CN1093836A - 半导体激光器及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

一种半导体激光器包含：第一导电型半导体衬 底：设置在衬底上的第一导电型下包层；设置在下包 层上的量子阱结构层；设置在量子阱结构层上的第二 导电型上包层；形成在上包层上并包含沿激光器谐振 腔长度方向延伸而不达到半导体激光器谐振腔两个 小端面的条形第二导电型半导体的脊；通过离子注入 杂质在谐振腔两个小端面附近量子阱结构层的窗口 结构中形成无序化区；以及设置在上包层上的第一导 电型电流阻塞层。

Description

本发明涉及一种半导体激光器及其制作方法，更确地说是一种在激光器小端面处具有窗口结构并能在高的光输出下运行的激光器。
图7（a）是说明具有窗口结构的现有技术半导体激光器的透视图，图7（b）、7（c）和7（d）分别是图7（a）半导体激光器沿Ⅶb-Ⅶb、Ⅶc-Ⅶc和Ⅶd-Ⅶd线的剖面图。在这些图中，参考号100表示一个半导体激光器，其沿激光谐振腔长度方向的长度为300-600μm，而沿激光谐振腔宽度方向的宽度大约为300μm。参考号101表示n型GaAs衬底而参考号102表示n型Alx2Ga1-x2As（Al的组分比：x2＝0.5）下包层，其厚度为1.5到2μm。参考号103表示量子阱层结构，它包括一个由三个厚度各为约80A的Aly2Ga1-y2As（Al的组分比：y2＝0.05）阱层（未绘出）及二个厚度各为50到80A的Alz2Ga1-z2As（Al的组分比：z2＝0.3到0.35）势垒层（未绘出）彼此交替层叠成的三重结构，以及二个厚度各为0.2到0.3μm的势垒层，它们分别位于量子阱层103顶部和底部将三重结构夹在中间。参考号104表示一个厚度为0.2到0.3μm的P型Alw2Ga1-w2As第一上包层（Al的组分比：w2＝0.5）。参考号105表示一个厚度约为200
Figure 931129508_IMG2
的P型Alq2Ga1-q2As（Al的组分比：q2＝0.7）停止腐蚀层。参考号110表示一个厚度为0.8到1.3μm的P型Alt2Ga1-t2As（Al的组分比：t2＝0.5）第二上包层。参考号111表示厚度约为0.7μm的P型GaAs第一接触层。参考号106表示厚度为1.0到2μm的n型GaAs电流阻塞层。参考号107表示厚度为2到3μm的P型GaAs第二接触层。108和109分别表示P侧电极和n侧电极。112表示倒梯形形状的脊，其n侧电极这边沿激光谐振腔宽度方向的宽度约为4μm而P侧电极这边沿激光谐振腔宽度方向的宽度约为5至6μm。113表示把Zn扩散进入的区域。114表示量子阱层结构103中被Zn无序化的区域，其沿谐振腔宽度方向的宽度约为50μm。
图8（a）到8（d）是说明制作具有窗口结构的现有技术半导体激光器的工艺步骤透视图。在该图中与图7（a）到7（d）相同的参考号表示相同或相当的组成部分。参考号121表示第一绝缘膜，120表示制作脊用的第二绝缘膜。125表示Zn扩散。
这种半导体激光器的制作方法描述如下。如图8（a）所示，首先在半导体衬底101上按顺序相继外延生长一包层102、一量子阱层结构103、一第一包层104、一停止腐蚀层105、一第二包层110以及一第一接触层111。然后在第一接触层111上形成一第一光刻胶121。将第一光刻胶121光刻制出图形以便在激光谐振腔的两个小端面附近产生窗口，再如图8（b）所示利用已形成图形的光刻胶121作为掩模向将成为谐振腔两个小端面的区域进行Zn扩散125。Zn 扩散浓度为1×1019到1×1020cm-3。接着将片子退火以便使量子阱结构层无序化。量子阱结构层的无序化也可以不在此时使用退火方法进行，而是在Zn扩散之后的稍后的工艺步骤中借助晶体生长产生的热来进行。然后如图8（c）所示，将第一光刻胶121除去后，用第二光刻胶120作为掩模，将第一接触层111和第二包层110刻蚀成条状直至腐蚀到停止腐蚀层105的表面为止，以形成脊112。接着如图8（d）所示，在脊112两侧的停止腐蚀层105上选择性生长一个电流阻塞层106以便将脊112掩埋起来，再将第二光刻胶120除去。之后，在脊112及电流阻塞层106上相继形成一个第二接触层107和一个P侧电极108，而在半导体衬底101的背面形成一个n侧电极109，从而完成图7（a）所示的半导体激光器100。
该半导体激光器运行如下。当电压加到半导体激光器100使其P侧电极108为正而n侧电极109为负时，空穴通过P型GaAs第二接触层107、P型GaAs第一接触层111、P型Alt2Ga1-t2As（t2＝0.5）第二包层110以及P型Alw2Ga1-w2As（w2＝0.5）第一包层104被注入到量子阱层结构103中，同时电子通过n型GaAs衬底101和n型AlxGa1-xAs（x＝0.5）包层102被注入到量子阱层结构103中。然后，电子和空穴在量子阱层结构103中进行复合从而产生光发射。当注入载流子数大到足以产生大于波导光程损耗的光强时，就出现激光振荡。
以下描述脊的结构。在如图7（a）所示具有脊形结构的半导体激光器100中，在由n型GaAs电流阻塞层106而不是由条形脊部分112所覆盖的区域内，在P型AlGaAs第一包层104和n型GaAs电流阻塞层106之间以及P型GaAs第二接触层107和n型GaAs电流阻塞层106之间形成两个P-n结。因此，即使外加电压使P侧电极108为正，脊区112之外的区域由于p-n-p结形成反偏置也没有电流流过。换言之，n型GaAs电流阻塞层106确实起到了阻塞电流的作用。因此电流只流过脊形区112并且集中在量子阱层结构103中靠近脊的区域中，使电流密度高到足以形成激光振荡。而且，由于GaAs的能带隙根据量子化效应被设计成小于量子阱层结构103的有效能带隙，n型GaAs电流阻塞层106对量子阱层结构103中发射的激光具有吸收的特性。因此，激光在脊区112的两边受到强的吸收而只集中到脊区112的附近。从而获得具有稳定单峰状水平横模的激光，这一模式在半导体激光器运行特性中是重要的。
其次描述一下窗口结构。发射通常用作诸如袖珍唱片那样的光盘器件光源的0.8μm波长激光的AlGaAs系列半导体激光器中，最大光输出是由出现激光器谐振腔小端面毁坏时的光输出决定的。这是因为激光器谐振腔小端面的毁坏是由于小端面区表面能级吸收激光而产生的热使激光器有源层的晶体本身熔化而引起的，而当激光器谐振腔小端面出现毁坏时，谐振腔的作用就不存在了。因此，为实现高光输出运行，要求如下设计，即使在高光输出时也不引起谐振腔小端面毁坏。为此，使激光难以在小端面区被吸收的结构，亦即一种 在激光器谐振腔小端面区形成一个对激光“透明”的窗口结构，是极为有效的。如此形成这一窗口结构，以致于使激光谐振腔小端面附近区域的能带隙大于发射激光的有源区的能带隙。在图7（a）所示的半导体激光器100中，其量子阱结构层103用作有源层，如图8制作方法所示，这一窗口结构是利用Zn扩散125使量子阱层结构无序化的方法来形成的。
图9（a）是Zn扩散125引起无序化之前的量子阱层结构103中的Al组分比分布图，而图9（b）是Zn扩散125引起无序化之后的量子阱层结构114中的Al组分比分布图。图中参考号19a和19b表示AlzGa1-zAs（0.3≤z≤0.35）势垒层，参考号18表示AlyGa1-yAs（y＝0.05）阱层，参考号At1表示势垒层19a和19b的Al组分比，参考号Al2表示阱层18的Al组分比而参考号Al3表示量子阱层结构103中被无序化的区域114的Al组分比。
当诸如Zn或Si这样的杂质扩散进入量子阱层结构103时，构成阱层18和势垒层19a及19b的原子彼此混合。结果，如图9（a）及9（b）所示，由于阱层18比势垒层19b薄，扩散之后量子阱层结构114的Al组分比Al3变为几乎等于扩散之前势垒层19a及19b的Al组分Al1，而量子阱层结构103的有效能带隙变为大约等于势垒层19a及19b的能带隙。于是，被Zn扩散无序化后的量子阱结构114的能带隙变成大于未被无序化的量子阱层结构103的有效能带隙，因而获得了一个对激光“透明”的窗口结构。
尽管具有为上述所组成的窗口结构的现有技术脊形结构半导激光器能非常有效地防止激光器谐振腔小端面毁坏，它仍存在下述问题：
在扩散了Zn的激光器谐振腔小端面附近区域，杂质浓度上升，引起电阻下降，因而从电极注入的电流更容易流过这一区域，但由于在这一扩散有Zn的区域内不存在发射激光的量子阱结构层，流经这一区域的电流变成对激光振荡毫无贡献的无法利用的电流。于是在现有技术的具有窗口结构的半导体激光器中，这一很可能流动的无用电流就引起相当高的阈值电流和相当高的操作电流。
本发明的目的是提供一种具有防止产生无用电流的窗口结构的半导体激光器。
本发明的另一个目的是提供一种制作这种半导体激光器的方法。
根据下述详细描述，本发明的其它目的和优点将变得显而易见;但是，由于根据这一详细描述，在本发明的构思与范围内的各种变化和改进对于本技术领域内熟练技术人员来说都是显而易见的，故应该认识到这一详细描述和具体实施例仅仅是用于举例说明。
根据本发明的第一特征，一个半导体激光器包括：一设置在衬底的第一导电型下包层;一设置在下包层上量子阱结构层;一设置在量子阱结构层上的第二导电型上包层;一设置在上包层上的脊，它包含一个长度沿激光器谐振腔长度方向延伸而不达到半导体激光器谐振腔两个小端面的条形第二导电型半导体;用引入杂质的方法在激光器谐振腔两个小端面附近的量子阱结构层中形成的无序化区域;以及在脊周围设置在上包层上以便掩埋脊的第一导电型电流阻塞层。这样，量子阱结构在激光器谐振腔小端面附近就有了一个由离子注入杂质无序化方法形成的窗口结构，而且在设置于无序化量子阱结构层上的第一上包层上设置了第一导电型电流阻塞层，以致在形成了窗口结构的区域中的电流阻塞层和衬底之间形成一个第一导电型一第二导电型-第一导电型的结，从而防止在窗口结构中产生无用电流，因而易于获得高光输出、低阈值电流和低运行电流的半导体激光器。
根据本发明的第二特征，一个半导体激光器包括：一设置在衬底上的第一导电型下包层;一设置在下包层上的量子阱结构层;一设置在量子阱结构层上的第二导电型上包层;一设置在上包层上的脊，它包含一个长度沿激光器谐振腔长度方向延伸而不达到半导体激光器谐振腔的两个小端面的条形第二导电型半导体;用引入杂质的方法在激光器谐振腔两上小端面附近的量子阱结构层中形成的无序化区域;以及第一导电型电流阻塞层，它形成在脊周围的上包层上将脊掩埋，该电流阻塞层的能带隙大于量子阱结构层的有效能带隙，它的折射率小于构成脊的半导体的折射率。这样，量子阱结构层在激光器谐振腔两个小端面附近就有了一个由离子注入杂质无序化方法形成的窗口结构，而且在设置于无序化量子阱结构层上的第一上包层上设置了第一导电型电流阻塞层，以便在形成了窗口结构的区域中的电流阻塞层和衬底之间形成一个第一导电型-第二导电型-第一导电型的结，从而防止在窗口结构中产生无用电流。此外，由于电流阻塞层的能带隙大于量子阱结构层的能带隙，电流阻塞层将不吸收量子阱结构层中产生的激光，使激光器谐振腔损耗很小。因而易于获得高光输出、低阈值电流和低运行电流的半导体激光器。
根据本发明的第三特征，半导体激光器的制作方法包括：在衬底上按下列顺序相继形成一第一导电型的下包层、一量子阱结构层、一第二导电型的第一上包层，以及一第二导电型的第二上包层;使用在第二上包层上形成的绝缘膜图形作为掩模来腐蚀第二上包层以便形成一个条形脊，其长度不达到激光器谐振腔的两个小端面;在第一上包层上向量子阱结构层中激光器谐振腔两个小端面附近的区域离子注入杂质，使用的浓度要不使第一上包层反型而使离子注入区的量子阱结构无序化，以形成窗口结构;以及在第一上包层上生长一第一导电型电流阻塞层以将脊掩埋。这样，在形成了窗口结构的每一区域中，在电流阻塞层和衬底之间就形成一个第一导电型-第二导电型-第一导电型的结，从而防止在窗口结构中产生无用电流。因此易于获得高光输出、低阈值电流和低运行电流的半导体激光器。
根据本发明的第四特征，半导体激光器的制作方法包括：在衬底上按下列顺序相继形成一第一导电型的下包层，一量子阱结构层，一第二导电型的第一上包层，以及一个第二导电型的第二上包层;使用在第二上包层上形成的绝缘膜图形作为掩模来腐蚀第二上包层以便形成一个条形脊，其长度不达到激光器谐振腔的两个小端面;使用脊上光刻胶中形成的绝缘膜图形作为掩模，在第一上包层上向量子阱结构层中，但不向脊下面的区域，离子注入杂质，使用的浓度要不使第一上包层反型而使离子注入区的量子阱结构无序化以形成窗口结构;以及在第一上包层上生长一个第一导电型电流阻塞层以将脊掩埋。这样，在电流阻塞层和衬底之间就形成一个第一导电型-第二导电型-第一导电型的结，从而防止在窗口结构中产生无用电流。因此易于获得高光输出、低阈值电流和低运行电流的半导体激光器，而且由于表面不受光刻胶沾污，在形成电流阻塞层的选择性晶体生长过程中不会在激光器中引入缺陷。
图1（a）和图1（b）到1（d）分别是依照本发明第一实施例的半导体激光器的透视图和剖面图。
图2（a）到2（f）是依照本发明第一实施例制作半导体激光器的工艺步骤的透视图。
图3（a）是依照本发明第一实施例制作半导体激光器的工艺步骤的平面图，而图3（b）及3（c）是其剖面图。
图4是依照本发明的第一实施例的半导体激光器中离子注入Si的浓度分布图。
图5是依照本发明的第二实施例制作半导体激光器的方法中离子注入工艺步骤的透视图。
图6是依照本发明第三实施例的半导体激光器的结构透视图。
图7（a）是现有技术的半导体激光器的结构透视图，而图7（b）到7（d）是其剖面图。
图8（a）到8（d）是现有技术的半导体激光器的制作方法工艺步骤透视图。
图9（a）及9（b）是现有技术的半导体激光器的量子阱结构中Al组分比示意图。
实施例1
图1（a）是依照本发明第一实施例的半导体激光器的透视图。图1（b）、1（c）和1（d）分别是图1（a）所示半导体激光器沿Ⅰb-Ⅰb、Ⅰc-Ⅰc和Ⅰd-Ⅰd的剖面图。图1（b）示出了半导体激光器沿谐振腔长度方向的剖面，图1（c）示出了半导体激光器在脊结构区域的剖面，图1（d）示出了半导体激光器在窗口结构区的剖面。在这些图中，参考号1表示n型GaAs半导体衬底，参考号2表示厚度为1.5到2μm的n型Alx1Ga1-x1As（Al组分比：x1＝0.5）下包层，参考号3表示包括一含有三个厚度各为大约80A的Aly1Ga1-y1As（Al组分比：y1＝0.05）阱层（未绘出）和二个厚度各为50到80A的Alz1Ga1-z1As（Al组分比：z1＝0.3到0.35）势垒层（未绘出）彼此交替层叠而成的三重层结构和两个位于量子阱结构层顶部和底部而将三重层夹在中间其厚度各为0.2到0.3μm的势垒层。参考号4表示一个厚度为0.2到0.3μm的P型Alw1Ga1-w1As（Al组分比：w1＝0.5）第一包层，参考号5表示一个厚度约为200
Figure 931129508_IMG3
的P型Alq1Ga1-q1As（Al组分比：q1＝0.7）停止腐蚀层。参考号10表示一个厚度为0.8到1.3μm的P型Alt1Ga1-t1As（Al组分比：t1＝0.5）第二包层，参考号11表示一个厚度约为0.7μm的P型GaAs第一接触层，参考号6表示一个厚度为1.5到2μm的n型Alr1Ga1-r1As（Al组分比：r1＝0）电流阻塞层，参考号7表示一个厚度为2至3μm的P型GaAs第二接触层，参考号8表示P侧电极，参考号9表示n侧电极。参考号12表示一个倒梯形的脊，其n侧电极9一侧沿谐振腔宽度方向的宽度约为4μm而在P侧电极8那一侧沿谐振腔宽度方向的宽度为5到6μm。参考号15表示一个沿谐振腔长度方向的长度为300到600μm而沿谐振腔宽度方向的宽度约为300μm的半导体激光器芯片。参考号13表示Si离了注入区，参考号14表示量子阱结构3中其量子阱结构被Si离子注入无序化了的区域，此区域沿谐振腔宽度方向的宽度约为50μm。
图2（a）到2（f）是说明本发明第一实施例的制作半导体激光器芯片方法的透视图。在这些图中，与图1（a）到1（d）中相同的参考号表示相同的或相当的组成部分。参考号20表示一层绝缘膜，参考号21表示光刻胶，参考号22表示窗口。
以下对照图2（a）到2（f）描述一下半导体激光器的制作方法。如图2（a）所示，在n型GaAs衬底1上按顺序相继外延生长下包层2，一个量子阱层结构3，第一上包层4，停止腐蚀层5，第二上包层10，以及第一接触层11。在片子的整个表面上形成一绝缘膜20。Si3N4、SiO2或类似物质被用作绝缘膜材料。然后如图2（b）所示，将绝缘膜20图形化为沿谐振腔宽度方向的宽度约为8μm而同半导体激光器谐振腔小端面保持约20μm距离的条形。
绝缘20在脊腐蚀过程中起掩膜作用。如图2（c）所示，腐蚀在片子整个表面上进行，用绝缘膜20作为掩模以形成脊形结构。在腐蚀中使用一种能腐蚀P型GaAs第一接触层11和P型Alt1Ga1-t1As（t1＝0.5）第二包层10但不腐蚀P型Al11Ga1-q1As（q1＝0.7）停止腐蚀层5的选择性腐蚀剂，以便重复性良好地形成脊12。给出酒石酸和过氧化氢的混合液作为这种选择性腐蚀剂的例子。
脊12形成之后，在片子整个表面涂覆光刻胶21，并如图2（d）所示，用光刻方法将光刻胶21图形化以得到离子注入窗口22，每个窗口沿谐振腔宽度方向的宽度约为50μm并且从激光器谐振腔小端面到脊12的小端面有一段距离。
如图2（e）所示，将Si离子注入到片子中。这时光刻胶21覆盖的部分没有离子注入进去，Si仅被离子注入到窗口22中的晶体中。此时，仅靠离子注入并不能使量子阱层结构无序化，而是当某些热过程引起Si原子扩散进入晶体时，量子阱结构才开始被无序化。实际上，离子注入之后片子要进行退火使Si原子扩散，从而产生无序化的量子阱结构层14，亦即用作窗口结构的区域。换一种方法，利用 离子注入之后晶体生长时产生的热也可以实现Si的扩散。然后如图2（f）所示，在片子表面上选择性生长一个n型Alr1Ga1-r1As（r1＝0）电流阻塞层6以便将脊12掩埋起来。此时，在脊12上形成的绝缘膜20起掩模作用，故脊12上不会生长电流阻塞层6。之后，用湿法腐蚀或干法腐蚀将绝缘膜20除去，在片子的整个表面上生长一个P型GaAs第二接触层7，在n型GaAs半导体衬底1的背面形成一个n侧电极9，并在P型GaAs第二接触层7上形成一个P侧电极8以便完成图1（a）所示的具有窗口结构的半导体激光器芯片15。
实际上，许多上面所述的半导体激光器芯片是同时被制作在同一衬底上的，图3（a）到3（c）示出了根据本发明在同一衬底上制作多个半导体激光器芯片的工艺步骤。图3（a）是对应于图2（d）所示的形成光刻胶21的工艺步骤的平面图。图3（b）是图3（a）半导体片子沿Ⅲb-Ⅲb的剖面图，对应于图2（e）所示离子注入Si的工艺步骤。图3（c）是说明沿图3（a）Ⅲb-Ⅲb线的半导体晶片的剖面图，对应于形成第二接触层7和电极8及9之后将片子解理以得到图1（a）所示半导体激光器芯片15这一工艺步骤。如图3（c）所示，由于半导体芯片是用解理半导体晶片的方法来获得的，因此相邻两个脊12之间沿谐振腔长度方向的间距就要足够大以避免解理时出现问题。在图3（a）中，各个脊12的排列间距d1约为40μm，窗口22沿谐振腔宽度方向的宽度W1约为50μm而沿谐振腔长度方向的宽度d2被定为尽可能接近相邻两个脊之间的间距d1。
下面描述图2（e）所示工艺步骤中离子注入所选取的条件。图4是离子注入区亦即量子阱结构层14中由无序化产生的用作窗口结构的区域中载流子浓度的分布图。由于Si离子注入是在脊12形成之后进行的，故离子注入Si的那些层有P型Alq1Ga1-q1As（q1＝0.7）停止腐蚀层5、P型Alw1Ga1-w1As（w1＝0.5）第一包层4，量子阱层结构3和n型Alx1Ga1-x1As（x1＝0.5）下包层2。
对离子注入有两个限制。首先，为了使量子阱层结构3无序化，注入的Si原子的数量要求足够多，即多于1×1018cm-3;其次，当Si原子在GaAs晶体中起n型杂质作用时，要求P型Alw1Ga1-w1As（w1＝0.5）第一包层4的导电类型不能被离子注入的Si原子反型以防止窗口结构区14因第一包层4反转为n型（即与包层2的导电类型相同）而成为无用电流的通道。
为满足这些条件，在下述条件下进行离子注入，即P型Alw1Ga1-w1As（w1＝0.5）第一包层4中的空穴载流子浓度为2×1018cm-3，在离子注入的Si具有如图4所示的分布24，其中载流子浓度峰值1×1018cm-3位于量子阱层结构3的中央附近，从而P型Alw1Ga1-w1As（w1＝0.5）第一包层4不会反型为n型，而利用量子阱层结构3的无序化形成窗口结构14。这样，作为实现图4所示分布的离子注入条件，假设P型Alw1Ga1-w1As（w1＝0.5）第一包层4的厚度为0.2μm到0.3μm（该元件的最佳厚度），可在150KeV加速电压下以1×14cm-2浓度向上述厚度的P型Alw1Ga1-w1As第一包 层4进行离子注入。
如上所述，在具有此第一实施例的窗口结构的半导体激光器中，有可能完全防止出现成为现有技术窗口结构中的一个缺陷的无用电流流经窗口结构区域。借助将数量足以形成窗口结构的Si杂质选择性地注入到量子阱层结构3中并保持第一上包层4上不反型，就可实现这一点。于是就可获得由于窗口结构区不产生无用电流而使阈值电流和运行电流比现有技术器件更低而且具有高光输出运行的窗口结构的半导体激光器。
在第一实施例中，利用在P型Alq1Ga1-q1As（q1＝0.7）停止腐蚀层5上停止腐蚀作用的选择性腐蚀剂来形成脊。但停止腐蚀层5不是必需的，利用控制腐蚀时间的非选择性腐蚀方法也可以形成脊。
在上述描述中，虽然Si被用作离子注入源，但其它任何能引起量子阱结构无序化的原子，例如Zn，都可以毫无问题地用作注入源。
第一实施例的制作方法即使用于相应的层的导电类型与第一实施例相反的半导体激光器，也能得到上述的同样结果。
实施例2
在实施例1中，光刻胶用作选择性离子注入的掩模，使离子只注入到需要形成窗口的区域。但在第一实施例制作方法中，当晶片上有象脊12这样的凸出部分时，光刻胶有可能被凸出物中断。而且，虽然晶体生长是在离子注入之后进行的，但如果晶片表面在晶体生长之前受到光刻胶的作用，则其表面会受到有机物的沾污，从而有害 于形成在片子表面上的n型Alr1Ga1-r1As（r1＝0）电流阻塞层6的结晶质量，使表面形貌不佳且表面凹凸不平，或通过缺陷产生漏电流。
图5是根据本发明实施例2制作半导体激光器的工艺步骤透视图，由此可解决上述问题。在第二实施例中，在晶片的整个表面上进行Si离子注入25，而在用上述第一实施例的制作方法中图2（c）所示的腐蚀方法形成脊12之后不产生光刻胶膜21。根据此法，虽然除脊12之下的整个量子阱结构层13都被离子注入Si无序化成为量子阱结构层14，但由于量子阱结构层13除脊12之下的那部分以外都要被电流阻塞层6覆盖，故在器件特性上不会出现问题。此时，由于形成在脊12上的绝缘膜20起离子注入掩模的作用，故脊12之下用作半导体激光器波导路径的量子阱层结构3不被无序化。
在上述第二实施例中，由于离子注入时不使用光刻胶，故不存在片子表面被沾污之类的问题而获得与第一实施例相同的效果。
实施例3
在第一实施例的半导体激光器15中，由于电流阻塞层6包含Alr1Ga1-r1As（r1＝0）而窗口结构14的附近又没有脊，故通过窗口结构区14的激光被位于窗口结构附近的一部分电流阻塞层6吸收。结果，半导体激光器15的腔损增加，阈值电流也有些增加。
图6是根据本发明第三实施例的半导体激光器的结构透视图，由此可解决上述问题。此第三实施例采用下述方法来实现，即用由选择性生长形成的n型Alr1Ga1-r1As（r1＝0.7）电流阻塞层23来代替第一实施例的电流阻塞层6。
由于电流阻塞层23包含n型Alr1Ga1-r1As（r1＝0.7）代替n型Alr1Ga1-r1As（r1＝0），故电流阻塞层23的能带隙大于量子阱层结构3中发射激光的光子能量，因而不发生由窗口结构14附近的电流阻塞层23引起的光吸收。因此，可获得阈值电流及运行电流比第一实施例低的具有窗口结构的半导体激光器15。
因为在此第三实施例中，组成脊12的第二包层10的折射率大于电流阻塞层23的折射率，故量子阱结构3中产生的激光被集中到脊12及其附近，如同在一个有效折射率型激光器中一样，从而获得稳定单峰水平横模模式，如在第一实施例中那样，这种模式在半导体激光器运行特性中是极为重要的。

Claims (18)

1、一种半导体激光器器件，它包含：
一个具有一个正表面和一个与上述正表面相反的背表面的第一导电型的半导体衬底；
一设置在上述半导体衬底上的第一导电型的下包层；
一设置在上述下包层上并包含交替层叠的势垒层和阱层的量子阱结构层；
一设置在上述量子阱结构层上的第二导电型的上包层；
一设置在上述上包层上并包含一个长度沿上述激光器谐振腔长度方向延伸而不达到上述半导体激光器谐振腔两个小端面的条形第二导电型半导体的脊；
由引入杂质而在上述激光器谐振腔的两个小端面附近的上述量子阱结构中形成的无序化区域：
一设置在上述脊周围的所述上包层上以便掩埋该脊的第一导电型的电流阻塞层；以及
一设置在上述电流阻塞层和上述脊上的第二导电型的接触层。
2、如权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述整个量子阱结构层除上述脊下面的那部分外，都被上述的引入杂质无序化。
3、如权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述电流阻塞层包含一个能带隙大于上述量子阱结构层有效能带隙而折射率小于构成上述脊的半导体的折射率的材料。
4、一种半导体激光器，它包含：
一个具有一个正表面和一个与上述正表面相反的背表面的n型GaAs半导体衬底;
一设置在上述半导体衬底上的n型AlxGa1-xAs下包层;
一设置在上述下包层上并包含交替层叠的AlyGa1-yAs势垒层和AlzGa1-zAs（0≤z≤y）阱层，其有效能带隙小于上述下包层能带隙的量子阱结构层;
一设置在上述量子阱结构层上、其能带隙大于上述量子阱结构层的上述有效能带隙的P型AlwGa1-wAs上包层;
一设置在上述上包层上并包含一个长度沿上述激光器谐振腔长度方向延伸而不达到上述半导体激光器两个小端面的条形P型AltGa1-tAs层的脊;
设置在上述激光器谐振腔两个小端面附近的上述量子阱结构中的由引入杂质而无序化的区域;
一设置在上述脊周围的所述上包层上以便掩埋该脊的n型AlrGa1-rAs（0≤r）电流阻塞层;以及
一设置在上述电流阻塞层和上述脊上的P型GaAs接触层。
5、如权利要求4所述的半导体激光器，其中，所述整个量子阱结构层除上述脊下面的那部分外，都被上述离子注入无序化。
6、如权利要求4所述的半导体激光器，其中，所述电流阻塞层包含一个n型AlrGa1-rAs（t＜r）层。
7、如权利要求4所述的半导体激光层，其中，所述杂质包含Si或者Zn。
8、一种半导体激光器的制作方法，它包含;
制备一个具有一个正表面及一个与上述正表面相反的背表面的第一导电型半导体衬底;
按下列顺序在上述半导体衬底上相继外延生长一第一导电型下包层、一包括交替层叠的势垒层和阱层的量子阱结构层、一第二导电型第一上包层，以及一个第二导电型第二上包层;
用形成在上述第二上包层上的绝缘膜作为掩模，腐蚀上述第二上包层以便产生一个长度沿上述激光器谐振腔长度方向延伸而不达到上述半导体激光器谐振腔两个小端面的条形脊;
在上述第一上包层上将杂质离子注入到上述激光器谐振腔两个小端面附近的区域中的上述量子阱结构层中，注入浓度要不使上述第一上包层反型，从而使量子阱结构中离子注入过的区域无序化;以及
在上述上包层上生长一个第一导电型的电流阻塞层以便将上述脊掩埋，除去上述绝缘膜并在上述脊和上述电流阻塞层上生长一个第二导电型接触层。
9、如权利要求8的半导体激光器的制作方法还包含：
在上述第二导电型的第一上包层和上述第二导电型的第二上包层之间，外延生长一个第二导电型的停止腐蚀层;以及
用上述绝缘膜作为掩模将上述第二上包层选择性腐蚀到上述停止腐蚀层为止以便形成上述脊。
10、如权利要求8的半导体激光器的制作方法，其中利用上述脊上的上绝缘膜作为掩模向除上述脊下面那部分之外的整个量子阱结构层进行离子注入。
11、如权利要求8所述的半导体激光器的制作方法，其中，所述杂质包含Si或者Zn。
12、一种半导体激光器的制作方法，它包含：
制备一个具有一个正表面和一个与上述正表面相反的背表面的半导体衬底;
按下列顺序在上述半导体衬底上相继外延生长一n型AlxGa1-xAs下包层、一个包括交替层叠的AlyGa1-yAs势垒层和AlzGa1-zAs（0≤z≤y）阱层的量子阱结构层;一能带隙大于上述量子阱结构层有效能带隙的P型AlwGa1-wAs第一上包层，以及一P型Al1Ga1-tAs第二上包层;
用形成在上述第二上包层上的绝缘膜图形作为掩模，腐蚀上述第二上包层到一预定的深度以便形成一个长度沿激光器谐振腔长度方向延伸而不达到上述半导体激光器谐振腔两个小端面的条形脊;
在上述第一上包层上将杂质离子注入到激光器谐振腔两个小端面附近的区域的上述量子阱结构层中，注入浓度要不使上述第一上包层反型，从而使量子阱结构中离子注入过的上述区域无序化;以及
在上述第一上包层的上述脊的周围生长一n型Al1Ga1-rAs（0≤r）电流阻塞层以便掩埋上述脊，除去所述绝缘膜并在所述脊和所述电流阻塞层上生长一P型GaAs接触层。
13、如权利要求12所述的半导体激光器的制作方法，还包含：
在上述P型AlwGa1-wAs第一上包层和上述P型AltGa1-tAs第二上包层之间外延生长一P型AlqGa1-qAs（t＜q）停止腐蚀层;以及
用上述绝缘膜图形作为掩模将上述第二上包层选择性腐蚀到上述停止腐蚀层为止以便形成上述脊。
14、如权利要求13所述的半导体激光器的制作方法，其中，用酒石酸和过氧化氢的混合液腐蚀所述第二上包层。
15、如权利要求12所述的半导体激光器的制作方法，其中，利用上述脊上形成的上述绝缘膜图形作为掩模向除上述脊下面那部分之外的上述整个量子阱结构层进行所述离子注入。
16、如权利要求12所述的半导体激光器的制作方法，其中，所述电流阻塞层是用选择性生长一n型AlrGa1-rAs（t＜r）层的方法形成的。
17、如权利要求12所述的半导体激光器的制作方法，其中，所述离子注入是用Si或者Zn作为杂质进行的。
18、如权利要求12所述的半导体激光器的制作方法，其中，Si3N4或者SiO2被用作上述绝缘膜。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6876002B2 (en) 2000-09-13 2005-04-05 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and method for manufacturing the same
CN1307757C (zh) * 2002-10-30 2007-03-28 夏普株式会社 半导体激光器件，制作方法以及光盘的重现和记录单元
US7474682B2 (en) 2003-12-22 2009-01-06 Panasonic Corporation Semiconductor laser device and laser projector
CN100461338C (zh) * 2001-09-13 2009-02-11 因腾斯有限公司 制备光学器件的方法及相关改进
CN102227046A (zh) * 2011-05-25 2011-10-26 北京化工大学 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
CN1790760B (zh) * 2000-07-07 2012-03-28 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体元件
CN103934578A (zh) * 2007-10-30 2014-07-23 浜松光子学株式会社 激光加工方法
CN104577710A (zh) * 2013-10-16 2015-04-29 三菱电机株式会社 光半导体装置、其制造方法以及光模块的制造方法
CN106471687A (zh) * 2014-02-28 2017-03-01 国立研究开发法人科学技术振兴机构 热辐射光源以及在该光源中使用的二维光子晶体

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2827919B2 (ja) * 1994-10-11 1998-11-25 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置及びその製造方法
US5717707A (en) * 1995-01-03 1998-02-10 Xerox Corporation Index guided semiconductor laser diode with reduced shunt leakage currents
JP4011640B2 (ja) * 1995-03-02 2007-11-21 三菱電機株式会社 半導体レーザ，及び半導体レーザの製造方法
JPH08279649A (ja) * 1995-04-05 1996-10-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザの製造方法，及び半導体レーザ
JP3725582B2 (ja) * 1995-07-05 2005-12-14 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置の製造方法，及び半導体レーザ装置
JPH09116222A (ja) * 1995-10-17 1997-05-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザの製造方法，及び半導体レーザ
JPH09139550A (ja) * 1995-11-16 1997-05-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置
JP3682336B2 (ja) * 1996-04-10 2005-08-10 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置の製造方法
JP3387076B2 (ja) * 1997-01-07 2003-03-17 住友電気工業株式会社 半導体レーザ及びその製造方法
EP0898345A3 (en) 1997-08-13 2004-01-02 Mitsubishi Chemical Corporation Compound semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
KR100243417B1 (ko) 1997-09-29 2000-02-01 이계철 알더블유지 구조의 고출력 반도체 레이저
JP3814432B2 (ja) 1998-12-04 2006-08-30 三菱化学株式会社 化合物半導体発光素子
JP4379937B2 (ja) * 1999-01-08 2009-12-09 ソニー株式会社 半導体レーザの製造方法
JP3501676B2 (ja) * 1999-05-07 2004-03-02 松下電器産業株式会社 半導体レーザ装置の製造方法
US6757313B1 (en) * 1999-11-12 2004-06-29 Trumpf Photonics Inc. Control of current spreading in semiconductor laser diodes
US7049761B2 (en) 2000-02-11 2006-05-23 Altair Engineering, Inc. Light tube and power supply circuit
JP2002185077A (ja) 2000-12-14 2002-06-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2002374038A (ja) * 2001-06-14 2002-12-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
JP4751024B2 (ja) * 2004-01-16 2011-08-17 シャープ株式会社 半導体レーザおよびその製造方法
WO2006104980A2 (en) * 2005-03-25 2006-10-05 Trumpf Photonics Inc. Laser facet passivation
DE102007058950A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kantenemittierender Halbleiterlaser mit einem Wellenleiter
DE102007062050B4 (de) * 2007-09-28 2019-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaser und Verfahren zum Herstellen des Halbleiterlasers
JP2009212336A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Mitsubishi Electric Corp 窒化物系半導体レーザの製造方法および窒化物系半導体レーザ
JP2010123674A (ja) * 2008-11-18 2010-06-03 Panasonic Corp 半導体レーザ装置
CN101958378B (zh) * 2010-08-23 2011-12-21 厦门市三安光电科技有限公司 具有电流阻塞结构的四元系垂直发光二极管及其制备方法
DE102015226594A1 (de) * 2015-07-03 2017-01-05 Zf Friedrichshafen Ag Parksperrgetriebe und Verfahren zum Betreiben eines Parksperrgetriebes eines Fahrzeugs
JP7384067B2 (ja) * 2020-02-19 2023-11-21 ウシオ電機株式会社 半導体レーザ装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01319981A (ja) * 1988-06-21 1989-12-26 Hitachi Ltd 半導体レーザ及びその製造方法
GB2222307B (en) * 1988-07-22 1992-04-01 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor laser
JP2522021B2 (ja) * 1988-07-22 1996-08-07 日本電気株式会社 半導体レ―ザ
JPH02102590A (ja) * 1988-10-12 1990-04-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
JPH02106986A (ja) * 1988-10-17 1990-04-19 Oki Electric Ind Co Ltd 位相同期半導体レーザアレイ
JPH07101768B2 (ja) * 1988-11-09 1995-11-01 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置及びその製造方法
US5031185A (en) * 1988-11-17 1991-07-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having a disordered superlattice
US5065404A (en) * 1989-07-12 1991-11-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Transverse-mode oscillation semiconductor laser device
JP2550717B2 (ja) * 1989-08-23 1996-11-06 日本電気株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
US5171707A (en) * 1990-09-13 1992-12-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of fabricating semiconductor laser device using the light generated by the laser to disorder its active layer at the end surfaces thereby forming window regions
JPH05129721A (ja) * 1991-10-30 1993-05-25 Sony Corp 半導体レーザー及びその製造方法
KR100230444B1 (ko) * 1992-05-28 1999-11-15 윤종용 반도체 레이저장치 및 이의 제조방법

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1790760B (zh) * 2000-07-07 2012-03-28 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体元件
US6876002B2 (en) 2000-09-13 2005-04-05 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and method for manufacturing the same
CN100461338C (zh) * 2001-09-13 2009-02-11 因腾斯有限公司 制备光学器件的方法及相关改进
CN1307757C (zh) * 2002-10-30 2007-03-28 夏普株式会社 半导体激光器件，制作方法以及光盘的重现和记录单元
US7474682B2 (en) 2003-12-22 2009-01-06 Panasonic Corporation Semiconductor laser device and laser projector
CN100454696C (zh) * 2003-12-22 2009-01-21 松下电器产业株式会社 半导体激光装置和激光投影装置
CN103934578A (zh) * 2007-10-30 2014-07-23 浜松光子学株式会社 激光加工方法
CN102227046A (zh) * 2011-05-25 2011-10-26 北京化工大学 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
CN104577710A (zh) * 2013-10-16 2015-04-29 三菱电机株式会社 光半导体装置、其制造方法以及光模块的制造方法
CN106471687A (zh) * 2014-02-28 2017-03-01 国立研究开发法人科学技术振兴机构 热辐射光源以及在该光源中使用的二维光子晶体
CN106471687B (zh) * 2014-02-28 2019-02-19 国立研究开发法人科学技术振兴机构 热辐射光源以及在该光源中使用的二维光子晶体

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