CZ286855B6 - Směs pro povlékání skla - Google Patents
Směs pro povlékání skla Download PDFInfo
- Publication number
- CZ286855B6 CZ286855B6 CZ19931734A CZ173493A CZ286855B6 CZ 286855 B6 CZ286855 B6 CZ 286855B6 CZ 19931734 A CZ19931734 A CZ 19931734A CZ 173493 A CZ173493 A CZ 173493A CZ 286855 B6 CZ286855 B6 CZ 286855B6
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- composition
- oxide precursor
- glass
- tin
- tin oxide
- Prior art date
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 65
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 55
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 37
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 61
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical group CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 31
- BDZBKCUKTQZUTL-UHFFFAOYSA-N triethyl phosphite Chemical group CCOP(OCC)OCC BDZBKCUKTQZUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- YMLFYGFCXGNERH-UHFFFAOYSA-K butyltin trichloride Chemical group CCCC[Sn](Cl)(Cl)Cl YMLFYGFCXGNERH-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 23
- -1 alkyl tin halide Chemical class 0.000 claims description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- AJSTXXYNEIHPMD-UHFFFAOYSA-N triethyl borate Chemical compound CCOB(OCC)OCC AJSTXXYNEIHPMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical class OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 6
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 3
- WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2$l^{3},4$l^{3},6$l^{3},8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1O[Si](C)O[Si](C)O[Si](C)O1 WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GCTFWCDSFPMHHS-UHFFFAOYSA-M Tributyltin chloride Chemical compound CCCC[Sn](Cl)(CCCC)CCCC GCTFWCDSFPMHHS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M Trifluoroacetate Chemical compound [O-]C(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- KXJLGCBCRCSXQF-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](CC)(OC(C)=O)OC(C)=O KXJLGCBCRCSXQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(methyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(OC(C)=O)OC(C)=O TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- AONDIGWFVXEZGD-UHFFFAOYSA-N diacetyloxy(methyl)silicon Chemical compound CC(=O)O[Si](C)OC(C)=O AONDIGWFVXEZGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RJGHQTVXGKYATR-UHFFFAOYSA-L dibutyl(dichloro)stannane Chemical compound CCCC[Sn](Cl)(Cl)CCCC RJGHQTVXGKYATR-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UHUUYVZLXJHWDV-UHFFFAOYSA-N trimethyl(methylsilyloxy)silane Chemical compound C[SiH2]O[Si](C)(C)C UHUUYVZLXJHWDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 15
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 14
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 4
- AQSJGOWTSHOLKH-UHFFFAOYSA-N phosphite(3-) Chemical class [O-]P([O-])[O-] AQSJGOWTSHOLKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 37
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 11
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 10
- 239000003570 air Substances 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001392 phosphorus oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000012702 metal oxide precursor Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- AXDJCCTWPBKUKL-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-aminophenyl)-(4-imino-3-methylcyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)methyl]aniline;hydron;chloride Chemical compound Cl.C1=CC(=N)C(C)=CC1=C(C=1C=CC(N)=CC=1)C1=CC=C(N)C=C1 AXDJCCTWPBKUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- LFGREXWGYUGZLY-UHFFFAOYSA-N phosphoryl Chemical class [P]=O LFGREXWGYUGZLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- QAEDZJGFFMLHHQ-UHFFFAOYSA-N trifluoroacetic anhydride Chemical compound FC(F)(F)C(=O)OC(=O)C(F)(F)F QAEDZJGFFMLHHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CYTQBVOFDCPGCX-UHFFFAOYSA-N trimethyl phosphite Chemical compound COP(OC)OC CYTQBVOFDCPGCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- SGNZYJXNUURYCH-UHFFFAOYSA-N 5,6-dihydroxyindole Chemical compound C1=C(O)C(O)=CC2=C1NC=C2 SGNZYJXNUURYCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- STSCVKRWJPWALQ-UHFFFAOYSA-N TRIFLUOROACETIC ACID ETHYL ESTER Chemical compound CCOC(=O)C(F)(F)F STSCVKRWJPWALQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHQDFWAXVIIEBN-UHFFFAOYSA-N Trifluoroethanol Chemical compound OCC(F)(F)F RHQDFWAXVIIEBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTFOWJRRWDOUKQ-UHFFFAOYSA-N [Si]=O.[Sn] Chemical compound [Si]=O.[Sn] BTFOWJRRWDOUKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940058905 antimony compound for treatment of leishmaniasis and trypanosomiasis Drugs 0.000 description 1
- 150000001463 antimony compounds Chemical class 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 235000013361 beverage Nutrition 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-BJUDXGSMSA-N borane Chemical class [10BH3] UORVGPXVDQYIDP-BJUDXGSMSA-N 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940065285 cadmium compound Drugs 0.000 description 1
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- UCXUKTLCVSGCNR-UHFFFAOYSA-N diethylsilane Chemical compound CC[SiH2]CC UCXUKTLCVSGCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQLQQEHXQQLKEV-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-trimethylsilylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)[Si](C)(C)C BQLQQEHXQQLKEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDTCYQUMKGXSMX-UHFFFAOYSA-N dimethyl(methylsilyl)silane Chemical compound C[SiH2][SiH](C)C JDTCYQUMKGXSMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N dimethylsilane Chemical compound C[SiH2]C UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTUAUBOPWUPBCH-UHFFFAOYSA-N dimethylsilylidene(dimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)=[Si](C)C UTUAUBOPWUPBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPPUVHMHXRANPA-UHFFFAOYSA-N germanium titanium Chemical compound [Ti].[Ge] ZPPUVHMHXRANPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000005344 low-emissivity glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- DWZFNULJNZJRLM-UHFFFAOYSA-N methoxy-dimethyl-trimethylsilylsilane Chemical compound CO[Si](C)(C)[Si](C)(C)C DWZFNULJNZJRLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPARUZSLIVQDTG-UHFFFAOYSA-N methyl(methylsilyl)silane Chemical compound C[SiH2][SiH2]C UPARUZSLIVQDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- MOWNZPNSYMGTMD-UHFFFAOYSA-N oxidoboron Chemical class O=[B] MOWNZPNSYMGTMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 description 1
- 150000008301 phosphite esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000003017 phosphorus Chemical class 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012686 silicon precursor Substances 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus hexaoxide Chemical compound O1P(O2)OP3OP1OP2O3 VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- RXJKFRMDXUJTEX-UHFFFAOYSA-N triethylphosphine Chemical compound CCP(CC)CC RXJKFRMDXUJTEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XOSXWYQMOYSSKB-LDKJGXKFSA-L water blue Chemical compound CC1=CC(/C(\C(C=C2)=CC=C2NC(C=C2)=CC=C2S([O-])(=O)=O)=C(\C=C2)/C=C/C\2=N\C(C=C2)=CC=C2S([O-])(=O)=O)=CC(S(O)(=O)=O)=C1N.[Na+].[Na+] XOSXWYQMOYSSKB-LDKJGXKFSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
- C03C17/2453—Coating containing SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/23—Mixtures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/90—Other aspects of coatings
- C03C2217/91—Coatings containing at least one layer having a composition gradient through its thickness
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
- C03C2218/1525—Deposition methods from the vapour phase by cvd by atmospheric CVD
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Postup povlékání skleněného výrobku amorfní vrstvou oxidu cínu a oxidu křemíku uloženou na skleněném výrobku při rychlosti ukládání větší než 35 nm/s, který se provádí kontaktováním tohoto výrobku s plynnou směsí obsahující prostředek, který obsahuje prekurzor oxidu cínu, prekurzor oxidu křemíku, urychlovač vybraný ze skupiny zahrnující organické fosforitany, organické boritany a vodu a směsi těchto látek a zdroj kyslíku, při atmosférickém tlaku a při teplotě nižší než 200 .degree.C, přičemž tento skleněný výrobek je při teplotě 450 .degree.C až 650 .degree.C.ŕ
Description
Oblast techniky
Vynález se týká způsobu povlékání skleněného substrátu amorfní vrstvou oxidu cínu a oxidu křemíku, a prostředku k provádění tohoto postupu, přičemž obecně vynález patří do oblasti vytváření povlaků na substrátech. Konkrétně je možno uvést, že se vynález týká směsí používaných pro vytváření povlaků jejich ukládáním na skle nebo skleněných výrobcích při vysokých rychlostech ukládání, čímž se získají vrstvy s kontrolovaným indexem lomu, zlepšenými charakteristikami pokud se týče emisní schopností a/nebo vzhledu a odolnosti proti abrazi při současné možnosti vhodného doplnění nebo zlepšení dalších vlastností.
Dosavadní stav techniky
Podle dosavadního stavu techniky je známo, že transparentní polovodivé vrstvy, jako jsou například povlaky na bázi oxidu india, cíničitanu kadmia nebo dotovaného oxidu cínu, je možno aplikovat na různé transparentní substráty, jako jsou například různé druhy, sodnovápenatého skla, přičemž účelem je dosažení odrazu infračerveného záření s dlouhou vlnovou délkou. Rovněž je známo aplikování transparentních dielektrických povlaků, jako jsou například povlaky na bázi oxidu titaničitého nebo nedotovaného oxidu cínu, na transparentní výrobky, jako jsou například skleněné láhve, za účelem vytvoření základního povlaku pro druhý povlak se specifickými funkcemi. Podle toho jakou tloušťku má tento polovodivý nebo dielektrický povlak je možno pozorovat různé odražené iridescentní barvy (neboli měňavé, duhové zabarvení). Tento iridescentní efekt je považován za negativní jev při posuzování vzhledu konečného skleněného výrobku, jako jsou například tabule skla do oken s malou emisní schopností nebo láhve sloužící jako obaly pro potraviny nebo nápoje.
Z dosavadního stavu techniky jsou známy různé postupy povlékání skleněných substrátů, a zejména postupy kontinuálního vytváření povlaků na pohybujícím se skleněném substrátu, a zařízení, které je vhodné pro přípravu potažených skleněných výrobků, je možno nalézt v patentu Spojených států amerických č. 4 928 627, jehož autorem je Lindner, který je zde uveden jako odkaz na dosavadní stav techniky.
Až dosud byly vyvinuty různé metody potlačení nebo eliminování této iridescence. Pro aplikace na substráty s malou emisní schopností byl vyvinut postup podle patentu Spojených států amerických 3 378 396, autor Zaromb, podle kterého se na výrobky tvořené transparentním skleněným substrátem aplikuje povlak oxidu cínu a křemíku, přičemž složení tohoto povlaku se postupně mění počínaje vysokým poměrem oxidu křemíku k oxidu cínu na povrchu substrátu s postupnou změnou na poměr maximálně 60 % oxidu křemíku k minimálně 40 % oxidu cínu na mezifázovém rozhraní tohoto povlaku s okolní atmosférou. Index lomu tohoto povlaku v blízkosti substrátu je asi 1,5, což v podstatě odpovídá indexu lomu křemičitanového skla, přičemž hodnota tohoto indexu lomu se mění na přibližně 2,0, což odpovídá indexu lomu oxidu cínu, na mezifázovém rozhraní s okolním vzduchem za vzniku mezilehlé povlakové vrstvy bez optického rozhraní. Výrobky opatřené touto vrstvou mají malou nebo vůbec žádnou iridescenci v odraženém světle. V tomto patentu se uvádí, že k vytvoření povlaků tohoto typu je možno použít vodných roztoků chloridů cínu a křemíku, které se na dané substráty aplikují sprejem. Tato aplikace pomocí postřiku představuje obvykle vsázkový postup, který neposkytuje vysoce kvalitní stejnoměrnou vrstvu. V uvedeném patentu není žádná zmínka o jiných metodách aplikace, jako je například ukládání chemických par (které je označováno jako CVD-postup). Rovněž v tomto patentu není žádná zmínka o rychlosti ukládání, což představuje klíčový parametr při aplikaci těchto postupů v průmyslovém měřítku.
-1 CZ 286855 B6
Další možné řešení tohoto problému je uvedeno v patentu Spojených států amerických č. 4 187 336. Podle tohoto patentu se vytvoří jedna nebo více vrstev transparentního materiálu s indexem lomu ležícím mezi hodnotou indexu lomu skleněného substrátu a hodnotou indexu lomu vodivé vrstvy oxidu cínu, přičemž tato vrstva nebo vrstvy se vytvoří nanášením postupem ukládání chemických par (CVD-postup) za atmosférického tlaku mezi sklo a uvedený film oxidu cínu. K tomu, aby toto řešení bylo účinné je pro tyto mezilehlé vrstvy nezbytné, aby měly specifické hodnoty indexu lomu a tloušťky. V této souvislosti je třeba poznamenat, že v případě, kdy tyto mezilehlé vrstvy obsahují oxid křemičitý, potom podle uvedeného patentu bylo zjištěno, že vhodnými těkavými sloučeninami jsou silan, dimethylsilan, diethylsilan, tetramethylsilan a halogenidy křemíku. Žádné jiné další prekurzory nejsou v uvedeném patentu zmiňovány. Dosahované rychlosti ukládání při provádění tohoto postupu se pohybují v hranicích od 1 do 2 nm za sekundu. Hodnoty těchto rychlostí ukládání leží pod hranicí, která je nezbytná pro aplikaci v průmyslovém měřítku.
V patentu Spojených států amerických č. 4 206 252, jehož autorem je Gordon, se popisuje postup ukládání směsných oxidových a nitridových povlakových vrstev s postupně se měnící hodnotou indexu lomu mezi skleněným substrátem a vrstvou odrážející infračervené záření, čímž se eliminuje iridescence tohoto filmu. V případě, kdy část tohoto směsného oxidového filmu tvoří oxid křemičitý, navrhuje se použít jako vhodných prekurzorů podle uvedeného patentu těkavých sloučenin křemíku s vazbami Si-Si a Si-H. Konkrétně se v tomto patentu uvádí použití takových sloučenin jako je 1,1,2,2-tetramethyldisilan, 1,1,2-trimethyldisilan a 1,2-dimethyldisilan. Všechny uvedené sloučeniny, které obsahují Si-Si a Si-H vazby, představují drahé látky, přičemž žádná z těchto látek není běžně na trhu dostupná.
V patentu Spojených států amerických č. 4 386 117, jehož autorem je Gordon, se popisuje postup přípravy směsných povlaků na bázi oxid křemíku/oxid cínu se specifickými hodnotami indexů lomu nebo se stálým gradientem této hodnoty, jak je to rovněž uváděno ve výše uvedeném patentu Spojených států amerických č. 3 378 396, jehož autorem je Zaromb, přičemž postup vytváření těchto povlaků se provádí s optimální rychlostí ukládáni v rozmezí od 8,0 do 12,5 nm/s a používá se při něm alkoxyperalkylpolysilanových prekurzorů, jako je například methoxypentamethyldisilan nebo dimethoxytetramethyldisilan. I pro toto řešení platí, že křemičitanové prekurzory uváděné nebo naznačované v tomto patentu jsou pro praktické účely v průmyslovém měřítku nepoužitelné, neboť nejsou běžně na trhu ve velkém rozsahu dostupné.
V patentu Spojených států amerických č. 5 028 566, jehož autorem je Lagendijk, se ve sloupci 4 uvádí, že použití tetraethylorthokřemičitanu (TEOS) má celou řadu nevýhod při nanášení na substrát metodou ukládání chemických par (CVD-postup) za nízkého tlaku, to znamená při tlaku asi 66,5 Pa. Mezi tyto nevýhody patří obtíže při dotování získaného konečného povlaku fosforem a problémy s kontrolováním uvolňování této látky ze zdroje vzhledem k nízkému tlaku par této látky (TEOS). V tomto patentu rovněž autor uvádí, že snahy provádět tento proces zcela v kapalné fázi za účelem přípravy borokřemičitanového skla byly úspěšné pouze částečně. Kromě toho je třeba uvést, že autor nebere v úvahu dotační účinek a jeho rozdíly u celé řady sloučenin fosforu, bóru, antimonu, arsenu a chrómu, ale pouze používá sloučeniny křemíku, které neobsahují vazby uhlík-kyslík-křemík, se dvěma a více atomy křemíku.
Při aplikacích těchto druhů povlaků na láhve při tak malých tloušťkách těchto vrstev, to znamená asi 10,0 nm, není ani iridescence možná. Kromě toho je třeba uvést, že tyto vrstvy jsou nespojité, přičemž nespojitost těchto vrstev způsobuje, že není vhodné použít této metody na jiné aplikace. Jedním z řešení jak odstranit tuto nespojitost je ukládat tyto filmy v silnějších vrstvách a použít látku s hodnotou indexu lomu blízkou hodnotě indexu lomu daného výrobku, na který se tato vrstva aplikuje. V těchto případech by ale bylo vhodné ukládat směsný materiál na bázi oxid kovu/oxid křemíku s podstatně vyšší rychlostí, než jak tomu bylo až dosud, což bude ještě diskutováno v dalším textu.
-2CZ 286855 B6
Všechny silany citované v publikacích podle dosavadního stavu techniky pro přípravu směsných povlaků na bázi oxid kovu/oxid křemičitý mají určité vlastnosti, které způsobují, že jsou tyto látky nevhodné pro běžné průmyslové použití v širším měřítku. Některé z těchto látek jsou značně korozivní, zápalné nebo citlivé na kyslík, což znamená, že vyžadují speciální zacházení. Jiné z těchto látek zase nejsou snadno dostupné nebojsou příliš drahé pro průmyslové použití. U látek, které je možno použít, spočívají největší problémy, které omezují jejich použití ve větším průmyslovém rozsahu pro vytváření směsných vrstev na bázi oxid kovu/oxid křemíku a/nebo oxynitridových mezilehlých vrstev, zase vtom, že stěmito látkami není možno dosáhnout odpovídající rychlosti ukládání. V případech, kdy je daným substrátem ploché sklo a použitým postupem ukládání je metoda ukládání chemických par při okolním tlaku, potom rychlost ukládání mezilehlých vrstev musí být dostatečně vysoká aby bylo dosaženo potažení pásu skla pohybujícího se v nepřetržitě pracujícím výrobním zařízení poměrně vysokou rychlostí až asi 15 metrů za minutu. Pokud se týče rychlosti ukládání požadovaných vrstev, potom je možno uvést, že vhodná rychlost je asi 35,0 nm za sekundu, přičemž výhodné rychlosti ukládání se pohybují v rozmezí od 40,0 do 60,0 nm za sekundu. Těchto rychlostí ukládání nebylo zatím za podmínek provádění kontinuální průmyslové výroby skla s požadovanými vlastnostmi dosaženo.
K překonání těchto problémů uvedených výše by bylo zapotřebí navrhnout takové prekurzory křemíku, které nejsou drahé, které jsou snadno dostupné, se kterými se snadno manipuluje a pomocí kterých je možno dosáhnout odpovídajících požadovaných rychlostí ukládání po jejich odpaření společně s prekurzory oxidů kovů. Pro tyto účely by mohlo být vhodné použití alkoxysilanu, jako je například tetraethylorthokřemičitan (TEOS), neboť tyto látky představují běžně na trhu dostupné chemikálie. Ovšem podle dosavadního stavu techniky nebylo až dosud možno dosáhnout takové rychlosti ukládání vrstev na bázi oxidu křemíku ztetraethylorthokřemičitamu (TEOS) postupem nanášení chemických par při atmosférickém tlaku (metoda CVD), která by byla přijatelná z hlediska průmyslového využití, stou výjimkou, kdy se k dosažení daného cíle používá teplot 700 °C nebo teplot ještě vyšších. Určitých úspěchů bylo dosaženo při teplotách pohybujících se v rozsahu od asi 450 °C do asi 680 °C, ovšem pouze za současného modifikování atmosférického tlaku při tomto procesu ukládání chemických par (CVD-metoda) pomocí podpory tvorby plazmatu nebo sníženého tlaku, přičemž žádný z těchto způsobů není vhodný pro průmyslové použití při aplikaci na pohybující se kontinuální pás skla. Při provádění těchto modifikovaných postupů bylo rovněž použito aditiv, jako je například kyslík, ozón nebo trimethylfosforitan, ovšem dosahované rychlosti ukládání byly stále ještě nižší, než rychlosti požadované pro účinné provozování tohoto postupu ve velkém průmyslovém rozsahu.
V publikaci D. S. Williamse a E. A. Deina J. Electrochem. Soc. 134 (3) 657-64 (1987) se uvádí, že metodou ukládání chemických par (CVD-metoda) při nízkých tlacích za použití tetraethylorthokřemičitanu (TEOS) a oxidů fosforu a boru v koncentracích, které jsou závislé na použitém aditivu, je možno dosáhnout rychlosti ukládání filmů z fosfokřemičitanového a borofosfokřemičitanového skla asi 20,0 nm za sekundu při teplotách v rozmezí od 515 do 680 °C. Tento nízkotlaký proces popsaný ve výše citované publikaci není ale využitelný pro kontinuální postup s přímou aplikaci oxidů.
V publikaci Proceedings, 2d International ULSI and Technical Symposium, ECS Proceedings Vol. 98(9). 571-78 (1989), autor D. A. Webb a kol. se uvádí, že vrstvy oxidu křemíku je možno ukládat rychlostí asi 12,5 nm/sekundu za použití tetraethylorthokřemičitanu (TEOS) postupem ukládání chemických par (CVD-metoda) s podporovanou tvorbou plazmatu za použití kyslíku. Ovšem tato metoda ukládání chemických par s podporovanou tvorbou plazmatu nepatří mezi schůdná řešení jak překonat výše uvedené problémy, které by bylo možno aplikovat v průmyslové praxi při kontinuálně prováděném procesu ukládání oxidových filmů na skleněném substrátu, ale spíše je možno uvést, že toto řešení patří ke vsázkovému postupu, který vyžaduje použití složitého a nákladného nízkotlakého zařízení.
-3CZ 286855 B6
V publikaci J. Electrochem. Soc. 136(6) 1943 (1989), autoři A. K. Hochberg a D. L. O'Meara, je popsán způsob rychlejšího vytváření filmů oxidu křemíku metodou ukládání chemických par (CVD-metoda) při nízkém tlaku a při teplotě 570 °C, při kterém se používá tetraethylorthokřemičitanu (TEOS), do kterého se přidává trimethylfosforitan. Ovšem stejně jako tomu bylo u výše uvedené metody chemického ukládání par v prostředí s podporovanou tvorbou plazmatu ani tato nízkotlaká metoda ukládání chemických par nepředstavuje snadno aplikovatelný postup nanášení filmů oxidu křemíku na pohybující se pás skla za účelem přípravy potažených skleněných výrobků kontinuálním způsobem prováděným ve velkém průmyslovém měřítku, částečně přinejmenším z důvodu nákladnosti tohoto postupu a složitosti použitého zařízení pro ukládání par při nízkém tlaku.
Z přehledu známých metod podle dosavadního stavu techniky je zřejmé, že na základě těchto znalostí není možno určit jakou kombinaci prekurzorů zvolit, jestli je možno vůbec nějakou zvolit, a použít pro kontinuální ukládání směsných filmů na bázi oxid kovu/oxid křemíku ze snadno dostupných látek, které jsou relativně levné, odpovídajícími rychlostmi ukládání za podmínek a při lychlostech ukládání, které jsou vhodné pro velkou průmyslovou produkci.
Primární a sekundární povlaky na skleněných substrátech jsou kromě toho vhodné pro podpoření nebo doplnění vlastností libovolného substrátu nebo jednoho nebo více povlaků vyskytujících se na tomto substrátu, přičemž iridescence je pouze jednou z těchto vlastností. Mezi další možnosti využití těchto povlaků patří například ochrana povrchu substrátu před abrazí, dodání vhodného zabarvení původně průhlednému sklu a odstínění jednotlivých vlnových délek záření dopadajícího na tyto skleněné substráty.
Podstata vynálezu
Postup povlékání skleněného výrobku amorfní vrstvou oxidu cínu a oxidu křemíku uloženou na skleněném výrobku při rychlosti ukládání větší než 35 nm/s se podle předmětného vynálezu provádí kontaktováním tohoto výrobku s plynnou směsí obsahující prostředek, který obsahuje prekurzor oxidu cínu, prekurzor oxidu křemíku, urychlovač vybraný ze skupiny zahrnující organické fosforitany, organické boritany a vodu a směsi těchto látek a zdroj kyslíku, při atmosférickém tlaku a při teplotě nižší než 200 °C, přičemž tento skleněný výrobek je při teplotě 450 °C až 650 °C.
Výhodně se skleněný substrát pohybuje kontinuálním posunem a nanášení se provádí kontinuálním způsobem. Teplota plynné směsi vstupující do povlékacího stupně je ve výhodném provedení tohoto postupu nižší než 175 °C, a rychlost nanášení je výhodně větší než 40 nm/sekundu.
Do rozsahu řešení podle předmětného vynálezu náleží rovněž prostředek pro povlékání skleněného substrátu nanášením přinejmenším jedné vrstvy oxidu cínu a oxidu křemíku z plynné fáze na sklo při atmosférickém tlaku a při teplotě nižší než 200 °C a při rychlosti ukládání větší než 35,0 nm/sekundu, jehož podstata spočívá v tom, že obsahuje prekurzor oxidu cínu, prekurzor oxidu křemíku, urychlovač vybraný ze skupiny zahrnující organické fosforitany, organické boritany a vodu a směsi těchto látek a zdroj kyslíku.
Výhodně je uvedeným urychlovačem triethylfosforitan. Uvedeným prekurzorem oxidu cínuje ve výhodném provedení podle vynálezu sloučenina obecného vzorce:
RnSnX4_n ve kterém znamená:
-4CZ 286855 B6
R alkylovou nebo alkenylovou skupinu s přímým, cyklickým nebo rozvětveným řetězcem obsahující jeden až šest atomů uhlíku, fenylovou skupinu, substituovanou fenylovou skupinu nebo zbytek ve kterém R1 představuje MeO2C~, EtO2C- CH3CO- nebo HO2C-,
X je vybrán ze skupiny zahrnující atom halogenu, acetátovou skupinu, perfluoracetátovou skupinu a jejich směsi, a n je 0,1 nebo 2.
Výhodně se jako prekurzorů cínu používá organocínových halogenidů, konkrétně alkylcínhalogenidů, například jsou výhodné alkylcínchloridy.
Konkrétně je uvedeným prekurzorem oxidu cínu ve výhodném provedení látka vybraná ze souboru zahrnujícího monobutylcíntrichlorid, dibutylcíndichlorid, tributylcínchlorid a tetrachlorid cínu.
Uvedeným prekurzorem oxidu křemíku je ve výhodném provedení podle vynálezu látka obecného vzorce:
RmOnSip ve kterém znamená:
m číslo od 3 do 8, n je číslo od 1 do 4, p je číslo od 1 do 4, a
R je nezávisle vybrán ze souboru zahrnujícího vodík a acylovou skupinu, alkylovou a substituovanou alkylovou skupinu nebo alkenylovou skupinu s přímým, cyklickým nebo rozvětveným řetězcem obsahující jeden až šest atomů uhlíku, a fenylovou skupinu nebo substituovanou fenylovou skupinu.
Mezi výhodné prekurzory oxidu křemíku je možno zařadit látky ze souboru zahrnujícího tetraethylorthokřemičitan, diacetoxydi-t-butoxysilan, ethyltriacetoxysilan, methyltriacetoxysilan, methyldiacetoxysilan, tetramethyldisiloxan, tetramethylcyklotetrasiloxan, dipinakoloxysilan, l,l-dimethylsila-2-oxacyklohexan, tetrakis(l-methoxy-2-propoxy)silan a triethoxysilan. Nej výhodněji je uvedeným prekurzorem oxidu křemíku tetraethylorthokřemičitan.
Tento prostředek podle vynálezu ve výhodném provedení obsahuje jako urychlovač triethylfosforitan, přičemž podle ještě výhodnějšího provedení uvedený urychlovač obsahuje triethylfosforitan a triethylboritan.
Podle vynálezu byl tedy vyvinut prostředek ve formě plynové směsi pro vytváření povlaků na skle se zlepšenými vlastnostmi, přičemž takto povlečené sklo projevuje některé specifické vlastnosti na plochých skleněných substrátech, jako je například kontrolovaný index lomu, odolnost vůči abrazi, dodání barevnosti skla, nízká emisí schopnost, selektivní filtrování světla a anti-iridescence. Tento prostředek ve formě plynové směsi se využívá pro postup ukládání chemických par (CVD-metoda) při rychlostech ukládání větších než je asi 35,0 nm/sekundu při atmosférickém tlaku a při teplotách nižších než 700 °C, přičemž tato směs podle vynálezu obsahuje přinejmenším jeden prekurzor oxidu kovu, který je zvolen ze souboru zahrnujícího
-5CZ 286855 B6 těkavé sloučeniny cínu, germania, titanu, hliníku, zirkonia, zinku, india, kadmia, hafnia, wolframu, vanadu, chrómu, polybdenu, iridia, niklu a tantalu. Tato plynová směs podle vynálezu dále obsahuje prekurzor oxidu křemičitého a jeden nebo více aditiv, které jsou vybrány ze souboru zahrnujícího fosforitany, boritany, vodu, alkylfosfin, arsin a boranové deriváty; PH3, AsH3 a B2H6; a O2, N2O, NF3, NO2 a CO2. Uvedenými aditivy se v tomto textu označují „urychlovače“, přičemž tyto urychlovače slouží ke zvýšení rychlosti ukládání filmu na skleněném substrátu za použití dané směsi. Tato směs prekurzorů a aditiv představuje za požadovaných podmínek aplikace, které jsou nutné k přípravě vyrobeného povlečeného skla, plynnou směs, přičemž při reakci uvedených látek v plynné směsi s atmosférickým kyslíkem nebo s přidaným kyslíkem se vytvoří odpovídající oxidy, které se ukládají na skleněném substrátu.
Pro odborníky pracující v daném oboru je zřejmé, že prekurzory a látky uváděné v popisu tohoto vynálezu musí být dostatečně těkavé, ať již samotné nebo ve směsi s ostatními látkami, a dále musí být dostatečně stabilní za podmínek, při kterých se provádí toto ukládání, přičemž za těchto podmínek tvoří část směsi sloužící k ukládání požadovaného filmu.
Mezi prekurzory k ukládání oxidů kovů je možno například zařadit alkylhliníkové sloučeniny a alkoxidy hliníku, alkylkadmiové sloučeniny, halogenidy a alkoxidy germánia, alkylindiové sloučeniny, halogenidy titanu, alkylzinkové sloučeniny a alkoxidy zirkónia. Jako konkrétní příklad těchto sloučenin je možno uvést například A1(C2H5)3, CrO2Cl2, GeBr4, Ti(OC3H7)4, TiCl4, TiBr4, Ti(C5H7O2)4, Zr(OC5Hn)4, Ni(CO)4, VC14, Zn(CH3)2, a podobné další látky.
Mezi vhodné urychlovače patří podle uvedeného vynálezu fosforitanové a boritanové sloučeniny obecného vzorce:
(R2O)3P a (R2O)3B ve kterém znamená:
R2 nezávisle vybranou skupinu ze souboru zahrnujícího alkylové a alkenylové skupiny s přímým, cyklickým nebo rozvětveným řetězcem obsahující jeden až asi šest atomů uhlíku, fenylovou skupinu, substituovanou fenylovou skupinu nebo skupinu R3CH2CHr-, ve které R3 představuje MeO2C-, EtO2C~, CH3CO- nebo HO2C-, přičemž ve výhodném provedení podle uvedeného vynálezu představuje R2 alkylovou nebo alkenylovou skupinu obsahující 1 až 4 atomy uhlíku v řetězci. Zejména výhodnými urychlovači jsou podle uvedeného vynálezu látky vybrané ze skupiny esterů bóru a fosforu, přičemž nejvýhodnějšími sloučeninami jsou triethylboritan (TEB) a triethylfosforitan (TEP).
Mezi prekurzory pro vnější vrstvu patří monobutylcíntrichlorid (MBTC) nebo libovolná z organocínových sloučenin, které je možno uvést obecným vzorcem RnSnX4_n, který byl uveden výše, kde byl rovněž uveden význam R, X a n, a dále látky, které jsou schopné dodat oxidu cínu polovodivé vlastnosti. Mezi tyto sloučeniny je možno například zařadit sloučeniny antimonu, jako je například trimethylantimon, sloučeniny fosforu, jako je například triethylfosfin, a sloučeniny obsahující fluor, jako je například trifluoroctová kyselina, anhydrid trifluoroctové kyseliny, trifluoracetát ethylnatý, 2,2,2-trifluorethanol, ethyl-4,4,4-trifluoracetoaceton, heptafluorbutyrylchlorid a fluorovodík. Tuto vrstvu oxidu cínu je možno rovněž připravit jako polovodivou ukládáním pod-stechiometrického filmu o složení:
SnO2_x kde x je necelé číslo o hodnotě v rozmezí nula až jedna, přičemž tato hodnota x se může v tomto filmu měnit. Tyto látky, které dodávají oxidu cínu polovodivé vlastnosti, je možno rovněž
-6CZ 286855 B6 přidávat kprekurzorům pro první vrstvu za účelem podpoření emisní schopnosti celého povlakového systému, to znamená emisní schopnosti kombinované první a druhé vrstvy.
Pro odborníky pracující v daném oboru je zřejmé, že uvedený oxid cínu je možno nahradit v těchto filmech zcela nebo částečně oxidy jiných kovů, jako je například germánium titan, hliník, zirkonium, zinek, indium, kadmium, hafnium, wolfram, vanad, chróm, molybden, iridium, nikl a tantal.
Ve výhodném provedení podle uvedeného vynálezu se jedná o prostředek ve formě plynové směsi ve stavu o teplotě nižší než asi 200 °C a při atmosférickém tlaku, která je vhodná k nanášení filmu oxidu cínu a oxidu křemíku o rychlosti nanášení větší než asi 35,0 nm/sekundu, přičemž obsahuje prekurzor oxidu cínu, prekurzor oxidu křemíku, uiychlovač vybraný ze skupiny zahrnující organické fosforitany, organické boritany a vodu a směsi těchto látek, a dále zdroj kyslíku.
Tento prostředek ve formě plynové směsi podle vynálezu je možno použít k přípravě filmu uloženého při atmosférickém tlaku, přičemž tento film obsahuje jeden nebo více směsných filmů na bázi oxid kovu/oxid křemičitý na skleněném substrátu a ukládání se provádí za pomoci směsi obsahující prekurzor oxidu kovu, prekurzor oxidu křemičitého a přinejmenším jedno aditivum, které významným způsobem zlepšuje průběh ukládání nebo zvyšuje lychlost ukládání v porovnání s rychlostí ukládání bez použití aditiva. Tyto nanesené filmy mohou obsahovat další oxidy podobné použitým aditivům. Kromě toho tyto nanesené směsné oxidové filmy mohou mít svoje vlastní specifické vlastnosti, jako je například určený index lomu, nebo je možno je kombinovat s jinými filmy tvořícími spodní nebo homí vrstvu nebo jak spodní tak homí vrstvu, čímž se dosáhne kombinovaných vlastností, jako je například barevná neutralita nebo kluzký povrch.
Tento prostředek ve formě plynové směsi podle vynálezu slouží výhodně k přípravě směsného filmu na bázi oxid kovu/oxid křemičitý, který sestává z mnoha vrstev na bázi oxid cínu/oxid křemičitý, například se stoupajícím indexem lomu, přičemž se dále zvolená vlastnosti dané vrstvy, jako je například index lomu, mění spojitě takovým způsobem, že vnější vrstva oxidu cínu má minimální zabarvení při odrazu světla. V této dané vrstvě tedy může být koncentrace oxidu křemíku a oxidu cínu jiná než jsou koncentrace oxidu křemíku a oxidu cínu v přilehlé vrstvě. Tyto filmy mohou rovněž obsahovat oxidy urychlovačů, zejména v případech, kdy tato aditiva obsahují fosfor nebo bór.
Prostředek ve formě plynové směsi podle vynálezu výhodně obsahuje prekurzoiy směsné oxidové vrstvy obecně halogenidy organocínových sloučenin, přičemž jako konkrétní příklad je možno uvést monobutylcíntrichlorid (MBTC), tetraethylorthokřemičitan (TEOS) a urychlovač triethylfosforitan (TEP).
Podle uvedeného vynálezu bylo složení filmů připravených tímto postupem určováno rentgenovou difrakcí (XRD) a rentgenovou fotoelektronovou spektroskopií (XPS). Výrobky podle uvedeného vynálezu byly připraveny postupem, při kterém byly použity urychlovače, přičemž tento postup kontinuálního nanášení oxidových filmů z chemických par (CVD-metoda) podle vynálezu představuje přijatelný způsob aplikovatelný pro kontinuální nanášení oxidových filmů z chemických par na pohybující se skleněný substrát v průmyslovém měřítku, zejména v moderních linkách na výrobu plaveného skla, kdy jsou vsázkové postupy podle dosavadního stavu techniky zcela neaplikovatelné.
Vliv přidané vody a přidaných fosforitanů a boritanů na index lomu a rychlost ukládání směsných oxidových filmů na bázi tetraethylorthokřemičitanu (TEOS) je uveden v následujících tabulkách. Tyto výsledky je možno porovnat s hodnotami uvedenými v tabulkách ΠΙ a IV, ve kterých je dokumentován účinek kyslíku a Lewisovy kyseliny jako aditiv.
-7CZ 286855 B6
V následující tabulce č. I je ukázán vliv přidávané vody. Se stoupající koncentrací vody, vzhledem k poměru cín/křemík nebo rychlosti plynu, rychlost ukládání vzrůstá až na úroveň, která je významná z komerčního hlediska. Tato zvyšující se rychlost ukládání je rovněž doprovázena zvyšujícím se indexem lomu. V následujících tabulkách jsou uvedené hodnoty rychlosti ukládání zprůměrované v rozsahu asi sedmi procent, pokud nejsou přímo uvedené hodnoty vyjádřeny mezí neurčitosti ±.
Tabulka I
Účinek koncentrace vody na index lomu a rychlost ukládání směsného oxidu.
MBTC (mol, %) | TEOS (mol. %) | Voda (mol. %) | Index lomu | Rychlost ukládání (nm/s) |
Teplota skla 665 °C, teplota systému 160 °C, průtočné množství plynu 50 litrů/minutu: | ||||
0,71 | 0,71 | 0,00 | 1,54 | 2,5 |
0,71 | 0,71 | 0,15 | 1,73 | 34,0 |
0,71 | 0,71 | 0,24 | 1,74 | 40,0 |
Teplota skla 665 °C, teplota systému 160 °C, průtočné množství plynu 12,5 litrů/minutu: | ||||
1,05 | 0,59 | 0,00 | 1,74 | 29,0 |
1,05 | 0,59 | 0,60 | 1,78 | 33,0 |
1,05 | 0,59 | 1,10 | 1,80 | 48,0 |
I když se ve výhodném provedení používá teploty 160 °C může se teplota systému pohybovat v rozmezí od asi 125 do asi 200 °C.
V následující tabulce II je ilustrován účinek přidávaného TEP a směsí TEP a nižších alkylboritanových esterů, jako je například triethylboritan (TEB). Z uvedených výsledků je patrné, že TEP představuje velice účinnou látku pokud se týče rychlosti ukládání směsných oxidových filmů, přičemž tyto vysoké rychlosti ukládání jsou dosahovány při specifických a kontrolovaných hodnotách indexu lomu. Přídavky TEB o nízkých koncentracích kTEP znamenaly další malé zvýšení rychlosti ukládání. V popisu uvedeného vynálezu se termínem „vysoká rychlost“, který se používá v souvislosti s nanášením filmu, jehož charakteristika byla podrobně uvedena výše, míní rychlosti vyšší než asi 35,0 nm/sekundu, a ve výhodném provedení rychlosti asi 40,0 nm/sekundu nebo rychlosti ještě vyšší. Všechny filmy připravené za podmínek uvedených v tabulce II byly čisté.
-8CZ 286855 B6
Tabulka Π
Účinek koncentrací MBTC/TEOS/TEP na rychlost ukládání
% TEOS | % MBTC | % TEP | % TEB | Index lomu | Rychlost ukládání (nm/s) |
0,80 | 0,16 | — | — | l,69±0,2 | 3,8±0,3 |
0,80 | 0,11 | 0,76 | — | l,58±0,01 | 54,2±0,8 |
0,08 | 0,16 | 0,76 | — | l,60±0,01 | 41,6+2,2 |
0,78 | 1,56 | 0,75 | — | l,67±0,01 | 50,5+0,4 |
0,78 | 1,84 | 0,75 | — | l,69±0,01 | 47,6+4,5 |
0,28 | 1,56 | 0,36 | — | l,73±0,01 | 23,1±4,6 |
0,27 | 1,56 | 0,62 | — | l,71±0,01 | 38,1+1,5 |
0,27 | 1,56 | 0,75 | — | 1,70±0,01 | 48,2±0,6 |
0,27 | 1,56 | 0,75 | — | l,70±0,01 | 48,2±1,6 |
0,27 | 1,56 | 0,74 | 0,18 | 1,70+0,02 | 49,2+1,3 |
0,79 | 0,16 | 0,76 | 0,19 | l,59±0,01 | 47,3+5,6 |
Při tomto postupu byla teplota skla 665 °C, rychlost posunu skla 0,56 m/s a teplota systému 160 °C (vzduch). Uvedené MBTC, TEOS a TEP nebo směsi TEP a TEB byly nastřikovány odděleně do odpařovací sekce zařízení na nanášení povlaku. Každá uvedená hodnota je průměrem ze tří pokusů. Hodnota rosného bodu byla v rozmezí od -74 do -78 °C.
V následující tabulce č. III je ilustrován účinek přidávaného kyslíku. Se zvyšující se koncentrací kyslíku se významně zvyšuje rychlost nanášení vrstvy, ovšem tato rychlost nedosahuje úrovně, která je potřebná pro aplikaci v průmyslovém rozsahu.
Tabulka ΙΠ
Účinek koncentrace kyslíku na index lomu směsného oxidu a na rychlost nanášení.
MBTC (mol. %) | TEOS (mol. %) | Kyslík (obj. % vzduchu) | Index lomu | Rychlost ukládání (nm/s) |
0,71 | 0,71 | 20 | 1,54 | 25 |
0,71 | 0,71 | 50 | 1,63 | 50 |
0,71 | 0,71 | 75 | 1,65 | 160 |
0,71 | 0,71 | 100 | 1,66 | 240 |
Při tomto postupu byla teplota skla 665 °C, teplota systému 160 °C a průtočné množství plynu 50 litrů/minutu.
V následující tabulce č. IV je ilustrován účinek přidané Lewisovy kyseliny, přičemž jako Lewisovy kyseliny bylo v tomto případě použito MBTC v přebytku. Se stoupající koncentrací této látky se zvyšuje rychlost nanášení, ovšem nedosahuje se úrovně, která je potřebná pro průmyslovou aplikaci.
-9CZ 286855 B6
Tabulka TV
Účinek koncentrace MBTC na index lomu a rychlost nanášení směsného oxidového filmu.
MBTC (mol. %) | TEOS (mol. %) | Index lomu | Rychlost ukládání (nm/s) |
0,48 | 0,47 | 1,78 | 16,0 |
0,48±0,23 | 0,48 | 1,78 | 20,0 |
0,48±0,47 | 0,47 | 1,85 | 30,0 |
Při tomto postupu byla teplota skla 665 °C, teplota systému 160 °C a průtočné množství plynu 50 litrů/minutu.
Z hodnot uvedených v těchto tabulkách je zřejmé, že podle uvedeného vynálezu je možno dosáhnout účinného nanášení filmů směsných oxidů metodou ukládání chemických par (CVDmetoda) při rychlostech nanášení, které je možno využít v komerčním průmyslovém měřítku za současného kontrolování hodnoty indexu lomu.
Příklady provedení vynálezu
Směs pro vytváření povlaků na skle podle uvedeného vynálezu bude v dalším blíže objasněna s pomocí konkrétních příkladů, které mají pouze ilustrativní charakter a nijak neomezují rozsah uvedeného vynálezu.
Příklad 1
Podle tohoto provedení byla deska sodnovápenatého křemičitého skla o rozměru strany 9 centimetrů zahřáta na horkém bloku na teplotu 665 °C. Na povrch tohoto skla byla vedena plynná směs obsahující asi 0,16 % mol. MBTC, 0,80 % mol. TEOS a 0,75 % mol. TEP, přičemž zbytek tvořil horký vzduch o teplotě 160 °C. Průtočné množství této směsi bylo 12,5 litrů na minutu (1/minutu) a zpracovávání probíhalo po dobu 10 sekund. Střed povrchu skla byl stejnoměrně povlečen filmem, který měl v odraženém světle zelené zabarvení. Za použití metody se spřaženými hranoly byla zjištěna hodnota indexu lomu 1,60, přičemž tloušťka byla asi 426,0 nm, což odpovídalo rychlosti nanášení filmu asi 42,60 nm/sekundu. Metodou XRD bylo zjištěno, že takto podobným způsobem nanesené filmy byly amorfní, přičemž metodou XPS bylo zjištěno, že se jedná o filmy tvořené oxidy cínu, křemíku a fosforu.
Příklad 2
Podle tohoto postupu byla na povrch skla přiváděna plynová směs obsahující asi 1,84 % mol. MBTC, 0,78 % mol. TEOS a 0,75 % mol. TEP, přičemž zbytek tvořil horký vzduch, což bylo prováděno stejným způsobem jako v příkladu 1. Získaný film měl světle anilínově-červené zabarvení v odraženém světle. Index lomu byl 1,68 a tloušťka tohoto filmu byla asi 493,0 nm, což odpovídalo rychlosti ukládání asi 49,3 nm/sekundu. Metodou XRD bylo zjištěno, že takto podobným způsobem nanesené filmy byly amorfní, přičemž metodou XPS bylo zjištěno, že se jedná o filmy tvořené oxidy cínu, křemíku a fosforu.
-10CZ 286855 B6
Příklad 3
Podle tohoto postupu byla na povrch skla přiváděna plynová směs obsahující asi 1,22 % mol. MBTC, 0,58 % mol. TEOS a 1,09 % mol. vody, přičemž zbytek tvořil horký vzduch, což bylo prováděno stejným způsobem jako v příkladu 1 ovšem po dobu osmi sekund. Získaný film měl v odraženém světle zelené zabarvení. Index lomu byl 1,78 a tloušťka tohoto filmu byla asi 465,0 nm, což odpovídalo rychlosti ukládání asi 58,0 nm/sekundu. Metodou XRD bylo zjištěno, že takto podobným způsobem nanesené filmy sestávaly ze zhroucených tetragonálních základních jednotek oxidu cínu, což naznačovalo na vznik určitého podílu pevného roztoku s oxidem křemičitým. Metodou XPS bylo zjištěno, že se jedná o filmy tvořené oxidy cínu a křemíku.
Příklad 4
Každý z filmů popsaných v příkladech 1 až 3 byl postupně nanášen po dobu jedné sekundy v pořadí vzrůstajícího indexu lomu. Takto získaný vícevrstvový film byl potom opatřen vnější vrstvou oxidu cínu dotovaného fluórem o tloušťce asi 320,0 nm. Pomocí tohoto složení filmu byla dosažena u výrobku transparentnost, přičemž za podmínek denního osvětlení nebylo pozorováno žádné zabarvení v odraženém světle.
Příklad 5
Podle tohoto příkladu byla destička sodnovápenatého křemičitého skla o rozměru hrany 9 centimetrů zahřáta na horkém bloku na teplotu 665 °C. Potom byla na povrch tohoto skla přiváděna plynová směs obsahující asi 1,04% mol. MBTC ve vzduchu o teplotě 160 °C a plynová směs obsahující 1,04 % mol. TEOS a 0,20 % mol. TEP ve vzduchu o teplotě 160 °C, přičemž tyto směsi byly přiváděny pomocí kulových ventilů a průtokové množství bylo regulováno mikroprocesorem. Toto průtokové množství bylo 12,5 litru/minutu a zpracování povrchu plynovou směsí bylo prováděno po dobu 30 sekund. Kulové ventily byly simultánně zavírány a otvírány naprogramovaným způsobem, takže složení plynu, který se dostával do kontaktu s povrchem skla, se postupně měnilo, přičemž na počátku měla směs vysoký poměr TEOS/TEP a nízkou koncentraci MBTC a na konci měla směs nízký poměr TEOS/TEP a vysokou koncentraci MBT. Střední oblast povrchu skla byla stejnoměrně potažena filmem, který sestával z oxidu cínu, oxidu křemíku a oxidu fosforu, což bylo potvrzeno XPS analýzou. Se zvětšující se tloušťkou filmu postupně vzrůstalo množství cínu, zatímco množství křemíku a fosforu se zmenšovalo. Index lomu byl vypočítán z těchto hodnot a z hodnot odvozených od standardních filmů, přičemž bylo zjištěno, že hodnota tohoto indexu lomu je v rozmezí od 1,52 do 1,7. Pomocí takto sestaveného filmu nebylo u výrobku s takto aplikovaným filmem a s vnější vrstvou tvořenou oxidem cínu s dotovaným fluorem pozorováno v podstatě žádné zabarvení v odraženém světle.
Příklad 6
Podle tohoto postupu byla na povrch skla přiváděna plynová směs obsahující asi 0,16% mol. MBTC, 0,80 % mol. TEOS a zbytek tvořil horký vzduch, a tento postup byl prováděn stejným způsobem jako v příkladu 1 po dobu asi 60 sekund. Získaný film měl anilínově-červené zabarvení v odraženém světle a index lomu byl 1,69. Tloušťka tohoto filmu byla asi 226,0 nm, což odpovídalo rychlosti ukládání asi 3,8 nm/sekundu.
-11CZ 286855 B6
Příklad 7
Podle tohoto provedení byla láhev z čirého skla o objemu 0,5 litru otáčena a zahřívána na teplotu asi 600 °C v peci po dobu tří minut. Takto ohřátá láhev byla potom přemístěna do komory pro nanášení povlaku, kde byla uvedena do kontaktu se směsí par obsahující 0,16 % mol. MBTC, 0,80 % mol. TEOS, 0,75 % mol. TEP a zbytek tvořil horký vzduch, přičemž nanášení bylo prováděno při teplotě asi 170 °C po dobu 10 sekund. Takto získaný film měl anilínově-modré zabarvení, přičemž byl stejnoměrně rozptýlen na stěnách od kuželovité části láhve až k základně. Rychlost nanášení byla odhadnuta na asi 20,0 nm/sekundu na základě barvy tohoto filmu, přičemž tento odhad byl proveden porovnáním s vrstvou nanášenou rychlostí asi 5,0 nm/sekundu na láhvi, u které bylo nanášení prováděno se směsí par obsahující pouze MBTC a TEOS.
Z výsledků uvedených v předchozích tabulkách a příkladech je zcela patrné, že TEB, TEP a voda slouží jako urychlovače nanášení oxidových filmů na skleněném substrátu z chemických par (metoda CVD), přičemž TEP a TEB projevují synergický účinek při zvyšování rychlosti nanášení TEOS a MBTC. Urychlovače vhodné pro postup podle vynálezu jsou vybrány ze skupiny zahrnující boritanové a fosforitanové estery, alkylcínhalogenidy a vodu.
I když se směs podle uvedeného vynálezu ve výhodném provedení používá k aplikaci na kontinuálně se pohybující skleněný substrát, přičemž se použije běžných metod podle dosavadního stavu techniky, je možno rovněž tuto směs podle vynálezu použít při provádění vsázkového postupu. Při aplikování této směsi za podmínek kontinuálního ukládání se tato směs ve výhodném provedení udržuje na teplotě pod asi 200 °C, ještě výhodněji na teplotě pod asi 175 °C, a na skleněný povrch pohybující se rychlostí asi 15 metrů/sekundu se ukládá rychlostí ukládání přinejmenším 35,0 nm/sekundu a ve výhodném provedení se dosahuje rychlosti ukládání přinejmenším 40,0 nm/sekundu.
V rámci rozsahu postupu podle uvedeného vynálezu a jeho výhodných provedení je možno provádět různé modifikace a zlepšení, což je pro pracovníky v daném oboru zřejmé na základě pochopení podstaty a principu tohoto řešení. Z výše uvedeného vyplývá, že rozsah vynálezu nemůže být omezován pouze na provedení uvedená v tomto popisu, ale pouze pokrokem dosaženým dalším vývojem v této oblasti techniky.
Claims (15)
1. Způsob povlékání skleněného výrobku amorfní vrstvou oxidu cínu a oxidu křemíku uloženou na skleněném výrobku při rychlosti nanášení větší než 35 nm/s, vyznačující se tím, že povlékání skleněného výrobku se provádí kontaktováním tohoto výrobku s plynnou směsí obsahující prostředek, který obsahuje prekurzor oxidu cínu, prekurzor oxidu křemíku, urychlovač vybraný ze skupiny zahrnující organické fosforitany, organické boritany a vodu a směsi těchto látek a zdroj kyslíku, při atmosférickém tlaku a při teplotě nižší než 200 °C, přičemž tento skleněný výrobek je při teplotě 450 °C až 650 °C.
2. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že skleněný substrát se pohybuje a nanášení se provádí kontinuálním způsobem.
3. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že teplota plynné směsi vstupující do povlékacího stupně je nižší než 175 °C.
-12CZ 286855 B6
4. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že rychlost nanášení je větší než 40 nm/sekundu.
5. Prostředek pro povlékání skleněného substrátu nanášením přinejmenším jedné vrstvy oxidu cínu a oxidu křemíku z plynné fáze na sklo při atmosférickém tlaku a při teplotě nižší než 200 °C a při rychlosti ukládání větší než 35,0 nm/sekundu podle nároků laž4, vyznačující se tím, že tento prostředek obsahuje prekurzor oxidu cínu, prekurzor oxidu křemíku, urychlovač vybraný ze skupiny zahrnující organické fosforitany, organické boritany a vodu a směsi těchto látek a zdroj kyslíku.
6. Prostředek podle nároku 5, vyznačující se tím, že uvedeným urychlovačem je triethylfosforitan.
7. Prostředek podle nároku 5, vyznačující se tím, že uvedeným prekurzorem oxidu cínuje sloučenina obecného vzorce:
RnSnX^n ve kterém znamená:
R alkylovou nebo alkenylovou skupinu s přímým, cyklickým nebo rozvětveným řetězcem obsahující jeden až šest atomů uhlíku, fenylovou skupinu, substituovanou fenylovou skupinu nebo zbytek R1CH2CH2-, ve kterém R1 představuje MeO2C-, EtO2C-, CH3CO- nebo HO2CX je vybrán ze skupiny zahrnující atom halogenu, acetátovou skupinu, perfluoracetátovou skupinu a jejich směsi, a n je 0, 1 nebo 2.
8. Prostředek podle nároku 5, vyznačující se tím, že uvedeným prekurzorem oxidu cínuje alkylcínhalogenid.
9. Prostředek podle nároku 5, vyznačující se tím, že uvedeným prekurzorem oxidu cínuje alkylcínchlorid.
10. Prostředek podle nároku 5, vyznačující se tím, že uvedeným prekurzorem oxidu cínu je látka vybraná ze souboru zahrnujícího monobutylcíntrichlorid, dibutylcíndichlorid, tributylcínchlorid a tetrachlorid cínu.
11. Prostředek podle nároku 5, vyznačující se tím, že uvedeným prekurzorem oxidu křemíku je látka obecného vzorce:
RmOnSip ve kterém znamená:
m číslo od 3 do 8, n je číslo od 1 do 4,
Ρ je číslo od 1 do 4, a
-13CZ 286855 B6
R je nezávisle vybrán ze souboru zahrnujícího vodík a acylovou skupinu, alkylovou a substituovanou alkylovou skupinu nebo alkenylovou skupinu s přímým, cyklickým nebo rozvětveným řetězcem obsahující jeden až šest atomů uhlíku, a fenylovou skupinu nebo substituovanou fenylovou skupinu.
12. Prostředek podle nároku 5, vyznačující se tím, že uvedený prekurzor oxidu křemíku je vybrán ze souboru zahrnujícího tetraethylorthokřemičitan, diacetoxydi-t-butoxysilan, ethyltriacetoxysilan, methyltriacetoxysilan, methyldiacetoxysilan, tetramethyldisiloxan, tetramethylcyklotetrasiloxan, dipinakoloxysilan, l,l-dimethylsila-2-oxacyklohexan, tetrakis(l- ío methoxy-2-propoxy)silan a triethoxysilan.
13. Prostředek podle nároku 5, vyznačující se tím, že uvedeným prekurzorem oxidu křemíku je tetraethylorthokřemičitan.
15
14. Prostředek podle nároku 5, vyznačující se tím, že uvedený urychlovač obsahuje triethylfosforitan.
15. Prostředek podle nároku 5, vyznačující se tím, že uvedený urychlovač obsahuje triethylfosforitan a triethylboritan.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US81436691A | 1991-12-26 | 1991-12-26 | |
US81435291A | 1991-12-27 | 1991-12-27 | |
PCT/US1992/010873 WO1993013393A1 (en) | 1991-12-26 | 1992-12-21 | Coating composition for glass |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CZ173493A3 CZ173493A3 (en) | 1994-05-18 |
CZ286855B6 true CZ286855B6 (cs) | 2000-07-12 |
Family
ID=27123834
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CZ19931734A CZ286855B6 (cs) | 1991-12-26 | 1992-12-21 | Směs pro povlékání skla |
CZ19931733A CZ286854B6 (cs) | 1991-12-26 | 1992-12-21 | Způsob povlékání skleněných substrátů |
CZ19931735A CZ289572B6 (cs) | 1991-12-26 | 1992-12-21 | Skleněný výrobek |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CZ19931733A CZ286854B6 (cs) | 1991-12-26 | 1992-12-21 | Způsob povlékání skleněných substrátů |
CZ19931735A CZ289572B6 (cs) | 1991-12-26 | 1992-12-21 | Skleněný výrobek |
Country Status (26)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5401305A (cs) |
EP (4) | EP0573640A4 (cs) |
JP (3) | JP3485920B2 (cs) |
KR (3) | KR100238920B1 (cs) |
CN (3) | CN1041815C (cs) |
AR (1) | AR248263A1 (cs) |
AT (2) | ATE272582T1 (cs) |
AU (3) | AU3322893A (cs) |
BR (3) | BR9205674A (cs) |
CA (3) | CA2104591C (cs) |
CZ (3) | CZ286855B6 (cs) |
DE (2) | DE69230219T2 (cs) |
DK (2) | DK0573639T3 (cs) |
ES (2) | ES2221257T3 (cs) |
GR (1) | GR3031624T3 (cs) |
HU (3) | HUT67686A (cs) |
MX (2) | MX9207592A (cs) |
MY (1) | MY110355A (cs) |
NO (3) | NO316642B1 (cs) |
NZ (1) | NZ246459A (cs) |
PL (1) | PL169649B1 (cs) |
PT (4) | PT927706E (cs) |
RU (2) | RU2102347C1 (cs) |
SK (3) | SK282993B6 (cs) |
UY (3) | UY23527A1 (cs) |
WO (3) | WO1993012934A1 (cs) |
Families Citing this family (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CZ286855B6 (cs) * | 1991-12-26 | 2000-07-12 | Elf Atochem North America, Inc. | Směs pro povlékání skla |
US5356718A (en) * | 1993-02-16 | 1994-10-18 | Ppg Industries, Inc. | Coating apparatus, method of coating glass, compounds and compositions for coating glasss and coated glass substrates |
US5863337A (en) * | 1993-02-16 | 1999-01-26 | Ppg Industries, Inc. | Apparatus for coating a moving glass substrate |
US5599387A (en) * | 1993-02-16 | 1997-02-04 | Ppg Industries, Inc. | Compounds and compositions for coating glass with silicon oxide |
US5395698A (en) * | 1993-06-04 | 1995-03-07 | Ppg Industries, Inc. | Neutral, low emissivity coated glass articles and method for making |
JP3373298B2 (ja) | 1993-08-20 | 2003-02-04 | 旭硝子株式会社 | 機能性物品とその製造方法 |
DE4433206A1 (de) * | 1994-09-17 | 1996-03-21 | Goldschmidt Ag Th | Verfahren zur pyrolytischen Beschichtung von Glas-, Glaskeramik- und Emailprodukten |
DE19504906A1 (de) * | 1995-02-15 | 1996-08-22 | Goldschmidt Ag Th | Verfahren zur Heißendvergütung von Hohlglaskörpern durch Aufbringen von Metallverbindungen auf die heiße äußere Glasoberfläche |
CO4560356A1 (es) * | 1995-02-22 | 1998-02-10 | Elf Atochem Vlissingen Bv | Proceso para la produccion de un recubrimiento de proteccion sobre la superficie de un articulo de vidrio o ceramica |
US5648175A (en) * | 1996-02-14 | 1997-07-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition reactor system and integrated circuit |
GB9616983D0 (en) * | 1996-08-13 | 1996-09-25 | Pilkington Plc | Method for depositing tin oxide and titanium oxide coatings on flat glass and the resulting coated glass |
GB9710547D0 (en) * | 1997-05-23 | 1997-07-16 | Pilkington Plc | Coating method |
GB9806027D0 (en) * | 1998-03-20 | 1998-05-20 | Glaverbel | Coated substrate with high reflectance |
GB9806030D0 (en) * | 1998-03-20 | 1998-05-20 | Glaverbel | Solar control coated substrate with high reflectance |
FR2780054B1 (fr) * | 1998-06-19 | 2000-07-21 | Saint Gobain Vitrage | Procede de depot d'une couche a base d'oxyde metallique sur un substrat verrier, substrat verrier ainsi revetu |
FR2789698B1 (fr) * | 1999-02-11 | 2002-03-29 | Air Liquide | Procede et installation pour former un depot d'une couche sur un substrat |
US6797388B1 (en) | 1999-03-18 | 2004-09-28 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Methods of making low haze coatings and the coatings and coated articles made thereby |
JP3227449B2 (ja) * | 1999-05-28 | 2001-11-12 | 日本板硝子株式会社 | 光電変換装置用基板とその製造方法、およびこれを用いた光電変換装置 |
LU90432B1 (fr) * | 1999-09-01 | 2001-03-02 | Glaverbel | Couche pyrolytique phosphostannate ou borostannate et vitrage comportant cette couche |
US6399208B1 (en) * | 1999-10-07 | 2002-06-04 | Advanced Technology Materials Inc. | Source reagent composition and method for chemical vapor deposition formation or ZR/HF silicate gate dielectric thin films |
US20040175500A1 (en) * | 2002-01-28 | 2004-09-09 | Akira Fujisawa | Method for forming transparent conductive film, transparent conductive film, glass substrate having the same and photoelectric transduction unit including the glass substrate |
EP1375445A1 (fr) * | 2002-06-17 | 2004-01-02 | Glaverbel | Procédé de fabrication d'un vitrage pourvu d'un revêtement multicouche |
US7030042B2 (en) | 2002-08-28 | 2006-04-18 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming tantalum oxide layers and tantalum precursor compounds |
US6784049B2 (en) * | 2002-08-28 | 2004-08-31 | Micron Technology, Inc. | Method for forming refractory metal oxide layers with tetramethyldisiloxane |
US20050196623A1 (en) * | 2004-03-03 | 2005-09-08 | Mckown Clem S.Jr. | Solar control coated glass composition |
US20050221003A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | Remington Michael P Jr | Enhancement of SiO2 deposition using phosphorus (V) compounds |
US7372610B2 (en) | 2005-02-23 | 2008-05-13 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
US8258690B2 (en) | 2005-10-11 | 2012-09-04 | Kuraray Co., Ltd. | High brightness inorganic electroluminescence device driven by direct current |
WO2007043676A1 (en) | 2005-10-11 | 2007-04-19 | Kuraray Luminas Co., Ltd. | A luminous body |
RU2445340C2 (ru) * | 2005-10-11 | 2012-03-20 | Курарей Ко, ЛТД., | Светящееся тело |
CN101365658A (zh) * | 2006-01-16 | 2009-02-11 | 日本板硝子株式会社 | 其上形成有薄膜的玻璃板 |
AU2007258727B2 (en) * | 2006-06-05 | 2012-02-09 | Arkema, Inc. | Glass article having a zinc oxide coating and method for making same |
US8158262B2 (en) * | 2006-06-05 | 2012-04-17 | Pilkington Group Limited | Glass article having a zinc oxide coating and method for making same |
US20080152804A1 (en) * | 2006-07-28 | 2008-06-26 | Gulbrandsen Chemicals, Inc. | Method for depositing a metal-containing coating on a substrate |
US20080026147A1 (en) * | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Gulbrandsen Chemicals, Inc. | Method and formulation for depositing a metal-containing coating on a substrate |
KR101429785B1 (ko) * | 2006-08-29 | 2014-08-18 | 필킹톤 그룹 리미티드 | 저 저항률의 도핑된 아연 산화물 코팅의 제조 방법 및 그에 의해 형성된 물품 |
MY148287A (en) * | 2006-08-29 | 2013-03-29 | Pilkington Group Ltd | Method of making a low-resistivity, doped zinc oxide coated glass article and the coated glass article made thereby |
FR2913973B1 (fr) * | 2007-03-21 | 2011-02-18 | Saint Gobain | Substrat verrier revetu de couches a tenue mecanique amelioree |
AU2008214505B2 (en) * | 2007-01-15 | 2013-02-07 | Saint-Gobain Glass France | Glass substrate coated with layers having an improved mechanical strength |
US7998586B2 (en) | 2008-11-19 | 2011-08-16 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Undercoating layers providing improved topcoat functionality |
US8133599B2 (en) | 2008-11-19 | 2012-03-13 | Ppg Industries Ohio, Inc | Undercoating layers providing improved photoactive topcoat functionality |
CA2743845A1 (en) * | 2008-11-19 | 2010-05-27 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Undercoating layers providing improved topcoat functionality |
US20100124642A1 (en) * | 2008-11-19 | 2010-05-20 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Undercoating layers providing improved conductive topcoat functionality |
DE102008060923B4 (de) | 2008-12-06 | 2012-09-27 | Innovent E.V. | Verwendung einer Schicht |
RU2530484C2 (ru) * | 2009-07-06 | 2014-10-10 | Аркема Инк. | Подложка органического светоизлучающего диода, состоящая из прозрачного проводящего оксида (тсо) и антирадужного промежуточного слоя |
US9224892B2 (en) * | 2009-12-21 | 2015-12-29 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Silicon thin film solar cell having improved haze and methods of making the same |
US9366783B2 (en) * | 2009-12-21 | 2016-06-14 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Silicon thin film solar cell having improved underlayer coating |
US20110146768A1 (en) * | 2009-12-21 | 2011-06-23 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Silicon thin film solar cell having improved underlayer coating |
FR2956659B1 (fr) * | 2010-02-22 | 2014-10-10 | Saint Gobain | Substrat verrier revetu de couches a tenue mecanique amelioree |
EP2441860A1 (en) * | 2010-10-13 | 2012-04-18 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Apparatus and method for atomic layer deposition on a surface |
US8557099B2 (en) | 2010-10-25 | 2013-10-15 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Electrocurtain coating process for coating solar mirrors |
RU2477711C1 (ru) * | 2011-08-12 | 2013-03-20 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" | Легированное кварцевое стекло с тетраэдрической координацией атомов титана |
US8734903B2 (en) | 2011-09-19 | 2014-05-27 | Pilkington Group Limited | Process for forming a silica coating on a glass substrate |
US20140227512A1 (en) * | 2011-09-30 | 2014-08-14 | Arkema Inc. | Deposition of silicon oxide by atmospheric pressure chemical vapor deposition |
CN102584025B (zh) * | 2012-01-19 | 2014-06-11 | 江苏秀强玻璃工艺股份有限公司 | 具有宽带隙折射率可调隔离层玻璃的制备方法 |
US20130334089A1 (en) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | Michael P. Remington, Jr. | Glass Container Insulative Coating |
JP6267316B2 (ja) * | 2013-03-12 | 2018-01-24 | ビトロ、エセ.ア.ベ. デ セ.ウベ. | 太陽電池用の高ヘイズ下層 |
TW201716245A (zh) * | 2015-08-05 | 2017-05-16 | 康寧公司 | 用於將片材與載體鍵結之物件及方法 |
US10858379B2 (en) * | 2015-11-11 | 2020-12-08 | Korea Research Institute Of Chemical Technology | Metal precursor for making metal oxide |
EP3173507A1 (de) * | 2015-11-25 | 2017-05-31 | Umicore AG & Co. KG | Verfahren zur metallorganischen gasphasenabscheidung unter verwendung von lösungen von indiumalkylverbindungen in kohlenwasserstoffen |
GB201523156D0 (en) * | 2015-12-31 | 2016-02-17 | Pilkington Group Ltd | High strength glass containers |
CA2920646A1 (en) * | 2016-02-12 | 2017-08-12 | Seastar Chemicals Inc. | Organometallic compound and method |
CN106217968A (zh) * | 2016-07-15 | 2016-12-14 | 常熟市赛蒂镶嵌玻璃制品有限公司 | 一种高耐磨防爆玻璃 |
EP3676416A1 (en) * | 2017-08-31 | 2020-07-08 | Pilkington Group Limited | Chemical vapor deposition process for forming a silicon oxide coating |
CN111032591B (zh) | 2017-08-31 | 2023-02-17 | 皮尔金顿集团有限公司 | 涂覆的玻璃制品、其制造方法,以及用其制成的光伏电池 |
JP6993394B2 (ja) * | 2019-08-06 | 2022-02-21 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | ケイ素化合物及びケイ素化合物を使用してフィルムを堆積する方法 |
JP2023522993A (ja) * | 2020-04-23 | 2023-06-01 | ピルキントン グループ リミテッド | コーティングされたガラス物品の製造方法 |
TR202010598A2 (tr) * | 2020-07-03 | 2022-01-21 | Tuerkiye Sise Ve Cam Fabrikalari Anonim Sirketi | Cam yüzeyler için geliştirilmiş antimikrobiyel kaplama çözeltisi, antimikrobiyel kaplamalı cam ve bunun uygulama prosesi |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3378396A (en) * | 1967-03-27 | 1968-04-16 | Zaromb Solomon | Conductive oxide-coated articles |
US3984581A (en) * | 1973-02-28 | 1976-10-05 | Carl Zeiss-Stiftung | Method for the production of anti-reflection coatings on optical elements made of transparent organic polymers |
US3949146A (en) * | 1973-08-24 | 1976-04-06 | Rca Corporation | Process for depositing transparent electrically conductive tin oxide coatings on a substrate |
DE2454657A1 (de) * | 1974-11-18 | 1976-05-20 | Jenaer Glaswerk Schott & Gen | Beschichtung zum verhindern des beschlagens von oberflaechen |
US4227929A (en) * | 1976-08-26 | 1980-10-14 | Ameron, Inc. | Siloxane-tin coatings |
US4308316A (en) * | 1977-04-04 | 1981-12-29 | Gordon Roy G | Non-iridescent glass structures |
US4206252A (en) * | 1977-04-04 | 1980-06-03 | Gordon Roy G | Deposition method for coating glass and the like |
US4187336A (en) * | 1977-04-04 | 1980-02-05 | Gordon Roy G | Non-iridescent glass structures |
SU833649A1 (ru) * | 1979-02-12 | 1981-05-30 | Северо-Западный Заочный Политехническийинститут | Пленкообразующий раствор дл стекл н-НыХ издЕлий |
JPS5734164A (en) * | 1980-08-06 | 1982-02-24 | Kansai Paint Co Ltd | Film-forming composition |
US4386117A (en) * | 1981-11-20 | 1983-05-31 | Gordon Roy G | Coating process using alkoxy substituted silicon-bearing reactant |
JPS58189263A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | SiO↓2膜形成用塗布液 |
JPS59125433A (ja) * | 1982-12-30 | 1984-07-19 | Fujitsu Ltd | 音声応答方式 |
US4590096A (en) * | 1984-12-28 | 1986-05-20 | M&T Chemicals Inc. | Water vapor, reaction rate and deposition rate control of tin oxide film by CVD on glass |
JPS61181253A (ja) * | 1985-02-06 | 1986-08-13 | Keihachirou Shikakura | 電話機 |
JPS62263754A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-16 | Iwatsu Electric Co Ltd | デ−タ入力装置 |
US5028566A (en) * | 1987-04-10 | 1991-07-02 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method of forming silicon dioxide glass films |
US4880664A (en) * | 1987-08-31 | 1989-11-14 | Solarex Corporation | Method of depositing textured tin oxide |
AU616736B2 (en) * | 1988-03-03 | 1991-11-07 | Asahi Glass Company Limited | Amorphous oxide film and article having such film thereon |
EP0486475B1 (en) * | 1988-03-03 | 1997-12-03 | Asahi Glass Company Ltd. | Amorphous oxide film and article having such film thereon |
US5382383A (en) * | 1988-08-24 | 1995-01-17 | Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. | Coating solutions for forming transparent conductive ceramic coatings, substrates coated with transparent conductive ceramic coatings and process for preparing same, and uses of substrates coated with transparent conductive ceramic coatings |
JP2856754B2 (ja) * | 1989-02-17 | 1999-02-10 | 株式会社東芝 | 紫外線抑制発光源、紫外線抑制発光源用塗布剤、及び紫外線抑制発光源の製造方法 |
DE68921737T2 (de) * | 1989-03-07 | 1995-11-09 | Asahi Glass Co Ltd | Laminierte Glaskonstruktion. |
JPH0717407B2 (ja) * | 1989-10-09 | 1995-03-01 | 旭硝子株式会社 | 機能薄膜付ガラスの製造方法 |
US5090985A (en) * | 1989-10-17 | 1992-02-25 | Libbey-Owens-Ford Co. | Method for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition |
CZ286855B6 (cs) * | 1991-12-26 | 2000-07-12 | Elf Atochem North America, Inc. | Směs pro povlékání skla |
-
1992
- 1992-12-21 CZ CZ19931734A patent/CZ286855B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1992-12-21 MX MX9207592A patent/MX9207592A/es unknown
- 1992-12-21 BR BR9205674A patent/BR9205674A/pt not_active IP Right Cessation
- 1992-12-21 SK SK915-93A patent/SK282993B6/sk unknown
- 1992-12-21 HU HU9302411A patent/HUT67686A/hu unknown
- 1992-12-21 AU AU33228/93A patent/AU3322893A/en not_active Abandoned
- 1992-12-21 DK DK93901245T patent/DK0573639T3/da active
- 1992-12-21 PT PT99106266T patent/PT927706E/pt unknown
- 1992-12-21 RU RU93058399A patent/RU2102347C1/ru not_active IP Right Cessation
- 1992-12-21 CZ CZ19931733A patent/CZ286854B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1992-12-21 EP EP93901246A patent/EP0573640A4/en not_active Withdrawn
- 1992-12-21 CZ CZ19931735A patent/CZ289572B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1992-12-21 AT AT99106266T patent/ATE272582T1/de not_active IP Right Cessation
- 1992-12-21 WO PCT/US1992/010874 patent/WO1993012934A1/en active IP Right Grant
- 1992-12-21 RU RU9293058398A patent/RU2091340C1/ru active
- 1992-12-21 BR BR9205672A patent/BR9205672A/pt not_active IP Right Cessation
- 1992-12-21 DE DE69230219T patent/DE69230219T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-21 AU AU33230/93A patent/AU651754B2/en not_active Expired
- 1992-12-21 DE DE1992633396 patent/DE69233396T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-21 NZ NZ246459A patent/NZ246459A/en unknown
- 1992-12-21 KR KR1019930702539A patent/KR100238920B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-21 CA CA002104591A patent/CA2104591C/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-21 SK SK913-93A patent/SK282141B6/sk unknown
- 1992-12-21 ES ES99106266T patent/ES2221257T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-21 AU AU33229/93A patent/AU663559B2/en not_active Expired
- 1992-12-21 JP JP51173693A patent/JP3485920B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-21 EP EP93901245A patent/EP0573639B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-21 PL PL92300480A patent/PL169649B1/pl not_active IP Right Cessation
- 1992-12-21 KR KR1019930702538A patent/KR100238740B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-21 SK SK914-93A patent/SK281638B6/sk unknown
- 1992-12-21 EP EP99106266A patent/EP0927706B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-21 HU HU9302413A patent/HUT67158A/hu unknown
- 1992-12-21 CA CA002104592A patent/CA2104592A1/en not_active Abandoned
- 1992-12-21 ES ES93901245T patent/ES2137984T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-21 KR KR1019930702540A patent/KR100243801B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-21 MX MX9207591A patent/MX9207591A/es unknown
- 1992-12-21 BR BR9205673A patent/BR9205673A/pt not_active IP Right Cessation
- 1992-12-21 AT AT93901245T patent/ATE186039T1/de not_active IP Right Cessation
- 1992-12-21 HU HU9302412A patent/HU214047B/hu not_active IP Right Cessation
- 1992-12-21 WO PCT/US1992/010873 patent/WO1993013393A1/en active IP Right Grant
- 1992-12-21 CA CA002104590A patent/CA2104590C/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-21 JP JP51173593A patent/JP3485919B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-21 JP JP51173493A patent/JP3485918B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-21 DK DK99106266T patent/DK0927706T3/da active
- 1992-12-21 WO PCT/US1992/010872 patent/WO1993012892A1/en active IP Right Grant
- 1992-12-26 CN CN92115316A patent/CN1041815C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-26 CN CN92115289A patent/CN1041814C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-26 CN CN92115290A patent/CN1043988C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-28 UY UY23527A patent/UY23527A1/es not_active IP Right Cessation
- 1992-12-28 AR AR92324007A patent/AR248263A1/es active
- 1992-12-28 PT PT101160A patent/PT101160B/pt active IP Right Grant
- 1992-12-28 PT PT101161A patent/PT101161B/pt not_active IP Right Cessation
- 1992-12-28 UY UY23526A patent/UY23526A1/es not_active IP Right Cessation
- 1992-12-28 PT PT101159A patent/PT101159B/pt active IP Right Grant
- 1992-12-28 UY UY23528A patent/UY23528A1/es not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-02-03 MY MYPI93000167A patent/MY110355A/en unknown
- 1993-07-19 EP EP93901244A patent/EP0582691A4/en not_active Withdrawn
- 1993-08-25 NO NO19933030A patent/NO316642B1/no unknown
- 1993-08-25 NO NO19933031A patent/NO316683B1/no not_active IP Right Cessation
- 1993-08-25 NO NO19933029A patent/NO316641B1/no unknown
- 1993-12-13 US US08/104,125 patent/US5401305A/en not_active Ceased
-
1999
- 1999-04-07 US US09/287,664 patent/USRE41799E1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-29 GR GR990402439T patent/GR3031624T3/el unknown
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CZ286855B6 (cs) | Směs pro povlékání skla | |
RU2118302C1 (ru) | Способ получения покрытия на стеклянной подложке (варианты) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
IF00 | In force as of 2000-06-30 in czech republic | ||
MK4A | Patent expired |
Effective date: 20121221 |