DE4002970C2 - - Google Patents
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- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 21
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
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- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Geometry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Description
Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser
gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Ein Halbleiterlaser gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1
wird anhand von Fig. 7 erläutert. Fig. 7(a) zeigt dabei
eine Explosionsdarstellung von drei Teilbereichen eines
Lasers, und zwar zwei Endbereiche mit jeweils einer Ab
strahlfläche und einem mittleren Bereich mit einem Laser
schwingungsbereich 8, in dem die Laserstrahlung erzeugt
wird. Fig. 7(b) zeigt einen Längsschnitt durch den Laser.
Der Laser verfügt über ein Substrat 1 aus N-Typ GaAs, eine
erste Abdeckschicht 2 aus N-Typ Al0.5Ga0.5As, eine aktive
Schicht 4 aus P-Typ Al0.15Ga0.85As, eine zweite Abdeck
schicht 5 aus P-Typ Al0.5Ga0.5As mit einem streifenförmigen
Steg, der sich nicht bis zu den Abstrahlflächen erstreckt,
eine Stromblockierschicht 6 aus N-Typ GaAs und eine Kon
taktschicht 7 aus P-Typ GaAs. Zu beiden Seiten des bereits
genannten Laserschwingungsbereichs 8 befindet sich jeweils
ein Bereich 9, in dem keine Ladungsträger injiziert werden.
Dieser herkömmliche Laser arbeitet wie folgt.
Im Laserschwingungsbereich 8 werden Minoritätsladungsträger
einer Konzentration von etwa 1018 in die aktive Schicht 4
injiziert, eine Inversion der Verteilung der Ladungsträger
wird herbeigeführt, und dadurch wird ein größerer Teil der
Energie der injizierten Ladungsträger in Photonen umgewan
delt. In den sich an den Laserschwingungsbereich 8 an
schließenden Bereichen 9 findet kaum Ladungsträgerinjektion
statt, jedoch werden Minoritätsladungsträger durch das
Laserlicht angeregt, deren Dichte jedoch erheblich geringer
ist als die Dichte injizierter Ladungsträger. Durch diesen
Effekt findet kaum lichtstrahlende Elektron-Loch-Rekombina
tion im Bereich der Abstrahlflächen statt. Dadurch läßt
sich die Laserleistung, ab der Zerstören der Abstrahlflä
chen stattfindet (der sogenannte COD-Pegel), erhöhen.
Damit bei einem solchen Laser das Licht in Längsrichtung
aufgrund des Effektes der Stromblockierschicht eng gebün
delt wird, ist die Dicke der zweiten Abdeckschicht 5 in den
Bereichen, in denen sich nicht der streifenförmige Steg be
findet, etwa 0,3 µm. Da sich der Steg nicht bis zu den Ab
strahlflächen erstreckt, ist auch dort die Dicke der zwei
ten Abdeckschicht 5 nur etwa 0,3 µm. Wie in Fig. 8 darge
stellt, erstreckt sich jedoch die Lichtemission nicht nur
innerhalb der aktiven Schicht, sondern das Licht breitet
sich auch in den benachbarten Abdeckschichten aus. Da die
zweite Abdeckschicht nur dünn ist, gelangt auch Licht in
die Stromblockierschicht, die aus GaAs besteht und daher das
erzeugte Laserlicht gut absorbiert. Dadurch ist es schwierig,
überhaupt Abstrahlung von Laserlicht zu erzielen und,
falls dies gelingt, ist kein stabiles Abstrahlen in einer
Mode möglich.
Das eben genannte Problem tritt bei sogenannten LOC(Large
Optical Cavity)-Lasern nicht auf. Diese verfügen zwischen
der ersten Abdeckschicht und der aktiven Schicht noch über
eine Lichtführungsschicht vom selben Leitfähigkeitstyp wie
die Abdeckschicht. Ein solcher Laser ist z. B. in US
38 55 546 beschrieben. Bei ihm erstrecken sich alle Schichten
über die gesamte Breite des Lasers.
Ein LOC-Streifenlaser ist aus dem Buch von R. Paul mit dem
Titel "Optoelektronische Halbleiterbauelemente", Teubner-
Verlag, 1985, S. 111-113 und 277, bekannt. Beim Streifenlaser
ist die aktive Zone als seitlich begrenzter, schmaler
Streifen ausgebildet.
Fig. 1 zeigt einen Laser, der als LOC-Laser ausgebildet ist,
jedoch ansonsten einen Aufbau entsprechend dem Laser von
Fig. 7 aufweist, also über eine zweite Abdeckschicht mit
einem streifenförmigen Steg verfügt, der sich nicht bis zu
den Abstrahlflächen des Lasers erstreckt. Der Laser gemäß
Fig. 1 wird weiter unten als Vorstufe der Erfindung beschrieben.
Fig. 2 zeigt die Lichtstärkenverteilung in der
aktiven Schicht und in den benachbarten Schichten. Der Brechungsindexverlauf
der Schichtfolge und der Lichtstärkenverlauf
ist identisch mit den entsprechenden Kurven von Bild
2.33 auf Seite 111 im genannten Buch von R. Paul.
Beim Herstellen des bekannten Lasers gemäß Fig. 7 wie auch
beim Herstellen des intern entwickelten LOC-Lasers gemäß
Fig. 1 hat sich herausgestellt, daß der Herstellwirkungsgrad
und die Funktionsfähigkeit unzufriedenstellend sind.
Es bestand demgemäß die Aufgabe, einen zuverlässig herstellbaren
und funktionierenden Laser anzugeben.
Der erfindungsgemäße Laser weist die Merkmale von Anspruch 1
auf. Eine vorteilhafte Ausgestaltung ist Gegenstand von Anspruch
2.
Der erfindungsgemäße Laser weist den grundsätzlichen Aufbau
bekannter LOC-Laser auf. Eine zweite Abdeckschicht ist jedoch
wie bei dem anhand von Fig. 7 beschriebenen bekannten
Laser aufgebaut, und zusätzlich ist eine Pufferschicht zwischen
der zweiten Abdeckschicht und der Blockierschicht, vom
Leitfähigkeitstyp der zweiten Abdeckschicht, jedoch aus dem
Material der Blockierschicht, vorhanden. Diese Pufferschicht
verhindert den ansonsten auftretenden PN-Übergang zwischen
der zweiten Abdeckschicht und der Stromblockierschicht.
Außerdem wird der Wirkungsgrad bei der epitaktischen Herstellung
verbessert.
Von besonderem Vorteil ist es, die Pufferschicht mit höherer
P-Dotierung zu versehen als die zweite Abdeckschicht, wodurch
erreicht wird, daß Verunreinigungsatome überall dort
in die aktive Schicht diffundieren, wo nicht der Steg vorhanden
ist. Diese Diffusion findet demgemäß auch im Bereich
der Abstrahlflächen statt und führt dort zu einer Erhöhung
der Bandlücke, was zur Folge hat, daß die aktive Schicht im
Bereich der Abstrahlflächen nicht absorbiert.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von durch Figuren
veranschaulichten Ausführungsbeispielen und eines einführenden
Beispiels näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1(a) eine perspektivische Explosionsdarstellung von
drei Bereichen eines Lasers, nämlich zwei Endbereichen mit
Abstrahlflächen und einen mittleren Bereich, in dem Laserschwingung
erzeugt wird, welcher Laser eine Vorstufe eines
erfindungsgemäßen Lasers mit Pufferschicht ist;
Fig. 1(b) einen Längsschnitt durch den Laser gemäß Fig.
1(a);
Fig. 2 ein Diagramm zum Veranschaulichen der Verteilung der
Lichtstärke des Laserlichts über verschiedene Schichten des
Lasers von Fig. 1;
Fig. 3(a) und (b) Darstellungen entsprechend denen
von Fig. 1, jedoch für einen Laser, der über eine zusätz
liche Pufferschicht zwischen aktiver Schicht und zweiter
Abdeckschicht verfügt;
Fig. 4(a) und (b) Ansichten entsprechend denen von
Fig. 1, jedoch für einen Laser mit einem Aufbau, in dem
durch Selbstdiffusion Fensterbereiche an den Abstrahlflä
chen erzeugt sind;
Fig. 5(a)-(g) schematische perspektivische Dar
stellungen einer Laserstruktur in verschiedenen Herstell
stufen, für den Laser gemäß Fig. 1;
Fig. 6(a)-(g) Darstellungen entsprechend denen
von Fig. 5, jedoch für den Laser gemäß Fig. 4;
Fig. 7(a) und (b) Ansichten entsprechend denen von
Fig. 1, jedoch für einen bekannten Laser; und
Fig. 8 ein Diagramm entsprechend dem von Fig. 2, je
doch für einen bekannten Laser.
Fig. 1(a) zeigt in Explosionsdarstellung drei Bereiche
eines Halbleiterlasers, und zwar die zwei Bereiche mit den
Abstrahlflächen und den dazwischen liegenden Bereich. Fig.
1(b) ist ein Querschnitt durch den Laserschwingungsbe
reich 8. Auf einem N-Typ GaAs-Substrat 1 ist eine erste Ab
deckschicht 2 aus N-Typ Al0.5Ga0.5As aufgebracht. Es folgen
eine Lichtführungsschicht 3 aus N-Typ AlGaAs, die aktive
Schicht 4 aus P-Typ Al0.15Ga0.85As und eine zweite Abdeck
schicht 5 aus P-Typ Al0.5Ga0.5As, die einen streifenförmi
gen Steg aufweist, der sich in Strahlrichtung erstreckt,
jedoch an seinen beiden Enden die Abstrahlflächen nicht er
reicht. Eine Blockierschicht 6 aus N-Typ GaAs deckt diese
zweite Abdeckschicht 5 mit Ausnahme des Steges ab. Zum Kon
taktieren befindet sich ganz oben auf dem Laser eine Kon
taktschicht 7 aus P-Typ GaAs. Laserschwingungsanregung er
folgt im Laserschwingungsbereich 8, der sich in etwa über
die Länge des Steges der zweiten Abdeckschicht 5 erstreckt.
An diesen Laserschwingungsbereich schließt sich an jeder
Seite ein Nicht-Injektions-Bereich 9 an.
Der so aufgebaute Laser arbeitet wie folgt.
Der Mechanismus der Schwingungsanregung ist derselbe wie
beim bekannten Laser. Die zusätzlich vorhandene Lichtfüh
rungsschicht 3 hilft dabei, die angeregte Mode im Bereich
der Abstrahlflächen zu stabilisieren, was im Stand der
Technik problematisch war. Zu diesem Zweck weist das Ma
terial der Lichtführungsschicht 3 einen Brechungsindex auf,
der zwischen den Brechungsindizes der benachbarten Schich
ten liegt, also der darüber befindlichen aktiven Schicht 4
und der darunter befindlichen ersten Abdeckschicht 2. Da
durch wird die Lichtverteilung in Richtung der Lichtfüh
rungsschicht 3 verschoben, wie in Fig. 2 dargestellt. Der
Effekt, der ein solches Verschieben verursacht, ist in
"Light Communication Element Optics", Seite 172, von Yonezu
beschrieben. Der Lichtemissionsbereich an den Abstrahlflä
chen liegt damit von der Stromblockierschicht 6 weiter weg,
wodurch die angeregte Mode stabilisiert wird.
Im folgenden wird die Herstellung eines solchen Lasers an
hand von Fig. 5 beschrieben. Zunächst werden epitaktisch
auf ein N-Typ GaAs-Substrat 1 gemäß Fig. 5(a) die erste Ab
deckschicht 2 aus N-Typ AlxGa1-xAs, die Lichtführungs
schicht 3 aus AlyGa1-yAs (x<y), die aktive Schicht (Multi-
Quantum-Well-Schicht) 41 aus P-Typ AlpGa1-pAs-AlqGa1-qAs
(y<q<p), die zweite Abdeckschicht 5 aus P-Typ AlxGa1-xAs
und eine obere Schicht 71 aus P-Typ GaAs aufgebracht, wie
in Fig. 5(b) dargestellt. Auf dieser Schichtfolge wird ein
amorpher Film 10 erzeugt (Fig. 5(c)), der dann zu einem
Streifen geätzt wird, der die Abstrahlfläche nicht erreicht
(Fig. 5(d)). Der streifenförmige amorphe Film 10 dient als
Ätzmaske zum teilweisen Wegätzen der oberen Schicht 71 und
der zweiten Abdeckschicht 5 (Fig. 5(e)). Mit einem zweiten
Epitaxieverfahren wird die Stromblockierschicht 6 aus N-Typ
GaAs aufgebracht, die den Steg einhüllt, der durch das
Ätzen stehenblieb, diesen jedoch aufgrund der Wirkung des
amorphen Films 10 nicht abdeckt (Fig. 5(f)). Nach dem Ent
fernen des amorphen Films 10 wird in einem dritten Epita
xieverfahren die Kontaktschicht 7 aus P-Typ GaAs aufge
bracht, die die Stromblockierschicht 6 und den vom amorphen
Film 10 befreiten Steg abdeckt (Fig. 5(g)). Schließlich
werden noch eine P-seitige Elektrode auf der Kontaktschicht
7 und eine N-seitige Elektrode auf dem Substrat 1 aufge
bracht, wodurch die Herstellung des Lasers abgeschlossen
ist.
Bei dieser Vorstufe der Erfindung wird die Stromblockier
schicht 6 beim zweiten Epitaxieablauf direkt auf die zweite
Abdeckschicht 5 aufgebracht, die beim ersten Epitaxieablauf
hergestellt wurde, was den Wirkungsgrad der Herstellbarkeit
und Funktionsfähigkeit verschlechtert. Nachteilig ist auch
der PN-Übergang zwischen den beiden genannten Schichten.
Die eben genannten Nachteile sind bei einem Aufbau umgan
gen, wie er in den Fig. 3(a) und 3(b) dargestellt ist. Bei
diesem Aufbau ist auf der zweiten Abdeckschicht 5 eine Puf
ferschicht 61 aus P-Typ GaAs vorhanden. Durch diese Schicht
wird vermieden, daß die Stromblockierschicht 6 im zweiten
Epitaxieablauf direkt auf die im ersten Ablauf hergestellte
zweite Abdeckschicht 5 aufgewachsen wird. Außerdem ist kein
PN-Übergang zwischen den eben genannten beiden Schichten
mehr vorhanden.
Bei den bisher beschriebenen Ausführungsbeispielen besteht
noch das Problem, daß beim Steigern der Strahlungsleistung
des Lasers die aktive Schicht geschmolzen wird - trotz des
Aufbaus mit nichtinjizierenden Bereichen nahe den Abstrahl
flächen.
Anhand von Fig. 4 wird nun ein Ausführungsbeispiel mit
einer Fensterstruktur an den Abstrahlflächen erläutert, bei
dem der eben genannte Nachteil nicht mehr vorhanden ist.
Der Laser gemäß den Fig. 4(a) und 4(b) weist eine MQW
(Multi-Quantum-Well)-aktive Schicht 4a aus einer AlGaAs-
Folge und eine Pufferschicht 61′ aus P-Typ GaAs auf, die
eine höhere Dotierung aufweist als die zweite Abdeckschicht
5 aus P-Typ Al0.5Ga0.5As. Dort wo die Pufferschicht 61 vor
handen ist, also überall außer im stegförmigen Bereich,
können Verunreinigungsatome in die aktive Schicht 4a ein
diffundieren, also Selbstdotierung bewerkstelligen. Der
Diffusionsbereich trägt das Bezugszeichen 62 und der in der
Dotierung geänderte Bereich der aktiven Schicht trägt das
Bezugszeichen 4b.
Dieser Laser arbeitet wie folgt.
Die Laserschwingung stellt sich wie bei einem herkömmli
chen Laser ein. Beim eben beschriebenen Ausführungsbeispiel
wird das Laserlicht benachbart zu den Abstrahlflächen mit
Hilfe der Lichtleitschicht 3 stabilisiert, wie weiter oben
erläutert. Die Photonenergie des Laserlichts wird durch die
Bandlücke der aktiven MQW-Schicht 4a bestimmt. Die Band
lücke der durch die genannte Diffusion gestörten aktiven
Schicht 4b nahe den Abstrahlflächen ist demgegenüber er
höht, weswegen das erzeugte Laserlicht in diesem Bereich
nicht absorbiert wird. Der Bereich 4b verfügt also über den
sogenannten Fenstereffekt.
Dieses Bauteil wird hergestellt, wie es nun anhand von
Fig. 6 erläutert wird.
Beim Ablauf gemäß Fig. 6 stimmen die durch die Fig. 6(a)-6(e)
veranschaulichten Verfahrensschritte mit denjenigen
Verfahrensschritten überein, die weiter oben anhand von
Fig. 5(a)-5(e) erläutert wurden. Nach dem Herstellen des
Steges wird jedoch nicht direkt die Stromblockierschicht 6
aufgebracht, sondern in einem zweiten Epitaxieablauf werden
eine Pufferschicht 61′ und die Stromblockierschicht 6 aus
N-Typ GaAs aufgebracht, wobei die P-Typ Dotierung der Puf
ferschicht 61′ höher ist als die Dotierung der zweiten Ab
deckschicht 5 aus P-Typ AlxGa1-xAs. Die so erhaltene Struk
tur zeigt Fig. 6(f). Nach Entfernen des amorphen Films 10
wird in einem dritten Epitaxieablauf die Kontaktschicht 7
aus P-Typ GaAs hergestellt, die sowohl die Stromblockier
schicht 6 wie auch den vom amorphen Film 10 befreiten Steg
abdeckt (Fig. 6(g)). Während des zweiten und des dritten
Epitaxieablaufs findet ein Selbstdotiervorgang von P-Typ
Verunreinigungen aus der Pufferschicht 61′ in die aktive
MQW-Schicht 4a statt. Wie bereits weiter oben anhand von
Fig. 5 ausgeführt, findet dieses Diffundieren nur in sol
chen Bereichen statt, in denen sich die Pufferschicht 61′
über der aktiven Schicht befindet, also nicht im Bereich
des Steges. Das Eindiffundieren stört die kristalline Ord
nung in der aktiven Schicht und führt zum Fenstereffekt in
den Bereichen 4b der aktiven Schicht. Die Grenze zwischen
den Bereichen 4a und 4b der aktiven Schicht ist nicht
scharf gezogen, sondern dort, wo der Steg konvex von der
zweiten Abdeckschicht 5 aus ansteigt, nimmt die Selbst
diffusion mit ansteigender Höhe des Steges ab. Im Bereich 8,
in dem sich Laserstrahlung einstellt, wird der kristalline
Aufbau der aktiven Schicht 4a jedoch nicht durch Selbst
diffusion gestört. Dagegen sind die in Verlängerung dieses
Bereichs zu den Abstrahlflächen liegenden Bereiche gestört
und weisen den Fenstereffekt auf. Dadurch kann ein Laser
mit hoher Ausgangsleistung arbeiten.
Die beschriebenen Ausführungsbeispiele zeichnen sich da
durch aus, daß zwischen der ersten Abdeckschicht und der
aktiven Schicht eine Lichtführungsschicht vorhanden ist.
Der Lichtemissionsbereich liegt dadurch zur Seite der
Lichtführungsschicht hin verschoben und damit von der
Stromblockierschicht weg, was zu einer Modenstabilisierung
führt.
Von Vorteil ist es, wenn die Blockierschicht nicht direkt
auf die zweite Abdeckschicht aufgebracht wird, sondern wenn
eine Pufferschicht aus dem Material der Blockierschicht
aber vom Leitfähigkeitstyp der zweiten Abdeckschicht zwi
schengeschaltet wird.
Weiterhin von Vorteil ist es, die Pufferschicht mit höherer
Konzentration zu dotieren als die zweite Abdeckschicht, um
zu erreichen, daß Verunreinigungsatome der P-Dotierung in
die aktive Schicht diffundieren und diese stören, wodurch
deren Bandlücke in denjenigen Bereichen erhöht wird, in de
nen diese Selbstdiffusion stattfindet. Der Aufbau des La
sers wird so gestaltet, daß diese Selbstdiffusion auch im
Bereich der Abstrahlflächen erfolgt, wodurch ein Fenster
effekt eintritt, der verhindert, daß das Lasermaterial bei
hoher Ausgangsleistung im Bereich der Austrittsflächen
schmilzt.
Claims (3)
1. Halbleiterlaser mit
- - einem Substrat (1),
- - einer ersten Abdeckschicht (2),
- - einer aktiven Schicht (4),
- - einer zweiten Abdeckschicht (5) mit einem streifenförmi gen Steg, der sich nicht bis zu den Abstrahlflächen des Lasers erstreckt,
- - einer Stromblockierschicht (6) und
- - einer Kontaktschicht (7),
gekennzeichnet durch
- - eine Lichtführungsschicht (3) zwischen der ersten Abdeck schicht (2) und der aktiven Schicht (4; 41), deren Bre chungsindex zwischen dem der aktiven Schicht und der zweiten Abdeckschicht (5) liegt, und
- - eine Pufferschicht (61; 61′) zwischen der zweiten Ab deckschicht (5) und der Blockierschicht (6), vom Leitfä higkeitstyp der zweiten Abdeckschicht, jedoch aus dem Mate rial der Blockierschicht.
2. Halbleiterlaser nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die P-Dotierung der Pufferschicht (61′) höher
ist als die P-Dotierung der zweiten Abdeckschicht, und daß
P-Verunreinigungsatome aus diesen Schichten in die aktive
Schicht (41) in denjenigen Bereichen eindiffundiert sind,
in denen sich nicht der streifenförmige Steg befindet.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1024453A JPH02203586A (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4002970A1 DE4002970A1 (de) | 1990-08-02 |
DE4002970C2 true DE4002970C2 (de) | 1992-08-13 |
Family
ID=12138580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4002970A Granted DE4002970A1 (de) | 1989-02-01 | 1990-02-01 | Halbleiterlaser und verfahren zu dessen herstellung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5020067A (de) |
JP (1) | JPH02203586A (de) |
DE (1) | DE4002970A1 (de) |
NL (1) | NL9000254A (de) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR950004667A (ko) * | 1993-07-29 | 1995-02-18 | 가나이 쯔또무 | 반도체레이저소자 및 그 제작방법 |
JP4011640B2 (ja) * | 1995-03-02 | 2007-11-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ,及び半導体レーザの製造方法 |
JPH09139550A (ja) * | 1995-11-16 | 1997-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置 |
DE69723009T2 (de) * | 1996-09-06 | 2004-05-06 | Sanyo Electric Co., Ltd., Moriguchi | Halbleiterlaservorrichtung |
KR100275532B1 (ko) * | 1998-09-21 | 2001-01-15 | 이계철 | 자동정렬 이온주입 공정을 이용한 고출력 반도체 레이저 제조방법 |
WO2000065665A1 (en) | 1999-04-27 | 2000-11-02 | Services Petroliers Schlumberger | Radiation source |
JP3676965B2 (ja) * | 1999-08-31 | 2005-07-27 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP4309636B2 (ja) * | 2002-10-17 | 2009-08-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザおよび光通信用素子 |
JP4601904B2 (ja) * | 2003-01-30 | 2010-12-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
KR20050001605A (ko) * | 2003-06-26 | 2005-01-07 | 삼성전기주식회사 | 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 |
US8437375B2 (en) | 2008-10-31 | 2013-05-07 | Optoenergy, Inc | Semiconductor laser element |
JP6020190B2 (ja) | 2013-01-21 | 2016-11-02 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクター |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3855546A (en) * | 1973-09-21 | 1974-12-17 | Texas Instruments Inc | Folded lobe large optical cavity laser diode |
US4371966A (en) * | 1980-11-06 | 1983-02-01 | Xerox Corporation | Heterostructure lasers with combination active strip and passive waveguide strip |
JPS60101989A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レ−ザ及びその製造方法 |
JPH0648743B2 (ja) * | 1987-02-18 | 1994-06-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
JPH01235397A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
GB2222307B (en) * | 1988-07-22 | 1992-04-01 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser |
US4961197A (en) * | 1988-09-07 | 1990-10-02 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device |
-
1989
- 1989-02-01 JP JP1024453A patent/JPH02203586A/ja active Pending
-
1990
- 1990-01-30 US US07/472,285 patent/US5020067A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-02-01 DE DE4002970A patent/DE4002970A1/de active Granted
- 1990-02-01 NL NL9000254A patent/NL9000254A/nl not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02203586A (ja) | 1990-08-13 |
DE4002970A1 (de) | 1990-08-02 |
US5020067A (en) | 1991-05-28 |
NL9000254A (nl) | 1990-09-03 |
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Legal Events
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
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8364 | No opposition during term of opposition | ||
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