HU214047B - Coating composition for glass - Google Patents

Coating composition for glass Download PDF

Info

Publication number
HU214047B
HU214047B HU9302412A HU9302412A HU214047B HU 214047 B HU214047 B HU 214047B HU 9302412 A HU9302412 A HU 9302412A HU 9302412 A HU9302412 A HU 9302412A HU 214047 B HU214047 B HU 214047B
Authority
HU
Hungary
Prior art keywords
tin oxide
composition
alkyl
layer
silicon oxide
Prior art date
Application number
HU9302412A
Other languages
English (en)
Other versions
HU9302412D0 (en
HUT67335A (en
Inventor
Ryan R Dirkx
Glenn P Florczak
David A Russo
Original Assignee
Atochem North America Elf
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=27123834&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=HU214047(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Atochem North America Elf filed Critical Atochem North America Elf
Publication of HU9302412D0 publication Critical patent/HU9302412D0/hu
Publication of HUT67335A publication Critical patent/HUT67335A/hu
Publication of HU214047B publication Critical patent/HU214047B/hu

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23—Oxides
    • C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23—Oxides
    • C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
    • C03C17/2453—Coating containing SnO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21—Oxides
    • C03C2217/23—Mixtures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/90—Other aspects of coatings
    • C03C2217/91—Coatings containing at least one layer having a composition gradient through its thickness
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
    • C03C2218/1525—Deposition methods from the vapour phase by cvd by atmospheric CVD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57) KIVONAT A találmány szerinti kőmpőzíció atmőszferikűs nyőmásőn és 200 řCalatti hőmérsékleten gáz halmazállapőtú, alkalmas legalább egy elsőón-őxid/szilíciűm-őxid réteg 350·10–10 m/sec nál nagyőbb sebességűleválasztására üveg szűbsztrátra, és 0,11–1,84 mől% mennyiségben egyón-őxid prekűrzőrt, 0,27–1,04 mől% mennyiségben egy RmOnSip általánősképletű szilíciűm-őxid prekűr őrt – a képletben m értéke 3–8, n értéke1–4, p értéke 1–4, és R jelentése egymástól függetlenül hidrőgénatőm,legfeljebb 6 szénatőmős alkanőilcsőpőrt, egyenes szénláncú, ciklűsősvagy elágazó szénlá cú, legfeljebb 6 szénatőmős alkilcsőpőrt vagyhalőgénatőmmal vagy 1–4 szénatőmős alkőxicsőpőrttal szűbsztitűáltalkilcsőpőrt vagy alkenilcsőpőrt; fenilcsőpőrt vagy halőgénatőmmal,1–4 szénatőmős lkilcsőpőrttal vagy 1–4 szénatőmős alkőxicsőpőrttalszűbsztitűált fenilcsőpőrt – és egy szerves főszfitők, szerves bőrátőkés víz, valamint ezek elegyei közül választőtt akcelerátőrt, tővábbáegy őxi énfőrrást tartalmaz. A leválasztőtt első réteg más rétegekkelkőmbinálható, ezáltal specifikűs bevőnatú, példáűl szabályőzőttemissziós tűlajdőnságú, törésműtatójú, nagyőbb kőpásállóságú és/vagyszebb küllemű tárgyak állíthatók elő. ŕ

Description

A találmány szubsztrátok bevonására vonatkozik. Közelebbről, a találmány kompozíciókra vonatkozik bevonatok kialakítására nagy lerakodási sebességgel üvegen vagy üvegtárgyakon, szabályozott törésmutató, jobb emissziós tulajdonságok és/vagy küllem és nagyobb kopási ellenállás biztosítására, és az egyéb jellemezők kiegészítésére vagy javítására.
A különféle átlátszó szubsztrátokra, például szóda/mészkő üvegekre átlátszó félvezető filmeket - például indium-oxidot, kadmium-sztannátot vagy adalékolt ón-oxidot lehet felvinni a nagy hullámhosszú infravörös sugárzás visszaverésére. A különféle átlátszó tárgyakra, például üvegpalackra átlátszó dielektromos film - például titán-dioxid vagy nem adalékolt ón-oxid - felvitelével egy alapbevonatot lehet kialakítani egy speciális funkciójú második bevonathoz. A félvezető vagy dielektromos film vastagságától függően különféle visszavert irizáló színek figyelhetők meg. Ezt az irizáló hatást különféle alkalmazások, például kis sugárzóképességü ablakok, vagy élelmiszerek vagy italok tárolására használt palackok esetén károsnak tekintik az üveg megjelenése szempontjából.
A szakirodalom ismertet eljárásokat és berendezéseket üveg bevonására, különösen folyamatos bevonásra mozgó üvegen. Bevonattal ellátott üveg előállítására alkalmas berendezést ismertet például Lindner a 4,928,627 számú amerikai egyesült államokbeli szabadalmi leírásban, amelynek egy része leírásunkat képezi referenciaként.
Az irizálás csökkentésére vagy megszüntetésére különféle eljárásokat ismertettek. Kis emissziós alkalmazásra például Zaromb ismertet a 3,378,396 számú amerikai egyesült államokbeli szabadalmi leírásban egy tárgyat, amely ón- és szilícium-oxidokkal bevont átlátszó üvegszubsztrátból áll; a bevonat összetétele fokozatosan változik a szubsztrát felületén nagy szilícium-oxid/ón-oxid arányból kiindulva, amely fokozatosan változik a szinte tiszta ón-oxidig, továbbá az arány legfeljebb 60% szilícium-oxidtól legalább 40% ón-oxidig változik a bevonat és a légtér határfelületén. A bevonat szubsztráthoz legközelebb eső részének törésmutatója mintegy 1,5, ami lényegében a kvarcüveg törésmutatójának felel meg, és az ón-oxid törésmutatójára, mintegy 2,0-re változik a levegővel érintkező felületen, ezáltal optikai határfelület nélküli köztes bevonatréteget képez. Az ily módon bevont tárgy visszavert fényben nem, vagy csak kis mértékben irizál. Zaromb ismertetése szerint a fenti bevonatot ón- és szilícium-klorid vizes oldatainak porlasztásos felvitelével lehet kialakítani. A porlasztás művelete rendszerint szakaszos művelet, amely nem alkalmas jó minőségű, egyenletes film kialakítására; nem említ más megoldást, mint például a kémiai gőzlerakódást (chemical-vapor deposition, CVD) a bevonat kialakítására. Nem utal a bevonat kialakításának sebességére sem, amely az ipari alkalmazás szempontjából kulcsparaméter.
Másik megoldást ismertet Gordon a 4,187,336 számú amerikai egyesült államokbeli szabadalmi leírásban. Egy átlátszó anyagból - amelynek törésmutatója az üveg szubsztrát és a vezető ón-oxid film törésmutatója közötti
- egy vagy több réteget alakítanak ki atmoszferikus nyomású CVD-eljárással az üveg és az ón-oxid film között. A köztes réteg(ek)nek a kívánt hatás elérésére specifikus törésmutatóval és vastagsággal kell rendelkezni. Megjegyzik, hogy ha a köztes film szilícium-dioxidot tartalmaz, megfelelő illékony komponens a szilán, dimetil-szilán, dietil-szilán, tetrametil-szilán és a szilícium-halogenidek. Nem említenek egyéb prekurzort. A lerakodási sebesség a fent említett eljárásban mintegy (10-20)χ IO10 méter/másodperc m/sec). A fenti sebesség nagyságrendje kisebb, mint ami ipari eljárások esetén szükséges.
Gordon a 4,206,252 számú amerikai egyesült államokbeli szabadalmi leírásban eljárást ismertet üveg szubsztrátok és infravöröst visszaverő bevonatok közötti folyamatosan változó törésmutatójú vegyes oxid/nitrid bevonórétegek leválasztására, amellyel a film irizálása megszüntethető. Abban az esetben, ha a vegyes oxid film részben szilícium-dioxidból áll, a fenti szabadalmi leírás szerint az Si-Si és Si-H kötéssel rendelkező illékony szilicíumvegyületek megfelelő prekurzorok. Mint ilyen vegyületet megemlíti az 1,1,2,2-tetrametil-diszilánt, 1,1,2-trimetil-diszilánt és 1,2-dimetil-diszilánt. Az összes említett, Si-Si és Si-H kötést tartalmazó vegyület drága, és egyik sem kapható kereskedelmi forgalomban.
Gordon a 4,386,117 számú amerikai egyesült államokbeli szabadalmi leírásban eljárást ismertet specifikus törésmutatójú vagy a Zaromb által a 3,378,396 számú amerikai egyesült államokbeli szabadalmi leírásban ismertetett folyamatos grádiensű vegyes szilícium-dioxid/ón-oxid bevonatok előállítására (80-125)x 10'10 m/sec optimális lerakodási sebesség mellett, alkoxi-peralkil-poliszilán prekurzorok, mint például metoxi-pentametil-diszilán vagy dimetoxi-tetrametil-diszilán alkalmazásával. Az említett szilíciumtartalmú prekurzorok gyakorlati szempontból nem megfelelők, mivel egyik sem kapható korlátlanul kereskedelmi forgalomban.
Lagendijk az 5,028,566 számú amerikai egyesült államokbeli szabadalmi leírás 4. oszlopában említi, hogy a tetraetil-ortoszilikátnak (TEOS) számos hátránya van, ha kisnyomású CVD-eljárással - azaz mintegy 64,5 Pa nyomáson - valamely szusztrátra alkalmazzák. A fenti hátrányok közé tartozik, hogy nehéz a kapott filmet foszforral adalékolni, és a TEOS alacsony gőznyomása miatt nehéz a szabályozott adagolást megoldani. Lagendijk arra is rámutatott, hogy a bór-foszfo-szilikát üvegek előállítására irányuló, kizárólag cseppfolyós fázisú eljárások csak kevés sikerrel jártak. Azonosnak tekintette továbbá az adalékoló hatást a foszfor-, bór-, antimon-; arzén- és krómvegyületek széles körére, de csak olyan szilíciumvegyületekkel alkalmazva, amelyekben nincs szén-oxigén-szilícium kötés, és két vagy több szilíciumatomot tartalmaznak.
Palackokra történő felvitelnél a bevonatokat olyan kis
- azaz mintegy 100x 10“10 m vastagságban alkalmazzák, amelynél nem jöhet létre irizálás. Azonban a filmek nem összefüggők, és ez alkalmatlanná teszi ezeket egyéb alkalmazásra. A diszkontinuitás megszüntetésének egyik módja, hogy az anyagra vastagabb, a bevonandó tárgyéhoz közelebbi törésmutatójú filmeket választanak
HU 214 047 Β le. Azonban szükség lenne az eddiginél lényegesen nagyobb sebességgel leválasztható vegyes fém-oxid/szilícium-dioxid anyagra, amint azt alább részletesen tárgyaljuk.
A vegyes fém-oxid/szilícium-dioxid bevonatok előállítására eddig alkalmazott szilánok olyan tulajdonságokkal rendelkeznek, amelyek következtében nem felelnek meg az ipari méretű kifejlesztésre. Némelyikük igen korrozív, gyúlékony, vagy oxigénre érzékeny, és különleges kezelést igényel. Másokat nehéz beszerezni, vagy túl drágák ipari méretű alkalmazásra. Az alkalmazható anyagok között a legnagyobb probléma, amely korlátozza ipari fejlesztésüket a vegyes fém-oxid/szilícium-dioxid és/vagy oxinitrid köztes rétegekben a nem kielégítő lerakodási sebesség. Abban az esetben, ha a szubsztrát sima üveg, és a lerakodási eljárás légköri nyomáson végrehajtott CVD, a köztes réteg lerakodási sebességének elég nagynak kell lennie ahhoz, hogy bevonja a gyártósoron mintegy 15 m/perc (m/min) sebességgel mozgó üvegszalagot. A réteg lerakodási sebességének célszerű értéke mintegy 350* 1O10 m/sec, előnyösen (400-600)* 1010 m/sec. Ilyen sebességet eddig nem sikerült elérni olyan körülmények között, amelyek a kívánt tulajdonságú üveg folyamatos tömegtermelését lehetővé tennék.
A fenti problémák megoldására olyan szilícium prekurzorokra van szükség, amelyek olcsók, könnyen hozzáférhetők, könnyen kezelhetők és megfelelő lerakodási sebességgel rendelkeznek, ha fém-oxid prekurzorokkal elgőzölögtetik ezeket. Célszerű lenne az alkoxi-szilánok, például a kémiai alapanyag TEOS alkalmazása. Azonban eddig nem sikerült TEOS-ból szilícium-dioxid filmet leválasztani atmoszferikus nyomású CVD-eljárással üzemileg elfogadható lerakodási sebességgel, kivéve, ha a hőmérséklet legalább 700 °C volt. Bizonyos sikert értek el mintegy 450-680 °C-on, de csak akkor, ha az atmoszferikus nyomású CVD-eljárást módosították plazmagyorsítással vagy a nyomás csökkentésével, amelyek egyike sem fogadható el általában ipari alkalmazásra egy folyamatos üvegszalagon. A fenti módosított eljárásokban oxigént, ózont vagy trimetil-foszfitot is alkalmaztak, de az elért sebesség még mindig kisebb volt, mint amekkora egy hatékony ipari rendszerben szükségeltetik.
D. S. Williams és E. A. Dein [J. Electrochem. Soc. 134(3) 657-664 (1987)] kimutatták, hogy szabályozható törésmutatójú foszfo-szilikát és bór-foszfo-szilikát üveg filmek mintegy 200* 10“'° m/sec sebességgel választhatók le 515 °C és 680 °C közötti hőmérsékleten kisnyomású CVD-eljárással TEOS-ból foszfor- vagy bór-oxidokkal, amelyek koncentrációja az alkalmazott adalékanyagtól függően változott. Az említett kisnyomású eljárás azonban nem felel meg az oxidok folyamatos, on-line alkalmazására.
D. A. Webb és munkatársai [Proceedings, 2nd International ULSI Science and Technical Symposium, ECS Proceedings 98 (9), 571-578 (1989)] ismertették, hogy TEOS-ból szilícium-oxid filmeket lehet leválasztani mintegy 125*10'° m/sec sebességgel plazmagyorsított CVD-eljárással, oxigént alkalmazva. Azonban a plazmagyorsított CVD - szakaszos eljárás lévén, amely komplex és költséges kisnyomású berendezést igényel nem alkalmas üvegek oxidfilmekkel való bevonására folyamatos, ipari méretű alkalmazás során.
A. K. Hochberg és D. L. O’Meara [J. Electrochem. 136(6), 1843 (1989)] ismertették szilícium-oxid filmek gyorsított leválasztását 570 °C-on kisnyomású CVD-eljárással, amikor is a TEOS-hoz trimetil-foszfitot adtak. A plazma-gyorsított CVD-hez hasonlóan azonban a kisnyomású CVD sem könnyen alkalmazható a bevonatos üvegek előállítására szolgáló folyamatos ipari eljárásban szilícium-oxid filmek felvitelére mozgó üveglemezre, részben a kisnyomású leválasztáshoz szükséges berendezés magas ára és komplexitása miatt.
Az USA 0833649 számú szabadalmi leírásban üvegtárgyakon hőstabil, hidrofób filmbevonat kialakítására alkalmas oldatkompozíciót ismertetnek, amely 5,5-6,5 tömeg% tetraetoxi-szilánt, 29,0-32,0 tömeg% sósavat, 16,5-22,0 tömeg% acetont, 3,4-4,5 tömeg% ón(II)-kloridot, valamint vizet tartalmaz. Ezzel az oldattal hozzák érintkezésbe szobahőmérsékleten 10—15 percen keresztül az üvegtárgyat, majd 150-200 °C-on 4 órán keresztül hevítik. Ez a kompozíció folyékony halmazállapota miatt nem alkalmas CVD-eljárással jó minőségű, egyenletes bevonat nagy sebességű kialakítására.
A szakirodalom áttekintése nem ad választ arra, hogy mely prekurzor kombinációk - ha egyáltalán vannak ilyenek - alkalmasak vegyes fém-oxid/szilícium-oxid filmek folyamatos leválasztására tömegtermelésre megfelelő sebességgel és körülmények között, könnyen hozzáférhető és viszonylag olcsó reagensekből.
Az üveg szubsztrátok primer és szekunder bevonása alkalmas továbbá a szubsztrát, vagy az azon lévő egy vagy több bevonat tulajdonságainak javítására vagy kiegészítésére, az irizálás csökkentése csak a lehetséges alkalmazások egyike. A bevonatok alkalmasak továbbá például a szubsztrát felületének kopás elleni védelmére, a színtelen üveg színezésére, és egy esetleges sugárzás adott hullámhosszainak kiszűrésére.
A találmány gáz halmazállapotú kompozícióra vonatkozik, javított bevonatok előállítására üvegeken, amikor is a bevont üveg specifikus tulajdonságokat mutat, például síküveg szubsztráton szabályozott törésmutatójú, kopásálló, színes, kis emissziójú, szelektív fényszűrő, irizálás nélküli, legalább egy rétegű bevonatot állíthatunk elő. Atmoszferikus nyomáson és 700 °C alatti hőmérsékleten, 350* 10'° m/sec-nál nagyobb sebességű CVD-eljárásban a találmány értelmében egy olyan gáz halmazállapotú elegyet alkalmazunk, amely ón-oxid prekurzorként az ón illékony vegyületei közül legalább egyet tartalmaz. A gáz halmazállapotú kompozíció tartalmaz továbbá egy szilícium-dioxid prekurzort, és egy vagy több adalékanyagot, amelyet foszfit-, borát-, alkil-foszfin- és borán-származékok és víz; PH3 és B2H6 és O2, N2O, NF3, NO2 és CO2 közül választhatunk. Az adalékanyagokat a leírásban akcelerátorként említjük; az akcelerátorok valamely elegyből egy film üvegen való lerakodási sebességének gyorsítására szolgálnak. A prekurzorok és adalékanyagok elegye gáz halmazállapotú a bevonatos üvegtárgy előállítására alkalmazott körülmények között; a gázelegyben lévő anyagoknak a levegő oxigénjével
HU 214 047 Β vagy hozzáadott oxigénnel való reakciójából származnak az üveg szubsztrátra lerakódó megfelelő oxidok.
A találmány szerinti kompozíció atmoszferikus nyomáson és 200 °C alatti hőmérsékleten gáz halmazállapotú, alkalmas legalább egy első ón-oxid/szilícium-oxid réteg 350* 10 10 m/sec-nál nagyobb sebességű leválasztására üveg szubsztrátra, és 0,11-1,84 mol% mennyiségben egy ón-oxid prekurzort, 0,27-1,04 mol% mennyiségben egy RmOnSip általános képletü szilíciumoxid prekurzort - a képletben m értéke 3-8, n értéke 1-4, p értéke 1-4, és R jelentése egymástól függetlenül hidrogénatom, legfeljebb 6 szénatomos alkanoil-csoport, egyenes szénláncú, ciklusos vagy elágazó szénláncú, legfeljebb 6 szénatomos alkilcsoport vagy halogénatommal vagy 1-4 szénatomos alkoxicsoporttal szubsztituált alkilcsoport vagy alkenilcsoport; fenilcsoport vagy halogénatommal, 1-4 szénatomos alilcsoporttal vagy 1-4 szénatomos alkoxicsoporttal szubsztituált fenilcsoport és egy szerves foszfitok, szerves borátok és víz, valamint ezek elegyei közül választott akcelerátort, továbbá egy oxigénforrást tartalmaz.
A találmány egy másik kiviteli alakjában a kompozíció atmoszferikus nyomáson és 200 °C alatti hőmérsékleten gáz halmazállapotú, alkalmas legalább egy első amorf, szabályozott törésmutatójú, ón-oxidot és szilícium-oxidot tartalmazó réteg 400*10 1(1 m/sec-nál nagyobb sebességű leválasztására üveg szubsztrátra, és 0,11-1,84 mol% mennyiségben egy ón-oxid prekurzort, 0,27-1,04 mol% mennyiségben egy RmOnSip általános képletü szilícium-oxid prekurzort - a képletben m értéke 3-8, n értéke 1-4, és R jelentése egymástól függetlenül hidrogénatom, legfeljebb 6 szénatomos alkanoilcsoport, egyenes szénláncú, ciklusos vagy elágazó szénláncú, legfeljebb 6 szénatomos alkilcsoport vagy halogénatommal vagy 1—4 szénatomos alkilcsoporttal vagy 1-4 szénatomos alkoxicsoporttal szubsztituált fenilcsoport - és bórészterek, foszfor-észterek és víz közül választott legalább egy akcelerátort tartalmaz.
A találmány egy további kiviteli alakjában a kompozíció atmoszferikus nyomáson és 200 °C alatti hőmérsékleten gáz halmazállapotú alkalmas legalább egy első szabályozott törésmutatójú, amorf, ón-oxidot és szilícium-oxidot tartalmazó réteg 350χ10“10 m/sec-nál nagyobb sebességű leválasztására 450-650 °C hőmérsékletű üveg szubsztrátra, és 0,11-1,80 mol% mennyiségben egy Rj,YSnX4-n' általános képletü ón-oxid prekurzort - a képletben R,v jelentése egymástól függetlenül egyenes szénláncú, ciklusos vagy elágazó szénláncú, legfeljebb 6 szénatomos alkilcsoport vagy alkenilcsoport; fenilcsoport, halogénatommal, 1—4 szénatomos alkilcsoporttal vagy 1—4 szénatomos alkoxicsoporttal szubsztituált fenilcsoport; vagy R'CfUCH?- általános képletü csoport, ahol R'jelentése CH3O2C-, C2H5O2CCH3CO- vagy HO2C- képletü csoport; X jelentése halogenid, acetát, perfluor-acetát vagy ezek elegye; és n' értéke 0,1 vagy 2 -, 0,27-1,04 mol% mennyiségben egy RmOnSip általános képletü szilícium-oxid prekurzort - a képletben m értéke 3-8, n értéke 1—4, p értéke 1—4, és R jelentése egymástól függetlenül hidrogénatom, legfeljebb 6 szénatomos alkanoilcsoport, egyenes szénláncú, ciklusos vagy elágazó szénláncú, legfeljebb 6 szénatomos alkilcsoport vagy halogénatommal vagy 1-4 szénatomos alkoxicsoporttal szubsztituált alkilcsoport vagy alkenilcsoport; fenilcsoport vagy halogénatommal, 1—4 szénatomos alkilcsoporttal vagy 1—4 szénatomos alkoxicsoporttal szubsztituált fenilcsoport -, víz, egy (RO)3P általános képletü vegyület, és (RO)3B általános képletü vegyület - a képletekben R jelentése egymástól függetlenül legfeljebb 6 szénatomos, egyenes vagy elágazó szénláncú vagy ciklusos alkil- vagy alkenilcsoport, fenilcsoport, halogénatommal, 1—4 szénatomos alkilcsoporttal vagy 1—4 szénatomos alkoxicsoporttal szubsztituált fenilcsoport vagy R'CH2CH2- általános képletü csoport, ahol R' jelentése CH3O2C- C2H5O2C-, CH3COvagy HOOC- képletü csoport - közül választott egy vagy több akcelerátort és egy oxigénforrást tartalmaz.
Szakemberek számára kézenfekvő, hogy a találmány szerinti prekurzoroknak és anyagoknak önmagukban, vagy egyéb anyagokkal együtt eléggé illékonynak, és azon kompozíció részeként, amelyből a kívánt filmet leválasztjuk, a leválasztásra alkalmazott körülmények között eléggé stabilaknak kell lenniük. A komponensek mennyisége nem kritikus, mivel nyilvánvaló, hogy a mennyiségi arányok még mindig attól függnek, hogy milyen tulajdonságú réteget kívánunk leválasztani a kompozícióból, és a szükséges arányokat szakember minden nehézség nélkül meg tudja állapítani.
Ón-oxid prekurzorként például R[1YSnX4-n’ általános képletü vegyületek alkalmazhatók, a képletben
RIV jelentése egymástól függetlenül egyenes szénláncú, ciklikus vagy elágazó szénláncú, legfeljebb 6 szénatomos alkilcsoport vagy alkenilcsoport; fenilcsoport, halogénatommal, 1-4 szénatomos alkilcsoporttal vagy 1-4 szénatomos alkoxicsoporttal szubsztituált fenilcsoport; vagy R'CH2CH2-, ahol R' jelentése MeO2C-, EtO2C~, CH3CO- vagy HO2C-;
X jelentése halogenid, acetát, perfluor-acetát vagy ezek elegye; és n' értéke 0, 1 vagy 2.
A találmány szerinti kompozícióban az ón-oxid prekurzora előnyösen egy szerves ón-halogenid.
A szilícium-oxid prekurzora egy RmOnSip általános képletü vegyület, a képletben m értéke 3-8, n értéke 1^4, p értéke 1—4, és
R jelentése egymástól függetlenül hidrogénatom; legfeljebb 6 szénatomos alkanoilcsoport; egyenes szénláncú, ciklikus vagy elágazó szénláncú, legfeljebb 6 szénatomos alkilcsoport vagy halogénatommal vagy 1-4 szénatomos alkoxicsoporttal szubsztituált alkilcsoport vagy alkenilcsoport; fenilcsoport vagy halogénatommal, 1—4 szénatomos alkilcsoporttal vagy 1-4 szénatomos alkoxicsoporttal szubsztituált fenilcsoport.
A szilícium-oxid prekurzora előnyösen tetraetil-ortoszilikát, diacetoxi-di(terc-butoxi)-szilán, etil-triacetoxi-szilán, metil-triacetoxi-szilán, metil-deiacetoxi-szilán, tetrametil-disziloxán, tetrametil-ciklotetrasziloxán, dipinakoloxi-szilán, l,l-dimetilszila-2-oxa-ciklohexán, tetrakisz(l-metoxi-2-propoxi)-szilán, és trietoxi-szilán lehet.
HU 214 047 Β
Akcelerátorként (RO)3P, illetve (R0)3B általános képletű foszfit- és borát-származékokat alkalmazhatunk, a képletekben
R” jelentése egymástól függetlenül egyenes szénláncú, ciklikus vagy elágazó szénláncú, legfeljebb 6 szénatomos alkilcsoport vagy alkenilcsoport; fenilcsoport vagy halogénatommal, 1-4 szénatomos alkilcsoporttal vagy 1—4 szénatomos alkoxicsoporttal szubsztituált fenilcsoport; vagy R’CH2CH2- általános képletű csoport, ahol R’ jelentése előnyösen 1^1 szénatomos alkilcsoport vagy alkenilcsoport.
Különösen előnyös akcelerátorok a bőr- és foszforészterek, legelőnyösebb a TEB és a TÉP.
A második bevonatréteg prekurzora monobutil-ón-triklorid (MBTC) vagy az Rn vSnX4- n' általános képletű szerves ónvegyületek bármelyike lehet, és egy olyan anyag, amely az ón-oxidnak félvezető tulajdonságot biztosít; ilyen anyagok például az antimonvegyületek, mint például a trimetil-antimon, a foszforvegyületek, mint például a trietil-foszfin és a fluortartalmú vegyületek, mint például a trifluor-ecetsav, trifluor-ecetsavanhidrid, etil-trifluor-acetát, 2,2,2-trifluor-etanol, etil-4,4,4-trifluor-aceto-aceton, heptafluor-butiril-klorid, és hidrogén-fluorid. Az ón-oxid réteget a sztöchiometríkusnál kisebb mennyiségű SnO2.x összetételű filmek - ahol x értéke 0 és 1 közötti nem egész szám, és x értéke egy adott filmen belül is változhat - felvitelével is vezetővé tehetjük. Az ón-oxidnak félvezető tulajdonságot biztosító anyagot az első réteg prekurzorához is hozzáadhatjuk, ezáltal a teljes bevonórendszer - azaz a kombinált első és második réteg - sugárzóképessége fokozható.
Szakemberek számára kézenfekvő, hogy az ón-oxid a fenti filmekben részlegesen vagy teljesen helyettesíthető más fémek, például germánium, titán, alumínium, cirkónium, cink, indium, kadmium, hafnium, volffam, vanádium, króm, molibdén, irídium, nikkel és tantál oxidjaival.
A találmány egy előnyös kiviteli alakja egy olyan kompozíció, amelyből atmoszferikus nyomáson alakítható ki az egy vagy több vegyes ón-oxid/szilícium-dioxid rétegből álló film üveg szubsztráton, és a kompozíció egy ón-oxid prekurzort, egy szilícium-dioxid prekurzort és legalább egy adalékot tartalmazó elegy, amely adalék jelentősen javítja vagy gyorsítja a lerakodási sebességet az adalék nélküli lerakodási sebességhez viszonyítva. A lerakodott film az alkalmazott adaléktól függő további oxidokat is tartalmazhat. A leválasztott vegyes oxid filmek maguk is rendelkezhetnek specifikus tulajdonságokkal, például meghatározott törésmutatóval, vagy kombinálhatók egyéb filmekkel, alul- és/vagy felülrétegezhetők, ezáltal kombinált tulajdonságok alakíthatók ki, például színsemlegesség vagy csúszósság.
Egy még előnyösebb kiviteli alak szerint a találmány szerinti kompozícióból előállított vegyes ón-oxid/szilícium-dioxid film több, például növekvő törésmutatójú ón-oxid/-szilícium-dioxid rétegből áll; továbbá, az adott réteg egy kívánt tulajdonsága, például törésmutatója folyamatosan változtatható úgy, hogy az ón-oxidot tartalmazó felső réteg visszavert színe minimális lesz. Egy adott rétegben így a szilícium-oxid és az ón-oxid koncentrációja eltér a szomszédos rétegben lévő szilíciumoxid és az ón-oxid koncentrációtól. A film az akcelerátorok oxidjait is tartalmazhatja, különösen akkor, ha az adalékanyag foszfort vagy bőrt tartalmaz.
A találmány egyik legelőnyösebb kiviteli alakja szerint a vegyes oxidréteg prekurzora általában szerves ónhalogenideket, különösen monobutil-ón-trikloridot (METC-t), tetraetil-ortoszilikátot (TEOS-t) és akcelerátorként trietil-foszfitot (TEP-et) tartalmaz.
A találmány szerinti kompozíciókból előállított filmek összetételét röntgen-diffrakciós eljárással (XRD) és röntgen-fotoelektron spektroszkópiás eljárással (XPS) határoztuk meg. A találmány szerinti kompozíció akcelerátorokat tartalmaz, ezáltal lehetővé teszi oxidfilmek iparilag elfogadható, folyamatos CVD előállítását mozgó üvegen, különösen modem, úszó üvegsoron, ahol az ismert szakaszos eljárások egyáltalán nem alkalmazhatók.
A hozzáadott víz és hozzáadott foszfitok és borátok hatását a TEOS-alapú vegyes oxidfilmek törésmutatójára és lerakodási sebességére az I. és II. táblázat mutatja. Ezen eredményekkel szemben III. és IV. táblázat eredményei a hozzáadott oxigén és Lewis sav hatását mutatják.
Az I. táblázatban ismertetjük a hozzáadott víz hatását. A víz koncentrációjának növekedésével a lerakodási sebesség - az ón/szilícium aránytól vagy a gáz sebességétől függetlenül - jelentős mértékben nő. A fenti sebességnövekedéssel együtt a törésmutató is növekedik. Az alábbi táblázatokban a lerakodási sebességeket mintegy 7% tűréshatárral adtuk meg, ha a sebesség után nem tüntettük fel a ± hibahatárt.
I. táblázat:
Víz koncentrációjának hatása a vegyes oxidfilm törésmutatójára és lerakodási sebességére
MBTC TEOS Víz Törés- Lerakodási (mol%) (mol%) (mol%) mutató sebesség (m/sec)xlO-10
Üveg hőmérséklete: 665 °C, rendszer hőmérséklete: 160 °C, gázáramlás sebessége 50 dm3/perc
0,71 0,71 0,00 1,54 25
0,71 0,71 0,15 1,73 340
0,71 0,71 0,24 1,74 400
Üveg hőmérséklete: 665 °C, rendszer hőmérséklete: 160 °C, gázáramlás sebessége 12,5 dm3/perc
1,05 0,59 0,00 1,74 290
1,05 0,59 0,60 1,78 330
1,05 0,59 1,10 1,80 480
Noha a hőmérséklet előnyösen 160 °C, a rendszer hőmérséklete mintegy 125 és 200 °C között változhat.
A II. táblázat mutatja a hozzáadott TÉP, és a TÉP és rövid szénláncú alkil-borát-észterek, például trietil-borát (TEB) Hegyeinek hatását. Az eredmények azt tükrözik, hogy a TÉP igen hatásosan gyorsítja a vegyes oxid filmek lerakódását, specifikus és szabályozott törésmutató értékeken. A TEP-hez kismennyiségű TEB-t adva a sebesség kis mértékben tovább növek5
HU 214 047 Β ráció növekedésével a sebesség is növekszik, de nem olyan mértékben, ami elegendő lenne ipari méretű alkalmazáshoz.
szik. A leírásban nagy sebesség alatt a film lerakódásával kapcsolatban mintegy 350x10-10 m/secnál, előnyösen mintegy 400x10-10 m/sec, vagy ennél is nagyobb sebességet értünk. A II. táblázatban megadott körülmények között előállított filmek minden esetben tiszták voltak.
11. táblázat:
MBTC/TEOS/TEP koncentrációk hatása a lerakodási sebességre
TEOS MBTC TÉP TEB Törés- Lerakodási (mol%) (mol%) (mol%) (mol%) mutató sebesség (m/sec)x1010
0,80 0,16 l,69±0,02 38±3
0,80 0,11 0,76 - l,58±0,01 542±8
0,80 0,16 0,76 - l,60±0,01 416±22
0,78 1,56 0,75 l,67±0,01 505±4
0,78 1,84 0,75 - l,69±0,01 476±45
0,28 1,56 0,36 l,73±0,01 231±46
0,27 1,56 0,62 - l,71±0,01 381±15
0,27 1,56 0,75 - l,70±0,01 482±6
0,27 1,56 0,75 l,70±0,01 482±16
0,27 1,56 0,74 0,18 l,70±0,02 492±13
0,79 0,16 0,76 0,19 l,59±0,01 473±56
Az üveg hőmérséklete 665 °C, sebessége 0,56 m/sec; a rendszer hőmérséklete 160 °C, levegő. Az MBTC-t, TEOS-t és TEP-et, vagy a TÉP és TEB elegyét különkülön injektáltuk a bevonóberendezés elpárologtató részébe. Minden egyes adat három minta átlagértékét jelenti. Harmatpont: -74 —78 °C.
A III. táblázat mutatja a hozzáadott oxigén hatását. Az oxigén koncentrációj ának növekedése j elentősen növeli a lerakódás sebességét, de nem olyan mértékben, ami elegendő lenne ipari méretű alkalmazáshoz.
III. táblázat:
Oxigén-koncentráció hatása a vegyes oxidfilm törésmutatójára és lerakodási sebességére
MBTC (mol%) TEOS (mol%) Oxigén (térfogat% levegőben) Törés- mutató Lerakodási sebesség (m/sec)xl0_1°
0,71 0,71 20 1,54 25
0,71 0,71 50 1,63 50
0,71 0,71 75 1,65 160
0,71 0,71 100 1,66 240
Üveg hőmérséklete: 665 °C, rendszer hőmérséklete: 160 °C, gázáramlás sebessége: 50 dm3/perc.
A IV. táblázat mutatja a hozzáadott Lewis-sav hatását, amely jelen esetben az MBTC feleslege. A koncentIV. táblázat:
MBTC-koncentráciá hatása a vegyes oxidfilm törésmutatójára és lerakodási sebességére
MBTC (mol%) TEOS (mol%) Törés- mutató Lerakodási (m/sec) xlO-10 sebesség
0,48 0,47 1,78 160
0,48±0,23 0,48 1,78 200
0,48±0,47 0,47 1,85 300
Üveg hőmérséklete: 665 °C, rendszer hőmérséklete: 160 °C, gázáramlás sebessége: 50 dm3/perc.
A fenti táblázatok adatai azt mutatják, hogy a találmány szerinti eljárással a vegyes oxidfilmek hatékonyan elöállíthatók CVD-eljárással, ipari méretekben megfelelő sebességgel, a törésmutató egyidejű szabályozásával.
A találmányt közelebbről - a korlátozás szándéka nélkül - az alábbi példákkal kívánjuk ismertetni.
/. példa
Négyzet alakú szóda-mészkő kvarcüveg lemezt — amelynek egyik oldala 9 cm - hőblokkban 665 °C-ra melegítünk. Az üveg felett 160 °C-os forró levegőben mintegy 0,16 mol% MBTC-t, 0,80 mol% TEOS-t és 0,75 mol% TEP-et tartalmazó gázelegyet vezetünk át,
12,5 dm3/perc sebességgel, mintegy 10 másodpercen keresztül. Az üvegfelület közepén egyenletes filmbevonat képződik, amelynek színe visszavert fényben halványzöld. A törésmutató értéke Prism Coupler-módszerrel meghatározva 1,60, és a vastagság 4260χ 10_1° m/sec, ami mintegy 426χ10~'° m/sec lerakodási sebességnek felel meg. A hasonló módon lerakodott filmek XRD szerint amorfak, és XPS szerint ón-, szilícium- és foszfor-oxidokból állnak.
2. példa
Üvegfelület felett az 1. példában leírtak szerint elvezetünk egy gázelegyet, amely forró levegőben mintegy 1,84 mol% MBTC-t, 0,78 mol% TEOS-t és 0,75 mol% TEP-et tartalmaz. A kapott film halvány bíborvörös színű visszavert fényben. A törésmutató 1,68, és a rétegvastagság 4930x 10'10 m/sec ami 493χ 10_1° m/sec lerakodási sebességnek felel meg. A hasonló módon lerakodott filmek XRD szerint amorfak, és XPS szerint ón-, szilícium- és foszfor-oxidokból állnak.
3. példa
Üvegfelület felett az 1. példában leírtak szerint, de csak 8 másodpercen keresztül elvezetünk egy gázelegyet, amely forró levegőben mintegy 1,22 mol% MBTC-t, 0,58 mol% TEOS-t és 1,09 mol% H2O-t tartalmaz. A kapott film zöld színű visszavert fényben. A törésmutató 1,78, és a rétegvastagság 465Οχ1Ο10 m,
HU 214 047 Β ami 580x10“'° m/sec lerakodási sebességnek felel meg. XRD analízis szerint a hasonló módon lerakodott filmek az ón-oxid összeomlott tetragonális elemi celláiból állnak, ami a szilícium-dioxiddal bizonyos mértékű szilárd oldat képződésre utal. XPS analízis szerint a film ón- és szilícium-oxidokból áll.
4. példa
Az 1 -3. példa szerinti filmeket a törésmutató növekvő sorrendjében egymás után leválasztottuk. A többrétegű filmet ezután egy mintegy 3200x10'° m vastagságú, fluorral adalékolt ón-oxiddal felülrétegeztük. A fenti filmösszetétellel átlátszó tárgyat nyertünk, amely nappali megvilágításban alapvetően semmiféle visszavert színnel nem rendelkezett.
5. példa
Egy 9 cm2-es szóda-mészkő kvarcüveget hőblokkban 665 °C-ra melegítünk. Az üveg felett 160 °C-os levegőben mintegy 1,04 mol% MBTC-t, illetve 160 °C-os levegőben mintegy 1,04 mol% TEOS-t és 0,20 mol% TeP-et tartalmazó gázelegyet vezetünk át két, mikroprocesszorral vezérelt gömbszelepen keresztül, 12,5 1/perc sebességgel, 30 másodpercen keresztül. A gömbszelepeket egyszerre nyitjuk és zárjuk olyan programozott sebességgel, hogy az üvegfelülettel érintkezésbe jutó gázelegy összetétele folyamatosan változik nagy TEOS/TEP és nagy MBTC koncentrációig. Az üvegfelület közepén egyenletes filmbevonat képződik, amely XPS analízis szerint ón-, szilícium- és foszfor-oxidokból áll. A film vastagságának növekedésével az ón mennyisége fokozatosan növekszik, míg a szilícium és foszfor mennyisége csökken. A fenti adatokból és a standard filmek adataiból számított törésmutató 1,52 és 1,87 közötti. A film szerkezete olyan bevonatot eredményez, amely lényegében nem mutat visszavert színt, ha fluorral adalékolt ón-oxiddal felülrétegezzük.
6. példa
Üvegfelület felett az 1. példában leírtak szerint mintegy 6 másodpercen keresztül elvezetünk egy gázelegyet, amely forró levegőben mintegy 0,16 mol% MBTC-t és 0,80 mol% TEOS-t tartalmaz. A kapott film bíborvörös színű visszavert fényben, törésmutatója 1,68. A film rétegvastagsága 2260χ 10“’° m ami 38x 107 * * 10 m/sec lerakodási sebességnek felel meg.
7. példa
0,5 dm3-es színtelen üveg italospalackot kemencében percen keresztül forgatva mintegy 600 °C-ra melegítünk. A felmelegített palackot bevonókamrába tesszük, és mintegy 170 °C-os levegőben 0,16 mol% MBTC-t, 0,80 mol% TEOS-t, 0,75 mol% TEP-et tartalmazó gőzeleggyel hozzuk érintkezésbe 10 másodpercen keresztül. A kapott film bíborvörös-kékes színű, és eloszlása egyenletes az oldalfalakon a palack vállától a talpáig. A lerakodási sebesség a film színéből ítélve mintegy 200x10“'° m/sec, míg a csak MBTC-t és TEOS-t tartalmazó gőzeleggyel bevont palack esetében csak mintegy 50x10'° m/sec.
A fenti táblázatokat és példákat áttekintve szakember számára nyilvánvaló, hogy a TEB, TÉP és víz akcelerátorként szolgálnak az üveg oxidfilmmel való bevonásában CVD-vel, és a TÉP és TEB a TEOS és MBTC lerakodási sebességét szinergetikusan gyorsítja. A találmány szerinti kompozícióban akcelerátorként borát- és foszfit-észtereket, alkil-ón-halogenideket és vizet alkalmazhatunk.
Noha a találmány szerinti kompozíciót előnyösen folyamatos eljárásban alkalmazzuk mozgó üveg szubsztráton, szakemberek által ismert módon, a találmány szerinti kompozíció szakaszos eljárásokban is alkalmazható. A bevonat folyamatos előállításának körülményei között a kompozíciót előnyösen mintegy 200 °C alatti hőmérsékleten, még előnyösebben mintegy 175 °C alatti hőmérsékleten tartjuk, és mintegy 15 m/sec sebességgel mozgó üvegre alkalmazzuk, amellyel legalább 350x10“'° m/sec, előnyösen legalább 400x10“'° m/sec lerakodási sebességet biztosítunk.
A találmány szerinti kompozíció fent ismertetett előnyös kiviteli alakjainak módosításai és javításai szakember számára kézenfekvőek a találmány elvének ismeretében. Magától értetődik, hogy oltalmi körünket nem kívánjuk szorosan a példákra korlátozni, oltalmi körünk kiterjed az ekvivalens megoldásokra is.

Claims (27)

  1. SZABADALMI IGÉNYPONTOK
    1. Kompozíció, amely alkalmas ón-oxid/szilícium-oxid réteg leválasztására üveg szubsztráton, azzal jellemezve, hogy a kompozíció atmoszferikus nyomáson és 200 °C alatti hőmérsékleten gáz halmazállapotú, alkalmas a legalább egy első ón-oxid/szilícium-oxid réteg 350χ10“10 m/sec-nál nagyobb sebességű leválasztására, és 0,11-1,84 mol% mennyiségben egy ón-oxid prekurzort, 0,27-1,04 mol% mennyiségben egy RmOnSip általános képletű szilícium-oxid prekurzort - a képletben m értéke 3-8, n értéke 1—4, p értéke 1—4, és R jelentése egymástól függetlenül hidrogénatom, legfeljebb 6 szénatomos alkanoilc söpört, egyenes szénláncú, ciklusos vagy elágazó szénláncú, legfeljebb 6 szénatomos alkilcsoport vagy halogénatommal vagy 1—4 szénatomos alkoxicsoporttal szubsztituált alkilcsoport, vagy alkenilcsoport; fenilcsoport vagy halogénatommal, 1-4 szénatomos alkilcsoporttal vagy 1-4 szénatomos alkoxicsoporttal szubsztituált fenilcsoport - és egy szerves foszfitok, szerves borátok és víz, valamint ezek elegyei közül választott akcelerátort, továbbá egy oxigénforrást tartalmaz.
  2. 2. Az 1. igénypont szerinti kompozíció, azzal jellemezve, hogy üveg szubsztrátként 450-650 °C hőmérsékletű átlátszó síküvegre való leválasztásra alkalmas.
  3. 3. Az 1. igénypont szerinti kompozíció, azzal jellemezve, hogy nappali fényben visszavert színt nem mutató réteg leválasztására alkalmas.
  4. 4. Az 1. igénypont szerinti kompozíció, azzal jellemezve, hogy folyamatosan mozgó üveg szubsztrátra való folyamatos leválasztásra alkalmas.
    HU 214 047 Β
  5. 5. Az 1. igénypont szerinti kompozíció, azzal jellemezve, hogy hőmérséklete 175 °C alatti.
  6. 6. Az 1. igénypont szerinti kompozíció, azzal jellemezve, hogy szerves foszfit és szerves borát akcelerátorként egy (RObP, illetve (ROhB általános képletű vegyületet tartalmaz, a képletekben R jelentése egymástól függetlenül legfeljebb 6 szénatomos, egyenes vagy elágazó szénláncú vagy ciklusos alkil- vagy alkenilcsoport, fenilcsoport, halogénatommal, 1-4 szénatomos alkilcsoporttal vagy 1-4 szénatomos alkoxicsoporttal szubsztituált fenilcsoport vagy R’CH2CH2általános képletű csoport, ahol R”' jelentése CH3O2C-, C2H5O2C-, CH3CO- vagy HOOC- képletű csoport.
  7. 7. Az 1. igénypont szerinti kompozíció, azzal jellemezve, hogy ón-oxid prekurzorként egy RjySnXí-n’ általános képletű vegyületet tartalmaz, a képletben R,v jelentése egymástól függetlenül egyenes szénláncú, ciklusos vagy elágazó szénláncú, legfeljebb 6 szénatomos alkilcsoport vagy alkenilcsoport; fenilcsoport, halogénatommal, 1-M szénatomos alkilcsoporttal vagy 1—4 szénatomos alkoxicsoporttal szubsztituált fenilcsoport; vagy R’CH2CH2- általános képletű csoport, ahol R’ jelentése CH3O2C-, C2H5O2C_, CH3CO- vagy HO2C- képletű csoport; X jelentése halogenid, acetát, perfluor-acetát vagy ezek elegye; és n’ értéke 0, 1 vagy 2.
  8. 8. Az 1. igénypont azzal jellemezve, hogy ón-oxid prekurzorként alkil-ón-halogenidet tartalmaz.
  9. 9. Az 1. igénypont szerinti kompozíció, azzal jellemezve, hogy ón-oxid prekurzorként alkil-ón-kloridot tartalmaz.
  10. 10. Az 1. igénypont szerinti kompozíció, azzal jellemezve, hogy ón-oxid prekurzorként monobutil-ón-kloridot, dibutil-ón-dikloridot, tributil-ón-kloridot vagy ón-tetrakloridot tartalmaz.
  11. 11. Az 1. igénypont szerinti kompozíció, azzal jellemezve, hogy szilícium-oxid prekurzorként tetraetil-ortoszilikátot, diacetoxi-di(terc-butoxi)-szilánt, etil-triacetoxi-szilánt, metil-triacetoxi-szilánt, metil-diacetoxi-szilánt, tetrametil-disziloxánt, tetrametil-ciklotetrasziloxánt, dipinakoloxi-szilánt, 1,1 -dimetil-szila-2-oxa-ciklohexánt, tetrakisz(l-metoxi-2-propoxi)-szilánt vagy trietoxi-szilánt tartalmaz.
  12. 12. Az 1. igénypont szerinti kompozíció, azzal jellemezve, hogy szilícium-oxid prekurzorként tetraetil-ortoszilikátot tartalmaz.
  13. 13. Az 1. igénypont szerinti kompozíció, azzal jellemezve, hogy akcelerátorként trietil-foszfitot tartalmaz.
  14. 14. Az 1. igénypont szerinti kompozíció, azzaljellemezve, hogy akcelerátorként trietil-foszfitot és trietil-borátot tartalmaz.
  15. 15. Az 1. igénypont szerinti kompozíció, azzaljellemezve, hogy az első ón-oxid/szilícium-oxid réteg 400* 10_1° m/secnál nagyobb sebességű leválasztására alkalmas.
  16. 16. Az 1. igénypont szerinti kompozíció, azzaljellemezve, hogy első amorf ón-oxid/szilícium-oxid réteg leválasztására alkalmas.
  17. 17. Az 1. igénypont szerinti kompozíció, azzal jellemezve, hogy ón-oxidot és szilícium-oxidot tartalmazó több rétegű első réteg leválasztására alkalmas, amelyek közül a legkülső réteg legalább egy további második réteg leválasztására alkalmas.
  18. 18. A 17. igénypont szerinti kompozíció, azzal jellemezve, hogy ón-oxidot és szilícium-oxidot tartalmazó több réteg leválasztására alkalmas, amelyek közül a legkülső réteg ón-oxidot tartalmazó további réteg leválasztására alkalmas.
  19. 19. A 17. igénypont szerinti kompozíció, azzal jellemezve, hogy ón-oxidot és szilícium-oxidot tartalmazó több réteg leválasztására alkalmas, amelyek közül a legkülső réteg ón-oxidot és fluort tartalmazó további réteg leválasztására alkalmas.
  20. 20. A 17. igénypont szerinti kompozíció, azzal jellemezve, hogy második rétegként adalékolt ón-oxid leválasztására alkalmas.
  21. 21. A 17. igénypont szerinti kompozíció, azzal jellemezve, hogy monobutil-ón-trikloridot, tetraetil-ortoszilikátot és trietil-foszfitot tartalmaz, és több réteg leválasztására alkalmas.
  22. 22. Az 1. igénypont szerinti kompozíció, azzal jellemezve, hogy az üveg szubsztrát és a réteg külső határa között folyamatosan változó törésmutatójú, ón-oxidot és szilícium-oxidot tartalmazó első réteg leválasztására alkalmas.
  23. 23. Kompozíció, amely alkalmas ón-oxidot és szilícium-oxidot tartalmazó réteg leválasztására üveg szubsztrátra, azzal jellemezve, hogy a kompozíció atmoszferikus nyomáson és 200 °C alatti hőmérsékleten gáz halmazállapotú, alkalmas a legalább egy első amorf, szabályozott törésmutatójú, ónoxidot és szilícium-oxidot tartalmazó réteg 400* 10“1θ m/sec-nál nagyobb sebességű leválasztására, és 0,11-1,84 mol% mennyiségben egy ón-oxid prekurzort, 0,27-1,04 mol% mennyiségben egy RmO„Sip általános képletű szilícium-oxid prekurzort - a képletben m értéke 3-8, n értéke 1—4, p értéke 1—4, és Rjelentése egymástól függetlenül hidrogénatom, legfeljebb 6 szénatomos alkanoilcsoport, egyenes szénláncú, ciklusos vagy elágazó szénláncú, legfeljebb 6 szénatomos alkilcsoport vagy halogénatommal vagy 1—4 szénatomos alkoxicsoporttal szubsztituált alkilcsoport vagy alkenilcsoport; fenilcsoport vagy halogénatommal, 1-4 szénatomos alkilcsoporttal vagy 1—4 szénatomos alkoxicsoporttal szubsztituált fenilcsoport és bór-észterek, foszfor-észterek és víz közül választott legalább egy akcelerátort tartalmaz.
  24. 24. A 23. igénypont szerinti gáz halmazállapotú kompozíció, azzal jellemezve, hogy 450—650 °C hőmérsékletű, folyamatosan mozgó üveg szubsztrátra való folyamatos leválasztásra alkalmas, és monobutil-ón-trikloridot, tetraetil-ortoszilikátot és egy akcelerátort tartalmaz.
  25. 25. Kompozíció, amely alkalmas ón-oxidot és szilícium-oxidot tartalmazó réteg leválasztására üveg szubsztrátra, azzal jellemezve, hogy a kompozíció atmoszferikus nyomáson és 200 °C alatti hőmérsékleten gáz halmazállapotú, 450-650 °C hőmérsékleten alkalmas a legalább egy első szabályozott törésmutatójú, amorf, ón-oxidot és szilícium-oxidot tartalmazó réteg 350* 10'10 m/sec-nál nagyobb sebességű leválasztására, és 0,11-1,84 mol% mennyiségben egy RrnYSnX4-n’ általános képletű ón-oxid prekurzort - a képletben RIV jelentése egymástól függetlenül egyenes szénláncú, ciklusos
    HU 214 047 Β vagy elágazó szénláncú, legfeljebb 6 szénatomos alkilcsoport vagy alkenilcsoport; fenilcsoport, halogénatommal, 1-4 szénatomos alkilcsoporttal vagy 1-4 szénatomos alkoxicsoporttal szubsztituált fenilcsoport; vagy R’CH2CH2- általános képletű csoport, ahol R’ jelentése CH3O2C- C2H5O2C- CH3CO- vagy HO2C- képletű csoport; X jelentése halogeníd, acetát, perfluor-acetát vagy ezek elegye; és n’ értéke 0,1 vagy 2 -, 0,27-1,04 mol% mennyiségben egy RmOnSip általános képletű szilíciumoxid prekuizort - a képletben m értéke 3-8, n értéke 1-4, p értéke 1-4, és R jelentése egymástól függetlenül hidrogénatom, legfeljebb 6 szénatomos alkanoilcsoport, egyenes szénláncú, ciklusos vagy elágazó szénláncú, legfeljebb 6 szénatomos alkilcsoport vagy halogénatommal vagy 1-4 szénatomos alkoxicsoporttal szubsztituált alkilcsoport vagy alkenilcsoport; fenilcsoport vagy halogénatommal, 1—4 szénatomos alkilcsoporttal vagy 1-4 szénatomos alkoxicsoporttal szubsztituált fenilcsoport-, víz, egy (RO)3P általános képletű vegyület, és (RO)3B általános képletű vegyület - a képletekben R jelentése egymástól függetlenül 1-6 szénatomos, egyenes vagy elágazó szénláncú vagy ciklusos alkil- vagy alkenilcsoport, fenilcsoport, halogénatommal, 1—4 szénatomos alkilcsoporttal vagy 1—4 szénatomos alkoxicsoporttal szubsztituált fenilcsoport vagy R’CH2CH2- általános képletű csoport -, ahol R’ jelentése CH3O2CC2H5O2C-, CH3CO- vagy HOOC- képletű csoport közül választott egy vagy több akcelerátort és egy oxigénforrást tartalmaz.
  26. 26. A 25. igénypont szerinti kompozíció, azzal jellemezve, hogy ón-oxid prekurzorként alkil-ón-halogenidet, szilícium-oxid prekurzorként tetraetil-ortoszilikátot, diacetoxi-di(terc-butoxi)-szilánt, etil-triacetoxi-szilánt, metil-triacetoxi-szilánt, metil-diacetoxi-szilánt, tetrametil-disziloxánt, tetrametil-ciklotetrasziloxánt, dipinakoloxi-szilánt, l,l-dimetil-szila-2-oxa-ciklohexánt,tetrakisz(l-metoxi-2-propoxi)-szilánt vagy trietoxi-szilánt, és akcelerátorként trietil-foszfitot és/vagy trietil-borátot tartalmaz.
  27. 27. A 26. igénypont szerinti kompozíció, azzal jellemezve, hogy ón-oxid prekurzorként monobutil-ón-trikloridot, szilícium-oxid prekurzorként tetraetil-ortoszilikátot és akcelerátorként trietil-foszfitot tartalmaz.
HU9302412A 1991-12-26 1992-12-21 Coating composition for glass HU214047B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US81436691A 1991-12-26 1991-12-26
US81435291A 1991-12-27 1991-12-27

Publications (3)

Publication Number Publication Date
HU9302412D0 HU9302412D0 (en) 1993-12-28
HUT67335A HUT67335A (en) 1995-03-28
HU214047B true HU214047B (en) 1997-12-29

Family

ID=27123834

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
HU9302411A HUT67686A (en) 1991-12-26 1992-12-21 Method for coating glass substrates
HU9302412A HU214047B (en) 1991-12-26 1992-12-21 Coating composition for glass
HU9302413A HUT67158A (en) 1991-12-26 1992-12-21 Coated glass article

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
HU9302411A HUT67686A (en) 1991-12-26 1992-12-21 Method for coating glass substrates

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
HU9302413A HUT67158A (en) 1991-12-26 1992-12-21 Coated glass article

Country Status (26)

Country Link
US (2) US5401305A (hu)
EP (4) EP0573640A4 (hu)
JP (3) JP3485920B2 (hu)
KR (3) KR100243801B1 (hu)
CN (3) CN1041815C (hu)
AR (1) AR248263A1 (hu)
AT (2) ATE272582T1 (hu)
AU (3) AU651754B2 (hu)
BR (3) BR9205672A (hu)
CA (3) CA2104591C (hu)
CZ (3) CZ286854B6 (hu)
DE (2) DE69230219T2 (hu)
DK (2) DK0927706T3 (hu)
ES (2) ES2137984T3 (hu)
GR (1) GR3031624T3 (hu)
HU (3) HUT67686A (hu)
MX (2) MX9207592A (hu)
MY (1) MY110355A (hu)
NO (3) NO316683B1 (hu)
NZ (1) NZ246459A (hu)
PL (1) PL169649B1 (hu)
PT (4) PT927706E (hu)
RU (2) RU2091340C1 (hu)
SK (3) SK281638B6 (hu)
UY (3) UY23528A1 (hu)
WO (3) WO1993012892A1 (hu)

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU651754B2 (en) * 1991-12-26 1994-07-28 Atofina Chemicals, Inc. Coated glass article
US5599387A (en) * 1993-02-16 1997-02-04 Ppg Industries, Inc. Compounds and compositions for coating glass with silicon oxide
US5863337A (en) * 1993-02-16 1999-01-26 Ppg Industries, Inc. Apparatus for coating a moving glass substrate
US5356718A (en) * 1993-02-16 1994-10-18 Ppg Industries, Inc. Coating apparatus, method of coating glass, compounds and compositions for coating glasss and coated glass substrates
US5395698A (en) * 1993-06-04 1995-03-07 Ppg Industries, Inc. Neutral, low emissivity coated glass articles and method for making
DE4433206A1 (de) * 1994-09-17 1996-03-21 Goldschmidt Ag Th Verfahren zur pyrolytischen Beschichtung von Glas-, Glaskeramik- und Emailprodukten
DE19504906A1 (de) * 1995-02-15 1996-08-22 Goldschmidt Ag Th Verfahren zur Heißendvergütung von Hohlglaskörpern durch Aufbringen von Metallverbindungen auf die heiße äußere Glasoberfläche
CO4560356A1 (es) * 1995-02-22 1998-02-10 Elf Atochem Vlissingen Bv Proceso para la produccion de un recubrimiento de proteccion sobre la superficie de un articulo de vidrio o ceramica
US5648175A (en) * 1996-02-14 1997-07-15 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition reactor system and integrated circuit
GB9616983D0 (en) * 1996-08-13 1996-09-25 Pilkington Plc Method for depositing tin oxide and titanium oxide coatings on flat glass and the resulting coated glass
GB9710547D0 (en) * 1997-05-23 1997-07-16 Pilkington Plc Coating method
FR2780054B1 (fr) * 1998-06-19 2000-07-21 Saint Gobain Vitrage Procede de depot d'une couche a base d'oxyde metallique sur un substrat verrier, substrat verrier ainsi revetu
FR2789698B1 (fr) 1999-02-11 2002-03-29 Air Liquide Procede et installation pour former un depot d'une couche sur un substrat
US6797388B1 (en) * 1999-03-18 2004-09-28 Ppg Industries Ohio, Inc. Methods of making low haze coatings and the coatings and coated articles made thereby
JP3227449B2 (ja) * 1999-05-28 2001-11-12 日本板硝子株式会社 光電変換装置用基板とその製造方法、およびこれを用いた光電変換装置
LU90432B1 (fr) * 1999-09-01 2001-03-02 Glaverbel Couche pyrolytique phosphostannate ou borostannate et vitrage comportant cette couche
US6399208B1 (en) * 1999-10-07 2002-06-04 Advanced Technology Materials Inc. Source reagent composition and method for chemical vapor deposition formation or ZR/HF silicate gate dielectric thin films
JP4272534B2 (ja) * 2002-01-28 2009-06-03 日本板硝子株式会社 透明導電膜を備えたガラス基板の製造方法、透明導電膜を備えたガラス基板、およびそれを用いた光電変換装置
US7030042B2 (en) 2002-08-28 2006-04-18 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming tantalum oxide layers and tantalum precursor compounds
US6784049B2 (en) * 2002-08-28 2004-08-31 Micron Technology, Inc. Method for forming refractory metal oxide layers with tetramethyldisiloxane
US20050196623A1 (en) * 2004-03-03 2005-09-08 Mckown Clem S.Jr. Solar control coated glass composition
US20050221003A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Remington Michael P Jr Enhancement of SiO2 deposition using phosphorus (V) compounds
US7372610B2 (en) 2005-02-23 2008-05-13 Sage Electrochromics, Inc. Electrochromic devices and methods
JP5036710B2 (ja) 2005-10-11 2012-09-26 株式会社クラレ 発光体
US8258690B2 (en) 2005-10-11 2012-09-04 Kuraray Co., Ltd. High brightness inorganic electroluminescence device driven by direct current
RU2445340C2 (ru) * 2005-10-11 2012-03-20 Курарей Ко, ЛТД., Светящееся тело
WO2007081045A1 (ja) * 2006-01-16 2007-07-19 Nippon Sheet Glass Company, Limited 薄膜形成ガラス板
US8158262B2 (en) * 2006-06-05 2012-04-17 Pilkington Group Limited Glass article having a zinc oxide coating and method for making same
MX2008015528A (es) * 2006-06-05 2009-01-07 Pilkington Group Ltd Articulo de vidrio que tiene un recubrimiento de oxido de zinc y metodo para fabricar el mismo.
US20080026147A1 (en) * 2006-07-28 2008-01-31 Gulbrandsen Chemicals, Inc. Method and formulation for depositing a metal-containing coating on a substrate
US20080152804A1 (en) * 2006-07-28 2008-06-26 Gulbrandsen Chemicals, Inc. Method for depositing a metal-containing coating on a substrate
AU2007290842B2 (en) * 2006-08-29 2012-08-23 Arkema, Inc. Method of making low resistivity doped zinc oxide coatings and the articles formed thereby
JP5559536B2 (ja) * 2006-08-29 2014-07-23 ピルキントン グループ リミテッド 低い抵抗率のドープ酸化亜鉛でコーティングされたガラス物品の製造方法及びその製造方法により製造されるコーティングされたガラス物品
AU2008214505B2 (en) * 2007-01-15 2013-02-07 Saint-Gobain Glass France Glass substrate coated with layers having an improved mechanical strength
FR2913973B1 (fr) * 2007-03-21 2011-02-18 Saint Gobain Substrat verrier revetu de couches a tenue mecanique amelioree
US7998586B2 (en) 2008-11-19 2011-08-16 Ppg Industries Ohio, Inc. Undercoating layers providing improved topcoat functionality
CN102239221B (zh) * 2008-11-19 2013-12-25 Ppg工业俄亥俄公司 提供改善的外涂层功能性的底涂层
US20100124642A1 (en) * 2008-11-19 2010-05-20 Ppg Industries Ohio, Inc. Undercoating layers providing improved conductive topcoat functionality
US8133599B2 (en) 2008-11-19 2012-03-13 Ppg Industries Ohio, Inc Undercoating layers providing improved photoactive topcoat functionality
DE102008060923B4 (de) 2008-12-06 2012-09-27 Innovent E.V. Verwendung einer Schicht
CN102484220A (zh) * 2009-07-06 2012-05-30 阿科玛股份有限公司 由透明的导电氧化物(tco)和防晕光底漆组成的oled基片
US9224892B2 (en) 2009-12-21 2015-12-29 Ppg Industries Ohio, Inc. Silicon thin film solar cell having improved haze and methods of making the same
US9366783B2 (en) * 2009-12-21 2016-06-14 Ppg Industries Ohio, Inc. Silicon thin film solar cell having improved underlayer coating
US20110146768A1 (en) * 2009-12-21 2011-06-23 Ppg Industries Ohio, Inc. Silicon thin film solar cell having improved underlayer coating
FR2956659B1 (fr) 2010-02-22 2014-10-10 Saint Gobain Substrat verrier revetu de couches a tenue mecanique amelioree
EP2441860A1 (en) * 2010-10-13 2012-04-18 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Apparatus and method for atomic layer deposition on a surface
US8557099B2 (en) 2010-10-25 2013-10-15 Ppg Industries Ohio, Inc. Electrocurtain coating process for coating solar mirrors
RU2477711C1 (ru) * 2011-08-12 2013-03-20 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Легированное кварцевое стекло с тетраэдрической координацией атомов титана
US8734903B2 (en) 2011-09-19 2014-05-27 Pilkington Group Limited Process for forming a silica coating on a glass substrate
WO2013048751A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 Arkema Inc. Deposition of silicon oxide by atmospheric pressure chemical vapor deposition
CN102584025B (zh) * 2012-01-19 2014-06-11 江苏秀强玻璃工艺股份有限公司 具有宽带隙折射率可调隔离层玻璃的制备方法
US20130334089A1 (en) * 2012-06-15 2013-12-19 Michael P. Remington, Jr. Glass Container Insulative Coating
WO2014164194A1 (en) * 2013-03-12 2014-10-09 Ppg Industries Ohio, Inc. High haze underlayer for solar cell
TW201716245A (zh) * 2015-08-05 2017-05-16 康寧公司 用於將片材與載體鍵結之物件及方法
WO2017082541A1 (ko) * 2015-11-11 2017-05-18 한국화학연구원 금속 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
EP3173507A1 (de) * 2015-11-25 2017-05-31 Umicore AG & Co. KG Verfahren zur metallorganischen gasphasenabscheidung unter verwendung von lösungen von indiumalkylverbindungen in kohlenwasserstoffen
GB201523156D0 (en) * 2015-12-31 2016-02-17 Pilkington Group Ltd High strength glass containers
CA2920646A1 (en) * 2016-02-12 2017-08-12 Seastar Chemicals Inc. Organometallic compound and method
CN106217968A (zh) * 2016-07-15 2016-12-14 常熟市赛蒂镶嵌玻璃制品有限公司 一种高耐磨防爆玻璃
EP3676231A1 (en) 2017-08-31 2020-07-08 Pilkington Group Limited Coated glass article, method of making the same, and photovoltaic cell made therewith
CN111051567A (zh) 2017-08-31 2020-04-21 皮尔金顿集团有限公司 形成氧化硅涂层的化学气相沉积方法
JP6993394B2 (ja) * 2019-08-06 2022-02-21 バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー ケイ素化合物及びケイ素化合物を使用してフィルムを堆積する方法
CN115427366A (zh) * 2020-04-23 2022-12-02 皮尔金顿集团有限公司 制造涂覆玻璃制品的方法
TR202010598A2 (tr) * 2020-07-03 2022-01-21 Tuerkiye Sise Ve Cam Fabrikalari Anonim Sirketi Cam yüzeyler için geliştirilmiş antimikrobiyel kaplama çözeltisi, antimikrobiyel kaplamalı cam ve bunun uygulama prosesi

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3378396A (en) * 1967-03-27 1968-04-16 Zaromb Solomon Conductive oxide-coated articles
US3984581A (en) * 1973-02-28 1976-10-05 Carl Zeiss-Stiftung Method for the production of anti-reflection coatings on optical elements made of transparent organic polymers
US3949146A (en) * 1973-08-24 1976-04-06 Rca Corporation Process for depositing transparent electrically conductive tin oxide coatings on a substrate
DE2454657A1 (de) * 1974-11-18 1976-05-20 Jenaer Glaswerk Schott & Gen Beschichtung zum verhindern des beschlagens von oberflaechen
US4227929A (en) * 1976-08-26 1980-10-14 Ameron, Inc. Siloxane-tin coatings
US4308316A (en) * 1977-04-04 1981-12-29 Gordon Roy G Non-iridescent glass structures
US4187336A (en) * 1977-04-04 1980-02-05 Gordon Roy G Non-iridescent glass structures
US4206252A (en) * 1977-04-04 1980-06-03 Gordon Roy G Deposition method for coating glass and the like
SU833649A1 (ru) * 1979-02-12 1981-05-30 Северо-Западный Заочный Политехническийинститут Пленкообразующий раствор дл стекл н-НыХ издЕлий
JPS5734164A (en) * 1980-08-06 1982-02-24 Kansai Paint Co Ltd Film-forming composition
US4386117A (en) * 1981-11-20 1983-05-31 Gordon Roy G Coating process using alkoxy substituted silicon-bearing reactant
JPS58189263A (ja) * 1982-04-28 1983-11-04 Hitachi Chem Co Ltd ＳｉＯ↓２膜形成用塗布液
JPS59125433A (ja) * 1982-12-30 1984-07-19 Fujitsu Ltd 音声応答方式
US4590096A (en) * 1984-12-28 1986-05-20 M&T Chemicals Inc. Water vapor, reaction rate and deposition rate control of tin oxide film by CVD on glass
JPS61181253A (ja) * 1985-02-06 1986-08-13 Keihachirou Shikakura 電話機
JPS62263754A (ja) * 1986-05-09 1987-11-16 Iwatsu Electric Co Ltd デ−タ入力装置
US5028566A (en) * 1987-04-10 1991-07-02 Air Products And Chemicals, Inc. Method of forming silicon dioxide glass films
US4880664A (en) * 1987-08-31 1989-11-14 Solarex Corporation Method of depositing textured tin oxide
EP0486475B1 (en) * 1988-03-03 1997-12-03 Asahi Glass Company Ltd. Amorphous oxide film and article having such film thereon
AU616736B2 (en) * 1988-03-03 1991-11-07 Asahi Glass Company Limited Amorphous oxide film and article having such film thereon
WO1990002157A1 (en) * 1988-08-24 1990-03-08 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Coating fluid for forming transparent conductive ceramic coating, base material coated with transparent conductive ceramic and production thereof, and application of base material coated with transparent conductive ceramic
JP2856754B2 (ja) * 1989-02-17 1999-02-10 株式会社東芝 紫外線抑制発光源、紫外線抑制発光源用塗布剤、及び紫外線抑制発光源の製造方法
EP0386341B1 (en) * 1989-03-07 1995-03-15 Asahi Glass Company Ltd. Laminated glass structure
JPH0717407B2 (ja) * 1989-10-09 1995-03-01 旭硝子株式会社 機能薄膜付ガラスの製造方法
US5090985A (en) * 1989-10-17 1992-02-25 Libbey-Owens-Ford Co. Method for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition
AU651754B2 (en) * 1991-12-26 1994-07-28 Atofina Chemicals, Inc. Coated glass article

Also Published As

Publication number Publication date
KR930703589A (ko) 1993-11-30
CZ173593A3 (en) 1994-05-18
CA2104592A1 (en) 1993-06-27
PT101160B (pt) 1999-09-30
NO933029L (no) 1993-10-22
EP0927706B1 (en) 2004-08-04
CN1074891A (zh) 1993-08-04
NO316683B1 (no) 2004-03-26
PT101161A (pt) 1994-03-31
PT101160A (pt) 1994-05-31
CN1041815C (zh) 1999-01-27
NO933030D0 (no) 1993-08-25
SK91393A3 (en) 1994-01-12
DE69230219D1 (de) 1999-12-02
HUT67158A (en) 1995-02-28
EP0573639B1 (en) 1999-10-27
AU3322993A (en) 1993-07-28
PT101159B (pt) 1999-09-30
SK281638B6 (sk) 2001-06-11
ES2221257T3 (es) 2004-12-16
DE69230219T2 (de) 2000-02-10
AU663559B2 (en) 1995-10-12
AU3322893A (en) 1993-07-28
PT927706E (pt) 2004-11-30
CN1074889A (zh) 1993-08-04
AU651754B2 (en) 1994-07-28
CA2104591A1 (en) 1993-06-27
DK0573639T3 (da) 2000-02-07
BR9205673A (pt) 1994-08-02
JP3485920B2 (ja) 2004-01-13
AU3323093A (en) 1993-07-28
CA2104591C (en) 2000-03-14
CA2104590A1 (en) 1993-06-27
NZ246459A (en) 1995-12-21
WO1993012892A1 (en) 1993-07-08
NO933031L (no) 1993-10-22
NO316642B1 (no) 2004-03-22
SK282993B6 (sk) 2003-01-09
EP0927706A3 (en) 1999-12-29
GR3031624T3 (en) 2000-01-31
UY23528A1 (es) 1993-02-18
EP0573639A1 (en) 1993-12-15
SK282141B6 (sk) 2001-11-06
PT101159A (pt) 1994-02-28
CN1043988C (zh) 1999-07-07
NO933031D0 (no) 1993-08-25
SK91493A3 (en) 1994-01-12
BR9205672A (pt) 1994-08-02
NO933030L (no) 1993-10-22
DE69233396D1 (de) 2004-09-09
BR9205674A (pt) 1994-05-24
SK91593A3 (en) 1994-01-12
AR248263A1 (es) 1995-07-12
ATE186039T1 (de) 1999-11-15
USRE41799E1 (en) 2010-10-05
MX9207592A (es) 1994-06-30
HU9302411D0 (en) 1994-03-28
NO316641B1 (no) 2004-03-22
JPH06505696A (ja) 1994-06-30
CZ286854B6 (cs) 2000-07-12
US5401305A (en) 1995-03-28
CN1074890A (zh) 1993-08-04
CZ286855B6 (cs) 2000-07-12
RU2091340C1 (ru) 1997-09-27
CZ173493A3 (en) 1994-05-18
MY110355A (en) 1998-04-30
JP3485918B2 (ja) 2004-01-13
DK0927706T3 (da) 2004-12-06
EP0573640A1 (en) 1993-12-15
JPH06505695A (ja) 1994-06-30
CZ173393A3 (en) 1994-05-18
KR100238920B1 (ko) 2000-01-15
KR100243801B1 (ko) 2000-03-02
HU9302412D0 (en) 1993-12-28
PL169649B1 (pl) 1996-08-30
EP0573639A4 (en) 1995-01-04
ATE272582T1 (de) 2004-08-15
CA2104590C (en) 2007-05-08
ES2137984T3 (es) 2000-01-01
MX9207591A (es) 1994-06-30
HU9302413D0 (en) 1994-03-28
CN1041814C (zh) 1999-01-27
NO933029D0 (no) 1993-08-25
WO1993013393A1 (en) 1993-07-08
EP0582691A1 (en) 1994-02-16
HUT67686A (en) 1995-04-28
RU2102347C1 (ru) 1998-01-20
EP0582691A4 (en) 1995-01-04
EP0573640A4 (en) 1995-01-04
UY23526A1 (es) 1993-02-18
KR930703087A (ko) 1993-11-29
DE69233396T2 (de) 2005-01-13
EP0927706A2 (en) 1999-07-07
CZ289572B6 (cs) 2002-02-13
JP3485919B2 (ja) 2004-01-13
HUT67335A (en) 1995-03-28
UY23527A1 (es) 1993-02-18
WO1993012934A1 (en) 1993-07-08
KR100238740B1 (ko) 2000-01-15
PT101161B (pt) 1999-09-30
JPH06505957A (ja) 1994-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
HU214047B (en) Coating composition for glass
EP0627391B1 (en) Neutral, low emissivity coated glass articles and method for making
RU2118302C1 (ru) Способ получения покрытия на стеклянной подложке (варианты)

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Lapse of definitive patent protection due to non-payment of fees