehlsgenerator aktiviert, um einen positiven Puls oder ein internes Auffrischsignal (REF_INT) in einem aktiven oder Hochlogikpegelzustand zu erzeugen. Da der interne Auffrischbefehlsgenerator durch das interne Auffrischaktivierungssignal (IRC_ENA), das durch den Auffrischzyklussteuerblock 40 erzeugt wird, deaktiviert wird, erzeugt der interne Auffrischbefehlsgenerator jedoch keinen internen Auffrischbefehl (z.B. erzeugt derselbe kein internes Hochlogikpegelauffrischsignal (REF_INT)), um einen nachfolgenden Auffrischzyklus einzuleiten. Somit wird ein Auffrischzyklus ansprechend auf einen Autoauffrischbefehl durchgeführt, und der Testmodus kann auf den Empfang eines Testmodusbeendungsbefehls (TMext) hin beendet werden.
  • Wenn ein Mehrauffrischzyklusschema für eine Operation oder ein Testen gewünscht ist (das z.B. in 4 zu einer Zeit t1 startet), erzeugt der Testmodusgenerator 50 das Testmodusauffrischsignal (TM_IRC_DIS) in einem Niedriglogikpegel- oder deaktivierten Zustand. Dieses Signal wird an dem Eingang der Logik 60 invertiert, wodurch ein aktives oder Hochlogikpegelsignal an dem invertierten Logikeingang erzeugt wird. Die Zustandsmaschine 10 empfängt einen externen Autoauffrischbefehl (REF) und erzeugt einen positiven Puls oder ein aktives oder Hochlogikpegelauffrischsignal (REFRESH), um einen Auffrischzyklus zu beginnen. Das Auffrischsignal wird an den Zeilensteuerblock 20 und die Logik 60 geliefert. Da die Logik 60 eine UND-Typ-Logik umfasst, ergibt das Hochlogikpegelsignal an dem invertierten Logikeingang (z.B. wird das Niedriglogikpegelsignal TM_IRC_DIS an dem Logikeingang invertiert, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist) ein internes Auffrischaktivierungssignal (IRC_ENA), das dem Auffrischsignal folgt. In anderen Worten erzeugt die Logik ein Hochlogikpegelsignal ansprechend auf einen Autoauffrischbefehl. Das aktive interne Auffrischaktivierungssignal (IRC_ENA) aktiviert den internen Auffrischbefehlsgenerator, um den Auffrischzykluszähler 31 rückzusetzen und interne Auffrischbefehle zu erzeugen, wie es im Folgenden beschrieben ist. Somit wird der interne Auffrischbefehlsgenerator 30 ansprechend auf einen Autoauffrischbefehl aktiviert, um mehrere Auffrischzyklen durchzuführen.
  • Der Zeilensteuerblock empfängt das aktive Auffrischsignal und erzeugt ein Zeilenauffrischsignal (ROW_ACT_PCG) in einem aktiven oder Hochlogikpegelzustand, um den ersten Auffrischzyklus einzuleiten und die Auffrischsteuerschaltung 32 zu aktivieren, um eine zugeordnete Speicherzeile oder Wortleitung aufzufrischen. Die Wortleitung wird für ein be stimmtes Zeitintervall oder eine -verzögerung (tRAS) aktiviert, das bzw. die normalerweise durch einen internen Zeitgeber überwacht wird, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist. Nach dem Aktivierungszeitintervall (tRAS) tritt das Zeilenauffrischsignal automatisch in einen Vorlade- oder Niedriglogikpegelzustand ein.
  • Das Zeilenauffrischsignal (ROW_ACT_PCG) wird ferner an den internen Befehlsgenerator 30 geliefert, wo die abfallende Flanke des Zeilenauffrischsignals den internen Befehlsgenerator aktiviert, um den Auffrischzykluszähler 31 zu inkrementieren und einen positiven Puls oder ein internes Auffrischsignal (REF_INT) in einem aktiven oder Hochlogikpegelzustand zu erzeugen. Das interne Auffrischsignal wird automatisch nach einem weiteren Zeitintervall oder einer – verzögerung (tRP) erzeugt, um einen zweiten Auffrischzyklus einzuleiten. Dieses Zeitintervall stellt die Verzögerung dar, die zwischen aufeinanderfolgenden Aktivierungen von Wortleitungen benötigt wird, und wird normalerweise durch einen zweiten internen Zeitgeber überwacht, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist.
  • Der Zeilensteuerblock empfängt das aktive interne Auffrischsignal (REF_INT) und erzeugt das Zeilenauffrischsignal (ROW_ACT_PCG)in einem aktiven oder Hochlogikpegelzustand, um eine Auffrischoperation bei einer nachfolgenden Speicherzeile oder Wortleitung einzuleiten, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist. Der interne Auffrischbefehlsgenerator wird ansprechend auf die geeignete Menge von erzeugten aktiven internen Auffrischsignalen (z.B. wie es durch den Auffrischzykluszähler angezeigt ist) deaktiviert, um die gewünschte Anzahl von Auffrischzyklen für einen Autoauffrischbefehl zu ermöglichen. Bei diesem Beispiel eines Zweiauffrischzyklusschemas wird der interne Befehlsgenerator ansprechend auf das erste aktive interne Auffrischsignal deaktiviert, da der Autoauffrischbefehl einen ersten Auffrischzyklus einleitet und der interne Auffrischbefehl den zweiten Auffrischzyklus einleitet.
  • Das Zeilenauffrischsignal (ROW_ACT_PCG) tritt nach einer Zeitverzögerung (tRAS) automatisch in einen Vorlade- oder Niedriglogikpegelzustand ein, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist. Die abfallende Flanke des Zeilenauffrischsignals ermöglicht jedoch nicht die Aktivierung des internen Auffrischsignals (REF_INT), da der interne Befehlsgenerator deaktiviert ist. Folglich ist die Auffrischoperation abgeschlossen, wo zwei Auffrischzyklen ansprechend auf einen Autoauffrischbefehl durchgeführt sind.
  • Das im Vorhergehenden erwähnte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung kann für eine beliebige Menge von Auffrischzyklen bei einem Mehrzyklusauffrischschema in im Wesentlichen der gleichen Weise wie oben beschrieben verwendet werden, und aktiviert oder deaktiviert grundsätzlich eine Durchführung von mehreren Auffrischzyklen für einen Autoauffrischbefehl. Wenn z.B. N Auffrischzyklen für einen Autoauffrischbefehl durchgeführt werden, aktiviert das oben beschriebene Ausführungsbeispiel eine Auswahl eines einzigen Auffrischzyklus oder von N Auffrischzyklen, die für einen Autoauffrischbefehl durchzuführen sind. Ein alternatives Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung aktiviert die Auswahl einer beliebigen Menge von Auffrischzyklen innerhalb des Bereichs eines Mehrzyklusauffrischschemas, die für einen Autoauffrischbefehl durchzuführen sind. Falls beispielsweise ein Mehrauffrischschema M Auffrischzyklen für einen Autoauffrischbefehl umfasst, aktiviert das alternative Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung die Auswahl einer beliebigen Menge von Auffrischzyklen für einen Autoauffrischbefehl in dem Bereich von 1 bis M.
  • Ein exemplarisches dynamisches Speicherbauelement, das eine Steuerung der Menge von Auffrischzyklen in dem Bereich eines Mehrauffrischzyklusschemas gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet, ist in 5 veranschaulicht. Im Einzelnen umfasst das dynamische Speicherbauelement eine Zustandsmaschine 10, einen Zeilensteuerblock 20, einen inter nen Auffrischbefehlsgenerator 30, eine Auffrischsteuerschaltung 32 und eine oder mehr Speicherbanken 34, jeweils mit entsprechenden Zeilen- und Spaltendecodierern 36, 38. Diese Bauelemente sind im Wesentlichen den entsprechenden Bauelementen, die im Vorhergehenden beschrieben sind, ähnlich. Um die Menge von Auffrischzyklen selektiv zu steuern, umfasst das Speicherbauelement ferner einen Auffrischzyklussteuerblock 45. Die Zustandsmaschine 10 ist mit dem Zeilensteuerblock 20 und dem internen Auffrischbefehlsgenerator 30 gekoppelt und decodiert Anweisungen für den Speicher, die intern erzeugt (z.B. durch einen Testmodusgenerator, eine Speichersteuerung usw.) oder von einer externen Quelle (z.B. einem externen Prozessor, einer Steuerung usw.) empfangen werden können, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist. Die Zustandsmaschine erzeugt einen positiven Puls oder ein Auffrischsignal (REFRESH) in einem aktiven oder Hochlogikpegelzustand ansprechend auf das Decodieren eines Autoauffrischbefehls, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist. Das Auffrischsignal wird an den Zeilensteuerblock 20 und den internen Befehlsgenerator 30 geliefert.
  • Der Zeilensteuerblock ist ferner mit dem Auffrischzyklussteuerblock 45 gekoppelt und empfängt ein Auffrisch-(REFRESH) und ein internes Auffrischzyklusaktivierungssignal (ROW_ACT_PCG). Der Zeilensteuerblock erzeugt ein Zeilenauffrischsignal (ROW_ACT_PCG) in einem aktiven oder Hochlogikpegelzustand ansprechend auf ein aktives Auffrisch- oder ein internes Auffrischzyklusaktivierungssignal (z. B. ansprechend auf einen Auffrisch- oder einen internen Auffrischbefehl). Das aktive Zeilenauffrischsignal wird an die Auffrischschaltung 32 geliefert, um ein Auffrischen einer entsprechenden Wortleitung oder Zeile in einer oder mehr Speicherbänken 34 einzuleiten, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist. Die Auffrischsteuerschaltung umfasst einen Auffrischadresszähler 33, um die Adresse der entsprechenden Wortleitung oder Zeile an die Zeilendecodierer 36 der geeigneten Speicherbänke zu liefern, um eine Auffrischung dieser Zeile zu erreichen.
  • Das Zeilenauffrischsignal (ROW_ACT_PCG) wird ferner an den internen Auffrischbefehlsgenerator 30 geliefert, wo das aktive Zeilenauffrischsignal den internen Befehlsgenerator aktiviert, um ein internes Auffrischsignal (REF_INT) in einem aktiven oder Hochlogikpegelzustand zu erzeugen. Dieses Signal wird verwendet, um mehrere Auffrischzyklen für den Autoauffrischbefehl einzuleiten, um mehrere Speicherzeilen oder Wortleitungen aufzufrischen, wie es im Folgenden beschrieben ist. Der interne Befehlsgenerator umfasst einen Auffrischzykluszähler 31, der die Menge von durchgeführten Auffrischzyklen verfolgt, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist. Der Zähler wird ansprechend auf jeden Autoauffrischbefehl rückgesetzt und wird basierend auf der Erzeugung jedes internen Auffrischbefehls inkrementiert. Wenn die vorbestimmte Menge von Auffrischzyklen für das Mehrzyklusauffrischschema erreicht ist, wie es durch den Auffrischzykluszähler bestimmt wird, wird der interne Befehlsgenerator deaktiviert, um weitere Auffrischzyklen zu verhindern. Alternativ dazu kann der interne Auffrischbefehlsgenerator ansprechend auf eine Inaktivität (z.B. keine aktiven Zeilenauffrischsignale) während eines vorbestimmten Zeitintervalls deaktiviert werden. Das Zeitintervall kann durch einen internen Zeitgeber überwacht werden.
  • Der interne Auffrischbefehlsgenerator ist ferner mit dem Auffrischzyklussteuerblock 45 gekoppelt. Der Auffrischzyklussteuerblock empfängt den Zählwert des Auffrischzykluszählers und das interne Auffrischsignal (REF_INT) von dem internen Auffrischbefehlsgenerator, um ein internes Auffrischzyklusaktivierungssignal (REF_INT_ENA) zu erzeugen, das selektiv die Durchführung von erzeugten internen Auffrischbefehlen aktiviert. Der Auffrischzyklussteuerblock umfasst einen Testmodusgenerator 50, eine Vergleichseinheit 62 und eine Logik 64. Der Testmodusgenerator ist im Wesentlichen dem Testmodusgenerator, der im Vorhergehenden beschrieben ist, ähnlich. Der Testmodusgenerator 50 ist bevorzugt durch herkömmliche Komponenten (z.B. einen Spei cher, Schaltungsanordnung, Prozessor usw.) implementiert und umfasst Informationen, um bestimmte Speichertests durchzuführen. In diesem Fall liefert der Testmodusgenerator Informationen bezüglich der Menge von Auffrischzyklen, die während entsprechender Tests und/oder einer Speicherbauelementoperation durchzuführen sind. Der Testmodusgenerator liefert die gewünschte Menge von Auffrischzyklen (DESIRED QUAN) an die Vergleichseinheit 62. Die Vergleichseinheit empfängt ferner den Auffrischzykluszählwert (COUNT), der durch den Auffrischzykluszähler 31 des internen Auffrischbefehlsgenerators erzeugt wird, und erzeugt ein Vergleichssignal (LESS_THAN (weniger als)) in einem aktiven oder Hochlogikpegelzustand ansprechend darauf, dass die Anzahl von durchgeführten Auffrischzyklen (COUNT) geringer ist als die gewünschte Menge von Auffrischzyklen (DESIRED QUAN). Die Vergleichseinheit kann durch beliebige herkömmliche oder andere Bauelemente implementiert sein (z.B. Logik, Komparator, Prozessor usw.). Die sich ergebenden Vergleichssignale (LESS THAN) und das interne Auffrischsignal (REF_INT) von dem internen Auffrischbefehlsgenerator werden an die Logik 64 geliefert. Die Logik 64 ist bevorzugt in der Form einer UND-Typ-Logik implementiert und kann durch beliebige herkömmliche oder andere Logikbauelemente implementiert sein (z.B. Gatter, Transistoren, Schaltungsanordnung, Prozessor usw.).
  • Wenn folglich die Menge von durchgeführten Auffrischzyklen größer oder gleich der gewünschten Menge ist, erzeugt die Vergleichseinheit ein Vergleichssignal (LESS_THAN) in einem Niedriglogikpegel- oder deaktivierten Zustand. Ansprechend auf das Niedriglogikpegeleingangssignal erzeugt die Logik 64 ein internes Niedriglogikpegelauffrischzyklusaktivierungssignal (REF_INT_ENA), das die Durchführung von zusätzlichen Auffrischzyklen verhindert, wodurch das Speicherbauelement auf die gewünschte Menge von Auffrischzyklen für einen Autoauffrischbefehl beschränkt wird. In dem Fall, dass die Menge von gewünschten Auffrischzyklen nicht erreicht worden ist, erzeugt die Vergleichseinheit ein Ver gleichssignal (LESS_THAN) in einem aktiven oder Hochlogikpegelzustand. Da die Logik 64 eine UND-Typ-Logik umfasst, ergibt das Hochlogikpegelvergleichssignal an dem Logikeingang ein internes Auffrischzyklusaktivierungssignal (REF_INT_ENA), das dem internen Auffrischsignal (REF_INT) folgt. In anderen Worten erzeugt die Logik ein Hochlogikpegelsignal ansprechend auf einen internen Auffrischbefehl, um einen zusätzlichen Auffrischzyklus einzuleiten.
  • Die Operation des dynamischen Speicherbauelements gemäß der vorliegenden Erfindung ist mit Bezugnahme auf das Zeitdiagramm, das in 6 veranschaulicht ist, beschrieben. Nur als Beispiel ist die Speicherbauelementoperation bezüglich eines Dreizyklusauffrischschemas beschrieben, wo zwei der drei Auffrischzyklen für jeden Autoauffrischbefehl gewünscht sind. Das dynamische Speicherbauelement kann jedoch ein beliebiges Mehrzyklusauffrischschema mit einer beliebigen Menge von Auffrischzyklen, die für einen Autoauffrischbefehl gewünscht sind, verwenden. Anfangs kann das dynamische Speicherbauelement einen oder mehr Testmodusgeneratoren 50 (5) umfassen, von denen jeder Informationen liefert, die einem bestimmten Test entsprechen. Die Testmodusgeneratoren können in einer beliebigen Weise kombiniert sein, um Informationen zu liefern, um einen gewünschten Test durchzuführen. Der Testmodusgenerator 50 ist der Menge von Auffrischzyklen, die ansprechend auf einen Autoauffrischbefehl durchgeführt werden, zugeordnet und kann in Kombination mit einer beliebigen Menge anderer Testmodusgeneratoren verwendet werden, um einen bestimmten Test durchzuführen.
  • Wenn ein Mehrauffrischzyklusschema für eine Operation oder ein Testen gewünscht ist, liefert der Testmodusgenerator 50 die gewünschte Menge von Auffrischzyklen (DESIRED QUAN) an einen Eingang der Vergleichseinheit 62, während die Vergleichseinheit ferner den Auffrischzykluszählwert (COUNT) von dem Auffrischzykluszähler 31 des internen Auffrischbefehlsgenerators empfängt. Die Zustandsmaschine 10 empfängt einen externen Autoauffrischbefehl (REF) und erzeugt einen positiven Puls oder ein aktives oder Hochlogikpegelauffrischsignal (REFRESH), um einen Auffrischzyklus zu beginnen. Das Auffrischsignal wird an den Zeilensteuerblock 20 und den internen Befehlsgenerator 30 geliefert. Das aktive Auffrischsignal (REFRESH) aktiviert den internen Auffrischbefehlsgenerator, den Auffrischzykluszähler 31 rückzusetzen und interne Auffrischbefehle zu erzeugen, wie es im Folgenden beschrieben ist. Somit wird der interne Auffrischbefehlsgenerator 30 ansprechend auf einen Autoauffrischbefehl aktiviert, um mehrere Auffrischzyklen durchzuführen.
  • Der Zeilensteuerblock empfängt das aktive Auffrischsignal und erzeugt ein Zeilenauffrischsignal (ROW_ACT_PCG) in einem aktiven oder Hochlogikpegelzustand, um den ersten Auffrischzyklus einzuleiten und die Auffrischsteuerschaltung 32 zu aktivieren, um eine zugeordnete Speicherzeile oder Wortleitung aufzufrischen. Die Wortleitung wird für ein bestimmtes Zeitintervall oder eine -verzögerung (tRAS) aktiviert, das bzw. die normalerweise durch einen internen Zeitgeber überwacht wird, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist. Nach dem Aktivierungszeitintervall (tRAS) tritt das Zeilenauffrischsignal automatisch in einen Vorlade- oder Niedriglogikpegelzustand ein.
  • Das Zeilenauffrischsignal (ROW_ACT_PCG) wird ferner an den internen Befehlsgenerator 30 geliefert, wo die abfallende Flanke des Zeilenauffrischsignals den internen Befehlsgenerator aktiviert, um den Auffrischzykluszähler 31 zu inkrementieren und einen positiven Puls oder ein internes Auffrischsignal (REF_INT) in einem aktiven oder Hochlogikpegelzustand zu erzeugen (wodurch z.B. ein interner Auffrischbefehl erzeugt wird). Das interne Auffrischsignal wird automatisch nach einem weiteren Zeitintervall oder einer -verzögerung (tRP) erzeugt, um einen zweiten Auffrischzyklus einzuleiten. Dieses Zeitintervall stellt die Verzögerung dar, die zwischen aufeinanderfolgenden Aktivierungen von Wortleitungen benötigt wird, und wird normalerweise durch einen zweiten internen Zeitgeber überwacht, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist.
  • Die Logik 64 empfängt das Vergleichssignal (LESS_THAN) und das aktive interne Auffrischsignal (REF_INT). Da in diesem Beispiel der Zählwert des Auffrischzykluszählers für den Anfangszyklus geringer ist als die gewünschte Menge von Auffrischzyklen (z.B. zwei Zyklen), erzeugt die Vergleichseinheit 62 ein aktives oder Hochlogikpegelvergleichssignal (LESS_THAN). Da die Logik 64 eine UND-Typ-Logik umfasst, ergibt das Hochlogikpegelvergleichssignal an dem Logikeingang ein internes Auffrischzyklusaktivierungssignal (REF_INT_ENA), das dem internen Auffrischsignal (REF_INT) folgt. In anderen Worten erzeugt die Logik ein Hochlogikpegelsignal ansprechend auf einen internen Auffrischbefehl, um eine Durchführung des internen Auffrischbefehls zu aktivieren und einen zusätzlichen Auffrischzyklus einzuleiten.
  • Der Zeilensteuerblock empfängt das aktive interne Auffrischzyklusaktivierungssignal (REF_INT_ENA) und erzeugt das Zeilenauffrischsignal (ROW_ACT_PCG) in einem aktiven oder Hochlogikpegelzustand, um eine zweite Auffrischoperation bei einer nachfolgenden Speicherzeile oder Wortleitung einzuleiten, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist. Das Zeilenauffrischsignal (ROW_ACT_PCG) wird ferner an den internen Befehlsgenerator 30 geliefert, wo die abfallende Flanke des Zeilenauffrischsignals den internen Befehlsgenerator aktiviert, den Auffrischzykluszähler 31 zu inkrementieren und einen positiven Puls oder ein internes Auffrischsignal (REF_INT) in einem aktiven oder Hochlogikpegelzustand zu erzeugen, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist.
  • Die Logik 64 empfängt das Vergleichssignal (LESS_THAN) und das aktive interne Auffrischsignal (REF_INT). Da in diesem Beispiel der Zählwert des Auffrischzykluszählers für den zweiten Zyklus gleich der gewünschten Menge von Auffrischzyklen ist (z.B. zwei Zyklen), erzeugt die Vergleichsein heit 62 ein Niedriglogikpegel- oder deaktiviertes Vergleichssignal (LESS_THAN). Ansprechend auf das Niedriglogikpegeleingangssignal erzeugt die Logik 64 ein Niedriglogikpegel- oder deaktiviertes internes Auffrischzyklusaktivierungssignal (ROW_INT_PCG), wodurch eine Durchführung von zusätzlichen Auffrischzyklen verhindert wird. Der interne Auffrischbefehlsgenerator kann nachfolgend deaktiviert werden ansprechend auf eine Inaktivität (z.B. keine aktiven Zeilenauffrischsignale) während des vorbestimmten Zeitintervalls, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist. Folglich ist die Auffrischoperation abgeschlossen, wo zwei Auffrischzyklen für ein Dreizyklusauffrischschema durchgeführt sind. Die vorliegende Erfindung kann verwendet werden, um eine beliebige Menge von Auffrischzyklen für ein beliebiges Mehrzyklusauffrischschema in im Wesentlichen der gleichen Weise wie oben beschrieben durchzuführen, wo die gewünschte Menge von Auffrischzyklen durch den Testmodusgenerator 50 geliefert wird.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass die Ausführungsbeispiele, die im Vorhergehenden beschrieben und in den Zeichnungen veranschaulicht sind, nur einige wenige der vielen Möglichkeiten, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Steuern von Auffrischzyklen eines Mehrzyklusauffrischschemas bei einem dynamischen Speicher zu implementieren, darstellen.
  • Die vorliegende Erfindung kann bei beliebigen Speichertypen oder anderen Bauelementen, die Auffrischoperationen durchführen, angewendet werden, um Auffrischzyklen zu steuern. Die vorliegende Erfindung kann bei beliebigen Typen von Befehlen verwendet werden, die eine Auffrischoperation einleiten, und kann eine Auffrischoperation steuern, um eine beliebige Menge von Auffrischzyklen für den Befehl durchzuführen. Die Auffrischzyklussteuerung kann für einen Test-, einen Betriebs- oder einen anderen Bauelementmodus verwendet werden. Die vorliegende Erfindung kann in dem analogen und/oder digitalen Bereich implementiert sein, um Auffrischzyklen zu steuern. Die Signale, die im Vorhergehenden beschrieben sind, können beliebige Typen von Etiketten umfassen und es kann sich bei denselben um beliebige Typen von Signalen handeln (z.B. analog, digital, Pulse usw.).
  • Die Zustandsmaschine kann durch eine beliebige Menge von beliebigen herkömmlichen oder anderen Bauelementen (z.B. Prozessor, Decodierer, Logik, Schaltungsanordnung usw.) implementiert sein und kann beliebige geeignete Anweisungen decodieren. Die Zustandsmaschine kann einen beliebigen Signaltyp (z.B. analog, digital, Pulse usw.) in einem beliebigen Zustand (z.B. hoch, tief, ein beliebiger Spannungspegel usw.) erzeugen, um eine Identifikation einer gewünschten Anweisung anzuzeigen. Die Zustandsmaschine kann Anweisungen von einer beliebigen Menge von beliebigen gewünschten internen oder externen Quellen empfangen (z.B. Steuerung, Testmodusgenerator, Prozessor, Schaltungsanordnung usw.).
  • Der Zeilensteuerblock kann durch eine beliebige Menge von beliebigen herkömmlichen oder anderen Bauelementen (z.B. Prozessor, Logik, Schaltungsanordnung usw.) implementiert sein und kann einen beliebigen Signaltyp (z.B. analog, digital, Pulse usw.) in einem beliebigen Zustand (z.B. hoch, tief, ein beliebiger Spannungspegel usw.) erzeugen und/oder auf denselben ansprechen, um eine Auffrischoperation einzuleiten.
  • Der interne Auffrischbefehlsgenerator kann durch eine beliebige Menge von beliebigen herkömmlichen oder anderen Bauelementen (z.B. Prozessor, Logik, Schaltungsanordnung usw.) implementiert sein und kann einen beliebigen Signaltyp (z.B. analog, digital, Pulse usw.) in einem beliebigen Zustand (z.B. hoch, tief, ein beliebiger Spannungspegel usw.) erzeugen und/oder auf denselben ansprechen, um einen internen Auffrischbefehl zu erzeugen. Der Auffrischzykluszähler kann durch eine beliebige Menge von beliebigen herkömmlichen oder anderen Bauelementen implementiert sein, die in der Lage sind, einen Zählwert zu bestimmen und aufrechtzuerhalten (z.B. Logik, Zähler, Schaltungsanordnung, Prozessor, arithmetische Einheit usw.). Der Zähler kann auf beliebige gewünschte Werte initialisiert und/oder rückgesetzt werden, und kann den Zählwert um beliebige gewünschte Werte inkrementieren oder dekrementieren. Der Zähler kann auf beliebige gewünschte Signale zur Initialisierung, zum Rücksetzen und zum Anwenden von Inkrementen oder Dekrementen ansprechen, um einen Zählwert von Auffrischzyklen aufrechtzuerhalten. Der interne Auffrischbefehlsgenerator kann ansprechend auf beliebige geeignete Bedingungen oder Signale deaktiviert werden (z.B. Signale von dem Testmodusgenerator, Erreichen eines gewünschten Auffrischzykluszählwerts durch den Auffrischzykluszähler, einen Zeitablauf oder eine Inaktivität für ein vorbestimmtes Zeitintervall usw.).
  • Die Auffrischsteuerschaltung kann durch eine beliebige Menge von beliebigen herkömmlichen oder anderen Bauelementen (z.B. Prozessor, Logik, Schaltungsanordnung usw.) implementiert sein und kann auf einen beliebigen Signaltyp (z.B. analog, digital, Pulse usw.) in einem beliebigen Zustand (z.B. hoch, tief, ein beliebiger Spannungspegel usw.) ansprechen, um eine Auffrischoperation durchzuführen. Der Auffrischadresszähler kann durch eine beliebige Menge von beliebigen herkömmlichen oder anderen Bauelementen implementiert sein, die in der Lage sind, eine Adresse oder einen Zählwert zu bestimmen und aufrechtzuerhalten (z.B. Logik, Zähler, Schaltungsanordnung, Prozessor, arithmetische Einheit usw.). Der Zähler kann auf beliebige gewünschte Werte initialisiert und/oder rückgesetzt werden, und kann die Adresse oder den Zählwert um beliebige gewünschte Werte inkrementieren oder dekrementieren. Der Zähler kann auf beliebige gewünschte Signale zur Initialisierung, zum Rücksetzen und zum Anwenden von Inkrementen oder Dekrementen ansprechen, um eine Auffrischadresse aufrechtzuerhalten. Die Auffrischsteuerschaltung kann eine beliebige Menge von Zeilen oder Wortleitungen bei einer beliebigen Menge von Speicherbänken in einer beliebigen gewünschten Reihenfolge oder Weise (z.B. aufeinanderfolgend, in einer spezifizierten Reihenfolge, zufällig usw.) auffrischen.
  • Die Speicherbauelemente der vorliegenden Erfindung können eine beliebige Menge von Speicherbänken umfassen, wobei jede eine beliebige Menge von Speicherzellen enthält, die in einer beliebigen Weise angeordnet sind (z.B. Zeilen, Spalten usw.), und beliebige Informationen speichert. Die Speicherzellen können beliebige herkömmliche oder andere Komponenten (z.B. Transistoren, Kondensatoren, Ladungshaltebauelemente usw.) umfassen, die in einer beliebigen geeigneten Konfiguration angeordnet sind. Die Zeilen- und Spaltendecodierer können durch eine beliebige Menge von beliebigen herkömmlichen oder anderen Bauelementen (z.B. Prozessor, Logik, Schaltungsanordnung, Decodierer usw.) implementiert sein und können auf einen beliebigen Typ von einem Adress- oder anderem Signal (z.B. analog, digital, Pulse usw.) in einem beliebigen Zustand (z.B. hoch, tief, ein beliebiger Spannungspegel usw.) ansprechen, um eine beliebige Speicheroperation (z.B. lesen, schreiben, auffrischen usw.) durchzuführen.
  • Die Auffrischzyklussteuerblöcke können durch eine beliebige Menge von beliebigen herkömmlichen oder anderen Bauelementen (z.B. Prozessor, Logik, Schaltungsanordnung usw.) implementiert sein und können auf einen beliebigen Typ von Signal (z.B. analog, digital, Pulse usw.) in einem beliebigen Zustand (z.B. hoch, tief, ein beliebiger Spannungspegel usw.) ansprechen, um die Auffrischzyklen zu steuern. Der Testmodusgenerator kann durch eine beliebige Menge von beliebigen herkömmlichen oder anderen Bauelementen implementiert sein, die in der Lage sind, beliebige Typen von geeigneten Signalen (z.B. analog, digital, Pulse usw.) in einem beliebigen Zustand (z.B. hoch, tief, ein beliebiger Spannungspegel usw.) zu erzeugen, um die Auffrischzyklen zu steuern. Der Testmodusgenerator kann beliebige geeigneten Informationen liefern (z.B. Aktivierungssignale, gewünschte Zyklusmengen usw.). Die dynamischen Speicherbauelemente können eine beliebige Menge von Testmodusgeneratoren umfas sen, wobei die Testmodusgeneratoren in einer beliebigen Weise kombiniert sein können, um einen gewünschten Test durchzuführen.
  • Die Logikeinheiten der Auffrischzyklussteuerblöcke können durch eine beliebige Menge von beliebigen herkömmlichen oder anderen Bauelementen (z.B. Gatter, Schaltungsanordnung, Transistoren, Prozessor usw.) implementiert sein und können einen beliebigen Typ von Logik- oder anderer Operation (z.B. UND, ODER, NOR, NAND, XOR, Addition usw.) durchführen. Die Logikeinheiten können eine beliebige Menge von invertierten und/oder nicht invertierten Eingängen umfassen und beliebige Typen von geeigneten Signalen (z.B. analog, digital, Pulse usw.) in einem beliebigen Zustand (z.B. hoch, tief, ein beliebiger Spannungspegel usw.) erzeugen. Die Vergleichseinheit kann durch eine beliebige Menge von beliebigen herkömmlichen oder anderen Bauelementen (z.B. Logik, Schaltungsanordnung, Komparator, Prozessor, Arithmetikeinheit usw.) implementiert sein und kann einen beliebigen Typ von Vergleichs- oder anderer Operation (z.B. kleiner als, größer als, gleich, kleiner oder gleich, größer oder gleich usw.) umfassen. Die Vergleichseinheit kann beliebige gewünschte Signale für einen Vergleich (z.B. Zählwerte usw.) verwenden und kann beliebige Typen von geeigneten Signalen (z.B. analog, digital, Pulse usw.) in einem beliebigen Zustand (z.B. hoch, tief, ein beliebiger Spannungspegel usw.) ansprechend auf einen Vergleich erzeugen. Die vorliegende Erfindung kann beliebige gewünschte Werte für die gewünschte Menge von Auffrischzyklen und/oder den Auffrischzykluszählwert und beliebige Typen von Vergleichs- oder anderen Operationen verwenden, um eine Durchführung der gewünschten Menge von Auffrischzyklen zu bestimmen. Zum Beispiel kann ein Auffrischzykluszähler auf einen beliebigen gewünschten Wert initialisiert und/oder rückgesetzt werden und auf jede beliebige Schwelle inkrementiert oder dekrementiert werden, um einen Abschluss von Auffrischzyklen anzuzeigen (z.B. kann der Auffrischzykluszähler auf N initialisiert und/oder rückgesetzt und auf Null dekremen tiert werden, um den Abschluss von Auffrischzyklen anzuzeigen, der Auffrischzykluszähler kann auf Null initialisiert und/oder rückgesetzt und auf N inkrementiert werden, um den Abschluss von Auffrischzyklen anzuzeigen usw.).
  • Die vorliegende Erfindung kann beliebige Typen von Signalen mit beliebiger gewünschter Dauer oder Zeitgebung verwenden (z.B. Pulse mit einer beliebigen gewünschten Pulsbreite usw.). Ferner kann die vorliegende Erfindung verwendet werden, um eine beliebige Menge von Auffrischzyklen für ein Mehrauffrischzyklusschema auszuwählen. Dies kann erreicht werden durch ein Steuern von beliebigen der Bauelemente und/oder Signale, die die Auffrischung einleiten. Zum Beispiel kann die vorliegende Erfindung bestimmen, wann die geeignete oder gewünschte Menge von Auffrischzyklen durchgeführt ist, und den internen Auffrischbefehlsgenerator, den Zeilensteuerblock und/oder die Auffrischsteuerschaltung deaktivieren, um zusätzliche Auffrischzyklen zu verhindern. Alternativ dazu kann die vorliegende Erfindung beliebige der verschiedenen Signale (z.B. internes Auffrisch-, internes Auffrischzyklusaktivierungs-, Zeilenauffrisch- usw.) steuern (z.B. aktivieren, deaktivieren usw.), um zusätzliche Auffrischzyklen zu verhindern.
  • Die Komponenten, Einheiten oder Module der dynamischen Speicherbauelemente, die die Auffrischzyklen steuern (z.B. Zustandsmaschine, Auffrischzyklussteuerblöcke, interner Auffrischbefehlsgenerator, Zeilensteuerblock, Auffrischsteuerschaltung usw.), können auf oder außerhalb des Chips oder der Schaltungsplattform, die den Speicher unterbringt, in beliebigen Kombinationen oder Weisen angeordnet sein. Die Funktionen der verschiedenen Speicherbauelementkomponenten, die die Auffrischzyklen steuern (z.B. Zustandsmaschine, Auffrischzyklussteuerblöcke, interner Auffrischbefehlsgenerator, Zeilensteuerblock, Auffrischsteuerschaltung usw.), können auf eine beliebige Art kombiniert und/oder unter den Speicherbauelementkomponenten, -einheiten oder – modulen auf eine beliebige Weise verteilt sein.
  • Aus der vorhergehenden Beschreibung ist zu erkennen, dass die Erfindung ein neuartiges Verfahren und eine Vorrichtung zum Steuern von Auffrischzyklen eines Mehrzyklusauffrischschemas bei einem dynamischen Speicher verfügbar macht, wobei eine Menge von Auffrischzyklen, die ansprechend auf einen Auffrischbefehl für ein Mehrzyklusauffrischschema durchgeführt werden, selektiv gesteuert werden.
  • Nachdem bevorzugte Ausführungsbeispiele eines neuen und verbesserten Verfahrens und einer Vorrichtung zum Steuern von Auffrischzyklen eines Mehrzyklusauffrischschemas bei einem dynamischen Speicher beschrieben worden sind, wird angenommen, dass andere Modifizierungen, Variationen und Veränderungen Fachleuten im Hinblick auf die hier dargelegten Lehren vorgeschlagen werden. Deshalb sei darauf hingewiesen, dass angenommen wird, dass alle derartigen Variationen, Modifizierungen und Veränderungen in den Schutzbereich der vorliegenden Erfindung fallen, wie derselbe durch die beiliegenden Ansprüche definiert ist.

Claims (48)

  1. Vorrichtung, um eine Auffrischoperation eines Bauelements zu steuern, das ein Mehrauffrischzyklusschema verwendet, wobei das Auffrischschema eine Mehrzahl von Auffrischzyklen einer vorbestimmten Menge ansprechend auf einen Befehl durchführt, der eine Auffrischoperation einleitet, um eine Datenspeicherung aufrechtzuerhalten, wobei die Vorrichtung folgende Merkmale aufweist: einen Modusgenerator (50), um Informationen bezüglich einer gewünschten Menge von Auffrischzyklen zu liefern, die ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl durchzuführen sind; und eine Auffrischaktivierungseinheit, um das Bauelement zu steuern, um die gewünschte Menge von Auffrischzyklen innerhalb des Auffrischschemas ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl durchzuführen.
  2. Vorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der die gewünschte Menge von Auffrischzyklen entweder ein einziger Auffrischzyklus oder die vorbestimmte Menge von Auffrischzyklen ist, und bei der die Auffrischaktivierungseinheit das Bauelement steuert, um entweder den einzigen Auffrischzyklus oder die vorbestimmte Menge von Auffrischzyklen gemäß der gewünschten Menge durchzuführen.
  3. Vorrichtung gemäß Anspruch 2, bei der: der Modusgenerator (50) ein Auffrischaktivierungssignal (IRC_ENA) liefert, um die Erzeugung von internen Auffrischbefehlen zu steuern, wobei jeder interne Auffrischbefehl einen Auffrischzyklus einleitet; und die Auffrischaktivierungseinheit eine Logikeinheit (60) umfasst, um die Erzeugung der internen Auffrischbefehle gemäß dem Auffrischaktivierungssignal (IRC_ENA) und der Identifi kation eines Auffrischeinleitungsbefehls zu steuern, um das Durchführen der gewünschten Menge von Auffrischzyklen ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl zu aktivieren.
  4. Vorrichtung gemäß Anspruch 2 oder 3, bei der der Modusgenerator (50) und die Auffrischaktivierungseinheit das Bauelement steuern, um einen einzigen Auffrischzyklus ansprechend auf einen Auffrischeinleitungsbefehl innerhalb eines Bauelementtestmodus durchzuführen.
  5. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der das Bauelement einen dynamischen Speicher umfasst.
  6. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der der Auffrischeinleitungsbefehl einen Autoauffrischbefehl umfasst.
  7. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der die gewünschte Menge von Auffrischzyklen die Mengen innerhalb des Bereichs von einem bis zu der vorbestimmten Menge von Auffrischzyklen umfasst.
  8. Vorrichtung gemäß Anspruch 7, bei der der Modusgenerator (50) die gewünschte Menge von Auffrischzyklen liefert; und die Auffrischaktivierungseinheit folgende Merkmale umfasst: eine Vergleichseinheit (62), um die gewünschte Menge von Auffrischzyklen mit einer Menge von Auffrischzyklen zu vergleichen, die ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl durchgeführt wurden; und eine Logikeinheit (64), um die Durchführung von internen Auffrischbefehlen gemäß dem Vergleich zu steuern, wobei jeder interne Auffrischbefehl einen Auffrischzyklus einleitet, um die mehreren Auffrischzyklen innerhalb des Auf frischschemas durchzuführen, und wobei die Logikeinheit (64) die internen Auffrischbefehle deaktiviert ansprechend darauf, dass der Vergleich anzeigt, dass die gewünschte Menge von Auffrischzyklen durchgeführt worden ist.
  9. Vorrichtung, um eine Auffrischoperation eines Bauelements zu steuern, das ein Mehrauffrischzyklusschema verwendet, wobei das Auffrischschema eine Mehrzahl von Auffrischzyklen einer vorbestimmten Menge ansprechend auf einen Befehl durchführt, der eine Auffrischoperation einleitet, um eine Datenspeicherung aufrechtzuerhalten, wobei die Vorrichtung folgende Merkmale aufweist: eine Modusgeneratoreinrichtung (50) zum Liefern von Informationen bezüglich einer gewünschten Menge von Auffrischzyklen, die ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl durchzuführen sind; und eine Auffrischaktivierungseinrichtung zum Steuern des Bauelements, um die gewünschte Menge von Auffrischzyklen innerhalb des Auffrischschemas ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl durchzuführen.
  10. Vorrichtung gemäß Anspruch 9, bei der die gewünschte Menge von Auffrischzyklen entweder ein einziger Auffrischzyklus oder die vorbestimmte Menge von Auffrischzyklen ist, und bei der die Auffrischaktivierungseinrichtung eine Steuereinrichtung zum Steuern des Bauelements umfasst, um entweder den einzigen Auffrischzyklus oder die vorbestimmte Menge von Auffrischzyklen gemäß der gewünschten Menge durchzuführen.
  11. Vorrichtung gemäß Anspruch 10, bei der die Modusgeneratoreinrichtung (50) ein Auffrischaktivierungssignal (IRC_ENA) liefert, um die Erzeugung von internen Auffrischbefehlen zu steuern, wobei jeder interne Auffrischbefehl einen Auffrischzyklus einleitet; und die Auffrischaktivierungseinrichtung eine Logikeinrichtung (64) umfasst zum Steuern der Erzeugung der internen Auffrischbefehle gemäß dem Auffrischaktivierungssignal (IRC_ENA) und einer Identifikation eines Auffrischeinleitungsbefehls, um die Durchführung der gewünschten Menge von Auffrischzyklen ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl zu aktivieren.
  12. Vorrichtung gemäß Anspruch 10 oder 11, bei der die Modusgeneratoreinrichtung (50) und die Auffrischaktivierungseinrichtung das Bauelement steuern, um einen einzigen Auffrischzyklus ansprechend auf einen Auffrischeinleitungsbefehl innerhalb eines Bauelementtestmodus durchzuführen.
  13. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 9 bis 12, bei der das Bauelement einen dynamischen Speicher umfasst.
  14. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 9 bis 13, bei der der Auffrischeinleitungsbefehl einen Autoauffrischbefehl umfasst.
  15. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 9 bis 14, bei der die gewünschte Menge von Auffrischzyklen die Mengen innerhalb des Bereichs von einem bis zu der vorbestimmten Menge von Auffrischzyklen umfasst.
  16. Vorrichtung gemäß Anspruch 15, bei der: die Modusgeneratoreinrichtung (50) die gewünschte Menge von Auffrischzyklen liefert; und die Auffrischaktivierungseinrichtung folgende Merkmale umfasst: eine Vergleichseinrichtung (62) zum Vergleichen der gewünschten Menge von Auffrischzyklen mit einer Menge von Auffrischzyklen, die ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl durchgeführt wurden; und eine Logikeinrichtung (64) zum Steuern der Durchführung von internen Auffrischbefehlen gemäß dem Vergleich, wobei jeder interne Auffrischbefehl einen Auffrischzyklus einleitet, um die mehreren Auffrischzyklen innerhalb des Auffrischschemas durchzuführen, und wobei die Logikeinheit (64) die internen Auffrischbefehle deaktiviert ansprechend darauf, dass der Vergleich anzeigt, dass die gewünschte Menge von Auffrischzyklen durchgeführt worden ist.
  17. Verfahren zum Steuern einer Auffrischoperation eines Bauelements, das ein Mehrauffrischzyklusschema verwendet, wobei das Auffrischschema eine Mehrzahl von Auffrischzyklen einer vorbestimmten Menge ansprechend auf einen Befehl durchführt, der eine Auffrischoperation einleitet, um eine Datenspeicherung aufrechtzuerhalten, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Liefern von Informationen bezüglich einer gewünschten Menge von Auffrischzyklen, die ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl durchzuführen sind; und Steuern des Bauelements, um die gewünschte Menge von Auffrischzyklen innerhalb des Auffrischschemas ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl durchzuführen.
  18. Verfahren gemäß Anspruch 17, bei dem die gewünschte Menge von Auffrischzyklen entweder ein einziger Auffrischzyklus oder die vorbestimmte Menge von Auffrischzyklen ist, und wobei das Verfahren ferner ein Steuern des Bauelements umfasst, um entweder den einzigen Auffrischzyklus oder die vorbestimmte Menge von Auffrischzyklen gemäß der gewünschten Menge durchzuführen.
  19. Verfahren gemäß Anspruch 18, bei dem: die gelieferten Informationen ein Auffrischaktivierungssignal (IRC_ENA) umfassen, um die Erzeugung von internen Auffrischbefehlen zu steuern, wobei jeder interne Auffrischbefehl einen Auffrischzyklus einleitet; und das Verfahren ferner ein Steuern der Erzeugung der internen Auffrischbefehle gemäß dem Auffrischaktivierungssignal (IRC_ENA) und einer Identifikation eines Auffrischeinleitungsbefehls umfasst, um die Durchführung der gewünschten Menge von Auffrischzyklen ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl zu aktivieren.
  20. Verfahren gemäß Anspruch 18 oder 19, wobei das Verfahren ferner ein Steuern des Bauelements umfasst, um einen einzigen Auffrischzyklus ansprechend auf einen Auffrischeinleitungsbefehl innerhalb eines Bauelementtestmodus durchzuführen.
  21. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 17 bis 20, bei dem das Bauelement einen dynamischen Speicher umfasst.
  22. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 17 bis 21, bei dem der Auffrischeinleitungsbefehl einen Autoauffrischbefehl umfasst.
  23. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 17 bis 22, bei dem die gewünschte Menge von Auffrischzyklen die Mengen innerhalb des Bereichs von einem bis zu der vorbestimmten Menge von Auffrischzyklen umfasst.
  24. Verfahren gemäß Anspruch 23, bei dem die gelieferten Informationen die gewünschte Menge von Auffrischzyklen umfassen, und wobei das Verfahren ferner folgende Schritte umfasst: Vergleichen der gewünschten Menge von Auffrischzyklen mit einer Menge von Auffrischzyklen, die ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl durchgeführt wurden; und Steuern der Durchführung von internen Auffrischbefehlen gemäß dem Vergleich, wobei jeder interne Auffrischbefehl einen Auffrischzyklus einleitet, um die mehreren Auffrischzyklen innerhalb des Auffrischschemas durchzuführen, und wobei die internen Auffrischbefehle deaktiviert werden ansprechend darauf, dass der Vergleich anzeigt, dass die gewünschte Menge von Auffrischzyklen durchgeführt worden ist.
  25. Bauelement, das eine Speichereinheit umfasst und ein Auffrischschema verwendet, um eine Datenspeicherung aufrechtzuerhalten, wobei das Auffrischschema eine Mehrzahl von Auffrischzyklen einer vorbestimmten Menge ansprechend auf einen Befehl durchführt, der eine Auffrischoperation einleitet, und das Bauelement die Menge von Auffrischzyklen steuert, die innerhalb dieses Schemas ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl durchgeführt werden, wobei das Bauelement folgende Merkmale aufweist: eine Speichereinheit, um Daten zu speichern, wobei die Speichereinheit aufgefrischt wird, um die Daten aufrechtzuerhalten; einen Decodierer (36, 38), um empfangene Befehle zu decodieren und den Auffrischeinleitungsbefehl zu identifizieren; einen internen Auffrischbefehlsgenerator (30), um interne Auffrischbefehle zu erzeugen, von denen jeder einen Auffrischzyklus einleitet, um mehrere Auffrischzyklen innerhalb des Auffrischschemas durchzuführen; einen Zeilenadressblock, um eine Auffrischoperation ansprechend auf zumindest entweder den identifizierten Auffrischeinleitungsbefehl oder den internen Auffrischbefehl einzuleiten; eine Auffrischsteuerschaltung (32), die auf den Zeilensteuerblock anspricht, um die Speichereinheit aufzufrischen; einen Modusgenerator (50), um Informationen bezüglich einer gewünschten Menge von Auffrischzyklen zu liefern, die ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl durchzuführen sind; und eine Auffrischaktivierungseinheit, um das Auffrischschema zu steuern, um die gewünschte Menge von Auffrischzyklen ansprechend auf den identifizierten Auffrischeinleitungsbefehl durchzuführen.
  26. Bauelement gemäß Anspruch 25, bei dem die gewünschte Menge von Auffrischzyklen entweder ein einziger Auffrischzyklus oder die vorbestimmte Menge von Auffrischzyklen ist, und bei dem die Auffrischaktivierungseinheit das Auffrischschema steuert, um entweder den einzigen Auffrischzyklus oder die vorbestimmte Menge von Auffrischzyklen gemäß der gewünschten Menge durchzuführen.
  27. Bauelement gemäß Anspruch 26, bei dem: der Modusgenerator (50) ein Auffrischaktivierungssignal (IRC_ENA) liefert, um die Erzeugung der internen Auffrischbefehle durch den internen Auffrischbefehlsgenerator zu steuern; und die Auffrischaktivierungseinheit eine Logikeinheit (64) umfasst, um den internen Befehlsgenerator (30) zu steuern, um die internen Auffrischbefehle gemäß dem Auffrischaktivierungssignal (IRC_ENA) und dem identifizierten Auffrischeinleitungsbefehl zu erzeugen, um die Durchführung der gewünschten Menge von Auffrischzyklen ansprechend auf den identifizierten Auffrischeinleitungsbefehl zu aktivieren.
  28. Bauelement gemäß Anspruch 26 oder 27, bei dem die Auffrischaktivierungseinheit das Auffrischschema steuert, um einen einzigen Auffrischzyklus ansprechend auf einen Auffrischeinleitungsbefehl innerhalb eines Bauelementtestmodus durchzuführen.
  29. Bauelement gemäß einem der Ansprüche 25 bis 28, wobei das Bauelement einen dynamischen Speicher umfasst.
  30. Bauelement gemäß einem der Ansprüche 25 bis 29, bei dem der Auffrischeinleitungsbefehl einen Autoauffrischbefehl umfasst.
  31. Bauelement gemäß einem der Ansprüche 25 bis 30, bei dem die gewünschte Menge von Auffrischzyklen die Mengen innerhalb des Bereichs von einem bis zu der vorbestimmten Menge von Auffrischzyklen umfasst.
  32. Bauelement gemäß Anspruch 31, bei dem: der Modusgenerator (50) die gewünschte Menge von Auffrischzyklen liefert; und die Auffrischaktivierungseinheit folgende Merkmale umfasst: eine Vergleichseinheit (62), um die gewünschte Menge von Auffrischzyklen mit einer Menge von Auffrischzyklen zu vergleichen, die ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl durchgeführt wurden; und eine Logikeinheit (64), um die Durchführung der internen Auffrischbefehle, die durch den internen Auffrischbefehlsgenerator (30) erzeugt werden, gemäß dem Vergleich zu steuern, wobei die Logikeinheit (64) die internen Auffrischbefehle deaktiviert ansprechend darauf, dass der Vergleich anzeigt, dass die gewünschte Menge von Auffrischzyklen durchgeführt worden ist.
  33. Bauelement, das eine Speichereinheit umfasst und ein Auffrischschema verwendet, um eine Datenspeicherung auf rechtzuerhalten, wobei das Auffrischschema eine Mehrzahl von Auffrischzyklen einer vorbestimmten Menge ansprechend auf eine Befehl durchführt, der eine Auffrischoperation einleitet, und das Bauelement die Menge von Auffrischzyklen steuert, die innerhalb dieses Schemas ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl durchgeführt werden, wobei das Bauelement folgende Merkmale aufweist: eine Speichereinrichtung zum Speichern von Daten, wobei die Speichereinrichtung aufgefrischt wird, um die Daten aufrechtzuerhalten; eine Befehlseinrichtung zum Decodieren empfangener Befehle und zum Identifizieren des Auffrischeinleitungsbefehls; eine Befehlsgeneratoreinrichtung (30) zum Erzeugen interner Auffrischbefehle, von denen jeder einen Auffrischzyklus einleitet, um mehrere Auffrischzyklen innerhalb des Auffrischschemas durchzuführen; eine Auffrischsteuereinrichtung (32) zum Einleiten einer Auffrischoperation ansprechend auf zumindest entweder den identifizierten Auffrischeinleitungsbefehl oder den internen Auffrischbefehl; eine Auffrischeinrichtung, die auf die Auffrischsteuereinrichtung anspricht, zum Auffrischen der Speichereinrichtung; eine Modusgeneratoreinrichtung (50) zum Liefern von Informationen bezüglich einer gewünschten Menge von Auffrischzyklen, die ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl durchzuführen sind; und eine Auffrischaktivierungseinrichtung zum Steuern des Auffrischschemas, um die gewünschte Menge von Auffrischzyklen ansprechend auf den identifizierten Auffrischeinleitungsbefehl durchzuführen.
  34. Bauelement gemäß Anspruch 33, bei dem die gewünschte Menge von Auffrischzyklen entweder ein einziger Auffrischzyklus oder die vorbestimmte Menge von Auffrischzyklen ist, und bei dem die Auffrischaktivierungseinrichtung das Auffrischschema steuert, um entweder den einzigen Auffrischzyklus oder die vorbestimmte Menge von Auffrischzyklen gemäß der gewünschten Menge durchzuführen.
  35. Bauelement gemäß Anspruch 34, bei dem: die Modusgeneratoreinrichtung (50) ein Auffrischaktivierungssignal (IRC_ENA) liefert, um die Erzeugung der internen Auffrischbefehle durch die Befehlsgeneratoreinrichtung (30) zu steuern; und die Auffrischaktivierungseinrichtung eine Logikeinrichtung (64) zum Steuern der Befehlsgeneratoreinrichtung (30) umfasst, um die internen Auffrischbefehle gemäß dem Auffrischaktivierungssignal (IRC_ENA) und dem identifizierten Auffrischeinleitungsbefehl zu erzeugen, um die Durchführung der gewünschten Menge von Auffrischzyklen ansprechend auf den identifizierten Auffrischeinleitungsbefehl zu aktivieren.
  36. Bauelement gemäß Anspruch 34 oder 35, bei dem die Auffrischaktivierungseinrichtung das Auffrischschema steuert, um einen einzigen Auffrischzyklus ansprechend auf einen Auffrischeinleitungsbefehl innerhalb eines Bauelementtestmodus durchzuführen.
  37. Bauelement gemäß einem der Ansprüche 33 bis 36, wobei das Bauelement einen dynamischen Speicher umfasst.
  38. Bauelement gemäß einem der Ansprüche 33 bis 37, bei dem der Auffrischeinleitungsbefehl einen Autoauffrischbefehl umfasst.
  39. Bauelement gemäß einem der Ansprüche 33 bis 38, bei dem die gewünschte Menge von Auffrischzyklen die Mengen innerhalb des Bereichs von einem bis zu der vorbestimmten Menge von Auffrischzyklen umfasst.
  40. Bauelement gemäß Anspruch 39, bei dem: die Modusgeneratoreinrichtung (50) die gewünschte Menge von Auffrischzyklen liefert; und die Auffrischaktivierungseinrichtung folgende Merkmale umfasst: eine Vergleichseinrichtung (62) zum Vergleichen der gewünschten Menge von Auffrischzyklen mit einer Menge von Auffrischzyklen, die ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl durchgeführt wurden; und eine Logikeinrichtung (64) zum Steuern der Durchführung der internen Auffrischbefehle, die durch die Befehlsgeneratoreinrichtung (30) erzeugt werden, gemäß dem Vergleich, wobei die Logikeinrichtung (64) die internen Auffrischbefehle deaktiviert ansprechend darauf, dass der Vergleich anzeigt, dass die gewünschte Menge von Auffrischzyklen durchgeführt worden ist.
  41. Verfahren zum Steuern eines Bauelements, um eine gewünschte Menge von Auffrischzyklen innerhalb eines Mehrzyklusauffrischschemas ansprechend auf einen Befehl durchzuführen, der eine Auffrischoperation einleitet, wobei das Bauelement eine Speichereinheit umfasst und ein Auffrischschema verwendet, um eine Datenspeicherung aufrechtzuerhalten, und wobei das Auffrischschema eine Mehrzahl von Auffrischzyklen einer vorbestimmten Menge ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl durchführt, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Speichern von Daten innerhalb der Speichereinheit, wobei die Speichereinheit aufgefrischt wird, um die Daten aufrechtzuerhalten; Liefern von Informationen bezüglich einer gewünschten Menge von Auffrischzyklen, die ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl durchzuführen sind; Decodieren empfangener Befehle und Identifizieren des Auffrischeinleitungsbefehl; Erzeugen interner Auffrischbefehle, von denen jeder einen Auffrischzyklus einleitet, um mehrere Auffrischzyklen innerhalb des Auffrischschemas für den identifizierten Auffrischeinleitungsbefehl durchzuführen; Einleiten einer Auffrischoperation ansprechend auf zumindest entweder den identifizierten Auffrischeinleitungsbefehl oder den internen Auffrischbefehl; und Steuern des Auffrischschemas, um die gewünschte Menge von Auffrischzyklen ansprechend auf den identifizierten Auffrischeinleitungsbefehl durchzuführen.
  42. Verfahren gemäß Anspruch 41, bei dem die gewünschte Menge von Auffrischzyklen entweder ein einziger Auffrischzyklus oder die vorbestimmte Menge von Auffrischzyklen ist, und wobei das Verfahren ferner ein Steuern des Auffrischschemas umfasst, um entweder den einzigen Auffrischzyklus oder die vorbestimmte Menge von Auffrischzyklen gemäß der gewünschten Menge durchzuführen.
  43. Verfahren gemäß Anspruch 42, bei dem: die gelieferten Informationen ein Auffrischaktivierungssignal (IRC_ENA) umfassen, um die Erzeugung der internen Auffrischbefehle zu steuern; und wobei das Verfahren ferner ein Steuern der Erzeugung der internen Auffrischbefehle gemäß dem Auffrischaktivierungssignal (IRC_ENA) und dem identifizierten Auffrischeinleitungsbefehl umfasst, um die Durchführung der gewünschten Menge von Auffrischzyklen ansprechend auf den identifizierten Auffrischeinleitungsbefehl zu aktivieren.
  44. Verfahren gemäß Anspruch 42 oder 43, wobei das Verfahren ferner ein Steuern des Auffrischschemas umfasst, um einen einzigen Auffrischzyklus ansprechend auf einen Auffrischeinleitungsbefehl innerhalb eines Bauelementtestmodus durchzuführen.
  45. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 41 bis 44, bei dem das Bauelement einen dynamischen Speicher umfasst.
  46. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 41 bis 45, bei dem der Auffrischeinleitungsbefehl einen Autoauffrischbefehl umfasst.
  47. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 41 bis 46, bei dem die gewünschte Menge von Auffrischzyklen die Mengen innerhalb des Bereichs von einem bis zu der vorbestimmten Menge von Auffrischzyklen umfasst.
  48. Verfahren gemäß Anspruch 47, bei dem die gelieferten Informationen die gewünschte Menge von Auffrischzyklen umfassen; und das Verfahren ferner folgende Schritte umfasst: Vergleichen der gewünschten Menge von Auffrischzyklen mit einer Menge von Auffrischzyklen, die ansprechend auf den Auffrischeinleitungsbefehl durchgeführt wurden; und Steuern der Durchführung der internen Auffrischbefehle gemäß dem Vergleich, wobei die internen Auffrischbefehle de aktiviert werden ansprechend darauf, dass der Vergleich anzeigt, dass die gewünschte Menge von Auffrischzyklen durchgeführt worden ist.
DE102004060579.3A 2003-12-19 2004-12-16 Verfahren und Vorrichtung zum Steuern von Auffrischzyklen eines Mehrzyklusauffrischschemas bei einem dynamischen Speicher Expired - Fee Related DE102004060579B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/739,071 US7042785B2 (en) 2003-12-19 2003-12-19 Method and apparatus for controlling refresh cycles of a plural cycle refresh scheme in a dynamic memory
US10/739,071 2003-12-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102004060579A1 true DE102004060579A1 (de) 2005-07-21
DE102004060579B4 DE102004060579B4 (de) 2014-09-25

Family

ID=34677509

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102004060579.3A Expired - Fee Related DE102004060579B4 (de) 2003-12-19 2004-12-16 Verfahren und Vorrichtung zum Steuern von Auffrischzyklen eines Mehrzyklusauffrischschemas bei einem dynamischen Speicher

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7042785B2 (de)
DE (1) DE102004060579B4 (de)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7321521B2 (en) * 2004-07-02 2008-01-22 Seagate Technology Llc Assessing energy requirements for a refreshed device
US7221609B1 (en) * 2005-12-28 2007-05-22 Intel Corporation Fine granularity DRAM refresh
US7313047B2 (en) * 2006-02-23 2007-12-25 Hynix Semiconductor Inc. Dynamic semiconductor memory with improved refresh mechanism
JP4967452B2 (ja) * 2006-05-18 2012-07-04 富士通セミコンダクター株式会社 半導体メモリ
KR100914294B1 (ko) * 2007-12-18 2009-08-27 주식회사 하이닉스반도체 오토 리프래쉬 제어 장치
US9269418B2 (en) * 2012-02-06 2016-02-23 Arm Limited Apparatus and method for controlling refreshing of data in a DRAM
KR20150128087A (ko) * 2014-05-08 2015-11-18 에스케이하이닉스 주식회사 리프레쉬 오류를 방지할 수 있는 반도체 장치 및 이를 이용한 메모리 시스템
US10318187B2 (en) * 2016-08-11 2019-06-11 SK Hynix Inc. Memory controller and memory system including the same
KR102415867B1 (ko) * 2017-11-29 2022-07-04 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 셀의 결함을 제거하기 위한 메모리 시스템 및 그의 동작 방법
US11449439B1 (en) 2019-07-25 2022-09-20 Rambus Inc. Fragmented periodic timing calibration
WO2022068127A1 (zh) 2020-09-30 2022-04-07 长鑫存储技术有限公司 自刷新周期测试方法及装置、自动刷新次数测试方法及装置
CN114333972B (zh) * 2020-09-30 2023-09-01 长鑫存储技术有限公司 自刷新周期测试方法及装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4691303A (en) * 1985-10-31 1987-09-01 Sperry Corporation Refresh system for multi-bank semiconductor memory
US4807196A (en) * 1986-03-24 1989-02-21 Nec Corporation Refresh address counter test control circuit for dynamic random access memory system
JPH08138374A (ja) * 1994-11-10 1996-05-31 Nec Corp 半導体メモリ装置およびそのリフレッシュ方法
US6373769B1 (en) * 1997-06-12 2002-04-16 Infineon Technologies Ag Decoded autofresh mode in a DRAM
US6067261A (en) * 1998-08-03 2000-05-23 International Business Machines Corporation Timing of wordline activation for DC burn-in of a DRAM with the self-refresh
KR100331547B1 (ko) * 1999-06-01 2002-04-06 윤종용 레지스터의 저장값에 따라 리프레쉬 사이클을 조정하는 리프레쉬 제어 회로 및 이를 구비하는 동적 메모리 장치의 리프레쉬 방법
JP2001076500A (ja) * 1999-06-28 2001-03-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
DE10057275C1 (de) * 2000-11-18 2002-06-06 Infineon Technologies Ag Schaltung und Verfahren zum Auffrischen von Speicherzellen in einem DRAM
KR100475433B1 (ko) * 2002-01-25 2005-03-10 삼성전자주식회사 동적 반도체 메모리 장치들을 구비한 시스템 및 이시스템의 리플레쉬 방법
US6603694B1 (en) * 2002-02-05 2003-08-05 Infineon Technologies North America Corp. Dynamic memory refresh circuitry

Also Published As

Publication number Publication date
US20050135171A1 (en) 2005-06-23
US7042785B2 (en) 2006-05-09
DE102004060579B4 (de) 2014-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE602004002300T2 (de) Selektive bankauffrischung
DE602004007545T2 (de) Auffrischung für dynamische zellen durch intentifizieren derjenigen mit schwacher retention und häufigeres auffrischen dieser als derjenigen mit normaler retention
DE69104498T2 (de) Synchrone auffrischung eines dynamischen ram-speichers.
DE10337855B4 (de) Schaltung und Verfahren zur Auswertung und Steuerung einer Auffrischungsrate von Speicherzellen eines dynamischen Speichers
DE69932875T2 (de) Verfahren und Anordnung zur Benutzung eines 1-T SRAM-Kompatibelspeichers
DE10345383B4 (de) Bankadreßabbildung gemäß einer Bankhaltezeit bei dynamischen Direktzugriffsspeichern
DE69613266T2 (de) Leseverfahren eines ferroelektrischen Speichers unter Verwendung von unterschiedlichen Lese- und Schreibespannungen
DE102007038615B4 (de) Speicher mit Speicherbänken und Modusregistern, sowie Verfahren zum Betreiben eines solchen Speichers
DE10307244B4 (de) Automatische Vorladesteuerungsschaltung und zugehöriges Vorladesteuerungsverfahren
DE10223178B4 (de) Schaltungsanordnung mit einer Ablaufsteuerung, integrierter Speicher sowie Testanordnung mit einer derartigen Schaltungsanordnung
DE102006033190A1 (de) DRAM und Verfahren für eine PASR-Operation für einen DRAM
DE102006046441A1 (de) Verfahren zum Arbitrieren eines Zugriffs auf ein Speicherbauelement und Master zum Arbitrieren eines Zugriffs auf ein geteiltes Speicherbauelement
DE102004060579B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Steuern von Auffrischzyklen eines Mehrzyklusauffrischschemas bei einem dynamischen Speicher
DE19613667A1 (de) Halbleiterspeichereinrichtung mit steuerbarer Fähigkeit zum Liefern einer internen Spannung
DE602004002280T2 (de) Halbleiterspeicher mit Refresh- und Redundanzschaltungen
DE102004027121A1 (de) Ein Mehrfachbankchip, der mit einer Steuerung kompatibel ist, die für eine geringere Anzahl von Banken entworfen ist, und ein Verfahren zum Betreiben
DE4304886A1 (de) Halbleiterspeichervorrichtung
DE102004050037B4 (de) Speicherbauelement, Speichersystem und Betriebsmodussetzverfahren
DE112004002181T5 (de) Verfahren und Schaltungskonfiguration zum Auffrischen von Daten in einem Halbleiterspeicher
DE69717054T2 (de) Verbesserungen an oder bezüglich integrierten Schaltungen
DE102013114251A1 (de) DRAM mit segmentierter Seitenkonfiguration
DE4330100A1 (de) Verfahren und Vorrichtung für die Auffrischung eines dynamischen Random-Speichers
DE102004044984B4 (de) Direktzugriffspeichervorrichtung, Halbleiterspeichervorrichtung und Verfahren zum Verringern eines Stromverbrauchs bei einer dynamischen Speichervorrichtung
DE69832007T2 (de) Steuerschaltung für Computerspeicher
DE68923529T2 (de) Leistungsverbrauchsverringerung in On-Chip-Speicheranordnungen.

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE

Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE

Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: WILHELM & BECK, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE

Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 85579 NEUBIBERG, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: WILHELM & BECK, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee