CZ574190A3 - Process for producing a photosensitive material - Google Patents

Description

Vynález se týká způsobu výroby zařízení citlivého na záření,' při kterém, se na podklad nanese vrstva citlivá na záření, vyrobí se kapalná směs obsahující materiál rozpustný nebo dispergovatelný ve vývojce pro vrstvu citlivou na záření a tato kapalná směs se nastříká na vrstvu citlivou na záření k vytvoření nespojité krycí vrstvy materiálu na povrchu vrstvy citlivé na záření k vytvoření zařízení citlivého na záření.

Taková zařízení citlivá na záření jsou známá a obsahují podklad, například kovový list pokrytý vrstvou citlivou na záření.

Při použití takových zařízení při výrobě litografických tiskacích desek se vrstva citlivá na záření vystaví záření při použití průhlednosti, takže části vrstvy jsou zářením rozrušeny a jiné části nejsou. V případě negativně pracujících vrstev citlivých na záření se ozářené části vrstvy stanou méně rozpustnými než neozářené.

V případě pozitivně pracujících vrstev citlivých na záření se ozářené části vrstvy stanou více rozpustnými než neozářené. Tudíž zpracováním vrstvy exponované jako obraz vyvíječí kapalinou pro více rozpustné části mohou být tyto části selektivně odstraněny z podkladu k vytvoření obrazu sestávajícího z méně rozpustných částí vrstvy. Tento obraz tvoří tiskací obraz případně tiskací desky a netiskací oblasti desky jsou tvořeny povrchem podkladu odkrytým při vyvíjení.

Tiskací obraz a netiskací oblasti jsou v podstatě koplanární a litografický tiskací proces záleží v různých afinitách tiskacího obrazu a netiskacích oblastí pro barvivo a vodu. Tiskací obraz přijímá barvivo a odpuzuje vodu a netiskací oblasti přijímají vodu a

-2odpuzují barvivo. Během tisku se na desku nanese voda, která je přijata netiskacími oblastmi a odpuzována tiskacím obrazem. Potom se nanese barvivo a to je odpuzováno mokrými netiskacími oblastmi a přijato tiskacím obrazem. Barvivo se potom přenese z tiskacího obrazu na papír nebo jiný materiál, který má být potisknut.

Při exponování obrazu na desce citlivé na záření při výrobě litografických tiskacích desek je podstatné, aby byl dobrý kontakt mezi průsvitným listem, skrze který má být deska exponována a mezi vrstvou citlivou na záření desky samotné. Tento kontakt se dosahuje tím, že se použije tiskový rám, ve kterém se deska a průsvitný list umístí mezi ohebný přítlačný člen a tabuli skla. Vzduch mezi přítlačným členem a tabulí skla se vyčerpá, čímž se deska a průsvitný list k sobě přitlačí. Tento proces se obvykle označuje jako vakuové stlačení.

Nicméně je zde možnost, že mezi hladkým povrchem vrstvy citlivé na záření a průsvitným listem je třeba zamezit vznik vzduchových kapes, případně je třeba prodloužit dobu potřebnou pro dokonalý dotyk. K odstranění tohoto problému může být u vrstvy citlivé na záření vytvořen zdrsněný povrch, který zajišíuje kanálky, kterými mohou být vzduchové kapsy odsáty.

Bylo učiněno mnoho návrhů na vytvoření zdrsněného povrchu vrstvy citlivé na záření, například v britských patentových spisech č.1495361, č.1512080, č.2046461 a č.2075702 a v evropském patentovém spise č.21428.

-3Japonský patentový spis č.98505/76 popisuje rozprašování voskovité nebo jemné rozptýlené pryskyřice z kapalného roztoku na povrch vrstvy citlivé na záření za účelem uložení rozprašovaných částic na tomto povrchu.

Britský patentový spis č.2043285 popisuje poprašování vrstvy citlivé na záření práškem a britský patentový spis č.2081919 popisuje poprašování vrstvy citlivé na zářeníjpryskyřicí rozpustnou ve vodě z vodného roztoku.

Ačkoliv všechny tyto návrhy zlepšují vakuové stlačení, mají určité nevýhody, jako nedostatek přilnavosti naprgšovaných částic k vrstvě citlivé na záření nebo neslučitelnost naprašovaného materiálu s vrstvou citlivou na záření nebo s vyvíjecími kapalinami obecně používanými k vyvíjení vrstvy citlivé na záření po exposici obrazu.

.K odstranění těchto nevýhod popisuje evropský patentový spis Č.174588 opatření povrchu vrstvy citlivé na záření krycí vrstvou mající stejné složení jako vrstva citlivá na záření poprášením vrstvy citlivé na záření roztokem obsahujícím stejné složky jako vrstva citlivá na záření. Ačkoliv toto opatření způsobuje zlepšení, má stejně určité nedostatky, které jsou podrobně popsány ve spise WO 87/03706, podle kterého vrstva citlivá na záření je naprášena nespojitou krycí vrstvou, která má vyšší citlivost na světlo než vrstva citlivá na záření.

Vynález tudíž vytváří způsob výroby zařízení citlivého na záření, při kterém se vytvoří podklad nesoucí vrstvu citlivou na záření, vyrobí se roztok nebo disperze materiálu, který je rozpustný

-4nebo dispergovatelný ve vyvíječi pro vrstvu citlivou na záření, v kapalném uhlovodíku, a tento roztok nebo disperze se nasměruje k vrstvě citlivé na záření rozprašovací technikou k vytvoření nespojité krycí vrstvy materiálu na povrchu vrstvy citlivé na záření.

Roztok nebo disperze mohou být naneseny obvyklou rozprašovací technikou, při které se roztok rozděluje (atomizuje) na kapičky mechanickými silami· Tyto síly mohou být vytvářeny turbulentními proudy vzduchu, mechanickým rozptylováním rotujícím kotoučem nebo roztahováním kapaliny při čerpání za vysokého tlaku malými otvory (rozprašování bez vzduchu). Může být použito i elektrostatické rozprašování, které také využívá některou z těchto metod pro atomizaci rozprašované kapaliny. V tomto případě jsou atomizované kapičky opatřovány elektrostatickým nábojem, aby byly přitahovány k uzemněnému podkladu za účelem zlepšení účinnosti ukládání·

Jiná technika, která může být použita, je technika elektrostatické atomizace popsaná v patentovém spise téhož původce BP-A-O344985

Při této technice roztok nebo disperze má s výhodou vodivost od 10^ <5-1 do 10 pSm a potenciál alespoň 5 kV vzhledem k podkladu se přímo nebo nepřímo indukuje v roztoku nebo disperzi, takže vytváří kapičky v nepřítomnosti jakýchkoli disruptivních sil na ně působících.

To má výhodu, že se vytvářejí kapičky^o rovnoměrnější velikosti.

Při použití těchto elektrostatických atomizačních technik se kapalina vytahuje do jednoho nebo několika hrotů, které se rozdělují na kapičky v podstatě stejné velikosti, které jsou přitahovány k povrchu vrstvy citlivé na záření vlivem rozdílu potenciálu.

Protože kapičky mají v podstatě stejnou velikost, může být vypařování kapalného uhlovodíku řízeno tak, Že všechny kapičky dosáhnou povrchu vrstvy citlivé na záření při podobném stupni vlhkosti.

Je výhodné, když přivedený nebo indukovaný potenciál je v rozsahu od 5, s výhodou 10, do 35 kV kterékoli polarity vzhledem k podkladu Je-li potenciál pro určitou rychlost přivádění kapaliny příliš nízký, může být síla pro správnou atomizaci kapaliny nedostatečná, což vede na velmi nestejné velikosti kapiček. Příliš vysoký potenciál může způsobit korohový výboj z vs&cholů hrotů, což také způsobuje velmi nestejné velikosti kapiček. Rychlost přivádění kapaliny má být od 0,05 do 2,0 cnrmin na jeden hrot. Velikost vytvářených kapiček se může řídit nastevením rychlosti přívodu kapaliny, vodivostí kapaliny nebo přiváděného potenciálu.. Snížení rychlosti přivádění kapaliny, zvýšením vodivodti kapaliny nebo zvýšením přiváděného potenciálu se zmenšuje velikost kapiček. Větší změny velikosti kapiček mohou být dosaženy současnou změnou dvou nebo více výše uvedených parametrů.

Obecně má kapalný uhlovodík použitý v předloženém vynálezu bod varu 150 až 200 °C. Uhlovodík má mít 6 až 11 atomů uhlíku a příklady vhodných uhlovodíků jsou alifatické uhlovodíky nebo směsi alifatických a aromatických uhlovodíků.

Materiál nespojité krycí vrstvy může být nebo nemusí být citlivý na záření.

Vlastnosti materiálu pro nespojitou krycí vrstvu jsou určeny takto:

i) Zdali má být materiál rozprašován jako roztok nebo jako disperze, ii) vlastnostmi vrstvy citlivé na záření, na jejíž povrch má být nespojitá vrstva nanesena a iii) složení vývojky použité pro vrstvu citlivou na záření.

Je-li například povlak citlivý na záření kresolnovolaková pryskyřice sensibilizovaná nsftoquinondiazidem, která se po vystavení záření vyvíjí použitím zředěného vodného alkalického roztoku, potom materiál nespojité krycí vrstvy bude v ideálním případě také rozpustný nebo dispergovatelný ve stejném zředěném vodném alkalickém roztoku. Použití organického rozpouštědla nebo směsi rozpouštědel jako vývojky by podobně v ideálním případě vyžadovalo použít pro nespojitou krycí vrstvu materiál, který by také byl rozpustný nebo dispergovatelný ve stejném rozpouštědle nebo stejné směsi.

Je také třeba, aby materiál použitý pro nespojitou krycí vrst vu byl poměrně průhledný pro oblast spektra, kterému má být vystavena vrstva citlivá na záření. Je také třeba zajistit, aby nespojitá krycí vrstva byla dostatečná odolná proti otěru.

Materiál nespojité krycí vrstvy může být nanesen v roztoku, výhodně se však nanáší jako disperze v uhlovodíkovém rozpouštědle. Při použití roztoka je pro nespojitou krycí vrstvu vhodný například vinylacetátový terpolymer a C^-C^Q-alkylester kyseliny methakrylové (70-90 molárních a kyselina methakrylová (10-30 molárních £). V případě použití disperze je volba vhodných materiálů, pro nespojitou krycí vrstvu velmi širokým subjektem s ohledem na přídavný požadavek, aby příslušný materiál vytvářel stabilní disperzi v kapalném uhlovodíku. Je-li třeba, mohou být přidána neuhlovodíková rozpouštědla pro usnadnění disperze či rozpouštění.

Z obecných důvodů bylo postupně upuštěno od používání organických rozpouštědel při výrobě dasek citlivých na záření pro litografické tiskací desky. Následkem toho v současné době většina pozitivních i negativních desek používaných v tiskařském průmyslu vyžaduje vodné, obvykle alkalické kapalné vývojky. K zajištění, aby materiál tvořící nespojité krycí vrstvy pro takové desky byl rozpustný nebo dispergovatelný v takových vodných kapalných vývojkách, je třeba do jeho struktury zabudovat radikály zajiětující rozpustnost ve vodně alkalických materiálech. Příklady takových radikálů jsou -OH, -COOH, -SO^H, -PO^H, -SO^NH a jejich příslušné anionty. Typické materiály pro nespojité krycí vrstvy jsou polymery připravené kopolymerací jedné nebo nakolika akrylových kyselin, kyseliny methakrylové, kyseliny krotonové, itakonové,jnaleinové, fumarové s jedním nebo několika styreny, vlnultoluenem, ethylenem, propylenem, vinylacetátem, methyl-.

I metakrylátem, butylmethakrylátem, ethylakrylátem a akrylonitrilem.

Vhodné jsou také ve vodě rozpustné polymery jako deriváty celulózy, polyvinylalkohol a kyselina polyakrylová. Tiskařské desky schopné vyvíjení v organických rozpouštědlech v ideálním případě vyžadují, aby materiál nespojité krycí vrstvy byl rozpustný nebo sdispergovatelný ve s tejném organickém rozpouštědle, jaké je v kapalné vývojce. Mnohé typy polymerů jsou vhodné jako takový materiál, včetně epoxidových pryskyřic, kopolymerů alkyl(meth)akrylátů, kopolymerů styrenu a esteru kyseliny maleové, a novolakových pryskyřic.

Materiál nespojité krycí vrstvy by měl být obecně lepivý, aby se usnadnila jeho přilnavost k vrstvě citlivé na záření. To může být dosaženo přidáním materiálů zlepšujících adhezi nebo malých —8— podílů lepivých rozpouštědel o vysokém bodu varu. Alternativně nebo případně může být požadované přilnavosti dosaženo v důsledku techniky použité k vytvoření disperze materiálu.

Způsoby přípravy vhodných disperzí jsou popsány v publikaci

Dispersion Polymerisation in Organic Media’* vydané vydavatelstvím

K.E.Jo Barrett. Tato publikace zahrnuje techniky jako disperzní polymerace, bezvodá emulgační polymerace, emulsifikace taveného polymeru, emulsifikace roztoku pryskyřice, srážení, vylučování z vodných emulzí a řadu mlecích postupů. Bezvodé polymerační techniky jsou zvláště výhodné tím, že používají dispergační činidla, která způsobují, že dispergované částice mají intrinsickou lepivost, která může podporovat samočinné zachycení na povrchu spodní vrstvy citlivé na záření. Přídavné materiály podporující přilnavost mohou být rovněž přidány i s malými podíly lepivých rozpouštědel o vysokém bodu varu.

Výhody plynoucí z použití uhlovodíkového kapalného rozpouštědla nebo dispergačního prostředí jsou

i) rozprašovaná kapalina sotvaj může rozpustit nebo rozrušit povrch vrstvy citlivá na záření, ii) rozprašovaná kapaliny může být nanesena na velké množství vrstev citlivých na záření, a iii) roztok nebo disperze může být vzhledem k jejich nízké vodivosti rozprašován použitím techniky elektrostatické atomizace popsané ve spise EP A.-O344985.

•9

Vrstva citlivá ne záření, na které je vytvořena nespojitá krycí vrstva, může být pozitivně působící materiál, jako je směs obsahující novolakovou pryskyřici a naftoquinondiazidester, nebo negativně působící materiál, jako směs popsaná v evropském patentovém spise č.0030 862 stejného původce»/

Vynález je znázorněn na výkrese, kde obr.l je schematický řez prvním provedení zařízení pro provádění způsobu podle předloženého vynálezu, obr.2 je schematický řez druhým provedením zařízení pro provádění způsobu podle předloženého vynálezu, obr.3 je schematický řez třetím provedením zařízení pro provádění způsobu podle předloženého vynálezu, obr.4 je schematický řez čtvrtým provedením zařízení pro provádění způsobu podle předloženého vynálezu, obr.5 je schematický řez pátým provedením zařízení pro provádění způsobu podle předloženého vynálezu a obr.6 je schematický řez šestým provedením zařízení pro provádění způsobu podle předloženého vynálezu.

Na výkrese jsou shodné součásti označeny shodnými vztahovými značkami.

V obr.l je znázorněn řez rozprašovacím zařízením na principu elektrostatickém s použitím vzduchu. Zařízení zahrnuje hlavu 1, která má první vstupní otvor 2 pro rozprašovanou kapalinu a druhý vstupní otvor 2 pro stlačený vzduch. Na první vstupní otvor 2 navazuje první kanál £, na druhý vstupní otvor 2 navazuje druhý kanál 2· První kanál £ J^e zakončen prvním výstupním otvorem 6, druhý kanál 2 J^e zakončen druhým výstupním otvorem 2» První výstupní otvor 6 a druhý výstupní otvor 2 jsou uspořádány souose navzájem jakož i s jehlovou elektrodou 8 uloženou ve hlavě 2 izolovaně a připojenou ke zdroji vysokého napětí.

-10Při provozu zařízení podle obr.l se do hlavy 1 přivádí prvním vstupním otvorem 2 kapalina a druhým vstupním otvorem 2 stlačený vzduch. Kapalina vystupuje prvním výstupním otvorem 6, stlačený vzduch druhým výstupním otvorem i· Stlečenž vzduch způsobí vytvoření oblasti turbulentního proudění v blízkosti prvního výstupního otvoru 6 a druhého výstupního otvoru 2» ^c0^ za následek rozdělení proudu kapaliny v kapičky. V těchto kapičkách se působením jehlové elektrody 8 indukuje elektrostatický náboj jsou potom přitahovány k neznázorněnému předmětu, který má být poprášen, elektro statickými silami.

Zařízení znázorněné na obr.2 je elektrostatické rozprašovací zařízení bez použití vzduchu. U tohoto zařízení není ve hlavě 1 vytvořen druhý vstupní otvor 2» ůruhý kanál 2 θ¹¹¹· ůruhý výstupní otvor 2 pro stlačený vzduch. Kapalina se přivádí do prvního vstupního otvoru 2 pod vysokým tlakem a první výstupní otvor 6 má velmi malý průměr. Poklea tlaku v kapalině po výstupu z prvního výstupního otvoru 6 způsobí rozdělení proudu kapaliny v kapičky, ve kterých se působením jehlové elektrody 8 indukuje elektrostatický náboj, takže jsou přitahovány k neznázprněnému předmětu .eíektrostatickými silami.

Zařízení znázorněné v obr.3 je elektrostatický atomizér s otočným kotoučem. Hlava χ je uložena otočně a má souose a prvním výstupním otvorem 6 vytvořen otočný kotouč £. Hlava 1 je připojena k neznázoměnému zdroji vysokého napětí a otáčí se vysokou rychlostí, například 30000 ot.min“\ zatímco do prvního vstupního otvoru 2 se přivádí kapalina. Kapalina proudí směrem k obvodu otočného kotouče 2 ^a vlivem odstředivé síly v ní vzniká vysoké střihové napětí.

-11To způsobí, že se kapalina rozdělí v kapiěky, které vlivem styku s otočným kotoučem 2 mají elektrický náboj a jsou elektrostatickými silami přitahovánjr k neznázorněné mu předmětu.

Zařízení znázorněné v obr.4 sestává z trubky 21, která má vstupní otvor 22 pro rozprašovanou kapalinu. Trubka 21 je spojena se zdrojem vysokého napětí. Při činnosti zařízení kapalina protéká trubkou 21 a vytváří řadu hrotů 24 umístěných kolem obvodu výstupního otvoru 23 vlivem napětí na trubce 21. Tyto hroty 24 se vlivem napětí rozdělí v kapičky v podstatě stejné velikosti, které jsou elektrostatickými silami přitahovány k neznázorněnému předmětu.

Zařízení znázorněné v obr.5 tvoří hlava 31. která má na jedné straně vstupní otvor 32 pro kapalinu a na protější straně řadu výstupních trubek vytvořených jako kapilární jehly 33* Hlava 21 je spojena se zdrojem vysokého napětí a vstupním otvorem 22 se přivádí kapalina. Potenciál způsobí, že kapalina protékající kapilárními jehlami 33 vytváří na konci každé zl· nich hrot 34« který se rozděluje v kapičky mající elektrický náboj, které jsou potom elektrostatickými silami přitahovány k neznázorněnému předmětu.

Zařízení znázorněné v obr.6 má hlavu 41 se vstupním otvorem 42 pro kapalinu. Vstupní otvor 42 je spojen s kanálem 42., který je zakončen výstupním otvorem 44, ze kterého vyčnívá čepel 45, která je připojena ke zdroji vysokého napětí.

Při činnosti zařízení kapalina přiváděná do hlavy 41 vytéká výstupním otvorem 44 podél čepele 45. Potenciál přivedený na čepel 45 způsobí, že kapalina vytváří podél okraje čepele 45 řadu hrotů, které se rozdělují v kapičky mající elektrický náboj. Tyto jsou přitahovány elektrostatickými silami k neznázorněnému předmětu.

-12Vynález je dále podrobně vysvětlen na příkladech.

PŘEKLAD 1

Byla vyrobena deska citlivá na záření povlečením hliníkového podkladu směsí citlivou na záření obsahující naftoquinondiazidester a kresolovou novolakovou pryskyřici.

Byl použit elektrostatický atomisační přístroj podle obr.4 mající kapilární trubku o vnějším průměru 3*9 mm a o vnitřním průměru 2,0 mm a deska byla umístěna tak, že vrstva citlivá na záření byla v blízkosti kapilární trubky. Na kapilární trubku byl přiveden potenciál 15 kV vzhledem k desce a do kapilární trubky byla přiváděna disperze A. Teplota okolí byla 30 °C a vzdálenost mezi koncem kapilární trubky a deskou byla 435 mm. Celkový průtok kapaliny byl 0;75 cm^.nri.n'¹ a na konci trubky se tvořily hroty z kapaliny.

Při zkoušce bylo zjištěno, že zpracovaná deska má dobře přilínající nespojitou krycí vrstvu z částeček pryskyřice, z nichž žááné nepronikly do vrstvy citlivé na záření. Když byla deska uložena do vakuového vyvíjecího rámu, bylo zjištěno, že doba vakuového stlačení je poloviční oproti nezpracované desce.

DISPERZE A

Byl připraven kopolymer - latex vinylacetátu a kyseliny krotonové podle následující formulace:

Vinylacetát 150 g

Kyselina krotonová 50 g

Azobisizobutylnitril AZBN 4 g

Isopar H 250 cm

Hexan 100 cm^

Dispergační roztok 33 cm?

-13Všechny složky byly smíchány k vytvoření úplně čirého roztoku. Tento roztok byl zahříván 5 hodin při teplotě 80-65 °C. Potom byly přidány 2 g AZBDT a zahřívání pokračovalo dalších 5 hodin.; Potom byl t

oddestilován;hexan, odstraněny všechny zbytky vinylacetátu a výsled ná disperze měla obsah pevných látek 43 % hmotnosti.

Dispergační roztok byl připraven takto:

Směs 103 g laurylmethakrylátu, 3g glycidylakrylátu, 1,2 g AZBN

3 a 15 cet ethylacetátu byla čerpána do 160 cm refluxačního heptanu po dobu 5 hodin. Zahřívání pokračovalo další 2 hodiny. Bylo přidáno 0,05 g hydrochinonu, 1,5 g kyseliny methakrylové a 0,2 g benzyldimethylaminu a refluxace pokračovala dalších 13 hodin. Výsledný obsah pevných látek byl 33 % hmotnosti.

Obsah pevných látek v disperzi byl nastaven na 30 % hmotnosti přidáním látky Isopar H. Přidáním 1 % hmotnosti lecithinu z bobu

Λ T C i sóji byla zvýšena vodivost z 1,1 x 10⁴ pSm na na 2 x 10 · pSm“ . PŘÍKLAD 2 dílů hmotnosti polyvinylbutyralové pryskyřice modifikované reakcí s 4-toluensulfonylisokyanátem (kyselost 70), 60 dílů hmotnosti diazosloučeniny odvozené z produktu získaného reakcí 4(Nethyl-N-hydroxiethylamino)acetanÍlidu a isophorondiisokyanátu s 2-hydroxi-4-methoxibenzofenon-5-sulfonátu jako aniontu způsobem popsaným ve s pise EP-B-Q 030 862 a 7,0 dílů hmotnosti látky Viaxoline Red 0 bylo rozpuštěno ve 3500 dílů hmotnosti ethylenglykol— monomethyleteru. Výsledný roztok byl nanesen na elektrochemicky zdrsněný a anodizovaný hliníkový list a usušen teplým vzduchem

-14k vytvoření desky citlivé na záření. Byl použit elektrostatický atomizační přístroj podle obr.6 s kovovou čepelí a deska citlivá na záření byla umístěna tak, že její vrstva citlivá na záření byla v blízkosti čepele. Na čepel byl přiveden potenciál 15 kV vzhledem ke hliníkovému listu a na čepel byl přiveden film disperze B.

-1

Průtok byl 0,125 cm .min na 1 cm délky čepele a teplota okolí byla 35 °C. Podél okraje čepele se tvořily hroty kapaliny.

Při zkoušce bylo zjištěno, že zpracovaná deska má dobře přilínající nespojitou krycí vrstvu a následkem toho zlepšenou dobu vakuového stlačení ve srovnánís mezpracovanou deskou.

DISPERZE B

Byla připravena látka působící jako emulgační činidlo a disper gační stabilizátor čerpáním dále uvedených materiálů do proudu refluxačního heptanu:

laurylmethakrylát 140 g GlycidylmethaJkrylát 6 g ΑΖΒΗΓ ' 3 g ethylacetát 20 g

Po skončení přidání byl roztok zahříván po 3 hodiny, načež byl ethylacetát odstraněn ^destilací.

Roztok 54 g 0,0--bis(2-aminopropyl)polyethylenglykolu 800 ve 100 ml n-butanolu byl přidán najednou a směs byla refluxována po 4 hodiny. Byl získán čirý roztok emulgačního činidla/dispergačního činidla obsahující 42 % hmotnosti pevných látek.

-1520 ml výše uvedeného roztoku bylo přidáno ke 172 g roztoku kopolymeru vinylacetátu a kyseliny krotonové o 30 % hmotnosti v methanolu. Ke směsi bylo potom přidáno 200 ml látky Isopar J.

Byla získána emulze s jemnými kapičkami roztoku methanolu v látce Isopar J po zpracování směsi v ultrazvukovém homogenizéru pracujícím při 1000 psi. Methanol byl odstraněn destilací, což dalo disperzi látky Moliwith CT5 v látce Isopar J.

PŘÍKLAD 3

Byla vyrobena deska citlivá na záření povlečením hliníkového podkladu směsí citlivou na záření obsahující naftochinondiazidester s kresolovou novolákovou pryskyřicí.

Na povrch desky byla naprášena disperze A, jejíž příprava je popsána výše, elektrostatickým přístrojem podle obr.1. Naprášení bylo provedeno, při teplotě okolí 35 °C při průtoku 8 cm^.min~^j, atomizačním tlaku 25 psu a napětí -35 kV.

Při zkoušce bylo zjištěno, že zpracovaná deska má dobře přilínající nespojitou krycí vrstvu a následkem toho zlepšenou dobu vakuového stlačení ve srovnání s nezpracovanou deskou.

PŘÍKLAD 4

Byl zopakován postup z příkladu 2, avšak s použitím alternativní látky k látce Mowilith CT5 při přípravě disperze B pro naprašování.

V jednom případě byl použit parciální ester kopolymeru sterenu a kyseliny maleové o molekulární váze 1700 a teplotě tavení 160-170 °C.

V jiném případě byl použit kopolymer karboxylu a funkčního akrylátu o molekulární váze 40000 a přechodné teplotě skla 50 °C. V obou případech deska vykazovala zlepšení doby vakuového stlačení oproti nezpracované desce.

JUDr. Μ«οδ VŠETEČKA advokát -16-

Claims (10)

1. l_o Způsob výroby povrchové vrstvy px*U ra při kterém se na podklad nanese vrstva citlivá na záření, vyrobí- se kapalná směs obsahující materiál rozpustný nebo dispergovatelný ve vývojce a tato kapalná směs se nastříká na vrstvu.citlivou na záření k vytvoření nespojité krycí vrstvy materiálu na povrchu vrstvy citlivé na záření k vytvoření zařízení citlivého na záření, vyznačující se tím, že se kapalná směs vytvoří rozpuštěním nebo dispergováním materiálu v kapalném uhlovodíku.
2. 2. Způsob podle bodu 1, vyznačující se tím, že kapalný uhlovodík je alifatický uhlovodík.
3. 3„ Způsob podle bodu 1, vyznačující se tím, že kapalný uhlovodík má bod varu v rozsahu od 150 do 200 °C.
4. 4« Způsob podle bodu 1, vyznačující se tím, že kapalná směs má vodivost od 10^ do 10^ pSm’’^.
5. 5· Způsob podle bodu 4, vyznačující se tím, že kapalná směs se přetváří v kapičky a stříká se na vrstvu citlivou na záření pouze vyvíjením potenciálu ve směsi o velikosti alespoň 5 kV vzhledem k-podkladu*
6. 6. Způsob podle kteréhokoli z bodů 1 až 4, vyznačující se tím, že se kapalná směs nastříká na vrstvu citlivou na záření elektrostatickou stříkací technikou se vzduchem nebo bez vzduchu.
7. 7. Způsob podle kteréhokoli z bodů 1 až 4, vyznačující se tím, že se kapalná směs nastříká na vrstvu citlivou na záření elektrostatickou atomizační mechanickou technikou.
8. 8. Způsob podle kteréhokoli z bodů 1 až 7, vyznačující se tím, že materiál nespojité vrstvy obsahuje některý radikál zvolený ze skupiny zahrnující karboxyl, sulfonyl, fosforyl, sulfomamidyl nebo jejich odpovídající anionty.
9. 9» Způsob podle kteréhokoli z bodů 1 až 8, vyznačující se tím, že materiál nespojité krycí vrstvy je kopolymer jedné nebo několika akrylových kyselin, kyseliny methakrylové, krotonové, itakonové, maleinové, fumarové, s jedním nebo několika styreny, vinyltoluenem, etyhlenem, propylenem, vinylacetátem, methylmetakrylátem, butylmetakrylátem, ethylakrylátem a akrylnitrilem.
10. 10. Zíiůsob podle bodu 9, vyznačující se tím, že materiál nespojité krycí vrstvy je kopolymer vinylacetátu a kyseliny krotonové nebo kopolymer kyseliny metakrylové a esteru kyseliny metakrylové.