JPH05129721A - 半導体レーザー及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザー及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05129721A JPH05129721A JP31188291A JP31188291A JPH05129721A JP H05129721 A JPH05129721 A JP H05129721A JP 31188291 A JP31188291 A JP 31188291A JP 31188291 A JP31188291 A JP 31188291A JP H05129721 A JPH05129721 A JP H05129721A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- window
- clad layer
- semiconductor laser
- mesa portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 窓構造を有する半導体レーザーを容易にしか
も制御性良く製造することを可能とする。 【構成】 半導体レーザーにおいて、キャップ層６及び
ｐ型クラッド層５にメサ部７を設け、このメサ部７の周
囲の部分のｐ型クラッド層５、活性層４及びｎ型クラッ
ド層３中に不純物拡散またはイオン注入を行うことによ
り、窓８をメサ部７に対して自己整合的に形成する。こ
の窓８の上に電流狭窄層９を設ける。
も制御性良く製造することを可能とする。 【構成】 半導体レーザーにおいて、キャップ層６及び
ｐ型クラッド層５にメサ部７を設け、このメサ部７の周
囲の部分のｐ型クラッド層５、活性層４及びｎ型クラッ
ド層３中に不純物拡散またはイオン注入を行うことによ
り、窓８をメサ部７に対して自己整合的に形成する。こ
の窓８の上に電流狭窄層９を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザー及び
その製造方法に関し、特に、いわゆる窓構造を有する半
導体レーザー及びその製造方法に関するものである。
その製造方法に関し、特に、いわゆる窓構造を有する半
導体レーザー及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体を用いた半導体レーザーの
高出力化を阻む原因の一つに、光共振器の端面損傷の問
題がある。特に、表面準位が多く、光学損傷（ＣＯＤ）
が生じるAlGaAs／GaAs半導体レーザーにおいては、この
問題は重大である。
高出力化を阻む原因の一つに、光共振器の端面損傷の問
題がある。特に、表面準位が多く、光学損傷（ＣＯＤ）
が生じるAlGaAs／GaAs半導体レーザーにおいては、この
問題は重大である。
【０００３】この問題を解決するためには、光共振器端
面における光子密度の低減を図るほか、光共振器の端面
部分の禁制帯幅（エネルギーギャップ）を内部に比べて
小さくし、発振されるレーザー光に対して光吸収を少な
くした、いわゆる窓構造とすることが有効である。従
来、このような窓の形成方法としては、光共振器端面に
選択成長を行う方法や、光共振器端面部分に不純物拡散
を行う方法などが報告されている。
面における光子密度の低減を図るほか、光共振器の端面
部分の禁制帯幅（エネルギーギャップ）を内部に比べて
小さくし、発振されるレーザー光に対して光吸収を少な
くした、いわゆる窓構造とすることが有効である。従
来、このような窓の形成方法としては、光共振器端面に
選択成長を行う方法や、光共振器端面部分に不純物拡散
を行う方法などが報告されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の従来の
形成方法により窓を形成することは実際には容易ではな
く、制御性も悪い。このため、窓構造を有する半導体レ
ーザーを容易にしかも制御性良く製造することは困難で
あった。
形成方法により窓を形成することは実際には容易ではな
く、制御性も悪い。このため、窓構造を有する半導体レ
ーザーを容易にしかも制御性良く製造することは困難で
あった。
【０００５】従って、この発明の目的は、窓構造を有
し、しかも製造が容易で制御性も良好な半導体レーザー
を提供することにある。この発明の他の目的は、窓構造
を有する半導体レーザーを容易にしかも制御性良く製造
することができる半導体レーザーの製造方法を提供する
ことを目的とする。
し、しかも製造が容易で制御性も良好な半導体レーザー
を提供することにある。この発明の他の目的は、窓構造
を有する半導体レーザーを容易にしかも制御性良く製造
することができる半導体レーザーの製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、化合物半導体基板（１）と、化合物半
導体基板（１）上に設けられた第１導電型の第１のクラ
ッド層（３）と、第１のクラッド層（３）上に設けられ
た活性層（４）と、活性層（４）上に設けられた第２導
電型の第２のクラッド層（５）と、レーザー発振を行わ
せるために流される電流の通路を制限するための電流狭
窄層（９）とを具備する半導体レーザーにおいて、第２
のクラッド層（５）にメサ部（７）が設けられ、メサ部
（７）の周囲における少なくとも活性層（４）を含む部
分にレーザー光に対して透明な窓（８）が設けられてい
るとともに、窓（８）の上に電流狭窄層（９）が設けら
れているものである。
に、この発明は、化合物半導体基板（１）と、化合物半
導体基板（１）上に設けられた第１導電型の第１のクラ
ッド層（３）と、第１のクラッド層（３）上に設けられ
た活性層（４）と、活性層（４）上に設けられた第２導
電型の第２のクラッド層（５）と、レーザー発振を行わ
せるために流される電流の通路を制限するための電流狭
窄層（９）とを具備する半導体レーザーにおいて、第２
のクラッド層（５）にメサ部（７）が設けられ、メサ部
（７）の周囲における少なくとも活性層（４）を含む部
分にレーザー光に対して透明な窓（８）が設けられてい
るとともに、窓（８）の上に電流狭窄層（９）が設けら
れているものである。
【０００７】また、この発明は、半導体レーザーの製造
方法において、化合物半導体基板（１）上に第１導電型
の第１のクラッド層（３）、活性層（４）、第２導電型
の第２のクラッド層（５）を順次エピタキシャル成長さ
せる工程と、第２のクラッド層（５）をその厚さ方向の
途中の深さまで選択的にエッチングすることにより第２
のクラッド層（５）にメサ部（７）を形成する工程と、
メサ部（７）の周囲における第２のクラッド層（５）、
活性層（４）及び第１のクラッド層（５）中に不純物拡
散またはイオン注入を行うことによりレーザー光に対し
て透明な窓（８）を形成する工程と、メサ部（７）の周
囲における窓（８）の上に、レーザー発振を行わせるた
めに流される電流の通路を制限するための電流狭窄層
（９）を成長させる工程とを具備するものである。
方法において、化合物半導体基板（１）上に第１導電型
の第１のクラッド層（３）、活性層（４）、第２導電型
の第２のクラッド層（５）を順次エピタキシャル成長さ
せる工程と、第２のクラッド層（５）をその厚さ方向の
途中の深さまで選択的にエッチングすることにより第２
のクラッド層（５）にメサ部（７）を形成する工程と、
メサ部（７）の周囲における第２のクラッド層（５）、
活性層（４）及び第１のクラッド層（５）中に不純物拡
散またはイオン注入を行うことによりレーザー光に対し
て透明な窓（８）を形成する工程と、メサ部（７）の周
囲における窓（８）の上に、レーザー発振を行わせるた
めに流される電流の通路を制限するための電流狭窄層
（９）を成長させる工程とを具備するものである。
【０００８】
【作用】メサ部（７）をエッチングにより形成する際に
用いられるマスクを用いてメサ部（７）の周囲における
第２のクラッド層（５）、活性層（４）及び第１のクラ
ッド層（３）中に不純物拡散またはイオン注入を行うこ
とにより、メサ部（７）に対して自己整合的に、窓
（８）を容易にしかも制御性良く形成することができ
る。これによって、窓構造を有する半導体レーザーを容
易にしかも制御性良く製造することができる。
用いられるマスクを用いてメサ部（７）の周囲における
第２のクラッド層（５）、活性層（４）及び第１のクラ
ッド層（３）中に不純物拡散またはイオン注入を行うこ
とにより、メサ部（７）に対して自己整合的に、窓
（８）を容易にしかも制御性良く形成することができ
る。これによって、窓構造を有する半導体レーザーを容
易にしかも制御性良く製造することができる。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照しながら説明する。なお、実施例の全図において、同
一または対応する部分には同一の符号を付す。図１はこ
の発明の一実施例による半導体レーザーの全体構成を示
す斜視図であり、図２は図１の２−２線に沿っての断面
図である。
照しながら説明する。なお、実施例の全図において、同
一または対応する部分には同一の符号を付す。図１はこ
の発明の一実施例による半導体レーザーの全体構成を示
す斜視図であり、図２は図１の２−２線に沿っての断面
図である。
【００１０】図１及び図２に示すように、この実施例に
よる半導体レーザーにおいては、例えばｎ型GaAs基板１
上に、例えばｎ型GaAs層から成るバッファ層２、例えば
ｎ型Al0.47Ga0.53As層から成るｎ型クラッド層３、活性
層４、例えばｐ型Al0.47Ga0.53As層から成るｐ型クラッ
ド層５及び例えばｐ型GaAs層から成るキャップ層６が順
次設けられている。
よる半導体レーザーにおいては、例えばｎ型GaAs基板１
上に、例えばｎ型GaAs層から成るバッファ層２、例えば
ｎ型Al0.47Ga0.53As層から成るｎ型クラッド層３、活性
層４、例えばｐ型Al0.47Ga0.53As層から成るｐ型クラッ
ド層５及び例えばｐ型GaAs層から成るキャップ層６が順
次設けられている。
【００１１】バッファ層２を構成するｎ型GaAs層の厚さ
は例えば０．５μｍ、不純物濃度は例えば７×１０17ｃ
ｍ-3である。ｎ型クラッド層３を構成するｎ型Al0.47Ga
0.53As層の厚さは例えば１．５μｍ、不純物濃度は例え
ば５×１０17ｃｍ-3である。また、ｐ型クラッド層５を
構成するｐ型Al0.47Ga0.53As層の厚さは例えば１．５μ
ｍ、不純物濃度は例えば７×１０17ｃｍ-3である。さら
に、キャップ層６を構成するｐ型GaAs層の厚さは例えば
０．５μｍ、不純物濃度は例えば２×１０18ｃｍ-3であ
る。
は例えば０．５μｍ、不純物濃度は例えば７×１０17ｃ
ｍ-3である。ｎ型クラッド層３を構成するｎ型Al0.47Ga
0.53As層の厚さは例えば１．５μｍ、不純物濃度は例え
ば５×１０17ｃｍ-3である。また、ｐ型クラッド層５を
構成するｐ型Al0.47Ga0.53As層の厚さは例えば１．５μ
ｍ、不純物濃度は例えば７×１０17ｃｍ-3である。さら
に、キャップ層６を構成するｐ型GaAs層の厚さは例えば
０．５μｍ、不純物濃度は例えば２×１０18ｃｍ-3であ
る。
【００１２】また、活性層４は、井戸層として例えば厚
さが１５０ÅのAl0.13Ga0.87As層を用い、障壁層として
例えば厚さが６０ÅのAl0.3 Ga0.7 As層を用いた多重量
子井戸（ＭＱＷ）構造を有している。
さが１５０ÅのAl0.13Ga0.87As層を用い、障壁層として
例えば厚さが６０ÅのAl0.3 Ga0.7 As層を用いた多重量
子井戸（ＭＱＷ）構造を有している。
【００１３】この実施例においては、キャップ層６及び
ｐ型クラッド層５に、長方形の平面形状を有するメサ部
７が設けられている。このメサ部７は、半導体レーザー
を平面的に見た場合における中央部に位置している。こ
のメサ部７の周囲には、ｐ型クラッド層５が厚さｄだけ
残されている。そして、このメサ部７の周囲におけるｎ
型クラッド層３、活性層４及びｐ型クラッド層５中に、
例えば亜鉛（Zn）の拡散領域やホウ素（Ｂ）のイオン注
入領域から成る透明な窓８が設けられている。さらに、
この窓８の上に、メサ部７を取り囲むようにして、例え
ばｎ型GaAs層から成る電流狭窄層９が設けられている。
また、キャップ層６の上には電極１０が設けられている
とともに、ｎ型GaAs基板１の裏面には電極１１が設けら
れている。
ｐ型クラッド層５に、長方形の平面形状を有するメサ部
７が設けられている。このメサ部７は、半導体レーザー
を平面的に見た場合における中央部に位置している。こ
のメサ部７の周囲には、ｐ型クラッド層５が厚さｄだけ
残されている。そして、このメサ部７の周囲におけるｎ
型クラッド層３、活性層４及びｐ型クラッド層５中に、
例えば亜鉛（Zn）の拡散領域やホウ素（Ｂ）のイオン注
入領域から成る透明な窓８が設けられている。さらに、
この窓８の上に、メサ部７を取り囲むようにして、例え
ばｎ型GaAs層から成る電流狭窄層９が設けられている。
また、キャップ層６の上には電極１０が設けられている
とともに、ｎ型GaAs基板１の裏面には電極１１が設けら
れている。
【００１４】次に、上述のように構成されたこの実施例
による半導体レーザーの製造方法について説明する。図
３に示すように、まず、例えば有機金属化学気相成長
（ＭＯＣＶＤ）法により、ｎ型GaAs基板１上に、バッフ
ァ層２、ｎ型クラッド層３、活性層４及びｐ型クラッド
層５及びキャップ層６を順次エピタキシャル成長させ
る。これらの各層のエピタキシャル成長は、例えば８０
０℃程度の温度で行うことができる。
による半導体レーザーの製造方法について説明する。図
３に示すように、まず、例えば有機金属化学気相成長
（ＭＯＣＶＤ）法により、ｎ型GaAs基板１上に、バッフ
ァ層２、ｎ型クラッド層３、活性層４及びｐ型クラッド
層５及びキャップ層６を順次エピタキシャル成長させ
る。これらの各層のエピタキシャル成長は、例えば８０
０℃程度の温度で行うことができる。
【００１５】次に、キャップ層６上に例えばＣＶＤ法に
より二酸化シリコン（SiＯ2 ）膜や窒化シリコン（SiＮ
x ）膜を形成した後、これをエッチングによりパターニ
ングして、メサ部７に対応した形状のマスク１２を形成
する。次に、このマスク１２をエッチングマスクとして
用いて、ｐ型クラッド層５の厚さ方向の途中の深さま
で、キャップ層６及びｐ型クラッド層５を図３中一点鎖
線で示すような形状にエッチングする。これによって、
図２に示すように、メサ部７が形成される。この場合、
メサ部７の周囲に残されるｐ型クラッド層５の厚さｄ
は、エッチング時間により制御することができる。
より二酸化シリコン（SiＯ2 ）膜や窒化シリコン（SiＮ
x ）膜を形成した後、これをエッチングによりパターニ
ングして、メサ部７に対応した形状のマスク１２を形成
する。次に、このマスク１２をエッチングマスクとして
用いて、ｐ型クラッド層５の厚さ方向の途中の深さま
で、キャップ層６及びｐ型クラッド層５を図３中一点鎖
線で示すような形状にエッチングする。これによって、
図２に示すように、メサ部７が形成される。この場合、
メサ部７の周囲に残されるｐ型クラッド層５の厚さｄ
は、エッチング時間により制御することができる。
【００１６】この厚さｄは、窓８を形成するために行わ
れる後述の不純物拡散やイオン注入の効果の大きさを決
定する重要なパラメータである。すなわち、この厚さｄ
が小さいほど、窓８を形成するための不純物拡散やイオ
ン注入を容易に行うことができるとともに、ｐ型クラッ
ド層５を通して流れる無効電流が減少することにより動
作電流Ｉopの低減を図ることができる。ｄの値は、具体
的には例えば０．３５〜０．３μｍである。
れる後述の不純物拡散やイオン注入の効果の大きさを決
定する重要なパラメータである。すなわち、この厚さｄ
が小さいほど、窓８を形成するための不純物拡散やイオ
ン注入を容易に行うことができるとともに、ｐ型クラッ
ド層５を通して流れる無効電流が減少することにより動
作電流Ｉopの低減を図ることができる。ｄの値は、具体
的には例えば０．３５〜０．３μｍである。
【００１７】次に、マスク１２を拡散マスクまたはイオ
ン注入マスクとして用いて、このマスク１２に覆われて
いないメサ部７の周囲の部分のｐ型クラッド層５、活性
層４及びｎ型クラッド層３中にZnを拡散させたり、Ｂを
イオン注入したりすることにより、活性層４を構成する
ＭＱＷ層及びその近傍の部分の結晶を破壊し、窓８を形
成する。
ン注入マスクとして用いて、このマスク１２に覆われて
いないメサ部７の周囲の部分のｐ型クラッド層５、活性
層４及びｎ型クラッド層３中にZnを拡散させたり、Ｂを
イオン注入したりすることにより、活性層４を構成する
ＭＱＷ層及びその近傍の部分の結晶を破壊し、窓８を形
成する。
【００１８】次に、マスク１２を選択成長マスクとして
用いて、ＭＯＣＶＤ法により、窓８上にｎ型GaAs層から
成る電流狭窄層９を選択的にエピタキシャル成長させ
る。このエピタキシャル成長は、例えば６００℃程度の
低温で行うことができる。次に、マスク１２をエッチン
グ除去した後、キャップ層６上に電極１０を形成すると
ともに、ｎ型GaAs基板１の裏面に電極１１を形成して、
目的とする半導体レーザーを完成させる。
用いて、ＭＯＣＶＤ法により、窓８上にｎ型GaAs層から
成る電流狭窄層９を選択的にエピタキシャル成長させ
る。このエピタキシャル成長は、例えば６００℃程度の
低温で行うことができる。次に、マスク１２をエッチン
グ除去した後、キャップ層６上に電極１０を形成すると
ともに、ｎ型GaAs基板１の裏面に電極１１を形成して、
目的とする半導体レーザーを完成させる。
【００１９】なお、上述のように電流狭窄層９を構成す
るｎ型GaAs層のエピタキシャル成長を、Znの脱離が生じ
にくい６００℃程度の低温で行う場合には、この電流狭
窄層９の成長時にＭＯＣＶＤ炉内にZnの原料を流すこと
により、その場でZnの拡散を行うことができ、これによ
って窓８を形成することができる。すなわち、電流狭窄
層９のエピタキシャル成長の工程において、ＭＯＣＶＤ
炉の温度を例えば６００℃に設定し、まずAsの原料とし
てのアルシン（AsＨ3 ）及びZnの原料としてのジメチル
亜鉛（ＤＭＺ）を炉内に流してメサ部７の周囲の部分の
ｐ型クラッド層５、活性層４及びｎ型クラッド層３中に
Znを拡散させることにより活性層４を破壊して窓８を形
成し、その後に炉内へのＤＭＺの供給を停止するととも
にGaの原料としてのトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を炉
内に流し、ｎ型GaAs層の成長を開始する。なお、この場
合のｎ型ドーパントとしてはＨ2 Seなどが用いられる。
るｎ型GaAs層のエピタキシャル成長を、Znの脱離が生じ
にくい６００℃程度の低温で行う場合には、この電流狭
窄層９の成長時にＭＯＣＶＤ炉内にZnの原料を流すこと
により、その場でZnの拡散を行うことができ、これによ
って窓８を形成することができる。すなわち、電流狭窄
層９のエピタキシャル成長の工程において、ＭＯＣＶＤ
炉の温度を例えば６００℃に設定し、まずAsの原料とし
てのアルシン（AsＨ3 ）及びZnの原料としてのジメチル
亜鉛（ＤＭＺ）を炉内に流してメサ部７の周囲の部分の
ｐ型クラッド層５、活性層４及びｎ型クラッド層３中に
Znを拡散させることにより活性層４を破壊して窓８を形
成し、その後に炉内へのＤＭＺの供給を停止するととも
にGaの原料としてのトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を炉
内に流し、ｎ型GaAs層の成長を開始する。なお、この場
合のｎ型ドーパントとしてはＨ2 Seなどが用いられる。
【００２０】また、マスク１２に覆われていない部分の
ｐ型クラッド層５、活性層４及びｎ型クラッド層３中に
Ｂをイオン注入して損傷を与え、これによって活性層４
を破壊することにより窓８を形成する場合には、この窓
８の上に成長される電流狭窄層９の結晶性は、良好な結
晶性を有する層上に成長される場合と比べて悪くなると
考えられるが、この電流狭窄層９の結晶性が多少悪くて
も、半導体レーザーの特性に悪影響が生じるおそれは少
ないと考えられる。
ｐ型クラッド層５、活性層４及びｎ型クラッド層３中に
Ｂをイオン注入して損傷を与え、これによって活性層４
を破壊することにより窓８を形成する場合には、この窓
８の上に成長される電流狭窄層９の結晶性は、良好な結
晶性を有する層上に成長される場合と比べて悪くなると
考えられるが、この電流狭窄層９の結晶性が多少悪くて
も、半導体レーザーの特性に悪影響が生じるおそれは少
ないと考えられる。
【００２１】以上のように、この実施例によれば、キャ
ップ層６ｐ型クラッド層５にメサ部７を設け、このメサ
部７の周囲の部分のｐ型クラッド層５、活性層４及びｎ
型クラッド層３中にZnを拡散させたり、Ｂをイオン注入
したりすることにより、このメサ部７に対して自己整合
的に窓８を容易にしかも制御性良く形成することができ
る。これによって、窓構造を有する高出力の半導体レー
ザーを容易に実現することができる。
ップ層６ｐ型クラッド層５にメサ部７を設け、このメサ
部７の周囲の部分のｐ型クラッド層５、活性層４及びｎ
型クラッド層３中にZnを拡散させたり、Ｂをイオン注入
したりすることにより、このメサ部７に対して自己整合
的に窓８を容易にしかも制御性良く形成することができ
る。これによって、窓構造を有する高出力の半導体レー
ザーを容易に実現することができる。
【００２２】以上、この発明の一実施例につき具体的に
説明したが、この発明は、上述の実施例に限定されるも
のではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形
が可能である。例えば、上述の実施例においては、電流
狭窄層９はｎ型GaAs層により形成されているが、この電
流狭窄層９は、例えばAlGaAs層により形成することも可
能である。また、上述の実施例においては、この発明を
AlGaAs／GaAs半導体レーザーに適用した場合について説
明したが、この発明は、他の化合物半導体レーザーに適
用することも可能である。
説明したが、この発明は、上述の実施例に限定されるも
のではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形
が可能である。例えば、上述の実施例においては、電流
狭窄層９はｎ型GaAs層により形成されているが、この電
流狭窄層９は、例えばAlGaAs層により形成することも可
能である。また、上述の実施例においては、この発明を
AlGaAs／GaAs半導体レーザーに適用した場合について説
明したが、この発明は、他の化合物半導体レーザーに適
用することも可能である。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
窓構造を有する半導体レーザーを容易にしかも制御性良
く製造することができる。
窓構造を有する半導体レーザーを容易にしかも制御性良
く製造することができる。
【図１】この発明の一実施例による半導体レーザーの全
体構成を示す斜視図である。
体構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示す半導体レーザーの２−２線に沿って
の断面図である。
の断面図である。
【図３】この発明の一実施例による半導体レーザーの製
造方法を説明するための断面図である。
造方法を説明するための断面図である。
１ ｎ型GaAs基板 ３ ｎ型クラッド層 ４ 活性層 ５ ｐ型クラッド層 ６ キャップ層 ７ メサ部 ８ 窓 ９ 電流狭窄層 １０、１１ 電極
Claims (2)
- 【請求項１】 化合物半導体基板と、 上記化合物半導体基板上に設けられた第１導電型の第１
のクラッド層と、 上記第１のクラッド層上に設けられた活性層と、 上記活性層上に設けられた第２導電型の第２のクラッド
層と、 レーザー発振を行わせるために流される電流の通路を制
限するための電流狭窄層とを具備する半導体レーザーに
おいて、 上記第２のクラッド層にメサ部が設けられ、上記メサ部
の周囲における少なくとも上記活性層を含む部分にレー
ザー光に対して透明な窓が設けられているとともに、上
記窓の上に上記電流狭窄層が設けられていることを特徴
とする半導体レーザー。 - 【請求項２】 化合物半導体基板上に第１導電型の第１
のクラッド層、活性層、第２導電型の第２のクラッド層
を順次エピタキシャル成長させる工程と、 上記第２のクラッド層をその厚さ方向の途中の深さまで
選択的にエッチングすることにより上記第２のクラッド
層にメサ部を形成する工程と、 上記メサ部の周囲における上記第２のクラッド層、上記
活性層及び上記第１のクラッド層中に不純物拡散または
イオン注入を行うことによりレーザー光に対して透明な
窓を形成する工程と、 上記メサ部の周囲における上記窓の上に、レーザー発振
を行わせるために流される電流の通路を制限するための
電流狭窄層を成長させる工程とを具備することを特徴と
する半導体レーザーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31188291A JPH05129721A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 半導体レーザー及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31188291A JPH05129721A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 半導体レーザー及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129721A true JPH05129721A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=18022551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31188291A Pending JPH05129721A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 半導体レーザー及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05129721A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07249827A (ja) * | 1994-01-24 | 1995-09-26 | Nec Corp | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 |
| US5469457A (en) * | 1993-04-12 | 1995-11-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser with COD preventing disordered regions |
| US6546034B2 (en) * | 1999-12-28 | 2003-04-08 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device, semiconductor laser array device and optical fiber transmission system |
| WO2020053980A1 (ja) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP31188291A patent/JPH05129721A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5469457A (en) * | 1993-04-12 | 1995-11-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser with COD preventing disordered regions |
| JPH07249827A (ja) * | 1994-01-24 | 1995-09-26 | Nec Corp | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 |
| US6546034B2 (en) * | 1999-12-28 | 2003-04-08 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device, semiconductor laser array device and optical fiber transmission system |
| WO2020053980A1 (ja) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ |
| JPWO2020053980A1 (ja) * | 2018-09-12 | 2021-08-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6841409B2 (en) | Group III-V compound semiconductor and group III-V compound semiconductor device using the same | |
| US5013684A (en) | Buried disordering sources in semiconductor structures employing photo induced evaporation enhancement during in situ epitaxial growth | |
| JP3982985B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP3782230B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法及びｉｉｉ−ｖ族化合物半導体素子の製造方法 | |
| JPH10229246A (ja) | リッジ型半導体レーザダイオードとその製造方法 | |
| JPH05129721A (ja) | 半導体レーザー及びその製造方法 | |
| JPH0969667A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| US5770471A (en) | Method of making semiconductor laser with aluminum-free etch stopping layer | |
| JPS61168981A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP3254812B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2865160B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| US7046708B2 (en) | Semiconductor laser device including cladding layer having stripe portion different in conductivity type from adjacent portions | |
| JPS6352479B2 (ja) | ||
| JP2780625B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2001053381A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JP2993167B2 (ja) | 面発光半導体レーザの製造方法 | |
| JPH0745902A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH06104534A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH11145553A (ja) | 半導体レーザ素子及びその作製法 | |
| JP3722532B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JP3200507B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| KR0178488B1 (ko) | 표면 방출 반도체 레이저의 제조방법 | |
| JPH04345079A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JPH09275241A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH02240988A (ja) | 半導体レーザ |