CN207966623U - 线圈内置部件 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及线圈内置部件。线圈内置部件(1)在层叠基体(5)内具有第一线圈元件(10)和第二线圈元件(20)。第一线圈元件(10)由包括线圈图案(p4、p5)的第一线圈部分(11)和包括线圈图案(p1)的第二线圈部分(12)构成，第二线圈元件(20)由包括线圈图案(p2、p3)的第三线圈部分(23)构成。第三线圈部分(23)被设置在第一线圈部分(11)与第二线圈部分(12)之间。在第一线圈部分(11)的线圈图案(p4、p5)之间、第三线圈部分(23)的线圈图案(p2、p3)之间设置磁性体层(30)。在第一线圈部分(11)与第三线圈部分(23)之间、第二线圈部分(12)与第三线圈部分(23)之间设置与磁性体层(30)相比导磁率较低的中间层(40)。

Description

线圈内置部件

技术领域

本实用新型涉及线圈内置部件，特别是涉及内置两个线圈元件的层叠型的线圈内置部件。

背景技术

以往已知一种在多层基板内形成有两个线圈元件的线圈内置部件(例如参照专利文献1)。

专利文献1所示的线圈内置部件如图1所示具有层叠多个磁性体层而成的层叠基体105、被设置在层叠基体105内的第一线圈元件110、以及第二线圈元件120。第一线圈元件110和第二线圈元件120构成为在层叠方向的上下分开配置，并经由磁场而耦合。在层叠方向上相邻的第一线圈元件110的线圈图案和第二线圈元件120的线圈图案之间设置有非磁性体部140。

专利文献1:日本特开2015－73052号公报

然而，在专利文献1所示的线圈内置部件101中，如图1所示，形成沿着第一线圈元件110和第二线圈元件120的卷绕轴的磁通，即交链两线圈元件110、120的主循环m1，除此以外还形成环绕线圈图案p的线路的周围的副循环m2。由于该副循环m2无助于第一线圈元件110与第二线圈元件120的磁场耦合，所以在容易形成副循环m2的线圈内置部件中，提高耦合度存在极限。即，如线圈内置部件101那样，在上下分开配置第一线圈元件110和第二线圈元件120的结构中，较难增大两个线圈元件的耦合度。

实用新型内容

因此，本实用新型的目的在于提供能够提高两个线圈元件的耦合度的线圈内置部件。

为了实现上述目的，本实用新型的一方式所涉及的线圈内置部件是具有层叠多个基材层而成的层叠基体、和在上述层叠基体内被设置成各线圈面在层叠方向上对置的第一线圈元件以及第二线圈元件的线圈内置部件，上述第一线圈元件至少由第一线圈部分和第二线圈部分构成，上述第一线圈部分包括在上述层叠方向上相互相邻的两层以上的线圈图案，上述第二线圈部分包括一层以上的线圈图案，上述第二线圈元件至少由第三线圈部分构成，上述第三线圈部分包括在上述层叠方向上相互相邻的两层以上的线圈图案，上述第三线圈部分被设置在上述第一线圈部分与上述第二线圈部分之间，在上述第一线圈部分所包括的两层以上的线圈图案之间、以及上述第三线圈部分所包括的两层以上的线圈图案之间的至少一方设置有磁性体层，在上述第一线圈部分与上述第三线圈部分之间、以及上述第二线圈部分与上述第三线圈部分之间的至少一方设置有与上述磁性体层相比导磁率较低的中间层。

通过这样将构成第二线圈元件的第三线圈部分设置在构成第一线圈元件的第一线圈部分与第二线圈部分之间，并在第一线圈部分与第三线圈部分之间、以及第二线圈部分与第三线圈部分之间的至少一方设置导磁率较低的中间层，能够抑制在线圈图案中形成副循环。结果能够提高第一线圈元件与第二线圈元件的耦合度。另外，由于能够提高第一线圈元件与第二线圈元件的耦合度，所以能够在层叠基体内改变设置中间层的位置、数量，较宽地调整耦合度。

另外，上述第二线圈部分可以被设置在上述第一线圈元件以及上述第二线圈元件中的上述层叠方向上的最下层或者最上层，上述第二线圈部分由一层线圈图案构成。

由此，能够减少远离中间层而位于的最下层或者最上层的线圈图案的数量，进一步抑制在线圈图案中形成副循环。因此，即使是线圈图案的层数较少、低高度化(小型化)的线圈内置部件，也能够提高第一线圈元件与第二线圈元件的耦合度。

另外，进一步上述第二线圈元件可以至少由上述第三线圈部分、和包括一层以上的线圈图案的第四线圈部分构成，上述第一线圈部分被设置在上述第三线圈部分与上述第四线圈部分之间，在上述第一线圈部分与上述第四线圈部分之间设置有与上述磁性体层相比导磁率较低的中间层。

通过这样将第一线圈部分设置在第三线圈部分与第四线圈部分之间，并在第一线圈部分与第四线圈部分之间还设置导磁率较低的中间层，能够减少远离中间层而位于的线圈图案的数量。由此，能够抑制在线圈图案中形成副循环，进一步提高第一线圈元件与第二线圈元件的耦合度。

另外，上述第四线圈部分可以被设置在上述第一线圈元件以及上述第二线圈元件中的上述层叠基体的上述层叠方向上的最下层或者最上层，上述第四线圈部分由一层线圈图案构成。

由此，能够减少远离中间层而位于最下层或者最上层的线圈图案的数量，进一步抑制在线圈图案中形成副循环。因此，即使是线圈图案的层数较少、低高度化的线圈内置部件，也能够提高第一线圈元件与第二线圈元件的耦合度。

另外，上述第一线圈部分以及上述第三线圈部分可以分别由两层线圈图案构成。

由此，能够抑制在第一线圈部分以及第三线圈部分中形成副循环。因此，即使是线圈图案的层数较少、低高度化的线圈内置部件，也能够提高第一线圈元件与第二线圈元件的耦合度。

另外，上述中间层也可以分别被设置在上述层叠方向上相邻的上述第一线圈元件所包括的线圈图案与上述第二线圈元件所包括的线圈图案之间。

由此，能够抑制在线圈图案中形成副循环，提高第一线圈元件与第二线圈元件的耦合度。

另外，上述中间层可以被设置在上述层叠方向上相邻的上述第一线圈元件所包括的线圈图案与上述第二线圈元件所包括的线圈图案之间的与上述层叠基体的上述线圈面平行的全部区域。

由此，能够在层叠基体内容易地形成导磁率较低的中间层。

另外，上述中间层可以仅被设置在上述层叠方向上相邻的上述第一线圈元件所包括的线圈图案和上述第二线圈元件所包括的线圈图案对置的区域。

由此，抑制在线圈图案中形成副循环，并且沿着第一线圈元件和第二线圈元件的卷绕轴所形成的磁通(主循环)不会被中间层妨碍，能够进一步提高第一线圈元件与第二线圈元件的耦合度。

另外，上述线圈内置部件可以具备多个上述中间层，多个上述中间层中的至少一个上述中间层的厚度与其它上述中间层的厚度不同。

由此，能够提供可以改变中间层的导磁率且高精度地调整第一线圈元件与第二线圈元件的耦合度的线圈内置部件。

根据本实用新型，能够增大内置在线圈内置部件中的两个线圈元件的耦合度。

附图说明

图1是以往技术中的线圈内置部件的剖面的示意图。

图2是实施方式1所涉及的线圈内置部件的剖面的示意图。

图3是实施方式1所涉及的线圈内置部件的等效电路。

图4是实施方式1的变形例1中的线圈内置部件的剖面的示意图。

图5是实施方式1的变形例2中的线圈内置部件的剖面的示意图。

图6是实施方式1的变形例3中的线圈内置部件的剖面的示意图。

图7是实施方式1的变形例4中的线圈内置部件的剖面的示意图。

图8是实施方式2所涉及的线圈内置部件的剖面的示意图。

图9是表示构成图8所示的线圈内置部件的基材层、和形成在基材层上的线圈图案的图，(a)～(k)是从下面侧观察基材层和线圈图案的图。

具体实施方式

以下，使用附图，详细地对本实用新型的实施方式进行说明。此外，以下所说明的实施方式均是表示总体或具体的例子的方式。在以下的实施方式所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置以及连接方式、制造工序以及制造工序的顺序等仅为一例，并非意在限定本实用新型。另外，在以下实施方式的构成要素中，对于独立权利要求没有记载的构成要素，作为任意的构成要素进行说明。另外，附图所示的构成要素的大小或者大小之比不必严格。

(实施方式1)

本实施方式所涉及的线圈内置部件是内置两个线圈元件的层叠型的线圈内置部件。该线圈内置部件并不限于共模扼流圈、变压器、耦合器、平衡-不平衡变压器等那样的双电感器，也可以是内置在多相用DC－DC转换器的扼流圈等多层电路部件中的形态。在本实施方式中，作为线圈内置部件，列举双电感器的例子来进行说明。

图2是本实施方式所涉及的线圈内置部件1的剖面的示意图，图3是本实施方式所涉及的线圈内置部件1的等效电路。以下，为了简明，以相同的模样表示同种构成要素，适当地省略附图标记，另外，为了严格，有时在同一附图内示出处于不同剖面的构成要素来进行说明。

线圈内置部件1如图2所示，具有通过层叠多个基材层而形成的层叠基体5、以各线圈面与层叠方向对置的方式被设置在层叠基体5内的第一线圈元件10、以及第二线圈元件20。

多个基材层由磁性体材料构成的磁性体层30(30a、30b、30c、30d)、和与比磁性体层30相比导磁率较低的中间层40(40a、40b、40c)构成。具体而言，由比导磁率比磁性体层30的材料低的材料构成的中间层40来构成。

第一线圈元件10和第二线圈元件20相互的卷绕轴(线圈轴)一致，经由磁场耦合(参照图3)。使用作为面内导体(in-plane conductor)的多个线圈图案p(p1、p2、p3、p4、p5、p6)中的一部分来分别形成这些线圈元件10、20。此外，本实施方式中的线圈图案p由不足1匝的线圈图案构成。

第一线圈元件10由在层叠方向上相互相邻的两层的线圈图案p4、包括p5的第一线圈部分11、和与第一线圈部分11的线圈对置的包括其它线圈图案p1的第二线圈部分12构成。此外，此处所说的“线圈部分”意味线圈元件的一部分的结构。例如第一线圈元件10并不限于第一线圈部分11以及第二线圈部分12，还可以具有其它线圈部分。

第二线圈元件20由在层叠方向上相互相邻的两层的线圈图案p2、包括p3的第三线圈部分23、和与第三线圈部分23的线圈对置的包括其它线圈图案p6的第四线圈部分24构成。

第二线圈元件20的第三线圈部分23被设置在第一线圈部分11与第二线圈部分12之间。另一方面，第一线圈元件10的第一线圈部分11被设置在第三线圈部分23与第四线圈部分24之间。即，第一线圈元件10的线圈图案p1、p4、p5和第二线圈元件20的线圈图案p2、p3、p6在层叠方向上一部分相互不同。

另外，第一线圈元件10的第二线圈部分12是一层线圈图案p1，被设置在第一线圈元件10以及第二线圈元件20中的、层叠方向上的最上层。第二线圈元件20的第四线圈部分24是一层线圈图案p6，被设置在第一线圈元件10以及第二线圈元件20中的、层叠方向上的最下层。根据该结构，在远离中间层40a、40c的位置上没有设置线圈图案p1、p6。即，成为位于最上层的线圈图案p1与中间层40a接近，位于最下层的线圈图案p6与中间层40c接近的结构。

作为第一线圈元件10以及第二线圈元件20的线圈图案p的材料，例如使用以银为主成分的金属或者合金。可以对线圈图案p例如实施镍、钯或者金的镀敷。

此外，本实施方式所涉及的线圈内置部件1具有将各线圈图案p在层叠方向上连接的层间导体(通孔导体)、使各线圈元件10、20与外部的安装基板等电连接的外部端子等，但在图2中省略它们的图示。

磁性体层30被设置在第一线圈部分11所包括的两层的线圈图案p4、p5之间、以及第三线圈部分23所包括两层的线圈图案p2、p3之间。另外，磁性体层30也设置在层叠基体5的两最外层。

作为磁性体层30的材料，例如使用磁性铁氧体陶瓷。具体而言，使用以氧化铁为主成分，并包括锌、镍以及铜中的至少一个以上的铁氧体。

中间层(与磁性体层相比导磁率低的层)40分别被设置在层叠方向上相邻的第一线圈元件10所包括的线圈图案p与第二线圈元件20所包括的线圈图案p之间。具体而言，被设置在第一线圈部分11与第三线圈部分23之间、第二线圈部分12与第三线圈部分23之间、以及第一线圈部分11与第四线圈部分24之间。

另外，中间层40被设置在层叠方向上相邻的第一线圈元件10所包括的线圈图案p与第二线圈元件20所包括的线圈图案p之间的与层叠基体5的线圈面平行的全部区域中。

作为中间层40的材料，例如使用以非磁性铁氧体陶瓷、氧化铝以及玻璃为主成分的绝缘性玻璃陶瓷。此外，该中间层40有时也被称为非磁性体层。

接下来，对线圈内置部件1的制造工序进行说明。

首先，准备成为基地基材的各层的陶瓷生片。具体而言，通过对包括磁性体陶瓷粉末的浆料进行片成形来准备磁性体层用陶瓷生片，通过对包括非磁性体陶瓷粉末的浆料进行片成形来准备中间层用陶瓷生片。

接下来，在规定的陶瓷生片中形成多个贯通孔，在该贯通孔内填充导体膏来形成多个通孔导体，并且在主面上印刷导体膏来形成多个线圈图案p。例如通过激光加工来形成贯通孔，例如通过包括Ag粉末的导体膏的丝网印刷对线圈图案p进行图案化。

接着，将配置有导体膏的多个陶瓷生片层叠、压焊后，切割来进行单片化，之后一并进行烧制。通过该烧制，各生片中的磁性体陶瓷粉末、非磁性体陶瓷粉末烧结，并且导体膏中的Ag粉末烧结。

磁性体陶瓷以及非磁性体陶瓷是所谓的LTCC陶瓷(Low Temperature Co-firedCeramics：低温共烧陶瓷)，其烧制温度为银的熔点以下，能够使用银作为线圈图案p或通孔导体的材料。通过使用电阻率低的银来构成线圈元件10、20，能够制成损失较少的线圈内置部件1。

另外，如上述那样通过使用层叠陶瓷生片来制成层叠基体5的片层叠工法，能够容易地将中间层40形成在与层叠基体5的线圈面平行的全部区域。

在本实施方式所涉及的线圈内置部件1中，由于将构成第二线圈元件20的第三线圈部分23设置在构成第一线圈元件10的第一线圈部分11与第二线圈部分12之间，还将构成第一线圈元件10的第一线圈部分11设置在构成第二线圈元件20的第三线圈部分23与第四线圈部分24之间，在第一线圈部分11与第三线圈部分23之间、第二线圈部分12与第三线圈部分23之间、以及第一线圈部分11与第四线圈部分24之间设置导磁率较低的中间层40，所以能够抑制在线圈图案中形成副循环。结果能够提高第一线圈元件10与第二线圈元件20的耦合度。

另外，在由一层线圈图案p构成被设置在第一线圈元件10以及第二线圈元件20中的、最下层或者最上层的线圈部分12或者24的情况下，能够减少远离中间层40而位于的线圈图案的数量。因此，即使是线圈图案的层数少、低高度化(小型化)的线圈内置部件，也能够提高第一线圈元件10与第二线圈元件20的耦合度。

另外，假设在第一线圈部分或第三线圈部分是3层以上的线圈图案的情况下，也有时在位于上下两端之间的线圈图案中形成副循环，但如本实施方式所示，在第一线圈部分11以及第三线圈部分23分别由两层的线圈图案p构成的情况下，能够抑制在第一线圈部分11以及第三线圈部分23中形成副循环。因此，即使是线圈图案的层数较少、低高度化(小型化)的线圈内置部件，也能够提高第一线圈元件10与第二线圈元件20的耦合度。

此处，对有关实施方式1的线圈内置部件1的变形例进行说明。

图4是实施方式1的变形例1中的线圈内置部件1A的剖面的示意图，图5是实施方式1的变形例2中的线圈内置部件1B的剖面的示意图。在前述的线圈内置部件1中，在层叠方向上相邻的第一线圈元件10所包括的线圈图案p与第二线圈元件20所包括的线圈图案p之间的全部设置了中间层40，但未必需要在全部之间设置。

例如可以如图4的变形例1所示的线圈内置部件1A那样，将中间层40(40a、40b)设置在第一线圈部分11与第三线圈部分23之间、以及第二线圈部分12与第三线圈部分23之间。

根据该结构，与以往技术相比，能够减少远离中间层40而位于的线圈图案p的数量。结果能够抑制线圈图案的线路的周围所形成的磁通(副循环)，并提高第一线圈元件10与第二线圈元件20的耦合度。

另外，也可以如图5的变形例2所示的线圈内置部件1B那样，将中间层40(40b)仅设置在第一线圈部分11与第三线圈部分23之间。另外，虽然未进行图示，但也可以将中间层40仅设置在第二线圈部分12与第三线圈部分23之间。

即使是该结构，也能够抑制无助于耦合度的提高的磁通的产生，并提高第一线圈元件10与第二线圈元件20的耦合度。另外，通过适当地设定在层叠基体5内设置中间层40的位置，能够获得所希望的耦合度。

图6是实施方式1的变形例3中的线圈内置部件1C的剖面的示意图。在变形例3所示的线圈内置部件1C中，多个中间层40中的至少一个中间层40的厚度与其它中间层40的厚度不同。具体而言，使位于层叠基体5的层叠方向的中央的中间层40b的厚度比其它中间层40a、40c的厚度厚。此外，虽然未进行图示，但也可以使其它中间层40a、40c的厚度厚或薄。

根据该结构，由于能够控制各线圈的磁耦合度，所以能够提供高精度地调整了第一线圈元件10与第二线圈元件20的耦合度的线圈内置部件。

图7是实施方式1的变形例4中的线圈内置部件1D的剖面的示意图。

在变形例4所示的线圈内置部件1D中，未将中间层40设置在与层叠基体5的线圈面平行的全部区域而设置在一部分的区域。具体而言，中间层40以与线圈图案p同样的图案形状形成，并仅设置在层叠方向上相邻的第一线圈元件10所包括的线圈图案p和第二线圈元件20所包括的线圈图案p对置的区域。即，各线圈元件10、20的径向的内侧以及外侧由磁性体材料形成。

根据该结构，抑制在线圈图案中形成副循环，并且沿着第一线圈元件10和第二线圈元件20的卷绕轴的磁通，即交链两线圈元件10、20的主循环不会被中间层40妨碍，能够进一步提高第一线圈元件10和第二线圈元件20的耦合度。

如以上也包括变形例所说明那样，由于在本实施方式所涉及的线圈内置部件1、1A、1B、1C、1D中，将构成第二线圈元件20的第三线圈部分23设置在构成第一线圈元件10的第一线圈部分11与第二线圈部分12之间，在第一线圈部分11与第三线圈部分23之间、以及第二线圈部分12与第三线圈部分23之间的至少一方设置导磁率较低的中间层40，所以能够抑制在线圈图案中形成副循环。结果能够提高第一线圈元件10和第二线圈元件20的耦合度。

即，如以往技术所示的线圈内置部件那样，将第一线圈元件和第二线圈元件分为上下来配置的结构中，增大两个线圈元件的耦合度存在极限，但如本实施方式所示，通过相互不同地配置第一线圈元件10和第二线圈元件20，再使导磁率较低的中间层40进入所希望的位置，抑制所希望的位置上的副循环，能够提供耦合度较高的线圈内置部件1。

另外，由于能够提高第一线圈元件10与第二线圈元件20的耦合度，所以能够在层叠基体5内改变设置中间层40的位置、数量，较宽地调整耦合度。即，能够扩大耦合度的设计范围。

另外，通过在构成第一线圈元件10的第一线圈部分11的线圈图案p4、p5间、以及构成第二线圈元件20的第三线圈部分23的线圈图案p2、p3间的至少一方设置磁性体层30(30b、30c)，能够增大第一线圈部分11以及第三线圈部分23的至少一方的电感值。因此，能够增大第一线圈元件10以及第二线圈元件20的至少一方的电感值。

(实施方式2)

接下来，对实施方式2所涉及的线圈内置部件进行说明。

图8是实施方式2所涉及的线圈内置部件2的剖面的示意图。图9是表示构成图8所示的线圈内置部件2的基材层a～k、和形成在基材层a～k的线圈图案p(p1～p8)的图。

如图8所示，线圈内置部件2具有通过层叠多个基材层a～k而形成的层叠基体5、在层叠基体5内被设置成各线圈面在层叠方向上对置的第一线圈元件10以及第二线圈元件20。

多个基材层a～k通过由磁性体材料构成的磁性体层30(30a～30g)、和与磁性体层30的材料相比导磁率较低的材料构成的中间层40(40a～40d)来构成。

第一线圈元件10和第二线圈元件20相互的卷绕轴(线圈轴)一致，并构成为经由磁场耦合。这些线圈元件10、20的线圈图案p呈螺旋状的形状，例如被用作高频用的线圈。

第一线圈元件10由包括在层叠方向上相互相邻的两层线圈图案p4、p5的第一线圈部分11、与第一线圈部分11的线圈对置的包括线圈图案p1的第二线圈部分12、和与第一线圈部分11的线圈对置并包括被设置在第二线圈部分12的相反侧的线圈图案p8的第五线圈部分15构成。

第二线圈元件20由包括在层叠方向上相互相邻的两层线圈图案p2、p3的第三线圈部分23、和与第三线圈部分23的线圈对置的包括两层线圈图案p6、p7的第四线圈部分24构成。

第二线圈元件20的第三线圈部分23被设置在第一线圈部分11与第二线圈部分12之间。另外，第二线圈元件20的第四线圈部分24被设置在第一线圈部分11与第五线圈部分15之间。另一方面，第一线圈元件10的第一线圈部分11被设置在第三线圈部分23与第四线圈部分24之间。

另外，第一线圈元件10的第二线圈部分12是一层线圈图案p1，被设置在第一线圈元件10的层叠方向上的最上层。另外，第一线圈元件10的第五线圈部分15是一层线圈图案p8，被设置在第一线圈元件10的层叠方向上的最下层。

磁性体层30(30c、30d、30e)分别被设置在第三线圈部分23所包括的两层线圈图案p2、p3之间、第一线圈部分11所包括的两层线圈图案p4、p5之间、第四线圈部分24所包括的两层的线圈图案p6、p7之间。另外，磁性体层30也设置在层叠基体5的两最外层。

中间层(与磁性体层30相比导磁率较低的层)40被设置在层叠方向上相邻的第一线圈元件10所包括的线圈图案p与第二线圈元件20所包括的线圈图案p之间的各4处。具体而言，被设置在第一线圈部分11与第三线圈部分23之间、第二线圈部分12与第三线圈部分23之间、第一线圈部分11与第四线圈部分24之间、以及第四线圈部分24与第五线圈部分15之间。

另外，中间层40被设置在层叠方向上相邻的第一线圈元件10所包括的线圈图案p与第二线圈元件20所包括的线圈图案p之间的与层叠基体5的线圈面平行的全部区域。

接下来，参照图9，对构成线圈内置部件2的基材层a～k进行说明。此外，图9的(a)～(k)是从下面侧观察基材层a～k、线圈图案p1～p8的图。在层叠各基材层a～k时，在使基材层a～k的下表面朝下的状态下，按照(a)～(k)的顺序层叠。

图9的(a)所示的基材层a是磁性体层30g。该磁性体层30g是层叠基体5的下侧的最外层。在磁性体层30g中，在其底面侧形成有矩形状的4个外部端子50。在4个外部端子50上分别连接有通孔导体。此外，通孔导体在(a)～(i)中以圆形状示出。

图9的(b)所示的基材层b是磁性体层30f。在该磁性体层30f中，4个通孔导体形成为与图9的(a)所示的通孔导体连接。

图9的(c)所示的基材层c是中间层40d。在该中间层40d中形成有成为第一线圈元件10的第五线圈部分15的线圈图案p8。

图9的(d)所示的基材层d是磁性体层30e。在该磁性体层30e中形成有第二线圈元件20的第四线圈部分24中的下侧的线圈图案p7。

图9的(e)所示的基材层e是中间层40c。在该中间层40c中形成有第四线圈部分24中的上侧的线圈图案p6。

图9的(f)所示的基材层f是磁性体层30d。在该磁性体层30d中形成有第一线圈元件10的第一线圈部分11中的下侧的线圈图案p5。

图9的(g)所示的基材层g是中间层40b。在该中间层40b中形成有第一线圈部分11中的上侧的线圈图案p4。

图9的(h)所示的基材层h是磁性体层30c。在该磁性体层30c中形成有第二线圈元件20的第三线圈部分23中的下侧的线圈图案p3。

图9的(i)所示的基材层i是中间层40a。在该中间层40a中形成有第三线圈部分23中的上侧的线圈图案p2。

图9的(j)所示的基材层j是磁性体层30b。在该磁性体层30b中形成有成为第一线圈元件10的第二线圈部分12的线圈图案p1。

图9的(k)所示的基材层k是磁性体层30a。该磁性体层30a是层叠基体5的上侧的最外层。

而且，依次层叠这些的基材层a～k，进行冲压后，进行脱脂以及烧制来制成线圈内置部件2。

在实施方式2所示的线圈内置部件2中，也能够获得与实施方式1所示的线圈内置部件1的效果同样的效果。即，能够减少远离中间层40而位于的线圈图案的数量，并能够抑制在线圈图案中形成副循环，提高第一线圈元件10与第二线圈元件20的耦合度。例如在以往技术的线圈内置部件中，两线圈元件的耦合系数K为0.7左右，但在本实施方式的线圈内置部件中，能够使两线圈元件的耦合系数K为0.8以上。

以上，对本实用新型的实施方式以及其变形例所涉及的线圈内置部件进行了说明，但本实用新型并不限于各个实施方式以及其变形例。只要不脱离本实用新型的主旨，将本领域技术人员想到的各种变形实施到本实施方式以及其实施例、组合不同的实施方式以及其变形例中的结构要素而构建的方式也可以包括在本发明的一个或者多个方式的范围内。

例如在图3所示的等效电路中，示出4个端子作为引出端子，但可以在线圈内置部件中将输出侧的两个端子接线来作为一个端子。另外，线圈内置部件的层叠方向也可以上下相反。另外，线圈内置部件的线圈图案可以是一圈，也可以是半圈，还可以是螺旋状。另外，也可以将中间层设置成磁性体层和中间层在层叠方向上对称。通过将中间层设置成在层叠方向上对称，能够减小烧制时的层叠基体的变形。

工业上的利用可能性

本实用新型的线圈内置部件能够以共模扼流圈、变压器、耦合器、平衡-不平衡变压器等双电感器、内置在多相用DC－DC转换器的扼流圈等多层电路部件的形态广泛利用。

附图标记说明

1、1A、1B、1C、1D、2…线圈内置部件；

5…层叠基体；

10…第一线圈元件；

11…第一线圈部分；

12…第二线圈部分；

15…第五线圈部分；

20…第二线圈元件；

23…第三线圈部分；

24…第四线圈部分；

30、30a、30b、30c、30d、30e、30f、30g…磁性体层；

40、40a、40b、40c、40d…中间层(与磁性体层相比导磁率低的层)；

A、b、c、d、e、f、g、h、i、j、k…基材层；

p、p1、p2、p3、p4、p5、p6、p7、p8…线圈图案。

Claims (10)

1.一种线圈内置部件，具有层叠多个基材层而成的层叠基体、和在上述层叠基体内被设置成各线圈面在层叠方向上对置的第一线圈元件以及第二线圈元件，其中，

上述第一线圈元件至少由第一线圈部分和第二线圈部分构成，上述第一线圈部分包括在上述层叠方向上相互相邻的两层以上的线圈图案，上述第二线圈部分包括一层以上的线圈图案，

上述第二线圈元件至少由第三线圈部分构成，上述第三线圈部分包括在上述层叠方向上相互相邻的两层以上的线圈图案，

上述第三线圈部分被设置在上述第一线圈部分与上述第二线圈部分之间，

在上述第一线圈部分所包括的两层以上的线圈图案之间、以及上述第三线圈部分所包括的两层以上的线圈图案之间的至少一方设置有磁性体层，

在上述第一线圈部分与上述第三线圈部分之间、以及上述第二线圈部分与上述第三线圈部分之间的至少一方设置有与上述磁性体层相比导磁率较低的中间层。

2.根据权利要求1所述的线圈内置部件，其中，

上述第二线圈部分被设置在上述第一线圈元件以及上述第二线圈元件中的上述层叠方向上的最下层或者最上层，上述第二线圈部分由一层线圈图案构成。

3.根据权利要求1或者2所述的线圈内置部件，其中，

上述第二线圈元件至少由上述第三线圈部分、和包括一层以上的线圈图案的第四线圈部分构成，

上述第一线圈部分被设置在上述第三线圈部分与上述第四线圈部分之间，

在上述第一线圈部分与上述第四线圈部分之间设置有与上述磁性体层相比导磁率较低的中间层。

4.根据权利要求3所述的线圈内置部件，其中，

上述第四线圈部分被设置在上述第一线圈元件以及上述第二线圈元件中的上述层叠基体的上述层叠方向上的最下层或者最上层，上述第四线圈部分由一层线圈图案构成。

5.根据权利要求1或者2所述的线圈内置部件，其中，

上述第一线圈部分以及上述第三线圈部分分别由两层线圈图案构成。

6.根据权利要求1或者2所述的线圈内置部件，其中，

上述中间层分别被设置在上述层叠方向上相邻的上述第一线圈元件所包括的线圈图案与上述第二线圈元件所包括的线圈图案之间。

7.根据权利要求1或者2所述的线圈内置部件，其中，

上述中间层被设置在上述层叠方向上相邻的上述第一线圈元件所包括的线圈图案与上述第二线圈元件所包括的线圈图案之间的与上述层叠基体的上述线圈面平行的全部区域。

8.根据权利要求1或者2所述的线圈内置部件，其中，

上述中间层仅被设置在上述层叠方向上相邻的上述第一线圈元件所包括的线圈图案和上述第二线圈元件所包括的线圈图案对置的区域。

9.根据权利要求1或者2所述的线圈内置部件，其中，

上述线圈内置部件具备多个上述中间层，

多个上述中间层中的至少一个上述中间层的厚度与其它上述中间层的厚度不同。

10.根据权利要求1或者2所述的线圈内置部件，其中，

在上述第一线圈部分所包括的在上述层叠方向上相互相邻的两层以上的线圈图案之间、以及上述第三线圈部分所包括的在上述层叠方向上相互相邻的两层以上的线圈图案之间全设置有磁性体层，

在上述层叠方向上相互相邻的上述第一线圈部分与上述第三线圈部分之间、以及在上述层叠方向上相互相邻的上述第二线圈部分与上述第三线圈部分之间全设置有与上述磁性体层相比透磁率较低的中间层。