CN1906469A - 基板温度测量装置以及处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种能提高热电偶芯线的可靠性同时降低红外线对端片的影响，从而稳定、准确地测量基板温度的基板温度测量装置及处理装置。所述基板温度测量装置具备：由反射红外线的金属材料构成并具有热电偶芯线(20a、20b)的插入部(16a)的端片，和由热传导率比该端片(16)小的材料构成并支撑端片(16)的支撑部件(15b、15c)。其中，该端片(16)在对其插入部(16a)插入了热电偶芯线(20a、20b)的状态下，以压扁插入部(16a)的方式使之变形后与热电偶芯线(20a、20b)形成一体而接触于基板(13)。

Description

基板温度测量装置以及处理装置
技术领域
本发明涉及一种测量例如由红外线所加热的基板、或者在等离子体发生环境下所处理的基板温度的基板温度测量装置以及具备这种基板温度测量装置的处理装置。
背景技术
以往，在加热如半导体晶片或玻璃基板等状态下实施成膜或离子注入等各种处理时，为了精确地控制基板温度而需要测量基板的温度。这种基板温度的测量，以前使用的是热电偶(thermocouple)。例如在专利文献1所示热电偶中是在两条热电偶芯线的前端部安装端片(tip)来构成测温点。
专利文献1：日本专利特公昭58-28536号公报。
发明内容
端片通过接触基板而接受来自基板的热传导，以进行基板的温度测量。但是在利用红外线的基板加热环境下，一旦端片吸收红外线，端片的温度就会因红外线吸收而上升，有时就不能进行正确的基板温度测量。
图15所示是表示使端片接触基板来进行测量时的测定温度的时间变化(单点划线)和不用端片而直接在基板上安装热电偶的测温接点的测定温度的时间变化(实线)的曲线图。基板是在整体形成有SiO2(二氧化硅)膜的硅基板。由于基板是由3只支撑引脚(support pin)所支撑，并在其中2只支撑引脚的上端部分别安装有端片，因此单点划线所示的使用了端片的测量所产生的温度变化的曲线就有两条。作为端片的材料则采用热传导率高且耐热性高的AlN(氮化铝)。
因为红外线会穿透附有SiO2膜的硅基板，故该透过的红外线就被端片吸收，所以如图15所示，由端片所测量的温度(单点划线)就会显示比实际的基板温度(实线)还高的温度。
另外，在专利文献1中，端片和热电偶芯线被放在保护筒内，在将端片放置在保护筒内的状态下加热保护筒前端并使其熔融，由此使保护筒前端与端片熔为一体。但这种做法会使热电偶芯线受热后氧化而变脆，以致在使用细芯线时出现断线的可能性变高。如果把芯线加粗则热量相对地容易从芯线散去。另外，还会有在加热熔融工序上花费成本之类的问题。
在一边管理基板温度，一边在有等离子体发生的环境下进行基板处理时，也会发生同样的问题。也就是，因来自等离子体的电磁波的影响，有时热电偶不能准确地测量基板的温度。
本发明就是鉴于上述这样的问题而完成的，其目的在于提供一种能够提高热电偶芯线的可靠性，并且可降低红外线或电磁波对端片所造成的影响，从而稳定并准确地测量基板温度的基板温度测量装置以及处理装置。
本发明的基板温度测量装置的特征是具备：由反射红外线或电磁波的金属材料所构成，且具有热电偶芯线的插入部，在将热电偶芯线插入到插入部时，采用压扁插入部的方法使插入部与热电偶芯线形成为一体而与基板接触的端片；以及由热传导率比该端片小的材料所构成，用于支撑端片的支撑部件。
本发明的处理装置的特征是具备：配设测量温度的基板的处理室；由反射红外线或电磁波的金属材料所构成，且具有热电偶芯线的插入部，在将热电偶芯线插入到插入部时，采用压扁插入部的方法使插入部与热电偶芯线形成为一体而与基板接触的端片；以及由热传导率比该端片小的材料所构成，用来支撑端片的支撑部件。
借助于红外线或其他加热手段所受热的基板的热量，传导至与该基板所接触的端片，进一步传导至作为与端片合为一体的热电偶芯线来测量基板的温度。由于端片是由金属材料所构成，因此可不妨碍来自基板的热传导地进行准确的基板温度之测量。再者，由于端片材料也可是反射红外线或电磁波的金属材料，因此能抑制端片因吸收红外线或电磁波引起的温度上升，因而可以进行依赖于来自基板的传导热的准确的基板温度之测量。
另外，由于支撑端片的支撑部件是由比端片热传导率低的材料构成，因此能够增高端片与支撑部件之间的热阻，以抑制来自基板的热通过端片散至支撑部件。其结果就可以抑制端片温度的降低或加热处理中的基板温度的降低。
另外，由于通过端片的变形而使端片与热电偶芯线形成为一体，所以可以防止热电偶芯线因加热而氧化并变脆，减小热电偶芯线断线的危险性，以谋求长使用寿命。再者，由于没有加热工序所以还可以谋求成本降低。
根据本发明，就可以使用可靠性较高的热电偶芯线，进而，由于与该热电偶芯线形成一体的端片能反射红外线或电磁波，所以端片只显示依赖于来自基板的热传导的温度变化，从而可以进行准确的基板温度之测量。如果获得了准确的基板温度，那么就可以根据它准确地控制红外线加热器等温度控制手段，从而提高基板的处理品质。
附图说明
图1所示是本发明第1实施方式的处理装置及基板温度测量装置的概略图；
图2所示是本发明第1实施方式中支撑部件的放大斜视图；
图3所示是图2的局部放大斜视图；
图4所示是本发明第3实施方式的处理装置及基板温度测量装置的概略图；
图5所示是本发明第4实施方式的基板温度测量装置的局部剖面图；
图6所示是本发明第5实施方式的基板温度测量装置的局部剖面图；
图7所示是本发明第6实施方式的基板温度测量装置的局部斜视图。
图8所示是本发明第7实施方式的基板温度测量装置的局部剖面图。
图9所示是本发明第1实施方式的端片侧视图。
图10所示是本发明第2实施方式的端片侧视图。
图11所示是端片的变形例(之一)侧视图。
图12所示是端片的变形例(之二)侧视图。
图13所示是端片的变形例(之三)侧视图。
图14所示是使用上述第1实施方式的基板温度测量装置的基板温度测量的时间-温度变化及在基板上直接安装热电偶时的测量温度的时间-温度变化的曲线图。
图15所示是使用现有技术的基板温度测量装置的基板温度测量的时间-温度变化及在基板上直接安装热电偶时的测量温度的时间-温度变化的曲线图。
图16所示是本发明实施方式的变形例的概略图。
附图标记说明
10  处理室
11  红外线加热器
13  基板
15a～15c  支撑部件
16  端片
16a 插入部
20a、20b  热电偶芯线
22  支撑部件
26  支撑部件
30  端片
31  支撑部件
32  端片
33  摇动构件
39  支撑部件
35  端片
35a 插入部
36  端片
36a 插入部
37  端片
37a 插入部
38  端片
38a、38b  插入部
具体实施方式
下面参照图面对本发明的实施方式加以说明。
(第1实施方式)
图1所示是本发明第1实施方式的处理装置。在处理室10的上方设有石英板12，并在该石英板12的上面配设有红外线加热器11，其利用诸如来自卤素灯(halogen lamp)的红外线。
在处理室的内部设有载物台(stage)14，载物台14的内部确保有能容许杆状的支撑部件15a、15b、15c(15c的图示见图2)升降的空间14a。支撑部件15a、15b、15c例如可以通过气压缸(air cylinder)等升降气缸17，在载物台14的高度方向进行升降。
图2所示是支撑部件15a、15b、15c的斜视图。在本实施方式中，例如具备3个支撑部件15a、15b、15c，这3个支撑部件15a、15b、15c通过三脚形的连接部件19连接在升降气缸17的驱动连杆17a，3个支撑部件15a、15b、15c作为一个整体进行升降，各支撑部件15a、15b、15c由石英材料构成。
如图3所示，在3个支撑部件15a、15b、15c之中、2个支撑部件15b、15c的上端部，设有与热电偶芯线20a、20b合为一体的端片16。
图9所示是与热电偶芯线20a、20b合为一体以前的端片16的侧视图。端片16呈圆筒形，其中空孔作为热电偶芯线20a、20b的插入部16a发挥作用。例如，端片16的外径为1.2mm，长度为1.2mm，插入部16a的内径为0.3mm。
在插入部16a中，例如分别插入0.127mm粗的2条热电偶芯线20a、20b。其中一条热电偶芯线20a从插入部16a的一端部插入，另一条热电偶芯线20b从插入部16a的另一端部插入，热电偶芯线20a、20b各自的前端部20ab、20ba(参见图3)，从被插入一侧的相反侧的端部突出。
以此状态在常温下从外部给端片16施加机械性压力把插入部16a压扁，这样插入部16a被压扁而消失，另外整体的形状也从变形前的圆筒形如图3所示变形成角部变圆的大致六面体状。压扁之后的端片16的厚度为0.6mm至0.7mm程度。因该端片16的变形，热电偶芯线20a、20b将与端片16合为一体。热电偶芯线20a、20b在插入部16a的内部互相接触。或者，在热电偶中即使在其芯线间夹杂电阻值低的其它金属，电动势(electromotive force)也几乎没有变化，因此即便2条热电偶芯线20a、20b不互相直接接触也没有关系。
在热电偶芯线20a、20b分别从前端部20ab、20ba的端片16起的突出长度较长的情况下，则将其切下以使突出长度变短。图3所示的前端部20ab、20ba表示经过切短后的状态。
图3中的端片16之上部是平面，是与基板的接触部。端片16的下部例如通过粘接之类的方式而固定在支撑部件15b(15c)的前端部。
各个热电偶芯线20a、20b通过支撑部件15b(15c)内部所开的孔21、驱动连杆17a内部、升降气缸17内部以及其它馈通环(feed through)(真空-大气间用的配线路径)，连接到被配置于处理室10外部的信号处理装置18。
具备端片16、热电偶芯线20a、20b、支撑部件15b、15c、信号处理装置18等而构成本实施方式的基板温度测量装置。
其次，就本实施方式的处理装置及基板温度测量装置的作用加以说明。
基板13在处理室10内由3个支撑部件15a、15b、15c所支撑。把基板13接受成膜或离子注入的那一面朝向石英板12。来自设置于石英板12上部的红外线加热器11的红外线穿透石英板12照射到基板13，使基板13被加热。
受热后的基板13的热量传经与基板13背面接触的端片16传导进而一边传至与端片16合为一体的热电偶芯线20a、20b的一端部。与端片16合为一体的热电偶芯线20a、20b的一端部作为热电偶的测温接点发挥功能，给信号处理装置18输出与该测温接点之温度对应的信号，并在设置于信号处理装置18的显示部上显示出测量温度。
由于端片16由诸如铝这样的材料所构成，所以可不妨碍来自基板13的热传导地进行准确的基板温度的测量。当然，也可以把铝以外的其它热传导率高的材料作为端片16的材料来使用。例如，最好是具有100[W/m·K]以上的热传导率的材料。
另外，由于铝与以往作为端片材料所常用的陶瓷相比较，其红外线反射率也较高，因此可以抑制端片16因吸收红外线所造成的温度上升。其结果，就可以进行依赖于来自基板13的传导热的准确的基板温度的测量。
另外，支撑端片16的支撑部件15b、15c是由热传导率比端片16小的石英材料所构成，因此可提高端片16与支撑部件15b、15c之间的热阻，从而可抑制来自基板13的热量通过端片16而散到支撑部件15b、15c。其结果就可抑制端片16的温度降低或加热处理中的基板温度的降低。另外因为石英材料会穿透红外线，因此可防止支撑部件15b、15c因吸收红外线而造成的温度上升。这样，就可防止支撑部件15b、15c所支撑的端片16的不希望的温度变化，以进行依赖于基板温度的准确的温度测量。
图14所示是使用上述第1实施方式的基板温度测量装置的基板测量温度的时间-温度变化曲线(单点划线)及在基板13上直接安装热电偶的测温接点时的基板温度测量的时间-温度变化曲线(实线)的曲线图。基板13是在整体形成有SiO2膜的硅基板。用单点划线表示的2条温度变化曲线分别表示由支撑部件15b所支撑的端片16所测定的温度以及由支撑部件15c所支撑的端片16所测量的温度。由此结果可知，在本实施方式中可进行比图15所示现有例子更接近于实际的基板温度的温度测量。
此外，在本实施方式中，由于在从红外线加热器11方向来看是使端片16接触基板13的背面侧，由此就可以降低红外线对端片16所造成的影响。
另外，本实施方式中，由于对作为测温接点发挥功能的热电偶芯线20a、20b的一端部，通过在不伴随加热工序在常温下使端片16变形，使它们一体化，所以可防止热电偶芯线20a、20b因加热而氧化并变脆。从而可以减小热电偶芯线20a、20b断线的危险性以谋求长使用寿命。另外，由于没有加热工序所以也可谋求成本降低。进而，由于只是压扁端片16，所以对端片16而言并无质量上的变动，在同样材料、同样尺寸(变形前)的端片16间，可以使热容量一致以防止相对于基板温度变化的响应性的参差不齐。
另外，由于端片16与基板13相接触，因此为了不损伤基板13端片16最好采用比基板13软的材料。本实施方式中，由于使用比由硅或玻璃构成的基板13要软的、由铝构成的端片16，因而可以防止因端片16所引起的基板13的损伤。
另外，如果端片16软性的话，那么比起例如陶瓷之类的硬性材料更能增大与基板13间的接触面积，因而可以实施无参差不齐的准确的温度测量。特别是在因基板13翘曲或表面粗糙而无法确保端片16与基板13的稳定的接触面积的情形下更为有效。
作为能完全满足如上述那样端片16所要求的热传导率、红外线反射率、能在常温下容易变形、硬度等条件的材料，具体而言可列举出Al(铝)、Cu(铜)、Pt(铂)、Au(金)、Ag(银)。另外，从基板13的防止重金属污染的观点来看，最好是Al、Ag。
另外，例如用铝作材料，如从常温加热至250℃时，则可具有经受约5,000至10,000次的使用的寿命。但如果使用Ag等耐热性更高的金属作材料的话，就可以进一步延长使用寿命。
另外，由于使用寿命除了因热引起的老化，还与因基板13间的接触所引起的磨损有关，所以通过使端片的尺寸大型化就可以延长使用寿命。但是如因端片尺寸的大型化而使热容量增大时，则相对于基板温度变化的响应性会降低，在使所得到的测量温度反馈至红外线加热器11来控制加热温度的情况下，就不可进行准确的控制，因此，不宜过分增大端片的尺寸。例如，端片外形尺寸最大长度最好控制在2mm以内。
(第2实施方式)
图10所示为第2实施方式的端片35。端片35与图9所示第1实施方式的端片16相同，变形前的形状为圆筒形。外径为1.0mm比端片16还小。进而，与第1实施方式的端片16不同之处在于：插入部35a从端片35的中心偏移，以使端片35中与基板13的接触部分(在图10中为上侧部分)与插入部35a之间的距离(0.4mm)，比端片35中与支撑部件15b(15c)相对的部分(在图10中为下侧部分)与插入部35a之间的距离(0.3mm)还长。此外，插入部35a的内径为0.3mm。
凭借上述构成，在本实施方式的端片35中，就能够不增大端片的热容量，也就是不使相对于基板温度变化的响应性降低地提高与基板的接触部的耐磨损性。
(第3实施方式)
图4所示是本发明的第2实施方式的处理装置及基板温度测量装置。此外，对与第1实施方式同样的构成部分赋予同样的附图标记并省略其详细说明。
本实施方式中，端片16是由板状的支撑部件22所支撑。如图4所示，端片16安装在支撑部件22的前端部。或者，也可安装在支撑部件22前端部的表面(基板的对面)。支撑部件22与第1实施方式相同，由石英材料构成。在支撑部件22中，安装有端片16的前端部的相反侧的端部，是由升降气缸23的驱动连杆23a悬垂(overhung)支撑。
升降气缸23不仅具有升降功能，而且具有旋转功能，在图4中驱动连杆23a能够在上下方向进行升降，同时还能绕轴进行旋转。
安装有端片16的支撑部件22的前端部被放入载物台14与基板13之间，在图4中以将基板13的左端侧从连杆状的支撑部件15a稍微抬上的方式使端片16接触在基板13的背面。既可以在这种状态下进行基板13的加热处理及温度测量，也可以在使驱动连杆23a下降而基板13水平地被支撑在支撑部件15a上的状态、且在端片16接触于基板13背面的状态下进行加热处理及温度测量。由于图4中所示的状态，来自基板13的负载会对端片16施加压力，因此可以稳定地确保端片16与基板13之间的接触面积。
(第4实施方式)
图5所示是本发明第4实施方式，在圆筒形的支撑部件24的上端部，经由螺旋弹簧25支撑剖面为T字形的由石英材料构成的支撑部件26，在该支撑部件26上面例如粘接并支撑端片16。支撑部件24是由不锈钢材料所构成。螺旋弹簧25缠绕在一体地设置于支撑部件26圆柱形的头部26a的轴部26b(呈直径比头部26a小的圆柱形)的周围。该螺旋弹簧25的下端被支撑部件24的上端部所支撑，螺旋弹簧25的上端则抵接在支撑部件26的头部26a的下面。螺旋弹簧25构成涉及本实施方式的推压手段。
当基板13的背面接触于端片16使基板13的负载施加在支撑部件26上时，螺旋弹簧25被压缩，而支撑部件26的轴部26b的下端侧会沿着支撑部件24的中空孔24a下降。由于经过压缩的螺旋弹簧25的弹性恢复力会作为将端片16推压于基板13上的力起作用，因此能增大端片16与基板13之间的接触面积，从而可进行无参差不齐的准确的温度测量。特别是在因基板13翘曲或表面粗糙而无法确保端片16与基板13的稳定的接触面积的情形下更为有效。
(第5实施方式)
图6所示是本发明的第5实施方式，在圆筒形的支撑部件31的上端部，经由螺旋弹簧43支撑有剖面为T字形的端片30，支撑部件31由石英材料所构成，端片30与第1实施方式相同，由Al、Cu、Pt、Au、Ag中任何一种构成。螺旋弹簧43缠绕在一体地设置于端片30的圆柱形头部30a的轴部30b(呈直径比头部30a小的圆柱形)的周围。该螺旋弹簧43下端是被支撑部件31的上端部所支撑，螺旋弹簧43的上端则抵接在端片30的头部30a的下面。螺旋弹簧43构成涉及本实施方式的推压手段。
当基板13的背面接触于端片30的头部30a而承受基板13的负载，则螺旋弹簧43会被压缩，而端片30的轴部30b的下端侧会沿着支撑部件31的中空孔31a下降。由于经过压缩的螺旋弹簧43的弹性恢复力会作为将端片30推压在基板13上的力起作用，因此能增大端片30与基板13之间的接触面积，从而可进行无参差不齐的准确的温度测量。特别是在因基板13翘曲或表面粗糙而无法确保端片30与基板13间稳定的接触面积的情形下更为有效。
另外，如果使支撑部件31及端片30的外周侧用由SUS(不锈钢)材料所构成的管子(pipe)来包围，则对于来自侧面的应力(stress)可使耐性提高，并可防止对端片30施加所需以上的负载。
(第6实施方式)
图7所示为第6实施方式，在由石英材料所构成的支撑部件15b的上端部，经由摇动构件33而支撑有圆柱形的端片32，端片32与第1实施方式相同，由Al、Cu、Pt、Au、Ag中任何一种构成。
摇动构件33例如由因科内尔(Inconel，镍铬铁耐热耐蚀合金)所构成，为用3支棒状构件33c连接直径不同的2个环状构件33a、33b的构造。小直径的环状构件33a粘接在支撑部件15b的上端，而在比环状构件33a直径大的环状构件33b上粘接并支撑着端片32。
由于上述构造，使棒状构件33c弯曲或倾斜即可使端片32在支撑部件15b上摇动。由此，即使在基板13上产生翘曲的情形下仍然能增大端片32与基板13之间的接触面积，从而可进行无参差不齐的准确的温度测量。
(第7实施方式)
图8所示为第7实施方式。使用一对滚轮(roller)34a、34b作为将端片16对基板13进行推压的推压手段。端片16是安装在由石英材料所构成的连杆状的支撑部件39的前端部，支撑部件39将处理室10的底壁部42及基板支撑台41在厚度方向上可以上下动作地进行配设。一对滚轮34a、34b被配置成夹持支撑部件39，通过滚轮34a、34b旋转，支撑部件39被推往基板支撑台41所支撑的基板13，而端片16则被推压到基板13的背面。依靠控制使滚轮34a、34b旋转驱动的马达的转矩，就可用适当的接触压力使端片16接触基板13。
以上，就本发明的各种实施方式进行了说明，当然，本发明并非限定在上述实施方式，也可根据本发明的技术思想作种种变形。
作为支撑端片的支撑部件的材料，并不仅限于石英，也可用其它热传导率低的材料。例如聚酰亚胺系树脂或ZrO(氧化锆)等陶瓷。但是，由于这些材料的红外线吸收率较高，所以需要配置成从红外线加热器看过去隐藏在端片中的方式。或者，也可以在这些材料的表面涂敷氧化铝、TiN(氮化钛)、Au等红外线反射材料后再使用。
另外，在图5、图6所示的实施方式中，如果增强螺旋弹簧的弹力，以使得螺旋弹簧不会因基板的负载而完全溃扁，则可以避免端片与支撑部件间的直接接触，能够在端片与支撑部件之间进行隔热。
端片形状(变形前)并不仅限于圆筒，也可以是如图11所示的端片36那样为角筒。进而，还可以是从侧面看时为四方形的插入部36。另外，也可以是如图12所示的端片37那样，具有连结到端片37的插入部37a的、从侧面看时呈ユ字型的形状。再有，并不限于将2条热电偶芯线一起插入的一个插入部，也可以是如图13所示的端片那样，具备插入各个热电偶芯线的两个插入部38a、38b。
另外，虽然在以上的实施方式中，是在载物台14上形成空间14a，并在其中以可以升降的方式配设连杆状的支撑部件15a、15b、15c，在此支撑部件之上设置端片16。但也可以取而代之，如图16所示那样在载物台14上安装由石英所构成的平台50，并在此平台之上设置端片16。孔14a’将热电偶芯线20a、20b引导至外部。
另外，虽然在以上的实施方式中，如图1所明示那样表示了利用红外线加热器11来加热基板13的情况，但在测量并控制基板温度的状态下处理基板的情况，例如在通过溅射(sputtering)裸硅晶片来进行成膜的情况下，就在基板上形成等离子体(plasma)。由于处于等离子体光或电磁波的气氛中的裸硅晶圆容易穿透电磁波，因此难以准确地测量制造过程中的基板温度。即使在这种情况下，本发明也能进行基板的温度测量而不会受到等离子体光的影响。

Claims (13)

1.一种用来测量基板温度的基板温度测量装置，其特征在于，具备：
由反射红外线或电磁波的金属材料构成，且具有热电偶芯线的插入部，并在对上述插入部插入了上述热电偶芯线的状态下，以压扁上述插入部的方式加以变形后，与上述热电偶芯线形成一体而接触于上述基板的端片；以及
由传导率比上述端片小的材料构成，用来支撑上述端片的支撑部件。
2.根据权利要求1所述的基板温度测量装置，其特征在于，具备：
对上述基板推压上述端片的推压构件。
3.根据权利要求1或2所述的基板温度测量装置，其特征在于，具备：
可使上述端片在上述支撑部件上摇动的摇动构件。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的基板温度测量装置，其特征在于：
上述端片由Al、Cu、Pt、Au、Ag中的任何一种材料构成。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的基板温度测量装置，其特征在于：
上述支撑部件由石英材料构成。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的基板温度测量装置，其特征在于：
上述插入部从上述端片的中心偏移，以使得上述端片与上述基板的接触部和上述插入部之间的距离比上述端片与上述支撑部件对置的部分和上述插入部之间的距离更长。
7.一种处理装置，利用红外线对上述基板进行热处理、或者在产生等离子体的环境下进行处理，其特征在于，
在设置有基板的处理室中，具备：
由反射红外线或电磁波的金属材料构成，且具有热电偶芯线的插入部，并在对上述插入部插入了上述热电偶芯线的状态下，以压扁上述插入部的方式加以变形后，与上述热电偶芯线形成一体而接触于上述基板的端片；以及
由传导率比上述端片小的材料构成，用来支撑上述端片的支撑部件。
8.根据权利要求7所述的处理装置，其特征在于，具备：
对上述基板推压上述端片的推压构件。
9.根据权利要求7或8所述的处理装置，其特征在于：
可使上述端片在上述支撑部件上摇动的摇动构件。
10.根据权利要求7至9中任意一项所述的处理装置，其特征在于：
上述端片由Al、Cu、Pt、Au、Ag中的任何一种材料构成
11.根据权利要求7至10中任意一项所述的处理装置，其特征在于：
上述支撑部件由石英材料构成。
12.根据权利要求7至11中任意一项所述的处理装置，其特征在于：
上述插入部从上述端片的中心偏移，以使得上述端片与上述基板的接触部和上述插入部之间的距离比上述端片与上述支撑部件对置的部分和上述插入部之间的距离更长。
13.根据权利要求7至12所述的任意一种处理处理装置，其特征在于：
上述端片被配置成接触于上述基板接受红外线照射或电磁波的面的相反面。
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