PT101161B - Artigo revestido com uma composicao a base de um precursor de oxido de estanho, de um precursor de oxido de silicio e de um acelerador - Google Patents

Artigo revestido com uma composicao a base de um precursor de oxido de estanho, de um precursor de oxido de silicio e de um acelerador Download PDF

Info

Publication number
PT101161B
PT101161B PT101161A PT10116192A PT101161B PT 101161 B PT101161 B PT 101161B PT 101161 A PT101161 A PT 101161A PT 10116192 A PT10116192 A PT 10116192A PT 101161 B PT101161 B PT 101161B
Authority
PT
Portugal
Prior art keywords
article according
oxide
layer
tin oxide
tin
Prior art date
Application number
PT101161A
Other languages
English (en)
Other versions
PT101161A (pt
Inventor
Ryan Richard Dirkx
David A Russo
Glenn P Florczak
Original Assignee
Atochem North America Elf
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=27123834&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=PT101161(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Atochem North America Elf filed Critical Atochem North America Elf
Publication of PT101161A publication Critical patent/PT101161A/pt
Publication of PT101161B publication Critical patent/PT101161B/pt

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23Oxides
    • C03C17/245Oxides by deposition from the vapour phase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23Oxides
    • C03C17/245Oxides by deposition from the vapour phase
    • C03C17/2453Coating containing SnO2
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3417Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/20Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21Oxides
    • C03C2217/23Mixtures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/90Other aspects of coatings
    • C03C2217/91Coatings containing at least one layer having a composition gradient through its thickness
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/10Deposition methods
    • C03C2218/15Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/152Deposition methods from the vapour phase by cvd
    • C03C2218/1525Deposition methods from the vapour phase by cvd by atmospheric CVD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

MEMÓRIA DESCRITIVA
Referência a pedido relacionado
Este pedido é uma continuação em parte dos nossos pedidos nos Estados Unidos copendentes com os números de série 07/814 366 apresentado em 26/12/91 e 07/814 352 apresentado em 27/12/91.
Campo do invento
O presente invento situa-se no campo dos revestimentos de substratos. Mais particularmente, este invento situa-se no campo dos revestimentos depositados a altas velocidades de deposição sobre vidro ou artigos de vidro para proporcionar índice de refracção controlada, características de emissividade e/ou aparência melhoradas e resistência à abrasão e para complementar ou melhorar outras propriedades.
Descrição da arte anterior
As películas semicondutoras transparentes tais como óxido de índio, estanato de cádmio, ou óxido de estanho dopado podem ser aplicadas a vários substratos transparentes tais como, p.e., vidro de cal sodada, de modo a reflectirem a radiação infravermelha com comprimento de onda longo. As películas dieléctricas transparentes, tais como de dióxido de titânio ou óxido de estanho não dopado, podem ser aplicadas a artigos transparentes, tais como garrafas de vidro, para formarem um revestimento base para um segundo revestimento com uma função específica. Dependendo da espessura do semicondutor ou da película dieléctrica, podem ser observadas várias cores iridiscentes reflectidas. Este efeito iridiscente é considerado prejudicial para o aspecto do vidro em aplicações tais como janelas com baixa emissividade ou garrafas para alimentos ou bebidas.
Os métodos e aparelhos para revestir vidro, e especialmente
708
IR 3224D (68RBH48)
para revestimento contínuo de vidro em movimento, são conhecidos na arte. Uma descrição de aparelho, útil na preparação de um artigo de vidro revestido, encontra-se em Lindner, U.S. 4 928 627 tornado parte desta divulgação a título de referência.
Têm sido delineados vários procedimentos para reduzir ou eliminar a iridiscência. Em relação à aplicação com baixa emissividade, Zaromb em US 3 378 396 descreve um artigo compreendendo um substrato de vidro transparente revestido com óxidos de estanho e de silício; o revestimento varia gradualmente em composição desde uma alta proporção de óxido de silício para óxido de estanho, na superfície do substrato, mudando gradualmente para óxido de estanho quase puro, e mudando ainda para uma proporção de não mais de 60% de óxido de silício para não menos de 40% de óxido de estanho na interface deste revestimento com a atmosfera. 0 índice de refracção do revestimento mais próximo do substrato é de cerca de 1,5, substancialmente o índice de refracção do vidro de sílica, e muda para cerca de 2,0, o índice de refracção do óxido de estanho, na interface com o ar, proporcionando uma camada de revestimento intermédia sem interferência óptica. 0 artigo assim revestido apresenta pouca ou nenhuma iridiscência na luz reflectida. Zaromb ensina que as soluções aquosas de cloretos de estanho e de silício podem ser aplicadas por spray para conseguir os seus revestimentos. As aplicações em spray são usualmente operações descontínuas que não fornecem películas uniformes de alta qualidade; não há menção a outros meios de aplicação tal como deposição de vapor químico (CVD). Também não dá qualquer indicação sobre a velocidade de deposição, um parâmetro chave para uma aplicação industrial comercial.
Outra abordagem é descrita por Gordon em US 4 187 336. Uma ou mais camadas de um material transparente com um índice de refracção intermédio entre o de um substrato de vidro e o de uma película de óxido de estanho condutora são depositadas por CVD à pressão atmosférica entre o vidro e a película de óxido de estanho. É necessário que as camadas intermédias tenham índices de refracção e espessuras específicos para serem eficazes. Deve74 708
IR 3224D (68RBH48)
-se notar que quando as películas intermédias continham dióxido de silício, se verificou que os compostos voláteis adequados eram o silano, dimetil-silano, dietil-silano, tetrametil-silano e os halogenetos de silício. Não são mencionados outros precursores. As velocidades de deposição obtidas para os processos descritos eram da ordem de 10 a 20 Ãngstroms por segundo (Â/seg). Tais velocidades são uma ordem de magnitude abaixo das necessárias para um processo industrial comercial.
Na Patente dos Estados Unidos 4 206 252, Gordon descreve um processo de deposição de camadas de revestimento de um óxido misto e nitreto com um índice de refracção variando continuamente entre um substrato de vidro e um revestimento reflector de infravermelho, eliminando-se a iridiscência da película. Quando o dióxido de silício faz parte da película de óxido misto, a patente ensina que os compostos de silício voláteis com ligações Si-Si e Si-H são precursores adequados. São divulgados compostos tais como 1,1,2,2-tetrametildi-silano,
1,1,2-trimetildi-silano e 1,2-dimetildi-silano. Todos os compostos com ligações Si-Si e Si-H a que se faz referência são caros e nenhum está comercialmente disponível.
Na Patente dos Estados Unidos 4 386 117, Gordon descreve um processo de preparação de revestimentos de óxido de silício misto/óxido de estanho com índices de refracção específicos ou com gradiente contínuo, como ensinado por Zaromb em US 3 378 396, com velocidades de deposição óptimas de 80 a 125 Ã/seg usando precursores alcoxi-peralquilpoli-silano tais como metoxipentametildi-silano ou dimetoxitetrametildi-silano. Novamente, os precursores de sílica citados e inferidos são impróprios para uso industrial, porque nenhum deles se encontra comercialmente disponível em grande escala.
Lagendijk, Patente dos Estados Unidos 5 028 566, faz notar na coluna 4 que o tetraetilorto-silicato (TEOS) sofre de várias desvantagens na sua aplicação a um substrato por CVD a baixa pressão; isto é, uma pressão de cerca de 500 miliTorr. Estas desvantagens incluem dificuldade de dopagem da película
708
IR 3224D (68RBH48) —4—
resultante com fósforo e a libertação controlada na origem devido a baixa pressão de vapor do TEOS. Lagendijk também realça o facto de as tentativas de produzir um vidro de borofosfosilicato com um processo todo liquido tiveram um sucesso limitado. Equaciona ainda o efeito do dopante com uma larga gama de compostos de fósforo, boro, antimónio, arsénio e crómio, mas apenas quando usados com compostos de silício que não possuam ligações carbono-oxigénio-silício e dois ou mais átomos de silício.
Nas aplicações em garrafas, os revestimentos são aplicados com espessuras tão pequenas, i.e. de cerca de 100 A que nao e possível qualquer iridiscência. Contudo, as películas não são contínuas e esta descontinuidade torna-os inadequados para outras aplicações. Uma solução para a descontinuidade consiste em depositar películas mais espessas de um material com um índice de refracção mais próximo do do artigo. Um material feito de óxido de metal misto/óxido de silício depositado a uma velocidade significativamente mais rápida do que até então era conseguido seria desejável, como discutido adiante.
Todos os silanos divulgados na arte anterior para fazer revestimentos de óxidos de metal misto/dióxido de silício têm certas características que os tornam insatisfatórios para desenvolvimento comercial. Alguns são muito corrosivos, inflamáveis ou sensíveis ao oxigénio e requerem manuseio especial. Outros não são facilmente encontrados ou são demasiado caros para uso comercial. Dos materiais que podem ser usados, o maior problema que limita o seu desenvolvimento comercial em camadas intermédias de óxido de metal misto/óxido de silício e/ou oxinitreto tem sido o de velocidades de deposição inadequadas. Quando o substrato é vidro plano e o processo de deposição é CVD a pressão ambiente, a velocidade de deposição das camadas intermédias tem de ser suficientemente elevada para revestir uma tira de vidro na linha de produção deslocando-se a velocidades da linha tão altas como cerca de 15 metros por minuto (m/min). As velocidades de deposição das camadas desejadas de cerca de 350 Â são desejáveis e as velocidades de
708
IR 3224D (68RBH48) —5—
cerca de 400 a 600 Â/seg são preferíveis. Tais velocidades não foram até agora conseguidas sob condições que permitam a produção em massa, contínua, de vidro com propriedades.
Para ultrapassar os problemas acima discutidos, são necessários precursores de sílica que são baratos, facilmente disponíveis, fáceis de manusear, e têm velocidades de deposição adequadas quando vaporizados com precursores de óxido de metal. Os alcoxi-silanos tais como TEOS, um produto químico comercial, será desejável. Contudo, antes do presente invento, não era possível depositar películas de óxido de silício a partir de TEOS por CVD à pressão atmosférica, a velocidades de deposição comercialmente aceitáveis, excepto a temperaturas de ou acima de 700 graus Celsius (°C). Obteve-se algum sucesso com temperaturas a partir de cerca de 450 até cerca de 680 °C, mas apenas por modificação do processo CVD à pressão atmosférica através de melhoramento do plasma ou pressão reduzida, nenhum dos quais é genericamente aceitável para uso comercial numa tira de vidro contínua. Aditivos tais como oxigénio, ozono ou fosfito de trimetilo também têm sido usados nestes processos modificados, mas as velocidades conseguidas ainda são mais baixas do que as necessárias para um sistema comercial eficaz.
D. S. Williams e E. A. Dein, em J. Eletrochem. Soc 134(3)657-64 (1987) mostraram que as películas de vidro de fosfo-silicato e de borofosfo-silicato com índice de refracção controlável podem ser depositadas a velocidades de cerca de 200 Â/seg, entre 515 e 680 °C, por CVD a baixa pressão de TEOS, com óxidos de fósforo e de boro a concentrações que variavam em função do aditivo usado. 0 processo a baixa pressão aqui descrito não é aplicável a uma aplicação em linha, contínua, de óxidos.
Em Proceedings, 2nt* international ULSI Science and Technical Symposium, ECS Proceedings Vol. 98(9), 571-78 (1989), D. A. Webb et al referiram que películas de óxido de silício podiam ser depositadas a partir de TEOS a velocidades de cerca de 125 Â/seg num processo CVD melhorado com plasma, usando
708
IR 3224D (68RBH48) —6—
oxigénio. Contudo, o CVD melhorado com plasma não é uma opção viável para a aplicação comercial continua de películas de óxido a um vidro, sendo um processo descontínuo que requer aparelhos de baixa pressão complexos e caros.
A. K. Hochberg e D. L. 0·Meara em J. Electrochem. Soc. 136(6)1843 (1989) referiram que a deposição melhorada de películas de óxido de silício a 570 °C por CVD a baixa pressão quando se adicionava fosfito de trimetilo a TEOS. Tal como com o CVD melhorado com plasma, contudo, o CVD a baixa pressão não é facilmente utilizado na aplicação comercial contínua de películas de óxido de silício a uma folha de vidro em movimento para produzir um artigo de vidro revestido, devido, pelo menos em parte, ao custo e complexidade dó dispositivo usado na deposição a baixa pressão.
De uma revisão da arte anterior, não se pode determinar quais as combinações de precursores, caso haja alguma, que podem ser usadas na deposição contínua, sob condições e a uma velocidade adequada para produção em massa, de películas de oxido de metal misto/óxido de silício a velocidades adequadas, a partir de reagentes facilmente disponíveis e relativamente baratos.
Os revestimentos primários e secundários de substratos de vidro são ainda úteis para melhorar ou complementar propriedades quer do substrato quer de um ou mais dos seus revestimentos, sendo o melhoramento da iridiscência apenas uma aplicação. Outros usos dos revestimentos incluem, p.e., protecção da superfície do substrato da abrasão, adição de cor a vidro branco e filtração de comprimentos de onda particulares da radiação incidente.
DISCUSSÃO DO INVENTO
Este invento é um artigo tendo nele um revestimento melhorado com propriedades específicas tais como, p.e., índice de refracção controlado, resistência à abrasão, melhoramento da
708
IR 3224D (68RBH48)
cor, baixa emissividade, filtração selectiva da luz e antiiridiscência em substratos de vidro plano. Este invento é feito por CVD a velocidades superiores a cerca de 350 Â/seg, à pressão atmosférica, e a temperaturas inferiores a 700 °c, usando uma mistura que inclui pelo menos um precursor de um óxido de metal, seleccionado do grupo consistindo em compostos voláteis de estanho, germânio, titânio, alumínio, zircónio, zinco, índio, cádmio, háfnio, tungsténio, vanádio, crómio, molibdénio, irídio, níquel e tântalo. A mistura inclui ainda um precursor de dióxido de silício e um ou mais aditivos seleccionados do grupo consistindo em fosfitos, boratos, água, alquilfosfina e derivados de arsina e de borano; PH3, AsH3 e Β2Ηθ; e θ2' ^2θ' NF3, N02 e C02. Os aditivos são aqui denominados aceleradores; os aceleradores servem para aumentar a velocidade de deposição da película sobre o vidro a partir da mistura. A mistura de precursores e de aditivos é gasosa sob as condições de aplicação requeridas para produzir o artigo; a reacção dos materiais na mistura gasosa com oxigénio atmosférico ou adicionado fornece os correspondentes óxidos que são depositados sobre o substrato de vidro.
Os peritos na arte saberão que os precursores e materiais discutidos nesta especificação têm de ser suficientemente voláteis, isolados ou com outros materiais, e suficientemente estáveis sob as condições de deposição, para ser uma parte da composição a partir da qual as desejadas películas são depositadas.
Os precursores da deposição de óxido de metal incluem, p. e. , alquilos e alcóxidos de alumínio, alquilos de cádmio, halogenetos e alcóxidos de germânio, alquilos de índio, halogenetos de titânio, alquilos de zinco e alcóxidos de zircónio. Exemplos específicos de tais compostos incluem, p. e., AI (^2^15)31 C r 0 2 C12 t GeBr 4, Ti(OC3H7)4, T1C14 , T1Br 4, Ti(C5H7O2)4, Zr(OC5H9)4, Ni(CO)4, VC14, Zn(CH3)2, Zr(C5H9O)4 e semelhantes.
Os precursores de estanho incluem os descritos pela fórmula
708
IR 3224D (68RBH48)
geral RnSnX4_n em que R é independentemente escolhido de alquilo ou alcenilo de cadeia linear, cíclica ou ramificada com um a cerca de seis carbonos; fenilo, fenilo substituído ou ROILjCI^-, em que R' é MeO2C-, EtO2C-, CH3CO- ou HO2C-; X é seleccionado de entre o grupo consistindo em halogéneo, acetato, perfluoroacetato e suas misturas; e n é 0, 1 ou 2. Os precursores preferidos de óxido de estanho no artigo deste invento são os halogenetos de organoestanho.
Os precursores de óxido de silício incluem os descritos pela fórmula geral RmOnSip em que m é de 3 a 8, nédel a4, p é de 1 a 4 e R é escolhido, independentemente, de entre hidrogénio e acilo, alquilo de cadeia linear, cíclica ou ramificada e alquilo ou alcenilo, substituídos, com um a cerca de seis carbonos e fenilo ou fenilo substituído. Os precursores preferidos do óxido de silício incluem orto-silicato de tetraetilo, diacetoxidi-t-butoxi-silano, etiltriacetoxi-silano, metiltriacetoxi-silano, metildiacetoxi-silano, tetrametildisiloxano, tetrametilciclotetra-siloxano, dipinacoloxi-silano,
1,l-dimetilsila-2-oxaciclo-hexano, tetraquis(l-metoxi-2propoxi)silano e trietoxi-silano.
Aceleradores adequados incluem derivados de fosfito e de borato de fórmula geral (R”O)3P e (R’’O)3B em que R” é independentemente escolhido de entre alquilo ou alcenilo de cadeia linear, cíclica ou ramificada, com um a cerca de seis carbonos; fenilo, fenilo substituído ou R,nCH2CH2- onde R,H é MeO2C-, EtO2C-, CH3CO- ou HO2C-; R é preferivelmente alquilo ou alcenilo com 1 a 4 carbonos de comprimento. São aceleradores particularmente preferidos os seleccionados de entre o grupo consistindo em ésteres de fósforo e de boro: os mais preferidos são TEB e TEP.
Os precursores da camada revestida compreendem MBTC ou qualquer dos organoestanhos descritos pela fórmula geral RnSnX4_ _n, acima, e um material escolhido para conferir uma propriedade semicondutora ao óxido de estanho; tais materiais incluem, p. e., compostos de antimónio tal como trimetilantimónio, compostos
708
IR 3224D (68RBH48)
de fósforo tal como trifenilfosfina, e compostos contendo flúor tal como ácido trifluoroacético, anidrido trifluoroacético, trifluoroacetato de etilo, 2,2,2-trifluoroetanol, 4,4,4trifluoroacetoacetona de etilo, cloreto de heptafluorobutirilo e fluoreto de hidrogénio. A camada de óxido de estanho também pode ser tornada condutora por deposição de películas subestequiométricas tendo a composição SnO2_x em que x não é um número inteiro e tem um valor entre zero e 1, e em que o valor de x pode variar dentro de uma determinada película. Os materiais para conferir propriedades semicondutoras ao óxido de estanho também podem ser adicionados aos precursores da primeira camada, para melhorar a emissividade de todo o sistema de revestimento, i.e. a emissividade da primeira e segunda camadas combinadas.
Os peritos na arte compreenderão que o óxido de estanho pode ser substituído nestas películas total ou parcialmente pelos óxidos de outros metais, tais como, p. e. , germânio, titânio, alumínio, zircónio, zinco, índio, cádmio, háfnio, tungsténio, vanádio, crómio, molibdénio, irídio, níquel e tântalo.
DESCRIÇÃO DAS CONCRETIZAÇÕES PREFERIDAS
A concretização preferida do presente invento é um artigo de manufactura produzido por deposição de pelo menos uma primeira camada de uma película num substrato de vidro, na presença de pelo menos um acelerador.
Outra concretização preferida deste invento é um artigo tendo uma película depositada à pressão atmosférica em que a película compreende uma ou mais películas de óxido de metal misto/dióxido de silício sobre um substrato de vidro, sendo a deposição feita a partir de uma mistura compreendendo um precursor de óxido de metal, um precursor de dióxido de silício e pelo menos um aditivo que melhora a velocidade de deposição significativamente, quando comparada com a velocidade de deposição sem o aditivo. As películas depositadas podem conter
708
IR 3224D (68RBH48)
óxidos adicionais relacionados com os aditivos usados. Adicionalmente, as películas de óxido misto depositadas podem ter propriedades específicas de si próprias como, p. e., índice de refracção projectado, ou pode ser combinada com outras películas sub ou sobre-revestidas, ou ambas, de modo a ter uma propriedade combinada tal como, p. e., neutralidade de cor ou lubricidade.
Numa concretização mais preferida, a película de óxido de metal misto/dióxido de silício compreende múltiplas camadas de óxido de estanho/dióxido de silício de p.e. índice de refracção crescente; adicionalmente, uma propriedade escolhida de uma dada camada, tal como p.e. o índice de refracção, pode variar continuamente, de tal modo que uma camada sobre-revestida de óxido de estanho terá um mínimo de cor reflectida. Uma dada camada pode ter assim uma concentração de óxido de silício e de óxido de estanho diferente das concentrações de óxido de silício e de óxido de estanho de uma camada adjacente. As películas também podem conter óxidos dos aceleradores, particularmente quando os aditivos contem fósforo ou boro.
Numa concretização mais preferida deste invento, os precursores da camada de óxido misto compreendem halogenetos de organo-estanho, geralmente, e tricloreto de monobutilestanho (MBTCj, em particular, TEOS e o acelerador fosfito de trietilo (TEP).
As composições das películas produzidas por este invento foram determinadas por difracção de raios X (XRD) e espectroscopia fotoelectrónica de raios X (XPS). 0 artigo do presente invento é preparado por um processo usando aceleradores, através dos quais o processo fornece uma deposição por CVD contínua, comercialmente aceitável, de películas de óxidos sobre um vidro em movimento, especialmente numa linha de vidro flutuante moderna, em que os processo descontínuos da arte anterior são completamente impraticáveis.
Os efeitos da água adicionada e dos fosfitos e boratos
708
IR 3224D (68RBH48)
adicionados sobre o índice de refracção e a velocidade de deposição de películas de óxido misto à base de TEOS são apresentados nas tabelas que se seguem. Estes resultados são comparados com os das tabelas III e IV que mostram o efeito dos aditivos, oxigénio e um ácido de Lewis.
A tabela I apresenta o efeito da água adicionada. À medida que a concentração de água aumenta, independentemente da proporção de estanho/silício ou da velocidade do gás, a velocidade de deposição aumenta para níveis comercialmente significativos. Estes aumentos da velocidade também são acompanhados por aumentos no índice de refracção. Nas tabelas, as velocidades de deposição referidas são aproximadas com uma gama de cerca de sete por cento, a menos que a velocidade seja seguida por uma incerteza de +.
TABELA I
Efeito da concentração da água sobre o índice de refracção e a velocidade de deposição do óxido misto
MBTC TEOS Água R.I. Veloc.Depo.
%mol %mol %mol A/seq
Temperatura do vidro > 665°C, temperatura do sistema 160°C, caudal
do gás 50 1/min
0,71 0,71 0,00 1,54 25
0,71 0,71 0,15 1,73 340
0,71 0,71 0,24 1,74 400
Temperatura do vidre i 665°C, temperatura do sistema 160°C, caudal
do gás 12,5 1/min
1,05 0,59 0,00 1,74 290
1,05 0,59 0,60 1,78 330
1,05 0,59 1,10 1,80 480
Embora 160 °C seja preferida, a temperatura do sistema pode ser de cerca de 125 a cerca de 200 °C.
708
IR 3224D (68RBH48)
A tabela II mostra os efeitos do TEP adicionado e de misturas de TEP e de ésteres de borato de alquilo inferior tais como borato de trietilo (TEB). Os resultados mostram que o TEP é muito eficaz na aceleração das velocidades de deposição das películas de óxido misto, para uma velocidade elevada a valores do índice de refracção específicos e controlados. As adições de TEB, a baixos níveis, a TEP resultaram num pequeno aumento adicional da velocidade. Como usado nesta especificação, o termo velocidade elevada quando aplicado à deposição de película aqui descrita é maior do que cerca 350 A/seg, e preferivelmente a cerca de 400 Â/seg ou superior. Todas as películas produzidas sob as condições da tabela II eram transparentes.
TABELA II
Efeito das concentrações de MBTC/TEOS/TEP sobre a velocidade de deposição
%TEOS %MBTC %TEP %TEB R.I. Veloc.Deno. Â/seq
0,80 0,16 - - 1,69+0,02 38+ 3
0,80 0,11 0,76 - 1,58+0,01 542+ 8
0,80 0,16 0,76 1,60+0,01 416+22
0,78 1,56 0,75 - 1,67+0,01 505+ 4
0,78 1,84 0,75 - 1,69+0,01 476+45
0,28 1,56 0,36 - 1,73+0,01 231+46
0,27 1,56 0,62 - 1,71+0,01 381+15
0,27 1,56 0,75 - 1,70+0,01 482+ 6
0,27 1,56 0,75 - 1,70+0,01 482+16
0,27 1,56 0,74 0,18 1,70+0,02 492+13
0,79 0,16 0,76 0,19 1,59+0,01 473+56
708
IR 3224D (68RBH48)
A temperatura do vidro era de 665 °C, a sua velocidade de 0,56 m/seg.; temperatura do sistema 160 °C, ar. MBTC, TEOS, e TEP ou a mistura de TEP e TEB foram injectadas separadamente na secção do vaporizador do revestidor. Cada ponto era a média das três amostras. O ponto de orvalho era de -74 a -78 °C.
A tabela III mostra o efeito do oxigénio adicionado. Aumentando-se a concentração de oxigénio, aumenta-se significativamente a velocidade de deposição, mas não para os níveis necessários para aplicação comercial.
TABELA III
Efeito da concentração do oxigénio sobre o índice de refracção e a velocidade de deposição do oxido misto
MBTC TEOS Oxiaénio R.I. Veloc.Deno
%mol %mol %vol de ar Ã/seg
0,71 0,71 20 1,54 25
0,71 0,71 50 1,63 50
0,71 0,71 75 1,65 160
0,71 0,71 100 1,66 240
Temperatura do vidro 665°C, temperatura do sistema 160 ° C, caudal
do gás 50 1/min
A tabela IV mostra o efeito do ácido de Lewis adicionado, que neste caso é MBTC em excesso. À medida que a concentração aumenta, a velocidade aumenta, embora não para os níveis necessários para aplicação comercial.
(Segue Tabela IV)
708
IR 3224D (68RBH48)
TABEIA IV
Efeito da concentração de MBTC sobre o índice de refracção e a
velocidade de deposição do oxido misto
MBTC TEOS Rala Veloc.Depo
%mol %mol Ã/seg
0,48 0,47 1,78 160
0,48+0,23 0,48 1,78 200
0,48+0,47 0,47 1,85 300
Temperatura do vidro 665°C, temperatura do sistema 160“C, caudal do gás 50 1/min.
Os dados das tabelas mostram que se pode conseguir uma CVD eficaz de películas de óxido misto a velocidades comerciais pelo presente invento, com concomitante controlo do índice de refracção. Os exemplos seguintes ilustram as concretizações preferidas deste invento.
Exemplo 1
Uma placa quadrada de vidro de cal sodada e sílica com 9 centímetros (cm) de lado foi aquecida num hot block a 665 °C. Uma mistura gasosa de cerca de 0,16 % mol de MBTC, 0,80% mol de TEOS, 0,75% mol de TEP e um balanço de ar quente a 160 °C, foi dirigida sobre o vidro a um caudal de 12,5 litros por minuto (1/min) durante cerca de 10 segundos. O centro da superfície de vidro foi uniformemente revestido com uma película que tinha uma cor verde pálido à luz reflectida. Usando a técnica do Prism Coupler, verificou-se que o índice de refracção era de 1,60 e que a espessura era de cerca de 4260 Â, correspondendo a uma velocidade de deposição de cerca de 426 Ã/seg. Verificou-se por XRD que películas depositadas de modo semelhante eram amorfas e por XPS que eram compostas por óxidos de estanho, silício e fósforo.
708
IR 3224D (68RBH48)
Exemplo 2
Uma mistura gasosa de cerca de 1,84 %mol de MBTC, 0,78% mol de TEOS, 0,75% mol de TEP e um balanço de ar quente foi dirigida sobre uma superfície de vidro da mesma maneira descrita no exemplo 1. A película resultante tinha uma cor magenta pálido à luz reflectida. Verificou-se que o índice de refracção era de
1,68 e que a espessura era de cerca de 4930 Â, correspondendo a uma velocidade de deposição de cerca de 493 Â/seg. Verificou-se por XRD que películas depositadas de modo semelhante eram amorfas e por XPS que eram compostas por óxidos de estanho, silício e fósforo.
Exemplo 3
Uma mistura gasosa de cerca de 1,22 %mol de MBTC, 0,58% mol de TEOS, 1,09% mol de água e um balanço de ar quente foi dirigida sobre uma superfície de vidro da mesma maneira descrita no exemplo 1, mas durante oito segundos. A película resultante tinha uma cor verde à luz reflectida. Verificou-se que o índice de refracção era de 1,78 e que a espessura da película era de cerca de 4650 Â, que corresponde a uma velocidade de deposição de cerca de 580 Â/seg. Verificou-se por analise de XRD que películas depositadas de modo semelhante consistiam em unidades celulares tetragonais colapsadas de óxido de estanho, indicando alguma formação de solução sólida de dióxido de silício. A análise de XPS mostrou que as películas compreendiam óxidos de estanho e silício.
Exemplo 4
Cada uma das películas descritas nos exemplos 1 a 3 foi sucessivamente depositada durante um segundo por ordem ascendente do índice. A película multicamadas foi em seguida sobre-revestida com cerca de 3200 Â de óxido de estanho dopado com flúor. Esta construção da película proporcionou um artigo transparente essencialmente sem cor reflectida sob condições de iluminação com a luz do dia.
708
IR 3224D (68RBH48) —16—
Exemplo
Uma placa quadrada de vidro de cal sodada e sílica com 9 cm foi aquecida num hot block a 665 C. Uma mistura gasosa de 1,04 % mol de MBTC em ar a 160 °C, e uma mistura gasosa de 1,04 % mol de TEOS e 0,20 % mol de TEP em ar a 160 °C foram dirigidas através de duas válvulas de bola controladas por microprocessador sobre o vidro a um caudal total de 12,5 l/min durante 30 segundos. As válvulas de bola foram abertas e fechadas simultaneamente a uma velocidade programada de tal modo que a composição gasosa incidindo na amostra de vidro era continuamente mudada de uma mistura com muito TEOS/TEP e pouco MBTC para uma mistura com pouco TEOS/TEP e com muito MBTC. 0 centro da superfície de vidro foi uniformemente revestido com uma película consistindo em óxidos de estanho, silício e fósforo, como determinado por análise de XPS. À medida que a espessura da película aumentava, a quantidade de estanho aumentava gradualmente, enquanto que a quantidade de silício e fósforo diminuía. O índice de refracção foi calculado a partir destes dados e de dados derivados de películas standard e verificou-se que se situavam entre 1,52 e 1,87. Esta construção da película proporcionou um artigo transparente, essencialmente sem cor reflectida quando sobre-reyestido com óxido de estanho dopado com flúor.
Exemplo 6
Uma mistura gasosa de cerca de 0,16 % mol de MBTC, 0,80% mol de TEOS e um balanço de ar quente foi dirigida sobre uma superfície de vidro da mesma maneira descrita no exemplo 1, durante cerca de 60 segundos. A película resultante tinha uma cor magenta à luz reflectida e um índice de refracção de 1,69. A espessura da película era de cerca de 2260 Â, correspondendo a o
uma velocidade de deposição de cerca de 38 A/seg.
Exemplo 7
Uma garrafa de bebidas de vidro transparente de 0,5 1 foi
708
IR 3224D (68RBH48)
-17rodada e aquecida a cerca de 600 °C num forno durante um período de 3 minutos. A garrafa aquecida foi transferida para uma câmara de revestimento onde foi posta em contacto com uma mistura em vapor de 0,16 % mol de MBTC, 0,80% mol de TEOS, 0,75% mol de TEP e um balanço de ar quente a 170 °C durante 10 seg. A película resultante tinha cor azul-magenta e estava uniformemente distribuída nas paredes laterais do recipientes desde o ombro à base. A velocidade de deposição foi avaliada em cerca de 200 Ã/seg da película colorida, comparada com cerca de 50 Â/seg para uma garrafa revestida apenas com a mistura de vapor de MBTC e TEOS.
Fazendo uma revisão das tabelas e exemplos anteriores, os peritos na arte perceberão que o TEB, TEP e água servem como aceleradores na CVD de películas metálicas sobre vidro, e que o TEP e TEB são sinérgicos em relação à aceleração da velocidade de deposição de TEOS e MBTC. Os aceleradores úteis neste invento são escolhidos do grupo consistindo em ésteres de borato e de fosfito, halogenetos de alquilestanho, e água.
Podem ocorrer aos peritos na arte que entenderam os presentes princípios e preceitos, modificações e melhoramentos das formas preferidas do invento aqui divulgado e descrito. Consequentemente, o âmbito da patente a ser concedida não será limitado somente às concretizações do invento aqui apresentadas, mas pelo contrário deverá ser limitado apenas pelo avanço através do qual o invento desenvolveu a arte.

Claims (31)

  1. REIVINDICAÇOES
    1 - Artigo manufacturado caracterizado por ser produzido por deposição sobre um substrato de vidro, à pressão atmosférica, de pelo menos uma primeira camada de uma película de óxido de estanho/óxido de silício a uma velocidade de deposição superior a cerca de 350 Â/seg. a partir de um precursor de óxido de estanho e de um precursor de óxido de silício, de um acelerador seleccionado entre o grupo consistindo em fosfitos orgânicos, boratos orgânicos, água e suas misturas, e uma fonte de oxigénio.
  2. 2 - Artigo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por o substrato ser vidro plano transparente a uma temperatura acima de cerca de 450°C.
  3. 3 - Artigo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por o substrato ser vidro plano transparente a uma temperatura de cerca de 450 a cerca de 650°C.
  4. 4 - Artigo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por o artigo não apresentar essencialmente cor reflectida à luz do dia.
  5. 5 - Artigo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por o substrato de vidro estar em movimento e por a deposição ser contínua.
  6. 6 - Artigo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por ser produzido por deposição de vapor químico à pressão atmosférica a partir de precursores voláteis.
  7. 7 - Artigo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por a primeira camada compreender óxido de estanho, óxido de silício e óxido de fósforo.
  8. 8 - Artigo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por a primeira camada compreender óxidos de estanho, silício,
    74 708
    IR 3224D (68RBH48) fósforo e boro.
  9. 9 - Artigo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por o acelerador ser fosfito de trietilo.
  10. 10 - Artigo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por o precursor de óxido de estanho ser RnSnX4_n em que R é um alquilo ou alcenilo de cadeia linear, cíclica ou ramificada com um a cerca de seis carbonos; fenilo, fenilo substituído ou R/CH2CH2“, em que R' é MeO2C-, EtO2C-, CH3CO- ou HO2C-; X é seleccionado de entre o grupo consistindo em halogéneo, acetato, perfluoroacetato e suas misturas; e n é 0, 1 ou 2.
  11. 11 - Artigo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por o precursor do óxido de estanho ser um halogeneto de alquilestanho.
  12. 12 - Artigo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por o precursor do óxido de estanho ser um cloreto de alquilestanho.
  13. 13 - Artigo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por o precursor do óxido de estanho ser escolhido de entre o grupo consistindo em tricloreto de monobutilestanho, dicloreto de dibutilestanho, cloreto de tributilestanho e tetracloreto de estanho.
  14. 14 - Artigo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por o precursor do óxido de silício ser RmOnSip em que m é de3a8, nédela4, pédela4eRé escolhido, independentemente, de entre hidrogénio e acilo, alquilo de cadeia linear, cíclica ou ramificada e alquilo ou alcenilo, substituídos, com um a cerca de seis carbonos e fenilo ou fenilo substituído.
  15. 15 - Artigo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por o precursor do óxido de silício ser seleccionado de entre o grupo consistindo em orto-silicato de tetraetilo,
    74 708
    IR 3224D (68RBH48) diacetoxidi-t-butoxi-silano, etiltriacetoxi-silano, metiltriacetoxi-silano, metildiacetoxi-silano, tetrametildi-siloxano, tetrametilciclotetra-siloxano, dipinacoloxi-silano, 1,1-dimetilsila-2-oxaciclo-hexano, tetraquis(l-metoxi-2-propoxi)silano e trietoxi-silano.
  16. 16 - Artigo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por o precursor do óxido de silício ser orto-silicato de tetraetilo.
  17. 17 - Artigo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por o acelerador compreender fosfito de trietilo.
  18. 18 - Artigo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por o acelerador compreender fosfito de trietilo e borato de trietilo.
  19. 19 - Artigo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por a velocidade de deposição ser superior a cerca de 400 Â/seg.
  20. 20 - Artigo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por a primeira camada ser amorfa.
  21. 21 - Artigo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por a primeira camada compreender uma pluralidade de camadas e estar depositada pelo menos uma segunda camada sobre a primeira camada.
  22. 22 - Artigo de acordo com a reivindicação 21, caracterizado por a segunda camada compreender um óxido de estanho.
  23. 23 - Artigo de acordo com a reivindicação 21, caracterizado por a segunda camada compreender uma mistura de óxido de estanho e de um composto de flúor.
  24. 24 - Artigo de acordo com a reivindicação 21, caracterizado por compreender uma pluralidade de camadas, possuindo cada ' 74 708
    IR 3224D (68RBH48) camada um índice de refracção diferente.
  25. 25 - Artigo de acordo com a reivindicação 21, caracterizado por a primeira camada ter uma concentração de óxido de silício e de óxido de estanho diferente das concentrações de óxido de silício e de óxido de estanho numa camada adjacente.
  26. 26 - Artigo de acordo com a reivindicação 21, caracterizado por a primeira camada ter um índice de refracção que muda continuamente entre o substrato e a segunda camada.
  27. 27 - Artigo de acordo com a reivindicação 21, caracterizado por a segunda camada compreender um óxido de estanho dopado.
  28. 28 - Artigo de acordo com a reivindicação 21, caracterizado por a segunda camada ser depositada a partir de uma mistura precursora compreendendo tricloreto de monobutilestanho e um material contendo flúor.
  29. 29 - Artigo de acordo com a reivindicação 21, caracterizado por a primeira camada ser depositada a partir de uma mistura precursora compreendendo tricloreto de monobutilestanho e orto-silicato de tetraetilo na presença de fosfito de trietilo.
  30. 30 - Artigo produzido pelo processo de deposição de pelo menos uma camada amorfa sobre vidro a uma velocidade superior a 400 Â/seg., possuindo a camada um índice de refracção controlado caracterizado por o processo compreender a aplicação ao vidro de uma mistura de um precursor de óxido de estanho, de um precursor de óxido de silício e pelo menos de um acelerador escolhido do grupo consistindo em ésteres de boro e de fósforo e água.
  31. 31 - Artigo de acordo com a reivindicação 30, produzido por deposição de vapor químico, contínua, de uma mistura de tricloreto de monobutilestanho, orto-silicato de tetraetilo e de um acelerador sobre uma placa de vidro em movimento
PT101161A 1991-12-26 1992-12-28 Artigo revestido com uma composicao a base de um precursor de oxido de estanho, de um precursor de oxido de silicio e de um acelerador PT101161B (pt)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US81436691A 1991-12-26 1991-12-26
US81435291A 1991-12-27 1991-12-27
PCT/US1992/010872 WO1993012892A1 (en) 1991-12-26 1992-12-21 Method for coating glass substrates

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PT101161A PT101161A (pt) 1994-03-31
PT101161B true PT101161B (pt) 1999-09-30

Family

ID=27123834

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PT99106266T PT927706E (pt) 1991-12-26 1992-12-21 Composicao para revestimento de vidro
PT101159A PT101159B (pt) 1991-12-26 1992-12-28 Processo de revestimento de substratos de vidro
PT101161A PT101161B (pt) 1991-12-26 1992-12-28 Artigo revestido com uma composicao a base de um precursor de oxido de estanho, de um precursor de oxido de silicio e de um acelerador
PT101160A PT101160B (pt) 1991-12-26 1992-12-28 Composicao de revestimento de vidro, a base de um precursor de oxido de estanhoum precursor de oxido de silicio e de um acelerador

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PT99106266T PT927706E (pt) 1991-12-26 1992-12-21 Composicao para revestimento de vidro
PT101159A PT101159B (pt) 1991-12-26 1992-12-28 Processo de revestimento de substratos de vidro

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PT101160A PT101160B (pt) 1991-12-26 1992-12-28 Composicao de revestimento de vidro, a base de um precursor de oxido de estanhoum precursor de oxido de silicio e de um acelerador

Country Status (26)

Country Link
US (2) US5401305A (pt)
EP (4) EP0573640A4 (pt)
JP (3) JP3485920B2 (pt)
KR (3) KR100243801B1 (pt)
CN (3) CN1041815C (pt)
AR (1) AR248263A1 (pt)
AT (2) ATE272582T1 (pt)
AU (3) AU651754B2 (pt)
BR (3) BR9205672A (pt)
CA (3) CA2104591C (pt)
CZ (3) CZ286854B6 (pt)
DE (2) DE69230219T2 (pt)
DK (2) DK0927706T3 (pt)
ES (2) ES2137984T3 (pt)
GR (1) GR3031624T3 (pt)
HU (3) HUT67686A (pt)
MX (2) MX9207592A (pt)
MY (1) MY110355A (pt)
NO (3) NO316683B1 (pt)
NZ (1) NZ246459A (pt)
PL (1) PL169649B1 (pt)
PT (4) PT927706E (pt)
RU (2) RU2091340C1 (pt)
SK (3) SK281638B6 (pt)
UY (3) UY23528A1 (pt)
WO (3) WO1993012892A1 (pt)

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU651754B2 (en) * 1991-12-26 1994-07-28 Atofina Chemicals, Inc. Coated glass article
US5599387A (en) * 1993-02-16 1997-02-04 Ppg Industries, Inc. Compounds and compositions for coating glass with silicon oxide
US5863337A (en) * 1993-02-16 1999-01-26 Ppg Industries, Inc. Apparatus for coating a moving glass substrate
US5356718A (en) * 1993-02-16 1994-10-18 Ppg Industries, Inc. Coating apparatus, method of coating glass, compounds and compositions for coating glasss and coated glass substrates
US5395698A (en) * 1993-06-04 1995-03-07 Ppg Industries, Inc. Neutral, low emissivity coated glass articles and method for making
DE4433206A1 (de) * 1994-09-17 1996-03-21 Goldschmidt Ag Th Verfahren zur pyrolytischen Beschichtung von Glas-, Glaskeramik- und Emailprodukten
DE19504906A1 (de) * 1995-02-15 1996-08-22 Goldschmidt Ag Th Verfahren zur Heißendvergütung von Hohlglaskörpern durch Aufbringen von Metallverbindungen auf die heiße äußere Glasoberfläche
CO4560356A1 (es) * 1995-02-22 1998-02-10 Elf Atochem Vlissingen Bv Proceso para la produccion de un recubrimiento de proteccion sobre la superficie de un articulo de vidrio o ceramica
US5648175A (en) * 1996-02-14 1997-07-15 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition reactor system and integrated circuit
GB9616983D0 (en) * 1996-08-13 1996-09-25 Pilkington Plc Method for depositing tin oxide and titanium oxide coatings on flat glass and the resulting coated glass
GB9710547D0 (en) * 1997-05-23 1997-07-16 Pilkington Plc Coating method
FR2780054B1 (fr) * 1998-06-19 2000-07-21 Saint Gobain Vitrage Procede de depot d'une couche a base d'oxyde metallique sur un substrat verrier, substrat verrier ainsi revetu
FR2789698B1 (fr) 1999-02-11 2002-03-29 Air Liquide Procede et installation pour former un depot d'une couche sur un substrat
US6797388B1 (en) * 1999-03-18 2004-09-28 Ppg Industries Ohio, Inc. Methods of making low haze coatings and the coatings and coated articles made thereby
JP3227449B2 (ja) * 1999-05-28 2001-11-12 日本板硝子株式会社 光電変換装置用基板とその製造方法、およびこれを用いた光電変換装置
LU90432B1 (fr) * 1999-09-01 2001-03-02 Glaverbel Couche pyrolytique phosphostannate ou borostannate et vitrage comportant cette couche
US6399208B1 (en) * 1999-10-07 2002-06-04 Advanced Technology Materials Inc. Source reagent composition and method for chemical vapor deposition formation or ZR/HF silicate gate dielectric thin films
JP4272534B2 (ja) * 2002-01-28 2009-06-03 日本板硝子株式会社 透明導電膜を備えたガラス基板の製造方法、透明導電膜を備えたガラス基板、およびそれを用いた光電変換装置
US7030042B2 (en) 2002-08-28 2006-04-18 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming tantalum oxide layers and tantalum precursor compounds
US6784049B2 (en) * 2002-08-28 2004-08-31 Micron Technology, Inc. Method for forming refractory metal oxide layers with tetramethyldisiloxane
US20050196623A1 (en) * 2004-03-03 2005-09-08 Mckown Clem S.Jr. Solar control coated glass composition
US20050221003A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Remington Michael P Jr Enhancement of SiO2 deposition using phosphorus (V) compounds
US7372610B2 (en) 2005-02-23 2008-05-13 Sage Electrochromics, Inc. Electrochromic devices and methods
JP5036710B2 (ja) 2005-10-11 2012-09-26 株式会社クラレ 発光体
US8258690B2 (en) 2005-10-11 2012-09-04 Kuraray Co., Ltd. High brightness inorganic electroluminescence device driven by direct current
RU2445340C2 (ru) * 2005-10-11 2012-03-20 Курарей Ко, ЛТД., Светящееся тело
WO2007081045A1 (ja) * 2006-01-16 2007-07-19 Nippon Sheet Glass Company, Limited 薄膜形成ガラス板
US8158262B2 (en) * 2006-06-05 2012-04-17 Pilkington Group Limited Glass article having a zinc oxide coating and method for making same
MX2008015528A (es) * 2006-06-05 2009-01-07 Pilkington Group Ltd Articulo de vidrio que tiene un recubrimiento de oxido de zinc y metodo para fabricar el mismo.
US20080026147A1 (en) * 2006-07-28 2008-01-31 Gulbrandsen Chemicals, Inc. Method and formulation for depositing a metal-containing coating on a substrate
US20080152804A1 (en) * 2006-07-28 2008-06-26 Gulbrandsen Chemicals, Inc. Method for depositing a metal-containing coating on a substrate
AU2007290842B2 (en) * 2006-08-29 2012-08-23 Arkema, Inc. Method of making low resistivity doped zinc oxide coatings and the articles formed thereby
JP5559536B2 (ja) * 2006-08-29 2014-07-23 ピルキントン グループ リミテッド 低い抵抗率のドープ酸化亜鉛でコーティングされたガラス物品の製造方法及びその製造方法により製造されるコーティングされたガラス物品
AU2008214505B2 (en) * 2007-01-15 2013-02-07 Saint-Gobain Glass France Glass substrate coated with layers having an improved mechanical strength
FR2913973B1 (fr) * 2007-03-21 2011-02-18 Saint Gobain Substrat verrier revetu de couches a tenue mecanique amelioree
US7998586B2 (en) 2008-11-19 2011-08-16 Ppg Industries Ohio, Inc. Undercoating layers providing improved topcoat functionality
CN102239221B (zh) * 2008-11-19 2013-12-25 Ppg工业俄亥俄公司 提供改善的外涂层功能性的底涂层
US20100124642A1 (en) * 2008-11-19 2010-05-20 Ppg Industries Ohio, Inc. Undercoating layers providing improved conductive topcoat functionality
US8133599B2 (en) 2008-11-19 2012-03-13 Ppg Industries Ohio, Inc Undercoating layers providing improved photoactive topcoat functionality
DE102008060923B4 (de) 2008-12-06 2012-09-27 Innovent E.V. Verwendung einer Schicht
CN102484220A (zh) * 2009-07-06 2012-05-30 阿科玛股份有限公司 由透明的导电氧化物(tco)和防晕光底漆组成的oled基片
US9224892B2 (en) 2009-12-21 2015-12-29 Ppg Industries Ohio, Inc. Silicon thin film solar cell having improved haze and methods of making the same
US9366783B2 (en) * 2009-12-21 2016-06-14 Ppg Industries Ohio, Inc. Silicon thin film solar cell having improved underlayer coating
US20110146768A1 (en) * 2009-12-21 2011-06-23 Ppg Industries Ohio, Inc. Silicon thin film solar cell having improved underlayer coating
FR2956659B1 (fr) 2010-02-22 2014-10-10 Saint Gobain Substrat verrier revetu de couches a tenue mecanique amelioree
EP2441860A1 (en) * 2010-10-13 2012-04-18 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Apparatus and method for atomic layer deposition on a surface
US8557099B2 (en) 2010-10-25 2013-10-15 Ppg Industries Ohio, Inc. Electrocurtain coating process for coating solar mirrors
RU2477711C1 (ru) * 2011-08-12 2013-03-20 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Легированное кварцевое стекло с тетраэдрической координацией атомов титана
US8734903B2 (en) 2011-09-19 2014-05-27 Pilkington Group Limited Process for forming a silica coating on a glass substrate
WO2013048751A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 Arkema Inc. Deposition of silicon oxide by atmospheric pressure chemical vapor deposition
CN102584025B (zh) * 2012-01-19 2014-06-11 江苏秀强玻璃工艺股份有限公司 具有宽带隙折射率可调隔离层玻璃的制备方法
US20130334089A1 (en) * 2012-06-15 2013-12-19 Michael P. Remington, Jr. Glass Container Insulative Coating
WO2014164194A1 (en) * 2013-03-12 2014-10-09 Ppg Industries Ohio, Inc. High haze underlayer for solar cell
TW201716245A (zh) * 2015-08-05 2017-05-16 康寧公司 用於將片材與載體鍵結之物件及方法
WO2017082541A1 (ko) * 2015-11-11 2017-05-18 한국화학연구원 금속 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
EP3173507A1 (de) * 2015-11-25 2017-05-31 Umicore AG & Co. KG Verfahren zur metallorganischen gasphasenabscheidung unter verwendung von lösungen von indiumalkylverbindungen in kohlenwasserstoffen
GB201523156D0 (en) * 2015-12-31 2016-02-17 Pilkington Group Ltd High strength glass containers
CA2920646A1 (en) * 2016-02-12 2017-08-12 Seastar Chemicals Inc. Organometallic compound and method
CN106217968A (zh) * 2016-07-15 2016-12-14 常熟市赛蒂镶嵌玻璃制品有限公司 一种高耐磨防爆玻璃
EP3676231A1 (en) 2017-08-31 2020-07-08 Pilkington Group Limited Coated glass article, method of making the same, and photovoltaic cell made therewith
CN111051567A (zh) 2017-08-31 2020-04-21 皮尔金顿集团有限公司 形成氧化硅涂层的化学气相沉积方法
JP6993394B2 (ja) * 2019-08-06 2022-02-21 バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー ケイ素化合物及びケイ素化合物を使用してフィルムを堆積する方法
CN115427366A (zh) * 2020-04-23 2022-12-02 皮尔金顿集团有限公司 制造涂覆玻璃制品的方法
TR202010598A2 (tr) * 2020-07-03 2022-01-21 Tuerkiye Sise Ve Cam Fabrikalari Anonim Sirketi Cam yüzeyler için geliştirilmiş antimikrobiyel kaplama çözeltisi, antimikrobiyel kaplamalı cam ve bunun uygulama prosesi

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3378396A (en) * 1967-03-27 1968-04-16 Zaromb Solomon Conductive oxide-coated articles
US3984581A (en) * 1973-02-28 1976-10-05 Carl Zeiss-Stiftung Method for the production of anti-reflection coatings on optical elements made of transparent organic polymers
US3949146A (en) * 1973-08-24 1976-04-06 Rca Corporation Process for depositing transparent electrically conductive tin oxide coatings on a substrate
DE2454657A1 (de) * 1974-11-18 1976-05-20 Jenaer Glaswerk Schott & Gen Beschichtung zum verhindern des beschlagens von oberflaechen
US4227929A (en) * 1976-08-26 1980-10-14 Ameron, Inc. Siloxane-tin coatings
US4308316A (en) * 1977-04-04 1981-12-29 Gordon Roy G Non-iridescent glass structures
US4187336A (en) * 1977-04-04 1980-02-05 Gordon Roy G Non-iridescent glass structures
US4206252A (en) * 1977-04-04 1980-06-03 Gordon Roy G Deposition method for coating glass and the like
SU833649A1 (ru) * 1979-02-12 1981-05-30 Северо-Западный Заочный Политехническийинститут Пленкообразующий раствор дл стекл н-НыХ издЕлий
JPS5734164A (en) * 1980-08-06 1982-02-24 Kansai Paint Co Ltd Film-forming composition
US4386117A (en) * 1981-11-20 1983-05-31 Gordon Roy G Coating process using alkoxy substituted silicon-bearing reactant
JPS58189263A (ja) * 1982-04-28 1983-11-04 Hitachi Chem Co Ltd SiO↓2膜形成用塗布液
JPS59125433A (ja) * 1982-12-30 1984-07-19 Fujitsu Ltd 音声応答方式
US4590096A (en) * 1984-12-28 1986-05-20 M&T Chemicals Inc. Water vapor, reaction rate and deposition rate control of tin oxide film by CVD on glass
JPS61181253A (ja) * 1985-02-06 1986-08-13 Keihachirou Shikakura 電話機
JPS62263754A (ja) * 1986-05-09 1987-11-16 Iwatsu Electric Co Ltd デ−タ入力装置
US5028566A (en) * 1987-04-10 1991-07-02 Air Products And Chemicals, Inc. Method of forming silicon dioxide glass films
US4880664A (en) * 1987-08-31 1989-11-14 Solarex Corporation Method of depositing textured tin oxide
EP0486475B1 (en) * 1988-03-03 1997-12-03 Asahi Glass Company Ltd. Amorphous oxide film and article having such film thereon
AU616736B2 (en) * 1988-03-03 1991-11-07 Asahi Glass Company Limited Amorphous oxide film and article having such film thereon
WO1990002157A1 (en) * 1988-08-24 1990-03-08 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Coating fluid for forming transparent conductive ceramic coating, base material coated with transparent conductive ceramic and production thereof, and application of base material coated with transparent conductive ceramic
JP2856754B2 (ja) * 1989-02-17 1999-02-10 株式会社東芝 紫外線抑制発光源、紫外線抑制発光源用塗布剤、及び紫外線抑制発光源の製造方法
EP0386341B1 (en) * 1989-03-07 1995-03-15 Asahi Glass Company Ltd. Laminated glass structure
JPH0717407B2 (ja) * 1989-10-09 1995-03-01 旭硝子株式会社 機能薄膜付ガラスの製造方法
US5090985A (en) * 1989-10-17 1992-02-25 Libbey-Owens-Ford Co. Method for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition
AU651754B2 (en) * 1991-12-26 1994-07-28 Atofina Chemicals, Inc. Coated glass article

Also Published As

Publication number Publication date
KR930703589A (ko) 1993-11-30
CZ173593A3 (en) 1994-05-18
CA2104592A1 (en) 1993-06-27
HU214047B (en) 1997-12-29
PT101160B (pt) 1999-09-30
NO933029L (no) 1993-10-22
EP0927706B1 (en) 2004-08-04
CN1074891A (zh) 1993-08-04
NO316683B1 (no) 2004-03-26
PT101161A (pt) 1994-03-31
PT101160A (pt) 1994-05-31
CN1041815C (zh) 1999-01-27
NO933030D0 (no) 1993-08-25
SK91393A3 (en) 1994-01-12
DE69230219D1 (de) 1999-12-02
HUT67158A (en) 1995-02-28
EP0573639B1 (en) 1999-10-27
AU3322993A (en) 1993-07-28
PT101159B (pt) 1999-09-30
SK281638B6 (sk) 2001-06-11
ES2221257T3 (es) 2004-12-16
DE69230219T2 (de) 2000-02-10
AU663559B2 (en) 1995-10-12
AU3322893A (en) 1993-07-28
PT927706E (pt) 2004-11-30
CN1074889A (zh) 1993-08-04
AU651754B2 (en) 1994-07-28
CA2104591A1 (en) 1993-06-27
DK0573639T3 (da) 2000-02-07
BR9205673A (pt) 1994-08-02
JP3485920B2 (ja) 2004-01-13
AU3323093A (en) 1993-07-28
CA2104591C (en) 2000-03-14
CA2104590A1 (en) 1993-06-27
NZ246459A (en) 1995-12-21
WO1993012892A1 (en) 1993-07-08
NO933031L (no) 1993-10-22
NO316642B1 (no) 2004-03-22
SK282993B6 (sk) 2003-01-09
EP0927706A3 (en) 1999-12-29
GR3031624T3 (en) 2000-01-31
UY23528A1 (es) 1993-02-18
EP0573639A1 (en) 1993-12-15
SK282141B6 (sk) 2001-11-06
PT101159A (pt) 1994-02-28
CN1043988C (zh) 1999-07-07
NO933031D0 (no) 1993-08-25
SK91493A3 (en) 1994-01-12
BR9205672A (pt) 1994-08-02
NO933030L (no) 1993-10-22
DE69233396D1 (de) 2004-09-09
BR9205674A (pt) 1994-05-24
SK91593A3 (en) 1994-01-12
AR248263A1 (es) 1995-07-12
ATE186039T1 (de) 1999-11-15
USRE41799E1 (en) 2010-10-05
MX9207592A (es) 1994-06-30
HU9302411D0 (en) 1994-03-28
NO316641B1 (no) 2004-03-22
JPH06505696A (ja) 1994-06-30
CZ286854B6 (cs) 2000-07-12
US5401305A (en) 1995-03-28
CN1074890A (zh) 1993-08-04
CZ286855B6 (cs) 2000-07-12
RU2091340C1 (ru) 1997-09-27
CZ173493A3 (en) 1994-05-18
MY110355A (en) 1998-04-30
JP3485918B2 (ja) 2004-01-13
DK0927706T3 (da) 2004-12-06
EP0573640A1 (en) 1993-12-15
JPH06505695A (ja) 1994-06-30
CZ173393A3 (en) 1994-05-18
KR100238920B1 (ko) 2000-01-15
KR100243801B1 (ko) 2000-03-02
HU9302412D0 (en) 1993-12-28
PL169649B1 (pl) 1996-08-30
EP0573639A4 (en) 1995-01-04
ATE272582T1 (de) 2004-08-15
CA2104590C (en) 2007-05-08
ES2137984T3 (es) 2000-01-01
MX9207591A (es) 1994-06-30
HU9302413D0 (en) 1994-03-28
CN1041814C (zh) 1999-01-27
NO933029D0 (no) 1993-08-25
WO1993013393A1 (en) 1993-07-08
EP0582691A1 (en) 1994-02-16
HUT67686A (en) 1995-04-28
RU2102347C1 (ru) 1998-01-20
EP0582691A4 (en) 1995-01-04
EP0573640A4 (en) 1995-01-04
UY23526A1 (es) 1993-02-18
KR930703087A (ko) 1993-11-29
DE69233396T2 (de) 2005-01-13
EP0927706A2 (en) 1999-07-07
CZ289572B6 (cs) 2002-02-13
JP3485919B2 (ja) 2004-01-13
HUT67335A (en) 1995-03-28
UY23527A1 (es) 1993-02-18
WO1993012934A1 (en) 1993-07-08
KR100238740B1 (ko) 2000-01-15
JPH06505957A (ja) 1994-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PT101161B (pt) Artigo revestido com uma composicao a base de um precursor de oxido de estanho, de um precursor de oxido de silicio e de um acelerador
RU2118302C1 (ru) Способ получения покрытия на стеклянной подложке (варианты)
PL169456B1 (pl) Kompozycja do powlekania szkła

Legal Events

Date Code Title Description
BB1A Laying open of patent application

Effective date: 19930820

FG3A Patent granted, date of granting

Effective date: 19990624

PD3A Change of proprietorship

Owner name: ATOFINA CHEMICALS INC

Effective date: 20000908

TE3A Change of address (patent)

Owner name: ATOFINA CHEMICALS, INC

Effective date: 20001114

MM4A Annulment/lapse due to non-payment of fees, searched and examined patent

Free format text: MAXIMUM VALIDITY LIMIT REACHED

Effective date: 20140624