CN1207828C - 半导体激光装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明的课题是，提供COD退化分散度小的高可靠性半导体激光装置。在激射波长为770～810nm的半导体激光器10中，将杂质掺入半导体激光器端面附近的MQW有源层16，形成无序化区域，并以此作为窗口层20，以激发光照射该窗口层20，测量窗口层20的光致发光波长λdpl(nm)，将以激发光照射有源层16时所产生的光致发光的波长λapl(nm)同以激发光照射窗口层20时所产生的光致发光的波长λdpl(nm)之差定义为蓝移量λbl(nm)，借助于该蓝移量λb1可在制造过程的各阶段预测产品的COD水平。

Description

半导体激光装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及半导体激光装置及其制造方法，尤其涉及用作光信息处理的半导体激光装置及其制造方法。

背景技术

近年来为了实现CD-R/RW的高速化，希望为此而使用的780nm波段的半导体激光器有大的输出功率。限制半导体激光器实现大输出功率的主要原因之一是半导体激光器出射端面的退化，这种退化称之为COD(破坏性光学损伤)，起因于在出射端面附近存在缺陷而引起光吸收。

为了抑制这种出射端面的COD退化，正在实现在出射端面形成无光吸收的区域，亦即带隙大的区域的窗口结构的激光器。例如，此事在Sharp技报1991年9月第50号第33～36页上作了说明。

图14是具有现有窗口结构的半导体激光器的局部斜视图。图15是示出具有现有窗口结构的半导体激光器的制造工序的半导体激光器的局部斜视图。

在图14中，代号100是半导体激光器，102是n型GaAs衬底(以下将n导电类型记作「n-」、将p导电类型记作「p-」、将本征半导体记作「i-」)。104是n-Al_0.5Ga_0.5As下包覆层，106是具有i-Al_0.1Ga_0.9As阱层的MQW有源层，108是p-Al_0.5Ga_0.5As第1上包覆层，110是n-AlGaAs电流阻挡层，112是p-AlGaAs第2上包覆层，114是p-GaAs接触层，116是其带隙比MQW有源层106大的i-Al_0.5Ga_0.5As窗口层，118是电极。

制造方法大致如下。

在图15(a)中，在n-GaAs衬底102上用外延生长法层叠下包覆层104、MQW有源层106、第1上包覆层108，在用刻蚀法留脊后，再用选择生长法形成电流阻挡层110，在脊和电流阻挡层110上形成第2上包覆层112和接触层114。这些工序的结果如图15(a)所示。

其后，将n-GaAs衬底102的背面研磨至100μm左右，将激光器端面解理，通过晶体生长形成窗口层116。这些工序的结果如图15(b)所示。

接着形成电极118，完成图14所示的半导体激光器。

现有的半导体激光器100按上述方式构成，然而，这种半导体激光器100存在的问题是，必须采取在将激光器端面解理后在解理面上生长窗口层116的窗口结构的制造方法，在解理之后形成窗口层116和电极118，因而制造工艺变得很复杂。

还有，在特许2827919号公报上，记述了下述发明：在MQW有源层上设置第1上包覆层，在第1上包覆层表面上形成离子注入掩模图形，用低能杂质注入使激光器端面附近的MQW有源层无序化，以此形成窗口结构。然而，如无法正确控制这种无序化的程度，往往会因不当的无序化程度而产生不了窗口效果，在实际使用中造成退化等问题。

发明内容

本发明就是为了消除上述问题而提出的，第1个目的在于，提供COD退化的分散度小并且可靠性高的半导体激光装置，第2个目的在于，提供工序简单并且成品率高的制造方法以制造COD退化的分散度小的半导体激光装置。

本发明的半导体激光装置包括：第1导电类型的半导体衬底，在该半导体衬底上设置的第1导电类型的第1包覆层，在该第1包覆层上设置的量子阱结构的有源层，在该有源层上设置的第2导电类型的第1个第2包覆层，位于激光谐振腔端面附近的、包含有源层的、从第1个第2包覆层的表面将杂质掺入半导体衬底一侧的叠层内而设置的无序化区域，以及经第1个第2包覆层与该无序化区域的有源层相对、包含在第1个第2包覆层的表面上设置的第2导电类型的第2个第2包覆层、同时在谐振腔长边方向延伸的光波导，在激射波长为770～810nm的半导体激光器中，若以激发光照射无序化区域时所产生的光致发光的波长记作λdp1(nm)，以激发光照射有源层时所产生的光致发光的波长记作λap1(nm)，并将蓝移量λb1(nm)定义为λb1＝λap1-λdp1，则λb1≥20成立，由此可断定：这是通过使有源层无序化形成窗口层，使COD水平得以提高的半导体激光器。

此外，在将激光器的COD水平记作Pcod(mW)时，蓝移量λb1(nm)进而满足(Pcod-85)/5.6≤λb1≤(Pcod-135.0)/1.3，能够通过求得蓝移量λb1来预测产品的COD水平Pcod。

此外，除光波导的顶部外，还具有在含有光波导侧面的第1个第2包覆层上敷设的绝缘膜，由此可断定，这是在简单条形结构半导体激光器中通过使有源层无序化形成窗口层，使COD水平得以提高的一种半导体激光器。

还有，进而从具有以掩埋第1个第2包覆层上的光波导周围的方式敷设的第1导电类型的电流阻挡层而得到的掩埋结构的半导体激光器可断定，这是通过使有源层无序化形成窗口层，使COD水平得以提高的一种半导体激光器。

还有，本发明的半导体激光装置的制造方法包括：依次形成在第1导电类型的半导体衬底上的第1导电类型的第1包覆层、量子阱结构的有源层及第2导电类型的第1个第2包覆层的第1工序；在第1个第2包覆层的表面上，形成在半导体激光器的谐振腔端面的一定区域有开口的、掺入杂质用的掩模图形的第2工序；以掺入杂质用的掩模图形作为掩模掺入杂质，使谐振腔端面附近的有源层无序化的第3工序；以激发光照射无序化区域使之产生光致发光，将该光致发光的波长记作λdp1nm，以激发光照射有源层时所产生的光致发光的波长记作λap1nm，蓝移量λb1nm定义为λb1＝λap1-λdp1，从该蓝移量λb1和蓝移量λb1与破坏性光学损伤的关系，预测破坏性光学损伤退化水平的第4工序；；去除掺入杂质用的掩模图形、在第1个第2包覆层的表面上形成第2导电类型的第2个第2包覆层的第5工序；在第2个第2包覆层的表面上形成经第1和第2个第2包覆层与无序化有源层相对，在谐振腔长边方向延长的条形掩模图形的第6工序；以条形掩模图形作掩模、形成具有第2个第2包覆层的光波导的第7工序，由此可以在制造工艺中预测半导体激光器的COD退化水平。

此外，半导体激光装置的激射波长为770～810nm，并满足λb1≥20。可断定COD水平因使激射波长为770～810nm的半导体激光器的有源层无序化形成窗口层而得到提高。

此外，当将激光器的COD水平记作Pcod(mW)时，由蓝移量λb1(nm)进而满足(Pcod-85)/5.6≤λb1≤(Pcod-135.0)/1.3，可预测产品的COD水平Pcod。

附图说明

[图1]本发明的半导体激光器的激光出射端面的正视图。

[图2]半导体激光器沿图1的II-II截面的截面图。

[图3]按照本发明的半导体激光器的制造工序示出的激光出射端面的正视图。

[图4]图3的IV-IV截面的截面图。

[图5]按照本发明的半导体激光器的制造工序示出的激光出射端面的正视图。

[图6]图5的VI-VI截面的截面图。

[图7]示出本发明半导体激光器的光致发光测量的原理图。

[图8]按照本发明的半导体激光器的制造工序示出的激光出射端面的正视图。

[图9]图8的IX-IX截面的截面图。

[图10]按照本发明的半导体激光器的制造工序示出的激光出射端面的正视图。

[图11]按照本发明的半导体激光器的制造工序示出的激光出射端面的正视图。

[图12]示出本发明的半导体激光器窗口层的PL光的波长(nm)与该半导体激光器的COD水平(mW)的关系图。

[图13]示出本发明的半导体激光器的COD水平与蓝移量的关系图。

[图14]具有现有窗口结构的半导体激光器的局部斜视图。

[图15]示出具有现有窗口结构的半导体激光器的制造工序的半导体激光器的局部斜视图。

具体实施方式

实施例

在本实施例的激射波长为770～810nm的半导体激光器中，将杂质掺入(注入或扩散)半导体激光器端面附近的MQW有源层，形成无序化区域，并以此为窗口层，以激发光照射该窗口层，测量窗口层的光致发光的波长λdp1(nm)，以激发光照射不具有窗口层的有源层时所产生的光致发光的的波长λap1(nm)与窗口层光致发光的波长λdp1(nm)之差定义为蓝移量λb1(nm)，根据工艺过程中各阶段的蓝移量λb1可以预测产品的COD水平。

图1是本发明的半导体激光器的激光出射端面的正视图。还有，图2是本发明的半导体激光装置沿图1的II-II截面的截面图。

在图1和图2中，10是半导体激光器，是激射波长为770～810nm的半导体激光器。12是n-GaAs衬底，14是作为在n-GaAs衬底12上敷设的第1包覆层的n-Al_0.5Ga_0.5As的下包覆层，16是在下包覆层14上敷设的、具有i-Al_0.1Ga_0.9As的阱层以及Al_0.3Ga_0.7As的阻挡层和引导层的MQW有源层，18是在该MQW有源层上敷设的作为第1个第2包覆层的p-Al_0.5Ga_0.5As的第1上包覆层。

20是在半导体激光器10的谐振腔端面附近的发光区域敷设的无序化区域的窗口层，亦即从第1上包覆层18的表面通过离子注入或扩散掺入杂质使MQW有源层无序化以增大带隙，从而对激光透明的区域。

即，由于原来的MQW有源层16的阱层以及阻挡层和引导层的无序化，相对地增大了阱层所在部分的Al组分的比例，从而增大了带隙。

22是在第1上包覆层18和窗口层20上敷设的、作为第2个第2包覆层的p-Al_0.5Ga_0.5As的第2上包覆层，24是在该第2上包覆层22上敷设的p-GaAs的接触层。用第2上包覆层22和接触层24形成一个脊25，作为沿光波导方向的光波导。接触层24敷设在脊25的顶部。

26是诸如SiON膜之类的绝缘膜，它敷设在该脊25的两侧以及脊25的周边部分的第2上包覆层25的表面上，用来阻挡电流。28是敷设在半导体激光器表面的p侧电极，30是敷设在n-GaAs衬底12背面的n侧电极。

下面对本实施例的半导体激光器的制造方法加以说明。

图3、图5、图8、图10和图11是按照本实施例的半导体激光器的制造工序所示的半导体激光器的激光出射端面的正视图。

另外，图4是图3的IV-IV截面的截面图，图6是图5的VI-VI截面的截面图，图9是图8的IX-IX截面的截面图。

图10的X-X截面和图11的XI-XI截面与图9所示的截面相同。

图7是示出本实施例中半导体激光器的光致发光测量的原理图。

首先，参照图3和图4，用外延生长法在n-GaAs衬底12上形成下包覆层14、MQW有源层16、第1上包覆层18。

其次，参照图5和图6，在第1上包覆层18的表面上涂敷抗蚀剂，形成有开口42的掩模图形40，以便在激光谐振腔的端面形成窗口层20。从该掩模图形40的上方采用扩散或离子注入等方法从开口处掺入杂质，进而退火，以使MQW有源层16无序化，形成窗口层20。图5和图6的箭头表示扩散或离子注入。在离子注入的场合，离子注入的加速电压约为50keV～150keV，剂量约为1×10¹³～1×10¹⁵/cm²。

退火后，去除抗蚀剂，从晶片上方照射激发光，测量从窗口层20发射的光致发光。这种测量示于图7。在图7中，44是激发光，46是从窗口层20发射的光致发光，48是测量光致发光的测量仪器。

其后，在第1上包覆层18和窗口层20上形成第2上包覆层22，并在第2上包覆层22上形成接触层24。图8和图9示出了这种情况。

下面，在发光区域的谐振腔长边方向形成抗蚀剂之类的条形掩模图形(图中未示出)，以该掩模图形作为掩模对第2上包覆层22进行刻蚀，使之留下预定的厚度，形成脊25。图10示出了这种情形。

其次，去除脊25的顶部，在脊25的侧面和脊25周围的第2上包覆层22上形成绝缘膜26以阻挡电流。图11示出了这种情形。

其后，在脊25顶部的接触层24上和绝缘膜上形成p侧电极28，将n-GaAs衬底12的背面研磨至100μm左右，在该n-GaAs衬底的背面形成n侧电极30，最后进行解理，完成图1和图2所示的半导体激光器。

采用这样的工艺流程形成窗口结构的激光器比起解理后形成窗口层的结构，其特点为，可通过晶片工艺流程形成窗口层和形成电极，从而易于批量生产。

其次，就从晶片上方照射激发光并测量从窗口层20发射的光致发光(以下称为PL光)加以说明。

图12是该实施例中的半导体激光器的窗口层20的PL光的波长(nm)和该半导体激光器的COD水平(mW)的关系图。即，图12示出了半导体激光器端面破坏后的光输出功率和PL光的波长之间的关系。

样品A、样品B和样品C是具有同样结构的半导体激光器，只是改变了部分制造条件而已。

从该图12可知，在同样的一组样品中，PL光的波长越短，COD水平就越高。这可解释为由于对窗口层进行了无序化处理后，增宽了带隙，因而在谐振腔端面附近被吸收的光也随之减少的缘故。

在图12中，如将COD水平记作Pcod(mW)，窗口区域的PL光波长记作λdp1(nm)，则Pcod对λdp1有线性比例关系。即，

         Pcod＝f1(λdp1)    ……(1)式中，f1(x)为一次函数。

因此，如果是这样的半导体激光器，λdp1也对Pcod有线性比例关系，所以从(1)式很容易求得下式

       λdp1＝g1(Pcod)        ……(2)

如果将Pcod解释为由所要求的激光器输出功率P0和功率余量P1构成的值，则：

       Pcod＝P0+P1            ……(3)从(2)式可求得选择具有Pcod的半导体激光器的PL光的波长λdp1，以这个值为指标，可以在形成窗口层20的时刻的有关COD水平来鉴别半导体激光器优良与否。

亦即，通过测量窗口层20的PL光的波长λdp1(nm)，可分散性小而成品率高地制造由窗口层20的作用而抗COD退化的高可靠性半导体激光器。

另外，与示出图12结果的半导体激光器有同样结构、但无窗口层的半导体激光器，其COD水平已知为200mW左右。从图12可知，当COD水平在200mW以上时，PL光的波长在750nm以下。

因此，在具有激射波长为770～810nm的MQW有源层的半导体激光器中，通过制成具有窗口层20从而使PL光的波长在750nm以下的半导体激光器，可以得到至少因窗口层20的作用而使COD水平得到改善的半导体激光器。

图13是示出本实施例的半导体激光器的COD水平与蓝移量之间的关系曲线。

将以激发光照射未经无序化的有源层时所发射的PL光的波长λap1(nm)与窗口层20的PL光的波长λdp1(nm)之差定义为蓝移量λb1(nm)，对图12中的数据归纳整理后得到图13的关系。

已知至少在激射波长为770～810nm的半导体激光器中，不具有窗口层的MQW有源层的COD水平为200mW左右，因此，图13的曲线示出了蓝移量达何种程度时窗口层的COD水平可望得到改善。

在图13中，在样品A、B和C中的蓝移量λb1和COD水平Pcod分别有线性关系，

对样品A而言，用虚线表示的直线A可表示为：

     Pcod＝1.3λb1+178.7      ……(4)

对样品B而言，用双点点划线表示的直线B可表示为

       Pcod＝5.6λb1+50.3      ……  (5)

对样品C而言，用单点点划线表示的直线C可表示为

      Pcod＝1.3λb1+153.0      ……(6)

另外，直线B左侧的直线D可表示为

      Pcod＝5.6λb1+85         ……(7)

直线C右侧的直线E可表示为

      Pcod＝1.3λb1+135        ……(8)

图13中示出的测量点的坐标点，包含分散度在内，分布于直线D和直线E围成的范围内。

考虑到不具有窗口区域的MQW有源层的COD水平为200mW左右，因直线D与Pcod＝200交点处的坐标为λb1＝20左右，所以在蓝移量λb1≥20的区域，将MQW有源层无序化形成窗口层20，可使COD水平得到提高。

亦即，使谐振腔端面附近的MQW有源层16无序化形成窗口层20后，以激发光照射窗口层20，测量从窗口层20发射的PL光的波长，再考虑不具有窗口区域的MQW有源层的PL光的波长，求得蓝移量λb1，如λb1满足λb1≥20的条件，则可判断至少借助于形成窗口层20使COD水平得到提高。

再有，在直线D和直线E围成的区域内，即使在制造条件不同的各种样品中，也可认为蓝移量λb1与COD水平Pcod呈线性比例关系。

因此，至少在激射波长为770～810nm、在各种条件下形成的半导体激光器中，通过建立蓝移量λb1和COD水平Pcod之间的线性比例关系，在半导体激光器形成最终形式的产品前，在使谐振腔端面附近的MQW有源层16无序化以形成窗口层20的工艺过程中的各阶段，可以通过以激发光照射窗口层20，测量从窗口层20发射的PL光的波长，再考虑到未经无序化的MQW有源层的PL光的波长，求得蓝移量λb1，来预测产品的COD水平Pcod。

亦即，当根据(7)式和(8)式用Pcod表示λb1时，在λb1满足(Pcod-85)/5.6≤λb1≤(Pcod-135.0)/1.3的范围内，通过建立蓝移量λb1与COD水平Pcod之间的线性比例关系，即能以高精确度预测COD水平Pcod，从而能制成COD退化的分散度小并且可靠性高的半导体激光器。另外，由于通过采用这种制造方法，可以在制造工序的过程中用简单的方法预测COD退化的水平，所以其结果是可提供成品率高、COD退化水平一致、可靠性高并且廉价的半导体激光器。

[发明的效果]

由于本发明的半导体激光装置及其制造方法包括上述结构或工序，因而有以下的效果。

本发明的半导体激光装置包括：第1导电类型的半导体衬底；在该半导体衬底上设置的第1导电类型的第1包覆层；在该第1包覆层上设置的量子阱结构的有源层；在该有源层上设置的第2导电类型的第1个第2包覆层；从位于激光器谐振腔端面附近的、包含有源层的第1个第2包覆层的表面将杂质掺入半导体衬底一侧的叠层内而设置的无序化区域；以及经第1个第2包覆层与该无序化区域的有源层相对、包含在第1个第2包覆层的表面上设置的第2导电类型的第2个第2包覆层、同时在谐振腔长边方向延伸的光波导，在激射波长为770～810nm的半导体激光器中，若将以激发光照射无序化区域时所产生的光致发光的波长记作λdp1(nm)，以激发光照射有源层时所产生的光致发光的波长记作λap1(nm)，并将蓝移量λb1(nm)定义为λb1＝λap1-λdp1，则λb1≥20成立，由此可断定这是通过使有源层无序化形成窗口层、使COD水平得以提高的半导体激光器。进而可提供COD退化少并且COD退化的分散度小的半导体激光装置。

此外，在将激光器的COD水平记作Pcod(mW)时，由蓝移量λb1(nm)进而满足(Pcod-85)/5.6≤λb1≤(Pcod-135.0)/1.3，能够通过求得蓝移量λb1来预测产品的COD水平Pcod。进而可提供抗COD退化的高可靠性并且廉价的半导体激光装置。

此外，除光波导的顶部外，还具有在含有光波导侧面的第1个第2包覆层上敷设的绝缘膜，由此可断定，这是在简单条形结构半导体激光器中通过使有源层无序化形成窗口层，使COD水平得以提高的一种半导体激光器。进而可提供COD退化少并且COD退化的分散度小的简单条形结构半导体激光装置。

还有，对具有以掩埋第1个第2包覆层上的光波导周围的方式敷设的第1导电类型的电流阻挡层而得到的掩埋结构的半导体激光器，可断定通过使有源层无序化形成窗口层，使COD水平得以提高的一种半导体激光器。进而可提供COD退化少并且COD退化的分散度小的掩埋结构半导体激光装置。

还有，本发明的半导体激光装置的制造方法包括：依次形成在第1导电类型的半导体衬底上的第1导电类型的第1包覆层、量子阱结构的有源层及第2导电类型的第1个第2包覆层的第1工序；在第1个第2包覆层的表面上形成在半导体激光器的谐振端面的一定区域设有开口的、掺入杂质用的掩模图形的第2工序；以掺入杂质用的掩模图形作为掩模掺入杂质，使谐振腔端面附近的有源层无序化的第3工序；以激发光照射无序化区域使之产生光致发光，并根据该光致发光波长的测量预测COD退化水平的第4工序；去除掺入杂质用的掩模图形、在第1个第2包覆层的表面上形成第2导电类型的第2个第2包覆层的第5工序；在第2个第2包覆层的表面上形成经第1和第2个第2包覆层与无序化有源层相对，在谐振腔长边方向延长的条形掩模图形的第6工序；以及以条形掩模图形作掩模、形成有第2个第2包覆层的光波导的第7工序，由此可以在制造过程中预测半导体激光器的COD退化水平。进而能采取简单的工序提高半导体激光器的成品率，从而可廉价地制造半导体激光装置。

此外，在第4工序中，将以激发光照射无序化区域时所产生的光致发光的波长记作λdp1(nm)，以激发光照射有源层时所产生的光致发光的波长记作λap1(nm)，蓝移量λb1(nm)定义为λb1＝λap1-λdp1，由λb1≥20成立，可推断，COD水平因使激射波长为770～810nm的半导体激光器的有源层无序化形成窗口层而得到提高。进而能以高成品率廉价地制造COD退化少并且COD退化的分散度小的半导体激光装置。

此外，在将激光器的COD水平记作Pcod(mW)时，由蓝移量λb1(nm)进而满足(Pcod-85)/5.6≤λb1≤(Pcod-135.0)/1.3，可预测产品的COD水平Pcod。进而能以高成品率廉价地制造抗COD退化的高可靠性的半导体激光装置。

Claims (7)

1.一种激射波长为770～810nm的半导体激光器，

包括：第1导电类型的半导体衬底；

在该半导体衬底上设置的第1导电类型的第1包覆层；

在该第1包覆层上设置的量子阱结构的有源层；

在该有源层上设置的第2导电类型的第1个第2包覆层；

位于激光谐振腔端面附近的、包含上述有源层的从上述第1个第2包覆层的表面将杂质掺入半导体衬底一侧的叠层内而设置的无序化区域；以及

经上述第1个第2包覆层与该无序化区域的有源层相对、包含在上述第1个第2包覆层的表面上设置的第2导电类型的第2个第2包覆层、同时在上述谐振腔长边方向延伸的光波导，其特征在于：

若将以激发光照射上述无序化区域时所产生的光致发光的波长记作λdp1 nm，以激发光照射有源层时所产生的光致发光的波长记作λap1nm，并将蓝移量λb1 nm定义为λb1＝λap1-λdp1，则λb1≥20成立。

2.如权利要求1中所述的半导体激光装置，其特征在于：

当将激光器的破坏性光学损伤水平记作Pcod mW时，蓝移量λb1nm还满足

(Pcod-85)/5.6≤λb1≤(Pcod-135.0)/1.3

3.如权利要求1或2中所述的半导体激光装置，其特征在于：

除了光波导的顶部外，还具有在含有光波导侧面的第1个第2包覆层上敷设的绝缘膜。

4.如权利要求1或2中所述的半导体激光装置，其特征在于还包括以掩埋第1个第2包覆层上的光波导周围的方式敷设的第1导电类型的电流阻挡层的步骤。

5.一种半导体激光装置的制造方法，其特征在于包括：

依次在第1导电类型的半导体衬底上形成第1导电类型的第1包覆层、量子阱结构的有源层及第2导电类型的第1个第2包覆层的第1工序；

在第1个第2包覆层的表面上形成在半导体激光器的谐振腔端面部预定区域上具有开口的、掺入杂质用的掩模图形的第2工序；

以掺入杂质用的掩模图形作为掩模掺入杂质，使谐振腔端面附近的有源层无序化的第3工序；

以激发光照射无序化区域使之产生光致发光，将该光致发光的波长记作λdp1 nm，以激发光照射有源层时所产生的光致发光的波长记作λap1 nm，蓝移量λb1 nm定义为λb1＝λap1-λdp1，从该蓝移量λb1和蓝移量λb1与破坏性光学损伤的关系，预测破坏性光学损伤退化水平的第4工序；

去除掺入杂质用的掩模图形、在第1个第2包覆层的表面上形成第2导电类型的第2个第2包覆层的第5工序；

在第2个第2包覆层的表面上形成经第1和第2个第2包覆层与无序化有源层相对，在谐振腔长边方向延长的条形掩模图形的第6工序；以及

以条形掩模图形作掩模、形成具有第2个第2包覆层的光波导的第7工序。

6.如权利要求5中所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于：半导体激光装置的激射波长为770～810nm，并满足λb1≥20。

7.如权利要求6中所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于：在将激光器的破坏性光学损伤水平记作Pcod mW时，则蓝移量λb1 nm进而满足：(Pcod-85)/5.6≤λb1≤(Pcod-135.0)/1.3。

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