CN1939603A - 涂敷方法及涂敷装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种涂敷方法及涂敷装置，在非旋转方式中以稳定的动作再现性良好地进行涂敷膜的膜厚控制，特别是涂敷扫描终端部的膜厚均匀化。在抗蚀剂喷嘴(78)经过通过点(X₁)的时刻(t₁)停止抗蚀剂泵，在经过一定延迟时间之后的时刻点(t_a)，抗蚀剂喷嘴(78)的吐出压力开始衰减。另一方面，在时间上与此接近，相对基板(G)的抗蚀剂喷嘴(78)的上升移动与扫描速度的减速分别在规定时刻(t₂、t₃)开始。这样，抗蚀剂喷嘴(78)的吐出压力正在衰减时，抗蚀剂喷嘴(78)上升移动，且扫描速度减速。

Description

涂敷方法及涂敷装置

技术领域

本发明涉及在被处理基板上涂敷液体以形成涂敷膜的涂敷方法及涂敷装置。

背景技术

在与液晶显示器(LCD)等的平板显示器(FPD)的制造过程相关的光刻工序中，普遍使用的是对具有切口状吐出口的长条形抗蚀剂喷嘴进行扫描，然后，在被处理基板(玻璃板等)上涂敷抗蚀剂的非旋转涂敷方法。

例如，如专利文献1所示，该非旋转涂敷方法是将基板水平放置在载置台或者台上，设定该台上的基板与长条形抗蚀剂喷嘴的吐出口之间具有100微米左右的微小间隙，在使抗蚀剂喷嘴在基板上方沿扫描方向(一般为与喷嘴长度方向正交的水平方向)移动的同时，呈带状向基板上喷出抗蚀剂来进行涂敷。只需使长条形抗蚀剂喷嘴从基板的一端移动到另一端一次，便能够使抗蚀剂不落到基板外边，以希望的膜厚在基板上形成抗蚀剂涂敷膜。

专利文献1：日本特开平10-156255

现有技术的非旋转涂敷方法，在抗蚀剂涂敷膜的膜厚控制方面具有改善的余地，特别是面内均匀性成为课题。具体地说，在涂敷扫描的终端部，因为难以利落地将基板上的抗蚀剂膜与原本残留在抗蚀剂喷嘴中的抗蚀剂切断，因此，存在抗蚀剂涂敷膜容易鼓起的问题。

为了应对这一问题，而在连接抗蚀剂供给源与抗蚀剂喷嘴的管道中间设置有倒吸阀(suck back valve)，在涂敷扫描结束时，使倒吸阀开启，在喷嘴侧使用回引技术，使得瞬间切断从抗蚀剂喷嘴的吐出口下垂至基板上的抗蚀剂。但是，该技术在将抗蚀剂回引至抗蚀剂喷嘴的同时也将空气一并吸进，因此，在下次涂敷处理时，有可能将混杂有气泡的抗蚀剂供给到基板上，具有难于稳定运转的缺点。此外，因为倒吸阀在从抗蚀剂供给源向抗蚀剂喷嘴压送抗蚀剂的流路内导致不少压力损失，所以，存在降低涂敷开始时的抗蚀剂吐出压力的上升特性的缺点。

发明内容

本发明是鉴于上述现有技术的问题而提出的，其目的在于提供一种能以稳定的动作再现性良好地进行涂敷膜的膜厚控制，特别是涂敷扫描终端部的膜厚均匀化的非旋转方式的涂敷方法及涂敷装置。

为了实现上述目的，本发明的涂敷方法，其是使被处理基板的上面与长条形喷嘴的吐出口隔开规定的间隔并大致水平相对，在由处理液供给源向上述喷嘴压送处理液的同时，进行使上述喷嘴相对上述基板在水平方向上相对移动的扫描，从而在上述基板上形成上述处理液的涂敷膜的涂敷方法，其中，上述涂敷方法包括：在上述喷嘴通过设定在上述基板上的第一通过点的第一时刻，停止从处理液供给源向上述喷嘴压送上述处理液的第一工序；从上述喷嘴通过设定在上述基板上的第二通过点的第二时刻开始到扫描结束为止，使上述喷嘴相对上述基板以规定的速度向上方进行相对移动的第二工序；以及从上述喷嘴通过设定在上述基板上的第三通过点的第三时刻开始到扫描结束为止，使上述喷嘴相对上述基板的相对水平移动减速的第三工序。

此外，本发明的涂敷装置，包括：用于在一定的涂敷区域内大致水平地支撑被处理基板的基板支撑部；用于在上述涂敷区域内隔开规定间隔向上述基板的上面吐出处理液的长条形喷嘴；用于向上述喷嘴压送上述处理液的处理液供给源；用于在上述涂敷区域内使上述喷嘴相对上述基板在水平方向上进行相对移动的扫描部；用于在上述涂敷区域内使上述喷嘴相对上述基板在铅直方向上进行相对移动的升降部；以及在上述喷嘴通过设定在上述基板上的第一通过点时，控制上述处理液供给源停止向上述喷嘴压送上述处理液，从上述喷嘴通过设定在上述基板上的第二通过点的时刻开始到扫描结束为止，控制上述升降部，使上述喷嘴相对上述基板以规定速度向上方进行相对移动，从上述喷嘴通过设定在上述基板上的第三通过点的时刻开始到扫描结束为止，控制上述扫描部，使上述喷嘴相对上述基板的相对水平移动减速的控制部。

在本发明的涂敷方法中，在涂敷扫描的最终阶段，首先，如果喷嘴通过基板上的第一通过点，则在此时刻(第一时刻)停止从处理液供给源向喷嘴压送处理液。这样，从此时刻开始经过规定延迟时间，喷嘴的吐出压力开始衰减。另一方面，如果喷嘴经过基板上的第二通过点，则在此时刻(第二时刻)，喷嘴相对基板开始相对上方移动，该喷嘴的相对上方移动进行到扫描结束为止。此外，如果喷嘴经过基板上的第三通过点，则在此时刻(第三时刻)喷嘴相对基板的相对水平移动开始减速，该喷嘴的相对水平移动的减速进行至扫描结束为止。这样，当喷嘴在基板的正上方相对移动时，分别以规定时间进行喷嘴吐出压力的衰减与喷嘴相对基板的相对上方移动与水平移动的减速。

根据本发明的一种优选实施方式，调整上述第一、第二、第三通过点的位置，使基板终端部附近的涂敷膜的膜厚剖面最优化。或者，也可以调整上述第一、第二、第三时刻，使基板终端部附近的涂敷膜的膜厚剖面最优化。

根据特别优选的一种实施状态，从第一时刻开始经过规定延迟时间之后，喷嘴的吐出压力开始衰减，在该吐出压力的衰减过程中，同时进行上述喷嘴相对基板的相对上方移动与水平移动的减速。此时，大致可以同时结束喷嘴的相对水平移动与上方移动。在这种情况下，在涂敷扫描结束之前，在基板上在液膜的扫描方向上延伸的速度急剧下降，并且，由于喷嘴在使吐出压力衰减的同时以锐角向上方移动，能够从基板上的液膜利落地切断(液体切断)在喷嘴内残留的抗蚀剂。

此外，作为一种优选实施方式，喷嘴相对基板的相对水平移动的减速能够以大体一定的负加速度进行，喷嘴相对基板的相对上方移动能够以大体一定的速度进行。在本发明中，也可以在扫描结束时，使喷嘴的吐出口位于基板后端的基板内侧、即扫描上游侧。

本发明中，为了涂敷扫描，只要在基板与喷嘴之间进行上述相对移动即可，可以是基板静止在一定位置，喷嘴在水平方向以及铅直方向进行移动的方式，或者喷嘴静止在一定位置，基板在水平方向以及铅直方向进行移动的方式，或者基板以及喷嘴两者沿水平方向及/或铅直方向进行移动的方式中的任意一种。此外，在水平方向上，一般在使比喷嘴轻很多的基板移动方面，不只是基本水平扫描，本发明的水平移动的减速也能够高效进行。此外，在铅直方向上，在使空气阻力小的喷嘴上升移动方面，在本发明中能够高速进行喷嘴相对基板的相对上方移动。

根据优选的一种实施方式，在本发明的涂敷装置中，基板支撑部具有使基板在涂敷区域内浮在空中的台。在该涂敷区域内，在向台的上面混合设置有多个喷出气体的喷出口与吸入气体的吸入口。在水平搬送方向上，优选喷嘴被配置在涂敷区域的一定位置。在扫描部中，包括沿着与水平移动对应的规定搬送方向搬送在台上处于浮动状态的基板并使其通过喷嘴正下方的基板搬送部。该基板搬送部包括：以与上述基板移动方向平行延伸的方式配置在上述台的单侧或两侧的导轨；可沿上述导轨移动的滑块；驱动上述滑块使其沿上述导轨移动的搬送驱动部；以及从上述滑块向上述台的中心部延伸，可装卸地保持上述基板侧缘部的保持部。

此外，根据一种优选实施方式，升降部包括：整体支撑喷嘴的喷嘴支撑部、为了使喷嘴从任意的第一高度位置到任意的第二高度位置升降移动而与喷嘴支撑部结合的电动致动器、以及为了抵消喷嘴重力而与上述喷嘴支撑部结合的气缸。

根据本发明的涂敷方法及涂敷装置，通过上述结构以及作用，非旋转方式能够以稳定的动作再现性良好地进行涂敷膜的膜厚控制，特别是涂敷扫描终端部的膜厚均匀化。

附图说明

图1是表示能够适用于本发明的涂敷显影处理系统的结构的平面图。

图2是表示实施方式中的涂敷显影处理系统的处理顺序的流程图。

图3是表示实施方式中的涂敷显影处理系统的抗蚀剂涂敷单元以及减压干燥单元的整体结构的简要平面图。

图4是表示实施方式中的抗蚀剂涂敷单元的整体结构的立体图。

图5是表示实施方式中的抗蚀剂涂敷单元的整体结构的简要主视图。

图6是表示所述抗蚀剂涂敷单元内的台涂敷区域内的喷出口和吸入口的排列样式的一例的平面图。

图7是表示所述抗蚀剂涂敷单元的基板搬送部结构的局部侧截面图。

图8是表示所述抗蚀剂涂敷单元的基板搬送部的保持部结构的放大截面图。

图9是表示所述抗蚀剂涂敷单元的基板搬送部的缓冲部的结构的的立体图。

图10是表示所述抗蚀剂涂敷单元的基板搬送部的保持部的一个变形例的立体图。

图11是表示所述抗蚀剂涂敷单元的喷嘴升降机构、压缩空气供给机构以及真空供给机构的结构图。

图12是表示所述抗蚀剂涂敷单元的抗蚀剂液供给机构的结构图。

图13是表示所述抗蚀剂涂敷单元的控制系统的主要结构的框图。

图14是表示实施方式的涂敷扫描的一个阶段的侧视图。

图15是表示实施方式的涂敷扫描将要结束时的各阶段的作用的侧视图。

图16是表示实施方式的涂敷扫描将要结束时的各部的作用在同一时间轴上的对比图。

图17是表示在实施方式中的抗蚀剂喷嘴的吐出口从基板上的抗蚀剂膜分离时的作用的侧视图。

图18是表示在实施方式中在基板上形成的抗蚀剂涂敷膜的终端部分的侧视图。

图19是表示在实施方式中在基板上形成的抗蚀剂涂敷膜的终端部分的平面图。

图20是对于图19的A-A线的截面图。

图21是表示参考例的涂敷扫描将要结束时的各部的作用在同一时间轴上的对比图。

图22是表示参考例的抗蚀剂喷嘴的吐出口从基板上的抗蚀剂膜分离时的作用的侧视图。

图23是表示参考例的在基板上形成的抗蚀剂涂敷膜的终端部分的侧视图。

图24是表示参考例的在基板上形成的抗蚀剂涂敷膜的终端部分的平面图。

图25是对于图24的A-A线的截面图。

符号说明：

40   抗蚀剂涂敷单元(CT)

75   喷嘴升降机构

76   台

78   抗蚀剂喷嘴

84   基板搬送部

88   喷出口

90   吸入口

100  搬送驱动部

102  保持部

104  吸附缓冲垫

122  位置传感器

138  电动发动机

144  气缸

146  压缩空气供给机构

148  真空供给机构

170  抗蚀剂液供给机构

176  抗蚀剂泵

200  控制器

M1   搬入区域

M3   涂敷区域

M5   搬出区域

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的优选实施方式进行说明。

图1是表示作为适用于本发明的涂敷方法以及涂敷装置的结构例的涂敷显影处理系统。该涂敷显影处理系统被设置在无尘室内，例如以LCD基板作为被处理基板，在LCD制造过程中，进行光刻工序中的洗净、抗蚀剂涂敷、预烘焙、显影以及后烘焙的各项处理。在与该系统邻接设置的外部的曝光装置(未图示)中进行曝光处理。

该涂敷显影处理系统大体上由盒站(C/S)10、加工站(P/S)12、以及接口部(I/F)14构成。

设置在系统一端的盒站(C/S)10包括：能够载置例如规定数量最多为四个的收容有多个基板G的盒C的盒台16、在该盒台16的上方且与盒C的排列方向相平行而设置的搬送路17、以及能够在该搬送路17上自由移动，并且相对于台16上的盒C对基板G进行存取用的搬送机构20。该搬送机构20具有能够保持基板G的装置，例如搬送臂，其能够在X、Y、Z、θ四轴上运动，并能够与后述的加工站(P/S)12侧的搬送装置38进行基板G的交接。

对于加工站(P/S)12来说，从上述盒站(C/S)10侧开始，经由(挟持)中继部23、药液供给单元25以及隔层27而依次将洗净加工部22、涂敷加工部24、显影加工部26设置在一横列。

洗净加工部22包括：两个洗刷洗净单元(SCR)28、上下两段紫外线照射/冷却单元(UV/COL)30、加热单元(HP)32、以及冷却单元(COL)34。

涂敷加工部24包括：非旋转方式的抗蚀剂涂敷单元(CT)40、减压干燥单元(VD)42、上下两段型粘附/冷却单元(AD/COL)46、上下两段型加热/冷却单元(HP/COL)48、以及加热单元(HP)50。

显影加工部26包括：三个显影单元(DEV)52、两个上下两段型加热/冷却单元(HP/COL)53、以及加热单元(HP)55。

搬送路36、51、58被设置在各加工部22、24、26的中央部分的长度方向上，搬送装置38、54、60沿着各搬送路36、51、58移动，以访问各加工部内的各单元，进行基板G的搬入/搬出或者搬送。其中，对于该系统来说，在各加工部22、24、26中，在搬送路36、51、58一侧配置有液体处理系统单元(SCR、CT、DEV等)，在另一侧设置有热处理系统单元(HP、COL等)。

设置在系统的另一端的接口部(I/F)14，在与加工站12邻接一侧设置有附加部(extension)(基板交接部)56和缓冲台57，在与曝光装置邻接一侧设置有搬送机构59。该搬送机构59能够在沿着Y方向延伸的搬送路19上自由移动，除了相对于缓冲台57进行基板G的存取之外，还与附加部(基板交接部)56以及邻接的曝光装置进行基板G的交接。

图2是表示该涂敷显影处理系统中的处理顺序。首先，在盒站10(C/S)10中，搬送机构20从台16上的规定的盒C中取出一个基板G，并将其传递至加工站(P/S)12中的洗净加工部22的搬送装置38(步骤S1)。

在洗净加工部22中，按照顺序，基板G首先被搬入紫外线照射/冷却单元(UV/COL)30中，在最初的紫外线照射单元(UV)中被实施利用紫外线照射进行的干式清洗，在随后的冷却单元(COL)中被冷却至规定温度(步骤S2)。在该紫外线清洗中，主要是除去基板表面的有机物。

接着，基板G在一个洗刷洗净单元(SCR)28中接受洗刷洗净处理，除去基板表面的粒子状污垢(步骤S3)。在洗刷洗净之后，基板G在加热单元(HP)32中接受通过加热进行的脱水处理(步骤S4)，随后，在冷却单元(COL)34中被冷却至一定的基板温度(步骤S5)。由此，洗净加工部22的前期处理结束，基板G通过搬送装置38经由基板交接部23而被搬送至涂敷加工部24。

在涂敷加工部24中，按照顺序，基板G首先被搬入粘附/冷却单元(AD/COL)46中，在最初的粘附单元(AD)中接受疏水化处理(HMDS)(步骤S6)，在随后的冷却单元(COL)中被冷却至一定的基板温度(步骤S7)。

之后，基板G在抗蚀剂涂敷单元(CT)40中通过非旋转法而被涂敷抗蚀剂，随后，在减压干燥单元(VD)42中接受通过减压进行的干燥处理(步骤S8)。

接着，按照顺序，基板G被搬入加热/冷却单元(HP/COL)48中，在最初的加热单元(HP)中进行涂敷后的烘焙(预烘焙)(步骤S9)，随后，在冷却单元(COL)中被冷却至一定的基板温度(步骤S10)。此外，在该涂敷后的烘培中，也可以使用加热单元(HP)50。

在上述涂敷处理后，基板G通过涂敷加工部24的搬送装置54和显影加工部26的搬送装置60而被搬送至接口部(I/F)14，再从接口部(I/F)14被传递至曝光装置(步骤S11)。在曝光装置中，在基板G上的抗蚀剂上曝光出规定的回路图案。然后，将完成图案曝光处理后的基板G从曝光装置送回至接口部(I/F)14。接口部(I/F)14的搬送机构59将从曝光装置取得的基板G经由附加部56传递至加工站(P/S)12的显影加工部26(步骤S11)。

在显影加工部26中，基板G在任意一个显像单元(DEV)52内接受显影处理(步骤S12)，随后，按照顺序被搬入加热/冷却单元(HP/COL)53之一，在最初的加热单元(HP)中进行后烘焙(步骤S13)，接着，在冷却单元(COL)中被冷却至一定的基板温度(步骤S14)。也可以在该后烘焙中使用加热单元(HP)55。

在显影加工部26中完成一系列处理的基板G，通过加工站(P/S)24内的搬送装置60、54、38而被送回至盒站(C/S)10，在盒站(C/S)10内通过搬送机构20而被收容在任意一个盒C中(步骤S1)。

在该涂敷显影处理系统中，本发明能够适用于例如涂敷加工部24的抗蚀剂涂敷单元(CT)40中。以下，参照图3～图25，对本发明在抗蚀剂涂敷单元(CT)40中适用的一实施方式进行说明。

在图3中，表示该实施方式的抗蚀剂涂敷单元(CT)40以及减压干燥单元(VD)42的整体结构。

如图3所示，在支撑台或者支撑座70上，抗蚀剂涂敷单元(CT)40和减压干燥单元(VD)42沿着X方向而被配置成一横列。应接受涂敷处理的新基板G，通过搬送路51侧的搬送装置54(图1)，沿着箭头F_A所示方向而被搬入到抗蚀剂涂敷单元(CT)40中。在抗蚀剂涂敷单元(CT)40中完成涂敷处理的基板G，通过可沿着由支撑台70上的导轨72引导的X方向移动的搬送臂74，而沿着箭头F_B所示方向被传送到减压干燥单元(VD)42。在减压干燥单元(VD)42中完成干燥处理的基板G，通过搬送路51的搬送装置54(图1)而沿着箭头F_C所示方向被取回。

抗蚀剂涂敷单元(CT)40具有在X方向延伸的台76，构成为在该台76上沿着同方向平流地搬送基板G的同时，从配置在台76的上方的长条形抗蚀剂喷嘴78向基板G上供给抗蚀剂，从而，以非旋转法在基板上面(被处理面)形成一定膜厚的抗蚀剂涂敷膜。在后面将对抗蚀剂涂敷单元(CT)40内的各部分的结构以及作用进行详细叙述。

减压干燥单元(VD)42具有在上面开口的呈盘状或者浅底容器型的下部腔室80、以及能够与该下部腔室80的上面气密密接或者嵌合而构成的盖状的上部腔室(未图示)。下部腔室80大体呈四边形，在中心部设置有水平载置基板G并起支撑作用的台82，在底面的四角处设置有排气口83。各排气口83经由排气管(未图示)与真空泵(未图示)相通。在上部腔室覆盖在下部腔室80上的状态下，能够利用该真空泵使两腔室内的被密闭的处理空间减压至规定真空度。

图4以及图5表示本发明的一个实施方式的抗蚀剂涂敷单元(CT)40内的更详细的整体结构。

在该实施方式的抗蚀剂涂敷单元(CT)40中，台76并不是如现有技术那样的用作固定保持基板G的载置台，而是用作通过空气压力使基板G浮在空中的基板浮起台。于是，配置在台76两侧的直进运动型的基板搬送部84，分别可装卸地保持浮在台76上的基板G的两侧边缘部，使得能够沿着台的长度方向(X方向)对基板G进行搬送。

详细地说，对于台76来说，在其长度方向分成五个区域M₁，M₂，M₃，M₄，M₅(图5)。左端区域M₁为搬入区域，应接受涂敷处理的新基板G被搬入到该区域M₁内的规定位置。在该搬入区域M₁中，为了从搬送装置54(图1)的搬送臂取得基板G并将其装载到台76上，而在台下方的原位置与台上方的往动位置之间，按规定的间隔设置有能够升降移动的多根升降销86。这些升降销86例如通过在驱动源中应用气缸(未图示)的搬入用升降销升降部85(图13)来驱动升降。

该搬入区域M₁是浮起式基板搬送的开始区域，在该区域内的台上面，为了使基板G以搬入用浮起高度或者浮起量H_a浮起，而以一定密度设置有多个喷出高压或者正压压缩空气的喷出口88。在此，搬入区域M₁的基板G的浮起量H_a无需特别高的精度，例如只需保持在100～150μm的范围内即可。此外，在搬送方向(X方向)上，优选搬入区域M₁的尺寸略大于基板G的尺寸。而且，在搬入领域M₁中，还可以设置使基板G在台76上定位用的校准部(未图示)。

设定在台76的中心部的区域M₃是抗蚀剂供给区域或者涂敷区域，基板G在通过该涂敷区域M₃时，接受从上方的抗蚀剂喷嘴78供给的抗蚀剂液R。涂敷区域M₃的基板浮起量H_b规定喷嘴78的下端(吐出口)与基板上面(被处理面)之间的间隔S(如100μm)。该间隔S是左右抗蚀剂涂敷膜的膜厚与抗蚀剂消耗量的重要的参数，有必要维持在一定的高精度。由此，在涂敷区域M₃的台上面，为了使基板以所希望的浮起量H_b浮起，以如图6所示的排列或者分布图案，混合设置有喷出高压或者正压压缩空气的喷出口88和利用负压吸进空气的吸入口90。于是，相对基板G通过涂敷区域M₃内的部分，从喷出口88施加利用压缩空气产生的垂直向上的力，同时，从吸入口90施加利用负压吸引力产生的垂直向下的力，通过控制相对抗的双方向力的平衡，而将涂敷用浮起量H_b维持在设定值H_s(如50μm)左右。对于搬送方向(X方向)上的涂敷领域M₃的尺寸来说，只要具有能够稳定形成抗蚀剂喷嘴78正下方的如上所述的狭小的涂敷间隔S的余地即可，通常，可以比基板G的尺寸稍小一些，如1/3～1/4左右。

如图6所示，在涂敷区域M₃中，在相对于基板搬送方向(X方向)呈一定倾斜角度的直线C上，交互配置有喷出口88和吸入口90，在邻接的各列之间，在直线C上的节距设置有适当的偏置α。根据该配置图案，不光使喷出口88以及吸入口90的混合密度均匀化，从而均匀化台上的基板浮起作用力，而且还使基板G在沿着搬送方向(X方向)移动时，与喷出口88以及吸入口90相对的时间比例在基板各部均匀化，从而，能够防止在基板G上形成的涂敷膜上产生喷出口88或者吸入口90的轨迹或复写痕迹。在涂敷区域M₃的入口处，为了使基板G的前端部在与搬送方向正交的方向(Y方向)上稳定接受均匀的浮起力，优选提高在同方向(直线J)排列的喷出口88以及吸入口90的密度。此外，在涂敷区域M₃中，在台76的两侧边缘部(直线K)上，为了防止基板G的两侧边缘部下垂，优选只配置喷出口88。

就设定在搬入区域M₁与涂敷区域M₃之间的中间区域M₂而言，其是用于在搬送过程中将基板G的浮起高度位置从搬入区域M₁中的浮起量H_a变化或者迁移为涂敷区域M₃中的浮起量H_b的迁移区域。在该迁移区域M₂内，也可以在台76的上面混合配置有喷出口88和吸入口90。在这种情况下，优选吸入口90的密度沿着搬送方向逐渐提高，从而，使得在搬送中的基板G的浮起量逐渐由H_a变为H_b。或者，也可以形成为在该迁移区域M₂中，不包含吸入口90而只设置喷出口88的结构。

与涂敷区域M₃的下游侧相邻的区域M₄，是在搬送中用于将基板G的浮起量从涂敷用的浮起量H_b变为搬出用的浮起量H_c(如100～150μm)的迁移区域。在该迁移区域M₄中，也可以将喷出口88与吸入口90混合配置在台76的上面，在这种情况下，优选吸入口90的密度沿着搬送方向逐渐减小。或者，也可以形成为不包含吸入口90而只设置有喷出口88的结构。此外，如图6所示，与涂敷区域M₃相同，在迁移区域M₄中，为了防止在基板G上形成的抗蚀剂涂敷膜上产生复写痕迹，优选其结构为将吸入口90(以及喷出口88)配置在相对于基板搬送方向(X方向)呈一定倾斜角度的直线E上，并在临接各列之间，在排列节距设置适当的偏置β。

台76的下游端(右端)的区域M₅为搬出区域。在抗蚀剂涂敷单元(CT)40中已接受涂敷处理的基板G，通过搬送臂74(图3)从该搬出区域M₅内的规定位置或者搬出位置而被搬送到下游侧邻接的减压干燥单元(VD)42(图3)。在该搬出区域M₅中，在台76上以一定密度设置有多个用于使基板G以搬出用浮起量H_c浮起的喷出口88，与此同时，为了将基板G从台76上卸载并传送至搬送臂74(图3)，而在台下方的原位置与台上方的往动位置之间以规定间隔设置有多个可升降移动的升降销92。这些升降销92例如利用在驱动源中应用气缸(未图示)的搬出用升降销升降部91(图13)来进行驱动升降。

对于抗蚀剂喷嘴78来说，其具有能够从一端到另一端将台76上的基板G覆盖的长度、并且在与搬送方向正交的水平方向(Y方向)上延伸的长条形的喷嘴主体，可升降地安装到门形或者逆“コ”(日文假名)字形的喷嘴支撑体130上，并与来自抗蚀剂液供给机构170(图12、图13)的抗蚀剂液供给管94(图4)连接。在图4中，用于支撑抗蚀剂喷嘴78的在铅直方向上延伸的棒体136构成喷嘴升降机构75(图11、图13)的一部分。

如图4、图7、以及图8所示，基板搬送部84分别包括：平行配置在台76左右两侧的一对导轨96，安装在各导轨96上并可沿轴向(X方向)移动的滑块98，在各导轨96上使滑块98直进移动的搬送驱动部100，以及从各滑块98向台76的中心部延伸并可装卸地保持基板G的左右两侧边缘部的保持部102。

在此，搬送驱动部100由直进型驱动机构例如线性电动机构成。此外，保持部102分别包括：利用真空吸附力结合在基板G的左右两侧边缘部的下面的吸附缓冲垫104；以及在前端部支撑吸附缓冲垫104，以滑块98侧的基端部作为支点，能够改变前端部的高度位置，并可弹性变形的板簧型缓冲垫支撑部106。吸附缓冲垫104以一定节距配置成一列，缓冲垫支撑部106分别独立地支撑各吸附缓冲垫104。因此，各吸附缓冲垫104以及缓冲垫支撑部106能够在独立的高度位置上(即使是不同的高度位置)稳定地保持基板G。

如图7所示，沿着台76设置有位置传感器122，该位置传感器122用于在预先设定的多个位置处检测出在搬送方向(X方向)上的台76上的基板G的位置。这些位置传感器122例如由光学式接近开关构成，既可以直接检测出基板G，也可以检测出与基板G一起移动的滑块98。

如图7以及图8所示，该实施方式中的缓冲垫支撑部106，被安装在板状缓冲垫升降部件108上，其中，该板状缓冲垫升降部件108可升降地被安装在滑块98的内侧面。搭载在滑块98上的例如由气缸组成的缓冲垫致动器109(图13)，使缓冲垫升降部件108在比基板G的浮起高度位置低的原位置(退避位置)与对应于基板G的浮起高度位置的往动位置(结合位置)之间进行升降移动。

如图9所示，各吸附缓冲垫104例如在由合成橡胶制成的长方体形的缓冲垫主体110的上面设置有多个吸入口112。这些吸入口112是切口状的长槽，也可以是球形或者矩形的小孔。在吸附缓冲垫104上连接有例如由合成橡胶制成的带状真空管114。这些真空管114的流路116分别与缓冲垫吸附控制部115(图13)的真空源连接。

如图4所示，就保持部102而言，优选单侧一列的真空吸附缓冲垫104以及缓冲垫支撑部106是在每一组中分离的分离型或者完全独立型的结构。但是，如图10所示，其结构也可以是在设置有凹口部118的一块板簧上形成单侧一列的缓冲垫支撑部120并在其上配置有单侧一列的真空吸附缓冲垫104的整体型结构。

如上所述，利用在台76的上面形成的多个喷出口88以及向其提供浮起力发生用压缩空气的压缩空气供给机构146(图11)，并且利用在台76的涂敷区域M₃内与喷出口88混合形成的多个吸入口90以及向其供给真空压力的真空供给机构148(图11)，使基板G在搬入区域M₁以及搬出区域M₅内以适合搬出搬入以及高速搬送的浮起量浮起，在涂敷区域M₃中，有用于使基板G以适合于稳定且正确的抗蚀剂涂敷扫描而设定的浮起量H_s浮起的台基板浮起部145(图13)。

图11表示喷嘴升降机构75、压缩空气供给机构146以及真空供给机构148的结构。喷嘴升降机构75包括：以在与搬送方向(X方向)正交的水平方向(Y方向)上横跨涂敷区域M₃的方式而架设的门形支撑体130，安装在该门形支撑体130上的铅直直线运动机构132，以及连接作为该铅直直线运动机构132的移动体(升降体)的角柱状水平支撑部件134与抗蚀剂喷嘴78的连接棒136。在此，直线运动机构132的驱动部包括：电动发动机138，滚珠丝杠140，导向部件142以及气缸144。电动发电机138的旋转力通过滚珠丝杠机构(140、142、134)而变换为铅直方向的直线运动，喷嘴78与升降体的水平支撑部件134一体在铅直方向升降移动。根据电动发电机138的旋转量以及旋转停止位置，能够任意控制抗蚀剂喷嘴78的升降移动量以及高度位置。气缸144是在后述涂敷扫描结束之前、使抗蚀剂喷嘴78上升移动，用于抵消抗蚀剂喷嘴78以及水平支撑部件134的重力的部件，在水平支撑部件134的两端部从下方推压该活塞杆144a来协助高速上升。其中，也可以是省去连接棒136而直接将抗蚀剂喷嘴78连接到水平支撑部件134的结构。

压缩空气供给机构146包括：在台76上面分割的多个区域分别连接到喷出口88的正压总管150，向这些正压总管150输送例如工厂用力的来自压缩空气供给源152压缩空气的压缩空气供给管154，以及设置在该压缩空气供给管154的中间的校准器156。真空供给机构148包括：在台76上面分割的多个区域分别连接到吸入口90的负压总管158，向这些负压总管158输送例如工厂用力的来自真空源160的真空的真空管162，以及设置在真空管162的中间的节气阀164。

图12表示抗蚀剂液供给机构170的结构。在该抗蚀剂液供给机构170中，可以从储存抗蚀剂液R的瓶172经由吸入管174将至少涂敷处理一次(一块基板的量)的抗蚀剂液R填充到抗蚀剂泵176中，在涂敷处理时，从抗蚀剂泵176经由吐出管或者抗蚀剂液供给管94以规定的压力向抗蚀剂喷嘴78压送抗蚀剂液R，从抗蚀剂喷嘴78向基板G上以规定的流量吐出抗蚀剂液R。

瓶172形成为密闭，由气管178以一定压力向瓶内的液面供给压送气体例如N₂。在气管178上设置有例如由气动阀组成的开关阀180。

在吸入管174的中途，设置有过滤器182、脱气模块184以及开关阀186。过滤器182除去从瓶172送来的抗蚀剂液R中的异物(垃圾之类)，脱气模块184除去抗蚀剂液中的气泡。开关阀186例如由气动阀组成，用于开启(全导通)或者闭合(隔断)吸入管174内的抗蚀剂液R的流动。

在抗蚀剂液供给管94的中途设置有开关阀188。没有设置过滤器和倒吸阀。该开关阀188例如由气动阀组成，开启(全导通)或者闭合(隔断)抗蚀剂液供给管94内的抗蚀剂液R的流动。

抗蚀剂泵176例如由注射泵组成，其包括：具有泵室的泵主体190，用于任意改变泵室容积的活塞192，以及用于使该活塞192往复运动的泵驱动部194。

图13表示该实施方式的抗蚀剂涂敷单元(CT)40中的控制系统的主要结构。控制器200由微机构成，用于控制单元内的各部分，特别是控制抗蚀剂液供给机构170、喷嘴升降机构75、台基板浮起部145、搬送驱动部100、缓冲垫吸附控制部115、缓冲垫致动器109、搬入用升降销升降部85、和搬出用升降销升降部91等的各个动作以及全体动作(次序)。

接着，对该实施方式的抗蚀剂涂敷单元(CT)40的涂敷处理动作进行说明。

控制器200，接收例如存储在光盘等存储介质中的抗蚀剂涂敷处理程序并在主存储器中运行，控制已编为程序的一系列涂敷处理动作。

若从搬送装置54将未处理的新基板G搬入到台76的搬入区域M₁，则升降销86在往动位置接受该基板G。在搬送装置54退出之后，升降销86下降，使基板G降落至搬送用高度位置、即浮起位置H_a(图5)。接着，使校准部(未图示)动作，从四方将按压部件(未图示)按压在浮起状态的基板G上，使基板G在台76上定位。若校准部动作完成，则立刻在基板搬送部84中使缓冲垫致动器109动作，以使吸附缓冲垫104从原位置(退避位置)向往动位置(结合位置)上升(UP)。对于吸附缓冲垫104来说，在此之前为开启真空状态，刚一接触浮起状态的基板G的侧缘部就以真空吸附力与其接合。当吸附缓冲垫104与基板G的侧缘部接合之后，校准部使按压部件退回到规定位置。

接着，对于基板搬送部84来说，在保持部102上原样保持基板G的侧缘部，同时，使滑块98从搬送起始位置沿搬送方向(X方向)以一定高速直进移动。这样，基板G在台76上以浮动状态沿搬送方向(X方向)直进移动，当基板G的前端部到达抗蚀剂喷嘴78的正下方附近的设定位置时，基板搬送部84停止第一阶段的基板搬送。此时，喷嘴升降机构75使抗蚀剂喷嘴78在上方的退避位置待机。

若基板G停止，则喷嘴升降机构75动作，抗蚀剂喷嘴78向垂直下方降落，喷嘴的吐出口与基板G的距离间隔或者间隔S到达设定值(如100μm)时，停止喷嘴下降动作。接着，抗蚀剂液供给机构170开始从抗蚀剂喷嘴78向基板G的上面喷出抗蚀剂。此时，优选最初吐出微量抗蚀剂液，在完全填充喷嘴的吐出口与基板G之间的间隔S之后，再开始以标准流量吐出。另一方面，基板搬送部84开始第二阶段的基板搬送。在该第二阶段、即涂敷时的基板搬送过程中，选择较低的一定速度Vs(如50mm/s)。这样，在涂敷区域M₃内，在基板G以水平方式沿着搬送方向(X方向)以一定速度Vs移动的同时，长条形抗蚀剂喷嘴78以一定流量向正下方的基板G呈带状吐出抗蚀剂液R，通过这样，如图14所示，从基板G的前端侧向后端侧形成抗蚀剂液的涂敷膜RM。其中，在抗蚀剂液供给机构170(图12)中，因为并没有在抗蚀剂液供给管94中设置过滤器和倒吸阀，所以抗蚀剂喷嘴78的吐出压力能够高速且平稳地上升到设定压力。

如图15(A)所示，在该涂敷扫描的最终阶段，若抗蚀剂喷嘴78通过距基板G的后端E_G规定距离d₁(例如10～15mm)的位于扫描上游侧(基板G的中心)的通过点X₁，则在此时刻t₁控制器200给予抗蚀剂液供给机构170规定的控制信号，使抗蚀剂泵176的吐出动作停止，紧接着，关闭抗蚀剂液供给管94的开关阀188。但是，因为响应速度的延迟以及残压而使抗蚀剂喷嘴78暂时维持在目前为止的吐出压力以及吐出流量，从某一时刻t_a开始，抗蚀剂喷嘴78的吐出压力以一定衰减特性衰减。在该实施例中，为了使该喷嘴吐出压力的衰减开始时刻t_a与后述喷嘴上升开始时刻(t₂)以及搬送速度减速开始时刻(t₃)在时间上以适度的关系接近，对各时刻进行设定或者调整。

随后，如图15(B)所示，若抗蚀剂喷嘴78通过距基板后端E_G规定距离d₂(如4mm)的位于扫描上游侧的通过点X₂，则在此时刻t₂控制器200给予喷嘴升降机构75规定的控制信号，使抗蚀剂喷嘴78从此时开始到涂敷扫描结束为止以规定的速度(如100mm/s)上升。此时，在喷嘴升降机构75中，气缸144从下方向上推压，使得抵消喷嘴支撑部件134以及抗蚀剂喷嘴78的重力，从而，电动发动机132实质上可以在无重力状态下使喷嘴支撑部件134以及抗蚀剂喷嘴78高速地升降运动。

而且，若抗蚀剂喷嘴78通过距基板后端E_G规定距离d₃(如3.5mm)的位于扫描上游侧的通过点X₃，则在该时刻t₃控制器200给予基板搬送部84规定的控制信号，使搬送基板G的速度从此时开始到涂敷扫描结束为止以一定减速度即负加速度(例如-500mm/s²)减速。此时，对基板搬送部84而言，因为搬送负荷的基板G比较轻，所以搬送驱动部100能够以较大且负的加速度使搬送速度即扫描速度减速。

这样，如图15(C)所示，在基板G上的后端部，通过进行使抗蚀剂喷嘴78的抗蚀剂吐出压力的衰减、抗蚀剂喷嘴78的上升移动、基板G的减速运动在时间上重合的涂敷扫描，抗蚀剂涂敷膜RM以不产生隆起部且大致均匀的膜厚到达终端。在该实施方式中，在搬送方向(X方向)上，若在抗蚀剂喷嘴78的吐出口到达距离基坂G规定位置或者说距基板后端部E_G规定距离d₄(如1mm)的位于扫描上游侧的终点X₄的时刻t₄，则抗蚀剂喷嘴78的上升移动与基板G的搬送同时结束(静止)。铅直方向上的终点X₄的高度位置H_e约为10mm。

这样，根据本发明，可以在使抗蚀剂喷嘴78的吐出口不超出基板G的后端部E_G的下游测的情况下，完成涂敷扫描。可是，也可以将涂敷扫描终点X₄的位置设定在基板后端E_G的下游端。再者，因为没有应用倒吸阀，所以在涂敷扫描结束时可以防止在抗蚀剂喷嘴78的吐出口中吸入空气。

在涂敷区域M₃完成上述涂敷处理后，基板G被搬向搬出区域M₅。在此，基板搬送部84转换为搬送速度较快的第三阶段的基板搬送。随后，若基板G到达搬送区域M₅内的搬送终点位置，则基板搬送部84停止第三阶段的基板搬送。紧接着，对吸附缓冲垫104的真空供给被终止，吸附缓冲垫104从往动位置(结合位置)向原位置(退避位置)下降，从基板G的两侧端部离。相反，为了卸载基板G，升降销92从台下方的原位置向台上方的往动位置上升。

随后，搬出机构、即搬送臂74进入搬出区域M₅，从升降销92取得基板G并搬出到台76之外。基板搬送部84将基板G传送给升降销92后，直接以高速返回搬入区域M₁。搬出在搬出区域M₅完成上述处理的基板G后，在搬入区域M₁，搬入随后应该接受涂敷处理的新基板G，开始进行无基准搬送。

在此，参照图16～图20，更加详细地对该实施方式的将要涂敷扫描结束时的作用以及效果进行说明。

图16是在该实施方式的涂敷扫描中，在同一时间轴上对比表示相对于基板G的抗蚀剂喷嘴78的相对扫描移动轨迹(A)、相对速度的时间特性(C)以及抗蚀剂喷嘴78的吐出压力的时间特性(B)。在喷嘴吐出压力的时间特性(B)中，时刻t_b是抗蚀剂喷嘴78的吐出口从基板G上的抗蚀剂液R的液膜完全分离(液断)的时刻，从此时刻tb开始，喷嘴吐出压力急剧下降，抗蚀剂液R不再流出喷嘴吐出口外。

如图16所示，在抗蚀剂喷嘴78经过通过点X₁的时刻t₁停止抗蚀剂泵176，随后，在经过一定延迟时间之后的时刻点t_a开始衰减抗蚀剂喷嘴78的吐出压力。另一方面，在时间上与此接近，抗蚀剂喷嘴78的上升移动与扫描速度的减速分别在规定的时刻t₂、t₃开始。这样，(1)抗蚀剂喷嘴78的吐出压力正在衰减时，(2)抗蚀剂喷嘴78上升移动，且(3)扫描速度减速，这是重要的。在以上三个条件(1)、(2)、(3)都具备的条件下，如图17所示，在涂敷扫描结束之前，在基板G上，在抗蚀剂膜RM的扫描方向上延伸的速度急剧下降，并且，因为抗蚀剂喷嘴78在衰减吐出压力的同时以锐角的方式向上方移动，因此，可以使抗蚀剂喷嘴78中残留的抗蚀剂从基板G上的抗蚀剂膜RM利落地切断(液体切断)。其结果，如图18、图19以及图20所示，在涂敷扫描的终端部，能够均匀化在基板G上形成的抗蚀剂膜RM的膜厚。其中，图20是沿着图19的A-A线的截面图。在图19中，虚线B表示基板G上的制品(形成装置)区域与边缘区域的分界线。

本发明的基本方法如上所述，但是，在实际的应用中还有必要最优化各参数值。本发明人经反复实验以及研究确认，若假定各部的移动速度为一定值(固定值)，则基板G终端部的抗蚀剂膜RM的膜厚剖面(profile)，在涂敷扫描方向上受到通过点X₁的位置以及抗蚀剂泵停止时刻t₁严重影响，在与涂敷扫描方向正交的水平方向(Y方向)上受到抗蚀剂喷嘴78的上升开始时刻t₂以及水平扫描减速开始时刻t₃的严重影响。

即，在涂敷扫描方向上，抗蚀剂泵停止的通过点X₁的位置越是接近基板后端E_G，在涂敷扫描终端部中抗蚀剂膜RM的膜厚在比设定值大的方向上越是容易产生偏差，相反，通过点X₁的位置越是远离基板后端E_G，在涂敷扫描终端部中抗蚀剂膜RM的膜厚在比设定值还小的方向上越是容易产生偏差。因此，通过适当调整通过点X₁的位置(距基板后端E_G的距离为d₁)，可以使涂敷扫描方向的膜厚剖面最优化(特别是膜厚均匀化)。

此外，在与涂敷扫描方向正交的水平方向(Y方向)上，抗蚀剂喷嘴78的上升开始时刻t₂越早，或者水平扫描减速开始时刻t₃越早，则左右两端部的抗蚀剂膜RM的膜厚在比设定值小的方向上越容易产生偏差，相反，抗蚀剂喷嘴78的上升开始时刻t₂越晚，或者水平扫描减速开始时刻t₃越晚，则左右两端部的抗蚀剂膜RM的膜厚在比设定值大的方向上越容易产生偏差。因此，通过适当地调整抗蚀剂喷嘴78的上升开始时刻t₂以及水平扫描减速开始时刻t₃，可以使同方向的膜厚剖面最优化(特别是膜厚均匀化)。其中，不必限定抗蚀剂喷嘴78的上升开始时刻t₂与水平扫描减速开始时刻t₃在时间上的前后关系，也可以是前者(t₃)比后者(t₂)提前。

在图21～图25中，为了与本发明相对比而表示参考例的作用及其结果(问题点)。该参考例表示的是在上述实施方式中将水平扫描减速开始位置设定在基板后端E_G的扫描下游侧的情况。此时，如图21所示，因为抗蚀剂喷嘴78仍按设定速度Vs穿越基板G的后端部，为了在基板后端E_G的内侧(扫描上游侧)使抗蚀剂膜RM到达终端，使得抗蚀剂喷嘴78的上升移动开始时刻t₂(例如设定为d₂＝7mm)提前。在图21中，t₃’、x₃’是水平扫描减速开始的时刻以及位置(通过点)，t₄’、x₄’是水平扫描结束的时刻以及位置(终点)。

在该参考例中，当喷嘴78的吐出口从基板G上的抗蚀剂膜RM分离时，抗蚀剂膜RM的追踪速度依旧较大，并且抗蚀剂喷嘴78的上升角度较小，所以，如图22所示，液体切断缓慢进行，如图23所示，抗蚀剂膜RM在隆起方向容易产生偏差。具体地说，如图24的单点划线以及图25所示，在基板G的左右两端部，抗蚀剂膜RM容易向中心侧隆起。此外，如图24所示，抗蚀剂膜RM的终端不稳定且容易不整齐。其中，图25是图24的A-A线的截面图。

根据上述参考例或者比较例，认识到在本发明中将水平扫描减速开始位置设定在基板后端E_G的扫描上游侧是很重要的。

如上所述，在该实施方式中，在台76上将搬入区域M₁、涂敷区域M₃以及搬出区域M₅设置在一列，在这些区域顺次搬送基板，在各区域中独立或者并列的进行基板搬入动作、抗蚀剂供给动作以及基板搬出动作，从而，对于一块基板G来说，根据搬入到搬到台76上的动作所需时间(T_IN)、在台76上从搬入区域M₁搬送到搬出区域M₅所需时间(T_C)、以及从搬出区域M₅搬出所需时间(T_OUT)加在一起的涂敷处理一个循环所需时间(T_C+T_IN+T_OUT)，能够缩短操作时间。

但是，利用从设置在台76上面的喷出口88喷出的气体的压力使基板G在空中飘浮，在台76上搬送漂浮的基板G的同时，从在扫描方向上静止的长条形抗蚀剂喷嘴78向基板G上供给抗蚀剂液进行涂敷，因此，能够顺利高效地对应基板的大型化以及长条形抗蚀剂喷嘴的厚重长大化。

于是，在涂敷扫描中，将重量较重的大型长条形抗蚀剂喷嘴78配设在一定位置，在水平方向(X方向)上搬送重量较轻的基板G，从而，喷嘴78相对基板G进行相对水平移动，因此，在涂敷扫描结束期间，本发明能够以较大减速度(负加速度)高速进行水平扫描的减速。此外，在涂敷扫描结束期间，当在基板G上使抗蚀剂喷嘴78上升移动时，因为如上所述在喷嘴升降机构75中通过电动发电机138以及气缸144的并用而进行高速上升驱动，无需设定较高的上升速度以至上升角度。

但是，本发明并不限定在上述实施方式的浮起搬送方式的非旋转搬送法。本发明也可以适用于使基板水平固定载置于载置型台上，在基板上方，在使长条形抗蚀剂喷嘴在与喷嘴长度方向正交的水平方向上移动的同时，呈带状向基板上吐出抗蚀剂来涂敷的非旋转涂敷方法。

虽然上述实施方式涉及LCD制造的涂敷显影处理系统中的抗蚀剂涂敷装置，但是本发明也可以适用于在被处理基板上涂敷处理液的任意的涂敷方法。因此，作为本发明的处理液，除了抗蚀剂之外，例如也可以为层间绝缘材料、电介质材料以及配线材料等的涂敷液，也可以为显影液或者漂洗液等。本发明中的被处理基板不局限于LCD基板，也可以为其他的平板显示器用基板、半导体基板、CD基板、玻璃基板、光掩模以及印刷电路板等。

Claims (17)

1.一种涂敷装置，其特征在于，包括：

用于在一定的涂敷区域内大致水平地支撑被处理基板的基板支撑部；

用于在所述涂敷区域内隔开规定间隔向所述基板的上面吐出处理液的长条形喷嘴；

用于向所述喷嘴压送所述处理液的处理液供给源；

用于在所述涂敷区域内使所述喷嘴相对所述基板在水平方向上进行相对移动的扫描部；

用于在所述涂敷区域内使所述喷嘴相对所述基板在铅直方向上进行相对移动的升降部；以及

在所述喷嘴通过设定在所述基板上的第一通过点时，控制所述处理液供给源停止向所述喷嘴压送所述处理液，从所述喷嘴通过设定在所述基板上的第二通过点的时刻开始到扫描结束为止，控制所述升降部，使所述喷嘴相对所述基板以规定速度向上方进行相对移动，从所述喷嘴通过设定在所述基板上的第三通过点的时刻开始到扫描结束为止，控制所述扫描部，使所述喷嘴相对所述基板的相对水平移动减速的控制部。

2.根据权利要求1所述的涂敷装置，其特征在于：

所述基板支撑部具有在所述涂敷区域内使所述基板浮在空中的台。

3.根据权利要求2所述的涂敷装置，其特征在于：

在所述涂敷区域内，在所述台的上面混合设置有多个喷出气体的喷出口与吸入气体的吸入口。

4.根据权利要求2所述的涂敷装置，其特征在于：

所述喷嘴被配置于在所述涂敷区域的水平方向上固定的规定位置上，

所述扫描部具有基板搬送部，所述基板搬送部在与所述水平移动对应的规定搬送方向上搬送在所述台上处于浮起状态的所述基板，并使其通过所述喷嘴的正下方。

5.根据权利要求4所述的涂敷装置，其特征在于：

所述基板搬送部包括：

以与所述基板移动方向平行延伸的方式配置在所述台的单侧或两侧的导轨；

可沿所述导轨移动的滑块；

驱动所述滑块使其沿所述导轨移动的搬送驱动部；以及

从所述滑块向所述台的中心部延伸，可装卸地保持所述基板侧缘部的保持部。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的涂敷装置，其特征在于：

所述升降部包括：

整体支撑所述喷嘴的喷嘴支撑部；

为了使所述喷嘴从任意的第一高度位置向任意的第二高度位置升降移动而与所述喷嘴支撑部结合的电动致动器；以及

为了抵消所述喷嘴的重力而与所述喷嘴支撑部结合的气缸。

7.一种涂敷方法，其特征在于：

其是使被处理基板的上面与长条形喷嘴的吐出口隔开规定的间隔并大致水平相对，在由处理液供给源向所述喷嘴压送处理液的同时，进行使所述喷嘴相对所述基板在水平方向上相对移动的扫描，从而在所述基板上形成所述处理液的涂敷膜的涂敷方法，其中，所述涂敷方法包括：

在所述喷嘴通过设定在所述基板上的第一通过点的第一时刻，停止从处理液供给源向所述喷嘴压送所述处理液的第一工序；

从所述喷嘴通过设定在所述基板上的第二通过点的第二时刻开始到扫描结束为止，使所述喷嘴相对所述基板以规定的速度向上方进行相对移动的第二工序；以及

从所述喷嘴通过设定在所述基板上的第三通过点的第三时刻开始到扫描结束为止，使所述喷嘴相对所述基板的相对水平移动减速的第三工序。

8.根据权利要求7所述的涂敷方法，其特征在于：

调整所述第一、第二及第三通过点的位置，使所述基板的终端部附近的所述涂敷膜的膜厚剖面最优化。

9.根据权利要求7所述的涂敷方法，其特征在于：

调整所述第一、第二及第三的时刻，使所述基板的终端部附近的所述涂敷膜的膜厚剖面最优化。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的涂敷方法，其特征在于：

从所述第一时刻开始经过规定的延迟时间之后，所述喷嘴的吐出压力开始衰减，在该吐出压力的衰减过程中，同时进行所述喷嘴相对所述基板的相对上方移动与相对水平移动的减速。

11.根据权利要求7至9中任一项所述的涂敷方法，其特征在于：

所述喷嘴相对所述基板的相对水平移动的减速以大致一定的负的加速度进行。

12.根据权利要求7至9中任一项所述的涂敷方法，其特征在于：

所述喷嘴相对所述基板的相对上方移动以大致一定的速度进行。

13.根据权利要求7至9中任一项所述的涂敷方法，其特征在于：

在所述喷嘴到达规定的扫描终点的第四时刻，大致同时结束所述喷嘴相对所述基板的相对水平移动与相对上方移动。

14.根据权利要求7至9中任一项所述的涂敷方法，其特征在于：

在扫描结束时，所述喷嘴的吐出口位于所述基板后端的基板内侧。

15.根据权利要求7至9中任一项所述的涂敷方法，其特征在于：

在扫描方向上，将所述喷嘴固定在一定的位置上，使所述基板水平移动。

16.根据权利要求15所述的涂敷方法，其特征在于：

在向垂直上方提供气体压力的浮起台上，在使所述基板浮动在空中的同时进行所述基板的水平移动。

17.根据权利要求15所述的涂敷方法，其特征在于：

在铅直方向上，从开始扫描到所述第三时刻为止，将所述喷嘴保持在规定的基准高度位置，从所述第三时刻使所述喷嘴以规定的速度上升移动。

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