DE10139731A1

DE10139731A1 - Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben

Info

Publication number: DE10139731A1
Application number: DE10139731A
Authority: DE
Inventors: Yoshihisa Tashiro; Zempei Kawazu; Harumi Hishiguchi; Tetsuya Yagi
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2000-12-14
Filing date: 2001-08-13
Publication date: 2002-07-04
Also published as: CN1207828C; US20020075923A1; KR100457028B1; US7151004B2; US20040165633A1; KR20020046905A; JP2002185077A; CN1359179A; TW492235B

Abstract

Bei der Herstellung eines Halbleiterlasers (10) mit einer Oszillationswellenlänge von 770 bis 810 nm werden Verunreinigungen in eine aktive Schicht (16) mit Mehrfachquantentopfstruktur in der Nähe einer Licht aussenden Facette des Lasers eingeführt, um einen fehlgeordneten Bereich zu bilden, der eine Fensterschicht (20) bildet. Gepumptes Licht wird auf die Fensterschicht (20) angewendet, um Photolumineszenz zu erzeugen, deren Wellenlänge lambda dpl (nm) gemessen wird. Ein Betrag der Blauverschiebung lambda bl (nm) wird als der Unterschied zwischen der Wellenlänge lambda apl (nm) der durch die Anwendung von gepumptem Licht auf die aktive Schicht (16) erzeugten Photolumineszenz einerseits und der Wellenlänge lambda dpl (nm) der Photolumineszenz von der Fensterschicht (20) und Beleuchtung mit gepumptem Licht andererseits definiert. DOLLAR A Der Betrag der Blauverschiebung lambda bl wird während des Herstellvorgangs verwendet, um die COD-Pegel der Halbleiterlaserprodukte vorherzusagen.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterlaservorrichtung und ein Verfahren zur Her stellung solch einer Vorrichtung. Noch genauer be zieht sich die Erfindung auf eine Halbleiterlaservor richtung zur Nutzung in der optischen Datenverarbei tung und auf ein Verfahren zur Herstellung dieser Vorrichtung.

In den letzten Jahren ging ein Trend für CD-R/RW-Laufwerke dahin, diese mit immer höheren Geschwindig keiten zu betreiben. Aufgrund dieses Trends wuchs die Nachfrage nach höheren Leistungen für Halbleiterlaser im 780-nm-Band, die in den Hochgeschwindigkeitslauf werken eingesetzt werden. Ein Haupthindernis bei der Erzeugung höherer Leistungen der Halbleiterlaser ist eine Verschlechterung ihrer lichtaussendenden Facette. Diese Art der Verschlechterung, die COD (catastrophic optical damage, katastrophaler opti scher Schaden)-Verschlechterung genannt wird, rührt von Defekten in der Umgebung der lichtaussendenden Facette her, die optische Absorption verursachen.

Ein Weg zur Verringerung der COD-Verschlechterung an der lichtaussendenden Facette ist es, einen Fensterstruktur-Laser mit einem großen auf der lichtemit tierenden Facette gebildeten Bandlückenbereich, das heißt, einem Bereich, in dem kein Licht absorbiert wird, zu haben. Eine solche Lösung wird beispielswei se im (in Japan veröffentlichten) Sharp Technical Re port, Nr. 50, Sept. 1991, S. 33-36, beschrieben.

Fig. 14 ist eine perspektivische Teilansicht ei nes Halbleiterlasers mit einer herkömmlichen Fenster struktur. Die Fig. 15A und 15B sind perspektivi sche Teilansichten, die Schritte eines Verfahrens zur Herstellung des Halbleiterlasers mit der herkömmli chen Fensterstruktur zeigen.

In Fig. 14 bezeichnet das Bezugszeichen 100 einen Halbleiterlaser, und 102 bezeichnet ein GaAs-Substrat vom n-Typ (in der folgenden Beschreibung steht das Symbol "n-" für den n-Leitfähigkeitstyp, "p-" für den p-Leitfähigkeitstyp und "i-" für einen Eigenhalblei ter). Bezugszeichen 104 steht für eine untere n-Al_0,5Ga_0,5As-Deckschicht; 106 für eine aktive Schicht mit Mehrfach-Quantentopfstruktur (MQW) mit einer i-Al_0,1Ga_0,9As-Topfschicht; 108 für eine erste obere p-Al_0,5Ga_0,5As-Deckschicht; 110 für eine n-AlGaAs-Stromsperrschicht; 112 für eine zweite obere p-AlGaAs-Deckschicht; 114 für eine p-GaAs-Kontakt schicht; 116 für eine i-Al_0,5Ga_0,5As-Fensterschicht mit einer Bandlücke, die größer ist als die der akti ven MQW-Schicht 106; und 118 für eine Elektrode.

Das herkömmliche Verfahren zur Herstellung des oben skizzierten Halbleiterlasers wird nun umrissen. In Fig. 15A wachsen die untere Deckschicht 104, die MQW-aktive Schicht 106 und die erste obere Deck schicht 108 epitaktisch auf dem n-GaAs-Substrat 102. Nach der Herstellung des Stegs durch Ätzen wächst die Stromsperrschicht 110 selektiv auf. Die zweite obere Deckschicht 112 und die Kontaktschicht 114 werden dann über dem Steg und der Stromsperrschicht 110 ge bildet. Das Ergebnis dieser Schritte ist in Fig. 15A gezeigt.

Danach wird die Rückseite des n-GaAs-Substrats 102 bis zu einer Dicke von ungefähr 100 µm abgetra gen. Laserfacetten werden gespalten und die Fenster schicht 116 durch Kristallwachstum gebildet. Das Er gebnis dieses Vorgangs wird in Fig. 15B gezeigt. Das Bilden der Elektrode 118 auf der Struktur vervoll ständigt den Halbleiterlaser nach Fig. 14.

Auf dem wie oben beschrieben gebildeten herkömm lichen Halbleiterlaser 100 wird die Fensterschicht 116 durch kristallines Wachstum auf der gespaltenen Oberfläche nach der Spaltung der Laserfacetten gebil det. Dieses herkömmliche Verfahren kann komplex sein, weil die Fensterschicht 116 und die Elektrode 118 nach dem Spaltungsschritt gebildet werden müssen.

Die japanische Patentveröffentlichung Nr. 2827919 offenbart ein Verfahren zum Bilden einer Fenster struktur. Das Verfahren beinhaltet das Bilden einer ersten oberen Deckschicht auf einer MQW-aktiven Schicht, auf der nachfolgend ein Ionenimplantations maskenmuster aufgelegt wird, wobei die Fensterstruk tur durch Fehlordnen der MQW-aktiven Schicht in der Umgebung der Laserfacette mittels des Einpflanzens von Verunreinigungen bei einem niedrigen Energiepegel gebildet wird. Nach dem offenbarten Verfahren muß der Grad der Fehlordnung präzise gesteuert werden, weil sonst der Fenstereffekt nicht auftritt, was dazu führt, dass der Halbleiterlaser während des Betriebs schlechter wird.

Die vorliegende Erfindung wurde gemacht, um die oben beschriebenen Nachteile des Standes der Technik zu überwinden. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 1 gelöst.

Demnach schafft die vorliegende Erfindung eine höchst verläßliche Halbleiterlaservorrichtung, die eine bedeutend höhere Resistenz gegenüber COD-Ver schlechterung bietet.

Gemäß einer Ausführungsform schafft die vorliegende Erfindung eine Halbleiterlaservorrichtung mit einer Os zillationswellenlänge von 770 bis 810 nm, die Folgendes umfaßt:
ein Halbleitersubstrat eines ersten Leitfähig keitstyps; eine erste Deckschicht des ersten Leitfä higkeitstyps, die auf diesem Halbleitersubstrat ange ordnet ist; eine aktive Schicht mit einer Quanten topfstruktur, die auf der ersten Deckschicht angeord net ist; eine erste zweite Deckschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die auf der aktiven Schicht ange ordnet ist; einen fehlgeordneten Bereich, der in der Nähe einer Laserresonatorfacette durch Einführung von Verunreinigungen von einer Oberfläche der ersten zweiten Deckschicht in die Schichten, die die aktive Schicht auf dem Halbleitersubstrat beinhalten, gebil det wird; und einen optischen Wellenleiter (25), der eine zweite zweite Deckschicht (22) vom zweiten Leit fähigkeitstyp beinhaltet, die auf der Oberfläche der ersten zweiten Deckschicht gegenüber der aktiven Schicht im fehlgeordneten Bereich über der ersten zweiten Deckschicht angeordnet ist, wobei der opti sche Wellenleiter sich in der Längsrichtung des Reso nators erstreckt; wobei, wenn λ dpl die Wellenlänge der durch die Anwendung von gepumptem Licht auf den fehlgeordneten Bereich erzeugte Photolumineszenz in nm angibt, und λ apl die Wellenlänge der durch die Anwendung von gepumptem Licht auf die aktive Schicht erzeugten Photolumineszenz in nm angibt, und wenn ein Betrag einer Blauverschiebung λ bl in nm als die Dif ferenz λ apl-λ dpl definiert wird, der Betrag der Blauverschiebung λ bl die Bedingung von λ bl ≧ 20 er füllt.

Demgemäß wird angenommen, dass der Halbleiterla ser einen verbesserten COD-Pegel erreicht hat, wenn die aktive Schicht so fehlgeordnet wird, dass die Fensterschicht gebildet wird. Dies ermöglicht es, Halbleiterlaservorrichtungen herzustellen, die über einstimmende und merklich begrenzte Unterschiede in der Anfälligkeit gegenüber COD-Verschlechterung auf weisen.

Weiterhin ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaservor richtung in vereinfachten Schritten mit hohen Ausbeuten zu schaffen, die eine spürbar geringere Anfälligkeit ge genüber COD-Verschlechterung bietet.

Weiterhin schafft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaservorrichtung, das folgen de Schritte umfaßt:
erstens Bilden einer ersten Deckschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, einer aktiven Schicht einer Quanten topfstruktur, und einer ersten zweiten Deckschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufeinanderfolgend auf einem Halbleitersubstrat vom ersten Leitfähigkeitstyp; zweitens Bilden eines Maskenmusters zum Einpflanzen von Verunrei nigungen auf einer Oberfläche der ersten zweiten Deck schicht, das eine Öffnung in einem Bereich hat, in dem erwartet wird, daß eine Resonatorfacette einer Halblei terlaservorrichtung gebildet wird; drittens Verringern der Ordnung in der aktiven Schicht nahe der Resonator facette durch Einbringen von Verunreinigungen, wobei das Maskenmuster zum Einbringen der Verunreinigungen als eine Maske benutzt wird; viertens Anwenden von gepumptem Licht auf den fehlgeordneten Bereich, um dort Photolumineszenz zu erzeugen, und Messen einer Wellenlänge der Photolumi neszenz als einer Grundlage zur Voraussage des Pegels der COD-Verschlechterung; fünftens Bilden einer zweiten zwei ten Deckschicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp auf der Oberfläche der ersten zweiten Deckschicht nach Entfernung des Maskenmusters; sechstens Bilden eines streifenförmi gen Maskenmusters auf einer Oberfläche der zweiten zwei ten Deckschicht in einer Weise, dass es der fehlgeordne ten aktiven Schicht über die erste und die zweite zweite Deckschicht gegenüberliegt, wobei sich das streifenförmi ge Maskenmuster in Richtung der Länge des Resonators er streckt; und siebtens Bilden eines optischen Wellenlei ters, der die zweite zweite Deckschicht beinhaltet, wobei das streifenförmige Maskenmuster als Maske genutzt wird.

Demgemäß erlaubt es das erfindungsgemäße Verfah ren, die Pegel der COD-Verschlechterung mitten im Prozess der Herstellung von Halbleiterlasern vorher zusagen. Dies erlaubt die Herstellung von Halbleiter laservorrichtungen in vereinfachten Schritten mit ho hen Ausbeuten und geringen Kosten.

Andere Aufgaben und Vorteile der Erfindung werden durch die folgende genaue Beschreibung unter Bezug nahme auf die Zeichnung offensichtlich. Die genaue Beschreibung und die einzelnen Ausführungsformen sind jedoch lediglich beispielhaft zu verstehen, da ver schiedene Änderungen im Rahmen der Erfindung für den Fachmann aus der genauen Beschreibung offensichtlich werden.

Es zeigt:

Fig. 1 eine Vorderansicht einer lichtaussendenden Facette eines Halbleiterlasers gemäß einer Ausfüh rungsform der Erfindung;

Fig. 2 einen Schnitt des Halbleiterlasers entlang der Linie II-II in Fig. 1;

Fig. 3 eine Vorderansicht der lichtaussendenden Facette des Halbleiterlasers in einem Herstellschritt gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 4 einen Schnitt entlang der Linie IV-IV in Fig. 3;

Fig. 5 eine Vorderansicht der lichtaussendenden Facette des Halbleiterlasers in einem anderen Her stellschritt gemäß einer Ausführungsform der Erfin dung;

Fig. 6 einen Schnitt entlang der Linie VI-VI in Fig. 5;

Fig. 7 eine schematische Ansicht, die beispiel haft zeigt, wie die Photolumineszenz eines Halblei terlasers gemäß einer Ausführungsform der Erfindung gemessen wird;

Fig. 8 eine Vorderansicht der lichtaussendenden Facette des Halbleiterlasers in einem anderen Her stellschritt gemäß einer Ausführungsform der Erfin dung;

Fig. 9 einen Schnitt entlang der Linie IX-IX in Fig. 8;

Fig. 10 eine Vorderansicht der lichtaussendenden Facette des Halbleiterlasers in einem anderen Her stellschritt gemäß einer Ausführungsform der Erfin dung;

Fig. 11 eine Vorderansicht der lichtaussendenden Facette des Halbleiterlasers in einem anderen Her stellschritt gemäß einer Ausführungsform der Erfin dung;

Fig. 12 eine graphische Darstellung der Beziehun gen zwischen Photolumineszenzwellenlängen (nm) der Fensterschicht in einem Halbleiterlaser gemäß einer Ausführungsform der Erfindung einerseits und den COD- Pegeln (mW) des Halbleiterlasers andererseits;

Fig. 13 eine graphische Darstellung der Beziehun gen zwischen den COD-Pegeln eines Halbleiterlasers gemäß einer Ausführungsform der Erfindung einerseits und dessen Betrag der Blauverschiebung andererseits;

Fig. 14 eine perspektivische Teilansicht eines Halbleiterlasers mit einer herkömmlichen Fenster struktur; und

Fig. 15A und 15B perspektivische Teilansichten, die Schritte eines Herstellverfahrens für den Halb leiterlaser mit der herkömmlichen Fensterstruktur zeigen.

In allen Figuren haben die im wesentlichen glei chen Elemente die gleichen Bezugszeichen.

Für einen Halbleiterlaser mit einer Oszillations wellenlänge von 770 bis 810 nm werden die COD-Pegel erfindungsgemäß beispielsweise wie folgt vorherge sagt. Verunreinigungen werden in die MQW-aktive Schicht nahe der lichtaussendenden Facette des Halb leiterlasers eingeführt (d. h., implantiert oder ein diffundiert), um fehlgeordnete Bereiche als eine Fensterschicht zu bilden. Gepumptes Licht wird auf die Fensterschicht emittiert, damit diese Photolumi neszenz erzeugt, deren Wellenlänge λ dpl (nm) gemes sen wird. Ein Betrag der Blauverschiebung λ bl (nm) wird als der Unterschied zwischen der Wellenlänge λ apl (nm) der Photolumineszenz, die durch die Anwen dung von gepumptem Licht auf die aktive Schicht ohne Fensterschicht einerseits erzeugt wird, und der Wel lenlänge λ dpl (nm) der Photolumineszenz von der Fen sterschicht andererseits definiert. Während des Ver fahrens bezieht man sich auf den Betrag der Blauver schiebung λ bl, um die COD-Pegel des Endprodukts vor herzusagen.

Fig. 1 ist eine Vorderansicht einer lichtaussen denden Facette eines erfindungsgemäßen Halbleiterla sers. Fig. 2 ist ein Schnitt des Halbleiterlasers entlang der Linie II-II in Fig. 1.

In den Fig. 1 und 2 steht das Bezugszeichen 10 für einen Halbleiterlaser mit einer Oszillationswel lenlänge von 770 bis 810 nm; 12 für ein n-GaAs-Substrat; 14 für eine untere n-Al_0,5Ga_0,5As-Deckschicht als eine erste Deckschicht, die auf dem n- GaAs-Substrat 12 angeordnet ist; 16 für eine MQW-aktive Schicht, die auf der unteren Deckschicht 14 an geordnet ist und die eine i-Al_0,1Ga_0,9As-Topfschicht sowie Al_0,3Ga_0,7As-Sperr- und Leitschichten umfaßt; und 18 für eine erste obere p-Al_0,5Ga_0,5As-Deckschicht als eine auf der MQW-aktiven Schicht angeord nete zweite Deckschicht.

Bezugszeichen 20 bezeichnet einen fehlgeordneten Bereich, der eine Fensterschicht bildet, die in einem lichtaussendenden Bereich in der Nähe einer Resona torfacette des Halbleiterlasers 10 angeordnet ist. Dies ist ein Bereich, dessen Bandlücke verbreitert wird, wenn Verunreinigungen durch Ionenimplantation oder Diffusion von der Oberfläche der ersten oberen Deckschicht 18 eingeführt werden, um die MQW-aktive Schicht fehlzuordnen. So gebildet bleibt der Bereich durchlässig für Laseremissionen.

Noch genauer wird ein Al-Zusammensetzungsverhält nis der Topfschicht größer als das der ursprünglichen Topfschicht, wenn die Topfschicht, die Sperrschicht und die Leitungsschicht, aus denen die ursprüngliche MQW-aktive Schicht 16 besteht, fehlgeordnet werden. Dies vergrößert wiederum die Bandlücke.

Bezugszeichen 22 bezeichnet eine zweite obere p-Al_0,5Ga_0,5As-Deckschicht als eine weitere zweite Deckschicht, die auf der ersten oberen Deckschicht 18 und der Fensterschicht 20 angeordnet ist. Bezugszei chen 24 steht für eine p-GaAs-Kontaktschicht, die auf der zweiten oberen Deckschicht 22 angeordnet ist. Die zweite obere Deckschicht 22 und die Kontaktschicht 24 bilden einen Steg 25 als einen Wellenleiter in Rich tung des optischen Wellenleiters. Die Kontaktschicht 24 wird auf der Spitze des Stegs 25 gebildet.

Das Bezugszeichen 26 steht für einen isolierenden Film wie einen SiON-Film, der Ströme sperrt, und der auf der Oberfläche der zweiten oberen Deckschicht 22 auf beiden Seiten des Stegs 25 und in dessen Umgebung gebildet wird. Bezugszeichen 28 bezeichnet eine p-Typ-Elektrode, die auf der Oberfläche des Halbleiter lasers angeordnet ist, und Bezugszeichen 30 steht für eine n-Typ-Elektrode, die auf der Rückseite des n-GaAs-Substrats 12 angeordnet ist.

Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung des Halbleiterlasers wird nun beschrieben. Die Fig. 3, 5, 8, 10 und 11 sind Vorderansichten der lichtaussendenden Facette des erfindungsgemäßen Halb leiterlasers in verschiedenen Schritten des erfin dungsgemäßen Herstellverfahrens. Fig. 4 ist ein Schnitt entlang der Linie IV-IV in Fig. 3; Fig. 6 ist ein Schnitt entlang der Linie VI-VI in Fig. 5; und Fig. 9 ist ein Schnitt entlang der Linie IX-IX in Fig. 8. Die Schnitte entlang der Linie X-X in Fig. 10 und der Linie XI-XI in Fig. 11 sind dieselben wie in Fig. 9. Fig. 7 ist eine schematische Ansicht, die zeigt, wie die Photolumineszenz des erfindungsgemäßen Halbleiterlasers beispielhaft gemessen wird.

Unter Bezug auf die Fig. 3 und 4 wachsen zu nächst die untere Deckschicht 14, die MQW-aktive Schicht 16 und die erste obere Deckschicht 18 auf dem n-GaAs-Substrat epitaktisch auf. Unter Bezugnahme auf die Fig. 5 und 6 wird ein Resist auf der Oberflä che der ersten oberen Deckschicht I8 gebildet. Ein Maskenmuster 40 wird gemeinsam mit einer Öffnung 42 zur Bildung der Fensterschicht 20 an der Laserresona torfacette gebildet. Verunreinigungen werden von oberhalb des Maskenmusters 40 durch die Öffnung mit tels Diffusion oder Ionenimplantation eingeführt. Um die MQW-aktive Schicht 16 fehlzuordnen, wird geglüht, um die Fensterschicht 20 zu bilden. Die Pfeile in den Fig. 5 und 6 zeigen die Richtung, in der die Dif fusion oder Ionenimplantation durchgeführt wird. Falls Ionenimplantation angewandt wird, wird diese bei einer Beschleunigungsspannung von 50 keV bis 150 keV mit einer Dosis von ungefähr 1 × 10¹³ bis 1 × 10¹⁵ pro cm² durchgeführt.

Das Resist 40 wird entfernt, und der Wafer wird geglüht, um die Fehlordnung in der MQW 16 zu erzeu gen. Nach dem Glühen wird gepumptes Licht von ober halb des Wafers angewendet, so dass die Photolumines zenz der Fensterschicht 20 gemessen wird. Fig. 7 zeigt beispielhaft, wie die Photolumineszenz gemessen wird. In Fig. 7 steht das Bezugszeichen 44 für ge pumptes Licht; 46 für die von der Fensterschicht 20 ausgesandte Photolumineszenz; und 48 für ein Messin strument, das die Pegel der Photolumineszenz mißt.

Nach der Messung wird die zweite obere Deck schicht 22 auf der ersten oberen Deckschicht 18 und der Fensterschicht 20 gebildet. Die Kontaktschicht 24 wird auf der zweiten oberen Deckschicht 22 angeord net. Die Fig. 8 und 9 zeigen, wie die Schichten gebildet werden.

Ein (nicht gezeigtes) streifenförmiges Resistmus ter wird dann in der Längsrichtung des Resonators des lichtemittierenden Bereichs gebildet. Unter Nutzung des Resistmusters als Maske wird geätzt, um die zwei te obere Deckschicht 22 auf eine vorbestimmte Dicke abzutragen, wobei der Steg 25 gebildet wird. Fig. 10 zeigt, wie dieser Schritt durchgeführt wird.

Dann wird die Spitze des Stegs 25 abgeschnitten. Isolierende Filme 26 werden entlang beider Seiten des Stegs 25 und über die zweite obere Deckschicht 22 um den Steg 25 gebildet. Die isolierenden Filme 26 wer den geschaffen, um Ströme zu sperren. Fig. 11 zeigt, wie dieser Schritt durchgeführt wird.

Danach wird die p-Typ-Elektrode 28 auf der Kon taktschicht 24 und den Isolierfilmen 26 auf der Spit ze des Stegs 25 gebildet. Die Rückseite des n-GaAs-Substrats 12 wird auf ungefähr 100 µm geschliffen, wodurch die n-Typ-Elektrode 30 auf der Rückseite des Substrats gebildet wird. Schließlich wird abgespal ten, um den Halbleiterlaser nach Fig. 1 und 2 zu ver vollständigen.

Der durch die oben beschriebene Schrittfolge ge bildete Fensterstruktur-Laser ist dadurch gekenn zeichnet, dass die Fensterschicht und die Elektrode während des Wafervorgangs gebildet werden. Verglichen mit herkömmlichen Halbleiterlasern, deren Fenster schicht nach dem Spalten gebildet wird, kann der er findungsgemäße Halbleiterlaser leicht in Massenpro duktion hergestellt werden.

Es folgt eine Beschreibung, wie die Photolumines zenz (im folgenden PL genannt), die von der Fenster schicht 20 bei Bestrahlung mit gepumptem Licht von oberhalb des Wafers ausgesendet wird, gemessen wird.

Fig. 12 ist eine graphische Darstellung der Be ziehungen zwischen den PL-Wellenlängen (nm) der Fens terschicht 20 im erfindungsgemäßen Halbleiterlaser einerseits und den COD-Pegeln (mW) des Halbleiterla sers andererseits. Mit anderen Worten, die Fig. 12 zeigt Beziehungen zwischen den Pegeln des optischen Ausgangs, die die lichtaussendende Facette des Halb leiterlasers zerstören, einerseits und den PL-Wellen längen, die von der Halbleiterlaserfensterschicht stammen, andererseits.

Die Muster A, B und C stellen Halbleiterlaser von derselben Struktur dar, die jedoch unter teilweise unterschiedlichen Bedingungen hergestellt wurden. In jeder Gruppe von Mustern des gleichen Typs ist, wie in Fig. 12 gezeigt, der COD-Pegel um so höher, je kürzer die PL-Wellenlänge ist. Der COD-Pegel erhöht sich mit kürzerer PL-Wellenlänge, weil weniger Licht in der Nähe der Resonatorfacette absorbiert wird, wenn die Bandlücke größer wird, was mit dem höheren Grad der Fehlordnung in der Fensterschicht zusammen hängt.

In Fig. 12 wird angenommen, dass der COD-Pegel durch Pcod (mW) repräsentiert wird und die PL-Wellen länge des Fensterbereichs durch λ dpl (nm) repräsen tiert wird. Pcod ist linear proportional zu λ dpl. Das heißt,

Pcod = f1(λ dpl) (1)

wobei f1(x) eine lineare Funktion ist.

Mit diesem Halbleiterlaser ist λ dpl ebenso line ar proportional zu Pcod, so dass die folgende Glei chung aus der obigen Gleichung (1) abgeleitet werden kann:

λ dpl = gl(Pcod) (2)

Wird Pcod als ein Wert definiert, der aus einer benötigten Laserleistung P0 und einer Leistungstole ranz P1 besteht, dann ist

Pcod = P0 + P1 (3)

In diesem Fall erhält man die PL-Wellenlänge, die den Halbleiterlaser identifiziert, der Pcod aufweist, als λ dpl. Mit diesem Wert als Referenz kann der Halbleiterlaser auf Übereinstimmung mit den Anforde rungen hinsichtlich des COD-Pegels geprüft werden, und zwar direkt nach der Bildung der Fensterschicht 20. Das bedeutet, dass es durchweg möglich ist, Halb leiterlaser hoher Verläßlichkeit mit hohen Ausbeuten herzustellen, wenn die PL-Wellenlänge λ dpl (nm) der Fensterschicht 20 gemessen wird, wobei die Anwesen heit der Fensterschicht 20 einer COD-Verschlechterung entgegenwirkt.

Es ist bekannt, dass Halbleiterlaser ohne Fens terschicht und mit gleichem Aufbau wie die in Fig. 12 dargestellten einen COD-Pegel von ungefähr 200 mW ha ben. Wie in Fig. 12 gezeigt, ist die PL-Wellenlänge 750 nm oder weniger, wenn der COD-Pegel 200 mW oder höher ist.

Wenn die Halbleiterlaser eine MQW-aktive Schicht mit Oszillationswellenlängen von 770 bis 810 nm auf weisen, und wenn sie so eine Fensterschicht 20 haben, dass die PL-Wellenlänge 750 nm oder weniger ist, folgt, dass die Halbleiterlaser zumindest dank des Effekts der Fensterschicht 20 verbesserte COD-Pegel haben.

Fig. 13 ist eine graphische Darstellung der Be ziehungen zwischen den COD-Pegeln des erfindungsgemä ßen Halbleiterlasers einerseits und dessen Betrag der Blauverschiebung andererseits.

Der Betrag der Blauverschiebung λ bl (nm) wird hier als die Differenz zwischen der Wellenlänge λ apl (nm) der Photolumineszenz (PL), die durch Anwendung von gepumptem Licht auf eine aktive Schicht, die noch fehlgeordnet werden muß, einerseits und die Wellen länge λ dpl (nm) der Photolumineszenz von der Fen sterschicht andererseits definiert. Mit dieser Defi nition werden die Beziehungen in Fig. 12 gemäß Fig. 13 neu angeordnet.

Da bekannt ist, dass Halbleiterlaser mit Oszilla tionswellenlängen von 770 bis 810 nm COD-Pegel von ungefähr 200 mW in ihrer MQW-aktiven Schicht ohne Fensterschicht haben, zeigt Fig. 13 graphisch, wie stark der COD-Pegel der Fensterschicht unter Bezug auf vorgegebene Beträge der Blauverschiebung erhöht wird.

Fig. 13 zeigt, dass für die Muster A, B und C der Betrag der Blauverschiebung λ bl und der COD-Pegel Pcod in linearer Beziehung zueinander stehen.

Eine Gerade A (gestrichelte Linie in Fig. 13), die die Muster A repräsentiert, hat die Gleichung

Pcod = 1,3 λ bl + 178,7 (4)

Eine Gerade B (doppelt gestrichelte Linie), die die Muster B repräsentiert, hat die Gleichung

Pcod = 5,6 λ bl + 50,3 (5)

Eine Gerade C (kurz-lang-gestrichelte Linie), die die Muster C repräsentiert, hat die Gleichung

Pcod = 1,3 λ bl + 153,0 (6)

Eine Gerade D links von der Geraden B hat die Gleichung

Pcod = 5,6 λ bl + 85 (7)

Eine Gerade E rechts von der Geraden C hat die Gleichung

Pcod = 1,3 λ bl + 135 (8)

In Fig. 13 werden die Messpunkte in einem durch die Geraden D und E eingeschlossenen Bereich verteilt gezeigt, der weit verstreute Messpunkte ebenso ab deckt.

Es kann erkannt werden, dass Halbleiterlaser mit ihrem Pcod unter 200 mW einen Betrag der Blauver schiebung λ bl von ungefähr 20 haben, weil die MQW-aktive Schicht ohne Fensterbereich den COD-Pegel von ungefähr 200 mW hat. Aus diesem Grund wird eine Ver besserung des COD-Pegels angenommen, wenn die MQW-aktive Schicht so fehlgeordnet wird, dass sie die Fen sterschicht 20 bildet, in der der Betrag der Blauver schiebung λ bl mindestens 20 beträgt.

Kurz, nachdem die MQW-aktive Schicht 16 fehlge ordnet wird, um die Fensterschicht 20 in der Umgebung der Resonatorfacette zu bilden, wird die Fenster schicht 20 der Bestrahlung mit gepumptem Licht ausge setzt, so dass die Wellenlängen der Photolumineszenz von der Fensterschicht 20 gemessen werden. Der Betrag der Blauverschiebung λ bl wird erhalten, indem die PL-Wellenlänge der MQW-aktiven Schicht ohne Fenster bereich in die Rechnung einbezogen wird. Wenn sich der Betrag der Blauverschiebung λ bl zu 20 oder mehr ergibt, kann daraus geschlossen werden, dass der COD- Pegel mindestens durch Bildung der Fensterschicht 20 verbessert wurde.

In dem von den Geraden D und E umschlossenen Be reich der Fig. 13 werden der Betrag der Blauverschie bung λ bl und der COD-Pegel Pcod als zueinander line ar proportional angesehen, auch wenn verschiedene Muster unter verschiedenen Bedingungen hergestellt werden.

Zumindest für Halbleiterlaser mit Oszillations wellenlängen von 770 bis 810 nm, die unter verschie denen Bedingungen hergestellt werden, ist es daher wichtig, die linear proportionale Beziehung zwischen dem Betrag der Blauverschiebung λ bl und dem COD-Pe gel Pcod einzuführen. Bevor jeder Halbleiterlaser in ein Endprodukt verwandelt wird und mitten im Her stellvorgang der Fensterschicht 20 durch Fehlordnen der MQW-aktiven Schicht 16 nahe der Resonatorfacette wird gepumptes Licht auf die Fensterschicht 20 ange wendet, so dass die Wellenlänge der Photolumineszenz von der Fensterschicht 20 gemessen wird. Erhält man den Betrag der Blauverschiebung λ bl, indem man die PL-Wellenlänge der MQW-aktiven Schicht, die noch fehlgeordnet werden wird, in die Rechnung einbezieht, ist es möglich, den COD-Pegel Pcod des Endprodukts vorherzusagen.

Wird der Betrag der Blauverschiebung λ bl durch Pcod auf der Grundlage der obigen Gleichungen (7) und (8) als ein Wert definiert, der die Bedingung von

(Pcod-85)/5,6 ≦ λ bl ≦ (Pcod-135,0)/1,3

erfüllt, dann erlaubt das Einführen der linear proportionalen Beziehung zwischen dem Betrag der Blauverschiebung λ bl und dem COD-Pegel Pcod, dass der COD-Pegel Pcod mit einem hohen Grad an Genauig keit vorhergesagt werden kann. Dies macht es umge kehrt möglich, höchst verläßliche Halbleiterlaser mit durchgängig und merklich begrenzten Variationen der COD-Verschlechterung herzustellen. Indem es ermög licht wird, die COD-Verschlechterungspegel in verein fachten Schritten mitten im Herstellvorgang vorherzu sagen, erlaubt das erfindungsgemäße Verfahren die kostengünstige Herstellung von verläßlichen Halblei terlasern mit durchgängig geringen Pegeln der COD- Verschlechterung bei hohen Ausbeuten.

Die Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfin dung wie oben beschrieben können wie folgt zusammen gefaßt werden:
Die Erfindung schafft eine Halbleiterlaservor richtung mit einer Oszillationswellenlänge von 770 bis 810 nm, die Folgendes umfaßt: ein Halbleiter substrat eines ersten Leitfähigkeitstyps; eine erste Deckschicht des ersten Leitfähigkeitstyps, die auf diesem Halbleitersubstrat angeordnet ist; eine aktive Schicht mit einer Quantentopfstruktur, die auf der ersten Deckschicht angeordnet ist; eine erste zweite Deckschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die auf der aktiven Schicht angeordnet ist; einen fehlgeord neten Bereich, der in der Nähe einer Laserresonator facette durch Einführung von Verunreinigungen von ei ner Oberfläche der ersten zweiten Deckschicht in die Schichten, die die aktive Schicht auf dem Halbleiter substrat beinhalten, gebildet wird; und einen opti schen Wellenleiter, der eine zweite zweite Deck schicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp beinhaltet, die auf der Oberfläche der ersten zweiten Deckschicht ge genüber der aktiven Schicht im fehlgeordneten Bereich über der ersten zweiten Deckschicht angeordnet ist, wobei der optische Wellenleiter sich in der Längs richtung des Resonators erstreckt; wobei, wenn λ dpl die Wellenlänge der durch die Anwendung von gepumptem Licht auf den fehlgeordneten Bereich erzeugte Photo lumineszenz in nm angibt, und λ apl die Wellenlänge der durch die Anwendung von gepumptem Licht auf die aktive Schicht erzeugten Photolumineszenz in nm an gibt, und wenn ein Betrag einer Blauverschiebung λ bl in nm als die Differenz λ apl-λ dpl definiert wird, der Betrag der Blauverschiebung λ bl die Bedingung von λ bl ≧ 20 erfüllt. Wenn die aktive Schicht fehl geordnet wird, um die Fensterschicht zu bilden, wird angenommen, dass der Halbleiterlaser einen verbesser ten COD-Pegel erreicht hat. Dies ermöglicht es, Halb leiterlaservorrichtungen mit durchgängig und merkbar beschränkten Variationen der Resistenz gegenüber COD- Verschlechterung herzustellen.

Weiterhin schafft die Erfindung eine bevorzugte Struktur wobei, wenn Pcod den COD-Pegel der Laservor richtung bezeichnet, der Betrag der Blauverschiebung λ bl in nm weiterhin folgende Bedingung erfüllt:

(Pcod-85)/5,6 ≦ λ bl ≦ (Pcod-135,0)/1,3.

Mit dieser Struktur erlaubt das Erhalten des Be trags der Blauverschiebung λ bl, den COD-Pegel Pcod des Endprodukts vorherzusagen. Dies ermöglicht es, Halbleiterlaservorrichtungen mit verbesserter Resis tenz gegenüber COD-Verschlechterung zu geringen Kos ten herzustellen.

Weiterhin schafft die Erfindung in einer anderen bevorzugten Ausführungsform eine Halbleiterlaservor richtung, die weiterhin isolierende Schichten umfaßt, welche auf der ersten zweiten Deckschicht und auf Seiten des optischen Wellenleiters, aber nicht über einem oberen Teil des optischen Wellenleiters ange ordnet sind. Das Fehlordnen der aktiven Schicht, um die Fensterschicht mit einer einfachen Streifenstruk tur im Halbleiterlaser zu bilden, ergibt eine Halb leiterlaservorrichtung mit einem verbesserten COD-Pe gel. Dies erlaubt die Herstellung von Halbleiterla servorrichtungen mit der einfachen Streifenstruktur mit bedeutend geringeren Variationen der Resistenz gegenüber COD-Verschlechterung.

In einer weiteren bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführungsform kann die Halbleiterlaservorrichtung eine Stromsperrschicht des ersten Leitfähigkeitstyps umfassen, welche so angeordnet ist, daß sie den opti schen Wellenleiter auf der ersten zweiten Deckschicht begräbt. Das Fehlordnen der aktiven Schicht, um die Fensterschicht im Halbleiterlaser zu bilden, ergibt ebenfalls eine Halbleiterlaservorrichtung mit einem verbesserten COD-Pegel. Dies erlaubt die Herstellung von Halbleiterlaservorrichtungen mit vergrabener Struktur mit einer merkbar und bedeutend verringerten Variation der Resistenz gegenüber COD-Verschlechte rung.

Weiterhin schafft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung, das fol gende Schritte umfaßt: Erstens Bilden einer ersten Deckschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, einer aktiven Schicht einer Quantentopfstruktur, und einer ersten zweiten Deckschicht eines zweiten Leitfähig keitstyps aufeinanderfolgend auf einem Halbleiter substrat vom ersten Leitfähigkeitstyp; zweitens Bil den eines Maskenmusters zum Einpflanzen von Verunrei nigungen auf einer Oberfläche der ersten zweiten Deckschicht, das eine Öffnung in einem Bereich hat, in dem erwartet wird, daß eine Resonatorfacette einer Halbleiterlaservorrichtung gebildet wird; drittens Verringern der Ordnung in der aktiven Schicht nahe der Resonatorfacette durch Einbringen von Verunreini gungen, wobei das Maskenmuster zum Einbringen der Verunreinigungen als eine Maske benutzt wird; vier tens Anwenden von gepumptem Licht auf den fehlgeord neten Bereich, um dort Photolumineszenz zu erzeugen, und Messen einer Wellenlänge der Photolumineszenz als einer Grundlage zur Voraussage des Pegels der COD- Verschlechterung; fünftens Bilden einer zweiten zwei ten Deckschicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp auf der Oberfläche der ersten zweiten Deckschicht nach Ent fernung des Maskenmusters; sechstens Bilden eines streifenförmigen Maskenmusters auf einer Oberfläche der zweiten zweiten Deckschicht in einer Weise, dass es der fehlgeordneten aktiven Schicht über die erste und die zweite zweite Deckschicht gegenüberliegt, wo bei sich das streifenförmige Maskenmuster in Richtung der Länge des Resonators erstreckt; und siebtens Bil den eines optischen Wellenleiters, der die zweite zweite Deckschicht beinhaltet, wobei das streifenför mige Maskenmuster als Maske genutzt wird. Das erfin dungsgemäße Verfahren erlaubt es, die Pegel der COD- Verschlechterung mitten im Herstellprozess für die Halbleiterlaser vorherzusagen. Dies erlaubt die Her stellung von Halbleiterlaservorrichtungen mit hohen Ausbeuten bei geringen Kosten in vereinfachten Schritten.

Weiterhin schafft die Erfindung eine bevorzugte Variation des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Her stellung einer Halbleiterlaservorrichtung, wobei, wenn die Halbleiterlaservorrichtung eine Oszillati onswellenlänge von 770 bis 810 nm hat, λ dpl die Wel lenlänge der Photolumineszenz in nm angibt, die durch die Anwendung von gepumptem Licht auf den fehlgeord neten Bereich erzeugt wird, und λ apl die Wellenlänge der Photolumineszenz in nm angibt, die durch die An wendung von gepumptem Licht auf die aktive Schicht erzeugt wird; und wenn ein Betrag der Blauverschie bung λ bl in nm mit λ apl-λ dpl gleichgesetzt wird, der Betrag der Blauverschiebung λ bl eine Bedingung von λ bl ≧ 20 erfüllt, wenn der vierte Schritt durch geführt wird. Das Fehlordnen der aktiven Schicht, um die Fensterschicht im Halbleiterlaser mit der Oszil lationswellenlänge von 770 bis 810 nm zu bilden, er gibt eine Halbleiterlaservorrichtung mit einem ver besserten COD-Pegel. Dies erlaubt die Herstellung von Halbleiterlaservorrichtungen mit durchgängig und merkbar beschränkten Variationen der Resistenz gegen über COD-Verschlechterung mit hohen Ausbeuten und zu geringen Kosten.

Weiterhin schafft die Erfindung eine weitere be vorzugte Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung von Halbleiterlasern, wobei, wenn an genommen wird, daß Pcod den COD-Pegel der Laservor richtung in mW angibt, der Betrag der Blauverschie bung λ bl in nm weiterhin eine Bedingung von (Pcod-85)/5,6 ≦ λ bl ≦ (Pcod-135,0)/1,3 erfüllt. Das be vorzugte Verfahren erlaubt es, die Pegel der COD-Ver schlechterung der Endprodukte vorherzusagen. Dies er laubt die Herstellung von Halbleiterlaservorrichtun gen mit einer verbesserten Resistenz gegenüber COD- Verschlechterung mit hohen Ausbeuten und zu geringen Kosten.

Somit schafft die Erfindung zusammenfassend Fol gendes:
Bei der Herstellung eines Halbleiterlasers mit einer Oszillationswellenlänge von 770 bis 810 nm wer den Verunreinigungen in eine aktive Schicht mit Mehr fachquantentopfstruktur in der Nähe einer Licht aus sendenden Facette des Lasers eingeführt, um einen fehlgeordneten Bereich zu bilden, der eine Fenster schicht bildet. Gepumptes Licht wird auf die Fenster schicht angewendet, um Photolumineszenz zu erzeugen, deren Wellenlänge λ dpl (nm) gemessen wird. Ein Be trag der Blauverschiebung λ bl (nm) wird als der Un terschied zwischen der Wellenlänge λ apl (nm) der durch die Anwendung von gepumptem Licht auf die akti ve Schicht erzeugten Photolumineszenz einerseits und der Wellenlänge λ dpl (nm) der Photolumineszenz von der Fensterschicht und Beleuchtung mit gepumptem Licht andererseits definiert. Der Betrag der Blauver schiebung λ bl wird während des Herstellvorgangs ver wendet, um die COD-Pegel der Halbleiterlaserprodukte vorherzusagen.

Die Beschreibung der derzeit bevorzugten Elemente dient dem Zweck der Verdeutlichung, und verschiedene Änderungen und Modifikationen der Erfindung sind mög lich, ohne vom Kern der Erfindung gemäß den beigefüg ten Ansprüchen abzuweichen.

Claims

1. Halbleiterlaservorrichtung mit einer Oszillationswel lenlänge von 770 bis 810 nm, die Folgendes umfaßt:
ein Halbleitersubstrat (12) eines ersten Leitfähig keitstyps;
eine erste Deckschicht (14) des ersten Leitfähig keitstyps, die auf diesem Halbleitersubstrat angeord net ist;
eine aktive Schicht (16) mit einer Quantentopfstruk tur, die auf der ersten Deckschicht angeordnet ist;
eine erste zweite Deckschicht (18) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die auf der aktiven Schicht ange ordnet ist;
einen fehlgeordneten Bereich (20), der in der Nähe einer Laserresonatorfacette durch Einführung von Ver unreinigungen von einer Oberfläche der ersten zweiten Deckschicht in die Schichten, die die aktive Schicht auf dem Halbleitersubstrat beinhalten, gebildet wird; und
einen optischen Wellenleiter (25), der eine zweite zweite Deckschicht (22) vom zweiten Leitfähigkeitstyp beinhaltet, die auf der Oberfläche der ersten zweiten Deckschicht gegenüber der aktiven Schicht im fehlge ordneten Bereich über der ersten zweiten Deckschicht angeordnet ist, wobei der optische Wellenleiter sich in der Längsrichtung des Resonators erstreckt;
wobei, wenn λ dpl die Wellenlänge der durch die An wendung von gepumptem Licht auf den fehlgeordneten Bereich erzeugte Photolumineszenz in nm angibt, und λ apl die Wellenlänge der durch die Anwendung von ge pumptem Licht auf die aktive Schicht erzeugten Photo lumineszenz in nm angibt, und wenn ein Betrag einer Blauverschiebung λ bl in nm als die Differenz λ apl-λ dpl definiert wird, der Betrag der Blauver schiebung λ bl die Bedingung von λ bl ≧ 20 erfüllt.

2. Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 1, wobei, wenn Pcod den COD-Pegel der Laservorrichtung bezeich net, der Betrag der Blauverschiebung λ bl in nm wei terhin folgende Bedingung erfüllt:
(Pcod-85)/5,6 ≦ λ bl ≦ (Pcod-135,0)/1,3.

3. Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, die weiterhin isolierende Schichten (26) umfaßt, wel che auf der ersten zweiten Deckschicht und auf Seiten des optischen Wellenleiters, aber nicht, über einem oberen Teil des optischen Wellenleiters angeordnet sind.

4. Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, die weiterhin eine Stromsperrschicht des ersten Leit fähigkeitstyps umfaßt, welche so angeordnet ist, dass sie den optischen Wellenleiter auf der ersten zweiten Deckschicht begräbt.

5. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaservor richtung, das folgende Schritte umfaßt:
erstens Bilden einer ersten Deckschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, einer aktiven Schicht einer Quan tentopfstruktur, und einer ersten zweiten Deckschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufeinanderfolgend auf einem Halbleitersubstrat vom ersten Leitfähig keitstyp;
zweitens Bilden eines Maskenmusters zum Einpflanzen von Verunreinigungen auf einer Oberfläche der ersten zweiten Deckschicht, das eine Öffnung in einem Be reich hat, in dem erwartet wird, dass eine Resonator facette einer Halbleiterlaservorrichtung gebildet wird;
drittens Verringern der Ordnung in der aktiven Schicht nahe der Resonatorfacette durch Einbringen von Verunreinigungen, wobei das Maskenmuster zum Ein bringen der Verunreinigungen als eine Maske benutzt wird;
viertens Anwenden von gepumptem Licht auf den fehlge ordneten Bereich, um dort Photolumineszenz zu erzeu gen, und Messen einer Wellenlänge der Photolumines zenz als einer Grundlage zur Voraussage des Pegels der COD-Verschlechterung;
fünftens Bilden einer zweiten zweiten Deckschicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp auf der Oberfläche der ers ten zweiten Deckschicht nach Entfernung des Maskenmu sters;
sechstens Bilden eines streifenförmigen Maskenmusters auf einer Oberfläche der zweiten zweiten Deckschicht in einer Weise, dass es der fehlgeordneten aktiven Schicht über die erste und die zweite zweite Deck schicht gegenüberliegt, wobei sich das streifenförmi ge Maskenmuster in Richtung der Länge des Resonators erstreckt; und
siebtens Bilden eines optischen Wellenleiters, der die zweite zweite Deckschicht beinhaltet, wobei das streifenförmige Maskenmuster als Maske genutzt wird.

6. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaservor richtung nach Anspruch 5, wobei, wenn die Halbleiter laservorrichtung eine Oszillationswellenlänge von 770 bis 810 nm hat, λ dpl die Wellenlänge der Photolumi neszenz in nm angibt, die durch die Anwendung von ge pumptem Licht auf den fehlgeordneten Bereich erzeugt wird, und λ apl die Wellenlänge der Photolumineszenz in nm angibt, die durch die Anwendung von gepumptem Licht auf die aktive Schicht erzeugt wird; und wenn ein Betrag der Blauverschiebung λ bl in nm mit λ apl-λ dpl gleichgesetzt wird, der Betrag der Blauverschiebung λ bl eine Bedingung von
λ bl ≧ 20
erfüllt, wenn der vierte Schritt durchgeführt wird.

7. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaservor richtung nach Anspruch 6, wobei, wenn angenommen wird, dass Pcod den COD-Pegel der Laservorrichtung in mW angibt, der Betrag der Blauverschiebung λ bl in nm weiterhin eine Bedingung von
(Pcod-85)/5,6 ≦ λ bl ≦ (Pcod-135,0)/1,3
erfüllt.