JP2003158113A - 半導体装置の製造方法およびエッチング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表面に半導体層が形成された基板の半導体層
をエッチングする工程を備えた半導体装置の製造におい
て、半導体層のエッチングを優れた加工精度で行なう。 【解決手段】 表面に半導体層が形成された基板１１を
エッチング液１５に浸漬し、半導体層の所望の部分にエ
ッチング液１５中から出射された半導体層のバンドギャ
ップ以上のエネルギーを有する光を照射し、この光が照
射された部分の半導体層をエッチング液１５中へ溶解さ
せてエッチングする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製
造方法及びエッチング装置に関するものであり、特に、
表面に半導体層が形成された基板の半導体層をエッチン
グする工程を備えた半導体装置の製造方法及びこの半導
体層をエッチングするエッチング装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】シリコン（Ｓｉ）により形成される大規
模集積回路（ＵＬＳＩ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、
窒化ガリウム（ＧａＮ）等の化合物半導体により形成さ
れるレーザーダイオード（ＬＤ）、静電効果型トランジ
スター（ＦＥＴ）は導電性の異なるｐ型とｎ型の半導体
膜が積層された構造を有している。また、ＬＤにおいて
は屈折率を変化させるために組成比の異なる化合物層の
積層構造を有する。このような半導体装置を形成する上
で、これらの半導体膜を部分的にエッチングし、溝等の
微細構造を形成する必要がある。Ｓｉを用いた半導体装
置の場合、加工は主にドライエッチング法が用いられる
が、加工ダメージや表面の汚染性が問題となる。特にＬ
Ｄのようにエッチング後、表面に単結晶膜をエピタキシ
ャル成長させる場合においては、加工方法として再成長
界面の結晶の乱れが少なく、デバイスの高信頼性が期待
できるウエットエッチングが適用される場合が多い。

【０００３】窒化物半導体は３ｅＶ以上の広いバンドギ
ャップを有するワイドバンドギャップ半導体であり、橙
色から紫外領域までの広い短波長発光素子材料として用
いられる。また、１００℃を超える高温でも安定して動
作するため、高温動作用の半導体としての利用が期待さ
れている。窒化物半導体は単膜で使用することは稀であ
り、ＬＤを作製する場合、窒化物半導体を多層膜積層し
て成長し、エッチングによる溝形成や電極を形成する処
理を行なう。

【０００４】また、窒化物半導体は化学的に安定な材料
であり、加工は主に反応性ガスを使用してエッチングす
るドライエッチングプロセスが適用されてきた。しか
し、反応性ガスを利用する方法では温度やガス量の差に
よりエッチング端面の平坦性が低下する現象が生じる。

【０００５】また、ドライエッチングでは物理的に大き
なエネルギーを有するイオンの雰囲気中に試料をさらす
ため、基板表面にダメージ層を生じる欠点があった。特
にエッチング後の表面に結晶再成長させる場合などはダ
メージ層の影響によりＬＤの寿命が短い等の問題があ
る。

【０００６】一方、化学的に安定な窒化物半導体もバン
ドギャップ以上のエネルギーを有する光を照射すること
でウエットエッチング可能であることが、最近わかって
きた。

【０００７】窒化物半導体が液中で溶解するためには、
反応過程で正孔が窒化物半導体／溶液界面に拡散し、消
費される必要がある。窒化物半導体のうち代表的な窒化
ガリウム（ＧａＮ）のアルカリ溶液中での溶解反応は一
般的に以下の式（１）であらわされる。 ＧａＮ＋６ＯＨ⁻＋３ｈ^＋→ＧａＯ₃ ^3-＋０．５Ｎ₂＋３Ｈ₂Ｏ・・・・・（１） ここでｈ⁺は価電子帯の正孔をあらわす。

【０００８】図８はウエットエッチング時におけるｎ型
半導体の電子バンド構造を説明する図であり、その
（ａ）はバンドギャップ以上のエネルギーの光の非照射
時の電子バンド構造、その（ｂ）はバンドギャップ以上
のエネルギーの光の照射時の電子バンド構造を説明する
図である。図８において、Ｅｃは伝導帯端、Ｅｆはフェ
ルミ準位、Ｅｖは価電子帯端である。ｎ型半導体では電
荷移動の担い手として正孔がほとんど存在しない。そこ
で、図８（ｂ）に示すように、半導体のバンドギャップ
以上のエネルギーを有する光をエッチング中に半導体に
照射することによりｎ型半導体内部で電荷分離を起こ
し、価電子帯に正孔が発生し、この正孔がｎ型半導体／
エッチング液界面に拡散、消費されることでエッチング
を進行させる。ＧａＮをエッチングする場合には、Ｇａ
Ｎ／アルカリ溶液界面に正孔が拡散し、この界面で上記
（１）で表わされるような反応により、ＧａＮがアルカ
リ溶液中に溶解される。なお、ｐ型半導体についてはバ
ンドギャップ以上のエネルギーを有する光を照射しない
場合でも価電子帯に正孔が存在するため、光照射はエッ
チング速度にほとんど影響を及ぼさない。

【０００９】半導体層を所望のパターンに加工する方法
として、半導体層上にレジスト等のマスクを形成して半
導体層をウエットエッチングする方法がある。しかしな
がらこの方法の場合、マスクを除去後の半導体層表面に
レジスト残さ物等の汚染が残留し、その後半導体層表面
に結晶再成長する際に、結晶再成長挙動に影響を及ぼす
問題がある。

【００１０】また、レジスト等のマスクを用いてウエッ
トエッチングする場合、深さ方向にエッチングが進行す
るとともに横方向にも進行し、この横方向のエッチング
量の制御性がよくないという問題がある。

【００１１】これに対し、レジスト等のマスクを使用せ
ずに溝等のパターンを半導体層に形成する方法として、
基板をエッチング液に浸漬した状態で、エッチング液の
外部からエッチング液を介して半導体層にレーザー光を
スポット状に照射し、光照射部分のみをエッチングし、
照射位置を移動させることによって、半導体層を所望の
パターンを形成する方法がある。

【００１２】また、レジスト等のマスクを使用せずに溝
等のパターンを半導体層に形成する別の方法として、窒
化物半導体結晶に結晶欠陥を発生させ、結晶欠陥発生部
分を選択的にエッチング除去する方法がある。図９は、
特開平１０−２３３３８５号公報に示されている従来の
エッチング方法について説明する図である。サファイア
基板６１に厚さ１０ｎｍのアルミナ膜（Ａｌ_２Ｏ_３膜）
６２を蒸着し、その後、ＭＯ−ＣＶＤによりＧａＮ膜を
形成する。サファイア基板６１上に形成されたＧａＮ膜
６３とアルミナ膜６２上に形成されたＧａＮ膜６４とで
は結晶欠陥が異なる。アルミナ膜６２上に形成したＧａ
Ｎ膜６４の方が結晶欠陥が多いために、ＫＯＨ水溶液中
でのウエットエッチングにより選択的に溶解することが
でき、これを利用してＧａＮ膜に溝６５を形成するもの
である。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たレーザー光を照射する方法の場合には、半導体層に向
けて照射されたレーザー光がエッチング液を通過する際
に、エッチング液中でレーザー光が拡散するため、加工
精度のばらつきが大きくなるという問題点があった。こ
の方法の場合、加工精度のばらつきは±５μｍ程度であ
り、ＬＤの溝形成で求められる加工精度である±０．１
μｍを実現することは困難であった。このため、この方
法をＬＤのような半導体装置の製造方法として用いるこ
とができなかった。

【００１４】また、人工的に形成した結晶欠陥を選択的
にエッチングする方法の場合も結晶欠陥の方向を制御す
るのが難しく、パターニングの加工精度を±０．１μｍ
以下にすることは困難であった。

【００１５】また、上述したレーザー光を照射する方法
や人工的に形成した欠陥を選択的にエッチングする方法
の場合には、電圧を印加しないためにエッチング速度が
小さいという問題点があった。

【００１６】また、レジストなどのエッチングマスクを
用いてエッチングする場合には、上述したようにエッチ
ングが横方向にも進行するため、アスペクト比（高さ／
幅）の高い構造を形成できないという問題点があった。

【００１７】この発明は、このような課題を解決するた
めになされたものであり、半導体装置に用いられる半導
体層を優れた加工精度でウエットエッチングするととも
に、高アスペクト比のエッチング断面形状を得ることを
目的とするものである。また、半導体層を優れた加工精
度でウエットエッチングすることができるエッチング装
置を提供することを目的とするものである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置の製造方法は、表面に半導体層が形成された基板をエ
ッチング液に浸漬し、半導体層の所望の部分にエッチン
グ液中から出射された半導体層のバンドギャップ以上の
エネルギーを有する光を照射し、この光が照射された部
分の半導体層をエッチング液中へ溶解させてエッチング
する工程を備えるものである。

【００１９】また、光の照射が光ファイバーを用いて行
われるものである。

【００２０】また、半導体層に対向して配置される電極
と基板との間に電圧印加した状態でバンドギャップ以上
のエネルギーを有する光の照射が行われるものである。

【００２１】また、半導体層に対向して配置される電極
が、光ファイバーの先端に設けられるものである。

【００２２】この発明に係るエッチング装置は、半導体
層が形成された基板をエッチング液に浸漬して保持する
基板保持部と、半導体層のバンドギャップ以上のエネル
ギーを有する光を出射する光源と、この光源から出射さ
れた光をエッチング液中に導き半導体層に照射する光フ
ァイバーと、を備えるものである。

【００２３】また、光ファイバーの先端に電極が設けら
れ、この電極と基板間に電圧を印加し得るように構成さ
れるものである。

【００２４】

【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、この発明
の実施の形態１のウエットエッチング装置の構成を示す
図である。図１において、１１は表面にエッチングを行
なう半導体層が形成された基板、１２は基板１１を保持
する基板保持部、１３は基板１１に接するように設けら
れた基板側電極、１４は基板側電極１３及び後述する光
ファイバー先端の電極に定電圧を印加するための定電圧
電源である。１５はエッチング液、１６はエッチング液
を入れるエッチング槽、１７はエッチング液を攪拌する
マグネットスターラー、１８はＵＶレーザー光源、１９
はＵＶレーザー光源１８から発せられたＵＶレーザー光
を基板１１上に導く光ファイバー、２０は光ファイバー
１９の先端を基板上の所望の位置に移動させることがで
きる３次元移動ステージである。ＵＶレーザー光源とし
ては、エッチングする半導体層のバンドギャップ以上の
エネルギーを有する光を発するものが用いられる。この
ような光としては、通常３００ｎｍ以下の波長のものが
用いられる。半導体層のバンドギャップ以上のエネルギ
ーを有する光を発するものであればレーザーに限らず、
ランプであってもよい。

【００２５】図２は、この発明の実施の形態１のウエッ
トエッチング装置に用いられる光ファイバー１９の先端
部の構成を説明する図である。光ファイバー１９の先端
の端面の周縁部には電極１９ａが形成され、この電極１
９ａには図１で示される定電圧電源１４が接続されてい
る。電極１９ａとしてはエッチング液１５に溶解しない
ものが用いられ、例えば金、チタンなどの金属材料が用
いられる。電極１９ａはスパッタ法等により形成され、
光ファイバー側面にも形成されている。光ファイバー側
面は絶縁性のフィルム１９ｂでコーティングされ、光フ
ァイバー１９の先端の端面の電極１９ａのみから電流が
流れるように構成されている。光ファイバー１９の先端
の端面の電極非形成部１９ｃから矢印２１の方向に光が
出射される。このように光ファイバー１９の先端に電極
１９ａを設けることにより、光照射部の近傍に簡便に電
圧を印加することができる。

【００２６】次に、図１及び図２に示されるエッチング
装置を用いて半導体層をエッチングする方法について説
明する。表面にエッチングを行なう半導体層が形成され
た基板１１を基板保持部１２に保持し、エッチング液１
５に浸漬する。エッチング液１５はマグネットスターラ
ー１７により攪拌されている。光ファイバー１９の先端
はエッチング液１５中に浸漬され、基板１１の半導体層
が形成された面に対向するように配置される。光ファイ
バー１９の先端の位置は３次元移動ステージ２０により
３次元方向に移動制御される。光ファイバー１９の先端
と基板１１との距離が大きいと、これらの間に介在する
エッチング液中で光ファイバー１９の先端から出射され
た光が拡散して加工精度が悪くなるので、光ファイバー
１９の先端と基板１１との距離は、これらが接しない程
度にできるだけ小さくすることが望ましい。

【００２７】光ファイバー１９の先端に設けられた電極
１９ａと基板１１との間に電圧を印加する。電圧を印加
した状態で半導体層にＵＶレーザー光を照射する。この
ＵＶレーザー光の照射は光ファイバーで１９導かれたＵ
Ｖレーザー光源１８から発せられたＵＶレーザー光をエ
ッチング液１５に浸漬された光ファイバー１９の先端か
ら半導体層に向けて出射することにより行われる。ＵＶ
レーザー光が照射された部分の半導体層は、エッチング
液１５中に溶解しエッチングされる。光ファイバー１９
の先端の位置を順次３次元移動ステージ２０を用いて移
動させることにより、半導体を所望のパターンに加工す
ることができる。

【００２８】図３はこの発明の実施の形態１のウエット
エッチング方法におけるｎ型半導体の電子バンド構造を
説明する図である。実施の形態１のウエットエッチング
方法は、バンドギャップ以上のエネルギーの光を半導体
に照射することにより、ｎ型半導体内部で電荷分離を起
こし、価電子帯に正孔を発生させ、さらに電圧印加する
ことにより、エッチング中の電位をアノード方向に分極
することでｎ型半導体内部に電位勾配を発生させ、価電
子帯の正孔がｎ型半導体／エッチング液界面に拡散する
速度を増加させるものである。これにより、エッチング
速度を増加させることが可能である。ＧａＮのエッチン
グの場合には、上記式（１）のように、エッチング液中
の反応種とＧａＮとが、ＧａＮ／エッチング液界面の正
孔を消費して反応し、ＧａＮはエッチング液中に溶解し
てエッチングされる。

【００２９】図４は、本発明を用いて製造する半導体装
置の断面の構成の一例を示す図であり、例えば特許２８
４２４６５号に開示されたＣＤやＣＤ−Ｒ等の情報用Ｌ
Ｄとして代表的な電流ストライプ構造を有する半導体レ
ーザーの断面を示す図である。このような電流ストライ
プ構造を有する半導体装置は生産性の点で優れている。
図４において、３１はｎ型のＧａＡｓ基板、３２はｎ型
のＧａＡｓバッファ層、３３はｎ型のＧａ_0.5Ａｌ_0.5Ａ
ｓ、３４はＧａ_0.85Ａｌ_0.15Ａｓ活性層、３５はｐ型の
Ｇａ_0.5Ａｌ_0.5Ａｓクラッド層、３６はｐ型のＧａ_0.8
Ａｌ_0.2Ａｓからなるエッチングストッパ層、３７はｎ
型のＧａ_0.35Ａｌ_0.65Ａｓ電流ブロック層、３７ａはス
トライプ状の窓である。３８はｐ型のＧａ_0.5Ａｌ_0.5Ａ
ｓクラッド層、３９はｐ型のＧａＡｓコンタクト層であ
る。ここで、ストライプ状の窓３７ａを形成するために
ｎ型Ｇａ_0.65Ａｌ_0.35Ａｓ電流ブロック層３７をウエッ
トエッチングする。図４のようなストライプ型のＬＤ構
造を実現するために、ストライプ窓３７ａをウエットエ
ッチングで制御性良く形成する技術が必要である。

【００３０】現在、図４に示されるようなストライプ型
のＬＤはＧａＮ等のワイドバンドギャップ半導体では実
現されていないが、ストライプ型のＬＤは生産性に優れ
ているので、今後ストライプ型のＬＤの開発は必須にな
ると考えられる。

【００３１】ワイドバンドギャップ半導体であるＧａＮ
を用いて図４に示されるようなストライプ型のＬＤを製
造する場合には、基板３１としてサファイア基板を用
い、３２〜３９の各層として、上述したＧａＡｌＡｓと
同じ導電型のＧａＮまたはＧａＡｌＮを用いる。３２〜
３９の各層のＧａＮまたはＧａＡｌＮは、適正な特性が
得られるように、Ｇａ、Ａｌ及びＮの組成比が選択され
る。

【００３２】次にＧａＮを用いてこのようなストライプ
型のＬＤを製造するのに必要なウエットエッチングにつ
いて評価を行なった結果について説明する。図５は、こ
の発明の実施の形態１のウエットエッチング方法の評価
に用いた基板の断面の構成について説明する図である。
図５において、４１はサファイア基板、４２はサファイ
ア基板４１上に形成されたｐ型ＧａＮ膜（膜厚２００ｎ
ｍ）、４３はｐ型ＧａＮ膜４２上に形成されたｎ型Ｇａ
Ｎ膜（膜厚６００ｎｍ）である。サファイア基板４１以
外はいずれも有機金属気相析出法（ＭＯ−ＣＶＤ）によ
り積層したものを用いた。エッチング液１５としては１
Ｍの水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を用い、エッチン
グ槽１６としてはフッ素樹脂製のものを用いた。評価に
用いた基板の裏面側は導電性がないサファイア基板であ
るため、基板側電極１３は基板１１の表面側にコンタク
トするようにした。

【００３３】光ファイバー１９の先端より出射したＵＶ
レーザー光２１は基板１１にスポット状に照射され、半
導体層により光が吸収されることにより、半導体層内で
伝導体の電子と正孔を形成し、エッチングが進行する。
ここで、光ファイバー１９の先端の電極１９ａと基板１
１との間に３Ｖの電圧を印加することによって、エッチ
ング反応を加速し、光ファイバー先端部近傍で局部的に
エッチングを進行させることができた。

【００３４】光ファイバー１９の先端部を移動させるこ
とにより、溝等のパターンを形成することが可能であ
る。また、エッチングしながら深さ方向に光ファイバー
を移動することによって、アスペクト比の高い構造を形
成できた。

【００３５】図６は、この発明の実施の形態１の効果を
説明する図であり、その（ａ）は従来の方法で図５に示
す構成の基板をエッチングした場合の断面形状を示す
図、その（ｂ）は実施の形態１の方法で図５に示す構成
の基板をエッチングした場合の断面形状を示す図であ
る。図６（ａ）は、開口幅が１μｍのレジストマスクを
ＧａＮ上に形成してエッチングした場合の断面形状であ
り、横方向へのエッチングが進行する。このため得られ
る溝４４の加工精度は悪い。図６（ｂ）は、上述した実
施の形態１の方法により、幅が１μｍの光をＧａＮに照
射した場合の断面形状であり、横方向へのエッチングは
進行しない。このため得られる溝４５はほぼ垂直な形状
であり、加工精度が優れ、アスペクト比が高い形状を得
ることができた。実施の形態１の方法により、ＬＤの製
造において求められる加工精度±０．１μｍを実現する
ことができることを確認できた。

【００３６】このような本発明の実施の形態１のエッチ
ング方法をストライプ型のＬＤのストライプ窓を形成す
る工程に適用することにより、ストライプ窓の形成にお
いて求められる加工精度を満たすことができるととも
に、アスペクト比の大きい構造のＬＤを得ることができ
る。

【００３７】このように、この発明の実施の形態１の方
法によれば、光ファイバー１９の先端をエッチング液中
に浸漬させて基板１１とを接近させた状態で光を照射す
ることにより、エッチング液中での光の拡散を防ぐこと
ができ、加工精度が優れたエッチングをすることができ
る。さらに、エッチング中に電圧を印加することによ
り、エッチング速度を高めることができる。このような
エッチング方法を用いることにより、半導体層としてＧ
ａＮを用いた場合でもストライプ型のＬＤを製造するこ
とができる。

【００３８】実施の形態２．図７は、この発明の実施の
形態２のウエットエッチング方法の評価に用いた基板の
断面の構成について説明する図である。図７において、
５１はＳｉ基板、５２はＳｉ基板５１上に形成されたｐ
型ＳｉＣ膜（膜厚２００ｎｍ）、５３はｐ型ＳｉＣ膜５
２上に形成されるｎ型ＳｉＣ膜（膜厚６００ｎｍ）であ
る。Ｓｉ基板５１以外はいずれも有機金属気相析出法
（ＭＯ−ＣＶＤ）により積層したものを用いた。

【００３９】エッチング液１５としては、２．５％のＨ
Ｆ水溶液を使用した。この場合、光ファイバー１９の先
端の電極１９ａと基板との間に３Ｖの電圧を印加しつ
つ、上述した実施の形態１のＧａＮのエッチングと同様
のエッチングを行なったところ、アスペクト比が高く、
ＬＤの製造において求められる加工精度±０．１μｍを
実現できることがわかった。

【００４０】なお、エッチング液としては、光照射した
際に半導体内に形成される正孔を消費してウエットエッ
チングを進行させる溶液を用いることができる。

【００４１】このようなエッチング液として硫酸または
クエン酸を用いることができる。また、反応を促進する
ために、過酸化水素をエッチング液に添加しても良い。

【００４２】また、エッチング液としてフッ酸と単体で
はＧａＮをエッチングしない酸との混合溶液を用いても
同様の効果が得られる。リン酸とフッ酸、塩酸とフッ
酸、硫酸とフッ酸、酒石酸とフッ酸、酢酸とフッ酸、蟻
酸とフッ酸の組み合わせでも良い。

【００４３】このような酸を混合したエッチング液に反
応を促進するために過酸化水素を加えても良い。また、
エッチレートを低減させるために水または水酸化ナトリ
ウム、フッ化アンモニウムで希釈しても良い。

【００４４】また、ウエットエッチングする材料として
は上述したＧａＮやＳｉＣに限られるものではなく、ガ
リウム砒素（ＧａＡｓ）、アルミガリウム砒素（ＡｌＧ
ａＡｓ）、インジウム燐（ＩｎＰ）、インジウムガリウ
ム燐（ＩｎＧａＰ）、ガリウムアルミ燐（ＧａＡｌ
Ｐ）、Ｓｉ、アルミガリウムインジウム燐（ＡｌＧａＩ
ｎＰ）でも良い。これらの半導体層を用いた場合にも、
ｐ型の半導体層上にｎ型の半導体層が形成された構成に
おいて、ｎ型の半導体層のエッチングを上述した実施の
形態１と同様の方法を用いて行なうことにより、図４と
同様の構成からなるストライプ型のＬＤを製造すること
ができる。

【００４５】また、ウエットエッチングする半導体層の
作製方法として、上述したＭＯ−ＣＶＤによる作製方法
以外に、分子線エピタキシ法（ＭＢＥ）、チョクラルス
キー法（ＣＺ）を用いても良い。これらの場合にも上述
した実施の形態１と同様に半導体層を優れた加工精度で
ウエットエッチングできるとともに、高アスペクト比の
エッチング断面形状を得ることができる。

【００４６】

【発明の効果】この発明に係る半導体装置の製造方法
は、半導体層が形成された基板をエッチング液に浸漬
し、半導体層の所望の部分にエッチング液中から出射さ
れた半導体層のバンドギャップ以上のエネルギーを有す
る光を照射し、この光が照射された部分の半導体層をエ
ッチングすることにより、半導体層を所望のパターンに
加工するので、半導体層を優れた加工精度でエッチング
することができる。

【００４７】また、光の照射を光ファイバーを用いて行
なうことにより、エッチング液中からの半導体層のバン
ドギャップ以上のエネルギーを有する光の出射を簡便で
かつ確実に行なうことができる。

【００４８】また、半導体層に対向して設けられた電極
と基板との間に電圧印加した状態でバンドギャップ以上
のエネルギーを有する光を照射することにより、半導体
層のエッチング速度を高めることができる。

【００４９】また、光ファイバーの先端に電極を設ける
ことにより、光照射部の近傍に簡便に電圧を印加するこ
とができる。

【００５０】この発明に係るエッチング装置は、半導体
層が形成された基板をエッチング液に浸漬して保持する
基板保持部と、半導体層のバンドギャップ以上のエネル
ギーを有する光を出射する光源と、この光源から出射さ
れた光をエッチング液中に導き半導体層に照射する光フ
ァイバーとを備えるので、半導体層を優れた加工精度で
エッチングすることができる。

【００５１】また、光ファイバーの先端に電極が設けら
れ、この電極と基板間に電圧を印加し得るように構成さ
れるので、半導体層のエッチング速度を高めることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１のウエットエッチン
グ装置の構成を示す図である。

【図２】 この発明の実施の形態１のウエットエッチン
グ装置に用いられる光ファイバーの先端部の構成を説明
する図である。

【図３】 この発明の実施の形態１のウエットエッチン
グ方法におけるｎ型半導体の電子バンド構造を説明する
図である。

【図４】 この発明を用いて製造する半導体装置の断面
の構成の一例を示す図である。

【図５】 この発明の実施の形態１のウエットエッチン
グ方法の評価に用いた基板の断面の構成について説明す
る図である。

【図６】 この発明の実施の形態１の効果を説明する図
であり、その（ａ）は従来の方法でエッチングした場合
の断面形状を示す図、その（ｂ）は実施の形態１の方法
でエッチングした場合の断面形状を示す図である。

【図７】 この発明の実施の形態２のウエットエッチン
グ方法の評価に用いた基板の断面の構成について説明す
る図である。

【図８】 ウエットエッチング時におけるｎ型半導体の
電子バンド構造を説明する図であり、その（ａ）はバン
ドギャップ以上のエネルギーの光の非照射時の電子バン
ド構造、その（ｂ）はバンドギャップ以上のエネルギー
の光の照射時の電子バンド構造を説明する図である。

【図９】 従来のエッチング方法について説明する図で
ある。

【符号の説明】

１１ 基板、１５ エッチング液、１９ 光ファイバ
ー、１９ａ 電極。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面に半導体層が形成された基板をエッ
   チング液に浸漬し、上記半導体層の所望の部分に上記エ
   ッチング液中から出射された上記半導体層のバンドギャ
   ップ以上のエネルギーを有する光を照射し、この光が照
   射された部分の半導体層を上記エッチング液中へ溶解さ
   せてエッチングする工程を備えてなる半導体装置の製造
   方法。
2. 【請求項２】 光の照射が光ファイバーを用いて行われ
   てなる請求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 半導体層に対向して配置される電極と基
   板との間に電圧印加した状態でバンドギャップ以上のエ
   ネルギーを有する光の照射が行われてなる請求項１また
   は２記載の半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 半導体層に対向して配置される電極が、
   光ファイバーの先端に設けられてなる請求項３記載の半
   導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 半導体層が形成された基板をエッチング
   液に浸漬して保持する基板保持部と、上記半導体層のバ
   ンドギャップ以上のエネルギーを有する光を出射する光
   源と、この光源から出射された光を上記エッチング液中
   に導き上記半導体層に照射する光ファイバーと、を備え
   てなるエッチング装置。
6. 【請求項６】 光ファイバーの先端に電極が設けられ、
   この電極と基板間に電圧を印加し得るように構成されて
   なる請求項５記載のエッチング装置。