DE10008580A1 - Halbleiterspeicher und Herstellverfahren für denselben - Google Patents

Halbleiterspeicher und Herstellverfahren für denselben

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Abstract

Eine Attrappengateelektrode wird unmittelbar über einem Kanalausbildungsbereich eines Halbleitersubstrats (1) durch Strukturieren eines Attrappengateelektrode-Materials ausgebildet, das auf dem Halbleitersubstrat hergestellt wurde. In einen Oberflächenabschnitt des Halbleitersubstrats wird ein Dotierstoff durch Ionenimplantation eingebracht, wobei die Attrappengateelektrode als Maske verwendet wird. Dadurch wird ein Source/Drain-Bereich (5) in Selbstausrichtung mit der Attrappengateelektrode ausgebildet. Auf dem gesamten Substrat und der Attrappengateelektrode wird ein erster Zwischenschichtisolator (6) hergestellt, und danach wird dieser einem Einebnungsprozess unterzogen, um die Oberfläche der Attrappengateelektrode freizulegen. Auf dem Halbleitersubstrat wird durch Entfernen der Attrappengateelektrode ein Graben (7) ausgebildet. In diesem Graben wird durch sequentielles Herstellen eines dielektrischen Pufferfilms, eines ferroelektrischen Films und eines Gateelektrodenmaterials in dieser Reihenfolge ein Gate hergestellt. So wird dieses hergestellt, ohne dass es zu irgendeiner Beschädigung von Randabschnitten des Grabens kommt und ohne dass die Vertikalkomponente der spontanen Polarisation im ferroelektrischen Film verringert wird.

Description

Die Erfindung betrifft Halbleiterspeicher und Verfahren zum Herstellen derselben, und spezieller betrifft sie Halblei­ terspeicher mit einem ferroelektrischen kapazitiven Element sowie Herstellverfahren hierfür.
Es wurden schon Halbleiterspeicher unter Verwendung von Fer­ roelektrika, insbesondere nichtflüchtige Halbleiterspeicher, vorgeschlagen. Als ein Informationsaufrechterhaltungsverfah­ ren für solche ist ein Verfahren verfügbar, bei dem elektri­ sche Ladungen in der Gateelektrode eines Feldeffekttransis­ tors aufrechterhalten werden.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 7A bis 7F wird nachfolgend ein bekannter Halbleiterspeicher beschrieben, der ein Verfahren verwendet, bei dem elektrische Ladungen in der Gateelektrode eines Feldeffekttransistors aufrechterhalten werden, wie es in JP-A-8-55918 beschrieben ist. Die Fig. 7A bis 7F sind Diagramme zum Veranschaulichen des Herstellprozesses für ei­ nen derartigen Halbleiterspeicher.
Als Erstes wird, wie es in Fig. 7A dargestellt ist, durch Lithografie und Ätzen in einem p-Halbleitersubstrat 21 ein Graben 22 hergestellt. Dann wird, wie es in Fig. 7B darge­ stellt ist, Siliziumoxid 23 im Graben 22 eingebettet. Dann wird durch Ionenimplantation ein n-Dotierstoff in das Halb­ leitersubstrat 21 eingebracht, der dasselbe in einen Lei­ tungstyp entgegengesetzt zum ursprünglichen überführt, und anschließend wird eine Hochtemperatur-Wärmebehandlung ausge­ führt, um dadurch den Dotierstoff elektrisch zu aktivieren, wodurch ein Source/Drain-Bereich 24 ausgebildet wird.
Als Nächstes wird, wie es in Fig. 7B dargestellt ist, durch selektives Entfernen des in den Graben 22 eingebetteten Si­ liziumoxids 23 ein Graben ausgebildet, und danach wird über­ all Siliziumoxid 25 abgeschieden, das ein Isolator mit nied­ riger Dielektrizitätskonstante ist. Als Nächstes wird, wie es in Fig. 4 dargestellt ist, Bi4T3O12 durch Sputtern im Graben als dielektrischer Film 26 abgeschieden und durch Rückätzen eingebettet.
Als Nächstes wird, wie es in Fig. 7E dargestellt ist, Pt als Gateelektrode 27 auf dem ferroelektrischen Film 26 abge­ schieden. Als Verfahren zum Einbetten des ferroelektrischen Films 26 im Graben 22 ist es auch möglich, mechanisches Po­ lieren, chemisches Polieren oder mechanisch-chemisches Po­ lieren nach dem Abscheiden des ferroelektrischen Films aus­ zuführen. Abschließend werden, wie es in Fig. 7F dargestellt ist, Verbindungen metallischer Source/Drain-Elektroden 28 realisiert, um so den Prozess abzuschließen.
Unter Verwendung des obigen Verfahrens kann, da der Source/Drain- Bereich vor der Herstellung des ferroelektrischen Films ausgebildet wird, verhindert werden, dass Bestandsele­ mente des ferroelektrischen Films aufgrund der Wärmebehand­ lung zum Ausbilden des Source/Drain-Bereichs in das Halblei­ tersubstrat eindiffundieren. Auch ist es möglich, da der ferroelektrische Film in Selbstausrichtung mit dem Source/Drain- Bereich hergestellt werden kann, einen hoch integrier­ ten nichtflüchtigen Speicher zu realisieren, bei dem die Bauteileabmessungen verkleinert sind.
Jedoch besteht unter Verwendung des oben beschriebenen Pro­ zesses ein Nachteil dahingehend, dass, da Randabschnitte des Grabens bei der Herstellung desselben im Halbleitersubstrat durch Ätzen beschädigt werden, Transistoreigenschaften be­ einträchtigt werden. Ferner liegt, da die Grenzfläche zwi­ schen dem ferroelektrischen Gatefilm und dem Halbleitersub­ strat unter der Oberfläche des Source/Drain-Bereichs liegt, am ferroelektrischen Gatefilm aufgrund der Vorspannung zwi­ schen dem Source- und dem Drainbereich ein horizontales elektrisches Feld an, so dass Vertikalkomponenten der spon­ tanen Polarisation verringert sind, was einen weiteren Nach­ teil bildet.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Halbleiter­ speicher und ein Herstellverfahren für einen solchen ohne die obigen technischen Nachteile zu schaffen, die es ermög­ lichen, den Source/Drain-Bereich vor der Herstellung des Gates herzustellen und den ferroelektrischen Gatefilm in Selbstausrichtung mit dem Source/Drain-Bereich herzustellen.
Diese Aufgabe ist hinsichtlich des Speichers durch die Lehre des beigefügten Anspruchs 1 und hinsichtlich des Verfahrens durch die Lehren der unabhängigen Ansprüche 4, 6 und 12 ge­ löst.
Da bei der Erfindung der ferroelektrische Film in Selbstaus­ richtung mit dem Source/Drain-Bereich hergestellt wird, zei­ gen die Charakteristiken der Speicher, wenn mehrere dersel­ ben auf einem Halbleitersubstrat hergestellt werden, weniger Schwankungen. Auch werden im ferroelektrischen Film selbst nach Abschluss des Herstellprozesses keine Strukturverfor­ mungen wie Risse beobachtet, da auf den ferroelektrischen Film nicht mit Wärme eingewirkt wird. Ferner wird gemäß ei­ ner Dotierstoffanalyse keine Diffusion von Elementen des ferroelektrischen Materials in das Substrat beobachtet, und es wird auch keine Erhöhung des Leckstroms beobachtet.
Demgemäß können durch Herstellen des Source/Drain-Bereichs vor der Gateherstellung und durch Herstellen des ferroelek­ trischen Gatefilms in Selbstausrichtung mit dem Source/Drain- Bereich eine Aktivierung des Dotierstoffs im Source/Drain- Bereich und sichere Filmqualität des ferroelektrischen Films gleichzeitig erzielt werden, so dass eine Beeinträch­ tigung der Transistoreigenschaften vermeidbar ist. Ferner kann ein hoch integrierter nichtflüchtiger Halbleiterspei­ cher mit verkleinerten Bauteileabmessungen unter Verwendung eines ferroelektrischen Films erhalten werden.
Wenn das Halbleitersubstrat aus Silizium besteht und der di­ elektrische Pufferfilm aus Bi2SiO5 besteht, kann, wenn Bi2Ti3O12 für den ferroelektrischen Film verwendet wird, dieses Material mit Ausrichtung der C-Achse hergestellt wer­ den, was für Ansteuerung mit niedriger Spannung geeignet ist.
Da beim Verfahren gemäß dem Anspruch 12 ein ferroelektri­ scher Film in Selbstausrichtung mit dem Source/Drain-Bereich ohne Herstellung oder Beseitigung einer Gateattrappenelek­ trode hergestellt werden kann, können die erforderlichen Arbeitsstunden für den Prozess gesenkt werden.
Wenn beim Herstellen eines Halbleiterspeichers eine Attrap­ pengateelektrode aus Siliziumnitrid hergestellt wird und ein Zwischenschichtisolator aus Siliziumoxid hergestellt wird, erfüllt die Attrappengateelektrode beim Einebnungsprozess des ersten Zwischenschichtisolators durch einen CMP-Prozess erfolgreich die Funktion eines Stopperfilms.
Die Erfindung wird aus der detaillierten nachfolgenden Be­ schreibung und den beigefügten Zeichnungen, die nur zur Ver­ anschaulichung dienen und demgemäß für die Erfindung nicht beschränkend sind, vollständiger zu verstehen sein.
Fig. 1A bis 1E sind Diagramme für die erste Hälfte eines Herstellprozesses eines Halbleiterspeichers gemäß einem ers­ ten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 2A bis 2E sind Diagramme für die zweite Hälfte eines Herstellprozesses eines Halbleiterspeichers gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 3A bis 3E sind Diagramme für die erste Hälfte eines Herstellprozesses eines Halbleiterspeichers gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 4A bis 4E sind Diagramme für die zweite Hälfte eines Herstellprozesses eines Halbleiterspeichers gemäß dem zwei­ ten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 5A bis 5D sind Diagramme für die erste Hälfte eines Herstellprozesses eines Halbleiterspeichers gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 6A bis 6D sind Diagramme für die zweite Hälfte eines Herstellprozesses eines Halbleiterspeichers gemäß dem drit­ ten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 7A bis 7F sind Diagramme zum Herstellprozess eines nichtflüchtigen Halbleiterspeichers unter Verwendung eines ferroelektrischen Films als Gateisolator gemäß dem Stand der Technik.
Nachfolgend wird die Erfindung im Einzelnen unter Bezugnahme auf Ausführungsbeispiele derselben beschrieben.
Erstes Ausführungsbeispiel
Die Fig. 1A bis 1E sowie 2A bis 2E sind Diagramme zu einem Herstellprozess eines Halbleiterspeichers gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung. In diesen Figuren sind folgende Bestandteile dargestellt: ein p-Halbleitersubstrat 1, ein Feldoxid 2, ein Überzugsoxid 3, ein Attrappengate­ elektrode-Material 4, eine Attrappengateelektrode 4a, ein Source/Drain-Bereich 5, ein erster Zwischenschichtisolator 6, ein Graben 7, ein dielektrischer Pufferfilm 8, ein di­ elektrischer Gatepufferfilm 8a, ein ferroelektrischer Film 9, ein ferroelektrischer Gatefilm 9a, ein Gateelektrodenma­ terial 10, eine Gateelektrode 10a, ein zweiter Zwischen­ schichtisolator 11 und eine Source/Drain-Elektrode 12.
Als Erstes wird, wie es in Fig. 1A dargestellt ist, Silizi­ umoxid durch thermische Oxidation als Feldoxid 2 in einem spezifizierten Bereich eines p-Halbleitersubstrats herge­ stellt, das als p-Halbleitersubstrat 1 verwendet wird. Als Nächstes wird, wie es in Fig. 1B dargestellt ist, in einem Oberflächenabschnitt des p-Halbleitersubstrats 1, dort wo kein Feldoxid 2 vorhanden ist, Siliziumoxid durch thermische Oxidation als Überzugsoxid 3 hergestellt. Ferner wird auf der gesamten Oberfläche des p-Halbleitersubstrats 1 durch einen CVD-Prozess Siliziumnitrid als Attrappengateelektrode- Material 4 hergestellt.
Als Nächstes wird, wie es in Fig. 1C dargestellt ist, das Attrappengateelektrode-Material 4 durch Lithografie und Tro­ ckenätzen strukturiert, wodurch die Attrappengateelektrode 4a unmittelbar über dem Kanalausbildungsbereich des p-Halb­ leitersubstrats 1 hergestellt wird. Anschließend wird, unter Verwendung der Attrappengateelektrode 4a als Dotierstoff- Implantationsmaske, ein n-Dotierstoff, nämlich Arsen (As), durch Ionenimplantation in die gesamte Oberfläche des p- Halbleitersubstrats 1 eingebracht, und ferner wird eine Hochtemperatur-Wärmebehandlung zum Aktivieren des Dotier­ stoffs ausgeführt, wodurch ein n-Source/Drain-Bereich 5 in Selbstausrichtung mit der Attrappengateelektrode 4a ausge­ bildet wird. Dann wird, wie es in Fig. 1D dargestellt ist, Siliziumoxid durch einen CVD-Prozess als erster Zwischen­ schichtisolator 6 auf der gesamten Oberfläche des p-Halblei­ tersubstrats 1 hergestellt, wodurch die Attrappengateelek­ trode 4a beschichtet wird.
Als Nächstes wird, wie es in Fig. 1E dargestellt ist, unter Verwendung der Attrappengateelektrode 4a als Stopperfilm, der erste Zwischenschichtisolator 6 einem Einebnungsprozess unterzogen, wodurch die Oberfläche der Attrappengateelektro­ de 4a freigelegt wird. Außerdem wird für den Einebnungspro­ zess ein CMP(chemisch-mechanisches Polieren)-Prozess verwen­ det. Bei diesem Einebnungsprozess wird gleichzeitig auch das Feldoxid 2 eingeebnet.
Als Nächstes wird, wie es in Fig. 2A dargestellt ist, nur die Attrappengateelektrode 4a selektiv durch eine Lösung auf Phosphatbasis entfernt, wodurch im Zwischenschichtisolator 6 der Graben 7 so ausgebildet wird, dass er die Oberfläche des p-Halbleitersubstrats 1 in Selbstausrichtung mit dem Source/­ Drain-Bereich 5 erreicht. Anschließend wird das am Boden des Grabens 7 verbliebene Überzugsoxid 3 durch selektives Ätzen mit einem Material auf Fluorbasis entfernt, wodurch die Oberfläche des p-Halbleitersubstrats 1 freigelegt wird. Bei diesem Prozess ändern sich, da die Bearbeitungszeit zum Ent­ fernen des Überzugsoxids 3 sehr kurz ist, die Filmdicke des ersten Zwischenschichtisolators 6 und die Konfiguration des Grabens 7 beinahe nicht.
Als Nächstes wird, wie es in Fig. 2B dargestellt ist, Bi2SiO5 durch einen CVD-Prozess als dielektrischer Puffer­ film 8 auf der gesamten Oberfläche des p-Halbleitersubstrats 1 hergestellt, und anschließend wird Bi4T3O12 (nachfolgend als "BIT" bezeichnet) durch einen CVD-Prozess als ferroelek­ trischer Film 9 hergestellt, und ferner wird Pt durch Sput­ tern als Gateelektrodenmaterial 10 hergestellt. In diesem Fall ist das den dielektrischen Pufferfilm 8 bildende Bi2SiO5 dadurch gekennzeichent, dass es die Ausrichtung {100} aufweist, wenn es auf einkristallinem Silizium und Si­ liziumoxid hergestellt wird. Wenn das den ferroelektrischen Film 9 bildende BIT auf derartigem Bi2SiO5 mit der Ausrich­ tung {100} hergestellt wird, ist epitaktisches Wachstum von BIT mit Ausrichtung in der C-Achse möglich, was für Ansteue­ rung mit niedriger Spannung günstig ist.
Als Nächstes wird, wie es in Fig. 2C dargestellt ist, konti­ nuierliches Strukturieren unter Verwendung von Lithografie und Trockenätzen so ausgeführt, dass zumindest das Gateelek­ trodenmaterial 10, der ferroelektrische Film 9 und der di­ elektrische Pufferfilm 8, wie innerhalb des Grabens 7 ausge­ bildet, verbleiben, wodurch ein Gate aus der Gateelektrode 10a, dem ferroelektrischen Gatefilm 9a und dem dielektri­ schen Gatepufferfilm 8a in Selbstausrichtung mit dem Source/Drain- Bereich 5 ausgebildet ist.
Als Nächstes wird, wie es in Fig. 2D dargestellt ist, Sili­ ziumoxid durch einen CVD-Prozess als zweiter Zwischen­ schichtisolator 11 auf der gesamten Oberfläche des p-Halb­ leitersubstrats 1 hergestellt, wodurch das Gate überzogen wird.
Abschließend wird, wie es in Fig. 2E dargestellt ist, ein Kontaktloch, das sich durch den zweiten Zwischenschichtiso­ lator 11 und den ersten Zwischenschichtisolator 6 bis zum Source/Drain-Bereich 5 erstreckt, durch eine bekannte Tech­ nik hergestellt, und dieses Kontaktloch wird durch einen Sputterprozess mit einem elektrisch leitenden Material auf­ gefüllt, wodurch die Source/Drain-Elektrode 12 ausgebildet ist und der Prozess abgeschlossen ist.
Obwohl bei diesem Ausführungsbeispiel BIT für den ferroelek­ trischen Film verwendet ist, ist es auch möglich, (PbxLa1-x)(ZryTi1-y)O3 (0 ≦ x, y ≦ 1), SrBi2(TaxNb1-x)2O9 (0 ≦ x ≦ 1), BaMgF4 oder dergleichen zu verwenden. Auch wur­ de zwar Bi2SiO5 für den dielektrischen Pufferfilm verwendet, jedoch können alternativ CeO2, Y2O3, ZrO2, MgO, SrTiO3, SiO2 und dergleichen verwendet werden.
Beim Ausführungsbeispiel wurde zwar Pt als Gateelektrodenma­ terial verwendet, jedoch kann dieses auch aus Ir, Ru, Au, Ag, Al, Rh, Os oder anderen metallischen Materialien und de­ ren Oxidmaterialien, oder aus Polysilizium, bestehen. Ferner kann der Halbleiterspeicher vom Feldeffekttyp gemäß dem ers­ ten Ausführungsbeispiel auch ein solcher sein, bei dem ein p-Source/Drain-Bereich auf einem n-Halbleitersubstrat ausge­ bildet ist.
Zweites Ausführungsbeispiel
Die Fig. 3A bis 3E und 4A bis 4E sind Diagramme zu einem Herstellprozess für einen Halbleiterspeicher gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Komponenten, die mit solchen in den Fig. 1A bis 1E und 2A bis 2E identisch sind, sind mit denselben Bezugszahlen gekennzeichnet, und ihre Beschreibung wird weggelassen. Dieses Ausführungsbei­ spiel ist eine Modifizierung des ersten Ausführungsbei­ spiels, bei dem der dielektrische Gatepufferfilm 8a nur auf der Bodenfläche des Grabens 7 ausgebildet ist. Im Ergebnis dieser Anordnung ist die Ausrichtung zwischen dem ferroelek­ trischen Gatefilm 9a und dem Source/Drain-Bereich 5 verbes­ sert.
Als Erstes wird, wie es in Fig. 3A dargestellt ist, Sili­ ziumoxid durch eine bekannte Technik als Feldoxid 2 in einem spezifizierten Bereich eines als p-Halbleitersubstrat 1 ver­ wendeten p-Siliziumsubstrats hergestellt. Als Nächstes wird, wie es in Fig. 3B dargestellt ist, auf der gesamten Oberflä­ che des p-Halbleitersubstrats 1 Bi2SiO5 durch einen CVD-Pro­ zess als dielektrischer Pufferfilm 8 hergestellt, und an­ schließend wird durch einen CVD-Prozess Siliziumnitrid als Attrappengateelektrode-Material 4 hergestellt.
Als Nächstes werden, wie es in Fig. 3C dargestellt ist, das Attrappengateelektrode-Material 4 und der dielektrische Puf­ ferfilm 8 durch Lithografie und Trockenätzen kontinuierlich strukturiert, wodurch die Attrappengateelektrode 4a über dem dielektrischen Gatepufferfilm 8a unmittelbar über dem Kanal­ ausbildungsbereich des p-Halbleitersubstrats 1 hergestellt wird. Anschließend wird, unter Verwendung der Attrappengate­ elektrode 4a als Dotierstoff-Implantationsmaske, ein n-Do­ tierstoff, nämlich As, durch Ionenimplantation in die gesam­ te Oberfläche des p-Halbleitersubstrats 1 eingebracht, und ferner wird eine Hochtemperatur-Wärmebehandlung zum Aktivie­ ren des Dotierstoffs ausgeführt, wodurch ein n-Source/Drain- Bereich 5 in Selbstausrichtung mit der Attrappengateelektro­ de 4a ausgebildet wird.
Als Nächstes wird, wie es in Fig. 3D dargestellt ist, Sili­ ziumoxid durch einen CVD-Prozess als erster Zwischenschicht­ isolator 6 auf der gesamten Oberfläche des p-Halbleitersub­ strats 1 hergestellt, wodurch die Attrappengateelektrode 4a und der dielektrische Gatepufferfilm 8a überzogen werden.
Als Nächstes wird, wie es in Fig. 3E dargestellt ist, unter Verwendung der Attrappengateelektrode 4a als Stopperfilm der erste Zwischenschichtisolator 6 einem Einebnungsprozess un­ terzogen, wodurch die Oberfläche der Attrappengateelektrode 4a freigelegt wird. Außerdem wird für den Einebnungsprozess ein CMP-Prozess verwendet. Bei diesem Einebnungsprozess wird gleichzeitig auch das Feldoxid 2 eingeebnet.
Als Nächstes wird, wie es in Fig. 4A dargestellt ist, die Attrappengateelektrode 4a durch eine Lösung auf Phosphatba­ sis selektiv entfernt, wodurch der Graben 7 im ersten Zwi­ schenschichtisolator 6 so ausgebildet wird, dass er die Oberfläche des dielektrischen Pufferfilms 8a in Selbstaus­ richtung mit dem Source/Drain-Bereich 5 erreicht.
Als Nächstes wird, wie es in Fig. 4B dargestellt ist, BIT durch einen CVD-Prozess als ferroelektrischer Film 9 auf der gesamten Oberfläche des p-Halbleitersubstrats 1 hergestellt, und ferner wird durch Sputter Pt als Gateelektrodenmaterial 10 hergestellt. Als Nächstes wird, wie es in Fig. 4C darge­ stellt ist, kontinuierliches Strukturieren unter Verwendung von Lithografie und Trockenätzen so ausgeführt, dass zumin­ dest das Gateelektrodenmaterial 10 und der ferroelektrische Film 9, wie innerhalb des Grabens 7 ausgebildet, verbleiben, wodurch ein Gate aus der Gateelektrode 10a, dem ferroelek­ trischen Gatefilm 9a und dem dielektrischen Gatepufferfilm 8a in Selbstausrichtung mit dem Source/Drain-Bereich 5 aus­ gebildet ist.
Als Nächstes wird, wie es in Fig. 4D dargestellt ist, Sili­ ziumoxid durch einen CVD-Prozess als zweiter Zwischen­ schichtisolator 11 auf der gesamten Oberfläche des p-Halb­ leitersubstrats 1 hergestellt, wodurch das Gate überzogen wird. Abschließend wird, wie es in Fig. 4E dargestellt ist, ein Kontaktloch, das sich durch den zweiten Zwischenschicht­ isolator 11 und den ersten Zwischenschichtisolator 6 bis zum Source/Drain-Bereich 5 erstreckt, durch eine bekannte Tech­ nik hergestellt, und das Kontaktloch wird durch einen Sput­ terprozess mit einem elektrisch leitenden Material aufge­ füllt, wodurch die Source/Drain-Elektrode 12 hergestellt wird und der Prozess abgeschlossen wird.
Drittes Ausführungsbeispiel
Die Fig. 5A bis 5D und 6A bis 6D sind Diagramme zu einem Herstellprozess für einen Halbleiterspeicher gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Komponenten, die mit solchen in den Fig. 1A bis 1E sowie 2A bis 2E identisch sind, sind mit denselben Bezugszahlen gekennzeichnet, und ihre Beschreibung wird weggelassen. Dieses Ausführungsbei­ spiel ist eine Modifizierung des ersten Ausführungsbei­ spiels, wobei eine auf der Oberfläche des p-Halbleitersub­ strats 1 ausgebildete n-Dotierstoff-Diffusionsschicht durch Ausbilden einer p-Dotierstoff-Diffusionsschicht 14 im Kanal­ ausbildungsbereich in den Source/Drain-Bereich 5 unterteilt ist. Im Ergebnis dieser Vorgehensweise ist es möglich, den ferroelektrischen Gatefilm 9a ohne Verwendung irgendeiner Attrappengateelektrode in Selbstausrichtung mit dem Source/Drain- Bereich 5 herzustellen.
Als Erstes wird, wie es in Fig. 5A dargestellt ist, Sili­ ziumoxid durch eine bekannte Technik als Feldoxid 2 in einem spezifizierten Bereich eines als p-Halbleitersubstrat 1 ver­ wendeten p-Siliziumsubstrats hergestellt. Als Nächstes wird, wie es in Fig. 5B dargestellt ist, der n-Dotierstoff Arsen durch Ionenimplantation in die gesamte Oberfläche des p- Halbleitersubstrats 1 eingebracht, und ferner wird eine Hochtemperatur-Wärmebehandlung zum Aktivieren des Dotier­ stoffs ausgeführt, wodurch an der Oberfläche des p-Halblei­ tersubstrats 1 ein n-Dotierstoff-Diffusionsbereich 13 ausge­ bildet wird. Diese Wärmebehandlung kann jedoch weggelassen werden, und stattdessen kann eine Wärmebehandlung genutzt werden, die später zur Ausbildung des Source/Drain-Bereichs 5 ausgeführt wird.
Als Nächstes wird, wie es in Fig. 5C dargestellt ist, Sili­ ziumoxid durch einen CVD-Prozess als erster Zwischenschicht­ isolator 6 auf der gesamten Oberfläche des p-Halbleitersub­ strats 1 hergestellt.
Als Nächstes wird, wie es in Fig. 5D dargestellt ist, der erste Zwischenschichtisolator 6 unter Verwendung von Litho­ grafie und Trockenätzen strukturiert, wodurch der Graben 7, der die Oberfläche des p-Halbleitersubstrats 1 erreicht, un­ mittelbar über dem Kanalausbildungsbereich des p-Halbleiter­ substrats 1 hergestellt wird. Anschließend wird, unter Ver­ wendung des ersten Zwischenschichtisolators 6 als Dotier­ stoff-Implantationsmaske, ein p-Dotierstoff, nämlich Bor, durch Ionenimplantation in die gesamte Oberfläche des p- Halbleitersubstrats 1 eingebracht, und ferner wird eine Hochtemperatur-Wärmebehandlung zum Aktivieren des Dotier­ stoffs ausgeführt, wodurch unmittelbar unter dem Graben 7 ein p-Dotierstoff-Diffusionsbereich 14 ausgebildet wird. So wird der n-Source/Drain-Bereich 5 in Selbstausrichtung mit dem Graben 7 hergestellt.
Als Nächstes wird, wie es in Fig. 6A dargestellt ist, Bi2SiO5 durch einen CVD-Prozess als dielektrischer Puffer­ film 8 auf der gesamten Oberfläche des p-Halbleitersubstrats 1 hergestellt, anschließend wird BIT durch einen CVD-Prozess als ferroelektrischer Film 9 hergestellt, und ferner wird durch Sputtern Pt als Gateelektrodenmaterial 10 hergestellt.
Als Nächstes wird, wie es in Fig. 6B dargestellt ist, unter Verwendung von Lithografie und Trockenätzen kontinuierliches Strukturieren so ausgeführt, dass zumindest das Gateelektro­ denmaterial 10, der ferroelektrische Film 9 und der dielek­ trische Pufferfilm 8, wie innerhalb des Grabens 7 ausgebil­ det, verbleiben, wodurch ein Gate aus der Gateelektrode 10a, dem ferroelektrischen Gatefilm 9a und dem dielektrischen Gatepufferfilm 8a in Selbstausrichtung mit dem Source/Drain- Bereich 5 ausgebildet ist.
Als Nächstes wird, wie es in Fig. 6C dargestellt ist, Sili­ ziumoxid durch einen CVD-Prozess als zweiter Zwischen­ schichtisolator 11 auf der gesamten Oberfläche des p-Halb­ leitersubstrats 1 hergestellt, wodurch das Gate überzogen wird. Abschließend wird, wie es in Fig. 6C dargestellt ist, ein Kontaktloch, das sich durch den zweiten Zwischenschicht­ isolator 11 und den ersten Zwischenschichtisolator 6 bis zum Source/Drain-Bereich 5 erstreckt, durch eine bekannte Tech­ nik hergestellt, und dieses Kontaktloch wird durch einen Sputterprozess mit einem elektrisch leitenden Material auf­ gefüllt, wodurch die Source/Drain-Elektrode 12 hergestellt wird und der Prozess abgeschlossen wird.

Claims (16)

1. Halbleiterbauteil mit:
  • - einem Halbleitersubstrat (1) von erstem Leitungstyp;
  • - einem Source/Drain-Bereich (5) von zweitem Leitungstyp, entgegengesetzt zum ersten Leitungstyp, der im Halbleiter­ substrat ausgebildet ist;
  • - einem Zwischenschichtisolator (6), der auf dem Halbleiter­ substrat ausgebildet ist;
  • - einem Graben (7), der in Selbstausrichtung mit dem Sour­ ce/Drain-Bereich im Zwischenschichtisolator ausgebildet ist und sich bis zur Oberfläche des Halbleitersubstrats er­ streckt; und
  • - einem Gate (8a, 9, 9a, 10, 10a), das zumindest auf einer Innenwand des Grabens ausgebildet ist.
2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Gate über Laminatstruktur aus einem ferroelektrischen Gatefilm (9a) und einer Gateelektrode (10, 10a) in dieser Reihenfolge ausgehend von der Seite des Halbleitersubstrats (1) aufweist.
3. Speicher nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem ferroelektrischen Gatefilm (9a) und dem Halb­ leitersubstrat (1) ein dielektrischer Gatepufferfilm (8a) vorhanden ist.
4. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterspeichers, mit den folgenden Schritten:
  • - Herstellen eines Attrappengateelektrode-Materials (4) auf der gesamten Oberfläche eines Halbleitersubstrats (1) von erstem Leitungstyp;
  • - Herstellen einer Attrappengateelektrode (4a) unmittelbar über dem Kanalausbildungsbereich des Halbleitersubstrats durch Strukturieren des Attrappengateelektrode-Materials;
  • - Herstellen eines Source/Drain-Bereichs (5) von zweitem Leitungstyp, entgegengesetzt zum ersten Leitungstyp, in Selbstausrichtung, mit der Attrappengateelektrode durch Ionenimplantieren eines Dotierstoffs vom zweiten Leitungstyp unter Verwendung der Attrappengateelektrode als Dotierstoff­ implantationsmaske, und anschließendes Ausführen einer Wär­ mebehandlung zum Aktivieren des Dotierstoffs;
  • - Herstellen eines Zwischenschichtisolators (6) auf der ge­ samten Fläche zum Beschichten der Attrappengateelektrode;
  • - Freilegen der Oberfläche der Attrappengateelektrode da­ durch, dass der Zwischenschichtisolator einem Einebnungspro­ zess unterzogen wird;
  • - Herstellen eines Grabens (7) im Zwischenschichtisolator, der die Oberfläche des Halbleitersubstrats erreicht, in Selbstausrichtung mit dem Source/Drain-Bereich durch selek­ tives Entfernen nur der Attrappengateelektrode;
  • - Einbetten eines Gateelektrodenmaterials und eines ferro­ elektrischen Films in den Graben dadurch, dass der ferro­ elektrische Film und das Gateelektrodenmaterial sequenziell in dieser Reihenfolge auf der gesamten Fläche hergestellt werden; und
  • - Herstellen eines Gates aus einer Gateelektrode (10, 10a) und einem ferroelektrischen Gatefilm (9a) in Selbstausrich­ tung mit dem Source/Drain-Bereich durch Strukturieren des Gateelektrodenmaterials und des ferroelektrischen Films.
5. Verfahren nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
  • - Einbetten eines Gateelektrodenmaterials (10), eines ferro­ elektrischen Films (9) und eines dielektrischen Pufferfilms (8) in den Graben (7) dadurch, dass der dielektrische Puf­ ferfilm, der ferroelektrische Film und das Gateelektrodenma­ terial sequenziell in dieser Reihenfolge nach Herstellung des Grabens auf der gesamten Oberfläche hergestellt werden; und
  • - Herstellen eines Gates aus einer Gateelektrode (10a), ei­ nem ferroelektrischen Gatefilm (9a) und einem dielektrischen Gatepufferfilm (8a) in Selbstausrichtung mit dem Source/­ Drain-Bereich (5) durch Strukturieren des Gateelektrodenma­ terials, des ferroelektrischen Films und des dielektrischen Pufferfilms.
6. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterspeichers, mit den folgenden Schritten:
  • - Herstellen eines dielektrischen Pufferfilms (8) und eines Attrappengateelektrode-Materials (4) sequenziell in dieser Reihenfolge auf der gesamten Oberfläche eines Halbleitersub­ strats (1) von erstem Leitungstyp;
  • - Herstellen einer Attrappengateelektrode (4a) und eines di­ elektrischen Gatepufferfilms (8a) unmittelbar über dem Ka­ nalausbildungsbereich des Halbleitersubstrats durch Struktu­ rieren des Attrappengateelektrode-Materials und des dielek­ trischen Pufferfilms;
  • - Herstellen eines Source/Drain-Bereichs (5) von zweitem Leitungstyp, entgegengesetzt zum ersten Leitungstyp, in Selbstausrichtung, mit der Attrappengateelektrode durch Ionenimplantieren eines Dotierstoffs vom zweiten Leitungstyp unter Verwendung der Attrappengateelektrode als Dotierstoff­ implantationsmaske, und anschließendes Ausführen einer Wär­ mebehandlung zum Aktivieren des Dotierstoffs;
  • - Herstellen eines Zwischenschichtisolators (6) auf der ge­ samten Fläche zum Beschichten der Attrappengateelektrode;
  • - Freilegen der Oberfläche der Attrappengateelektrode da­ durch, dass der Zwischenschichtisolator einem Einebnungspro­ zess unterzogen wird;
  • - Herstellen eines Grabens (7) im Zwischenschichtisolator, der die Oberfläche des Halbleitersubstrats erreicht, in Selbstausrichtung mit dem Source/Drain-Bereich durch selek­ tives Entfernen nur der Attrappengateelektrode;
  • - Herstellen eines die Oberfläche des dielektrischen Gate­ pufferfilms erreichenden Grabens (7) in Selbstausrichtung mit dem Source/Drainbereich durch selektives Entfernen nur der Attrappengateelektrode;
  • - Einbetten eines Gateelektrodenmaterials und eines ferro­ elektrischen Films in den Graben dadurch, dass der ferro­ elektrische Film und das Gateelektrodenmaterial sequenziell in dieser Reihenfolge auf der gesamten Fläche hergestellt werden; und
  • - Herstellen eines Gates aus einer Gateelektrode (10a), ei­ nem ferroelektrischen Gatefilm (9a) und dem dielektrischen Gatepufferfilm (8a) in Selbstausrichtung mit dem Source/Drain- Bereich durch Strukturieren des Gateelektrodenmate­ rials und des ferroelektrischen Films.
7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitersubstrat (1) ein Siliziumsubstrat ist und der dielektrische Pufferfilm (8) aus Bi2SiO5 hergestellt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitersubstrat (1) ein Siliziumsubstrat ist und der dielektrische Pufferfilm (8) aus Bi2SiO5 hergestellt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche des Zwischenschichtisolators (6) und die Oberfläche der Attrappengateelektrode (4) dadurch in diesel­ be Fläche gebracht werden, dass für den Zwischenschichtiso­ lator ein Einebnungsprozess unter Verwendung eines chemisch- mechanischen Polierprozesses ausgeführt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche des Zwischenschichtisolators (6) und die Oberfläche der Attrappengateelektrode (4) dadurch in diesel­ be Fläche gebracht werden, dass für den Zwischenschichtiso­ lator ein Einebnungsprozess unter Verwendung eines chemisch- mechanischen Polierprozesses ausgeführt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche des Zwischenschichtisolators (6), die Ober­ fläche der Attrappengateelektrode (4) und eine Fläche des Bauelemente isolierenden Feldoxids (2) dadurch in dieselbe Fläche gebracht werden, dass für den Zwischenschichtisolator ein Einebnungsprozess unter Verwendung eines chemisch-mecha­ nischen Polierprozesses ausgeführt wird.
12. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterspeichers, mit den folgenden Schritten:
  • - Herstellen, in einem Halbleitersubstrat (1) von erstem Leitungstyp, eines Dotierstoff-Diffusionsbereichs (14) von zweitem Leitungstyp entgegengesetzt dem ersten Leitungstyp durch Ionenimplantieren eines Dotierstoffs vom zweiten Lei­ tungstyp in die gesamte Oberfläche des Halbleitersubstrats;
  • - Herstellen, nach dem Herstellen eines Zwischenschichtiso­ lators (6) auf der gesamten Oberfläche, eines Grabens (7) im Zwischenschichtisolator, der die Oberfläche des Halbleiter­ substrats unmittelbar über einem Kanalausbildungsbereich des Halbleitersubstrats erreicht, durch Strukturieren des Zwi­ schenschichtisolators;
  • - Herstellen eines Source/Drain-Bereichs (5) vom zweiten Leitungstyp in Selbstausrichtung mit dem Graben durch Ionen­ implantation eines Dotierstoffs vom ersten Leitungstyp unter Verwendung des Zwischenschichtisolators als Dotierstoff-Im­ plantationsmaske, und anschließendes Ausführen einer Wärme­ behandlung zum Aktivieren des Dotierstoffs, so dass der Do­ tierstoff-Diffusionsbereich vom zweiten Leitungstyp unmit­ telbar unter dem Graben zu einem Dotierstoff-Diffusionsbe­ reich vom ersten Leitungstyp wird;
  • - Einbetten eines Gateelektrodenmaterials (10) und eines ferroelektrischen Films (9) in den Graben dadurch, dass der ferroelektrische Film und das Gateelektrodenmaterial sequen­ ziell in dieser Reihenfolge auf der gesamten Oberfläche her­ gestellt werden; und
  • - Herstellen eines Gates aus einer Gateelektrode (10a) und einem ferroelektrischen Gatefilm (9a) in Selbstausrichtung mit dem Source/Drain-Bereich durch Strukturieren des Gate­ elektrodenmaterials und des ferroelektrischen Films.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmebehandlung zum Aktivieren des Dotierstoffs vom zweiten Leitungstyp nach dem Implantieren desselben in die gesamte Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) vom ersten Leitungstyp ausgeführt wird.
14. Verfahren nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
  • - Einbetten, folgend auf den Schritt, bei dem der Dotier­ stoff-Diffusionsbereich (14) vom zweiten Leitungstyp unmit­ telbar unter dem Graben (7) zu einem Dotierstoff-Diffusions­ bereich vom ersten Leitungstyp gemacht wird, des Gateelek­ trodenmaterials (10), eines ferroelektrischen Films (9) und eines dielektrischen Pufferfilms (8) in den Graben dadurch, dass der dielektrische Pufferfilm, der ferroelektrische Film und das Gateelektrodenmaterial sequenziell in dieser Reihen­ folge auf der gesamten Fläche hergestellt werden; und
  • - Herstellen eines Gates aus der Gateelektrode (10a), den ferroelektrischen Gatefilm (9a) und einem dielektrischen Gatepufferfilm (8a) in Selbstausrichtung mit dem Source/Drain- Bereich (5) durch Strukturieren des Gateelektrodenma­ terials, des ferroelektrischen Films und des dielektrischen Pufferfilms.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitersubstrat (1) ein Siliziumsubstrat ist und der dielektrische Pufferfilm (8) aus Bi2SiO5 hergestellt wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass als Attrappengateelektrode-Material (4) Siliziumnitrid verwendet wird und der Zwischenschichtisola­ tor (6) aus Siliziumoxid hergestellt wird.
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