JP2000114654A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JP2000114654A JP2000114654A JP10277741A JP27774198A JP2000114654A JP 2000114654 A JP2000114654 A JP 2000114654A JP 10277741 A JP10277741 A JP 10277741A JP 27774198 A JP27774198 A JP 27774198A JP 2000114654 A JP2000114654 A JP 2000114654A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＯＭＤ現象を抑制した、高出力かつ高信頼
動作の半導体レーザ装置を実現する。 【解決の手段】 ＧａＡｓ基板１上に、基板に格子整合
するか引っ張り歪を有するＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1
（０＜ｘ１≦０．３、０＜ｙ１≦０．５）活性層と、活
性層よりバンドギャップが大きく、基板に格子整合する
Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子光導波層３および５と、
基板に格子整合するＧａ1-z1Ａｌz1Ａｓ（０．５５≦ｚ
１≦０．８）クラッド層２，６，および７を設け、さら
に光共振器の端面及びその近傍にＢあるいはＮのイオン
注入とその後の加熱により無秩序化した窓構造部１１を
設ける。
動作の半導体レーザ装置を実現する。 【解決の手段】 ＧａＡｓ基板１上に、基板に格子整合
するか引っ張り歪を有するＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1
（０＜ｘ１≦０．３、０＜ｙ１≦０．５）活性層と、活
性層よりバンドギャップが大きく、基板に格子整合する
Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子光導波層３および５と、
基板に格子整合するＧａ1-z1Ａｌz1Ａｓ（０．５５≦ｚ
１≦０．８）クラッド層２，６，および７を設け、さら
に光共振器の端面及びその近傍にＢあるいはＮのイオン
注入とその後の加熱により無秩序化した窓構造部１１を
設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ装置に
関し、特に半導体レーザ装置を構成する光共振器の構造
の改良に関するものである。
関し、特に半導体レーザ装置を構成する光共振器の構造
の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザ装置は情報機器、光
通信をはじめ、医療や印刷など用途が広がってきている
が、これらの用途のほとんどにおいて、半導体レーザ装
置には高出力動作および高信頼性動作の両立が要求され
ている。半導体レーザ装置の高出力動作については、例
えば、Ｊ．Ｋ．Ｗａｄｅ等（アプライド・フィジックス
・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ
ｔｅｒｓ）誌第７２巻第１号４〜６頁（１９９８年））
は、順方向バイアスにより注入されたキャリアが発光再
結合を行う活性層がＩｎＧａＡｓＰであり、光の閉じ込
めを行うクラッド層がＩｎＡｌＧａＰであり、活性層の
光密度を低減させる光導波層がＩｎＧａＰである半導体
レーザ装置において、光導波層の厚みを大きくとったＬ
ＯＣ（Ｌａｒｇｅ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ）構
造を採用して、８０５ｎｍ帯で６．１Ｗの最高出力を得
たことを報告している。この半導体レーザ装置は、光が
閉じ込められる領域である活性層及び光導波層がいずれ
もＡｌを組成に含まないIII−Ｖ族半導体で形成されて
いるため、レーザ発振を行う光共振器端面でのダークラ
イン欠陥の運動による性能劣化を生じにくい。
通信をはじめ、医療や印刷など用途が広がってきている
が、これらの用途のほとんどにおいて、半導体レーザ装
置には高出力動作および高信頼性動作の両立が要求され
ている。半導体レーザ装置の高出力動作については、例
えば、Ｊ．Ｋ．Ｗａｄｅ等（アプライド・フィジックス
・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ
ｔｅｒｓ）誌第７２巻第１号４〜６頁（１９９８年））
は、順方向バイアスにより注入されたキャリアが発光再
結合を行う活性層がＩｎＧａＡｓＰであり、光の閉じ込
めを行うクラッド層がＩｎＡｌＧａＰであり、活性層の
光密度を低減させる光導波層がＩｎＧａＰである半導体
レーザ装置において、光導波層の厚みを大きくとったＬ
ＯＣ（Ｌａｒｇｅ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ）構
造を採用して、８０５ｎｍ帯で６．１Ｗの最高出力を得
たことを報告している。この半導体レーザ装置は、光が
閉じ込められる領域である活性層及び光導波層がいずれ
もＡｌを組成に含まないIII−Ｖ族半導体で形成されて
いるため、レーザ発振を行う光共振器端面でのダークラ
イン欠陥の運動による性能劣化を生じにくい。
【０００３】ところで光共振器端面には表面準位が多
く、端面近傍の活性層に注入されたキャリアはこの表面
準位を介した非発光再結合により失われるので、活性層
の端面近傍のキャリア密度は内部に比べて小さくなる。
よって注入キャリア密度の高い活性層内部で発生するレ
ーザ光の波長に対して、活性層の端面近傍は光吸収領域
となる。高出力レーザのように注入キャリア密度が大き
くなると光密度が高くなり、レーザ光吸収による光吸収
領域の局所的発熱も大きくなるため、光吸収領域の温度
が上昇しバンドギャップは狭くなる。この結果活性層の
端面近傍のレーザ光波長に対する吸収係数は増大し、吸
収されるレーザ光量がさらに増加して、光吸収領域の温
度はさらに上昇する。これは正帰還過程であり、ついに
は端面が破壊される。これはＣＯＭＤ（Ｃａｔａｓｔｒ
ｏｐｈｉｃ ｏｐｔｉｃａｌ ｍｉｒｒｏｒ ｄａｍａ
ｇｅ）現象と呼ばれ、前記Ｗａｄｅ等の報告した高出力
半導体レーザはこのＣＯＭＤ現象により発振が停止し
た。すなわち、高出力動作半導体レーザが同時に高信頼
性を獲得するにはこのＣＯＭＤ現象の抑制が必須であ
る。
く、端面近傍の活性層に注入されたキャリアはこの表面
準位を介した非発光再結合により失われるので、活性層
の端面近傍のキャリア密度は内部に比べて小さくなる。
よって注入キャリア密度の高い活性層内部で発生するレ
ーザ光の波長に対して、活性層の端面近傍は光吸収領域
となる。高出力レーザのように注入キャリア密度が大き
くなると光密度が高くなり、レーザ光吸収による光吸収
領域の局所的発熱も大きくなるため、光吸収領域の温度
が上昇しバンドギャップは狭くなる。この結果活性層の
端面近傍のレーザ光波長に対する吸収係数は増大し、吸
収されるレーザ光量がさらに増加して、光吸収領域の温
度はさらに上昇する。これは正帰還過程であり、ついに
は端面が破壊される。これはＣＯＭＤ（Ｃａｔａｓｔｒ
ｏｐｈｉｃ ｏｐｔｉｃａｌ ｍｉｒｒｏｒ ｄａｍａ
ｇｅ）現象と呼ばれ、前記Ｗａｄｅ等の報告した高出力
半導体レーザはこのＣＯＭＤ現象により発振が停止し
た。すなわち、高出力動作半導体レーザが同時に高信頼
性を獲得するにはこのＣＯＭＤ現象の抑制が必須であ
る。
【０００４】ＣＯＭＤ現象の抑制を意図した半導体レー
ザ装置として、例えば端面に不純物を拡散して無秩序化
した窓構造部を有する半導体レーザ装置が提案されてい
る。
ザ装置として、例えば端面に不純物を拡散して無秩序化
した窓構造部を有する半導体レーザ装置が提案されてい
る。
【０００５】ここで無秩序化するとは、バンドギャップ
の小さい活性層と活性層をはさむバンドギャップの大き
い層の各々の層の組成元素を拡散させて活性層を混晶層
とすることである。
の小さい活性層と活性層をはさむバンドギャップの大き
い層の各々の層の組成元素を拡散させて活性層を混晶層
とすることである。
【０００６】本構造によれば、光共振器内でレーザ発振
した光は、不純物が拡散された光共振器端面、すなわち
窓からレーザ光として出射される。ここで窓構造部は無
秩序化されているため、活性層のバンドギャップが無秩
序化されていない（すなわち混晶化されていない）内部
より増大しており、光共振器端面におけるレーザ光の光
吸収が減少し、従ってＣＯＭＤ現象が抑制され、高信頼
性動作が可能となる。
した光は、不純物が拡散された光共振器端面、すなわち
窓からレーザ光として出射される。ここで窓構造部は無
秩序化されているため、活性層のバンドギャップが無秩
序化されていない（すなわち混晶化されていない）内部
より増大しており、光共振器端面におけるレーザ光の光
吸収が減少し、従ってＣＯＭＤ現象が抑制され、高信頼
性動作が可能となる。
【０００７】上記の様に、窓構造型半導体レーザ装置で
は不純物の拡散により端面の無秩序化を行っている。活
性層の不純物濃度が不十分な場合、窓構造部の無秩序化
が不完全なためバンドギャップが大きくならず、光吸収
の低減効果は小さい。
は不純物の拡散により端面の無秩序化を行っている。活
性層の不純物濃度が不十分な場合、窓構造部の無秩序化
が不完全なためバンドギャップが大きくならず、光吸収
の低減効果は小さい。
【０００８】ここで無秩序化が不完全とは、活性層とそ
れをはさむ２つの層との界面から活性層の厚さ方向に進
む混晶化が活性層の厚みを覆いつくすに至らず、混晶化
されない領域が残ることをいう。
れをはさむ２つの層との界面から活性層の厚さ方向に進
む混晶化が活性層の厚みを覆いつくすに至らず、混晶化
されない領域が残ることをいう。
【０００９】一方不純物濃度の増大に伴い窓構造部の無
秩序化は進むが、自由キャリア吸収の増加やバンドテー
ルの増大もおこるために、全体として光吸収は増大し、
閾値電流の増大、スロープ効率の低下が深刻となる。ま
たイオン注入による窓構造部への不純物の導入は、注入
不純物種の原子量が大きいほど、また注入する深さが深
いほど、高いエネルギーでの注入が必要となり、注入不
純物量の増加とともに窓構造部に誘起される結晶欠陥数
が増加し、結晶欠陥を起因とする半導体レーザ装置の劣
化が生じてしまう。すなわち、従来の窓構造型半導体レ
ーザ装置では端面の無秩序化を進めるほど、発振特性が
悪化する。
秩序化は進むが、自由キャリア吸収の増加やバンドテー
ルの増大もおこるために、全体として光吸収は増大し、
閾値電流の増大、スロープ効率の低下が深刻となる。ま
たイオン注入による窓構造部への不純物の導入は、注入
不純物種の原子量が大きいほど、また注入する深さが深
いほど、高いエネルギーでの注入が必要となり、注入不
純物量の増加とともに窓構造部に誘起される結晶欠陥数
が増加し、結晶欠陥を起因とする半導体レーザ装置の劣
化が生じてしまう。すなわち、従来の窓構造型半導体レ
ーザ装置では端面の無秩序化を進めるほど、発振特性が
悪化する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】III−Ｖ族化合物半導
体レーザ装置においては、窓構造部を形成するため端面
に注入するイオン種を活性層の構成元素と同じIII族ま
たはＶ族とすることにより、自由キャリア吸収による光
吸収を低減できることが知られている。
体レーザ装置においては、窓構造部を形成するため端面
に注入するイオン種を活性層の構成元素と同じIII族ま
たはＶ族とすることにより、自由キャリア吸収による光
吸収を低減できることが知られている。
【００１１】この事実を利用して上記従来の窓構造型半
導体レーザ装置の難点を克服しようとする試みが多くな
されている。たとえば生駒等（１９９７年秋応用物理学
会講演会（予稿集４ａ−ＺＣ−１１））は、ＩｎＧａＡ
ｓ量子井戸活性層を有する９８０ｎｍ帯半導体レーザ装
置の端面に、Ｖ族のＮ（化学的原子量：１４．０）イオ
ン注入とその後の拡散により窓構造部を形成した半導体
レーザ装置を報告しているが、活性層の端面と内部のバ
ンドギャップ・エネルギー差ΔＥｇは５０ｍｅＶと小さ
い。また沢野等（特許公開平７−２４９８２７号）は、
ＧａＡｓ基板上に有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法に
より形成したＧａＩｎＰ自然超格子量子井戸活性層を有
する赤色半導体レーザ装置の端面にＮまたはIII族のＢ
（化学的原子量：１０．８）イオン注入及びその後のア
ニールにより窓構造部を形成した半導体レーザ装置を開
示しているが、無秩序化が容易な自然超格子を用いた本
構造でさえΔＥｇは６０ｍｅＶと小さい。
導体レーザ装置の難点を克服しようとする試みが多くな
されている。たとえば生駒等（１９９７年秋応用物理学
会講演会（予稿集４ａ−ＺＣ−１１））は、ＩｎＧａＡ
ｓ量子井戸活性層を有する９８０ｎｍ帯半導体レーザ装
置の端面に、Ｖ族のＮ（化学的原子量：１４．０）イオ
ン注入とその後の拡散により窓構造部を形成した半導体
レーザ装置を報告しているが、活性層の端面と内部のバ
ンドギャップ・エネルギー差ΔＥｇは５０ｍｅＶと小さ
い。また沢野等（特許公開平７−２４９８２７号）は、
ＧａＡｓ基板上に有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法に
より形成したＧａＩｎＰ自然超格子量子井戸活性層を有
する赤色半導体レーザ装置の端面にＮまたはIII族のＢ
（化学的原子量：１０．８）イオン注入及びその後のア
ニールにより窓構造部を形成した半導体レーザ装置を開
示しているが、無秩序化が容易な自然超格子を用いた本
構造でさえΔＥｇは６０ｍｅＶと小さい。
【００１２】上記の２例から明らかなように、III族の
ＢまたはＶ族のＮのイオン注入及びその後のアニールま
たは拡散により作られる活性層の端面と内部のバンドギ
ャップエネルギー差ΔＥｇは、レーザ発振光の端面での
光吸収を十分に低減できる大きさになっていない。すな
わち、原子量が大きく、結晶欠陥を誘起しやすいが無秩
序化も実現しやすいＶ族のＰ（化学的原子量：３１．
０）またはＡｓ（化学的原子量：７４．９）に比べて、
原子量が小さく結晶欠陥を誘起しにくいIII族のＢまた
はＶ族のＮでは、窓構造部の十分な無秩序化を実現する
のは極めて困難であることが、上記の２例から示され
る。
ＢまたはＶ族のＮのイオン注入及びその後のアニールま
たは拡散により作られる活性層の端面と内部のバンドギ
ャップエネルギー差ΔＥｇは、レーザ発振光の端面での
光吸収を十分に低減できる大きさになっていない。すな
わち、原子量が大きく、結晶欠陥を誘起しやすいが無秩
序化も実現しやすいＶ族のＰ（化学的原子量：３１．
０）またはＡｓ（化学的原子量：７４．９）に比べて、
原子量が小さく結晶欠陥を誘起しにくいIII族のＢまた
はＶ族のＮでは、窓構造部の十分な無秩序化を実現する
のは極めて困難であることが、上記の２例から示され
る。
【００１３】本発明の目的は、活性層及び光導波層をＡ
ｌを組成に含まないIII−Ｖ族化合物半導体層とするこ
とで光共振器端面におけるダークライン欠陥の運動によ
る性能劣化を防止し、原子量の小さいIII族のＢまたは
Ｖ族のＮのイオン注入及びその後の加熱工程により、活
性層端面に活性層内部に対してΔＥｇが大きな領域を容
易に形成でき、従って端面における光吸収を最小限にと
どめ、よってＣＯＭＤ現象を抑制することにより、高出
力かつ高信頼性の動作が可能な０．８μｍ帯の半導体レ
ーザ装置の構造を提供することにある。
ｌを組成に含まないIII−Ｖ族化合物半導体層とするこ
とで光共振器端面におけるダークライン欠陥の運動によ
る性能劣化を防止し、原子量の小さいIII族のＢまたは
Ｖ族のＮのイオン注入及びその後の加熱工程により、活
性層端面に活性層内部に対してΔＥｇが大きな領域を容
易に形成でき、従って端面における光吸収を最小限にと
どめ、よってＣＯＭＤ現象を抑制することにより、高出
力かつ高信頼性の動作が可能な０．８μｍ帯の半導体レ
ーザ装置の構造を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザ装置は、ＧａＡｓ基板上に、少なくともクラッド層、
光導波層、活性層、光導波層、およびクラッド層をこの
順に積層した光共振器を構成してなる半導体レーザ装置
において、前記各クラッド層が前記ＧａＡｓ基板に格子
整合するＧａ1-z1Ａｌz1Ａｓ（０．５５≦ｚ１≦０．
８）またはＩｎx3(Ａｌz3Ｇａ1-z3)1-x3Ａｓ1-y3Ｐ
y3（０．３＜ｘ３＜０．５，０．６＜ｙ３≦１，０＜ｚ
３≦１）であり、 前記各光導波層が前記活性層よりバ
ンドギャップが大きく、 前記ＧａＡｓ基板に格子整合
し、自然超格子を形成するＩｎx2Ｇａ1-x2Ｐであり、前
記活性層が前記ＧａＡｓ基板に格子整合するか、あるい
は引っ張り歪を生じるＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1（０
＜ｘ１≦０．３， ０＜ｙ１≦０．５）であって、前記
活性層の前記光共振器端面及び該端面近傍が前記光共振
器内部よりバンドギャップの大きい窓構造部を有するこ
とを特徴とするものである。
ザ装置は、ＧａＡｓ基板上に、少なくともクラッド層、
光導波層、活性層、光導波層、およびクラッド層をこの
順に積層した光共振器を構成してなる半導体レーザ装置
において、前記各クラッド層が前記ＧａＡｓ基板に格子
整合するＧａ1-z1Ａｌz1Ａｓ（０．５５≦ｚ１≦０．
８）またはＩｎx3(Ａｌz3Ｇａ1-z3)1-x3Ａｓ1-y3Ｐ
y3（０．３＜ｘ３＜０．５，０．６＜ｙ３≦１，０＜ｚ
３≦１）であり、 前記各光導波層が前記活性層よりバ
ンドギャップが大きく、 前記ＧａＡｓ基板に格子整合
し、自然超格子を形成するＩｎx2Ｇａ1-x2Ｐであり、前
記活性層が前記ＧａＡｓ基板に格子整合するか、あるい
は引っ張り歪を生じるＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1（０
＜ｘ１≦０．３， ０＜ｙ１≦０．５）であって、前記
活性層の前記光共振器端面及び該端面近傍が前記光共振
器内部よりバンドギャップの大きい窓構造部を有するこ
とを特徴とするものである。
【００１５】前記活性層の歪と厚さの積が、引っ張り歪
側に０以上０．１５ｎｍ以下であることが望ましい。
側に０以上０．１５ｎｍ以下であることが望ましい。
【００１６】また、前記窓構造部がＢまたはＮのイオン
注入と、その後の加熱工程により形成されたものである
ことが望ましい。
注入と、その後の加熱工程により形成されたものである
ことが望ましい。
【００１７】
【作用】２種の組成の異なる半導体層を積層した構造を
加熱すると、積層界面において層間の濃度差に従う組成
元素の拡散がおこり、界面に混晶が形成される。組成元
素の拡散は不純物の拡散の存在により促進され、不純物
量及び不純物質量が大きいほど促進される。
加熱すると、積層界面において層間の濃度差に従う組成
元素の拡散がおこり、界面に混晶が形成される。組成元
素の拡散は不純物の拡散の存在により促進され、不純物
量及び不純物質量が大きいほど促進される。
【００１８】組成の異なるバンドギャップの小さい半導
体とバンドギャップの大きい半導体からなる混晶半導体
のバンドギャップは、混晶比に従う中間の値となる。す
なわちバンドギャップの小さい半導体Ａとバンドギャッ
プの大きな半導体Ｂで混晶を作ると、混晶のバンドギャ
ップは半導体Ａのバンドギャップより大きい。
体とバンドギャップの大きい半導体からなる混晶半導体
のバンドギャップは、混晶比に従う中間の値となる。す
なわちバンドギャップの小さい半導体Ａとバンドギャッ
プの大きな半導体Ｂで混晶を作ると、混晶のバンドギャ
ップは半導体Ａのバンドギャップより大きい。
【００１９】自然超格子結晶は混晶化が容易であり、し
たがって自然超格子結晶にはさまれる結晶層の混晶化も
容易である。
たがって自然超格子結晶にはさまれる結晶層の混晶化も
容易である。
【００２０】半導体の結晶格子に歪が存在すると、バン
ドギャップの大きさが変わる。引っ張り歪を有する活性
層では、引っ張り歪が解放される端面でバンドギャップ
が内部より大きくなる。
ドギャップの大きさが変わる。引っ張り歪を有する活性
層では、引っ張り歪が解放される端面でバンドギャップ
が内部より大きくなる。
【００２１】活性層の引っ張り歪Δは、 Δ＝|(ａ−ａGaAs)/ａGaAs| で与えられる。ここでａは活性層の半導体結晶の格子定
数であり、ａGaAsは基板のＧａＡｓ結晶の格子定数であ
る。応力による結晶欠陥等が活性層に誘起されないため
には、活性層の厚みをｄとして ０≦Δｄ≦０．１５(ｎｍ) であることが望ましい。
数であり、ａGaAsは基板のＧａＡｓ結晶の格子定数であ
る。応力による結晶欠陥等が活性層に誘起されないため
には、活性層の厚みをｄとして ０≦Δｄ≦０．１５(ｎｍ) であることが望ましい。
【００２２】上記の条件を満足し、活性層及び光導波層
がＡｌを含まず、原子量の小さいIII族のＢまたはＶ族
のＮのイオン注入及びその後の加熱工程により、活性層
端面に活性層内部に対してΔＥｇが大きい無秩序化され
た領域を容易に形成できる半導体結晶の組合せが、２つ
のクラッド層をＧａＡｓ基板に格子整合するＧａ1-z1Ａ
ｌz1Ａｓ（０．５５≦ｚ１≦０．８）またはＩｎx3(Ａ
ｌz3Ｇａ1-z3)1-x3Ａｓ 1-y3Ｐy3（０．３＜ｘ３＜０．
５，０．６＜ｙ３≦１，０＜ｚ３≦１）とし、２つの光
導波層を活性層よりバンドギャップが大きく、 ＧａＡ
ｓ基板に格子整合し、自然超格子を形成するＩｎx2Ｇａ
1-x2Ｐとし、活性層をＧａＡｓ基板に格子整合するか、
あるいは引っ張り歪を生じる Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1
Ｐy1（０＜ｘ１≦０．３， ０＜ｙ１≦０．５）とする
ことである。
がＡｌを含まず、原子量の小さいIII族のＢまたはＶ族
のＮのイオン注入及びその後の加熱工程により、活性層
端面に活性層内部に対してΔＥｇが大きい無秩序化され
た領域を容易に形成できる半導体結晶の組合せが、２つ
のクラッド層をＧａＡｓ基板に格子整合するＧａ1-z1Ａ
ｌz1Ａｓ（０．５５≦ｚ１≦０．８）またはＩｎx3(Ａ
ｌz3Ｇａ1-z3)1-x3Ａｓ 1-y3Ｐy3（０．３＜ｘ３＜０．
５，０．６＜ｙ３≦１，０＜ｚ３≦１）とし、２つの光
導波層を活性層よりバンドギャップが大きく、 ＧａＡ
ｓ基板に格子整合し、自然超格子を形成するＩｎx2Ｇａ
1-x2Ｐとし、活性層をＧａＡｓ基板に格子整合するか、
あるいは引っ張り歪を生じる Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1
Ｐy1（０＜ｘ１≦０．３， ０＜ｙ１≦０．５）とする
ことである。
【００２３】さらに、III族のＢまたはＶ族のＮのイオ
ンが注入されたＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ及びＡｌＧ
ａＡｓは絶縁性を有する。
ンが注入されたＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ及びＡｌＧ
ａＡｓは絶縁性を有する。
【００２４】
【実施の形態】本発明の第１の実施の形態を、図１を用
いて説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態の全
面電極型半導体レーザ装置の積層構造を説明するための
構造断面図である。
いて説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態の全
面電極型半導体レーザ装置の積層構造を説明するための
構造断面図である。
【００２５】ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ｇａ1-z1Ａ
ｌz1Ａｓ下部クラッド層２，ｎ−Ｉｎ 0.48Ｇａ0.52Ｐ
自然超格子下部光導波層３，Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐ
y1量子井戸活性層４，ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格
子上部光導波層５， ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ第１上部
クラッド層６，ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ第２上部クラッ
ド層７， ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８が順次積層して
設けられている。またｎ−ＧａＡｓ基板１の表面にはｎ
側電極１０が、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８の表面には
ｐ側電極９が設けられている。さらにｎ−ＧａＡｓ基板
１を所定の光共振器長の間隔でへき開して得られる端面
には窓構造部１１が設けられ、前記端面の一方には高反
射率膜１２が、また他方には低反射率膜１３が設けられ
ている。
ｌz1Ａｓ下部クラッド層２，ｎ−Ｉｎ 0.48Ｇａ0.52Ｐ
自然超格子下部光導波層３，Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐ
y1量子井戸活性層４，ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格
子上部光導波層５， ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ第１上部
クラッド層６，ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ第２上部クラッ
ド層７， ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８が順次積層して
設けられている。またｎ−ＧａＡｓ基板１の表面にはｎ
側電極１０が、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８の表面には
ｐ側電極９が設けられている。さらにｎ−ＧａＡｓ基板
１を所定の光共振器長の間隔でへき開して得られる端面
には窓構造部１１が設けられ、前記端面の一方には高反
射率膜１２が、また他方には低反射率膜１３が設けられ
ている。
【００２６】窓構造部１１は、例えば次のようにして形
成する。 ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ第１上部クラッド層
６の形成後ｐ−ＧａＡｓキャップ層を積層し、該ｐ−Ｇ
ａＡｓキャップ層の表面をＳｉＯ2膜で被覆する。さら
に該ＳｉＯ2膜の表面をフォトレジスト膜で被覆した
後、所定の光共振器長の間隔で４０μｍ程度の幅のスト
ライプ状に前記フォトレジスト膜を除去し、Ｎイオンを
注入する。次いで残りの前記フォトレジスト膜をすべて
除去し、８５０℃、３０分程度のアニールを施すことに
より、無秩序化された領域を形成する。アニール後、前
記ＳｉＯ2膜及び前記 ｐ−ＧａＡｓキャップ層を除去
し、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ第２上部クラッド層７及び
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８を順次積層する。ｎ−Ｇａ
Ａｓ基板１のへき開を前記４０μｍ程度の幅のストライ
プの中心線に沿って行えば、へき開面に無秩序化された
領域、すなわち窓構造部１１が現れる。
成する。 ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ第１上部クラッド層
６の形成後ｐ−ＧａＡｓキャップ層を積層し、該ｐ−Ｇ
ａＡｓキャップ層の表面をＳｉＯ2膜で被覆する。さら
に該ＳｉＯ2膜の表面をフォトレジスト膜で被覆した
後、所定の光共振器長の間隔で４０μｍ程度の幅のスト
ライプ状に前記フォトレジスト膜を除去し、Ｎイオンを
注入する。次いで残りの前記フォトレジスト膜をすべて
除去し、８５０℃、３０分程度のアニールを施すことに
より、無秩序化された領域を形成する。アニール後、前
記ＳｉＯ2膜及び前記 ｐ−ＧａＡｓキャップ層を除去
し、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ第２上部クラッド層７及び
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８を順次積層する。ｎ−Ｇａ
Ａｓ基板１のへき開を前記４０μｍ程度の幅のストライ
プの中心線に沿って行えば、へき開面に無秩序化された
領域、すなわち窓構造部１１が現れる。
【００２７】なお前記ＳｉＯ2膜除去と前記アニールの
順序を逆にすることもできる。
順序を逆にすることもできる。
【００２８】前記Ｎイオン注入の注入エネルギーとドー
ズ量は、無秩序化される（すなわち混晶が作られる）領
域が少なくとも下部光導波層３まで及ぶように、前記Ｓ
ｉＯ2膜、第１上部クラッド層６、及び上部光導波層５
の厚さにより定められる。前記ｐ−ＧａＡｓキャップ層
の厚さは通常１０ｎｍ程度が選ばれるので、考慮されな
い。また結晶欠陥を誘起させないように前記Ｎイオン注
入エネルギーを下げるという観点から、第１上部クラッ
ド層６の厚さを薄くするが、それでは半導体レーザ装置
のクラッド層としての効果を得るには不足するため、さ
らに第２上部クラッド層７が設けられている。
ズ量は、無秩序化される（すなわち混晶が作られる）領
域が少なくとも下部光導波層３まで及ぶように、前記Ｓ
ｉＯ2膜、第１上部クラッド層６、及び上部光導波層５
の厚さにより定められる。前記ｐ−ＧａＡｓキャップ層
の厚さは通常１０ｎｍ程度が選ばれるので、考慮されな
い。また結晶欠陥を誘起させないように前記Ｎイオン注
入エネルギーを下げるという観点から、第１上部クラッ
ド層６の厚さを薄くするが、それでは半導体レーザ装置
のクラッド層としての効果を得るには不足するため、さ
らに第２上部クラッド層７が設けられている。
【００２９】本実施の形態によれば、Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａ
ｓ1-y1Ｐy1量子井戸活性層をＩｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超
格子光導波層ではさんでいるため、光導波層が通常の結
晶格子層である場合に比べ、穏やかな条件で原子量の小
さなＮイオンの注入を行っても、活性層を十分混晶化で
き、従って活性層に結晶欠陥等を誘起することなく、光
共振器端面に無秩序化された領域、すなわち窓構造部を
形成することができる。また活性層に引っ張り歪をもた
せることができるので、光共振器端面で歪が解放される
ことにより活性層端面及び端面近傍のバンドギャップが
内部より大きくなるという効果も得られる。
ｓ1-y1Ｐy1量子井戸活性層をＩｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超
格子光導波層ではさんでいるため、光導波層が通常の結
晶格子層である場合に比べ、穏やかな条件で原子量の小
さなＮイオンの注入を行っても、活性層を十分混晶化で
き、従って活性層に結晶欠陥等を誘起することなく、光
共振器端面に無秩序化された領域、すなわち窓構造部を
形成することができる。また活性層に引っ張り歪をもた
せることができるので、光共振器端面で歪が解放される
ことにより活性層端面及び端面近傍のバンドギャップが
内部より大きくなるという効果も得られる。
【００３０】すなわち本実施の形態によれば、活性層及
び光導波層が組成にＡｌを含まないＩｎＧａＡｓＰ及び
ＩｎＧａＰであるため、ダークライン欠陥の運動による
性能劣化の恐れが小さい。また原子量の小さいＶ族のＮ
の穏やかな条件でのイオン注入及びその後のアニールに
より活性層端面を十分に混晶化でき、従って活性層内部
に対してΔＥｇが大きい領域を容易に形成できることか
ら、端面における光吸収を最小限にとどめ、よってＣＯ
ＭＤ現象を効果的に抑制できる。さらにＮがイオン注入
されたＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ及びＡｌＧａＡｓは
絶縁性を有するので、レーザ発振の初期状態において端
面に電流が流れず、ＣＯＭＤ現象の抑制効果がさらに強
められる。
び光導波層が組成にＡｌを含まないＩｎＧａＡｓＰ及び
ＩｎＧａＰであるため、ダークライン欠陥の運動による
性能劣化の恐れが小さい。また原子量の小さいＶ族のＮ
の穏やかな条件でのイオン注入及びその後のアニールに
より活性層端面を十分に混晶化でき、従って活性層内部
に対してΔＥｇが大きい領域を容易に形成できることか
ら、端面における光吸収を最小限にとどめ、よってＣＯ
ＭＤ現象を効果的に抑制できる。さらにＮがイオン注入
されたＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ及びＡｌＧａＡｓは
絶縁性を有するので、レーザ発振の初期状態において端
面に電流が流れず、ＣＯＭＤ現象の抑制効果がさらに強
められる。
【００３１】なお本実施の形態では、窓構造部１１の無
秩序化はＮイオン注入及びその後のアニールにより行わ
れるとしたが、注入イオンは原子量の小さいIII族のＢ
としても良く、またアニールを省略して前記ＳｉＯ2膜
及び前記 ｐ−ＧａＡｓキャップ層除去後の積層工程に
おける加熱を利用しても同様な効果が得られる。
秩序化はＮイオン注入及びその後のアニールにより行わ
れるとしたが、注入イオンは原子量の小さいIII族のＢ
としても良く、またアニールを省略して前記ＳｉＯ2膜
及び前記 ｐ−ＧａＡｓキャップ層除去後の積層工程に
おける加熱を利用しても同様な効果が得られる。
【００３２】さらに下部光導波層３にｎ−Ｉｎ0.48Ｇａ
0.52Ｐ自然超格子を、また上部光導波層７にｐ−Ｉｎ
0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子を用いたが、いずれもｉ（真
性）型を用いても良い。
0.52Ｐ自然超格子を、また上部光導波層７にｐ−Ｉｎ
0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子を用いたが、いずれもｉ（真
性）型を用いても良い。
【００３３】クラッド層にはＡｌＧａＡｓ系を用いてい
るが、ｎ−ＧａＡｓ基板１に格子整合するものであれ
ば、ＩｎＧａＡｌＰ系またはＩｎＧａＡｌＡｓＰ系から
選んでも良い。
るが、ｎ−ＧａＡｓ基板１に格子整合するものであれ
ば、ＩｎＧａＡｌＰ系またはＩｎＧａＡｌＡｓＰ系から
選んでも良い。
【００３４】また本第１の実施の形態では単一量子井戸
型としたが、第１ＩｎＧａＰ自然超格子障壁層、第１引
っ張り歪量子井戸活性層（歪Δ、厚さｄ）、第２ＩｎＧ
ａＰ自然超格子障壁層、第２引っ張り歪量子井戸活性層
（歪Δ、厚さｄ）、・・・、第ＮＩｎＧａＰ自然超格子
障壁層、第Ｎ引っ張り歪量子井戸活性層（歪Δ、厚さ
ｄ）、第Ｎ＋１ＩｎＧａＰ自然超格子障壁層という繰り
返し構造を有する多重量子井戸構造を用いることができ
る。この場合、 ０≦ＮΔｄ≦０．１５(ｎｍ) であれば、内部応力により各引っ張り歪量子井戸活性層
に結晶欠陥等が誘起されることはない。
型としたが、第１ＩｎＧａＰ自然超格子障壁層、第１引
っ張り歪量子井戸活性層（歪Δ、厚さｄ）、第２ＩｎＧ
ａＰ自然超格子障壁層、第２引っ張り歪量子井戸活性層
（歪Δ、厚さｄ）、・・・、第ＮＩｎＧａＰ自然超格子
障壁層、第Ｎ引っ張り歪量子井戸活性層（歪Δ、厚さ
ｄ）、第Ｎ＋１ＩｎＧａＰ自然超格子障壁層という繰り
返し構造を有する多重量子井戸構造を用いることができ
る。この場合、 ０≦ＮΔｄ≦０．１５(ｎｍ) であれば、内部応力により各引っ張り歪量子井戸活性層
に結晶欠陥等が誘起されることはない。
【００３５】上記第１の実施の形態は単純な全面電極型
半導体レーザ装置について記述しているが、本構成にさ
らに絶縁膜ストライプを付加した利得導波型ストライプ
レーザ装置を構成すること、あるいは通常の半導体プロ
セスを用いて屈折率導波機構付半導体レーザ装置、回折
格子付半導体レーザ装置、さらには光集積回路を得るこ
とも可能である。
半導体レーザ装置について記述しているが、本構成にさ
らに絶縁膜ストライプを付加した利得導波型ストライプ
レーザ装置を構成すること、あるいは通常の半導体プロ
セスを用いて屈折率導波機構付半導体レーザ装置、回折
格子付半導体レーザ装置、さらには光集積回路を得るこ
とも可能である。
【００３６】次に本発明の第２の実施の形態を、図２を
用いて説明する。図２は、本発明の第２の実施の形態の
リッジストライプ型半導体レーザ装置の積層構造を説明
するための斜視構造断面図である。
用いて説明する。図２は、本発明の第２の実施の形態の
リッジストライプ型半導体レーザ装置の積層構造を説明
するための斜視構造断面図である。
【００３７】ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ｇａ1-z1Ａ
ｌz1Ａｓ下部クラッド層２，ｎ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自
然超格子下部光導波層３，Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1
量子井戸活性層４，ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子
上部光導波層５，ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ第１上部クラ
ッド層６，ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ第２上部クラッド層
７，ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐエッチング阻止層２２が順
次積層して設けられている。ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐエ
ッチング阻止層２２上には上部の幅が約３μｍの、 ｐ
−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ第３上部クラッド層２１及びｐ−
ＧａＡｓコンタクト層８の積層構造を有するリッジスト
ライプが設けられている。該リッジストライプの側面及
びｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐエッチング阻止層２２の表面
は絶縁膜２３によって被覆されている。さらにｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層８の表面及び絶縁膜２３の表面は、ｐ
側電極９により覆われ、またｎ−ＧａＡｓ基板１の表面
にはｎ側電極１０が設けられている。さらにｎ−ＧａＡ
ｓ基板１を所定の光共振器長の間隔でへき開して得られ
る端面には窓構造部１１が設けられ、前記端面の一方に
は高反射率膜１２が、また他方には低反射率膜１３が設
けられている。上部光導波層５、第１上部クラッド層
６、及び第２上部クラッド層７の厚さは、光共振器中央
部のリッジ構造幅の導波路で単一基本モードによる屈折
率導波が高出力まで維持できる厚さである。
ｌz1Ａｓ下部クラッド層２，ｎ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自
然超格子下部光導波層３，Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1
量子井戸活性層４，ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子
上部光導波層５，ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ第１上部クラ
ッド層６，ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ第２上部クラッド層
７，ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐエッチング阻止層２２が順
次積層して設けられている。ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐエ
ッチング阻止層２２上には上部の幅が約３μｍの、 ｐ
−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ第３上部クラッド層２１及びｐ−
ＧａＡｓコンタクト層８の積層構造を有するリッジスト
ライプが設けられている。該リッジストライプの側面及
びｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐエッチング阻止層２２の表面
は絶縁膜２３によって被覆されている。さらにｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層８の表面及び絶縁膜２３の表面は、ｐ
側電極９により覆われ、またｎ−ＧａＡｓ基板１の表面
にはｎ側電極１０が設けられている。さらにｎ−ＧａＡ
ｓ基板１を所定の光共振器長の間隔でへき開して得られ
る端面には窓構造部１１が設けられ、前記端面の一方に
は高反射率膜１２が、また他方には低反射率膜１３が設
けられている。上部光導波層５、第１上部クラッド層
６、及び第２上部クラッド層７の厚さは、光共振器中央
部のリッジ構造幅の導波路で単一基本モードによる屈折
率導波が高出力まで維持できる厚さである。
【００３８】本第２の実施の形態では窓構造の形成は第
１の実施の形態と同じく、 ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ第
１上部クラッド層６の形成後に行われる。
１の実施の形態と同じく、 ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ第
１上部クラッド層６の形成後に行われる。
【００３９】本第２の実施の形態の構造により、単一横
モードが保たれた高出力レーザ光を得ることができる
が、さらにストライプ幅を広げたマルチモード発振半導
体レーザ装置についてもについても適用可能である。
モードが保たれた高出力レーザ光を得ることができる
が、さらにストライプ幅を広げたマルチモード発振半導
体レーザ装置についてもについても適用可能である。
【００４０】なお、下部光導波層３にｎ−Ｉｎ0.48Ｇａ
0.52Ｐ自然超格子を、また上部光導波層７にｐ−Ｉｎ
0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子を用いたが、いずれもｉ（真
性）型を用いても良く、またクラッド層にはＡｌＧａＡ
ｓ系を用いているが、ｎ−ＧａＡｓ基板１に格子整合す
るものであれば、ＩｎＧａＡｌＰ系またはＩｎＧａＡｌ
ＡｓＰ系から選んでも良い。さらに単一量子井戸型活性
層を多重量子井戸型活性層で置き換えることも可能であ
る。
0.52Ｐ自然超格子を、また上部光導波層７にｐ−Ｉｎ
0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子を用いたが、いずれもｉ（真
性）型を用いても良く、またクラッド層にはＡｌＧａＡ
ｓ系を用いているが、ｎ−ＧａＡｓ基板１に格子整合す
るものであれば、ＩｎＧａＡｌＰ系またはＩｎＧａＡｌ
ＡｓＰ系から選んでも良い。さらに単一量子井戸型活性
層を多重量子井戸型活性層で置き換えることも可能であ
る。
【００４１】次に本発明の第３の実施の形態を、図３を
用いて説明する。図３は、本発明の第３の実施の形態の
埋込ストライプ型半導体レーザ装置の積層構造を説明す
るための斜視構造断面図である。
用いて説明する。図３は、本発明の第３の実施の形態の
埋込ストライプ型半導体レーザ装置の積層構造を説明す
るための斜視構造断面図である。
【００４２】ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ｇａ1-z1Ａ
ｌz1Ａｓ下部クラッド層２，ｎ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自
然超格子下部光導波層３，Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1
量子井戸活性層４，ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子
上部光導波層５，ｐ−Ｉｎx3（Ｇａ1-z3Ａｌz3）1-x3Ａ
ｓ0.2Ｐ0.8第１上部クラッド層３１，ｐ−Ｉｎx3（Ｇａ
1-z3Ａｌz3）1-x3Ａｓ0.2Ｐ0.8第２上部クラッド層３
２，ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐエッチング阻止層２２が順
次積層して設けられている。ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐエ
ッチング阻止層２２上には上部の幅が約３μｍの、ｐ−
Ｉｎx3（Ｇａ1-z3Ａｌz3）1-x3Ａｓ0.2Ｐ0.8第３上部ク
ラッド層３３及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層８の積層構
造を有する埋込ストライプが設けられている。ｐ−Ｉｎ
0.48Ｇａ0.52Ｐエッチング阻止層２２の表面には選択成
長によるｎ−Ｉｎx5（Ｇａ1-z5Ａｌz5）1-x5Ｐ電流狭窄
層３５が設けられ、順方向電流を埋込ストライプ内部に
制限する。さらにｐ−ＧａＡｓコンタクト層８の表面及
びｎ−Ｉｎx5 （Ｇａ1-z5Ａｌz5）1-x5Ｐ 電流狭窄層３
５表面は第２のｐ−ＧａＡｓコンタクト層３４で被覆さ
れ、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層３４表面にはｐ側電極９
が設けられている。ｎ−ＧａＡｓ基板１の表面にはｎ側
電極１０が設けられている。さらにｎ−ＧａＡｓ基板１
を所定の光共振器長の間隔でへき開して得られる端面に
は窓構造部１１が設けられ、前記端面の一方には高反射
率膜１２が、また他方には低反射率膜１３が設けられて
いる。上部光導波層５、第１上部クラッド層３１、及び
第２上部クラッド層３２の厚さは、光共振器中央部の埋
込幅の導波路で単一基本モードによる屈折率導波が高出
力まで維持できる厚さである。
ｌz1Ａｓ下部クラッド層２，ｎ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自
然超格子下部光導波層３，Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1
量子井戸活性層４，ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子
上部光導波層５，ｐ−Ｉｎx3（Ｇａ1-z3Ａｌz3）1-x3Ａ
ｓ0.2Ｐ0.8第１上部クラッド層３１，ｐ−Ｉｎx3（Ｇａ
1-z3Ａｌz3）1-x3Ａｓ0.2Ｐ0.8第２上部クラッド層３
２，ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐエッチング阻止層２２が順
次積層して設けられている。ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐエ
ッチング阻止層２２上には上部の幅が約３μｍの、ｐ−
Ｉｎx3（Ｇａ1-z3Ａｌz3）1-x3Ａｓ0.2Ｐ0.8第３上部ク
ラッド層３３及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層８の積層構
造を有する埋込ストライプが設けられている。ｐ−Ｉｎ
0.48Ｇａ0.52Ｐエッチング阻止層２２の表面には選択成
長によるｎ−Ｉｎx5（Ｇａ1-z5Ａｌz5）1-x5Ｐ電流狭窄
層３５が設けられ、順方向電流を埋込ストライプ内部に
制限する。さらにｐ−ＧａＡｓコンタクト層８の表面及
びｎ−Ｉｎx5 （Ｇａ1-z5Ａｌz5）1-x5Ｐ 電流狭窄層３
５表面は第２のｐ−ＧａＡｓコンタクト層３４で被覆さ
れ、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層３４表面にはｐ側電極９
が設けられている。ｎ−ＧａＡｓ基板１の表面にはｎ側
電極１０が設けられている。さらにｎ−ＧａＡｓ基板１
を所定の光共振器長の間隔でへき開して得られる端面に
は窓構造部１１が設けられ、前記端面の一方には高反射
率膜１２が、また他方には低反射率膜１３が設けられて
いる。上部光導波層５、第１上部クラッド層３１、及び
第２上部クラッド層３２の厚さは、光共振器中央部の埋
込幅の導波路で単一基本モードによる屈折率導波が高出
力まで維持できる厚さである。
【００４３】本第３の実施の形態では窓構造の形成はｐ
−Ｉｎx3（Ｇａ1-z3Ａｌz3）1-x3Ａｓ0.2Ｐ0.8 第１上
部クラッド層３１の形成後に行われる。
−Ｉｎx3（Ｇａ1-z3Ａｌz3）1-x3Ａｓ0.2Ｐ0.8 第１上
部クラッド層３１の形成後に行われる。
【００４４】本第３の実施の形態の構造により、単一横
モードが保たれた高出力レーザ光を得ることができる
が、さらにストライプ幅を広げたマルチモード発振半導
体レーザ装置についてもについても適用可能である。
モードが保たれた高出力レーザ光を得ることができる
が、さらにストライプ幅を広げたマルチモード発振半導
体レーザ装置についてもについても適用可能である。
【００４５】なお、下部光導波層３にｎ−Ｉｎ0.48Ｇａ
0.52Ｐ自然超格子を、また上部光導波層５にｐ−Ｉｎ
0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子を用いたが、いずれもｉ（真
性）型を用いても良く、また下部クラッド層にはＡｌＧ
ａＡｓ系を用いているが、ｎ−ＧａＡｓ基板１に格子整
合するものであれば、ＩｎＧａＡｌＰ系またはＩｎＧａ
ＡｌＡｓＰ系から選んでも良い。さらに単一量子井戸型
活性層を多重量子井戸型活性層で置き換えることも可能
である。
0.52Ｐ自然超格子を、また上部光導波層５にｐ−Ｉｎ
0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子を用いたが、いずれもｉ（真
性）型を用いても良く、また下部クラッド層にはＡｌＧ
ａＡｓ系を用いているが、ｎ−ＧａＡｓ基板１に格子整
合するものであれば、ＩｎＧａＡｌＰ系またはＩｎＧａ
ＡｌＡｓＰ系から選んでも良い。さらに単一量子井戸型
活性層を多重量子井戸型活性層で置き換えることも可能
である。
【００４６】次に本発明の第４の実施の形態を、図４を
用いて説明する。図４は、本発明の第４の実施の形態の
リッジストライプ型半導体レーザ装置の積層構造を説明
するための斜視構造断面図である。
用いて説明する。図４は、本発明の第４の実施の形態の
リッジストライプ型半導体レーザ装置の積層構造を説明
するための斜視構造断面図である。
【００４７】ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ｇａ1-z1Ａ
ｌz1Ａｓ下部クラッド層２，ｎ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自
然超格子下部光導波層３，Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1
量子井戸活性層４，ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子
第１上部光導波層４１が順次積層して設けられている。
ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子第１上部光導波層４
１上には上部の幅が約３μｍの、ｐ−Ａｌz2Ｇａ1-z2Ａ
ｓ第２上部光導波層４２、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ上部
クラッド層４３及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層８の積層
構造を有するリッジストライプが設けられている。該リ
ッジストライプの側面及びｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然
超格子第１上部光導波層４１の表面は絶縁膜２３によっ
て被覆されている。さらにｐ−ＧａＡｓコンタクト層８
の表面及び絶縁膜２３の表面は、ｐ側電極９により覆わ
れ、またｎ−ＧａＡｓ基板１の表面にはｎ側電極１０が
設けられている。さらにｎ−ＧａＡｓ基板１を所定の光
共振器長の間隔でへき開して得られる端面には窓構造部
１１が設けられ、前記端面の一方には高反射率膜１２
が、また他方には低反射率膜１３が設けられている。ｐ
−Ａｌz2Ｇａ1-z2Ａｓ第２上部光導波層４２の組成は、
前記リッジストライプとｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ第１上
部光導波層４１との界面で不要な反射が起こらないよう
に、レーザ発振波長での屈折率が ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ
0.52Ｐ第１上部光導波層４１と０．２％以内で一致する
ものを選ぶ。第１上部光導波層４１の厚さは、光共振器
中央部のリッジ構造幅の導波路で単一基本モードによる
屈折率導波が高出力まで維持できる厚さである。
ｌz1Ａｓ下部クラッド層２，ｎ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自
然超格子下部光導波層３，Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1
量子井戸活性層４，ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子
第１上部光導波層４１が順次積層して設けられている。
ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子第１上部光導波層４
１上には上部の幅が約３μｍの、ｐ−Ａｌz2Ｇａ1-z2Ａ
ｓ第２上部光導波層４２、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ上部
クラッド層４３及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層８の積層
構造を有するリッジストライプが設けられている。該リ
ッジストライプの側面及びｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然
超格子第１上部光導波層４１の表面は絶縁膜２３によっ
て被覆されている。さらにｐ−ＧａＡｓコンタクト層８
の表面及び絶縁膜２３の表面は、ｐ側電極９により覆わ
れ、またｎ−ＧａＡｓ基板１の表面にはｎ側電極１０が
設けられている。さらにｎ−ＧａＡｓ基板１を所定の光
共振器長の間隔でへき開して得られる端面には窓構造部
１１が設けられ、前記端面の一方には高反射率膜１２
が、また他方には低反射率膜１３が設けられている。ｐ
−Ａｌz2Ｇａ1-z2Ａｓ第２上部光導波層４２の組成は、
前記リッジストライプとｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ第１上
部光導波層４１との界面で不要な反射が起こらないよう
に、レーザ発振波長での屈折率が ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ
0.52Ｐ第１上部光導波層４１と０．２％以内で一致する
ものを選ぶ。第１上部光導波層４１の厚さは、光共振器
中央部のリッジ構造幅の導波路で単一基本モードによる
屈折率導波が高出力まで維持できる厚さである。
【００４８】本第４の実施の形態では窓構造の形成はｐ
−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ａｓ第２上部光導波層４２の全面成長
後に行われる。
−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ａｓ第２上部光導波層４２の全面成長
後に行われる。
【００４９】本第４の実施の形態の構造により、光導波
路の有効断面積を広くとることができ、従って光密度を
低減できることから、ＣＯＭＤ現象の抑制効果をさらに
強めることができる。
路の有効断面積を広くとることができ、従って光密度を
低減できることから、ＣＯＭＤ現象の抑制効果をさらに
強めることができる。
【００５０】また本実施の形態の構造により、単一横モ
ードが保たれた高出力レーザ光を得ることができるが、
さらにストライプ幅を広げたマルチモード発振半導体レ
ーザ装置についてもについても適用可能である。
ードが保たれた高出力レーザ光を得ることができるが、
さらにストライプ幅を広げたマルチモード発振半導体レ
ーザ装置についてもについても適用可能である。
【００５１】なお、本第４の実施の形態では下部光導波
層３にｎ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子を、また第１
上部光導波層４１にｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子
を、さらに第２上部光導波層４２にｐ−Ｇａ1-z2Ａｌz2
Ａｓを用いたが、いずれもｉ（真性）型を用いても良
く、またクラッド層にはＡｌＧａＡｓ系を用いている
が、ｎ−ＧａＡｓ基板１に格子整合するものであれば、
ＩｎＧａＡｌＰ系またはＩｎＧａＡｌＡｓＰ系から選ん
でも良い。さらに単一量子井戸型活性層を多重量子井戸
型活性層で置き換えることも可能である。
層３にｎ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子を、また第１
上部光導波層４１にｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子
を、さらに第２上部光導波層４２にｐ−Ｇａ1-z2Ａｌz2
Ａｓを用いたが、いずれもｉ（真性）型を用いても良
く、またクラッド層にはＡｌＧａＡｓ系を用いている
が、ｎ−ＧａＡｓ基板１に格子整合するものであれば、
ＩｎＧａＡｌＰ系またはＩｎＧａＡｌＡｓＰ系から選ん
でも良い。さらに単一量子井戸型活性層を多重量子井戸
型活性層で置き換えることも可能である。
【００５２】さらに、上記第１，第２，第３，及び第４
の実施の形態ではＧａＡｓ基板がｎ型の場合について記
述しているが、ｐ型基板を用いても良く、この場合上記
全ての導電型を、ｎ型はｐ型に、ｐ型はｎ型に入れ換え
れば良く、ｉ型はそのままで良い。
の実施の形態ではＧａＡｓ基板がｎ型の場合について記
述しているが、ｐ型基板を用いても良く、この場合上記
全ての導電型を、ｎ型はｐ型に、ｐ型はｎ型に入れ換え
れば良く、ｉ型はそのままで良い。
【００５３】さらにまた、上記各実施の形態において組
成が特定されていないIII−Ｖ族化合物半導体は、結晶
の格子整合条件または発生する内部応力の大きさ、バン
ドギャップの大きさ、及びレーザ発振波長における屈折
率の大きさにより定まる組成が選ばれる。とくにクラッ
ド層２，６，７，２１及び４３のＡｌz1Ｇａ1-z1Ａｓは
０．５５≦ｚ１≦０．８であり、また活性層４のＩｎx1
Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1は格子整合ないし引っ張り歪形成
条件から０＜ｘ１≦０．３，０＜ｙ１≦０．５である。
成が特定されていないIII−Ｖ族化合物半導体は、結晶
の格子整合条件または発生する内部応力の大きさ、バン
ドギャップの大きさ、及びレーザ発振波長における屈折
率の大きさにより定まる組成が選ばれる。とくにクラッ
ド層２，６，７，２１及び４３のＡｌz1Ｇａ1-z1Ａｓは
０．５５≦ｚ１≦０．８であり、また活性層４のＩｎx1
Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1は格子整合ないし引っ張り歪形成
条件から０＜ｘ１≦０．３，０＜ｙ１≦０．５である。
【００５４】本発明の半導体レーザ装置は、活性層及び
光導波層をＡｌを組成に含まないＩｎＧａＡｓＰ及びＩ
ｎＧａＰで構成しているため、光共振器端面におけるダ
ークライン欠陥の運動による性能劣化が生じにくい。ま
た活性層の端面及び端面近傍に、活性層内部に対するΔ
Ｅｇが十分大きい領域を有するため、光共振器端面にお
けるレーザ光の吸収を十分に低減でき、よってＣＯＭＤ
現象を効果的に抑制できる。また活性層は引っ張り歪を
有しているため、へき開によって歪が解放された端面に
おいては内部よりバンドギャップが大きくなることか
ら、ΔＥｇを引っ張り歪のない場合に比べて大きくとる
ことができる。また活性層をはさむ２つの光導波層を、
無秩序化が容易な自然超格子層としているため、原子量
の小さなＮまたはＢの条件が穏やかなイオン注入により
十分な無秩序化が達成でき、従ってイオン注入による結
晶欠陥等の発生もない。また窓構造部にIII族またはＶ
族以外の元素を含まないため自由キャリア吸収がなく、
閾値電流の増大、スロープ効果の減少を抑制できる。さ
らにＢまたはＮがイオン注入され無秩序化された領域は
絶縁性を有するので、レーザ発振の初期状態において端
面に電流が流れず、ＣＯＭＤ現象の抑制効果がさらに強
められる。
光導波層をＡｌを組成に含まないＩｎＧａＡｓＰ及びＩ
ｎＧａＰで構成しているため、光共振器端面におけるダ
ークライン欠陥の運動による性能劣化が生じにくい。ま
た活性層の端面及び端面近傍に、活性層内部に対するΔ
Ｅｇが十分大きい領域を有するため、光共振器端面にお
けるレーザ光の吸収を十分に低減でき、よってＣＯＭＤ
現象を効果的に抑制できる。また活性層は引っ張り歪を
有しているため、へき開によって歪が解放された端面に
おいては内部よりバンドギャップが大きくなることか
ら、ΔＥｇを引っ張り歪のない場合に比べて大きくとる
ことができる。また活性層をはさむ２つの光導波層を、
無秩序化が容易な自然超格子層としているため、原子量
の小さなＮまたはＢの条件が穏やかなイオン注入により
十分な無秩序化が達成でき、従ってイオン注入による結
晶欠陥等の発生もない。また窓構造部にIII族またはＶ
族以外の元素を含まないため自由キャリア吸収がなく、
閾値電流の増大、スロープ効果の減少を抑制できる。さ
らにＢまたはＮがイオン注入され無秩序化された領域は
絶縁性を有するので、レーザ発振の初期状態において端
面に電流が流れず、ＣＯＭＤ現象の抑制効果がさらに強
められる。
【００５５】発振波長帯に関しては、ＩｎxＧａ1-xＡｓ
1-yＰyからなる組成の活性層より ７５０＜λ＜８５０（ｎｍ） の範囲までの制御が可能である。
1-yＰyからなる組成の活性層より ７５０＜λ＜８５０（ｎｍ） の範囲までの制御が可能である。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の構造の半導
体レーザ装置は、活性層及び光導波層がＡｌを組成に含
まないＩｎＧａＡｓＰ及びＩｎＧａＰで構成されている
ため、光共振器端面におけるダークライン欠陥の運動に
よる性能劣化が生じにくい。また光共振器端面と活性層
内部のバンドギャップ差ΔＥｇを十分大きく形成できる
ため、光共振器端面におけるレーザ光の吸収を十分に低
減でき、よってＣＯＭＤ現象を効果的に抑制できる。ま
た活性層は引っ張り歪を有しているため、へき開によっ
て歪が解放された端面においては内部よりバンドギャッ
プが大きくなることから、ΔＥｇを引っ張り歪のない場
合に比べて大きくとることができる。また活性層をはさ
む２つの光導波層を、無秩序化が容易な自然超格子層と
しているため原子量の小さなＮまたはＢの条件が穏やか
なイオン注入により十分な無秩序化が達成でき、従って
イオン注入による結晶欠陥等の発生もない。さらに窓構
造部にはIII族またはＶ族以外の元素を含まないため自
由キャリアの吸収がなく、閾値電流の増大を抑制でき
る。さらにまた、窓構造部は絶縁性を有するので、レー
ザ発振の初期状態で端面に電流が流れずＣＯＭＤ現象の
抑制効果はさらに向上する。すなわち高出力かつ高信頼
な半導体レーザ装置の動作を実現できる。
体レーザ装置は、活性層及び光導波層がＡｌを組成に含
まないＩｎＧａＡｓＰ及びＩｎＧａＰで構成されている
ため、光共振器端面におけるダークライン欠陥の運動に
よる性能劣化が生じにくい。また光共振器端面と活性層
内部のバンドギャップ差ΔＥｇを十分大きく形成できる
ため、光共振器端面におけるレーザ光の吸収を十分に低
減でき、よってＣＯＭＤ現象を効果的に抑制できる。ま
た活性層は引っ張り歪を有しているため、へき開によっ
て歪が解放された端面においては内部よりバンドギャッ
プが大きくなることから、ΔＥｇを引っ張り歪のない場
合に比べて大きくとることができる。また活性層をはさ
む２つの光導波層を、無秩序化が容易な自然超格子層と
しているため原子量の小さなＮまたはＢの条件が穏やか
なイオン注入により十分な無秩序化が達成でき、従って
イオン注入による結晶欠陥等の発生もない。さらに窓構
造部にはIII族またはＶ族以外の元素を含まないため自
由キャリアの吸収がなく、閾値電流の増大を抑制でき
る。さらにまた、窓構造部は絶縁性を有するので、レー
ザ発振の初期状態で端面に電流が流れずＣＯＭＤ現象の
抑制効果はさらに向上する。すなわち高出力かつ高信頼
な半導体レーザ装置の動作を実現できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態の全面電極型半導体
レーザ装置の構造を説明するための横方向から見た断面
図
レーザ装置の構造を説明するための横方向から見た断面
図
【図２】本発明の第２の実施の形態のリッジストライプ
型半導体レーザ装置の構造を説明するための斜視構造断
面図
型半導体レーザ装置の構造を説明するための斜視構造断
面図
【図３】本発明の第３の実施の形態の埋込ストライプ型
半導体レーザ装置の構造を説明するための斜視構造断面
図
半導体レーザ装置の構造を説明するための斜視構造断面
図
【図４】本発明の第４の実施の形態のリッジストライプ
型半導体レーザ装置の構造を説明するための斜視構造断
面図
型半導体レーザ装置の構造を説明するための斜視構造断
面図
１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２ ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ下部クラッド層 ３ ｎ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子下部光導波層 ４ Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1量子井戸活性層 ５ ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子下部光導波層 ６ ｐ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ第１上部クラッド層 ７ ｐ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ第２上部クラッド層 ８，３４ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ９ ｐ側電極 １０ ｎ側電極 １１ 窓構造部 １２ 高反射率膜 １３ 低反射率膜 ２１ ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ第３上部クラッド層 ２２ ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐエッチング阻止層 ２３ 絶縁膜 ３１ ｐ−Ｉｎx3（Ｇａ1-z3Ａｌz3）1-x3Ａｓ0.2Ｐ
0.8第１上部クラッド層 ３２ ｐ−Ｉｎx3（Ｇａ1-z3Ａｌz3）1-x3Ａｓ0.2Ｐ
0.8第２上部クラッド層 ３３ ｐ−Ｉｎx3（Ｇａ1-z3Ａｌz3）1-x3Ａｓ0.2Ｐ
0.8第３上部クラッド層 ３５ ｎ−Ｉｎx5（Ｇａ1-z5Ａｌz5）1-x5Ｐ電流狭窄
層 ４１ ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子第１上部光
導波層 ４２ ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ第２上部光導波層 ４３ ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ上部クラッド層
0.8第１上部クラッド層 ３２ ｐ−Ｉｎx3（Ｇａ1-z3Ａｌz3）1-x3Ａｓ0.2Ｐ
0.8第２上部クラッド層 ３３ ｐ−Ｉｎx3（Ｇａ1-z3Ａｌz3）1-x3Ａｓ0.2Ｐ
0.8第３上部クラッド層 ３５ ｎ−Ｉｎx5（Ｇａ1-z5Ａｌz5）1-x5Ｐ電流狭窄
層 ４１ ｐ−Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ自然超格子第１上部光
導波層 ４２ ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ第２上部光導波層 ４３ ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ上部クラッド層
Claims (3)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ基板上に、少なくともクラッド
層、光導波層、活性層、光導波層、およびクラッド層を
この順に積層した光共振器を構成してなる半導体レーザ
装置において、前記各クラッド層が前記ＧａＡｓ基板に
格子整合するＧａ1-z1Ａｌz1Ａｓ（０．５５≦ｚ１≦
０．８）とＩｎx3(Ａｌz3Ｇａ1-z3)1-x3Ａｓ1-y3Ｐ
y3（０．３＜ｘ３＜０．５，０．６＜ｙ３≦１，０＜ｚ
３≦１）のいずれか一方であり、前記各光導波層が前記
活性層よりバンドギャップが大きく、前記ＧａＡｓ基板
に格子整合し、自然超格子を形成するＩｎx2Ｇａ1-x2Ｐ
であり、前記活性層が前記ＧａＡｓ基板に格子整合する
か、あるいは引っ張り歪を生じるＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ
1-y1Ｐy1（０＜ｘ１≦０．３， ０＜ｙ１≦０．５）で
あって、前記活性層の前記光共振器端面及び該端面近傍
に前記活性層内部よりバンドギャップの大きい窓構造部
を有することを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記活性層の引っ張り歪と厚さの積が、
０以上０．１５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項
１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記窓構造部がＢとＮの少なくともいず
れか一方のイオン注入と、その後の加熱工程により形成
されていることを特徴とする請求項１または２記載の半
導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10277741A JP2000114654A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10277741A JP2000114654A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000114654A true JP2000114654A (ja) | 2000-04-21 |
Family
ID=17587687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10277741A Withdrawn JP2000114654A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000114654A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002185077A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2003086902A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置および光ディスク記録再生装置 |
| US7113532B2 (en) | 2002-04-30 | 2006-09-26 | Sony Corporation | Semiconductor laser device |
| JP2010153564A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| US7852898B2 (en) | 2007-09-28 | 2010-12-14 | Panasonic Corporation | Semiconductor laser device and method for manufacturing the same |
| JP2013110366A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
| JP2013190492A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-26 | Fujitsu Ltd | 半導体光変調素子及び半導体光変調素子の製造方法 |
-
1998
- 1998-09-30 JP JP10277741A patent/JP2000114654A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002185077A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2003086902A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置および光ディスク記録再生装置 |
| JP4627132B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2011-02-09 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置および光ディスク記録再生装置 |
| US7113532B2 (en) | 2002-04-30 | 2006-09-26 | Sony Corporation | Semiconductor laser device |
| US7852898B2 (en) | 2007-09-28 | 2010-12-14 | Panasonic Corporation | Semiconductor laser device and method for manufacturing the same |
| JP2010153564A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JP2013110366A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
| JP2013190492A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-26 | Fujitsu Ltd | 半導体光変調素子及び半導体光変調素子の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |