JP4804567B2 - 基板浮上装置 - Google Patents

Description

本発明は、ステージ上で被処理基板を浮かせるための基板浮上装置に関する。

最近、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、被処理基板（たとえばガラス基板）の大型化に有利なレジスト塗布法として、基板に対してレジストノズルよりレジスト液を細径で連続的に吐出させながらレジストノズルを相対移動つまり走査させることにより、回転運動を要することなく基板上に所望の膜厚でレジスト液を塗布するようにしたスピンレス方式が普及している。

スピンレス方式による従来のレジスト塗布装置は、たとえば特許文献１に記載されるように、載置台またはステージ上に水平に載置される基板とレジストノズルの吐出口との間に数百μｍ以下の微小ギャップを設定し、基板上方でレジストノズルを走査方向（一般にノズル長手方向と直交する水平方向）に移動させながら基板上にレジスト液を吐出させるようにしている。この種のレジストノズルは、口径の非常に小さい（たとえば１００μｍ程度の）吐出口を有し、相当高い圧力でレジスト液を吐出するように構成されており、塗布効率を高めるために、ノズル本体を横長または長尺状に形成して、その長手方向に微細径の吐出口を一定ピッチの多孔構造で配列し、または連続的なスリット構造に形成している。

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しかしながら、上記のようなスピンレス方式のレジスト塗布装置では、基板の大型化に伴って長尺状のレジストノズルの寸法および重量が増すため、そのような重厚長大のレジストノズルをステージ上方で高さ位置（狭ギャップ）を一定に保ったまま一定の速度で安定に水平移動させるのが難しくなってきている。現状は、そのような基板およびノズルの大型化に対してノズル走査機構の大型化・高性能化によって対応しているが、そろそろ限界に来ている。

本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、ステージに従来のように被処理基板を載置して保持する載置台として機能させるのではなく、基板を空気圧の力で空中に浮かせるための基板浮上台として機能させ、かつ基板浮上用の用力（圧縮空気）の消費量を大いに節約できるようにした基板浮上装置を提供する。

本発明の基板浮上装置は、ステージ上面に多数の噴出口を有し、前記噴出口より噴出する気体の圧力で被処理基板を所望の高さに浮かせるステージと、前記ステージ内に形成されている前記噴出口に連通する出口と、この出口と鉛直方向で対向する入口と、前記出口付近に設けられる弁座とを有する弁室と、前記弁室内に移動可能に設けられた弁体と、前記弁室に前記入口から気体を供給する気体供給部とを有し、前記弁体が前記弁座に着座した状態で、前記弁体と前記弁座との間に、前記噴出口側に気体を漏出させるための隙間が形成され、前記弁体が、前記入口側の気体圧力に応じた垂直上向きの第１の力を受けるとともに、前記出口側の気体圧力に応じた垂直下向きの力と重力による垂直下向きの力とを足し合わせた第２の力を受け、前記基板が前記噴出口の上方に所定距離よりも接近して在るときは、前記第２の力が前記第１の力に勝って前記弁体が前記弁室内で前記入口に寄った第１の位置へ変位して、前記出口より前記噴出口に排出される気体の流量を増やし、前記基板が前記噴出口の上方に無いか、または前記所定距離よりも接近していないときは、前記第１の力が前記第２の力に勝って前記弁体が前記弁室内で前記出口に寄った第２の位置へ変位して、前記出口より前記噴出口に排出される気体の流量を制限する。

上記の構成においては、ステージ上面の噴出口から噴出する気体（たとえば圧縮空気）の圧力で基板を空中に浮かせる。ここで、ステージ上面の各噴出口より噴出する気体の流量は、基板が上方に差し掛かっているときは大きな流量に切り換えられ、基板が上方を去ると小さな流量に切り換えられる。

すなわち、基板が噴出口の上方に所定距離よりも接近して在るときは、弁体が弁室内で前記入口に寄った第１の位置へ変位して、出口より噴出口に排出される気体の流量を増やし、基板が噴出口の上方に無いか、または所定距離よりも接近していないときは、弁体が弁室内で出口に寄った第２の位置へ変位して、出口より噴出口に排出される気体の流量を制限する。このように、弁室と弁体とによって流量切換弁が形成され、この流量切換弁の周囲圧力（第１の力と第２の力との大小関係）に応じた自動的な切換動作によって、これと対応する噴出口の気体噴出流量を基板との相対的な位置関係で個別的かつ自動的に切り換えるので、気体消費量を必要最小限に抑えることができる。

この場合、弁室内の出口付近に弁座が設けられ、弁体が第１の位置で弁座に密着する構成が好ましい。弁室は、たとえば球面状の内壁あるいは円筒状の内壁を有する構成が好ましい。また、球体は、たとえば球体、円柱体、円盤体または円錐体等の形状が好ましい。あるいは、弁体が、弁室の側壁に固定された基端部と、この基端部から弁室内に延在する可動部とを有し、可動部が基端部を支点として第１の位置と第２の位置との間で変位する構成であってもよい。ステージの内部には、気体供給源からの気体を弁室に供給するための気体流路が設けられてよい。

本発明の基板浮上装置によれば、上記のような構成および作用により、特にステージ上面に設けた噴出口より噴出する気体の圧力を利用して基板を空中に浮かせ、各噴出口より噴出する圧力気体の流量を基板との位置関係に応じて切り換えるので、圧力気体の消費量を大幅に節約でき、基板の大型化に無理なく効率的に対応することができる。

本発明の基板浮上装置の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。 実施形態の塗布現像処理システムにおける熱的処理部の構成を示す側面図である。 実施形態の塗布現像処理システムにおける処理の手順を示すフローチャートである。 実施形態の塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布ユニットの全体構成を示す斜視図である。 実施形態におけるレジスト塗布ユニットの全体構成を示す略正面図である。 実施形態のレジスト塗布ユニットにおける基板搬送部の構成を示す一部断面略側面図である。 実施形態のレジスト塗布ユニットにおける基板搬送部の保持部の構成を示す拡大断面図である。 実施形態のレジスト塗布ユニットにおける基板搬送部のパッド部の構成を示す斜視図である。 実施形態のレジスト塗布ユニットにおける基板搬送部の保持部の一変形例を示す斜視図である。 実施形態のレジスト塗布ユニットにおける噴出制御部の構成を示す断面図である。 実施形態のレジスト塗布ユニットにおけるステージ内部の流路の構成を示す部分断面図である。 実施形態のレジスト塗布ユニットにおける噴出制御部の一変形例を示す断面図である。 実施形態のレジスト塗布ユニットにおける噴出制御部の別の変形例を示す断面図である。 図１３Ａの変形例における弁体の構成を示す平面図である。 実施形態のレジスト塗布ユニットにおける噴出制御部の別の変形例を示す断面図である。 実施形態のレジスト塗布ユニットにおける噴出制御部の別の変形例を示す断面図である。 図１５Ａの変形例における弁体の構成を示す平面図である。 別の方式における噴出制御部の構成を示す断面図である。

以下、添付図を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。

図１に、本発明の基板浮上装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行う。露光処理は、この処理システムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。

この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。

カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、角型のガラス基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。

プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを横一列に配置している。一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロセス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０が、上流側のプロセスラインＡの最後尾に位置するとともに下流側のプロセスラインＢの先頭に位置しており、両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。

両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によってライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。

上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接する場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を配置している。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。

洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数の枚葉式オーブンユニットを基板受け渡し用のパスユニットと一緒に多段に積層配置してなる多段ユニット部またはオーブンタワー（ＴＢ）４４，４８を設けている。

たとえば、図２に示すように、上流側のオーブンタワー（ＴＢ）４４には、基板搬入用のパスユニット（ＰＡＳＳ_L）５０、脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ_L）５０は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２からの洗浄処理の済んだ基板Ｇを第１の熱的処理部２６内に搬入するためのスペースを提供する。下流側のオーブンタワー（ＴＢ）４８には、基板搬出用のパスユニット（ＰＡＳＳ_R）６０、基板温度調整用の冷却ユニット（ＣＬ）６２，６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ_R）６０は、第１の熱的処理部２６で所要の熱処理の済んだ基板Ｇを下流側の塗布プロセス部２８へ搬出するためのスペースを提供する。

図２において、搬送機構４６は、鉛直方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有している。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送体７２を旋回駆動するための駆動部７８が昇降搬送体７０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するための駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構成されてよい。

上記のように構成された搬送機構４６は、高速に昇降ないし旋回運動して両隣のオーブンタワー（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセス可能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板Ｇを受け渡しできるようになっている。

第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２と減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４とをプロセスラインＡに沿って一列に配置している。塗布プロセス部２８内の構成は後に詳細に説明する。

塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後尾）に一方のオーブンタワー（ＴＢ）８８を設け、プロセスラインＢ側（先頭）に他方のオーブンタワー（ＴＢ）９２を設けている。

図示省略するが、たとえば、プロセスラインＡ側のオーブンタワー（ＴＢ）８８には、最下段に基板搬入用のパスユニット（ＰＡＳＳ_L）が配置され、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば３段積みに重ねられてよい。また、プロセスラインＢ側のオーブンタワー（ＴＢ）９２には、最下段に基板搬出用のパスユニット（ＰＡＳＳ_R）が配置され、その上に基板温度調整用の冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねられ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば２段積みに重ねられてよい。

第２の熱的処理部３０における搬送機構９０は、両オーブンタワー（ＴＢ）８８，９２のそれぞれのパスユニット（ＰＡＳＳ_L），（ＰＡＳＳ_R）を介して塗布プロセス部２８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。

下流部のプロセスラインＢにおいて、現像プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。

現像プロセス部３２の下流側には脱色プロセス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置される。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。

第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有しており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１００とその前後両側に一対のオーブンタワー（ＴＢ）９８，１０２を設けている。

図示省略するが、たとえば、上流側のオーブンタワー（ＴＢ）９８には、最下段に基板搬入用のパスユニット（ＰＡＳＳ_L）が置かれ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積みに重ねられてよい。また、下流側のオーブンタワー（ＴＢ）１０２には、最下段にポストベーキング・ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が置かれ、その上に基板搬出および冷却用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ_R・ＣＯＬ）が１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積みに重ねられてよい。

第３の熱的処理部３６における搬送機構１００は、両多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２のパスユニット（ＰＡＳＳ_L）およびパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ_R・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８および周辺装置１１０を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置１１０は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や各ユニット（ＢＵＦ）１０６、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１１０と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。

図３に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上のいずれかのカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬入する（ステップＳ₁）。

エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される（ステップＳ₂）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２へ移される。

スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２では、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する（ステップＳ₃）。そして、洗浄後も基板Ｇを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。

スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上流側オーブンタワー（ＴＢ）４４内のパスユニット（ＰＡＳＳ_L）５０に平流しで搬入される。

第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは搬送機構４６により所定のシーケンスで所定のオーブンユニットに順次移送される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳ_L）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップＳ₄）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ₅）。しかる後、基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６に移され、そこで疎水化処理を受ける（ステップＳ₆）。この疎水化処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ₇）。最後に、基板Ｇは下流側オーブンタワー（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ_R）６０に移される。

このように、第１の熱的処理部２６内では、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段オーブンタワー（ＴＢ）４４と下流側のオーブンタワー（ＴＢ）４８との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の基板搬送動作が行なわれる。

第１の熱的処理部２６で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側オーブンタワー（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ_R）６０から塗布プロセス部２８のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２へ移される。

レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２において、基板Ｇは、後述するように長尺型のレジストノズルを用いるスピンレス法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布される。次いで、基板Ｇは、下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受ける（ステップＳ₈）。

上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４から隣の第２の熱的処理部３０の上流側オーブンタワー（ＴＢ）８８内のパスユニット（ＰＡＳＳ_L）に搬入される。

第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬送機構９０により所定のシーケンスで所定のユニットに順次移送される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳ_L）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでプリベーキングの加熱処理を受ける（ステップＳ₉）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ₁₀）。しかる後、基板Ｇは下流側オーブンタワー（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡＳＳ_R）を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８へ受け渡される。

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８から周辺装置１１０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ₁₁）。

露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ₁₁）、先ず周辺装置１１０のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ₁₂）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行われる。

プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６では、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスラインＢ側のオーブンタワー（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ_R）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。

現像プロセス部３２では、該オーブンタワー（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ_R）から受け取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入する。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において基板ＧはプロセスラインＢの下流に向って平流し方式で搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる（ステップＳ₁₃）。

現像プロセス部３２で現像処理を受けた基板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ平流しで搬入され、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ₁₄）。脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上流側オーブンタワー（ＴＢ）９８内のパスユニット（ＰＡＳＳ_L）に搬入される。

第３の熱的処理部３６において、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ_L）から加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポストベーキングの加熱処理を受ける（ステップＳ₁₅）。次に、基板Ｇは、下流側オーブンタワー（ＴＢ）１０２内のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ_R・ＣＯＬ）に移され、そこで所定の基板温度に冷却される（ステップＳ₁₆）。第３の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１００によって行われる。

カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ_R・ＣＯＬ）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをステージ２０上のいずれかのカセットＣに収容する（ステップＳ₁）。

この塗布現像処理システム１０においては、塗布プロセス部２８のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２に本発明の基板浮上装置を適用することができる。以下、図４〜図１６を参照して本発明の基板浮上装置をレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２に適用した実施形態を説明する。

図４および図５に示すように、本発明の一実施形態におけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２は、プロセスラインＡの方向（Ｘ方向）に長く延びるステージ１１２を有し、このステージ１１２の上で基板Ｇを同方向（Ｘ方向）に平流しで搬送しながら、ステージ１１２の上方に配置されたレジストノズル１１４より基板Ｇ上にレジスト液Ｒを供給して、基板上面（被処理面）に一定の膜厚でレジスト塗布膜を形成するように構成されている。ここで、ステージ１１２は、従来のように基板Ｇを載置して保持する載置台として機能するのではなく、基板Ｇを空気圧の力で空中に浮かせるための基板浮上台として機能する。そして、ステージ１１２の両側に配置されている直進運動型の基板搬送部１１６が、ステージ１１２上で浮いている基板Ｇの両側縁部を着脱可能に保持してプロセスラインＡの方向またはステージ長手方向（Ｘ方向）に基板Ｇを搬送するようになっている。レジストノズル１１４は、移動型または走査型ではなく定置型であり、搬送方向（Ｘ方向）においてステージ１１２の中心部の上方に固定設置されている。

より詳細には、ステージ１１２は、その長手方向（Ｘ方向）において５つの領域Ｍ₁，Ｍ₂，Ｍ₃，Ｍ₄，Ｍ₅に分割されている（図５）。左端の領域Ｍ₁は搬入領域であり、上流側隣のユニットつまりオーブンタワー（ＴＢ）４８のパスユニット（ＰＡＳＳ_R）６０（図２）から転送されてきた基板Ｇは、この領域Ｍ₁に搬入される。この搬入領域Ｍ₁には、図示しない搬送アームから基板Ｇを受け取るための昇降可能なリフトピン１１８が所定の間隔を置いて複数本（たとえば４本）設けられている。また、この搬入領域Ｍ₁は浮上式の基板搬送が開始される領域でもあり、この領域内のステージ上面には基板Ｇを所望の高さ位置Ｈ_aで浮かせるために高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴出口１２０が一定の密度で多数設けられている。ここで、搬入領域Ｍ₁においてステージ１１２の上面からみた基板Ｇの高さ位置または浮上位置Ｈ_aは、特に高い精度を必要とせず、たとえば１００〜１５０μｍの範囲内に保たれればよい。また、搬送方向（Ｘ方向）において、搬入領域Ｍ₁のサイズは基板Ｇのサイズを上回っているのが好ましい。

ステージ１１２の中心部に設定された領域Ｍ₃はレジスト液供給領域または塗布領域であり、基板Ｇはこの領域Ｍ₃を通過する際に上方のレジストノズル１１４からレジスト液Ｒの供給を受ける。この塗布領域Ｍ₃のステージ上面には、基板Ｇを所望の浮上位置Ｈ_bで浮かせるために高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴出口１２０と負圧で空気を吸い込む吸引口１２２とが一定の密度で混在して多数設けられている。

ここで、正圧の噴出口１２０と負圧の吸引口１２２とを混在させているのは、浮上位置Ｈ_bを高い精度で設定値（たとえば５０μｍ）に保持するためである。つまり、塗布領域Ｍ₃における浮上位置Ｈ_bは、ノズル下端（吐出口）と基板上面（被処理面）との間のギャップＳ（たとえば１００μｍ）を規定する。このギャップＳはレジスト塗布膜やレジスト消費量を左右する重要なパラメータであり、高い精度で一定に維持される必要がある。この実施形態では、基板Ｇの塗布領域Ｍ₃を通過している部分に対しては、噴出口１２０から圧縮空気による垂直上向きの力を加えると同時に、吸引口１２２より負圧吸引力による垂直下向きの力を加えて、双方向の合成された圧力のバランスを制御することで、浮上位置Ｈ_bを設定値（５０μｍ）に維持するようにしている。この浮上位置制御のために、基板Ｇの高さ位置を検出する高さ検出センサ（図示せず）等を含むフィードバック制御機構が設けられてよい。なお、搬送方向（Ｘ方向）における塗布領域Ｍ₃のサイズは、レジストノズル１１４の直下に上記のような狭いギャップＳを安定に形成できるほどの余裕があればよく、通常は基板Ｇのサイズよりも小さくてよい。

搬入領域Ｍ₁と塗布領域Ｍ₃との間に設定された中間の領域Ｍ₂は、搬送中に基板Ｇの高さ位置を搬入領域Ｍ₁における浮上位置Ｈ_a（１００〜１５０μｍ）から塗布領域Ｍ₃における浮上位置Ｈ_b（５０μｍ）へ変化または遷移させるための遷移領域である。この遷移領域Ｍ₂内でもステージ１１２の上面には噴出口１２０と吸引口１２２とを混在させて配置している。ただし、吸引口１２２の密度を搬送方向に沿って次第に大きくしており、これによって搬送中に基板Ｇの浮上位置が漸次的または線形的にＨ_aからＨ_bに移るようになっている。

塗布領域Ｍ₃の下流側隣の領域Ｍ₄は、搬送中に基板Ｇの高さ位置を塗布用の浮上位置Ｈ_b（５０μｍ）から搬出用の浮上位置Ｈ_c（たとえば１００〜１５０μｍ）に変えるための遷移領域である。この遷移領域Ｍ₄のステージ上面には、搬送方向において上記した上流側の遷移領域Ｍ₂と対照的な配置パターンで噴出口１２０と吸引口１２２とが混在して配置されている。

ステージ１１２の下流端（右端）の領域Ｍ₅は搬出領域である。このレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２でレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、この搬出領域Ｍ₅から図示しない搬送アームによって下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４へ搬出される。この搬出領域Ｍ₅は上記した搬入領域Ｍ₁と空間的に対照的な構成になっており、基板Ｇの受け渡しのための昇降可能なリフトピン１２４が所定の間隔を置いて複数本（たとえば４本）設けられるとともに、基板Ｇを上記浮上位置Ｈ_cに浮かせるための噴出口１２０がステージ上面に一定の密度で多数設けられている。

レジストノズル１１４は、ステージ１１２上の基板Ｇを一端から他端までカバーできる長さでＹ方向に延びる長尺状のノズル本体１２６を有し、レジスト液供給源（図示せず）からのレジスト液供給管１２８に接続されている。ノズル本体１２６は門形または逆さコ字状のノズル支持体（図示せず）に支持されており、その下端にはノズル長手方向（Ｙ方向）に延びるスリット状または多孔型の微細径吐出口（図示せず）が形成されている。このレジストノズル１１４は定置型であるが、直下を通過する基板ＧとのギャップＳを調整するために上下方向で移動可能（高さ調整可能）とするのが好ましい。

図４、図６および図７に示すように、基板搬送部１１６は、ステージ１１２の両側に平行に配置された左右一対のガイドレール１３０と、両ガイドレール１３０上に軸方向（Ｘ方向）に移動可能に取り付けられた左右一対のスライダ１３２と、両ガイドレール１３０上で両スライダ１３２を同時に直進移動させる搬送駆動部１３４と、両スライダ１３２からステージ１１２の中心部に向かって延びて基板Ｇの両縁部を着脱可能に保持する左右一対の保持部１３６とを有している。

ここで、搬送駆動部１３４は直進型の駆動機構たとえばリニアモータによって構成されてよい。また、保持部１３６は、基板Ｇの下面側縁部に真空吸着力で吸着する真空吸着パッド１３８と、先端部で真空吸着パッド１３６を支持し、スライダ１３２に固定された基端部を支点として先端部の高さ位置を変えられるように弾性変形可能な板バネ型のパッド支持部１４０とを有している。真空吸着パッド１３８は一定のピッチで一列に配置され、パッド支持部１４０は真空吸着パッド１３８を各々独立に支持している。これにより、個々の真空吸着パッド１３８およびパッド支持部１４０が独立した高さ位置で（異なる高さ位置でも）基板Ｇを安定に保持できるようになっている。

図８に示すように、真空吸着パッド１３８は、たとえば合成ゴム製で直方体形状のパッド本体１３８ａの上面に複数個の吸引口１３８ｂを設けている。図示の吸引口１３８ｂはスリット状の長穴であるが、丸や矩形の小孔でもよい。真空吸着パッド１３８には、たとえば合成ゴムからなる帯状のバキューム管１４２が接続されている。このバキューム管１４２の管路１４２ａはたとえば真空ポンプ等の真空源（図示せず）に通じている。また、図６および図７に示すように、このバキューム管１４２は、スライダ１３０の上面に取り付けられたヒンジ１４４に支持されており、真空吸着パッド１３８に追随するように弾性変形して先端部の高さ位置を変えられるようになっている。

保持部１３６においては、図４に示すように、片側一列の真空吸着パッド１３８およびパッド支持部１４０が１組毎に分離している分離型または完全独立型の構成が好ましい。しかし、図９に示すように、切欠き部１４１を設けた一枚の板バネで片側一列分のパッド支持部１４０を形成してその上に片側一列の真空吸着パッド１３８を配置する一体型の構成も可能である。

上記のように、ステージ１１２の上面には多数の噴出口１２０が設けられている。この実施形態では、ステージ１１２の搬入領域Ｍ₁および搬出領域Ｍ₅に属する各噴出口１２０について、空気の噴出流量を基板Ｇとの相対的な位置関係で個別的かつ自動的に切り換える噴出制御部１４４を流量切換弁の形態でステージ１１２の内部に設けている。

図１０に、一実施例による噴出制御部１４４の構成を示す。この噴出制御部１４４は、ステージ１１２の内部に形成された球面体形状の壁面を有する弁室１４６と、この弁室１４６の中で移動可能に設けられた球状の弁体１４８とを有している。弁室１４６の頂部および底部には、鉛直方向で互いに対向する出口１４６ａおよび入口１４６ｂがそれぞれ形成されている。出口１４６ａは、当該噴出制御部１４４と対応する噴出口１２０に連通している。入口１４６ｂは、ステージ１１２の下部を走っている圧縮空気供給路１５０に連通している。

図１１に、ステージ１１２内における圧縮空気供給路１５０の配管パターンの一例を示す。たとえばコンプレッサ等の圧縮空気源（図示せず）からの圧縮空気は、外部配管１５２の中を流れてきてステージ１１２内の圧縮空気導入部１５４に導入される。圧縮空気導入部１５４に導入された圧縮空気は、そこからステージ１１２内に張り巡らされている多数の圧縮空気供給路１５０に分配される。

図１０において、弁室１４６の出口１４６ａの周りは弁座を構成する。この弁座には、出口１４６ａから放射状に延びる溝部１４６ｃが周回方向に所定の間隔（たとえば９０°間隔）を置いて複数個（４個）形成されている。これにより、弁体１４８が弁座に密着または着座して出口１４６ａを塞いでも弁室１４６から圧縮空気が溝部１４６ｃを通って噴出口１２０側に漏出するようになっている。弁体１４８は、弁室１４６の内径よりも一回りないし二回り小さな直径を有するたとえば樹脂製の球体であり、球面の下半部に入口１４６ｂ側の空気圧に応じた垂直上向きの力Ｐ_Uを受けるとともに、球面の上半部に出口１４６ａ側の空気圧に応じた垂直下向きの力（反作用）Ｐ_Dを受ける。また、弁体１４８にはその質量に応じた重力Ｐ_G（一定値）が常時垂直下向きに作用する。弁体１４８は、上記のような垂直上向きの力Ｐ_Uと垂直下向きの力（Ｐ_D＋Ｐ_G）との差に応じて弁室１４６内で鉛直方向の位置（高さ位置）を変える。

この実施形態では、図１０に示すように、各噴出口１２０の上方に基板Ｇが在るか否かに応じて、当該噴出口１２０直下の噴出制御部１４４では、弁室１４６内の弁体１４８の高さ位置が出口１４６ａ側の弁座に密着する第１の位置か、該弁座から離間して弁室１４６内で浮いた状態になる第２の位置かのいずれかに切り換わるようになっている。

すなわち、各噴出口１２０の上方に（厳密には設定浮上位置Ｈ_a以下の接近距離で）基板Ｇが在るときは、基板Ｇからの反作用で当該噴出口１２０付近やその直下の弁室１４６の出口１４６ａ付近の空気圧が高くなって、弁体１４８に作用する垂直下向きの力（特にＰ_D）が垂直上向きの力Ｐ_Uと互角かそれを少し上回る程に増大し、弁体１４８が出口１４６ａ側の弁座から離間する。これにより、出口１４６ａが開状態となり、入口１４６ｂより弁室１４６に導入された圧縮空気は大きな流量で出口１４６ａを通り抜けて噴出口１２０より噴き出る。

しかし、各噴出口１２０の上方に（厳密には設定浮上位置Ｈ_a以下の接近距離で）基板Ｇが無いときは、当該噴出口１２０ないしその直下の弁室１４６の出口１４６ａ付近の空気圧は低いため、弁体１４８に作用する垂直下向きの力（Ｐ_D＋Ｐ_G）よりも垂直上向きの力Ｐ_Uの方が大きく勝り、弁体１４８は出口１４６ａ付近の弁座に下から押し付けられるようにして密着する。これにより、出口１４６ａが実質的に閉状態となるが、弁室１４６内の圧縮空気は溝部１４６ｃを通って漏出し、少ない流量で噴出口１２０より外へ出るようになっている。

次に、この実施形態におけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）内の全体の動作ないし作用を説明する。

上記のように、第１の熱的処理部２６（図１）で所定の熱処理を受けた基板Ｇが下流側オーブンタワー（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ_R）６０（図２）からレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２に転送され、図示しない搬送アームによってステージ１１２の搬入領域Ｍ₁に搬入される。
この際、搬入領域Ｍ₁では、リフトピン１１８が、図５に点線で示すようにステージ１１２の上面から基板受け渡し用の高さ位置まで上昇または突出して基板Ｇを受け取り、次いで基板Ｇを水平姿勢のまま搬送用の高さ位置つまり浮上位置Ｈ_aまで下ろす。この時、搬入領域Ｍ₁の各噴出口１２０における空気の噴出流量は、上記のような噴出制御部（流量切換弁）１４４の作用（図１０）により、基板Ｇが浮上位置Ｈ_aに着く以前は（弁体１４８が弁室１４６の出口１４６ａを塞いでいるため）少ない流量に制限されており、基板Ｇが浮上位置Ｈ_aに下りるや否や（噴出口１２０付近の圧力が増大して弁体１４８が弁室１４６内で出口１４６ａから離れることにより）大きな流量に切り換わる。こうして、基板Ｇは、予設定の浮上位置Ｈ_aでステージ上面（噴出口１２０）から所要の圧力で基板全体に垂直上向きの力を受け、水平姿勢を保って空中に浮くことができる。

また、基板搬送部１１６のスライダ１３２および保持部１３６も搬入領域Ｍ₁で待機している。リフトピン１１８によって浮上位置Ｈ_aまで下ろされた基板Ｇの両側縁部が保持部１３６の真空吸着パッド１３８に載ると、真空源からのバキューム力が真空吸着パッド１３８に供給され、基板Ｇは両側縁部にて保持部１３６ないしスライダ１３２に支持される。

上記のようにして基板搬入動作が完了すると、基板搬送部１１６は搬送駆動部１３４を作動させ、左右のスライダ１３２を同時または平行にガイドレール１３０に沿って搬送方向（Ｘ方向）に一定速度で移動させる。こうして、基板Ｇは、ステージ１１２上で水平姿勢を保ちながら空中に浮いた状態で搬入領域Ｍ₁から遷移領域Ｍ₂を通って塗布領域Ｍ₃に移送される。

搬入領域Ｍ₁の各噴出口１２０においては、左端側から順に基板Ｇが上方を去っていくことになる。そうすると、各噴出口１２０における空気の噴出流量は、上記のような噴出制御部（流量切換弁）１４４の作用（図１０）により、それまでの基板浮上用の大流量から待機用の小流量に切り換わる。すなわち、各噴出口１２０の上方から基板Ｇが去ると、当該噴出口１２０ないしその直下の弁室１４６の出口１４６ａ付近の空気圧が低くなり、弁体１４８が出口１４６ａを塞ぐようになる。

こうして、搬入領域Ｍ₁の左端側から順に噴出口１２０の噴出量が実質的にオンからオフに切り換わり、基板Ｇの後端が搬入領域Ｍ₁を抜けると、搬入領域Ｍ₁内の全ての噴出口１２０の噴出量が実質的にオフ状態となり、次の基板Ｇが搬入されてくるまでこのオフ状態が維持される。このことにより、搬入領域Ｍ₁における基板浮上用の用力（圧縮空気）の消費量を大幅に節約することができる。

塗布領域Ｍ₃では、レジストノズル１１４が真下を通過する基板Ｇの上面に向けてスリット状の微細径吐出口から帯状のレジスト液Ｒを吐出または滴下することにより、搬送方向（Ｘ方向）において基板始端部から後端部に向かって基板Ｇの各部にレジスト液Ｒが順次塗布され、基板上面の全域に一定の膜厚でレジスト塗布膜が形成される。なお、基板Ｇの周縁部はブランク領域とし、この領域にはレジスト液Ｒを塗布しないようにすることができる。このことによって、レジスト塗布後に基板Ｇの周縁部から余分のレジスト膜を除去するための工程および装置（エッジ・リムーバ）を省くことができる。

上記のようにして塗布領域Ｍ₃でレジスト液Ｒを塗布された基板Ｇは、遷移領域Ｍ₄を通って搬出領域Ｍ₅に移送される。搬出領域Ｍ₅では、空間的かつタイミング的に搬入領域Ｍ₁と全く対照的な（逆の）動作が行われる。すなわち、塗布領域Ｍ₅の各噴出口１２０における空気の噴出流量は、上記のような噴出制御部（流量切換弁）１４４の作用（図１０）により、基板Ｇが真上の浮上位置Ｈ_aまで搬送されてくる以前は（弁体１４８が弁室１４６の出口１４６ａを塞いでいるため）少ない流量（オフ状態）に制限されており、基板Ｇが真上の浮上位置Ｈ_aに差し掛かるや否や（噴出口１２０付近の圧力が増大して弁体１４８が弁室１４６内で出口１４６ａから離れることによって）大きな流量（オン状態）に切り換わる。このオン状態は、当該基板Ｇが去るまで、つまりリフトピン１２０が基板Ｇを搬出用の高さ位置に持ち上げるまで持続する。基板Ｇが去ると（持ち上げられると）、各噴出口１２０の空気噴出量はオンからオフに切り換わる。そして、次の基板Ｇが塗布領域Ｍ₃から搬送されてくるまでこのオフ状態が維持される。このことにより、搬出領域Ｍ₅においても基板浮上用の用力（圧縮空気）の消費量をかなり節約することができる。

この実施形態では、塗布領域Ｍ₃や遷移領域Ｍ₂，Ｍ₄内の噴出口１２０にも上記のような噴出制御部（流量切換弁）１４４を適用することが可能である。これらの領域Ｍ₂，Ｍ₃，Ｍ₄では、噴出口１２０だけでなく、それと混在して負圧の吸引口１２２も設けられている。したがって、噴出制御部１４４によって各噴出口１２０における空気噴出のオン／オフを切り換えるときは、これと連動して近傍の吸引口１２２もオン／オフさせるような制御を行うのが好ましい。

図１２〜図１５に、上記した実施形態における噴出制御部（流量切換弁）１４４の変形例を示す。

図１２に示す変形例は、弁室１４６を円筒状の内壁を有するシリンダ型に構成し、弁体１４８を円柱体に形成するものである。この構成例でも、弁室１４６の室内空間よりも弁体１４８のサイズを一回りないし二回り小さくし、噴出流量のオン状態で両者の間に十分な隙間または流路が形成されるようにしてよい。

図１３Ａおよび図１３Ｂに示す変形例は、弁室１４６を円筒状の内壁を有するシリンダ型に構成とし、弁体１４８を円盤体に形成するものである。図示のように、弁体１４８の上面に周回方向で適当な間隔を置いた複数の突部１４８ａを形成することも可能である。オフ状態で弁体１４８が出口１４６ａを塞ぐときは突部１４８ａが弁座に当接して、弁体１４８と弁室１４６との間に隙間を形成し、この隙間から噴出口１２０側に圧縮空気を漏出させることができる。

図１４の変形例は、図１２の構成において弁体１４８の形状を円柱体から円錐体に置き換えたものである。

図１５Ａの変形例は、弁体１４８を板バネ型に構成するものである。詳細には、板片状の弁体１４８が、弁室１４６の側壁に固定された基端部１４８ｂと、この基端部１４８ｂから弁室１４６内に延在する可動部１４８ｃとを有する。そして、可動部１４８ｃに作用する垂直上向きの力Ｐ_Uと垂直下向きの力Ｐ_D（重力Ｐ_Gは実質的に無視できる）との大小関係に応じて、可動部１４８ｃが基端部１４８ｂを支点として出口１４６ａ側の弁座に着座する第１の位置と該弁座から離れる第２の位置との間で弾性的に変位するようになっている。このような板片状の弁体１４８は、図１５Ｂに示すように、たとえば一枚の樹脂フィルムまたはシート１５６を打ち抜き加工することによって領域単位で一括形成することができる。もちろん、成形加工によって作成することも可能である。

図１６に、本発明の別の方式における噴出制御機構の要部の構成を示す。上記した実施形態では各々の噴出口１２０毎にステージ１１２内部に流量切換弁型の噴出制御部１４４を設けたのに対して、この方式では基板Ｇの移動する方向（Ｘ方向）においてステージ１１２上の噴出口１２０を所定のピッチ（図示の例は１列単位）で複数の組に分割して、各組（列）毎に個別の開閉弁１６２を介して圧縮空気を供給し、各組（列）の噴出口１２０の上方に基板Ｇが在るときは、当該組（列）に対応する開閉弁１６２を開状態とし、各組（列）の噴出口１２０の上方に基板Ｇが無いときは、当該組（列）に対応する開閉弁１６２を閉状態とする。

上記のような噴出制御部を構成するため、図示のように、圧縮空気源（図示せず）からの外部圧縮空気供給管１５８は各列に割り当てられた分岐管１６０を介して各列のステージ内流路１５０に接続されており、各分岐管１６０に各列分の開閉弁１６２が設けられる。各開閉弁１６２は図示しない制御部により電子制御で個別にオン・オフ動作する。該制御部は、たとえば基板搬送部１１６に取り付けられているリニアスケールまたはリニアエンコーダや、あるいは適所に配置された光学センサ等を通じて基板Ｇの現在位置をモニタして、現在位置情報に基づいて各開閉弁１６２を個別にオン・オフ制御する。

なお、各列毎に開閉弁１６２を設ける代わりに、複数列たとえば２〜５列に開閉弁１６２を１つ充てることも可能であり、それによって部品点数の削減や構成の簡素化をはかることができる。

また、上記した実施形態ではステージ１１２の各領域Ｍ₁〜Ｍ₅において各噴出口１２０毎に流量切換弁型の噴出制御部１４４を設けたが、たとえば領域Ｍ₁，Ｍ₂，Ｍ₄，Ｍ₅においてのみ流量切換弁型の噴出制御部１４４を設け、塗布領域Ｍ₃では噴出制御部１４４を設けずに常時噴出、吸引させる構成とすることも可能である。これにより、塗布領域Ｍ₃の構造を簡素化できるとともに、レジストノズル１１４直下付近における基板浮上精度の信頼性を向上させることができる。さらに、塗布領域Ｍ₃については図１６の噴出制御部で噴出流量の切り換えを行ってもよい。その場合は、流量切換弁型の噴出制御部１４４で構成する場合よりも空気消費量は増加するが、構成の簡素化により装置の信頼性が向上するとともに、常時噴出させる場合よりは空気消費量を低減できるという利点がある。また、本発明で使用する基板浮上用の圧力気体は通常は圧縮空気であるが、窒素等の他の気体を噴出させて基板を浮上させてもよいことはいうまでもない。

他にも本発明の技術思想の範囲内で種々の変形が可能である。たとえば、上記した実施形態では、レジストノズル１１４を定置型としたが、必要に応じて水平移動可能としてもよい。また、上記した実施形態における基板搬送部１１６の保持部１３６は真空吸着式のパッド１３８を有するものであったが、基板Ｇの縁部をメカニカルに（たとえば狭着して）保持するパッド等も可能である。また、必要に応じて基板Ｇをステージ１１２上で搬送する途中に一時停止させることも可能であり、搬送速度を可変すること等も可能である。

上記した実施形態はＬＣＤ製造の塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布装置用の基板浮上装置に係るものであったが、本発明は被処理基板上に処理液を供給する任意の処理装置やアプリケーションに適用可能である。したがって、本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の塗布液も可能であり、現像液やリンス液等も可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。

Claims (10)

1. ステージ上面に多数の噴出口を有し、前記噴出口より噴出する気体の圧力で被処理基板を所望の高さに浮かせるステージと、
   前記ステージ内に形成されている前記噴出口に連通する出口と、この出口と鉛直方向で対向する入口と、前記出口付近に設けられる弁座とを有する弁室と、
   前記弁室内に移動可能に設けられた弁体と、
   前記弁室に前記入口から気体を供給する気体供給部と
   を有し、
   前記弁体が前記弁座に着座した状態で、前記弁体と前記弁座との間に、前記噴出口側に気体を漏出させるための隙間が形成され、
   前記弁体が、前記入口側の気体圧力に応じた垂直上向きの第１の力を受けるとともに、前記出口側の気体圧力に応じた垂直下向きの力と重力による垂直下向きの力とを足し合わせた第２の力を受け、
   前記基板が前記噴出口の上方に所定距離よりも接近して在るときは、前記第２の力が前記第１の力に勝って前記弁体が前記弁室内で前記入口に寄った第１の位置へ変位して、前記出口より前記噴出口に排出される気体の流量を増やし、
   前記基板が前記噴出口の上方に無いか、または前記所定距離よりも接近していないときは、前記第１の力が前記第２の力に勝って前記弁体が前記弁室内で前記出口に寄った第２の位置へ変位して、前記出口より前記噴出口に排出される気体の流量を制限する、
   基板浮上装置。
2. 前記弁座の周回方向の一部に、前記隙間を形成するための溝部が設けられている、請求項１に記載の基板浮上装置。
3. 前記弁体の前記弁座に着座する面に、前記隙間を形成するための突部が設けられている、請求項１に記載の基板浮上装置。
4. 前記弁室が球面状の内壁を有する、請求項１〜３のいずれか一項記載の基板浮上装置。
5. 前記弁室が円筒状の内壁を有する、請求項１〜３のいずれか一項記載の基板浮上装置。
6. 前記弁体が球体の形状を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板浮上装置。
7. 前記弁体が円柱体の形状を有する、請求項１〜５のいずれか一項記載の基板浮上装置。
8. 前記弁体が円錐体の形状を有する、請求項１〜５のいずれか一項記載の基板浮上装置。
9. 前記弁体が円盤の形状を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板浮上装置。
10. 前記気体供給部が、気体供給源からの高圧の気体を前記弁室に供給するために前記ステージの内部に設けられた気体流路を有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板浮上装置。

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