CN1638055A - 氮化物系化合物半导体元件的制造方法 - Google Patents

氮化物系化合物半导体元件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1638055A
CN1638055A CNA200410104567XA CN200410104567A CN1638055A CN 1638055 A CN1638055 A CN 1638055A CN A200410104567X A CNA200410104567X A CN A200410104567XA CN 200410104567 A CN200410104567 A CN 200410104567A CN 1638055 A CN1638055 A CN 1638055A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nitride
layer
based compound
compound semiconductor
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA200410104567XA
Other languages
English (en)
Inventor
大野启
田村聪之
上田哲三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1638055A publication Critical patent/CN1638055A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3081—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
    • H01L21/30621—Vapour phase etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3063—Electrolytic etching
    • H01L21/30635—Electrolytic etching of AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明的氮化物半导体元件的制造方法，包括：在母基板(11)上形成氮化物半导体层(13)工序；在氮化物半导体层(13)上面的一部分形成、顺次为干式蚀刻掩膜层(14a)、电子释放层(14b)的导电性膜(14)工序；对氮化物半导体层(13)进行干式蚀刻工序；经导电性膜(14)使从氮化物半导体层(13)向外部释放电子，对氮化物半导体层(13)进行湿式蚀刻工序。根据本发明的制造方法，即便进行干式蚀刻也不形成损伤层。

Description

氮化物系化合物半导体元件的制造方法
技术领域
本发明涉及氮化物系化合物半导体元件(以下仅记为“氮化物半导体元件”)的制造方法，特别是、包括湿式蚀刻工序的氮化物半导体元件的制造方法。
背景技术
AlxGayIn(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤1-x-y≤1)所表示的氮化物半导体元件从可见区域到紫外区域的带有较宽带隙的发光元件材料得到需求，已有蓝色发光二极管或激光二极管被得以应用。另外，氮化物半导体元件作为高输出、高频装置的电子元件材料也得到期望。
在制造如这样的氮化物半导体元件时，为形成该元件的结构或该元件的形状，大多是通过蚀刻来加工氮化物系化合物半导体层(以下仅记为“氮化物半导体层”)。一般，蚀刻分为湿式蚀刻和干式蚀刻，但由于氮化物半导体层在物理、化学上稳定，因此很难对该半导体层进行湿式蚀刻。因此，现有技术使用的是在L.T.Romano et al，”Dry and Wet Etching Group III-Nitrides”，MRS Internet Journal of Nitride SemiconductorResearch，4S1 1999 G1.4中公开的Cl2或HCI等反应性气体气氛或等离子气氛下进行蚀刻的干式蚀刻。
但是，如对氮化物半导体层进行干式蚀刻，则会有在干式蚀刻后的氮化物半导体层表面、由于干式蚀刻的蚀刻剂生成损伤层的缺点。这里，损伤层是结晶结构的缺陷部分，反映了该损伤层的电特性及带隙等光学特性等与内部氮化物半导体层的电特性及光学特性等的不同。
至此，由于该损伤层的缘故，还没有将存在该损伤层的氮化物半导体层部分作为半导体元件使用。实际上是对该形成的损伤层置之不理。但是，最近，为实现高性能半导体元件，开始研讨将经干式蚀刻处理过的氮化物半导体层部分、作为半导体元件来利用。但是，如像现有技术那样不除去损伤层情况下将形成有损伤层的氮化物半导体层部分作为半导体元件使用，则由于损伤层和内部氮化物半导体层的电特性及光学特性不同，因此会有该半导体元件的性能不佳的可能。由此，形成有损伤层的氮化物半导体层部分作为半导体元件予以利用的情况下，为显示该半导体元件在商业上可使用的性能，必须除去损伤层。另外，在形成有损伤层的氮化物半导体层表面，为再生长其他氮化物半导体层以制造半导体元件时，再生长的其他氮化物半导体层由于受损伤层的影响会有显现高缺陷性的结晶结构的可能，其结果，可能该半导体元件的性能不好。因此，这种情况下也必须除去损伤层。
发明内容
本发明的目的就是在氮化物半导体元件制造工序中，除去进行干式蚀刻时在氮化物半导体层形成的损伤层，即，提供即便进行干式蚀刻、也不形成损伤层的氮化物半导体制造方法。另外，还有其他目的，就是通过少数工序并且简单分批处理、进行湿式蚀刻的氮化物半导体制造方法。
为达到上述目的，本发明的第一制造方法包括：在母基板上形成氮化物系化合物半导体层工序；在所述氮化物系化合物半导体层表面的一部分形成作为蚀刻掩膜的导电性膜工序；对所述氮化物系化合物半导体层进行干式蚀刻工序；经所述导电性膜、从所述氮化物系化合物半导体层向外部释放电子，对所述氮化物系化合物半导体层进行湿式蚀刻工序。
这里，氮化物系化合物半导体元件是指AlxGayIn(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤1-x-y≤1)所表示的半导体元件。
为达到上述目的，本发明的第二制造方法包括：在母基板上形成氮化物系化合物半导体层工序；在所述氮化物系化合物半导体层表面的一部分形成、最上层有干式蚀刻掩膜层的多层结构的导电性膜工序；对所述氮化物系化合物半导体层进行干式蚀刻工序；除去所述干式蚀刻掩膜层工序；经所述导电性膜、从所述氮化物系化合物半导体层向外部释放电子、对所述氮化物系化合物半导体层进行湿式蚀刻工序。
本发明的第一、二制造方法，优选为：在所述干式蚀刻工序中，在所述氮化物系半导体层形成损伤层，在所述湿式蚀刻工序，至少除去所述损伤层。
另外，本发明的第一、二制造方法，优选为：所述导电性膜有含Ni层。
还有，本发明的第一、二制造方法，也可以为：所述氮化物系化合物半导体层至少具有1层含Al层，所述干式蚀刻对所述含Al层进行。
再有，本发明的第一、二制造方法，优选为：所述湿式蚀刻工序中，不对所述导电性膜施加外部电压。
为达到上述目的，本发明的第三制造方法包括：在母基板上形成氮化物系化合物半导体层工序；在所述氮化物系化合物半导体层表面的一部分，形成作为由所述氮化物系半导体层向外部释放电子的电子释放膜的导电性膜工序；经所述导电性膜、从所述氮化物系化合物半导体层向外部释放电子，在不对所述导电性膜施加外部电压情况下、对所述氮化物系化合物半导体层进行湿式蚀刻工序。
本发明的第三制造方法，优选为：所述氮化物系化合物半导体层由最上层为n型氮化物系化合物半导体层、在该n型氮化物系化合物半导体层的下层为p型氮化物系化合物半导体层的多层形成，在所述湿式蚀刻工序中，所述p型氮化物系化合物半导体层为湿式蚀刻的阻止层。
这里，“在n型氮化物系化合物半导体层的下层为p型氮化物系化合物半导体层”是指，可以为在n型氮化物系化合物半导体层的直下层为p型氮化物系化合物半导体层，也可以为在n型氮化物系化合物半导体层与p型氮化物系化合物半导体层之间存在有1层以上的n型氮化物系化合物半导体层。
还有，“所述p型氮化物系化合物半导体层为湿式蚀刻的阻止层”是指对p型氮化物系化合物半导体层及位于该半导体层之下的半导体层不进行湿式蚀刻。
再有，本发明的第三制造方法，优选为：所述n型氮化物系化合物半导体层为AlGaN层。
本发明的第一、二、三制造方法，优选为：所述导电性膜具有含Ti以及Au或Pt中任一种的层。
本发明的第一、二、三制造方法，也可以为：所述氮化物系化合物半导体层由多层形成、所述多层由各元素构成比不同的多个氮化物系半导体形成。
本发明的第一、二、三制造方法，所述湿式蚀刻也可以使用含KOH、NaOH、H3PO4、H2SO4、HCl中任一种的溶液。
另外，本发明的第一、二、三制造方法，优选为：所述湿式蚀刻工序中，对所述氮化物系化合物半导体层照射超声波。
还有，本发明的第一、二、三制造方法，被实施湿式蚀刻的所述氮化物系化合物半导体层上也可以设置其他氮化物系化合物半导体层。
附图说明：
图1是实施方式1的蚀刻工序图。
图2是实施方式1的湿式蚀刻的构成图。
图3是实施方式2的蚀刻工序图。
图4是实施方式2的湿式蚀刻的构成图。
图5是实施方式3的蚀刻工序图。
图6是实施方式3的湿式蚀刻的构成图。
图7是实施方式4的蚀刻工序图。
图8是实施方式4的湿式蚀刻的构成图。
图9是实施方式5的蚀刻工序图。
图10是实施方式5的湿式蚀刻的构成图。
图11是实施方式6的蚀刻工序图。
图12是实施方式6的湿式蚀刻的构成图。
图13是实施方式7的蚀刻工序图。
图14是实施方式7的湿式蚀刻的构成图。
图15是现有技术例的湿式蚀刻的构成图。
图16是现有技术例的湿式蚀刻的构成图。
图中：1-蚀刻溶液，3-超声波发生器，13、23、33、43、53、63-氮化物半导体层，14、16-导电性膜，14a-干式蚀刻掩膜层，14b-电子释放膜的层，15-损伤层，17-其他氮化物半导体层，104、114、123、134、144、152、164-氮化物半导体元件。
具体实施方式
在对本发明实施方式进行说明前，说明一下发明人研讨过的氮化物系化合物半导体元件(以下仅记为“氮化物半导体元件”)的制造方法。
如已经说明过的，目前氮化物系化合物半导体层(以下仅记为“氮化物半导体层”)的有效蚀刻方法仅是干式蚀刻。这种情况下，在被进行干式蚀刻的氮化物半导体层表面形成损伤层。这里，在L.T.Romano etal，”Dry and Wet Etching Group III-Nitrides”，MRS Internet Journalof Nitride Semiconductor Research，4S1 1999 G1.4中记载着：损伤层是指1)剥离了分子的部分、2)由构成半导体的元件的缺陷造成的non-stoichiometric部分、3)在表面附近形成的并且影响至半导体内部结晶构造的晶格缺陷部分、4)干式蚀刻剂或者氢气被注入半导体内部。至此，由于被进行了干式蚀刻氮化物半导体层部分、还没有被作为半导体元件使用，所以因经进行干式蚀刻、在氮化物半导体层形成的损伤层被置之不理，也没给半导体元件性能造成坏影响。但是，最近，为实现半导体元件的高性能，已考虑将被进行了干式蚀刻的氮化物半导体层的部分作为半导体元件使用。因此，制造性能良好的半导体元件时，必须除去该损伤层。另外，氮化物半导体层的部分作为半导体元件使用，是指如将该氮化物半导体层的一部分作为波导部等。
可是，至今还没有研究关于除去上述损伤层的例子，本申请的发明人首先对此进行了探讨研究。具体来说，本申请的发明人探讨研究了如下所述进行湿式蚀刻、作为除去损伤层的方法。首先，本申请的发明人，在氮化物半导体层表面的一部分形成湿式蚀刻掩膜，然后仅试着将该氮化物半导体层浸渍在氢氧化钠水溶液中。其结果，根本没对该氮化物半导体层进行湿式蚀刻。于是，本申请的发明人试着将蚀刻溶液设定为高温。结果，发现仅除去该损伤层的一部分，并且在被湿式蚀刻过的氮化物半导体层表面有很多凹凸、看来不可能将湿式蚀刻后的氮化物半导体层作为半导体元件来使用。为此，探讨了是否适宜对氮化物半导体层进行公知的湿式蚀刻。
比如，在特开2001-250809号公报中公开的湿式蚀刻是使用电化学电池进行湿式蚀刻。特开2001-250809号公报中公开的电化学电池如图15所示。该电化学电池，以进行湿式蚀刻的GaN(氮化物半导体层)70作为阳极、阴极使用白金棒75、作为电解液72(蚀刻液)使用氢氧化钠等的碱性溶液或者硫酸等的稀酸。因此，如图15所示，使用导线78将白金棒75连接于偏压电源76的-端子，使用导线79将设置在GaN70上的接点74连接于偏压电源76的+端子。这样，由偏压电源76产生的电压通过接点74施加给GaN70。因此，如将偏压电源76供给的电压超出电解液72的电阻性损耗、GaN70的电阻性损耗及电化学电池的标准电化学电池的电位，则开始向GaN70进行湿式蚀刻。此时，湿式蚀刻的速度与由偏压电源76供给的偏压电压的电平成比例。在此基础上记载有，如边对GaN70照射紫外线77边进行湿式蚀刻，则与不照射紫外线77的情况相比、GaN70被高速湿式蚀刻。
另外，在特开平10-233385号公报公开的湿式蚀刻是对被进行湿式蚀刻的氮化物半导体层部分、人为地造成结晶缺陷。图16表示的是该特开平10-233385号公报公开的湿式蚀刻工序的说明图。其记载着：首先，如图16(a)所示，在形成于蓝宝石基板81上GaN膜(氮化物半导体层)83表面的一部分处形成由SiO2制的掩膜86；接着，在GaN膜的没形成由SiO2制掩膜的部分、注入Ga离子；如此，如图16(b)所示，在GaN膜83形成结晶结构缺陷(缺陷部分)85；接着，如图16(c)所示，由GaN膜83表面向外取出SiO2制的掩膜86；然后，将除去了SiO2制掩膜86的GaN膜83浸渍在KOH水溶液等中，则如图16(d)所示，对被注入了Ga离子的GaN膜83部分实施湿式蚀刻。另外，通过该人为地在GaN膜中形成显示高缺陷性的结晶结构的区域，该特开平10-233385号公报也公开能对该区域进行湿式蚀刻的技术。图中虽未显示该方法，具体地讲其记载着，首先在蓝宝石基板的一部分形成显示高结晶结构的Al2O3膜。接着，在该Al2O3膜上和没形成该Al2O3膜的蓝宝石基板上生长GaN(氮化物半导体层)。如此，在Al2O3膜上生长的GaN显示了高缺陷性结晶结构。即，如由该方法生长GaN，则在Al2O3膜上生长了显示高缺陷性结晶结构的GaN，而在上面没形成Al2O3膜的蓝宝石基板上生长了显示低缺陷性结晶结构的GaN。为此，将该GaN浸渍在KOH水溶液中，并对在Al2O3膜上生长的GaN进行湿式蚀刻。该特开平10-233385号公报公开的方法，通过人为增加氮化物半导体层的缺陷密度，能对缺陷密度高的GaN部分、选择性地进行湿式蚀刻。
另外，特开2002-231705号公报中记载了如通过离子注入在半导体层形成显示高缺陷性的结晶结构部分，能对该部分选择性地进行湿式蚀刻。
但是，特开2001-250809号公报中记载的用电化学电池进行湿式蚀刻的情况下，在用导线79将GaN70和偏压电源76的+端子电连接，并且用导线78将阴极75和偏压电源76的-端子电连接。另外，必须在GaN 70和阴极75之间加电压。为此，湿式蚀刻的构成变得复杂化，带来了该湿式蚀刻不适合于氮化物半导体元件量产的缺点。特别是，在不进行湿式蚀刻的图形在一个基板全部连续的情况下，只要将导线在氮化物半导体层表面进行一次配线即可，但在不进行湿式蚀刻的图形不连续而存在有数个间隔情况下，该每个图形必须设置连接点。即，在不进行湿式蚀刻的图形不连续而存在有数个间隔情况下，对该每个图形必须将导线从氮化物半导体层表面装卸数次。为此，特开2001-250809号公报中记载的用电化学电池进行湿式蚀刻的方法对氮化物半导体元件的量产非常不利，而且，也导致限制该湿式蚀刻的图形。另外，在对氮化物半导体层进行湿式蚀刻时，湿式蚀刻的速度很大程度依赖于氮化物半导体的结晶质量。为此，被进行湿式蚀刻的氮化物半导体层表面，残留有缺陷引起的须状凹凸，也会带来该表面平坦性差的缺点。还有，由于氮化物半导体的结晶质量越好、该结晶结构的缺陷越低，因此在对结晶质量好的氮化物半导体进行湿式蚀刻情况下，也会带来该湿式蚀刻速度变慢的缺点。
另外，当氮化物半导体层是由元素构成比不同的多层构成的情况下，在该多层中，若存在如含Al层或基于载流子密度低而形成的高电阻层，则不能忽视电化学势能的面内分布、故不可能进行均匀湿式蚀刻。另外，该多层中，如存在Al组成比大、带隙也大的层，则半导体层的带隙成为光能程度、湿式蚀刻的感应、促进效果就会变弱、可能使湿式蚀刻的速度变得极慢或使湿式蚀刻根本不进行。因此，特开2001-250809号公报中记载的使用电化学电池进行湿式蚀刻的方法，不能对AlGaN层等的含Al层进行湿式蚀刻。
再有，特开平10-233385号公报及特开2002-231705号公报中公开的通过离子注入、进行湿式蚀刻的情况下，可以为控制湿式蚀刻而控制注入离子的深度，但控制注入离子的深度并不容易实现，从而会有很难正确控制湿式蚀刻的缺点。另外，特开平10-233385号公报中记载的在Al2O3膜上生长氮化物半导体层以进行湿式蚀刻的情况下，由于在进行湿式蚀刻前必须在蓝宝石基板上形成Al2O3膜，故会有使氮化物半导体元件的制造工序增加、该制造过程变得复杂的问题。
如上所述，现有技术的湿式蚀刻方法，很难在工业上予以应用。因此，本申请的发明人，对容易应用于工业的蚀刻方法进行深刻探讨的结果，实现了本发明的经少数工序且简易分批处理进行湿式蚀刻、可以除去由干式蚀刻形成的损伤层、并且在不施加外部电压情况下进行湿式蚀刻。下面，参照图面、说明本发明的实施方式。另外，以下的实施方式仅是作为例子，本发明并不局限于这些实施方式。
(发明的实施方式1)
以下，参照图1和2详细说明实施方式1。另外，图1是说明实施方式1的蚀刻工序图。图2是本实施方式的湿式蚀刻的构成图。因此，本实施方式中，说明一下以被进行了干式蚀刻部分为波导部的半导体激光元件的制造方法。
首先，如图1(a)所示，通过有机金属气相生长法(Metal OrganicChemical Vapor Deposition法：MOCVD)，在母基板11上形成GaN系缓冲层12，在GaN系缓冲层12上形成氮化物半导体层13。由此，形成氮化物半导体10。
这里，母基板11，可以是蓝宝石、SiC、GaN、硅、Ga2O3、MgAlO2、ZnO中任一种基板，也可以是作为氮化物半导体元件的母基板的公知母基板，优选为蓝宝石基板。
另外，氮化物半导体层13由GaN、AlN、InN及这些的混晶构成。因此，氮化物半导体层13是包含活性层的InGaN多量子阱(multiple quantumwell：MQW)及AlGaN电流阻止层的AlGaN/p-GaN/InGaN MQW/n-GaN。具体地讲，氮化物半导体层13，是在GaN缓冲层12的表面形成活性层的InGaN多量子阱(MQW)及n-GaN层9(图1(a)中记为1层13c)，在该层上形成p-GaN层13b、在p-GaN层13b上形成AlGaN电流阻止层13a。还有，这里，将由n-GaN层(波导层)、n-AlGaN(包覆层)及n-GaN层顺次层叠构成的层称为n-GaN层。因此，AlGaN电流阻止层13a的膜厚度优选为50nm以上300nm以下，p-GaN层13b的膜厚度优选为20nm以上200nm以下。另外，构成n-GaN层的n-GaN层(波导层)的膜厚度优选为50nm以上200nm以下，构成该n-GaN层的n-AlGaN层(包覆层)的膜厚度优选为50nm以上2000nm以下。其中最为优选的是，AlGaN电流阻止层13a的膜厚度为150nm、p-GaN层13b的膜厚度为125nm、n-GaN层的膜厚度为4000nm、构成该n-GaN层的n-GaN层(波导层)的膜厚度为150nm，构成该n-GaN层的n-AlGaN层(包覆层)的膜厚度优选为1200nm、构成该n-GaN层的n-GaN层的膜厚度为3000nm。还有，氮化物半导体层13可以是氮化物半导体的单层膜，也可以氮化物半导体层13的活性层为InGaN单量子阱(single quantumwell)。
下面，使用蒸镀及通常的光刻技术，在氮化物半导体层13上面两端部顺次层叠Ti层、Au层及Ni层、形成导电性膜14。由此，如图1(b)所示，氮化物半导体层13表面一部分形成设置有导电性膜14的氮化物半导体(以下仅记为“带导电性膜氮化物半导体”)101。
这里，Ni层是干式蚀刻掩膜层14a，在后面讲述的进行干式蚀刻时作为掩膜使用。为此，干式蚀刻掩膜层14a并不局限于Ni层，只要是对干式蚀刻的蚀刻剂有耐蚀性就可以。比如，干式蚀刻掩膜层14a可以是钨层或钼层等，也可以是由SiO2构成的层，在后面讲述的干式蚀刻工序以后将予以除去。由此，如为在后边除去干式蚀刻掩膜层14a考虑，干式蚀刻掩膜层14a优选是Ni层。
另外，Ti层及Au层是电子释放膜层14b，进行湿式蚀刻时由氮化物半导体层13向外部释放电子用。为此，电子释放膜层14b并不局限于Ti及Au，可以是由Ti层和Pt层形成，还可以是由Ni层和Au层形成，也可以是由Ni层和Pt层形成，还可以是由Cr层和Au层形成，也可以是由Cr层和Pt层形成。但是，如在后边讲述那样，电子释放膜层14b将在湿式蚀刻工序后予以除去。因此，为在后边除去电子释放膜层14b考虑，电子释放膜层14b优选为由Ti层和Au层构成。另外，Ti层能很好地贴紧氮化物半导体层，故为电子释放膜层14b作为湿式蚀刻用掩膜能稳定工作、其优选为由Ti层和Au层构成。还有，为避免使图面变得复杂化，在图1(b)及(c)中电子释放膜层14b以一层表示。因此，干式蚀刻掩膜14a的厚度优选为200nm以上，更优选为400nm、再有，电子释放膜层14b的厚度优选为50nm以上，更优选为200nm。
接着，通过使用包含氯气(Cl2)等氯原子气体的ECR等离子或ICP等离子，对带导电性膜氮化物半导体101进行干式蚀刻。由此，对未形成干式蚀刻掩膜层14a的氮化物半导体层13表面部分进行干式蚀刻。因此，如图1(c)所示，除去未形成干式蚀刻掩膜层14a的AlGaN电流阻止层13a的全部和未形成干式蚀刻掩膜层14a的P-GaN层13b的一部分、在进行干式蚀刻后的P-GaN层13b的表面形成损伤层15。即，如图1(c)所示，在未形成干式蚀刻掩膜层14a的P-GaN层13b的表面形成损伤层15。
此时，通过对进行干式蚀刻的等离子、用高频功率200w进行2分钟左右的干式蚀刻，能对带电子释放膜氮化物半导体103实施深度至175±25nm的干式蚀刻。另外，生成等离子的高频功率值并不局限于200w，该功率值优选为50w以上至300w以下。
然后，使用硝酸溶液，从图1(c)所示的干式蚀刻后的氮化物半导体102仅除去干式蚀刻掩膜层14a，形成带电子释放膜氮化物半导体103。由此，干式蚀刻工序结束，向湿式蚀刻进展。
在湿式蚀刻的工序中，如图2所示，首先，容器1中放入作为蚀刻溶液2的氢氧化钠水溶液(0.01～1mol/dm3)，将如1(d)所示带电子释放膜氮化物半导体103浸渍在该蚀刻溶液2中。接着，将该容器1放入超声波发生器3中。然后，用具有比P-GaN层13b带隙大的能量的紫外线7照射带电子释放膜氮化物半导体103，并且用由超声波发生器3发出的超声波(图中未表示)照射蚀刻溶液2及带电子释放膜氮化物半导体103。由此，对带电子释放膜氮化物半导体103进行湿式蚀刻。还有，通过一边对带电子释放膜氮化物半导体103照射超声波一边进行湿式蚀刻，能在被实施湿式蚀刻的P-GaN层13b的表面不形成结晶缺陷引起的须状凹凸，并且能使该表面的粗糙度(RMS)实现为1nm以下。然后，通过从带电子释放膜氮化物半导体103完全除去损伤层15，结束湿式蚀刻工序。另外，蚀刻溶液2是氢氧化钠(NaOH)水溶液，但也可以是加热磷酸(H3PO4)水溶液、硫酸(H2SO4)、盐酸(HCl)水溶液。还有，超声波发生器3是公知的超声波发生器，发生的超声波频率优选为10kHz以上100kHz以下、输出优选为10w以上至200w以下。更进一步优选为，将频率为20kHz以上40kHz以下、输出为20w以上50w以下超声波照射带电子释放膜氮化物半导体103。
这里，对通过上述构成进行湿式蚀刻的机理予以简单说明。由于在带电子释放膜氮化物半导体103的表面的一部分上形成有电子释放膜的层14b，因此带电子释放膜氮化物半导体103内的电子，由带电子释放膜氮化物半导体103经电子释放膜层14b、向蚀刻溶液2释放。为此，空穴集中于带电子释放膜氮化物半导体103表面附近。此时，被干式蚀刻的P-GaN层13b表面形成损伤层15。如上所述，由于损伤层15的电特性与内部半导体层的电特性不同，导致带电子释放膜氮化物半导体103内的空穴选择性地集中于损伤层15的表面部分。为此，对由干式蚀刻形成的损伤层15选择性实施湿式蚀刻。即，仅将带电子释放膜氮化物半导体103浸渍于蚀刻溶液2、对由干式蚀刻形成的损伤层15实施湿式蚀刻，其结果，从带电子释放膜氮化物半导体103除去损伤层。
另外，本实施方式中，由于进行湿式蚀刻的半导体层是P-GaN层13b，本来就有空穴。因此，如图2所示用紫外线7照射P-GaN层13b，不必在P-GaN层13b内产生电子-空穴对。还有，本实施方式的湿式蚀刻，仅除去进行该湿式蚀刻之前进行干式蚀刻在P-GaN层13b处形成的损伤层15。由以上可以看出，本实施方式中，未必一定要对带电子释放膜氮化物半导体103照射图2所示的紫外线7而实施湿式蚀刻。但是，通过照射紫外线7能使湿式蚀刻的进行速度能提高若干倍，本实施方式优选为边照射紫外线7边进行湿式蚀刻。
然后，在湿式蚀刻工序后，使用氟氢酸(hydrofluoric acid)或氟氢酸缓冲液(buffer hydrofluoric acid)等，从带电子释放膜氮化物半导体103除去电子释放膜的层14b。接着，在湿式蚀刻后的氮化物半导体表面、通过MOCVD法结晶生长其他氮化物半导体层17。由此，形成图1(e)所示的氮化物半导体元件104。因此，氮化物半导体元件104作为、以被进行了干式蚀刻的氮化物半导体层13的部分为波导部的半导体激光元件来使用。
下面，说明一下本实施方式的氮化物半导体元件制造方法所达到的效果。
本实施方式的氮化物半导体元件的制造方法，由于在带电子释放膜氮化物半导体103的表面形成电子释放膜层14b，如将带电子释放膜氮化物半导体103浸渍在蚀刻溶液2中，则带电子释放膜氮化物半导体103内的电子经电子释放膜层14b、由氮化物半导体层13向蚀刻溶液2释放。其结果，在带电子释放膜氮化物半导体103的表面存在空穴。另外，带电子释放膜氮化物半导体103由于在进行该湿式蚀刻之前进行干式蚀刻，故在被进行了干式蚀刻的P-GaN层13b表面形成损伤层15。损伤层15的电特性与内部氮化物半导体层的电特性不同，故存在于带电子释放膜氮化物半导体103表面附近的空穴选择性地集中在损伤层15表面。其结果、对损伤层15进行湿式蚀刻。即，成为仅将带电子释放膜氮化物半导体103浸渍于蚀刻溶液2、对损伤层15实施湿式蚀刻。由此，不必如现有技术中、在进行湿式蚀刻时必须向氮化物半导体层施加外部电压或向氮化物半导体层进行离子注入。由于不对氮化物半导体层施加外部电压，不会使湿式蚀刻的构成复杂化，并且还可以省去、用导线将阴极与偏压电源的-端子电连接或者用导线将成为阴极的半导体层与偏压电源的+端子电连接的麻烦。这里，对氮化物系化合物半导体层不施加外部电压是指仅将氮化物系化合物半导体层浸渍在为进行湿式蚀刻所使用的蚀刻溶液中。还有，由于不需要离子注入，可以省去对基板或氮化物半导体层进行离子注入的麻烦，从而能减少湿式蚀刻的工序数量。
再有，如图1(b)所示，即使在不进行湿式蚀刻的图形不连续而存在有数个间隔情况下，能够仅通过将形成有反映该图形的电子释放膜层14b的带电子释放膜氮化物半导体103在蚀刻溶液2中浸渍一次，对带电子释放膜氮化物半导体103进行湿式蚀刻。为此，本实施方式的湿式蚀刻方法，与现有的湿式蚀刻方法相比，能比较容易进行湿式蚀刻，并且还可以进行各式各样图形的蚀刻。
另外，本实施方式的制造方法，通过对氮化物半导体10进行干式蚀刻后进行湿式蚀刻，能除去在干式蚀刻工序中形成的损伤层15。为此，与现有的氮化物半导体元件不同，氮化物半导体元件104的被进行了干式蚀刻的氮化物半导体层部分可以作为半导体元件使用。如，氮化物半导体元件104可以作为、以被进行了干式蚀刻的P-GaN层13b部分为波导部的半导体激光元件使用。另外，氮化物半导体元件104，可以通过选择AlGaN电流阻止层13a的组成，控制波导部与AlGaN电流阻止层13a的折射率差。其结果，氮化物半导体元件104成为高输出或者低噪音的半导体激光元件。
另外，本实施方式的制造方法，由于进行干式蚀刻，实现了对用现有技术的蚀刻方法较难实施蚀刻的含Al层、即AlGaN电流阻止层13a、容易地进行蚀刻。为此，可以不必在意氮化物半导体层13的材质来制造氮化物半导体元件104。再有，能将AlGaN电流阻止层13a等含Al层作为半导体激光元件的波导部使用，故制造的氮化物半导体元件104的作为半导体元件的利用范围扩宽。
还有，在湿式蚀刻工序中，由于对蚀刻溶液2及带电子释放膜氮化物半导体103、边进行照射超声波边进行湿式蚀刻，可以抑制在湿式蚀刻后的P-GaN层13b表面处形成的基于结晶缺陷引起的须状凹凸，并且还可以将其表面粗糙度(RMS)控制在1nm以下。为此，即便在湿式蚀刻后的氮化物半导体层表面结晶生长其他氮化物半导体层17，其他氮化物半导体层17的结晶结构也基本不包含结晶缺陷，其结果，没有制造的半导体元件性能恶化现象。因此，氮化物半导体元件104，也可以作为如激光二极管那样的具有电流狭窄结构的半导体元件。
更有，在本实施方式中，由于对AlGaN电流阻止层13a及P-GaN层13b的一部分进行干式蚀刻，则如图1(c)所述，在P-GaN层13b的表面形成损伤层15。虽然P-GaN等p型半导体本来有空穴，但由于该空穴并不存在于半导体表面，因此为对p型半导体层进行湿式蚀刻，施加外部电压成为必要条件(关于该点，在下面实施方式4中蚀刻的机理说明项中有详细记载)。因此，对不施加外部电压的本实施方式的湿式蚀刻仅除去、由进行干式蚀刻形成的损伤层15，却不能对该损伤层15更下面的半导体层进行湿式蚀刻。即，在本实施方式中P-GaN层13b就作为湿式蚀刻的阻止层发挥作用。
(发明的实施方式2)
以下，参照图3和4详细说明实施方式2。另外，图3是说明本实施方式的蚀刻工序图。图4是本实施方式的湿式蚀刻的构成图。另外，图3中、表示与图1相同结构及功能的部分，赋予与图1相同的符号。还有，图4中、表示与图2相同结构及功能的部分，赋予与图2相同的符号。
本实施方式与上述实施方式1不同，在氮化物半导体层13的上面大致中央处设置导电性膜14。因此，本实施方式中，对与上述实施方式1重复的部分，省去详细说明。
首先，如图3(a)所示，通过MOCVD法，在母基板11上形成GaN系缓冲层12后，在GaN系缓冲层12上形成氮化物半导体层13，从而形成氮化物半导体10。
接着，如图3(b)所示，使用蒸镀及通常的光刻技术，在氮化物半导体10的氮化物半导体层13上面大致中央部分形成由干式蚀刻掩膜层14a及电子释放膜层14b构成的导电性膜14。由此，形成带导电性膜氮化物半导体111。
然后，对图3(b)所示的带导电性膜氮化物半导体111进行干式蚀刻。由此，在未形成干式蚀刻掩膜层14a的氮化物半导体层13表面部分进行干式蚀刻，在P-GaN层13b的表面形成损伤层15。
然后，使用硝酸溶液，从图3(c)所示的干式蚀刻后的氮化物半导体112仅除去干式蚀刻掩膜层14a，形成图3(d)所示的带电子释放膜氮化物半导体113。此后，对带电子释放膜氮化物半导体113进行图4所示的湿式蚀刻。由此，从带电子释放膜氮化物半导体113除去损伤层15。
湿式蚀刻工序结束、除去电子释放膜层14b后，在被进行蚀刻的氮化物半导体层13表面形成绝缘膜19。此时，绝缘膜19可以由带有与氮化物半导体层13适当折射率差的材质形成，或者，也可以由、由与氮化物半导体层13组成不同组成的材质形成。然后，对没有进行蚀刻的氮化物半导体层13的表面及绝缘膜19的表面，通过MOCVD法结晶生长其他的氮化物半导体层17。由此，形成图3(e)所示的氮化物半导体元件114。
因此，本实施方式中的氮化物半导体元件制造方法，可以得到与上述实施方式1中的氮化物半导体元件制造方法相同的效果。另外，本实施方式中的氮化物半导体元件114，可以通过选择电流阻止层19的材质、实现控制波导部与电流阻止层19的折射率差。
(发明的实施方式3)
下面，参照图5和6详细说明实施方式3。另外，图5是说明本实施方式的蚀刻工序图。图6是本实施方式的湿式蚀刻的构成图。另外，图5中、表示与图1相同结构及功能的部分，赋予与图1相同的符号。还有，图6中、表示与图2相同结构及功能的部分，赋予与图2相同的符号。
本实施方式与上述实施方式1不同、导电性膜为单层。关于除此之外的方面，本实施方式的制造方法与上述实施方式1的制造方法相同。为此，在本实施方式中，省去对与上述实施方式重复的部分的详细说明。
首先，如图5(a)所示，通过MOCVD法，在母基板11上形成GaN系缓冲层12后，在GaN系缓冲层12上形成氮化物半导体层23，从而形成氮化物半导体20。
接着，如图5(b)所示，使用蒸镀及通常的光刻技术，在氮化物半导体20的氮化物半导体层23上面两端部，形成导电性膜16。这里，导电性膜16为由如Ni及Pt等构成的膜，同时具备作为干式蚀刻掩膜功能和作为释放电子膜功能。由此，形成带导电性膜氮化物半导体121。
然后，对图5(b)所示的带导电性膜氮化物半导体121进行干式蚀刻。由此，在未形成导电性膜16的氮化物半导体层23表面部分进行干式蚀刻，在氮化物半导体层23的表面形成损伤层15。此后，不除去导电性膜16，对图5(c)所示的干式蚀刻后的氮化物半导体122进行图6所示的湿式蚀刻。由此，从干式蚀刻后的氮化物半导体122除去损伤层15。
湿式蚀刻结束、除去导电性膜16后，在被进行了蚀刻的氮化物半导体层23的表面，通MOCVD法结晶生长其他氮化物半导体层17。由此，形成图5(d)所示的氮化物半导体元件123。
下面，说明一下本实施方式所达到的效果。
本实施方式的氮化物半导体元件的制造方法，在达到了上述实施方式1所达到的效果以外，还有以下效果。作为该效果，即为导电性膜16由于具备作为干式蚀刻掩膜的功能和作为释放电子膜的功能，故可以省去在氮化物半导体20处设置由干式掩膜层和电子释放膜层构成的2层的麻烦，并且也没有要分两步来除去导电性膜16的必要。
另外，使用本实施方式的氮化物半导体元件的制造方法，也可以制造上述实施方式2中记载的氮化物半导体元件114。
(发明的实施方式4)
以下，参照图7和8详细说明实施方式4。另外，图7是说明本实施方式的蚀刻工序图。图8是本实施方式的湿式蚀刻的构成图。另外，图7中、表示与图1相同结构及功能的部分，赋予与图1相同的符号。还有，图8中、表示与图2相同结构及功能的部分，赋予与图2相同的符号。
本实施方式中，对除了在对由干式蚀刻形成了的损伤层15通过湿式蚀刻予以除去之外、对与损伤层相比还处于内部的p型氮化物半导体层33a也进行湿式蚀刻的情况进行说明。因此，对与上述实施方式1重复的部分、省去详细说明。
首先，如图7(a)所示，通过MOCVD法，在母基板11上形成GaN系缓冲层12后，在GaN系缓冲层12上形成氮化物半导体层33，从而形成氮化物半导体30。此时，氮化物半导体层33上形成有p-GaN等的p型氮化物半导体层33a。
接着，如图7(b)所示，使用蒸镀及通常的光刻技术，在氮化物半导体30的氮化物半导体层33上面两端部，形成由干式蚀刻掩膜14a及电子释放膜层14b构成的导电性膜14。由此，形成带电子释放膜氮化物半导体131。还有，导电性膜14也可以为上述实施方式3记载的导电性膜16。
然后，对图7(b)所示的带电子释放膜氮化物半导体131进行干式蚀刻。由此，在没形成干式蚀刻掩膜14a的p型半导体层33a的表面部分进行干式蚀刻，在p型半导体层33a表面形成损伤层15。
此后，使用硝酸溶液，从图7(c)所示的干式蚀刻后的氮化物半导体132、仅除去干式蚀刻掩膜14a、形成图7(d)所示的带电子释放膜氮化物半导体133。然后，对带电子释放膜氮化物半导体133进行图8所示的湿式蚀刻。由此，从带电子释放膜氮化物半导体133除去损伤层15。
此时，如将带电子释放膜氮化物半导体133浸渍在蚀刻溶液2中，则可以通过如上述实施方式1记载的那样，除去由干式蚀刻形成的损伤层15。但是，如按下面记载的进行湿式蚀刻，则可以对、与由干式蚀刻形成的损伤层15相比还处于内部的p型半导体层33a、实施蚀刻。在对该湿式蚀刻的方法进行说明之前，先简单说明一下对p型半导体层33a实施蚀刻湿式蚀刻的机理。
为进行湿式蚀刻，必须要在半导体层表面存在有空穴。p型半导体本来具有作为多数载流子的空穴，但由于p型半导体的带状形状，该空穴存在半导体层内部、但在半导体表面却没有。可是如使用导线将成为阳极的氮化物半导体层与偏压电源的+端子电连接并且使用导线将成为阴极的白金棒等与偏压电源的-端子电连接、将该阳极及阴极浸渍在氢氧化钾水溶液等后、通过偏压电源对氮化物半导体层施加外部电压，则p型半导体层的带状形状发生变化。其结果，在p型半导体层表面就可能会存在空穴，由此成为p型半导体层被进行湿式蚀刻。此时，成为存在于氮化物半导体层内部的电子，通过作为阴极的白金棒，向蚀刻溶液释放。下面显示一下具体方法。
如图8所示那样，首先，使用导线将带电子释放膜氮化物半导体133的电子释放膜层14b、与偏压电源6的+端子连接，并且将白金棒5与偏压电源6的-端子连接。接着，在超声波发生器3内放入容器1，在容器1内放入氢氧化钾水溶液等的蚀刻溶液2，将带电子释放膜氮化物半导体133及白金棒5浸渍在蚀刻溶液2。此后，通过偏压电源6向带电子释放膜氮化物半导体133施加外部电压。然后，用由超声波发生器3发生的超声波照射蚀刻溶液2、带电子释放膜氮化物半导体133及白金棒5。由此，不仅对损伤层15、而且也对p型半导体层33a进行湿式蚀刻，从而没有形成基于蚀刻后半导体层表面结晶缺陷引起的须状凹凸，并且将其表面粗糙度(RMS)实现在1nm以下。还有，通过对带电子释放膜氮化物半导体133及蚀刻溶液2照射紫外线7，可以使湿式蚀刻的速度提高若干倍。
再有，当母基板11是由如SiC的导电性材质构成的情况下，会有偏压电源6的+端子不是在电子释放膜层14b而是在母基板11上配线的可能。还有，在本实施方式中，由于进行湿式蚀刻的半导体层是p型半导体层33a，因此本来就有空穴。为此，照射紫外线7并不是进行本实施方式的湿式蚀刻的必要条件，但由于通过对带电子释放膜氮化物半导体133照射紫外线7、可以使蚀刻速度提高若干倍，因此本实施方式的优选还是：边对带电子释放膜氮化物半导体133照射紫外线7、边进行湿式蚀刻。
通过上述完成湿式蚀刻工序、除去电子释放膜层14b后，在湿式蚀刻后的氮化物半导体的表面，通过MOCVD法、结晶生长其他氮化物半导体层17。由此，形成图7(e)所示的氮化物半导体元件134。
本实施方式的效果，除了上述实施方式1的效果之外，还能对与由干式蚀刻形成的损伤层15相比还处于内部的p型半导体层33a、实施湿式蚀刻。一般来说，不能对特别指定层进行干式蚀刻。为此，当对比所希望的层还处于上面的氮化物半导体层、进行干式蚀刻情况下，通过进行本实施方式的蚀刻方法，可以对所希望的层进行蚀刻。相反，在干式蚀刻工序中，能实现对所希望的层进行蚀刻的情况下，能不必施加外部电压、通过上述实施方式1的蚀刻方法进行蚀刻。
还有，可以通过本实施方式的氮化物半导体元件制造方法，制造上述实施方式2中记载的氮化物半导体元件114。
(发明的实施方式5)
以下，参照图9和10详细说明实施方式5。另外，图9是说明本实施方式的蚀刻工序图。图10是本实施方式的湿式蚀刻的构成图。另外，图9中、表示与图1相同结构及功能的部分，赋予与图1相同的符号。还有，图10中、表示与图2相同结构及功能的部分，赋予与图2相同的符号。
本实施方式中，对通过湿式蚀刻予以除去由干式蚀刻形成了的损伤层15之外、还对与损伤层相比还处于内部的n型氮化物半导体层43a也进行湿式蚀刻的情况进行说明。另外，对与上述实施方式1重复的部分，省去详细说明。
首先，如图9(a)所示，通过MOCVD法，在母基板11上形成GaN系缓冲层12后，在GaN系缓冲层12上形成氮化物半导体层43，从而形成氮化物半导体40。此时，氮化物半导体层43上形成有n-GaN等的n型氮化物半导体层43a。
接着，如图9(b)所示，使用蒸镀及通常的光刻技术，在氮化物半导体40的氮化物半导体层43上面两端部，形成由干式蚀刻掩膜14a及电子释放膜层14b构成的导电性膜14。由此，形成带导电性膜氮化物半导体141。还有，导电性膜14也可以为上述实施方式3记载的导电性膜16。
然后，对图9(b)所示的带导电性膜氮化物半导体141进行干式蚀刻。由此，在没形成干式蚀刻掩膜14a的n型半导体层43a的表面部分进行干式蚀刻，在n型半导体层43a表面形成损伤层15。
此后，使用硝酸溶液，从图9(c)所示的干式蚀刻后的氮化物半导体142、仅除去干式蚀刻掩膜14a、形成图9(d)所示的带电子释放膜氮化物半导体143。然后，对带电子释放膜氮化物半导体143进行图10所示的湿式蚀刻。由此，从带电子释放膜氮化物半导体143除去损伤层15。
此时，如将带电子释放膜氮化物半导体143浸渍在蚀刻溶液2中，则可以通过如上述实施方式1记载的那样，除去由干式蚀刻形成的损伤层15。但是，如按下面记载的进行湿式蚀刻，则可以对、与由干式蚀刻形成的损伤层15相比还处于内部的n型半导体层43a、实施蚀刻。在对该湿式蚀刻的方法进行说明之前，先简单说明一下对n型半导体层43a实施蚀刻湿式蚀刻的机理。
为进行湿式蚀刻，必须要在半导体层表面存在有空穴。n型半导体层本来没有空穴。但是，如对n型半导体层照射比n型半导体层带隙能量高的紫外线，则在n型半导体层生成空穴-电子对。因此，如生成空穴-电子对，则由于n型半导体层的带状形状，可以不对n型半导体层施加外部电压、也可以实现该空穴在n型半导体层表面移动。其结果，成为对n型半导体层开始进行湿式蚀刻。为此，在对n型半导体层实施湿式蚀刻时，可以如上述实施方式4那样，不必对n型半导体层施加外部电压，而是用紫外线照射n型半导体层。下面显示一下具体湿式蚀刻方法。
如图10所示那样，首先，在超声波发生器3内放入容器1，在容器1内放入氢氧化钾水溶液等的蚀刻溶液2，将带电子释放膜氮化物半导体143浸渍在蚀刻溶液2。接着，用有365nm以下中心波长的紫外线7照射带电子释放膜氮化物半导体143及蚀刻溶液2。由此，不仅对损伤层15、而且也对n型半导体层43a进行湿式蚀刻。然后，边用紫外线7照射带电子释放膜氮化物半导体143，边用由超声波发生器3发生的超声波照射蚀刻溶液2及带电子释放膜氮化物半导体143。由此，对n型半导体层43a进行湿式蚀刻，从而没有形成基于蚀刻后半导体层表面结晶缺陷造成的须状凹凸，并且将其表面粗糙度(RMS)实现在1nm以下。
另外，此种情况下，如图8所示那样，如边对带电子释放膜氮化物半导体143施加外部电压边进行湿式蚀刻，则可以提高湿式蚀刻速度。
像上述的湿式蚀刻结束、除去电子释放膜层14b之后，通过MOCVD法在蚀刻后的氮化物半导体表面、结晶生长其他的氮化物半导体层17。由此，形成图9(e)所示的氮化物半导体元件144。
本实施方式的效果，除能对n型半导体进行蚀刻之外，其他与上述实施方式4效果一样。
(发明的实施方式6)
以下，参照图11和12详细说明实施方式6。另外，图11是说明本实施方式的蚀刻工序图。图12是本实施方式的湿式蚀刻的构成图。另外，图11中、表示与图1相同结构及功能的部分，赋予与图1相同的符号。还有，图12中、表示与图2相同结构及功能的部分，赋予与图2相同的符号。
本实施方式与上述实施方式1不同，是通过不进行干式蚀刻而仅进行湿式蚀刻来制造氮化物半导体元件的方法。
首先，如图11(a)所示，通过MOCVD法，在母基板11上形成GaN系缓冲层12后，在GaN系缓冲层12上形成氮化物半导体层53，从而形成氮化物半导体50。
这里，氮化物半导体层53由GaN、AlN、InN及它们的混晶构成。因此，氮化物半导体层53是包含由InGaN、MQW构成的活性层及n-AlGaN电流阻止层53a的n-AlGaN/p-GaN/InGaN MQW/n-GaN。更详细地说，氮化物半导体层53在GaN系缓冲层12的表面形成n-GaN层及活性层的InGaN MQW(在图11(a)中表示为1层53c)，并在该层之上形成p-GaN层53b，在p-GaN层53b上形成n-AlGaN电流阻止层53a。另外，这里，以n-GaN层、n-AlGaN(包覆层)及n-GaN层(波导层)的顺序层叠形成的层称为n-GaN层。为此，n-AlGaN电流阻止层53a的膜厚度优选为50nm以上300nm以下，p-GaN层53b的膜厚度优选为20nm以上200nm以下。更为优选的是n-AlGaN电流阻止层53a的膜厚度为150nm、p-GaN层53b的膜厚度为125nm、n-GaN层的膜厚度为4350nm、构成该n-GaN层的n-GaN层(波导层)的膜厚为150nm、构成该n-GaN层的n-AlGaN层(包覆层)的膜厚度为1200nm、构成该n-GaN层的n-GaN层的膜厚度为3000nm。因此，p-GaN层53b在后边讲述的湿式蚀刻中具有作为湿式蚀刻阻止层的功能。还有，氮化物半导体层53的活性层也可以为InGaN SQW。
接着，如图11(b)所示，使用蒸镀及通常的光刻技术，在氮化物半导体50的氮化物半导体层53上面两端部、形成由以Ti及Pt的顺序层叠而形成的电子释放膜层54b。由此，形成带电子释放膜氮化物半导体151。还有，电子释放膜层54b并不局限于Ti及Pt构成的膜，还可以使用由上述实施方式1中记载的其他膜来形成。
然后，对图12所示的带电子释放膜氮化物半导体151进行湿式蚀刻。
为进行本实施方式的湿式蚀刻，首先，在超声波发生器3内放入容器1，在容器1内放入氢氧化钾水溶液等的蚀刻溶液2，将带电子释放膜氮化物半导体151浸渍在蚀刻溶液2。然后，边用紫外线7照射带电子释放膜氮化物半导体151，边用由超声波发生器3发生的超声波照射蚀刻溶液2及带电子释放膜氮化物半导体151。由此，对n-AlGaN电流阻止层53a进行湿式蚀刻。
此时，通过上述实施方式5中记载的n型半导体层的湿式蚀刻的机理，对n-AlGaN电流阻止层53a进行蚀刻。具体的，如下所示。
n-AlGaN电流阻止层53a本来没有空穴。但是，通过对带电子释放膜氮化物半导体151的表面照射紫外线7，在n-AlGaN电流阻止层53a中生成空穴-电子对。此时，由于在带电子释放膜氮化物半导体151的表面的一部分处形成有电子释放膜层54b，生成的电子通过电子释放膜层54b由n-AlGaN电流阻止层53a向蚀刻溶液2释放。另外，生成的空穴存在于n-AlGaN电流阻止层53a的表面，通过该空穴与蚀刻溶液2反应，n-AlGaN电流阻止层53a被进行湿式蚀刻。因此，由于本实施方式的结构是在n-AlGaN电流阻止层53a的下层为p-GaN层53b，故如对未形成电子释放膜层54b的n-AlGaN电流阻止层53a的部分全部进行湿式蚀刻，则可以露出p-GaN层53b。这里，一般来讲，p型半导体层和n型半导体层在半导体层的表面附近的带状形状不同，从而在p型半导体层的表面不能存在空穴(参照上述实施方式4)。为此，如在不按本实施方式那样照射紫外线而进行湿式蚀刻情况下，对p-GaN层53b不能进行湿式蚀刻。即，p-GaN层53b具有作为湿式蚀刻的阻止层的功能。由此，本实施方式的蚀刻方法是能仅以n-AlGaN电流阻止层53a的厚度量对n-AlGaN电流阻止层53a进行蚀刻，其结果，能够按照设计精度良好地制造半导体元件。
像上述的湿式蚀刻结束、除去电子释放膜层54b之后，通过MOCVD法在蚀刻后的氮化物半导体表面、结晶生长其它的氮化物半导体层17。由此，形成图11(c)所示的氮化物半导体元件152。因此，氮化物半导体元件152可以作为以被进行了湿式蚀刻的氮化物半导体层53的部分为波导部的半导体激光元件来使用。
本实施方式的蚀刻方法能仅对n-AlGaN电流阻止层53a选择性地进行湿式蚀刻。为此，对位于n-AlGaN电流阻止层53a之下的活性层不会有由于过度蚀刻而造成损伤的可能，因此可以将n-AlGaN电流阻止层53a的下层的p-GaN层53b的膜厚设定得薄。为此，如使用该蚀刻方法制造半导体激光元件，能够成品率高地制造高输出半导体激光元件。
(发明的实施方式7)
以下，参照图13和14详细说明实施方式7。另外，图13是说明本实施方式的蚀刻工序图。图14是本实施方式的湿式蚀刻的构成图。另外，图13中、表示与图1相同结构及功能的部分，赋予与图1相同的符号。还有，图14中、表示与图2相同结构及功能的部分，赋予与图2相同的符号。
在上述实施方式1～6中，对作为半导体激光器中所用激光元件使用情况的氮化物半导体元件的制造方法进行了说明。本实施方式中，说明利用于、带有形成二维电子云的异质结构的场效应晶体管(heterostructure fieldtransistor以下仅记为“HFET”)情况的氮化物半导体元件的制造方法。与上述实施方式1的蚀刻工序重复的部分，省略详细说明。
首先，如图13(a)所示，通过MOCVD法，在母基板11上形成GaN系缓冲层12。然后，在GaN系缓冲层12上，顺次层叠GaN电子渡越层63a、AlGaN电子供给层63b及AlGaInN顶层63c而形成氮化物半导体层63。由此，能形成氮化物半导体60。这里，AlGaN电子供给层63b中Al的组成为25％、AlGaInN顶层63c中Al的组成比该25％值要小。还有，AlGaN电子供给层63b中添加作为n型掺杂剂的2×1018cm-3的硅。即，AlGaN电子供给层63b及AlGaInN顶层63c为n型半导体。故在GaN电子渡越层63a与AlGaN电子供给层63b的界面处形成有二维电子云64。
接着，如图13(b)所示，使用蒸镀及通常的光刻技术，在氮化物半导体60的氮化物半导体层63的AlGaInN顶层63c上面两端部，形成由干式蚀刻掩膜14a及电子释放膜层14b构成的导电性膜14。由此，形成带导电性膜氮化物半导体161。还有，导电性膜14也可以为上述实施方式3记载的导电性膜16。
然后，对图13(b)所示的带导电性膜氮化物半导体161进行干式蚀刻。由此，在没形成干式蚀刻掩膜14a的AlGaInN顶层63c的表面部分进行干式蚀刻，在AlGaInN顶层63c表面形成损伤层15。
此后，使用硝酸溶液，从干式蚀刻后的氮化物半导体仅除去干式蚀刻掩膜层14a，形成图13(c)所示的带电子释放膜氮化物半导体162。然后，对带电子释放膜氮化物半导体162进行图14所示的湿式蚀刻。由此，从带电子释放膜氮化物半导体163除去损伤层15，形成图13(d)所示的湿式蚀刻后的氮化物半导体163。
通过上述工序湿式蚀刻工序结束，在从湿式蚀刻后的氮化物半导体163除去电子释放膜层14b后，在没有进行蚀刻的AlGaInN顶层63c上形成源极66及漏极67，在通过进行了干式蚀刻而形成了的凹部的AlGaN电子供给层63b上形成栅极68。此时，源极66设置在图13(d)的左侧，漏极67设置在图13(d)的右侧。由此，能制造图13(e)所示的氮化物半导体元件164，可作为开关用HFET来使用。
这里，说明一下氮化物半导体元件164的开关用HFET的动作方式。在GaN电子渡越层63a与AlGaN电子供给层63b的界面处，存在有由AlGaN带隙和GaN带隙之差产生的能隙和基于由晶格不匹配产生的压电效应的内部电场。其结果，AlGaN电子供给层63b的电子局部存在于GaN电子渡越层63a与AlGaN电子供给层63b的界面附近，从而形成二维电子云64。由于该二维电子云64的浓度取决于GaN电子渡越层63a与AlGaN电子供给层63b界面处存在的内部电场的大小，故如给栅极68施加电压使该内部电场发生变化，则可以控制二维电子云64的浓度。如给栅极68施加电压使该内部电场变大，则二维电子云64的浓度变高，源极66和漏极67之间流经电流，开关处于ON状态。如给栅极68施加反向电压，则使该内部电场变小，二维电子云64的浓度变低。为此，使电流很难流过，开关处于OFF状态。由此，通过控制栅极68的相关电压，可以控制源极66及漏极67流经的电流，其结果可以将氮化物半导体元件164作为开关用HFET来使用。还有，源极66及漏极67，并不局限于图13(e)所示形态，也可以将源极66设置于纸面右侧而将漏极67设置于纸面左侧。
最后，说明一下本实施方式的氮化物半导体元件164制造方法达到的效果。如对氮化物半导体进行干式蚀刻，则在氮化物半导体表面形成损伤层15。由于至此还没有提出除去该损伤层15的方法，故如在进行了干式蚀刻的部分处设置栅极68，则由于形成有损伤层15，导致产生漏电流。其结果，通过现有方法制造的晶体管的性能很差。但是，本实施方式中，以导电性膜14作为掩膜、在进行干式蚀刻后通过进行湿式蚀刻、除去损伤层15，因此即使在进行了干式蚀刻的氮化物半导体层63表面设置栅极68，由于除去了损伤层15、从而可以抑制漏电流。该结果，能制造出性能良好的晶体管。更有，在本实施方式中，通过使施加在设置在氮化物半导体元件164的栅极68上的电压，可以使二维电子云64的电子浓度发生变化，从而能将氮化物半导体元件164作为开关用HFET使用。因此，上述实施方式1所得到的效果，即能将湿式蚀刻的结构简单化并将制造后的氮化物半导体元件表面的粗糙度实现在1nm以下，在本实施方式的制造方法也可以得到。
(其他实施方式)
从上述实施方式1～7记载的干式蚀刻，可以适用于公知的任一种干式蚀刻。
在上述实施方式1～6中，记载了使用、含有InGaN活性层的氮化物半导体多层膜的半导体激光器，上述实施方式7中记载了带有形成二维电子云的异质结构的HFET，但本发明的氮化物半导体元件制造方法并不仅局限于这些工序，显然，也可以适用于其他使用氮化物半导体的器件，如LED(Light Emitting Diode)等发光器件或HBT(Heterojunction BipolarTransistor)等电子器件中。
上述实施方式6及7中的湿式蚀刻方法，并不局限于上述实施方式1记载的湿式蚀刻，也可以进行上述实施方式4记载的湿式蚀刻。此时，可以得到上述实施方式4中记载的效果。

Claims (14)

1、一种氮化物系化合物半导体元件的制造方法，包括：
在母基板上形成氮化物系化合物半导体层工序；
在所述氮化物系化合物半导体层表面的一部分形成作为蚀刻掩膜的导电性膜工序；
对所述氮化物系化合物半导体层进行干式蚀刻工序；
经所述导电性膜使从所述氮化物系化合物半导体层向外部释放电子，对所述氮化物系化合物半导体层进行湿式蚀刻工序。
2、一种氮化物系化合物半导体元件的制造方法，包括：
在母基板上形成氮化物系化合物半导体层工序；
在所述氮化物系化合物半导体层表面的一部分形成由最上层具有干式蚀刻掩膜层的多层构成的导电性膜工序；
对所述氮化物系化合物半导体层进行干式蚀刻工序；
除去所述干式蚀刻掩膜层工序；
经所述导电性膜使从所述氮化物系化合物半导体层向外部释放电子，对所述氮化物系化合物半导体层进行湿式蚀刻工序。
3、根据权利要求1或2所述的氮化物系化合物半导体元件的制造方法，其中，在所述干式蚀刻工序中，在所述氮化物系半导体层形成损伤层，在所述湿式蚀刻工序中，至少除去所述损伤层。
4、根据权利要求1或2所述的氮化物系化合物半导体元件的制造方法，其中，所述导电性膜具有含Ni的层。
5、根据权利要求1或2所述的氮化物系化合物半导体元件的制造方法，其中，所述氮化物系化合物半导体层至少具有1层含Al的层，所述干式蚀刻是对所述含Al层进行的。
6、根据权利要求1或2所述的氮化物系化合物半导体元件的制造方法，其中，在所述湿式蚀刻工序中，不对所述导电性膜施加外部电压。
7、一种氮化物系化合物半导体元件的制造方法，包括：
在母基板上形成氮化物系化合物半导体层工序；
在所述氮化物系化合物半导体层表面的一部分形成作为使由所述氮化物系半导体层向外部释放电子的电子释放膜的导电性膜工序；
经所述导电性膜使从所述氮化物系化合物半导体层向外部释放电子，不对所述导电性膜施加外部电压而对所述氮化物系化合物半导体层进行湿式蚀刻工序。
8、根据权利要求7所述的氮化物系化合物半导体元件的制造方法，其中，所述氮化物系化合物半导体层由最上层为n型氮化物系化合物半导体层、在该n型氮化物系化合物半导体层的下层为p型氮化物系化合物半导体层的多层形成，在所述湿式蚀刻工序中，所述p型氮化物系化合物半导体层为湿式蚀刻的阻止层。
9、根据权利要求8所述的氮化物系化合物半导体元件的制造方法，其中，所述n型氮化物系化合物半导体层为AlGaN层。
10、根据权利要求1、2或7所述的氮化物系化合物半导体元件的制造方法，其中，所述导电性膜具有含Ti以及Au或Pt中一种的层。
11、根据权利要求1、2或7所述的氮化物系化合物半导体元件的制造方法，其中，所述氮化物系化合物半导体层由多层形成，所述多层由各元素构成比不同的多个氮化物系半导体形成。
12、根据权利要求1、2或7所述的氮化物系化合物半导体元件的制造方法，其中，在所述湿式蚀刻中使用含KOH、NaOH、H3PO4、H2SO4、HCl中任一种的溶液。
13、根据权利要求1、2或7所述的氮化物系化合物半导体元件的制造方法，其中，在所述湿式蚀刻工序中，对所述氮化物系化合物半导体层照射超声波。
14、根据权利要求1、2或7所述的氮化物系化合物半导体元件的制造方法，其中，在被实施所述湿式蚀刻后的所述氮化物系化合物半导体层上，设置其他氮化物系化合物半导体层。
CNA200410104567XA 2003-12-24 2004-12-22 氮化物系化合物半导体元件的制造方法 Pending CN1638055A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003427183 2003-12-24
JP2003427183 2003-12-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1638055A true CN1638055A (zh) 2005-07-13

Family

ID=34746831

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA200410104567XA Pending CN1638055A (zh) 2003-12-24 2004-12-22 氮化物系化合物半导体元件的制造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7148149B2 (zh)
CN (1) CN1638055A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101364482B (zh) * 2008-09-19 2010-12-08 南京大学 一种可见光铟镓氮基光电化学电池制备方法
CN111463124A (zh) * 2020-03-26 2020-07-28 深圳第三代半导体研究院 用于集成电路的刻蚀方法
CN112912466A (zh) * 2018-10-24 2021-06-04 三菱制纸株式会社 树脂组合物的蚀刻液及蚀刻方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7683464B2 (en) * 2005-09-13 2010-03-23 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Semiconductor package having dimpled plate interconnections
JP2007173465A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子の製造方法
JP4954691B2 (ja) 2006-12-13 2012-06-20 パナソニック株式会社 窒化物半導体レーザ装置の製造方法及び窒化物半導体レーザ装置
US7781780B2 (en) 2008-03-31 2010-08-24 Bridgelux, Inc. Light emitting diodes with smooth surface for reflective electrode
US8569085B2 (en) * 2008-10-09 2013-10-29 The Regents Of The University Of California Photoelectrochemical etching for chip shaping of light emitting diodes
US8263500B2 (en) * 2009-01-30 2012-09-11 The Regents Of The University Of California Photoelectrochemical etching for laser facets
KR100969127B1 (ko) * 2010-02-18 2010-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
WO2014074486A1 (en) * 2012-11-07 2014-05-15 The Regents Of The University Of California Group-iii nitride heterojunction bipolar transistors
WO2014142892A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 King Abdullah University Of Science And Technology Defect free single crystal thin layer
CN105845546B (zh) * 2015-01-15 2019-11-05 联华电子股份有限公司 照光的外延制作工艺
WO2017138398A1 (ja) * 2016-02-08 2017-08-17 パナソニック株式会社 半導体装置
JP7260224B2 (ja) * 2019-01-18 2023-04-18 ローム株式会社 半導体装置
EP3866189B1 (en) 2020-02-14 2022-09-28 Epinovatech AB A mmic front-end module
EP4101945B1 (en) * 2021-06-09 2024-05-15 Epinovatech AB A device for performing electrolysis of water, and a system thereof

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0391927A (ja) * 1989-09-04 1991-04-17 Fujikura Ltd 半導体ウエハのエッチング方法
JPH08203862A (ja) 1995-01-27 1996-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物系化合物半導体のエッチング方法
US5968845A (en) * 1996-02-13 1999-10-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for etching a compound semiconductor, a semi-conductor laser device and method for producing the same
US5773369A (en) * 1996-04-30 1998-06-30 The Regents Of The University Of California Photoelectrochemical wet etching of group III nitrides
JP3787195B2 (ja) * 1996-09-06 2006-06-21 シャープ株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
JP3764792B2 (ja) 1997-02-20 2006-04-12 シャープ株式会社 窒化物半導体のエッチング方法
US6083841A (en) * 1997-05-15 2000-07-04 Rohm Co., Ltd. Method of etching gallium-nitride based compound semiconductor layer and method of manufacturing semiconductor light emitting device utilizing the same
JP2000068608A (ja) 1998-08-24 2000-03-03 Agency Of Ind Science & Technol 窒化ガリウム系半導体素子の製造方法
EP1113485A3 (en) 1999-12-27 2005-08-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing a semiconductor device
US6245687B1 (en) 2000-01-26 2001-06-12 Trw Inc. Precision wide band gap semiconductor etching
JP4465890B2 (ja) 2001-02-06 2010-05-26 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP2003158113A (ja) 2001-11-26 2003-05-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法およびエッチング装置
JP3931777B2 (ja) 2002-09-24 2007-06-20 松下電器産業株式会社 窒化物系化合物半導体のエッチング方法及び半導体発光素子の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101364482B (zh) * 2008-09-19 2010-12-08 南京大学 一种可见光铟镓氮基光电化学电池制备方法
CN112912466A (zh) * 2018-10-24 2021-06-04 三菱制纸株式会社 树脂组合物的蚀刻液及蚀刻方法
CN111463124A (zh) * 2020-03-26 2020-07-28 深圳第三代半导体研究院 用于集成电路的刻蚀方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20050159000A1 (en) 2005-07-21
US7148149B2 (en) 2006-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1268046C (zh) 用于形成第ⅲ主族氮化物半导体层的方法以及半导体器件
CN1638055A (zh) 氮化物系化合物半导体元件的制造方法
JP5556657B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ
CN1208849C (zh) 制造半导体发光装置的方法及其制造的半导体发光装置
CN1241253C (zh) 半导体元件的制造方法
US7439091B2 (en) Light-emitting diode and method for manufacturing the same
CN1263170C (zh) 氮化物基化合物半导体发光元件及其制造方法
CN1178303C (zh) 半导体叠层衬底及其制造方法和半导体器件
CN1638220A (zh) 氮化物半导体激光器件及其制造方法
CN1667847A (zh) 氮化物系半导体发光元件
JP2008047858A (ja) 垂直構造窒化物系半導体発光素子及びその製造方法
CN1677775A (zh) 氮化物系半导体元件的制造方法及氮化物系半导体元件
KR20080040359A (ko) 수직형 발광 소자 및 그 제조방법
CN1467863A (zh) 半导体晶片、半导体装置及其制造方法
CN1659711A (zh) 半导体器件以及制造这种半导体器件的方法
CN1656616A (zh) 高压开关器件和形成该器件的工艺
CN1734802A (zh) 氮化物半导体发光元件及制造氮化物半导体发光元件的方法
CN1934720A (zh) 半导体发光元件及照明装置
CN1649180A (zh) 半导体发光元件及其制造方法
CN1291793A (zh) 制造半导体器件的方法
CN1675809A (zh) GaN基半导体器件
CN1604412A (zh) 半导体激光器的制造方法
JP2011187596A (ja) 半導体発光素子の製造方法
JP5237764B2 (ja) 半導体素子の製造方法
CN110620167B (zh) 一种基于大面积衬底剥离的深紫外led及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication