JP2009081189A - 積層型電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】高周波帯域におけるノイズ成分の減衰特性を向上させることが可能であると共に、デラミネーションといった不具合発生の可能性を低減することが可能な積層型電子部品を提供する。
【解決手段】積層型電子部品Ｌ１は、直方体形状の素体１と素体１内に配されたコイル導体１０〜１６とからなるインダクタ部を備えている。素体１は積層体であって、複数の磁性体部４と、複数の非磁性体部５とで構成される。非磁性体部５の内部には、コイル導体１１，１３，１５，１６が配されている。磁性体部４はフェライトを含み、非磁性体部５は、ＺｎＯと、線膨張係数がＺｎＯよりも大きく比誘電率が磁性体部よりも低い金属酸化物と、を含んでいる。
【選択図】図２

Description

本発明は、インダクタ部を備える積層型電子部品に関する。

積層型電子部品の一種としての積層型のコモンモードチョークコイル（コモンモードフィルタ）の中には、インダクタ部を構成するコイル導体回りを形成する非磁性体にＣｕ−Ｚｎ系フェライトを用いるものがある。非磁性体としてＣｕ−Ｚｎ系フェライトを用いると、比誘電率が１４〜１６と比較的高い値になり、高周波帯域におけるノイズ成分の減衰特性が不十分であるという問題がある。この問題に対して、上記非磁性体としてセラミックやガラスを用いることが提案されている（下記特許文献１参照）。
特開２００２−２７０４５１号公報

ところで、上記非磁性体として用いるセラミックは、いかなる種類のセラミックでも好適であるというわけではない。例えば、ある種のセラミックを用いると、必要とされる程度にはデファレンシャルモード特性が高周波帯域まで伸びない場合もある。また、ある種のセラミックを用いると、磁性体層と非磁性体層との間にいわゆるデラミネーションが発生する場合もある。

そこで本発明では、高周波帯域におけるノイズ成分の減衰特性を向上させることが可能であると共に、デラミネーションといった不具合発生の可能性を低減することが可能な積層型電子部品を提供することを目的とする。

本発明に係る積層型電子部品は、インダクタ部を備えた積層型電子部品であって、インダクタ部が、磁性体部と、磁性体部に積層された非磁性体部と、非磁性体部の内部に配されたコイル導体と、を有し、非磁性体部が、ＺｎＯと、線膨張係数がＺｎＯよりも大きく比誘電率が磁性体部よりも低い金属酸化物と、を含むことを特徴とする。

本発明によれば、非磁性体部がＺｎＯを含むことによって、非磁性体部から磁性体部にＺｎ成分が拡散される。Ｚｎ成分の拡散により磁性体部と非磁性体部とのなじみがよくなり、これらの間における接合性が向上する。ただし、ＺｎＯはその線膨張係数が小さいことから、ＺｎＯを単独で非磁性体部に含めた場合には、クラック等が発生してしまうおそれがある。そこで本発明では、ＺｎＯよりも大きな線膨張係数を有する金属酸化物を非磁性体部に含めることで、クラック等の発生を抑止している。非磁性体部と磁性体部との接合性が向上し且つクラック等が生じにくくなるため、デラミネーションが発生する可能性が低減された積層型電子部品を提供することができる。

また、ＺｎＯは比誘電率が小さいため、コイル導体の浮遊容量を低減することができる。その結果、高周波帯域におけるノイズ成分の減衰特性を向上させることが可能となる。ただし、非磁性体部に含める金属酸化物によっては、ＺｎＯによる比誘電率低下の効果がかかる金属酸化物で打ち消されてしまい、非磁性体部の比誘電率が高くなってしまうおそれがある。そこで本発明では、比誘電率が磁性体部よりも低い金属酸化物を用いることにより、非磁性体部の比誘電率を低く維持できるようにしている。

また、本発明の積層型電子部品は、磁性体部がフェライトを含み、金属酸化物が、ＮｉＯ、ＭｇＯ、及びＣａＯの少なくとも何れか一つを含むことが好ましい。ＮｉＯ、ＭｇＯ、及びＣａＯは、フェライトに容易に拡散する。このような金属酸化物を非磁性体部に含めた場合には、金属酸化物が非磁性体部から磁性体部内に拡散され、これによって非磁性体部と磁性体部との接合強度が増すことになる。よって、デラミネーションの発生をより低減することができる。

また、本発明の積層型電子部品は、非磁性体部が、Ｂｉ_２Ｏ_３及びホウ珪酸ガラスの少なくとも何れか一方を含むことが好ましい。Ｂｉ_２Ｏ_３やホウ珪酸ガラスを含めることによって非磁性体部を低温で焼結することが可能となり、製品毎の焼結性のばらつきが抑えることができる。

また、本発明の積層型電子部品は、インダクタ部が、磁性体部とは異なる他の磁性体部を更に有し、当該他の磁性体部は、磁性体部とで非磁性体部を挟むように配置されることが好ましい。この場合、非磁性体部内に配されたコイル導体は、磁性体部と磁性体部との間に位置することとなる。したがって、コイルの磁気結合が向上されることとなり、より高周波の領域において高いインピーダンスが得られ、ノイズ成分の減衰特性を向上させることができる。

また、本発明の積層型電子部品は、インダクタ部が、コイル導体を複数有するコモンモードチョークコイルであることが好ましい。この場合、高周波帯域におけるノイズ成分の減衰特性を向上させることが可能であると共に、デラミネーションといった不具合の発生を低減することが可能なコモンモードチョークコイルとして、積層型電子部品を提供することができる。

また、本発明の積層型電子部品は、電圧非直線特性を発現するバリスタ層と、当該バリスタ層を挟むように配された複数のバリスタ導体と、を有するバリスタ部を更に備えることが好ましい。この場合、バリスタ機能を更に備えた積層型電子部品を提供することができる。

また、本発明の積層型電子部品は、バリスタ層のうちバリスタ導体に挟まれた領域にはＣｕ成分が含まれないことが好ましい。バリスタ特性（電圧非直線特性）は、バリスタ層のバリスタ導体に挟まれた領域で発現する。この領域にＣｕ成分が含まれると、バリスタ特性が悪化し、所望のものとならない可能性が生じる。かかる領域にＣｕ成分を含まないとすることで、バリスタ特性の悪化を抑制することができる。

また、本発明の積層型電子部品は、インダクタ部とバリスタ部とは中間部を介して積層され、中間部は、インダクタ部及びバリスタ部とは異なる組成を有すると共にＣｕ成分を含有しないことが好ましい。インダクタ部とバリスタ部との間に、これらとは組成が異なる中間部を設けることにより、インダクタ部がバリスタ部から受ける影響、およびバリスタ部がインダクタ部から受ける影響を緩和することができる。また、この中間部はＣｕ成分を含有していないので、Ｃｕ成分が拡散されることによるバリスタ特性の悪化をより確実に抑制できる。

また、本発明の積層型電子部品は、絶縁体層と、絶縁体層を挟むように配された複数のコンデンサ電極と、を有するコンデンサ部を更に備え、インダクタ部とコンデンサ部とがＬＣフィルタとして機能することが好ましい。この場合、高周波帯域におけるノイズ成分の減衰特性を向上させることが可能であると共に、デラミネーションといった不具合の発生を低減することが可能なＬＣフィルタとして、積層型電子部品を提供することができる。

本発明によれば、高周波帯域におけるノイズ成分の減衰特性を向上させることが可能であると共に、デラミネーションといった不具合発生の可能性を低減することが可能な積層型電子部品を提供することができる。

本発明の知見は、例示のみのために示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解することができる。引き続いて、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。また、説明中、「上」及び「下」なる語を使用することがあるが、これは各図の上方向及び下方向に対応したものである。
（第１の実施形態）

図１は、第１の実施形態に係る積層型電子部品の斜視図である。図２は、第１の実施形態に係る積層型電子部品の断面構成を説明するための模式図である。図３は、第１の実施形態に係る積層型電子部品に含まれる素体の分解斜視図である。

本実施形態に係る積層型電子部品Ｌ１は、図１〜図３に示されるように、直方体形状の素体１と素体１内に配されたコイル導体１０〜１６とからなるインダクタ部と、素体１の側面に形成された端子電極２，３とを備えている。

素体１は積層体であって、図２，３に示すように、複数（本実施形態においては、４つ）の磁性体部４と、磁性体部４に積層された複数（本実施形態においては、３つ）の非磁性体部５とにより構成される。磁性体部４及び非磁性体部５は、非磁性体部５を磁性体部４と磁性体部４との間に挟むようにして積層されている。磁性体部４は、電気絶縁性を有する複数（本実施形態においては、１４層）の磁性体層１８ａ〜１８ｎからなっており、非磁性体部５は、電気絶縁性を有する複数（本実施形態においては、６層）の非磁性体層１９ａ〜１９ｆからなっている。磁性体層１８ａ〜１８ｎ及び非磁性体層１９ａ〜１９ｆは、グリーンシートが焼成されることにより構成される。実際の積層型電子部品Ｌ１において、これらの層は、各層の間において境界が視認できない程度に一体化されている。

コイル導体１０は、図３に示すように、導体パターンＣ１，Ｃ２が電気的に接続されることにより形成される。コイル導体１１，１３，１５，１６は、それぞれ導体パターンＣ３，Ｃ７，Ｃ１１，Ｃ１２により構成される。コイル導体１２は、導体パターンＣ４〜Ｃ６が電気的に接続されることにより形成される。コイル導体１４は、導体パターンＣ８〜Ｃ１０が電気的に接続されることにより形成される。なお、各コイル導体１１，１３，１５を構成する導体パターンＣ３，Ｃ７，Ｃ１１は、各コイル導体１０，１２，１４，１６をそれぞれ電気的に接続する接続導体として機能する。

導体パターンＣ１は、コイル導体１０の略１／２ターンに相当し、磁性体層１８ｂ上で略Ｌ字に形成されている。導体パターンＣ１の一端には、導出部Ｃ１ａが一体的に形成されている。導体パターンＣ１の導出部Ｃ１ａは、磁性体層１８ｂの縁に引き出され、素体１の側面に露出している。このため、導出部Ｃ１ａは、端子電極２に電気的に接続されることとなる。導体パターンＣ１の他端部には、磁性体層１８ｂを厚み方向に貫通するスルーホールＤ１が形成されている。導体パターンＣ１は、その他端部においてスルーホールＤ１に電気的に接続されている。このため、導体パターンＣ１は、積層された状態で、スルーホールＤ１を介して、対応する導体パターンＣ２と電気的に接続される。

導体パターンＣ２，Ｃ１２は、それぞれコイル導体１０，１６の略１ターンに相当し、各磁性体層１８ｃ，１８ｍ上でスパイラル状に巻回されている。各導体パターンＣ２，Ｃ１２の一端部は、積層された状態でスルーホール各Ｄ１，Ｄ１８と電気的に接続されている。各導体パターンＣ２，Ｃ１２の他端部には、各磁性体層１８ｃ，１８ｍを厚み方向に貫通するスルーホールＤ２，Ｄ１２が形成されている。このため、各導体パターンＣ２，Ｃ１２は、積層された状態で、スルーホールＤ２，Ｄ１２を介して、対応する各導体パターンＣ１３，Ｃ１９とそれぞれ電気的に接続される。

導体パターンＣ３，Ｃ７，Ｃ１１は、それぞれコイル導体１１，１３，１５の略１ターンに相当し、各非磁性体層１９ｂ，１９ｄ，１９ｆ上でスパイラル状に巻回されている。各導体パターンＣ３，Ｃ７，Ｃ１１の一端部は、積層された状態で各スルーホールＤ１３，Ｄ１５，Ｄ１７と電気的に接続されている。各導体パターンＣ３，Ｃ７，Ｃ１１の他端部には、各非磁性体層１９ｂ，１９ｄ，１９ｆを厚み方向に貫通する各スルーホールＤ３，Ｄ７，Ｄ１１が形成されている。このため、各導体パターンＣ３，Ｃ７，Ｃ１１は、積層された状態で、各スルーホールＤ３，Ｄ７，Ｄ１１を介して、対応する各導体パターンＣ１４，Ｃ１６，Ｃ１８とそれぞれ電気的に接続される。

導体パターンＣ４〜Ｃ６は、それぞれコイル導体１２の略１ターンに相当し、各磁性体層１８ｅ〜１８ｇ上でスパイラル状に巻回されている。各導体パターンＣ４〜Ｃ６の一端部は、積層された状態で各スルーホールＤ１４，Ｄ４，Ｄ５と電気的に接続されている。各導体パターンＣ４〜Ｃ６の他端部には、各磁性体層１８ｅ〜１８ｇを厚み方向に貫通する各スルーホールＤ４〜Ｄ６が形成されている。このため、各導体パターンＣ４〜Ｃ６は、積層された状態で、各スルーホールＤ４〜Ｄ６を介して、対応する各導体パターンＣ５，Ｃ６，Ｃ１５とそれぞれ電気的に接続される。

導体パターンＣ８〜Ｃ１０は、それぞれコイル導体１４の略１ターンに相当し、各磁性体層１８ｉ〜１８ｋ上でスパイラル状に巻回されている。各導体パターンＣ８〜Ｃ１０の一端部は、積層された状態で各スルーホールＤ１６，Ｄ８，Ｄ９と電気的に接続されている。各導体パターンＣ８〜Ｃ１０の他端部には、各磁性体層１８ｉ〜１８ｋを厚み方向に貫通する各スルーホールＤ８〜Ｄ１０が形成されている。このため、各導体パターンＣ８〜Ｃ１０は、積層された状態で、各スルーホールＤ８〜Ｄ１０を介して、対応する各導体パターンＣ９，Ｃ１０，Ｃ１７とそれぞれ電気的に接続される。

導体パターンＣ１３，Ｃ１５，Ｃ１７は、各非磁性体層１９ａ，１９ｃ，１９ｅ上で島状に形成されている。各導体パターンＣ１３，Ｃ１５，Ｃ１７は、積層された状態で各スルーホール電極Ｄ２，Ｄ６，Ｄ１０と電気的に接続されている。また、各導体パターンＣ１３，Ｃ１５，Ｃ１７の中央には、各非磁性体層１９ａ，１９ｃ，１９ｅを厚み方向に貫通する各スルーホールＤ１３，Ｄ１５，Ｄ１７が形成されている。このため、各導体パターンＣ１３，Ｃ１５，Ｃ１７は、積層された状態で、各スルーホールＤ１３，Ｄ１５，Ｄ１７を介して、対応する各導体パターンＣ３，Ｃ７，Ｃ１１とそれぞれ電気的に接続される。

導体パターンＣ１４，Ｃ１６，Ｃ１８は、各磁性体層１８ｄ，１８ｈ，１８ｌ上で島状に形成されている。各導体パターンＣ１４，Ｃ１６，Ｃ１８は、積層された状態で、各スルーホールＤ３，Ｄ７，Ｄ１１と電気的に接続されている。また、各導体パターンＣ１４，Ｃ１６，Ｃ１８の中央には、各磁性体層１８ｄ，１８ｈ，１８ｌを厚み方向に貫通する各スルーホールＤ１４，Ｄ１６，Ｄ１８が形成されている。このため、各導体パターンＣ１４，Ｃ１６，Ｃ１８は、積層された状態で、各スルーホールＤ１４，Ｄ１６，Ｄ１８を介して、対応する各導体パターンＣ４，Ｃ８，Ｃ１２とそれぞれ電気的に接続される。

導体パターンＣ１９は、磁性体層１８ｎ上で略Ｉ字状に形成されている。導体パターンＣ１９の一端部は、積層された状態で、スルーホールＤ１２と電気的に接続されている。導体パターンＣ１９の他端部には、導出部Ｃ１９ａが一体的に形成されている。導体パターンＣ１９の導出部Ｃ１９ａは、磁性体層１８ｎの縁に引き出され、素体１の側面（導体パターンＣ１が露出する側面に対向する側面）に露出している。このため、導出部Ｃ１９ａは、端子電極３と電気的に接続されることとなる。

非磁性体層１９ａ〜１９ｆは、ＺｎＯと金属酸化物とを含んでいる。かかる金属酸化物としては、線膨張係数がＺｎＯよりも大きく比誘電率が磁性体層１８ａ〜１８ｎよりも低いものが用いられ、本実施形態ではＮｉＯ、ＭｇＯ、及びＣａＯの少なくとも何れか一つが用いられる。更に、非磁性体層１９ａ〜１９ｆは、Ｂｉ_２Ｏ_３及びホウ珪酸ガラスの少なくとも何れか一方を含んでいる。

磁性体層１８ａ〜１８ｎは、フェライト材料を含んでいる。本実施形態ではかかるフェライト材料としてＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトを用いるが、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライトを用いるとしてもよい。

次に、図３を参照して、上述構成を有する積層型電子部品Ｌ１の製造方法について説明する。

まず、磁性体層１８ａ〜１８ｎとなる磁性体グリーンシートを用意する。磁性体グリーンシートは、フェライト（例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト）を原料としたスラリーを、ドクターブレード法によりフィルム上に塗布することで形成される。磁性体グリーンシートの厚みは、例えば７０μｍ程度である。

また、非磁性体層１９ａ〜１９ｆとなる非磁性体グリーンシートを用意する。非磁性体グリーンシートは、ＺｎＯを主原料とし、ＮｉＯ、ＭｇＯ、及びＣａＯの少なくとも何れか一つと、Ｂｉ_２Ｏ_３及びホウ珪酸ガラスの少なくとも何れか一方と、を含有したスラリーを、ドクターブレード法によりフィルム上に塗布することで形成される。Ｂｉ_２Ｏ_３及びホウ珪酸ガラスをスラリーに含有させることにより、非磁性体部５を低温で焼結することが可能となり、積層型電子部品Ｌ１の焼結性のばらつきが抑えることができる。非磁性体グリーンシートの厚みは、例えば７０μｍ程度である。

次に、磁性体層グリーンシート及び非磁性体グリーンシートの所定の位置、すなわちスルーホールＤ１〜Ｄ１８を形成する予定位置に、レーザー加工等によってスルーホールを形成する。そして、磁性体層グリーンシート及び非磁性体グリーンシートの上に、各導体パターンＣ１〜Ｃ１９をそれぞれ形成する。各導体パターンＣ１〜Ｃ１９は、銀又はニッケルを主成分とするペーストをメタルマスク等にて印刷した後、乾燥することによって形成される。各スルーホールには、各導体パターンを形成する際に、導体ペーストが充填されることとなる。

続いて、磁性体グリーンシート及び非磁性体グリーンシートを順次積層して圧着し、チップ単位に切断した後に所定温度（例えば、８４０〜９００度）にて焼成する。これにより、素体１が形成されることとなる。素体１は、例えば、焼成後における長手方向の長さが３．２ｍｍ、幅が２．５ｍｍ、高さが１．３ｍｍとなるようにする。

続いて、この素体１に端子電極２，３を形成する。これにより、積層型電子部品Ｌ１が完成する。端子電極２，３は、素体１の表面にそれぞれ銀、ニッケル又は銅を主成分とする電極ペーストを塗布して、所定温度（例えば、６８０〜７４０℃程度）で焼付けを行い、さらに電気めっきを施すことにより形成される。この電気めっきとしては、Ｃｕ、Ｎｉ及びＳｎ等を用いることができる。

以上のように、第１の実施形態では、非磁性体部５を構成する非磁性体層１９ａ〜１９ｆにＺｎＯを含めることとしている。これによって、非磁性体層１９ａ〜１９ｆから磁性体層１８ａ〜１８ｎにＺｎ成分が拡散され、非磁性体部５と磁性体部４とのなじみがよくなり、これらの間における接合性が向上する。ただし、ＺｎＯはその線膨張係数が比較的小さいことから、ＺｎＯを単独で非磁性体層１９ａ〜１９ｆに含めた場合にはクラック等が発生してしまうおそれがあるため、これを抑止する目的で、ＮｉＯ、ＭｇＯ、及びＣａＯの少なくとも何れか一つを非磁性体層１９ａ〜１９ｆに含めている。ＮｉＯ、ＭｇＯ、及びＣａＯはＺｎＯよりも線膨張係数が大きいため、ＺｎＯによるクラックの発生を抑えることができる。また、ＮｉＯ、ＭｇＯ、及びＣａＯはフェライトに拡散しやすいため、磁性体部４と非磁性体部５との接合強度が増すことになる。このように第１の実施形態によれば、磁性体部４と非磁性体部５との接合性が向上し、且つクラック等が生じにくくなるため、デラミネーションが発生する可能性を低減することができる。

また、ＺｎＯは比誘電率が小さいため、コイル導体１０〜１６の浮遊容量を低減することができ、その結果、高周波帯域におけるノイズ成分の減衰特性を向上させることが可能となる。非磁性体層１９ａ〜１９ｆに含める金属酸化物の種類によっては、ＺｎＯによる比誘電率の低下がかかる金属酸化物で打ち消されてしまい、非磁性体層１９ａ〜１９ｆの比誘電率が高くなってしまうおそれがあるが、第１の実施形態では、比誘電率が磁性体層１８ａ〜１８ｎよりも低いＮｉＯ、ＭｇＯ、ＣａＯを用いるため、非磁性体層１９ａ〜１９ｆの比誘電率を低く維持することができる。よって、高周波帯域におけるノイズ成分の減衰特性を確実に向上させることができる。

第１の実施形態においては、コイル導体１１，１３，１５，１６がそれぞれ非磁性体部５の内部に設けられ、各非磁性体部５は各磁性体部４によって隔てられている。このため、素体１が全て磁性体によって形成されその内部にコイル導体が配されている場合と比べて、コイル導体１０〜１６に電流が流れることにより発生する磁界の大きさが小さくなる。この結果、各磁性体層部４において磁気飽和が抑制されることとなる。したがって、端子電極２，３を介して大きな電流を流した場合でもインダクタンス値の低下を抑えることができ、直流重畳特性の改善を図ることができることとなる。

また、第１の実施形態では、各コイル導体１０，１２，１４，１６となる導体パターンＣ１，Ｃ２，Ｃ４〜Ｃ６，Ｃ８〜Ｃ１０，Ｃ１２は、磁性体部内に位置している。つまり、コイル導体１０，１２，１４，１６は非磁性体部５に接しないようになっている。このため、この積層型電子部品Ｌ１に直流電流を流したときに各コイル導体１０，１２，１４，１６の周囲に発生する磁束Ｆが、非磁性体部５によって阻害されることがほとんどない（図２参照）。この結果、積層型電子部品Ｌ１の初期インダクタンス値を高くすることが可能となる。

（第２の実施形態）

図４は、第２の実施形態に係る積層型電子部品の斜視図である。図５は、第２の実施形態に係る積層型電子部品に含まれる素体の分解斜視図である。

本実施形態に係る積層型電子部品Ｌ２は、コモンモードチョークコイルの機能を備えるものである。積層型電子部品Ｌ２は、図４、図５に示されるように、直方体形状の素体２１と素体２１の内部に配されたコイル導体３２，３３とからなるインダクタ部と、素体２１の側面に形成された端子電極２３〜２６とを備えている。コイル導体３２とコイル導体３３とは互いに磁気結合し、これによってインダクタ部はコモンモードチョークコイルをなす。

素体２１は積層体であって、図５に示すように、電気絶縁性を有する複数（本実施形態においては、２層）の磁性体層２７ａ〜２７ｂからなる磁性体部２８と、電気絶縁性を有する複数（本実施形態においては、２層）の磁性体層２７ｃ〜２７ｄからなる磁性体部３０と、電気絶縁性を有する複数（本実施形態においては、５層）の非磁性体層２９ａ〜２９ｅからなる非磁性体部３１と、を有している。磁性体部２８，３０、及び非磁性体部３１は、磁性体部２８と磁性体部３０との間に非磁性体部３１を挟むようにして積層されている。磁性体層２７ａ〜２７ｄ及び非磁性体層２９ａ〜２９ｅは、グリーンシートが焼成されることにより構成される。実際の積層型電子部品Ｌ２において、これらの層は、各層の間において境界が視認できない程度に一体化されている。

コイル導体３２，３３は、素体２１における非磁性体部３１の内部に配されている。コイル導体３２は、導体パターンＥ１，Ｅ２が電気的に接続されることにより形成される。コイル導体３３は、導体パターンＥ３，Ｅ４が電気的に接続されることにより形成される。

導体パターンＥ１は、非磁性体層２９ｂ上でスパイラル状に形成されている。導体パターンＥ１の外側端部は、非磁性体層２９ｂの縁に引き出され、素体２１の側面に露出している。このため、導体パターンＥ１は、端子電極２３に電気的に接続されることとなる。導体パターンＥ１の内側端部には、非磁性体層２９ｂを厚み方向に貫通するスルーホールＦ１が形成されている。導体パターンＥ１は、その内側端部においてスルーホールＦ１と電気的に接続されている。このため、導体パターンＥ１は、積層された状態で、スルーホールＦ１を介して、対応する導体パターンＥ２と電気的に接続される。

導体パターンＥ２は、非磁性体層２９ｃ上で略Ｌ字に形成されている。導体パターンＥ２の一端部は、非磁性体層２９ｃの縁に引き出され、素体２１の側面（導体パターンＥ１が露出する側面に対向する側面）に露出している。このため、導体パターンＥ２は、端子電極２４に電気的に接続されることとなる。導体パターンＥ２の他端部は、スルーホールＦ１が形成された位置、すなわち導体パターンＥ１の内側端部に対応する位置まで伸びており、積層された状態でスルーホールＦ１と電気的に接続される。これにより、導体パターンＥ１と導体パターンＥ２とは相互に電気的に接続され、コイル導体３２を構成することとなる。

導体パターンＥ３は、非磁性体層２９ｄ上で略Ｌ字に形成されている。導体パターンＥ３の一端部は、非磁性体層２９ｄの縁に引き出され、素体２１の側面（導体パターンＥ１が露出する側面に対向する側面）に露出している。このため、導体パターンＥ３は、端子電極２６に接続されることとなる。導体パターンＥ２の他端部には、非磁性体層２９ｄを厚み方向に貫通するスルーホールＦ２が形成されている。導体パターンＥ３は、その他端部においてスルーホールＦ２に電気的に接続されている。このため、導体パターンＥ３は、積層された状態で、スルーホールＦ２を介して、対応する導体パターンＥ４と電気的に接続される。

導体パターンＥ４は、非磁性体層２９ｅ上でスパイラル状に形成されている。導体パターンＥ４の外側端部は、非磁性体層２９ｅの縁に引き出され、素体２１の側面（導体パターンＥ１が露出する側面）に露出している。このため、導体パターンＥ４は、端子電極２５に電気的に接続されることとなる。導体パターンＥ４の内側端部は、スルーホールＦ２が形成された位置、すなわち導体パターンＥ３の他端部に対応する位置まで伸びており、積層された状態でスルーホールＦ２と電気的に接続される。これにより、導体パターンＥ３と導体パターンＥ４とは相互に電気的に接続され、コイル導体３３を構成することとなる。

非磁性体層２９ａ〜２９ｅは、ＺｎＯと金属酸化物とを含んでいる。かかる金属酸化物として、線膨張係数がＺｎＯよりも大きく比誘電率が磁性体層２７ａ〜２７ｄよりも低いものが用いられ、本実施形態ではＮｉＯ、ＭｇＯ、及びＣａＯの少なくとも何れか一つが用いられる。更に、非磁性体層２９ａ〜２９ｅは、Ｂｉ_２Ｏ_３及びホウ珪酸ガラスの少なくとも何れか一方を含んでいる。

磁性体層２７ａ，２７ｂからなる磁性体部２８は、非磁性体層２９ａの上に位置しており、コイル導体３２を保護するためのベース層として機能する。また、磁性体層２７ｃ，２７ｄからなる磁性体部３０は、非磁性体層２９ｅの下に位置しており、コイル導体３３を保護するためのベース層として機能する。磁性体層２７ａ〜２７ｄは、フェライト材料を含んでいる。本実施形態ではかかるフェライト材料としてＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトを用いるが、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライトを用いるとしてもよい。なお、磁性体層２７ａ，２７ｂは、素体２１の厚みを所定の寸法に調整するためのものでもある。したがって磁性体部２８を構成する磁性体層の数は２層に限られるものではなく、これ以上であってもこれ以下であってもよい。磁性体部３０を構成する磁性体層も同様であり、２層に限られるものではない。

次に、図５を参照して、上述構成を有する積層型電子部品Ｌ２の製造方法について説明する。

まず、磁性体層２７ａ〜２７ｄとなる磁性体グリーンシートを用意する。磁性体グリーンシートは、フェライト（例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト）を原料としたスラリーを、ドクターブレード法によりフィルム上に塗布することで形成される。磁性体グリーンシートの厚みは、例えば２０μｍ程度である。

また、非磁性体層２９ａ〜２９ｅとなる非磁性体グリーンシートを用意する。非磁性体グリーンシートは、ＺｎＯを主原料とし、ＮｉＯ、ＭｇＯ、及びＣａＯの少なくとも何れか一つと、Ｂｉ_２Ｏ_３及びホウ珪酸ガラスの少なくとも何れか一方と、を含有したスラリーを、ドクターブレード法によりフィルム上に塗布することで形成される。Ｂｉ_２Ｏ_３及びホウ珪酸ガラスをスラリーに含有させることにより、非磁性体部３１を低温で焼結することが可能となり、積層型電子部品Ｌ２の焼結性のばらつきが抑えることができる。非磁性体グリーンシートの厚みは、例えば２０μｍ程度である。

次に、各非磁性体グリーンシートの所定の位置、すなわちスルーホールＦ１，Ｆ２を形成する予定位置に、レーザー加工等によってスルーホールを形成する。そして、各非磁性体グリーンシートの上に、各導体パターンＥ１〜Ｅ４をそれぞれ形成する。各導体パターンＥ１〜Ｅ４は、銀又はニッケルを主成分とするペーストをメタルマスク等にて印刷した後、乾燥することによって形成される。各スルーホールには、各導体パターンを形成する際に、導体ペーストが充填されることとなる。

続いて、磁性体グリーンシート及び非磁性体グリーンシートを順次積層して圧着し、チップ単位に切断した後に所定温度（例えば、８４０〜９００度）にて焼成する。これにより、素体２１が形成されることとなる。素体２１は、例えば、焼成後における長手方向の長さが１．２５ｍｍ、幅が１．０ｍｍ、高さが０．５ｍｍとなるようにする。得られた素体２１に端子電極２３〜２６を形成する。これにより、積層型電子部品Ｌ２が完成する。なお、端子電極２３〜２６の形成方法は、第１の実施形態における端子電極２，３の形成方法と同様である。

以上のように、第２の実施形態では、非磁性体層２９ａ〜２９ｅにＺｎＯを含めることとしている。これによって、第１の実施形態と同様の理由により、デラミネーションが発生する可能性を低減することができるうえ、高周波帯域におけるノイズ成分の減衰特性を確実に向上させることができる。

第２の実施形態では、層２７ａ〜２７ｄを磁性体とし、層２９ａ〜２９ｅを非磁性体としている。そのため、コイル導体３２，３３は非磁性体に接することとなる。この場合、コイルの磁気結合が向上されることとなり、高周波の領域において高いインピーダンスが得られ、積層型電子部品Ｌ２を、より高周波領域におけるノイズ成分の減衰特性を向上させることが可能なコモンモードチョークコイルとして機能させることができる。

なお、層２９ａや層２９ｅは磁性体であってもよい。この場合にもコイルの磁気結合が向上されることとなり、高周波の領域において高いインピーダンスが得られ、積層型電子部品Ｌ２は高周波数帯域に対応可能なコモンモードチョークコイルとして機能する。ただし、ノイズ成分の減衰特性をより高周波数帯域で向上させるという観点からすれば、層２９ａ，２９ｅは非磁性体とすることが好ましい。
（第３の実施形態）

図６は、第３の実施形態に係る積層型電子部品の斜視図である。図７は、第３の実施形態に係る積層型電子部品に含まれる素体の分解斜視図である。図８は、第３の実施形態に係る積層型電子部品の等価回路図である。

本実施形態に係る積層型電子部品Ｌ３は、コモンモードチョークコイルの機能とバリスタの機能とを備えるものである。積層型電子部品Ｌ３は、図６、図７に示すように、直方体形状の素体４１と、素体４１の内部に配されたコイル導体４２，４３と、素体４１の内部に配されたグランド電極Ｊ１〜Ｊ５及びホット電極Ｋ１〜Ｋ４と、素体４１の側面に形成された端子電極４４，４６，４８，５０，５２とを備えている。また、回路構成としては、積層型電子部品Ｌ３は、図８に示すように、複数（本実施形態では２つ）のコイルＩ１，Ｉ２と、複数（本実施形態では４つ）のバリスタＶ２〜Ｖ５とを備えている。コイル導体Ｉ１，Ｉ２及びバリスタＶ２〜Ｖ５は、π型の回路を構成している。

素体４１は積層体であって、図７に示すように、第１〜第３の焼結体５３〜５５からなっている。第１〜第３の焼結体５３〜５５は、境界が視認できない程度に一体化されている。

第１の焼結体５３は、電気絶縁性を有する複数（本実施形態においては、４層）の磁性体層５７ａ〜５７ｄからなる磁性体部５８と、電気絶縁性を有する複数（本実施形態においては、３層）の磁性体層５７ｅ〜５７ｇからなる磁性体部５９と、電気絶縁性を有する複数（本実施形態においては、４層）の非磁性体層６０ａ〜６０ｄからなる非磁性体部６１と、を有している。磁性体部５８，５９及び非磁性体部６１は、磁性体部５８と磁性体部５９との間に非磁性体部６１を挟むようにして積層されている。実際の積層型電子部品Ｌ３において、磁性体層５７ａ〜５７ｇ及び非磁性体層６０ａ〜６０ｄは、各層の間において境界が視認できない程度に一体化されている。なお、本実施形態では層５７ｄを磁性体層としているが、非磁性体層としてもよい。また、層６０ｄを非磁性体層としているが、磁性体層としてもよい。

第１の焼結体５３の非磁性体部６１の内部には、コイル導体４２，４３が配されている。第１の焼結体５３とコイル導体４２，４３とは、インダクタ部を構成している。コイル導体４２とコイル導体４３とは互いに磁気結合し、これによってインダクタ部はコモンモードチョークコイルをなす。

コイル導体４２は、導体パターンＧ１，Ｇ２が電気的に接続されることにより形成される。導体パターンＧ１は、非磁性体層６０ａ上でスパイラル状に形成されている。導体パターンＧ１の外側端部は、非磁性体層６０ａの縁に引き出され、素体４１の側面に露出している。このため、導体パターンＧ１は、端子電極４８に電気的に接続されることとなる。導体パターンＧ１の内側端部には、非磁性体層６０ａを厚み方向に貫通するスルーホールＨ１が形成されている。導体パターンＧ１は、その内側端部においてスルーホールＨ１と電気的に接続されている。このため、導体パターンＧ１は、積層された状態で、スルーホールＨ１を介して、対応する導体パターンＧ２と電気的に接続される。

導体パターンＧ２は、非磁性体層６０ｂ上でスパイラル状に形成されている。導体パターンＧ２の外側端部は、非磁性体層６０ｂの縁に引き出され、素体４１の側面（導体パターンＧ１が露出する側面に対向する側面）に露出している。このため、導体パターンＧ２は、端子電極４４に電気的に接続されることとなる。導体パターンＧ２の内側端部は、その位置が、スルーホールＨ１が形成された位置、すなわち導体パターンＧ１の内側端部に対応しており、積層された状態でスルーホールＨ１と電気的に接続される。これにより、導体パターンＧ１と導体パターンＧ２とは相互に電気的に接続され、コイル導体４２がインダクタ部に構成される。コイル導体４２は、図８に示すコイルＩ１に相当する。

コイル導体４３は、導体パターンＧ３，Ｇ４が電気的に接続されることにより形成される。導体パターンＧ３は、非磁性体層６０ｃ上でスパイラル状に形成されている。導体パターンＧ３の外側端部は、非磁性体層６０ｃの縁に引き出され、素体４１の側面（導体パターンＧ１が露出する側面に対向する側面）に露出している。このため、導体パターンＧ３は、端子電極４６に電気的に接続されることとなる。導体パターンＧ３の内側端部には、非磁性体層６０ｃを厚み方向に貫通するスルーホールＨ２が形成されている。導体パターンＧ３は、その内側端部においてスルーホールＨ２に電気的に接続されている。このため、導体パターンＧ３は、積層された状態で、スルーホールＨ２を介して、対応する導体パターンＧ４と電気的に接続される。

導体パターンＧ４は、非磁性体層６０ｄ上でスパイラル状に形成されている。導体パターンＧ４の外側端部は、非磁性体層６０ｄの縁に引き出され、素体４１の側面（導体パターンＧ１が露出する側面）に露出している。このため、導体パターンＧ４は、端子電極５０に電気的に接続されることとなる。導体パターンＧ４の内側端部は、その位置が、スルーホールＨ２が形成された位置、すなわち導体パターンＧ３の内側端部に対応しており、積層された状態でスルーホールＨ２と電気的に接続される。これにより、導体パターンＧ３と導体パターンＧ４とは相互に電気的に接続され、コイル導体４３がインダクタ部に構成される。コイル導体４３は、図８に示すコイルＩ２に相当する。

非磁性体層６０ａ〜６０ｄは、ＺｎＯと金属酸化物とを含んでいる。かかる金属酸化物として、線膨張係数がＺｎＯよりも大きく比誘電率が磁性体層５７ａ〜５７ｇよりも低いものが用いられ、本実施形態ではＮｉＯ、ＭｇＯ、及びＣａＯの少なくとも何れか一つが用いられる。更に、非磁性体層６０ａ〜６０ｄは、Ｂｉ_２Ｏ_３及びホウ珪酸ガラスの少なくとも何れか一方を含んでいる。なお、非磁性体層６０ａ〜６０ｄはＣｕ成分を含有していてもよい。

磁性体層５７ａ〜５７ｄからなる磁性体部５８は、非磁性体層６０ａの上に位置しており、コイル導体４２を保護するためのベース層として機能する。また、磁性体層５７ｅ〜５７ｇからなる磁性体部５９は、磁性体層６０ｄの下に位置しており、コイル導体４３を保護するためのベース層として機能する。磁性体層５７ａ〜５７ｇは、フェライト材料を含んでいる。本実施形態ではかかるフェライト材料としてＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトを用いるが、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ−Ｍｇを用いるとしてもよい。なお、磁性体層５７ａ〜５７ｇは、素体４１の厚みを所定の寸法に調整するためのものでもある。したがって磁性体部５８を構成する磁性体層の数は４層に限られるものではなく、これ以上であってもこれ以下であってもよい。磁性体部５９を構成する磁性体層の数も同様であり、３層に限られるものではない。

第２の焼結体５４（中間部）は、電気絶縁性を有する複数（本実施形態においては、２層）の中間層６４ａ，６４ｂからなっている。第２の焼結体５４は、第１及び第３の焼結体５３，５５とは異なる組成を有している。より具体的には、第２の焼結体５４の中間層６４ａ，６４ｂは、ＺｎＯ及びＦｅ_２Ｏ_３を主成分としたセラミックス材料から構成されている。なお、中間層６４ａ，６４ｂはＣｕ成分を含有しないこととする。なお、第２の焼結体５４を構成する中間層の数は２層に限られるものではなく、これ以上であってもこれ以下であってもよい。

第３の焼結体５５は、電圧非直線特性を発現する複数（本実施形態においては、１０層）のバリスタ層６６ａ〜６６ｊが積層されてなる。第３の焼結体５５の内部には、バリスタ層６６ｂ〜６６ｊを挟むようにグランド電極Ｊ１〜Ｊ５（バリスタ導体）及びホット電極Ｋ１〜Ｋ４（バリスタ導体）が配されており、第３の焼結体５５と、グランド電極Ｊ１〜Ｊ５と、ホット電極Ｋ１〜Ｋ４とがバリスタ部を構成している。バリスタ部と、第１の焼結体５３とコイル導体４２，４３と有するインダクタ部とは、第２の焼結体５４を介して積層されている。

バリスタ層６６ａ〜６６ｊはグリーンシートが焼成されることにより構成され、上からこの順で積層されている。なお、実際の積層型電子部品Ｌ３において、バリスタ層６６ａ〜６６ｊは、各層の間において境界が視認できない程度に一体化されている。

グランド電極Ｊ１〜Ｊ５は、バリスタ層６６ｂ，６６ｄ，６６ｆ，６６ｈ，６６ｊ上で略矩形状に形成されている。グランド電極Ｊ１〜Ｊ５はバリスタ層６６ｂ，６６ｄ，６６ｆ，６６ｈ，６６ｊの縁に引き出され、素体４１の一対の側面（導体パターンＧ１〜Ｇ４が露出する側面と交差する側面）に露出している。このため、グランド電極Ｊ１〜Ｊ５は、端子電極５２に電気的に接続されることとなる。

ホット電極Ｋ１は、バリスタ層６６ｃ上で略矩形状に形成されている。ホット電極Ｋ１はバリスタ層６６ｃの縁に引き出され、素体４１の側面（導体パターンＧ３が露出する側面）に露出している。このため、６６ｃは、端子電極４６に電気的に接続されることとなる。ホット電極Ｋ２は、バリスタ層６６ｅ上で略矩形状に形成されている。

ホット電極Ｋ２はバリスタ層６６ｅの縁に引き出され、素体４１の側面（導体パターンＧ２が露出する側面）に露出している。このため、ホット電極Ｋ２は、端子電極４４に電気的に接続されることとなる。

ホット電極Ｋ３は、バリスタ層６６ｇ上で略矩形状に形成されている。ホット電極Ｋ３はバリスタ層６６ｇの縁に引き出され、素体４１の側面（導体パターンＧ４が露出する側面）に露出している。このため、ホット電極Ｋ３は、端子電極５０に電気的に接続されることとなる。

ホット電極Ｋ４は、バリスタ層６６ｉ上で略矩形状に形成されている。ホット電極Ｋ４はバリスタ層６６ｉの縁に引き出され、素体４１の側面（導体パターンＧ１が露出する側面）に露出している。このため、ホット電極Ｋ４は、端子電極４８に電気的に接続されることとなる。

ホット電極Ｋ１とグランド電極Ｊ１，Ｊ２とが積層方向から見たときにバリスタ層６６ｂ，６６ｃを介して一部が重なりあい対向することで、図８に示すバリスタＶ４がバリスタ部に構成される。ホット電極Ｋ２とグランド電極Ｊ２，Ｊ３とが積層方向から見たときにバリスタ層６６ｄ，６６ｅを介して一部が重なりあい対向することで、図８に示すバリスタＶ２がバリスタ部に構成される。ホット電極Ｋ３とグランド電極Ｊ３，Ｊ４とが積層方向から見たときにバリスタ層６６ｆ，６６ｇを介して一部が重なりあい対向することで、図８に示すバリスタＶ５がバリスタ部に構成される。ホット電極Ｋ４とグランド電極Ｊ４，Ｊ５とが積層方向から見たときにバリスタ層６６ｈ，６６ｉを介して一部が重なりあい対向することで、図８に示すバリスタＶ３がバリスタ部に構成される。

バリスタ層６６ａ〜６６ｊは、例えば、ＺｎＯを主成分とするセラミックス材料から構成される。このセラミックス材料中には、添加成分としてＰｒ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ａｌ等を含んでいても良い。Ｐｒに加えてＣｏを含むと、優れたバリスタ特性を有するものとなるほか、高い誘電率（ε）を有するものとなる。また、Ａｌを更に含むと低抵抗となる。また、必要に応じて他の添加物、例えば、Ｃｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｋ等の元素が含まれても良い。ただし、バリスタ層６６ａ〜６６ｊはＣｕ成分を含有しないこととする。

グランド電極Ｊ１〜Ｊ５及びホット電極Ｋ１〜Ｋ４に用いる導電材料は、バリスタ層６６ａ〜６６ｊを構成するセラミックス材料と同時焼成できる金属材料を用いる。すなわち、バリスタセラミックスの焼成温度は通常８００℃〜１４００℃程度であるため、その温度で融解しない金属材料を用いる。例えば、Ａｇ、Ｐｄこれらの合金等を好適に使用することができる。

次に、図７を参照して、上述構成を有する積層型電子部品Ｌ３の製造方法について説明する。

まず、磁性体層５７ａ〜５７ｇとなる磁性体グリーンシートを用意する。磁性体グリーンシートは、フェライト（例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト）を原料としたスラリーを、ドクターブレード法によりフィルム上に塗布することで形成される。なお、スラリーはＣｕ成分を含有していてもよい。

また、非磁性体層６０ａ〜６０ｄとなる非磁性体グリーンシートを用意する。非磁性体グリーンシートは、ＺｎＯを主原料とし、ＮｉＯ、ＭｇＯ、及びＣａＯの少なくとも何れか一つと、Ｂｉ_２Ｏ_３及びホウ珪酸ガラスの少なくとも何れか一方と、を含有したスラリーを、ドクターブレード法によりフィルム上に塗布することで形成される。Ｂｉ_２Ｏ_３及びホウ珪酸ガラスをスラリーに含有させることにより、非磁性体層を低温で焼結することが可能となり、積層型電子部品Ｌ２の焼結性のばらつきが抑えることができる。なお、スラリーはＣｕ成分を含有していてもよい。

次に、各非磁性体グリーンシートの所定の位置、すなわちスルーホールＨ１，Ｈ２を形成する予定位置に、レーザー加工等によってスルーホールを形成する。そして、各非磁性体グリーンシートの上に、各導体パターンＧ１〜Ｇ４をそれぞれ形成する。各導体パターンＧ１〜Ｇ４は、銀又はニッケルを主成分とするペーストをメタルマスク等にて印刷した後、乾燥することによって形成される。各スルーホールには、各導体パターンを形成する際に、導体ペーストが充填されることとなる。

また、バリスタ層６６ａ〜６６ｊとなるバリスタグリーンシートを用意する。このバリスタグリーンシートは、例えば、ＺｎＯ、Ｐｒ₆Ｏ₁₁、ＣｏＯ、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＣａＣＯ₃、ＳｉＯ₂、Ｋ₂ＣＯ₃及びＡｌ₂Ｏ₃の混合粉を原料としたスラリーを、ドクターブレード法によりフィルム上に塗布することで形成される。なお、スラリーの原料粉末は、一体焼成後に所定組成のバリスタとなるのであれば、その形態は特に限定するものではなく、所定組成のバリスタセラミックスを予め仮焼きして粉砕したバリスタ粉末を用いても良い。ただし、スラリーにはＣｕ成分を含有しないこととする。

次に、スクリーン印刷法等によりバリスタグリーンシート上に導電ペーストを用いてグランド電極Ｊ１〜Ｊ５及びホット電極Ｋ１〜Ｋ４を形成する。導電ペーストは、Ａｇ、Ｐｄ、これらの合金を主成分として含んでいるものを用いることができる。

また、中間層６４ａ，６４ｂとなる中間材グリーンシートを用意する。中間材グリーンシートは電気絶縁性を有する絶縁体であって、例えばＺｎＯ及びＦｅ_２Ｏ_３を主成分とした混合紛を原料としたスラリーを、ドクターブレード法によりフィルム上に塗布することで形成される。なお、スラリーにはＣｕ成分を含有しないこととする。

続いて、磁性体グリーンシート、非磁性体グリーンシート、バリスタグリーンシート、及び中間材グリーンシートを順次積層して圧着し、チップ単位に切断した後に所定温度（例えば、１１００℃〜１２００℃）にて焼成する。これにより、素体４１が形成される。

続いて、この素体４１に端子電極４４〜５２を形成する。これにより、積層型電子部品Ｌ３が完成する。端子電極４４〜５２は、素体４１の表面に銀、ニッケル又は銅を主成分とする電極ペーストを塗布して、所定温度（例えば、６８０〜７４０℃程度）で焼付けを行い、さらに電気めっきを施すことにより形成される。この電気めっきとしては、Ｃｕ、Ｎｉ及びＳｎ等を用いることができる。

以上のように、第３の実施形態における積層型電子部品Ｌ３は、コモンモードチョークコイルの機能とバリスタの機能とを備えたものであって、コモンモードチョークコイルを構成する非磁性体層６０ａ〜６０ｄにＺｎＯを含めることとしている。したがって第１及び第２の実施形態と同様の理由により、デラミネーションが発生する可能性を低減することができるうえ、高周波帯域におけるノイズ成分の減衰特性を確実に向上させることができる。

ところで、バリスタ層６６ａ〜６６ｊのうちホット電極とグランド電極とに挟まれた領域はバリスタ特性を発現する領域であるが、この領域にＣｕ成分が含まれると、バリスタ特性（例えばバリスタ部における減衰特性）が悪化して所望のものとならない可能性が生じる。第３の実施形態では、Ｃｕ成分を含有しないスラリーからバリスタ層６６ａ〜６６ｊを形成している。これにより、バリスタ層６６ａ〜６６ｊのうちホット電極とグランド電極とに挟まれた領域にＣｕ成分が含まれる可能性が低くなるため、バリスタ特性の悪化を抑制することができる。また、第３の実施形態では、バリスタ部の第１の焼結体５３とインダクタ部の第３の焼結体５５とは第２の焼結体５４を介して積層されている。この第２の焼結体５４を構成する中間層６４ａ，６４ｂについてはＣｕ成分を含まないとすることで、焼成時においてバリスタ層６６ａ〜６６ｊにＣｕ成分が拡散される可能性をより確実に抑制することができる。その結果、バリスタ特性の悪化をより生じにくくすることができる。更に、第２の焼結体５４は第１及び第３の焼結体５３，５５とは異なる組成を有しているため、インダクタ部がバリスタ部から受ける影響、およびバリスタ部がインダクタ部から受ける影響を緩和することができる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしもこれらの実施形態に限定されるものではない。

例えば、磁性体層、非磁性体層、及びバリスタ層の数は、上述した第１〜第３の実施形態のものに限られない。また、コイル導体の数も上述したものに限られない。

また、上述した第３の実施形態では、コイル導体４２，４３は互いに磁気結合するとしたが、コイル導体は実質的に磁気結合しないとしてもよい。この場合、得られる積層型電子部品は、コモンモードチョークコイル機能ではなく、通常のインダクタ機能を有することとなる。

また、上述の第３の実施形態におけるバリスタ部をコンデンサ部に代えてもよい。より具体的には、バリスタ層６６ａ〜６６ｊ、グランド電極Ｊ１〜Ｊ５、及びホット電極Ｋ１〜Ｋ４を、絶縁体層、接地用電極（コンデンサ電極）、及び信号用電極（コンデンサ電極）に代える。これにより、積層型電子部品を、インダクタ部と、かかるインダクタ部と共に共振回路を構成するコンデンサ部と、を備えるＬＣフィルタとして機能させることができる。なお、バリスタ部をコンデンサ部に代えた上で、２つのコイル導体を実質的に磁気結合しないものとした場合でも、積層型電子部品をＬＣフィルタとして機能させることができる。

第１の実施形態に係る積層型電子部品の斜視図である。 第１の実施形態に係る積層型電子部品の断面構成を説明するための模式図である。 第１の実施形態に係る積層型電子部品に含まれる積層体の分解斜視図である。 第２の実施形態に係る積層型電子部品の斜視図である。 第２の実施形態に係る積層型電子部品に含まれる積層体の分解斜視図である。 第３の実施形態に係る積層型電子部品の斜視図である。 第３の実施形態に係る積層型電子部品に含まれる積層体の分解斜視図である。 第３の実施形態に係る積層型電子部品の等価回路図である。

符号の説明

１０〜１６，３２，３３，４２，４３…コイル導体、６６ａ〜６６ｊ…コバリスタ層、１８ａ〜１８ｎ，２７ａ〜２７ｄ，５７ａ〜５７ｇ…コ磁性体層、１９ａ〜１９ｆ，２９ａ〜２９ｅ，６０ａ〜６０ｄ…コ非磁性体層、４，２８，３０，５８，５９…磁性体部
５，３１，６１…非磁性体部、５４…第２の焼結体（中間部）、Ｌ１〜Ｌ３…積層型電子部品、Ｖ１〜Ｖ４…バリスタ。

Claims (9)

1. インダクタ部を備えた積層型電子部品であって、
   前記インダクタ部が、磁性体部と、前記磁性体部に積層された非磁性体部と、前記非磁性体部の内部に配されたコイル導体と、を有し、
   前記非磁性体部が、ＺｎＯと、線膨張係数がＺｎＯよりも大きく比誘電率が前記磁性体部よりも低い金属酸化物と、を含むことを特徴とする積層型電子部品。
2. 前記磁性体部がフェライトを含み、前記金属酸化物が、ＮｉＯ、ＭｇＯ、及びＣａＯの少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の積層型電子部品。
3. 前記非磁性体部が、Ｂｉ_２Ｏ_３及びホウ珪酸ガラスの少なくとも何れか一方を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の積層型電子部品。
4. 前記インダクタ部が、前記磁性体部とは異なる他の磁性体部を更に有し、当該他の磁性体部は、前記磁性体部とで前記非磁性体部を挟むように配置されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
5. 前記インダクタ部が、前記コイル導体を複数有するコモンモードチョークコイルであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
6. 電圧非直線特性を発現するバリスタ層と、当該バリスタ層を挟むように配された複数のバリスタ導体と、を有するバリスタ部を更に備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
7. 前記バリスタ層のうち前記バリスタ導体に挟まれた領域にはＣｕ成分が含まれないことを特徴とする請求項６に記載の積層型電子部品。
8. 前記インダクタ部と前記バリスタ部とは中間部を介して積層され、
   前記中間部は、前記インダクタ部及び前記バリスタ部とは異なる組成を有すると共にＣｕ成分を含有しないことを特徴とする請求項６又は７に記載の積層型電子部品。
9. 絶縁体層と、前記絶縁体層を挟むように配された複数のコンデンサ電極と、を有するコンデンサ部を更に備え、
   前記インダクタ部と前記コンデンサ部とがＬＣフィルタとして機能することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
   

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