KR20070035445A - 도포 방법 및 도포 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 도포 방법 및 도포 장치에 관한 것으로서 레지스트 노즐 (78)이 통과점 (X₁)를 통과한 시점 (t₁)에서 레지스트 펌프를 멈추고 나서 일정한 지연 시간이 경과한 시점 (ta)로 레지스트 노즐 (78)의 토출 압력이 감쇠하기 시작한다. 한편, 이것과 시간적으로 근접해, 기판 (G)에 대한 레지스트 노즐 (78)의 상승 이동과 주사 속도의 감속이 각각 소정의 시점 (t₂, t₃)으로 개시한다. 이렇게 해 레지스트 노즐 (78)의 토출 압력이 감쇠하고 있는 한중간에 레지스트 노즐 (78)이 상승 이동하고 또 한편 주사 속도가 감속하는 스핀레스 방식에 있어서 도포막의 막두께 제어, 특히 도포 주사 종단부의 막두께 균일화를 안정된 동작으로 재현성 좋게 행하는 기술을 제공한다.
Description
도 1은 본 발명의 적용 가능한 도포 현상 처리 시스템의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2는 실시 형태의 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 처리의 순서를 나타내는 플로차트이다.
도 3은 실시 형태의 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 레지스트 도포 유니트 및 감압 건조 유니트의 전체 구성을 나타내는 간략 평면도이다.
도 4는 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유니트의 전체 구성을 나타내는 사시도이다.
도 5는 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유니트의 전체 구성을 나타내는 간략 정면도이다.
도 6은 상기 레지스트 도포 유니트내의 스테이지 도포 영역에 있어서의 분출구와 흡입구의 배열 패턴의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 7은 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 기판 반송부의 구성을 나타내는 일부 단면 간략 측면도이다.
도 8은 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 기판 반송부의 보지부의 구성을 나타내는 확대 단면도이다.
도 9는 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 기판 반송부의 패드부의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 10은 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 기판 반송부의 보지부의 하나의 변형예를 나타내는 사시도이다.
도 11은 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 노즐 승강기구, 압축 공기 공급 기구 및 진공 공급 기구의 구성을 나타내는 도이다.
도 12는 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 레지스트액공급 기구의 구성을 나타내는 도이다.
도 13은 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 제어계의 주요한 구성을 나타내는 블럭도이다.
도 14는 실시 형태에 있어서의 도포 주사의 일단층을 나타내는 측면도이다.
도 15는 실시 형태에 있어서의 도포 주사 종료 직전의 각 단계의 작용을 나타내는 측면도이다.
도 16은 실시 형태에 있어서의 도포 주사 종료 직전의 각부의 작용을 동일 시간축상에서 대비해 나타내는 도이다.
도 17은 실시 형태에 있어서 기판상의 레지스트액막으로부터 레지스트 노즐의 토출구가 분리할 때의 작용을 나타내는 측면도이다.
도 18은 실시 형태에 있어서 기판상의 형성되는 레지스트 도포막의 종단부를 나타내는 측면도이다.
도 19는 실시 형태에 있어서 기판상의 형성되는 레지스트 도포막의 종단부를 나타내는 평면도이다.
도 20은 도 1 9의 A-A선에 대한 단면도이다.
도 21은 참고예로서 도포 주사 종료 직전의 각부의 작용을 동일 시간축상에서 대비해 나타내는 도이다.
도 22는 참고예로서 기판상의 레지스트액막으로부터 레지스트 노즐의 토출구가 분리할 때의 작용을 나타내는 측면도이다.
도 23은 참고예로서 기판상의 형성되는 레지스트 도포막의 종단부를 나타내는 측면도이다.
도 24는 참고예로서 기판상의 형성되는 레지스트 도포막의 종단부를 나타내는 평면도이다.
도 25는 도 24의 A-A선에 대한 단면도이다.
**주요부위를 나타내는 도면부호의 설명**
40 레지스트 도포 유니트(CT)
75 노즐 승강기구
76 스테이지
78 레지스트 노즐
84 기판 반송부
88 분출구
90 흡인구
100 반송 구동부
102 보지부
1O4 흡착 패드
122 위치 센서
138 전동 모터
144 에어 실린더
146 압축 공기 공급 기구
148 진공 공급 기구
170 레지스트액 공급 기구
176 레지스트 펌프
200 콘트롤러
M1 반입 영역
M3 도포 영역
M5 반출 영역
본 발명은 피처리 기판상에 액체를 도포해 도포막을 형성하는 도포 방법 및 도포 장치에 관한다.
LCD등의 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 프로세스에 있어서의 포트리소그 래피 공정에는 슬릿 형상의 토출구를 가지는 긴형의 레지스트 노즐을 주사 해 피처리 기판(유리 기판등 ) 상으로 레지스트액을 도포하는 스핀레스의 도포법이 자주 이용되고 있다.
이러한 스핀레스 도포법은 예를 들어 특허 문헌 1에 개시되는 바와 같이 재치대 또는 스테이지상으로 기판을 수평에 재치하고 이 스테이지상의 기판과 긴형 레지스트 노즐의 토출구의 사이에 1OOμm정도의 약간의 갭을 설정해, 기판 윗쪽에서 레지스트 노즐을 주사 방향(일반적으로 노즐 긴 방향과 직교하는 수평 방향)으로 이동시키면서 기판상에 레지스트액을 띠형상으로 토출시켜 도포한다. 긴형 레지스트 노즐을 기판의 일단으로부터 타단까지 1회 이동시키는 것만으로, 레지스트액을 기판의 밖에 떨어뜨리지 않고 원하는 막두께로 레지스트 도포막을 기판상에 형성할 수가 있다.
[특허 문헌 1] 일본국 특개평10-156255 공보
종래의 스핀레스 도포법은 레지스트 도포막의 막두께 제어에 개선의 여지가 있고, 특히 면내 균일성이 과제가 되고 있다. 구체적으로는 도포 주사의 종단부 에 있어서 기판상의 레지스트액막으로부터 레지스트 노즐에 남아야 할 레지스트액을 깨끗하게 끊는 것이 어렵기 때문에 레지스트 도포막이 돌몰하기 쉽다고 하는 문제가 있다.
이 문제에 대처하기 위해서 레지스트 공급원과 레지스트 노즐을 연결하는 배관의 도중에 색 백 밸브(sag bag valve)를 설치해 도포 주사의 종료시에 색 백 밸브를 온 시켜 레지스트 노즐의 토출구로부터 기판상에 늘어져 있는 레지스트액을 순간으로 자르도록 노즐 측에 되돌리는 기법이 이용되고 있다. 그렇지만 이 기법은 레지스트 노즐내에 레지스트액을 되돌릴 때에 공기를 함께 흡입해버려 다음번의 도포 처리 시에 기포 섞인 레지스트액을 기판상에 공급할 우려가 있어 안정 가동이 어렵다고 하는 결점이 있다. 또, 색 백 밸브는 레지스트 공급원으로부터 레지스트노즐로 레지스트액을 압송하는 유로내에서 적지않은 압력 손실을 주기 때문에 도포 개시시의 레지스트 토출 압력의 활성 특성을 저하시키는 디메리트도 있다.
본 발명은 관련된 종래 기술의 문제점에 비추어 이루어진 것으로서 도포막의 막두께 제어, 특히 도포 주사 종단부의 막두께 균일화를 안정된 동작으로 재현성 좋게 실시할 수 있는 스핀레스 방식의 도포 방법 및 도포 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위해서 본 발명의 도포 방법은 피처리 기판의 상면과 긴형 노즐의 토출구를 소정의 갭을 두고 거의 수평으로 대향시켜 처리액공급원에서 상기 노즐에 처리액을 압송하는 것과 동시에 상기 기판에 대해서 상기 노즐을 상대적으로 수평 방향으로 이동시키는 주사를 실시하고 상기 기판상에 상기 처리액의 도포막을 형성하는 도포 방법으로서, 상기 노즐이 상기 기판상에 설정된 제1의 통과점을 통과하는 제1의 시점에서 처리액공급원으로부터 상기 노즐로의 상기 처리액의 압송을 정지하는 제1의 공정과, 상기 노즐이 상기 기판상에 설정된 제2의 통과점을 통과하는 제2의 시점으로부터 주사 종료까지 상기 기판에 대해서 상기 노즐을 소정의 속도로 상대적으로 윗쪽에 이동시키는 제2의 공정과, 상기 노즐이 상기 기판상에 설정된 제3의 통과점을 통과하는 제3의 시점으로부터 주사 종료까지 상기 기판에 대한 상기 노즐의 상대적인 수평 이동을 감속시키는 제3의 공정을 가진다.
또, 본 발명의 도포 장치는 일정한 도포 영역내에서 피처리 기판을 거의 수평으로 지지하기 위한 기판 지지부와 상기 도포 영역내에서 상기 기판의 상면에 소정의 갭을 두고 처리액을 토출하기 위한 긴형의 노즐과 상기 노즐에 상기 처리액을 압송하기 위한 처리액공급원과 상기 도포 영역내에서 상기 노즐을 상기 기판에 대해서 상대적으로 수평 방향으로 이동시키기 위한 주사부와 상기 도포 영역내에서 상기 노즐을 상기 기판에 대해서 상대적으로 수직 방향으로 이동시키기 위한 승강부와 상기 노즐이 상기 기판상에 설정된 제1의 통과점을 통과할 때에 상기 처리액공급원을 제어해 상기 노즐로의 상기 처리액의 압송을 정지시켜, 상기 노즐이 상기 기판상에 설정된 제2의 통과점을 통과하는 시점으로부터 주사 종료까지 상기 승강부를 제어해 상기 기판에 대해서 상기 노즐을 소정의 속도로 상대적으로 윗쪽에 이동시켜 상기 노즐이 상기 기판상에 설정된 제3의 통과점을 통과하는 시점으로부터 주사 종료까지 상기 주사부를 제어해 상기 기판에 대한 상기 노즐의 상대적인 수평 이동을 감속시키는 제어부를 가진다.
본 발명의 도포법에 있어서는 도포 주사의 종반에서 먼저 노즐이 기판상의 제1의 통과점을 통과하면 이 시점(제1의 시점)에서 처리액공급원으로부터 노즐로의 처리액의 압송이 정지한다. 그렇다면 이 때부터 소정의 지연 시간이 경과해 노즐의 토출 압력이 감쇠하기 시작한다. 한편, 노즐이 기판상의 제2의 통과점을 통과하면 이 시점(제2의 시점)에서 기판에 대한 노즐의 상대적인 윗쪽 이동이 개시되어 이 노즐의 상대적인 윗쪽 이동은 주사 종료까지 행해진다. 또, 노즐이 기판상의 제3의 통과점을 통과하면 이 시점(제3의 시점)에서 기판에 대한 노즐의 상대적인 수평 이동의 감속이 개시되어 이 노즐의 상대적인 수평 이동의 감속은 주사 종료까지 행해진다. 이렇게 해 노즐이 기판의 바로 위를 상대 이동하고 있을 때에 노즐 토출 압력의 감쇠와 기판에 대한 노즐의 상대적인 윗쪽 이동과 수평 이동의 감속이 각각 소정의 타이밍으로 행해진다.
본 발명의 매우 적합한 한 종류에 의하면 상기 제 1, 제2 및 제3의 통과점의 위치를 조정해 기판의 종단부 부근에 있어서의 도포막의 막두께 프로 파일을 최적화한다. 혹은, 상기 제 1, 제2 및 제3의 시점을 조정해 기판의 종단부 부근에 있어서의 도포막의 막두께 프로 파일을 최적화해도 괜찮다.
특히 매우 적합한 한 종류에 의하면 제1의 시점으로부터 소정의 지연 시간의 경과후에 노즐의 토출 압력이 감쇠하기 시작해 그 토출 압력의 감쇠중에 기판에 대한 상기 노즐의 상대적인 윗쪽 이동과 수평 이동의 감속이 동시에 행해진다. 그러한 노즐의 상대적인 수평 이동과 윗쪽 이동은 거의 동시에 종료해도 좋다. 이 경우, 도포 주사의 종료 직전에 기판상에서 액막의 주사 방향으로 늘어나는 속도가 급격하게 떨어지는데다 노즐이 토출 압력을 감쇠시키면서 급각도로 윗쪽에 이동하기 때문에 기판상의 액막으로부터 노즐에 남아야 할 레지스트액을 깨끗하게 끊을 수 있다.
또, 매우 적합한 한 종류로서 기판에 대한 노즐의 상대적인 수평 이동의 감속은 거의 일정한 부의 가속도로 행해져 좋고 기판에 대한 노즐의 상대적인 윗쪽 이동은 거의 일정한 속도로 행해져 좋다. 본 발명에 있어서는 주사 종료시에 노즐의 토출구를 기판의 후단보다 기판 안쪽 즉 주사 상류 측에 위치시키는 것도 가능하다.
본 발명에 있어서는 도포 주사를 위해서 기판과 노즐의 사이에 상기와 같은 상대 이동을 하면 좋고 기판이 일정한 위치에 정지해 노즐이 수평 방향 및 수직 방향의 이동을 실시하는 형태, 노즐이 일정한 위치에 정지해 기판이 수평 방향 및 수직 방향으로 이동하는 형태 혹은 기판 및 노즐의 양자가 수평 방향 및/또는 수직 방향으로 이동하는 형태 모두 가능하다. 무엇보다 수평 방향에 있어서는 일반적으로 노즐보다 현격히 가벼운 기판을 이동시키는 편이 기본 수평 주사뿐만이 아닌 본 발명에 있어서의 수평 이동의 감속도 효율적으로 실시할 수 있다. 또, 수직 방향 에 있어서는 공기 저항이 적은 노즐을 상승 이동시키는 편이 본 발명에 있어서 기판에 대한 노즐의 상대적인 윗쪽 이동을 고속으로 실시할 수가 있다.
매우 적합한 한 종류에 의하면 본 발명의 도포 장치에 있어서 기판 지지부가 도포 영역내에서 기판을 부상시키는 스테이지를 가진다. 상기 도포 영역내에서는 스테이지의 상면에 기체를 분출하는 분출구와 기체를 흡입하는 흡인구가 다수 혼재해 설치된다. 노즐은 수평 반송 방향에서는 도포 영역내의 정위치에 배치되어도 좋다. 주사부에는 스테이지상에서 부상한 상태의 기판을 수평 이동으로 대응하는 소정의 반송 방향으로 반송해 노즐의 바로 아래를 통과시키는 기판 반송부를 구비할 수 있다. 이 기판 반송부는 기판의 이동하는 방향과 평행하게 늘어나도록 스테이지의 한쪽측 또는 양측으로 배치되는 가이드 레일과 이 가이드 레일을 따라 이동 가 능한 슬라이더와 이 슬라이더를 가이드 레일을 따라 이동하도록 구동하는 반송 구동부와 슬라이더로부터 스테이지의 중심부로 향해 연장하고 기판의 측 테두리부를 착탈 가능하게 보지하는 보지부를 가진다.
또, 매우 적합한 한 종류에 의하면 승강부가 노즐을 일체로 지지하는 노즐 지지부와 노즐을 임의의 제1의 높이 위치로부터 임의의 제2의 높이 위치에 승강 이동시키기 위해서 노즐 지지부와 결합하는 전동 액츄에이터와 노즐의 중력을 캔슬하기 위해서 상기 노즐 지지부와 결합하는 에어 실린더를 가진다.
이하, 첨부도를 참조해 본 발명의 매우 적합한 실시 형태를 설명한다.
도 1에 본 발명의 도포 방법 및 도포 장치의 적용 가능한 구성예로서 도포 현상 처리 시스템을 나타낸다. 이 도포 현상 처리 시스템은 클린 룸내에 설치되어 예를 들어 LCD 기판을 피처리 기판으로 하고 LCD 제조 프로세스에 있어서 포트리소그래피 공정안의 세정, 레지스트 도포, 프리베이크, 현상 및 포스트베이크의 각 처리를 실시하는 것이다. 노광 처리는 이 시스템에 인접해 설치되는 외부의 노광 장치(도시하지 않음)로 행해진다.
이 도포 현상 처리 시스템은 크게 나누어, 카셋트 스테이션(C/S,10)과 프로세스 스테이션(P/S, 12)와 인터페이스부(I/F, 14)로 구성된다.
시스템의 일단부에 설치되는 카셋트 스테이션(C/S,10)은 복수의 기판 (G)를 수용하는 카셋트 (C)를 소정수 예를 들어 4개까지 재치 가능한 카셋트 스테이지 (16)과 이 카셋트 스테이지 (16)상의 측쪽으로 또한 카셋트 (C)의 배열 방향과 평 행하게 설치된 반송로 (17)과 이 반송로 (17)상에서 이동 자유롭게 스테이지 (16)상의 카셋트 (C)에 대해서 기판 (G)의 출입을 실시하는 반송 기구 (20)을 구비하고 있다. 이 반송 기구 (20)은 기판 (G)를 보지할 수 있는 수단 예를 들어 반송 아암을 갖고 X, Y, Z, θ의 4축으로 동작 가능하고 후술하는 프로세스 스테이션(P/S, 12)측의 반송 장치 (38)과 기판 (G)의 수수를 실시할 수 있게 되어 있다.
프로세스 스테이션(P/S, 12)는 상기 카셋트 스테이션(C/S, 10)측으로부터 차례로 세정 프로세스부 (22)와 도포 프로세스부 (24)와 현상 프로세스부 (26)을 기판 중계부 (23), 약액 공급 유니트 (25) 및 스페이스 (27)을 개재하여(끼워서) 횡일렬로 설치하고 있다.
세정 프로세스부 (22)는 2개의 스크러버 세정 유니트(SCR, 28)과 상하 2단의 자외선 조사/냉각 유니트(UV/COL, 30)과 가열 유니트(HP, 32)와 냉각 유니트(COL, 34)를 포함하고 있다.
도포 프로세스부 (24)는 스핀레스 방식의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)과 감압 건조 유니트(VD, 42)와 상하 2단형 애드히젼/냉각 유니트(AD/COL, 46)과 상하 2단형 가열/냉각 유니트(HP/COL, 48)과 가열 유니트(HP, 50)을 포함하고 있다.
현상 프로세스부 (26)은 3개의 현상 유니트(DEV, 52)와 2개의 상하 2단형 가열/냉각 유니트(HP/COL, 53)과 가열 유니트(HP, 55)를 포함하고 있다.
각 프로세스부 (22, 24, 26)의 중앙부에는 긴 방향에 반송로 (36, 51, 58)이 설치되고 반송 장치 (38, 54, 60)이 각각 반송로 (36, 51, 58)을 따라 이동하고 각 프로세스부내의 각 유니트에 액세스 하고 기판 (G)의 반입/반출 또는 반송을 실시 하게 되어 있다. 또한 이 시스템에서는, 각 프로세스부 (22, 24, 26)에 있어서, 반송로 (36, 51, 58)의 한쪽측에 액처리계의 유니트(SCR, CT, DEV등 )가 배치되어 한쪽측에 열처리계의 유니트(HP, COL등)가 배치되고 있다.
시스템의 타단부에 설치되는 인터페이스부(I/F, 14)는, 프로세스 스테이션 (12)와 인접하는 측에 익스텐션(기판 수수부, 56) 및 버퍼 스테이지 (57)을 설치하고 노광 장치와 인접하는 측에 반송 기구 (59)를 설치하고 있다. 이 반송 기구 (59)는 Y방향으로 연장하는 반송로 (19)상에서 이동 자유롭고 버퍼 스테이지 (57)에 대해서 기판 (G)의 출입을 행하는 외에 익스텐션(기판 수수부, 56)이나 근처의 노광 장치와 기판 (G)의 수수를 실시하게 되어 있다.
도 2에 이 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 처리의 순서를 나타낸다. 먼저 카셋트 스테이션(C/S, 10)에 있어서 반송 기구 (20)이 스테이지 (16)상의 소정의 카셋트 (C)중에서 1개의 기판 (G)를 꺼내 프로세스 스테이션(P/S, 12)의 세정 프로세스부 (22)의 반송 장치 (38)에 건네준다(스텝 S1).
세정 프로세스부 (22)에 있어서 기판 (G)는 먼저 자외선 조사/냉각 유니트(UV/COL, 30)에 차례로 반입되고, 최초의 자외선 조사 유니트(UV)에서는 자외선 조사에 의한 건식 세정을 실시하고 다음의 냉각 유니트(COL)에서는 소정 온도까지 냉각된다(스텝 S2). 이 자외선 세정에서는 주로 기판 표면의 유기물이 제거된다.
다음에 기판 (G)는 스크러버 세정 유니트(SCR, 28)의 하나로 스크러빙 세정 처리를 받아 기판 표면으로부터 입자 형상의 더러움이 제거된다(스텝 S3). 스크러빙 세정후 기판 (G)는 가열 유니트(HP, 32)로 가열에 의한 탈수 처리를 받고(스텝 S4), 그 다음에 냉각 유니트(COL, 34)로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S5). 이것으로 세정 프로세스부 (22)에 있어서의 사전 처리가 종료해 기판 (G)는 반송 장치 (38)에 의해 기판 수수부 (23)을 개재시켜 도포 프로세스부 (24)에 반송된다.
도포 프로세스부 (24)에 있어서 기판 (G)는 먼저 애드히젼/냉각 유니트(AD/COL, 46)에 차례로 반입되고 최초의 애드히젼유니트(AD)에서는 소수화 처리(HMDS)를 받고(스텝 S6) 다음의 냉각 유니트(COL)로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S7).
그 후 기판 (G)는 레지스트 도포 유니트(CT, 40)으로 스핀레스법에 의해 레지스트액을 도포시키고 그 다음에 감압 건조 유니트(VD,42)로 감압에 의한 건조 처리를 받는다(스텝 S8).
다음에 기판 (G)는 가열/냉각 유니트(HP/COL, 48)에 차례로 반입되어 최초의 가열 유니트(HP)에서는 도포 후 베이킹(프리크)을 하고(스텝 S9), 다음에 냉각 유니트(COL)로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S10). 또한 이 도포 후 베이킹에 가열 유니트(HP, 50)을 이용할 수도 있다.
상기 도포 처리후, 기판 (G)는 도포 프로세스부 (24)의 반송 장치 (54)와 현상 프로세스부 (26)의 반송 장치 (60)에 의해 인터페이스부(I/F, 14)에 반송되어 그곳으로부터 노광 장치에 건네진다(스텝 S1I). 노광 장치에서는 기판 (G)상의 레지스트에 소정의 회로 패턴을 노광시킨다. 그리고, 패턴 노광을 끝낸 기판 (G)는 노광 장치로부터 인터페이스부(I/F, 14)에 되돌려진다. 인터페이스부(I/F, 14)의 반송 기구 (59)는 노광 장치로부터 받은 기판 (G)를 익스텐션 (56)을 개재시켜 프 로세스 스테이션(P/S, 12)의 현상 프로세스부 (26)에 건네준다(스텝 S11).
현상 프로세스부 (26)에 있어서 기판 (G)는 현상 유니트(DEV, 52)의 어느쪽이든 1개로 현상 처리를 받고(스텝 S12) 그 다음에 가열/냉각 유니트(HP/COL, 53)의 하나에 차례로 반입되어 최초의 가열 유니트(HP)에서는 포스트베이킹을 하고(스텝 S13) 다음에 냉각 유니트(COL)로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S14). 이 포스트베이킹에 가열 유니트(HP, 55)를 이용할 수도 있다.
현상 프로세스부 (26)에서의 일련의 처리가 끝난 기판 (G)는 프로세스 스테이션(P/S, 24)내의 반송 장치 (60, 54, 38)에 의해 카셋트 스테이션(C/S, 10)까지 되돌려져 거기서 반송 기구 (20)에 의해 어느쪽이든 1개의 카셋트 (C)에 수용된다(스텝 S1).
이 도포 현상 처리 시스템에 있어서는 예를 들어 도포 프로세스부 (24)의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 본 발명을 적용할 수가 있다. 이하, 도 3~도 25에 대해 본 발명을 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 적용한 하나의 실시 형태를 설명한다.
도 3에 이 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유니트(CT, 40) 및 감압 건조 유니트(VD,42)의 전체 구성을 나타낸다.
도 3에 나타나는 바와 같이 지지대 또는 지지 프레임 (70)위에 레지스트 도포 유니트(CT, 40)과 감압 건조 유니트(VD, 42)가 X방향으로 횡일렬로 배치되고 있다. 도포 처리를 받아야 할 새로운 기판 (G)는 반송로 (51)측의 반송 장치 (54,도 1)에 의해 화살표 (FA)로 나타나는 바와 같이 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 반입된다. 레지스트 도포 유니트(CT, 40)으로 도포 처리가 끝난 기판 (G)는 지지대 (70)상의 가이드 레일 (72)에 안내되는 X방향으로 이동 가능한 반송 아암 (74)에 의해 화살표 (FB)로 나타나는 바와 같이 감압 건조 유니트(VD, 42)에 전송된다. 감압 건조 유니트(VD, 42)로 건조 처리를 끝낸 기판 (G)는 반송로 (51)측의 반송 장치 (54,도 1)에 의해 화살표 (Fc)로 나타나는 바와 같이 제거된다.
레지스트 도포 유니트(CT, 40)은 X방향으로 길게 연장하는 스테이지 (76)을 갖고 이 스테이지 (76)상에서 기판 (G)를 같은 방향으로 평류하여 반송하면서, 스테이지 (76)의 윗쪽에 배치된 긴형의 레지스트 노즐 (78)에서 기판 (G)상으로 레지스트액을 공급해 스핀레스법으로 기판 상면(피처리면)에 일정 막두께의 레지스트 도포막을 형성하도록 구성되고 있다. 유니트(CT, 40)내의 각부의 구성 및 작용은 후에 상술 한다.
감압 건조 유니트(VD,42)는 상면이 개구하고 있는 트레이 또는 저천용기형의 하부 챔버 (80)과 이 하부 챔버 (80)의 상면에 기밀하게 밀착 또는 끼워 맞춤 가능하게 구성된 뚜껑 형상의 상부 챔버(도시하지 않음)를 가지고 있다. 하부 챔버 (80)은 거의 사각형으로 중심부에는 기판 (G)를 수평으로 재치해 지지하기 위한 스테이지 (82)가 설치되어 저면의 네 귀퉁이에는 배기구 (83)이 설치되고 있다. 각 배기구 (83)은 배기관(도시하지 않음)을 개재시켜 진공 펌프(~도시하지 않음)에 통하고 있다. 하부 챔버 (80)에 상부 챔버를 씌운 상태로 양챔버내의 밀폐된 처리 공 간을 상기 진공 펌프에 의해 소정의 진공도까지 감압할 수 있게 되어 있다.
도 4 및 도 5에, 본 발명의 일실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)내에서 상세한 전체 구성을 나타낸다.
이 실시 형태의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 있어서는 스테이지 (76)이 종래와 같이 기판 (G)를 고정 보지하는 재치대로서 기능하는 것이 아니라 기판 (G)를 공기압의 힘으로 공중에 부상하기 위한 기판 부상대로서 기능한다. 그리고, 스테이지 (76)의 양사이드에 배치되고 있는 직진 운동형의 기판 반송부 (84)가 스테이지 (76)상에서 부상하고 있는 기판 (G)의 양측 테두리부를 각각 착탈 가능하게 보지하여 스테이지 긴 방향(X방향)에 기판 (G)를 반송하도록 되어 있다.
상세하게는 스테이지 (76)은 그 긴 방향(X방향)에 있어서 5개의 영역 (M1, M2, M3, M4, M5)로 분할되고 있다(도 5). 좌단의 영역 (M₁)은 반입 영역이고 도포 처리를 받아야 할 신규의 기판 (G)는 이 영역 (M₁)내의 소정 위치에 반입된다. 이 반입 영역 (M₁)에는 반송 장치 (54,도 1)의 반송 아암으로부터 기판 (G)를 받아 스테이지 (76)상에 로딩하기 위해서 스테이지 아래쪽의 원위치와 스테이지 윗쪽의 주행 위치의 사이에 승강 이동 가능한 복수 라인의 리프트 핀 (86)이 소정의 간격을 두어 설치되고 있다. 이들의 리프트 핀 (86)은 예를 들어 에어 실린더(도시하지 않음)를 구동원에 이용하는 반입용의 리프트 핀 승강부 (85,도 13)에 의해 승강 구동된다.
이 반입 영역 (M₁)은 부상식의 기판 반송이 개시되는 영역이기도 해 이 영역내의 스테이지 상면에는 기판 (G)를 반입용의 부상 높이 또는 부상량 (Ha)로 부 상하기 위해서 고압 또는 정압의 압축 공기를 분출하는 분출구 (88)이 일정한 밀도로 다수 설치되고 있다. 여기서 반입 영역 (M₁)에 있어서의 기판 (G)의 부상량 (Ha)는 특히 높은 정밀도를 필요로 하지 않고 예를 들어 100~150μm의 범위내로 유지되면 좋다. 또, 반송 방향(X방향)에 있어서 반입 영역 (M₁)의 사이즈는 기판 (G)의 사이즈를 웃돌고 있는 것이 바람직하다. 또한 반입 영역 (M₁)에 기판 (G)를 스테이지 (76)상에서 위치 맞춤하기 위한 얼라인먼트부(도시하지 않음)도 설치되어도 좋다.
스테이지 (76)의 중심부로 설정된 영역 (M₃)은 레지스트액 공급 영역 또는 도포 영역이고, 기판 (G)는 이 도포 영역 (M₃)을 통과할 때에 윗쪽의 레지스트 노즐 (78)으로부터 레지스트액 (R)의 공급을 받는다. 도포 영역 (M₃)에 있어서의 기판 부상량 (Hb)는 노즐 (78)의 하단(토출구)과 기판 상면(피처리면) 사이의 갭 (S예를 들어 1OOμm)를 규정한다. 이 갭 (S)는 레지스트 도포막의 막두께나 레지스트 소비량을 좌우하는 중요한 파라미터이고, 높은 정밀도로 일정하게 유지될 필요가 있다. 이것으로부터 도포 영역 (M₃)의 스테이지 상면에는 예를 들어 도 6에 나타나는 바와 같은 배열 또는 분포 패턴으로 기판 (G)를 원하는 부상량 (Hb)로 부상하기 위해서 고압 또는 정압의 압축 공기를 분출하는 분출구 (88)과 부압으로 공기를 흡입하는 흡인구 (90)을 혼재시켜 설치하고 있다. 그리고, 기판 (G)의 도포 영역 (M₃)내를 통과하고 있는 부분에 대해서 분출구 (88)로부터 압축 공기에 의한 수직 상향의 힘을 부가하는 것과 동시에 흡인구 (90)에서 부압흡인력에 의한 수직 아래로 향한 힘을 부가하여 상대 저항하는 쌍방향의 힘의 밸런스를 제어하는 것으로, 도포용의 부상량 (Hb)를 설정값 (Hs,예를 들어 50μm) 부근에 유지하도록 하고 있다. 반송 방향(X방향)에 있어서의 도포 영역 (M₃)의 사이즈는 레지스트 노즐 (78)의 바로 아래에 상기와 같은 좁은 도포 갭 (S)를 안정에 형성할 수 있을 정도의 여유가 있으면 통상은 기판 (G)의 사이즈보다 작아 좋고 예를 들어 1/3~1/4정도로 좋다.
도 6에 나타나는 바와 같이 도포 영역 (M₃) 에 있어서는 기판 반송 방향(X방향)에 대해서 일정한 경사진 각도를 이루는 직선 (C)상으로 분출구 (88)과 흡인구 (90)을 교대로 배치해 인접하는 각 열의 사이에 직선 (C)상의 피치에 적당한 오프셋 (α)을 설치하고 있다. 관련하는 배치 패턴에 의하면 분출구 (88) 및 흡인구 (90)의 혼재 밀도를 균일하게 해 스테이지상의 기판 부상력을 균일화 가능할 뿐만 아니라 기판 (G)가 반송 방향(X방향)으로 이동할 때에 분출구 (88) 및 흡인구 (90)과 대향하는 시간의 비율을 기판 각부에서 균일화하는 것도 가능하고 이것에 의해 기판 (G)상으로 형성되는 도포막에 분출구 (88) 또는 흡인구 (90)의 트레이스 또는 전사 흔적이 남는 것을 방지할 수가 있다. 도포 영역 (M₃)의 입구에서는 기판 (G)의 선단부가 반송 방향과 직교하는 방향(Y방향)으로 균일한 부상력을 안정하게 받도록 동방향(직선 J상)으로 배열하는 분출구 (88) 및 흡인구 (90)의 밀도를 높게 하는 것이 바람직하다. 또, 도포 영역 (M₃)에 있어서도 스테이지 (76)의 양측 주변부(직선 K상)에는 기판 (G)의 양측 주변부가 늘어지는 것을 방지하기 위해서 분출구 (88)만을 배치하는 것이 바람직하다.
반입 영역 (M₁)과 도포 영역 (M₃)의 사이로 설정된 중간의 영역 (M₂)는 반송중에 기판 (G)의 부상 높이 위치를 반입 영역 (M₁)에 있어서의 부상량 (Ha)로부터 도포 영역 (M₃)에 있어서의 부상량 (Hb)에 변화 또는 천이시키기 위한 천이 영역이다. 이 천이 영역 (M₂)내에서도 스테이지 (76)의 상면에 분출구 (88)과 흡인구 (90)을 혼재시켜 배치할 수가 있다. 그 경우는, 흡인구 (90)의 밀도를 반송 방향을 따라 점차 크게 해 이것에 의해 반송중에 기판 (G)의 부상량이 점차적으로 Ha로부터 Hb로 옮기도록 해도 좋다. 혹은, 이 천이 영역 (M₂)에 있어서는 흡인구 (90)을 포함하지 않고 분출구 (88)만을 설치하는 구성도 가능하다.
도포 영역 (M₃)의 하류측 근처의 영역 (M₄)는 반송중에 기판 (G)의 부상량을 도포용의 부상량 (Hb)로부터 반출용의 부상량 Hc (예를 들어 100~150μm)로 바꾸기 위한 천이 영역이다. 이 천이 영역 (M4)에서도 스테이지 (76)의 상면에 분출구 (88)과 흡인구 (90)를 혼재시켜 배치해도 좋고 그 경우는 흡인구 (90)의 밀도를 반송 방향을 따라 점차 작게 하는 것이 좋다. 혹은, 흡인구 (90)을 포함하지 않고 분출구 (88)만을 설치하는 구성도 가능하다. 또, 도 6에 나타나는 바와 같이 도포 영역 (M₃)과 같게 천이 영역 (M₄)에서도, 기판 (G)상으로 형성된 레지스트 도포막에 전사 흔적이 남는 것을 방지하기 위해서 흡인구 (90 및 분출구 88)을 기판 반송 방향(X방향)에 대해서 일정한 경사진 각도를 이루는 직선 (E)상으로 배치해, 인접하는 각 열간에 배열 피치에 적당한 오프셋 (β)를 설치하는 구성이 바람직하다.
스테이지 (76)의 하류단(우단)의 영역 (M5)는 반출 영역이다. 레지스트 도포 유니트(CT, 40)으로 도포 처리를 받은 기판 (G)는 이 반출 영역 (M5)내의 소정 위치 또는 반출 위치로부터 반송 아암 (74,도 3)에 의해 하류측 근처의 감압 건조 유니트(VD, 42,도 3)에 반출된다. 이 반출 영역 (M5)에는 기판 (G)를 반출용의 부상량 (Hc)로 부상하기 위한 분출구 (88)이 스테이지 상면에 일정한 밀도로 다수 설치되고 있는 것과 동시에 기판 (G)를 스테이지 (76)상에서 언로딩 해 반송 아암 (74, 도 3)에 수수하기 위해서 스테이지 아래쪽의 원위치와 스테이지 윗쪽의 주행 위치의 사이에 승강 이동 가능한 복수 라인의 리프트 핀 (92)가 소정의 간격을 두어 설치되고 있다. 이들의 리프트 핀 (92)는 예를 들어 에어 실린더(도시하지 않음)를 구동원에 이용하는 반출용의 리프트 핀 승강부 (91, 도 13)에 의해 승강 구동된다.
레지스트 노즐 (78)은 스테이지 (76)상의 기판 (G)를 일단으로부터 타단까지 커버 할 수 있는 길이로 반송 방향과 직교하는 수평 방향(Y방향)으로 늘어나는 장척 형상의 노즐 본체를 갖고 문형 또는 コ 자형의 노즐 지지체 (130)에 승강 가능하게 장착되어 레지스트액 공급 기구 (170 ;도 12, 도 13)로부터의 레지스트액공급관 (94, 도 4)에 접속되고 있다. 도 4에 있어서, 레지스트 노즐 (78)을 지지하기 위한 수직 방향으로 늘어나는 봉체 (136)은 노즐 승강기구 (75, 도 11, 도 13)의 일부를 구성하고 있다.
도 4, 도 7 및 도 8에 나타나는 바와 같이 기판 반송부 (84)는 스테이지 (76)의 좌우양사이드에 평행하게 배치된 한 쌍의 가이드 레일 (96)과 각 가이드 레일 (96)상으로 축방향(X방향)으로 이동 가능하게 장착된 슬라이더 (98)과 각 가이드 레일 (96)상에서 슬라이더 (98)을 직진 이동시키는 반송 구동부 (100)과 각 슬 라이더 (98)로부터 스테이지 (76)의 중심부로 향해 연장하여 기판 (G)의 좌우 양측 테두리부를 착탈 가능하게 보지하는 보지부 (102)를 각각 가지고 있다.
여기서, 반송 구동부 (100)은 직진형의 구동 기구 예를 들어 리니어 모터에 의해 구성되고 있다. 또, 보지부 (102)는 기판 (G)의 좌우 양측 테두리부의 하면에 진공 흡착력으로 결합하는 흡착 패드 (104)와 선단부에서 흡착 패드 (104)를 지지해, 슬라이더 (98)측의 기단부를 지점으로서 선단부의 높이 위치를 바꿀 수 있도록탄성변형 가능한 판용수철형의 패드 지지부 (106)을 각각 가지고 있다. 흡착 패드 (104)는 일정한 피치로 일렬로 배치되어 패드 지지부 (106)은 각각의 흡착 패드 (104)를 독립에 지지하고 있다. 이것에 의해 개개의 흡착 패드 (104) 및 패드 지지부 (106)이 독립한 높이 위치에서(다른 높이 위치에서도) 기판 (G)를 안정하게 유지할 수 있게 되어 있다.
도 7에 나타나는 바와 같이 반송 방향(X방향)에 있어서의 스테이지 (76)상의 기판 (G)의 위치를 미리 설정한 복수의 위치에서 검출하기 위한 위치 센서 (122)가 스테이지 (76)을 따라 설치되고 있다. 이들의 위치 센서 (122)는 예를들면 광학식의 근접 스윗치로 이루어지고 기판 (G)를 직접 검출해도 좋고 혹은 기판 (G)와 일체로 이동하는 슬라이더 (98)을 검출해도 좋다.
도 7 및 도 8에 나타나는 바와 같이 이 실시 형태에 있어서의 패드 지지부 (106)은 슬라이더 (98)의 내측면에 승강 가능하게 장착된 판형상의 패드 승강 부재 (108)에 장착되고 있다. 슬라이더 (98)에 탑재되고 있는 예를 들어 에어 실린더로부터 이루어지는 패드 액츄에이터 (109, 도 13)가 패드 승강 부재 (108)을 기판 (G)의 부상 높이 위치보다 낮은 원위치(퇴피 위치)와 기판 (G)의 부상 높이 위치에 대응하는 주행 위치(결합 위치)의 사이에 승강 이동시키게 되어 있다.
도 9에 나타나는 바와 같이 각각의 흡착 패드 (104)는 예를 들어 합성고무제로 직방체 형상의 패드 본체 (110)의 상면에 복수개의 흡인구 (112)를 설치하고 있다. 이들의 흡인구 (112)는 슬릿 형상의 긴 구멍이지만 고리나 사각형의 작은 구멍이라도 좋다. 흡착 패드 (104)에는 예를 들어 합성고무로 이루어지는 띠형상의 진공관 (114)가 접속되고 있다. 이들의 버큠관 (114)의 관로 (116)은 패드 흡착 제어부 (115, 도 13)의 진공원에 각각 통하고 있다.
보지부 (102)에 있어서는 도 4에 나타나는 바와 같이 한쪽측 일렬의 진공 흡착 패드 (104) 및 패드 지지부 (106)이 1조 마다 분리하고 있는 분리형 또는 완전 독립형의 구성이 바람직하다. 그러나, 도 10에 나타나는 바와 같이 노치 부분 (118)을 설치한 한 장의 판용수철로 한쪽측 일렬 분의 패드 지지부 (120)을 형성해 그 위에 한쪽측 일렬의 진공 흡착 패드 (104)를 배치하는 일체형의 구성도 가능하다.
상기와 같이 스테이지 (76)의 상면에 형성된 다수의 분출구 (88) 및 그들로 부상력 발생용의 압축 공기를 공급하는 압축 공기 공급 기구 (146, 도 11) 또 스테이지 (76)의 도포 영역 (M₃)내에 분출구 (88)과 혼재해 형성된 다수의 흡인구 (90) 및 그들에 진공의 압력을 공급하는 진공 공급 기구 (148,도 11)에 의해, 반입 영역 (M₁)이나 반출 영역 (M5)에서는 기판 (G)를 반입출이나 고속 반송으로 적절한 부상량으로 띄우고 도포 영역 (M₃)에서는 기판 (G)를 안정하고 또한 정확한 레지스트 도포 주사에 적절한 설정 부상량 (Hs)로 부상하기 위한 스테이지 기판 부상부 (145, 도 13)가 구성되고 있다.
도 11에 노즐 승강기구 (75), 압축 공기 공급 기구 (146) 및 진공 공급 기구 (148)의 구성을 나타낸다. 노즐 승강기구 (75)는 도포 영역 (M₃) 위를 반송 방향(X방향)과 직교하는 수평 방향(Y방향)으로 걸쳐지도록 가설된 문형 지지체 (130)과 이 문형 지지체 (130)에 장착된 수직 직선 운동 기구 (132)와 이 수직 직선 운동 기구 (132)의 이동체(승강체)인 각주 형상의 수평 지지 부재 (134)와 레지스트 노즐 (78)을 결합하는 죠인트봉 (136)을 가진다. 여기서, 직선 운동 기구 (132)의 구동부는 전동 모터 (138), 볼 나사 (140), 가이드 부재 (142) 및 에어 실린더 (144)를 가지고 있다. 전동 모터 (138)의 회전력이 볼 나사 기구(140, 142, 134)에 의해 수직 방향의 직선 운동으로 변환되어 승강체의 수평 지지 부재 (134)와 일체로 노즐 (78)이 수직 방향으로 승강 이동한다. 전동 모터 (138)의 회전량 및 회전 정지 위치에 의해 레지스트 노즐 (78)의 승강 이동량 및 높이 위치를 임의로 제어할 수 있게 되어 있다. 에어 실린더 (144)는 후술하는 도포 주사의 종료 직전에 레지스트 노즐 (78)을 상승 이동시킬 때에 레지스트 노즐 (78) 및 수평 지지 부재 (134)의 중력을 캔슬하기 위함이고 그 피스톤 로드 (144a)를 수평 지지부 (134)의 양단부에 아래로부터 눌러 맞추어 고속 상승을 어시스트 한다. 또한 죠인트봉 (136)을 생략해 레지스트 노즐 (78)을 수평 지지 부재 (134)에 직접 결합하는 구성도 가능하다.
압축 공기 공급 기구 (146)은 스테이지 (76) 상면에서 분할된 복수의 지역별로 분출구 (88)에 접속된 정압 머니홀드 (150)과 그들 정압머니홀드 (150)에 예를 들어 공장용력의 압축 공기 공급원 (152)로부터의 압축 공기를 보내는 압축 공기 공급관 (154)와 이 압축 공기 공급관 (154)의 도중에 설치되는 레귤레이터 (156)을 가지고 있다. 진공 공급 기구 (148)은 스테이지 (76) 상면에서 분할된 복수의 지역별로 흡인구 (90)에 접속된 부압 머니홀드 (158) 그러한 부압머니홀드 (158)에 예를 들어 공장용력의 진공원 (160)으로부터의 진공을 보내는 진공관 (162)와 이 진공관 (162)의 도중에 설치되는 조임밸브 (164)를 가지고 있다.
도 12에 레지스트액공급 기구 (170)의 구성을 나타낸다. 이 레지스트액공급 기구 (170)은 레지스트액 (R)을 저장하는 병 (172)에서 흡입관 (174)를 개재시켜 적어도 도포 처리 1회분 (기판 1매분 )의 레지스트액 (R)을 레지스트 펌프 (176)에 미리 충전해 두어 도포 처리시에 레지스트 펌프 (176)에서 레지스트액 (R)을 토출관 또는 레지스트액 공급관 (94)를 개재시켜 레지스트 노즐 (78)에 소정의 압력으로 압송하고, 레지스트 노즐 (78)로부터 기판 (G)상으로 레지스트액 (R)을 소정의 유량으로 토출하도록 되어 있다.
병 (172)는 밀폐되고 있어 병내의 액면을 향해 가스관 (178)에서 압송 가스 예를 들어 N₂가스가 일정한 압력으로 공급되게 되어 있다. 가스관 (178)에는 예를 들어 에어 오퍼레이션 레이트 밸브로부터 되는 개폐밸브 (180)이 설치되고 있다.
흡입관 (174)의 도중에는 필터 (182), 탈기모듈 (184) 및 개폐밸브 (186)이 설치되고 있다. 필터 (182)는 병 (172)로부터 보내져 오는 레지스트액 (R)중의 이 물(쓰레기류)을 제거하고 탈기모듈 (184)는 레지스트액안의 기포를 제거한다. 개폐밸브 (186)은 예를 들어 에어 오퍼레이션 레이트 밸브로 이루어지고 흡입관 (174)에 있어서의 레지스트액 (R)의 흐름을 온(전개 도통) 또는 오프(차단) 한다.
레지스트액 공급관 (94)의 도중에는 개폐밸브 (188)이 설치되고 있다. 필터나 색 백 밸브는 설치되지 않았다. 이 개폐밸브 (188)은 예를 들어 에어 오퍼레이션 레이트 밸브로 이루어지고 레지스트액공급관 (94)에 있어서의 레지스트액 (R)의 흐름을 온(전개 도통) 또는 오프(차단) 한다.
레지스트 펌프 (176)은 예를 들어 실리진 펌프로부터 이루어지고 펌프실을 가지는 펌프 본체 (190)과 펌프실의 용적을 임의로 바꾸기 위한 피스톤 (192)와 이 피스톤 (192)를 왕복 운동시키기 위한 펌프 구동부 (194)를 가지고 있다.
도 13에 이 실시 형태의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 있어서의 제어계의 주요한 구성을 나타낸다. 콘트롤러 (200)은 마이크로 컴퓨터로 이루어지고 유니트내의 각부 특히 레지스트액공급 기구 (170), 노즐 승강기구 (75), 스테이지 기판 부상부 (145), 반송 구동부 (100), 패드 흡착 제어부 (115), 패드 액츄에이터 (109), 반입용 리프트 핀 승강부 (85), 반출용 리프트 핀 승강부 (91)등의 개개의 동작과 전체의 동작(순서)을 제어한다.
다음에, 이 실시 형태의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 있어서의 도포 처리 동작을 설명한다.
콘트롤러 (200)은 예를 들어 광디스크등의 기억 매체에 격납되고 있는 레지스트 도포 처리 프로그램을 주메모리에 수중에 넣어 실행하고 프로그램된 일련의 도포 처리 동작을 제어한다.
반송 장치 (54, 도 1)에서 미처리의 새로운 기판 (G)가 스테이지 (76)의 반입 영역 (M₁)에 반입되면 리프트 핀 (86)이 주행위치에서 상기 기판 (G)를 받는다. 반송 장치 (54)가 퇴출 한 후, 리프트 핀 (86)이 하강해 기판 (G)를 반송용의 높이 위치 즉 부상 위치 (Ha, 도 5)까지 내린다. 그 다음에, 얼라인먼트부(도시하지 않음)가 작동해 부상 상태의 기판 (G)에 사방으로부터 누름 부재(도시하지 않음)를 꽉 눌러 기판 (G)를 스테이지 (76)상에서 위치 맞춤한다. 얼라인먼트 동작이 완료하면 그 직후에 기판 반송부 (84)에 있어서 패드 액츄에이터 (109)가 작동해, 흡착 패드 (104)를 원위치(퇴피 위치)로부터 주행위치(결합 위치)에 상승(UP)시킨다. 흡착 패드 (104)는 그 전부터 진공이 온하고 있어 부상 상태의 기판 (G)의 측 주변부에 접촉하거나 안하거나 진공 흡착력으로 결합한다. 흡착 패드 (104)가 기판 (G)의 측 주변부에 결합한 직후에 얼라인먼트부는 누름 부재를 소정 위치에 퇴피시킨다.
다음에 기판 반송부 (84)는 보지부 (102)로 기판 (G)의 측주변부를 보지한 채로 슬라이더 (98)을 반송 시점 위치로부터 반송 방향(X방향)에 비교적 고속의 일정 속도로 직진 이동시킨다. 이렇게 해 기판 (G)가 스테이지 (76)상을 부상한 상태로 반송 방향(X방향)에 직진 이동해 기판 (G)의 전단부가 레지스트 노즐 (78)의 바로 아래 부근의 설정 위치에 도착한 지점에서 기판 반송부 (84)가 제1 단계의 기판 반송을 정지한다. 이 때, 노즐 승강기구 (75)는 레지스트 노즐 (78)을 윗쪽의 퇴피 위치에서 대기시키고 있다.
기판 (G)가 멈추면 노즐 승강기구 (75)가 작동해 레지스트 노즐 (78)을 수직 아래쪽에 내리고, 노즐의 토출구와 기판 (G)의 거리 간격 또는 갭 (S)가 설정값(예를 들어 100μm)에 이른 지점에서 노즐 하강 동작을 멈춘다. 그 다음에, 레지스트액공급 기구 (170)이 레지스트 노즐 (78)에서 기판 (G)의 상면을 향해 레지스트액의 토출을 개시시킨다. 이 때, 최초로 미량의 레지스트액을 내보내 노즐 토출구와 기판 (G)의 갭 (S)를 완전하게 막고 나서 정규의 유량으로 토출을 개시하는 것이 바람직하다. 한편, 기판 반송부 (84)가 제2 단계의 기판 반송을 개시한다. 이 제2 단계 즉 도포시의 기판 반송에는 비교적 저속의 일정 속도 (Vs, 예를 들어 50 mm/s)가 선택된다. 이렇게 해 도포 영역 (M₃)내에 있어서 기판 (G)가 수평 자세로 반송 방향(X방향)으로 일정 속도 (Vs)로 이동하는 것과 동시에 긴형의 레지스트 노즐 (78)이 바로 아래의 기판 (G)를 향해 레지스트액 (R)을 일정한 유량으로 띠형상으로 토출하는 것으로 도 14에 나타나는 바와 같이 기판 (G)의 전단측으로부터 후단 측에 향해 레지스트액의 도포막 (RM)이 형성되어 간다. 또한 레지스트액공급 기구 (170 ;도 12) 에 있어서는 레지스트액공급관 (94)에 필터나 색 백 밸브가 설치되고 있지 않기 때문에 레지스트 노즐 (78)의 토출 압력이 설정압력까지 고속 또한 자연스럽게 활성화된다.
그리고, 도 15의 A에 나타나는 바와 같이 도포 주사의 종반으로 레지스트 노즐 (78)이 기판 (G)의 후단 (EG)로부터 소정 거리 (d₁, 예를 들어 10~15 mm)만 주사 상류측(기판 (G)의 중심측)에 위치하는 통과점 (X₁)를 통과하면 이 시점 (t₁)로 콘트롤러 (200)은 레지스트액공급 기구 (170)에 소정의 제어 신호를 주어 레지 스트 펌프 (176)의 토출 동작을 정지시켜, 직후에 레지스트액공급관 (94)의 개폐밸브 (188)을 닫는다. 그러나, 응답 속도의 지연이나 잔압에 의해 레지스트 노즐 (78)은 지금까지의 토출 압력 또는 토출 유량을 당분간 유지하고 어떤 시점 (ta)로부터 레지스트 노즐 (78)의 토출 압력이 일정한 감쇠 특성으로 감쇠한다. 이 실시예에서는 이 노즐 토출 압력의 감쇠 개시시점 (ta)가 후술하는 노즐 상승 개시시점(t₂) 및 반송 속도 감속 개시시점 (t₃)과 시간적으로 적당한 관계로 근접하도록각 타이밍의 설정 내지 조정을 한다.
그 후, 도 15 의 B에 나타나는 바와 같이 레지스트 노즐 (78)이 기판 후단 (Ec)로부터 소정 거리 (d₂,예를 들어 4 mm)만 주사 상류측에 위치하는 통과점 (X₂)를 통과하면 이 시점 (t₂)로 콘트롤러 (200)은 노즐 승강기구 (75)에 소정의 제어 신호를 주어 레지스트 노즐 (78)을 이 때부터 도포 주사 종료까지 소정의 속도(예를 들어 100mm/s)로 상승시킨다. 이 때, 노즐 승강기구 (75)에 있어서는 에어 실린더 (144)가 노즐 지지 부재 (134) 및 레지스트 노즐 (78)의 중력을 캔슬하도록 아래로부터 밀어 올리는 것으로 전동 모터 (132)는 노즐 지지 부재 (134) 및 레지스트 노즐 (78)을 실질적으로 무중력 상태로 고속으로 승강 운동시킬 수가 있다.
또한 레지스트 노즐 (78)이 기판 후단 (Ec)로부터 소정 거리 (d₃, 예를 들어 3.5 mm)만 상류 측에 위치 하는 통과점 (X₃)을 통과하면 이 시점 (t₃)으로 콘트롤러 (200)은 기판 반송부 (84)에 소정의 제어 신호를 주어 기판 (G)를 반송하는 속도를 이 때부터 도포 주사 종료까지 일정한 감속율 즉 부의 가속도(예를 들어― 5OO mm/s2)로 감속시킨다. 이 때 기판 반송부 (84)에 있어서는 반송 부하의 기판 (G)가 가볍기 때문에 반송 구동부 (100)은 큰 부의 가속도로 반송 속도 즉 주사 속도를 감속시킬 수가 있다.
이렇게 해 기판 (G)상의 후단부에서는 레지스트 노즐 (78)에 있어서의 레지스트 토출 압력의 감쇠와 레지스트 노즐 (78)의 상승 이동과 기판 (G)의 감속 운동이 시간적으로 겹쳐진 도포 주사를 하는 것으로 도 15의 C에 나타나는 바와 같이 융기부를 가지지 않는 거의 균일한 막두께로 레지스트액의 도포막 (RM)이 종단 한다. 이 실시 형태에서는 반송 방향(X방향)에 있어서 레지스트 노즐 (78)의 토출구가 기판 (G)상의 소정 위치 즉 기판 후단 (Ec)로부터 소정 거리 (d₄,예를 들어 1 mm)만 주사 상류 측에 위치하는 종점 (X₄)에 도달한 시점 (t₄)로 레지스트 노즐 (78)의 상승 이동과 기판 (G)의 반송이 모두 종료한다(정지한다). 수직 방향에 있어서의 종점 (X₄)의 높이 위치 (He)는 약 10 mm이다.
이와 같이 본 발명에 의하면 레지스트 노즐 (78)의 토출구를 기판 (G)의 후단 (Ec)에서 하류측에는 돌출하지 않게 않고서 도포 주사를 완료시킬 수가 있다. 무엇보다 도포 주사 종점 (X₄)의 위치를 기판 후단 (EG)의 하류 측에 설정하는 것도 가능하다. 또, 색 백 밸브를 이용하고 있지 않기 때문에 도포 주사의 종료시에 레지스트 노즐 (78)의 토출구 가운데에 공기가 비집고 들어가는 것을 방지할 수가 있다.
도포 영역 (M₃)로 상기와 같은 도포 처리가 끝나면 기판 (G)는 반출 영역 (M5)를 향해 반송된다. 여기서, 기판 반송부 (84)는 반송 속도의 비교적 큰 제3 단계의 기판 반송으로 전환한다. 그리고, 기판 (G)가 반출 영역 (M5)내의 반송 종점 위치에 도착하면 기판 반송부 (84)는 제3 단계의 기판 반송을 정지한다. 이 직후에 흡착 패드 (104)에 대한 진공의 공급이 제지되고 흡착 패드 (104)는 주행 위치(결합 위치)에서 원위치(퇴피 위치)에 물러나 기판 (G)의 양측 단부로부터 분리한다. 바꾸어 리프트 핀 (92)가 기판 (G)를 언로딩 하기 위해서 스테이지 아래쪽의 원위치에서 스테이지 윗쪽의 주행위치에 상승한다.
그 후, 반출 영역 (M5)에 반출기 즉 반송 아암 (74)가 액세스 해 리프트 핀 (92)로부터 기판 (G)를 받아 스테이지 (76)의 밖에 반출한다. 기판 반송부 (84)는, 기판 (G)를 리프트 핀 (92)에 건네주면 즉시 반입 영역 (M₁)에 고속도로 되돌린다. 반출 영역 (M5)로 상기와 같이 처리 완료의 기판 (G)가 반출되는 무렵에 반입 영역 (M₁)에서는 다음에 도포 처리를 받아야 할 새로운 기판 (G)에 대해서 반입, 얼라인먼트 내지 반송 개시를 한다.
여기서, 도 16~도 20에 대해 이 실시 형태에 있어서의 도포 주사 종료 직전의 작용 및 그 효과를 보다 상세하게 설명한다.
도 16은, 이 실시 형태의 도포 주사에 있어서 기판 (G)에 대한 레지스트 노즐 (78)의 상대적인 스캐닝 이동의 궤적(A) 및 상대속도의 시간 특성(C) 및 레지스트 노즐 (78)의 토출 압력의 시간 특성 (B)를 동일한 시간축상에서 대비해 나타낸다. 노즐 토출 압력의 시간 특성(B)에 있어서, 시점 ((tb))는 기판 (G)상의 레지스 트액 (R)의 액막으로부터 레지스트 노즐 (78)의 토출구가 완전하게 분리하는(액 분리 한다) 타이밍이고, 이 시점 (tb)로부터 노즐 토출 압력이 급격하게 떨어져 레지스트액 (R)이 노즐 토출구의 밖에 나오지 않게 된다.
도 16에 나타나는 바와 같이 레지스트 노즐 (78)이 통과점 (X₁)를 통과한 시점 (t₁)로 레지스트 펌프 (176)을 멈추고 나서 일정한 지연 시간이 경과한 시점 (ta)로 레지스트 노즐 (78)의 토출 압력이 감쇠하기 시작한다. 한편, 이것과 시간적으로 근접해 레지스트 노즐 (78)의 상승 이동과 주사 속도의 감속이 각각 소정의 시점 (t₂, t₃)로 개시한다. 이렇게 해 (1) 레지스트 노즐 (78)의 토출 압력이 감쇠하고 있는 중간에 (2) 레지스트 노즐 (78)이 상승 이동하고 또한 (3) 주사 속도가 감속하는 것이 중요하다. 이들 3개의 조건(1), (2), (3)이 갖추어지는 것으로 도 17에 나타나는 바와 같이 도포 주사의 종료 직전에 기판 (G)상에서 레지스트액막 (RM)의 주사 방향으로 늘어나는 속도가 급격하게 떨어지는데다 레지스트 노즐 (78)이 토출 압력을 감쇠시키면서 급각도로 윗쪽으로 이동하기 위해, 기판 (G)상의 레지스트액막 (RM)으로부터 레지스트 노즐 (78)에 남아야 할 레지스트액을 깨끗하게 잘라낼(액 분리한다)수 있다. 이 결과, 도 18, 도 19 및 도 20에 나타나는 바와 같이 도포 주사의 종단부에서 기판 (G)상으로 형성되는 레지스트액막 (RM)의 막두께를 균일화할 수가 있다. 또한 도 20은 도 19의 A-A선에 대한 단면도이다. 도 19에 있어서 점선 B는 기판 (G)상의 제품(디바이스 형성) 영역과 마진 영역의 경계선을 나타낸다.
본 발명의 기본적인 기법은 상기한 바와 같지만 실제의 어플리케이션에서는 각 파라미터의 값을 최적화할 필요가 있다. 본 발명자가 실험과 검토를 거듭했더니 기판 (G)의 종단부에 있어서의 레지스트액막 (RM)의 막두께 프로 파일은 각부의 이동 속도를 일정값(고정값)으로 가정하면 도포 주사 방향에서는 통과점 (X₁)의 위치 또는 레지스트 펌프 정지시점 (t₁)에 크게 좌우되고 도포 주사 방향과 직교 하는 수평 방향(Y방향)에서는 레지스트 노즐 (78)의 상승 개시시점 (t₂) 및 수평 주사 감속 개시시점 (t₃)에 의해 크게 좌우되는 것이 확인되었다.
즉, 도포 주사 방향에 있어서는 레지스트 펌프 정지의 통과점 (X₁)의 위치를 기판 후단 (EG)에 접근하는 만큼 도포 주사 종단부에 있어서 레지스트액막 (RM)의 막두께가 설정값보다 커지는 방향으로 격차나기 쉬워지고 반대로 통과점 (X₁)의 위치를 기판 후단 (EG)로부터 멀리하는 만큼 도포 주사 종단부에 있어서 레지스트액막 (RM)의 막두께가 설정값보다 작아지는 방향으로 격차나기 쉬워진다. 따라서, 통과점 (X₁)의 위치(기판 후단 (Ec)로부터의 거리 d₁)를 적절히 조정하는 것으로 도포 주사 방향의 막두께 프로 파일의 최적화(특히 막두께 균일화)를 실시할 수가 있다.
또, 도포 주사 방향과 직교하는 수평 방향(Y방향)에서는 레지스트 노즐 (78)의 상승 개시시점 (t₂)를 빨리 하는 만큼 혹은 수평 주사 감속 개시시점 (t₃)을 빨리 하는 만큼 좌우 양단부에 있어서 레지스트액막 (RM)의 막두께가 설정값보다 작아지는 방향으로 격차나기 쉬워지거나, 반대로 레지스트 노즐 (78)의 상승 개시시점 (t₂)를 늦게 하는 만큼 혹은 수평 주사 감속 개시시점 (t₃)을 늦게 하는 만 큼 좌우 양단부에 있어서 레지스트액막 (RM)의 막두께가 설정값보다 커지는 방향으로 격차나기 쉬어진다. 따라서, 레지스트 노즐 (78)의 상승 개시시점 (t₂) 및 수평 주사 감속 개시시점 (t₃)을 적당히 조정하는 것으로 동일 방향의 막두께 프로파일의 최적화(특히 막두께 균일화)를 실시할 수가 있다. 또한 레지스트 노즐 (78)의 상승 개시시점 (t₂)와 수평 주사 감속 개시시점 (t₃)와의 시간적인 전후관계에 한정은 없고 전자(t₃)가 후자(t₂)보다 앞서서 좋다.
도 21~도 25에 본 발명과 대비하기 위해서 참고 예의 작용과 그 결과(문제점)를 나타낸다. 이 참고예는, 상기 실시 형태에 있어서 수평 주사 감속 개시 위치를 기판 후단 (Ec)보다 주사 하류 측에 설정한 경우이다. 이 경우, 도 21에 나타나는 바와 같이 레지스트 노즐 (78)은 기판 (G)의 후단부를 설정 속도 (Vs)인 채 빠져 나가기 때문에 기판 후단 (EG)보다 내측(주사 상류측)에서 레지스트액막 (RM)을 종단시킴에는 레지스트 노즐 (78)의 상승 이동 개시시점 (t₂)를 앞당기게(예를 들어 d₂=7 mm로 설정하게) 된다. 도21에 있어서, t3', X3'는 수평 주사 감속 개시의 시점 및 위치(통과점)이고, t4', X4'는 수평 주사 종료의 시점 및 위치(종점)이다.
이 참고예에 있어서는 기판 (G)상의 레지스트액막 (RM)로부터 노즐 (78)의 토출구를 분리할 때에 레지스트액막 (RM)의 추종 속도가 아직 큰데다가 레지스트 노즐 (78)의 상승 각도가 작기 때문에 도 22에 나타나는 바와 같이 액분리가 완만하게 행해져 도 23에 나타나는 바와 같이 레지스트액막 (RM)이 돌몰하는 방향으로 격차나기 쉬워지고 구체적으로는 도 24의 일점 긴 쇄선으로 나타나는 바와 같이 및 도 25에 나타나는 바와 같이 기판 (G)의 좌우 양단부에서 레지스트액막 (RM)이 중심측에 모여 돌몰하기 쉽다. 또, 도 24에 나타나는 바와 같이 레지스트액막 (RM)의 종단이 불안정해 부정렬 되기 쉽다. 또한 도 25는, 도 24의 A-A선에 대한 단면도이다.
상기와 같은 참고예 또는 비교예에 비추어 보면, 본 발명에 있어서는 수평 주사 감속 개시 위치를 기판 후단 (EG)보다 주사 상류 측에 설정하는 것이 주요인 것을 알 수 있다.
상기와 같이, 이 실시 형태에 있어서는 스테이지 (76)상으로 반입 영역 (M₁), 도포 영역 (M₃), 반출 영역 (M5)를 일렬로 설치해 그러한 각 영역에 기판을 차례로 전송해 기판 반입 동작, 레지스트액공급 동작, 기판 반출 동작을 각 영역에서 독립 또는 병렬적으로 실시하도록하고 있어, 이것에 의해 1매의 기판 (G)에 대해서 스테이지 (76)상으로 반입하는 동작에 필요로 하는 시간(TIN)과 스테이지 (76)상에서 반입 영역 (M₁)로부터 반출 영역 (M5)까지 반송하는데 필요로 하는 시간(Tc)와 반출 영역 (M5)로부터 반출하는데 필요로 하는 시간(TOUT)을 서로 더한 도포 처리 1 사이클의 소요 시간(Tc+TIN+TOUT)보다 택트 타임을 단축할 수가 있다.
또한, 스테이지 (76)의 상면에 설치한 분출구 (88)에서 분출하는 기체의 압력을 이용해 기판 (G)를 공중에 띄워 부상하고 있는 기판 (G)를 스테이지 (76)상에 서 반송하면서 주사 방향으로 정지한 긴형 레지스트 노즐 (78)에서 기판 (G)상으로 레지스트액을 공급해 도포하도록 했으므로 기판의 대형화 및 긴형 레지스트 노즐의 중후 장대화에 무리없이 효율적으로 대응할 수가 있다.
그리고, 도포 주사에 있어서는 중량의 큰 긴형 레지스트 노즐 (78)을 일정한 위치에 설치해 경량의 기판 (G)를 수평 방향(X방향)으로 반송함으로써 기판 (G)에 대한 노즐 (78)의 상대적인 수평 이동을 실시하도록 했으므로 도포 주사의 종료 직전에 있어서 본 발명에 의한 수평 주사의 감속을 큰 감속율(부의 가속도)로 고속으로 실시할 수가 있다. 또, 도포 주사의 종료 직전에 기판 (G)상에서 레지스트 노즐 (78)을 상승 이동시킴에 즈음해서는, 상기와 같이 노즐 승강기구 (75)에 있어서 전동 모터 (138)과 에어 실린더 (144)의 병용에 의해 고속 상승 구동을 실시할 수 있으므로 큰 상승 속도 내지 상승 각도를 설정할 수가 있다.
무엇보다 본 발명은 상기 실시 형태와 같은 부상 반송 방식의 스핀레스 도포법으로 한정되는 것은 아니다. 재치형의 스테이지상으로 기판을 수평으로 고정 재치해 기판 윗쪽에서 긴형 레지스트 노즐을 노즐 긴 방향과 직교 하는 수평 방향으로 이동시키면서 기판상에 레지스트액을 띠형상으로 토출시켜 도포하는 스핀레스 도포법에도 본 발명을 적용할 수가 있다.
상기한 실시 형태는 LCD 제조의 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 레지스트 도포 장치와 관련되는 것이었지만 본 발명은 피처리 기판상에 처리액을 도포하는 임의의 도포법으로 적용 가능하다. 따라서 본 발명에 있어서의 처리액으로서는 레지스트액 이외로도 예를 들어 층간 절연 재료, 유전체 재료, 배선 재료등의 도포액 도 가능하고, 현상액이나 린스액등도 가능하다. 본 발명에 있어서의 피처리 기판은 LCD 기판에 한정하지 않고 다른 플랫 패널 디스플레이용 기판, 반도체 웨이퍼, CD기판, 유리 기판, 포토마스크, 프린트 기판등도 가능하다.
본 발명의 도포 방법 및 도포 장치에 의하면 상기와 같은 구성 및 작용에 의해 스핀레스 방식에 있어서 도포막의 막두께제어, 특히 도포 주사 종단부의 막두께 균일화를 안정된 동작으로 재현성 좋게 실시할 수가 있다.
Claims (17)
- 일정한 도포 영역내에서 피처리 기판을 거의 수평으로 지지하기 위한 기판 지지부와,상기 도포 영역내에서 상기 기판의 상면에 소정의 갭을 두고 처리액을 토출하기 위한 긴형의 노즐과,상기 노즐에 상기 처리액을 압송하기 위한 처리액공급원과,상기 도포 영역내에서 상기 노즐을 상기 기판에 대해서 상대적으로 수평 방향으로 이동시키기 위한 주사부와,상기 도포 영역내에서 상기 노즐을 상기 기판에 대해서 상대적으로 수직 방향으로 이동시키기 위한 승강부와,상기 노즐이 상기 기판상에 설정된 제1의 통과점을 통과할 때에 상기 처리액공급원을 제어해 상기 노즐로의 상기 처리액의 압송을 정지시켜, 상기 노즐이 상기 기판상에 설정된 제2의 통과점을 통과하는 시점으로부터 주사 종료까지 상기 승강부를 제어해 상기 기판에 대해서 상기 노즐을 소정의 속도로 상대적으로 윗쪽에 이동시켜, 상기 노즐이 상기 기판상에 설정된 제3의 통과점을 통과하는 시점으로부터 주사 종료까지 상기 주사부를 제어하여 상기 기판에 대한 상기 노즐의 상대적인 수평 이동을 감속시키는 제어부를 가지는 것을 특징으로 하는 도포 장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 기판 지지부가 상기 도포 영역내에서 상기 기판을 부상시키는 스테이지를 가지는 것을 특징으로 하는 도포 장치.
- 청구항 2에 있어서,상기 도포 영역내에서 상기 스테이지의 상면에 기체를 분출하는 분출구와 기체를 흡입하는 흡인구가 다수 혼재해 설치되고 있는 것을 특징으로 하는 도포 장치.
- 청구항 2에 있어서,상기 노즐이 상기 도포 영역내의 수평 방향으로 고정된 소정 위치에 배치되고,상기 주사부가 상기 스테이지상에서 부상한 상태의 상기 기판을 상기 수평 이동으로 대응하는 소정의 반송 방향으로 반송해 상기 노즐의 바로 아래를 통과시키는 기판 반송부를 가지는 것을 특징으로 하는 도포 장치.
- 청구항 4에 있어서,상기 기판 반송부가,상기 기판이 이동하는 방향과 평행하게 연장하도록 상기 스테이지의 한쪽측 또는 양측으로 배치되는 가이드 레일과,상기 가이드 레일을 따라 이동 가능한 슬라이더와,상기 슬라이더를 상기 가이드 레일을 따라 이동하도록 구동하는 반송 구동부와,상기 슬라이더로부터 상기 스테이지의 중심부로 향해 연장하고, 상기 기판의 측 주변부를 착탈 가능하게 보지하는 보지부를 가지는 것을 특징으로 하는 도포 장치.
- 청구항 1 내지 5중 어느 한항에 있어서,상기 승강부가,상기 노즐을 일체로 지지하는 노즐 지지부와,상기 노즐을 임의의 제1의 높이 위치로부터 임의의 제2의 높이 위치에 승강 이동시키기 위해서 상기 노즐 지지부와 결합하는 전동 액츄에이터와,상기 노즐의 중력을 캔슬하기 위해서 상기 노즐 지지부와 결합하는 에어 실린더를 가지는 것을 특징으로 하는 도포 장치.
- 피처리 기판의 상면과 긴형 노즐의 토출구를 소정의 갭을 두고 거의 수평으로 대향시켜, 처리액공급원에서 상기 노즐에 처리액을 압송하는 것과 동시에, 상기 기판에 대해서 상기 노즐을 상대적으로 수평 방향으로 이동시키는 주사를 실시하고, 상기 기판상에 상기 처리액의 도포막을 형성하는 도포 방법으로서,상기 노즐이 상기 기판상에 설정된 제1의 통과점을 통과하는 제1의 시점에서 처리액공급원으로부터 상기 노즐로의 상기 처리액의 압송을 정지하는 제1의 공정 과,상기 노즐이 상기 기판상에 설정된 제2의 통과점을 통과하는 제2의 시점으로부터 주사 종료까지 상기 기판에 대해서 상기 노즐을 소정의 속도로 상대적으로 윗쪽에 이동시키는 제2의 공정과,상기 노즐이 상기 기판상에 설정된 제3의 통과점을 통과하는 제3의 시점으로부터 주사 종료까지 상기 기판에 대한 상기 노즐의 상대적인 수평 이동을 감속시키는 제3의 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 도포 방법.
- 청구항 7에 있어서,상기 제1, 제2 및 제3의 통과점의 위치를 조정해 상기 기판의 종단부 부근에 있어서의 상기 도포막의 막두께 프로 파일을 최적화하는 것을 특징으로 하는 도포 방법.
- 청구항 7에 있어서,상기 제1, 제2 및 제3의 시점을 조정해 상기 기판의 종단부 부근에 있어서의 상기 도포막의 막두께 프로 파일을 최적화하는 것을 특징으로 하는 도포 방법.
- 청구항 7 내지 9중 어느 한항에 있어서,상기 제1의 시점으로부터 소정의 지연 시간의 경과후에 상기 노즐의 토출 압력이 감쇠하기 시작해 그 토출 압력의 감쇠중에 상기 기판에 대한 상기 노즐의 상 대적인 윗쪽 이동과 수평 이동의 감속이 동시에 행해지는 것을 특징으로 하는 도포 방법.
- 청구항 7 내지 9중 어느 한항에 있어서,상기 기판에 대한 상기 노즐의 상대적인 수평 이동의 감속이 거의 일정한 부의 가속도로 행해지는 것을 특징으로 하는 도포 방법.
- 청구항 7 내지 9중 어느 한항에 있어서,상기 기판에 대한 상기 노즐의 상대적인 윗쪽 이동이 거의 일정한 속도로 행해지는 것을 특징으로 하는 도포 방법.
- 청구항 7 내지 9중 어느 한항에 있어서,상기 노즐이 소정의 주사 종점에 도달한 제4의 시점에서, 상기 기판에 대한 상기 노즐의 상대적인 수평 이동과 윗쪽 이동이 거의 동시에 종료하는 것을 특징으로 하는 도포 방법.
- 청구항 7 내지 9중 어느 한항에 있어서,주사 종료시에 상기 노즐의 토출구가 상기 기판의 후단보다 기판 안쪽에 위치 하는 것을 특징으로 하는 도포 방법.
- 청구항 7 내지 9중 어느 한항에 있어서,주사 방향에 있어서 상기 노즐을 일정한 위치에 고정해 상기 기판을 수평에 이동시키는 것을 특징으로 하는 도포 방법.
- 청구항 15에 있어서,수직 상향에 기체의 압력을 주는 부상 스테이지상에서 상기 기판을 공중에 띄우면서 상기 기판의 수평 이동을 실시하는 것을 특징으로 하는 도포 방법.
- 청구항 15에 있어서,수직 방향에 있어서 주사의 개시부터 상기 제3의 시점까지는 상기 노즐을 소정의 기준 높이 위치로 유지해, 상기 제3의 시점보다 상기 노즐을 소정 속도로 상승 이동시키는 것을 특징으로 하는 도포 방법.
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