DE102004014046A1 - Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein photoaktives Bauelement, insbesondere eine Solarzelle, bestehend aus organischen Schichten und vom Aufbau her aus einer oder mehreren aufeinander gestapelten pi-, ni- und/oder pin-Dioden. Diese zeichnen sich dadurch aus, dass sie zumindest eine p- oder n-dotierte Transportschicht mit einer größeren optischen Bandlücke als die photoaktive Schicht umfassen. Die einzelnen Dioden zeichnen sich durch eine hohe interne Quantenausbeute aus, können aber optisch dünn sein (Peak Absorption < 80%). Erfindungsgemäß wird nun eine hohe externe Quantenausbeute dadurch erreicht, dass entweder der optische Weg des einfallenden Lichts in den Dioden durch die Anwendung von Lichtfallen vergrößert wird oder dass mehrere dieser Dioden aufeinander gestapelt werden, wobei der Übergang zwischen zwei Dioden durch die Verwendung von Übergangsschichten zwecks erhöhter Rekombination und Generation erleichtert sein kann. Für beide Varianten ergeben sich eine Reihe spezifischer Vorteile aus der Verwendung der dotierten Transportschichten mit großer Bandlücke.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein photoaktives Bauelement mit organischen Schichten, insbesondere eine Solarzelle, bestehend aus einer Folge von organischen Dünnschichten und Kontaktschichten mit einer dotierten Transportschicht und einer photoaktiven Schicht, die in einer pi-, ni- oder pin-Dioden-Struktur aus jeweils einer p-, i- oder n-Schicht angeordnet sind.
  • Seit der Demonstration der ersten organischen Solarzelle mit einem Wirkungsgrad im Prozentbereich durch Tang et al. 1986 [C.W. Tang et al. Appl. Phys. Lett. 48, 183 (1986)], werden organische Materialien intensiv für verschiedene elektronische und optoelektronische Bauelemente untersucht. Organische Solarzellen bestehen aus einer Folge dünner Schichten (typischerweise 1nm bis 1μm) aus organischen Materialien, welche bevorzugt im Vakuum aufgedampft oder aus einer Lösung aufgeschleudert werden. Die elektrische Kontaktierung erfolgt in der Regel durch Metallschichten und/oder transparente leitfähige Oxide (TCOs).
  • Eine Solarzelle wandelt Lichtenergie in elektrische Energie um. Im Gegensatz zu anorganischen Solarzellen werden bei organischen Solarzellen durch das Licht nicht direkt freie Ladungsträger erzeugt, sondern es bilden sich zunächst Exzitonen, also elektrisch neutrale Anregungszustände (gebundene Elektron-Loch-Paare). Erst in einem zweiten Schritt werden diese Exzitonen in freie Ladungsträger getrennt, die dann zum elektrischen Stromfluß beitragen.
  • Der Vorteil solcher Bauelemente auf organischer Basis gegenüber den konventionellen Bauelementen auf anorganischer Basis (Halbleiter wie Silizium, Galliumarsenid) sind die teilweise extrem hohen optischen Absorptionskoeffizienten (bis zu 2 × 105 cm–1), so dass sich die Möglichkeit bietet, mit geringem Material- und Energieaufwand sehr dünne Solarzellen herzustellen. Weitere technologische Aspekte sind die niedrigen Kosten, die Möglichkeit, flexible großflächige Bauteile auf Plastikfolien herzustellen, und die nahezu unbegrenzten Variationsmöglichkeiten der organischen Chemie.
  • Eine in der Literatur bereits vorgeschlagene Realisierungsmöglichkeit einer organischen Solarzelle besteht in einer pin-Diode [Martin Pfeiffer, „Controlled doping of organic vacuum deposited dye layers: basics and applications", PhD thesis TU-Dresden, 1999.] mit folgendem Schichtaufbau:
    • 0. Träger, Substrat,
    • 1. Grundkontakt, meist transparent,
    • 2. n-Schicht(en) (bzw. p),
    • 3. i-Schicht(en)
    • 4. p-Schicht(en) (bzw. n),
    • 5. Deckkontakt.
  • Hierbei bedeutet n bzw. p eine n- bzw. p-Dotierung, die zu einer Erhöhung der Dichte freier Elektronen bzw. Löcher im thermischen Gleichgewichtszustand führt. In diesem Sinne sind derartigen Schichten primär als Transportschichten zu verstehen. Eine oder mehrere i-Schicht(en) können hierbei Schichten sowohl aus einem Material, als auch aus sogenannten interpenetrierenden Netzwerken bestehen. Das durch den transparenten Grundkontakt einfallende Licht erzeugt in der i-Schicht bzw. in der n-/p-Schicht Exzitonen. Diese Exzitonen können nur durch sehr hohe elektrische Felder oder an geeigneten Grenz flächen getrennt werden. In organischen Solarzellen stehen ausreichend hohe Felder nicht zur Verfügung, so dass alle Erfolg versprechenden Konzepte für organische Solarzellen auf der Exzitonentrennung an photoaktiven Grenzflächen beruhen. Die Exzitonen gelangen durch Diffusion an eine derartige aktive Grenzfläche, wo Elektronen und Löcher voneinander getrennt werden. Diese kann zwischen der p-(n-)Schicht und der i-Schicht bzw. zwischen zwei i-Schichten liegen. Im eingebauten elektrischen Feld der Solarzelle werden die Elektronen nun zum n-Gebiet und die Löcher zum p-Gebiet abtransportiert.
  • Da durch das Licht immer erst Exzitonen erzeugt werden und noch keine freien Ladungsträger, spielt die rekombinationsarme Diffusion von Exzitonen an die aktive Grenzfläche eine kritische Rolle bei organischen Solarzellen. Um einen Beitrag zum Photostrom zu leisten, muss daher in einer guten organischen Solarzelle die Exzitonendiffusionslänge die typische Eindringtiefe des Lichts deutlich übersteigen, damit der überwiegende Teil des Lichts genutzt werden kann. Strukturell und bezüglich der chemischen Reinheit perfekte organische Kristalle oder Dünnschichten erfüllen durchaus dieses Kriterium. Für großflächige Anwendungen ist allerdings die Verwendung von monokristallinen organischen Materialien nicht möglich und die Herstellung von Mehrfachschichten mit ausreichender struktureller Perfektion ist bis jetzt noch sehr schwierig.
  • Statt die Exzitonendiffusionslänge zu vergrößern, kann man auch den mittleren Abstand bis zur nächsten Grenzfläche verkleinern. Aus WO 00/33396 ist die Bildung eines sogenannten interpenetrierenden Netzwerkes bekannt: Eine Schicht enthält eine kolloidal gelöste Substanz, die so verteilt ist, dass sich ein Netzwerk bildet, über das Ladungsträger fließen können (Perkolationsmechanismus). Die Aufgabe der Lichtabsorption übernimmt in einem solchen Netzwerk entweder nur eine der Komponenten oder auch beide. Der Vorteil dieser Mischschicht ist, dass die erzeugten Exzitonen nur einen sehr kurzen Weg zurücklegen müssen bis sie an eine Domänengrenze gelangen, wo sie getrennt werden. Der Abtransport der Elektronen bzw. Löcher erfolgt getrennt in der gelösten Substanz bzw. in der übrigen Schicht. Da in der Mischschicht die Materialien überall miteinander im Kontakt sind, ist bei diesem Konzept entscheidend, dass die getrennten Ladungen eine lange Lebensdauer auf dem jeweiligen Material besitzen und von jedem Ort aus geschlossene Perkolationspfade für beide Ladungsträgersorten zum jeweiligen Kontakt hin vorhanden sind. Mit diesem Ansatz konnten Wirkungsgrade von 2,5% erreicht werden [C. J. Brabec, N. S. Sariciftci, J. C. Hummelen, Advanced Functional Materials 11, 15 (2001)].
  • Weitere bekannte Ansätze zur Realisierung bzw. Verbesserung der Eigenschaften von organischen Solarzellen sind im Folgenden aufgezählt:
    • 1.) Ein Kontaktmetall hat eine große und das andere eine kleine Austrittsarbeit, so dass mit der organischen Schicht eine Schottky-Barriere ausgebildet wird [ US 4127738 ].
    • 2.) Die aktive Schicht besteht aus einem organischen Halbleiter in einem Gel oder Bindemittel [ US03844843 , US03900945 , US04175981 und US04175982 ].
    • 3.) Herstellung einer Transportschicht, die kleine Partikel (Größe 0.01 – 50 μm) enthält, welche den Ladungsträgertransport übernehmen [ US 5965063 ].
    • 4.) Eine Schicht enthält zwei oder mehr Arten von organischen Pigmenten, die verschiedene spektrale Charakteristika besitzen [ JP 04024970 ].
    • 5.) Eine Schicht enthält ein Pigment, das die Ladungsträger erzeugt, und zusätzlich ein Material, das die Ladungsträger abtransportiert [ JP 07142751 ].
    • 6.) Polymerbasierende Solarzellen, die Kohlenstoffteilchen als Elektronenakzeptoren enthalten [ US05986206 ]
    • 7.) Dotierung von o.g. Mischsystemen zur Verbesserung der Transporteigenschaften in Mehrschichtsolarzellen [Patentantrag – Aktenzeichen: DE 102 09 789.5-33 ]
    • 8.) Anordnung einzelner Solarzellen übereinander (Tandemzelle) [ US04461922 , US06198091 und US06198092 ].
  • Aus US 5,093,698 ist die Dotierung organischer Materialien bekannt: Durch Beimischung einer akzeptorartigen bzw. donatorartigen Dotiersubstanz wird die Gleichgewichtsladungsträgerkonzentration in der Schicht erhöht und die Leitfähigkeit gesteigert. Nach US 5,093,698 werden die dotierten Schichten als Injektionsschichten an der Grenzfläche zu den Kontaktmaterialien in elektrolumineszierenden Bauelementen verwendet. Ähnliche Dotierungsansätze sind analog auch für Solarzellen zweckmäßig.
  • Trotz der oben beschriebenen Vorteile bei interpenetrierenden Netzwerken besteht ein kritischer Punkt darin, dass in der Mischschicht geschlossene Transportpfade für sowohl Elektronen als auch Löcher zu ihren jeweiligen Kontakten vorhanden sein müssen. Da außerdem die einzelnen Materialien jeweils nur einen Teil der Mischschicht ausfüllen, verschlechtern sich die Transporteigenschaften für die Ladungsträger im Vergleich zu den reinen Schichten deutlich.
  • Aufgrund von geringen Exzitonendiffusionslängen bzw. Transport- und Rekombinationsproblemen in interpenetrierenden Netzwerken sind die aktiven Schichtdicken von organischen Solarzellen meist geringer als die Eindringtiefe des Lichtes. Zudem weisen organische Farbstoffe nur einzelne Absorptionsbanden auf, so dass ein Material nie das komplette optische Spektrum abdecken kann. Deswegen ist es wünschenswert so genannte Lichtfallen (light trapping) zu verwenden oder mehrere Zellen aufeinander stapeln zu können. Derartige Stapelzellen wurden erstmals von Yakimov et al. [A. Yakimov, S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett. 80 (9), 1667 (2002).] realisiert. Sie bestehen aus zwei Schichten pro Einzelzelle und benötigen Rekombinationszentren an der Grenzfläche zwischen den einzelnen Zellen. Bringt man wie Yakimov diese Rekombinationszentren direkt auf das photoaktive Material auf, so sorgen sie nicht nur für die gewünschte Rekombination von Ladungsträgern aus der n-ten Zelle mit entgegen gesetzten Ladungsträgern aus der n + 1-ten Zelle, sondern sie bilden auch nicht erwünschte Rekombinationszentren für Exzitonen oder Ladungsträgerpaare aus ein und derselben Zelle. Daraus ergeben sich entweder Rekombinationsverluste oder inaktive Bereiche. Zur Vermeidung dieser Effekte müssen die Schichten dicker gemacht werden als es der Breite der jeweils photoaktiven Zone entspricht, so dass Absorption in Bereichen auftritt, wo sie nicht genutzt werden kann. Ein derartiges Problem tritt in analoger Weise auch in Einzeldiodenstrukturen auf. Hierbei treten die Rekombinationsverluste jedoch unmittelbar an den Übergängen zwischen aktiver Schicht und Kontaktelektrode auf.
  • Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, Rekombinationsverluste oder das Auftreten inaktiver Bereiche bei Solarzellen mit organischen Schichten weitgehend zu verringern.
  • Erfindungsgemäß wird die Aufgabenstellung durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruches 1 gelöst. Besonders günstige Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen 2 bis 33 dargestellt.
  • Vorliegende Erfindung zielt auf die Realisierung von Solarzellen ab, die sowohl aus einer einzelnen pi-, ni- oder pin-Dioden-Struktur (entsprechend Anspruch 1, vgl. dazu 1) bestehen können als auch aus mehreren aufeinander gestapelten pi-, ni- oder pin-Dioden-Strukturen (entsprechend Anspruch 7, vgl. dazu 2) bestehen.
  • Eine pi-, ni- oder pin-Dioden-Struktur wird nachfolgend einfach als Struktur bezeichnet, sofern nicht im Einzelfall eine der drei Strukturen im Besonderen gemeint ist.
  • Hierbei bezeichnet p mindestens eine p-dotierte Schicht (p-Schicht), i mindestens eine im elektrischen Sinne undotierte oder nur vergleichsweise gering dotierte Schicht (i-Schicht), von denen mindestens eine Photonen absorbiert und zur Generation des Stromes beiträgt, und n mindestens eine n-dotierte Schicht (n-Schicht).
  • Die Lösung der Aufgabenstellung und des zuletzt beschriebene Problemes des Standes der Technik wird erfindungsgemäß dadurch möglich, dass die Rekombinationszone bzw. die Kontaktelektrode durch Schichten mit erhöhter Bandlücke (wide-gap Schichten) von den aktiven Bereichen separiert wird, in denen weder Exzitonen noch Minoritätsladungsträger existieren, die rekombinieren könnten. Weiterhin dienen sie dem Schutz der i-Schicht als aktive Schicht vor destruktiven Einflüssen vor, während und nach der Abscheidung von Kontaktschichten bzw. Rekombinationszonen. Bei den wide-gap Transportschichten (in 1 als 2a, 4a bzw. und in 2 als 2b, 4b, 6b, 8b usw. bezeichnet) handelt es sich um Materialien, deren Absorptionsverhalten sich wesentlich von dem der aktiven Schichten unterscheidet. Besonders vorteilhaft ist es, wenn sie nur im UV- bzw. UV-nahen Bereich des sichtbaren Sonnenspektrums absorbieren. Somit wird sichergestellt, dass die wesentliche Absorption in den aktiven Schichten stattfindet. Zudem wird erreicht, dass Exzitonen an den Übergängen zu den wide-gap Schichten reflektiert und nicht dem photoaktiven Prozess entzogen werden. Die Transporteigenschaften in den wide-gap p- bzw. n-Schichten für Majoritätsladungsträger sind durch entsprechende p- bzw. n-Dotierung gegenüber undotierten Schichten entscheidend verbessert, so dass die Schichtdicken in einem weiten Bereich variiert werden können, um das Maximum des optischen Feldes auf die aktiven i-Schichten zu konzentrieren und somit zu optimieren. Die Anforderungen nach Maximierung der eingebauten Spannung in den einzelnen Diodenstrukturen, und nach verlustarmer Rekombination an deren Grenzfläche, wird ebenfalls durch n- bzw. p-Dotierung der wide-gap-Schichten erreicht.
  • Eine Vergrößerung des Wegs des einfallenden Lichtes und damit eine Umsetzung in eine hohe interne und externe Quantenausbeute wird auch durch die vorteilhafte Ausgestaltung gemäß Anspruch 3 erreicht.
  • Durch die Möglichkeit, beliebig viele Strukturen aufeinander zu stapeln (Anspruch 7), können die einzelnen Strukturen so dünn gehalten werden, dass sie nur geringe Rekombinationsverluste und damit eine hohe interne und externe Quantenausbeute aufweisen. Die Zellenstruktur vereint somit einen geringen Serienwiderstand, eine maximale Photospannung und eine optimale Umsetzung des Photonenstroms in einen Photostrom.
  • Durch eine Schicht oder eine Kombination von Schichten, wie sie in den Ansprüchen 11 bis 16 angegeben sind, wird die verlustarme Rekombination in Sperrrichtung oder die Generation in Durchlassrichtung an den Übergängen zwischen den einzelnen Strukturen begünstigt. Außerdem wird die Morphologie der Übergänge zwischen der n-ten und der n + 1-ten pi-, ni- oder pin-Struktur begünstigt.
  • Eine Schicht gemäß Anspruch 12 bis 16 kann als Diffusionssperre für Dotanden oder andere in der technologischen Folge nachfolgender Materialien oder zum Zwecke eines induzierten Wachstums der nachfolgenden Schichten dienen.
  • Die Generation des Photostromes in der i-Schicht des erfindungsgemäßen photoaktiven Elementes beruht auf einem oder einer Kombination der nachfolgenden Wirkprinzipien:
    • a) Absorption von Photonen mit daraus resultierender Exzitonenbildung und Trennung der Exzitonen in freie Ladungsträger durch ein elektrisches Feld
    • b) Absorption von Photonen in einem ersten Material mit daraus resultierender Exzitonenbildung, Diffusion der Exzitonen an eine Grenzfläche zu einem weiteren Material und Trennung der Exzitonen in freie Ladungsträger an der Grenzfläche.
    • c) Absorption der Photonen durch eine oder mehrere Komponenten eines mehrkomponentigen Materials, das zumindest aus den Komponenten K1 und K2 besteht, Trennung der auf K1 oder K2 entstandenen Exzitonen in Elektronen auf K1 und Löcher auf K2 und Abtransport der Ladungsträger in einem interpenetrierenden Netzwerk der beiden Komponenten.
    • d) Generation entsprechend c) in einer Schicht oder einem Schichtsystem, welches mindestens eine p- oder n-dotierte mehrkomponentige Schicht umfasst.
  • Die Erfindung soll nachfolgend anhand zweier Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. In den zughörigen Zeichnungen zeigt
  • 1 eine erfindungsgemäße organischen Solarzelle nach dem Prinzip einer Einzeldiodenstruktur (erstes Ausführungsbeispiel),
  • 2 eine erfindungsgemäßen organischen Solarzelle nach Stapelprinzip (zweites Ausführungsbeispiel)
  • 3a ein photoaktives Bauelements nach dem Stapelprinzip, welches aus 2 pin-Zellen besteht,
  • 3b ein Energieschema der in 3a dargestellten photoaktiven Bauelementes,
  • 4 eine Schichtabfolge der Zweifachstruktur und
  • 5 je eine Hell- und eine Dunkelkennlinie.
  • Eine in 1 dargestellte vorteilhafte Ausführung einer Struktur einer erfindungsgemäßen organischen Solarzelle nach Prinzip einer Einzeldiodenstruktur beinhaltet folgende Schich ten:
    • 0a.) Träger, Substrat,
    • 1a.) Grundkontakt, meist transparent, mit optionaler organischer oder anorganischer Kontaktvermittlungsschicht
    • 2a.) Ladungsträgertransportschicht (wide-gap), p- bzw. n-dotiert
    • 3a.) aktive Schicht,
    • 4a.) Ladungsträgertransportschicht (wide-gap), n- bzw. p-dotiert
    • 5a.) Deckkontakt, darunter optional organische oder anorganische Kontaktvermittlungsschicht
  • Demgemäß besteht das Bauelement vorteilhaft aus einer pin- bzw. nip-Schichtstruktur. Die pin- (bzw. nip-) Struktur ihrerseits besteht jeweils aus zwei oder mehr organischen Ladungsträgertransportschichten (2a und 4a) und einem zwischen der organischen Schicht (2a) und der organischen Schicht (4a) befindlichen Schichtsystem (3a), in welchem das Licht absorbiert wird. Weiterhin beinhaltet die komplette Struktur 2 Kontaktschichten (1a und 5a) die jeweils auch als transparente Kontaktschicht ausgeführt sein kann. Die Schichten 2a bzw. 4a sind p bzw. n-dotiert, die Schicht 3a ist undotiert oder sehr gering p- bzw. n-dotiert. Die Schicht 3a ist entweder einkomponentig (abgesehen von der Dotierung) oder es handelt sich um Mischschichten aus zwei Komponenten entsprechend dem Prinzip interpenetrierender Netzwerke. Die Materialien sind so gewählt, dass Exzitonen an den internen Phasengrenzen in der Mischschicht zwischen den beiden Materialien bzw. an der Grenzschicht zweier Schichten effizient in freie Ladungsträger getrennt werden.
  • Wie in 2 dargestellt, beinhaltet eine vorteilhafte Ausführung einer Struktur einer erfindungsgemäßen organischen Solarzelle nach Stapelprinzip folgende Schichten:
    • 0b.) Träger, Substrat,
    • 1b.) Grundkontakt, meist transparent, mit optionaler organischer oder anorganischer Kontaktvermittlungsschicht
    • 2b.) Ladungsträgertransportschicht (wide-gap), p- bzw. n-dotiert
    • 3b.) erste aktive Schicht,
    • 4b.) Ladungsträgertransportschicht (wide-gap), n- bzw. p-dotiert
    • 5b.) Übergangsschicht, Rekombinationszone
    • 6b.) Ladungsträgertransportschicht (wide-gap), p- bzw. n-dotiert
    • 7b.) zweite aktive Schicht,
    • 8b.) Ladungsträgertransportschicht (wide-gap), n- bzw. p-dotiert
    usw.
    • (N-1)b.) Ladungsträgertransportschicht (wide-gap), n- bzw. p-dotiert
    • Nb.) Deckkontakt, darunter optional organische oder anorganische Kontaktvermittlungsschicht
  • Demgemäß besteht das Bauelement vorteilhaft aus mindestens zwei gestapelten pin- bzw. nip- Schichtstrukturen. Die pin- (bzw. nip-) Strukturen ihrerseits bestehen jeweils aus zwei oder mehr organischen Ladungsträgertransportschichten (2b und 4b, 6b und 8b usw.) und einem zwischen der organischen Schicht (2b, 6b usw.) und der organischen Schicht (4b, 8b usw.) befindlichen Schichtsystem (3b, 7b usw.), in welchem das Licht absorbiert wird. Weiterhin beinhaltet die komplette Stapelstruktur 2 Kontaktschichten (1b und Nb) sowie jeweils ein Übergangsschicht system zwischen n-ten und der n + 1-ten pin-(nip-)Zelle, die jeweils auch als transparente Kontaktschicht ausgeführt sein kann. Die Schichten 2b, 6b etc. bzw. 4b, 8b etc. sind p bzw. n-dotiert, die Schicht 3b, 7b etc. ist undotiert oder sehr gering p- bzw. n-dotiert. Die Schicht 3b, 7b etc. ist entweder einkomponentig (abgesehen von der Dotierung) oder es handelt sich um Mischschichten aus zwei Komponenten entsprechend dem Prinzip interpenetrierender Netzwerke. Die Materialien sind so gewählt, dass Exzitonen an den internen Phasengrenzen in der Mischschicht zwischen den beiden Materialien bzw. an der Grenzschicht zweier Schichten effizient in freie Ladungsträger getrennt werden.
  • Die Ladungsträgertransportschichten 2b, 4b, 6b etc. müssen nicht photoaktiv sein und können dotiert sein. Erfindungsgemäß ist in jeder Diodenstrukturen mindestens eine der Transportschichten dotiert. Jede Ladungsträgertransportschicht sorgt für den effizienten Abtransport einer Ladungsträgersorte (Löcher bzw. Elektronen). Außerdem trennen sie die aktiven Schichten von den Kontakten bzw. den Rekombinationsschichten 5b, 9b etc. und verhindern damit, dass die Exzitonen oder Ladungsträgerpaare aus einer Diode unerwünschte Rekombinationszentren antreffen.
  • Zur Veranschaulichung wird die Funktionsweise am Beispiel eines photoaktiven Bauelements erläutert, welches aus 2 pin-Zellen besteht. Einfach und mehrfach pin-Zellen funktionieren analog. Eine derartige Stapelzelle ist in 3a und deren Energieschema in 3b dargestellt. Zur besseren Übersicht sei ebenfalls angenommen, dass die Transportschichten, die aktiven Schichten und die Übergangsschichten jeweils nur aus einer Einzelschicht bestehen. Hierbei sollen die aktiven Schichten der ersten pin-Zelle (3b) einen anderen Absorptionsbereich abdecken als die der pin-Zelle zwei (7b), um einen möglichst weiten Spektralbereich auszunutzen. Des Weiteren sei angenommen, dass die aktiven Schichten im Sinne der interpenetrierenden Netzwerke aus einer Mischung je zweier Materia lien bestehen. Durch das Licht soll nun in dem undotierten Material der ersten Mischschicht (3b) ein Exziton erzeugt werden. Das Exziton diffundiert in diesem Material bis es an eine Domänengrenze innerhalb der Mischschicht gelangt. Hier wird es getrennt, wobei das Loch auf dem donorartigen Material und das Elektron auf dem aktzeptorartigen Material verbleibt. Beide Ladungsträger wandern anschließend zu den entsprechenden dotierten Transportschichten. Hierbei ist ein guter Übergang gewährleistet und die jeweilige Ladungsträgertransportschicht sorgt für den effizienten Transport des Elektrons zum Kontakt (1b) bzw. des Lochs zur Übergangsschicht (5b). Analog vollzieht sich der Vorgang in der zweiten pin-Zelle (6b), (7b), (8b). Nun liegen an den beiden Kontakten (1b), (9b) die Ladungsträger vor. Um jedoch einen Stromfluss zu gewährleisten, müssen die beiden Ladungsträger, welche in Richtung der Übergangsschicht (5b) abgegeben wurden, miteinander rekombinieren, womit der Stromkreis geschlossen ist. Bei dieser Rekombination soll nur ein möglichst geringer Energieverlust auftreten. Dies wird, wie unten näher erläutert, durch die Dotierung von mindestens einer der angrenzenden Transportschichten und ggf. durch Einbau der Übergangsschicht (5b) erreicht. Bei Benutzung hoch dotierter Transportschichten ist unter Umständen eine derartige Übergangsschicht nicht notwendig.
  • Besonders wichtig in derartigen Stapelzellen ist die Balance der erzeugten Ströme in den Einzelzellen, d.h. die Anzahl der absorbierten und in Ladungsträger umgewandelten Photonen. Erfindungsgemäß wird dies durch eine Anpassung der Schichtdicken und/oder der Wahl der Materialien mit entsprechend verschiedenem Absorptionsvermögen gewährleistet.
  • Die Funktionsweise des Bauelementes wird nachfolgend an Hand des Energieschemas noch näher erläutert. 3b zeigt die schematische Darstellung der HOMO (highest occupied molecular orbital) und LUMO (lowest unoccupied molecular orbital) Niveaus am Beispiel einer zweifachen pin-Stapelstruktur. Auch hier ist vereinfachend nur jeweils eine Schicht für Ladungs trägergeneration (aktive Schicht, 3b und 7b), Löchertransport (4b und 8b), Elektronentransport (2b und 6b) dargestellt. Durch das Licht soll nun wiederum in jeder aktiven Schicht ein Exziton erzeugt werden. Dieses kann nun nahezu vor Ort in ein Loch und ein Elektron zerfallen (vgl. interpenetrierende Netzwerke) oder aber auch so weit diffundieren bis es innerhalb der aktiven Schicht an eine trennende Grenzschicht trifft wobei es dissoziert.
  • Erfindungsgemäß wird bei einem Diffusionprozess der Exzitonen gewährleistet, dass nicht getrennte Exzitonen durch die angrenzenden wide-gap Transportschichten reflektiert werden und weiterhin zur Dissoziation, und somit zur Ladungsträgergeneration, zur Verfügung stehen. Die entstandenen Ladungsträger werden durch das eingebaute Feld, welches durch das Angleichen der verschiedenen Ferminiveaus der n- bzw. p-dotierten Schichten (2b, 6b bzw. 4b, 8b) entsteht, bis an die Grenzen der aktiven Schichten transportiert und können von den Transportschichten übernommen werden.
  • Vorzugsweise sind die Materialien so zu wählen, dass der Ladungsübergang zwischen aktiver Schicht und den Transportschichten nur für eine Ladungsträgerart (Elektronen zur n-Schicht, Löcher zur p-Schicht) energetisch möglich ist. In einer vorteilhaften Ausführung stoßen hier die Energieniveaus, wie in 3b dargestellt, iso-energetisch aneinander. Für die jeweils andere Art besteht eine energetische Barriere.
  • Ladungsträger in den Schichten 2b und 8b können direkt auf den Kontakt 1b bzw. 9b übergehen. Hierbei wirkt sich die Dotierung der Transportschichten positiv aus, da der Übergang zu Kontakten auch mit nicht ideal angepaßten Austrittsarbeiten durch eine starke Bandverbiegung und somit durch eine Reduzierung der Verarmungszone erleichtert wird (quasi-ohmscher Kontakt). Ladungsträger in den Schichten 4b (Löcher) und 6b (Elektronen) gehen auf die Übergangsschicht (5b) über, wo sie rekombinieren können. Ihr Übergang wird besonders durch den eben erklärten vorteilhaften Einfluss der Dotierung (quasi-ohmscher Kontakt) begünstigt.
  • Die Konzentration des optischen Feldes zwecks erhöhter Absorption in den aktiven Bereichen durch optimale Wahl optischer Konstanten und Schichtdicken der Transportschichten ist ebenfalls Gegenstand der Erfindung.
  • Im Sinne der Erfindung sind die Ladungstransportschichten vorzugsweise dotiert (im Sinne einer elektrisch wirksamen Dotierung). Im Falle molekularer organischer Systeme liegen die molaren Dotierungskonzentrationen typischerweise im Bereich von 1:10 bis 1:10000. Falls die Dotanden wesentlich kleiner sind als die Matrixmoleküle, können in Ausnahmefällen auch mehr Dotanden als Matrixmoleküle in der Schicht sein (bis 5:1). Die Dotanden können organisch oder anorganisch sein.
  • Aufgrund der Dotierung der Transportschichten ergeben sich wesentliche Punkte der Erfindung. Zum einen werden durch Dotierung die Transporteigenschaften entscheidend verbessert, so dass Verluste (Potentialabfall am Widerstand) minimiert werden. Weiterhin wirkt die Dotierung vorteilhaft auf das Rekombinations- bzw. Generationsverhalten am Übergang zwischen zwei pin-Zellen. Hohe Dotierung bedeutet in diesem Falle auch eine schmale Verarmungszone auf beiden Seiten dieses Übergangs, so dass auch hohe Barrieren leicht (z.B. durch den quantenmechanischen Tunnelprozess) überwunden werden können. Durch Verwendung von wide-gap Materialien ist dieser pn-Übergang zudem nicht photoaktiv und führt damit bei Beleuchtung nicht zum Aufbau einer Gegenspannung, die die nutzbare Photospannung reduzieren würde.
  • Eine weitere vorteilhafte Ausführung der o.g. Stapelzelle besteht darin, dass am Übergang zwischen zwei pin-Zellen zusätzlich eine Übergangsschicht (u. U. mehrere Schichten) eingebracht ist. Diese kann dünn ausgeführt sein und der zusätzlichen Einbringung von Rekombinationszentren dienen. Insbesonde re ist es zweckmäßig, dass diese aus Metallclustern oder einer ultradünnen Metallschicht besteht.
  • Zur Demonstration der Funktion der oben genannten pin-Einfachstruktur und einer pin-Zweifachstruktur sind in 5 je eine Hell- und eine Dunkelkennlinie dargestellt. 4 gibt die Schichtabfolge der Zweifachstruktur wieder. Die Einfachstruktur entspricht der ersten Teilzelle (beginnend vom Substrat), wobei anstatt der 1nm dicken Goldschicht eine ca. 40nm Goldschicht zur Kontaktierung aufgebracht ist. Die abgebildeten Zellen sind noch in keiner Weise optimiert. Die annähernde Verdoppelung der offenen Klemmspannung (open circuit voltage UOC) bestätigt die Funktionsweise.
    • HOMO
    Highest Occupied Molecular Orbital
    LUMO
    Lowest Unoccupied Molecular Orbital
    EF
    Ferminiveau
    0a, 0b
    Substrat
    1a, 1b
    Kontaktschicht (meist Transparent)
    2a, 2b
    Transportschicht (wide-gap) (p- bzw. n-dotiert)
    3a, 3b
    aktive Schicht
    4a, 4b
    Transportschicht (wide-gap) (n- bzw. p-dotiert)
    5a
    Kontaktschicht
    5b
    Übergangsschicht
    6b
    Transportschicht (wide-gap) (p- bzw. n-dotiert)
    7b
    aktive Schicht
    8b
    Transportschicht (wide-gap) (n- bzw. p-dotiert)
    (N-1)b
    Transportschicht (wide-gap) (n- bzw. p-dotiert)
    Nb
    Kontaktschicht

Claims (33)

  1. Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten, insbesondere eine Solarzelle, bestehend aus einer Folge von organischen Dünnschichten und Kontaktschichten mit einer dotierten Transportschicht und einer photoaktiven Schicht, die in einer pi-, ni- oder pin-Dioden-Struktur aus jeweils einer p-, i- oder n-Schicht angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet , dass die Transportschicht eine größere optische Bandlücke aufweist, als die photoaktive Schicht und dass die Struktur zumindest in einem Teil des Sonnenspektrums von 350 nm bis 2000 nm teildurchlässig ist.
  2. Photoaktives Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die photoaktive Schicht vor, während und nach der Abscheidung von den Kontaktschichten durch die Transportschicht separiert ist.
  3. Photoaktives Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass mittels einer Lichtfalle der optische Weg des einfallenden Lichtes in der photoaktiven Schicht verlängert wird.
  4. Photoaktives Bauelement nach Anspruche 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtfalle dadurch gebildet ist, dass die dotierte Transportschicht eine glatte Grenzschicht zu der i-Schicht und eine periodisch mikrostrukturierte Grenzfläche zu der Kontaktfläche aufweist.
  5. Photoaktives Bauelement nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauelement auf einem periodisch mikrostrukturierten Substrat aufgebaut ist und die dotierte Transportschicht eine auf der gesamten Fläche homogene Funktion des Bauelementes gewährleistend aufgebracht wird.
  6. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die i-Schicht aus mehreren Schicht mit verschiedenen Absorptionsspektren besteht.
  7. Photoaktives Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine zweite pi-, ni- oder pin-Dioden-Struktur vorgesehen ist, wobei die Transportschicht der zweiten Struktur eine größere optische Bandlücke aufweist, als die photoaktive Schicht der zweiten Struktur und die zweite Struktur zumindest in einem Teil des Sonnenspektrums von 350 nm bis 2000 nm teildurchlässig ist.
  8. Photoaktives Bauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die i-Schichten der einzelnen Strukturen jeweils dieselbe optische Absortion aufweisen und jeweils optisch dünn sind, so dass sie am Absorptionsmaximum mindestens 50% des Lichtes transmittieren oder dass die i-Schichten der einzelnen Strukturen verschiedene optische Absorptionsspektren aufweisen, die sich gegenseitig ergänzen.
  9. Photoaktives Bauelement nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens drei Strukturen vorgesehen sind, die sowohl mehrere optisch dünne i-Schichten mit demselben Absorptionsspektrum als auch i-Schichten mit verschiedenen, sich ergänzenden Absorptionsspektren umfassen.
  10. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die i-Schicht von mindestens einer der Strukturen aus mehreren Schichten mit verschiedenen Absorptionsspektren besteht.
  11. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die n- oder p-Schicht, die in der Nähe eines Überganges zwischen zwei Stukturen liegt, eine Dotierung aufweist.
  12. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der p-Schicht der n-ten Struktur und der n-Schicht der n + 1-ten Struktur eine Schicht eines Metalls, eines Salzes oder eines anorganischen oder organischen Materiales eingebracht ist.
  13. Photaktive Bauelement nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der p-Schicht der n-ten Struktur und der n-Schicht der n + 1-ten Struktur mehrere Schichten eines Metalls, eines Salzes oder eines anorganischen oder organischen Materiales eingebracht sind.
  14. Photoaktives Bauelement nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass eine oder mehrere dotierte Schichten aus einem organischen oder anorganischem Halbleitermaterial eingebracht sind.
  15. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass eine transparente oder semitransparente Schicht aus einem Metall, einem Salz oder einem anderen anorganischen Material, vorzugsweise TCO (TCO (transparent conductive oxide) = transparentes leitfähiges Oxid), oder mehrere dieser Schichten eingefügt ist.
  16. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass eine Schicht aus Nanoclustern eines Metalls, eines Salzes oder eines anorganischen oder organischen Materiales oder mehrere derartige Schichten eingebracht ist.
  17. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 7 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der p-Schicht der n-ten Struktur und der n-Schicht der n + 1-ten Struktur ein transparenter oder semitransparenter Kontakt zur individuellen Kontaktierung der einzelnen Strukturen eingefügt ist.
  18. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 7 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass eine oder mehrere Lichtfallen eingesetzt sind.
  19. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 7 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Kontakt aus hochtransparentem ITO (ITO (indium tin oxide) = Indium-Zinn-Oxid), anderen transparenten und leitfähigen Materialien, wie ZnO, leitfähigen Polymeren oder Metall als semitransparente Schicht besteht.
  20. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 7 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Schichten, insbesondere die Dicke der i-Schichten, so gewählt ist, dass alle Strukturen unter Berücksichtigung der Verteilung des optischen Feldes in dem photoaktiven Bauelement den selben Photostrom liefern.
  21. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass eine p-Schicht aus einer p-dotierten Schicht, eine i-Schicht aus einer im elektrischen Sinne undotierten oder im Vergleich zu dotierten Schichten nur gering dotierten Schicht besteht, von den mindestens eine als Photonen absorbierende und Strom generierende und damit photoaktive Schicht ausgebildet ist, und eine n-Schicht mindestens aus einer n-dotierten Schicht besteht.
  22. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Gesamtstruktur mit einem transparenten und einem reflektierenden Kontakt versehen ist.
  23. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontakte aus Metall, einem leitfähigen Oxid, insbesondere ITO, ZnO:Al oder anderen TCOs oder einem leitfähigen Polymer, insbesondere PEDOT:PSS bestehen.
  24. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der n- bzw. p-Schichten so gewählt wird, dass die Position der i-Schicht in Bezug auf die Feldstärkeverteilung des optischen Feldes optimiert ist.
  25. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Dotierungsdichte in einer oder mehreren der photoaktiven Schichten (3a bzw. 3b, 7b usw.) oder Transportschichten (2a, 4a bzw. 2b, 4b, 6b, 8b usw.) einen Gradienten aufweist, wobei die Dotierungsdichte in den Transportschichten in Richtung der aktiven Schicht sinkt.
  26. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass die Komponenten in den photoaktiven Schichten, insbesondere auch Mischschichten, aus organischen Materialien bestehen.
  27. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Dotand ein anorganisches Material, insbesondere ein Alkalimetall ist.
  28. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Anteil in der photoaktiven Schichten (3a bzw. 3b, 7b usw.) ganz oder teilweise aus anorganischen Materialien besteht.
  29. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Anteil der Ladungstransportschichten (2a, 4a bzw. 2b, 4b, 6b, 8b usw.) ganz oder teilweise aus anorganischen Materialien besteht.
  30. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass für die p-Dotierung der Löchertransportschichten organische Akzeptormoleküle verwendet werden. Hierfür können erfindungsgemäß Moleküle aus der Klasse der Chinone, Tetracyanochinodimethane (TCNQ-Derivate wie F4-TCNQ), Dicyanochinochinodiimine (DCNQI-Derivate) und entsprechende Derivate höherer Chinone (Naphtho- und Anthrochinonderivate) verwendet werden.
  31. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 30, dadurch gekennzeichnet, dass als Wirtsmaterial für die p-Transportschichten ein Material aus den folgenden Materialklassen verwendet wird: a) Derivate von Tetraphenyldiamin (TPD), insbesondere solche TPD Derivate, deren Ionisierungsenergie durch elektronenschiebende Substituenten wie Methoxy- oder Methylgruppen erniedrigt wird, sowie deren Spiro-Derivate, b) Triphenylamin-Derivate, insbesondere Derivate von Tris(Diphenylamino)-Triphenylamin (TDATA), Triaminophenyl-Derivate, Triphenylbenzen-Derivate und c) Oligomere, die durch Verwendung von Thiophenringen Donorcharakter erhalten, insbesondere Oligothiophene d) Derivate von Oligo-para-Phenylen-Vinylen (OPPV) e) Porphyrine oder Phthalozyanine f) Perylen oder Terrylenderivate
  32. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 31, dadurch gekennzeichnet, dass als Wirtsmaterial für die n-Transportschichten ein Material aus den folgenden Materialklassen verwendet wird: a) Derivate von Perylen- oder Naphthalen-Tetracarbonsäure-Diimid (PTCDI, NTCDI), -Dianhydrid (PTCDA, NTCDA) oder -Bisimidazol (PTCBI, NTCBI) b) Fullerene wie C60 oder C70 und deren Derivate c) Phthalozyanine oder Porphyrine, deren Elektronenaffinität durch elektronenziehende Substituenten wie Fluor oder Chlor erhöht wurde. d) Chinone e) Oligomere mit durch Substituenten wie Fluor, Chlor, CF3, CN etc. erhöhter Elektronenaffinität, z.B. perfluorierte Oligophenyle f) Oxadiazol-Derivate.
  33. Photoaktives Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 32, dadurch gekennzeichnet, dass in den photoaktiven Schichten (3a bzw. 3b, 7b usw.) vorwiegend donorartige Substanzen aus den in Anspruch 31 erwähnten Materialklassen und vorwiegend akzeptorartige Substanzen aus den in Anspruch 32 erwähnten Materialklassen enthalten sind.
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Cited By (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1817800A1 (de) * 2004-12-02 2007-08-15 The Trustees Of Princeton University Lichtempfindliche halbleiterbausteine mit isolierten photosynthetischen komplexen
DE102007009995A1 (de) * 2007-03-01 2008-09-04 Hahn-Meitner-Institut Berlin Gmbh Organische Solarzelle
WO2010133205A1 (de) * 2009-05-18 2010-11-25 Technische Universität Dresden Organische solarzelle oder photodetektor mit verbesserter absorption
DE102009051142A1 (de) 2009-06-05 2010-12-09 Heliatek Gmbh Photoaktives Bauelement mit invertierter Schichtfolge und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102009036110A1 (de) 2009-06-05 2010-12-09 Heliatek Gmbh Licht absorbierendes organisches Bauelement
DE102010028945A1 (de) 2009-10-29 2010-12-09 Heliatek Gmbh Anwendungen für organische Photovoltaik
DE102009038633A1 (de) 2009-06-05 2010-12-16 Heliatek Gmbh Photoaktives Bauelement mit organischen Doppel- bzw. Mehrfach-Mischschichten
WO2011015550A1 (de) 2009-08-03 2011-02-10 Heliatek Gmbh Verdampfer system für organische schichten und bauelemente
WO2011027124A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 University Of Warwick Organic photosensitive optoelectronic devices
WO2011064330A1 (de) 2009-11-27 2011-06-03 Heliatek Gmbh Organisches photoaktives bauelement mit kavitäts-schichtsystem
WO2011073219A1 (de) 2009-12-16 2011-06-23 Heliatek Gmbh Photoaktives bauelement mit organischen schichten
DE102010007403A1 (de) 2010-02-09 2011-08-11 heliatek GmbH, 01139 Aufdampfparameter für organische Solarzellen
EP2385556A1 (de) 2010-05-04 2011-11-09 Heliatek GmbH Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten
EP2398056A1 (de) 2010-06-21 2011-12-21 Heliatek GmbH Organische Solarzelle mit mehreren Transportschichtsystemen
EP2400575A1 (de) 2010-06-24 2011-12-28 heliatek GmbH Optoelektronisches Bauelement mit organischen Schichten
DE202006021034U1 (de) 2005-03-04 2011-12-28 Heliatek Gmbh Organisches photoaktives Bauelement
DE102010056519A1 (de) 2010-12-27 2012-06-28 Heliatek Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit dotierten Schichten
WO2012093180A1 (de) 2011-01-06 2012-07-12 Heliatek Gmbh Elektronisches oder optoelektronisches bauelement mit organischen schichten
DE102011013897A1 (de) * 2011-03-11 2012-09-13 Technische Universität Dresden Organische Solarzelle
DE102012103448A1 (de) 2012-04-19 2013-10-24 Heliatek Gmbh Verfahren zur Optimierung von in Reihe geschalteten, photoaktiven Bauelementen auf gekrümmten Oberflächen
DE102012104118A1 (de) 2012-05-10 2013-11-14 Heliatek Gmbh Lochtransportmaterialien für optoelektronische Bauelemente
DE102012104247A1 (de) 2012-05-16 2013-11-21 Heliatek Gmbh Halbleitendes organisches Material für optoelektronische Bauelemente
WO2013179220A2 (de) 2012-05-30 2013-12-05 Heliatek Gmbh Solarmodul zur anordnung auf formteilen
DE102012105022A1 (de) 2012-06-11 2013-12-12 Heliatek Gmbh Fahrzeug mit flexiblen organischen Photovoltaik-Modulen
WO2013186668A1 (de) 2012-06-11 2013-12-19 Heliatek Gmbh Filtersystem für photoaktive bauelemente
DE102012105812A1 (de) 2012-07-02 2014-01-02 Heliatek Gmbh Elektrodenanordnung für optoelektronische Bauelemente
DE102012105810A1 (de) 2012-07-02 2014-01-02 Heliatek Gmbh Transparente Elektrode für optoelektronische Bauelemente
DE102012105809A1 (de) 2012-07-02 2014-01-02 Heliatek Gmbh Transparente Elektrode für optoelektronische Bauelemente
WO2014006565A2 (de) 2012-07-02 2014-01-09 Heliatek Gmbh Transparente elektrode für optoelektronische bauelemente
WO2015197635A1 (fr) * 2014-06-26 2015-12-30 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Cellules tandem multifils
US9512354B2 (en) 2008-06-06 2016-12-06 Basf Se Chlorinated naphthalenetetracarboxylic acid derivatives, preparation thereof and use thereof in organic electronics
EP3187496A1 (de) 2015-12-30 2017-07-05 Heliatek GmbH Verbindung für fotoaktive organische elektronische bauelemente und fotoaktives organisches elektronisches bauelement enthaltend die verbindung
EP3188270A1 (de) 2015-12-30 2017-07-05 Heliatek GmbH Organisches halbleitendes material und dessen verwendung in organischen bauelementen
EP3264482A1 (de) * 2016-06-29 2018-01-03 Samsung Electronics Co., Ltd Organische fotoelektronische vorrichtung und bildsensor
US9917260B2 (en) 2013-08-23 2018-03-13 Basf Se Compounds with terminal heteroarylcyanovinylene groups and their use in organic solar cells
US10186664B2 (en) 2014-06-17 2019-01-22 Basf Se N-fluoroalkyl-substituted dibromonaphthalene diimides and their use as semiconductor
US10224486B2 (en) 2015-09-25 2019-03-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Compound for organic photoelectric device and organic photoelectric device and image sensor including the same
US10236461B2 (en) 2016-05-20 2019-03-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic photoelectronic device and image sensor
US10276802B2 (en) 2016-04-06 2019-04-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Compound and organic photoelectric device, image sensor and electronic device including the same
US10381412B2 (en) 2015-11-30 2019-08-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic photoelectronic device
US10505146B2 (en) 2016-08-29 2019-12-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic photoelectronic device and image sensor and electronic device
US10522767B2 (en) 2014-11-26 2019-12-31 Basf Se 4-oxoquinoline compounds
WO2021018351A1 (de) 2019-07-29 2021-02-04 Heliatek Gmbh Organische halbleitende verbindung mit einer indolgruppe, organisches optoelektronisches bauelement mit einer solchen verbindung, und verwendung einer solchen verbindung
WO2021058065A1 (de) 2019-09-24 2021-04-01 Heliatek Gmbh Verbindungen mit einer furopyrrol- oder einer thienopyrrolgruppe, optoelektronische bauelemente mit einer solchen verbindung, und verwendung einer solchen verbindung in optoelektronischen bauelementen
DE102020200053A1 (de) 2020-01-06 2021-07-08 Heliatek Gmbh Verkapselungssystem für ein optoelektronisches Bauelement mit mindestens einer ersten Verkapselung und einer zweiten Verkapselung, optoelektronisches Bauelement mit einem solchen Verkapselungssystem
US11145822B2 (en) 2017-10-20 2021-10-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Compound and photoelectric device, image sensor, and electronic device including the same
WO2022048699A1 (de) 2019-12-12 2022-03-10 Heliatek Gmbh Beschichtung für ein optoelektronisches bauelement, verfahren zur herstellung einer solchen beschichtung, optoelektronisches bauelement mit einer solchen beschichtung
DE102022100149A1 (de) 2022-01-04 2023-07-06 Heliatek Gmbh Verfahren zur Herstellung einer photoaktiven Schicht in einem Schichtsystem eines organischen elektronischen Bauelements

Families Citing this family (101)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100026176A1 (en) 2002-03-28 2010-02-04 Jan Blochwitz-Nomith Transparent, Thermally Stable Light-Emitting Component Having Organic Layers
DE10326546A1 (de) * 2003-06-12 2005-01-05 Siemens Ag Organische Solarzelle mit einer Zwischenschicht mit asymmetrischen Transporteigenschaften
US7196366B2 (en) * 2004-08-05 2007-03-27 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive devices
JP2006278584A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Dainippon Printing Co Ltd 有機薄膜太陽電池素子
DE502005009802D1 (de) * 2005-11-10 2010-08-05 Novaled Ag Dotiertes organisches Halbleitermaterial
US7919010B2 (en) * 2005-12-22 2011-04-05 Novaled Ag Doped organic semiconductor material
US20080230120A1 (en) * 2006-02-13 2008-09-25 Solexant Corp. Photovoltaic device with nanostructured layers
EP1989744A1 (de) * 2006-02-16 2008-11-12 Solexant Corporation Nanopartikel-sensibilisierte nanostrukturierte solarzellen
WO2007098451A1 (en) * 2006-02-17 2007-08-30 Solexant Corporation Nanostructured electroluminescent device and display
EP1837927A1 (de) * 2006-03-22 2007-09-26 Novaled AG Verwendung von heterocyclischen Radikalen zur Dotierung von organischen Halbleitern
ATE394800T1 (de) 2006-03-21 2008-05-15 Novaled Ag Heterocyclisches radikal oder diradikal, deren dimere, oligomere, polymere, dispiroverbindungen und polycyclen, deren verwendung, organisches halbleitendes material sowie elektronisches bauelement
US20080066802A1 (en) * 2006-03-23 2008-03-20 Solexant Corp. Photovoltaic device containing nanoparticle sensitized carbon nanotubes
EP2261980B1 (de) * 2006-04-11 2013-06-12 Merck Patent GmbH Tandemsolarzelle
US20080001141A1 (en) * 2006-06-28 2008-01-03 Unidym, Inc. Doped Transparent and Conducting Nanostructure Networks
WO2008140601A1 (en) * 2006-12-06 2008-11-20 Solexant Corporation Nanophotovoltaic device with improved quantum efficiency
DE102007012794B3 (de) 2007-03-16 2008-06-19 Novaled Ag Pyrido[3,2-h]chinazoline und/oder deren 5,6-Dihydroderivate, deren Herstellungsverfahren und diese enthaltendes dotiertes organisches Halbleitermaterial
DE102007018456B4 (de) * 2007-04-19 2022-02-24 Novaled Gmbh Verwendung von Hauptgruppenelementhalogeniden und/oder -pseudohalogeniden, organisches halbleitendes Matrixmaterial, elektronische und optoelektronische Bauelemente
EP1988587B1 (de) 2007-04-30 2016-12-07 Novaled GmbH Oxokohlenstoff-, Pseudooxokohlenstoff- und Radialenverbindungen sowie deren Verwendung
EP1990847B1 (de) * 2007-05-10 2018-06-20 Novaled GmbH Verwendung von chinoiden Bisimidazolen und deren Derivaten als Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials
DE102007031220B4 (de) * 2007-07-04 2022-04-28 Novaled Gmbh Chinoide Verbindungen und deren Verwendung in halbleitenden Matrixmaterialien, elektronischen und optoelektronischen Bauelementen
EP2181096A1 (de) 2007-07-23 2010-05-05 Basf Se Verwendung von rylenderivaten als aktive komponenten in solarzellen und photodetektoren
US7906724B2 (en) * 2007-07-31 2011-03-15 Agency For Science, Technology And Research N-type conjugated materials based on 2-vinyl-4,5-dicyanoimidazoles and their use in organic photovoltaics
TWI452703B (zh) * 2007-11-16 2014-09-11 Semiconductor Energy Lab 光電轉換裝置及其製造方法
US8057712B2 (en) * 2008-04-29 2011-11-15 Novaled Ag Radialene compounds and their use
KR20090123540A (ko) * 2008-05-28 2009-12-02 삼성전자주식회사 유기 광전 변환막, 이를 구비하는 광전 변환 소자 및이미지 센서
WO2010050198A1 (ja) * 2008-10-30 2010-05-06 出光興産株式会社 有機太陽電池
JP5580976B2 (ja) * 2008-10-30 2014-08-27 出光興産株式会社 有機薄膜太陽電池
KR101565931B1 (ko) 2008-11-03 2015-11-06 삼성전자주식회사 광전변환 필름, 이를 구비하는 광전변환 소자 및 이미지 센서
DE102008060179A1 (de) 2008-11-30 2010-07-29 Brandenburgische Technische Universität Cottbus Solarzelle mit elektrostatischen Lokalfeldern im photoaktiven Bereich
US20120012183A1 (en) 2009-03-31 2012-01-19 Lintec Corporation Organic thin-film solar cell and method of producing same
KR101012089B1 (ko) * 2009-05-19 2011-02-07 한국과학기술연구원 일체형 코어/쉘 구조의 고분자-양자점 복합체를 포함하는 태양전지 소자 및 이의 제조방법
CN102574991B (zh) 2009-08-28 2014-04-23 新加坡科技研究局 聚合物半导体、装置及相关方法
US9166167B2 (en) 2009-08-28 2015-10-20 Agency For Science, Technology And Research P-type materials and organic electronic devices
CN102549792B (zh) 2009-10-13 2015-11-25 巴斯夫欧洲公司 生产有机太阳能电池和有机光检测器用光活性层的混合物
JP5585066B2 (ja) * 2009-12-14 2014-09-10 コニカミノルタ株式会社 有機薄膜型太陽電池及びその製造方法
US20110220177A1 (en) * 2010-03-10 2011-09-15 United Solar Ovonic Llc Tandem photovoltaic device with dual function semiconductor layer
WO2011131185A1 (de) 2010-04-21 2011-10-27 Novaled Ag Mischung zur herstellung einer dotierten halbleiterschicht
JP5810152B2 (ja) 2010-04-27 2015-11-11 ノヴァレッド・アクチエンゲゼルシャフト 有機半導体材料および電子部品
US8933436B2 (en) * 2010-10-13 2015-01-13 The Regents Of The University Of Michigan Ordered organic-organic multilayer growth
US20140000684A1 (en) 2010-12-03 2014-01-02 Jan Blochwitz-Nimoth Method for forming an electrical interconnection in an organic photovoltaic device and an organic photovoltaic device made by the same
CN102142522B (zh) * 2011-01-04 2014-09-03 复旦大学 一种采用金属吸收层的有机光电器件
TWI526418B (zh) 2011-03-01 2016-03-21 諾瓦發光二極體股份公司 有機半導體材料及有機組成物
CN102157659A (zh) * 2011-03-24 2011-08-17 北京交通大学 一种全湿法制备的聚合物pled器件及其制备方法
JP6461599B2 (ja) 2011-06-22 2019-01-30 ノヴァレッド ゲーエムベーハー 電子装置
JP5814044B2 (ja) * 2011-08-16 2015-11-17 富士フイルム株式会社 光電変換素子およびその使用方法、撮像素子、光センサ
KR101282041B1 (ko) * 2011-10-31 2013-07-04 한국화학연구원 고효율 무／유기 이종접합 무기반도체 감응형 광전소자 및 그 제조방법
US20140251430A1 (en) * 2011-11-28 2014-09-11 Mingjie Zhou Polymer solar cell and method for preparing same
EP2789027B1 (de) 2011-12-06 2019-08-14 Novaled GmbH Organisches pv-modul
WO2013102985A1 (ja) * 2012-01-06 2013-07-11 出光興産株式会社 有機光電変換素子及び有機薄膜太陽電池モジュール
JP5365714B2 (ja) * 2012-03-09 2013-12-11 大日本印刷株式会社 有機薄膜太陽電池素子
TW201341347A (zh) 2012-03-15 2013-10-16 Novaled Ag 芳香胺三聯苯化合物及其在有機半導體元件中的應用
DE102012106607B4 (de) 2012-07-20 2024-04-04 Heliatek Gmbh Verfahren zur Versiegelung von Modulen mit optoelektronischen Bauelementen
DE102012106815A1 (de) 2012-07-26 2014-01-30 Heliatek Gmbh Verfahren zur Kontaktierung optoelektronischer Bauelemente
EP2706584A1 (de) 2012-09-07 2014-03-12 Novaled AG Lastentransportierendes halbleitendes Material und Halbleitervorrichtung
CN102911002A (zh) * 2012-10-23 2013-02-06 中国科学院化学研究所 含萘环富勒烯衍生物及其制备方法与应用
US9845636B2 (en) 2013-01-07 2017-12-19 WexEnergy LLC Frameless supplemental window for fenestration
US9230339B2 (en) 2013-01-07 2016-01-05 Wexenergy Innovations Llc System and method of measuring distances related to an object
US9691163B2 (en) 2013-01-07 2017-06-27 Wexenergy Innovations Llc System and method of measuring distances related to an object utilizing ancillary objects
US8923650B2 (en) 2013-01-07 2014-12-30 Wexenergy Innovations Llc System and method of measuring distances related to an object
US10196850B2 (en) 2013-01-07 2019-02-05 WexEnergy LLC Frameless supplemental window for fenestration
US10883303B2 (en) 2013-01-07 2021-01-05 WexEnergy LLC Frameless supplemental window for fenestration
DE102013101714A1 (de) 2013-02-21 2014-08-21 Heliatek Gmbh Verfahren zur Optimierung von Absorberschichten in optoelektronischen Bauelementen
DE102013110373A1 (de) 2013-09-19 2015-03-19 Heliatek Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DK2959520T3 (en) 2013-02-21 2017-05-08 Heliatek Gmbh OPTION ELECTRONIC BUILDING ELEMENT
CN107068871A (zh) 2013-03-11 2017-08-18 沙特基础工业公司 平面供体‑受体异质结及包含其的光伏电池
CN105026406A (zh) 2013-03-11 2015-11-04 沙特基础工业公司 第ⅲ族金属的芳氧基-酞菁
DE102013104094A1 (de) 2013-04-23 2014-10-23 Heliatek Gmbh Verfahren zur Anordnung von optoelektronischen Bauelementen auf Formkörpern
US9876184B2 (en) 2013-08-28 2018-01-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Organic photosensitive device with an electron-blocking and hole-transport layer
DE102013111164A1 (de) 2013-10-09 2015-05-07 Heliatek Gmbh Verfahren zur Herstellung von Kontaktlöchern
US9397309B2 (en) * 2014-03-13 2016-07-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent devices
EP2963010B1 (de) 2014-07-04 2018-02-21 Novaled GmbH Elektronische Vorrichtung und Verbindung
DE102015113670A1 (de) * 2014-08-19 2016-02-25 Seoul Viosys Co., Ltd Leuchtvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
EP3198660B1 (de) 2014-09-26 2022-07-06 Heliatek GmbH Verfahren zum aufbringen einer schutzschicht für die herstellung eines halbfabrikats
CN105152122B (zh) * 2015-06-25 2017-06-23 北京科技大学 一种无机/有机半导体纳米复合结构及其制备方法和应用
KR102356696B1 (ko) * 2015-07-03 2022-01-26 삼성전자주식회사 유기 광전 소자 및 이미지 센서
EP3196013A1 (de) 2016-01-20 2017-07-26 AGC Glass Europe Organische photovoltaische anordnung und verfahren zur herstellung
EP3196012A1 (de) 2016-01-20 2017-07-26 AGC Glass Europe Organische fotovoltaische anordnung und verfahren zur herstellung
EP3208862A1 (de) 2016-02-22 2017-08-23 Novaled GmbH Ladungsübertragendes halbleitermaterial und elektronische vorrichtung damit
EP3208863B1 (de) 2016-02-22 2019-10-23 Novaled GmbH Ladungsübertragendes halbleitermaterial und elektronische vorrichtung damit
WO2017174491A1 (en) * 2016-04-06 2017-10-12 Trinamix Gmbh Detector for an optical detection of at least one object
EP3449510B1 (de) 2016-04-29 2023-11-08 AGC Glass Europe Anordnung
DE102016118177A1 (de) 2016-09-26 2018-03-29 Heliatek Gmbh Organisches Bauelement zur Umwandlung von Licht in elektrische Energie mit verbesserter Effizienz und Lebensdauer bei Teilverschattung
US10533364B2 (en) 2017-05-30 2020-01-14 WexEnergy LLC Frameless supplemental window for fenestration
EP3410505A1 (de) 2017-05-31 2018-12-05 Heliatek GmbH Polyphenole und polyamino-derivate in organischen optoelektronischen bauelementen
EP3617214B1 (de) 2018-08-30 2023-05-10 Heliatek GmbH Organisches halbleitendes material und dessen synthese und organisches halbleitendes bauelement mit dem material
DE102018132342A1 (de) 2018-12-14 2020-06-18 Heliatek Gmbh Stabilisierung laserstrukturierter organischer Photovoltaik
RU188622U1 (ru) * 2018-12-20 2019-04-18 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) Светоизлучающий солнечный элемент
DE202019102792U1 (de) 2019-05-17 2020-05-20 Heliatek Gmbh Säule mit mindestens einem photovoltaischen Element und Verwendung eines photovoltaischen Elements an einer Säule
DE102019113016A1 (de) 2019-05-17 2020-11-19 Heliatek Gmbh Säule mit mindestens einem photovoltaischen Element und Verwendung eines photovoltaischen Elements an einer Säule
DE102019129355A1 (de) 2019-10-30 2021-05-06 Heliatek Gmbh Photovoltaisches Element mit verbesserter Effizienz bei Verschattung und Verfahren zur Herstellung eines solchen photovoltaischen Elements
DE102019129832A1 (de) 2019-11-05 2021-05-06 Heliatek Gmbh Optoelektronisches Bauelement, sowie Verfahren zur Kontaktierung eines optoelektronischen Bauelements
DE102019135574A1 (de) * 2019-12-20 2021-06-24 Heliatek Gmbh Verfahren zum Herstellen einer heterogen strukturierten Beschichtung eines optoelektronischen Bauelements, sowie ein optoelektronisches Bauelement mit einer solchen Beschichtung
DE102020102494A1 (de) 2020-01-31 2021-08-05 Heliatek Gmbh Verfahren zum Überprüfen eines photovoltaischen Elements, sowie ein photovoltaisches Element,überprüft nach einem solchen Verfahren
EP3890041A1 (de) 2020-03-31 2021-10-06 Heliatek GmbH Neue chemische verbindungen, optoelektronische elemente mit mindestens einer neuen chemischen verbindung und verwendung von neuen chemischen verbindungen in einem optoelektronischen element
DE102020108847A1 (de) 2020-03-31 2021-09-30 Heliatek Gmbh Anordnung von Zellen in einem photovoltaischen Element
US20230339982A1 (en) 2020-08-31 2023-10-26 Heliatek Gmbh Chemical compound, use of at least one such chemical compound in an optoelectronic component, and optoelectronic component containing at least one such chemical compound
DE102020131742A1 (de) 2020-11-30 2022-06-02 Heliatek Gmbh Feldbreitenanpassung von Zellen in einem photovoltaischen Element
DE102020135118A1 (de) 2020-12-30 2022-06-30 Heliatek Gmbh Verbindung für ein optoelektronisches Bauelement und optoelektronisches Bauelement enthaltend die Verbindung
DE102021127720A1 (de) 2021-10-25 2023-04-27 Heliatek Gmbh Elektrisch leitfähige Beschichtung eines elektrischen Bauelements zur elektrisch leitfähigen Kontaktierung einer außerhalb der Beschichtung angeordneten Sammelschiene
DE102022116403A1 (de) 2022-06-30 2024-01-04 Heliatek Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer als planar Heterojunction ausgebildeten photoaktiven Schicht
DE102022125417A1 (de) 2022-09-30 2024-04-04 Heliatek Gmbh Chemische Verbindung, optoelektronisches Bauelement mit mindestens einer solchen chemischen Verbindung, und Verwendung mindestens einer solchen chemischen Verbindung in einem optoelektronischen Bauelement

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04297076A (ja) * 1991-01-31 1992-10-21 Toshiba Corp 有機ｅｌ素子
GB9806066D0 (en) * 1998-03-20 1998-05-20 Cambridge Display Tech Ltd Multilayer photovoltaic or photoconductive devices
US6278055B1 (en) * 1998-08-19 2001-08-21 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with an electrically series configuration
US6451415B1 (en) * 1998-08-19 2002-09-17 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic device with an exciton blocking layer
DE19905694A1 (de) 1998-11-27 2000-08-17 Forschungszentrum Juelich Gmbh Bauelement
US6639357B1 (en) * 2000-02-28 2003-10-28 The Trustees Of Princeton University High efficiency transparent organic light emitting devices
JP3423279B2 (ja) * 2000-09-01 2003-07-07 科学技術振興事業団 有機半導体薄膜太陽電池
JP2003264085A (ja) * 2001-12-05 2003-09-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機太陽電池
EP2264806B1 (de) * 2005-04-13 2019-03-27 Novaled GmbH Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen
WO2009037283A1 (de) * 2007-09-18 2009-03-26 Basf Se Verfahren zur herstellung von mit rylentetracarbonsäurediimiden beschichteten substraten

Cited By (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1817800A1 (de) * 2004-12-02 2007-08-15 The Trustees Of Princeton University Lichtempfindliche halbleiterbausteine mit isolierten photosynthetischen komplexen
DE202006021034U1 (de) 2005-03-04 2011-12-28 Heliatek Gmbh Organisches photoaktives Bauelement
US8426727B2 (en) 2005-03-04 2013-04-23 Heliatek Gmbh Organic photoactive device
DE102007009995A1 (de) * 2007-03-01 2008-09-04 Hahn-Meitner-Institut Berlin Gmbh Organische Solarzelle
US9512354B2 (en) 2008-06-06 2016-12-06 Basf Se Chlorinated naphthalenetetracarboxylic acid derivatives, preparation thereof and use thereof in organic electronics
US10214525B2 (en) 2008-06-06 2019-02-26 Basf Se Chlorinated napthalenetetracarboxylic acid derivatives, preparation thereof and use thereof in organic electronics
WO2010133205A1 (de) * 2009-05-18 2010-11-25 Technische Universität Dresden Organische solarzelle oder photodetektor mit verbesserter absorption
DE102009051142A1 (de) 2009-06-05 2010-12-09 Heliatek Gmbh Photoaktives Bauelement mit invertierter Schichtfolge und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102009036110A1 (de) 2009-06-05 2010-12-09 Heliatek Gmbh Licht absorbierendes organisches Bauelement
DE102009038633A1 (de) 2009-06-05 2010-12-16 Heliatek Gmbh Photoaktives Bauelement mit organischen Doppel- bzw. Mehrfach-Mischschichten
DE102009051142B4 (de) 2009-06-05 2019-06-27 Heliatek Gmbh Photoaktives Bauelement mit invertierter Schichtfolge und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102009038633B4 (de) 2009-06-05 2019-07-04 Heliatek Gmbh Photoaktives Bauelement mit organischen Doppel- bzw. Mehrfachmischschichten
WO2011015550A1 (de) 2009-08-03 2011-02-10 Heliatek Gmbh Verdampfer system für organische schichten und bauelemente
WO2011027124A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 University Of Warwick Organic photosensitive optoelectronic devices
CN102625954A (zh) * 2009-09-04 2012-08-01 华威大学 有机光敏光电器件
DE102010028945A1 (de) 2009-10-29 2010-12-09 Heliatek Gmbh Anwendungen für organische Photovoltaik
WO2011064330A1 (de) 2009-11-27 2011-06-03 Heliatek Gmbh Organisches photoaktives bauelement mit kavitäts-schichtsystem
US10756284B2 (en) 2009-12-16 2020-08-25 Heliatek Gmbh Photoactive component having organic layers
WO2011073219A1 (de) 2009-12-16 2011-06-23 Heliatek Gmbh Photoaktives bauelement mit organischen schichten
DE102010007403A1 (de) 2010-02-09 2011-08-11 heliatek GmbH, 01139 Aufdampfparameter für organische Solarzellen
WO2011138021A2 (de) 2010-05-04 2011-11-10 Heliatek Gmbh Photoaktives bauelement mit organischen schichten
EP2385556A1 (de) 2010-05-04 2011-11-09 Heliatek GmbH Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten
US9024181B2 (en) 2010-05-04 2015-05-05 Heliatek Gmbh Photoactive component comprising organic layers
WO2011161108A1 (de) 2010-06-21 2011-12-29 Heliatek Gmbh Photoaktives bauelement mit mehreren transportschichtsystemen
EP2398056A1 (de) 2010-06-21 2011-12-21 Heliatek GmbH Organische Solarzelle mit mehreren Transportschichtsystemen
US9112163B2 (en) 2010-06-21 2015-08-18 Heliatek Gmbh Photoactive component having a plurality of transport layer systems
WO2011161170A1 (de) 2010-06-24 2011-12-29 Heliatek Gmbh Optoelektronisches bauelement mit organischen schichten
EP2400575A1 (de) 2010-06-24 2011-12-28 heliatek GmbH Optoelektronisches Bauelement mit organischen Schichten
DE102010056519A1 (de) 2010-12-27 2012-06-28 Heliatek Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit dotierten Schichten
WO2012089624A1 (de) 2010-12-27 2012-07-05 Heliatek Gmbh Optoelektronisches bauelement mit dotierten schichten
WO2012093180A1 (de) 2011-01-06 2012-07-12 Heliatek Gmbh Elektronisches oder optoelektronisches bauelement mit organischen schichten
WO2012092972A1 (de) 2011-01-06 2012-07-12 Heliatek Gmbh Elektronisches oder optoelektronisches bauelement mit organischen schichten
DE102011013897A1 (de) * 2011-03-11 2012-09-13 Technische Universität Dresden Organische Solarzelle
DE102012103448A1 (de) 2012-04-19 2013-10-24 Heliatek Gmbh Verfahren zur Optimierung von in Reihe geschalteten, photoaktiven Bauelementen auf gekrümmten Oberflächen
DE102012104118B4 (de) 2012-05-10 2021-12-02 Heliatek Gmbh Lochtransportmaterialien für optoelektronische Bauelemente
WO2013168084A1 (de) 2012-05-10 2013-11-14 Heliatek Gmbh Optoelektronische baulemente mit organischem lochtransportmaterial
DE102012104118A1 (de) 2012-05-10 2013-11-14 Heliatek Gmbh Lochtransportmaterialien für optoelektronische Bauelemente
DE102012104247A1 (de) 2012-05-16 2013-11-21 Heliatek Gmbh Halbleitendes organisches Material für optoelektronische Bauelemente
WO2013179220A2 (de) 2012-05-30 2013-12-05 Heliatek Gmbh Solarmodul zur anordnung auf formteilen
DE102012105022A1 (de) 2012-06-11 2013-12-12 Heliatek Gmbh Fahrzeug mit flexiblen organischen Photovoltaik-Modulen
WO2013186668A1 (de) 2012-06-11 2013-12-19 Heliatek Gmbh Filtersystem für photoaktive bauelemente
WO2014006566A1 (de) 2012-07-02 2014-01-09 Heliatek Gmbh Elektrodenanordnung für optoelektronische bauelemente
WO2014006565A2 (de) 2012-07-02 2014-01-09 Heliatek Gmbh Transparente elektrode für optoelektronische bauelemente
DE102012105812A1 (de) 2012-07-02 2014-01-02 Heliatek Gmbh Elektrodenanordnung für optoelektronische Bauelemente
DE102012105810A1 (de) 2012-07-02 2014-01-02 Heliatek Gmbh Transparente Elektrode für optoelektronische Bauelemente
US11355719B2 (en) 2012-07-02 2022-06-07 Heliatek Gmbh Transparent electrode for optoelectronic components
DE102012105809A1 (de) 2012-07-02 2014-01-02 Heliatek Gmbh Transparente Elektrode für optoelektronische Bauelemente
US9917260B2 (en) 2013-08-23 2018-03-13 Basf Se Compounds with terminal heteroarylcyanovinylene groups and their use in organic solar cells
US10186664B2 (en) 2014-06-17 2019-01-22 Basf Se N-fluoroalkyl-substituted dibromonaphthalene diimides and their use as semiconductor
WO2015197635A1 (fr) * 2014-06-26 2015-12-30 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Cellules tandem multifils
US10522767B2 (en) 2014-11-26 2019-12-31 Basf Se 4-oxoquinoline compounds
US10224486B2 (en) 2015-09-25 2019-03-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Compound for organic photoelectric device and organic photoelectric device and image sensor including the same
US10381412B2 (en) 2015-11-30 2019-08-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic photoelectronic device
EP3187496A1 (de) 2015-12-30 2017-07-05 Heliatek GmbH Verbindung für fotoaktive organische elektronische bauelemente und fotoaktives organisches elektronisches bauelement enthaltend die verbindung
WO2017114938A1 (de) 2015-12-30 2017-07-06 Heliatek Gmbh Organisches halbleitendes material und deren verwendung in organischen bauelementen
EP3188270A1 (de) 2015-12-30 2017-07-05 Heliatek GmbH Organisches halbleitendes material und dessen verwendung in organischen bauelementen
US11063222B2 (en) 2015-12-30 2021-07-13 Heliatek Gmbh Organic semiconducting material and use thereof in organic devices
US10868255B2 (en) 2015-12-30 2020-12-15 Heliatek Gmbh Compound for photoactive organic electronic components and photoactive organic electronic component containing the compound
US10276802B2 (en) 2016-04-06 2019-04-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Compound and organic photoelectric device, image sensor and electronic device including the same
US10566544B2 (en) 2016-04-06 2020-02-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Compound and organic photoelectric device, image sensor and electronic device including the same
US10236461B2 (en) 2016-05-20 2019-03-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic photoelectronic device and image sensor
US10615354B2 (en) 2016-05-20 2020-04-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic photoelectronic device and image sensor
US11532671B2 (en) 2016-06-29 2022-12-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic photoelectronic device and image sensor
EP3264482A1 (de) * 2016-06-29 2018-01-03 Samsung Electronics Co., Ltd Organische fotoelektronische vorrichtung und bildsensor
US11005070B2 (en) 2016-08-29 2021-05-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic photoelectronic device and image sensor and electronic device
US10505146B2 (en) 2016-08-29 2019-12-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic photoelectronic device and image sensor and electronic device
US11145822B2 (en) 2017-10-20 2021-10-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Compound and photoelectric device, image sensor, and electronic device including the same
US11569451B2 (en) 2017-10-20 2023-01-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Compound and photoelectric device, image sensor, and electronic device including the same
US11793072B2 (en) 2017-10-20 2023-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Compound and photoelectric device, image sensor, and electronic device including the same
WO2021018351A1 (de) 2019-07-29 2021-02-04 Heliatek Gmbh Organische halbleitende verbindung mit einer indolgruppe, organisches optoelektronisches bauelement mit einer solchen verbindung, und verwendung einer solchen verbindung
WO2021058065A1 (de) 2019-09-24 2021-04-01 Heliatek Gmbh Verbindungen mit einer furopyrrol- oder einer thienopyrrolgruppe, optoelektronische bauelemente mit einer solchen verbindung, und verwendung einer solchen verbindung in optoelektronischen bauelementen
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WO2021139853A1 (de) 2020-01-06 2021-07-15 Heliatek Gmbh Verkapselungssystem für ein optoelektronisches bauelement mit mindestens einer ersten verkapselung und einer zweiten verkapselung, optoelektronisches bauelement mit einem solchen verkapselungssystem
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DE102022100149A1 (de) 2022-01-04 2023-07-06 Heliatek Gmbh Verfahren zur Herstellung einer photoaktiven Schicht in einem Schichtsystem eines organischen elektronischen Bauelements
WO2023131379A1 (de) 2022-01-04 2023-07-13 Heliatek Gmbh Verfahren zur herstellung einer photoaktiven schicht in einem schichtsystem eines organischen elektronischen bauelements

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AU2004221377A1 (en) 2004-09-30

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