JPH07101768B2 - 半導体レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置及びその製造方法Info
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- JPH07101768B2 JPH07101768B2 JP63283291A JP28329188A JPH07101768B2 JP H07101768 B2 JPH07101768 B2 JP H07101768B2 JP 63283291 A JP63283291 A JP 63283291A JP 28329188 A JP28329188 A JP 28329188A JP H07101768 B2 JPH07101768 B2 JP H07101768B2
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2202—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure by making a groove in the upper laser structure
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- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、高出力，高信頼度化を可能にするNAM（non
−absorbing mirror）構造を有する半導体レーザ装置及
びその製造方法に関するものである。
−absorbing mirror）構造を有する半導体レーザ装置及
びその製造方法に関するものである。
第３図は例えばアプライド フィジックス レターズ，
第45巻,818〜820ページ（1984年）に示された、従来の
多重量子井戸（MQW:multi quantum well）活性層を有す
るSAS（self−aligned structure）レーザを示す断面図
であり、図において、１はｎ型GaAs基板、２はｎ型Ga0.
55Al0.45As下クラッド層、３はMQW活性層、４はｐ型Ga
0.55Al0.45As第１上クラッド層、５はｎ型GaAs電流狭窄
層、６はｐ型Ga0.55Al0.45As第２上クラッド層、７はｐ
型GaAsコンタクト層、8,9は金属電極である。
第45巻,818〜820ページ（1984年）に示された、従来の
多重量子井戸（MQW:multi quantum well）活性層を有す
るSAS（self−aligned structure）レーザを示す断面図
であり、図において、１はｎ型GaAs基板、２はｎ型Ga0.
55Al0.45As下クラッド層、３はMQW活性層、４はｐ型Ga
0.55Al0.45As第１上クラッド層、５はｎ型GaAs電流狭窄
層、６はｐ型Ga0.55Al0.45As第２上クラッド層、７はｐ
型GaAsコンタクト層、8,9は金属電極である。
次に動作について説明する。金属電極8,9間に活性層３
のpn接合に対して順方向となる電圧を印加すると、スト
ライプ状の溝10の近傍に電流が集中して流れ、キャリア
がMQW活性層３に閉じ込められて再結合発光が生じる。
光はクラッド層2,4及びストライプ状の溝10によって導
波され，対向する劈開端面によって構成された共振器内
でレーザ発振に至る。
のpn接合に対して順方向となる電圧を印加すると、スト
ライプ状の溝10の近傍に電流が集中して流れ、キャリア
がMQW活性層３に閉じ込められて再結合発光が生じる。
光はクラッド層2,4及びストライプ状の溝10によって導
波され，対向する劈開端面によって構成された共振器内
でレーザ発振に至る。
次に製造工程を簡単に説明する。まず、第１回目の結晶
成長工程として、基板１上に気相成長法によって電流狭
窄層５までを順次成長した後、写真製版の手法を用いた
選択エッチングによってストライプ状の溝10を形成す
る。そして、その上に第２回目の成長工程として、コン
タクト層７までを同様に成長させた後、金属電極8,9を
形成し、各チップに分離して素子が完成する。
成長工程として、基板１上に気相成長法によって電流狭
窄層５までを順次成長した後、写真製版の手法を用いた
選択エッチングによってストライプ状の溝10を形成す
る。そして、その上に第２回目の成長工程として、コン
タクト層７までを同様に成長させた後、金属電極8,9を
形成し、各チップに分離して素子が完成する。
従来の半導体レーザ装置は以上のように構成されている
ので、界面準位に起因して劈開端面がレーザ光の吸収領
域となっている。このため、最大光出力が端面での光学
損傷（COD:Catastrophic Optical Damage）によって規
定され、高出力動作が制限されるという問題点があり、
また、レーザ光の吸収による発熱によって促進される端
面の酸化に起因する緩やかな特性劣化が信頼性を損なう
などの問題点があった。
ので、界面準位に起因して劈開端面がレーザ光の吸収領
域となっている。このため、最大光出力が端面での光学
損傷（COD:Catastrophic Optical Damage）によって規
定され、高出力動作が制限されるという問題点があり、
また、レーザ光の吸収による発熱によって促進される端
面の酸化に起因する緩やかな特性劣化が信頼性を損なう
などの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、信頼性の高い高出力動作を可能とするNAM構
造を有するSAS型の半導体レーザ装置を得ることを目的
とする。
たもので、信頼性の高い高出力動作を可能とするNAM構
造を有するSAS型の半導体レーザ装置を得ることを目的
とする。
この発明に係る半導体レーザ装置は、少なくとも、ｎ型
半導体基板上に形成されたｎ型下クラッド層，量子井戸
構造を含む活性層,p型第１上クラッド層,n型電流阻止層
と、該電流阻止層を貫通するストライプ状の電流狭窄溝
を有するウエハ上に、少なくともｐ型第２上クラッド層
が形成された内部電流狭窄型の半導体レーザ装置におい
て、不純物の導入により形成された、レーザ光の出射端
面近傍領域の上記活性層の量子井戸を混晶化する、上記
電流阻止層と接しないｎ型領域を備えたものである。
半導体基板上に形成されたｎ型下クラッド層，量子井戸
構造を含む活性層,p型第１上クラッド層,n型電流阻止層
と、該電流阻止層を貫通するストライプ状の電流狭窄溝
を有するウエハ上に、少なくともｐ型第２上クラッド層
が形成された内部電流狭窄型の半導体レーザ装置におい
て、不純物の導入により形成された、レーザ光の出射端
面近傍領域の上記活性層の量子井戸を混晶化する、上記
電流阻止層と接しないｎ型領域を備えたものである。
また、この発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、
ｎ型半導体基板上に少なくともｎ型下クラッド層、量子
井戸を有する活性層、ｐ型第１上クラッド層、ｎ型電流
阻止層を順次結晶成長した後、不純物の導入によりレー
ザ出射端面近傍に上記活性層の量子井戸を混晶化する上
記ｎ型電流阻止層に接しないｎ型領域を形成し、さらに
上記電流阻止層にストライプ状の電流狭窄溝を形成した
後、上記電流阻止層及び溝上に少なくともｐ型第２上ク
ラッド層を結晶成長するようにしたものである。
ｎ型半導体基板上に少なくともｎ型下クラッド層、量子
井戸を有する活性層、ｐ型第１上クラッド層、ｎ型電流
阻止層を順次結晶成長した後、不純物の導入によりレー
ザ出射端面近傍に上記活性層の量子井戸を混晶化する上
記ｎ型電流阻止層に接しないｎ型領域を形成し、さらに
上記電流阻止層にストライプ状の電流狭窄溝を形成した
後、上記電流阻止層及び溝上に少なくともｐ型第２上ク
ラッド層を結晶成長するようにしたものである。
この発明においては、不純物の導入によりレーザ出射端
面近傍に活性層の量子井戸を混晶化する、電流阻止層に
接しないｎ型領域を形成したから、MQW無秩序化領域はM
QW活性層と比べて禁制帯幅が広いので、レーザ光を吸収
せずNAM構造が構造され、高出力化、高信頼度化が実現
できる。なお、MQWの混晶化にSiを用いた場合には、Si
は３×1018cm-3以上程度の低濃度で足りるので、フリー
キャリア吸収による損失を小さくできるため、特性の良
いNAM構造SASレーザが得られる。
面近傍に活性層の量子井戸を混晶化する、電流阻止層に
接しないｎ型領域を形成したから、MQW無秩序化領域はM
QW活性層と比べて禁制帯幅が広いので、レーザ光を吸収
せずNAM構造が構造され、高出力化、高信頼度化が実現
できる。なお、MQWの混晶化にSiを用いた場合には、Si
は３×1018cm-3以上程度の低濃度で足りるので、フリー
キャリア吸収による損失を小さくできるため、特性の良
いNAM構造SASレーザが得られる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の第１の実施例による半導体レーザ装置
を示す断面斜視図であり、図において、第３図と同一符
号は同一または相当部分であり、11はSi拡散領域、12は
Zn拡散によるｐ型領域である。
を示す断面斜視図であり、図において、第３図と同一符
号は同一または相当部分であり、11はSi拡散領域、12は
Zn拡散によるｐ型領域である。
また、第２図は本実施例の製造方法の各工程を示す断面
斜視図ある。
斜視図ある。
次に第２図に沿って、本実施例の作製方法について説明
する。
する。
まず第１回目の結晶成長工程として、第２図ａ）に示す
ように、基板１上にクラッド層２から電流狭窄層５まで
を気相成長法（有機金属気相成長法、あるいは、分子線
エピタキシー等）を用いて成長する。次に写真製版の手
法を用いた選択エッチングによって劈開予定線上を含む
近傍領域に溝10aを形成する。この時エッチング液とし
て、例えばアンモニア水と過酸化水素水との混合液を用
いれば、GaAs電流狭窄層５のみをエッチングし、AlGaAs
クラッド層４との界面でエッチングを停止させることが
できる。次に第２図ｂ）に示すように、例えば３×1018
〜１×1019cm-3程度の量のSi原子を、溝の下部のみで活
性層３に到達するように拡散する。次に上述と同じエッ
チング液を用いて、溝10aをさらにエッチングして、第
２図ｃ）に示すように、より開口幅の広い溝10bを形成
する。そして該溝10bを通して、Si原子よりも多くのZn
原子を拡散し、第２図ｄ）に示すように、Si拡散領域よ
りも幅が広く、かつ浅いｐ型Zn拡散領域12を形成する。
この時、拡散フロントは第１の上クラッド層４内にとど
めるようにする。そして溝10bに位置を合わせて選択エ
ッチングし、第２図ｅ）に示すように、溝10をストライ
プ状に形成する。この後、第２回目の結晶成長工程とし
て、第２図ｆ）に示すように、クラッド層６コンタクト
層７を順次成長する。結晶成長後、例えば850℃１時間
程度の熱処理を行うことによって、Siを導入した部分の
MQWを混晶化する。そして、金属電極8,9を真空蒸着等の
方法で形成した後、劈開によって共振器端面を形成し、
各チップに分離することにより第１図に示す素子が完成
する。
ように、基板１上にクラッド層２から電流狭窄層５まで
を気相成長法（有機金属気相成長法、あるいは、分子線
エピタキシー等）を用いて成長する。次に写真製版の手
法を用いた選択エッチングによって劈開予定線上を含む
近傍領域に溝10aを形成する。この時エッチング液とし
て、例えばアンモニア水と過酸化水素水との混合液を用
いれば、GaAs電流狭窄層５のみをエッチングし、AlGaAs
クラッド層４との界面でエッチングを停止させることが
できる。次に第２図ｂ）に示すように、例えば３×1018
〜１×1019cm-3程度の量のSi原子を、溝の下部のみで活
性層３に到達するように拡散する。次に上述と同じエッ
チング液を用いて、溝10aをさらにエッチングして、第
２図ｃ）に示すように、より開口幅の広い溝10bを形成
する。そして該溝10bを通して、Si原子よりも多くのZn
原子を拡散し、第２図ｄ）に示すように、Si拡散領域よ
りも幅が広く、かつ浅いｐ型Zn拡散領域12を形成する。
この時、拡散フロントは第１の上クラッド層４内にとど
めるようにする。そして溝10bに位置を合わせて選択エ
ッチングし、第２図ｅ）に示すように、溝10をストライ
プ状に形成する。この後、第２回目の結晶成長工程とし
て、第２図ｆ）に示すように、クラッド層６コンタクト
層７を順次成長する。結晶成長後、例えば850℃１時間
程度の熱処理を行うことによって、Siを導入した部分の
MQWを混晶化する。そして、金属電極8,9を真空蒸着等の
方法で形成した後、劈開によって共振器端面を形成し、
各チップに分離することにより第１図に示す素子が完成
する。
次に動作について説明する。本実施例の動作機構は基本
的には従来例と同様であるが、Siの拡散によって混晶化
したレーザ光出射端面近傍の活性層の禁制帯幅は、MQW
活性層３の実効的禁制帯幅よりも大きくなるので、MQW
活性層から発光したレーザ光は混晶領域11では吸収され
ず、いわゆるNAM構造が構成される。このため、AlGaAs
系レーザにおいて、最大光出力及び寿命を制限している
端面における劣化が防止され、高信頼度の高出力動作が
可能となる。
的には従来例と同様であるが、Siの拡散によって混晶化
したレーザ光出射端面近傍の活性層の禁制帯幅は、MQW
活性層３の実効的禁制帯幅よりも大きくなるので、MQW
活性層から発光したレーザ光は混晶領域11では吸収され
ず、いわゆるNAM構造が構成される。このため、AlGaAs
系レーザにおいて、最大光出力及び寿命を制限している
端面における劣化が防止され、高信頼度の高出力動作が
可能となる。
ここで、量子井戸無秩序化ためのSiは導入によりｎ型を
与えるため、Zn拡散領域12を設けない場合、ｎ型電流狭
窄層５から該Si拡散領域11を経て基板側へ抜ける電流リ
ーク経路が形成されることとなる。本実施例におけるｐ
型Zn拡散領域12はこの電流リーク経路を遮断するために
設けられており、第１クラッド層４中においてSi拡散領
域11とｎ型電流狭窄層５とを分離している。
与えるため、Zn拡散領域12を設けない場合、ｎ型電流狭
窄層５から該Si拡散領域11を経て基板側へ抜ける電流リ
ーク経路が形成されることとなる。本実施例におけるｐ
型Zn拡散領域12はこの電流リーク経路を遮断するために
設けられており、第１クラッド層４中においてSi拡散領
域11とｎ型電流狭窄層５とを分離している。
ところで、ジャーパニーズ ジャーナル オフ アプラ
イド フィジックス（Japnese Journal of Applied Phy
sics）,25巻５号、L385〜L387ページ（1986年発行）に
おいて報告されているようにSi原子をMQWの混晶化に用
いる場合にはSi濃度として約３×1018cm-3以上といった
比較的少ない量で良いので、自由キャリア吸収による損
失を小さく抑えることができ、優れたレーザ特性を得る
ことができる。
イド フィジックス（Japnese Journal of Applied Phy
sics）,25巻５号、L385〜L387ページ（1986年発行）に
おいて報告されているようにSi原子をMQWの混晶化に用
いる場合にはSi濃度として約３×1018cm-3以上といった
比較的少ない量で良いので、自由キャリア吸収による損
失を小さく抑えることができ、優れたレーザ特性を得る
ことができる。
第３図は本発明の第２の実施例による半導体レーザ装置
の製造方法を示す工程図であり、図中、第２図と同一符
号は同一又は相当部分である。
の製造方法を示す工程図であり、図中、第２図と同一符
号は同一又は相当部分である。
第３図に沿って本実施例の製造工程を説明する。
まず第１の実施例と同様、第１回目の結晶成長工程とし
て、第３図ａ）に示すように、基板１上に下クラッド層
２から電流狭窄層５までを成長する。次に写真製版の手
法を用いた選択エッチングによってストライプ状の溝10
を形成し、さらに劈開予定線上を含む近傍領域に開口を
有する絶縁膜13をウエハ表面に形成する。この絶縁膜
は、イオン注入や拡散のマスクとなるものなら何でも良
いが、例えば熱CVDで形成したSi3N4膜を用いることがで
きる。そして該絶縁膜13及び電流狭窄層５をマスクとし
てSiイオンを活性層３に到達するように選択的にイオン
注入し、第３図ｂ）に示すように端面近傍領域にｎ型領
域11aを形成する。次に上記イオン注入と同一のマスク
を用いてSi原子よりも多くのZn原子を拡散し、同一マス
クを用いた場合、イオン注入よりも拡散の方が横方向に
広がりが大きくなることを利用して、第３図ｃ）に示す
ようにSiイオン注入領域11aよりも幅が広くかつ、浅い
ｐ型Zn拡散領域12aを形成する。そして第３図ｄ）に示
すように絶縁膜13を除去した後は、上述の第１の実施例
と同様の工程を経て素子が完成する。
て、第３図ａ）に示すように、基板１上に下クラッド層
２から電流狭窄層５までを成長する。次に写真製版の手
法を用いた選択エッチングによってストライプ状の溝10
を形成し、さらに劈開予定線上を含む近傍領域に開口を
有する絶縁膜13をウエハ表面に形成する。この絶縁膜
は、イオン注入や拡散のマスクとなるものなら何でも良
いが、例えば熱CVDで形成したSi3N4膜を用いることがで
きる。そして該絶縁膜13及び電流狭窄層５をマスクとし
てSiイオンを活性層３に到達するように選択的にイオン
注入し、第３図ｂ）に示すように端面近傍領域にｎ型領
域11aを形成する。次に上記イオン注入と同一のマスク
を用いてSi原子よりも多くのZn原子を拡散し、同一マス
クを用いた場合、イオン注入よりも拡散の方が横方向に
広がりが大きくなることを利用して、第３図ｃ）に示す
ようにSiイオン注入領域11aよりも幅が広くかつ、浅い
ｐ型Zn拡散領域12aを形成する。そして第３図ｄ）に示
すように絶縁膜13を除去した後は、上述の第１の実施例
と同様の工程を経て素子が完成する。
本実施例による半導体レーザ装置はその動作機構は上記
第１の実施例と同様であるが、製造方法においては上述
の説明からもわかるようにエッチング工程がストライプ
状溝10を形成する１回だけでよく、上記第１の実施例に
比して工程数が削減できる効果がある。
第１の実施例と同様であるが、製造方法においては上述
の説明からもわかるようにエッチング工程がストライプ
状溝10を形成する１回だけでよく、上記第１の実施例に
比して工程数が削減できる効果がある。
第４図ａ）〜ｃ）は本発明の第３の実施例による半導体
レーザ装置の製造方法を示す工程図，第４図ｄ）はこの
第３の実施例による半導体レーザ装置の断面斜視図であ
り、これら図において、第２図と同一符号は同一又は相
当部分である。
レーザ装置の製造方法を示す工程図，第４図ｄ）はこの
第３の実施例による半導体レーザ装置の断面斜視図であ
り、これら図において、第２図と同一符号は同一又は相
当部分である。
第４図ａ）〜ｃ）に沿って第３の実施例の製造工程を説
明する。
明する。
まず第１回目の結晶成長工程として、第４図ａ）に示す
ように基板１上に下クラッド層２から電流狭窄層５まで
を成長する。ここで、上述の第1,第２の実施例と異なる
のは、第１のｐ型上クラッド層をキャリア濃度の低い4a
と高い4bの２層で構成した点であり、キャリア濃度を例
えば、4aでは１×1018cm-3、4bでは５×1018cm-3とす
る。次に写真製版の手法を用いた選択エッチングによっ
てストライプ状の溝10を形成し、さらに劈開予定線上を
含む近傍領域に開口を有する絶縁膜13をウエハ表面に形
成する。そして該絶縁膜13及び電流狭窄層５をマスクと
して、第４図ｂ）に示すようにSiの拡散あるいはイオン
注入を活性層に到達するように行う。この時、Si濃度を
例えば４×1018cm-3とすれば、領域11bはコンペンセイ
トされてｎ型となり、一方、領域12bは１×1018cm-3の
ｐ型領域となり電流リーク経路は生じない。そして第４
図ｃ）に示すように絶縁膜13を除去した後は、上述の第
1,第２実施例と同様の工程を経て素子が完成する。
ように基板１上に下クラッド層２から電流狭窄層５まで
を成長する。ここで、上述の第1,第２の実施例と異なる
のは、第１のｐ型上クラッド層をキャリア濃度の低い4a
と高い4bの２層で構成した点であり、キャリア濃度を例
えば、4aでは１×1018cm-3、4bでは５×1018cm-3とす
る。次に写真製版の手法を用いた選択エッチングによっ
てストライプ状の溝10を形成し、さらに劈開予定線上を
含む近傍領域に開口を有する絶縁膜13をウエハ表面に形
成する。そして該絶縁膜13及び電流狭窄層５をマスクと
して、第４図ｂ）に示すようにSiの拡散あるいはイオン
注入を活性層に到達するように行う。この時、Si濃度を
例えば４×1018cm-3とすれば、領域11bはコンペンセイ
トされてｎ型となり、一方、領域12bは１×1018cm-3の
ｐ型領域となり電流リーク経路は生じない。そして第４
図ｃ）に示すように絶縁膜13を除去した後は、上述の第
1,第２実施例と同様の工程を経て素子が完成する。
本実施例の動作機構も上記第１及び第２の実施例と同様
であるが、その製造方法においては不純物の導入が１回
ですむため、上記第1,第２の実施例に比して工程数が削
減できる効果がある。
であるが、その製造方法においては不純物の導入が１回
ですむため、上記第1,第２の実施例に比して工程数が削
減できる効果がある。
なお、以上の実施例では、AlGaAs系レーザについて示し
たが、他の材料、例えば、InGaAsP、（AlGa）InP等を用
いたレーザにも適用できる。
たが、他の材料、例えば、InGaAsP、（AlGa）InP等を用
いたレーザにも適用できる。
また、MQWの混晶化にはSiを用いたが、これのみに限ら
れるものではなく、他の不純物原子、例えば、Se,S等も
用いることができる可能性も考えられる。
れるものではなく、他の不純物原子、例えば、Se,S等も
用いることができる可能性も考えられる。
以上のように、この発明によればｎ型基板上に形成され
た、量子井戸構造の活性層を有するSASレーザにおい
て、レーザ出射端面付近の活性層の量子井戸がｎ型を与
える不純物の導入により無秩序化され、かつ該不純物の
導入により形成されるｎ型領域はｎ型電流狭窄層には接
しない構成としたから、上記無秩序化により形成される
NAM構造により端面劣化を防止でき、高出力、高信頼度
の動作が可能なSASレーザが得られる効果がある。さら
に、上記ｎ型を与える不純物としてSiを用いた場合、量
子井戸の混晶化に必要な不純物濃度が低濃度であるた
め、フリーキャリア吸収による損失を小さくでき、特性
のよいNAM構造SASレーザを実現できる効果がある。
た、量子井戸構造の活性層を有するSASレーザにおい
て、レーザ出射端面付近の活性層の量子井戸がｎ型を与
える不純物の導入により無秩序化され、かつ該不純物の
導入により形成されるｎ型領域はｎ型電流狭窄層には接
しない構成としたから、上記無秩序化により形成される
NAM構造により端面劣化を防止でき、高出力、高信頼度
の動作が可能なSASレーザが得られる効果がある。さら
に、上記ｎ型を与える不純物としてSiを用いた場合、量
子井戸の混晶化に必要な不純物濃度が低濃度であるた
め、フリーキャリア吸収による損失を小さくでき、特性
のよいNAM構造SASレーザを実現できる効果がある。
第１図はこの発明の第１の実施例による半導体レーザ装
置を示す断面斜視図、第２図は本発明の第１の実施例に
よる半導体レーザ装置の製造方法の各工程を示す断面斜
視図、第３図，第４図ａ）〜ｃ）は本発明の第2,第３の
実施例による半導体レーザ装置の製造方法の各工程を示
す断面斜視図、第４図ｄ）は本発明の第３の実施例によ
る半導体レーザ装置を示す断面斜視図、第５図は従来の
SASレーザを示す図である。 11はSi拡散領域、12はZn拡散によるｐ型領域である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
置を示す断面斜視図、第２図は本発明の第１の実施例に
よる半導体レーザ装置の製造方法の各工程を示す断面斜
視図、第３図，第４図ａ）〜ｃ）は本発明の第2,第３の
実施例による半導体レーザ装置の製造方法の各工程を示
す断面斜視図、第４図ｄ）は本発明の第３の実施例によ
る半導体レーザ装置を示す断面斜視図、第５図は従来の
SASレーザを示す図である。 11はSi拡散領域、12はZn拡散によるｐ型領域である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (3)
- 【請求項１】少なくとも、ｎ型半導体基板上に形成され
たｎ型下クラッド層，量子井戸構造を含む活性層,p型第
１上クラッド層,n型電流阻止層と、該電流阻止層を貫通
するストライプ状の電流狭窄溝を有するウエハ上に、少
なくともｐ型第２上クラッド層が形成された内部電流狭
窄型の半導体レーザ装置において、 不純物の導入により形成された、レーザ光の出射端面近
傍領域の上記活性層の量子井戸を混晶化する、上記電流
阻止層と接しないｎ型領域を備えたことを特徴とする半
導体レーザ装置。 - 【請求項２】ｎ型半導体基板上に少なくともｎ型下クラ
ッド層、量子井戸を有する活性層、ｐ型第１上クラッド
層、ｎ型電流阻止層を順次結晶成長する工程と、 不純物の導入によりレーザ出射端面近傍に上記活性層の
量子井戸を混晶化する上記ｎ型電流阻止層に接しないｎ
型領域を形成し、さらに上記電流阻止層にストライプ状
の電流狭窄溝を形成する工程と、 上記電流阻止層及び溝上に少なくともｐ型第２上クラッ
ド層を結晶成長する工程とを含むことを特徴とする半導
体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項３】請求項１記載の半導体レーザ装置におい
て、 上記半導体レーザ装置を構成する半導体材料がAlGaAs系
材料であり、上記不純物がシリコンであることを特徴と
する半導体レーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63283291A JPH07101768B2 (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| US07/432,215 US5020068A (en) | 1988-11-09 | 1989-11-06 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63283291A JPH07101768B2 (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129986A JPH02129986A (ja) | 1990-05-18 |
| JPH07101768B2 true JPH07101768B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=17663546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63283291A Expired - Lifetime JPH07101768B2 (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPH07101768B2 (ja) |
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| JP2624881B2 (ja) * | 1990-08-23 | 1997-06-25 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| US5173912A (en) * | 1991-04-02 | 1992-12-22 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Double-carrier confinement laser diode with quantum well active and sch structures |
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| JP2002374038A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| US7687291B2 (en) * | 2005-03-25 | 2010-03-30 | Trumpf Photonics Inc. | Laser facet passivation |
| DE102007062050B4 (de) * | 2007-09-28 | 2019-06-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaser und Verfahren zum Herstellen des Halbleiterlasers |
| KR102604739B1 (ko) * | 2017-01-05 | 2023-11-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 장치 |
| CN107385343B (zh) * | 2017-07-21 | 2020-02-28 | 张栗珲 | 一种量子水处理器及用于水处理的功能材料 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4546481A (en) * | 1982-05-28 | 1985-10-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Window structure semiconductor laser |
| JPS60101989A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レ−ザ及びその製造方法 |
| JPS6348888A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS63222490A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
-
1988
- 1988-11-09 JP JP63283291A patent/JPH07101768B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-11-06 US US07/432,215 patent/US5020068A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5020068A (en) | 1991-05-28 |
| JPH02129986A (ja) | 1990-05-18 |
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