CN1677775A - 氮化物系半导体元件的制造方法及氮化物系半导体元件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，在具有从表面贯通到背面的条状的位错集中区域的GaN基板的表面上将氮化物系半导体各层以均匀的膜厚进行层叠。氮化物系半导体基板，例如，沿GaN基板表面的位错集中区域，在位错集中区域附近的非位错集中区域形成槽。在形成了该槽的GaN基板的表面上形成氮化物系半导体的各层，作为结晶成长层。
Description
技术领域
本发明涉及氮化物系半导体元件的制造方法及氮化物半导体元件。
背景技术
氮化物系半导体元件，作为下一代的大容量光盘用光源所使用的半导体激光元件等，其开发正在兴盛起来。例如，可以参照国际公开公报WO 03/038957A1。
氮化物系半导体元件，可通过在氮化物系半导体基板上利用有机金属气相堆积法使氮化物系半导体各层进行结晶成长来制造。
图1是示意性地表示氮化物系半导体基板的立体图。
氮化物系半导体基板1701由贯通其表面1702和背面1703的条状的结晶缺陷集中的位错集中区域1704、1705、1706、1707和正常的结晶区域构成的非位错集中区域1708、1709、1710构成。非位错集中区域1708、1709、1710的宽度、即位错集中区域之间的间隔例如约为400μm。
在该氮化物系半导体基板1701的表面1702上，例如利用有机金属气相堆积法(MOCVD：Metalorganic Chemical Vapor Deposition)使氮化物系半导体进行结晶成长，得到氮化物系半导体的层叠结构。
图2是从与位错集中区域的延长方向成直角的方向看所得到的现有的氮化物系半导体的层叠结构的示意图。在氮化物系半导体基板1701的表面1702上形成结晶成长层1801、1802、1803。在这些结晶成长层1801、1802、1803上，膜厚不是一定的，例如，在位错集中区域1704、1705附近的端部1804、1805处厚，在中央部1806处薄，是不均匀的。
为了由具有这样的结晶成长层1801、1802、1803的氮化物系半导体制作氮化物系半导体激光元件，需要形成条状的光导波路，得到光封入结构。为了形成光导波路而有多种方法，山脊形光导波路可以通过将深度和宽度精密地控制在百分之一μm左右精度的蚀刻技术来形成。
但是，在具有膜厚不均匀的结晶成长层的氮化物系半导体激光元件中，因在光导波路的形成工序中蚀刻不均匀的原因，会造成特性恶化和成品率下降。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种在氮化物系半导体基板的非位错集中区域的表面上、在氮化物系半导体的层叠结构中具有膜厚均匀的结晶成长层的氮化物系半导体元件及其制造方法。
上述目的可以如下这样来实现，本发明是一种氮化物系半导体元件的制造方法，该氮化物系半导体元件使用了条状的位错集中区域和非位错集中区域交互地存在、位错集中区域从表面贯通到背面的氮化物系半导体基板，其包括以下的工序：在上述氮化物系半导体基板的非位错集中区域的表面上层叠氮化物系半导体层的层叠工序；在氮化物系半导体基板的表面上、在沿着上述位错集中区域的附近的非位错集中区域形成槽的槽形成工序；而且该槽形成工序在上述层叠工序之前进行。
通过上述这样的方法，可以保证在层叠工序中层叠的氮化物系半导体各层的膜厚的均匀性，可以改善元件特性以及制品成品率。
另外，上述槽形成工序包括：在上述氮化物系半导体基板的表面上、在除去沿着上述位错集中区域的附近非位错集中区域的非位错集中区域形成蚀刻掩模的掩模形成子工序；对包括上述位错集中区域并且沿着位错集中区域的非位错集中区域进行蚀刻的蚀刻子工序；除去在上述掩模形成子工序中形成的蚀刻掩模的掩模除去子工序。
根据这样的方法，可以沿着位错集中区域，在包含位错集中区域的非位错集中区域形成槽。
另外，在上述掩模形成子工序中形成的蚀刻掩模由SiO2构成，上述蚀刻子工序是使用Cl2气体的反应性离子蚀刻。
通过这样的方法，可以确实地形成槽。
另外，由在上述掩模形成子工序中形成的蚀刻掩模之间的距离所决定的在蚀刻子工序中形成的槽的宽度和在上述蚀刻子工序中形成的槽的深度，应形成为可以抑制在后续的层叠工序中应层叠在位错集中区域表面的氮化物系半导体层向非位错集中区域的迁移的宽度和深度。
通过这样的方法，可以抑制所层叠的氧化物系半导体的吸附晶种的迁移，可以确保膜厚的均匀性。
另外，在上述槽形成工序中所形成的槽，利用各向异性蚀刻来形成，并且从氮化物系半导体基板的表面朝槽底方向近乎直角地形成非位错集中区域的台阶部。
通过这样的方法，可以容易地形成包含有位错集中区域的槽。
另外，在上述槽形成工序中所形成的槽，从氮化物系半导体基板的表面朝着槽底方向形成非位错集中区域的台阶部的斜面，该斜面是朝着位错集中区域一侧倾斜的台形状。
通过这样的方法，可以降低边缘效应，进一步提高膜厚的均匀性。
另外，在上述槽形成工序中所形成的槽，从氮化物系半导体基板的表面朝着槽底方向形成非位错集中区域的台阶部的斜面，该斜面是朝着非位错集中区域一侧倾斜的反台形状。
通过这样的方法，可以进一步抑制吸附晶种的迁移。
另外，还具有与在上述槽形成工序中形成的槽同时、在非位错集中区域拉开间隔地形成向着与上述槽成直角方向延伸的直角槽的直角槽形成工序。
按照这样的方法，通过在两个方向形成槽，可以进一步地提高膜厚的均匀性，并且，氮化物系半导体元件的分离也变得容易。
另外，上述氮化物系半导体基板的表面由(0001)结晶面构成。
通过这样的方法，在分离氮化物系半导体元件时可以通过劈开而可以容易地进行。
上述目的可以如下这样来实现，本发明是一种氮化物系半导体元件，它使用了具有条状的位错集中区域的氮化物系半导体基板，其中：在氮化物系半导体基板的非位错集中区域的至少一端部形成台阶部，在该台阶部的底部延伸位错集中区域，在上述非位错集中区域的表面上形成氮化物系半导体各层。
通过这样的构成，可以使构成氮化物系半导体元件的氮化物系半导体各层的膜厚变得均匀，可以得到半导体特性优异且成品率良好的氮化物系半导体元件。
附图说明
图1是示意性地表示具有条状的位错集中区域的氮化物系半导体基板的立体图。
图2是现有的氮化物系半导体的层叠结构剖面的示意图。
图3是用于说明本发明的氮化物系半导体元件的实施方式1的在GaN基板上形成的结晶成长层的膜厚的剖面图。
图4A和图4B是用于说明上述实施方式的槽形成工序的剖面图。
图5是用于说明上述实施方式的槽图案的上面图。
图6是用于说明上述实施方式的氮化物系半导体元件的制造工序的剖面图(之一)。
图7是用于说明上述实施方式的氮化物系半导体元件的制造工序的剖面图(之二)。
图8是用于说明上述实施方式的氮化物系半导体元件的制造工序的剖面图(之三)。
图9是用于说明上述实施方式的氮化物系半导体元件的制造工序的剖面图(之四)。
图10是上述实施方式的氮化物系半导体元件的剖面图。
图11是用于说明本发明的氮化物系半导体元件的其他实施方式的槽图案的上面图。
图12是表示其他实施方式的槽剖面的剖面图(之一)。
图13是表示其他实施方式的槽剖面的剖面图(之二)。
图14是表示其他实施方式的槽剖面的剖面图(之三)。
图15是表示其他实施方式的槽剖面的剖面图(之四)。
图16是用于估计在GaN基板上形成的结晶成长层的膜厚的偏差的说明图。
图17是表示上述实施方式和现有例的膜厚的偏差的比较例的图。
图18是表示上述实施方式1的槽的深度和宽度与在CaN基板上形成的结晶成长层的膜厚均匀性之间的关系的图。
具体实施方式
以下，使用附图，对本发明的氮化物系半导体及其制造方法的实施方式进行说明。
[实施方式1]
图3是用于说明在本发明的氮化物系半导体元件的制造方法的实施方式1中在GaN基板上形成的结晶成长层的膜厚的剖面图。
该氮化物系半导体元件101是在作为氮化物系半导体基板的GaN基板102的表面103上形成由氮化物系半导体的结晶成长层104构成的层叠结构而成。
在GaN基板102上形成贯通表面103和背面105的条状的结晶缺陷集中的位错集中区域106、107。沿着该位错集中区域106、107的延伸方向形成槽108、109。
通过MOCVD法，向在形成了该槽108、109的GaN基板102的表面103供给包含Ga、Al、In等的III族元素和N元素的结晶成长原料，形成结晶成长层104。
这些III族元素和N元素的吸附晶种几乎不在位错集中区域106、107的表面吸附。本来应该吸附在位错集中区域106、107上的吸附晶种在GaN基板102上所形成的槽108、109中堆积。另外，由于槽108、109是按照距离表面103具有深度d所形成的，所以可以抑制堆积在槽108、109的非位错集中区域的吸附晶种向槽108、109外的非位错集中区域110的表面103迁移。
其结果是，提高了在非位错集中区域110的表面103上形成的结晶成长膜104的膜厚的均匀性。
另外，由于槽108、109是通过蚀刻而形成的，所以在槽108、109与表面103的分界处形成角。由于吸附晶种容易吸附在角立起的部分上(边缘效应)，所以在角部分111、112上，在结晶成长层104上形成有些突起的倾斜部113、114。
接下来，对本实施方式的氮化物系半导体基板的槽形成工序进行说明。
如图4A所示，将GaN基板102的(0001)结晶面作为表面103，在沿着形成有槽的位错集中区域106、107(贯通附图纸面的方向)的非位错集中区域以外的非位错集中区域110的表面103上，利用PCVD法(Plasma Chemical Vaper Deposition)形成SiO2层，作为掩模201。另外，作为掩模201的材料，也可以使用Ni(镍)、光刻胶、Al2O3、SiN等绝缘材料。掩模201的膜厚例如可以设为0.36μm。
将形成了SiO2层201的GaN基板102利用RIE(Reactive IonEtching)法有选择地蚀刻位错集中区域106、107和其近旁的非位错集中区域。该蚀刻条件例如设定为：使用Cl2气体，气压为25mTorr，流量为25sccm，等离子体激发功率为200W，蚀刻速率为0.135μm/min。由此，形成距离GaN基板102的表面103具有深度d为1μm的槽。另外，关于蚀刻所用的气体来说，也可以使用BCl3等含有氯的气体。
在该蚀刻工序之后，除去作为掩模所形成的SiO2层。
图4B是在槽形成工序中得到的GaN基板102的剖面图。在GaN基板102的表面103上，形成有深度d＝1μm、宽度w＝100μm的槽108、109。
图5是示意性地表示从图4B的上方来看的GaN基板102的上面图。在GaN基板102的表面103上，形成沿着条状的位错集中区域106、107、…的槽108、109、…。这些槽108、109的中心间的间隔例如为400μm。
接下来，说明槽形成工序结束后的GaN基板102上作为氮化物系半导体元件的氮化物系半导体激光元件的层叠工序。另外，为了使说明简单，对于GaN基板102是n型导电性的情况进行说明，剖面图仅对于槽108、109的中心间进行记载。
图6是用于说明层叠工序的剖面图。以下的层叠工序通过MOCVD法来进行。
(1)在n型导电性的GaN基板102上，形成缓冲层401。该缓冲层形成工序是，将GaN基板102放入氢气及氮气环境的反应炉中，在供给作为氮化物系半导体层的氮化原料的NH3气体的状态下，将GaN基板102加热到1000℃左右。在GaN基板102的温度达到约1000℃的时刻，将含有作为Ga原料的TMGa(三甲基镓)及作为铝原料的TMAl(三甲基铝)的氢气供给到反应炉内，在GaN基板102上形成不掺杂的Al0.01Ga0.99N层，作为缓冲层401。该缓冲层401，例如形成1.0μm的厚度，起到在该上层形成的氮化物系半导体激光结构与GaN基板102之间的缓冲层的作用。
(2)在缓冲层401上形成n型包敷层402。
该包敷层形成工序是，将含有作为Ga原料的TMGa(三甲基镓)及TMAl(三甲基铝)、作为用于得到n型导电性的Ge杂质原料的GeH4(甲锗烷)的氢气供给到反应炉内，形成厚度约为1.5μm的由掺杂了Ge的Al0.07Ga0.93N构成的n型包敷层402。
(3)在n型包敷层402上形成n侧载流子块层403。
该n侧载流子块层形成工序是，将含有作为Ga原料的TMGa及作为铝原料的TMAl的氢气供给到反应炉内，形成厚度约为20nm的由Al0.2Ga0.8N构成的n侧载流子块层403。
(4)在n侧载流子块层403上形成发光层404。
该发光层形成工序是，将GaN基板102的温度降到约800℃左右，向供给了NH3气体的氮气环境的反应炉内供给作为Ga原料的TEGa(三乙基镓)及作为In原料的TMIn(三甲基铟)，形成具有多重量子阱(MQW：Multiple Quantum Well)结构的MQW活性层。MQW活性层是，将厚度约为3.5nm的由不掺杂的InxGa1-xN构成的3个量子阱层和厚度约为20nm的由不掺杂的InyGa1-yN构成的3个量子壁垒层交替地层叠。
在此，x＞y，x＝0.15，y＝0.03。
在MQW活性层的上面，同样地供给TEGa及TMIn，形成膜厚约为0.1μm的由不掺杂的In0.01Ga0.99N构成的p侧光导层。
向反应炉供给作为Ga原料的TMGa及作为Al原料的TMAl，在p侧光导层的上面，形成膜厚约为20nm的由Al0.25Ga0.75N构成的p侧载流子块层。
发光层404由这些MQW活性层和p侧光导层和载流子块层构成。
(5)在发光层404上形成p型包敷层405。
该包敷层形成工序是，再次将GaN基板102的温度加热到1000℃左右，在向反应炉内供给了NH3气体的氢气及氮气环境中，向反应炉供给作为p型杂质Mg的原料的Mg(C5H5)2(环戊二烯基镁)、作为Ga原料的TMGa及作为Al原料的TMAl，形成厚度约为0.5μm的由掺杂了Mg的Al0.07Ga0.93N构成的p型包敷层405。
(6)在p型包敷层405上形成p侧接触层406。
该接触层形成工序是，再度将GaN基板温度降至800℃左右，在向反应炉内供给了NH3气体的氮气环境中，供给作为Ga原料的TMGa及作为In原料的TMIn，形成厚度约为2nm的由不掺杂的In0.07Ga0.93N构成的p侧接触层406。
在以上的各工序中，使在GaN基板102上氮化物系半导体元件的层叠工序完成，将基板407的温度降至室温附近，将基板407从反应炉中取出。
接下来，在形成了氮化物系半导体激光元件的层叠结构的基板407上形成光导波路。
如图7所示，光导波路形成工序包括：在基板407的p侧接触层406上的近乎中央位置、与位错集中区域106、107的延伸方向近乎平行地形成宽度约为1.5μm的条状的由SiO2构成的掩模501；通过使用Cl2气体的RIE法进行的山脊形成蚀刻。
在山脊形成蚀刻中，如图8所示，通过蚀刻除去形成了掩模501的区域以外的区域的p侧接触层406的全部和p型包敷层405的膜厚的约90％。由此，在p型包敷层601上形成膜厚约为0.45μm的突状部602。
接下来，如图9所示在p型包敷层601的平坦部和该突状部602的侧面形成由SiO2层构成的电流块层701，除去掩模501，该电流块层形成约为0.2μm的膜厚。除去了掩模501的部分成为带状槽702。
如图10所示，在除去了掩模501的带状槽702中，在p侧接触层406上形成了p侧欧姆电极801后，形成覆盖整个上面的p侧衬垫电极802。
再将GaN基板102的背面105研磨到容易劈开的厚度后，在GaN基板102的背面105形成n侧欧姆电极803和n侧衬垫电极804，生成氮化物系半导体元件。
根据以上这样的制造方法，由于在氮化物系半导体激光元件的叠层工序中的膜厚在非位错集中区域110近乎是均等的，所以即使在光导波路形成工序中的要求山脊形成蚀刻那样的精度的蚀刻中，也不会制造不良品，可以提高制品的成品率。
按照在槽108、109之间具有2以上的山脊部的方式形成半导体激光元件也可以。
另外，在上述实施方式中，虽然形成了沿着GaN基板102的位错集中区域106等的槽108等，但是作为其他的槽形成图案，也可形成图11所示那样的槽。
图11是GaN基板102的上面图。也可在非位错集中区域110的表面103上形成与槽108、109等成直角方向的直角槽901、902等。该直角槽901、902的间隔D，按照使从间隔D减了直角槽901等的槽宽的长度为氮化物系半导体激光元件的光路长或者其光路长的整数倍数的长度那样形成即可。这样的话，以该直角槽为基准容易分离一个氮化物系半导体激光元件。
虽然在上述上实施方式中，槽108等通过各向异性蚀刻使剖面成为长方形，但是将槽剖面按照以下这样作成也可以。
图12是将槽剖面1001作成台形状。通过作成这样的形状，可以降低边缘效应。这时，将槽深设为2μm。
图13是将槽剖面1101作成反台形状。如果作成这样的形状的话，从槽内向槽外的吸附晶种的迁移将更加减少。
而且，如图14所示，也可以将槽剖面1201作成台阶形状。
虽然上述各槽108等包含位错集中区域106等，但是也可以不蚀刻位错集中区域106，在位错集中区域106的两侧的非位错集中区域中形成一对的槽1301、1302。
在上述实施方式中，虽然使用n型GaN基板102进行了说明，当然也可以使用p型GaN基板。
在上述中，以具有山脊型光导波路结构的半导体激光器为例进行了说明，但是由于根据本发明可以使氮化物系半导体各层的膜厚变为均匀，所以即使用于具有其他光导波路结构的半导体激光器，可以改善元件的特性以及提高制品的成品率。例如，在通过离子注入而形成光导波路的情况下，如果半导体各层的膜厚不均匀的话，由于对于层叠方向上的发光层位置的离子注入深度不同，所以横方向的光封入不均匀，会对元件特性造成不良影响，但是根据本发明，由于可使氮化物系半导体各层的膜厚均匀，所以可以使上述离子注入深度均匀。其结果是，由于可以使横方向的光封入均匀，所以可以改善元件特性以及提高制品的成品率。
通过形成条状的电极而设置光导波路的电极条状结构(与上述的山脊型光导波路结构不同，是不形成山脊部的结构)的情况下，若半导体各层的膜厚不均匀的话，有可能造成在其上面形成的电极的附着力的下降。而且，在将具有电极条状结构的元件从该电极侧安装在辅助支架等的基台上的进行所谓向下连接(Junctiondown)组装的情况下，若半导体各层的膜厚不均匀的话，则防热特性变坏，难以控制发光点的位置。其结果是，有可能造成元件特性变差，并导致制品的成品率降低。但是，根据本发明，由于可以使氮化物系半导体各层的膜厚均匀，所以可以解决这样的问题，因此可以改善元件的特性以及提高产品的成品率。
虽然在上述实施方式中使用GaN基板作为氮化物系半导体基板进行了说明，但是不限于此，也可以是包含AlGaN、AlN、AlGaInN的氮化物系半导体基板，当然也可以使用在它们中加入了B的通式是AlGaInBN的基板。
虽然在上述的实施方式中使用MOCVD法进行了氮化物系半导体各层的结晶成长，但是不限于该方法，也可以使用HVPE(氢化物气相堆积)法、或者、使用Al、Ga、In、NH3、SiH4、GeH4及Mg(C5H5)2等作为原料气体的气体源MBE(分子束堆积)法、使用Al、Ga、In、CeH4、Mg和氮自由基或联氨的MBE法等进行结晶成长。
虽然在上述实施方式中在GaN基板的(0001)结晶面上层叠氮化物系半导体的各层，但是也可以在其他方向上进行层叠。例如，也可以在(1-100)或(11-20)结晶面等的(H、K、-H-K、0)结晶面上层叠氮化物系半导体的各层。在这种情况下，在发光层不产生压电电场，所以可以提高发光层的发光效率。
也可以使用在从(0001)结晶面起1.0°以下的范围内截断的氮化物系半导体基板。
虽然在上述的实施方式中使用了MQW结构作为发光层，发光层即使是单一量子阱结构，也可以得到同样的效果。
由于本发明的内容涉及提高膜厚的均匀性的技术，所以从使发光层的膜厚等均匀等的观点来看，对于发光二极管和受光元件也是有效的。而且，对于具有复杂的蚀刻图案和电极图案的FET等的有源元件也是有效的。
接下来，表示使上述实施方式中的GaN基板上的氮化物系半导体的层叠结构的结晶成长层的膜厚的均匀性与作为现有技术的不形成沿着位错集中区域的槽的情况相比较的试验数据。
图16表示用于比较膜厚均匀性的膜厚测定方法。将结晶成长层的最大膜厚部分与最小膜厚部分的膜厚差设为Δt。
在图17中表示使平均膜厚为3μm时的比较例。
在比较例中，利用如现有例那样不形成槽的情况、在实施方式1中说明了的图5所示的槽图案和图11所示的槽图案这三种进行了比较。在第1栏中表示膜厚差，在第2栏中用％表示用平均膜厚除膜厚差所得的值。
从该图可以理解到，在氮化物系半导体的结晶成长层形成之前，通过形成槽，可以抑制吸附晶种的迁移，提高膜厚的均匀性。特别是，在沿着位错集中区域的方向和其直角方向的两个方向上形成槽图案时，可以完全地确保膜厚的均匀性。
接下来，图18中的曲线表示该膜厚的均匀性与槽的深度和槽的宽度(半值)之间的关系。横轴表示槽的半值宽度，纵轴是用μm单位来表示槽的深度。另外，该平均膜厚为3μm。图中的×符号表示膜厚不均匀的点，△符号表示可以确保膜厚均匀性的分界点，○符号表示膜厚均匀性良好的点。其结果是，在曲线的上方(交叉线部分)，能够确保膜厚均匀性，这点已由实验结果确认。
如果加大槽的半值宽度，则可以阻碍非位错集中区域的有效利用，而若加深槽的深度的话，则蚀刻处理的效率变差。
因此，将槽的深度设为0.7μm～2.5μm的范围、将槽的半值宽度与此相应地设为70μm～20μm的范围是有效的，
本发明的氮化物系半导体元件的制造方法及氮化物系半导体元件，作为半导体激光特性优异且在制造阶段中提高了成品率的氮化物系半导体元件，在大容量光盘用光源等的领域中得到应用。
Claims (10)
1.一种氮化物系半导体元件的制造方法，该氮化物系半导体元件使用了条状的位错集中区域和非位错集中区域交互地存在、位错集中区域从表面贯通到背面的氮化物系半导体基板，其特征在于：包括以下的工序：
层叠工序，在所述氮化物系半导体基板的非位错集中区域的表面上层叠氮化物系半导体层；
槽形成工序，在氮化物系半导体基板的表面上、在沿着所述位错集中区域的附近的非位错集中区域形成槽；
在此，该槽形成工序在所述层叠工序之前进行。
2.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其特征在于：所述槽形成工序包括以下的子工序：
掩模形成子工序，在所述氮化物系半导体基板的表面上、在除去沿着所述位错集中区域的附近非位错集中区域的非位错集中区域形成蚀刻掩模；
蚀刻子工序，对包括所述位错集中区域并且沿着位错集中区域的非位错集中区域进行蚀刻；
掩模除去子工序，除去在所述掩模形成子工序中形成的蚀刻掩模。
3.根据权利要求2所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其特征在于：
在所述掩模形成子工序中所形成的蚀刻掩模由SiO2构成，
所述蚀刻子工序是使用Cl2气体的反应性离子蚀刻。
4.根据权利要求3所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其特征在于：由在所述掩模形成子工序中形成的蚀刻掩模间的距离所决定的在蚀刻子工序中形成的槽的宽度和在所述蚀刻子工序中形成的槽的深度是可以抑制在后续的层叠工序中应层叠在位错集中区域表面的氮化物系半导体层向非位错集中区域迁移的宽度和深度。
5.根据权利要求2所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其特征在于：在所述槽形成工序中所形成的槽，利用各向异性蚀刻来形成，并且从氮化物系半导体基板的表面朝槽底方向近乎呈直角地形成非位错集中区域的台阶部。
6.根据权利要求2所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其特征在于：在所述槽形成工序中所形成的槽，从氮化物系半导体基板的表面朝着槽底方向形成非位错集中区域的台阶部的斜面，该斜面是朝着位错集中区域一侧倾斜的台形状。
7.根据权利要求2所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其特征在于：在所述槽形成工序中所形成的槽，从氮化物系半导体基板的表面朝着槽底方向形成非位错集中区域的台阶部的斜面，该斜面是朝着非位错集中区域一侧倾斜的反台形状。
8.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其特征在于：还包括以下的工序：
直角槽形成工序，在非位错集中区域拉开间隔地形成沿着与所述槽成直角的方向延伸的直角槽，
在此，该直角槽形成工序与所述槽形成工序同时进行。
9.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其特征在于：所述氮化物系半导体基板的表面由(0001)结晶面构成。
10.一种氮化物系半导体元件，它使用了具有条状的位错集中区域的氮化物系半导体基板，其特征在于：
在氮化物系半导体基板的非位错集中区域的至少一端部形成台阶部，在该台阶部的底部延伸位错集中区域，
在所述非位错集中区域的表面上形成氮化物系半导体各层。
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