JP3373298B2 - 機能性物品とその製造方法 - Google Patents

機能性物品とその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、機械的耐久性に優れた
機能性物品とその製造方法に関する。 【0002】 【従来の技術】従来からマグネトロンスパッタリング法
を用いて多層膜を大面積ガラス基板上に製膜したLow
−Eガラス、熱線遮断ガラスが用いられている。建築
用、自動車用に用いられるこれらのガラスは省エネルギ
ー効果、意匠性に優れているため、近年その普及が著し
い。 【0003】Agを用いたLow−Eガラスでは、Zn
O/Ag/ZnOの3層構成、またはZnO/Ag/Z
nO/Ag/ZnOの5層構成の多層膜を有するものが
一般的である。このタイプのLow−Eガラスは耐久性
に難があるので、単板ガラスでは使えず、複層ガラスま
たは合わせガラスの形にして用いられる。自動車の風防
ガラスとリアガラスにもZnO/Ag/ZnOの3層膜
が合わせガラスの接着面側にコーティングされ、熱線遮
断ガラスとして実用化されている。 【0004】熱線遮断ガラスの生産は基板洗浄、スパッ
タリング製膜、後洗浄と一貫したラインで行われてお
り、近年では、さらにラインへの素板載せ、ラインから
の板取りまで無人化、自動化される傾向にある。 【0005】 【発明が解決しようとする課題】しかし、Agを用いた
Low−Eガラスは膜の耐擦傷性が弱いため、複層ガラ
スまたは合わせガラスにされるまでには取扱いに非常
注意が必要で、生産を自動化できなかった。 【0006】具体的には生産を自動化する際、板取り時
にガラス同士の密着を防ぐため、ガラス間に樹脂製のパ
ウダーの撒布が行われるが、Agを用いたLow−Eガ
ラスは膜の耐擦傷性が弱いため、このパウダーによって
膜面に疵がつ。したがって、Low−Eガラスでは板
取りを自動化できず、人手によって板取りが行われ、ガ
ラス間にはパウダーの代わりに紙などを挟んでいる。そ
のため、生産時間を短縮できず、また、コストも余計に
かかっていた。 【0007】本発明は、前述の課題を解決すべくなされ
たものであり、膜面の耐擦傷性が改善され、板取りも自
動化できるようにした、Agを用いたLow−Eガラス
とその製造方法の提供を目的とする。 【0008】 【課題を解決するための手段】発明は、透明基体上
に、透明酸化物層とAg層とを順次に積層し、合計(2
n+1)層(n≧1)を形成する機能性物品の製造方法
において、最外層の上にさらに、SnとSiを含む酸化
物を主成分としかつSnとSiの総量に対するSnの割
合が0〜90原子%である酸化物膜(以下、STO膜
という)を反応性直流スパッタリング法により形成する
ことを特徴とする機能性物品の製造方法を提供する。 【0009】本発明においては、Ag層とその上に形成
される透明酸化物層との間に、金属膜バリア層が形成さ
ることが好ましい。 【0010】本発明は、Agを用いたLow−E膜にさ
らにSTO膜を保護膜としてオーバーコートし、Low
−E膜の耐擦傷性を向上させることを主眼としている。 【0011】図1は本発明の実施例1、5の機能性物品
の、図2は本発明の実施例2の機能性物品の、図3は本
発明の実施例3の機能性物品の、図4は本発明の実施例
4の機能性物品の、それぞれ断面図であるが、本発明は
これに限定されない。 【0012】図において、1はガラスやプラスチックな
どの透明基体、2は透明酸化物層、3はAg層、4はA
g層3とその上に形成される透明酸化物層2との間に形
成された金属バリア層、5はSTO膜を示す。 【0013】本発明におけるnは、特に制限されず、n
が大きいほどLow−E性能が向上する。しかし、それ
に伴いコストも増大するので、実用上分なLow−E
性能が得られるn=1またはn=2程度が好まし。 【0014】Ag層3は、Agの他に、Pd、Al、C
uなどの元素を含んでいてもよい。Ag層の膜厚は特に
限定されないが、5〜25nm、特には8〜15nm、
が好ましい。5nm未満であるとLow−E性能が不
分であり、25nm超であると本発明の機能性物品の耐
久性が低下する。 【0015】金属バリア層4はAgの酸化防止のために
設けられる。金属バリア層4を構成する物質は特に限定
されないが、Zn、Ti、Cr、Sn、Ni、ステンレ
ス、Ni−Cr、SiNX 、AlNX 、BNなどが好ま
しく挙げられ、Znが特に好ましい。金属バリア層4の
膜厚は1〜5nmが好ましい。1nm未満であると酸化
防止機能が不分であり、5nm超であると本発明の機
能性物品の透過率が低下する。 【0016】STO膜5は、SnとSiの他に、Zr、
Ti、Ta、Biなど、他の元素を含んでいてもよい。
STO膜の屈折率は1.5〜2.0であることが好まし
い。この屈折率は、ターゲットのSnとSiの組成とス
パッタリング条件に依存するが、主にターゲット組成で
制御できる。 【0017】STO膜5におけるSnとSiの割合は、
SnとSiの総量に対してSnが40〜90原子%とさ
れる。Snの割合が少なすぎると、直流スパッタリング
法により製膜するときにアーキングが発生しやすくな
り、印加電圧が制限され、製膜速度が著しく制限され、
生産性が低下する。Snの量が多すぎると、屈折率が上
記した好ましい範囲になりにくく、オーバーコートした
ときに光学干渉による色調の変化が著しくなる。 【0018】STO膜5の膜厚は特に限定されないが、
1〜50nmの範囲が好ましい。分な耐擦傷性を付与
するには、10nm程度以上が必要である。膜厚の増加
に応じて耐擦傷性が向上し、40〜50nmであればさ
らに分な耐擦傷性が得られる。あまり厚くつけると光
学干渉による色調の変化が著しくなる。このため、膜
としては10〜30nmが特に好ましい。 【0019】Agを用いたLow−Eガラスの多層膜
は、前述したように、ZnO/Ag/ZnOの3層構
成、またはZnO/Ag/ZnO/Ag/ZnOの5層
構成が一般的である。この場合、最上層がZnO(屈折
率約2.0)なので、STO膜5をオーバーコートする
際に、最上層のZnO膜の膜厚とSTO膜5の屈折率と
膜厚を調整することにより、オーバーコートによる色調
の変化を最小限に抑えることができる。 【0020】Agを用いたLow−Eガラスの最上層は
一般には酸化物(ZnO等)であり、STO膜5も酸化
物であり、同じ雰囲気中で反応性スパッタリングで製膜
できるので、例えばZnターゲットとSn−Si系のタ
ーゲットを同じチャンバー内に設置して、ZnO膜とS
TO膜5を続けて形成できる。 【0021】STO膜5は、SnとSiをCIP法(冷
間等方性プレス)で固めたターゲットから酸素雰囲気中
での反応性スパッタリング法で得られる 【0022】耐擦傷性を向上させるための透明酸化物膜
としては、例えばZrとSiまたはBを含む酸化物
を主成分とする酸化物膜が知られている(例えば、特開
平2−289339号公報)。金属ターゲットから反応
性スパッタリングで製膜する場合、STO膜は、Zrと
Siを含む酸化物を主成分とする酸化物膜に比べて、製
膜速度が速い。 【0023】ターゲットに印加する電力密度が同じ場
合、Zr−Si(原子比1:2)ターゲットを用いて酸
化物膜を製膜する場合に比べて、Sn−Si(原子比
1:1)ターゲットを用いて酸化物膜を製膜する場合に
は製膜速度が約2.5倍であり、Sn−Si(原子比
4:1)ターゲットを用いる場合には製膜速度が約2.
6倍である。実際にはZr−Siターゲットにはアーキ
ングが発生することからあまり大きな電力密度を印加で
きないが、Sn−SiターゲットにはZr−Siターゲ
ットの約1.6倍程度の電力密度を印加できる。 【0024】したがって、可能な限りの大きな電力をタ
ーゲットに印加した際には、Sn−Siターゲットから
製膜する場合の製膜速度はZr−Siターゲットから製
膜する場合の約4倍になり、生産効率上きわめて有効で
ある。 【0025】 【作用】本発明において、Agを用いたLow−E膜は
オーバーコートにより膜の耐擦傷性が向上している。本
発明におけるSTO膜は、1)金属ターゲットから反
性直流スパッタリング法により安定して製膜でき、製膜
速度が速い、2)ターゲット組成により屈折率が1.5
〜2.0の範囲で可変である、3)SnO2 に比べ硬
い、などの特徴を有する。 【0026】 【実施例】[実施例1] 洗浄した厚さ2mmのフロートガラス板をスパッタリン
グ装置内にセットし、10-6Torr台まで排気した。
次にO2 ガスをチャンバー内に導入し、圧力を2×10
-3Torrにし、Znターゲットを用いて電力密度5.
2W/cm2 でスパッタリングし、基板上にZnO(第
1層)を40nm製膜した。 【0027】次にガスをArだけにし、圧力を2×10
-3Torrにし、Agターゲットを用いて電力密度0.
8W/cm2 でスパッタリングし、Ag(第2層)を1
5nm製膜した。 【0028】次に、再びガスをO2 ガスにし、第1層と
同じ条件でZnO(第3層)を20nm製膜した。 【0029】最後にガスをArとO2 の混合ガス(流量
比1:1)にし、圧力を2×10-3Torrにし、Sn
とSiの合金ターゲット(原子比1:1)を用いて電力
密度7.8W/cm2 でスパッタリングし、SnとSi
を含む屈折率約1.7の酸化物膜(第4層)を10nm
製膜した。以下、この組成の膜をSTO−1という。 【0030】[実施例2] 実施例1と同じ方法、条件で厚さ2mmのフロートガラ
ス基板上にZnO/Ag/ZnOの3層膜を製膜した。
膜厚は、それぞれ40nm、10nm、80nmとし
た。引き続いて、同じようにしてAg(第4層)、Zn
O(第5層)をそれぞれ10nm、10nm製膜した。
さらに引き続いて、実施例1の第4層の場合と同じ方
法、条件でSTO−1(第6層)を10nm製膜した。 【0031】[実施例3] 実施例1と同様にして、第1層および第2層を製膜し
た。次にガスをArのままに保ち、圧力を2×10-3
orrにし、Znターゲットを用いて電力密度3.0W
/cm2 でスパッタリングし、Zn膜(バリア層)を5
nm製膜した。 【0032】次にガスをO2 ガスにし、圧力を2×10
-3Torrにし、Znターゲットを用いて電力密度5.
2W/cm2 でスパッタリングし、ZnO膜(第3層)
を20nm製膜した。 【0033】最後にガスをArとO2 の混合ガス(流量
比1:1)にし、SnとSiの合金ターゲット(原子比
1:1)を用いて電力密度7.8W/cm2 でスパッタ
リングし、STO−1(第4層)を10nm製膜した。 【0034】[実施例4] 実施例3と同じ方法、条件でフロートガラス基板上にZ
nO/Ag/Zn(バリア層)/ZnOの3層膜を製膜
した。膜厚は、それぞれ40nm、10nm、5nm、
80nmとした。引き続いて、同じようにしてAg(第
4層)、Zn(バリア層)、ZnO(第5層)を、それ
ぞれ10nm、5nm、10nm製膜した。さらに引き
続いて、実施例3の第5層の場合と同じ方法、条件で、
STO−1(第6層)を10nm製膜した。 【0035】[実施例5] 実施例1と同じ方法、条件で厚さ2mmのフロートガラ
ス基板上にZnO/Ag/ZnOの3層膜を製膜した。
次に、ArとO2 の混合ガス(流量比1:1)にし、圧
力を2×10-3Torrにし、SnとSiの原子比が
2:8の合金ターゲットを用いて電力密度7.8W/c
2 でスパッタリングし、SnとSiとの原子比が2:
8の屈折率約1.6の酸化物膜(第4層)を10nm製
膜した。この組成の膜をSTO−2という。 【0036】[比較例1] 実施例1と同じ方法、条件で厚さ2mmのフロートガラ
ス基板上に、ZnO/Ag/ZnOの3層膜を実施例1
と同じ膜厚製膜した。 【0037】[比較例2] 実施例1と同じ方法、条件で厚さ2mmのフロートガラ
ス基板上に、ZnO/Ag/ZnOの3層膜を実施例1
と同じ膜厚製膜した。引き続いてチャンバー内にAr
とO2 の混合ガス(流量比1:1)を導入し、圧力を2
×10-3Torrにし、Snターゲットを用いて電力密
度7W/cm2 でスパッタリングし、SnO2 膜(第4
層)を10nm製膜した。 【0038】[比較例3] 実施例1と同じ方法、条件で厚さ2mmのフロートガラ
ス基板上にZnO/Ag/ZnOの3層膜を製膜した。
膜厚は、それぞれ40nm、10nm、80nmとし
た。引き続いて、同じようにしてAg(第4層)、Zn
O(第5層)を、それぞれ10nm、10nm製膜し
た。 【0039】[比較例4] 実施例3と同じ方法、条件でフロートガラス基板上にZ
nO/Ag/Zn(バリア層)/ZnOの3層膜を製膜
した。それぞれの膜の膜厚は実施例3の場合と同じとし
た。 【0040】[比較例5] 実施例3と同じ方法、条件でフロートガラス基板上にZ
nO/Ag/Zn(バリア層)/ZnOの3層膜を製膜
した。膜厚は、それぞれ40nm、10nm、5nm、
80nmとした。引き続いて、同じようにしてAg(第
4層)、Zn(バリア層)、ZnO(第5層)を、それ
ぞれ10nm、5nm、10nm製膜した。 【0041】このようにして得た各種Low−Eガラス
の膜面の耐摩耗性をテーバー摩耗試験およびパウダーを
用いる摩耗試験で調べた。その結果を表1に示す。表1
のA欄はテーバー摩耗試験後の可視光線透過率変化(単
位:%)を示す。表1のB欄はパウダーを用いる摩耗試
験後の膜面疵の有無を示す。 【0042】なお、テーバー摩耗試験は荷重500g、
回転数100回転で行った。テーバー摩耗試験前後の可
視光透過率の変化は、朝日分光(株)製304型簡易透
過率計で測定した。 【0043】また、パウダーを用いる摩耗試験は次のよ
うにして行った。すなわち、作成したLow−Eガラス
を膜面を上にして固定した。上からパウダーを撒布し、
もう1枚、通常のフロートガラス板を重ねた。上のガラ
ス板に荷重(150g/cm2 )をかけ、一定のストロ
ークで往復運動させた。 【0044】 【表1】 【0045】 【発明の効果】本発明のAg系のLow−Eガラスは生
産の無人化、自動化を可能にする。特に生産ラインへの
素板載せ、生産ラインからの板取りも無人ででき、生産
タクト、コストを低減できる。 【0046】また、本発明で保護コートとして用いた
TO膜は、スパッタリング時にアーキングの心配がな
く、製膜速度が速いので、STO製膜用のターゲット
を生産ラインの最後に置いてスパッタリングすることに
より、1パスモードで連続した生産が可能である。 【0047】また、STO膜は屈折率が1.5〜2.0
の範囲で可変であるので、保護コートしたときの色調等
の光学特性やLow−E性能の変化を最小限に抑えるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の実施例1、5の機能性物品の断面図 【図2】本発明の実施例2の機能性物品の断面図 【図3】本発明の実施例3の機能性物品の断面図 【図4】本発明の実施例4の機能性物品の断面図 【符号の説明】 1:透明基体 2:透明酸化物層 3:Ag層 4:金属バリア層 5:STO
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−178430(JP,A) 国際公開93/12934(WO,A1) 国際公開93/13393(WO,A1) 米国特許3378396(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B32B 1/00 - 35/00 C03C 17/00 - 17/44

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】透明基体上に、透明酸化物層とAg層とを
    順次に積層し、合計(2n+1)層(n≧1)を形成す
    る機能性物品の製造方法において、最外層の上にさら
    に、SnとSiを含む酸化物を主成分としかつSnとS
    iの総量に対するSnの割合が0〜90原子%である
    酸化物膜を反応性直流スパッタリング法により形成する
    ことを特徴とする機能性物品の製造方法。
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